JPH1012757A - マイクロパッケージ - Google Patents
マイクロパッケージInfo
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- JPH1012757A JPH1012757A JP18266796A JP18266796A JPH1012757A JP H1012757 A JPH1012757 A JP H1012757A JP 18266796 A JP18266796 A JP 18266796A JP 18266796 A JP18266796 A JP 18266796A JP H1012757 A JPH1012757 A JP H1012757A
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- Japan
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- micro
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- mounting board
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
- H01L2224/732—Location after the connecting process
- H01L2224/73251—Location after the connecting process on different surfaces
- H01L2224/73265—Layer and wire connectors
Landscapes
- Wire Bonding (AREA)
- Surface Acoustic Wave Elements And Circuit Networks Thereof (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】微小電気機械的機能デバイスの動作部分に中空
部を形成する樹脂製の枠のガス発生による接着力の低下
と、デバイスと取付け基板との熱膨張の差による応力歪
みを吸収して信頼性を向上する。 【解決手段】電気機械的機能デバイス１０の動作部を囲
み中空部を形成する枠１６に、中空部に面した部分を残
して、斜めに多数の間隙１７を設けた。
部を形成する樹脂製の枠のガス発生による接着力の低下
と、デバイスと取付け基板との熱膨張の差による応力歪
みを吸収して信頼性を向上する。 【解決手段】電気機械的機能デバイス１０の動作部を囲
み中空部を形成する枠１６に、中空部に面した部分を残
して、斜めに多数の間隙１７を設けた。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、微小電気機械的機
能デバイスの（気密封止）構造に関し、特に弾性表面波
デバイスや水晶振動子などの振動デバイス，加速度セン
サやジャイロなどの慣性センサ，圧力センサ，アクチュ
エータなどの電気機械的運動を伴うデバイスのパッケー
ジ構造及びその信頼性向上に関するものである。
能デバイスの（気密封止）構造に関し、特に弾性表面波
デバイスや水晶振動子などの振動デバイス，加速度セン
サやジャイロなどの慣性センサ，圧力センサ，アクチュ
エータなどの電気機械的運動を伴うデバイスのパッケー
ジ構造及びその信頼性向上に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】製品の小型化，高速化，高機能化に伴
い、一つのモジュール内に多数のチップを組み込むＭＣ
Ｍ（Multi Chip Module ）技術の開発が盛んに行われて
いる。これまでのＭＣＭ技術の中ではＬＳＩのベアチッ
プをフリップチップ，ＴＡＢ（Tape Automated Bondin
g）などの方法を用いて実装し、その後樹脂などでモー
ルドしていた。しかし、従来のＭＣＭ実装技術では、封
止に用いた樹脂が微小電気機械的機能デバイスの運動空
間に潜り込み、特性に影響を与えるため、ＬＳＩのベア
チップと共にＭＣＭ化することはできない。そのため
に、従来の微小電気機械的機能デバイスは、カンパッケ
ージやセラミックパッケージされた後プリント基板など
に実装する構造であり、そのため集積回路などとともに
一体化することはできなかった。
い、一つのモジュール内に多数のチップを組み込むＭＣ
Ｍ（Multi Chip Module ）技術の開発が盛んに行われて
いる。これまでのＭＣＭ技術の中ではＬＳＩのベアチッ
プをフリップチップ，ＴＡＢ（Tape Automated Bondin
g）などの方法を用いて実装し、その後樹脂などでモー
ルドしていた。しかし、従来のＭＣＭ実装技術では、封
止に用いた樹脂が微小電気機械的機能デバイスの運動空
間に潜り込み、特性に影響を与えるため、ＬＳＩのベア
チップと共にＭＣＭ化することはできない。そのため
に、従来の微小電気機械的機能デバイスは、カンパッケ
ージやセラミックパッケージされた後プリント基板など
に実装する構造であり、そのため集積回路などとともに
一体化することはできなかった。
【０００３】ＬＳＩのベアチップと微小電気機械的機能
デバイスを共にＭＣＭ化するため、微小電気機械的機能
デバイスの、構造体やセンサの動作空間を囲むように形
成した接着機能を持つ枠を基板にフェイスダウン方式で
基板に実装し、構造体やセンサをキャビティ内に封止す
ることができる構造のマイクロパッケージが開発されて
いる。
デバイスを共にＭＣＭ化するため、微小電気機械的機能
デバイスの、構造体やセンサの動作空間を囲むように形
成した接着機能を持つ枠を基板にフェイスダウン方式で
基板に実装し、構造体やセンサをキャビティ内に封止す
ることができる構造のマイクロパッケージが開発されて
いる。
【０００４】図７は、従来のセラミックパッケージ技術
による振動デバイスやセンサの縦断面図である。図中、
１は振動デバイスまたはセンサ、２はステム、３はキャ
ップ、４はボンディングワイヤ、５はダイボンディング
樹脂である。上記従来の構成より明らかように、振動デ
バイスまたはセンサ１は、ステム２とキャップ３から構
成されるカンパッケージ内に収容されている。このた
め、従来のパッケージ技術ではパッケージサイズが大き
く、コストも高いという欠点がある。
による振動デバイスやセンサの縦断面図である。図中、
１は振動デバイスまたはセンサ、２はステム、３はキャ
ップ、４はボンディングワイヤ、５はダイボンディング
樹脂である。上記従来の構成より明らかように、振動デ
バイスまたはセンサ１は、ステム２とキャップ３から構
成されるカンパッケージ内に収容されている。このた
め、従来のパッケージ技術ではパッケージサイズが大き
く、コストも高いという欠点がある。
【０００５】図８，図９はこのような欠点を改良するた
め本発明者が先に提案したパッケージ構造例図であり、
図８はフェイスダウン実装前の平面図であり、図９は基
板２０に実装後のＸ−Ｙ断面図である（特願平８−４８
４０３号参照）。図８，図９において、１０は弾性表面
波デバイス、１１は弾性表面波デバイス１０の電極パッ
ド、１２は接着機能を持つ枠、１３はバンプ、１４は接
着強度改善用金属、２０は基板、１５は基板２０上の配
線導体、１００は中空部である。
め本発明者が先に提案したパッケージ構造例図であり、
図８はフェイスダウン実装前の平面図であり、図９は基
板２０に実装後のＸ−Ｙ断面図である（特願平８−４８
４０３号参照）。図８，図９において、１０は弾性表面
波デバイス、１１は弾性表面波デバイス１０の電極パッ
ド、１２は接着機能を持つ枠、１３はバンプ、１４は接
着強度改善用金属、２０は基板、１５は基板２０上の配
線導体、１００は中空部である。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】しかし、上記従来のパ
ッケージは次のような問題が生じている。 （１）デバイス１０と基板２０の熱膨張係数の差が大き
い場合、熱圧着実装時に接合面の応力が大きくなりパッ
ケージ構造が破壊される。 （２）接着機能を持つ枠１２にポリイミド樹脂のような
接合時にガスを放出する材料を用い、しかも、枠１２の
全面が基板２０に接着するような形状の場合、接合時の
ガスが材料内に残るためポリイミド化が進まず接着力が
低下する。以上のように、前述のパッケージ構造は、接
合後の応力の影響や接着力の低下があって実装後の信頼
性に欠けるため、実用化が難しいという欠点がある。
ッケージは次のような問題が生じている。 （１）デバイス１０と基板２０の熱膨張係数の差が大き
い場合、熱圧着実装時に接合面の応力が大きくなりパッ
ケージ構造が破壊される。 （２）接着機能を持つ枠１２にポリイミド樹脂のような
接合時にガスを放出する材料を用い、しかも、枠１２の
全面が基板２０に接着するような形状の場合、接合時の
ガスが材料内に残るためポリイミド化が進まず接着力が
低下する。以上のように、前述のパッケージ構造は、接
合後の応力の影響や接着力の低下があって実装後の信頼
性に欠けるため、実用化が難しいという欠点がある。
【０００７】本発明の目的は、構造体やセンサをベアチ
ップの状態で、しかも構造体やセンサの動作空間を確保
しながら実装し、さらに他のベアチップと共に樹脂封止
できるマイクロパッケージを実用化するため、実装時
（熱圧着）にデバイスと基板間に生じる応力を緩和し、
枠の材料内から生じるガスの放出を促進するような構造
の枠を用いたマイクロパッケージ構造を提供することに
ある。
ップの状態で、しかも構造体やセンサの動作空間を確保
しながら実装し、さらに他のベアチップと共に樹脂封止
できるマイクロパッケージを実用化するため、実装時
（熱圧着）にデバイスと基板間に生じる応力を緩和し、
枠の材料内から生じるガスの放出を促進するような構造
の枠を用いたマイクロパッケージ構造を提供することに
ある。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明のマイクロパッケ
ージは、電気機械的動作部分から引き出された端子電極
を有する微小電気機械的機能デバイスの基板と、前記電
気機械的動作部分を囲み該基板上に形成され上端面が平
らで接着機能をもつ樹脂製の枠と、該枠の外側の前記基
板上の端子電極面に形成されたバンプとを備え、取付け
基板にフェイスダウン実装により前記枠の平らな上端面
と該取付け基板とが接合されたとき前記電気機械的動作
部分の表面近傍に密閉空間が形成され、前記バンプによ
って取付け基板上の配線導体に導通接続されるように構
成されたマイクロパッケージにおいて、前記枠は、前記
密閉空間に接する内側部分を残し、該枠の辺に対して斜
めに多数の間隙が設けられ、該枠を形成するとき発生す
るガスを放出するとともに、前記微小電気機械的機能デ
バイスの基板と前記取付け基板との膨張係数の差によっ
て加熱時あるいは冷却時に生ずる応力による機械的歪み
を吸収するように構成されたことを特徴とするものであ
る。
ージは、電気機械的動作部分から引き出された端子電極
を有する微小電気機械的機能デバイスの基板と、前記電
気機械的動作部分を囲み該基板上に形成され上端面が平
らで接着機能をもつ樹脂製の枠と、該枠の外側の前記基
板上の端子電極面に形成されたバンプとを備え、取付け
基板にフェイスダウン実装により前記枠の平らな上端面
と該取付け基板とが接合されたとき前記電気機械的動作
部分の表面近傍に密閉空間が形成され、前記バンプによ
って取付け基板上の配線導体に導通接続されるように構
成されたマイクロパッケージにおいて、前記枠は、前記
密閉空間に接する内側部分を残し、該枠の辺に対して斜
めに多数の間隙が設けられ、該枠を形成するとき発生す
るガスを放出するとともに、前記微小電気機械的機能デ
バイスの基板と前記取付け基板との膨張係数の差によっ
て加熱時あるいは冷却時に生ずる応力による機械的歪み
を吸収するように構成されたことを特徴とするものであ
る。
【０００９】
【発明の実施の形態】上記構成のマイクロパッケージ構
造は、デバイスの構造体やセンサの動作空間の周りに多
数の間隙１７が設けられ接着機能を持つ枠１６を形成
し、フェイスダウン方式でデバイスの枠１６と取付け基
板とを接着しているため、構造体やセンサは封止された
空間に保持されるので、樹脂を用いてモジュール全体を
封止しても、動作空間内に樹脂が入り込むことはなく、
デバイスの特性を損なうことはない。
造は、デバイスの構造体やセンサの動作空間の周りに多
数の間隙１７が設けられ接着機能を持つ枠１６を形成
し、フェイスダウン方式でデバイスの枠１６と取付け基
板とを接着しているため、構造体やセンサは封止された
空間に保持されるので、樹脂を用いてモジュール全体を
封止しても、動作空間内に樹脂が入り込むことはなく、
デバイスの特性を損なうことはない。
【００１０】デバイスと取付け基板間の熱膨張係数の差
が大きい場合、実装時に接合面に応力が生じる。しか
し、デバイスの動作空間の周りに形成した接着機能を持
つ枠１６に多数の間隙１７が設けられているので、仕切
りのように残っている枠の部分が弾性変形するため応力
を吸収することができる。また、枠１６の材料にポリイ
ミド樹脂などを使用しても、枠１６に間隙１７が多数設
けられているためガスの放出が促進される。以上の２点
の効果により実装後の信頼性が向上する。
が大きい場合、実装時に接合面に応力が生じる。しか
し、デバイスの動作空間の周りに形成した接着機能を持
つ枠１６に多数の間隙１７が設けられているので、仕切
りのように残っている枠の部分が弾性変形するため応力
を吸収することができる。また、枠１６の材料にポリイ
ミド樹脂などを使用しても、枠１６に間隙１７が多数設
けられているためガスの放出が促進される。以上の２点
の効果により実装後の信頼性が向上する。
【００１１】
【実施例】以下、本発明の実施例として、図１から図６
に示した弾性表面波デバイスのパッケージ構造について
説明する。図１は弾性表面波デバイスのパッケージ前
（フェイスダウン実装前）の平面図、図２はそのＸ−Ｙ
断面図、図３は図２の弾性表面波デバイスを取付け基板
２０にフリップチップ実装した後の断面図、図４は枠１
６の形成時に使用するマスクの平面図、図５は図１の矢
印方向（間隙の方向）から見た応力が生じていないとき
の枠１６の形状を説明する部分図、図６は応力が生じた
ときの枠１６の形状を説明する部分図である。
に示した弾性表面波デバイスのパッケージ構造について
説明する。図１は弾性表面波デバイスのパッケージ前
（フェイスダウン実装前）の平面図、図２はそのＸ−Ｙ
断面図、図３は図２の弾性表面波デバイスを取付け基板
２０にフリップチップ実装した後の断面図、図４は枠１
６の形成時に使用するマスクの平面図、図５は図１の矢
印方向（間隙の方向）から見た応力が生じていないとき
の枠１６の形状を説明する部分図、図６は応力が生じた
ときの枠１６の形状を説明する部分図である。
【００１２】図１，図２，図３において、１０は弾性表
面波デバイス、１１は弾性表面波デバイス１０の電極パ
ッド、１６は本発明の要部をなす枠であり、斜めに間隙
１７があり上端面に接着機能を持つ枠である。１３はバ
ンプ、１４は接着強度改善用金属、２０は基板、１５は
基板上の配線、１００は中空部（密閉空間）である。
面波デバイス、１１は弾性表面波デバイス１０の電極パ
ッド、１６は本発明の要部をなす枠であり、斜めに間隙
１７があり上端面に接着機能を持つ枠である。１３はバ
ンプ、１４は接着強度改善用金属、２０は基板、１５は
基板上の配線、１００は中空部（密閉空間）である。
【００１３】電極パッド１１と接着強度改善用金属１４
は、ＩＤＴ電極を形成するときフォトリソグラフィとド
ライエッチングを用いて形成される。この時、電極パッ
ド１１はあらかじめ枠１６の外側まで延長して形成す
る。また、接着強度改善用金属１４は動作空間１００の
周りに配置する。
は、ＩＤＴ電極を形成するときフォトリソグラフィとド
ライエッチングを用いて形成される。この時、電極パッ
ド１１はあらかじめ枠１６の外側まで延長して形成す
る。また、接着強度改善用金属１４は動作空間１００の
周りに配置する。
【００１４】次に、接着機能を持つ枠１６を接着強度改
善用金属１４上に形成する。この接着機能を持つ枠１６
に応力を緩和する機能を持たせるため、高アスペクト比
の間隙１７を設ける。このため、枠１６は図４に示すマ
スク１８を用いてフォトリソグラフィまたは反応性イオ
ンエッチングなどの微細加工技術を用いて形成する。枠
１６の材料としては、ハーフキュアしたポリイミド樹脂
が適当である。マスク１８の形状は、間隙１７の間隔を
フォトリソグラフィの可能な限り狭くし、かつ応力によ
る延びに合わせるのが好ましい。例えば、弾性表面波デ
バイス１０の圧電基板が高温のとき熱膨張によって全体
的に伸びる場合、応力の方向はデバイス中央から四隅に
向かう。従って、枠１６の間隙（切込み）１７の方向は
応力の方向に直角になるように斜めに設けるのがよい。
善用金属１４上に形成する。この接着機能を持つ枠１６
に応力を緩和する機能を持たせるため、高アスペクト比
の間隙１７を設ける。このため、枠１６は図４に示すマ
スク１８を用いてフォトリソグラフィまたは反応性イオ
ンエッチングなどの微細加工技術を用いて形成する。枠
１６の材料としては、ハーフキュアしたポリイミド樹脂
が適当である。マスク１８の形状は、間隙１７の間隔を
フォトリソグラフィの可能な限り狭くし、かつ応力によ
る延びに合わせるのが好ましい。例えば、弾性表面波デ
バイス１０の圧電基板が高温のとき熱膨張によって全体
的に伸びる場合、応力の方向はデバイス中央から四隅に
向かう。従って、枠１６の間隙（切込み）１７の方向は
応力の方向に直角になるように斜めに設けるのがよい。
【００１５】次に、枠１６の外側まで延ばした電極パッ
ド１１上にバンプ１３を形成する。この時バンプ１３の
高さは枠１６の高さより高くする。バンプ１３には、は
んだバンプ、導電樹脂バンプ、メタルバンプがあり、い
ずれのバンプ材料を使用してもよい。ここまでのプロセ
スはウエハ上でバッチ処理が行われる。
ド１１上にバンプ１３を形成する。この時バンプ１３の
高さは枠１６の高さより高くする。バンプ１３には、は
んだバンプ、導電樹脂バンプ、メタルバンプがあり、い
ずれのバンプ材料を使用してもよい。ここまでのプロセ
スはウエハ上でバッチ処理が行われる。
【００１６】次に、ダイシングマシンを用いてウエハを
デバイス毎に分離する。続いて分離されたデバイスを基
板２０上にのせ、デバイスを基板側に押しつけ加熱す
る。この時バンプ１３はデバイスと基板２０間の電気的
接続を行う。枠１６の材料として、ポリイミド樹脂を用
いたときは熱圧着によって取付け基板２０に実装する。
これらのパッケージプロセスが終了すると、枠１６とデ
バイス１０，基板２０によって中空部１００が形成さ
れ、弾性表面波デバイスの動作空間は中空部１００に封
止される。
デバイス毎に分離する。続いて分離されたデバイスを基
板２０上にのせ、デバイスを基板側に押しつけ加熱す
る。この時バンプ１３はデバイスと基板２０間の電気的
接続を行う。枠１６の材料として、ポリイミド樹脂を用
いたときは熱圧着によって取付け基板２０に実装する。
これらのパッケージプロセスが終了すると、枠１６とデ
バイス１０，基板２０によって中空部１００が形成さ
れ、弾性表面波デバイスの動作空間は中空部１００に封
止される。
【００１７】実装後、デバイスと取付基板２０の接合面
には、熱膨張係数の差に比例した応力が生じる。弾性表
面波デバイス１０などの振動デバイスは接合面の応力に
よって特性に影響が現れる。しかし、本発明では、枠１
６の形状を切込み間隙１７付きの形状にしてあるので、
図５，図６に示すように、応力の増加に伴って図６のよ
うに弾性変形するため、応力が緩和されデバイスへの影
響を少なくすることができる。
には、熱膨張係数の差に比例した応力が生じる。弾性表
面波デバイス１０などの振動デバイスは接合面の応力に
よって特性に影響が現れる。しかし、本発明では、枠１
６の形状を切込み間隙１７付きの形状にしてあるので、
図５，図６に示すように、応力の増加に伴って図６のよ
うに弾性変形するため、応力が緩和されデバイスへの影
響を少なくすることができる。
【００１８】また、枠１６が間隙１７を有するので、熱
圧着時に生じるポリミイド樹脂内のガスの枠外側までの
パスが短くなるため、ガスの放出が促進される。
圧着時に生じるポリミイド樹脂内のガスの枠外側までの
パスが短くなるため、ガスの放出が促進される。
【００１９】
【発明の効果】以上述べたように、本発明によれば、枠
１６に切込み間隙１７が設けられているので、温度によ
る応力発生の歪が軽減され、接合時のガスが抜けるた
め、実装後の信頼性が向上する。また、半導体チップと
一体化することができ、従来の樹脂封止をそのまま適用
できるので、構造体，センサなどのマイクロメカニカル
デバイスを搭載したマルチチップモジュールの実用化を
実現することができる。
１６に切込み間隙１７が設けられているので、温度によ
る応力発生の歪が軽減され、接合時のガスが抜けるた
め、実装後の信頼性が向上する。また、半導体チップと
一体化することができ、従来の樹脂封止をそのまま適用
できるので、構造体，センサなどのマイクロメカニカル
デバイスを搭載したマルチチップモジュールの実用化を
実現することができる。
【図１】本発明の実施例のフェイスダウン実装前の平面
図である。
図である。
【図２】図１の（Ｘ−Ｙ）断面図である。
【図３】本発明の実施例のフェイスダウン実装後の断面
図である。
図である。
【図４】本発明の要部をなす枠を形成する時に使用する
マスクの平面図である。
マスクの平面図である。
【図５】図１の矢印方向から見た応力が生じていないと
きの枠の形状説明図である。
きの枠の形状説明図である。
【図６】応力が生じたときの枠の形状説明図である。
【図７】従来のセラミックパッケージ構造例図である。
【図８】先に提案した構造によるフェイスダウン実装前
の平面図である。
の平面図である。
【図９】図８の実装後の（Ｘ−Ｙ）断面図である。
１ 振動デバイスまたはセンサ ２ ステム ３ キャップ ４ ボンディングワイヤ ５ ダイボンディング樹脂 １０ 弾性表面波デバイス １１ 電極パッド １２ 接着機能を持つ枠 １３ バンプ １４ 接着強度改善用金属 １５ 配線導体 １６ 枠 １７ 間隙 ２０ 基板 １００ 中空部（動作空間）
Claims (1)
- 【請求項１】 電気機械的動作部分から引き出された端
子電極を有する微小電気機械的機能デバイスの基板と、
前記電気機械的動作部分を囲み該基板上に形成され上端
面が平らで接着機能をもつ樹脂製の枠と、該枠の外側の
前記基板上の端子電極面に形成されたバンプとを備え、
取付け基板にフェイスダウン実装により前記枠の平らな
上端面と該取付け基板とが接合されたとき前記電気機械
的動作部分の表面近傍に密閉空間が形成され、前記バン
プによって取付け基板上の配線導体に導通接続されるよ
うに構成されたマイクロパッケージにおいて、 前記枠は、前記密閉空間に接する内側部分を残し、該枠
の辺に対して斜めに多数の間隙が設けられ、該枠を形成
するとき発生するガスを放出するとともに、前記微小電
気機械的機能デバイスの基板と前記取付け基板との膨張
係数の差によって加熱時あるいは冷却時に生ずる応力に
よる機械的歪みを吸収するように構成されたことを特徴
とするマイクロパッケージ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18266796A JPH1012757A (ja) | 1996-06-25 | 1996-06-25 | マイクロパッケージ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18266796A JPH1012757A (ja) | 1996-06-25 | 1996-06-25 | マイクロパッケージ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1012757A true JPH1012757A (ja) | 1998-01-16 |
Family
ID=16122336
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP18266796A Pending JPH1012757A (ja) | 1996-06-25 | 1996-06-25 | マイクロパッケージ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH1012757A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| GB2385985A (en) * | 2001-10-31 | 2003-09-03 | Agilent Technologies Inc | Microelectromechanical switches |
| WO2009090895A1 (ja) * | 2008-01-17 | 2009-07-23 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | 圧電デバイス |
| JP2009231389A (ja) * | 2008-03-19 | 2009-10-08 | Fujikura Ltd | 半導体パッケージ及びその製造方法 |
| JP2012182481A (ja) * | 2012-05-07 | 2012-09-20 | Fujikura Ltd | 半導体パッケージ及びその製造方法 |
| WO2016042972A1 (ja) * | 2014-09-16 | 2016-03-24 | 株式会社村田製作所 | 電子部品及び樹脂モールド型電子部品装置 |
-
1996
- 1996-06-25 JP JP18266796A patent/JPH1012757A/ja active Pending
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