JPH10142144A - 無電解めっき液の金属イオン濃度測定方法 - Google Patents
無電解めっき液の金属イオン濃度測定方法Info
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- JPH10142144A JPH10142144A JP30167396A JP30167396A JPH10142144A JP H10142144 A JPH10142144 A JP H10142144A JP 30167396 A JP30167396 A JP 30167396A JP 30167396 A JP30167396 A JP 30167396A JP H10142144 A JPH10142144 A JP H10142144A
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- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 6
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Landscapes
- Investigating Or Analysing Materials By Optical Means (AREA)
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 無電解めっき液の濃度変化にかかわらず安定
した精度で金属イオン濃度を測定できる吸光光度法によ
る金属イオン濃度測定方法を提供する。 【解決手段】 無電解めっき液の金属イオン濃度を吸光
光度法により測定するに当たり、無電解めっき液の濃度
が高くなり透過率が低下したときでも、透過光を受光す
るフォトセンサー３の出力Ａが大幅に減少しないように
光源電力制御器５によって光源２に供給する電力を増や
し、投光量を増加させて測定を行う。
した精度で金属イオン濃度を測定できる吸光光度法によ
る金属イオン濃度測定方法を提供する。 【解決手段】 無電解めっき液の金属イオン濃度を吸光
光度法により測定するに当たり、無電解めっき液の濃度
が高くなり透過率が低下したときでも、透過光を受光す
るフォトセンサー３の出力Ａが大幅に減少しないように
光源電力制御器５によって光源２に供給する電力を増や
し、投光量を増加させて測定を行う。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、吸光光度法による
無電解めっき液の金属イオン濃度測定方法に関するもの
である。
無電解めっき液の金属イオン濃度測定方法に関するもの
である。
【０００２】
【従来の技術】無電解ニッケルめっき等の無電解めっき
では、めっき液中の金属イオンがワーク金属の触媒還元
反応によりワーク表面に金属として析出し、それにつれ
て金属イオン濃度、還元剤濃度、pH等が徐々に低下して
行く。そのため、めっき液をサンプリングして吸光光度
法により金属イオン濃度を測定し、めっき液中の金属イ
オン量等を常に定められた値に保つめっき液管理が行わ
れている。
では、めっき液中の金属イオンがワーク金属の触媒還元
反応によりワーク表面に金属として析出し、それにつれ
て金属イオン濃度、還元剤濃度、pH等が徐々に低下して
行く。そのため、めっき液をサンプリングして吸光光度
法により金属イオン濃度を測定し、めっき液中の金属イ
オン量等を常に定められた値に保つめっき液管理が行わ
れている。
【０００３】この吸光光度法による金属イオン濃度測定
は、図３に示すように無電解めっき液をフローセル１の
内部に導き、光源２から光を当ててフォトセンサー３に
より透過した光量を測定する方法で行われている。光源
２からの投光量をL0とし、フォトセンサー３により測定
された透過光量をL1としたとき、ｔ＝L1/L0 を透過率と
いい、Ｅ＝log(1/t)を吸光度という。この場合一般に吸
光度Ｅは金属イオン濃度に正比例するので、吸光度Ｅか
ら無電解めっき液中の金属イオン濃度を求めることがで
きる。
は、図３に示すように無電解めっき液をフローセル１の
内部に導き、光源２から光を当ててフォトセンサー３に
より透過した光量を測定する方法で行われている。光源
２からの投光量をL0とし、フォトセンサー３により測定
された透過光量をL1としたとき、ｔ＝L1/L0 を透過率と
いい、Ｅ＝log(1/t)を吸光度という。この場合一般に吸
光度Ｅは金属イオン濃度に正比例するので、吸光度Ｅか
ら無電解めっき液中の金属イオン濃度を求めることがで
きる。
【０００４】従来は図３に示すように、光源２の近傍に
配置されたフォトセンサー４により投光量L0を常時検出
してこの投光量L0が一定となるように光源電力制御器５
で光源２に加える電力を制御していた。このように投光
量L0を一定に制御しているため、ＣＰＵ７はプリアンプ
６で増幅されたフォトセンサー３の出力のみに基づいて
透過率ｔを演算することができる。ところがめっき液濃
度が高くなり透過率が低下すると透過光量L1の絶対値が
小さくなるため、フォトセンサー３の出力は微小とな
る。従って、Ｅ＝log(1/t)として算出される吸光度Ｅの
値の誤差は、めっき液濃度が低い場合に比較して大きく
なるという問題があった。
配置されたフォトセンサー４により投光量L0を常時検出
してこの投光量L0が一定となるように光源電力制御器５
で光源２に加える電力を制御していた。このように投光
量L0を一定に制御しているため、ＣＰＵ７はプリアンプ
６で増幅されたフォトセンサー３の出力のみに基づいて
透過率ｔを演算することができる。ところがめっき液濃
度が高くなり透過率が低下すると透過光量L1の絶対値が
小さくなるため、フォトセンサー３の出力は微小とな
る。従って、Ｅ＝log(1/t)として算出される吸光度Ｅの
値の誤差は、めっき液濃度が低い場合に比較して大きく
なるという問題があった。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】本発明は上記した従来
の問題点を解決し、めっき液濃度が高くなり透過率が低
下した場合にも、めっき液濃度が低い場合と同様に精度
良く金属イオン濃度の測定ができる無電解めっき液の金
属イオン濃度測定方法を提供するためになされたもので
ある。
の問題点を解決し、めっき液濃度が高くなり透過率が低
下した場合にも、めっき液濃度が低い場合と同様に精度
良く金属イオン濃度の測定ができる無電解めっき液の金
属イオン濃度測定方法を提供するためになされたもので
ある。
【０００６】
【課題を解決するための手段】上記の課題を解決するた
めになされた本発明は、無電解めっき液の金属イオン濃
度を吸光光度法により測定するに当たり、透過率が低下
したときに光源の出力を高め、投光量を増加させて測定
を行うことを特徴とするものである。以下に本発明の好
ましい実施の形態を説明する。
めになされた本発明は、無電解めっき液の金属イオン濃
度を吸光光度法により測定するに当たり、透過率が低下
したときに光源の出力を高め、投光量を増加させて測定
を行うことを特徴とするものである。以下に本発明の好
ましい実施の形態を説明する。
【０００７】
〔第１の実施形態〕図１は本発明の第１の実施形態を示
す図であり、従来例と同様、１は無電解めっき液が導か
れるフローセル、２はＬＥＤ等の光源、３は透過光を受
光するフォトセンサー、４は光源２の近傍に配置された
フォトセンサー、５は光源電力制御器である。フォトセ
ンサー３の出力はプリアンプ６で増幅されたうえでＣＰ
Ｕ７に入力され、またフォトセンサー４の出力もプリア
ンプ８で増幅されたうえでＣＰＵ７に入力される。ＣＰ
Ｕ７は投光量L0と透過光量L1からｔ＝L1/L0 の式により
透過率ｔを演算する。
す図であり、従来例と同様、１は無電解めっき液が導か
れるフローセル、２はＬＥＤ等の光源、３は透過光を受
光するフォトセンサー、４は光源２の近傍に配置された
フォトセンサー、５は光源電力制御器である。フォトセ
ンサー３の出力はプリアンプ６で増幅されたうえでＣＰ
Ｕ７に入力され、またフォトセンサー４の出力もプリア
ンプ８で増幅されたうえでＣＰＵ７に入力される。ＣＰ
Ｕ７は投光量L0と透過光量L1からｔ＝L1/L0 の式により
透過率ｔを演算する。
【０００８】前記したようにめっき液濃度が高くなると
透過率が低下し透過光量L1が減少するが、本発明におい
てはＣＰＵ７が演算した透過率ｔが低下したとき、ＣＰ
Ｕ７から光源電力制御器５に信号を送り、光源２に供給
する電力を増し投光量L0を増加させる。このため、透過
率が低下したときにも透過光量L1の絶対値が増加するの
で、従来のように吸光度Ｅの誤差がめっき液濃度が低い
場合に比較して大きくなることはない。
透過率が低下し透過光量L1が減少するが、本発明におい
てはＣＰＵ７が演算した透過率ｔが低下したとき、ＣＰ
Ｕ７から光源電力制御器５に信号を送り、光源２に供給
する電力を増し投光量L0を増加させる。このため、透過
率が低下したときにも透過光量L1の絶対値が増加するの
で、従来のように吸光度Ｅの誤差がめっき液濃度が低い
場合に比較して大きくなることはない。
【０００９】〔第２の実施形態〕図２は本発明の第２の
実施形態を示す図である。この実施形態では、無電解め
っき液が導かれるフローセル１の透過光を受光するフォ
トセンサー３の出力Ａと、光源２からの投光量L0を検出
するフォトセンサー４の出力Ｂとが比較器９で比較さ
れ、高位選択スイッチ１０が大きい方の信号を選択す
る。そして選択された信号が一定に保たれるように光源
電力制御器５に制御信号が送られ、光源２の出力を制御
する。
実施形態を示す図である。この実施形態では、無電解め
っき液が導かれるフローセル１の透過光を受光するフォ
トセンサー３の出力Ａと、光源２からの投光量L0を検出
するフォトセンサー４の出力Ｂとが比較器９で比較さ
れ、高位選択スイッチ１０が大きい方の信号を選択す
る。そして選択された信号が一定に保たれるように光源
電力制御器５に制御信号が送られ、光源２の出力を制御
する。
【００１０】この実施形態では、実使用時の定常の最高
金属イオン濃度以下の場合、フォトセンサー３の出力Ａ
がフォトセンサー４の出力Ｂより大きくなり、最大出力
近くになるように設計しておく。実使用時の定常の最高
金属イオン以下の場合には、第１の実施形態と同様に、
透過光を受光するフォトセンサー３の出力Ａが一定にな
るように光源電力制御器５が光源２の投光量を制御する
ので、吸光度の測定誤差を小さくすることができる。ま
た金属イオン濃度が定常の最高濃度以上となり、フォト
センサー３の出力Ａよりフォトセンサー４の出力Ｂが大
きくなると高位選択スイッチ１０が出力Ｂを選択し、光
源２からの投光量L0を検出するフォトセンサー４の出力
Ｂが一定になるように光源２の出力が制御される。これ
によってフォトセンサー４の出力Ｂは飽和しないので測
定回路のダイナミックレンジを有効に活用することがで
き、実使用時の測定精度を向上させることができる。
金属イオン濃度以下の場合、フォトセンサー３の出力Ａ
がフォトセンサー４の出力Ｂより大きくなり、最大出力
近くになるように設計しておく。実使用時の定常の最高
金属イオン以下の場合には、第１の実施形態と同様に、
透過光を受光するフォトセンサー３の出力Ａが一定にな
るように光源電力制御器５が光源２の投光量を制御する
ので、吸光度の測定誤差を小さくすることができる。ま
た金属イオン濃度が定常の最高濃度以上となり、フォト
センサー３の出力Ａよりフォトセンサー４の出力Ｂが大
きくなると高位選択スイッチ１０が出力Ｂを選択し、光
源２からの投光量L0を検出するフォトセンサー４の出力
Ｂが一定になるように光源２の出力が制御される。これ
によってフォトセンサー４の出力Ｂは飽和しないので測
定回路のダイナミックレンジを有効に活用することがで
き、実使用時の測定精度を向上させることができる。
【００１１】
【発明の効果】以上に説明したように、本発明によれば
無電解めっき液の透過率が低下したときに光源の出力を
高め、投光量を増加させて測定を行うようにしたので、
透過光量の減少に伴う測定精度の低下が防止でき、無電
解めっき液の濃度変化にかかわらず安定した精度で金属
イオン濃度を測定できる利点がある。
無電解めっき液の透過率が低下したときに光源の出力を
高め、投光量を増加させて測定を行うようにしたので、
透過光量の減少に伴う測定精度の低下が防止でき、無電
解めっき液の濃度変化にかかわらず安定した精度で金属
イオン濃度を測定できる利点がある。
【図１】第１の実施形態を示すブロック図である。
【図２】第２の実施形態を示すブロック図である。
【図３】従来法を示すブロック図である。
１ 無電解めっき液が導かれるフローセル ２ 光源 ３ 透過光を受光するフォトセンサー ４ 投光量L0を検出するフォトセンサー ５ 光源電力制御器 ６ プリアンプ ７ ＣＰＵ ８ プリアンプ ９ 比較器 １０ 高位選択スイッチ
Claims (1)
- 【請求項１】 無電解めっき液の金属イオン濃度を吸光
光度法により測定するに当たり、透過率が低下したとき
に光源の出力を高め、投光量を増加させて測定を行うこ
とを特徴とする無電解めっき液の金属イオン濃度測定方
法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP30167396A JP3753815B2 (ja) | 1996-11-13 | 1996-11-13 | 無電解めっき液の金属イオン濃度測定方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP30167396A JP3753815B2 (ja) | 1996-11-13 | 1996-11-13 | 無電解めっき液の金属イオン濃度測定方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10142144A true JPH10142144A (ja) | 1998-05-29 |
| JP3753815B2 JP3753815B2 (ja) | 2006-03-08 |
Family
ID=17899759
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP30167396A Expired - Fee Related JP3753815B2 (ja) | 1996-11-13 | 1996-11-13 | 無電解めっき液の金属イオン濃度測定方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3753815B2 (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002047575A (ja) * | 2000-05-22 | 2002-02-15 | C Uyemura & Co Ltd | 無電解複合めっき液の自動分析・管理装置 |
| KR100414550B1 (ko) * | 2001-09-20 | 2004-01-13 | 주식회사 아큐텍반도체기술 | 다성분 용액의 농도 분석 시스템 및 방법 |
| JP2008032719A (ja) * | 2006-07-31 | 2008-02-14 | Applied Materials Inc | 集積化学計測としてのラマン分光法 |
| US7507587B2 (en) * | 2000-05-22 | 2009-03-24 | C.Uyemura Co., Ltd. | Automatic analysis and control system for electroless composite plating solution |
| JP5686230B1 (ja) * | 2013-05-29 | 2015-03-18 | コニカミノルタ株式会社 | 照明装置及び反射特性測定装置 |
| JP2017203669A (ja) * | 2016-05-11 | 2017-11-16 | 株式会社中央製作所 | 無電解めっき液の金属イオン濃度測定装置 |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR101808255B1 (ko) * | 2016-04-22 | 2017-12-13 | (주) 테크로스 | 흡광광도법을 이용한 농도 측정 장치 및 방법 |
-
1996
- 1996-11-13 JP JP30167396A patent/JP3753815B2/ja not_active Expired - Fee Related
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002047575A (ja) * | 2000-05-22 | 2002-02-15 | C Uyemura & Co Ltd | 無電解複合めっき液の自動分析・管理装置 |
| US7507587B2 (en) * | 2000-05-22 | 2009-03-24 | C.Uyemura Co., Ltd. | Automatic analysis and control system for electroless composite plating solution |
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| JP2008032719A (ja) * | 2006-07-31 | 2008-02-14 | Applied Materials Inc | 集積化学計測としてのラマン分光法 |
| JP5686230B1 (ja) * | 2013-05-29 | 2015-03-18 | コニカミノルタ株式会社 | 照明装置及び反射特性測定装置 |
| JP2017203669A (ja) * | 2016-05-11 | 2017-11-16 | 株式会社中央製作所 | 無電解めっき液の金属イオン濃度測定装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3753815B2 (ja) | 2006-03-08 |
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Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20040420 |
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| A521 | Written amendment |
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|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20041228 |
|
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