JPH10163462A - マス型フィルタ構造による固体撮像素子及び製造方法 - Google Patents
マス型フィルタ構造による固体撮像素子及び製造方法Info
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- JPH10163462A JPH10163462A JP8320024A JP32002496A JPH10163462A JP H10163462 A JPH10163462 A JP H10163462A JP 8320024 A JP8320024 A JP 8320024A JP 32002496 A JP32002496 A JP 32002496A JP H10163462 A JPH10163462 A JP H10163462A
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Landscapes
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 感度ムラや画像ムラを低減し、かつ高感度で
小型化可能な固体撮像素子及び製造方法を提供する。 【解決手段】 ＣＣＤを含む固体撮像素子において受光
部のフォトシールド（遮光膜）８上層部に、ユニットセ
ル区画ごとに格子状のマス型に形成されたメタル薄膜１
１を備え、各マス型メタル薄膜１１の内部に各カラーフ
ィルタ１３を配設し、さらに上層に各マイクロレンズ１
４を形成させる。
小型化可能な固体撮像素子及び製造方法を提供する。 【解決手段】 ＣＣＤを含む固体撮像素子において受光
部のフォトシールド（遮光膜）８上層部に、ユニットセ
ル区画ごとに格子状のマス型に形成されたメタル薄膜１
１を備え、各マス型メタル薄膜１１の内部に各カラーフ
ィルタ１３を配設し、さらに上層に各マイクロレンズ１
４を形成させる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、マス型フィルタ構
造による固体撮像素子に関し、とりわけＣＣＤを代表す
る固体撮像素子において、受光部のメタル遮光膜上層部
にメタル薄膜で各画素をマス型に区画形成し、その内部
にカラーフィルタとマイクロレンズを形成した構造と製
法に関するものである。
造による固体撮像素子に関し、とりわけＣＣＤを代表す
る固体撮像素子において、受光部のメタル遮光膜上層部
にメタル薄膜で各画素をマス型に区画形成し、その内部
にカラーフィルタとマイクロレンズを形成した構造と製
法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】ＣＣＤに代表される固体撮像素子は、近
年、画素数の増大と装置の小型化において著しい向上が
実現されてきた。さらに、多色再現性と色むら防止を目
的としたカラーフィルタとマイクロレンズの構造および
配設技術においても種々の工夫が試みられるに至ってい
る。
年、画素数の増大と装置の小型化において著しい向上が
実現されてきた。さらに、多色再現性と色むら防止を目
的としたカラーフィルタとマイクロレンズの構造および
配設技術においても種々の工夫が試みられるに至ってい
る。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、前記の
ような従来の固体撮像素子には、以下のような問題が課
題となっている。先ず、固体撮像素子の小型化と画素の
高密度化とに伴い、受光エリアが縮小される結果として
感度低下を招いている。またスミア、画素毎感度ムラと
の両立が難しいという問題がある。その対策として、フ
ィルタ上層に画素毎のレンズを形成させて集光する構成
が適用されているが、形状の下地依存性が強いために感
度の均一な確保が難しいという問題がある。さらに、上
層フィルタの形成加工において、画素間近接により微小
な感度ムラや横縞フリッカやレンズショートによる画像
ムラが発生するという不具合があった。
ような従来の固体撮像素子には、以下のような問題が課
題となっている。先ず、固体撮像素子の小型化と画素の
高密度化とに伴い、受光エリアが縮小される結果として
感度低下を招いている。またスミア、画素毎感度ムラと
の両立が難しいという問題がある。その対策として、フ
ィルタ上層に画素毎のレンズを形成させて集光する構成
が適用されているが、形状の下地依存性が強いために感
度の均一な確保が難しいという問題がある。さらに、上
層フィルタの形成加工において、画素間近接により微小
な感度ムラや横縞フリッカやレンズショートによる画像
ムラが発生するという不具合があった。
【０００４】本発明は、前記のような従来技術における
問題点を解決するためなされたもので、感度ムラや画像
ムラを低減し、かつ高感度で小型化可能な固体撮像素子
及び製造方法を提供することを目的とする。
問題点を解決するためなされたもので、感度ムラや画像
ムラを低減し、かつ高感度で小型化可能な固体撮像素子
及び製造方法を提供することを目的とする。
【０００５】
【課題を解決するための手段】前記課題を解決するため
本発明に係る固体撮像素子は、ＣＣＤを含む固体撮像素
子において受光部のフォトシールド（遮光膜）上層部
に、ユニットセル区画ごとに格子状のマス型に形成され
たメタル薄膜を備え、前記マス型メタル薄膜の内部にカ
ラーフィルタを配設したことを特徴とする。あるいは、
前記の区画化された上層にマイクロレンズを形成したこ
とを特徴とする。
本発明に係る固体撮像素子は、ＣＣＤを含む固体撮像素
子において受光部のフォトシールド（遮光膜）上層部
に、ユニットセル区画ごとに格子状のマス型に形成され
たメタル薄膜を備え、前記マス型メタル薄膜の内部にカ
ラーフィルタを配設したことを特徴とする。あるいは、
前記の区画化された上層にマイクロレンズを形成したこ
とを特徴とする。
【０００６】前記の構成を有する本発明にかかる固体撮
像素子によれば、マス型メタル薄膜によって画素毎に区
画化されたセンサ開口部が筒状となることで、集光効率
の向上がなされ、撮像感度が改善される。さらに混色成
分がなくなることで、色ムラや横縞フリッカをはじめ、
フィルタの構成に起因する微小感度ムラが低減される。
像素子によれば、マス型メタル薄膜によって画素毎に区
画化されたセンサ開口部が筒状となることで、集光効率
の向上がなされ、撮像感度が改善される。さらに混色成
分がなくなることで、色ムラや横縞フリッカをはじめ、
フィルタの構成に起因する微小感度ムラが低減される。
【０００７】さらに、センサ開口部内部にフィルタとマ
イクロレンズが形成されることにより、固体撮像素子の
小型／高密度に対応した高感度特性が実現される。
イクロレンズが形成されることにより、固体撮像素子の
小型／高密度に対応した高感度特性が実現される。
【０００８】また本発明に係る固体撮像素子の製造方法
は、メタル薄膜によるマス型区画内を平坦化する構成で
あり、よってフィルタ下層への平坦化膜の挿入工程が不
要になり、製造工程が簡素化される上、フィルタ全体が
低層化される。
は、メタル薄膜によるマス型区画内を平坦化する構成で
あり、よってフィルタ下層への平坦化膜の挿入工程が不
要になり、製造工程が簡素化される上、フィルタ全体が
低層化される。
【０００９】
【発明の実施の形態】以下、この発明の実施の形態を説
明する。図１は、本発明に係る固体撮像素子の一実施形
態の模式断面図である。図２は、図１に示す固体撮像素
子の全体構成の上面図である。さらに図３は、本発明に
係る固体撮像素子の他の実施形態の模式断面図であり、
また図４は本発明に係る固体撮像素子の別の実施形態の
模式断面図である。
明する。図１は、本発明に係る固体撮像素子の一実施形
態の模式断面図である。図２は、図１に示す固体撮像素
子の全体構成の上面図である。さらに図３は、本発明に
係る固体撮像素子の他の実施形態の模式断面図であり、
また図４は本発明に係る固体撮像素子の別の実施形態の
模式断面図である。
【００１０】図１に示されるように、本発明に係る固体
撮像素子Ｃは、Ｓｉ基板１上にＭＯＳゲート絶縁膜２が
堆積され、さらに層間絶縁膜６が表面に堆積された第１
ゲート電極３が、Ｓｉ基板１上に受光部を隔てて配設さ
れている。これら第１ゲート電極３および受光部の上に
は、ＰＳＧ等のリフロー膜７が堆積され、リフロー膜７
の上に、第１ゲート電極３を覆うように遮光メタル膜８
（フォトシールド）が堆積され、さらにその上全面に、
Ｐ−ＳｉＮ等のパッシベーション膜９が堆積され、また
遮光メタル膜８にはＳｉ基板に垂直方向に立ち上がる、
格子状のマス型に形成されたメタル薄膜１１が形成され
ている。
撮像素子Ｃは、Ｓｉ基板１上にＭＯＳゲート絶縁膜２が
堆積され、さらに層間絶縁膜６が表面に堆積された第１
ゲート電極３が、Ｓｉ基板１上に受光部を隔てて配設さ
れている。これら第１ゲート電極３および受光部の上に
は、ＰＳＧ等のリフロー膜７が堆積され、リフロー膜７
の上に、第１ゲート電極３を覆うように遮光メタル膜８
（フォトシールド）が堆積され、さらにその上全面に、
Ｐ−ＳｉＮ等のパッシベーション膜９が堆積され、また
遮光メタル膜８にはＳｉ基板に垂直方向に立ち上がる、
格子状のマス型に形成されたメタル薄膜１１が形成され
ている。
【００１１】このように、マス型メタル薄膜１１は、ユ
ニットセル区画ごとに格子状のマス型に形成されてい
て、その内側がセグメント化された受光部領域となる。
さらに、これらマス型メタル薄膜１１の内側の各受光部
領域には、カラーフィルタ層１３が形成され、さらにカ
ラーフィルタ層１３上にマイクロレンズ１４が形成され
ている。このように、カラーフィルタ層１３およびマイ
クロレンズ１４は、区画化された各受光部セグメント毎
に独立して配設される構成となっている。
ニットセル区画ごとに格子状のマス型に形成されてい
て、その内側がセグメント化された受光部領域となる。
さらに、これらマス型メタル薄膜１１の内側の各受光部
領域には、カラーフィルタ層１３が形成され、さらにカ
ラーフィルタ層１３上にマイクロレンズ１４が形成され
ている。このように、カラーフィルタ層１３およびマイ
クロレンズ１４は、区画化された各受光部セグメント毎
に独立して配設される構成となっている。
【００１２】あるいは、図３に示される固体撮像素子Ｃ
２のように、カラーフィルタ層２３の下部に平坦化層１
２を設ける構成とすることもできる。この構成によれ
ば、カラーフィルタの土台が高平坦度で形成されること
になり、特性改善が容易になる。
２のように、カラーフィルタ層２３の下部に平坦化層１
２を設ける構成とすることもできる。この構成によれ
ば、カラーフィルタの土台が高平坦度で形成されること
になり、特性改善が容易になる。
【００１３】あるいは、図４に示される固体撮像素子Ｃ
３のように、先端の尖った構成のマス型メタル薄膜２１
で構成することもできる。尖った先端は、光遮断成分の
発生を抑制する効果がある。
３のように、先端の尖った構成のマス型メタル薄膜２１
で構成することもできる。尖った先端は、光遮断成分の
発生を抑制する効果がある。
【００１４】つぎに、本発明に係る固体撮像素子の製造
方法を説明する。図１および図２で示すように、Ｓｉ基
板１にイオン注入等で所望の不純物拡散層を形成させた
後に、熱酸化やＣＶＤ法によりＭＯＳゲート絶縁膜２を
堆積させる。この場合ＳｉシリコンＯＮＯ（ＳｉＯ2 −
ＳｉＮ−ＳｉＯ2 ）構造もとり得る。
方法を説明する。図１および図２で示すように、Ｓｉ基
板１にイオン注入等で所望の不純物拡散層を形成させた
後に、熱酸化やＣＶＤ法によりＭＯＳゲート絶縁膜２を
堆積させる。この場合ＳｉシリコンＯＮＯ（ＳｉＯ2 −
ＳｉＮ−ＳｉＯ2 ）構造もとり得る。
【００１５】この後、第１ゲート電極３をＣＶＤ法によ
り堆積させ、フォトリソグラフィーとドライエッチング
プロセス等により、必要なパターンを形成させる。続け
て電極絶縁膜を酸化／ＣＶＤ等により堆積させた後、第
２ゲート電極５の堆積、加工を行う。３層以上の電極構
造の場合はこれを繰り返すことになる。ついで、これら
二層に構成された電極上に、酸化／ＣＶＤにより層間絶
縁膜６を堆積させ、ついでこの上とセンサ上に、ＰＳＧ
（フォスフォ・シリケート・グラス）等のリフロー膜７
を堆積させる。
り堆積させ、フォトリソグラフィーとドライエッチング
プロセス等により、必要なパターンを形成させる。続け
て電極絶縁膜を酸化／ＣＶＤ等により堆積させた後、第
２ゲート電極５の堆積、加工を行う。３層以上の電極構
造の場合はこれを繰り返すことになる。ついで、これら
二層に構成された電極上に、酸化／ＣＶＤにより層間絶
縁膜６を堆積させ、ついでこの上とセンサ上に、ＰＳＧ
（フォスフォ・シリケート・グラス）等のリフロー膜７
を堆積させる。
【００１６】この後、センサ部を除くエリアに遮光メタ
ル膜８を堆積加工後、Ｐ−ＳｉＮ等のパッシベーション
膜９を全面に堆積させる。なお、このパッシベーション
膜９は、後の工程で上層部平坦化で使用するＳｉＯ2 系
膜の除去エッチャント（例えばＨＦ系薬液）に対してス
トッパになりうる膜を選択することが望ましい。
ル膜８を堆積加工後、Ｐ−ＳｉＮ等のパッシベーション
膜９を全面に堆積させる。なお、このパッシベーション
膜９は、後の工程で上層部平坦化で使用するＳｉＯ2 系
膜の除去エッチャント（例えばＨＦ系薬液）に対してス
トッパになりうる膜を選択することが望ましい。
【００１７】その後、上層部の平坦化がなされる。すな
わち、ＳＯＧ等の樹脂膜塗布か、ＴＥＯＳ系ＳｉＯ2 ／
ＢＰＳＧや、バイアス高密度プラズマ法によるＳｉＯ2
系ＣＶＤ膜によって平坦化膜を堆積させ、エッチバック
やＣＭＰ等で平坦化加工を施す。
わち、ＳＯＧ等の樹脂膜塗布か、ＴＥＯＳ系ＳｉＯ2 ／
ＢＰＳＧや、バイアス高密度プラズマ法によるＳｉＯ2
系ＣＶＤ膜によって平坦化膜を堆積させ、エッチバック
やＣＭＰ等で平坦化加工を施す。
【００１８】さらに、各画素毎の境界部に、幅１μ以下
の格子状溝をフォトリソグラフィーとドライエッチング
プロセスにより形成させる。その後、ＣＶＤ法かスパッ
タ法（高圧リフロー等の高アスペクト埋め込み性向上手
法を用いる）によりメタル薄膜１１を溝部に埋め込み、
エッチバックやＣＭＰ等で平坦化膜上部のメタル薄膜を
除去させる。すなわち、ＳｉＯ2 系で平坦化した後、１
μ以下線幅のマス型格子状パターニングとエッチングで
溝堀した所に、メタル薄膜をＣＶＤまたはスパッタで堆
積エッチバックかＣＭＰ等で溝部のメタル薄膜のみ残
す。この製法はＣｕ等の平線メタル加工におけるダマシ
ン法と同様なものである。なお、メタル薄膜は高反射率
のアルミなどが最適である。
の格子状溝をフォトリソグラフィーとドライエッチング
プロセスにより形成させる。その後、ＣＶＤ法かスパッ
タ法（高圧リフロー等の高アスペクト埋め込み性向上手
法を用いる）によりメタル薄膜１１を溝部に埋め込み、
エッチバックやＣＭＰ等で平坦化膜上部のメタル薄膜を
除去させる。すなわち、ＳｉＯ2 系で平坦化した後、１
μ以下線幅のマス型格子状パターニングとエッチングで
溝堀した所に、メタル薄膜をＣＶＤまたはスパッタで堆
積エッチバックかＣＭＰ等で溝部のメタル薄膜のみ残
す。この製法はＣｕ等の平線メタル加工におけるダマシ
ン法と同様なものである。なお、メタル薄膜は高反射率
のアルミなどが最適である。
【００１９】続けて、マス型メタル薄膜１１内部のＳｉ
Ｏ2 系平坦化膜に、ＨＦ系エッチング等の下地選択性を
保った除去処理を施す。あるいはここで、図３に示され
るように、屈折率がパッシベーション膜９とカラーフィ
ルタ膜１３の中間となる平坦化層１２を挿入する構成と
することもできる。
Ｏ2 系平坦化膜に、ＨＦ系エッチング等の下地選択性を
保った除去処理を施す。あるいはここで、図３に示され
るように、屈折率がパッシベーション膜９とカラーフィ
ルタ膜１３の中間となる平坦化層１２を挿入する構成と
することもできる。
【００２０】ついで、カラーフィルタ層１３を染色法や
カラーレジスト塗布により堆積加工させる。この場合、
カラーコーディングに沿った三層〜四層を順次繰り返す
が、フィルタ層を残さないセンサ上はフィルタ残さがな
く、マス型メタル薄膜を境界にフィルタ層がパターニン
グされるため、他層の乗り上げや層間ギャップが存在し
ない。
カラーレジスト塗布により堆積加工させる。この場合、
カラーコーディングに沿った三層〜四層を順次繰り返す
が、フィルタ層を残さないセンサ上はフィルタ残さがな
く、マス型メタル薄膜を境界にフィルタ層がパターニン
グされるため、他層の乗り上げや層間ギャップが存在し
ない。
【００２１】最後に、カラーフィルタ層１３の上層にマ
イクロレンズ１４を熱溶融性透明樹脂やその上部のレジ
スト熱リフロー転写により堆積形成する。この場合も、
マス型メタル薄膜内でレンズ形成されるため、レンズ間
のショートやギャップムラの発生は軽微となる。
イクロレンズ１４を熱溶融性透明樹脂やその上部のレジ
スト熱リフロー転写により堆積形成する。この場合も、
マス型メタル薄膜内でレンズ形成されるため、レンズ間
のショートやギャップムラの発生は軽微となる。
【００２２】前記構成において、マス型メタル薄膜１１
の線幅により、感度に影響する程度の光遮断成分が発生
する場合には、図４の固体撮像素子Ｃ３に示されるよう
に、先細り加工がなされたマス型メタル薄膜２１とす
る。あるいは、マスの高さをカラーフィルタ層までにと
どめるように構成する。即ちレンズギャップをなくす構
造をとることにより、高感度化を図ることができる。
の線幅により、感度に影響する程度の光遮断成分が発生
する場合には、図４の固体撮像素子Ｃ３に示されるよう
に、先細り加工がなされたマス型メタル薄膜２１とす
る。あるいは、マスの高さをカラーフィルタ層までにと
どめるように構成する。即ちレンズギャップをなくす構
造をとることにより、高感度化を図ることができる。
【００２３】
【発明の効果】以上詳述したように、本発明の請求項１
に係る固体撮像素子は、ＣＣＤを含む固体撮像素子にお
いて受光部のフォトシールド（遮光膜）上層部に、ユニ
ットセル区画ごとに格子状のマス型に形成されたメタル
薄膜を備え、マス型メタル薄膜の内部にカラーフィルタ
を配設して構成するものであるから、センサ開口部がマ
ス型メタル薄膜で筒状になり、集光効率が向上し撮像感
度が改善されると同時に混色成分がなくなり、色ムラや
横縞フリッカやフィルタ起因の微小感度ムラが低減さ
れ、あるいは解消されるという効果がある。
に係る固体撮像素子は、ＣＣＤを含む固体撮像素子にお
いて受光部のフォトシールド（遮光膜）上層部に、ユニ
ットセル区画ごとに格子状のマス型に形成されたメタル
薄膜を備え、マス型メタル薄膜の内部にカラーフィルタ
を配設して構成するものであるから、センサ開口部がマ
ス型メタル薄膜で筒状になり、集光効率が向上し撮像感
度が改善されると同時に混色成分がなくなり、色ムラや
横縞フリッカやフィルタ起因の微小感度ムラが低減さ
れ、あるいは解消されるという効果がある。
【００２４】あるいは、筒状マス型メタル膜内部のフィ
ルタ埋め込み形成等により、入射光が導波管同等の全反
射を繰り返し集光されるため、上層レンズの搭載を不要
にできることも可能になる。
ルタ埋め込み形成等により、入射光が導波管同等の全反
射を繰り返し集光されるため、上層レンズの搭載を不要
にできることも可能になる。
【００２５】本発明の請求項２に係る固体撮像素子は、
前記の区画化された上層にマイクロレンズを形成する構
成とするものであるから、画素毎に区画化された内部で
フィルタ・レンズを形成することにより、固体撮像素子
の小型／高密度に対応した高感度特性を得ることができ
る。
前記の区画化された上層にマイクロレンズを形成する構
成とするものであるから、画素毎に区画化された内部で
フィルタ・レンズを形成することにより、固体撮像素子
の小型／高密度に対応した高感度特性を得ることができ
る。
【００２６】本発明の請求項３に係る固体撮像素子の製
造方法は、前記のユニットセル区画毎に、遮光膜上層に
パッシベーション膜形成後に平坦化を施し、溝堀ののち
にメタル薄膜を堆積させ、ついで溝部のメタル薄膜のみ
残す工程を有する構成とするものであるから、マス型メ
タル薄膜を高精度で形成させることが可能となる。
造方法は、前記のユニットセル区画毎に、遮光膜上層に
パッシベーション膜形成後に平坦化を施し、溝堀ののち
にメタル薄膜を堆積させ、ついで溝部のメタル薄膜のみ
残す工程を有する構成とするものであるから、マス型メ
タル薄膜を高精度で形成させることが可能となる。
【００２７】本発明の請求項４に係る固体撮像素子の製
造方法は、前記マス型メタル薄膜の加工後に、マス型メ
タル薄膜以外のＳｉＯ2 系をＨＦエッチ等で除去し、マ
ス型内部にカラーフィルタおよびマイクロレンズを搭載
させる構成とするものであるから、フィルタ下層への平
坦化膜の挿入が不要で、フィルタ全体が低層化されその
上層レンズの曲率最適化でカメラ絞りに依存しない感度
の確保が可能となる。
造方法は、前記マス型メタル薄膜の加工後に、マス型メ
タル薄膜以外のＳｉＯ2 系をＨＦエッチ等で除去し、マ
ス型内部にカラーフィルタおよびマイクロレンズを搭載
させる構成とするものであるから、フィルタ下層への平
坦化膜の挿入が不要で、フィルタ全体が低層化されその
上層レンズの曲率最適化でカメラ絞りに依存しない感度
の確保が可能となる。
【００２８】前記のように、本発明によれば、マス型メ
タル膜形成後に、各色フィルタをフォトリソグラフィー
法でパターニングするが、露光の合わせ精度や線幅精度
等の要求が緩くできマス型メタル膜の加工精度のみでそ
の上層パターニング精度が決まるため、フィルタ形成依
存性がない撮像ばらつき低減による歩留り向上が期待で
きるという効果を奏する。
タル膜形成後に、各色フィルタをフォトリソグラフィー
法でパターニングするが、露光の合わせ精度や線幅精度
等の要求が緩くできマス型メタル膜の加工精度のみでそ
の上層パターニング精度が決まるため、フィルタ形成依
存性がない撮像ばらつき低減による歩留り向上が期待で
きるという効果を奏する。
【図１】本発明に係る固体撮像素子の一実施形態の模式
断面図である。
断面図である。
【図２】図１に示す固体撮像素子の全体構成の上面図で
ある。
ある。
【図３】本発明に係る固体撮像素子の他の実施形態の模
式断面図である。
式断面図である。
【図４】本発明に係る固体撮像素子の一別の実施形態の
模式断面図である。
模式断面図である。
Ｓ……本発明に係る固体撮像素子、１……シリコン基
板、２……ゲート絶縁膜、３……第１ゲート電極、５…
…第２ゲート電極、６……層間絶縁膜、７……リフロー
膜、８……遮光メタル膜、９……パッシベーション膜、
１１……マス型メタル薄膜、１３……カラーフィルタ
層、１４……レンズ層。
板、２……ゲート絶縁膜、３……第１ゲート電極、５…
…第２ゲート電極、６……層間絶縁膜、７……リフロー
膜、８……遮光メタル膜、９……パッシベーション膜、
１１……マス型メタル薄膜、１３……カラーフィルタ
層、１４……レンズ層。
Claims (4)
- 【請求項１】 ＣＣＤを含む固体撮像素子において受光
部のフォトシールド（遮光膜）上層部に、ユニットセル
区画ごとに格子状のマス型に形成されたメタル薄膜を備
え、前記マス型メタル薄膜の内部にカラーフィルタを配
設したことを特徴とする固体撮像素子。 - 【請求項２】 前記の区画化された上層にマイクロレン
ズを形成したことを特徴とする請求項１記載の固体撮像
素子。 - 【請求項３】 前記のユニットセル区画毎に、遮光膜上
層にパッシベーション膜形成後に平坦化を施し、溝堀の
のちにメタル薄膜を堆積させ、ついで溝部のメタル薄膜
のみ残す工程を有することを特徴とする請求項１または
２記載の固体撮像素子の製造方法。 - 【請求項４】 前記マス型メタル薄膜の加工後に、マス
型メタル薄膜以外のＳｉＯ2 系をＨＦエッチ等で除去
し、前記マス型内部に前記カラーフィルタおよび前記マ
イクロレンズを搭載させることを特徴とする請求項３記
載の固体撮像素子の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8320024A JPH10163462A (ja) | 1996-11-29 | 1996-11-29 | マス型フィルタ構造による固体撮像素子及び製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8320024A JPH10163462A (ja) | 1996-11-29 | 1996-11-29 | マス型フィルタ構造による固体撮像素子及び製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10163462A true JPH10163462A (ja) | 1998-06-19 |
Family
ID=18116906
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8320024A Pending JPH10163462A (ja) | 1996-11-29 | 1996-11-29 | マス型フィルタ構造による固体撮像素子及び製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH10163462A (ja) |
Cited By (14)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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-
1996
- 1996-11-29 JP JP8320024A patent/JPH10163462A/ja active Pending
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