JPH10154702A - 半導体製造方法および装置 - Google Patents
半導体製造方法および装置Info
- Publication number
- JPH10154702A JPH10154702A JP31337796A JP31337796A JPH10154702A JP H10154702 A JPH10154702 A JP H10154702A JP 31337796 A JP31337796 A JP 31337796A JP 31337796 A JP31337796 A JP 31337796A JP H10154702 A JPH10154702 A JP H10154702A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- gas
- vacuum processing
- unit
- vacuum
- purge gas
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 100
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 42
- 238000012545 processing Methods 0.000 claims abstract description 210
- 238000010926 purge Methods 0.000 claims abstract description 88
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 73
- 238000000859 sublimation Methods 0.000 claims abstract description 24
- 230000008022 sublimation Effects 0.000 claims abstract description 24
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims abstract description 22
- 239000006227 byproduct Substances 0.000 claims description 39
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 claims description 15
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 15
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 claims description 4
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 239000012535 impurity Substances 0.000 claims description 2
- BPUBBGLMJRNUCC-UHFFFAOYSA-N oxygen(2-);tantalum(5+) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[Ta+5].[Ta+5] BPUBBGLMJRNUCC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 2
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910001936 tantalum oxide Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 230000006837 decompression Effects 0.000 claims 1
- NLXLAEXVIDQMFP-UHFFFAOYSA-N Ammonia chloride Chemical compound [NH4+].[Cl-] NLXLAEXVIDQMFP-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 82
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 abstract description 57
- 235000019270 ammonium chloride Nutrition 0.000 abstract description 41
- 238000012423 maintenance Methods 0.000 abstract description 9
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 174
- 238000004518 low pressure chemical vapour deposition Methods 0.000 description 20
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 6
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 6
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N Ammonia Chemical compound N QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 4
- MROCJMGDEKINLD-UHFFFAOYSA-N dichlorosilane Chemical compound Cl[SiH2]Cl MROCJMGDEKINLD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 3
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 230000001186 cumulative effect Effects 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 239000012776 electronic material Substances 0.000 description 1
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 1
- 239000000047 product Substances 0.000 description 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 1
- 238000011160 research Methods 0.000 description 1
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 1
Abstract
(57)【要約】
【課題】 半導体ウェハの歩留りを向上させるとともに
半導体製造装置のメンテナンス頻度を低減する。 【解決手段】 外気と遮断しかつ半導体ウェハ１に成膜
処理が行われる処理部２ａを備えた真空処理容器２と、
処理部２ａと連通したガス導入部２ｂを介してプロセス
ガスまたはパージガス３を処理部２ａに供給するガス供
給手段４と、処理部２ａと連通した排気配管２ｃを介し
て前記プロセスガスまたはパージガス３を真空処理容器
２外に排気する真空ポンプ７と、処理部２ａを加熱する
ヒータ５と、真空処理容器２内をこの中に生成された塩
化アンモニウムを昇華させる昇華雰囲気に制御する制御
部とからなり、半導体ウェハ１への成膜処理終了後、前
記制御部によって前記塩化アンモニウムを昇華させ、前
記塩化アンモニウムをパージガス３とともに排気する。
半導体製造装置のメンテナンス頻度を低減する。 【解決手段】 外気と遮断しかつ半導体ウェハ１に成膜
処理が行われる処理部２ａを備えた真空処理容器２と、
処理部２ａと連通したガス導入部２ｂを介してプロセス
ガスまたはパージガス３を処理部２ａに供給するガス供
給手段４と、処理部２ａと連通した排気配管２ｃを介し
て前記プロセスガスまたはパージガス３を真空処理容器
２外に排気する真空ポンプ７と、処理部２ａを加熱する
ヒータ５と、真空処理容器２内をこの中に生成された塩
化アンモニウムを昇華させる昇華雰囲気に制御する制御
部とからなり、半導体ウェハ１への成膜処理終了後、前
記制御部によって前記塩化アンモニウムを昇華させ、前
記塩化アンモニウムをパージガス３とともに排気する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体製造技術に
関し、特にＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition)装置に
おける反応副生成物を除去する半導体製造方法および装
置に関する。
関し、特にＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition)装置に
おける反応副生成物を除去する半導体製造方法および装
置に関する。
【０００２】
【従来の技術】以下に説明する技術は、本発明を研究、
完成するに際し、本発明者によって検討されたものであ
り、その概要は次のとおりである。
完成するに際し、本発明者によって検討されたものであ
り、その概要は次のとおりである。
【０００３】ジクロルシランガスとアンモニアガスとを
用いた窒化珪素膜形成技術において、特に低圧ＣＶＤ装
置を用いた場合、反応炉（真空処理容器ともいう）の内
壁や半導体ウェハ支持用の治具に堆積した窒化珪素膜の
累積膜厚が約１μｍに到達すると、排気配管（排気部）
の内部に反応副生成物である塩化アンモニウムが付着
し、炉内へ逆拡散して、ウェハ上に異物として付着する
ことが知られている。
用いた窒化珪素膜形成技術において、特に低圧ＣＶＤ装
置を用いた場合、反応炉（真空処理容器ともいう）の内
壁や半導体ウェハ支持用の治具に堆積した窒化珪素膜の
累積膜厚が約１μｍに到達すると、排気配管（排気部）
の内部に反応副生成物である塩化アンモニウムが付着
し、炉内へ逆拡散して、ウェハ上に異物として付着する
ことが知られている。
【０００４】なお、ホットウォール型のＣＶＤ装置につ
いては、株式会社工業調査会、１９９１年１１月２２日
発行、「電子材料１１月号別冊、超ＬＳＩ製造・試験装
置ガイドブック＜１９９２年版＞」、２９〜３４頁に記
載されている。
いては、株式会社工業調査会、１９９１年１１月２２日
発行、「電子材料１１月号別冊、超ＬＳＩ製造・試験装
置ガイドブック＜１９９２年版＞」、２９〜３４頁に記
載されている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】ところが、前記した技
術における低圧ＣＶＤ装置では、排気配管の内部に反応
副生成物が付着するため、排気配管のメンテナンスに時
間がかかることが問題とされる。
術における低圧ＣＶＤ装置では、排気配管の内部に反応
副生成物が付着するため、排気配管のメンテナンスに時
間がかかることが問題とされる。
【０００６】さらに、半導体ウェハの搬入出時に塩化ア
ンモニウムが半導体ウェハの表面に付着するため、半導
体ウェハ（製品）の歩留りを低下させるという問題が発
生する。
ンモニウムが半導体ウェハの表面に付着するため、半導
体ウェハ（製品）の歩留りを低下させるという問題が発
生する。
【０００７】本発明の目的は、半導体ウェハの歩留りを
向上させるとともにメンテナンス頻度を低減させる半導
体製造方法および装置を提供することにある。
向上させるとともにメンテナンス頻度を低減させる半導
体製造方法および装置を提供することにある。
【０００８】本発明の前記ならびにその他の目的と新規
な特徴は、本明細書の記述および添付図面から明らかに
なるであろう。
な特徴は、本明細書の記述および添付図面から明らかに
なるであろう。
【０００９】
【課題を解決するための手段】本願において開示される
発明のうち、代表的なものの概要を簡単に説明すれば、
以下のとおりである。
発明のうち、代表的なものの概要を簡単に説明すれば、
以下のとおりである。
【００１０】すなわち、本発明による半導体製造方法
は、半導体ウェハの処理が行われる処理部とこれに連通
するガス導入部および排気部とからなる真空処理容器の
前記処理部で前記半導体ウェハに所定の処理を行った
後、前記真空処理容器内にパージガスを供給する工程
と、前記真空処理容器内の真空度または前記排気部の温
度のうちの少なくとも何れか一方もしくは両者を制御し
て前記真空処理容器内に昇華雰囲気を形成し、前記真空
処理容器内に生成された反応副生成物を昇華させる工程
と、前記反応副生成物を前記パージガスとともに排気す
る工程とを有するものである。
は、半導体ウェハの処理が行われる処理部とこれに連通
するガス導入部および排気部とからなる真空処理容器の
前記処理部で前記半導体ウェハに所定の処理を行った
後、前記真空処理容器内にパージガスを供給する工程
と、前記真空処理容器内の真空度または前記排気部の温
度のうちの少なくとも何れか一方もしくは両者を制御し
て前記真空処理容器内に昇華雰囲気を形成し、前記真空
処理容器内に生成された反応副生成物を昇華させる工程
と、前記反応副生成物を前記パージガスとともに排気す
る工程とを有するものである。
【００１１】これにより、真空処理容器内に生成された
反応副生成物を昇華すなわち気体に変えることができる
ため、その結果、気体に変化した反応副生成物をパージ
ガスとともに排気することにより、真空処理容器内から
反応副生成物を除去することができる。
反応副生成物を昇華すなわち気体に変えることができる
ため、その結果、気体に変化した反応副生成物をパージ
ガスとともに排気することにより、真空処理容器内から
反応副生成物を除去することができる。
【００１２】したがって、反応副生成物が真空処理容器
の排気部の内部に留まることを防止でき、これにより、
半導体製造装置におけるメンテナンスの頻度を低減させ
ることができる。
の排気部の内部に留まることを防止でき、これにより、
半導体製造装置におけるメンテナンスの頻度を低減させ
ることができる。
【００１３】さらに、本発明による半導体製造方法は、
前記真空処理容器の一方側のガス導入部から前記パージ
ガスを導入しかつ前記パージガスを前記処理部を介して
前記真空処理容器の他方側の排気部に流す工程と、前記
他方側のガス導入部から前記パージガスを導入しかつ前
記パージガスを前記処理部を介して前記一方側の排気部
に流す工程とを有し、それぞれの工程を少なくとも１回
行うものである。
前記真空処理容器の一方側のガス導入部から前記パージ
ガスを導入しかつ前記パージガスを前記処理部を介して
前記真空処理容器の他方側の排気部に流す工程と、前記
他方側のガス導入部から前記パージガスを導入しかつ前
記パージガスを前記処理部を介して前記一方側の排気部
に流す工程とを有し、それぞれの工程を少なくとも１回
行うものである。
【００１４】また、本発明による半導体製造装置は、外
気と遮断しかつ半導体ウェハに所定の処理が行われる処
理部を備えた真空処理容器と、前記処理部と連通したガ
ス導入部を介してプロセスガスまたはパージガスを前記
処理部に供給するガス供給手段と、前記処理部と連通し
た排気部を介して前記プロセスガスまたは前記パージガ
スを前記真空処理容器外に排気する排気手段と、前記処
理部を加熱する主加熱手段と、前記真空処理容器内をこ
の中に生成された反応副生成物を昇華させる昇華雰囲気
に制御する制御部とを有し、前記半導体ウェハへの所定
の処理終了後、前記制御部によって前記反応副生成物を
昇華させ、前記反応副生成物を前記パージガスとともに
排気し得るものである。
気と遮断しかつ半導体ウェハに所定の処理が行われる処
理部を備えた真空処理容器と、前記処理部と連通したガ
ス導入部を介してプロセスガスまたはパージガスを前記
処理部に供給するガス供給手段と、前記処理部と連通し
た排気部を介して前記プロセスガスまたは前記パージガ
スを前記真空処理容器外に排気する排気手段と、前記処
理部を加熱する主加熱手段と、前記真空処理容器内をこ
の中に生成された反応副生成物を昇華させる昇華雰囲気
に制御する制御部とを有し、前記半導体ウェハへの所定
の処理終了後、前記制御部によって前記反応副生成物を
昇華させ、前記反応副生成物を前記パージガスとともに
排気し得るものである。
【００１５】なお、本発明による半導体製造装置は、複
数の前記ガス導入部とこれに応じた複数の前記排気部と
が、前記ガス導入部から導入した前記プロセスガスまた
は前記パージガスが前記処理部を介して前記排気部に流
れるように前記真空処理容器の一方側と他方側とにそれ
ぞれ設けられているものである。
数の前記ガス導入部とこれに応じた複数の前記排気部と
が、前記ガス導入部から導入した前記プロセスガスまた
は前記パージガスが前記処理部を介して前記排気部に流
れるように前記真空処理容器の一方側と他方側とにそれ
ぞれ設けられているものである。
【００１６】さらに、本発明による半導体製造装置は、
前記制御部によって制御され、かつ前記排気部を加熱す
る排気部加熱手段が設けられているものである。
前記制御部によって制御され、かつ前記排気部を加熱す
る排気部加熱手段が設けられているものである。
【００１７】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態を図面
に基づいて詳細に説明する。
に基づいて詳細に説明する。
【００１８】図１は本発明による半導体製造装置の構造
の実施の形態の一例を一部断面にして示す構成概念図、
図２は本発明による半導体製造装置の制御系の構造の実
施の形態の一例を示す制御ブロック図、図３は本発明の
半導体製造装置において生成される反応副生成物（塩化
アンモニウム）の昇華条件の実施の形態の一例を示す昇
華曲線図、図４は本発明の半導体製造方法におけるシー
ケンス制御の手順の実施の形態の一例を示す制御フロー
である。
の実施の形態の一例を一部断面にして示す構成概念図、
図２は本発明による半導体製造装置の制御系の構造の実
施の形態の一例を示す制御ブロック図、図３は本発明の
半導体製造装置において生成される反応副生成物（塩化
アンモニウム）の昇華条件の実施の形態の一例を示す昇
華曲線図、図４は本発明の半導体製造方法におけるシー
ケンス制御の手順の実施の形態の一例を示す制御フロー
である。
【００１９】本実施の形態による半導体製造装置は、半
導体ウェハ１に成膜処理（所定の処理）を行うホットウ
ォール型２枚搬送同時デポ式の低圧ＣＶＤ装置であり、
本実施の形態では、プロセスガスであるジクロルシラン
ガスとアンモニアガスとを用いて、半導体ウェハ１に窒
化珪素膜を形成する場合を説明する。
導体ウェハ１に成膜処理（所定の処理）を行うホットウ
ォール型２枚搬送同時デポ式の低圧ＣＶＤ装置であり、
本実施の形態では、プロセスガスであるジクロルシラン
ガスとアンモニアガスとを用いて、半導体ウェハ１に窒
化珪素膜を形成する場合を説明する。
【００２０】したがって、この場合に生成される反応副
生成物は、塩化アンモニウムである（３ＳｉＨ2 Ｃｌ2
＋１０ＮＨ3 →Ｓｉ3 Ｎ4 ＋６ＮＨ4 Ｃｌ＋６Ｈ2 ）。
生成物は、塩化アンモニウムである（３ＳｉＨ2 Ｃｌ2
＋１０ＮＨ3 →Ｓｉ3 Ｎ4 ＋６ＮＨ4 Ｃｌ＋６Ｈ2 ）。
【００２１】前記低圧ＣＶＤ装置の構成について説明す
ると、外気と遮断しかつ半導体ウェハ１に成膜処理が行
われる処理部２ａを備えた真空処理容器２と、処理部２
ａと連通したガス導入部２ｂを介してプロセスガスまた
はパージガス３を処理部２ａに供給するガス供給手段４
と、処理部２ａと連通した排気配管２ｃ（排気部）を介
して前記プロセスガスまたはパージガス３を真空処理容
器２外に排気する真空ポンプ７（排気手段）と、処理部
２ａを加熱する主加熱手段であるヒータ５と、真空処理
容器２内をこの中に生成された反応副生成物である塩化
アンモニウムを昇華させる昇華雰囲気に制御する制御部
１０とからなり、半導体ウェハ１への成膜処理終了後、
制御部１０によって前記塩化アンモニウムを昇華させ、
前記塩化アンモニウムをパージガス３とともに排気する
ものである。
ると、外気と遮断しかつ半導体ウェハ１に成膜処理が行
われる処理部２ａを備えた真空処理容器２と、処理部２
ａと連通したガス導入部２ｂを介してプロセスガスまた
はパージガス３を処理部２ａに供給するガス供給手段４
と、処理部２ａと連通した排気配管２ｃ（排気部）を介
して前記プロセスガスまたはパージガス３を真空処理容
器２外に排気する真空ポンプ７（排気手段）と、処理部
２ａを加熱する主加熱手段であるヒータ５と、真空処理
容器２内をこの中に生成された反応副生成物である塩化
アンモニウムを昇華させる昇華雰囲気に制御する制御部
１０とからなり、半導体ウェハ１への成膜処理終了後、
制御部１０によって前記塩化アンモニウムを昇華させ、
前記塩化アンモニウムをパージガス３とともに排気する
ものである。
【００２２】つまり、本実施の形態の低圧ＣＶＤ装置に
おける真空処理容器２は、ガス導入部２ｂと処理部２ａ
と排気配管２ｃとを有しており、その処理部２ａにおい
て半導体ウェハ１への成膜処理が行われる。
おける真空処理容器２は、ガス導入部２ｂと処理部２ａ
と排気配管２ｃとを有しており、その処理部２ａにおい
て半導体ウェハ１への成膜処理が行われる。
【００２３】ここで、処理部２ａは、角柱（円筒状でも
よい）の筒状部材でかつ石英や炭化珪素などからなる管
部材２ｄ（反応炉ともいう）によって形成され、この管
部材２ｄの外側にヒータ５が配置されている。
よい）の筒状部材でかつ石英や炭化珪素などからなる管
部材２ｄ（反応炉ともいう）によって形成され、この管
部材２ｄの外側にヒータ５が配置されている。
【００２４】すなわち、本実施の形態の低圧ＣＶＤ装置
は、ホットウォール型であるため、成膜処理時には、ヒ
ータ５によって管部材２ｄを介して半導体ウェハ１を加
熱する（例えば、処理部２ａおよび半導体ウェハ１を６
００〜９００℃程度に加熱する）。
は、ホットウォール型であるため、成膜処理時には、ヒ
ータ５によって管部材２ｄを介して半導体ウェハ１を加
熱する（例えば、処理部２ａおよび半導体ウェハ１を６
００〜９００℃程度に加熱する）。
【００２５】また、ガス導入部２ｂはフランジ部材２ｅ
によって形成され、かつ排気配管２ｃはフランジ部材２
ｅ内に取り付けられるとともにフランジ部材２ｅの外方
に突出して設けられている。
によって形成され、かつ排気配管２ｃはフランジ部材２
ｅ内に取り付けられるとともにフランジ部材２ｅの外方
に突出して設けられている。
【００２６】さらに、真空処理容器２には、半導体ウェ
ハ１を搬入出するゲートバルブ８と、管部材２ｄのメン
テナンスを行う際に開閉する開閉バルブ９とが取り付け
られ、ゲートバルブ８と開閉バルブ９とによって真空処
理容器２を密閉し、外気の雰囲気と遮断することができ
る。
ハ１を搬入出するゲートバルブ８と、管部材２ｄのメン
テナンスを行う際に開閉する開閉バルブ９とが取り付け
られ、ゲートバルブ８と開閉バルブ９とによって真空処
理容器２を密閉し、外気の雰囲気と遮断することができ
る。
【００２７】なお、ゲートバルブ８および開閉バルブ９
は、それぞれの内面に気密を保持するフランジ面８ａま
たはフランジ面９ａを各々有している。
は、それぞれの内面に気密を保持するフランジ面８ａま
たはフランジ面９ａを各々有している。
【００２８】ここで、ゲートバルブ８は、駆動部材６に
よってその開閉が行われ、半導体ウェハ１は搬送ロボッ
ト１５によって搬送される。
よってその開閉が行われ、半導体ウェハ１は搬送ロボッ
ト１５によって搬送される。
【００２９】また、本実施の形態の真空処理容器２にお
いては、２つのガス導入部２ｂとこれに応じた２つの排
気配管２ｃとが、ガス導入部２ｂから導入した前記プロ
セスガスまたはパージガス３が処理部２ａを介して排気
配管２ｃに流れるように、真空処理容器２の一方側２ｆ
と他方側２ｇとにそれぞれ一対となって設けられてい
る。
いては、２つのガス導入部２ｂとこれに応じた２つの排
気配管２ｃとが、ガス導入部２ｂから導入した前記プロ
セスガスまたはパージガス３が処理部２ａを介して排気
配管２ｃに流れるように、真空処理容器２の一方側２ｆ
と他方側２ｇとにそれぞれ一対となって設けられてい
る。
【００３０】すなわち、本実施の形態の低圧ＣＶＤ装置
の真空処理容器２は、プロセスガスおよびパージガス３
などのガスの流路系統を２系統有している。
の真空処理容器２は、プロセスガスおよびパージガス３
などのガスの流路系統を２系統有している。
【００３１】ここで、真空処理容器２の一方側２ｆのガ
ス導入部２ｂには、第１開閉弁１１ａが設置された第１
配管１１が接続され、また、他方側２ｇのガス導入部２
ｂには、第２開閉弁１２ａが設置された第２配管１２が
接続され、さらに、一方側２ｆの排気配管２ｃには、第
３開閉弁１３ａが設置された第３配管１３が接続され、
また、他方側２ｇの排気配管２ｃには、第４開閉弁１４
ａが設置された第４配管１４が接続されている。
ス導入部２ｂには、第１開閉弁１１ａが設置された第１
配管１１が接続され、また、他方側２ｇのガス導入部２
ｂには、第２開閉弁１２ａが設置された第２配管１２が
接続され、さらに、一方側２ｆの排気配管２ｃには、第
３開閉弁１３ａが設置された第３配管１３が接続され、
また、他方側２ｇの排気配管２ｃには、第４開閉弁１４
ａが設置された第４配管１４が接続されている。
【００３２】したがって、制御部１０によって４つの開
閉弁の開閉を制御することにより、一方側２ｆのガス導
入部２ｂから取り込んだプロセスガスまたはパージガス
３を処理部２ａを介して他方側２ｇの排気配管２ｃに流
すことができ、さらに、他方側２ｇのガス導入部２ｂか
ら取り込んだプロセスガスまたはパージガス３を処理部
２ａを介して一方側２ｆの排気配管２ｃに流すことがで
きる。
閉弁の開閉を制御することにより、一方側２ｆのガス導
入部２ｂから取り込んだプロセスガスまたはパージガス
３を処理部２ａを介して他方側２ｇの排気配管２ｃに流
すことができ、さらに、他方側２ｇのガス導入部２ｂか
ら取り込んだプロセスガスまたはパージガス３を処理部
２ａを介して一方側２ｆの排気配管２ｃに流すことがで
きる。
【００３３】つまり、プロセスガスまたはパージガス３
などのガスを一方側２ｆのガス導入部２ｂから他方側２
ｇの排気配管２ｃに流す際には、第１開閉弁１１ａおよ
び第４開閉弁１４ａを開くとともに第２開閉弁１２ａお
よび第３開閉弁１３ａを閉じる。
などのガスを一方側２ｆのガス導入部２ｂから他方側２
ｇの排気配管２ｃに流す際には、第１開閉弁１１ａおよ
び第４開閉弁１４ａを開くとともに第２開閉弁１２ａお
よび第３開閉弁１３ａを閉じる。
【００３４】さらに、前記ガスを他方側２ｇのガス導入
部２ｂから一方側２ｆの排気配管２ｃに流す際には、第
２開閉弁１２ａおよび第３開閉弁１３ａを開くとともに
第１開閉弁１１ａおよび第４開閉弁１４ａを閉じる。
部２ｂから一方側２ｆの排気配管２ｃに流す際には、第
２開閉弁１２ａおよび第３開閉弁１３ａを開くとともに
第１開閉弁１１ａおよび第４開閉弁１４ａを閉じる。
【００３５】なお、ガス導入部２ｂに接続された第１配
管１１と第１開閉弁１１ａ、および第２配管１２と第２
開閉弁１２ａは、それぞれプロセスガスの種類と同じ数
だけ設けられている。
管１１と第１開閉弁１１ａ、および第２配管１２と第２
開閉弁１２ａは、それぞれプロセスガスの種類と同じ数
だけ設けられている。
【００３６】つまり、本実施の形態においては、プロセ
スガスが２種類（ジクロルシランガスとアンモニアガ
ス）であるため、それぞれのガス導入部２ｂにおいて２
本の第１配管１１とこれに設置された２つの第１開閉弁
１１ａ、および２本の第２配管１２とこれに設置された
２つの第２開閉弁１２ａが取り付けられている。
スガスが２種類（ジクロルシランガスとアンモニアガ
ス）であるため、それぞれのガス導入部２ｂにおいて２
本の第１配管１１とこれに設置された２つの第１開閉弁
１１ａ、および２本の第２配管１２とこれに設置された
２つの第２開閉弁１２ａが取り付けられている。
【００３７】また、本実施の形態の低圧ＣＶＤ装置に
は、制御部１０によって制御されかつ排気配管２ｃを加
熱する排気部加熱手段である排気部ヒータ１６が、一方
側２ｆの排気配管２ｃと他方側２ｇの排気配管２ｃとの
両者に設けられている。
は、制御部１０によって制御されかつ排気配管２ｃを加
熱する排気部加熱手段である排気部ヒータ１６が、一方
側２ｆの排気配管２ｃと他方側２ｇの排気配管２ｃとの
両者に設けられている。
【００３８】この排気部ヒータ１６は、例えば、それぞ
れの排気配管２ｃの外側に設置され、排気配管２ｃの外
側から排気配管２ｃを加熱するものであり、本実施の形
態では、その加熱温度は、制御部１０によって制御され
る。
れの排気配管２ｃの外側に設置され、排気配管２ｃの外
側から排気配管２ｃを加熱するものであり、本実施の形
態では、その加熱温度は、制御部１０によって制御され
る。
【００３９】また、本実施の形態の低圧ＣＶＤ装置が有
する制御部１０は、ガス供給手段４、真空ポンプ７、ヒ
ータ５、排気部ヒータ１６、第１開閉弁１１ａ、第２開
閉弁１２ａ、第３開閉弁１３ａ、第４開閉弁１４ａおよ
び搬送ロボット１５を制御することができるものであ
る。
する制御部１０は、ガス供給手段４、真空ポンプ７、ヒ
ータ５、排気部ヒータ１６、第１開閉弁１１ａ、第２開
閉弁１２ａ、第３開閉弁１３ａ、第４開閉弁１４ａおよ
び搬送ロボット１５を制御することができるものであ
る。
【００４０】これにより、制御部１０は真空処理容器２
内の真空度と温度、さらには、供給する前記ガスの種類
および排気配管２ｃの温度を制御し、これらを所定の設
定値に調節することができる。
内の真空度と温度、さらには、供給する前記ガスの種類
および排気配管２ｃの温度を制御し、これらを所定の設
定値に調節することができる。
【００４１】すなわち、制御部１０の制御により、真空
処理容器２内に塩化アンモニウムを昇華させる昇華雰囲
気を形成することができる。
処理容器２内に塩化アンモニウムを昇華させる昇華雰囲
気を形成することができる。
【００４２】なお、塩化アンモニウムの昇華条件は、図
３に示す昇華曲線から真空処理容器２内の真空度（圧
力）と温度とをパラメータとして導き出すことができ
る。
３に示す昇華曲線から真空処理容器２内の真空度（圧
力）と温度とをパラメータとして導き出すことができ
る。
【００４３】また、本実施の形態によるパージガス３
は、不活性ガスであり、その一例としてＮ2 ガスの場合
を説明するが、半導体ウェハ１に形成する膜の種類によ
って、Ｈｅ、ＡｒまたはＮＨ3 などのガスを用いてもよ
い。
は、不活性ガスであり、その一例としてＮ2 ガスの場合
を説明するが、半導体ウェハ１に形成する膜の種類によ
って、Ｈｅ、ＡｒまたはＮＨ3 などのガスを用いてもよ
い。
【００４４】本実施の形態の半導体製造方法について説
明する。
明する。
【００４５】前記半導体製造方法は、図１に示す本実施
の形態の低圧ＣＶＤ装置すなわちホットウォール型２枚
搬送同時デポ式の低圧ＣＶＤ装置を用いて半導体ウェハ
１に成膜処理を行い、その後、前記低圧ＣＶＤ装置の真
空処理容器２内で生成された反応副生成物を除去するも
のである。
の形態の低圧ＣＶＤ装置すなわちホットウォール型２枚
搬送同時デポ式の低圧ＣＶＤ装置を用いて半導体ウェハ
１に成膜処理を行い、その後、前記低圧ＣＶＤ装置の真
空処理容器２内で生成された反応副生成物を除去するも
のである。
【００４６】なお、本実施の形態においては、２種類の
プロセスガス（ジクロルシランガスとアンモニアガス）
を用いて半導体ウェハ１に窒化珪素膜を形成し、その
後、成膜時に真空処理容器２内に生成された塩化アンモ
ニウムを除去する場合を説明する。
プロセスガス（ジクロルシランガスとアンモニアガス）
を用いて半導体ウェハ１に窒化珪素膜を形成し、その
後、成膜時に真空処理容器２内に生成された塩化アンモ
ニウムを除去する場合を説明する。
【００４７】さらに、ここで説明する低圧ＣＶＤ装置の
真空処理容器２についても、処理部２ａとガス導入部２
ｂと排気配管２ｃ（排気部）とを有するものであり、真
空処理容器２において、２つのガス導入部２ｂとこれに
応じた２つの排気配管２ｃとが、ガス導入部２ｂから導
入した前記プロセスガスまたはパージガス３が処理部２
ａを介して排気配管２ｃに流れるように、真空処理容器
２の一方側２ｆと他方側２ｇとにそれぞれ設けられてい
る。つまり、前記プロセスガスおよびパージガス３など
のガスの流路系統を２系統有した低圧ＣＶＤ装置であ
る。
真空処理容器２についても、処理部２ａとガス導入部２
ｂと排気配管２ｃ（排気部）とを有するものであり、真
空処理容器２において、２つのガス導入部２ｂとこれに
応じた２つの排気配管２ｃとが、ガス導入部２ｂから導
入した前記プロセスガスまたはパージガス３が処理部２
ａを介して排気配管２ｃに流れるように、真空処理容器
２の一方側２ｆと他方側２ｇとにそれぞれ設けられてい
る。つまり、前記プロセスガスおよびパージガス３など
のガスの流路系統を２系統有した低圧ＣＶＤ装置であ
る。
【００４８】まず、図２に示す制御部１０の制御によ
り、駆動部材６によって真空処理容器２のゲートバルブ
８を開け、搬送ロボット１５を用いて２枚の半導体ウェ
ハ１を管部材２ｄ内の処理部２ａに搬入するウェハ搬入
２０（図４参照）を行い、その後、ゲートバルブ８を閉
じる。
り、駆動部材６によって真空処理容器２のゲートバルブ
８を開け、搬送ロボット１５を用いて２枚の半導体ウェ
ハ１を管部材２ｄ内の処理部２ａに搬入するウェハ搬入
２０（図４参照）を行い、その後、ゲートバルブ８を閉
じる。
【００４９】これにより、真空処理容器２内を外気と遮
断、すなわち密閉する。
断、すなわち密閉する。
【００５０】その後、ヒータ５を制御し、管部材２ｄを
介して真空処理容器２の処理部２ａを所定の温度に加熱
するウェハ加熱２１を行う。
介して真空処理容器２の処理部２ａを所定の温度に加熱
するウェハ加熱２１を行う。
【００５１】本実施の形態では、例えば、処理部２ａに
設けられた温度センサ１７によって温度を検知し、これ
により、処理部２ａおよび半導体ウェハ１を６００〜９
００℃に加熱する。
設けられた温度センサ１７によって温度を検知し、これ
により、処理部２ａおよび半導体ウェハ１を６００〜９
００℃に加熱する。
【００５２】続いて、ガス供給手段４および真空ポンプ
７を制御するとともに第１配管１１の第１開閉弁１１ａ
と第４配管１４の第４開閉弁１４ａとを開き、かつ第２
配管１２の第２開閉弁１２ａと第３配管１３の第３開閉
弁１３ａとを閉じて１回目のプロセスガス導入２２を行
う。
７を制御するとともに第１配管１１の第１開閉弁１１ａ
と第４配管１４の第４開閉弁１４ａとを開き、かつ第２
配管１２の第２開閉弁１２ａと第３配管１３の第３開閉
弁１３ａとを閉じて１回目のプロセスガス導入２２を行
う。
【００５３】つまり、ガス流量計１９を用いてそれぞれ
所定流量に制御された２種類の前記プロセスガスを一方
側２ｆのガス導入部２ｂおいて各々別々に導入する。そ
の後、導入された２種類のプロセスガスは処理部２ａを
通って他方側２ｇの排気配管２ｃに流れる。
所定流量に制御された２種類の前記プロセスガスを一方
側２ｆのガス導入部２ｂおいて各々別々に導入する。そ
の後、導入された２種類のプロセスガスは処理部２ａを
通って他方側２ｇの排気配管２ｃに流れる。
【００５４】この際、ガス流量計１９と真空処理容器２
内の圧力を検知する圧力センサ１８とを用い、かつガス
供給手段４および真空ポンプ７を制御部１０によって制
御することにより、真空処理容器２内を所定の真空度
（圧力）に保つ。
内の圧力を検知する圧力センサ１８とを用い、かつガス
供給手段４および真空ポンプ７を制御部１０によって制
御することにより、真空処理容器２内を所定の真空度
（圧力）に保つ。
【００５５】この状態で、前記プロセスガスを所定時間
流すことにより、半導体ウェハ１に所望の厚さの窒化珪
素膜を成膜することができる。
流すことにより、半導体ウェハ１に所望の厚さの窒化珪
素膜を成膜することができる。
【００５６】その後、第１配管１１の第１開閉弁１１ａ
と第２配管１２の第２開閉弁１２ａとを閉じることによ
り、前記プロセスガスの導入を止め、第３配管１３の第
３開閉弁１３ａと第４配管１４の第４開閉弁１４ａとを
開くとともに真空ポンプ７を制御して真空処理容器２内
を所定の真空度に調節する真空排気２３を行う。
と第２配管１２の第２開閉弁１２ａとを閉じることによ
り、前記プロセスガスの導入を止め、第３配管１３の第
３開閉弁１３ａと第４配管１４の第４開閉弁１４ａとを
開くとともに真空ポンプ７を制御して真空処理容器２内
を所定の真空度に調節する真空排気２３を行う。
【００５７】続いて、ガス供給手段４および真空ポンプ
７を制御するとともに第２配管１２の第２開閉弁１２ａ
と第３配管１３の第３開閉弁１３ａとを開き、かつ第１
配管１１の第１開閉弁１１ａと第４配管１４の第４開閉
弁１４ａとを閉じて２回目のプロセスガス導入２４を行
う。
７を制御するとともに第２配管１２の第２開閉弁１２ａ
と第３配管１３の第３開閉弁１３ａとを開き、かつ第１
配管１１の第１開閉弁１１ａと第４配管１４の第４開閉
弁１４ａとを閉じて２回目のプロセスガス導入２４を行
う。
【００５８】つまり、ガス流量計１９を用いてそれぞれ
所定流量に制御された２種類の前記プロセスガスを他方
側２ｇのガス導入部２ｂにおいて各々別々に導入する。
その後、導入された前記プロセスガスは処理部２ａを通
って一方側２ｆの排気配管２ｃに流れる。
所定流量に制御された２種類の前記プロセスガスを他方
側２ｇのガス導入部２ｂにおいて各々別々に導入する。
その後、導入された前記プロセスガスは処理部２ａを通
って一方側２ｆの排気配管２ｃに流れる。
【００５９】この際、１回目のプロセスガス導入２２と
同様に、ガス流量計１９と真空処理容器２内の圧力を検
知する圧力センサ１８とを用い、かつガス供給手段４お
よび真空ポンプ７を制御部１０によって制御することに
より、真空処理容器２内を所定の真空度（圧力）に保
つ。
同様に、ガス流量計１９と真空処理容器２内の圧力を検
知する圧力センサ１８とを用い、かつガス供給手段４お
よび真空ポンプ７を制御部１０によって制御することに
より、真空処理容器２内を所定の真空度（圧力）に保
つ。
【００６０】この状態で、１回目のプロセスガス導入２
２と同様に、前記プロセスガスを所定時間流すことによ
り、半導体ウェハ１にさらに所望の厚さの窒化珪素膜を
成膜することができる。
２と同様に、前記プロセスガスを所定時間流すことによ
り、半導体ウェハ１にさらに所望の厚さの窒化珪素膜を
成膜することができる。
【００６１】なお、２回目のプロセスガス導入２４は、
窒化珪素膜を半導体ウェハ１上に均一に堆積させるため
であり、処理部２ａにおいて、前記プロセスガスを１回
目と２回目とで相反する方向に流すことにより、半導体
ウェハ１上において均一な成膜を行うことができる。
窒化珪素膜を半導体ウェハ１上に均一に堆積させるため
であり、処理部２ａにおいて、前記プロセスガスを１回
目と２回目とで相反する方向に流すことにより、半導体
ウェハ１上において均一な成膜を行うことができる。
【００６２】ただし、プロセスガスを導入する回数は、
２回に限らず、必要に応じてその回数を変えることは可
能である。
２回に限らず、必要に応じてその回数を変えることは可
能である。
【００６３】その後、成膜処理終了判定２５を実行す
る。
る。
【００６４】すなわち、所望厚さの窒化珪素膜を形成で
きた場合、成膜処理を終了し、できなかった場合、成膜
処理を繰り返して行う。
きた場合、成膜処理を終了し、できなかった場合、成膜
処理を繰り返して行う。
【００６５】なお、窒化珪素膜の成膜処理を行った際に
は、真空処理容器２内、特にその排気部である排気配管
２ｃの内壁には反応副生成物である塩化アンモニウムが
付着する。
は、真空処理容器２内、特にその排気部である排気配管
２ｃの内壁には反応副生成物である塩化アンモニウムが
付着する。
【００６６】続いて、成膜処理終了後、制御部１０によ
ってゲートバルブ８を開き、さらに搬送ロボット１５を
用いて真空処理容器２内から半導体ウェハ１を取り出す
ウェハ搬出２６を行い、半導体ウェハ１を所定箇所に搬
送する。
ってゲートバルブ８を開き、さらに搬送ロボット１５を
用いて真空処理容器２内から半導体ウェハ１を取り出す
ウェハ搬出２６を行い、半導体ウェハ１を所定箇所に搬
送する。
【００６７】さらに、真空処理容器２内から半導体ウェ
ハ１を搬出した後、真空処理容器２内のパージ処理を行
う。
ハ１を搬出した後、真空処理容器２内のパージ処理を行
う。
【００６８】なお、本実施の形態におけるパージガス３
は、Ｎ2 ガスである。
は、Ｎ2 ガスである。
【００６９】まず、図２に示す制御部１０によって排気
配管２ｃに設けられた温度センサ１７の温度を検知しな
がら排気部ヒータ１６を制御し、これにより、排気配管
２ｃの温度を８０〜１８０℃、好ましくは、１５０℃に
加熱する。
配管２ｃに設けられた温度センサ１７の温度を検知しな
がら排気部ヒータ１６を制御し、これにより、排気配管
２ｃの温度を８０〜１８０℃、好ましくは、１５０℃に
加熱する。
【００７０】続いて、ガス供給手段４および真空ポンプ
７を制御するとともに第１配管１１の第１開閉弁１１ａ
と第４配管１４の第４開閉弁１４ａとを開き、かつ第２
配管１２の第２開閉弁１２ａと第３配管１３の第３開閉
弁１３ａとを閉じて１回目のパージガス導入２７を行
う。
７を制御するとともに第１配管１１の第１開閉弁１１ａ
と第４配管１４の第４開閉弁１４ａとを開き、かつ第２
配管１２の第２開閉弁１２ａと第３配管１３の第３開閉
弁１３ａとを閉じて１回目のパージガス導入２７を行
う。
【００７１】なお、本実施の形態では、ガス流量計１９
を用い、制御部１０によって１ｌ／ｍｉｎ以上、好まし
くは、４ｌ／ｍｉｎに制御したＮ2 ガス（パージガス
３）を５分間流す。
を用い、制御部１０によって１ｌ／ｍｉｎ以上、好まし
くは、４ｌ／ｍｉｎに制御したＮ2 ガス（パージガス
３）を５分間流す。
【００７２】これは、パージガス３の量が管部材２ｄ
（反応炉）の内部容積の３倍以上となるように、単位時
間あたりのＮ2 ガスの流量と流す時間とを設定するもの
であり、例えば、直径２００ｍｍまでの半導体ウェハ１
の成膜処理に用いられる管部材２ｄの場合、４ｌ／ｍｉ
ｎを５分間流すのが適量とされているためである。
（反応炉）の内部容積の３倍以上となるように、単位時
間あたりのＮ2 ガスの流量と流す時間とを設定するもの
であり、例えば、直径２００ｍｍまでの半導体ウェハ１
の成膜処理に用いられる管部材２ｄの場合、４ｌ／ｍｉ
ｎを５分間流すのが適量とされているためである。
【００７３】これにより、真空処理容器２の一方側２ｆ
のガス導入部２ｂから導入したパージガス３を処理部２
ａを通して（介して）他方側２ｇの排気配管２ｃに流
す。
のガス導入部２ｂから導入したパージガス３を処理部２
ａを通して（介して）他方側２ｇの排気配管２ｃに流
す。
【００７４】この際、ガス流量計１９と真空処理容器２
内の圧力を検知する圧力センサ１８とを用い、かつガス
供給手段４および真空ポンプ７を制御部１０によって制
御することにより、真空処理容器２内の圧力を８０Ｐａ
に保つ。
内の圧力を検知する圧力センサ１８とを用い、かつガス
供給手段４および真空ポンプ７を制御部１０によって制
御することにより、真空処理容器２内の圧力を８０Ｐａ
に保つ。
【００７５】その後、第１配管１１の第１開閉弁１１ａ
と第２配管１２の第２開閉弁１２ａとを閉じることによ
り、パージガス３の導入を止め、第３配管１３の第３開
閉弁１３ａと第４配管１４の第４開閉弁１４ａとを開く
とともに真空ポンプ７を制御して真空処理容器２内の圧
力を約0.１Ｐａに調節する真空排気２８を行う。
と第２配管１２の第２開閉弁１２ａとを閉じることによ
り、パージガス３の導入を止め、第３配管１３の第３開
閉弁１３ａと第４配管１４の第４開閉弁１４ａとを開く
とともに真空ポンプ７を制御して真空処理容器２内の圧
力を約0.１Ｐａに調節する真空排気２８を行う。
【００７６】すなわち、真空処理容器２内を約0.１Ｐａ
に減圧することにより、真空処理容器２内に塩化アンモ
ニウムの昇華雰囲気を形成する。
に減圧することにより、真空処理容器２内に塩化アンモ
ニウムの昇華雰囲気を形成する。
【００７７】この時、排気配管２ｃの温度は、１５０℃
であってもよいし、これ以外の温度であってもよい。
であってもよいし、これ以外の温度であってもよい。
【００７８】また、前記減圧を行う時間は、例えば、５
分程度でよいが、これ以外の時間であってもよい。
分程度でよいが、これ以外の時間であってもよい。
【００７９】つまり、図３に示す塩化アンモニウムの昇
華曲線図を用いて、真空処理容器２内の圧力と温度（特
に、排気配管２ｃの温度）とが、塩化アンモニウムを昇
華させる条件を満たしていればよい。
華曲線図を用いて、真空処理容器２内の圧力と温度（特
に、排気配管２ｃの温度）とが、塩化アンモニウムを昇
華させる条件を満たしていればよい。
【００８０】例えば、図３に示すように、真空処理容器
２内の圧力を６０Ｐａとすると、排気配管２ｃの温度を
約１５０℃以上に調節する必要があり、真空処理容器２
内の圧力を２００Ｐａとすると、排気配管２ｃの温度を
約１７０℃以上に調節する必要がある。
２内の圧力を６０Ｐａとすると、排気配管２ｃの温度を
約１５０℃以上に調節する必要があり、真空処理容器２
内の圧力を２００Ｐａとすると、排気配管２ｃの温度を
約１７０℃以上に調節する必要がある。
【００８１】これにより、他方側２ｇの排気配管２ｃ内
に付着した塩化アンモニウムを昇華させることができ、
かつ昇華させた塩化アンモニウムをパージガス３ととも
に排気することができる。
に付着した塩化アンモニウムを昇華させることができ、
かつ昇華させた塩化アンモニウムをパージガス３ととも
に排気することができる。
【００８２】その後、図２に示す制御部１０によってガ
ス供給手段４および真空ポンプ７を制御するとともに第
２配管１２の第２開閉弁１２ａと第３配管１３の第３開
閉弁１３ａとを開き、かつ第１配管１１の第１開閉弁１
１ａと第４配管１４の第４開閉弁１４ａとを閉じて２回
目のパージガス導入２９を行う。
ス供給手段４および真空ポンプ７を制御するとともに第
２配管１２の第２開閉弁１２ａと第３配管１３の第３開
閉弁１３ａとを開き、かつ第１配管１１の第１開閉弁１
１ａと第４配管１４の第４開閉弁１４ａとを閉じて２回
目のパージガス導入２９を行う。
【００８３】なお、２回目のパージガス導入２９におい
ても、ガス流量計１９を用い、制御部１０によって１ｌ
／ｍｉｎ以上、好ましくは、４ｌ／ｍｉｎに制御したパ
ージガス３を５分間流す。
ても、ガス流量計１９を用い、制御部１０によって１ｌ
／ｍｉｎ以上、好ましくは、４ｌ／ｍｉｎに制御したパ
ージガス３を５分間流す。
【００８４】これにより、真空処理容器２の他方側２ｇ
のガス導入部２ｂから導入したパージガス３を、処理部
２ａを通して（介して）一方側２ｆの排気配管２ｃに流
すとともに、真空処理容器２内を再び８０Ｐａに増圧す
る。
のガス導入部２ｂから導入したパージガス３を、処理部
２ａを通して（介して）一方側２ｆの排気配管２ｃに流
すとともに、真空処理容器２内を再び８０Ｐａに増圧す
る。
【００８５】増圧後、第１配管１１の第１開閉弁１１ａ
と第２配管１２の第２開閉弁１２ａとを閉じることによ
り、パージガス３の導入を止め、第３配管１３の第３開
閉弁１３ａと第４配管１４の第４開閉弁１４ａとを開く
とともに真空ポンプ７を制御して真空処理容器２内の圧
力を約0.１Ｐａに調節する真空排気３０を行う。
と第２配管１２の第２開閉弁１２ａとを閉じることによ
り、パージガス３の導入を止め、第３配管１３の第３開
閉弁１３ａと第４配管１４の第４開閉弁１４ａとを開く
とともに真空ポンプ７を制御して真空処理容器２内の圧
力を約0.１Ｐａに調節する真空排気３０を行う。
【００８６】すなわち、真空排気２８の時と同様に、真
空処理容器２内を約0.１Ｐａに減圧することにより、真
空処理容器２内に塩化アンモニウムの昇華雰囲気を形成
する。
空処理容器２内を約0.１Ｐａに減圧することにより、真
空処理容器２内に塩化アンモニウムの昇華雰囲気を形成
する。
【００８７】この時、真空排気２８の時と同様に、排気
配管２ｃの温度は、１５０℃であってもよいし、これ以
外の温度であってもよく、また、前記減圧を行う時間
は、例えば、５分程度でよいが、これ以外の時間であっ
てもよい。
配管２ｃの温度は、１５０℃であってもよいし、これ以
外の温度であってもよく、また、前記減圧を行う時間
は、例えば、５分程度でよいが、これ以外の時間であっ
てもよい。
【００８８】つまり、図３に示す塩化アンモニウムの昇
華曲線図を用いて、真空処理容器２内の圧力と温度（特
に、排気配管２ｃの温度）とが、塩化アンモニウムを昇
華させる条件を満たしていればよい。
華曲線図を用いて、真空処理容器２内の圧力と温度（特
に、排気配管２ｃの温度）とが、塩化アンモニウムを昇
華させる条件を満たしていればよい。
【００８９】これにより、一方側２ｆの排気配管２ｃ内
に付着した塩化アンモニウムを昇華させることができ、
かつ昇華させた塩化アンモニウムをパージガス３ととも
に排気することができる。
に付着した塩化アンモニウムを昇華させることができ、
かつ昇華させた塩化アンモニウムをパージガス３ととも
に排気することができる。
【００９０】その後、パージ処理終了判定３１を実行す
る。
る。
【００９１】ここで、図４に示す作業において、１回目
のパージガス導入２７から真空排気３０までの作業すな
わちパージ処理は、作業者のパージ処理終了の指示があ
るまで行う。
のパージガス導入２７から真空排気３０までの作業すな
わちパージ処理は、作業者のパージ処理終了の指示があ
るまで行う。
【００９２】なお、本実施の形態では、低圧ＣＶＤ装置
において、成膜処理が終了した後、次の成膜処理を開始
するまでの間、すなわち前記低圧ＣＶＤ装置が窒化珪素
膜を形成する（成膜処理）ために真空処理容器２を使用
する時以外の時は、作業者のパージ処理終了の指示があ
るまで前記パージ処理を続けて行うものとする。
において、成膜処理が終了した後、次の成膜処理を開始
するまでの間、すなわち前記低圧ＣＶＤ装置が窒化珪素
膜を形成する（成膜処理）ために真空処理容器２を使用
する時以外の時は、作業者のパージ処理終了の指示があ
るまで前記パージ処理を続けて行うものとする。
【００９３】ただし、前記低圧ＣＶＤ装置が前記成膜処
理を行っていない時であっても、真空処理容器２内に塩
化アンモニウムが付着していない場合は、必ずしも前記
パージ処理を行わなくてもよいことは言うまでもない。
理を行っていない時であっても、真空処理容器２内に塩
化アンモニウムが付着していない場合は、必ずしも前記
パージ処理を行わなくてもよいことは言うまでもない。
【００９４】また、真空処理容器２の一方側２ｆのガス
導入部２ｂからパージガス３を導入しかつパージガス３
を処理部２ａを介して真空処理容器２の他方側２ｇの排
気配管２ｃに流すことと、他方側２ｇのガス導入部２ｂ
からパージガス３を導入しかつパージガス３を処理部２
ａを介して一方側２ｆの排気配管２ｃに流すことは、そ
れぞれを一対として間欠的に繰り返して複数回実行する
ことが好ましい。
導入部２ｂからパージガス３を導入しかつパージガス３
を処理部２ａを介して真空処理容器２の他方側２ｇの排
気配管２ｃに流すことと、他方側２ｇのガス導入部２ｂ
からパージガス３を導入しかつパージガス３を処理部２
ａを介して一方側２ｆの排気配管２ｃに流すことは、そ
れぞれを一対として間欠的に繰り返して複数回実行する
ことが好ましい。
【００９５】なお、塩化アンモニウムの付着度によっ
て、その間欠的に繰り返す回数は変更可能であることは
言うまでもない。
て、その間欠的に繰り返す回数は変更可能であることは
言うまでもない。
【００９６】本実施の形態の半導体製造方法および装置
によれば、以下のような作用効果が得られる。
によれば、以下のような作用効果が得られる。
【００９７】すなわち、半導体ウェハ１に成膜処理を行
った後、真空処理容器２内にパージガス３を供給し、真
空処理容器２内の真空度または排気配管２ｃの温度を制
御して真空処理容器２内に塩化アンモニウム（反応副生
成物）の昇華雰囲気を形成することにより、真空処理容
器２内に生成された塩化アンモニウムを昇華すなわち固
体から気体に変えることができる。
った後、真空処理容器２内にパージガス３を供給し、真
空処理容器２内の真空度または排気配管２ｃの温度を制
御して真空処理容器２内に塩化アンモニウム（反応副生
成物）の昇華雰囲気を形成することにより、真空処理容
器２内に生成された塩化アンモニウムを昇華すなわち固
体から気体に変えることができる。
【００９８】その結果、気体に変化した塩化アンモニウ
ムをパージガス３とともに排気することにより、真空処
理容器２内から塩化アンモニウムを除去することが可能
になる。
ムをパージガス３とともに排気することにより、真空処
理容器２内から塩化アンモニウムを除去することが可能
になる。
【００９９】したがって、塩化アンモニウムが真空処理
容器２の排気配管２ｃ内に留まることを防止でき、これ
により、低圧ＣＶＤ装置（半導体製造装置）におけるメ
ンテナンスの頻度を低減させることができる。
容器２の排気配管２ｃ内に留まることを防止でき、これ
により、低圧ＣＶＤ装置（半導体製造装置）におけるメ
ンテナンスの頻度を低減させることができる。
【０１００】本実施の形態では、低圧ＣＶＤ装置のメン
テナンスを行う際の目安である管部材２ｄへの窒化珪素
膜の累積膜厚を約2.５μｍにする（従来の低圧ＣＶＤ装
置では約１μｍ）ことができ、その結果、メンテナンス
の頻度を大幅に低減することができる。
テナンスを行う際の目安である管部材２ｄへの窒化珪素
膜の累積膜厚を約2.５μｍにする（従来の低圧ＣＶＤ装
置では約１μｍ）ことができ、その結果、メンテナンス
の頻度を大幅に低減することができる。
【０１０１】さらに、塩化アンモニウムが排気配管２ｃ
内に付着し続けることを防止できるため、半導体ウェハ
１の搬入出時などに半導体ウェハ１に塩化アンモニウム
が付着することを防止できる。
内に付着し続けることを防止できるため、半導体ウェハ
１の搬入出時などに半導体ウェハ１に塩化アンモニウム
が付着することを防止できる。
【０１０２】これにより、半導体ウェハ１の歩留りを向
上させることができる。
上させることができる。
【０１０３】また、真空処理容器２内でパージガス３を
流す際に、真空処理容器２の一方側２ｆのガス導入部２
ｂからパージガス３を導入しかつパージガス３を処理部
２ａを介して真空処理容器２の他方側２ｇの排気配管２
ｃに流すことと、他方側２ｇのガス導入部２ｂからパー
ジガス３を導入しかつパージガス３を処理部２ａを介し
て一方側２ｆの排気配管２ｃに流すこととを複数回（少
なくとも両者を１回）行うことにより、塩化アンモニウ
ムの真空処理容器２内への逆拡散を防ぐことができる。
流す際に、真空処理容器２の一方側２ｆのガス導入部２
ｂからパージガス３を導入しかつパージガス３を処理部
２ａを介して真空処理容器２の他方側２ｇの排気配管２
ｃに流すことと、他方側２ｇのガス導入部２ｂからパー
ジガス３を導入しかつパージガス３を処理部２ａを介し
て一方側２ｆの排気配管２ｃに流すこととを複数回（少
なくとも両者を１回）行うことにより、塩化アンモニウ
ムの真空処理容器２内への逆拡散を防ぐことができる。
【０１０４】その結果、真空処理容器２内における塩化
アンモニウムおよび他の異物の付着を防止できるととも
に、生成される塩化アンモニウムを希釈できる。
アンモニウムおよび他の異物の付着を防止できるととも
に、生成される塩化アンモニウムを希釈できる。
【０１０５】これにより、真空処理容器２内で生成され
る塩化アンモニウムの量を減らすことができ、その結
果、真空処理容器２内への塩化アンモニウムの付着を低
減できる。
る塩化アンモニウムの量を減らすことができ、その結
果、真空処理容器２内への塩化アンモニウムの付着を低
減できる。
【０１０６】また、半導体ウェハ１への成膜処理終了
後、ガス導入部２ｂから排気配管２ｃに対して処理部２
ａを介してパージガス３を流すことにより、処理部２ａ
で加熱されたパージガス３が排気配管２ｃに到達するた
め、前記加熱されたパージガス３によって排気配管２ｃ
の内部を加熱することができる。
後、ガス導入部２ｂから排気配管２ｃに対して処理部２
ａを介してパージガス３を流すことにより、処理部２ａ
で加熱されたパージガス３が排気配管２ｃに到達するた
め、前記加熱されたパージガス３によって排気配管２ｃ
の内部を加熱することができる。
【０１０７】これにより、排気配管２ｃを加熱する際に
効率良く加熱することができる。
効率良く加熱することができる。
【０１０８】以上、本発明者によってなされた発明を発
明の実施の形態に基づき具体的に説明したが、本発明は
前記発明の実施の形態に限定されるものではなく、その
要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能であることは言う
までもない。
明の実施の形態に基づき具体的に説明したが、本発明は
前記発明の実施の形態に限定されるものではなく、その
要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能であることは言う
までもない。
【０１０９】例えば、前記実施の形態においては、真空
処理容器内の真空度の制御あるいは減圧を行う際に、第
１開閉弁と第２開閉弁とを閉じることによりガス導入部
からのパージガスの導入を停止させる場合について説明
したが、真空処理容器内の真空度の制御あるいは真空処
理容器内の減圧を行う際には、前記第１開閉弁と前記第
２開閉弁とを開いた状態で、前記パージガスの導入量の
制御もしくは真空排気量の制御を行うことにより、前記
真空度の制御または前記減圧の制御を行ってもよい。
処理容器内の真空度の制御あるいは減圧を行う際に、第
１開閉弁と第２開閉弁とを閉じることによりガス導入部
からのパージガスの導入を停止させる場合について説明
したが、真空処理容器内の真空度の制御あるいは真空処
理容器内の減圧を行う際には、前記第１開閉弁と前記第
２開閉弁とを開いた状態で、前記パージガスの導入量の
制御もしくは真空排気量の制御を行うことにより、前記
真空度の制御または前記減圧の制御を行ってもよい。
【０１１０】すなわち、前記実施の形態において真空処
理容器２内に塩化アンモニウムの昇華雰囲気を形成する
際に、一方側２ｆもしくは他方側２ｇのガス導入部２ｂ
からパージガス３を導入して真空処理容器２内を８０Ｐ
ａに調節した後、第１開閉弁１１ａと第２開閉弁１２ａ
とを開け、かつ第３開閉弁１３ａと第４開閉弁１４ａも
開けてパージガス３の流量を０〜２ｌ／ｍｉｎとして、
例えば、５分程度流す（ただし、５分以外の時間でもよ
い）。
理容器２内に塩化アンモニウムの昇華雰囲気を形成する
際に、一方側２ｆもしくは他方側２ｇのガス導入部２ｂ
からパージガス３を導入して真空処理容器２内を８０Ｐ
ａに調節した後、第１開閉弁１１ａと第２開閉弁１２ａ
とを開け、かつ第３開閉弁１３ａと第４開閉弁１４ａも
開けてパージガス３の流量を０〜２ｌ／ｍｉｎとして、
例えば、５分程度流す（ただし、５分以外の時間でもよ
い）。
【０１１１】さらに、排気配管２ｃの温度を１５０℃以
上に加熱することにより、真空処理容器２内に塩化アン
モニウムの昇華雰囲気を形成することが可能になる。
上に加熱することにより、真空処理容器２内に塩化アン
モニウムの昇華雰囲気を形成することが可能になる。
【０１１２】また、前記実施の形態では、半導体製造装
置が低圧ＣＶＤ装置の場合を説明したが、前記半導体製
造装置は、窒化珪素膜、多結晶珪素膜、エピタキシャル
珪素膜、酸化珪素膜または酸化タンタル膜を形成可能な
他の成膜装置であってもよく、さらに、半導体ウェハに
熱処理または酸化処理を行う酸化装置、もしくは、前記
半導体ウェハに気相から不純物を注入するドーピング装
置であってもよい。
置が低圧ＣＶＤ装置の場合を説明したが、前記半導体製
造装置は、窒化珪素膜、多結晶珪素膜、エピタキシャル
珪素膜、酸化珪素膜または酸化タンタル膜を形成可能な
他の成膜装置であってもよく、さらに、半導体ウェハに
熱処理または酸化処理を行う酸化装置、もしくは、前記
半導体ウェハに気相から不純物を注入するドーピング装
置であってもよい。
【０１１３】すなわち、図１に示した半導体製造装置を
用い、かつプロセスガスを所定のガスに交換するととも
に、半導体ウェハへの処理条件を所定の条件として所定
の処理を行った際に、真空処理容器内で生成される反応
副生成物を前記実施の形態の半導体製造方法と同様の方
法によって（ただし、真空処理容器内に昇華雰囲気を形
成するための条件は、半導体ウェハへの処理ごとまたは
反応副生成物の種類によって異なる）反応副生成物を昇
華させて排気することができる。
用い、かつプロセスガスを所定のガスに交換するととも
に、半導体ウェハへの処理条件を所定の条件として所定
の処理を行った際に、真空処理容器内で生成される反応
副生成物を前記実施の形態の半導体製造方法と同様の方
法によって（ただし、真空処理容器内に昇華雰囲気を形
成するための条件は、半導体ウェハへの処理ごとまたは
反応副生成物の種類によって異なる）反応副生成物を昇
華させて排気することができる。
【０１１４】この場合の半導体製造方法は、半導体ウェ
ハの処理が行われる処理部とこれに連通するガス導入部
および排気部とからなる真空処理容器の前記処理部で前
記半導体ウェハに所定の処理を行った後、前記真空処理
容器内にパージガスを供給する工程と、前記真空処理容
器内の真空度または前記排気部の温度のうちの少なくと
も何れか一方もしくは両者を制御して前記真空処理容器
内に昇華雰囲気を形成し、前記真空処理容器内に生成さ
れた反応副生成物を昇華させる工程と、前記反応副生成
物を前記パージガスとともに排気する工程とを有するも
のである。
ハの処理が行われる処理部とこれに連通するガス導入部
および排気部とからなる真空処理容器の前記処理部で前
記半導体ウェハに所定の処理を行った後、前記真空処理
容器内にパージガスを供給する工程と、前記真空処理容
器内の真空度または前記排気部の温度のうちの少なくと
も何れか一方もしくは両者を制御して前記真空処理容器
内に昇華雰囲気を形成し、前記真空処理容器内に生成さ
れた反応副生成物を昇華させる工程と、前記反応副生成
物を前記パージガスとともに排気する工程とを有するも
のである。
【０１１５】
【発明の効果】本願において開示される発明のうち、代
表的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば以
下のとおりである。
表的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば以
下のとおりである。
【０１１６】（１）．半導体ウェハに所定の処理を行っ
た後、真空処理容器内の真空度または排気部の温度のう
ちの少なくとも何れかを制御して真空処理容器内に昇華
雰囲気を形成することにより、真空処理容器内に生成さ
れた反応副生成物を昇華させることができる。その結
果、反応副生成物をパージガスとともに排気することに
より、反応副生成物が真空処理容器内に留まることを防
止でき、これにより、半導体製造装置におけるメンテナ
ンスの頻度を低減させることができる。
た後、真空処理容器内の真空度または排気部の温度のう
ちの少なくとも何れかを制御して真空処理容器内に昇華
雰囲気を形成することにより、真空処理容器内に生成さ
れた反応副生成物を昇華させることができる。その結
果、反応副生成物をパージガスとともに排気することに
より、反応副生成物が真空処理容器内に留まることを防
止でき、これにより、半導体製造装置におけるメンテナ
ンスの頻度を低減させることができる。
【０１１７】（２）．反応副生成物が排気部の内部に付
着し続けることを防止できるため、半導体ウェハの搬入
出時などに半導体ウェハに反応副生成物が付着すること
を防止できる。これにより、半導体ウェハの歩留りを向
上させることができる。
着し続けることを防止できるため、半導体ウェハの搬入
出時などに半導体ウェハに反応副生成物が付着すること
を防止できる。これにより、半導体ウェハの歩留りを向
上させることができる。
【０１１８】（３）．真空処理容器内でパージガスを流
す際に、真空処理容器の一方側のガス導入部からパージ
ガスを導入しかつパージガスを処理部を介して真空処理
容器の他方側の排気部に流すことと、他方側のガス導入
部からパージガスを導入しかつパージガスを処理部を介
して一方側の排気部に流すこととを少なくとも１回行う
ことにより、反応副生成物の真空処理容器内への逆拡散
を防ぐことができる。その結果、真空処理容器内で生成
される反応副生成物の量を減らすことができ、これによ
り、真空処理容器内への反応副生成物の付着を低減でき
る。
す際に、真空処理容器の一方側のガス導入部からパージ
ガスを導入しかつパージガスを処理部を介して真空処理
容器の他方側の排気部に流すことと、他方側のガス導入
部からパージガスを導入しかつパージガスを処理部を介
して一方側の排気部に流すこととを少なくとも１回行う
ことにより、反応副生成物の真空処理容器内への逆拡散
を防ぐことができる。その結果、真空処理容器内で生成
される反応副生成物の量を減らすことができ、これによ
り、真空処理容器内への反応副生成物の付着を低減でき
る。
【図１】本発明による半導体製造装置の構造の実施の形
態の一例を一部断面にして示す構成概念図である。
態の一例を一部断面にして示す構成概念図である。
【図２】本発明による半導体製造装置の制御系の構造の
実施の形態の一例を示す制御ブロック図である。
実施の形態の一例を示す制御ブロック図である。
【図３】本発明の半導体製造装置において生成される反
応副生成物（塩化アンモニウム）の昇華条件の実施の形
態の一例を示す昇華曲線図である。
応副生成物（塩化アンモニウム）の昇華条件の実施の形
態の一例を示す昇華曲線図である。
【図４】本発明の半導体製造方法におけるシーケンス制
御の手順の実施の形態の一例を示す制御フローである。
御の手順の実施の形態の一例を示す制御フローである。
１ 半導体ウェハ ２ 真空処理容器 ２ａ 処理部 ２ｂ ガス導入部 ２ｃ 排気配管（排気部） ２ｄ 管部材 ２ｅ フランジ部材 ２ｆ 一方側 ２ｇ 他方側 ３ パージガス ４ ガス供給手段 ５ ヒータ（主加熱手段） ６ 駆動部材 ７ 真空ポンプ（排気手段） ８ ゲートバルブ ８ａ フランジ面 ９ 開閉バルブ ９ａ フランジ面 １０ 制御部 １１ 第１配管 １１ａ 第１開閉弁 １２ 第２配管 １２ａ 第２開閉弁 １３ 第３配管 １３ａ 第３開閉弁 １４ 第４配管 １４ａ 第４開閉弁 １５ 搬送ロボット １６ 排気部ヒータ（排気部加熱手段） １７ 温度センサ １８ 圧力センサ １９ ガス流量計 ２０ ウェハ搬入 ２１ ウェハ加熱 ２２ １回目のプロセスガス導入 ２３ 真空排気 ２４ ２回目のプロセスガス導入 ２５ 成膜処理終了判定 ２６ ウェハ搬出 ２７ １回目のパージガス導入 ２８ 真空排気 ２９ ２回目のパージガス導入 ３０ 真空排気 ３１ パージ処理終了判定
Claims (9)
- 【請求項１】 半導体ウェハの処理が行われる処理部と
これに連通するガス導入部および排気部とからなる真空
処理容器の前記処理部で前記半導体ウェハに所定の処理
を行った後、前記真空処理容器内にパージガスを供給す
る工程と、 前記真空処理容器内の真空度または前記排気部の温度の
うちの少なくとも何れか一方もしくは両者を制御して前
記真空処理容器内に昇華雰囲気を形成し、前記真空処理
容器内に生成された反応副生成物を昇華させる工程と、 前記反応副生成物を前記パージガスとともに排気する工
程とを有することを特徴とする半導体製造方法。 - 【請求項２】 請求項１記載の半導体製造方法であっ
て、前記真空処理容器の一方側のガス導入部から前記パ
ージガスを導入しかつ前記パージガスを前記処理部を介
して前記真空処理容器の他方側の排気部に流す工程と、
前記他方側のガス導入部から前記パージガスを導入しか
つ前記パージガスを前記処理部を介して前記一方側の排
気部に流す工程とを有し、それぞれの工程を少なくとも
１回行うことを特徴とする半導体製造方法。 - 【請求項３】 半導体ウェハの処理が行われる処理部と
これに連通する複数のガス導入部および複数の排気部と
からなる真空処理容器の前記処理部で前記半導体ウェハ
に成膜処理を行った後、前記真空処理容器の一方側のガ
ス導入部からパージガスを導入しかつ前記パージガスを
前記処理部を介して前記真空処理容器の他方側の排気部
に流す工程と、 前記真空処理容器内の減圧または前記排気部の加熱の何
れか一方もしくは両者を行って前記真空処理容器内に昇
華雰囲気を形成し、前記真空処理容器内に生成された反
応副生成物を昇華させる工程と、 前記他方側のガス導入部から前記パージガスを導入しか
つ前記パージガスを前記処理部を介して前記一方側の排
気部に流して前記真空処理容器内を増圧する工程と、 増圧後、前記真空処理容器内の減圧または前記排気部の
加熱の何れか一方もしくは両者を行って前記真空処理容
器内に昇華雰囲気を形成し、前記真空処理容器内に生成
された反応副生成物を昇華させる工程と、 前記反応副生成物を前記パージガスとともに排気する工
程とを有することを特徴とする半導体製造方法。 - 【請求項４】 請求項１，２または３記載の半導体製造
方法であって、前記真空処理容器内の真空度の制御ある
いは減圧を行う際に、前記ガス導入部からの前記パージ
ガスの導入の停止または前記パージガスの導入量の制御
もしくは真空排気量の制御によって行うことを特徴とす
る半導体製造方法。 - 【請求項５】 外気と遮断し、かつ半導体ウェハに所定
の処理が行われる処理部を備えた真空処理容器と、 前記処理部と連通したガス導入部を介してプロセスガス
またはパージガスを前記処理部に供給するガス供給手段
と、 前記処理部と連通した排気部を介して前記プロセスガス
または前記パージガスを前記真空処理容器外に排気する
排気手段と、 前記処理部を加熱する主加熱手段と、 前記真空処理容器内をこの中に生成された反応副生成物
を昇華させる昇華雰囲気に制御する制御部とを有し、 前記半導体ウェハへの所定の処理終了後、前記制御部に
よって前記反応副生成物を昇華させ、前記反応副生成物
を前記パージガスとともに排気し得ることを特徴とする
半導体製造装置。 - 【請求項６】 請求項５記載の半導体製造装置であっ
て、複数の前記ガス導入部とこれに応じた複数の前記排
気部とが、前記ガス導入部から導入した前記プロセスガ
スまたは前記パージガスが前記処理部を介して前記排気
部に流れるように前記真空処理容器の一方側と他方側と
にそれぞれ設けられていることを特徴とする半導体製造
装置。 - 【請求項７】 請求項５または６記載の半導体製造装置
であって、前記制御部によって制御され、かつ前記排気
部を加熱する排気部加熱手段が設けられていることを特
徴とする半導体製造装置。 - 【請求項８】 請求項５，６または７記載の半導体製造
装置であって、前記制御部によって前記ガス供給手段お
よび前記排気手段が制御され、前記制御部により前記真
空処理容器内の真空度を調節し得ることを特徴とする半
導体製造装置。 - 【請求項９】 請求項５，６，７または８記載の半導体
製造装置であって、前記半導体ウェハに窒化珪素膜、多
結晶珪素膜、エピタキシャル珪素膜、酸化珪素膜または
酸化タンタル膜を形成する成膜装置、前記半導体ウェハ
に熱処理または酸化処理を行う酸化装置、もしくは、前
記半導体ウェハに気相から不純物を注入するドーピング
装置であることを特徴とする半導体製造装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP31337796A JP3729578B2 (ja) | 1996-11-25 | 1996-11-25 | 半導体製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP31337796A JP3729578B2 (ja) | 1996-11-25 | 1996-11-25 | 半導体製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10154702A true JPH10154702A (ja) | 1998-06-09 |
| JP3729578B2 JP3729578B2 (ja) | 2005-12-21 |
Family
ID=18040542
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP31337796A Expired - Fee Related JP3729578B2 (ja) | 1996-11-25 | 1996-11-25 | 半導体製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3729578B2 (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003504883A (ja) * | 1999-07-09 | 2003-02-04 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド | 半導体ウエハ上に窒化珪素層を形成するための方法 |
| JP2003209100A (ja) * | 2002-01-15 | 2003-07-25 | Tokura Kogyo Kk | Ｃｖｄ排気系配管に付着堆積した塩化アンモニウムの除去方法 |
| JP2005531623A (ja) * | 2002-06-28 | 2005-10-20 | マックス−プランク−ゲゼルシャフト・ツア・フェルデルング・デア・ヴィッセンシャフテン・エー・ファオ | 窒素架橋機能を有する分子一成分前駆体の統合された連続的製造方法 |
| JP2013503464A (ja) * | 2009-08-25 | 2013-01-31 | アイクストロン、エスイー | Ｃｖｄ方法およびｃｖｄ反応炉 |
| WO2013100462A1 (ko) * | 2011-12-26 | 2013-07-04 | 주식회사 원익아이피에스 | 기판처리장치 |
-
1996
- 1996-11-25 JP JP31337796A patent/JP3729578B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003504883A (ja) * | 1999-07-09 | 2003-02-04 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド | 半導体ウエハ上に窒化珪素層を形成するための方法 |
| JP4889173B2 (ja) * | 1999-07-09 | 2012-03-07 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド | 半導体ウエハ上に窒化珪素層を形成するための方法 |
| JP2003209100A (ja) * | 2002-01-15 | 2003-07-25 | Tokura Kogyo Kk | Ｃｖｄ排気系配管に付着堆積した塩化アンモニウムの除去方法 |
| JP2005531623A (ja) * | 2002-06-28 | 2005-10-20 | マックス−プランク−ゲゼルシャフト・ツア・フェルデルング・デア・ヴィッセンシャフテン・エー・ファオ | 窒素架橋機能を有する分子一成分前駆体の統合された連続的製造方法 |
| JP2013503464A (ja) * | 2009-08-25 | 2013-01-31 | アイクストロン、エスイー | Ｃｖｄ方法およびｃｖｄ反応炉 |
| WO2013100462A1 (ko) * | 2011-12-26 | 2013-07-04 | 주식회사 원익아이피에스 | 기판처리장치 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3729578B2 (ja) | 2005-12-21 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP3403181B2 (ja) | 熱処理装置及び熱処理方法 | |
| US7156923B2 (en) | Silicon nitride film forming method, silicon nitride film forming system and silicon nitride film forming system precleaning method | |
| KR100257305B1 (ko) | 열처리장치 및 그의 크리닝 방법 | |
| EP0636704B1 (en) | Silicon nitride deposition | |
| EP1394842A1 (en) | Thin film forming apparatus cleaning method | |
| US20120034788A1 (en) | Substrate processing apparatus and producing method of semiconductor device | |
| JP4426671B2 (ja) | 熱処理装置及びその洗浄方法 | |
| JP4187599B2 (ja) | 減圧処理装置及び減圧処理方法並びに圧力調整バルブ | |
| JP3729578B2 (ja) | 半導体製造方法 | |
| JP2006032610A (ja) | 成膜装置 | |
| JP4717495B2 (ja) | 基板処理システム | |
| JP3856397B2 (ja) | 半導体製造装置のウェーハ処理方法及び半導体製造装置 | |
| JP2686447B2 (ja) | 反応装置 | |
| JP3374256B2 (ja) | 熱処理装置及びそのクリーニング方法 | |
| KR100499211B1 (ko) | 반도체 장치의 제조 방법 및 기판 처리 장치 | |
| JP2006059921A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JP3569376B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| WO2001033616A1 (fr) | Procede et appareil de depot de couches minces | |
| JP4509697B2 (ja) | 基板処理装置 | |
| JP3153138B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JP2919801B2 (ja) | 膜の形成方法 | |
| JPH1050620A (ja) | 半導体製造方法および装置 | |
| JPH05259146A (ja) | 半導体製造装置 | |
| JP2000106347A (ja) | 被処理体の処理装置及び被処理体の処理方法 | |
| JPH0927486A (ja) | 横型プロセスチューブ装置 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20050412 |
|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20050610 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20050913 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20051004 |
|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20081014 Year of fee payment: 3 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20091014 Year of fee payment: 4 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20101014 Year of fee payment: 5 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20101014 Year of fee payment: 5 |
|
| S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313115 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20101014 Year of fee payment: 5 |
|
| R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20111014 Year of fee payment: 6 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20111014 Year of fee payment: 6 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20121014 Year of fee payment: 7 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20121014 Year of fee payment: 7 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20131014 Year of fee payment: 8 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| S531 | Written request for registration of change of domicile |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531 |
|
| R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |