JPH10149911A - Magnetic sensor element, its manufacture, and burglarproof system provided with it - Google Patents
Magnetic sensor element, its manufacture, and burglarproof system provided with itInfo
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- JPH10149911A JPH10149911A JP8304790A JP30479096A JPH10149911A JP H10149911 A JPH10149911 A JP H10149911A JP 8304790 A JP8304790 A JP 8304790A JP 30479096 A JP30479096 A JP 30479096A JP H10149911 A JPH10149911 A JP H10149911A
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Abstract
Description
【0001】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は、独特な電気信号を
交流磁場で発生することができるように軟磁性物質を熱
処理する方法と、かかる物質を利用した盗難防止システ
ムのアルゴリズムに関するものである。更に詳しく説明
すれば、本発明は零磁歪組成のコバルト系非晶質磁性合
金リボンまたはワイヤを無磁場熱処理することによっ
て、外部交流磁場が一周期ほど変わる間に、2つの主ピ
ークと2つの副ピークを示すセンサーを提供するもので
あり、かかる独特な電気信号を感知して所定の空間内に
センサーが存在するか否かを判定することのできる電子
回路の概念を提供するものである。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a method for heat-treating a soft magnetic substance so that a unique electric signal can be generated in an alternating magnetic field, and an algorithm for an anti-theft system using such a substance. More specifically, the present invention performs a magnetic field-free heat treatment on a cobalt-based amorphous magnetic alloy ribbon or wire having a zero magnetostriction composition so that two main peaks and two sub-peaks are formed while the external AC magnetic field changes by one period. It is an object of the present invention to provide a sensor showing a peak, and to provide an electronic circuit concept capable of detecting such a unique electric signal to determine whether or not the sensor exists in a predetermined space.
【0002】本発明による磁気センサーは盗難防止シス
テム用ターゲット(貼札)の製造に使用され得るもので
ある。盗難防止システムは、図書館、書店、デパート、
スーーパーマーケット等制限された保護区域から本、衣
類、コンパクトディスク等の物品が盗難されることを防
止するために設けられるものである。大体の盗難防止シ
ステムは各物品に独特な信号を提供することのできるタ
ーゲットを付着させて保護区域の出口でこのターゲット
が監視できるようにすることによってその目的を果たす
ものである。本発明による磁気センサーが使用され得る
磁気方式盗難防止システムを概略的に図1に示したが交
流磁場を発生させるトランスミッターアンテナ(1
0)、物品(12)に付着させたターゲット(14)が
交流磁場に露出される時発生する高周波パルス信号を感
知するレシーバーアンテナ(16)、そして高周波電気
信号処理装置等で構成されている。A magnetic sensor according to the present invention can be used for manufacturing a target (sticker) for an anti-theft system. Anti-theft systems include libraries, bookstores, department stores,
It is provided to prevent articles such as books, clothes, and compact discs from being stolen from a restricted protected area such as a supermarket. Most anti-theft systems serve their purpose by attaching a target capable of providing a unique signal to each item so that the target can be monitored at the exit of the protected area. FIG. 1 schematically illustrates a magnetic type anti-theft system in which a magnetic sensor according to the present invention may be used.
0), a receiver antenna (16) for detecting a high-frequency pulse signal generated when a target (14) attached to an article (12) is exposed to an AC magnetic field, and a high-frequency electric signal processing device.
【0003】[0003]
【従来の技術】図2は、ターゲット(14)を物品(1
2)に付着した形状を例示したものであり、図3は図2
のターゲット部位を拡大して示す断面図である。図2と
図3に示されているようにターゲット(14)は磁気セ
ンサー素子(18)と両面接着性を有するテープ基体
(20)で構成されている。磁気センサー素子(18)
は、外部磁場の大きさが小さくとも磁気的に飽和し易い
ように透磁率が大きい軟磁性物質からなると共に反磁場
の大きさが小さい形状にすべきである。反磁場の大きさ
を一定の大きさより小さくするためには、一定の比率よ
り長い形状にすべきである。例えば、飽和磁化値が65
0emu/cm3 である非晶質リボンの場合に幅が1mm、厚さ
が0.025mmである場合、反磁場の大きさが0.5Oe
より小さくするためにはリボンの長さを約4cmより長く
しなければならない。したがって、従来の軟磁性センサ
ー素子が大きな透磁率を有して長さが短い形状では、外
部磁場により飽和され難く、外部磁場の変化による磁速
密度の変化が遅くて小さいので、センサーの感知に必要
な大きさの信号を発生させることができなかった。2. Description of the Related Art FIG.
FIG. 3 illustrates the shape attached to 2), and FIG.
FIG. 3 is an enlarged cross-sectional view showing a target portion. As shown in FIGS. 2 and 3, the target (14) comprises a magnetic sensor element (18) and a tape substrate (20) having double-sided adhesiveness. Magnetic sensor element (18)
Should be made of a soft magnetic material having a high magnetic permeability so that the magnetic field is easily saturated even if the external magnetic field is small, and the shape of the demagnetizing field should be small. In order to make the magnitude of the demagnetizing field smaller than a certain size, the shape should be longer than a certain ratio. For example, when the saturation magnetization value is 65
When the width of the amorphous ribbon is 1 emu / cm 3 and the thickness is 0.025 mm, the magnitude of the demagnetizing field is 0.5 Oe.
To be smaller, the length of the ribbon must be greater than about 4 cm. Therefore, if the conventional soft magnetic sensor element has a large permeability and a short shape, it is difficult to be saturated by the external magnetic field, and the change in the magnetic velocity density due to the change in the external magnetic field is slow and small, so that the sensor is difficult to sense. The signal of the required magnitude could not be generated.
【0004】[0004]
【発明が解決しようとする課題】したがって、本発明の
目的は臨界磁場の大きさで磁化値が急激に変化すること
によって、従来のセンサー素子に比べて著しく短い長さ
の形態でも感知に必要な大きさの信号を発生させること
のできる磁気センサー素子を提供することである。一
方、反磁場の大きさが臨界値(例えば0.5Oe)より小
さければ、センサーの形状に根本的に無関係に一定値以
上の感度を維持することができるため、本発明による磁
気センサー素子はリボン、ワイヤ等の形状を有すること
ができる。SUMMARY OF THE INVENTION Accordingly, an object of the present invention is to provide a sensor which is necessary for sensing even in a form having a length significantly shorter than that of a conventional sensor element due to a sudden change in the magnetization value depending on the magnitude of the critical magnetic field. An object of the present invention is to provide a magnetic sensor element capable of generating a signal having a magnitude. On the other hand, if the magnitude of the demagnetizing field is smaller than a critical value (for example, 0.5 Oe), sensitivity above a certain value can be maintained irrespective of the shape of the sensor. , A wire or the like.
【0005】[0005]
【課題を解決するための手段】〔Cox Fe1-x 〕1-n
〔By Si1-y 〕n の原子組成比を有する非晶質磁性合
金を用意する段階、前記組成の非晶質磁性合金を200
℃〜460℃の温度区間において大気中で1分間以上熱
処理する段階を含むことを特徴とする磁気センサー製造
方法および磁気センサー素子が提供される。[Means for Solving the Problems] [Co x Fe 1-x ] 1-n
Preparing an amorphous magnetic alloy having an atomic composition ratio of [B y Si 1-y ] n ;
A method for manufacturing a magnetic sensor and a magnetic sensor element, comprising a step of performing a heat treatment in air at a temperature in a range of from ℃ to 460 ° C for at least one minute.
【0006】本発明による盗難防止システムは、周波数
発振手段、特定周波数の正弦波を生成する手段、前記正
弦波を電流増幅して磁気場を発生させる手段、前記磁気
場の周囲にあり、この磁気場が与えられる磁気センサー
素子、上記磁気センサー素子に隣接しており、前記磁気
センサー素子を感知した信号を受信する受信機手段、前
記受信機手段に接続され、前記受信機手段から出たセン
サー信号の波形を基準として矩形波を生成する手段、前
記周波数発振手段に結合されて前記周波数発振手段から
出た信号により制御信号を発生する制御信号発生手段、
前記制御信号発生手段と前記矩形波生成手段の間に結合
され、前記制御信号の周波数と前記矩形波生成手段から
出た信号の周波数とパルスの個数を比較する比較手段、
および前記比較手段に結合され、前記比較手段から出た
センサー有無の判定信号を受けて警報を発する警報手段
を含む。The anti-theft system according to the present invention comprises a frequency oscillating means, a means for generating a sine wave of a specific frequency, a means for amplifying the sine wave to generate a magnetic field, and a magnetic field surrounding the magnetic field. A magnetic sensor element provided with a field, a receiver means adjacent to said magnetic sensor element for receiving a signal sensed by said magnetic sensor element, a sensor signal connected to said receiver means and emerging from said receiver means Means for generating a rectangular wave based on the waveform of the control signal, control signal generating means for generating a control signal by a signal output from the frequency oscillating means coupled to the frequency oscillating means,
A comparison unit coupled between the control signal generation unit and the square wave generation unit, for comparing the frequency of the control signal with the frequency of the signal output from the square wave generation unit and the number of pulses;
And an alarming means coupled to the comparing means and issuing an alarm in response to a sensor presence / absence determination signal output from the comparing means.
【0007】[0007]
【実施例】以下、添付された図面を参照して本発明を詳
細に説明する。DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS The present invention will be described below in detail with reference to the accompanying drawings.
【0008】図2と図3に示された本発明による磁気セ
ンサー素子(18)は1kHz 内外の交流磁場内で小さい
保磁力(例えば0.1Oe)を有する磁性物質を特殊な方
法で処理して独特な特性を有するようにしたものであ
る。本発明で採択した磁気センサー素子は、 〔Cox Fe1-x 〕1-n 〔By Si1-y 〕n ただし、x=0〜1、y=0.2〜1、およびn=0.
1〜0.3であるの原子組成比を有する非晶質磁性合金
であり、5原子%までのCr、Ni、Mnなどの第3ま
たは第4の金属元素を含有することができる。The magnetic sensor element (18) according to the present invention shown in FIGS. 2 and 3 processes a magnetic substance having a small coercive force (for example, 0.1 Oe) in an alternating magnetic field of about 1 kHz or outside by a special method. It has unique characteristics. The magnetic sensor element adopted in the present invention includes [Co x Fe 1-x ] 1-n [B y Si 1-y ] n where x = 0 to 1, y = 0.2 to 1, and n = 0. .
An amorphous magnetic alloy having an atomic composition ratio of 1 to 0.3, and may contain up to 5 atomic% of a third or fourth metal element such as Cr, Ni, and Mn.
【0009】しかし、本発明の活用に最も適した組成
は、飽和磁歪が零(ゼロ)である組成として、例えばC
o70.5Fe4.5 B25がそれである。なぜならば飽和磁歪
が零である組成の非晶質磁性合金は、交流磁場で保磁力
が小さいのみならず、ターゲットを作る工程中あるいは
物品に付着させる時、不可避に外部応力が与えられて
も、これによる本来の特性の劣化が最も少ないためであ
る。However, the most suitable composition for utilizing the present invention is a composition having a saturation magnetostriction of zero, for example, C
o 70.5 Fe 4.5 B 25 is that. This is because an amorphous magnetic alloy having a composition with zero saturation magnetostriction not only has a small coercive force in an alternating magnetic field, but also inevitably receives external stress during the process of making a target or when attaching it to an article. This is because deterioration of the original characteristics due to this is the least.
【0010】図3の酸化膜層(22)は、本発明による
特性を得るために必ずしも必要なものではないが、セン
サー素子の内部層(24)との間に準強磁性体を形成し
て特性を安定化する過程でできるものである。The oxide film layer (22) in FIG. 3 is not necessary for obtaining the characteristics according to the present invention, but forms a quasi-ferromagnetic material with the inner layer (24) of the sensor element. This can be done in the process of stabilizing the characteristics.
【0011】図4は盗難防止システムに使用されてきた
パマロイストリップや非晶質磁性合金リボンまたはワイ
ヤ等従来の磁気センサー素子の磁気履歴曲線を示すもの
である。図4のX軸は磁気センサー素子の長さ方向に与
えられる外部磁場の大きさ(単位:Oe)と方向(正また
は負)を示し、Y軸は外部磁場の強さにより変化するセ
ンサー素子内部の磁化値(単位:Gauss)を示すものであ
る。外部磁場Hが負の方向に強く与えられると(A
点)、磁化値Mも負の方向に飽和となる。センサー素子
はA点で磁気的に飽和となって負の方向に外部磁場Hを
増加させても磁化値はこれ以上増加しない。一方、点A
から正の方向に外部磁場を増加させても当分は負の方向
に飽和された磁化値は変化しないこととなるが、外部磁
場が相当正の方向に与えられたB点を過ぎてから初めて
磁化値が外部磁場の方向と同じ正の方向に飽和される点
がC点であり、C点よりも正の方向により強く外部磁場
を与えても更に磁化値の変化はない。ここでC点から負
の方向に外部磁場を与えてみれば、負の方向の外部磁場
に位置したD点まで正に飽和された磁化値が変化しない
こととなるが、D点より負の方向に外部磁場が与えられ
ると磁化値が負の方向に減少され、結局負の方向に飽和
される(A点)。FIG. 4 shows a magnetic hysteresis curve of a conventional magnetic sensor element such as a permalloy strip, an amorphous magnetic alloy ribbon or a wire used in an anti-theft system. The X axis in FIG. 4 indicates the magnitude (unit: Oe) and direction (positive or negative) of the external magnetic field applied in the length direction of the magnetic sensor element, and the Y axis indicates the inside of the sensor element that changes according to the strength of the external magnetic field. Shows the magnetization value (unit: Gauss). When the external magnetic field H is strongly applied in the negative direction (A
Point), the magnetization value M also becomes saturated in the negative direction. Even if the sensor element becomes magnetically saturated at the point A and the external magnetic field H is increased in the negative direction, the magnetization value does not increase any more. On the other hand, point A
Even if the external magnetic field is increased in the positive direction from, the magnetization value saturated in the negative direction will not change for the time being, but the magnetization will only occur after the external magnetic field has passed the point B given in the positive direction. The point where the value is saturated in the same positive direction as the direction of the external magnetic field is point C. Even if an external magnetic field is applied more strongly in the positive direction than point C, there is no further change in the magnetization value. When an external magnetic field is applied in a negative direction from point C, the positively saturated magnetization value does not change up to point D located in the negative external magnetic field. When an external magnetic field is applied to the, the magnetization value is decreased in the negative direction, and eventually becomes saturated in the negative direction (point A).
【0012】即ち、外部磁場が十分に大きい強さを持っ
て正の方向と負の方向に順次に変化する時、つまり、十
分に強い交流磁場を与える時、センサー素子はA、B、
C、D、A……の経路に沿って磁気的に反応する。That is, when the external magnetic field sequentially changes in a positive direction and a negative direction with a sufficiently large strength, that is, when a sufficiently strong AC magnetic field is applied, the sensor elements A, B,
Reacts magnetically along the path of C, D, A...
【0013】図4で示すように、磁化値Mの大きい変化
は外部磁場の変化する幅のうち非常に制限された範囲、
即ち、点Bと点Cとの間にのみ存在する。この区間での
変化によりセンサー素子が外部磁場の乱れを発生させ、
感知されるほど大きい効果が得られる。厳密に言えば外
部磁場が変化する時、磁化値が急激に変化して磁気履歴
曲線での傾きdM/dH が大きいほど、大きい値の高周波成
分を得ることができ、より容易に感知できることにな
る。As shown in FIG. 4, a large change in the magnetization value M is a very limited range of the change width of the external magnetic field.
That is, it exists only between point B and point C. Due to the change in this section, the sensor element generates disturbance of the external magnetic field,
The effect is so great as to be perceived. Strictly speaking, when the external magnetic field changes, the magnetization value changes rapidly and the slope dM / dH in the magnetic hysteresis curve is larger, so that a higher value high-frequency component can be obtained and it can be more easily sensed. .
【0014】図5は図4で示された磁気履歴曲線での傾
きdM/dH の値をX軸を時間として示したものである。図
5で示されたように、外部磁場が1サイクルほど(A点
から次のA点に)変化する間に、2つのパルスを得るこ
とになる。外部磁場を乱す程度はこのパルスの高周波成
分が以下に大きいのかによるものであり、高周波成分の
大きさはこのパルスがいかに狭くて高いのかによるもの
である。FIG. 5 shows the value of the slope dM / dH in the magnetic hysteresis curve shown in FIG. 4 with time on the X-axis. As shown in FIG. 5, two pulses are obtained while the external magnetic field changes by about one cycle (from point A to the next point A). The degree to which the external magnetic field is disturbed depends on whether the high-frequency component of this pulse is as follows, and the magnitude of the high-frequency component depends on how narrow and high the pulse is.
【0015】図6は本発明による磁気センサー素子の磁
気履歴曲線を示すものである。図6のX軸は磁気センサ
ー素子の長さ方向に与えられる外部磁場の大きさ(単
位:Oe)と方向(正または負)を示し、Y軸は外部磁場
の強さにより変化するセンサー素子内部の磁化値(単
位:Gauss)を示すものである。外部磁場Hが負の方向に
強く与えられると〔(a点)〕、磁化値Mも負の方向に
飽和され、負の方向に外部磁場Hを増加させても磁化値
はこれ以上増加しない。一方(a)点から正の方向に外
部磁場を増加させても、当分は負の方向に飽和された磁
化値は別段変化がないことになるが、外部磁場が正の方
向に更に与えられた(b)点を過ぎてから磁化値が正の
方向に増加し始める。外部磁場を正の方向に更に増加さ
せて磁化値が“0”の近傍に達すると〔(d)点〕正の
方向に外部磁場を増加させても更に磁化値の変化はな
い。正の方向に更に強く外部磁場を増加させて(e)点
に達すると磁化値が急激に変化して〔(f)過程〕磁化
値が正の方向にほとんど飽和される(h)点に達するこ
とになって、正の方向に外部磁場Hを増加させても磁化
値は更に増加しないものである。FIG. 6 shows a magnetic hysteresis curve of the magnetic sensor element according to the present invention. The X-axis in FIG. 6 shows the magnitude (unit: Oe) and direction (positive or negative) of the external magnetic field given in the length direction of the magnetic sensor element, and the Y-axis shows the inside of the sensor element that changes according to the strength of the external magnetic field. Shows the magnetization value (unit: Gauss). When the external magnetic field H is strongly applied in the negative direction [point (a)], the magnetization value M is also saturated in the negative direction, and even if the external magnetic field H is increased in the negative direction, the magnetization value does not increase any more. On the other hand, even if the external magnetic field is increased in the positive direction from the point (a), the magnetization value saturated in the negative direction does not change for the time being, but the external magnetic field is further applied in the positive direction. After the point (b), the magnetization value starts to increase in the positive direction. When the external magnetic field is further increased in the positive direction and the magnetization value reaches near "0" (point (d)), the magnetization value does not change even if the external magnetic field is increased in the positive direction. When the external magnetic field is further increased in the positive direction and reaches the point (e), the magnetization value changes abruptly (process (f)) and the magnetization value reaches the point (h) where the magnetization value is almost saturated in the positive direction. That is, even if the external magnetic field H is increased in the positive direction, the magnetization value does not further increase.
【0016】ここで、負の方向に外部磁場を与えてみれ
ば、負の方向の外部磁場に位置した(i)点まで正に飽
和された磁化値はほとんど変化しないものであり、
(i)点よりも負の方向に外部磁場が与えられると磁化
値が負の方向に減少し、磁化値が“0”の近傍に達する
と〔(k)点〕負の方向に更に強く外部磁場を与えても
当分は更に磁化値の変化がない。負の方向に更に強く外
部磁場を増加させて(l)点に達すると磁化値が急激に
変化して〔(m)過程〕負の方向にほとんど飽和される
(a)点に達することになり、負の方向に外部磁場を増
加させても磁化値はこれ以上減少しないものである。Here, when an external magnetic field is applied in the negative direction, the magnetization value positively saturated until point (i) located in the external magnetic field in the negative direction hardly changes.
When an external magnetic field is applied in a direction more negative than the point (i), the magnetization value decreases in the negative direction, and when the magnetization value approaches "0" [point (k)], the external force becomes stronger in the negative direction. Even if a magnetic field is applied, there is no further change in the magnetization value. When the external magnetic field is further increased in the negative direction and the point (l) is reached, the magnetization value changes abruptly (process (m)), and the point (a) is reached which is almost saturated in the negative direction. When the external magnetic field is increased in the negative direction, the magnetization value does not decrease any more.
【0017】即ち、外部磁場が十分に大きい強さを持っ
て正の方向と負の方向に順次に変化する時、即ち十分に
強い交流磁場を与えた時、センサー素子は(a)、
(b)、(d)、(e)、(f)、(h)、(i)、
(k)、(l)、(m)、(a)……の経路に沿って磁
気的に反応する。That is, when the external magnetic field sequentially changes in a positive direction and a negative direction with a sufficiently large strength, that is, when a sufficiently strong AC magnetic field is applied, the sensor element (a)
(B), (d), (e), (f), (h), (i),
(K), (l), (m), (a)... Magnetically react along the route.
【0018】図7は図6で示された磁気履歴曲線での傾
きdM/dH の値をX軸を時間として示したものである。図
7で示されたように外部磁場が1サイクルほど〔(a)
点から次の(a)点に〕変化する間に、4つのパルスを
得ることになる。ところで、従来の磁気センサー素子は
外部磁場が1サイクルほど変化する間に、2つのパルス
を示すのに比して本発明による磁気センサー素子は外部
磁場が1サイクルほど変化する間に、4つのパルスを示
すので、本発明による磁気センサー素子は1サイクル当
りのパルスの個数を数えることにより容易でかつ誤作動
されることなく感知できる。一方、前述したように外部
磁場の乱れの程度はこのパルスの高周波成分がいかに大
きいのかによるものであり、高周波成分の大きさはこの
パルスがいかに狭くて高いのかによるものであるため、
図7の主ピーク(g)、(n)の高周波成分の大きさは
非常に大きいものである。したがって、本発明による磁
気センサー素子は高周波成分の大きさでセンサーの有無
を判定する既存の盗難防止システムにもよく適用され得
るものである。FIG. 7 shows the value of the slope dM / dH in the magnetic hysteresis curve shown in FIG. 6 with the X-axis as time. As shown in FIG. 7, the external magnetic field is applied for about one cycle [(a)
From the point to the next point (a)], four pulses are obtained. By the way, the conventional magnetic sensor element shows two pulses while the external magnetic field changes for about one cycle, whereas the magnetic sensor element according to the present invention shows four pulses while the external magnetic field changes for about one cycle. Therefore, the magnetic sensor element according to the present invention can easily and without malfunction by counting the number of pulses per cycle. On the other hand, as described above, the degree of disturbance of the external magnetic field depends on how large the high frequency component of this pulse is, and the magnitude of the high frequency component depends on how narrow and high this pulse is,
The magnitudes of the high frequency components of the main peaks (g) and (n) in FIG. 7 are very large. Therefore, the magnetic sensor element according to the present invention can be well applied to existing anti-theft systems that determine the presence or absence of a sensor based on the magnitude of a high frequency component.
【0019】図6の独特な磁気履歴曲線と図7の独特な
パルスを有する本発明による磁気センサー素子は前述し
た範囲の原子組成比を有する非晶質磁性合金、特にCo
70.5Fe4.5 B25の如く飽和磁歪が0(ゼロ)である組
成の非晶質磁性合金を特殊な方法で熱処理して製造した
ものである。ここで特殊な熱処理というのは、200℃
〜460℃の温度区間、大気中またはその他の雰囲気
中、1分間以上等の条件で熱処理し、熱処理時の外部磁
場をゼロ(0)に近づかせたことをいう。The magnetic sensor element according to the present invention having the unique magnetic hysteresis curve shown in FIG. 6 and the unique pulse shown in FIG. 7 is an amorphous magnetic alloy having an atomic composition ratio in the above-mentioned range, especially Co.
The 70.5 Fe 4.5 amorphous magnetic alloy having a composition saturation magnetostriction as B 25 is 0 (zero) is that prepared by heat-treating in a special way. The special heat treatment here is 200 ° C
Heat treatment is performed in a temperature range of 4460 ° C., in the air or other atmosphere for one minute or more, and the external magnetic field during the heat treatment approaches zero (0).
【0020】図8は本発明による磁気センサー素子の独
特な特性を利用できるように考案された盗難防止システ
ムの1つの実施例のブロックダイヤグラムである。周波
数発振器(81)と磁気場発生回路(82)により特定
周波数の正弦波(図9a.)を発生させ、これを電流増
幅回路(84)で電流増幅させ送信機(90)とトラン
スミッターアンテナ(10)を介して磁気場を発生させ
る。この磁気場は受信機(85)で受けられ、増幅およ
び信号処理回路(86)に送られる。センサー素子(1
8)が感知された時、増幅および信号処理回路(86)
により図9c.に示された波形が形成され、Eref-hとEr
ef-lの電圧を基準として図9d.に図示された矩形波が
発生する。比較回路(87)は制御信号(図9b.)の
周波数と増幅および信号処理回路(86)で発生した信
号の周波数とパルスの個数を比較してセンサー素子(1
8)の有無を判定した後、警報装置(88)に送られて
警報を発することにより盗難防止の目的を果たす。図5
と図7を比較すると、図9a.の正弦波の1サイクル当
り、図5では2つのピークが存在することに対して、図
7では(n)、(c)、(i)および(g)の4個のピ
ークがある。即ち、本発明での磁気センサー素子の特徴
は発振された波形のピーク数の2倍、即ち1サイクル当
り4個のピークを示すというものである。FIG. 8 is a block diagram of one embodiment of an anti-theft system designed to take advantage of the unique characteristics of a magnetic sensor element according to the present invention. A sine wave (FIG. 9a) of a specific frequency is generated by a frequency oscillator (81) and a magnetic field generating circuit (82), and the sine wave is amplified by a current amplifying circuit (84), and a transmitter (90) and a transmitter antenna (10) are generated. ) To generate a magnetic field. This magnetic field is received by a receiver (85) and sent to an amplification and signal processing circuit (86). Sensor element (1
8) When sensed, amplification and signal processing circuit (86)
FIG. 9c. Is formed, Eref-h and Er
FIG. 9d with reference to the voltage of ef-1. The rectangular wave shown in FIG. The comparison circuit (87) compares the frequency of the control signal (FIG. 9b) with the frequency of the signal generated by the amplification and signal processing circuit (86) and the number of pulses, and compares the sensor element (1).
After the presence or absence of 8) is determined, it is sent to an alarm device (88) to issue an alarm, thereby fulfilling the purpose of preventing theft. FIG.
When FIG. 9 is compared with FIG. In FIG. 5, there are four peaks (n), (c), (i) and (g) in one cycle of the sine wave of FIG. That is, the feature of the magnetic sensor element according to the present invention is that the number of peaks of the oscillated waveform is twice, that is, four peaks per cycle.
【0021】以上では本発明の例示的な実施例を参照し
て説明したが、かかる説明は制限的な意味で解釈されて
はいけないものである。本発明が関連された技術分野で
通常の知識を有している者ならば、本発明の詳細な説明
を参考にして例示的な実施例を多様に変更または組合さ
せ実施することもできるのは明らかである。したがっ
て、前述した特許請求の範囲はかかる変更と実施例を全
部含むものと理解すべきである。While the above has been described with reference to illustrative embodiments of the present invention, such description should not be construed in a limiting sense. Those skilled in the art to which the present invention pertains may make various modifications or combinations of the exemplary embodiments with reference to the detailed description of the present invention. it is obvious. It is, therefore, to be understood that the appended claims are intended to cover all such modifications and embodiments.
【図1】本発明による磁気センサー素子からなるターゲ
ットを付着させた物品とそのターゲットを感知する盗難
防止システムとを併せて示す概略図。FIG. 1 is a schematic diagram showing an article to which a target composed of a magnetic sensor element according to the present invention is attached, and an anti-theft system for sensing the target.
【図2】図1の本発明による磁気センサー素子からなる
ターゲットが付着された物品を示す概略図。FIG. 2 is a schematic view showing an article to which a target comprising the magnetic sensor element according to the present invention of FIG. 1 is attached.
【図3】図2のターゲットが付着された物品を拡大して
示す断面図。FIG. 3 is an enlarged sectional view showing an article to which the target of FIG. 2 is attached.
【図4】従来の磁気センサー素子の磁気履歴曲線。FIG. 4 is a magnetic hysteresis curve of a conventional magnetic sensor element.
【図5】十分な大きさの磁気場が交流的に変化する時、
従来の磁気センサー素子により交流磁場が乱れることに
よって発生されるパルス信号。FIG. 5 When a sufficiently large magnetic field changes in an alternating manner,
A pulse signal generated when an AC magnetic field is disturbed by a conventional magnetic sensor element.
【図6】図1ないし図3のターゲットに用いられた、本
発明による独特な特性を有する磁気センサーの磁気履歴
曲線。FIG. 6 is a magnetic hysteresis curve of a magnetic sensor having unique characteristics according to the present invention used for the targets of FIGS. 1 to 3;
【図7】十分な大きさの磁気場が交流的に変化する時、
図1ないし図3のターゲットに用いられた、本発明によ
る独特な特性を有する磁気センサー素子により交流磁場
が乱れることによって発生されるパルス信号。FIG. 7: When a sufficiently large magnetic field changes in an alternating manner,
A pulse signal generated by a magnetic sensor element having unique characteristics according to the present invention used in the target shown in FIGS.
【図8】図6のような磁気特性と図7のような電気特性
を有する磁気センサー素子の独特な特性を利用した盗難
防止システムのブロックダイヤグラム。8 is a block diagram of an anti-theft system using the unique characteristics of a magnetic sensor element having the magnetic characteristics shown in FIG. 6 and the electric characteristics shown in FIG.
【図9】図8のような盗難防止システムの作動原理を説
明するためのダイミングチャート。FIG. 9 is a dimming chart for explaining the operation principle of the anti-theft system as shown in FIG. 8;
10:トランスミッターアンテナ 12:物品 14:ターゲット 16:レシーバーアンテナ 22:酸化膜層 24:内部層 18:磁気センサー素子 81:発振機 82:磁気場発生回路 83:制御信号発生回路 84:増幅回路 85:受信機 86:増幅および信号処理回路 87:比較回路 88:警報装置 90:送信機 10: Transmitter antenna 12: Article 14: Target 16: Receiver antenna 22: Oxide layer 24: Inner layer 18: Magnetic sensor element 81: Oscillator 82: Magnetic field generation circuit 83: Control signal generation circuit 84: Amplification circuit 85: Receiver 86: Amplification and signal processing circuit 87: Comparison circuit 88: Alarm device 90: Transmitter
Claims (8)
1-y 〕n (ただし、x=0〜1、y=0.2〜1および
n=0.1〜0.3である)の原子組成比を有する非晶
質磁性合金の層を含んでなる磁気センサー素子。[Claim 1] [Co x Fe 1-x ] 1-n [B y Si
1-y ] n (where x = 0 to 1, y = 0.2 to 1, and n = 0.1 to 0.3). Magnetic sensor element.
r、Ni、Mn等の第3または第4の金属元素を含有す
ることを特徴とする請求項1記載の磁気センサー素子。2. The amorphous magnetic alloy according to claim 1, wherein said amorphous magnetic alloy has a C content of up to 5 atomic%.
2. The magnetic sensor element according to claim 1, further comprising a third or fourth metal element such as r, Ni, Mn.
一周期ほど変わる間に2つの主ピークと2つの副ピーク
を示すことを特徴とする請求項1または2記載の磁気セ
ンサー素子。3. The magnetic sensor element according to claim 1, wherein the magnetic sensor element exhibits two main peaks and two sub-peaks while the external alternating magnetic field changes by one cycle.
1-y 〕n (ただし、x=0〜1、y=0.2〜1および
n=0.1〜0.3である)の原子組成比を有する非晶
質磁性合金を準備する段階と、 前記組成の非晶質磁性合金を200℃〜460℃の温度
区間で大気中において1分間以上熱処理する段階とを含
むことを特徴とする磁気センサー製造方法。4. [Co x Fe 1-x ] 1-n [B y Si
1-y ] n (where x = 0 to 1, y = 0.2 to 1 and n = 0.1 to 0.3). Preparing an amorphous magnetic alloy having an atomic composition ratio; Heat-treating the amorphous magnetic alloy having the above composition in the air at a temperature in the range of 200 to 460 ° C. for 1 minute or more.
づかせることを特徴とする請求項4記載の磁気センサー
製造方法。5. The method according to claim 4, wherein the heat treatment step causes an external magnetic field to approach a zero value.
r、Ni、Mn等の第3または第4の金属元素を含有す
ることを特徴とする請求項4または5記載の磁気センサ
ー製造方法。6. The amorphous magnetic alloy according to claim 1, wherein said amorphous magnetic alloy has a C content of up to 5 atomic%.
The magnetic sensor manufacturing method according to claim 4, further comprising a third or fourth metal element such as r, Ni, and Mn.
4)、 前記磁気場の周囲にあって、この磁気場が与えられる請
求項4による特性を有する磁気センサー素子(18)、 前記磁気センサー素子に隣接しており、前記磁気センサ
ー素子を感知した信号を受信する受信機手段(85)、 前記受信機手段に接続され、前記受信機手段から出たセ
ンサー信号の波形を基準として矩形波を生成する手段
(86)、 前記周波数発振手段に結合され、前記周波数発振手段か
ら出た信号により制御信号を発生する制御信号発生手段
(83)、 前記制御信号発生手段と前記矩形波生成手段の間に結合
され、前記制御信号の周波数と前記矩形波生成手段から
出た信号の周波数とパルスの個数を比較する比較手段
(87)、および前記比較手段に結合され、前記比較手
段から出たセンサー有無の判定信号を受けて警報を発す
る警報手段(88)、を含むことを特徴とする盗難防止
システム。7. A frequency oscillating means (81), a means (82) for generating a sine wave of a specific frequency, and a means (8) for current-amplifying the sine wave to generate a magnetic field.
4) a magnetic sensor element (18) having a characteristic according to claim 4 surrounding the magnetic field and being provided with the magnetic field, a signal adjacent to the magnetic sensor element and sensing the magnetic sensor element Receiver means (85) connected to the receiver means for generating a rectangular wave based on the waveform of the sensor signal output from the receiver means (86); coupled to the frequency oscillating means; Control signal generating means (83) for generating a control signal according to a signal output from the frequency oscillating means, coupled between the control signal generating means and the rectangular wave generating means, and the frequency of the control signal and the rectangular wave generating means Comparing means (87) for comparing the frequency of the signal output from the control unit with the number of pulses, and receiving the determination signal of the presence or absence of the sensor output from the comparing means. Anti-theft system, characterized in that it comprises an alarm means (88), which emits broadcast.
が一周期ほど変わる間に、2つの主ピークと2つの副ピ
ークを示す信号を感知してなされることを特徴とする請
求項6記載の盗難防止システム。8. The method according to claim 6, wherein the determination of the presence or absence of the sensor is performed by detecting signals indicating two main peaks and two sub-peaks while the external AC magnetic field changes by one cycle. Anti-theft system.
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---|---|---|---|
JP8304790A JP2892995B2 (en) | 1996-11-15 | 1996-11-15 | Magnetic sensor element, method of manufacturing the same, and anti-theft system equipped with the magnetic sensor element |
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JPH10149911A true JPH10149911A (en) | 1998-06-02 |
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Country | Link |
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Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
GB2374084A (en) * | 2001-04-03 | 2002-10-09 | Fourwinds Group Inc | Alloys having bistable magnetic behaviour |
JP2017043836A (en) * | 2015-07-15 | 2017-03-02 | インディアン オイル コーポレーション リミテッド | Improved Giant Magneto-Impedance (GMI) based sensing device for detecting carbonization in austenitic stainless steel |
WO2020090333A1 (en) * | 2018-11-02 | 2020-05-07 | 愛知製鋼株式会社 | Magneto-sensitive wire for magnetic sensors and production method therefor |
US11579212B2 (en) | 2017-09-11 | 2023-02-14 | Aichi Steel Corporation | Magneto-sensitive wire for magnetic sensor and production method therefor |
-
1996
- 1996-11-15 JP JP8304790A patent/JP2892995B2/en not_active Expired - Fee Related
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WO2020090333A1 (en) * | 2018-11-02 | 2020-05-07 | 愛知製鋼株式会社 | Magneto-sensitive wire for magnetic sensors and production method therefor |
US12013447B2 (en) | 2018-11-02 | 2024-06-18 | Aichi Steel Corporation | Magneto-sensitive wire for magnetic sensors and production method therefor |
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JP2892995B2 (en) | 1999-05-17 |
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