JPH10176035A - Epoxy resin composition for sealing semiconductor device - Google Patents
Epoxy resin composition for sealing semiconductor deviceInfo
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- JPH10176035A JPH10176035A JP33872596A JP33872596A JPH10176035A JP H10176035 A JPH10176035 A JP H10176035A JP 33872596 A JP33872596 A JP 33872596A JP 33872596 A JP33872596 A JP 33872596A JP H10176035 A JPH10176035 A JP H10176035A
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Abstract
Description
【0001】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は、流動性、常温保存
特性に優れた、表面実装対応の半導体封止用エポキシ樹
脂組成物に関するものである。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a surface-mountable epoxy resin composition for semiconductor encapsulation which is excellent in fluidity and room temperature storage characteristics.
【0002】[0002]
【従来の技術】IC本体を機械的、化学的作用から保護
するために半導体封止用エポキシ樹脂樹脂組成物(以
下、樹脂組成物という)が開発、生産されてきた。この
樹脂組成物に要求される項目は、ICチップの種類、封
止されるパッケージの構造、使用される環境等によって
変化しつつある。現在、最も大きな要求項目は、パッケ
ージを実装する際に発生するクラック、いわゆる半田ク
ラックの改善であり、この要求に対し種々検討された結
果、無機充填材を多く含む樹脂組成物ではかなり改善さ
れた。この無機充填材の高充填の手法としては、無機充
填材の粒度分布や形状の変更、エポキシ樹脂及びフェノ
ール樹脂の粘度低減等があり、これらの手法を同時に用
いる場合が殆どである。しかし、樹脂粘度の低減によっ
て以下の様な問題が発生している。樹脂粘度の低減は、
樹脂の分子量を小さくすることであり、これにより分子
が動きやすくなっているため、樹脂混練時にすでに硬化
促進作用を示すDBU、トリフェニルホスフィン(以
下、TPPという)等の硬化促進剤を用いた場合、樹脂
混練時に一部の架橋反応が速やかに進行し、所定の流動
性が発現しない。又、同様の理由から、常温でも硬化反
応が徐々に進行し、樹脂組成物の常温保存特性が低下す
るという欠点があった。2. Description of the Related Art Epoxy resin compositions for semiconductor encapsulation (hereinafter referred to as "resin compositions") have been developed and produced to protect IC bodies from mechanical and chemical effects. Items required for this resin composition are changing depending on the type of IC chip, the structure of the package to be sealed, the environment in which it is used, and the like. At present, the biggest requirement is the improvement of cracks that occur when mounting the package, so-called solder cracks.As a result of various studies on this requirement, the resin composition containing a large amount of inorganic filler has been considerably improved. . Techniques for high filling of the inorganic filler include changing the particle size distribution and shape of the inorganic filler, reducing the viscosity of the epoxy resin and the phenol resin, and most of these techniques are used at the same time. However, the following problems have occurred due to the reduction in resin viscosity. Reduction of resin viscosity
The use of a curing accelerator, such as DBU or triphenylphosphine (hereinafter referred to as TPP), which already has a curing acceleration effect at the time of kneading the resin, because the molecular weight of the resin is made small and the molecules are easy to move. In addition, when the resin is kneaded, a part of the cross-linking reaction proceeds rapidly, and a predetermined fluidity is not exhibited. Further, for the same reason, there has been a disadvantage that the curing reaction gradually proceeds even at room temperature, and the room temperature storage characteristics of the resin composition deteriorate.
【0003】そこで、樹脂混練時に硬化促進作用を示さ
ない硬化促進剤の検討がなされてきた。例えば、特に表
面実装対応封止材には限っていないが、特公昭51−2
4399号公報には、テトラフェニルホスホニウム・テ
トラフェニルボレート(以下、TPP−Kという)が常
温保存特性と硬化性改善に有効であることが記載されて
いる。しかし、このTPP−Kは、予め樹脂の一部と溶
融混合しなければ十分な硬化性を示さず、一旦溶融混合
すると、樹脂組成物の常温保管特性がDBUやTPPを
用いた場合と同程度しかなく、十分でないことが分かっ
ている。又、上記の様に、TPP−Kを予め樹脂の一部
と溶融混合する手法は、樹脂組成物の生産工程が増える
ことを示している。又、DBUを用いても、TPP−K
と同様に、予め樹脂の一部と溶融混合して使用するのが
一般的であるが、これは、DBUが常温で液状であるこ
とに由来している。この様に、樹脂組成物の生産工程が
増えることは、管理上好ましくないことである。[0003] Therefore, investigations have been made on a curing accelerator which does not exhibit a curing accelerating action during resin kneading. For example, the sealing material is not particularly limited to a surface mountable sealing material.
No. 4399 describes that tetraphenylphosphonium tetraphenylborate (hereinafter referred to as TPP-K) is effective for improving room temperature storage characteristics and curability. However, this TPP-K does not show sufficient curability unless melt-mixed in advance with a part of the resin, and once melt-mixed, the room temperature storage characteristics of the resin composition are comparable to those of the case where DBU or TPP is used. Has proved to be insufficient. Further, as described above, the method of previously melting and mixing TPP-K with a part of the resin indicates that the number of production steps of the resin composition increases. Moreover, even if a DBU is used, TPP-K
Similarly to the above, it is common to use the resin by previously melting and mixing it with a part of the resin. This is because the DBU is liquid at room temperature. As described above, an increase in the number of production steps of the resin composition is unfavorable in terms of management.
【0004】[0004]
【発明が解決しようとする課題】本発明は、これらの問
題を解決するために種々の検討の結果なされたものであ
り、硬化促進剤を予め樹脂の一部と溶融混合する必要が
なく、流動性、常温保存特性に優れた、表面実装対応の
半導体封止用エポキシ樹脂組成物を提供するものであ
る。DISCLOSURE OF THE INVENTION The present invention has been made as a result of various studies in order to solve these problems, and it is not necessary to melt-mix a curing accelerator with a part of the resin in advance, and it is not necessary to melt and mix the curing accelerator. An object of the present invention is to provide a surface-mountable epoxy resin composition for semiconductor encapsulation, which is excellent in heat resistance and room temperature storage characteristics.
【0005】[0005]
【課題を解決するための手段】本発明は、 [1](A)1分子内にエポキシ基を2個以上有する、
融点50〜150℃の結晶性エポキシ化合物、(B)1
分子内にフェノール性水酸基を2個以上有するフェノー
ル樹脂、(C)硬化促進剤として、DBUと、このDB
Uにプロトンを少なくとも一個与えてDBUとイオン対
を形成する、1分子内にカルボキシル基を4個有するカ
ルボン酸及び/又はその酸無水物の部分開環体とからな
る塩、及び(D)無機充填材を必須成分とし、且つ全樹
脂組成物中に無機充填材(D)を75〜93重量%含有
することを特徴とする半導体封止用エポキシ樹脂組成
物、 [2]結晶性エポキシ化合物が、式(1)、式(2)、
又は式(3)である請求項1記載の半導体封止用エポキ
シ樹脂組成物、Means for Solving the Problems The present invention provides: [1] (A) having two or more epoxy groups in one molecule,
(B) 1 crystalline epoxy compound having a melting point of 50 to 150 ° C.
A phenolic resin having two or more phenolic hydroxyl groups in the molecule; (C) a DBU as a curing accelerator;
A salt comprising a carboxylic acid having four carboxyl groups in one molecule and / or a partially ring-opened acid anhydride thereof, which forms an ion pair with DBU by giving at least one proton to U, and (D) inorganic An epoxy resin composition for encapsulating a semiconductor, comprising a filler as an essential component, and containing 75 to 93% by weight of an inorganic filler (D) in the entire resin composition. , Equation (1), Equation (2),
Or the epoxy resin composition for semiconductor encapsulation according to claim 1, which is represented by formula (3):
【化4】 (式中、R1は水素、炭素数1〜6の鎖状もしくは環状
アルキル基、フェニル基、ハロゲンの中から選択される
基又は原子であり、それらは互いに同一であっても異な
っていても良い。)Embedded image (Wherein, R 1 is a group or atom selected from hydrogen, a chain or cyclic alkyl group having 1 to 6 carbon atoms, a phenyl group, and a halogen, and they may be the same or different from each other. good.)
【0006】[0006]
【化5】 (式中、R2は水素、炭素数1〜6の鎖状もしくは環状
アルキル基、フェニル基、ハロゲンの中から選択される
基又は原子であり、それらは互いに同一であっても異な
っていても良い。)Embedded image (In the formula, R 2 is a group or atom selected from hydrogen, a chain or cyclic alkyl group having 1 to 6 carbon atoms, a phenyl group, and a halogen, and they may be the same or different from each other. good.)
【0007】[0007]
【化6】 (式中、R3は水素、炭素数1〜6の鎖状もしくは環状
アルキル基、フェニル基、ハロゲンの中から選択される
基又は原子であり、それらは互いに同一であっても異な
っていても良い。) [3]多価カルボン酸が、芳香族カルボン酸及び/又は
その酸無水物の部分開環体である請求項1、又は2記載
の半導体封止用エポキシ樹脂組成物、 [4]芳香族カルボン酸及び/又はその酸無水物の部分
開環体が、ピロメリット酸及び/又はその酸無水物の部
分開環体である請求項3記載の半導体封止用エポキシ樹
脂組成物、 [5]多価カルボン酸が、重合度4以上の線状高分子カ
ルボン酸及び/又はその酸無水物の部分開環体である請
求項1、又は2記載の半導体封止用エポキシ樹脂組成
物、 [6]線状高分子カルボン酸が、ポリアクリル酸である
請求項5記載の半導体封止用エポキシ樹脂組成物、であ
る。Embedded image (Wherein, R 3 is a group or atom selected from hydrogen, a chain or cyclic alkyl group having 1 to 6 carbon atoms, a phenyl group, and a halogen, and they may be the same or different from each other. [3] The epoxy resin composition for semiconductor encapsulation according to claim 1 or 2, wherein the polycarboxylic acid is a partially ring-opened product of an aromatic carboxylic acid and / or an acid anhydride thereof. The epoxy resin composition for semiconductor encapsulation according to claim 3, wherein the partially ring-opened aromatic carboxylic acid and / or acid anhydride thereof is a partially ring-opened pyromellitic acid and / or acid anhydride thereof. 5) The epoxy resin composition for semiconductor encapsulation according to claim 1 or 2, wherein the polycarboxylic acid is a partially ring-opened product of a linear polymer carboxylic acid having a degree of polymerization of 4 or more and / or an acid anhydride thereof. [6] The linear high molecular carboxylic acid is polyacrylic acid Motomeko fifth semiconductor encapsulating epoxy resin composition according is.
【0008】[0008]
【発明の実施の形態】本発明で用いる、1分子内にエポ
キシ基を2個以上有する、融点50〜150℃の結晶性
エポキシ化合物は、フェニル、ビフェニル、ビスフェノ
ール、ナフタレンや等スチルベン骨格を有する平面構造
の分子を主鎖に有し、又、比較的低分子であるために、
結晶性を示すものである。結晶性エポキシ化合物は、常
温では結晶性の固体であるが、一旦融解すると、極めて
低粘度の液体になる特性を有している。結晶性エポキシ
化合物としては、特に、式(1)のビフェニル型エポキ
シ化合物、式(2)のジヒドロキシジフェニルメタン型
エポキシ化合物、式(3)のスチルベン型エポキシ化合
物が好ましい。式(1)〜式(3)のR1、R2、R
3は、水素、炭素数1〜6の鎖状もしくは環状アルキル
基、フェニル基、ハロゲンの中から選択される基又は原
子であり、それらは互いに同一であっても異なっていて
も良い。これらの結晶性エポキシ化合物は、単独でも混
合して用いても良い。結晶性エポキシ化合物の融点は、
50〜150℃が好ましい。50℃以上だと、常温では
融解しないので、前混練工程等での作業性に優れる。1
50℃以下だと、混練装置中で容易に融解して均一に混
練することができる。BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION A crystalline epoxy compound having two or more epoxy groups in one molecule and having a melting point of 50 to 150 ° C. used in the present invention is a planar epoxy compound having a stilbene skeleton such as phenyl, biphenyl, bisphenol, naphthalene or the like. Because it has a structural molecule in the main chain and is relatively small,
It shows crystallinity. The crystalline epoxy compound is a crystalline solid at room temperature, but once melted, has the property of becoming an extremely low-viscosity liquid. As the crystalline epoxy compound, a biphenyl type epoxy compound of the formula (1), a dihydroxydiphenylmethane type epoxy compound of the formula (2), and a stilbene type epoxy compound of the formula (3) are particularly preferable. R 1 , R 2 , R in the formulas (1) to (3)
3 is a group or atom selected from hydrogen, a chain or cyclic alkyl group having 1 to 6 carbon atoms, a phenyl group and a halogen, which may be the same or different. These crystalline epoxy compounds may be used alone or as a mixture. The melting point of the crystalline epoxy compound is
50-150 ° C is preferred. When the temperature is 50 ° C. or higher, the material does not melt at room temperature, and thus the workability in the pre-kneading step and the like is excellent. 1
When the temperature is 50 ° C. or lower, the mixture can be easily melted in a kneading apparatus and uniformly kneaded.
【0009】本発明で用いる、1分子内にフェノール性
水酸基を2個以上有するフェノール樹脂には、特に制限
はなく、例えば、フェノールノボラック樹脂、クレゾー
ルノボラック樹脂、キシリレン変性フェノール樹脂、テ
ルペン変性フェノール樹脂、ジシクロペンタジエン変性
フェノール樹脂等が挙げられる。これらのフェノール樹
脂の分子量、軟化点、水酸基当量等には制限はない。
又、これらのフェノール樹脂は、単独でも混合して用い
ても良い。特に、表面実装対応の樹脂として用いる場合
には、キシリレン変性フェノール樹脂がより好ましい。
キシリレン変性フェノール樹脂は、フェノール性水酸基
が少ないので、成形品の吸水率が小さい。又、キシリレ
ンとフェノールが結合している構造のために分子が適度
の屈曲性を有し、硬化反応における立体障害が少なく、
硬化性の阻害が少ない。更に、平均分子量を小さくする
ことによって、低粘度化が可能であり、平均分子量を小
さくしても、化学構造上、硬化性が低下しにくい特徴を
有している。結晶性エポキシ化合物のエポキシ基と、フ
ェノール樹脂のフェノール性水酸基との当量比は、0.
5〜2.0、より好ましくは0.8〜1.2である。こ
の範囲を外れると、樹脂組成物の硬化性の低下、或いは
硬化物のガラス転移温度の低下等が生じるおそれがあ
る。The phenolic resin having two or more phenolic hydroxyl groups in one molecule used in the present invention is not particularly limited. Examples thereof include phenol novolak resin, cresol novolak resin, xylylene-modified phenol resin, terpene-modified phenol resin, And dicyclopentadiene-modified phenolic resins. There are no restrictions on the molecular weight, softening point, hydroxyl equivalent, etc. of these phenolic resins.
These phenolic resins may be used alone or as a mixture. In particular, when used as a resin compatible with surface mounting, a xylylene-modified phenol resin is more preferable.
Since the xylylene-modified phenol resin has a small amount of phenolic hydroxyl groups, the molded article has a low water absorption. In addition, due to the structure in which xylylene and phenol are bonded, the molecule has an appropriate flexibility, and there is little steric hindrance in the curing reaction,
Less inhibition of curability. Further, by reducing the average molecular weight, the viscosity can be reduced, and even if the average molecular weight is reduced, the curability is hardly reduced due to the chemical structure. The equivalent ratio of the epoxy group of the crystalline epoxy compound to the phenolic hydroxyl group of the phenol resin is 0.1.
5 to 2.0, more preferably 0.8 to 1.2. Outside of this range, the curability of the resin composition may decrease, or the glass transition temperature of the cured product may decrease.
【0010】本発明で用いる、DBUと多価カルボン酸
との塩からなる硬化促進剤は、多価カルボン酸がDBU
に少なくとも1個のプロトンを与えてイオン対を形成す
るものであれば良い。多価カルボン酸としては、例え
ば、ベンゼンテトラカルボン酸、ナフタレンテトラカル
ボン酸、ビフェニルテトラカルボン酸、2,2−ビス
(3,4−ジカルボキシジフェニル)プロパン、ベンゾ
フェノンテトラカルボン酸、ビス(3,4−ジカルボキ
シジフェニル)エーテル等の芳香族テトラカルボン酸や
これらの酸無水物の部分開環体、エチレンテトラカルボ
ン酸、メチルシクロヘキセンジカルボン酸やこれらの酸
無水物の部分開環体、4,8−ジメチル−1,2,3,
5,6,7−ヘキサヒドロナフタレン−1,2,5,6
−テトラカルボン酸、シクロペンタン−1,2,3,4
−テトラカルボン酸等の脂肪族テトラカルボン酸、イソ
ブチレン、スチレン等の各種オレフィンと無水マレイン
酸との共重合体の開環体、ポリアクリル酸等の線状高分
子カルボン酸等が挙げられるが、これらに限定されるも
のではない。特に、原料コストや入手の容易さといった
点で、ピロメリット酸、又はポリアクリル酸が好適に用
いられる。又、例示したカルボン酸の全開環体、又はこ
れらの部分開環体、及びこれらの混合体も全て含まれ
る。この硬化促進剤の添加量は、結晶性エポキシ化合物
とフェノール樹脂との合計量100重量部に対し、0.
5〜20重量部が好ましい。0.5重量部未満であると
硬化性が低下し、一方、20重量部を越えると硬化が速
すぎて成形時に充填不良等の問題が生じる。The curing accelerator comprising a salt of DBU and a polycarboxylic acid for use in the present invention comprises a polycarboxylic acid containing DBU.
Any one may be used as long as it gives at least one proton to form an ion pair. Examples of the polycarboxylic acid include benzenetetracarboxylic acid, naphthalenetetracarboxylic acid, biphenyltetracarboxylic acid, 2,2-bis (3,4-dicarboxydiphenyl) propane, benzophenonetetracarboxylic acid, and bis (3,4 Aromatic dicarboxylic acids such as -dicarboxydiphenyl) ether and the like, and partially opened products of these acid anhydrides, ethylenetetracarboxylic acid, methylcyclohexenedicarboxylic acid and partially opened products of these acid anhydrides, 4,8- Dimethyl-1,2,3,
5,6,7-hexahydronaphthalene-1,2,5,6
-Tetracarboxylic acid, cyclopentane-1,2,3,4
-Aliphatic tetracarboxylic acids such as tetracarboxylic acid, isobutylene, ring-opened copolymers of various olefins such as styrene and maleic anhydride, and linear polymer carboxylic acids such as polyacrylic acid; It is not limited to these. In particular, pyromellitic acid or polyacrylic acid is preferably used in terms of raw material cost and availability. Further, all ring-opened products of the exemplified carboxylic acids, partially ring-opened products thereof, and mixtures thereof are also included. The curing accelerator is added in an amount of 0.1 to 100 parts by weight of the total amount of the crystalline epoxy compound and the phenol resin.
5-20 parts by weight are preferred. If the amount is less than 0.5 part by weight, the curability is reduced. On the other hand, if the amount is more than 20 parts by weight, the curing is too fast, causing problems such as defective filling during molding.
【0011】本発明で用いる無機充填材には特に制限は
なく、一般に封止材料に使用されているものを広く使用
でき、例えば、アルミナ、溶融シリカ粉末、球状シリカ
粉末、結晶シリカ粉末、2次凝集シリカ粉末等が挙げら
れる。特に、樹脂組成物の流動性向上の点から、球状シ
リカ粉末が好ましい。球状シリカ粉末の形状としては、
流動性向上のために粒子自身の形状が限りなく真球状で
あること、且つ、粒度分布がブロードであることが好ま
しい。無機充填材の配合量としては、耐半田クラック性
向上の点から、全樹脂組成物中に75〜93重量%が好
ましい。75重量%未満だと、吸水率が低下せず、耐半
田クラック性が不十分となり、一方、93重量%を越え
ると、粘度が高くなり、半導体パッケージ内部の金線変
形を引き起こすので好ましくない。The inorganic filler used in the present invention is not particularly limited, and those generally used for a sealing material can be widely used. Examples thereof include alumina, fused silica powder, spherical silica powder, crystalline silica powder, and secondary silica. Agglomerated silica powder and the like can be mentioned. In particular, spherical silica powder is preferred from the viewpoint of improving the fluidity of the resin composition. As the shape of the spherical silica powder,
In order to improve the fluidity, it is preferable that the shape of the particles themselves is infinitely spherical and the particle size distribution is broad. The amount of the inorganic filler is preferably 75 to 93% by weight in the total resin composition from the viewpoint of improving solder crack resistance. If it is less than 75% by weight, the water absorption does not decrease, and the solder crack resistance becomes insufficient. On the other hand, if it exceeds 93% by weight, the viscosity becomes high, causing gold wire deformation inside the semiconductor package, which is not preferable.
【0012】本発明の樹脂組成物は、(A)〜(D)成
分の他、必要に応じて、カーボンブラック等の着色剤、
臭素化エポキシ樹脂、三酸化アンチモンや四酸化アンチ
モン等の難燃剤、γ−グリシドキシプロピルトリメトキ
シシラン等のカップリング剤、シリコーンオイル、ゴム
等の低応力成分、離型剤、酸化防止剤、表面活性剤等の
各種添加剤を配合することができる。本発明の樹脂組成
物は、(A)〜(D)成分、及びその他添加剤等をミキ
サーを用いて常温混合し、押出機やロール等の混練機で
加熱混練し、冷却後粉砕して得られる。The resin composition of the present invention comprises, if necessary, a coloring agent such as carbon black in addition to the components (A) to (D).
Brominated epoxy resins, flame retardants such as antimony trioxide and antimony tetroxide, coupling agents such as γ-glycidoxypropyltrimethoxysilane, silicone oil, low stress components such as rubber, mold release agents, antioxidants, Various additives such as a surfactant can be blended. The resin composition of the present invention is obtained by mixing the components (A) to (D) and other additives at room temperature using a mixer, kneading with a kneading machine such as an extruder or a roll, cooling, and pulverizing. Can be
【0013】[0013]
【実施例】以下に実施例を挙げて本発明を具体的に説明
するが、本発明は、これらの実施例により何ら限定され
るものではない。EXAMPLES The present invention will be specifically described below with reference to examples, but the present invention is not limited to these examples.
【0014】まず、実施例で使用した、DBUと多価カ
ルボン酸とからなる塩の略号を以下にまとめて示す。 DBU−PMA:冷却管をつけたフラスコにアセトン、
及びピロメリット酸を入れ、完全に溶解したところで、
ピロメリット酸と同モルのDBUをゆっくりと滴下して
得られる塩 DBU−PA:冷却管をつけたフラスコにメタノール、
及びポリアクリル酸(東亞合成化学工業(株)・製,A
C−10P)を入れ、溶解したところで、DBUをゆっ
くりと滴下した後、1時間反応させたところで、100
℃に加熱し、メタノールを留去させ、反応物を濃縮した
後、バットに移し100℃で真空乾燥して得られる塩 上記2種の塩は、いずれも常温で固体である。First, the abbreviations of the salts of DBU and polycarboxylic acid used in the examples are shown below. DBU-PMA: acetone in a flask equipped with a condenser,
And pyromellitic acid and completely dissolved,
Salt obtained by slowly dropping DBU of the same mole as pyromellitic acid DBU-PA: methanol in a flask equipped with a cooling tube,
And polyacrylic acid (Toagosei Chemical Industry Co., Ltd., A
C-10P) was added and dissolved, and DBU was slowly added dropwise.
The mixture is heated to ℃, methanol is distilled off, the reaction product is concentrated, then transferred to a vat and dried in vacuo at 100 ° C. The above two types of salts are solid at room temperature.
【0015】実施例1 式(4)のビフェニル型エポキシ化合物(融点105℃) 51.5重量部Example 1 51.5 parts by weight of a biphenyl type epoxy compound of the formula (4) (melting point: 105 ° C.)
【化7】 Embedded image
【0016】 式(5)のフェノール樹脂(軟化点73℃) 48.5重量部48.5 parts by weight of a phenolic resin of the formula (5) (softening point: 73 ° C.)
【化8】 DBU−PMA 6.1重量部 球状シリカ(平均粒径15μm) 820重量部 カーボンブラック 2.0重量部 臭素化ビスフェノールF型エポキシ樹脂 4.0重量部 カルナバワックス 2.0重量部 を常温でミキサーを用いて混合した後、100℃で二軸
ロールを用いて混練し、冷却後粉砕し樹脂組成物とし
た。得られた樹脂組成物のスパイラルフロー、ショアD
硬度、常温保存特性、及び耐半田クラック性を以下に示
す方法で評価した。結果を表1に示す。Embedded image DBU-PMA 6.1 parts by weight Spherical silica (average particle size 15 μm) 820 parts by weight Carbon black 2.0 parts by weight Brominated bisphenol F type epoxy resin 4.0 parts by weight Carnauba wax 2.0 parts by weight Mixer at room temperature The mixture was kneaded at 100 ° C. using a biaxial roll, cooled and pulverized to obtain a resin composition. Spiral flow of the obtained resin composition, Shore D
Hardness, room temperature storage characteristics, and solder crack resistance were evaluated by the following methods. Table 1 shows the results.
【0017】評価方法 (1) スパイラルフロー:EMMI−I−66に準じ
たスパイラルフロー測定用の金型を用い、金型温度17
5℃、注入圧力70kg/cm2、硬化時間2分で測定
する。スパイラルフローは流動性のパラメータであり、
数値が大きい方が良好である。単位cm。 (2) 硬化性:金型温度175℃、圧力70kg/c
m2、硬化時間2分で成形し、型開き10秒後に測定し
たショアD硬度の値を硬化性とした。 (3) 常温保存特性:樹脂組成物を25℃で1週間保
存した後、スパイラルフローを測定し、初期のスパイラ
ルフロー値に対する割合で示した。数値が大きい方が常
温保存特性が良好であることを示す。単位%。 (4) 耐半田クラック性:金型温度175℃、圧力7
0kg/cm2、硬化時間2分で80pQFP(厚さ
1.5mm)を8個成形し、175℃で8時間ポストキ
ュアし、85℃、相対湿度60%で168時間処理した
後、240℃のIRリフローで10秒処理後のパッケー
ジクラック個数を目視で観察した。Evaluation method (1) Spiral flow: using a mold for measuring spiral flow in accordance with EMMI-I-66, using a mold temperature of 17
The measurement is performed at 5 ° C., an injection pressure of 70 kg / cm 2 , and a curing time of 2 minutes. Spiral flow is a parameter of liquidity,
The higher the value, the better. Unit cm. (2) Curability: mold temperature 175 ° C, pressure 70kg / c
Molding was performed with m 2 and a curing time of 2 minutes, and the value of Shore D hardness measured 10 seconds after opening the mold was defined as curability. (3) Room temperature storage characteristics: After storing the resin composition at 25 ° C. for one week, the spiral flow was measured and shown as a ratio to the initial spiral flow value. Larger values indicate better room temperature storage characteristics. unit%. (4) Solder crack resistance: mold temperature 175 ° C, pressure 7
Eight 80 pQFP (1.5 mm thick) were molded at 0 kg / cm 2 and curing time of 2 minutes, post-cured at 175 ° C. for 8 hours, and treated at 85 ° C. and a relative humidity of 60% for 168 hours. The number of package cracks after 10 seconds of treatment by IR reflow was visually observed.
【0018】実施例2〜5 表1の処方に従って配合し、実施例1と同様にして樹脂
組成物を得、同様に評価した。結果を表1に示す。な
お、実施例3で使用した式(6)のエポキシ化合物(融
点80℃)、及び実施例4で使用した式(7)のエポキ
シ化合物(融点96℃)を以下に示す。Examples 2 to 5 Compounded according to the formulation shown in Table 1, a resin composition was obtained in the same manner as in Example 1, and evaluated similarly. Table 1 shows the results. The epoxy compound of formula (6) used in Example 3 (melting point: 80 ° C.) and the epoxy compound of formula (7) used in Example 4 (melting point: 96 ° C.) are shown below.
【化9】 Embedded image
【0019】[0019]
【化10】 Embedded image
【0020】比較例1,2 表2の処方に従って配合し、実施例1と同様にして樹脂
組成物を得、同様に評価した。結果を表2に示す。ここ
で、DBUの溶融混合物とは、式(5)のフェノール樹
脂90重量部に対し、DBU10重量部を溶融混合した
ものを言う。Comparative Examples 1 and 2 A resin composition was prepared according to the formulation shown in Table 2, and a resin composition was obtained in the same manner as in Example 1 and evaluated in the same manner. Table 2 shows the results. Here, the molten mixture of DBU refers to a mixture obtained by melting and mixing 10 parts by weight of DBU with 90 parts by weight of the phenol resin of the formula (5).
【表1】 [Table 1]
【0021】[0021]
【表2】 [Table 2]
【0022】[0022]
【発明の効果】本発明のエポキシ樹脂組成物は、流動
性、及び常温保存特性に非常に優れている。又、1,8
−ジアザビシクロ(5,4,0)ウンデセン−7、又は
トリフェニルホスフィンを用いた樹脂組成物と比較して
も、耐半田クラックは同等の水準である。The epoxy resin composition of the present invention is excellent in fluidity and room temperature storage characteristics. Also, 1,8
-Solder crack resistance is at the same level as compared with a resin composition using diazabicyclo (5,4,0) undecene-7 or triphenylphosphine.
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 FI H01L 23/29 H01L 23/30 R 23/31 ──────────────────────────────────────────────────の Continued on the front page (51) Int.Cl. 6 Identification code FI H01L 23/29 H01L 23/30 R 23/31
Claims (6)
有する融点50〜150℃の結晶性エポキシ化合物、
(B)1分子内にフェノール性水酸基を2個以上有する
フェノール樹脂、(C)硬化促進剤として、1,8−ジ
アザビシクロ(5,4,0)ウンデセン−7(以下、D
BUという)と、このDBUにプロトンを少なくとも一
個与えてDBUとイオン対を形成する、1分子内にカル
ボキシル基を4個有するカルボン酸及び/又はその酸無
水物の部分開環体(以下、多価カルボン酸という)とか
らなる塩、及び(D)無機充填材を必須成分とし、且つ
全樹脂組成物中に無機充填材(D)を75〜93重量%
含有することを特徴とする半導体封止用エポキシ樹脂組
成物。(A) a crystalline epoxy compound having a melting point of 50 to 150 ° C. and having two or more epoxy groups in one molecule,
(B) a phenolic resin having two or more phenolic hydroxyl groups in one molecule, and (C) 1,8-diazabicyclo (5,4,0) undecene-7 (hereinafter referred to as D) as a curing accelerator.
BU) and a partially ring-opened carboxylic acid having four carboxyl groups in one molecule and / or a partially ring-opened acid anhydride thereof (hereinafter referred to as “multiplicity”), which forms at least one proton with the DBU to form an ion pair with the DBU. And a salt comprising (D) an inorganic filler as an essential component, and 75 to 93% by weight of the inorganic filler (D) in the total resin composition.
An epoxy resin composition for encapsulating a semiconductor, characterized by comprising:
(2)、又は式(3)である請求項1記載の半導体封止
用エポキシ樹脂組成物。 【化1】 (式中、R1は水素、炭素数1〜6の鎖状もしくは環状
アルキル基、フェニル基、ハロゲンの中から選択される
基又は原子であり、それらは互いに同一であっても異な
っていても良い。) 【化2】 (式中、R2は水素、炭素数1〜6の鎖状もしくは環状
アルキル基、フェニル基、ハロゲンの中から選択される
基又は原子であり、それらは互いに同一であっても異な
っていても良い。) 【化3】 (式中、R3は水素、炭素数1〜6の鎖状もしくは環状
アルキル基、フェニル基、ハロゲンの中から選択される
基又は原子であり、それらは互いに同一であっても異な
っていても良い。)2. The epoxy resin composition for semiconductor encapsulation according to claim 1, wherein the crystalline epoxy compound is represented by Formula (1), Formula (2), or Formula (3). Embedded image (Wherein, R 1 is a group or atom selected from hydrogen, a chain or cyclic alkyl group having 1 to 6 carbon atoms, a phenyl group, and a halogen, and they may be the same or different from each other. (Good.) (In the formula, R 2 is a group or atom selected from hydrogen, a chain or cyclic alkyl group having 1 to 6 carbon atoms, a phenyl group, and a halogen, and they may be the same or different from each other. (Good.) (Wherein, R 3 is a group or atom selected from hydrogen, a chain or cyclic alkyl group having 1 to 6 carbon atoms, a phenyl group, and a halogen, and they may be the same or different from each other. good.)
び/又はその酸無水物の部分開環体である請求項1、又
は2記載の半導体封止用エポキシ樹脂組成物。3. The epoxy resin composition for semiconductor encapsulation according to claim 1, wherein the polyvalent carboxylic acid is a partially ring-opened aromatic carboxylic acid and / or an acid anhydride thereof.
物の部分開環体が、ピロメリット酸及び/又はその酸無
水物の部分開環体である請求項3記載の半導体封止用エ
ポキシ樹脂組成物。4. The epoxy for semiconductor encapsulation according to claim 3, wherein the partially ring-opened aromatic carboxylic acid and / or acid anhydride thereof is a partially ring-opened pyromellitic acid and / or acid anhydride thereof. Resin composition.
高分子カルボン酸及び/又はその酸無水物の部分開環体
である請求項1、又は2記載の半導体封止用エポキシ樹
脂組成物。5. The epoxy resin for semiconductor encapsulation according to claim 1, wherein the polycarboxylic acid is a partially ring-opened product of a linear polymer carboxylic acid having a degree of polymerization of 4 or more and / or an acid anhydride thereof. Composition.
酸である請求項5記載の半導体封止用エポキシ樹脂組成
物。6. The epoxy resin composition for semiconductor encapsulation according to claim 5, wherein the linear polymer carboxylic acid is polyacrylic acid.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP33872596A JPH10176035A (en) | 1996-12-18 | 1996-12-18 | Epoxy resin composition for sealing semiconductor device |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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JP33872596A JPH10176035A (en) | 1996-12-18 | 1996-12-18 | Epoxy resin composition for sealing semiconductor device |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
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JPH10176035A true JPH10176035A (en) | 1998-06-30 |
Family
ID=18320885
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JP33872596A Pending JPH10176035A (en) | 1996-12-18 | 1996-12-18 | Epoxy resin composition for sealing semiconductor device |
Country Status (1)
Country | Link |
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JP (1) | JPH10176035A (en) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2000319355A (en) * | 1999-03-08 | 2000-11-21 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | Epoxy resin composition and semiconductor device |
CN112424256A (en) * | 2018-08-03 | 2021-02-26 | 引能仕株式会社 | Composition for curing resin, cured product of the composition, method for producing the composition and the cured product, and semiconductor device |
-
1996
- 1996-12-18 JP JP33872596A patent/JPH10176035A/en active Pending
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2000319355A (en) * | 1999-03-08 | 2000-11-21 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | Epoxy resin composition and semiconductor device |
CN112424256A (en) * | 2018-08-03 | 2021-02-26 | 引能仕株式会社 | Composition for curing resin, cured product of the composition, method for producing the composition and the cured product, and semiconductor device |
CN112424256B (en) * | 2018-08-03 | 2023-02-17 | 引能仕株式会社 | Composition for curing resin, cured product of the composition, method for producing the composition and the cured product, and semiconductor device |
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