JPH10199039A - 光ディスク - Google Patents
光ディスクInfo
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- JPH10199039A JPH10199039A JP8359058A JP35905896A JPH10199039A JP H10199039 A JPH10199039 A JP H10199039A JP 8359058 A JP8359058 A JP 8359058A JP 35905896 A JP35905896 A JP 35905896A JP H10199039 A JPH10199039 A JP H10199039A
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- JP
- Japan
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- disk
- area
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 記録領域を同心円状に分割して各領域に結晶
化速度が異なる相変化物質を用いることによりCAV駆
動が可能な相変化型の光ディスクを提供する。 【解決手段】 全記録領域4を同心円状に分割して内周
部4aの記録材料として結晶化速度が相対的に小なる相
変化材料を用い、外周部4bでは結晶化速度が相対的に
大なる相変化材料を用いた貼り合わせ構造の光ディスク
1であって、内周部4aに対応するその内周領域1Ba
においては結晶化速度が小なる相変化材料を用いた記録
部Aを設けると共に、外周部4bに対応するその外周領
域1Bbは透明状態とする光ディスク1の径と同一寸法
の半体1Bと、内周部4aに対応するその内周領域1A
aは透明状態とすると共に、外周部4bに対応するその
外周領域1Abにおいては結晶化速度が大なる相変化材
料を用いた記録部Bを設け、光ディスク1の径と同一寸
法の半体1Aとを有し、センターホール2を中心とし
て、記録層部A,B同士が対向するようにディスク半体
1A,1B同士を貼り合わせる。
化速度が異なる相変化物質を用いることによりCAV駆
動が可能な相変化型の光ディスクを提供する。 【解決手段】 全記録領域4を同心円状に分割して内周
部4aの記録材料として結晶化速度が相対的に小なる相
変化材料を用い、外周部4bでは結晶化速度が相対的に
大なる相変化材料を用いた貼り合わせ構造の光ディスク
1であって、内周部4aに対応するその内周領域1Ba
においては結晶化速度が小なる相変化材料を用いた記録
部Aを設けると共に、外周部4bに対応するその外周領
域1Bbは透明状態とする光ディスク1の径と同一寸法
の半体1Bと、内周部4aに対応するその内周領域1A
aは透明状態とすると共に、外周部4bに対応するその
外周領域1Abにおいては結晶化速度が大なる相変化材
料を用いた記録部Bを設け、光ディスク1の径と同一寸
法の半体1Aとを有し、センターホール2を中心とし
て、記録層部A,B同士が対向するようにディスク半体
1A,1B同士を貼り合わせる。
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、2枚のディスク半
体同士を貼り合わせた構造の光ディスクに関するもので
ある。
体同士を貼り合わせた構造の光ディスクに関するもので
ある。
【0002】
【従来の技術】レーザ光線を利用して情報の記録再生を
高密度で行う技術は、主に光ディスクとして実用化され
ている。こうした光ディスクは再生専用型(ROM)、
追記型(WO)、書換え型(RAM)に大別することが
できる。再生専用型はコンパクトディスク(CD)−R
OM(CD−ROM)、デジタル・ビデオ・ディスク
(DVD)−ROM(DVD−ROM)として、また追
記型はCD−Rとして、さらに書換え型はDVD−RA
Mがある。このうち、DVD−RAMは相変化記録層を
用いたものが実用化されると予想される。具体的には、
DVD−RAMは、相変化記録媒体を用いた記録層をは
じめとして保護層、反射層などを積層した0.6mm厚
の透明基板を2枚貼り合わせた構造のディスクであり、
こうして作製されたディスクの両面側から記録再生用レ
ーザ光線を照射することによって、相変化記録層に情報
を記録再生するものである。
高密度で行う技術は、主に光ディスクとして実用化され
ている。こうした光ディスクは再生専用型(ROM)、
追記型(WO)、書換え型(RAM)に大別することが
できる。再生専用型はコンパクトディスク(CD)−R
OM(CD−ROM)、デジタル・ビデオ・ディスク
(DVD)−ROM(DVD−ROM)として、また追
記型はCD−Rとして、さらに書換え型はDVD−RA
Mがある。このうち、DVD−RAMは相変化記録層を
用いたものが実用化されると予想される。具体的には、
DVD−RAMは、相変化記録媒体を用いた記録層をは
じめとして保護層、反射層などを積層した0.6mm厚
の透明基板を2枚貼り合わせた構造のディスクであり、
こうして作製されたディスクの両面側から記録再生用レ
ーザ光線を照射することによって、相変化記録層に情報
を記録再生するものである。
【0003】ところで、DVD−RAMに使用される記
録再生用レーザ光線は、CD−ROM再生で用いられる
再生用レーザ光線がディスク表面に形成するスポット径
よりも小さいスポットをディスク上に形成可能な記録再
生用レーザ光線が使用される。この結果、記録再生用レ
ーザ光線を照射してDVD−RAMの記録層に形成され
る最短マーク長は、CD−ROMの最短ピット長よりも
小とすることができるので(最短ピット長はDVD−R
AMの場合は3T、CD−ROMの場合は6T.T:チ
ャンネルクロックの1周期)、DVD−RAMにおいて
は大幅に記録密度が高められた記録再生が行える利点が
ある。
録再生用レーザ光線は、CD−ROM再生で用いられる
再生用レーザ光線がディスク表面に形成するスポット径
よりも小さいスポットをディスク上に形成可能な記録再
生用レーザ光線が使用される。この結果、記録再生用レ
ーザ光線を照射してDVD−RAMの記録層に形成され
る最短マーク長は、CD−ROMの最短ピット長よりも
小とすることができるので(最短ピット長はDVD−R
AMの場合は3T、CD−ROMの場合は6T.T:チ
ャンネルクロックの1周期)、DVD−RAMにおいて
は大幅に記録密度が高められた記録再生が行える利点が
ある。
【0004】しかしながら、DVD−RAMの記録層を
構成する相変化材料は線速度依存性が大きいという欠点
があった。即ち、記録用レーザ光線の照射を受けて照射
光量が熱量に変化しこの記録層を構成する相変化材料が
相変化(可逆的に結晶状態からアモルファス状態に変
化)するために必要な最小蓄熱量は、相変化材料自体の
種類、組成により定まり、また、通常、記録用レーザ光
線のパワーは一定である。
構成する相変化材料は線速度依存性が大きいという欠点
があった。即ち、記録用レーザ光線の照射を受けて照射
光量が熱量に変化しこの記録層を構成する相変化材料が
相変化(可逆的に結晶状態からアモルファス状態に変
化)するために必要な最小蓄熱量は、相変化材料自体の
種類、組成により定まり、また、通常、記録用レーザ光
線のパワーは一定である。
【0005】このことから、DVD−RAMが線速度一
定(CLV)で回転駆動される場合は、言うまでもない
が、ディスクの半径方向における記録領域は最内周部分
から最外周部分に至るまで線速度は全て一定であるの
で、記録時、記録用レーザ光線を最内周部分から最外周
部分に至るまで連続照射しても、全記録領域は常時均一
な照射光量(単位面積当りの照射時間)が受けられるこ
とになる。この結果、記録領域の最内周部分と最外周部
分とは同一の蓄熱量が得られるから、この蓄熱量により
相変化が確実に生じる性質の相変化材料を唯一つ選定
し、全記録領域の記録層材料としてこの相変化材料を用
いることによって、良好な記録を行うことができる。
定(CLV)で回転駆動される場合は、言うまでもない
が、ディスクの半径方向における記録領域は最内周部分
から最外周部分に至るまで線速度は全て一定であるの
で、記録時、記録用レーザ光線を最内周部分から最外周
部分に至るまで連続照射しても、全記録領域は常時均一
な照射光量(単位面積当りの照射時間)が受けられるこ
とになる。この結果、記録領域の最内周部分と最外周部
分とは同一の蓄熱量が得られるから、この蓄熱量により
相変化が確実に生じる性質の相変化材料を唯一つ選定
し、全記録領域の記録層材料としてこの相変化材料を用
いることによって、良好な記録を行うことができる。
【0006】これに対して、DVD−RAMが角速度一
定(CAV)で回転駆動される場合には、言うまでもな
いが、ディスクの半径方向における記録領域は最内周部
分から最外周部分に至るまで線速度は半径方向に応じて
次第に大となる、記録時、記録用レーザ光線を最内周部
分から最外周部分に至るまで連続照射しても、最内周部
分が最大の照射光量(単位面積当りの照射時間)を受け
るのに対して最外周部分は最少の照射光量を受けること
になる。この結果、記録領域の最内周部分は最大の蓄熱
量が得られるのに対して最外周部分は最小の蓄熱量しか
得られないことになる。ディスク半径方向の記録領域の
このような蓄熱量の大きな差異を許容する性質の相変化
材料はない。
定(CAV)で回転駆動される場合には、言うまでもな
いが、ディスクの半径方向における記録領域は最内周部
分から最外周部分に至るまで線速度は半径方向に応じて
次第に大となる、記録時、記録用レーザ光線を最内周部
分から最外周部分に至るまで連続照射しても、最内周部
分が最大の照射光量(単位面積当りの照射時間)を受け
るのに対して最外周部分は最少の照射光量を受けること
になる。この結果、記録領域の最内周部分は最大の蓄熱
量が得られるのに対して最外周部分は最小の蓄熱量しか
得られないことになる。ディスク半径方向の記録領域の
このような蓄熱量の大きな差異を許容する性質の相変化
材料はない。
【0007】このため、内周領域における照射光量に対
応する熱量のみで相変化が生じる相変化材料をディスク
の全記録領域にわたる記録層材料として用いた場合は、
記録用レーザ光線を最内周部分から最外周部分に至るま
で連続照射しても、内周部分の記録が可能となるだけで
外周部分には記録が行われないことが発生する。同様
に、外周領域における照射光量に対応する熱量のみで相
変化が生じる相変化材料をディスクの全記録領域にわた
る記録層材料として用いた場合には、記録用レーザ光線
を最内周部分から最外周部分に至るまで連続照射して
も、内周部分においては記録に要する以上の照射光量が
得られるために可逆的に行われる相変化を越えて材料自
体が熱的形状変化を生じてしまう恐れがある。外周部分
の記録が可能となることは言うまでもない。
応する熱量のみで相変化が生じる相変化材料をディスク
の全記録領域にわたる記録層材料として用いた場合は、
記録用レーザ光線を最内周部分から最外周部分に至るま
で連続照射しても、内周部分の記録が可能となるだけで
外周部分には記録が行われないことが発生する。同様
に、外周領域における照射光量に対応する熱量のみで相
変化が生じる相変化材料をディスクの全記録領域にわた
る記録層材料として用いた場合には、記録用レーザ光線
を最内周部分から最外周部分に至るまで連続照射して
も、内周部分においては記録に要する以上の照射光量が
得られるために可逆的に行われる相変化を越えて材料自
体が熱的形状変化を生じてしまう恐れがある。外周部分
の記録が可能となることは言うまでもない。
【0008】上述したように、DVD−RAMの記録層
を構成する相変化材料は線速度依存性が大きいという欠
点があった。そこで、この線速度依存性を解消するため
には、次のことが考えられた。
を構成する相変化材料は線速度依存性が大きいという欠
点があった。そこで、この線速度依存性を解消するため
には、次のことが考えられた。
【0009】(1)ディスクの相変化記録層の組成を内
外周で相違させる。即ち、ディスクの相変化記録層を形
成する際(スパッタを用いた真空成膜時)に、ターゲッ
トとディスク基板との間に設けたマスクを用いて内外周
のゾーン毎に、結晶化速度の違う組成の記録層になるよ
うにする。
外周で相違させる。即ち、ディスクの相変化記録層を形
成する際(スパッタを用いた真空成膜時)に、ターゲッ
トとディスク基板との間に設けたマスクを用いて内外周
のゾーン毎に、結晶化速度の違う組成の記録層になるよ
うにする。
【0010】(2)ディスクの第1保護層、相変化記録
層、第2保護層、反射層の厚さを半径に応じて変化させ
る。即ち、第1保護層、相変化記録層、第2保護層、反
射層を各々、内周から外周にいくほど薄くしてディスク
の半径方向における各層の膜厚を変化させ、内周から外
周にいくほどレーザ光線の照射光量を増加させることに
より、記録感度等熱的条件を整える(内外周同一の記録
感度等熱的条件とする)。こうすることで線速度依存性
を解消しようとしていた(例えば特開平8−77600
号公報)。
層、第2保護層、反射層の厚さを半径に応じて変化させ
る。即ち、第1保護層、相変化記録層、第2保護層、反
射層を各々、内周から外周にいくほど薄くしてディスク
の半径方向における各層の膜厚を変化させ、内周から外
周にいくほどレーザ光線の照射光量を増加させることに
より、記録感度等熱的条件を整える(内外周同一の記録
感度等熱的条件とする)。こうすることで線速度依存性
を解消しようとしていた(例えば特開平8−77600
号公報)。
【0011】
【発明が解決しようとする課題】しかし、前記したマス
クを用いてディスクのゾーン毎に結晶化速度の違う組成
の記録層になるようにスパッタリングしても、マスクの
境界部分ではプラズマの回り込み等が発生し厳密に組成
を制御することは困難であった。また、前記したよう
に、第1保護層、相変化記録層、第2保護層、反射層の
各々内周から外周にいくほど薄くしてディスクの半径方
向における各層の膜厚を変化させる膜厚の制御も、nm
単位で厳密に変化させることは困難であった。
クを用いてディスクのゾーン毎に結晶化速度の違う組成
の記録層になるようにスパッタリングしても、マスクの
境界部分ではプラズマの回り込み等が発生し厳密に組成
を制御することは困難であった。また、前記したよう
に、第1保護層、相変化記録層、第2保護層、反射層の
各々内周から外周にいくほど薄くしてディスクの半径方
向における各層の膜厚を変化させる膜厚の制御も、nm
単位で厳密に変化させることは困難であった。
【0012】このため、上記した手法を用いて製造され
たディスクは、情報記録時における線速度依存性が大き
いという欠点を効果的に解消することができず、狙い通
りの特性を示さないことがあった。また、こうした製造
に際しては、真空成膜装置も通常のものをそのまま使用
できず、複雑な改造が必要になるという問題もあった。
本発明は、後述するように、上述した従来の技術の欠点
を解消して、内外周に亘り線速度が広い範囲で変化して
も、記録再生消去時における線速度依存性が極めて小さ
い光ディスクを提供することを目的とする。
たディスクは、情報記録時における線速度依存性が大き
いという欠点を効果的に解消することができず、狙い通
りの特性を示さないことがあった。また、こうした製造
に際しては、真空成膜装置も通常のものをそのまま使用
できず、複雑な改造が必要になるという問題もあった。
本発明は、後述するように、上述した従来の技術の欠点
を解消して、内外周に亘り線速度が広い範囲で変化して
も、記録再生消去時における線速度依存性が極めて小さ
い光ディスクを提供することを目的とする。
【0013】
【課題を解決するための手段】上述した課題を解決する
ため、本発明は次の(1)〜(3)の構成を有する光デ
ィスクを提供する。
ため、本発明は次の(1)〜(3)の構成を有する光デ
ィスクを提供する。
【0014】(1) 図1、図2に示すように、全記録
領域4を同心円状に分割して内周及び外周両記録領域部
4a,4bを形成し、内周記録領域部4aの記録層材料
として結晶化速度が相対的に遅い相変化材料を用い、外
周記録領域部4bの記録層材料として結晶化速度が相対
的に速い相変化材料を用いた貼り合わせ構造の光ディス
ク1であって、内周記録領域部4aに対応するその内周
領域1Baにおいては結晶化速度が相対的に遅い相変化
材料を用いた第1の記録部Aを設け、外周記録領域部4
bに対応するその外周領域1Bbは透明状態であって光
ディスク1の径と同一寸法の径を有する第1のディスク
半体1Bと、内周記録領域部4aに対応するその内周領
域1Aaは透明状態であり、外周記録領域部4bに対応
するその外周領域1Abにおいては結晶化速度が相対的
に速い相変化材料を用いた第2の記録部Bを設け、光デ
ィスク1の径と同一寸法の径を有する第2のディスク半
体1Aとを有し、センターホール2を中心として、第1
及び第2の記録部A,B同士が対向するように第1及び
第2のディスク半体1A,1B同士を貼り合わせること
により構成したことを特徴とする光ディスク。
領域4を同心円状に分割して内周及び外周両記録領域部
4a,4bを形成し、内周記録領域部4aの記録層材料
として結晶化速度が相対的に遅い相変化材料を用い、外
周記録領域部4bの記録層材料として結晶化速度が相対
的に速い相変化材料を用いた貼り合わせ構造の光ディス
ク1であって、内周記録領域部4aに対応するその内周
領域1Baにおいては結晶化速度が相対的に遅い相変化
材料を用いた第1の記録部Aを設け、外周記録領域部4
bに対応するその外周領域1Bbは透明状態であって光
ディスク1の径と同一寸法の径を有する第1のディスク
半体1Bと、内周記録領域部4aに対応するその内周領
域1Aaは透明状態であり、外周記録領域部4bに対応
するその外周領域1Abにおいては結晶化速度が相対的
に速い相変化材料を用いた第2の記録部Bを設け、光デ
ィスク1の径と同一寸法の径を有する第2のディスク半
体1Aとを有し、センターホール2を中心として、第1
及び第2の記録部A,B同士が対向するように第1及び
第2のディスク半体1A,1B同士を貼り合わせること
により構成したことを特徴とする光ディスク。
【0015】(2) 図2、図3に示すように、第1の
ディスク半体1Bの内周領域1Baにおいて設けた第1
の記録部Aは、透明ディスク基板a1上に第1保護層b
1、相変化記録層c1、第2保護層d1、反射層e1を
順次積層して形成され、第2のディスク半体1Aの外周
領域1Abにおいて設けた第2の記録部Bは、透明ディ
スク基板a1上に反射層e1、第2保護層d1、相変化
記録層c2、第1保護層b1を順次積層して形成された
ことを特徴とする上記(1)記載の光ディスク1。
ディスク半体1Bの内周領域1Baにおいて設けた第1
の記録部Aは、透明ディスク基板a1上に第1保護層b
1、相変化記録層c1、第2保護層d1、反射層e1を
順次積層して形成され、第2のディスク半体1Aの外周
領域1Abにおいて設けた第2の記録部Bは、透明ディ
スク基板a1上に反射層e1、第2保護層d1、相変化
記録層c2、第1保護層b1を順次積層して形成された
ことを特徴とする上記(1)記載の光ディスク1。
【0016】(3) 図4に示すように、第1及び第2
保護層d1は、硫化物又は酸化物、或いは、これらの物
質に窒化物、酸化物を添加した物質からなり、相変化記
録層c1,c2は、Ge,Sb,Te系、或いは、G
e,Sb,Teを主元素としてこれらに他の金属元素を
添加した物質からなり、反射層e1は、Al、Au、N
i、Ti、Ag、Crを主成分とする合金からなること
を特徴とする上記(1)又は(2)記載の光ディスク
1。
保護層d1は、硫化物又は酸化物、或いは、これらの物
質に窒化物、酸化物を添加した物質からなり、相変化記
録層c1,c2は、Ge,Sb,Te系、或いは、G
e,Sb,Teを主元素としてこれらに他の金属元素を
添加した物質からなり、反射層e1は、Al、Au、N
i、Ti、Ag、Crを主成分とする合金からなること
を特徴とする上記(1)又は(2)記載の光ディスク
1。
【0017】
【発明の実施の態様】以下、本発明の光ディスクを、図
1〜図4を参照して順次説明する。図1は本発明の光デ
ィスクの一実施例構成を説明するための図、図2は本発
明の光ディスクに用いられるディスク半体の全体構成を
説明するための図、図3はディスク半体の積層構造を説
明するための図、図4は本発明のディスクの積層構造を
説明するための図である。
1〜図4を参照して順次説明する。図1は本発明の光デ
ィスクの一実施例構成を説明するための図、図2は本発
明の光ディスクに用いられるディスク半体の全体構成を
説明するための図、図3はディスク半体の積層構造を説
明するための図、図4は本発明のディスクの積層構造を
説明するための図である。
【0018】現在、相変化型光ディスクの記録層材料と
して用いられている相変化材料は、殆どがGeSbTe
(ゲルマニウム・アンチモン・テルル)系の物質であ
る。この相変化材料はその組成によりディスク回転数に
記録性能が非常に左右されやすく、線速度依存が強いこ
とが知られている。このため、相変化型光ディスクは殆
どの場合、線速度一定(CLV)で利用できるような機
器にしか応用されていない。しかし、コンピュータ用な
どの情報記録用途においてはアクセススピード等の理由
から角速度一定(CAV)駆動制御のほうが有利である
と考えられている。
して用いられている相変化材料は、殆どがGeSbTe
(ゲルマニウム・アンチモン・テルル)系の物質であ
る。この相変化材料はその組成によりディスク回転数に
記録性能が非常に左右されやすく、線速度依存が強いこ
とが知られている。このため、相変化型光ディスクは殆
どの場合、線速度一定(CLV)で利用できるような機
器にしか応用されていない。しかし、コンピュータ用な
どの情報記録用途においてはアクセススピード等の理由
から角速度一定(CAV)駆動制御のほうが有利である
と考えられている。
【0019】そこで、本発明は、1枚の光ディスクの全
記録領域を同心円状に分割して内周及び外周両記録領域
部を形成し、その内周記録領域部の記録層材料として結
晶化速度が相対的に遅い(小なる)相変化材料を用い、
その外周記録領域部の記録層材料として結晶化速度が相
対的に速い(大なる)相変化材料を用いた構成であり、
しかも、貼り合わせ構造の光ディスクを提供するもので
ある。ここで、結晶化速度とは相変化が可能となる熱が
相変化材料に与えられたとき、即ち、相変化材料が結晶
状態からアモルファス状態に完全に移行する速度のこと
である。
記録領域を同心円状に分割して内周及び外周両記録領域
部を形成し、その内周記録領域部の記録層材料として結
晶化速度が相対的に遅い(小なる)相変化材料を用い、
その外周記録領域部の記録層材料として結晶化速度が相
対的に速い(大なる)相変化材料を用いた構成であり、
しかも、貼り合わせ構造の光ディスクを提供するもので
ある。ここで、結晶化速度とは相変化が可能となる熱が
相変化材料に与えられたとき、即ち、相変化材料が結晶
状態からアモルファス状態に完全に移行する速度のこと
である。
【0020】この結果、この光ディスクをCAV駆動し
た場合であっても、内周記録領域部は相対的に線速度が
小で駆動されることに対応して結晶化速度が相対的に遅
い(小なる)相変化材料を用い、これに対して、外周記
録領域部は内周記録領域部よりも相対的に線速度が大で
駆動されることに対応して結晶化速度が相対的に速い
(大なる)相変化材料を用いることによって、全記録領
域にわたり情報を安定して記録することができるのであ
る。
た場合であっても、内周記録領域部は相対的に線速度が
小で駆動されることに対応して結晶化速度が相対的に遅
い(小なる)相変化材料を用い、これに対して、外周記
録領域部は内周記録領域部よりも相対的に線速度が大で
駆動されることに対応して結晶化速度が相対的に速い
(大なる)相変化材料を用いることによって、全記録領
域にわたり情報を安定して記録することができるのであ
る。
【0021】さて、説明の都合上、(1)本発明の光デ
ィスクの構成、(2)具体的な光ディスクの構成、
(3)ディスク半体1Aの具体的な構成、(4)ディス
ク半体1Aの具体的な構成、の順に述べることにする。
ィスクの構成、(2)具体的な光ディスクの構成、
(3)ディスク半体1Aの具体的な構成、(4)ディス
ク半体1Aの具体的な構成、の順に述べることにする。
【0022】(1) [本発明の光ディスクの構成] 本発明の光ディスク1は、図1に示すように、センター
ホール2、未記録領域(未定義領域)である領域3、相
変化材料を用いた記録層を有する記録領域4、最外周縁
部5を備えており、また、図2(B)に示す載置状態の
半体1B上に、図2(A)に示す載置状態の半体1Aを
そのまま載せて、2枚のディスク半体1B,1Aを貼り
合わせることにより構成されるものである。図1〜図4
中、矢印lは記録再生用レーザ光線の照射方向を示す。
ホール2、未記録領域(未定義領域)である領域3、相
変化材料を用いた記録層を有する記録領域4、最外周縁
部5を備えており、また、図2(B)に示す載置状態の
半体1B上に、図2(A)に示す載置状態の半体1Aを
そのまま載せて、2枚のディスク半体1B,1Aを貼り
合わせることにより構成されるものである。図1〜図4
中、矢印lは記録再生用レーザ光線の照射方向を示す。
【0023】前記した記録領域4は、センターホール2
を中心として、同心円状に2分割した内周及び外周両記
録領域部4a,4bを有している。内周記録領域部4a
はその記録層材料として結晶化速度が相対的に小なる相
変化材料が用いられる。一方、外周記録領域部4bには
その記録層材料として結晶化速度が相対的に大なる相変
化材料が用いられる。
を中心として、同心円状に2分割した内周及び外周両記
録領域部4a,4bを有している。内周記録領域部4a
はその記録層材料として結晶化速度が相対的に小なる相
変化材料が用いられる。一方、外周記録領域部4bには
その記録層材料として結晶化速度が相対的に大なる相変
化材料が用いられる。
【0024】前記したディスク半体1Aは、図2(A)
に示すように、光ディスク1の径と同一寸法の径を有し
ており、センターホール2、内周領域1Aa、外周領域
1Abを備えている。内周領域1Aaは光ディスク1の
内周記録領域部4aに対応する位置に設けられており、
これは透明状態(透明ディスク基板a1)である。ま
た、外周領域1Abは光ディスク1の外周記録領域部4
bに対応する位置に設けられており、ここには結晶化速
度が相対的に大なる相変化材料を用いた記録層部Bが積
層形成されている。
に示すように、光ディスク1の径と同一寸法の径を有し
ており、センターホール2、内周領域1Aa、外周領域
1Abを備えている。内周領域1Aaは光ディスク1の
内周記録領域部4aに対応する位置に設けられており、
これは透明状態(透明ディスク基板a1)である。ま
た、外周領域1Abは光ディスク1の外周記録領域部4
bに対応する位置に設けられており、ここには結晶化速
度が相対的に大なる相変化材料を用いた記録層部Bが積
層形成されている。
【0025】また、前記したディスク半体1Bは、図2
(B)に示すように、ディスク半体1Aと同じく、光デ
ィスク1の径と同一寸法の径を有しており、センターホ
ール2、内周領域1Ba、外周領域1Bbを備えてい
る。内周領域1Baは光ディスク1の内周記録領域部4
aに対応する位置に設けられており、ここには結晶化速
度が相対的に小なる相変化材料を用いた記録層部Aが積
層形成されている。また、外周領域1Bbは光ディスク
1の外周記録領域部4bに対応する位置に設けられてお
り、これは透明状態(透明ディスク基板a1)である。
(B)に示すように、ディスク半体1Aと同じく、光デ
ィスク1の径と同一寸法の径を有しており、センターホ
ール2、内周領域1Ba、外周領域1Bbを備えてい
る。内周領域1Baは光ディスク1の内周記録領域部4
aに対応する位置に設けられており、ここには結晶化速
度が相対的に小なる相変化材料を用いた記録層部Aが積
層形成されている。また、外周領域1Bbは光ディスク
1の外周記録領域部4bに対応する位置に設けられてお
り、これは透明状態(透明ディスク基板a1)である。
【0026】本発明の光ディスク1の領域3に情報を記
録する必要があった場合は、前記したディスク半体1
A,1Bの領域3に対応する領域3A,3Bのうちのい
ずれか一方、あるいは両方に、この情報は記録されるこ
とになる。
録する必要があった場合は、前記したディスク半体1
A,1Bの領域3に対応する領域3A,3Bのうちのい
ずれか一方、あるいは両方に、この情報は記録されるこ
とになる。
【0027】ディスク半体1Bの内周領域1Baに設け
た記録層部Aは、図3(A)に示すように、矢印l方向
から見て、透明ディスク基板a1上に第1保護層b1、
相変化記録層c1、第2保護層d1、反射層e1を順に
真空成膜によって積層して形成されている。一方、ディ
スク半体1Aの外周領域1Abに設けた記録層部Bは、
図3(B)に示すように、矢印l方向から見て、透明デ
ィスク基板a1上に反射層e1、第2保護層d1、相変
化記録層c2、第1保護層b1を順に真空成膜によって
積層して形成されている。相変化記録層c1,c2を除
き、透明ディスク基板a1、第1保護層b1、相変化記
録層c1、第2保護層d1、反射層e1はそれぞれ同一
構成のものであるから、同一符号を用いた。相変化記録
層c1は結晶化速度が相対的に小なる(低線速対応の結
晶化速度の遅い)相変化材料で形成され、一方、相変化
記録層c2は結晶化速度が相対的に大なる(中高速対応
の結晶化速度の速い)相変化材料で形成される。勿論、
相変化記録層c1,c2の組成としては、極端に対応線
速度域の異なるものを用いても良い。また、使用目的別
に記録領域を分けて設けることも可能である。
た記録層部Aは、図3(A)に示すように、矢印l方向
から見て、透明ディスク基板a1上に第1保護層b1、
相変化記録層c1、第2保護層d1、反射層e1を順に
真空成膜によって積層して形成されている。一方、ディ
スク半体1Aの外周領域1Abに設けた記録層部Bは、
図3(B)に示すように、矢印l方向から見て、透明デ
ィスク基板a1上に反射層e1、第2保護層d1、相変
化記録層c2、第1保護層b1を順に真空成膜によって
積層して形成されている。相変化記録層c1,c2を除
き、透明ディスク基板a1、第1保護層b1、相変化記
録層c1、第2保護層d1、反射層e1はそれぞれ同一
構成のものであるから、同一符号を用いた。相変化記録
層c1は結晶化速度が相対的に小なる(低線速対応の結
晶化速度の遅い)相変化材料で形成され、一方、相変化
記録層c2は結晶化速度が相対的に大なる(中高速対応
の結晶化速度の速い)相変化材料で形成される。勿論、
相変化記録層c1,c2の組成としては、極端に対応線
速度域の異なるものを用いても良い。また、使用目的別
に記録領域を分けて設けることも可能である。
【0028】こうして、センターホール2を中心とし
て、記録層部A,B同士が対向するように、ディスク半
体1A,1B同士は接着剤で貼り合わされる。この結果
形成された光ディスク1の内周記録領域部4aの断面形
状は、図4(A)に示すように、記録再生用レーザ光線
の照射方向である矢印lから見て、透明ディスク基板a
1上に第1保護層b1、相変化記録層c1、第2保護層
d1、反射層e1を順に積層してなるディスク半体1B
上に、ディスク半体1Aの透明ディスク基板abが積層
されて形成されている。
て、記録層部A,B同士が対向するように、ディスク半
体1A,1B同士は接着剤で貼り合わされる。この結果
形成された光ディスク1の内周記録領域部4aの断面形
状は、図4(A)に示すように、記録再生用レーザ光線
の照射方向である矢印lから見て、透明ディスク基板a
1上に第1保護層b1、相変化記録層c1、第2保護層
d1、反射層e1を順に積層してなるディスク半体1B
上に、ディスク半体1Aの透明ディスク基板abが積層
されて形成されている。
【0029】また、光ディスク1の外周記録領域部4b
の断面形状は、図4(B)に示すように、矢印lから見
て、透明ディスク基板a1上に第1保護層b1、相変化
記録層c2、第2保護層d1、反射層e1を順に積層し
てなるディスク半体1A上に、ディスク半体1Bの透明
ディスク基板aaが積層されて形成されている。
の断面形状は、図4(B)に示すように、矢印lから見
て、透明ディスク基板a1上に第1保護層b1、相変化
記録層c2、第2保護層d1、反射層e1を順に積層し
てなるディスク半体1A上に、ディスク半体1Bの透明
ディスク基板aaが積層されて形成されている。
【0030】(2) [具体的な光ディスクの構成] 次に、上述した構成の光ディスク1について、さらに具
体的に説明する。
体的に説明する。
【0031】図1に示した光ディスク1はDVD−RA
M規格に適合するように構成される。DVD規格の光デ
ィスクがCD等の光ディスクと大きく異なる点は、厚さ
0.6mmの基板を貼り合わせるという点である。この
ために、前述したディスク半体1A,1Bを構成する2
枚の透明ディスク基板a1は、記録再生用レーザ光線が
ここを充分透過(透過率が略100%)するポリカーボ
ネート、ポリオレフィン、アクリル、ガラス等から成っ
ている。
M規格に適合するように構成される。DVD規格の光デ
ィスクがCD等の光ディスクと大きく異なる点は、厚さ
0.6mmの基板を貼り合わせるという点である。この
ために、前述したディスク半体1A,1Bを構成する2
枚の透明ディスク基板a1は、記録再生用レーザ光線が
ここを充分透過(透過率が略100%)するポリカーボ
ネート、ポリオレフィン、アクリル、ガラス等から成っ
ている。
【0032】この透明ディスク基板a1には、図3
(A),(B)に示すように、記録再生用レーザ光線を
案内するプリグルーブg、プリピット(図示せず)が設
けられている。プリグルーブg、プリピットが設けられ
ている領域は、ディスク半体1A,1Bを貼り合わせた
時に重ならないように、ディスク半体1A,1Bを構成
する2枚の透明ディスク基板a1にそれぞれ形成されて
いる。
(A),(B)に示すように、記録再生用レーザ光線を
案内するプリグルーブg、プリピット(図示せず)が設
けられている。プリグルーブg、プリピットが設けられ
ている領域は、ディスク半体1A,1Bを貼り合わせた
時に重ならないように、ディスク半体1A,1Bを構成
する2枚の透明ディスク基板a1にそれぞれ形成されて
いる。
【0033】即ち、ディスク半体1Aを構成する透明デ
ィスク基板a1には、外周領域1Abの最内周1Aba
からその最外周1Abbまでの領域にのみ、グルーブg
が螺旋状あるいは同心円状に形成されている。内周領域
1Aaの最内周1Aaaからその最外周1Aab(外周
領域1Abの最内周1Aba)までの領域は平滑な透明
基板のままである。また、ディスク半体1Bを構成する
透明ディスク基板a1には、内周領域1Baの最内周1
Baaからその最外周1Babまでの領域にのみ、グル
ーブgが螺旋状あるいは同心円状に形成されている。内
周領域1Baの最外周1Bab(外周領域1Bbの最内
周1Bba)からその最外周1Bbbまでの領域は平滑
な透明基板のままである。
ィスク基板a1には、外周領域1Abの最内周1Aba
からその最外周1Abbまでの領域にのみ、グルーブg
が螺旋状あるいは同心円状に形成されている。内周領域
1Aaの最内周1Aaaからその最外周1Aab(外周
領域1Abの最内周1Aba)までの領域は平滑な透明
基板のままである。また、ディスク半体1Bを構成する
透明ディスク基板a1には、内周領域1Baの最内周1
Baaからその最外周1Babまでの領域にのみ、グル
ーブgが螺旋状あるいは同心円状に形成されている。内
周領域1Baの最外周1Bab(外周領域1Bbの最内
周1Bba)からその最外周1Bbbまでの領域は平滑
な透明基板のままである。
【0034】前述したディスク半体1A,1B同士を貼
り合わせるには、紫外線硬化樹脂をディスク半体1Aあ
るいは,1B上に塗布して接着層fを形成し貼り合わせ
る。接着剤の塗布方法としてスクリーン印刷法、スピン
コート法、スプレー法、ディップ法、シート法等を用い
ることができる。
り合わせるには、紫外線硬化樹脂をディスク半体1Aあ
るいは,1B上に塗布して接着層fを形成し貼り合わせ
る。接着剤の塗布方法としてスクリーン印刷法、スピン
コート法、スプレー法、ディップ法、シート法等を用い
ることができる。
【0035】また、透明ディスク基板a1上に積層され
る第1保護層b1、相変化記録層c1,c2、第2保護
層d1、反射層e1の各層の膜厚構造も、記録再生、オ
ーバーライト特性に大きく作用する。CAV駆動では内
周記録領域部4aの最内周の線速度と外周記録領域部4
bの最外周の線速度を比較すると、2倍以上の差があ
る。
る第1保護層b1、相変化記録層c1,c2、第2保護
層d1、反射層e1の各層の膜厚構造も、記録再生、オ
ーバーライト特性に大きく作用する。CAV駆動では内
周記録領域部4aの最内周の線速度と外周記録領域部4
bの最外周の線速度を比較すると、2倍以上の差があ
る。
【0036】このため、従来技術では、ディスクの外周
部分おける高線速に対応すべく、最内周から最外周に至
る記録領域を構成する反射層を比例的に徐々に薄くした
り、また、逆に、相変化記録層上の第2保護層を比例的
に徐々に厚くするなどの方法で記録再生用レーザ光線に
対する相変化記録層の相変化感度を高めることで対応し
ていた。しかし、この方法は各層の厚みを厳密に成膜す
るための成膜制御が非常に難しい。一方、本発明では対
応する記録領域が分割されるので同一記録領域内におけ
る外周、内周での線速度の差はそれほど大きくならな
い。故に膜厚構造は各層とも最適な厚みを決めれば、各
記録領域内で徐々に変えて行く必要はなく、一定の膜厚
で成膜することができる。
部分おける高線速に対応すべく、最内周から最外周に至
る記録領域を構成する反射層を比例的に徐々に薄くした
り、また、逆に、相変化記録層上の第2保護層を比例的
に徐々に厚くするなどの方法で記録再生用レーザ光線に
対する相変化記録層の相変化感度を高めることで対応し
ていた。しかし、この方法は各層の厚みを厳密に成膜す
るための成膜制御が非常に難しい。一方、本発明では対
応する記録領域が分割されるので同一記録領域内におけ
る外周、内周での線速度の差はそれほど大きくならな
い。故に膜厚構造は各層とも最適な厚みを決めれば、各
記録領域内で徐々に変えて行く必要はなく、一定の膜厚
で成膜することができる。
【0037】(3) [ディスク半体1Bの具体的な構
成] 上述した光ディスク1の一方を構成するディスク半体1
Bは、平滑透明な直径120mm、厚さ0.6mmのポ
リカーボネート製の基板を透明ディスク基板a1として
いる。そして、ディスク半体1Bにおける内周領域1B
aの最内周1Baaからその最外周1Babまでの領域
に対応する、半径22.6mmから40.5mmの範囲
にわたり、グルーブgとして、透明ディスク基板a1に
スパイラル状に深さ約80nm、トラックピッチ1.6
μmの溝が形成される。このグルーブgが形成された透
明ディスク基板a1上に、第1保護層b1、相変化記録
層c1、第2保護層d1、反射層e1がこの順にスパッ
タリングによって成膜される。
成] 上述した光ディスク1の一方を構成するディスク半体1
Bは、平滑透明な直径120mm、厚さ0.6mmのポ
リカーボネート製の基板を透明ディスク基板a1として
いる。そして、ディスク半体1Bにおける内周領域1B
aの最内周1Baaからその最外周1Babまでの領域
に対応する、半径22.6mmから40.5mmの範囲
にわたり、グルーブgとして、透明ディスク基板a1に
スパイラル状に深さ約80nm、トラックピッチ1.6
μmの溝が形成される。このグルーブgが形成された透
明ディスク基板a1上に、第1保護層b1、相変化記録
層c1、第2保護層d1、反射層e1がこの順にスパッ
タリングによって成膜される。
【0038】第1保護層b1は、グルーブgが形成され
た透明ディスク基板a1上に、ZnS−SiO2 (Si
O2 は20mol%含有)を高周波スパッタリング法に
より900オングストロームで成膜することにより成
る。相変化記録層c1は、Ge0.18 Sb0.27 Te0.55
を直流スパッタリング法により、第1保護層b1上に2
00オングストロームで成膜することにより成る。第2
保護層d1は、第1保護層b1と同様な成膜方法で、相
変化記録層c1上に180オングストロームで成膜する
ことにより成る。反射層e1は、Al−Cr合金を80
0オングストロームを直流スパッタリング法で第2保護
層d1上に成膜することにより成る。一方、前記したス
パッタリング時に溝の切っていない平滑な部分である外
周領域1Bbの最内周1Bbaからその最外周1Bbb
までの領域の透明ディスク基板a1上は、この領域上に
マスクを装着することにより真空成膜時において各種の
物質がスパッタリングされないようにした。
た透明ディスク基板a1上に、ZnS−SiO2 (Si
O2 は20mol%含有)を高周波スパッタリング法に
より900オングストロームで成膜することにより成
る。相変化記録層c1は、Ge0.18 Sb0.27 Te0.55
を直流スパッタリング法により、第1保護層b1上に2
00オングストロームで成膜することにより成る。第2
保護層d1は、第1保護層b1と同様な成膜方法で、相
変化記録層c1上に180オングストロームで成膜する
ことにより成る。反射層e1は、Al−Cr合金を80
0オングストロームを直流スパッタリング法で第2保護
層d1上に成膜することにより成る。一方、前記したス
パッタリング時に溝の切っていない平滑な部分である外
周領域1Bbの最内周1Bbaからその最外周1Bbb
までの領域の透明ディスク基板a1上は、この領域上に
マスクを装着することにより真空成膜時において各種の
物質がスパッタリングされないようにした。
【0039】(4) [ディスク半体1Aの具体的な構
成] 上述した光ディスク1のもう一方を構成するディスク半
体1Aは、平滑透明な直径120mm、厚さ0.6mm
のポリカーボネート製の基板を透明ディスク基板a1と
している。そして、ディスク半体1Aにおける外周領域
1Bbの最内周1Bbaからその最外周1Bbbまでの
領域に対応する、半径40.5mmから58.6mmの
範囲にわたり、前記したディスク半体1Bのときに形成
された溝と同じ向きに、グルーブgとして、透明ディス
ク基板a1にスパイラル状に深さ約80nm、トラック
ピッチ1.6μmの溝が形成される。このグルーブgが
形成された透明ディスク基板a1上に、反射層e1、第
2保護層d1、相変化記録層c2、第1保護層b1がこ
の順にスパッタリングによって成膜される。
成] 上述した光ディスク1のもう一方を構成するディスク半
体1Aは、平滑透明な直径120mm、厚さ0.6mm
のポリカーボネート製の基板を透明ディスク基板a1と
している。そして、ディスク半体1Aにおける外周領域
1Bbの最内周1Bbaからその最外周1Bbbまでの
領域に対応する、半径40.5mmから58.6mmの
範囲にわたり、前記したディスク半体1Bのときに形成
された溝と同じ向きに、グルーブgとして、透明ディス
ク基板a1にスパイラル状に深さ約80nm、トラック
ピッチ1.6μmの溝が形成される。このグルーブgが
形成された透明ディスク基板a1上に、反射層e1、第
2保護層d1、相変化記録層c2、第1保護層b1がこ
の順にスパッタリングによって成膜される。
【0040】第1保護層b1は、グルーブgが形成され
た透明ディスク基板a1上に、ZnS−SiO2 (Si
O2 は20mol%含有)を高周波スパッタリング法に
より900オングストロームで成膜することにより成
る。相変化記録層c2は、Ge0.21 Sb0.21 Te0.58
を直流スパッタリング法により、第1保護層b1上に2
00オングストロームで成膜することにより成る。第2
保護層d1は、第1保護層b1と同様な成膜方法で、相
変化記録層c1上に180オングストロームで成膜する
ことにより成る。反射層e1は、Al−Cr合金を80
0オングストロームを直流スパッタリング法で第2保護
層d1上に成膜することにより成る。
た透明ディスク基板a1上に、ZnS−SiO2 (Si
O2 は20mol%含有)を高周波スパッタリング法に
より900オングストロームで成膜することにより成
る。相変化記録層c2は、Ge0.21 Sb0.21 Te0.58
を直流スパッタリング法により、第1保護層b1上に2
00オングストロームで成膜することにより成る。第2
保護層d1は、第1保護層b1と同様な成膜方法で、相
変化記録層c1上に180オングストロームで成膜する
ことにより成る。反射層e1は、Al−Cr合金を80
0オングストロームを直流スパッタリング法で第2保護
層d1上に成膜することにより成る。
【0041】こうして形成したディスク半体1B上に接
着層fとして紫外線硬化樹脂をスピンコート塗付する。
この後、記録層同士が対向するように、センターホール
2同士が完全に重なり合うように、ディスク半体1B上
にディスク半体11Aを載置する。この載置の後、貼り
合わせたディスク半体1A,1Bに紫外線を照射して紫
外線硬化樹脂を硬化させる。これにより、本発明の光デ
ィスク1を形成することができる。
着層fとして紫外線硬化樹脂をスピンコート塗付する。
この後、記録層同士が対向するように、センターホール
2同士が完全に重なり合うように、ディスク半体1B上
にディスク半体11Aを載置する。この載置の後、貼り
合わせたディスク半体1A,1Bに紫外線を照射して紫
外線硬化樹脂を硬化させる。これにより、本発明の光デ
ィスク1を形成することができる。
【0042】上記したようにして作成した光ディスク1
を評価した。即ち、まず、貼り合わせた後の光ディスク
1を初期化装置により相変化記録層c1,c2をアモル
ファス状態から結晶状態に相変化させ初期化した。次
に、波長680nmの記録用の半導体レーザ、開口数
0.6のレンズが搭載されている評価用の光ディスクプ
レーヤに初期化した光ディスク1を搭載した後、光ディ
スク1を約850rpmで回転させCAV駆動とした。
このとき、光ディスク1の記録領域4の内周記録領域部
4aの最内周付近の半径23mmでは、線速約2m/s
となる。この半径において案内溝(グルーブg)間の丘
部(ランド)に、ピークパワー9.3mW,バイアスパ
ワー4.0mWの記録用レーザ光線にて、ピット長さ
0.61μmのマークを記録した。このときのC/Nは
約53dBとなった。また、こうして記録したのと同じ
トラックにオーバーライトし評価した。その時のC/N
も殆ど変わらず53dBほどとなった。その後、オーバ
ーライト(O/W)を1000回繰り返したが顕著な信
号の劣化は見られなかった。
を評価した。即ち、まず、貼り合わせた後の光ディスク
1を初期化装置により相変化記録層c1,c2をアモル
ファス状態から結晶状態に相変化させ初期化した。次
に、波長680nmの記録用の半導体レーザ、開口数
0.6のレンズが搭載されている評価用の光ディスクプ
レーヤに初期化した光ディスク1を搭載した後、光ディ
スク1を約850rpmで回転させCAV駆動とした。
このとき、光ディスク1の記録領域4の内周記録領域部
4aの最内周付近の半径23mmでは、線速約2m/s
となる。この半径において案内溝(グルーブg)間の丘
部(ランド)に、ピークパワー9.3mW,バイアスパ
ワー4.0mWの記録用レーザ光線にて、ピット長さ
0.61μmのマークを記録した。このときのC/Nは
約53dBとなった。また、こうして記録したのと同じ
トラックにオーバーライトし評価した。その時のC/N
も殆ど変わらず53dBほどとなった。その後、オーバ
ーライト(O/W)を1000回繰り返したが顕著な信
号の劣化は見られなかった。
【0043】同様に、光ディスク1の記録領域4の内周
記録領域部4aの比較的外周付近にに相当する、半径3
7mmの位置にも記録した。この付近では線速が約3.
3m/sとなる。記録用レーザ光線のピークパワーは1
0mW,バイアス4.5mWとした。このときのC/N
は52dBとなった。更に同様にオーバーライト特性も
評価したが良好な結果となった。次に、光ディスク1の
記録領域4の外周記録領域部4bの最内周付近である半
径43mmmm付近とその最外周である58mm位置を評
価した。その結果、これらの部分でも同様に良好な結果
が得られた。CAV駆動であっても相変化型光ディスク
で対応できた。
記録領域部4aの比較的外周付近にに相当する、半径3
7mmの位置にも記録した。この付近では線速が約3.
3m/sとなる。記録用レーザ光線のピークパワーは1
0mW,バイアス4.5mWとした。このときのC/N
は52dBとなった。更に同様にオーバーライト特性も
評価したが良好な結果となった。次に、光ディスク1の
記録領域4の外周記録領域部4bの最内周付近である半
径43mmmm付近とその最外周である58mm位置を評
価した。その結果、これらの部分でも同様に良好な結果
が得られた。CAV駆動であっても相変化型光ディスク
で対応できた。
【0044】
【発明の効果】以上の説明からも明らかなように、本発
明の光ディスクは、次の効果を奏する。 (1) 相変化型光ディスクの弱点である線速度依存性
を解消でき、CAV駆動が可能となる。 (2) 全く対応分野が異なる複数のディスクを一枚の
ディスクにすることができ且つ、同一面から記録再生が
できる。 (3) 製造装置(真空成膜装置)の複雑な改造は必要
なく、現在の装置がそのまま使える。 (4) 接着に紫外線硬化樹脂が使用できるため品質が
高く、信頼性も高い。
明の光ディスクは、次の効果を奏する。 (1) 相変化型光ディスクの弱点である線速度依存性
を解消でき、CAV駆動が可能となる。 (2) 全く対応分野が異なる複数のディスクを一枚の
ディスクにすることができ且つ、同一面から記録再生が
できる。 (3) 製造装置(真空成膜装置)の複雑な改造は必要
なく、現在の装置がそのまま使える。 (4) 接着に紫外線硬化樹脂が使用できるため品質が
高く、信頼性も高い。
【図1】本発明の光ディスクの一実施例構成を説明する
ための図である。
ための図である。
【図2】本発明の光ディスクに用いられるディスク半体
の全体構成を説明するための図である。
の全体構成を説明するための図である。
【図3】ディスク半体の積層構造を説明するための図で
ある。
ある。
【図4】本発明のディスクの積層構造を説明するための
図である。
図である。
1 光ディスク 1A 第2のディスク半体 1B 第1のディスク半体 1Aa,1Ba 内周領域 1Ab,1Bb 外周領域 2 センターホール 3 領域 4 全記録領域 4a 内周記録領域部 4b 外周記録領域部 5 最外周縁部 A 第1の記録部 a1 透明ディスク基板 B 第2の記録部 b1 第1保護層 c1,c2 相変化記録層 d1 第2保護層 e1 反射層
Claims (3)
- 【請求項1】全記録領域を同心円状に分割して内周及び
外周両記録領域部を形成し、内周記録領域部の記録層材
料として結晶化速度が相対的に遅い相変化材料を用い、
外周記録領域部の記録層材料として結晶化速度が相対的
に速い相変化材料を用いた貼り合わせ構造の光ディスク
であって、 前記内周記録領域部に対応するその内周領域においては
結晶化速度が相対的に遅い相変化材料を用いた第1の記
録部を設け、前記外周記録領域部に対応するその外周領
域は透明状態であって光ディスクの径と同一寸法の径を
有する第1のディスク半体と、 前記内周記録領域部に対応するその内周領域は透明状態
であり、前記外周記録領域部に対応するその外周領域に
おいては結晶化速度が相対的に速い相変化材料を用いた
第2の記録部を設けて光ディスクの径と同一寸法の径を
有する第2のディスク半体とを有し、 センターホールを中心として、第1及び第2の記録部同
士が対向するように前記第1及び第2のディスク半体同
士を貼り合わせることにより構成したことを特徴とする
光ディスク。 - 【請求項2】前記第1のディスク半体の内周領域に設け
た第1の記録部は、透明ディスク基板上に第1保護層、
第1相変化記録層、第2保護層、反射層を順次積層して
形成し、 前記第2のディスク半体の外周領域に設けた第2の記録
部は、透明ディスク基板上に反射層、第2保護層、第2
相変化記録層、第1保護層を順次積層して形成したこと
を特徴とする請求項1記載の光ディスク。 - 【請求項3】前記第1及び第2保護層は、硫化物又は酸
化物、或いは、これらの物質に窒化物、酸化物を添加し
た物質からなり、 前記第1及び第2相変化記録層は、Ge,Sb,Te
系、或いは、Ge,Sb,Teを主元素としてこれらに
他の金属元素を添加した物質からなり、 前記反射層は、Al、Au、Ni、Ti、Ag、Crを
主成分とする合金からなることを特徴とする請求項1又
は2記載の光ディスク。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP8359058A JPH10199039A (ja) | 1996-12-27 | 1996-12-27 | 光ディスク |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP8359058A JPH10199039A (ja) | 1996-12-27 | 1996-12-27 | 光ディスク |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH10199039A true JPH10199039A (ja) | 1998-07-31 |
Family
ID=18462522
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP8359058A Pending JPH10199039A (ja) | 1996-12-27 | 1996-12-27 | 光ディスク |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH10199039A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2002005274A1 (en) * | 2000-07-12 | 2002-01-17 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Optical information medium having separate recording layers |
KR100769265B1 (ko) * | 2006-03-10 | 2007-10-23 | 한국과학기술연구원 | 평판형 고분자를 이용한 수처리용 전도성 담체 및 그 제조방법 |
-
1996
- 1996-12-27 JP JP8359058A patent/JPH10199039A/ja active Pending
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2002005274A1 (en) * | 2000-07-12 | 2002-01-17 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Optical information medium having separate recording layers |
KR100769265B1 (ko) * | 2006-03-10 | 2007-10-23 | 한국과학기술연구원 | 평판형 고분자를 이용한 수처리용 전도성 담체 및 그 제조방법 |
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