JPH10194783A - 透明導電膜付きガラス基板とその製造方法、およびそれを用いたタッチパネル - Google Patents
透明導電膜付きガラス基板とその製造方法、およびそれを用いたタッチパネルInfo
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- JPH10194783A JPH10194783A JP520597A JP520597A JPH10194783A JP H10194783 A JPH10194783 A JP H10194783A JP 520597 A JP520597 A JP 520597A JP 520597 A JP520597 A JP 520597A JP H10194783 A JPH10194783 A JP H10194783A
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Landscapes
- Surface Treatment Of Glass (AREA)
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 本発明は、透明導電膜付きガラス基板とその
製造方法に関するものであり、高透過率の透明導電膜付
きガラス基板を提供し、明るく見やすいタッチパネルを
実現することを目的とする。 【解決手段】 ガラス基板１１の両面に形成されたＳｉ
Ｏ2膜１２と、前記ＳｉＯ2膜１２の一方の上面に形成さ
れた透明導電膜１３とを備え、前記透明導電膜１３の膜
厚を８０〜１６０ｎｍとする。
製造方法に関するものであり、高透過率の透明導電膜付
きガラス基板を提供し、明るく見やすいタッチパネルを
実現することを目的とする。 【解決手段】 ガラス基板１１の両面に形成されたＳｉ
Ｏ2膜１２と、前記ＳｉＯ2膜１２の一方の上面に形成さ
れた透明導電膜１３とを備え、前記透明導電膜１３の膜
厚を８０〜１６０ｎｍとする。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は透明導電膜付きガラ
ス基板とその製造方法に関するものであり、特にタッチ
パネルに透明電極として使用される高透過率の透明導電
膜付きガラス基板とその製造方法に関する。
ス基板とその製造方法に関するものであり、特にタッチ
パネルに透明電極として使用される高透過率の透明導電
膜付きガラス基板とその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】スズをドープした酸化インジウム（以
下、ＩＴＯと記す）や、アンチモンをドープした酸化ス
ズ（以下、ＡＴＯと記す）、さらにはフッ素とアンチモ
ンとをドープした酸化スズ（以下、ＦＡＴＯと記す）等
の薄膜をガラス基板上に形成したものが、その優れた透
明性と導電性を利用して、液晶パネル、プラズマディス
プレイ、タッチパネル、ＥＬパネル等に広く使われてい
る。
下、ＩＴＯと記す）や、アンチモンをドープした酸化ス
ズ（以下、ＡＴＯと記す）、さらにはフッ素とアンチモ
ンとをドープした酸化スズ（以下、ＦＡＴＯと記す）等
の薄膜をガラス基板上に形成したものが、その優れた透
明性と導電性を利用して、液晶パネル、プラズマディス
プレイ、タッチパネル、ＥＬパネル等に広く使われてい
る。
【０００３】特に携帯情報端末等に搭載される手書き入
力式タッチパネルの透明電極として使用される場合に
は、バックライトのない液晶画面上にタッチパネルを配
置するため、より高い光透過率をもつ透明導電膜付きガ
ラス基板が要望されている。
力式タッチパネルの透明電極として使用される場合に
は、バックライトのない液晶画面上にタッチパネルを配
置するため、より高い光透過率をもつ透明導電膜付きガ
ラス基板が要望されている。
【０００４】従来、上記のような透明導電膜付きガラス
基板において高透過率を得る手段としては、ガラス基板
上の透明導電膜をより薄くすることにより、吸収する光
を減らす方法が一般的であった。
基板において高透過率を得る手段としては、ガラス基板
上の透明導電膜をより薄くすることにより、吸収する光
を減らす方法が一般的であった。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、透明導
電膜の膜厚を薄くしすぎると、逆に抵抗値の安定性が悪
くなり、環境試験での特性変化が大きくなってしまうと
いう欠点があった。
電膜の膜厚を薄くしすぎると、逆に抵抗値の安定性が悪
くなり、環境試験での特性変化が大きくなってしまうと
いう欠点があった。
【０００６】すなわち、一般的なソーダライムガラス基
板（厚さ１．１ｍｍ）の場合、その上に形成する透明導
電膜の膜厚を２０ｎｍにすると、人間の目に感度良く感
知される５５０ｎｍ波長光で透過率８９％が得られる
が、これ以上に高透過率をよくしようとすると、さらに
膜厚を薄くする必要があり、例えば１０ｎｍ程度まで薄
くすると、面内で均一な抵抗値を実現するのが困難にな
るとともに、温度や湿度などの環境変化の影響を受けて
抵抗値が変動しやすくなるものであった。
板（厚さ１．１ｍｍ）の場合、その上に形成する透明導
電膜の膜厚を２０ｎｍにすると、人間の目に感度良く感
知される５５０ｎｍ波長光で透過率８９％が得られる
が、これ以上に高透過率をよくしようとすると、さらに
膜厚を薄くする必要があり、例えば１０ｎｍ程度まで薄
くすると、面内で均一な抵抗値を実現するのが困難にな
るとともに、温度や湿度などの環境変化の影響を受けて
抵抗値が変動しやすくなるものであった。
【０００７】従って、透明導電膜の膜厚を薄くすること
により高透過率を得る手段には限界があった。
により高透過率を得る手段には限界があった。
【０００８】本発明は上記課題を解決して、より高透過
率の透明導電膜付き基板とその製造法を提供するととも
に、その透明導電膜付き基板を用いて明るく見やすいタ
ッチパネルを実現することを目的とする。
率の透明導電膜付き基板とその製造法を提供するととも
に、その透明導電膜付き基板を用いて明るく見やすいタ
ッチパネルを実現することを目的とする。
【０００９】
【課題を解決するための手段】前記の課題を解決するた
めに本発明の透明導電膜付きガラス基板は、ガラス基板
の両面に形成されたＳｉＯ2膜と、前記ＳｉＯ2膜の一方
の上面に形成された透明導電膜とを備え、前記ＳｉＯ2
膜の膜厚を８０〜１６０ｎｍにしたことを特徴とする。
めに本発明の透明導電膜付きガラス基板は、ガラス基板
の両面に形成されたＳｉＯ2膜と、前記ＳｉＯ2膜の一方
の上面に形成された透明導電膜とを備え、前記ＳｉＯ2
膜の膜厚を８０〜１６０ｎｍにしたことを特徴とする。
【００１０】この構成によれば、ガラス基板の屈折率
（ソーダガラスで１．５２）よりもＳｉＯ2膜の屈折率
（１．４〜１．４５）が小さいため、ＳｉＯ2膜が反射
防止膜となり高透過率を実現できる。さらに、ガラス基
板の両面にＳｉＯ2膜を形成することにより、片面にの
みＳｉＯ2膜を形成したときと比較して反射防止効果が
はるかに大きく、より高い透過率の透明導電膜付きガラ
スが得られる。本発明者らは上記構成の透明導電膜付き
ガラス基板において検討した結果、ガラス基板の両面に
膜厚８０〜１６０ｎｍのＳｉＯ2膜を形成すれば、最も
反射防止効果が大きく高透過率が得られることを見出し
本発明を完成するに至った。
（ソーダガラスで１．５２）よりもＳｉＯ2膜の屈折率
（１．４〜１．４５）が小さいため、ＳｉＯ2膜が反射
防止膜となり高透過率を実現できる。さらに、ガラス基
板の両面にＳｉＯ2膜を形成することにより、片面にの
みＳｉＯ2膜を形成したときと比較して反射防止効果が
はるかに大きく、より高い透過率の透明導電膜付きガラ
スが得られる。本発明者らは上記構成の透明導電膜付き
ガラス基板において検討した結果、ガラス基板の両面に
膜厚８０〜１６０ｎｍのＳｉＯ2膜を形成すれば、最も
反射防止効果が大きく高透過率が得られることを見出し
本発明を完成するに至った。
【００１１】以上により、透明導電膜を限界以上に薄く
する必要がないので抵抗安定性に優れ、かつ高透過率の
透明導電膜付き基板を実現できる。
する必要がないので抵抗安定性に優れ、かつ高透過率の
透明導電膜付き基板を実現できる。
【００１２】なお、特開平８−１０９０４３号公報に
は、透明ガラス基板上に二酸化珪素（ＳｉＯ2）膜が６
０〜１５０ｎｍの膜厚で形成され、その上に屈折率１．
７〜２．２の透明導電膜が１０〜３０ｎｍの膜厚で形成
された本発明と類似の透明導電膜付きガラス基板が記載
されている。
は、透明ガラス基板上に二酸化珪素（ＳｉＯ2）膜が６
０〜１５０ｎｍの膜厚で形成され、その上に屈折率１．
７〜２．２の透明導電膜が１０〜３０ｎｍの膜厚で形成
された本発明と類似の透明導電膜付きガラス基板が記載
されている。
【００１３】しかしながら同公報では、ＳｉＯ2膜を６
０ｎｍ以上にすることによりアルカリ成分の拡散を防止
でき、またＳｉＯ2膜厚の上限を１５０ｎｍとすること
により透過率低下を抑えることに効果があるとしている
が、同公報にはガラス基板の両面にＳｉＯ2膜を形成し
て透過率を向上させる旨の記述はなく、また同公報の実
施例では、ＳｉＯ2膜厚＝８０ｎｍ、透明導電膜の膜厚
＝２０ｎｍのときの透過率が９１．０％となっている
が、高透過率化という観点ではまだ不十分である。
０ｎｍ以上にすることによりアルカリ成分の拡散を防止
でき、またＳｉＯ2膜厚の上限を１５０ｎｍとすること
により透過率低下を抑えることに効果があるとしている
が、同公報にはガラス基板の両面にＳｉＯ2膜を形成し
て透過率を向上させる旨の記述はなく、また同公報の実
施例では、ＳｉＯ2膜厚＝８０ｎｍ、透明導電膜の膜厚
＝２０ｎｍのときの透過率が９１．０％となっている
が、高透過率化という観点ではまだ不十分である。
【００１４】本発明では両面にＳｉＯ2膜を形成する点
に特徴を有しており、得られる透過率も９２％以上であ
って透過率向上効果も非常に大きいものである。また、
同公報ではＳｉＯ2膜が厚くなるにつれて透過率が低下
すると記述しているが、本発明者らの実験では、ＳｉＯ
2膜が厚くなるにつれて透過率が向上して膜厚１２０ｎ
ｍ付近で透過率は最大となり、さらにＳｉＯ2膜が厚く
なると透過率は低下するという知見を得ている。なお、
同公報記載の発明は透過率向上を目的としておらず、Ｓ
ｉＯ2膜の反射防止効果に関する記述はない。
に特徴を有しており、得られる透過率も９２％以上であ
って透過率向上効果も非常に大きいものである。また、
同公報ではＳｉＯ2膜が厚くなるにつれて透過率が低下
すると記述しているが、本発明者らの実験では、ＳｉＯ
2膜が厚くなるにつれて透過率が向上して膜厚１２０ｎ
ｍ付近で透過率は最大となり、さらにＳｉＯ2膜が厚く
なると透過率は低下するという知見を得ている。なお、
同公報記載の発明は透過率向上を目的としておらず、Ｓ
ｉＯ2膜の反射防止効果に関する記述はない。
【００１５】
【発明の実施の形態】本発明の請求項１記載の透明導電
膜付きガラス基板は、ガラス基板の両面に形成されたＳ
ｉＯ2膜と、前記ＳｉＯ2膜の一方の上面に形成された透
明導電膜とを備え、前記ＳｉＯ2膜の膜厚を８０〜１６
０ｎｍにしたものである。
膜付きガラス基板は、ガラス基板の両面に形成されたＳ
ｉＯ2膜と、前記ＳｉＯ2膜の一方の上面に形成された透
明導電膜とを備え、前記ＳｉＯ2膜の膜厚を８０〜１６
０ｎｍにしたものである。
【００１６】請求項２記載の透明導電膜付きガラス基板
は、前記構成において波長５５０ｎｍでの光透過率が９
２％以上としたものである。
は、前記構成において波長５５０ｎｍでの光透過率が９
２％以上としたものである。
【００１７】請求項３記載のタッチパネルは、前記の透
明導電膜付き基板を少なくとも下部パネルとして用いた
ものである。これにより、明るく見やすいタッチパネル
を実現することができる。
明導電膜付き基板を少なくとも下部パネルとして用いた
ものである。これにより、明るく見やすいタッチパネル
を実現することができる。
【００１８】請求項４記載の発明は、ＳｉＯ2膜形成用
組成液中に、ガラス基板を浸漬・引き上げし、乾燥させ
た後、焼成して、前記ガラス基板の両面に厚さ８０〜１
６０ｎｍのＳｉＯ2膜を形成する工程と、次に透明導電
膜形成用組成液を前記ＳｉＯ2膜の一方の上面に塗布、
乾燥させた後、焼成して、前記ＳｉＯ2膜の一方の上面
に透明導電膜を形成する工程とを含むことを特徴とする
透明導電膜付きガラス基板の製造方法である。この方法
によれば、ガラス基板の両面に所望膜厚のＳｉＯ 2膜を
形成することが簡単な工程で容易にできる。さらにその
一方の上面に透明導電膜を形成することも、同様に容易
でかつ安価にできる。
組成液中に、ガラス基板を浸漬・引き上げし、乾燥させ
た後、焼成して、前記ガラス基板の両面に厚さ８０〜１
６０ｎｍのＳｉＯ2膜を形成する工程と、次に透明導電
膜形成用組成液を前記ＳｉＯ2膜の一方の上面に塗布、
乾燥させた後、焼成して、前記ＳｉＯ2膜の一方の上面
に透明導電膜を形成する工程とを含むことを特徴とする
透明導電膜付きガラス基板の製造方法である。この方法
によれば、ガラス基板の両面に所望膜厚のＳｉＯ 2膜を
形成することが簡単な工程で容易にできる。さらにその
一方の上面に透明導電膜を形成することも、同様に容易
でかつ安価にできる。
【００１９】（実施の形態１）以下、本発明の透明導電
膜付き基板の製造方法に従って詳細に説明する。
膜付き基板の製造方法に従って詳細に説明する。
【００２０】図１は、本発明の透明導電膜付き基板の一
実施の形態を示す模式断面図である。ガラス基板１１の
両面上に形成された膜厚８０〜１６０ｎｍのＳｉＯ2膜
１２と、その一方の上面に形成されたＩＴＯ透明導電膜
１３とを備えてなる。
実施の形態を示す模式断面図である。ガラス基板１１の
両面上に形成された膜厚８０〜１６０ｎｍのＳｉＯ2膜
１２と、その一方の上面に形成されたＩＴＯ透明導電膜
１３とを備えてなる。
【００２１】最初に、ガラス基板１１の両面上にＳｉＯ
2膜を８０〜１６０ｎｍの膜厚に形成する。ガラス基板
１１には通常、安価なソーダライムガラスが用いられる
が、ＳｉＯ2膜１２がガラス基板からのアルカリ成分の
溶出を防ぐので、透明導電膜１３に悪影響を及ぼすこと
はない。なお、アルカリ成分を含まないガラス基板（例
えば、コーニング社＃７０５９ガラス等）を用いてもよ
いのは勿論である。ガラス基板の厚さは任意の厚さで使
用可能であるが、強度、軽量化、価格の点から０．５〜
２ｍｍ程度が望ましい。
2膜を８０〜１６０ｎｍの膜厚に形成する。ガラス基板
１１には通常、安価なソーダライムガラスが用いられる
が、ＳｉＯ2膜１２がガラス基板からのアルカリ成分の
溶出を防ぐので、透明導電膜１３に悪影響を及ぼすこと
はない。なお、アルカリ成分を含まないガラス基板（例
えば、コーニング社＃７０５９ガラス等）を用いてもよ
いのは勿論である。ガラス基板の厚さは任意の厚さで使
用可能であるが、強度、軽量化、価格の点から０．５〜
２ｍｍ程度が望ましい。
【００２２】ガラス基板の両面にＳｉＯ2膜を形成する
方法としては、ディップ法、スピンコート法、液相析出
（ＬＰＤ）法、あるいはスパッタ法、ＣＶＤ法等の一般
的な製膜法を用いることができる。これらの方法のなか
でも特にディップ法によると、１回の工程で両面にＳｉ
Ｏ2膜を形成することができ、またその膜厚を８０〜１
６０ｎｍにすることが最も容易である。さらに大量生産
に向いており、かつ安価であるので最も望ましい方法で
ある。
方法としては、ディップ法、スピンコート法、液相析出
（ＬＰＤ）法、あるいはスパッタ法、ＣＶＤ法等の一般
的な製膜法を用いることができる。これらの方法のなか
でも特にディップ法によると、１回の工程で両面にＳｉ
Ｏ2膜を形成することができ、またその膜厚を８０〜１
６０ｎｍにすることが最も容易である。さらに大量生産
に向いており、かつ安価であるので最も望ましい方法で
ある。
【００２３】ディップ法でＳｉＯ2膜を形成する方法を
以下に説明する。まず、よく洗浄したガラス基板を用意
する。この基板をＳｉＯ2膜形成用組成液中に浸漬し、
一定速度で引き上げることにより、基板の両面上にＳｉ
Ｏ2膜形成用組成液を塗布する。これを乾燥後、焼成す
ることにより、基板の両面上にＳｉＯ2膜を得る。
以下に説明する。まず、よく洗浄したガラス基板を用意
する。この基板をＳｉＯ2膜形成用組成液中に浸漬し、
一定速度で引き上げることにより、基板の両面上にＳｉ
Ｏ2膜形成用組成液を塗布する。これを乾燥後、焼成す
ることにより、基板の両面上にＳｉＯ2膜を得る。
【００２４】ＳｉＯ2膜形成用組成液としては、シリケ
ート（例えば、テトラエトキシシランもしくはそのオリ
ゴマー等）のアルコール溶液に、水と少量の鉱酸（例え
ば、硝酸等）を加えて加水分解させたものを用いる。も
しくは、同様のＳｉＯ2膜形成用組成液が各種市販され
ているので、それらを用いてもかまわない。
ート（例えば、テトラエトキシシランもしくはそのオリ
ゴマー等）のアルコール溶液に、水と少量の鉱酸（例え
ば、硝酸等）を加えて加水分解させたものを用いる。も
しくは、同様のＳｉＯ2膜形成用組成液が各種市販され
ているので、それらを用いてもかまわない。
【００２５】ＳｉＯ2膜の膜厚は、組成液中のシリケー
ト濃度と、引き上げ速度によって制御する。すなわち、
シリケート濃度が高いほど、引き上げ速度が速いほど膜
厚は厚くなる。
ト濃度と、引き上げ速度によって制御する。すなわち、
シリケート濃度が高いほど、引き上げ速度が速いほど膜
厚は厚くなる。
【００２６】焼成温度は、シリケートの重合反応が十分
に進みＳｉＯ2膜が生成する温度以上で、かつガラス基
板の軟化が起こらない範囲で選べば良い。例えばソーダ
ガラスの場合、４００〜５５０℃が好ましい。
に進みＳｉＯ2膜が生成する温度以上で、かつガラス基
板の軟化が起こらない範囲で選べば良い。例えばソーダ
ガラスの場合、４００〜５５０℃が好ましい。
【００２７】上記のようにして両面にＳｉＯ2膜を形成
した基板の一方の上面に、透明導電膜を形成することに
より、図１に示されるような本実施の形態の透明導電膜
付き基板を得る。
した基板の一方の上面に、透明導電膜を形成することに
より、図１に示されるような本実施の形態の透明導電膜
付き基板を得る。
【００２８】透明導電膜としては、ＩＴＯ、ＡＴＯ、Ｆ
ＡＴＯ、あるいはインジウムやアルミニウムをドープし
た酸化亜鉛等の金属酸化物からなる薄膜や、これらの金
属酸化物の微粒子を樹脂中に分散させた組成物の薄膜、
または金属の薄膜を用いることができる。
ＡＴＯ、あるいはインジウムやアルミニウムをドープし
た酸化亜鉛等の金属酸化物からなる薄膜や、これらの金
属酸化物の微粒子を樹脂中に分散させた組成物の薄膜、
または金属の薄膜を用いることができる。
【００２９】透明導電膜を形成する方法としては、上記
透明導電膜の種類に応じて種々の方法が用いられる。す
なわち、金属化合物溶液の塗布・焼成法や、スパッタ
法、ＣＶＤ法、蒸着法、パイロゾル法、コーティング法
等で所定材料を所定膜厚に形成することにより達成でき
る。
透明導電膜の種類に応じて種々の方法が用いられる。す
なわち、金属化合物溶液の塗布・焼成法や、スパッタ
法、ＣＶＤ法、蒸着法、パイロゾル法、コーティング法
等で所定材料を所定膜厚に形成することにより達成でき
る。
【００３０】透明導電膜の膜厚は目的に応じて設定でき
るが、特に３０ｎｍ未満にするとＳｉＯ2膜と透明導電
膜との界面で反射される光が非常に少なくなり、また透
明導電膜で吸収される光も少なくなる結果、高透過率が
実現できる。
るが、特に３０ｎｍ未満にするとＳｉＯ2膜と透明導電
膜との界面で反射される光が非常に少なくなり、また透
明導電膜で吸収される光も少なくなる結果、高透過率が
実現できる。
【００３１】（実施の形態２）図２は本発明のタッチパ
ネルの一実施の形態において、一部分を模式的に示した
断面図である。本発明の透明導電膜付きガラス基板を下
部パネル２４とする。また、プラスチックフィルム２５
上に蒸着やスパッタリング等の方法により透明導電膜２
６を設けて上部パネル２７とし、これらをスペーサ２８
を介して、透明導電膜同士が対向するように重ねてあ
る。タッチパネルの形式としてはアナログ入力型、デジ
タル入力型は問わない。
ネルの一実施の形態において、一部分を模式的に示した
断面図である。本発明の透明導電膜付きガラス基板を下
部パネル２４とする。また、プラスチックフィルム２５
上に蒸着やスパッタリング等の方法により透明導電膜２
６を設けて上部パネル２７とし、これらをスペーサ２８
を介して、透明導電膜同士が対向するように重ねてあ
る。タッチパネルの形式としてはアナログ入力型、デジ
タル入力型は問わない。
【００３２】前記のように、本発明の透明導電膜付きガ
ラス基板は高い透過率を有する。その結果、本発明のタ
ッチパネルは明るく、視認性に優れたものになる。
ラス基板は高い透過率を有する。その結果、本発明のタ
ッチパネルは明るく、視認性に優れたものになる。
【００３３】
【実施例】次に、具体的実施例を用いて説明する。
【００３４】（実施例１）エタノール２０７０ｇに対し
て、テトラエトキシシラン２０８ｇ、水２１６ｇ、硝酸
１６．４ｇの割合で添加し、常温で一晩撹拌混合した溶
液をＳｉＯ2膜形成用組成液として調製した。よく洗浄
した厚さ１．１ｍｍ、３００ｍｍ角の大きさのソーダラ
イムガラス基板を上記ＳｉＯ2膜形成用組成液中に浸漬
・引き上げし、１２０℃で２０分乾燥させた後、５３０
℃で３０分焼成して、上記ガラス基板の両面にＳｉＯ2
膜を形成した。得られたＳｉＯ2膜の屈折率は１．４
１、膜厚は４０〜２００ｎｍであった。
て、テトラエトキシシラン２０８ｇ、水２１６ｇ、硝酸
１６．４ｇの割合で添加し、常温で一晩撹拌混合した溶
液をＳｉＯ2膜形成用組成液として調製した。よく洗浄
した厚さ１．１ｍｍ、３００ｍｍ角の大きさのソーダラ
イムガラス基板を上記ＳｉＯ2膜形成用組成液中に浸漬
・引き上げし、１２０℃で２０分乾燥させた後、５３０
℃で３０分焼成して、上記ガラス基板の両面にＳｉＯ2
膜を形成した。得られたＳｉＯ2膜の屈折率は１．４
１、膜厚は４０〜２００ｎｍであった。
【００３５】次に、硝酸インジウム三水和物１０ｇをア
セチルアセトン１０ｇ、シュウ酸スズ０．４１ｇをエタ
ノール１８０ｇに溶解させた透明導電膜形成用組成液を
調製し、上記ＳｉＯ2膜を形成したガラス基板の一方の
面にスピンコート法（回転数５００ｒｐｍ）で塗布し
た。この基板を１０分間室温で放置乾燥し、さらに７０
℃で１０分間乾燥させた後、大気中５３０℃で３０分間
焼成してＩＴＯ透明導電膜を形成した。得られた膜の屈
折率は１．８７、膜厚は２０ｎｍであった。
セチルアセトン１０ｇ、シュウ酸スズ０．４１ｇをエタ
ノール１８０ｇに溶解させた透明導電膜形成用組成液を
調製し、上記ＳｉＯ2膜を形成したガラス基板の一方の
面にスピンコート法（回転数５００ｒｐｍ）で塗布し
た。この基板を１０分間室温で放置乾燥し、さらに７０
℃で１０分間乾燥させた後、大気中５３０℃で３０分間
焼成してＩＴＯ透明導電膜を形成した。得られた膜の屈
折率は１．８７、膜厚は２０ｎｍであった。
【００３６】（比較例１）実施例１と同様のガラス基板
とＳｉＯ2膜形成用組成液とを用意し、スピンコート法
によりガラス基板の片面のみにＳｉＯ2膜形成用組成液
を塗布した。
とＳｉＯ2膜形成用組成液とを用意し、スピンコート法
によりガラス基板の片面のみにＳｉＯ2膜形成用組成液
を塗布した。
【００３７】以上のようにして形成したＳｉＯ2膜の上
に、実施例１と同様の方法で膜厚２０ｎｍのＩＴＯ透明
導電膜を形成した。
に、実施例１と同様の方法で膜厚２０ｎｍのＩＴＯ透明
導電膜を形成した。
【００３８】以上の（実施例１）、及び（比較例１）の
透明導電膜付き基板について、５５０ｎｍ光の透過率を
測定した。その結果をグラフにまとめて図３に示す。
透明導電膜付き基板について、５５０ｎｍ光の透過率を
測定した。その結果をグラフにまとめて図３に示す。
【００３９】図３に示されるように、ＳｉＯ2膜を両面
に形成した本発明の透明導電膜付き基板では、ＳｉＯ2
膜厚が８０〜１６０ｎｍのときに透過率が９２％以上、
特に膜厚１２０ｎｍのとき透過率が９２．５％以上とな
っている。これに対し、片面のみにＳｉＯ2膜を形成さ
せた比較例では、透過率は最大でも９１％までしか達し
ていない。以上から、ガラス基板の両面上にＳｉＯ2膜
を形成したことにより、その反射防止効果は非常に大き
くなり、その結果ＳｉＯ2膜がないときと比較して約３
％も透過率が向上することがわかる。
に形成した本発明の透明導電膜付き基板では、ＳｉＯ2
膜厚が８０〜１６０ｎｍのときに透過率が９２％以上、
特に膜厚１２０ｎｍのとき透過率が９２．５％以上とな
っている。これに対し、片面のみにＳｉＯ2膜を形成さ
せた比較例では、透過率は最大でも９１％までしか達し
ていない。以上から、ガラス基板の両面上にＳｉＯ2膜
を形成したことにより、その反射防止効果は非常に大き
くなり、その結果ＳｉＯ2膜がないときと比較して約３
％も透過率が向上することがわかる。
【００４０】（実施例２）実施例１と同様にして、両面
にＳｉＯ2膜を形成したガラス基板を数枚用意した。Ｓ
ｉＯ2膜の膜厚は４０，１２０，２００ｎｍであった。
これらのガラス基板の片面上にスパッタリング法でＩＴ
Ｏ膜を形成した。ＩＴＯ（Ｉｎ／Ｓｎ＝９５ｗｔ％／５
ｗｔ％）をターゲットとして、アルゴンガス圧５ｍＴｏ
ｒｒ、ＤＣ電力０．４ｋＷ、基板温度３００℃で成膜
し、その結果得られた膜厚は１９ｎｍ、屈折率は１．９
１であった。
にＳｉＯ2膜を形成したガラス基板を数枚用意した。Ｓ
ｉＯ2膜の膜厚は４０，１２０，２００ｎｍであった。
これらのガラス基板の片面上にスパッタリング法でＩＴ
Ｏ膜を形成した。ＩＴＯ（Ｉｎ／Ｓｎ＝９５ｗｔ％／５
ｗｔ％）をターゲットとして、アルゴンガス圧５ｍＴｏ
ｒｒ、ＤＣ電力０．４ｋＷ、基板温度３００℃で成膜
し、その結果得られた膜厚は１９ｎｍ、屈折率は１．９
１であった。
【００４１】各基板について、５５０ｎｍ光の透過率を
測定した。その結果を（表１）に示す。
測定した。その結果を（表１）に示す。
【００４２】
【表１】
【００４３】（表１）に示されるように、実施例２にお
いても実施例１と同様にＳｉＯ2膜厚が１２０ｎｍのと
きに透過率は９２％を超え、ＳｉＯ2膜がないときに比
べ約３％も向上する。これに対し、ＳｉＯ2膜厚が薄い
場合（４０ｎｍ）、あるいは厚い場合（２００ｎｍ）は
透過率は低い。
いても実施例１と同様にＳｉＯ2膜厚が１２０ｎｍのと
きに透過率は９２％を超え、ＳｉＯ2膜がないときに比
べ約３％も向上する。これに対し、ＳｉＯ2膜厚が薄い
場合（４０ｎｍ）、あるいは厚い場合（２００ｎｍ）は
透過率は低い。
【００４４】
【発明の効果】以上の説明から明らかなように本発明
は、ガラス基板の両面に形成されたＳｉＯ2膜と、前記
ＳｉＯ2膜の一方の上面に形成された透明導電膜とを備
え、前記ＳｉＯ2膜の膜厚を８０〜１６０ｎｍにするこ
とにより、高透過率の透明導電膜付きガラス基板を得る
ものである。さらに、ＳｉＯ2膜形成用組成液中に、ガ
ラス基板を浸漬・引き上げし、乾燥させた後、焼成し
て、前記ガラス基板の両面に厚さ８０〜１８０ｎｍのＳ
ｉＯ2膜を形成し、次に透明導電膜形成用組成液を前記
ＳｉＯ2膜の一方の上面に塗布、乾燥させた後、焼成し
て、前記ＳｉＯ2膜の一方の上面に透明導電膜を形成す
ることにより、高透過率の透明導電膜付きガラス基板の
製造方法を提供するものである。
は、ガラス基板の両面に形成されたＳｉＯ2膜と、前記
ＳｉＯ2膜の一方の上面に形成された透明導電膜とを備
え、前記ＳｉＯ2膜の膜厚を８０〜１６０ｎｍにするこ
とにより、高透過率の透明導電膜付きガラス基板を得る
ものである。さらに、ＳｉＯ2膜形成用組成液中に、ガ
ラス基板を浸漬・引き上げし、乾燥させた後、焼成し
て、前記ガラス基板の両面に厚さ８０〜１８０ｎｍのＳ
ｉＯ2膜を形成し、次に透明導電膜形成用組成液を前記
ＳｉＯ2膜の一方の上面に塗布、乾燥させた後、焼成し
て、前記ＳｉＯ2膜の一方の上面に透明導電膜を形成す
ることにより、高透過率の透明導電膜付きガラス基板の
製造方法を提供するものである。
【００４５】さらに、上記の高透過率の透明導電膜付き
ガラス基板を下部パネルとして用いたことにより、明る
く見やすいタッチパネルを実現できる。
ガラス基板を下部パネルとして用いたことにより、明る
く見やすいタッチパネルを実現できる。
【図１】本発明の透明導電膜付きガラス基板の一実施の
形態を模式的に示す断面図
形態を模式的に示す断面図
【図２】本発明のタッチパネルの一実施の形態を模式的
に示す断面図
に示す断面図
【図３】本発明の一実施の形態の効果を説明するための
特性図
特性図
１１，２１ ガラス基板 １２，２２ ＳｉＯ2膜 １３，２３，２６ 透明導電膜 ２４ 下部パネル ２５ プラスチックフィルム ２７ 上部パネル ２８ スペーサ
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 倉増 敬三郎 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電器 産業株式会社内
Claims (4)
- 【請求項１】 ガラス基板の両面に形成されたＳｉＯ2
膜と、前記ＳｉＯ2膜の一方の上面に形成された透明導
電膜とを備え、前記ＳｉＯ2膜の膜厚を８０〜１６０ｎ
ｍにしたことを特徴とする透明導電膜付きガラス基板。 - 【請求項２】 波長５５０ｎｍでの光透過率が９２％以
上であることを特徴とする請求項１に記載の透明導電膜
付きガラス基板。 - 【請求項３】 請求項１または２に記載の透明導電膜付
き基板を、少なくとも下部パネルとして使用したタッチ
パネル。 - 【請求項４】 ＳｉＯ2膜形成用組成液中に、ガラス基
板を浸漬・引き上げし、乾燥させた後、焼成して、前記
ガラス基板の両面に厚さ８０〜１６０ｎｍのＳｉＯ2膜
を形成する工程と、次に透明導電膜形成用組成液を前記
ＳｉＯ2膜の一方の上面に塗布、乾燥させた後、焼成し
て、前記ＳｉＯ2膜の一方の上面に透明導電膜を形成す
る工程とを含むことを特徴とする透明導電膜付きガラス
基板の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP520597A JPH10194783A (ja) | 1997-01-16 | 1997-01-16 | 透明導電膜付きガラス基板とその製造方法、およびそれを用いたタッチパネル |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP520597A JPH10194783A (ja) | 1997-01-16 | 1997-01-16 | 透明導電膜付きガラス基板とその製造方法、およびそれを用いたタッチパネル |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10194783A true JPH10194783A (ja) | 1998-07-28 |
Family
ID=11604702
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP520597A Pending JPH10194783A (ja) | 1997-01-16 | 1997-01-16 | 透明導電膜付きガラス基板とその製造方法、およびそれを用いたタッチパネル |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH10194783A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2001057636A1 (en) * | 2000-01-31 | 2001-08-09 | Touch Panel Systems K.K. | Touch panel |
| JP2002121050A (ja) * | 2000-10-11 | 2002-04-23 | Nitto Denko Corp | ガラス基板及び液晶表示装置 |
-
1997
- 1997-01-16 JP JP520597A patent/JPH10194783A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2001057636A1 (en) * | 2000-01-31 | 2001-08-09 | Touch Panel Systems K.K. | Touch panel |
| JP2002121050A (ja) * | 2000-10-11 | 2002-04-23 | Nitto Denko Corp | ガラス基板及び液晶表示装置 |
| JP4570228B2 (ja) * | 2000-10-11 | 2010-10-27 | 日東電工株式会社 | ガラス基板及び液晶表示装置 |
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Legal Events
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