JPH10125819A - 半導体装置用基板並びに半導体装置及びそれらの製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 本発明は、高密度で薄型であり、かつ高い平
滑性をもつ実装面を実現でき、実装の確実性の向上を図
る。 【解決手段】 液状樹脂が硬化されてなる絶縁層１と、
絶縁層の一方の面に形成され、半導体チップに接続可能
に配置された複数の接続電極２と、絶縁層の一方の面に
形成され、各接続電極に個別に接続された複数の配線領
域３と、表面が絶縁層に被覆されずに絶縁層の表面より
も凹んだ位置にあり、かつ側面が絶縁層に被覆されるよ
うに絶縁層の他方の面内に形成され、外部要素に接続可
能に配置された複数のランド電極４と、各ランド電極と
各配線領域とを個別に接続する複数のバイア５とを備え
た半導体装置用基板並びに半導体装置及びそれらの製造
方法。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、半導体チップの搭
載されるＢＧＡ(Ball Grid Array) 型の半導体装置用基
板並びに半導体装置及びそれらの製造方法に係わり、特
に、高密度で薄型かつ、はんだブリッジ等による短絡を
阻止し得る半導体装置用基板並びに半導体装置及びそれ
らの製造方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】最近、ノートブック型パソコン、ハンデ
ィビデオ機器及び携帯電話などの携帯可能な電子機器が
広く販売されている。このため、これら電子機器内に半
導体装置を実装する際の半導体装置用基板に対して小形
化、高機能化の要求が高まりつつある。

【０００３】この種の半導体装置用基板には、ＬＳＩ等
の半導体チップを搭載可能なＢＧＡ型のものがあり、具
体的には、例えば、特開平８−３７３４５号公報に開示
されたもの等が公知となっている。なお、半導体装置用
基板に半導体チップが搭載されて樹脂封止されることに
より、外部要素のマザーボード等に実装可能な半導体装
置が製造される。

【０００４】図８は係る半導体装置用基板を用いた半導
体装置の構成を示す断面図である。この半導体装置とし
ては、プリント配線板用の銅張積層板をベース基板３１
とし、このベース基板３１にドリルを用いた機械的加工
によって、略マトリクス状に複数の孔３２が形成され
る。

【０００５】次いで、フォトリソグラフィ法により、ベ
ース基板３１の両面の銅層のうち、上面の銅層が配線用
パターン３３となり、他面の銅層が電極端子（以下、ラ
ンド電極という）３４となるようにパターニングされ
る。

【０００６】配線用パターン３３として、高密度で複雑
のため、単層では形成不可能なパターンを設ける場合、
配線パターン３３を多層配置して配線の高密度化を図る
必要がある。配線パターン３３の多層にあたっては、下
層の配線パターン３３を含む表面に絶縁層３５が形成さ
れた後、同様に導電層（銅層）が形成され、この導電層
がパターニングされて新たな配線パターン３３とされ
る。

【０００７】この際、上下の配線パターン３３間で導通
をとるため、絶縁層３５にスルーホール３６が形成さ
れ、スルーホール３６に形成される導電層を介して両配
線パターン３３を導通させる。このとき、絶縁層３５
は、所望部分にスルーホール３６を形成可能とするた
め、フォトリソグラフィ法によりパターニング可能な材
質が望ましく、例えば感光性樹脂が適切なものとなって
いる。

【０００８】また、各層の配線パターン３３の形成後、
最上層の配線パターン３３の表面にＡｕめっきが施さ
れ、半導体チップ３７との接続（ワイヤ・ボンディン
グ）適性が向上されている。

【０００９】また、図９に示すように、ベース基板３１
下面は、はんだ等から保護するためのソルダレジスト３
８からなる保護層が各ランド電極３４間に形成され、各
ランド電極には、はんだ等からなる導電性ボール３９が
形成されている。

【００１０】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら以上のよ
うな半導体装置用基板では、配線パターン３３とランド
電極３４とを導通させるために、ベース基板３１にドリ
ルによる穴あけ加工が施されている。但し一般に、ドリ
ル加工は微細な穴あけには不向きなため、この種の半導
体装置用基板としては、通常の集積度の製品に適用され
る場合には何の問題もないが、より一層の高密度な集積
化を必要とする用途には不向きとなっている。

【００１１】また、ベース基板３１は、感光性樹脂等が
塗布されてなる絶縁層３５の形成工程にて、支持基板と
して機能している。すなわち、ベース基板３１にはある
程度の剛性（厚さ）が要求されるため、前述同様に、通
常の製品としては何の問題もないが、より一層の薄型化
を必要とする用途には不向きとなっている。

【００１２】また、図９に示すように、ベース基板３１
にソルダレジスト３８を塗布する方式は、ランド電極３
４以外のソルダレジスト３８部分の平滑性が不十分であ
る問題がある。この方式は、配線パターン３３及びラン
ド電極３４が形成された凹凸のあるベース基板３１上に
ソルダレジスト３８を塗布して硬化させるため、ベース
基板３１の凹凸がソルダレジスト３８の上面に継承され
るので、平滑性が得られない。また、平滑性の不十分な
ソルダレジスト３８の上面が実装面となることにより、
実装を確実に行なう観点から、多量のはんだが用いられ
るため、隣接する導電性ボール３９及びランド電極３４
が、はんだのブリッジにより、短絡する可能性が生じて
いる。このため、平滑な実装面により、必要最小限の量
のはんだにより実装可能とすることが求められる。

【００１３】またさらに、ベース基板３１上にソルダレ
ジスト３８を塗布する方式は、ソルダレジスト３８の厚
さを制御し難い問題がある。ソルダレジスト３８の厚み
は、ソルダレジスト３８表面からのランド電極３４の凹
み量となり、実装に必要最小限のはんだを用いて実装す
るためには、この凹み量を適切に制御することが求めら
れている。

【００１４】本発明は上記実情を考慮してなされたもの
で、高密度で薄型であり、かつ高い平滑性をもつ実装面
を実現でき、実装の確実性を向上し得る半導体装置用基
板並びに半導体装置及びそれらの製造方法を提供するこ
とを目的とする。

【００１５】

【課題を解決するための手段】請求項１に対応する発明
は、液状樹脂が硬化されてなる絶縁層と、前記絶縁層の
一方の面に形成され、半導体チップに接続可能に配置さ
れた複数の接続電極と、前記絶縁層の一方の面に形成さ
れ、前記各接続電極に個別に接続された複数の配線領域
と、表面が前記絶縁層に被覆されずに前記絶縁層の表面
よりも凹んだ位置にあり、かつ側面が前記絶縁層に被覆
されるように前記絶縁層の他方の面内に形成され、外部
要素に接続可能に配置された複数のランド電極と、前記
各ランド電極と前記各配線領域とを個別に接続する複数
のバイアとを備えた半導体装置用基板である。

【００１６】また、請求項２に対応する発明は、請求項
１に対応する半導体装置用基板を用いた半導体装置にお
いて、前記各接続電極に電気的に接続された半導体チッ
プと、前記各ランド電極に個別に形成された複数の導電
性ボールとを備え、少なくとも前記半導体チップとその
前記各接続電極への接続部とが樹脂封止されてなる半導
体装置である。

【００１７】さらに、請求項３に対応する発明は、請求
項１に対応する半導体装置用基板の製造方法において、
シート状の金属材料上に、前記各ランド電極の形成位置
とは異なる位置に選択的に液状樹脂を塗布及び硬化させ
て絶縁層を形成する第１の絶縁層形成工程と、前記金属
材料上でかつ前記絶縁層に囲まれた部分に選択的に前記
各ランド電極の表面となる複数のエッチングストッパ層
を形成するストッパ層形成工程と、めっきにより、前記
各エッチングストッパ層上に前記各ランド電極を形成す
るランド形成工程と、前記各ランド電極を一部露出させ
るように、前記各ランド電極の上部及び前記絶縁層の上
部に液状樹脂を塗布及び硬化させて絶縁層を形成する第
２の絶縁層形成工程と、めっきにより、前記各バイア、
前記各配線領域及び前記各接続電極を形成する配線形成
工程と、前記金属材料をエッチングにより除去するエッ
チング工程と、前記エッチングストッパ層の少なくとも
表面を除去するストッパ層除去工程とを含んでいる半導
体装置用基板の製造方法である。

【００１８】また、請求項４に対応する発明は、請求項
２に対応する半導体装置の製造方法において、シート状
の金属材料上に、前記各ランド電極の形成位置とは異な
る位置に選択的に液状樹脂を塗布及び硬化させて絶縁層
を形成する第１の絶縁層形成工程と、前記金属材料上で
かつ前記絶縁層に囲まれた部分に選択的に前記各ランド
電極の表面となる複数のエッチングストッパ層を形成す
るストッパ層形成工程と、めっきにより、前記各エッチ
ングストッパ層上に前記各ランド電極を形成するランド
形成工程と、前記各ランド電極を一部露出させるよう
に、前記各ランド電極の上部及び前記絶縁層の上部に液
状樹脂を塗布及び硬化させて絶縁層を形成する第２の絶
縁層形成工程と、めっきにより、前記各バイア、前記各
配線領域及び前記各接続電極を形成する配線形成工程
と、前記各接続電極に半導体チップを接続するチップ接
続工程と、少なくとも前記半導体チップとその前記各接
続電極への接続部とを樹脂封止する樹脂封止工程と、前
記金属材料をエッチングにより除去するエッチング工程
と、前記エッチングストッパ層の少なくとも表面を除去
するストッパ層除去工程と、前記各ランド電極に個別に
導電性ボールを形成する工程とを含んでいる半導体装置
の製造方法である。

【００１９】さらに、請求項５に対応する発明は、請求
項１に対応する半導体装置用基板の製造方法において、
シート状の金属材料上でかつ前記各ランド電極の形成位
置に選択的に前記各ランド電極の表面となる複数のエッ
チングストッパ層を形成するストッパ層形成工程と、め
っきにより、前記各エッチングストッパ層上に前記各ラ
ンド電極を形成するランド形成工程と、前記各ランド電
極を一部露出させるように、前記各ランド電極の上部及
び前記金属材料の上部に液状樹脂を塗布及び硬化させて
絶縁層を形成する絶縁層形成工程と、めっきにより、前
記各バイア、前記各配線領域及び前記各接続電極を形成
する配線形成工程と、前記金属材料をエッチングにより
除去するエッチング工程と、前記エッチングストッパ層
の少なくとも表面を除去するストッパ層除去工程とを含
んでいる半導体装置用基板の製造方法である。

【００２０】また、請求項６に対応する発明は、請求項
２に対応する半導体装置の製造方法において、シート状
の金属材料上でかつ前記各ランド電極の形成位置に選択
的に前記各ランド電極の表面となる複数のエッチングス
トッパ層を形成するストッパ層形成工程と、めっきによ
り、前記各エッチングストッパ層上に前記各ランド電極
を形成するランド形成工程と、前記各ランド電極を一部
露出させるように、前記各ランド電極の上部及び前記金
属材料の上部に液状樹脂を塗布及び硬化させて絶縁層を
形成する絶縁層形成工程と、めっきにより、前記各バイ
ア、前記各配線領域及び前記各接続電極を形成する配線
形成工程と、前記各接続電極に半導体チップを接続する
チップ接続工程と、少なくとも前記半導体チップとその
前記各接続電極への接続部とを樹脂封止する樹脂封止工
程と、前記金属材料をエッチングにより除去するエッチ
ング工程と、前記エッチングストッパ層の少なくとも表
面を除去するストッパ層除去工程とを含んでいる半導体
装置の製造方法である。 （用語）次に、以上のような本発明について適用される
材料について補足説明する。

【００２１】絶縁層は、スクリーン印刷又はカーテンコ
ート等により塗布された液状樹脂が硬化して形成され
る。液状樹脂としては、エポキシ樹脂、ポリイミド樹
脂、アクリル樹脂等が適用可能である。また、液状樹脂
としては、バイアホール等を容易にかつ高精度で加工す
る観点から、感光性樹脂を用いることが好ましい。しか
しながら非感光性樹脂を用いても、エキシマレーザ等を
使用した微細加工により所望の形状に形成可能となって
いる。

【００２２】また、絶縁層は、ランド電極の側面を被覆
し、表面がランド電極の表面よりも下方に突出し、ラン
ド電極とほぼ同一の大きさで開口している。また、半導
体装置用基板は、１つの半導体チップが搭載可能な構造
あるいは２つ以上の半導体チップが搭載可能な構造のい
ずれでもよい。

【００２３】また、半導体装置用基板は、プリント回路
部を配線上必要とされる層数とし、例えば電源の層や、
接地層を設けた多層構造としてもよい。エッチングスト
ッパ層は、シート状の金属材料をエッチング除去すると
きにストッパとなるもので、例えば金属材料が銅で、過
硫酸アンモニウム、過硫酸カリウム等の過硫酸塩類エッ
チング液、あるいは銅アンモニウム錯イオンを主成分と
するアルカリ性水溶液からなるエッチング液を用いる場
合には、はんだ等が使用される。

【００２４】なお、エッチングストッパ層の材質は、配
線材料に対して強い密着力を有し、エッチング液に腐食
され難いものが良く、さらに金属材料に容易に形成可能
なことが望ましい。具体的には、金属材料及びエッチン
グ液との関係で適宜選択される。

【００２５】また、エッチングストッパ層は、金属材料
のエッチング後、少なくとも表面が除去される。このた
め、金属材料のエッチング液とは異なる液で、エッチン
グあるいは除去の可能な材料であることが好ましい。な
お、エッチングストッパ層の少なくとも表面を除去した
後、除去した厚さよりも薄い厚さで、Ａｕ、Ｐｄ等の金
属で表面保護層を形成してもよい。

【００２６】ここで、エッチングストッパ層の表面を除
去する場合、エッチング量の制御により、ランド電極の
凹み量を適切に制御可能となっている。また、エッチン
グストッパ層を除去する場合、エッチングストッパ層の
形成の厚みを制御することにより、ランド電極の凹み量
を適切に制御可能となっている。このような制御方法
は、従来のソルダレジストの厚み制御とは異なり、高精
度で制御可能である。特に、エッチングストッパ層を完
全に除去する方式は、めっき量等のエッチングストッパ
層の形成の厚み制御が高精度で可能なため、好ましい。

【００２７】また、エッチングストッパ層の材質は、外
部要素のプリント配線板等との接続に用いる材料（例え
ばはんだ）に対し、ぬれ性の高い材料が望ましい。エッ
チングストッパ層の形成方法には、めっき、蒸着、スパ
ッタリング等があり、適宜選択可能となっている。

【００２８】また、はんだを例にとると、はんだは、め
っきによって、簡易に形成することが可能であり、金属
材料が銅合金であれば、銅アンモニウム錯イオンを主成
分とするアルカリエッチング液を用いてエッチングする
と、銅合金はエッチングされ、はんだ層はストッパ層と
なる。

【００２９】シート状の金属材料としては、例えば、
銅、銅合金、又は４２合金（４２重量％ Ｎｉ、残部
Ｆｅ）に代表される鉄−Ｎｉ合金等が使用可能となって
おり、特に、銅合金は、優れた熱伝導度と低い電気抵抗
とを有する点で好ましい。

【００３０】シート状の金属材料の厚さは、支持基板と
して機能する程度に厚く、かつエッチングによる除去の
容易な程度に厚すぎない厚さが必要とされ、例えば０．
１５ｍｍ〜０．３５ｍｍ程度の範囲内にあることが好ま
しい。また、金属材料としては、平滑性が求められる
が、これは通常の金属材料の有する平滑性の程度でもよ
い。

【００３１】バイアの形成工程にて、めっきにより、バ
イアホール内を充填することは、バイアホール内での気
泡の形成を阻止する観点から好ましい。具体的には、金
属材料に通電する電解めっきが可能であり、簡易な工程
でバイアホール内を充填可能となっている。

【００３２】バイア上に、配線領域及び接続電極からな
る導体回路を形成する工程では、常法のサブトラクティ
ブ法、セミアディティブ法又はフルアディティブ法等の
電解Ｃｕめっきが適用可能であるが、バイアが形成済の
ため、導体回路が容易に形成可能となっている。

【００３３】サブトラクティブ法としては、例えば無電
解めっき又はスパッタリング等が使用可能であり、具体
的には例えば、０．２μｍ厚の薄い銅層の形成後、全面
に１０μｍ厚の電解銅めっきが施される。また、レジス
ト（例、ＰＭＥＲ；商品名：東京応化工業（株）製）が
塗布され、乾燥された後、露光、現像、エッチング、レ
ジスト剥離の各工程が実行される。また、レジストとし
ては、ネガ型の感光性レジストが望ましく、例えば、商
品名ＰＭＥＲで呼ばれるレジストが使用可能である。ま
た、塗布方法としては、浸漬、スクリーン印刷又はスピ
ンコート等が適宜使用可能となっている。

【００３４】セミアディティブ法としては、例えば、無
電解めっき又はスパッタリング等が使用可能であり、具
体的には例えば、０．２μｍ厚の薄い銅層の形成後、レ
ジスト（例、ＰＭＥＲ）が塗布され、乾燥された後、露
光、現像され、配線領域及び接続電極となるパターン部
に１０μｍ厚の電解銅めっきが施される。また、レジス
ト剥離後、薄い銅層がエッチング除去される。

【００３５】フルアディティブ法としては、例えば、触
媒付与、レジスト形成後、無電解めっきにより、配線領
域及び接続電極が形成される。半導体チップの半導体装
置用基板との接続法としては、ワイヤボンディング又は
バンプ等がある。また、少なくとも半導体チップ及び半
導体チップと半導体装置用基板との接続部を樹脂封止し
た後に、金属材料をエッチングする。 （作用）従って、請求項１に対応する発明は以上のよう
な手段を講じたことにより、絶縁層が液状樹脂から形成
されるため、ドリルによる穴あけ工程を省略できること
から高密度なパターンと薄型の形状を実現でき、また、
高い平滑性をもつ実装面を実現でき、さらに、各ランド
電極の表面が絶縁層の表面よりも凹んだ位置にあるよう
にしたので、導電性ボールを各ランド電極上に形成する
とき及び導電性ボールを形成した半導体装置を外部要素
に搭載するときに、突出した絶縁層表面がダムとして作
用するので、接続用のはんだの量を適切に制御すること
ができ、もって、実装の確実性の向上を期待することが
できる。

【００３６】また、請求項２に対応する発明は、請求項
１に対応する半導体装置用基板に半導体チップが接続さ
れ、かつ半導体チップとその接続部とが樹脂封止され、
各ランド電極には導電性ボールが形成されたので、請求
項１に対応する作用と同様の作用を奏する半導体装置を
実現できる。

【００３７】さらに、請求項３に対応する発明は、シー
ト状の金属材料上に、選択的に絶縁層を形成し、しかる
後、各ランド電極の表面となるエッチングストッパ層を
形成し、以下、順次、ランド電極を形成し、再度絶縁層
を形成し、各バイア、各配線領域及び各接続電極を形成
し、金属材料をエッチングにより除去し、エッチングス
トッパ層の少なくとも表面を除去するので、請求項１に
対応する作用と同様の作用を奏する半導体装置用基板を
容易かつ確実に製造することができ、製造工程の安定性
を向上させることができる。

【００３８】さらに、請求項４に対応する発明は、シー
ト状の金属材料上に、選択的に絶縁層を形成し、しかる
後、各ランド電極の表面となるエッチングストッパ層を
形成し、以下、順次、ランド電極を形成し、再度絶縁層
を形成し、各バイア、各配線領域及び各接続電極を形成
し、各接続電極に半導体チップを接続し、半導体チップ
等を樹脂封止し、金属材料をエッチングにより除去し、
エッチングストッパ層の少なくとも表面を除去するの
で、請求項２に対応する作用と同様の作用を奏する半導
体装置を容易かつ確実に製造することができ、製造工程
の安定性を向上させることができる。

【００３９】また、請求項５に対応する発明は、シート
状の金属材料上に、選択的にエッチングストッパ層及び
各ランド電極を形成し、しかる後、順次、絶縁層を形成
し、各バイア、各配線領域及び各接続電極を形成し、金
属材料をエッチングにより除去し、エッチングストッパ
層の少なくとも表面を除去するので、請求項１に対応す
る作用と同様の作用を奏する半導体装置用基板を容易か
つ確実に製造することができ、製造工程の安定性を向上
でき、さらに、選択的にエッチングストッパ層を形成す
る際に、高解像度なレジストを用いることにより、より
一層高密度で微細なパターンを形成することができる。

【００４０】また、請求項６に対応する発明は、シート
状の金属材料上に、選択的にエッチングストッパ層及び
各ランド電極を形成し、しかる後、順次、絶縁層を形成
し、各バイア、各配線領域及び各接続電極を形成し、各
接続電極に半導体チップを接続し、半導体チップ等を樹
脂封止し、金属材料をエッチングにより除去し、エッチ
ングストッパ層の少なくとも表面を除去するので、請求
項２に対応する作用と同様の作用を奏する半導体装置を
容易かつ確実に製造することができ、製造工程の安定性
を向上でき、さらに、選択的にエッチングストッパ層を
形成する際に、高解像度なレジストを用いることによ
り、より一層高密度で微細なパターンを形成することが
できる。

【００４１】

【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態につい
て図面を参照して説明する。 （第１の実施の形態）図１は本発明の第１の実施の形態
に係る半導体装置用基板の構成を示す断面図である。こ
の半導体装置用基板は、液状樹脂が硬化されてなる絶縁
層１と、絶縁層１の一方の面に形成され、半導体チップ
に接続可能に配置された複数の接続電極２と、絶縁層１
の一方の面に形成され、各接続電極２に個別に接続され
た複数の配線領域３と、表面が絶縁層１に被覆されずに
絶縁層１の表面よりも凹んだ位置にあり、かつ側面が絶
縁層１に被覆されるように絶縁層１の他方の面内に形成
され、外部要素に接続可能に配置された複数のランド電
極４と、各ランド電極４と各配線領域２とを個別に接続
する複数のバイア５とを備えている。

【００４２】また、各配線領域３及び絶縁層１からなる
面は、接続電極２上を除き、保護層６にて覆われてい
る。ここで、絶縁層１は、液状の絶縁樹脂の塗布、乾燥
により形成される。絶縁樹脂としては、エポキシ樹脂
系、アクリル樹脂系の絶縁樹脂等が適用可能となってい
る。

【００４３】各接続電極２は、半導体チップに良好に接
続するためのめっき層２ａが表面に形成されている。め
っき層２ａは、導電層（銅層）上の下地がＮｉ層であ
り、Ｎｉ層上にＡｕ層が形成されてなる。

【００４４】各ランド電極４は、エッチングストッパ層
としてのはんだ層４ａが表面に形成され、はんだ層４ａ
の一部又は全部が除去されると、図２に示すように、表
面が絶縁層１に被覆されずに絶縁層１の表面よりも凹ん
だ位置にあり、かつ側面が絶縁層１に被覆されるように
絶縁層１の他方の面内に形成される。

【００４５】次に、このような半導体装置用基板の製造
方法について説明する。始めに、シート状の０．２ｍｍ
厚の銅合金１０が洗浄される。乾燥後、この銅合金１０
の裏面には、全域に耐酸性テープとしてのドライフィル
ム（図示せず）が貼着される。しかる後、この銅合金１
０の表面には、スクリーン印刷により、絶縁層１となる
感光性絶縁樹脂（ＤＰＲ−１０５；商品名：（株）アサ
ヒ化学研究所製）が印刷される。

【００４６】この感光性絶縁樹脂は、ランド電極４の形
成位置に対応するパターンが露光され、現像されること
により、ランド電極４の形成位置の絶縁層が穴径０．６
ｍｍで除去され、もって、図３（ａ）に示すように、２
０μｍ厚の絶縁層１ａが選択的に形成される。

【００４７】続いて、銅合金１０を電極として電解ニッ
ケルめっき工程が実行され、図３（ｂ）に示すように、
絶縁層１ａに囲まれた銅合金１０部分に、５μｍ厚のは
んだ層４ａが形成される。はんだ層４ａは、最終工程の
銅合金１０エッチング除去時のストッパー層となるもの
であるため、ピンホールの無いように、また十分にエッ
チング耐性を有するように、厚さ１μｍから１０μｍ程
度、特に２μｍから８μｍ程度に形成されることが好ま
しい。

【００４８】また、このような銅合金１０は、硫酸銅め
っき液に浸漬され、電解銅めっき工程が施されることに
より、図３（ｃ）に示すように、１０μｍ厚の銅層１１
が形成される。

【００４９】再び、スクリーン印刷により、絶縁層１と
なる感光性絶縁樹脂が印刷される。この絶縁樹脂は、各
ランド電極表面のはんだ層４ａを一部露出させるパター
ンに対応して露光され、現像されることにより、ランド
電極４の形成位置における中央部の絶縁層が穴径０．０
８ｍｍで除去されてバイアホール１２が形成され、もっ
て、図４（ａ）に示すように、２０μｍ厚の絶縁層１ａ
とあわせて４０μｍ厚の絶縁層１が形成される。

【００５０】次に、銅合金１０を電極として電解銅めっ
き工程が施され、２０μｍ厚の銅めっき層がバイアホー
ル１２内に形成され、もって、バイアホール１２内が銅
層で充填されてバイア５が形成される。しかる後、バイ
アホール１２上面及び絶縁層１表面がバフ研磨されて平
滑化される。

【００５１】続いて、全面に無電解銅めっきが厚さ０．
５μｍで施され、電解めっきが厚さ１０μｍで施される
ことにより、全面に１０．５μｍ厚の銅層が形成され
る。さらに、感光性の液状レジスト（ＰＭＥＲ；商品
名：東京応化工業（株）製）が浸漬により、両面に１０
μｍ厚で塗布される。この液状レジストは、接続電極２
及び配線領域３を形成するパターンに対応して露光さ
れ、現像されてパタ−ニングされる。

【００５２】しかる後、銅層が選択的にエッチングされ
て除去され、また裏面のレジストがドライフィルムごと
剥離され、もって、図４（ｂ）に示すように、接続電極
２及び配線領域３が形成された構造となる。

【００５３】配線領域３上に、保護層６として、絶縁樹
脂と同材質の樹脂がスクリーン印刷され、半導体チップ
との接続電極２を露出させるパターンに対応し露光さ
れ、現像されて、接続電極２上の樹脂が除去される。

【００５４】また、接続電極２上に、無電解めっきによ
り、ニッケルめっきが厚さ２μｍ、金めっきが厚さ０．
３μｍで施される。すなわち、図４（ｃ）に示すよう
に、接続電極２上に、Ｎｉ層及びＡｕ層からなるめっき
層２ａが形成される。なお、この図４（ｃ）に示す構造
は、出荷可能な半導体装置用基板となっている。

【００５５】続いて、保護層６、配線領域３及び接続電
極２からなる回路形成面に保護用のドライフィルムが貼
着され（図示せず）、しかる後、銅合金１０が過硫酸ア
ンモニウムを用いて、エッチングにより除去される。こ
のとき、はんだ層４ａがエッチングストッパ層となり、
図４（ｄ）に示すように、銅合金１０のみが除去され
る。続いて、図４（ｅ）に示すように、はんだ層４ａが
剥離除去され、ドライフィルムが剥離され、半導体装置
用基板が完成される。

【００５６】上述したように第１の実施の形態によれ
ば、絶縁層１が液状樹脂から形成されるため、ドリルに
よる穴あけ工程を省略できることから高密度なパターン
と薄型の形状を実現できると共に、高い平滑性をもつ実
装面を実現でき、さらに、各ランド電極４の表面が絶縁
層１の表面よりも凹んだ位置にあるようにしたので、導
電性ボールを各ランド電極４上に形成するとき及び導電
性ボールを形成した半導体装置を外部要素に搭載すると
きに、突出した絶縁層１表面がダムとして作用するの
で、接続用のはんだの量を適切に制御することができ、
はんだブリッジによる回路の短絡等の不良が発生しにく
く、もって、実装の確実性の向上を期待することができ
る。

【００５７】また、シート状の銅合金１０上にビルドア
ップし、その後銅合金１０を除去するため、高い平滑性
を有する絶縁層１を実現でき、また、薄型化された場合
でも容易に、高い信頼性で製造することができる。

【００５８】さらに、各ランド電極４の表面がエッチン
グストッパ層として機能する材料により形成されるの
で、上述した効果を容易かつ確実に奏することができ
る。また、製造工程としては、シート状の銅合金１０上
に、選択的に絶縁層１ａを形成し、しかる後、各ランド
電極４の表面となるはんだ層４ａを形成し、以下、順
次、ランド電極４を形成し、再度絶縁層１を形成し、各
バイア５、各配線領域３及び各接続電極２を形成し、銅
合金１０をエッチングにより除去し、はんだ層４ａを除
去するので、上述した効果を奏する半導体装置用基板を
容易かつ確実に製造することができ、製造工程の安定性
を向上させることができる。

【００５９】さらに、高精度で厚さを制御し易いはんだ
層４ａを設け、しかる後、はんだ層４ａを除去するの
で、ランド電極４の凹み量を容易に制御でき、もって、
実装時のはんだ量も高精度に制御することができる。 （第２の実施の形態）次に、本発明の第２の実施の形態
に係る半導体装置用基板について図１を用いて説明す
る。

【００６０】すなわち、本実施の形態に係る半導体装置
用基板は、第１の実施形態の製造方法を変形させたもの
であり、各ランド電極４におけるはんだ層４ａを形成し
た後に絶縁層１を形成する製造方法であって、完成品の
構造としては図１に示した構造と同一構造となってい
る。

【００６１】次に、このような半導体装置用基板の製造
方法について説明する。始めに、シート状の０．２ｍｍ
厚の銅合金１０が洗浄される。乾燥後、この銅合金１０
の裏面には、図示しないドライフィルムが貼着される。
しかる後、この銅合金１０の表面には、浸漬により、感
光性の液状レジスト（ＰＭＥＲ；商品名：東京応化工業
（株）製）が２５μｍ厚で塗布される。なお、液状レジ
ストの塗布厚は、後に形成するランド電極４の厚さより
も厚いことが必要であり、例えば２５〜５０μｍ程度が
好ましい。

【００６２】この液状レジストは、ランド電極４の形成
位置のパターンに対応して露光され、現像されることに
より、ランド電極４の形成位置の部分が穴径０．６ｍｍ
で除去され、もって、図５（ａ）に示すように、２０μ
ｍ厚のレジスト層１３が選択的に形成される。

【００６３】続いて、銅合金１０を電極として電解はん
だめっきが施され、図５（ｂ）に示すように、レジスト
層１３に囲まれた銅合金１０部分に、１０μｍ厚のはん
だ層４ｂが形成される。はんだ層４ａは、最終工程の銅
合金１０エッチング除去時のストッパー層となるもので
あるため、ピンホールの無いように、また十分にエッチ
ング耐性を有するように、さらに、後にエッチングによ
ってその一部を除去するため、厚さは、５μｍから１５
μｍ程度が好ましく、特に８μｍから１０μｍ程度に形
成されることが好ましい。

【００６４】なお、このはんだ層４ａ上に電解銅めっき
を施し、１５μｍ厚程度の銅層を形成し、ランド電極４
を補強してもよい。次に、図５（ｃ）に示すように、レ
ジスト１３が剥離される。

【００６５】続いて前述同様に、スクリーン印刷によ
り、絶縁層１となる感光性絶縁樹脂（ＤＰＲ−１０５；
商品名：（株）アサヒ化学研究所製）が印刷される。こ
の絶縁樹脂は、各ランド電極４を一部露出させるパター
ンに対応して露光され、現像されることにより、ランド
電極４の形成位置における中央部の絶縁層が穴径０．０
８ｍｍで除去されてバイアホール１２が形成され、図５
（ｄ）に示すように、４０μｍ厚の絶縁層１が形成され
る。

【００６６】銅合金１０を電極として電解銅めっきが施
され、２０μｍ厚の銅めっき層がバイアホール１２内に
形成され、もって、バイアホール１２内が銅層で充填さ
れてバイア５が形成される。しかる後、バイアホール１
２上面及び絶縁層１表面がバフ研磨されて平滑化され
る。

【００６７】続いて、全面に無電解めっきが厚さ０．５
μｍで施され、電解めっきを厚さ１０μｍで施されるこ
とにより、全面に１０．５μｍ厚の銅層が形成される。
さらに、感光性の液状レジスト（ＰＭＥＲ）が浸漬によ
り、両面に厚さ１０μｍで塗布される。この液状レジス
トは、接続電極２及び配線領域３を形成するパターンに
対応して露光され、現像されてパターニングされる。

【００６８】しかる後、塩化第二鉄を用いたエッチング
により、銅層が選択的に除去され、また、裏面のレジス
トがドライフィルムごと剥離され、もって、図５（ｅ）
に示すように、接続電極２及び配線領域３が形成された
構造となる。

【００６９】配線領域３上に、保護層６として、絶縁樹
脂と同材質の樹脂がスクリーン印刷され、半導体チップ
との接続電極２を露出させるパターンに対応し露光さ
れ、現像されて、接続電極２上の樹脂が除去される。

【００７０】また、接続電極２上に、無電解めっきによ
り、ニッケルめっきが厚さ２μｍ、金めっきが厚さ０．
３μｍで施され、図５（ｆ）に示すように、Ｎｉ層及び
Ａｕ層からなるめっき層２ａが形成される。なお、この
図５（ｆ）に示す構造は、出荷可能な半導体装置用基板
となっている。

【００７１】続いて、保護層６、配線領域３及び接続電
極２からなる回路形成面に保護用のドライフィルムが貼
着され（図示略）、しかる後、銅合金１０がエッチング
により除去される。このとき、はんだ層４ａがエッチン
グストッパ層となり、図５（ｇ）に示すように、銅合金
のみが除去される。また、図５（ｈ）に示すように、は
んだ層４ａが塩化第二鉄により５μｍだけエッチングさ
れ、ドライフィルムが剥離され、半導体装置用基板が完
成される。

【００７２】上述したように第２の実施の形態によれ
ば、第１の実施形態の効果に加え、製造工程としては、
シート状の銅合金１０上に、選択的にはんだ層４ａ及び
各ランド電極４を形成し、しかる後、順次、絶縁層１を
形成し、各バイア５、各配線領域３及び各接続電極２を
形成し、銅合金１０をエッチングにより除去し、はんだ
層４ａを一部除去するので、第１の実施形態の効果を奏
する半導体装置用基板を容易かつ確実に製造することが
でき、製造工程の安定性を向上でき、さらに、選択的に
はんだ層４ａを形成する際に、高解像度なレジストを用
いることにより、より一層高密度で微細なパターンを形
成することができる。 （第３の実施の形態）次に、本発明の第３の実施の形態
に係る半導体装置について説明する。

【００７３】図６はこの半導体装置の構成を示す断面図
であり、図１と同一部分には同一符号を付してその詳し
い説明は省略し、ここでは異なる部分についてのみ述べ
る。すなわち、本実施の形態に係る半導体装置は、第１
又は第２の実施形態の変形形態であり、図１に示す装置
に対し、図６に示すように、各接続電極２に電気的に接
続された半導体チップ２１と、各ランド電極４に個別に
形成された複数の導電性ボール２２とを備え、少なくと
も半導体チップ２１とその各接続電極２への接続部とが
絶縁樹脂２３により封止されて形成されている。

【００７４】なお、第１の実施の形態における図４
（ｃ）と、第２の実施の形態における図５（ｆ）とは互
いに同一内容の工程のため、ここでは図４（ｃ）の工程
のみを例に挙げ、その後工程を続けるように本実施の形
態を説明する。

【００７５】次に、このような半導体装置の製造方法に
ついて説明する。図４（ｃ）に示す工程の後、基板中央
の半導体チップ搭載部に半導体チップ２１が搭載され、
図７（ａ）に示すように、半導体チップ２１と接続電極
２とがボンディングワイヤ２４を介して接続される。

【００７６】続いて、この半導体チップの搭載面は、図
７（ｂ）に示すように、エポキシ樹脂等の絶縁樹脂２３
で封止される。さらに、図７（ｃ）に示すように、銅合
金１０がエッチングにより除去される。このとき、ラン
ド電極４のはんだ層４ａがエッチングストッパーとなる
ため、ランド電極４内部やバイア５等は除去されず、銅
合金１０のみが除去される。

【００７７】しかる後、図７（ｄ）に示すように、はん
だ層４ａが剥離除去され、さらに、図７（ｅ）に示すよ
うに、各ランド電極４に導電性ボール２２が形成され
る。これにより、半導体装置が完成される。

【００７８】上述したように第３の実施の形態によれ
ば、第１の実施形態に係る半導体装置用基板に半導体チ
ップ２１が接続され、かつ半導体チップ２１とその接続
部とが樹脂封止されているので、第１の実施形態の作用
効果により、高密度化並びに薄型化を期待でき、もっ
て、高機能化を期待することができる。

【００７９】また、製造工程としては始めから述べる
と、シート状の銅合金１０上に、選択的に絶縁層１ａを
形成し、しかる後、各ランド電極４の表面となるはんだ
層４ａを形成し、以下、順次、ランド電極４を形成し、
再度絶縁層１を形成し、各バイア５、各配線領域３及び
各接続電極２を形成し、各接続電極２に半導体チップ２
１を接続し、半導体チップ２１等を樹脂封止し、銅合金
１０をエッチングにより除去し、はんだ層４ａを剥離除
去し、各ランド電極４に導電性ボール２２を形成するの
で、上述した作用効果を奏する半導体装置を容易かつ確
実に製造することができ、製造工程の安定性を向上させ
ることができる。

【００８０】なお、本実施の形態では詳述を避けたが、
図５（ｆ）の後工程を続けて半導体装置を製造する場
合、製造工程としては始めから述べると、シート状の銅
合金１０上に、選択的にはんだ層４ａ及び各ランド電極
４を形成し、しかる後、順次、絶縁層１を形成し、各バ
イア５、各配線領域３及び各接続電極２を形成し、各接
続電極２に半導体チップ２１を接続し、半導体チップ２
１等を樹脂封止し、銅合金１０をエッチングにより除去
し、はんだ層４ａを一部除去し、各ランド電極４（はん
だ層４ａ）上に導電性ボール２２を形成するので、本実
施形態の作用効果を奏する半導体装置を容易かつ確実に
製造することができ、製造工程の安定性を向上でき、さ
らに、選択的にはんだ層４ａを形成する際に、高解像度
なレジストを用いることにより、より一層高密度で微細
なパターンを形成することができる。 （他の実施の形態）なお、上記第３の実施の形態では、
図４（ｃ）又は図５（ｆ）に示す工程の後に半導体チッ
プ２１を搭載して最後に銅合金１０を除去することによ
り半導体装置を製造する場合について説明したが、これ
に限らず、図４（ｅ）又は図５（ｈ）に示すはんだ層４
ａの除去工程の後、半導体チップ２１と接続電極２とが
ボンディングワイヤ２４を介して接続される工程と、半
導体チップ２１の搭載面が絶縁樹脂２３で封止される工
程と、ランド電極４に導電性ボール２２が形成される工
程とを付加することにより、図６に示す構造の半導体装
置を製造しても、本発明を同様に実施して同様の効果を
得ることができる。その他、本発明はその要旨を逸脱し
ない範囲で種々変形して実施できる。

【００８１】

【発明の効果】以上説明したように請求項１の発明によ
れば、絶縁層が液状樹脂から形成されるため、ドリルに
よる穴あけ工程を省略できることから高密度なパターン
と薄型の形状を実現でき、また、高い平滑性をもつ実装
面を実現でき、さらに、各ランド電極の表面が絶縁層の
表面よりも凹んだ位置にあるようにしたので、導電性ボ
ールを各ランド電極上に形成するとき及び導電性ボール
を形成した半導体装置を外部要素に搭載するときに、突
出した絶縁層表面がダムとして作用するので、接続用の
はんだの量を適切に制御することができ、もって、実装
の確実性の向上を期待できる半導体装置用基板を提供で
きる。

【００８２】また、請求項２の発明によれば、請求項１
の半導体装置用基板に半導体チップが接続され、かつ半
導体チップとその接続部とが樹脂封止され、各ランド電
極には導電性ボールが形成されたので、請求項１と同様
の効果を奏する半導体装置を提供できる。

【００８３】さらに、請求項３の発明によれば、シート
状の金属材料上に、選択的に絶縁層を形成し、しかる
後、各ランド電極の表面となるエッチングストッパ層を
形成し、以下、順次、ランド電極を形成し、再度絶縁層
を形成し、各バイア、各配線領域及び各接続電極を形成
し、金属材料をエッチングにより除去し、エッチングス
トッパ層の少なくとも表面を除去するので、請求項１の
効果を奏する半導体装置用基板を容易かつ確実に製造す
ることができ、製造工程の安定性を向上できる半導体装
置用基板を提供できる。

【００８４】さらに、請求項４の発明によれば、シート
状の金属材料上に、選択的に絶縁層を形成し、しかる
後、各ランド電極の表面となるエッチングストッパ層を
形成し、以下、順次、ランド電極を形成し、再度絶縁層
を形成し、各バイア、各配線領域及び各接続電極を形成
し、各接続電極に半導体チップを接続し、半導体チップ
等を樹脂封止し、金属材料をエッチングにより除去し、
エッチングストッパ層の少なくとも表面を除去するの
で、請求項２の効果を奏する半導体装置を容易かつ確実
に製造することができ、製造工程の安定性を向上できる
半導体装置の製造方法を提供できる。

【００８５】また、請求項５の発明によれば、シート状
の金属材料上に、選択的にエッチングストッパ層及び各
ランド電極を形成し、しかる後、順次、絶縁層を形成
し、各バイア、各配線領域及び各接続電極を形成し、金
属材料をエッチングにより除去し、エッチングストッパ
層の少なくとも表面を除去するので、請求項１の効果を
奏する半導体装置用基板を容易かつ確実に製造すること
ができ、製造工程の安定性を向上でき、さらに、選択的
にエッチングストッパ層を形成する際に、高解像度なレ
ジストを用いることにより、より一層高密度で微細なパ
ターンを形成できる半導体装置用基板を提供できる。

【００８６】また、請求項６の発明によれば、シート状
の金属材料上に、選択的にエッチングストッパ層及び各
ランド電極を形成し、しかる後、順次、絶縁層を形成
し、各バイア、各配線領域及び各接続電極を形成し、各
接続電極に半導体チップを接続し、半導体チップ等を樹
脂封止し、金属材料をエッチングにより除去し、エッチ
ングストッパ層の少なくとも表面を除去するので、請求
項２の効果を奏する半導体装置を容易かつ確実に製造す
ることができ、製造工程の安定性を向上でき、さらに、
選択的にエッチングストッパ層を形成する際に、高解像
度なレジストを用いることにより、より一層高密度で微
細なパターンを形成するできる半導体装置を提供でき
る。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の第１の実施の形態に係る半導体装置用
基板の構成を示す断面図

【図２】同実施の形態におけるランド電極の概略構成を
説明するための斜視図

【図３】同実施の形態における製造方法を説明するため
の工程断面図

【図４】同実施の形態における製造方法を説明するため
の工程断面図

【図５】本発明の第２の実施の形態における製造方法を
説明するための工程断面図

【図６】本発明の第３の実施の形態に係る半導体装置の
構成を示す断面図

【図７】同実施の形態における製造方法を説明するため
の工程断面図

【図８】従来の半導体装置用基板を用いた半導体装置の
構成を示す断面図

【図９】従来の半導体装置用基板を用いた半導体装置の
一部を拡大して示す断面図

【符号の説明】

１，１ａ…絶縁層 ２…接続電極 ２ａ…めっき層 ３…配線領域 ４…ランド電極 ４ａ…はんだ層 ５…バイア ６…保護層 １０…銅合金 １１…銅層 １２…バイアホール １３…レジスト層 ２１…半導体チップ ２２…導電性ボール ２３…絶縁樹脂 ２４…ボンディングワイヤ

Claims (6)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 液状樹脂が硬化されてなる絶縁層と、 前記絶縁層の一方の面に形成され、半導体チップに接続
   可能に配置された複数の接続電極と、 前記絶縁層の一方の面に形成され、前記各接続電極に個
   別に接続された複数の配線領域と、 表面が前記絶縁層に被覆されずに前記絶縁層の表面より
   も凹んだ位置にあり、かつ側面が前記絶縁層に被覆され
   るように前記絶縁層の他方の面内に形成され、外部要素
   に接続可能に配置された複数のランド電極と、 前記各ランド電極と前記各配線領域とを個別に接続する
   複数のバイアとを備えたことを特徴とする半導体装置用
   基板。
2. 【請求項２】 請求項１に記載の半導体装置用基板を用
   いた半導体装置において、 前記各接続電極に電気的に接続された半導体チップと、 前記各ランド電極に個別に形成された複数の導電性ボー
   ルとを備え、 少なくとも前記半導体チップとその前記各接続電極への
   接続部とが樹脂封止されてなることを特徴とする半導体
   装置。
3. 【請求項３】 請求項１に記載の半導体装置用基板の製
   造方法において、シート状の金属材料上に、前記各ラン
   ド電極の形成位置とは異なる位置に選択的に液状樹脂を
   塗布及び硬化させて絶縁層を形成する第１の絶縁層形成
   工程と、 前記金属材料上でかつ前記絶縁層に囲まれた部分に選択
   的に前記各ランド電極の表面となる複数のエッチングス
   トッパ層を形成するストッパ層形成工程と、 めっきにより、前記各エッチングストッパ層上に前記各
   ランド電極を形成するランド形成工程と、 前記各ランド電極を一部露出させるように、前記各ラン
   ド電極の上部及び前記絶縁層の上部に液状樹脂を塗布及
   び硬化させて絶縁層を形成する第２の絶縁層形成工程
   と、 めっきにより、前記各バイア、前記各配線領域及び前記
   各接続電極を形成する配線形成工程と、 前記金属材料をエッチングにより除去するエッチング工
   程と、 前記エッチングストッパ層の少なくとも表面を除去する
   ストッパ層除去工程とを含んでいることを特徴とする半
   導体装置用基板の製造方法。
4. 【請求項４】 請求項２に記載の半導体装置の製造方法
   において、 シート状の金属材料上に、前記各ランド電極の形成位置
   とは異なる位置に選択的に液状樹脂を塗布及び硬化させ
   て絶縁層を形成する第１の絶縁層形成工程と、 前記金属材料上でかつ前記絶縁層に囲まれた部分に選択
   的に前記各ランド電極の表面となる複数のエッチングス
   トッパ層を形成するストッパ層形成工程と、 めっきにより、前記各エッチングストッパ層上に前記各
   ランド電極を形成するランド形成工程と、 前記各ランド電極を一部露出させるように、前記各ラン
   ド電極の上部及び前記絶縁層の上部に液状樹脂を塗布及
   び硬化させて絶縁層を形成する第２の絶縁層形成工程
   と、 めっきにより、前記各バイア、前記各配線領域及び前記
   各接続電極を形成する配線形成工程と、 前記各接続電極に半導体チップを接続するチップ接続工
   程と、 少なくとも前記半導体チップとその前記各接続電極への
   接続部とを樹脂封止する樹脂封止工程と、 前記金属材料をエッチングにより除去するエッチング工
   程と、 前記エッチングストッパ層の少なくとも表面を除去する
   ストッパ層除去工程と、 前記各ランド電極に個別に導電性ボールを形成する工程
   とを含んでいることを特徴とする半導体装置の製造方
   法。
5. 【請求項５】 請求項１に記載の半導体装置用基板の製
   造方法において、 シート状の金属材料上でかつ前記各ランド電極の形成位
   置に選択的に前記各ランド電極の表面となる複数のエッ
   チングストッパ層を形成するストッパ層形成工程と、 めっきにより、前記各エッチングストッパ層上に前記各
   ランド電極を形成するランド形成工程と、 前記各ランド電極を一部露出させるように、前記各ラン
   ド電極の上部及び前記金属材料の上部に液状樹脂を塗布
   及び硬化させて絶縁層を形成する絶縁層形成工程と、 めっきにより、前記各バイア、前記各配線領域及び前記
   各接続電極を形成する配線形成工程と、 前記金属材料をエッチングにより除去するエッチング工
   程と、 前記エッチングストッパ層の少なくとも表面を除去する
   ストッパ層除去工程とを含んでいることを特徴とする半
   導体装置用基板の製造方法。
6. 【請求項６】 請求項２に記載の半導体装置の製造方法
   において、 シート状の金属材料上でかつ前記各ランド電極の形成位
   置に選択的に前記各ランド電極の表面となる複数のエッ
   チングストッパ層を形成するストッパ層形成工程と、 めっきにより、前記各エッチングストッパ層上に前記各
   ランド電極を形成するランド形成工程と、 前記各ランド電極を一部露出させるように、前記各ラン
   ド電極の上部及び前記金属材料の上部に液状樹脂を塗布
   及び硬化させて絶縁層を形成する絶縁層形成工程と、 めっきにより、前記各バイア、前記各配線領域及び前記
   各接続電極を形成する配線形成工程と、 前記各接続電極に半導体チップを接続するチップ接続工
   程と、 少なくとも前記半導体チップとその前記各接続電極への
   接続部とを樹脂封止する樹脂封止工程と、 前記金属材料をエッチングにより除去するエッチング工
   程と、 前記エッチングストッパ層の少なくとも表面を除去する
   ストッパ層除去工程とを含んでいることを特徴とする半
   導体装置の製造方法。