JPH10172880A - フォトレジスト現像装置 - Google Patents
フォトレジスト現像装置Info
- Publication number
- JPH10172880A JPH10172880A JP32693096A JP32693096A JPH10172880A JP H10172880 A JPH10172880 A JP H10172880A JP 32693096 A JP32693096 A JP 32693096A JP 32693096 A JP32693096 A JP 32693096A JP H10172880 A JPH10172880 A JP H10172880A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- nozzle
- glass substrate
- cleaning
- gas
- photoresist
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 title claims description 30
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 74
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 claims abstract description 64
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims abstract description 57
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims description 38
- 239000000243 solution Substances 0.000 claims description 18
- 238000002347 injection Methods 0.000 claims description 14
- 239000007924 injection Substances 0.000 claims description 14
- 238000001035 drying Methods 0.000 claims description 6
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 34
- 239000010408 film Substances 0.000 description 8
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 6
- 238000005406 washing Methods 0.000 description 6
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 4
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 4
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 3
- 238000007664 blowing Methods 0.000 description 2
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000012805 post-processing Methods 0.000 description 2
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 2
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- 238000009835 boiling Methods 0.000 description 1
- 238000007865 diluting Methods 0.000 description 1
- 238000007599 discharging Methods 0.000 description 1
- 239000005357 flat glass Substances 0.000 description 1
- 238000011010 flushing procedure Methods 0.000 description 1
- 238000001459 lithography Methods 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
- 239000003595 mist Substances 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 description 1
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 1
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 1
- 239000009719 polyimide resin Substances 0.000 description 1
- 239000007921 spray Substances 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
Landscapes
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
Abstract
15の裏面に付着する現像液残りを短時間で除去する。 【解決手段】ガラス基板15の下にガラス基板15の外
側に向けて傾けて洗浄液を噴射する洗浄ノズル2と、こ
の洗浄ノズル2より回転軸11側に配置されるとともに
洗浄ノズル2の傾斜角が小さく水平に寄る角度で乾燥ガ
スを噴射するガス噴出ノズル3とを設け、現像後にガラ
ス基板を回転させ洗浄ノズル2とガス噴出ノズル3から
洗浄液と乾燥ガスとを同時にガラス基板の裏面に噴射し
除去する。
Description
像装置に関し、特にガラス基板のように大きな基板に塗
布されたフォトレジスト膜の潜像を現像するフォトレジ
スト現像装置に関する。
わゆるアクティブ・マトリックス型液晶表示装置の製造
工程においては、長方形平板状のガラス基板の表面に、
透明導電膜、各種の金属膜、半導体膜および絶縁膜など
の微細パターン加工を行う必要があり、そのパターン加
工を行なうため、フォトレジスト膜を形成しパターンを
リソグラフィなどで転写し潜像を形成し、しかる後、フ
ォトレジスト現像装置により潜像パターンを現像してい
た。
布されたガラス基板を保持するチャックと、チャックを
回転する回転駆動機構駆と、ガラス基板のフォトレジス
ト面に現像液を滴下し全面に肉盛りする移動し得るノズ
ルとを備えている。そして、肉盛りされた現像液により
フォトレジストに潜像するパターンを現像液で現像し上
から洗浄液を噴射しガラス基板を回転させながら残りの
現像液を洗い流していた。
ある。上述した現像装置でガラス基板の現像処理を行な
うと、図4に示すように、現像液がガラス基板15の裏
面に現像液が回り込み、ガラス基板15の裏面に液残り
16が付着した状態になる。この液残り16は後工程の
ラインを汚染するだけではなく後工程における品質の重
大な欠陥をもたらすことになる。
装置が種々提案されている。例えば、特開平1−231
046号公報に開示されているように、原盤に形成され
たフォトレジスト膜を現像後に、原盤の表面および裏面
に付着している現像液を表面と裏面とから水洗ノズルで
水洗し、しかる後、乾燥ノズルで原盤の表裏面を乾燥し
ている。
膜を形成時に半導体ウェハの基板の裏面に廻り込むフォ
トレジストを除去する手段をもつスピンナーとして、例
えば、特開平2−241571号公報に開示されてい
る。このスピンナーは、基板の裏面外周部にノズルの先
端が位置するように一つ以上のバックリンスノズルと、
回転台の裏面外周部にガス噴出口とを設け、ポリイミド
樹脂であるレジストをバックリンスノズルで溶解し、し
かる後に、溶解して裏面に付着した樹脂材をガス噴出口
からガスを基板裏面外周部を通って外側に流れるように
ガスを噴出させ吹き飛ばすことを特徴としている。
装置として、特開平4−318916号公報に開示され
ている。この洗浄装置は、レジスト塗布装置とは別個に
設けられている。そして、真空チャックに吸着されたガ
ラス基板の下方にバックリンス吐出ノズルとエアを吐出
するエアブローノズルとを設け、ガラス基板が回転して
いる状態で、低沸点有機溶剤のバックリンス液を吐出し
ガラス基板の裏面に付着したフォトレジストを除去し、
その後、カラス基板の回転数を上げ、遠心力によりバッ
クリンス液を振り切ると同時にエアブローノズルからエ
アを吐出し乾燥させることを特徴としている。
置あるいはフォトレジスト塗布装置の内の特開平1−2
31046号公報に開示された現像装置では、裏面水洗
ノズルで現像液を洗い流してから、裏面乾燥ノズルで乾
燥させるというように洗浄液をガラス基板に付着した状
態で乾燥するので、乾燥に時間がかかるという欠点があ
る。また、裏面乾燥ノズルをガラス基板の外側に移動さ
せる機構を設ける必要があり、このような駆動機構を下
カップ内のように水分を含む環境下に設置することは故
障が起き易いだけではなく設備コストが高くなるという
欠点がある。
示されているスピンナーの場合は、レジストをバックリ
ンスノズルで溶解してから、溶解した樹脂液を乾燥して
いるので処理時間がかかるという欠点がある。また、ガ
ス噴出路をブロック状のガス噴出筒の平坦面の開口から
回転台の隙間で形成されているため、洗浄の際に、洗浄
液がガス噴出路から入り込みガス噴出筒の平坦部に溜
り、ガス噴出時に洗浄液を吹き飛ばし基板を汚染する恐
れがある。
レジスト塗布装置では、基板洗浄装置をレジスト塗布装
置とは別にもうけているので、その分設備コストが高価
なものとなると同時に基板を塗布装置から洗浄装置に移
載しなければならないという欠点がある。また、裏面エ
アブロー用ノズルからのエアが外側に流れるように配置
されておらず、経過時間と回転数との関係を示すグラフ
においてもリンスの処理とエアブローによる処理が別々
なので処理時間がかかるという欠点がある。
が種々あり、大きいガラス基板の場合、真空保持力を大
きくするために大きな真空回転チャックを備える現像装
置に変えなければならないという問題もあった。
面に付着する現像液残りを短時間で除去できる汎用性の
あるフォトレジスト現像装置を提供することである。
フォトレジストが塗布されたガラス基板を回転可能に保
持する基板保持手段と、上記基板保持手段を回転駆動す
る駆動手段と、前記ガラス基板保持手段に保持されたガ
ラス基板の該フォトレジスト面に現像液を滴下するノズ
ルとを備えるフォトレジスト現像装置において、前記ガ
ラス基板に前記現像液が滴下され該現像液が盛られて潜
像が現像された後に回転する該ガラス基板の回転中心か
ら最も近い辺の裏面の該辺に近い部分に洗浄液が衝突す
るように噴出口を向けかつ垂直よりやや水平に傾けに所
定の角度に傾け該洗浄液を噴射する洗浄ノズルと、この
洗浄ノズルの該洗浄液の噴射と同時に乾燥ガスを噴射す
るとともに前記洗浄ノズルの傾き角度より水平に近い角
度でガス噴射口を向けかつ前記洗浄ノズルより内側に設
けられているガス噴出ノズルを備えるフォトレジスト現
像装置である。また、前記洗浄ノズルと前記ガス噴射ノ
ズルを一体化する棒状の配管構成体を備えるか、あるい
は、前記洗浄ノズルと前記ガス噴出ノズルとでなるノズ
ル対の複数個が円周上に配設されるリング状の配管構成
体を備えるかが望ましい。
の一実施の形態におけるフォトレジスト現像装置の断面
図および洗浄液の流れとガスの流れの状態を示す図であ
る。このフォトレジスト現像装置は、図1(a)に示す
ように、回転するガラス基板15の回転中心から最も近
い辺14の裏面の近い部分に洗浄液が衝突するようにか
つ垂直よりやや水平に所定の角度α1 に噴射口を傾け洗
浄液を噴射する洗浄ノズル2と、この洗浄ノズル2の洗
浄液の噴射と同時に乾燥ガスを噴射するとともに洗浄ノ
ズル2の噴射口の傾き角度α1 より水平に近い角度α2
でガス噴射口を向けかつ洗浄ノズル2より内側に配置さ
れているガス噴出ノズル3とを設けたことである。それ
以外は従来と同じである。
体化した配管構成体1は軸受部6にさし込みボルトで固
定されている。そして、回転軸11の周囲に等間隔に、
例えば、3本程度配置されている。また、ガラス基板1
5の大きさあるいは短辺と長辺の長さに応じて洗浄ノズ
ル2の傾斜角度およびガス噴射ノズル3の傾斜角度が変
えられた配管構成体1に交換することもできる。さら
に、ガラス基板15が回転し洗浄液が基板から外れない
ように、洗浄液ノズル2はガラス基板15の回転中心か
ら最も近い辺14すなわち長辺の裏側部分に洗浄ノズル
2の洗浄液が噴射されるようにしている。
ように純水などが望ましく、飛散してガラス基板に再付
着しても汚染による品質の欠陥を起さないようにする。
また、ガスは安価な乾燥窒素が望ましく、ガス噴出ノズ
ル3より出るガスの噴射角度α2 が洗浄ノズル2の角度
α1 よりさく設けてあるため、回転するガラス基板15
の裏面に噴射された洗浄液は、図1(b)に示すよう
に、現像液を薄めると同時にガラス基板15の外側に押
し流す作用をもたらし、さらに、噴射された洗浄液と同
時に噴射されるガス噴射ノズル3のガスは、洗浄液の噴
射圧力の方向と合成されガラス基板15の裏面に沿って
ミスト状の風になって流れ薄められた僅な現像液をガラ
ス基板15の外側に吹き飛ばす。
作を説明するためのタイミングチャートである。次に、
図1と図2を参照して、このフォトレジスト現像装置の
動作を説明する。まず、図1の回転チャックにガラス基
板15を載置し真空吸着で保持する。そして、図2のt
1 の時間内で、図1のアーム12に並べて配設された複
数の現像液ノズル13から現像液を滴下しながらカラス
基板15上を移動し、現像液をガラス基板15上に盛り
付けする。
すると同時にガラス基板15の上から図示していないと
ころの洗浄ノズルから洗浄水をガラス基板15に滴下し
回転遠心力を伴なって外側に現像液を流し出す。このと
き、ガス噴出ノズル3でガスをガラス基板15の裏面に
吹き付ける。このようにすれば、洗浄液に混入した現像
液がガラス基板15の裏面に廻り込むことを防止でき
る。
8との間をシャッタ7で閉じ、ブローノズル10から乾
燥窒素を噴射しガラス基板15の表面を乾燥する。次に
t4〜t6 時間内で、ガラス基板15の回転数を例えば
300RPMから1000RPM程度に上げ、洗浄ノズ
ル2から洗浄液をガス噴出ノズル3からガスを噴射し、
ガラス基板15の裏面を洗浄すると同時に乾燥させる。
なお、t4 〜t6 の間の適当な時間で洗浄ノズル2の洗
浄液の噴射を停止しても良い。
視図である。近年、液晶基板が大型化しガラス基板が益
々大きくなる。このように大型のガラス基板であると、
同じ回転チャックで真空圧力で吸着しても保持力が弱
く、ガラス基板の回転数を上げられない。そこで、回転
数を上げなくてもガラス基板の裏面を洗浄できるよう
に、図3に示すように、洗浄ノズル2とガス噴出ノズル
3とでなるノズル対の複数個が回転軸11を囲むように
円周上に配設されるリング状配管構成体5を前述の棒状
の配管構成体1の代りに設けたことである。
ガラス基板にも適用できるし、前述の棒状の配管構成体
では、複数本を必要するのに対し、このリング状配管構
成体は一つで済むことから、より安価となる利点があ
る。
板の下方に配置するとともに回転軸の外側にことによっ
て、ガラス基板の表面から裏面に廻り込む現像液を薄め
乾燥ガスとともにガラス基板外に吹き飛ばし、より短時
間に裏面に廻り込む現像液を除去し汚染による品質の欠
陥の発生を防止できるという効果がある。
化した配管構成体のみ設けるだけで済み設備コストを安
価にするという効果がある。さらに、配管構成体を多数
のノズル対をもつ一つのリング状にし、ノズル対の数に
応じてガラス基板の回転数を低くでき、保持力の弱い回
転チャックでも大きいガラス基板を搭載でき汎用性を高
めることもできる。
現像装置の断面図および洗浄液の流れとガスの流れの状
態を示す図である。
るためのタイミングチャートである。
る。
Claims (3)
- 【請求項1】 表面にフォトレジストが塗布されたガラ
ス基板を回転可能に保持する基板保持手段と、上記基板
保持手段を回転駆動する駆動手段と、前記ガラス基板保
持手段に保持されたガラス基板の該フォトレジスト面に
現像液を滴下するノズルとを備えるフォトレジスト現像
装置において、前記ガラス基板に前記現像液が滴下され
該現像液が盛られて潜像が現像された後に回転する該ガ
ラス基板の回転中心から最も近い辺の裏面の該辺に近い
部分に洗浄液が衝突するように噴出口を向けかつ垂直よ
りやや水平に傾けに所定の角度に傾け該洗浄液を噴射す
る洗浄ノズルと、この洗浄ノズルの該洗浄液の噴射と同
時に乾燥ガスを噴射するとともに前記洗浄ノズルの傾き
角度より水平に近い角度でガス噴射口を向けかつ前記洗
浄ノズルより内側に設けられているガス噴出ノズルを備
えることを特徴とするフォトレジスト現像装置。 - 【請求項2】 前記洗浄ノズルと前記ガス噴射ノズルを
一体化する棒状の配管構成体を備えることを特徴とする
請求項1記載のフォトレジスト現像装置。 - 【請求項3】 前記洗浄ノズルと前記ガス噴出ノズルと
でなるノズル対の複数個が円周上に配設されるリング状
の配管構成体を備えることを特徴とする請求項1記載の
フォトレジスト現像装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP32693096A JP2891951B2 (ja) | 1996-12-06 | 1996-12-06 | フォトレジスト現像装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP32693096A JP2891951B2 (ja) | 1996-12-06 | 1996-12-06 | フォトレジスト現像装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH10172880A true JPH10172880A (ja) | 1998-06-26 |
JP2891951B2 JP2891951B2 (ja) | 1999-05-17 |
Family
ID=18193360
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP32693096A Expired - Fee Related JP2891951B2 (ja) | 1996-12-06 | 1996-12-06 | フォトレジスト現像装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2891951B2 (ja) |
Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2002170805A (ja) * | 2000-11-30 | 2002-06-14 | Takata Corp | ウエハー洗浄装置 |
US7679086B2 (en) | 2006-02-20 | 2010-03-16 | Seiko Epson Corporation | Method for manufacturing electro-optic device |
KR101004433B1 (ko) | 2008-11-10 | 2010-12-28 | 세메스 주식회사 | 노즐 어셈블리 및 이를 구비한 기판 처리 장치 |
US8267103B2 (en) | 2006-06-12 | 2012-09-18 | Semes Co. Ltd | Method and apparatus for cleaning substrates |
CN105304522A (zh) * | 2014-07-29 | 2016-02-03 | 盛美半导体设备(上海)有限公司 | 硅片背面清洗装置 |
JP2021034731A (ja) * | 2019-08-20 | 2021-03-01 | セメス カンパニー,リミテッド | 基板処理装置及び基板処理方法 |
-
1996
- 1996-12-06 JP JP32693096A patent/JP2891951B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2002170805A (ja) * | 2000-11-30 | 2002-06-14 | Takata Corp | ウエハー洗浄装置 |
US7679086B2 (en) | 2006-02-20 | 2010-03-16 | Seiko Epson Corporation | Method for manufacturing electro-optic device |
US8267103B2 (en) | 2006-06-12 | 2012-09-18 | Semes Co. Ltd | Method and apparatus for cleaning substrates |
KR101004433B1 (ko) | 2008-11-10 | 2010-12-28 | 세메스 주식회사 | 노즐 어셈블리 및 이를 구비한 기판 처리 장치 |
CN105304522A (zh) * | 2014-07-29 | 2016-02-03 | 盛美半导体设备(上海)有限公司 | 硅片背面清洗装置 |
JP2021034731A (ja) * | 2019-08-20 | 2021-03-01 | セメス カンパニー,リミテッド | 基板処理装置及び基板処理方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2891951B2 (ja) | 1999-05-17 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
TWI391795B (zh) | 基板處理裝置及基板處理方法 | |
JPH0568092B2 (ja) | ||
JP5973901B2 (ja) | 基板液処理装置及び基板液処理方法 | |
US7926439B2 (en) | Substrate processing apparatus | |
JP2891951B2 (ja) | フォトレジスト現像装置 | |
JP3580664B2 (ja) | 現像装置および現像方法 | |
JP3425895B2 (ja) | 回転式基板乾燥装置および乾燥方法 | |
JP2908224B2 (ja) | 回転式塗布装置 | |
JP3452711B2 (ja) | 基板端縁処理装置 | |
JP2003045838A (ja) | 基板処理装置ならびに基板処理装置に備えられた回転板および周囲部材の洗浄方法 | |
JP2957383B2 (ja) | 回転式塗布装置 | |
JP3169666B2 (ja) | 現像装置及び現像方法 | |
JP2561371B2 (ja) | 回転式塗布装置 | |
JP3321658B2 (ja) | 液晶表示装置の製法 | |
JP2004022783A (ja) | 処理装置 | |
JP3451158B2 (ja) | 基板の回転式現像処理方法及び装置 | |
JPH1074686A (ja) | 薬液処理方法、および、装置 | |
JP4011040B2 (ja) | 現像装置および現像方法 | |
JP3380126B2 (ja) | 基板処理装置 | |
JP4837017B2 (ja) | 基板処理装置および基板処理方法 | |
JP3338544B2 (ja) | 乾燥方法及び乾燥装置 | |
JP2849539B2 (ja) | 回転式塗布装置 | |
JP3559157B2 (ja) | 基板処理装置 | |
JPH11244765A (ja) | 回転式塗布装置 | |
KR100641540B1 (ko) | 레지스트 코팅 장비 및 이를 세정하는 방법 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 19990126 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313113 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080226 Year of fee payment: 9 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090226 Year of fee payment: 10 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100226 Year of fee payment: 11 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100226 Year of fee payment: 11 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110226 Year of fee payment: 12 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120226 Year of fee payment: 13 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |