[go: up one dir, main page]

JPH10178087A - Wafer suction table - Google Patents

Wafer suction table

Info

Publication number
JPH10178087A
JPH10178087A JP33671596A JP33671596A JPH10178087A JP H10178087 A JPH10178087 A JP H10178087A JP 33671596 A JP33671596 A JP 33671596A JP 33671596 A JP33671596 A JP 33671596A JP H10178087 A JPH10178087 A JP H10178087A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
wafer
suction
suction table
holes
polishing
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP33671596A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Takao Inaba
高男 稲葉
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Tokyo Seimitsu Co Ltd
Original Assignee
Tokyo Seimitsu Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Tokyo Seimitsu Co Ltd filed Critical Tokyo Seimitsu Co Ltd
Priority to JP33671596A priority Critical patent/JPH10178087A/en
Publication of JPH10178087A publication Critical patent/JPH10178087A/en
Pending legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
  • Manipulator (AREA)

Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a wafer suction table in which a sucked wafer can be separated easily when a packing material is employed. SOLUTION: The wafer suction table 44 is made of a packing material provided with holes 44A, 44A,... in the surface for sucking a wafer 50 and through holes 44B, 44B,... are made between these holes 44A, 44A,.... When the wafer 50 is pressed against the suction face and a gap 46 on the rear side of the wafer suction table 44 is evacuated through a pressure regulator, the wafer 50 is sucked to the suction face of the wafer suction table 44. When the air is fed into the gap 46 on the rear side of the wafer suction table 44 and the pressure in the gap 46 is increased, a stripping force acts on the wafer 50 through the holes 44B, 44B,... to strip the wafer 50 from the suction face.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明はウェーハ吸着テーブ
ルに係り、特にバッキング材に設けられた多数の穴の吸
着力によりウェーハを吸着するウェーハ吸着テーブルに
関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a wafer suction table, and more particularly to a wafer suction table for sucking a wafer by the suction force of a large number of holes provided in a backing material.

【0002】[0002]

【従来の技術】半導体ウェーハ等のウェーハ表面を研磨
する研磨装置は、ウェーハをウェーハ吸着テーブルに吸
着し、ウェーハ吸着テーブルに吸着保持したこのウェー
ハを研磨部材(研磨布)に押し当てながら、ウェーハ吸
着テーブルを回転させてウェーハ表面を研磨する。
2. Description of the Related Art A polishing apparatus for polishing a wafer surface such as a semiconductor wafer sucks a wafer on a wafer suction table, and holds the wafer held on the wafer suction table while pressing the wafer against a polishing member (polishing cloth). The table is rotated to polish the wafer surface.

【0003】現在、ウェーハ吸着テーブルには、各種部
材、方法が用いられているが、特にポリウレタン等の柔
軟材料からなるバッキング材を用いたウェーハ吸着テー
ブルは、ウェーハの吸着面の形状に応じてバッキング材
が変形するため、ウェーハの研磨面を平面に研磨するの
に適している。このようなウェーハ吸着テーブルの吸着
面には多数の穴が設けられており、吸着面にウェーハを
押し当てると、この穴が変形(縮小)して穴内部の空気
が排出され、穴の形状が復元する際に穴内部の気圧が負
圧となるため、ウェーハに吸引力が働く。これにより、
ウェーハがウェーハ吸着テーブルの吸着面に吸着保持さ
れる。
At present, various members and methods are used for the wafer suction table. In particular, a wafer suction table using a backing material made of a flexible material such as polyurethane is used in accordance with the shape of the wafer suction surface. Since the material is deformed, it is suitable for polishing the polishing surface of the wafer to a flat surface. A large number of holes are provided on the suction surface of such a wafer suction table. When a wafer is pressed against the suction surface, the holes are deformed (reduced), and the air inside the holes is discharged, and the shape of the holes is reduced. At the time of restoration, the pressure inside the hole becomes negative, so that a suction force acts on the wafer. This allows
The wafer is suction-held on the suction surface of the wafer suction table.

【0004】[0004]

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上述の
ウェーハ吸着テーブルは、吸着したウェーハをウェーハ
吸着テーブルから剥離させる場合、ウェーハを吸着する
力を解除することができないため、外部からウェーハを
剥離させる力を加えなければならない。このため、ウェ
ーハにダメージを与えたり、ウェーハをウェーハ吸着テ
ーブルから剥離させるための装置が必要となり装置が煩
雑になるという問題があった。
However, in the above-mentioned wafer suction table, when the wafer that has been sucked is separated from the wafer suction table, the force for sucking the wafer cannot be released. Must be added. For this reason, there is a problem that an apparatus for damaging the wafer or separating the wafer from the wafer suction table is required, and the apparatus becomes complicated.

【0005】本発明はこのような事情に鑑みてなされた
もので、バッキング材を用いたウェーハ吸着テーブルに
おいて、吸着したウェーハを容易に剥離することができ
るウェーハ吸着テーブルを提供することを目的とする。
SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made in view of such circumstances, and it is an object of the present invention to provide a wafer suction table using a backing material, which can easily peel off a sucked wafer. .

【0006】[0006]

【課題を解決するための手段】本発明は上記目的を達成
するために、吸着面に多数の穴を有するバッキング材か
ら成り、前記穴の膨縮により前記ウェーハを吸着面に吸
着保持するウェーハ吸着テーブルにおいて、前記ウェー
ハ吸着テーブルに貫通する孔を穿設し、該孔から前記吸
着面に気体を送り込むことにより、前記吸着面に吸着さ
れたウェーハに剥離力を与え、前記ウェーハを前記吸着
面から剥離することを特徴としている。
SUMMARY OF THE INVENTION In order to achieve the above object, the present invention comprises a backing material having a large number of holes on a suction surface, wherein the wafer is suction-held on a suction surface by expansion and contraction of the holes. In the table, a hole that penetrates the wafer suction table is formed, and a gas is sent from the hole to the suction surface to give a peeling force to the wafer sucked to the suction surface, and the wafer is removed from the suction surface. It is characterized by peeling.

【0007】本発明によれば、ウェーハ吸着テーブルの
吸着面に吸着したウェーハを、吸着面に貫通する孔に気
体を送り込んで押圧し、吸着面から剥離させる。これに
より、ウェーハ吸着テーブルに吸着したウェーハを外部
から力を加えることなく容易に剥離させることができ
る。
[0007] According to the present invention, the wafer sucked on the suction surface of the wafer suction table is depressed by sending gas into the hole penetrating the suction surface and pressed therefrom. Thus, the wafer adsorbed on the wafer adsorption table can be easily peeled off without applying external force.

【0008】[0008]

【発明の実施の形態】以下添付図面に従って本発明に係
るウェーハ吸着テーブルについて詳説する。図1は、本
発明に係るウェーハ吸着テーブルが適用されるウェーハ
研磨装置の構成図である。図1に示すようにウェーハ研
磨装置は、研磨定盤10と、ヘッド18とを備え、ヘッ
ド18のウェーハ吸着テーブル44にウェーハ50が研
磨面50Aを下方に向けて吸着保持される。
DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS A wafer suction table according to the present invention will be described below in detail with reference to the accompanying drawings. FIG. 1 is a configuration diagram of a wafer polishing apparatus to which a wafer suction table according to the present invention is applied. As shown in FIG. 1, the wafer polishing apparatus includes a polishing platen 10 and a head 18, and a wafer 50 is suction-held on a wafer suction table 44 of the head 18 with the polishing surface 50A facing downward.

【0009】前記研磨定盤10は、円盤状に形成され、
上面にウェーハ50を研磨するための研磨布14が取り
付けられる。また、研磨定盤10の下面にはスピンドル
16が固着され、このスピンドル16は図示しないモー
タの回転軸に連結される。従って、モータを駆動するこ
とにより研磨定盤10が回転し、研磨布14が回転す
る。
The polishing platen 10 is formed in a disk shape.
A polishing cloth 14 for polishing the wafer 50 is attached to the upper surface. A spindle 16 is fixed to the lower surface of the polishing platen 10, and the spindle 16 is connected to a rotating shaft of a motor (not shown). Accordingly, by driving the motor, the polishing platen 10 rotates, and the polishing cloth 14 rotates.

【0010】前記ヘッド18は、上面にスピンドル20
が固着され、このスピンドル20は図示しないモータの
回転軸に連結される。従って、モータを駆動することに
よりヘッド18が回転し、ウェーハ吸着テーブル44に
吸着保持されたウェーハ50が回転する。また、ヘッド
18は図示しない駆動機構によって上下方向に移動する
ようになっており、これによりウェーハ50は研磨定盤
に向けて下降し研磨布14の表面に押し付けられる。
The head 18 has a spindle 20 on its upper surface.
The spindle 20 is connected to a rotating shaft of a motor (not shown). Accordingly, the head 18 is rotated by driving the motor, and the wafer 50 sucked and held on the wafer suction table 44 is rotated. In addition, the head 18 is moved up and down by a drive mechanism (not shown), whereby the wafer 50 is lowered toward the polishing platen and pressed against the surface of the polishing pad 14.

【0011】以上の構成により、ウェーハ50と研磨布
14が回転するとともに、ウェーハ50が研磨布14に
押し付けられて、ウェーハ50の研磨が行われる。尚、
ウェーハ50と研磨布14の間にはスラリ(研削液)が
供給される。図2は上記ヘッド18の構成を示した断面
図である。同図に示すようにヘッド18は上部にベース
プレート30を有し、このベースプレート30はヘッド
18に固定され、これにより、ヘッド18はスピンドル
20に固定される。また、ヘッド18は側面にガイドリ
ング32を有し、このガイドリング32は、ベースプレ
ート30にネジ33により固定される。
With the above configuration, the wafer 50 and the polishing pad 14 are rotated, and at the same time, the wafer 50 is pressed against the polishing pad 14 and the wafer 50 is polished. still,
A slurry (grinding liquid) is supplied between the wafer 50 and the polishing cloth 14. FIG. 2 is a sectional view showing the configuration of the head 18. As shown in the figure, the head 18 has a base plate 30 on the upper part, and the base plate 30 is fixed to the head 18, whereby the head 18 is fixed to the spindle 20. The head 18 has a guide ring 32 on the side surface, and the guide ring 32 is fixed to the base plate 30 by screws 33.

【0012】ガイドリング32の下面には、リテーナリ
ング34が取り付けられ、このリテーナリング34によ
りウェーハ50の縁が包囲される。加工時にウェーハ5
0が研磨布14に押し付けられると、このリテーナリン
グ34も研磨布に押し付けられ、ウェーハ50の縁への
研磨圧力の偏在が抑止される。上記べースプレート30
の下部には、空気室36が形成される。この空気室36
はベースプレート30とガイドリング22の間に挟持さ
れた弾性膜38によって密閉されるとともに、空気室3
6に連通するた空気供給路37を介して図示しない圧力
調整装置により任意の空気圧に調整される。これにより
ウェーハ50を研磨布14に押し当てる圧力を調整する
ことができる。
A retainer ring 34 is attached to the lower surface of the guide ring 32, and surrounds the edge of the wafer 50 by the retainer ring 34. Wafer 5 during processing
When 0 is pressed against the polishing cloth 14, the retainer ring 34 is also pressed against the polishing cloth, and uneven distribution of the polishing pressure on the edge of the wafer 50 is suppressed. The above base plate 30
An air chamber 36 is formed in the lower part of. This air chamber 36
Is sealed by an elastic film 38 sandwiched between the base plate 30 and the guide ring 22, and the air chamber 3
The air pressure is adjusted to an arbitrary value by a pressure adjusting device (not shown) through an air supply passage 37 communicating with the pressure adjusting device 6. Thereby, the pressure for pressing the wafer 50 against the polishing pad 14 can be adjusted.

【0013】空気室36の下方には円柱部材40が嵌入
され、この円柱部材40は、図示しない脱落防止ピンに
よってガイドリング52に係止される(尚、上下方向に
微動可能である)。そして、円柱部材40の下部に、キ
ャリア42がネジ43により固定され、更に、キャリア
43の下部にウェーハ吸着テーブル44が固着される。
A cylindrical member 40 is fitted below the air chamber 36, and the cylindrical member 40 is locked to a guide ring 52 by a fall prevention pin (not shown) (it can be finely moved vertically). A carrier 42 is fixed to the lower part of the columnar member 40 by screws 43, and a wafer suction table 44 is fixed to a lower part of the carrier 43.

【0014】ウェーハ吸着テーブル44は、図示しない
圧力調整装置と連通する空気通路45を介してその裏面
の隙間46が真空に引かれると、表面にウェーハ50を
吸着保持する。図3は上記ウェーハ吸着テーブル44の
構造を示した要部断面図である。同図に示すウェーハ吸
着テーブル44は、例えばポリウレタン、セルロースア
セテート、ポリエステル等の柔軟材料からなるバッキン
グ材により生成される。同図に示すように、このウェー
ハ吸着テーブル44は、ウェーハ50を吸着する吸着面
に多数の穴(ピット)44A、44A、…を有し、これ
らのピット44A、44A、…の間に、ウェーハ吸着テ
ーブル44の表裏を貫通する孔44B、44B、…が穿
設される。ウェーハ吸着テーブル44Bの裏面には、隙
間46が設けられ、この隙間46の一部に空気圧を調整
する圧力調整装置と連通する空気通路45が接続され
る。
When a gap 46 on the back surface is evacuated through an air passage 45 communicating with a pressure regulator (not shown), the wafer suction table 44 holds the wafer 50 on the front surface. FIG. 3 is a sectional view of a main part showing the structure of the wafer suction table 44. The wafer suction table 44 shown in the figure is made of a backing material made of a flexible material such as polyurethane, cellulose acetate, and polyester. As shown in the figure, the wafer suction table 44 has a large number of holes (pits) 44A, 44A,... On a suction surface for sucking the wafer 50, and the wafer is held between these pits 44A, 44A,. Holes 44B, 44B,... Penetrating the front and back of the suction table 44 are formed. A gap 46 is provided on the back surface of the wafer suction table 44B, and an air passage 45 communicating with a pressure adjusting device for adjusting the air pressure is connected to a part of the gap 46.

【0015】従って、圧力調整装置によって隙間46の
空気圧が調整され、この空気圧によってウェーハ吸着テ
ーブル44の吸着面に孔44B、44B、…を介してウ
ェーハを吸引する吸引力とウェーハを剥離する剥離力を
作用させることができる。上述の如く構成されたウェー
ハ吸着テーブル44によれば、ウェーハ50をウェーハ
吸着テーブル44に吸着する場合、ウェーハ50をウェ
ーハ吸着テーブル44の吸着面に押し当て、ピット44
A、44A、…を一旦変形させてピット内の気圧を減圧
するとともに、圧力調整装置によって隙間46の気圧を
減圧する(隙間内を真空引きする)。これにより、ウェ
ーハ吸着テーブル44の吸着面に押し当てられたウェー
ハ50に吸引力が働き、ウェーハ吸着テーブル44にウ
ェーハ50を吸着することができる。
Accordingly, the air pressure in the gap 46 is adjusted by the pressure adjusting device, and the suction force for sucking the wafer through the holes 44B, 44B,... Can act. According to the wafer suction table 44 configured as described above, when the wafer 50 is sucked to the wafer suction table 44, the wafer 50 is pressed against the suction surface of the wafer suction table 44 and the pits 44 are pressed.
A, 44A,... Are once deformed to reduce the pressure in the pits, and the pressure in the gap 46 is reduced by the pressure adjusting device (the inside of the gap is evacuated). As a result, a suction force acts on the wafer 50 pressed against the suction surface of the wafer suction table 44, and the wafer 50 can be suctioned to the wafer suction table 44.

【0016】一方、ウェーハ50をウェーハ吸着テーブ
ル44から剥離する場合、圧力調整装置によって隙間4
6の気圧を増圧する。即ち、隙間46に空気通路45よ
り空気を送り込み、隙間46の気圧を増加させる。これ
により、ウェーハ吸着テーブル44に吸着されたウェー
ハ50の吸着面の全面にウェーハ吸着テーブル44から
剥離する方向に押圧力が働き、ウェーハ吸着テーブル4
4からウェーハ50を剥離することができる。
On the other hand, when the wafer 50 is separated from the wafer suction table 44, the gap 4 is controlled by the pressure adjusting device.
Increase the air pressure of 6. That is, air is sent from the air passage 45 into the gap 46 to increase the pressure in the gap 46. As a result, a pressing force acts on the entire surface of the suction surface of the wafer 50 sucked by the wafer suction table 44 in a direction in which the wafer 50 is separated from the wafer suction table 44.
4, the wafer 50 can be peeled off.

【0017】尚、上記実施の形態では、ウェーハ50を
ウェーハ吸着テーブル44に吸着させる際に、隙間46
の気圧を減圧させて孔44B、44B…による吸引力が
働くようにしたが、ピット44A、44A、…の吸引力
のみによってウェーハ50を吸着するようにしてもよ
い。即ち、ウェーハ50を吸着する際に、必ずしも隙間
46を真空にする必要はない。
In the above embodiment, when the wafer 50 is sucked on the wafer suction table 44, the gap 46
Are reduced by the suction force of the holes 44B, 44B,..., But the wafer 50 may be suctioned only by the suction force of the pits 44A, 44A,. That is, when the wafer 50 is sucked, the gap 46 does not necessarily need to be evacuated.

【0018】[0018]

【発明の効果】以上説明したように本発明に係るウェー
ハ吸着テーブルによれば、ウェーハ吸着テーブルの吸着
面に吸着したウェーハを、吸着面に貫通する孔に気体を
送り込んで押圧し、吸着面から剥離させる。これによ
り、ウェーハ吸着テーブルに吸着したウェーハを外部か
ら力を加えることなく容易に剥離させることができる。
As described above, according to the wafer suction table according to the present invention, the wafer sucked on the suction surface of the wafer suction table is pressed by sending gas into the hole penetrating through the suction surface to press the wafer from the suction surface. Peel off. Thus, the wafer adsorbed on the wafer adsorption table can be easily peeled off without applying external force.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】図1は、本発明に係るウェーハ吸着テーブルが
適用されるウェーハ研磨装置の構成図である。
FIG. 1 is a configuration diagram of a wafer polishing apparatus to which a wafer suction table according to the present invention is applied.

【図2】図2は、ヘッド18の構成を示した断面図であ
る。
FIG. 2 is a cross-sectional view showing a configuration of a head 18.

【図3】図3は、ウェーハ吸着テーブルの構造を示した
断面図である。
FIG. 3 is a cross-sectional view showing a structure of a wafer suction table.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

10…研磨定盤 14…研磨布 18…ヘッド 20…スピンドル 30…ベースプレート 32…ガイドリング 34…リテーナリング 36…空気室 38…弾性膜 40…円柱部材 42…キャリア 44…ウェーハ吸着テーブル 44A…ピット 44B…孔 45…空気通路 46…隙間 50…ウェーハ DESCRIPTION OF SYMBOLS 10 ... Polishing surface plate 14 ... Polishing cloth 18 ... Head 20 ... Spindle 30 ... Base plate 32 ... Guide ring 34 ... Retainer ring 36 ... Air chamber 38 ... Elastic film 40 ... Cylindrical member 42 ... Carrier 44 ... Wafer suction table 44A ... Pit 44B ... holes 45 ... air passages 46 ... gaps 50 ... wafers

Claims (1)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 吸着面に多数の穴を有するバッキング材
から成り、前記穴の膨縮により前記ウェーハを吸着面に
吸着保持するウェーハ吸着テーブルにおいて、 前記ウェーハ吸着テーブルに貫通する孔を穿設し、該孔
から前記吸着面に気体を送り込むことにより、前記吸着
面に吸着されたウェーハに剥離力を与え、前記ウェーハ
を前記吸着面から剥離することを特徴とするウェーハ吸
着テーブル。
1. A wafer suction table comprising a backing material having a large number of holes on a suction surface and holding the wafer on the suction surface by expansion and contraction of the holes, wherein a hole penetrating through the wafer suction table is formed. A wafer suction table, wherein a gas is sent from the hole to the suction surface to apply a peeling force to the wafer sucked on the suction surface, thereby separating the wafer from the suction surface.
JP33671596A 1996-12-17 1996-12-17 Wafer suction table Pending JPH10178087A (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP33671596A JPH10178087A (en) 1996-12-17 1996-12-17 Wafer suction table

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP33671596A JPH10178087A (en) 1996-12-17 1996-12-17 Wafer suction table

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPH10178087A true JPH10178087A (en) 1998-06-30

Family

ID=18302050

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP33671596A Pending JPH10178087A (en) 1996-12-17 1996-12-17 Wafer suction table

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPH10178087A (en)

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002076096A (en) * 2000-08-29 2002-03-15 Disco Abrasive Syst Ltd Method for picking up semiconductor element
JP2009076720A (en) * 2007-09-21 2009-04-09 Disco Abrasive Syst Ltd Chuck table mechanism of grinding equipment
US7897007B2 (en) 2000-07-31 2011-03-01 Ebara Corporation Substrate holding apparatus and substrate polishing apparatus
JP2017037993A (en) * 2015-08-11 2017-02-16 有限会社サクセス Semiconductor wafer holder, semiconductor wafer grinding device, and semiconductor wafer grinding method
CN110370153A (en) * 2019-06-10 2019-10-25 浙江晶盛机电股份有限公司 A kind of upper fixed disk chip stripping off device for polissoir

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7897007B2 (en) 2000-07-31 2011-03-01 Ebara Corporation Substrate holding apparatus and substrate polishing apparatus
JP2002076096A (en) * 2000-08-29 2002-03-15 Disco Abrasive Syst Ltd Method for picking up semiconductor element
JP4546626B2 (en) * 2000-08-29 2010-09-15 株式会社ディスコ Method for picking up semiconductor element
JP2009076720A (en) * 2007-09-21 2009-04-09 Disco Abrasive Syst Ltd Chuck table mechanism of grinding equipment
JP2017037993A (en) * 2015-08-11 2017-02-16 有限会社サクセス Semiconductor wafer holder, semiconductor wafer grinding device, and semiconductor wafer grinding method
CN110370153A (en) * 2019-06-10 2019-10-25 浙江晶盛机电股份有限公司 A kind of upper fixed disk chip stripping off device for polissoir

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP4601171B2 (en) Carrier head for chemical mechanical polishing of substrates
US6056632A (en) Semiconductor wafer polishing apparatus with a variable polishing force wafer carrier head
US5851140A (en) Semiconductor wafer polishing apparatus with a flexible carrier plate
JP3439970B2 (en) Support head with flexible membrane for chemical mechanical polishing system
US6443823B1 (en) Carrier head with layer of conformable material for a chemical mechanical polishing system
JP5273791B2 (en) Equipment for applying adhesive tape to substrates
JP4022306B2 (en) Wafer bonding method and bonding apparatus
KR20000071788A (en) A carrier head for chemical mechanical polishing a substrate
CN108878341A (en) The processing method of chip
JPH01216768A (en) Method and device for polishing semiconductor substrate
JP3816297B2 (en) Polishing equipment
JP2758152B2 (en) Device for holding substrate to be polished and method for polishing substrate
CN115401587B (en) A polishing head and semiconductor wafer flattening equipment
JPH10178087A (en) Wafer suction table
JPH09171980A (en) Method for manufacturing semiconductor device
JPH0563077A (en) Processing method for semiconductor wafer
JPH10180626A (en) Carrier head having suitable material layer for chemical and mechanical grinding system
US6435955B2 (en) Abrasive machine
JP3804117B2 (en) Substrate polishing method and polishing apparatus used for the same
JPH09246218A (en) Polishing method and apparatus
JP4051125B2 (en) Wafer bonding equipment
JPH0917760A (en) Method and apparatus for polishing semiconductor wafer
JP2770087B2 (en) Wafer polishing method and polishing top ring
JPH10270398A (en) Wafer polishing device
JPH10315121A (en) Surface grinding device