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JPH10135157A - Multilayer wiring substrate and manufacture thereof - Google Patents

Multilayer wiring substrate and manufacture thereof

Info

Publication number
JPH10135157A
JPH10135157A JP28365596A JP28365596A JPH10135157A JP H10135157 A JPH10135157 A JP H10135157A JP 28365596 A JP28365596 A JP 28365596A JP 28365596 A JP28365596 A JP 28365596A JP H10135157 A JPH10135157 A JP H10135157A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
insulating film
interlayer insulating
forming
base substrate
opening
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP28365596A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Kazuhiko Yamano
和彦 山野
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Murata Manufacturing Co Ltd
Original Assignee
Murata Manufacturing Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Murata Manufacturing Co Ltd filed Critical Murata Manufacturing Co Ltd
Priority to JP28365596A priority Critical patent/JPH10135157A/en
Publication of JPH10135157A publication Critical patent/JPH10135157A/en
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/0097Processing two or more printed circuits simultaneously, e.g. made from a common substrate, or temporarily stacked circuit boards
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/46Manufacturing multilayer circuits
    • H05K3/4644Manufacturing multilayer circuits by building the multilayer layer by layer, i.e. build-up multilayer circuits

Landscapes

  • Dicing (AREA)

Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To prevent separation between a base substrate and interlayer insulating film in a dicing or breaking step by directly applying a photosensitive resin to the interlayer insulating film, patterning it and forming scribe lines at dicing or breaking positions with the base substrate exposed. SOLUTION: A first interlayer insulating film, first layer base conductive film 2a and first layer wiring pattern are formed to complete a first layer wiring into a base substrate 10 first trenches 8a are formed. Interlayer connection holes 7 and second trenches 8b are formed, second layer base conductive film 2b and second layer wiring pattern are formed, electroplated film is deposited on this conductive film 2b, conductors 5b are formed, the base conductive film 2b not having the conductors 5b is removed and the divide into mufti- chip modules, and the substrate 10 is cut, using a dicing blade along scribe lines defined by the first and second trenches 8a, 8b.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、高密度高速マルチ
チップモジュール作製用多層配線基板およびその製造方
法に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a multilayer wiring board for producing a high-density high-speed multi-chip module and a method for producing the same.

【0002】[0002]

【従来の技術】LSI等の電子部品を実装する回路基板
においては、高密度化・高速化の要求を満たすために、
ベース基板上に低誘電率の有機高分子材料からなる層間
絶縁膜を積層形成し、積層形成された上記層間絶縁膜上
に、夫々回路配線を形成し、これらの多層化された回路
配線を、バイアホールを形成することにより接続したマ
ルチチップモジュールが用いられている。一般に、上記
マルチチップモジュールは、低コスト化等のために、大
型のベース基板上に複数のマルチチップモジュールが形
成された多層配線基板として形成した後、上記多層配線
基板を各マルチチップモジュール毎に分割して製造す
る。
2. Description of the Related Art In circuit boards on which electronic components such as LSIs are mounted, in order to satisfy the demand for higher density and higher speed,
An interlayer insulating film made of an organic polymer material having a low dielectric constant is formed on a base substrate, and circuit wirings are respectively formed on the laminated interlayer insulating film. A multi-chip module connected by forming via holes is used. Generally, the multi-chip module is formed as a multi-layer wiring board in which a plurality of multi-chip modules are formed on a large base substrate for cost reduction and the like, and then the multi-layer wiring board is formed for each multi-chip module. It is divided and manufactured.

【0003】[0003]

【発明が解決しようとする課題】上記マルチチップモジ
ュールの分割は、通常、ダイシングカッタにより、多層
配線基板を各マルチチップモジュール(小基板)に切断
して行うが、従来構造の多層配線基板では、図6に示す
ように、ベース基板上に積層形成された層間絶縁膜を直
接切断する必要が有り、ダイシング工程中にベース基板
と層間絶縁膜間、または各層間絶縁膜間で剥離が生じ
(図6(b))、絶縁性の劣化等を起こし、マルチチッ
プモジュールの信頼性低下の原因となっていた。また、
従来構造の多層配線基板では、表面もしくは裏面に、予
めレーザスクライブを設けたベース基板上に多層配線を
形成し、スクライブカットの代わりに上記レーザスクラ
イブで各マルチチップモジュールにブレイクする方法を
用いる場合、ベース基板上の層間絶縁膜のブレイクが必
要となり、ブレイク時の層間絶縁膜の剥離が問題となっ
ていた。そこで、本発明は、ダイシング工程またはブレ
イク工程において、ベース基板と層間絶縁膜間、または
各層間絶縁膜間での剥離の生じない多層配線基板構造を
提供することを目的とする。
The multi-chip module is usually divided by dicing the multi-layer wiring board into small multi-chip modules (small boards) using a dicing cutter. As shown in FIG. 6, it is necessary to directly cut the interlayer insulating film laminated on the base substrate, and peeling occurs between the base substrate and the interlayer insulating film or between the interlayer insulating films during the dicing process (see FIG. 6). 6 (b)), deterioration of insulation properties and the like are caused, and this is a cause of deterioration of reliability of the multi-chip module. Also,
In the multilayer wiring board of the conventional structure, when using a method in which a multilayer wiring is formed on a base substrate provided with a laser scribe in advance on the front surface or the back surface, and instead of the scribe cut, the laser scribe is used to break each multi-chip module, A break of the interlayer insulating film on the base substrate is required, and peeling of the interlayer insulating film at the time of the break has been a problem. SUMMARY OF THE INVENTION It is an object of the present invention to provide a multilayer wiring board structure in which a peeling does not occur between a base substrate and an interlayer insulating film or between interlayer insulating films in a dicing step or a breaking step.

【0004】[0004]

【課題を解決するための手段】そこで、発明者は、鋭意
研究の結果、多層配線基板の層間絶縁膜に感光性樹脂を
用いて、これを直接感光、パターニングし、多層配線基
板のダイシング位置またはブレイク位置に、ベース基板
表面が露出したスクライブラインを形成することによ
り、上記剥離を防止できることを見出し、本発明を完成
した。
Accordingly, as a result of intensive studies, the inventor has used a photosensitive resin for an interlayer insulating film of a multilayer wiring board and directly exposed and patterned the same, thereby forming a dicing position of the multilayer wiring board. The present inventors have found that the above-mentioned separation can be prevented by forming a scribe line in which the surface of the base substrate is exposed at the break position, and completed the present invention.

【0005】即ち、本発明は、ベース基板上に、複数の
マルチチップモジュールを形成するために積層形成され
た層間絶縁膜と、該層間絶縁膜上に夫々形成された配線
と、該配線間を接続するために層間絶縁膜中に形成され
たバイアホールを有する多層配線基板において、上記積
層形成された層間絶縁膜が感光性樹脂からなり、該感光
性樹脂を感光してパターニングすることにより、上記マ
ルチチップモジュール周囲に、ベース基板表面が露出し
たスクライブラインをバイアホールと一括形成すること
を特徴とする多層配線基板である。多層配線基板を各マ
ルチチップモジュールに分割する工程において、上記ス
クライブラインでベース基板をダイシングカットするこ
とにより、層間絶縁膜を直接カットすることが不要とな
り、層間絶縁膜の剥離を防止することが可能となる。ま
た、上記スクライブラインは、感光性樹脂からなる層間
絶縁膜を直接感光、パターニングして形成するため、バ
イアホールと一括して形成することができるとともに、
層間絶縁膜をフォトレジスト等を用いてパターニングす
る方法に比べて、スクライブライン形成位置、スクライ
ブライン幅等の制御性を向上させることも可能となる。
That is, according to the present invention, an interlayer insulating film laminated on a base substrate to form a plurality of multi-chip modules, wirings respectively formed on the interlayer insulating film, and wiring between the wirings are provided. In the multilayer wiring board having via holes formed in the interlayer insulating film for connection, the laminated interlayer insulating film is made of a photosensitive resin, and the photosensitive resin is exposed and patterned, A multi-layer wiring board characterized by forming scribe lines with a base substrate surface exposed together with via holes around a multi-chip module. In the process of dividing the multi-layer wiring board into each multi-chip module, the base substrate is diced and cut along the scribe line, so that it is not necessary to directly cut the interlayer insulating film, and the peeling of the interlayer insulating film can be prevented. Becomes In addition, since the scribe line is formed by directly exposing and patterning an interlayer insulating film made of a photosensitive resin, it can be formed together with the via hole, and
Compared with the method of patterning the interlayer insulating film using a photoresist or the like, the controllability of the scribe line forming position, the scribe line width, and the like can be improved.

【0006】また、本発明は、ベース基板上に、複数の
マルチチップモジュールを形成するために積層形成され
た層間絶縁膜と、該層間絶縁膜上に夫々形成された配線
と、該配線間を接続するために層間絶縁膜中に形成され
たバイアホールと、上記マルチチップモジュール周囲の
ベース基板表面を露出させてスクライブラインを形成す
るために上記層間絶縁膜に設けられた開口部を有する多
層配線基板において、上記開口部の側面を形成する層間
絶縁膜が、上層の層間絶縁膜が下層の層間絶縁膜の側面
を覆うように順次形成されていることを特徴とする多層
配線基板でもある。上記開口部側壁部分の下層層間絶縁
膜側面が、上層層間絶縁膜により覆われることにより、
ダイシング工程において、層間絶縁膜間に水分等が浸透
せず、層間絶縁膜の剥離を防止することができる。
Further, the present invention provides an interlayer insulating film formed on a base substrate to form a plurality of multi-chip modules, wirings formed on the interlayer insulating film, and wiring between the wirings. Multilayer wiring having via holes formed in the interlayer insulating film for connection and openings provided in the interlayer insulating film for exposing the base substrate surface around the multi-chip module to form scribe lines In the substrate, the interlayer insulating film forming the side surface of the opening is formed sequentially so that the upper interlayer insulating film covers the side surface of the lower interlayer insulating film. The lower interlayer insulating film side surface of the opening side wall portion is covered with an upper interlayer insulating film,
In the dicing step, moisture or the like does not permeate between the interlayer insulating films, and thus the separation of the interlayer insulating films can be prevented.

【0007】また、本発明は、上記スクライブラインが
形成されたベース基板の表面もしくは裏面に、上記スク
ライブライン内に切欠きラインの中心線が配置されるよ
うに切欠きラインを設けることを特徴とする多層配線基
板でもある。かかる多層配線基板構造を採用することに
より、多層配線基板をマルチチップモジュールをブレイ
クする際に、ベース基板上の層間絶縁膜をブレイクする
必要が無くなり、上記ブレイク工程における層間絶縁膜
の剥離を防止することができる。
Further, the present invention is characterized in that a notch line is provided on a front surface or a back surface of the base substrate on which the scribe line is formed so that a center line of the notch line is arranged in the scribe line. It is also a multi-layer wiring board. By adopting such a multilayer wiring board structure, it is not necessary to break the interlayer insulating film on the base substrate when breaking the multi-chip module on the multilayer wiring board, and the peeling of the interlayer insulating film in the breaking step is prevented. be able to.

【0008】また、本発明は、ベース基板上に感光性樹
脂からなる第1の層間絶縁膜を形成する工程と、上記第
1の層間絶縁膜を感光してパターニングすることによ
り、上記第1の層間絶縁膜のマルチチップモジュール形
成部分の周囲にベース基板表面が露出した第1の開口部
を形成する工程と、上記第1の層間絶縁膜上に第1の配
線を形成する工程と、上記第1の配線上に感光性樹脂か
らなる第2の層間絶縁膜を形成する工程と、上記第2の
層間絶縁膜を感光してパターニングすることにより、上
記第2の層間絶縁膜にバイアホールを形成すると同時
に、上記第1の開口部上の第2の層間絶縁膜を除去して
第2の開口部を形成し、上記ベース基板表面が露出した
スクライブラインを形成する工程とを含むことを特徴と
する多層配線基板の製造方法でもある。このように、本
発明では、感光性樹脂を層間絶縁膜に用いて、これを直
接感光、パターニングしてスクライブラインを形成する
ため、フォトレジストをマスクに用いて層間絶縁膜をエ
ッチングしてスクライブラインを形成する方法に比べ
て、パターニングの制御性が向上し、上記第1の開口部
と第2の開口部の位置合わせを容易に、かつ高精度に行
なうことが可能となる。上記感光性樹脂のパターニング
条件としては、以下の表1に示すような条件を用いるこ
とが好ましい。
Further, the present invention provides a process for forming a first interlayer insulating film made of a photosensitive resin on a base substrate, and exposing and patterning the first interlayer insulating film. Forming a first opening with a base substrate surface exposed around the multi-chip module forming portion of the interlayer insulating film; forming a first wiring on the first interlayer insulating film; Forming a second interlayer insulating film made of a photosensitive resin on the first wiring, and forming a via hole in the second interlayer insulating film by exposing and patterning the second interlayer insulating film; Removing the second interlayer insulating film over the first opening to form a second opening, and forming a scribe line with the base substrate surface exposed at the same time. Of multi-layer wiring boards There is also a way. As described above, in the present invention, the photosensitive resin is used for the interlayer insulating film, and the photosensitive resin is directly exposed and patterned to form scribe lines. Therefore, the scribe line is formed by etching the interlayer insulating film using a photoresist as a mask. The controllability of the patterning is improved as compared with the method of forming the first opening, and the alignment between the first opening and the second opening can be performed easily and with high accuracy. As the patterning conditions for the photosensitive resin, it is preferable to use conditions as shown in Table 1 below.

【表1】 [Table 1]

【0009】また、本発明は、ベース基板上に第1の層
間絶縁膜を形成する工程と、上記第1の層間絶縁膜をパ
ターニングすることにより、上記第1の層間絶縁膜のマ
ルチチップモジュール形成部分の周囲にベース基板表面
が露出した第1の開口部を形成する工程と、上記第1の
層間絶縁膜上に第1の配線を形成する工程と、上記第1
の配線上に第2の層間絶縁膜を形成する工程と、上記第
2の層間絶縁膜をパターニングすることにより、上記第
2の層間絶縁膜にバイアホールを形成すると同時に、上
記第1の開口部上の第2の層間絶縁膜を除去し、上記第
1の開口部内に、第1の開口部より開口幅の狭い第2の
開口部を形成することにより、上記ベース基板表面が露
出したスクライブラインを形成する工程とを含むことを
特徴とする多層配線基板の製造方法でもある。
Further, the present invention provides a step of forming a first interlayer insulating film on a base substrate and patterning the first interlayer insulating film to form a multi-chip module of the first interlayer insulating film. Forming a first opening having a base substrate surface exposed around the portion, forming a first wiring on the first interlayer insulating film, and forming the first wiring on the first interlayer insulating film;
Forming a second interlayer insulating film on the wiring and patterning the second interlayer insulating film to form a via hole in the second interlayer insulating film and simultaneously form the first opening The scribe line exposing the base substrate surface by removing the upper second interlayer insulating film and forming a second opening having a smaller opening width than the first opening in the first opening. And a step of forming a multilayer wiring board.

【0010】また、本発明は、上記ベース基板のスクラ
イブライン形成部分の裏面に、予め、スクライブライン
内に切欠きラインの中心線が配置されるように切欠きラ
インを設けることを特徴とする請求項4または5に記載
の多層配線基板の製造方法。
Further, the present invention is characterized in that a notch line is provided on the back surface of the scribe line forming portion of the base substrate in advance so that the center line of the notch line is arranged in the scribe line. Item 6. The method for manufacturing a multilayer wiring board according to item 4 or 5.

【0011】[0011]

【発明の実施の形態】BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION

実施の形態1.図1〜3に、本発明の一の実施の形態に
かかるマルチチップモジュールの製造工程断面図を示
す。まず、図1の工程(a)に示すように、高純度アル
ミナ(純度99.5%)からなるベース基板10上に、
感光性有機高分子材料1a(東レ社製、感光性ポリイミ
ド「フォトニース」)を塗布し、プリベークする。次
に、工程(b)に示すように、ネガ型のフォトマスクを
用いたパターニングを行い、隣接するマルチチップモジ
ュールの境界線(カットライン)上の感光性有機高分子
材料1aを現像により除去し、幅400μmの第1の溝
8aを形成する。続いて、該感光性有機高分子材料1a
をキュアし、膜厚20μmの1層目層間絶縁膜を形成す
る。次に、工程(c)に示すように、有機高分子材料1
a表面をヒドラジンで表面処理し、パラジウムによる触
媒活性化処理を行った後、硫酸銅メッキ液で、膜厚0.
05μmの無電解銅メッキ膜を形成し、1層目下地導体
膜2aを形成する。次に、工程(d)に示すように、ポ
ジ型フォトレジスト3(ヘキスト社製、ポジ型フォトレ
ジストAZP4620)を塗布し、プリベークを行う。
次に、工程(e)に示すように、フォトマスク4aを用
いて、上記ポジ型フォトレジスト3を露光して、1層目
配線パターンの露光を行った後、現像、水洗して、工程
(f)に示すような1層目配線パターンを形成する。次
に、工程(g)に示すように、セミアディティブ法を用
いて、1層目下地導体膜2a上に電解メッキ膜を析出さ
せ、導体5aを形成する。かかる電解メッキは、硫酸銅
メッキ液による電解銅メッキを用い、露出した上記無電
解銅メッキ膜上に電解銅メッキを析出させて、約5μm
の導体を形成した(マスクに用いるフォトレジスト3の
膜厚は7μmである)。次に、工程(h)に示すよう
に、フォトレジスト3を除去した後、導体5aの無い部
分の下地導体膜2aを除去し、工程(i)に示すよう
に、1層目配線が完成する。
Embodiment 1 FIG. 1 to 3 are cross-sectional views showing a manufacturing process of a multichip module according to one embodiment of the present invention. First, as shown in step (a) of FIG. 1, on a base substrate 10 made of high-purity alumina (purity 99.5%),
A photosensitive organic polymer material 1a (a photosensitive polyimide “Photo Nice” manufactured by Toray Industries, Inc.) is applied and prebaked. Next, as shown in step (b), patterning is performed using a negative photomask, and the photosensitive organic polymer material 1a on the boundary (cut line) of the adjacent multichip module is removed by development. Then, a first groove 8a having a width of 400 μm is formed. Subsequently, the photosensitive organic polymer material 1a
To form a first interlayer insulating film having a thickness of 20 μm. Next, as shown in step (c), the organic polymer material 1
a surface was treated with hydrazine and the catalyst was activated with palladium.
An electroless copper plating film of 05 μm is formed, and a first-layer underlying conductor film 2a is formed. Next, as shown in step (d), a positive photoresist 3 (Positive photoresist AZP4620, manufactured by Hoechst) is applied and prebaked.
Next, as shown in step (e), the positive photoresist 3 is exposed using a photomask 4a to expose a first-layer wiring pattern, and then developed and washed with water. A first-layer wiring pattern as shown in f) is formed. Next, as shown in step (g), an electroplating film is deposited on the first-layer underlying conductor film 2a by using a semi-additive method to form a conductor 5a. Such electrolytic plating uses electrolytic copper plating with a copper sulfate plating solution, and deposits electrolytic copper plating on the exposed electroless copper plating film to a thickness of about 5 μm.
(The thickness of the photoresist 3 used for the mask is 7 μm). Next, as shown in step (h), after the photoresist 3 is removed, the underlying conductor film 2a in the portion without the conductor 5a is removed, and the first layer wiring is completed as shown in step (i). .

【0012】続いて、図2の工程(j)に示すように、
ネガ型の感光性有機高分子材料(東レ社製、感光性ポリ
イミド「フォトニース」)1bを、全面に塗布し、プリ
ベークを行う。次に、工程(k)に示すように、ネガ型
用のフォトマスク6を用いてバイアホールおよび第2の
溝8bのパターンの露光を行い、現像、洗浄処理によ
り、工程(l)に示すように、バイアホール(層間接続
穴)7および第2の溝8bを形成する。上記第2の溝8
bは、工程(b)で形成した幅400μmの第1の溝8
aの内部に形成され、溝幅は200μmであり、この
後、工程(b)と同様に、上記感光性有機高分子材料1
bのキュアを行う。続いて、工程(m)に示すように、
工程(c)と同様の工程を用いて、2層目の下地導体膜
2bを形成する。次に、工程(n)に示すように、工程
(d)と同様の工程を用いて、フォトレジスト3を塗布
し、これをプリベークする。次に、工程(o)に示すよ
うに、フォトマスク4bを用いて、2層目配線パターン
の露光を行う。
Subsequently, as shown in step (j) of FIG.
A negative photosensitive organic polymer material (photosensitive polyimide "Photo Nice", manufactured by Toray Industries, Inc.) 1b is applied to the entire surface and prebaked. Next, as shown in the step (k), the pattern of the via hole and the second groove 8b is exposed using the photomask 6 for negative type, and is developed and washed to perform the processing as shown in the step (l). Then, a via hole (interlayer connection hole) 7 and a second groove 8b are formed. The second groove 8
b is the first groove 8 having a width of 400 μm formed in the step (b).
a, the groove width is 200 μm, and thereafter, as in the step (b), the photosensitive organic polymer material 1
Cure b. Subsequently, as shown in step (m),
The second-layer underlying conductor film 2b is formed by using the same step as the step (c). Next, as shown in a step (n), a photoresist 3 is applied using the same step as the step (d), and is pre-baked. Next, as shown in step (o), the second layer wiring pattern is exposed using the photomask 4b.

【0013】更に、図3の工程(p)に示すように、多
重露光用ポジ型フォトマスク4cを用いて、バイアホー
ル7の部分のみの露光を行い、バイアホール7内のフォ
トレジスト3の露光を行う。次に、工程(q)に示すよ
うに、現像、水洗処理を行い、2層目パターンを形成す
る。次に、工程(r)に示すように、工程(g)と同様
の工程により、2層目下地導体膜2b上に、電解メッキ
膜を析出させ、導体5bを形成した後、工程(s)に示
すように、フォトレジスト3の除去を行う。続いて、工
程(t)に示すように、導体5bの無い部分の下地導体
膜2bを除去し、マルチチップモジュールが完成する。
最後に、各マルチチップミジュールに分割するために、
第1および第2の溝8a、8bにより形成されたスクラ
イブラインで、幅150μmのダイシングブレードを用
いてベース基板10を切断して、マルチチップモジュー
ルが完成する。
Further, as shown in a step (p) of FIG. 3, only the via hole 7 is exposed using the positive type photomask 4c for multiple exposure, and the photoresist 3 in the via hole 7 is exposed. I do. Next, as shown in step (q), development and washing are performed to form a second layer pattern. Next, as shown in the step (r), an electrolytic plating film is deposited on the second-layer underlying conductor film 2b by the same step as the step (g) to form the conductor 5b, and then the step (s) Then, the photoresist 3 is removed as shown in FIG. Subsequently, as shown in step (t), the underlying conductive film 2b in the portion without the conductor 5b is removed, and a multi-chip module is completed.
Finally, to divide each multi-chip module,
The base substrate 10 is cut using a dicing blade having a width of 150 μm along the scribe line formed by the first and second grooves 8a and 8b, thereby completing a multi-chip module.

【0014】図4(a)に本発明の第1の実施の形態に
かかる多層配線基板の断面図を、(b)にマルチチップ
モジュール間をスクライブカットした時の断面図を示
す。工程(l)において、第2の溝8bは、溝の中心線
が第1の溝8aと一致するように形成され、また、第1
の溝8aの幅は400μm、第2の溝8bの幅は200
μmであるため、図4(a)に示すように、スクライブ
ラインを形成する上記溝側壁において、1層目有機絶縁
膜(有機高分子材料)の側面を2層目有機絶縁膜(有機
高分子材料)が覆う構造となる。
FIG. 4A is a cross-sectional view of the multilayer wiring board according to the first embodiment of the present invention, and FIG. 4B is a cross-sectional view of the multi-chip module when it is scribe-cut. In the step (l), the second groove 8b is formed so that the center line of the groove coincides with the first groove 8a.
The width of the groove 8a is 400 μm, and the width of the second groove 8b is 200 μm.
4A, the side surface of the first-layer organic insulating film (organic polymer material) is formed on the side wall of the groove forming the scribe line, as shown in FIG. Material).

【0015】このように、本実施の形態によれば、上記
スクライブラインでベース基板の切断、分割を行うこと
により、ダイシング中に積層形成した有機絶縁膜(有機
高分子材料)を直接切断する必要が無いため、従来例
(図6)に示すような、ダイシング時の有機絶縁膜の剥
離が発生せず、これに起因する絶縁性の劣化等を防止す
ることが可能となる。特に、本実施の形態では、スクラ
イブラインを形成する上記溝側壁において、1層目有機
絶縁膜(有機高分子材料)の側面を2層目有機絶縁膜
(有機高分子材料)が覆う構造となっているため、ダイ
シング工程で用いる冷却水等の1層目および2層目有機
絶縁膜間への侵入を防止でき、従来の構造(図6)に比
べチップの信頼性の向上が可能となる。また、本実施の
形態では、感光性樹脂を層間絶縁膜に用いて、これを直
接感光、パターニングしてスクライブラインを形成する
ため、フォトレジストをマスクに用いて層間絶縁膜をエ
ッチングしてスクライブラインを形成する方法に比べ
て、パターニングの制御性が向上し、上記第1の溝8a
中に第2の溝8bを容易に、かつ高精度に形成すること
が可能となる。更に、上記溝8bの形成には、バイアホ
ール形成工程(工程(l))が利用できるため、製造工
程の増加なしに、溝8bを形成することが可能である。
As described above, according to the present embodiment, by cutting and dividing the base substrate along the scribe line, it is necessary to directly cut the organic insulating film (organic polymer material) formed by lamination during dicing. As a result, the organic insulating film does not peel off during dicing as shown in the conventional example (FIG. 6), and it is possible to prevent the deterioration of the insulating property and the like due to this. In particular, the present embodiment has a structure in which the side surface of the first-layer organic insulating film (organic polymer material) is covered with the second-layer organic insulating film (organic polymer material) on the groove side wall forming the scribe line. Therefore, intrusion of cooling water and the like used in the dicing step between the first and second organic insulating films can be prevented, and the reliability of the chip can be improved as compared with the conventional structure (FIG. 6). In the present embodiment, a photosensitive resin is used for the interlayer insulating film, and the photosensitive resin is directly exposed and patterned to form scribe lines. Therefore, the scribe line is formed by etching the interlayer insulating film using a photoresist as a mask. The controllability of patterning is improved as compared with the method of forming the first groove 8a.
The second groove 8b can be easily formed therein with high precision. Furthermore, since the via hole forming step (step (l)) can be used for forming the groove 8b, the groove 8b can be formed without increasing the number of manufacturing steps.

【0016】尚、上記実施の形態では、2層配線基板に
ついて述べたが、同様の工程を繰り返すことにより、更
に多層化することも可能である。また、上記実施の形態
では、層間絶縁膜として感光性有機高分子材料を用いた
が、代わりに、感光基を有しない有機高分子材料、印刷
用ポリイミド等を用いることも可能である。また、図1
の工程(g)、図3の工程(l)では、配線形成にセミ
アディティブ法を用いたが、下地導体膜を形成する代わ
りに、有機高分子材料表面を無電解メッキ用の触媒活性
化処理(種付け)を行い、また、電解メッキ膜の代わり
に、無電解メッキ膜を所望の膜厚まで成長させて導体を
形成するフルアディティブ法を用いることも可能であ
る。
In the above embodiment, a two-layer wiring board has been described. However, it is also possible to further increase the number of layers by repeating the same steps. Further, in the above embodiment, the photosensitive organic polymer material is used as the interlayer insulating film. However, an organic polymer material having no photosensitive group, a polyimide for printing, or the like can be used instead. FIG.
In the step (g) and the step (l) in FIG. 3, the semi-additive method was used to form the wiring, but instead of forming the underlying conductor film, the surface of the organic polymer material was subjected to a catalyst activation treatment for electroless plating. It is also possible to perform (seeding) and use a full additive method of forming a conductor by growing an electroless plating film to a desired thickness instead of the electrolytic plating film.

【0017】実施の形態2.図5(a)に、本発明の他
の実施の形態にかかる多層配線基板の断面図を、図5
(b)に、マルチチップモジュール間をブレイクした時
の断面図を示す。本実施の形態にかかる多層配線基板の
製造では、ベース基板の切断箇所裏面に、予め何らかの
方法でブレイクラインが形成される。例えば、レーザ加
工により形成されるレーザスクライブであり、以下レー
ザスクライブを例に説明する。レーザ加工により上記レ
ーザスクライブ(図5(a)参照)を形成した後、上記
実施の形態1と同様の工程(図1(a)〜図3(t))
を行うことにより、上記レーザスクライブ上にスクライ
ブラインが形成されるように、多層配線基板を形成す
る。この場合、スクライブラインで隣接する有機絶縁膜
(有機高分子材料)の間隔は、1層目有機絶縁膜間を6
00μm、1層目有機絶縁膜間を400μmとするのが
適当である。多層配線基板を形成した後、スクライブラ
インをダイシングカットする代わりに、スクライブライ
ンに沿って、多層配線基板をブレイクすることにより、
層間絶縁膜の剥離を起こさずに、各マルチチップモジュ
ールに分割することが可能となる。特に、本実施の形態
では、ダイシングカット工程の省略ができるので、製造
工程の簡略化を図ることができる。尚、上記レーザスク
ライブは、ベース基盤の切断箇所表面に形成することも
可能である。
Embodiment 2 FIG. FIG. 5A is a sectional view of a multilayer wiring board according to another embodiment of the present invention.
FIG. 2B is a cross-sectional view when a break occurs between the multi-chip modules. In the manufacture of the multilayer wiring board according to the present embodiment, a break line is previously formed on the back surface of the cut portion of the base substrate by some method. For example, it is a laser scribe formed by laser processing, and the laser scribe will be described below as an example. After forming the laser scribe (see FIG. 5A) by laser processing, the same steps as those in the first embodiment (FIGS. 1A to 3T)
Is performed to form a multilayer wiring board so that a scribe line is formed on the laser scribe. In this case, the interval between the organic insulating films (organic polymer materials) adjacent to each other on the scribe line is 6 between the first organic insulating films.
It is appropriate that the distance between the first-layer organic insulating films is set to 400 μm. After forming the multilayer wiring board, instead of dicing and cutting the scribe line, by breaking the multilayer wiring board along the scribe line,
It becomes possible to divide the multi-chip module without peeling off the interlayer insulating film. In particular, in the present embodiment, the dicing cut step can be omitted, so that the manufacturing process can be simplified. Note that the laser scribe can be formed on the surface of the cut portion of the base substrate.

【0018】[0018]

【発明の効果】以上に説明で明らかなように、本発明に
よれば、多層配線基板上のダイシングカットを行う部分
に、予めベース基板表面を露出させたスクライブライン
を形成することにより、積層した有機絶縁膜を直接スク
ライブする必要がなくなるため、スクライブカット工程
における有機絶縁膜の剥離による絶縁性の劣化を防止
し、マルチチップモジュールの信頼性の向上を図ること
ができる。特に、スクライブライン側壁において、下層
有機絶縁膜の側面を上層有機絶縁膜が覆う構造を採用す
ることにより、ダイシングカット中における有機絶縁膜
の層間への水分等の浸透を防ぎ、絶縁膜の剥離を防止す
ることも可能となる。
As is apparent from the above description, according to the present invention, a scribe line exposing the surface of the base substrate is formed in advance in the portion where the dicing cut is to be made on the multilayer wiring board, so that the lamination is performed. Since it is not necessary to scribe the organic insulating film directly, it is possible to prevent the deterioration of the insulating property due to the peeling of the organic insulating film in the scribe cutting step, and to improve the reliability of the multi-chip module. In particular, by adopting a structure in which the side surface of the lower organic insulating film is covered with the upper organic insulating film on the scribe line side wall, penetration of moisture and the like between the layers of the organic insulating film during dicing cut is prevented, and peeling of the insulating film is prevented. It is also possible to prevent it.

【0019】また、本発明によれば、感光性樹脂を層間
絶縁膜に用いて、これを直接感光、パターニングしてス
クライブラインを形成するため、スクライブラインをバ
イアホールと一括形成できるとともに、フォトレジスト
をマスクに用いて層間絶縁膜をエッチングしてスクライ
ブラインを形成する方法に比べて、パターニングの制御
性が向上し、第1の開口部と第2の開口部の位置合わせ
等が容易に、かつ高精度に行なうことが可能となる。
Further, according to the present invention, a scribe line is formed by directly exposing and patterning a photosensitive resin for an interlayer insulating film to form a scribe line. As compared with a method of forming a scribe line by etching an interlayer insulating film using a mask as a mask, the controllability of patterning is improved, alignment of the first opening and the second opening can be easily performed, and It can be performed with high accuracy.

【0020】また、本発明によれば、表面または裏面に
レーザスクライブを形成したベース基板を用いて、レー
ザスクライブ部分の上面にスクライブラインが配置され
るように多層配線基板を作製することにより、有機絶縁
膜の剥離なしにマルチチップモジュール間のブレイクを
行え、ダイシング工程を省略し、製造工程の簡略化を図
ることが可能となる。
Further, according to the present invention, by using a base substrate having a laser scribe formed on a front surface or a back surface, a multi-layer wiring substrate is manufactured such that scribe lines are arranged on the upper surface of a laser scribe portion. The break between the multi-chip modules can be performed without removing the insulating film, the dicing step can be omitted, and the manufacturing process can be simplified.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】 本発明の第1の実施の形態にかかる多層配線
基板の製造工程図である。
FIG. 1 is a manufacturing process diagram of a multilayer wiring board according to a first embodiment of the present invention.

【図2】 本発明の第1の実施の形態にかかる多層配線
基板の製造工程図である。
FIG. 2 is a manufacturing process diagram of the multilayer wiring board according to the first embodiment of the present invention.

【図3】 本発明の第1の実施の形態にかかる多層配線
基板の製造工程図である。
FIG. 3 is a manufacturing process diagram of the multilayer wiring board according to the first embodiment of the present invention.

【図4】 (a)に本発明の第1の実施の形態にかかる
多層配線基板の断面図を、(b)にマルチチップモジュ
ール間をスクライブカットした時の断面図を示す。
FIG. 4A is a cross-sectional view of the multilayer wiring board according to the first embodiment of the present invention, and FIG. 4B is a cross-sectional view of the multi-chip module when it is scribe-cut.

【図5】 (a)に本発明の第2の実施の形態にかかる
多層配線基板の断面図を、(b)にマルチチップモジュ
ール間をブレイクした時の断面図を示す。
FIG. 5A is a cross-sectional view of a multilayer wiring board according to a second embodiment of the present invention, and FIG. 5B is a cross-sectional view when a break between multi-chip modules is performed.

【図6】 (a)に従来の方法で作製した多層配線基板
の断面図を、(b)にマルチチップモジュール間をスク
ライブカットした時の断面図を示す。
6A is a cross-sectional view of a multilayer wiring board manufactured by a conventional method, and FIG. 6B is a cross-sectional view of a multi-chip module when scribe-cut is performed.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1a、1b 有機高分子材料、2a、2b 下地導体
膜、3 フォトレジスト、4a、4b、4c フォトマ
スク、5a、5b 導体、6 フォトマスク、7バイア
ホール、8a、8b 溝、9 ダイシング箇所、10
ベース基板。
Reference Signs List 1a, 1b organic polymer material, 2a, 2b base conductor film, 3 photoresist, 4a, 4b, 4c photomask, 5a, 5b conductor, 6 photomask, 7 via hole, 8a, 8b groove, 9 dicing location, 10
Base substrate.

Claims (6)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 ベース基板上に、複数のマルチチップモ
ジュールを形成するために積層形成された層間絶縁膜
と、該層間絶縁膜上に夫々形成された配線と、該配線間
を接続するために層間絶縁膜中に形成されたバイアホー
ルを有する多層配線基板において、 上記積層形成された層間絶縁膜が感光性樹脂からなり、
該感光性樹脂を感光してパターニングすることにより、
上記マルチチップモジュール周囲に、ベース基板表面が
露出したスクライブラインをバイアホールと一括形成す
ることを特徴とする多層配線基板。
An interlayer insulating film laminated on a base substrate to form a plurality of multi-chip modules, wirings respectively formed on the interlayer insulating film, and connection between the wirings. In a multilayer wiring board having via holes formed in an interlayer insulating film, the laminated interlayer insulating film is made of a photosensitive resin,
By exposing and patterning the photosensitive resin,
A multi-layer wiring board, wherein a scribe line whose base substrate surface is exposed and a via hole are collectively formed around the multi-chip module.
【請求項2】 ベース基板上に、複数のマルチチップモ
ジュールを形成するために積層形成された層間絶縁膜
と、該層間絶縁膜上に夫々形成された配線と、該配線間
を接続するために層間絶縁膜中に形成されたバイアホー
ルと、上記マルチチップモジュール周囲のベース基板表
面を露出させてスクライブラインを形成するために上記
層間絶縁膜に設けられた開口部を有する多層配線基板に
おいて、 上記開口部の側面を形成する層間絶縁膜が、上層の層間
絶縁膜が下層の層間絶縁膜の側面を覆うように順次形成
されていることを特徴とする多層配線基板。
2. An interlayer insulating film laminated on a base substrate to form a plurality of multi-chip modules, wirings respectively formed on the interlayer insulating film, and connection between the wirings. In a multilayer wiring board having a via hole formed in an interlayer insulating film and an opening provided in the interlayer insulating film to form a scribe line by exposing a surface of a base substrate around the multi-chip module, A multilayer wiring board, wherein an interlayer insulating film forming a side surface of an opening is sequentially formed such that an upper interlayer insulating film covers a side surface of a lower interlayer insulating film.
【請求項3】 上記スクライブラインが形成されたベー
ス基板の表面もしくは裏面に、上記スクライブライン内
に切欠きラインの中心線が配置されるように切欠きライ
ンを設けることを特徴とする請求項1または2に記載の
多層配線基板。
3. A notch line is provided on a front surface or a back surface of the base substrate on which the scribe line is formed, such that a center line of the notch line is disposed in the scribe line. Or the multilayer wiring board according to 2.
【請求項4】 ベース基板上に感光性樹脂からなる第1
の層間絶縁膜を形成する工程と、 上記第1の層間絶縁膜を感光してパターニングすること
により、上記第1の層間絶縁膜のマルチチップモジュー
ル形成部分の周囲にベース基板表面が露出した第1の開
口部を形成する工程と、 上記第1の層間絶縁膜上に第1の配線を形成する工程
と、 上記第1の配線上に感光性樹脂からなる第2の層間絶縁
膜を形成する工程と、 上記第2の層間絶縁膜を感光してパターニングすること
により、上記第2の層間絶縁膜にバイアホールを形成す
ると同時に、上記第1の開口部上の第2の層間絶縁膜を
除去して第2の開口部を形成し、上記ベース基板表面が
露出したスクライブラインを形成する工程とを含むこと
を特徴とする多層配線基板の製造方法。
4. A first substrate made of a photosensitive resin on a base substrate.
Forming the first interlayer insulating film; and exposing and patterning the first interlayer insulating film to expose the base substrate surface around the multi-chip module forming portion of the first interlayer insulating film. Forming an opening, forming a first wiring on the first interlayer insulating film, and forming a second interlayer insulating film made of a photosensitive resin on the first wiring. Forming a via hole in the second interlayer insulating film by exposing and patterning the second interlayer insulating film, and simultaneously removing the second interlayer insulating film on the first opening. Forming a second opening by forming a scribe line with the surface of the base substrate exposed.
【請求項5】 ベース基板上に第1の層間絶縁膜を形成
する工程と、 上記第1の層間絶縁膜をパターニングすることにより、
上記第1の層間絶縁膜のマルチチップモジュール形成部
分の周囲にベース基板表面が露出した第1の開口部を形
成する工程と、 上記第1の層間絶縁膜上に第1の配線を形成する工程
と、 上記第1の配線上に第2の層間絶縁膜を形成する工程
と、 上記第2の層間絶縁膜をパターニングすることにより、
上記第2の層間絶縁膜にバイアホールを形成すると同時
に、上記第1の開口部上の第2の層間絶縁膜を除去し、
上記第1の開口部内に、第1の開口部より開口幅の狭い
第2の開口部を形成することにより、上記ベース基板表
面が露出したスクライブラインを形成する工程とを含む
ことを特徴とする多層配線基板の製造方法。
5. A step of forming a first interlayer insulating film on a base substrate, and patterning the first interlayer insulating film,
Forming a first opening with a base substrate surface exposed around the multi-chip module forming portion of the first interlayer insulating film; and forming a first wiring on the first interlayer insulating film. Forming a second interlayer insulating film on the first wiring; and patterning the second interlayer insulating film,
Forming a via hole in the second interlayer insulating film and simultaneously removing the second interlayer insulating film on the first opening;
Forming a scribe line in which the base substrate surface is exposed by forming a second opening having a smaller opening width than the first opening in the first opening. A method for manufacturing a multilayer wiring board.
【請求項6】 上記ベース基板のスクライブライン形成
部分の表面もしくは裏面に、予め、スクライブライン内
に切欠きラインの中心線が配置されるように切欠きライ
ンを設けることを特徴とする請求項4または5に記載の
多層配線基板の製造方法。
6. A notch line is provided on a front surface or a back surface of a scribe line forming portion of the base substrate so that a center line of the notch line is arranged in the scribe line in advance. Or the method for manufacturing a multilayer wiring board according to 5.
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