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JPH10172452A - Color cathode ray tube with shadow mask - Google Patents

Color cathode ray tube with shadow mask

Info

Publication number
JPH10172452A
JPH10172452A JP32867096A JP32867096A JPH10172452A JP H10172452 A JPH10172452 A JP H10172452A JP 32867096 A JP32867096 A JP 32867096A JP 32867096 A JP32867096 A JP 32867096A JP H10172452 A JPH10172452 A JP H10172452A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
shadow mask
electron beam
hole
beam passage
distance
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP32867096A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Yoichi Ito
洋一 伊藤
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Hitachi Ltd
Original Assignee
Hitachi Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Hitachi Ltd filed Critical Hitachi Ltd
Priority to JP32867096A priority Critical patent/JPH10172452A/en
Publication of JPH10172452A publication Critical patent/JPH10172452A/en
Pending legal-status Critical Current

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  • Electrodes For Cathode-Ray Tubes (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【課題】 シャドウマスク6の機械的強度を高めてハウ
リング等の発生を低減し、かつ、ピューリテイ裕度を高
めるようにしたシャドウマスクを備えるカラー陰極線管
を提供する。 【解決手段】 僅かに曲面形状に形成されたシャドウマ
スク有孔部6Aに多数の電子ビーム通過孔14を有する
シャドウマスク6における水平方向の各電子ビーム通過
孔14の形成位置を、シャドウマスク6の垂直方向中心
線からの距離の3次式及び5次式の合成式からなり、か
つ、3次式と5次式との合成比率を1対9乃至9対1の
範囲内になるようにした孔ピッチp1 、p2 、p3 、…
… …、p(n-1) 、pn 、p(n+1) 、… …によって
形成した。
(57) Abstract: Provided is a color cathode ray tube including a shadow mask in which the mechanical strength of a shadow mask 6 is increased to reduce the occurrence of howling and the like and the purity margin is increased. SOLUTION: The formation position of each electron beam passage hole 14 in the horizontal direction in a shadow mask 6 having a large number of electron beam passage holes 14 in a slightly curved shadow mask hole 6A is determined. It is composed of a cubic expression and a quintic expression of the distance from the vertical center line, and the composition ratio of the cubic expression and the quintic expression is set to be in a range of 1: 9 to 9: 1. Hole pitches p 1 , p 2 , p 3 , ...
.., P (n-1) , pn , p (n + 1) ,.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、シャドウマスクを
備えるカラー陰極線管に係わり、特に、シャドウマスク
の水平方向における各電子ビーム通過孔を、シャドウマ
スクの垂直方向中心線からの距離の3次式及び5次式の
合成式からなる孔ピッチになるように形成したシャドウ
マスクを備えるカラー陰極線管に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a color cathode ray tube provided with a shadow mask, and more particularly, to a cubic expression of a distance of each electron beam passage hole in the horizontal direction of the shadow mask from a vertical center line of the shadow mask. And a color cathode ray tube having a shadow mask formed so as to have a hole pitch represented by a quintic formula.

【0002】[0002]

【従来の技術】一般に、シャドウマスクを備えるカラー
陰極線管は、フェースプレート内面に螢光膜を形成した
パネル部と、3本の電子ビームを発生する電子銃を内装
したネック部と、パネル部とネック部を連結するファン
ネル部とからなっていいる。そして、パネル部内部には
螢光膜に対向して有孔部に多くの電子ビーム通過孔を有
するシャドウマスクが配置され、ファンネル部の外側に
は3本の電子ビームを偏向する偏向ヨークが装着されて
いる。
2. Description of the Related Art In general, a color cathode ray tube having a shadow mask has a panel portion having a fluorescent film formed on an inner surface of a face plate, a neck portion having an electron gun for generating three electron beams, and a panel portion. It consists of a funnel connecting the neck. A shadow mask having a large number of electron beam passage holes in a perforated portion is arranged inside the panel portion facing the fluorescent film, and a deflection yoke for deflecting three electron beams is mounted outside the funnel portion. Have been.

【0003】前記構成によるカラー陰極線管は、動作時
に、電子銃から放射された3本の電子ビームが、偏向ヨ
ークで適宜の方向に偏向された後、シャドウマスクにお
ける対応する電子ビーム通過孔を通して、同じく対応す
る色の螢光膜上の螢光体層に射突し、それによって螢光
膜に所要のカラー画像を表示させる。
In the color cathode ray tube having the above-mentioned structure, in operation, three electron beams emitted from an electron gun are deflected in an appropriate direction by a deflection yoke and then passed through corresponding electron beam passage holes in a shadow mask. It also strikes the phosphor layer on the phosphor film of the corresponding color, thereby causing the phosphor film to display the required color image.

【0004】ところで、シャドウマスクは、螢光膜を形
成したフェースプレートの僅かな曲面形状に対応して、
多くの電子ビーム通過孔を有する有孔部も僅かな曲面形
状になるように形成され、シャドウマスクの水平方向に
おける各電子ビーム通過孔の形成位置は、この僅かな曲
面形状に対応した孔ピッチになるように選択されてい
る。
By the way, the shadow mask corresponds to the slightly curved shape of the face plate on which the fluorescent film is formed,
The perforated portion having many electron beam passage holes is also formed so as to have a slightly curved surface shape, and the formation position of each electron beam passage hole in the horizontal direction of the shadow mask is at a hole pitch corresponding to the slight curved surface shape. Have been selected to be.

【0005】図5は、シャドウマスクの水平方向におけ
る各電子ビーム通過孔の配置位置を設定する際の状態を
示す説明図であり、図6は、図5に図示された手法によ
って形成した既知のシャドウマスクにおけるシャドウマ
スク有孔部の一部の構成を示す平面図である。
FIG. 5 is an explanatory view showing a state in which the arrangement position of each electron beam passage hole in the horizontal direction of the shadow mask is set. FIG. 6 is a view showing a known state formed by the method shown in FIG. It is a top view which shows the structure of some shadow mask aperture parts in a shadow mask.

【0006】図5において、51はパネル部フェースプ
レート、52はシャドウマスク有孔部、53はカラー陰
極線管の管軸、54は電子ビームの偏向中心、55は電
子ビーム、dは電子ビームの偏向中心54とパネル部フ
ェースプレート51との長さである。
In FIG. 5, reference numeral 51 denotes a panel face plate; 52, a hole having a shadow mask; 53, a tube axis of a color cathode ray tube; 54, a deflection center of an electron beam; 55, an electron beam; This is the length between the center 54 and the panel face plate 51.

【0007】図6において、56はスリット状の電子ビ
ーム通過孔、a1 、a2 、a3 、a4 、… … …、a
(n-1) 、an 、a(n+1) 、a(n+2) 、… …はシャドウ
マスクの垂直方向に配列された各電子ビーム通過孔56
の中心を通る軸線、p1 、p2 、p3 、… … …、p
(n-1) 、pn 、p(n+1) 、… …は隣接する軸線a1
2 、a3 、a4 、… … …、a(n-1) 、an 、a
(n+1) 、a(n+2) 、……間の間隔、即ち、電子ビーム通
過孔56の孔ピッチである。
In FIG. 6, reference numeral 56 denotes a slit-shaped electron beam passage hole, a 1 , a 2 , a 3 , a 4 ,..., A
(n-1) , a n , a (n + 1) , a (n + 2) ,... are the electron beam passage holes 56 arranged in the vertical direction of the shadow mask.
, P 1 , p 2 , p 3 ,………, p
(n-1) , p n , p (n + 1) ,... are adjacent axes a 1 ,
a 2 , a 3 , a 4 , ..., a (n-1) , a n , a
The distance between (n + 1) , a (n + 2) ,..., that is, the hole pitch of the electron beam passage holes 56.

【0008】図5に示されるように、パネル部フェース
プレート51は、通常、僅かに曲面形状になるように形
成され、それに合わせて、シャドウマスク有孔部52
も、パネル部フェースプレート51に対して略平行状態
になるように、僅かに曲面形状になるように形成され
る。そして、電子銃(図示なし)から放射された電子ビ
ーム55が、管軸53に沿って進み、電子ビームの偏向
中心54に達したとき、偏向ヨーク(図示なし)が発生
する磁界によって偏向を受け、その進路方向が若干曲げ
られ、シャドウマスク有孔部52の対応する電子ビーム
通過孔56を通った後、パネル部フェースプレート51
に形成した螢光膜(図示なし)上の対応する螢光体層
(同じく図示なし)に射突する。
As shown in FIG. 5, the panel face plate 51 is usually formed so as to have a slightly curved surface shape.
Also, it is formed to have a slightly curved shape so as to be substantially parallel to the panel portion face plate 51. When the electron beam 55 emitted from the electron gun (not shown) advances along the tube axis 53 and reaches the deflection center 54 of the electron beam, the electron beam 55 is deflected by a magnetic field generated by a deflection yoke (not shown). After its path direction is slightly bent and passes through the corresponding electron beam passage hole 56 of the shadow mask perforated portion 52, the panel face plate 51
Then, it collides with a corresponding phosphor layer (also not shown) on the phosphor film (not shown) formed in the above.

【0009】また、図6に示されるように、既知のシャ
ドウマスクにおける多数の電子ビーム通過孔56の形成
配置状態は、シャドウマスクの中央部分において比較的
小さい孔ピッチp1 、p2 、p3 をもって形成されてい
るが、シャドウマスクの周辺部分において比較的大きな
孔ピッチp(n-1) 、pn 、p(n+1) をもって形成されて
いる。
Further, as shown in FIG. 6, the state of formation and arrangement of a large number of electron beam passing holes 56 in a known shadow mask is such that a relatively small hole pitch p 1 , p 2 , p 3 in the central portion of the shadow mask. Are formed with relatively large hole pitches p (n-1) , pn , and p (n + 1) in the peripheral portion of the shadow mask.

【0010】一般に、電子ビームの偏向中心54で偏向
された電子ビーム55が、電子ビーム走査の一過程にお
いて、シャドウマスク有孔部52の多数の電子ビーム通
過孔56の中の1つの電子ビーム通過孔(この電子ビー
ム通過孔を56k とする)を通過するように偏向を受け
たとすると、ビーム通過孔56k の配置部分におけるパ
ネル部フェースプレート51とシャドウマスク有孔部5
2との間隔をb 、電子ビームの偏向中心54とパネル
部フェースプレート51との間隔をdk 、ビーム通過孔
56k の中心を通る軸線ak とそれに隣接する軸線a
(k+1) との間の孔ピッチをpk とし、Ak を偏向ヨーク
によって定められた定数とすれば、間隔bk は、次式
(1)によって表わされる。
Generally, an electron beam 55 deflected at the center of deflection of the electron beam passes through one of the electron beam passage holes 56 of the hole portion 52 of the shadow mask in a process of scanning the electron beam. If it is deflected so as to pass through the hole (this electron beam passage hole is assumed to be 56 k ), the panel face plate 51 and the shadow mask perforated portion 5 in the portion where the beam passage hole 56 k is arranged.
The distance from 2 to b , The distance between the deflection center 54 and the panel portion face plate 51 of the electron beam d k, the axis passing through the center of the beam passage hole 56 k a k and axis a adjacent thereto
Assuming that the hole pitch between (k + 1) and pk is pk and A k is a constant determined by the deflection yoke, the interval b k is represented by the following equation (1).

【0011】bk =Ak ・pk ・dk … … …(1) そして、シャドウマスク有孔部52を形成する場合は、
式(1)を用いてシャドウマスク有孔部52の全面にわ
たり、パネル部フェースプレート51との間隔bk (た
だし、k=1、2、3、… … …、n−1、n、n+
1、… …)をそれぞれ求め、求めた間隔bk が滑らか
な状態でつながるようにして僅かな曲面形状をなすシャ
ドウマスク有孔部52を形成し、形成した曲面形状のシ
ャドウマスク有孔部52に、孔ピッチpk (ただし、k
=1、2、3、… … …、n−1、n、n+1、…
…)に従って各電子ビーム通過孔56を形成するように
している。
B k = A k · p k · d k (1) Then, when forming the perforated portion 52 of the shadow mask,
Using the formula (1), the distance b k (where k = 1, 2, 3,..., N−1, n, n +) between the entire surface of the shadow mask perforated portion 52 and the panel portion face plate 51 is used.
1,...) Are obtained, the shadow mask holes 52 having a slight curved surface shape are formed so that the obtained intervals b k are connected in a smooth state, and the formed shadow mask holes 52 having a curved surface shape are formed. In addition, the hole pitch pk (where k
= 1, 2, 3,..., N−1, n, n + 1,.
..), The respective electron beam passage holes 56 are formed.

【0012】この他に、シャドウマスク有孔部52の曲
面形状は、シャドウマスク有孔部52の中央部分の曲率
半径(R1 )に比べて、周辺部分の曲率半径(R2 )が
やや小さくなるように、即ち、R1 >R2 になるように
形成している。このため、シャドウマスク有孔部52
は、中央部分から周辺部分に行くに従ってそれぞれの孔
ピッチak が順次増大するように、多数の電子ビーム通
過孔56が形成される。
In addition, the radius of curvature (R 2 ) of the peripheral portion of the shadow mask perforated portion 52 is slightly smaller than the radius of curvature (R 1 ) of the central portion of the perforated portion 52 of the shadow mask. That is, it is formed so that R 1 > R 2 . For this reason, the shadow mask perforated portion 52
A large number of electron beam passage holes 56 are formed such that the respective hole pitches a k gradually increase from the central portion to the peripheral portion.

【0013】このような多数の電子ビーム通過孔形成手
段に基づいて、シャドウマスク有孔部52に多数の電子
ビーム通過孔56を形成してなる既知のシャドウマスク
としては、シャドウマスクの水平方向における各電子ビ
ーム通過孔の形成位置が、シャドウマスクの垂直方向中
心線からの距離の3次式に従った孔ピッチpk になるよ
うに形成されているもの(以下、これを既知の第1例の
ものという)、シャドウマスクの垂直方向中心線からの
距離の5次式に従った孔ピッチpk になるように形成さ
れているもの(以下、これを既知の第2例のものとい
う)等がある。
As a known shadow mask formed by forming a large number of electron beam passage holes 56 in the shadow mask perforated portion 52 based on such a large number of electron beam passage hole forming means, a horizontal direction of the shadow mask can be used. formation position of each electron beam passage holes, which are formed so as to hole pitch p k according to cubic equation of the distance from the vertical center line of the shadow mask (hereinafter, the first example of this known ) of those, which are formed so as to hole pitch p k according to the fifth-order equation of the distance from the vertical center line of the shadow mask (hereinafter, this is called as the second example of the known) such There is.

【0014】図7は、既知の第1例のもの及び既知の第
2例のもののシャドウマスクの垂直方向中心線からの距
離と孔ピッチとの関係を示す特性図である。
FIG. 7 is a characteristic diagram showing the relationship between the distance from the vertical center line of the shadow mask and the hole pitch of the first known example and the second known example.

【0015】図7において、横軸が中心線からの距離で
あり、縦軸が孔ピッチであって、曲線は既知の第1例
のものの特性、曲線は既知の第2例のものの特性であ
る。
In FIG. 7, the horizontal axis is the distance from the center line, the vertical axis is the hole pitch, the curve is the characteristic of the first known example, and the curve is the characteristic of the second known example. .

【0016】図7に示されるように、曲線は、距離が
大きくなるに従って、孔ピッチも順次増大するものであ
り、曲線は、距離が大きくなっても、ある距離までは
孔ピッチpの増大の程度が小さいが、距離がある距離を
超えると、孔ピッチが急激に増大するものである。
As shown in FIG. 7, the curve shows that the hole pitch gradually increases as the distance increases. The curve shows that even when the distance increases, the hole pitch p increases up to a certain distance. To a lesser extent, when the distance exceeds a certain distance, the hole pitch sharply increases.

【0017】[0017]

【発明が解決しようとする課題】図7に図示された曲線
から明らかなように、シャドウマスク有孔部52に多
くの電子ビーム通過孔56を形成する場合の既知の第1
例のものは、距離が大きくなっても孔ピッチの増大の程
度があまり大きくないので、シャドウマスク有孔部52
の曲率半径をその周辺部分で小さくすることができず、
このため、シャドウマスクの機械的強度を高めることが
難しくなって、シャドウマスクに加わる振動でドーミン
グやハウリングが生じたりする等の問題がある。
As is apparent from the curve shown in FIG. 7, a known first method for forming a large number of electron beam passage holes 56 in the shadow mask perforated portion 52 is shown.
In the example, even if the distance increases, the degree of increase in the hole pitch is not so large.
Radius of curvature cannot be reduced around it,
For this reason, it is difficult to increase the mechanical strength of the shadow mask, and there is a problem in that vibration applied to the shadow mask causes doming or howling.

【0018】一方、図7の図示された曲線から明らか
なように、シャドウマスク有孔部52に多くの電子ビー
ム通過孔56を形成する場合の第2例のものは、距離が
大きくなったときに、孔ピッチの増大の程度が大きくな
ることから、シャドウマスク有孔部52の曲率半径をそ
の周辺部分でかなり小さくすることができ、シャドウマ
スクの機械的強度を高めることができるものの、中央部
分と周辺部分との中間部分の孔ピッチがあまり大きくな
らないことから、中間部分のピューリテイ裕度を高める
ことができず、表示画像に色ずれが生じたりする等の問
題がある。
On the other hand, as is apparent from the curves shown in FIG. 7, the second example in which a large number of electron beam passage holes 56 are formed in the perforated portion 52 of the shadow mask has a large distance. In addition, since the degree of the increase in the hole pitch becomes large, the radius of curvature of the shadow mask perforated portion 52 can be considerably reduced in the peripheral portion thereof, and the mechanical strength of the shadow mask can be increased. Since the hole pitch in the intermediate portion between the intermediate portion and the peripheral portion is not so large, there is a problem that the purity of the intermediate portion cannot be increased, and a color shift occurs in a displayed image.

【0019】本発明は、これらの問題点を解決するもの
で、その目的は、シャドウマスクの機械的強度を高めて
ハウリング等の発生を低減し、かつ、ピューリテイ裕度
を高めるようにしたシャドウマスクを備えるカラー陰極
線管を提供することにある。
The present invention solves these problems, and an object of the present invention is to increase the mechanical strength of the shadow mask to reduce the occurrence of howling and the like, and to increase the purity margin. A color cathode ray tube provided with:

【0020】[0020]

【課題を解決するための手段】前記目的を達成するため
に、本発明のシャドウマスクを備えるカラー陰極線管
は、シャドウマスクの水平方向における各電子ビーム通
過孔の形成位置を、シャドウマスクの垂直方向中心線か
らの距離の3次式及び5次式の合成式によって決まるよ
うな孔ピッチで形成した手段を具備する。
In order to achieve the above object, a color cathode ray tube having a shadow mask according to the present invention is arranged such that the position of each electron beam passage hole in the horizontal direction of the shadow mask is adjusted in the vertical direction of the shadow mask. Means are provided with a hole pitch determined by a cubic formula and a quintic formula of the distance from the center line.

【0021】前記手段によれば、多数の電子ビーム通過
孔がシャドウマスクの垂直方向中心線からの距離の3次
式によって決まる孔ピッチで形成されているもの(既知
の第1例のもの)の問題点の解決を図っている、即ち、
シャドウマスク有孔部の曲率半径をその周辺部分で比較
的小さくすることにより、シャドウマスク機械的強度を
増大させ、合わせて、多数の電子ビーム通過孔がシャド
ウマスクの垂直方向中心線からの距離の5次式によって
決まる孔ピッチで形成されているもの(既知の第2例の
もの)の問題点の解決を図っている、即ち、シャドウマ
スクの中央部分と周辺部分との中間部分の孔ピッチを比
較的大きくし、中間領域のピューリテイ裕度を高め、表
示画像の色ずれの発生を抑えている。
According to the above means, a large number of electron beam passing holes are formed at a hole pitch determined by a cubic expression of a distance from the vertical center line of the shadow mask (the first known example). We are trying to solve the problem, that is,
By making the radius of curvature of the perforated portion of the shadow mask relatively small at the periphery thereof, the mechanical strength of the shadow mask is increased, and at the same time, a large number of electron beam passage holes are located at a distance from the vertical center line of the shadow mask. The problem of the one formed with the hole pitch determined by the fifth-order equation (the second known example) is solved. That is, the hole pitch of the middle part between the central part and the peripheral part of the shadow mask is reduced. It is made relatively large to increase the degree of purity in the middle area and suppress the occurrence of color shift in the displayed image.

【0022】[0022]

【発明の実施の形態】本発明の実施の形態において、シ
ャドウマスクを備えるカラー陰極線管は、僅かに曲面形
状に形成された有孔部に多数の電子ビーム通過孔を有す
るシャドウマスクにおける水平方向の各電子ビーム通過
孔の形成位置を、前記シャドウマスクの垂直方向中心線
からの距離の3次式及び5次式の合成式からなり、か
つ、前記3次式と5次式との合成比率を1対9乃至9対
1の範囲内になるようにした孔ピッチで形成したもので
ある。
DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS In a preferred embodiment of the present invention, a color cathode-ray tube having a shadow mask is provided in a horizontal direction in a shadow mask having a large number of electron beam passage holes in a slightly curved hole. The formation position of each electron beam passage hole is defined by a cubic formula and a quintic formula of the distance from the vertical center line of the shadow mask, and the composition ratio of the cubic formula and the quintic formula is determined by: The holes are formed at a pitch between 1: 1 and 9: 1.

【0023】本発明の実施の形態によれば、シャドウマ
スクにおける水平方向の各電子ビーム通過孔の形成位置
を、シャドウマスクの垂直方向中心線からの距離の3次
式及び5次式の合成式であって、その合成比率を1対9
乃至9対1の範囲内になるような孔ピッチにしているの
で、多数の電子ビーム通過孔がシャドウマスクの垂直方
向中心線からの距離の3次式によって決まる孔ピッチで
形成されているもの(既知の第1例のもの)が有する問
題点の解決を図る、即ち、シャドウマスク有孔部の曲率
半径をその周辺領域で比較的小さくし、シャドウマスク
の機械的強度を増大させ、振動の印加に伴うハウリング
等の発生を抑え、同時に、多数の電子ビーム通過孔がシ
ャドウマスクの垂直方向中心線からの距離の5次式によ
って決まる孔ピッチで形成されているもの(既知の第2
例のもの)が有する問題点の解決を図る、即ち、中央領
域と周辺領域との中間領域の孔ピッチを比較的大きく
し、中間領域におけるピューリテイ裕度を高め、表示画
像の色ずれの発生を抑えている。
According to the embodiment of the present invention, the formation position of each electron beam passage hole in the horizontal direction in the shadow mask is determined by the cubic expression and the quintic expression of the distance from the vertical center line of the shadow mask. And the synthesis ratio is 1 to 9
Since the hole pitch is set so as to fall within the range of 9: 1, a large number of electron beam passing holes are formed at a hole pitch determined by a cubic expression of a distance from the vertical center line of the shadow mask ( To solve the problem of the known first example), that is, to make the radius of curvature of the perforated portion of the shadow mask relatively small in the peripheral region, increase the mechanical strength of the shadow mask, and apply vibration. And a plurality of electron beam passage holes are formed at a hole pitch determined by a fifth-order formula of a distance from a vertical center line of the shadow mask (known second pitch).
In other words, the problem of the example is solved, that is, the hole pitch in the intermediate region between the central region and the peripheral region is made relatively large, the purity margin in the intermediate region is increased, and the occurrence of color misregistration in the displayed image is reduced. I am holding it down.

【0024】そして、本発明の実施の形態によれば、カ
ラー陰極線管の種類や用途、有効面の対角寸法等に応じ
て、3次式及び5次式の合成比率を変えることにより、
シャドウマスクの機械的強度を高めたり、ピューリテイ
裕度を高めたりすることが可能になる。
According to the embodiment of the present invention, by changing the combination ratio of the cubic expression and the quintic expression according to the type and use of the color cathode ray tube, the diagonal dimension of the effective surface, and the like,
It is possible to increase the mechanical strength of the shadow mask and increase the purity margin.

【0025】[0025]

【実施例】以下、本発明の実施例を図面を参照して説明
する。
Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings.

【0026】図1は、本発明によるシャドウマスクを備
えたカラー陰極線管の一実施例の概略構成を示す断面図
である。
FIG. 1 is a sectional view showing a schematic configuration of an embodiment of a color cathode ray tube having a shadow mask according to the present invention.

【0027】図1において、1はパネル部、2はネック
部、3はファンネル部、4はフェースプレート、5は螢
光膜、6はシャドウマスク、6Aはシャドウマスク有孔
部、7はサポートフレーム、8は偏向ヨーク、9は電子
銃、10はピュリテイ調整マグネット、11はセンター
ビームスタティックコンバーゼンス調整用マグネット、
12はサイドビームスタティックコンバーゼンス調整用
マグネット、13は電子ビームである。
In FIG. 1, 1 is a panel portion, 2 is a neck portion, 3 is a funnel portion, 4 is a face plate, 5 is a fluorescent film, 6 is a shadow mask, 6A is a perforated portion of a shadow mask, and 7 is a support frame. , 8 is a deflection yoke, 9 is an electron gun, 10 is a purity adjustment magnet, 11 is a center beam static convergence adjustment magnet,
Reference numeral 12 denotes a side beam static convergence adjusting magnet, and reference numeral 13 denotes an electron beam.

【0028】カラー陰極線管を構成する真空外囲器(バ
ルブ)は、前側に配置されたパネル部1と、内部に電子
銃9を収納している細長い円筒状のネック部2と、パネ
ル部1及びネック部2を連接する略漏斗状のファンネル
部3とからなっている。パネル部1は、前面にフェース
プレート4を備え、フェースプレート4内面に螢光膜5
が被着形成される。シャドウマスク6は、多くの電子ビ
ーム通過孔(図示なし)を備える有孔部6Aを有してい
る。パネル部1の内側周縁部にはサポートフレーム7が
固定配置され、シャドウマスク6の有孔部6Aが螢光膜
5に対向配置するように、シャドウマスク6がサポート
フレーム7に取着される。ファンネル部3とネック部2
との結合部分の外側には偏向ヨーク8が配置される。電
子銃9から投射された3本の電子ビーム13(図1には
1本だけが図示されている)は、偏向ヨーク8で所定方
向に偏向された後、シャドウマスク6の電子ビーム通過
孔を通して螢光膜5に投射されるように、ネック部2の
外側に、ピュリテイ調整マグネット10、センタービー
ムスタティックコンバーゼンス調整用マグネット11、
サイドビームスタティックコンバーゼンス調整用マグネ
ット12が並設配置されている。
The vacuum envelope (bulb) constituting the color cathode ray tube has a panel section 1 disposed on the front side, an elongated cylindrical neck section 2 containing an electron gun 9 therein, and a panel section 1. And a funnel part 3 having a substantially funnel shape connecting the neck part 2. The panel unit 1 has a face plate 4 on the front surface, and a fluorescent film 5 on the inner surface of the face plate 4.
Is formed. The shadow mask 6 has a perforated portion 6A having many electron beam passage holes (not shown). A support frame 7 is fixedly arranged on the inner peripheral portion of the panel portion 1, and the shadow mask 6 is attached to the support frame 7 such that the perforated portion 6 </ b> A of the shadow mask 6 is opposed to the fluorescent film 5. Funnel 3 and neck 2
The deflection yoke 8 is disposed outside the portion where the deflection yoke is connected. The three electron beams 13 (only one is shown in FIG. 1) projected from the electron gun 9 are deflected in a predetermined direction by the deflection yoke 8 and then pass through the electron beam passage holes of the shadow mask 6. To be projected on the fluorescent film 5, a purity adjusting magnet 10, a center beam static convergence adjusting magnet 11,
Side beam static convergence adjusting magnets 12 are arranged side by side.

【0029】この場合、本実施例のカラー陰極線管の動
作、即ち、画像表示動作は、既知のこの種のカラー陰極
線管における画像表示動作と殆んど同じであって、かか
る動作は当該技術分野においてはよく知られていること
であるので、本実施例のカラー陰極線管における画像表
示動作の説明は、省略する。
In this case, the operation of the color cathode ray tube of the present embodiment, that is, the image display operation is almost the same as the image display operation of the known color cathode ray tube of this kind, and the operation is the same as in the related art. Is well known, and the description of the image display operation in the color cathode ray tube of the present embodiment will be omitted.

【0030】次に、図2は、図1に図示されたカラー陰
極線管に使用されるシャドウマスク有孔部6Aの一例の
一部の構成を示す平面図であって、スロット状の電子ビ
ーム通過孔を設けている例を示すものである。
Next, FIG. 2 is a plan view showing a partial structure of an example of the shadow mask aperture 6A used in the color cathode ray tube shown in FIG. It is an example in which holes are provided.

【0031】図2において、14はスリット状の電子ビ
ーム通過孔、a1 、a2 、a3 、a4 、… … …、a
(n-1) 、an 、a(n+1) 、a(n+2) 、… …はシャドウ
マスクの垂直方向に配列された各電子ビーム通過孔14
の中心を通る軸線、p1 、p2 、p3 、… … …、p
(n-1) 、pn 、p(n+1) 、… …は隣接する軸線a1
2 、a3 、a4 、… … …、a(n-1) 、an 、a
(n+1) 、a(n+2) 、……間の間隔、即ち、電子ビーム通
過孔14の孔ピッチである。
In FIG. 2, reference numeral 14 denotes a slit-shaped electron beam passage hole, a 1 , a 2 , a 3 , a 4 ,..., A
(n-1) , a n , a (n + 1) , a (n + 2) ,... are the electron beam passage holes 14 arranged in the vertical direction of the shadow mask.
, P 1 , p 2 , p 3 ,………, p
(n-1) , p n , p (n + 1) ,... are adjacent axes a 1 ,
a 2 , a 3 , a 4 , ..., a (n-1) , a n , a
The distance between (n + 1) , a (n + 2) ,..., that is, the hole pitch of the electron beam passage holes 14.

【0032】図2に示されるように、シャドウマスク有
孔部6Aにおける本例の多数の電子ビーム通過孔14の
配置状態は、シャドウマスク6の中央部分においては比
較的小さい孔ピッチp1 、p2 、p3 になるように配置
されており、一方、シャドウマスクの周辺部分において
は比較的大きな孔ピッチp(n-1) 、pn 、p(n+1) にな
るように配置されている。そして、これらの孔ピッチp
1 、p2 、p3 、…… …、p(n-1) 、pn
(n+1) 、… …は、シャドウマスク6の垂直方向中心
線(図2に図示なし)からの距離の3次式及び5次式の
合成式であって、3次式と5次式との合成比率が、例え
ば1対1になるような合成式に従うように、多数の電子
ビーム通過孔14を形成配置している。
As shown in FIG. 2, the arrangement of the large number of electron beam passage holes 14 in the present embodiment in the hole portion 6A of the shadow mask is such that the hole pitches p 1 and p are relatively small in the central portion of the shadow mask 6. 2 and p 3 , while on the periphery of the shadow mask they are arranged so as to have relatively large hole pitches p (n-1) , pn , and p (n + 1). I have. And these hole pitch p
1, p 2, p 3, ...... ..., p (n-1), p n,
p (n + 1) ,... are a combination of a cubic expression and a quintic expression of the distance from the vertical center line (not shown in FIG. 2 ) of the shadow mask 6, and A large number of electron beam passage holes 14 are formed and arranged so that the composition ratio with the equation is, for example, one to one.

【0033】さらに、図3は、図1に図示されたカラー
陰極線管に使用されるシャドウマスク有孔部6Aの他の
例の一部の構成を示す平面図であって、ドット状の電子
ビーム通過孔を設けている例を示すものである。
FIG. 3 is a plan view showing a partial configuration of another example of the perforated portion 6A of the shadow mask used in the color cathode ray tube shown in FIG. It is an example in which a passage hole is provided.

【0034】図2において、15はドット状の電子ビー
ム通過孔、a1 、a2 、a3 、a4、a5 、… …
…、a(n-1) 、an 、a(n+1) 、a(n+2) 、a(n+3)
… …はシャドウマスクの垂直方向に配列された各電子
ビーム通過孔15の中心を通る軸線、p1 、p2
3 、p4 、… … …、p(n-1) 、pn 、p(n+1)
(n+2) 、… …は隣接する軸線a1 、a2 、a3 、a
4 、a5 、… … …、a(n-1) 、an 、a(n+1) 、a
(n+2) 、a(n+3) 、… …間の間隔、即ち、電子ビーム
通過孔15の孔ピッチである。
In FIG. 2, reference numeral 15 denotes a dot-shaped electron beam passage hole, a 1 , a 2 , a 3 , a 4 , a 5 ,...
..., a (n-1) , a n, a (n + 1), a (n + 2), a (n + 3),
... Are axes passing through the center of each electron beam passage hole 15 arranged in the vertical direction of the shadow mask, p 1 , p 2 ,.
p 3 , p 4 ,..., p (n-1) , pn , p (n + 1) ,
p (n + 2) ,... Represent adjacent axes a 1 , a 2 , a 3 , a
4 , a 5 ,……, a (n-1) , A n , a (n + 1) , a
The distance between (n + 2) , a (n + 3) ,..., that is, the hole pitch of the electron beam passage holes 15.

【0035】図3に示されるように、シャドウマスク有
孔部6Aにおける本例の多数の電子ビーム通過孔15の
配置状態は、図2に図示された多数のスロット状の電子
ビーム通過孔14の配置状態とほぼ同じであって、シャ
ドウマスク6の中央部分においては比較的小さい孔ピッ
チp1 、p2 、p3 、p4 になるように配置されてお
り、一方、シャドウマスクの周辺部分においては比較的
大きな孔ピッチp(n-1)、pn 、p(n+1) 、p(n+2)
なるように配置されている。そして、これらの孔ピッチ
1 、p2 、p3 、p4 、… … …、p(n-1)
n 、p(n+1) 、、p(n +2) … …は、シャドウマスク
6の垂直方向中心線(図3に図示なし)からの距離の3
次式及び5次式の合成式であって、3次式と5次式との
合成比率が、例えば1対1になるような合成式に従うよ
うに、多数の電子ビーム通過孔15を形成配置してい
る。
As shown in FIG. 3, the arrangement of the large number of electron beam passage holes 15 in the present embodiment in the hole portion 6A of the shadow mask corresponds to the arrangement of the large number of slot-like electron beam passage holes 14 shown in FIG. It is almost the same as the arrangement state, and is arranged so that the hole pitches p 1 , p 2 , p 3 , and p 4 are relatively small in the central portion of the shadow mask 6, while in the peripheral portion of the shadow mask. Are arranged to have relatively large hole pitches p (n-1) , pn , p (n + 1) , p (n + 2) . The hole pitches p 1 , p 2 , p 3 , p 4 ,..., P (n-1) ,
pn , p (n + 1) , p (n + 2) are the distances 3 from the vertical center line of the shadow mask 6 (not shown in FIG. 3).
A large number of electron beam passage holes 15 are formed and arranged so as to conform to a combination formula of the following expression and a quintic expression, wherein the combination ratio of the cubic expression and the quintic expression is, for example, 1: 1. doing.

【0036】なお、図2及び図3に図示されたシャドウ
マスク有孔部6Aにおいては、3次式と5次式との合成
比率を1対1にした例を挙げて説明したが、本発明によ
る3次式と5次式との合成比率は1対1のものに限られ
ず、1対9乃至9対1の範囲内にあれば、以下に述べる
ような効果を達成することができるものである。そし
て、3次式と5次式との合成比率の選択は、カラー陰極
線管の種類や用途、有効面の対角寸法等に応じて、前記
範囲内で適宜行えばよい。
In the shadow mask aperture 6A shown in FIGS. 2 and 3, an example has been described in which the synthesis ratio of the cubic expression and the quintic expression is 1: 1. Is not limited to the one-to-one ratio, and the following effects can be achieved if the ratio is in the range of 1: 9 to 9: 1. is there. The combination ratio of the cubic expression and the quintic expression may be appropriately selected within the above range according to the type and use of the color cathode ray tube, the diagonal dimension of the effective surface, and the like.

【0037】ここで、図4は、図2及び図3に図示され
たシャドウマスク有孔部6Aにおけるシャドウマスクの
垂直方向中心線からの距離と孔ピッチとの関係を示す特
性図であって、横軸は中心線からの距離であり、縦軸は
孔ピッチである。
FIG. 4 is a characteristic diagram showing the relationship between the distance from the vertical center line of the shadow mask and the hole pitch in the shadow mask perforated portion 6A shown in FIGS. 2 and 3. The horizontal axis is the distance from the center line, and the vertical axis is the hole pitch.

【0038】図4において、ハッチング部分16は多数
の電子ビーム通過孔14、15が本発明による孔ピッチ
で形成されたものの特性であって、ハッチング部分16
の上限曲線16U は3次式と5次式との合成比率を9対
1に選んだ場合、ハッチング部分16の下限曲線16D
は3次式と5次式との合成比率を1対9に選んだ場合の
各特性である。また、本発明による孔ピッチで形成され
たものとの比較のために、点線曲線17は既知の第1例
のものの特性、点線曲線18は既知の第2例のものの特
性を合わせて挙げてある。
In FIG. 4, a hatched portion 16 is a characteristic of a large number of electron beam passage holes 14 and 15 formed with a hole pitch according to the present invention.
If the upper curve 16 U chose the mixing ratio of the cubic equation and the fifth-order equation to 9: 1, lower curve 16 D hatched portion 16
Are the respective characteristics when the synthesis ratio of the cubic expression and the quintic expression is selected to be 1: 9. Further, for comparison with those formed with the hole pitch according to the present invention, the dotted line curve 17 shows the characteristics of the known first example, and the dotted line curve 18 shows the characteristics of the known second example. .

【0039】図4に示されるように、ハッチング部分1
6は、シャドウマスク6の垂直方向中心線からの距離が
大きくなったとき、孔ピッチの増大の程度は点線曲線1
7と点線曲線18との中間の状態になっている。
As shown in FIG. 4, the hatched portion 1
6 shows that when the distance from the vertical center line of the shadow mask 6 increases, the degree of increase in the hole pitch is indicated by a dotted curve 1.
7 and a dotted line curve 18.

【0040】このように、シャドウマスク有孔部6Aに
おける多数の電子ビーム通過孔14、15の配置状態を
前述のように選択すれば、多数の電子ビーム通過孔1
4、15がシャドウマスク6の垂直方向中心線からの距
離の3次式によって決まる孔ピッチで形成されているも
の(既知の第1例のもの)の問題点の解決を図れる、即
ち、シャドウマスク有孔部6Aの曲率半径をその周辺領
域で比較的小さくし、シャドウマスクの機械的強度を増
大させ、振動の印加に伴うハウリング等の発生を抑える
ことができると同時に、多数の電子ビーム通過孔14、
15がシャドウマスク6の垂直方向中心線からの距離の
5次式によって決まる孔ピッチで形成されているもの
(既知の第2例のもの)の問題点の解決を図れる、即
ち、シャドウマスク6の中央領域と周辺領域との中間領
域の孔ピッチを比較的大きくし、中間領域におけるピュ
ーリテイ裕度を高め、表示画像の色ずれの発生を抑える
ことができるようになる。
As described above, if the arrangement state of the large number of electron beam passage holes 14 and 15 in the shadow mask aperture 6A is selected as described above, the large number of electron beam passage holes 1 and 15 can be obtained.
4 and 15 are formed with a hole pitch determined by a cubic expression of the distance from the vertical center line of the shadow mask 6 (the first known example), that is, the shadow mask 6 can be solved. The radius of curvature of the perforated portion 6A can be made relatively small in the peripheral region, the mechanical strength of the shadow mask can be increased, the occurrence of howling or the like due to the application of vibration can be suppressed, and the number of electron beam passage holes 14,
15 is formed with a hole pitch determined by a fifth-order formula of the distance from the vertical center line of the shadow mask 6 (the second known example), that is, the problem of the shadow mask 6 can be solved. The hole pitch in the intermediate region between the central region and the peripheral region can be made relatively large, the degree of purity in the intermediate region can be increased, and the occurrence of color shift in the displayed image can be suppressed.

【0041】この場合、多数の電子ビーム通過孔がシャ
ドウマスクの垂直方向中心線からの距離の3次式及び5
次式の合成式に従った配置状態のとき、その合成式の3
次式と5次式との合成比率は、シャドウマスク6の機械
的強度を高める必要があるカラー陰極線管については、
3次式と5次式との合成比率を1対9に近いものに選べ
ばよく、一方、ピューリテイ裕度を高める必要があるカ
ラー陰極線管については、3次式と5次式との合成比率
を9対1に近いものに選べばよい。
In this case, the number of electron beam passage holes is determined by the cubic expression of the distance from the vertical center line of the shadow mask and 5
When the arrangement state is in accordance with the following formula,
The composite ratio of the following equation and the fifth-order equation is such that for a color cathode ray tube in which the mechanical strength of the shadow mask 6 needs to be increased,
The synthesis ratio of the cubic expression and the quintic expression may be selected to be close to 1: 9. On the other hand, for a color cathode ray tube requiring a higher purity margin, the synthesis ratio of the cubic expression and the quintic expression is sufficient. Should be chosen to be close to 9: 1.

【0042】[0042]

【発明の効果】以上のように、本発明によれば、シャド
ウマスクにおける水平方向の各電子ビーム通過孔の形成
位置を、シャドウマスクの垂直方向中心線からの距離の
3次式及び5次式の合成式であって、その合成比率を1
対9乃至9対1の範囲内になるような孔ピッチになるよ
うにしているので、多数の電子ビーム通過孔がシャドウ
マスクの垂直方向中心線からの距離の3次式によって決
まる孔ピッチで形成されているもの(既知の第1例のも
の)が有する問題点の解決を図れる、即ち、シャドウマ
スク有孔部の曲率半径をその周辺領域で比較的小さく
し、シャドウマスクの機械的強度を増大させ、振動の印
加に伴うハウリング等の発生を抑えることができるだけ
でなく、多数の電子ビーム通過孔がシャドウマスクの垂
直方向中心線からの距離の5次式によって決まる孔ピッ
チで形成されているもの(既知の第2例のもの)が有す
る問題点の解決を図れる、即ち、中央領域と周辺領域と
の中間領域の孔ピッチを比較的大きくし、中間領域にお
けるピューリテイ裕度を高め、表示画像の色ずれの発生
を抑えることができるという効果がある。
As described above, according to the present invention, the formation position of each electron beam passage hole in the horizontal direction in the shadow mask is determined by the cubic expression and the quintic expression of the distance from the vertical center line of the shadow mask. Where the synthesis ratio is 1
Since the hole pitch is set so as to fall within the range of 9 to 9: 1, a large number of electron beam passage holes are formed at the hole pitch determined by the cubic expression of the distance from the vertical center line of the shadow mask. (The first known example) can be solved, that is, the radius of curvature of the perforated portion of the shadow mask is made relatively small in the peripheral region, and the mechanical strength of the shadow mask is increased. In addition to suppressing the occurrence of howling and the like due to the application of vibration, a large number of electron beam passage holes are formed at a hole pitch determined by the fifth-order formula of the distance from the vertical center line of the shadow mask. (The second known example) can be solved. That is, the hole pitch in the intermediate region between the central region and the peripheral region is made relatively large, and the purity in the intermediate region is increased. Enhanced, there is an effect that it is possible to suppress the occurrence of color shift in the displayed image.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明によるシャドウマスクを備えたカラー陰
極線管の一実施例の概略構成を示す断面図である。
FIG. 1 is a sectional view showing a schematic configuration of an embodiment of a color cathode ray tube having a shadow mask according to the present invention.

【図2】図1に図示されたカラー陰極線管に使用される
シャドウマスク有孔部の一例の一部の構成を示す平面図
である。
FIG. 2 is a plan view showing a partial configuration of an example of a perforated portion of a shadow mask used in the color cathode ray tube shown in FIG.

【図3】図1に図示されたカラー陰極線管に使用される
シャドウマスク有孔部の他の例の一部の構成を示す平面
図である。
FIG. 3 is a plan view showing a partial configuration of another example of a perforated portion of a shadow mask used in the color cathode ray tube shown in FIG. 1;

【図4】図2及び図3に図示されたシャドウマスク有孔
部におけるシャドウマスクの垂直方向中心線からの距離
と孔ピッチとの関係を示す特性図である。
FIG. 4 is a characteristic diagram showing a relationship between a distance from a vertical center line of the shadow mask and a hole pitch in a hole portion of the shadow mask shown in FIGS. 2 and 3;

【図5】シャドウマスクの水平方向における各電子ビー
ム通過孔の配置位置を設定する際の状態を示す説明図で
ある。
FIG. 5 is an explanatory diagram showing a state when an arrangement position of each electron beam passage hole in a horizontal direction of a shadow mask is set.

【図6】図5に図示された手法によって形成したシャド
ウマスク有孔部の一部の構成を示す平面図である。
6 is a plan view showing a configuration of a part of a perforated portion of a shadow mask formed by the technique shown in FIG. 5;

【図7】既知のシャドウマスクにおけるシャドウマスク
の垂直方向中心線からの距離と孔ピッチとの関係を示す
特性図である。
FIG. 7 is a characteristic diagram showing a relationship between a distance from a vertical center line of the shadow mask and a hole pitch in a known shadow mask.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1 パネル部 2 ネック部 3 ファンネル部 4 フェースプレート 5 螢光膜 6 シャドウマスク 7 サポートフレーム 8 偏向ヨーク 9 電子銃 10 ピュリテイ調整マグネット 11 センタービームスタティックコンバーゼンス調整
用マグネット 12 サイドビームスタティックコンバーゼンス調整用
マグネット 13 電子ビーム 14 スロット状の電子ビーム通過孔 15 ドット状の電子ビーム通過孔
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Panel part 2 Neck part 3 Funnel part 4 Face plate 5 Fluorescent film 6 Shadow mask 7 Support frame 8 Deflection yoke 9 Electron gun 10 Purity adjustment magnet 11 Center beam static convergence adjustment magnet 12 Side beam static convergence adjustment magnet 13 Electronics Beam 14 Slot-shaped electron beam passage hole 15 Dot-shaped electron beam passage hole

Claims (1)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 僅かに曲面形状に形成された有孔部に多
数の電子ビーム通過孔を有するシャドウマスクにおける
水平方向の各電子ビーム通過孔の形成位置を、前記シャ
ドウマスクの垂直方向中心線からの距離の3次式及び5
次式の合成式からなり、かつ、前記3次式と5次式との
合成比率を1対9乃至9対1の範囲内になるようにした
孔ピッチで形成したことを特徴とするシャドウマスクを
備えるカラー陰極線管。
1. A horizontal position of each electron beam passage hole in a shadow mask having a large number of electron beam passage holes in a perforated portion formed in a slightly curved shape, from a vertical center line of the shadow mask. Of the distance of
A shadow mask comprising a synthetic formula of the following formula, and formed at a hole pitch such that the synthetic ratio of the cubic formula and the quintic formula is in the range of 1: 9 to 9: 1. A color cathode ray tube comprising:
JP32867096A 1996-12-09 1996-12-09 Color cathode ray tube with shadow mask Pending JPH10172452A (en)

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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20000019963A (en) * 1998-09-16 2000-04-15 구자홍 Shadow mask for color braun tube
KR100396626B1 (en) * 2001-11-01 2003-09-02 엘지.필립스디스플레이(주) CRT of Transposed scan

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