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JPH0999108A - Charged particle beam equipment - Google Patents

Charged particle beam equipment

Info

Publication number
JPH0999108A
JPH0999108A JP26160595A JP26160595A JPH0999108A JP H0999108 A JPH0999108 A JP H0999108A JP 26160595 A JP26160595 A JP 26160595A JP 26160595 A JP26160595 A JP 26160595A JP H0999108 A JPH0999108 A JP H0999108A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
charged particle
particle beam
target
scanning
intensity
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP26160595A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Kazuo Hiramoto
和夫 平本
Masahiro Tadokoro
昌宏 田所
Junichi Hirota
淳一 廣田
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Hitachi Ltd
Original Assignee
Hitachi Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Hitachi Ltd filed Critical Hitachi Ltd
Priority to JP26160595A priority Critical patent/JPH0999108A/en
Publication of JPH0999108A publication Critical patent/JPH0999108A/en
Pending legal-status Critical Current

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  • Radiation-Therapy Devices (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【課題】 荷電粒子ビームの強度に時間的な強弱が生じ
ても目標を均一に照射したり所望の分布で照射量を制御
する。 【解決手段】 出射される荷電粒子ビームを所要範囲の
目標に走査しながら照射する荷電粒子ビーム装置におい
て、荷電粒子ビームの強度の時間変化N(t)を測定
し、荷電粒子ビームの走査速度をv(t)と表したとき
N(t)/v(t)が一定または予め定めた範囲内とな
るように走査速度を制御する。これにより、荷電粒子ビ
ームの強度が時間的に変動した場合でも、照射目標を一
様あるいは所要の線量分布で照射でき、荷電粒子ビーム
強度を時間的に一定にするための装置が不要になり、シ
ステム全体を低コスト化できる。
(57) Abstract: A target is irradiated uniformly or the irradiation amount is controlled with a desired distribution even if the intensity of a charged particle beam varies with time. In a charged particle beam device that irradiates an emitted charged particle beam onto a target in a required range while scanning the target, a time change N (t) of the intensity of the charged particle beam is measured to determine the scanning speed of the charged particle beam. When expressed as v (t), the scanning speed is controlled so that N (t) / v (t) is constant or within a predetermined range. As a result, even if the intensity of the charged particle beam fluctuates with time, it is possible to irradiate the irradiation target with a uniform or required dose distribution, and a device for keeping the charged particle beam intensity constant in time is unnecessary, The cost of the entire system can be reduced.

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は荷電粒子ビーム装置
に係り、特に、癌治療や患部の診断に使用するのに好適
な荷電粒子ビーム装置に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a charged particle beam system, and more particularly to a charged particle beam system suitable for use in cancer treatment and diagnosis of affected areas.

【0002】[0002]

【従来の技術】従来の荷電粒子ビーム装置として、Rev.
Sci. Instrum., Vol. 64, No8, August, 1993の2088ペ
ージに記載のものが知られている。この従来技術に係る
荷電粒子ビーム装置を、図12を用いて説明する。
As a conventional charged particle beam device, Rev.
The one described on page 2088 of Sci. Instrum., Vol. 64, No8, August, 1993 is known. A charged particle beam device according to this conventional technique will be described with reference to FIG.

【0003】荷電粒子ビーム装置から出射した荷電粒子
ビームを目標(例えば患部)に照射する場合、目標は一
点ではなくある面積を持っているため、ビームを上下,
左右に走査して所要面積に均一に照射されるようにする
必要がある。図12において、172は荷電粒子ビーム
であり、Z軸方向に進む。101は、X方向偏向電磁
石、102はX方向に垂直なY方向偏向電磁石である。
このように配置した電磁石に、時間変化する電流を流す
と、偏向電磁石101,偏向電磁石102で発生する磁
場も同様に時間変化し、荷電粒子ビーム172は、偏向
電磁石101により水平方向に走査され、偏向電磁石1
02により垂直方向に走査される。水平方向の単位時間
あたりの走査(往復)回数を多くし、垂直方向の単位時
間あたりの走査回数を相対的に少なくすることにより、
矩形領域99に示すような照射野を形成することができ
る。
When a charged particle beam emitted from a charged particle beam device is applied to a target (for example, a diseased part), the target has a certain area, not a single point, and therefore the beam is moved up and down.
It is necessary to scan right and left so that the required area is uniformly irradiated. In FIG. 12, 172 is a charged particle beam, which travels in the Z-axis direction. Reference numeral 101 is an X-direction deflection electromagnet, and 102 is a Y-direction deflection electromagnet perpendicular to the X direction.
When a time-varying current is passed through the electromagnets thus arranged, the magnetic fields generated by the deflection electromagnets 101 and 102 also change with time, and the charged particle beam 172 is horizontally scanned by the deflection electromagnet 101. Bending electromagnet 1
02 scans vertically. By increasing the number of scans (reciprocations) per unit time in the horizontal direction and relatively decreasing the number of scans per unit time in the vertical direction,
An irradiation field as shown in the rectangular area 99 can be formed.

【0004】偏向電磁石101と偏向電磁石102に同
一の周波数で位相が90度異なる正弦波電流を流すと、
偏向電磁石101と偏向電磁石102での磁場も強度が
時間に対して同一の周波数で正弦波状に変化し、かつ、
それぞれの位相が90度異なる。その結果、荷電粒子ビ
ームは照射野で円形に走査されることになる。
When sinusoidal currents having the same frequency but different phases by 90 degrees are applied to the bending electromagnet 101 and the bending electromagnet 102,
The strengths of the magnetic fields of the bending electromagnet 101 and the bending electromagnet 102 change sinusoidally at the same frequency with respect to time, and
Each phase is different by 90 degrees. As a result, the charged particle beam is circularly scanned in the irradiation field.

【0005】尚、医療用の荷電粒子ビーム装置に関する
従来技術として、例えば特開平6―339541号があ
る。
As a prior art relating to a charged particle beam device for medical use, there is, for example, Japanese Patent Laid-Open No. 6-339541.

【0006】[0006]

【発明が解決しようとする課題】従来の荷電粒子ビーム
装置では、X方向偏向電磁石とY方向偏向電磁石を用い
て荷電粒子ビームを走査し、目標を照射している。しか
し、荷電粒子ビームの強度が時間的に変化する場合に
は、病巣をビーム進行方向に対して垂直平面で切った照
射野を均一に照射することが困難となり、強く照射され
る部分と弱くしか照射されない部分が混在してしまい、
病巣が残ってしまう虞がある。また、ある大きさ,形状
の病巣を荷電粒子ビームで照射する場合、病巣全体を深
さ方向にも均一に照射することが難しいという問題もあ
る。
In the conventional charged particle beam apparatus, the charged particle beam is scanned using the X-direction deflection electromagnet and the Y-direction deflection electromagnet to irradiate the target. However, when the intensity of the charged particle beam changes with time, it becomes difficult to uniformly irradiate the irradiation field that cuts the lesion with a plane perpendicular to the beam traveling direction, and only the strongly irradiated part and weakly irradiated part can be used. The parts that are not irradiated are mixed,
The lesion may remain. Further, when irradiating a lesion of a certain size and shape with a charged particle beam, it is difficult to uniformly irradiate the entire lesion even in the depth direction.

【0007】本発明の目的は、荷電粒子ビームの強度に
時間的な強弱が生じても目標を均一に照射したり所望の
分布で照射量を制御することのできる荷電粒子ビーム装
置を提供することにある。
An object of the present invention is to provide a charged particle beam device capable of uniformly irradiating a target and controlling the irradiation amount with a desired distribution even if the intensity of the charged particle beam varies with time. It is in.

【0008】[0008]

【課題を解決するための手段】上記目的は、出射される
荷電粒子ビームを所要範囲の目標に走査しながら照射す
る荷電粒子ビーム装置において、荷電粒子ビームの強度
の時間変化を測定する強度測定手段と、該強度の測定値
に比例して荷電粒子ビームの走査速度を制御する制御手
段とを設けることで、達成される。
In the charged particle beam apparatus for irradiating an emitted charged particle beam on a target in a required range while scanning the target, an intensity measuring means for measuring the time change of the intensity of the charged particle beam. And a control means for controlling the scanning speed of the charged particle beam in proportion to the measured value of the intensity.

【0009】上記目的はまた、出射される荷電粒子ビー
ムを所要範囲の目標に走査しながら照射する荷電粒子ビ
ーム装置において、荷電粒子ビームの照射量の空間分布
を測定する分布測定手段と、照射対象領域の各走査位置
での目標照射量を算出する制御手段と、前記分布測定手
段の測定値と前記目標照射量との偏差に基づいて照射す
る荷電粒子ビームの強度を制御する手段とを設けること
で、達成される。
In the charged particle beam apparatus for irradiating a target in a required range with the emitted charged particle beam while scanning the target, a distribution measuring means for measuring the spatial distribution of the dose of the charged particle beam, and an irradiation target. Control means for calculating the target irradiation amount at each scanning position of the area, and means for controlling the intensity of the charged particle beam to be irradiated based on the deviation between the measured value of the distribution measuring means and the target irradiation amount are provided. Will be achieved.

【0010】荷電粒子ビーム強度が大きいときはビーム
走査を速くし、荷電粒子ビーム強度が小さくなると走査
速さを抑えることで、照射線量の空間分布を均一化でき
る。即ち、走査速さが荷電粒子ビーム強度に概ね比例す
るように制御する。走査を電磁石で行う場合、ビーム走
査の速さは、磁場の変化率に比例し、磁場の変化率は、
概ね、電磁石電流の変化率に比例する。従って、ビーム
強度の測定値に基づき、電磁石の電流変化率がビーム強
度に比例するように電磁石電源を制御する。また、ビー
ム走査を静電偏向器で行う場合は、走査速さは、偏向器
の電圧の変化率に比例するため、ビーム強度の変化に比
例した電圧を加えることにより、均一な照射強度を実現
できる。
When the charged particle beam intensity is high, the beam scanning is accelerated, and when the charged particle beam intensity is reduced, the scanning speed is suppressed, whereby the spatial distribution of the irradiation dose can be made uniform. That is, the scanning speed is controlled so as to be substantially proportional to the charged particle beam intensity. When scanning is performed with an electromagnet, the speed of beam scanning is proportional to the rate of change of the magnetic field, and the rate of change of the magnetic field is
Generally, it is proportional to the rate of change of the electromagnet current. Therefore, based on the measured value of the beam intensity, the electromagnet power source is controlled so that the current change rate of the electromagnet is proportional to the beam intensity. Also, when beam scanning is performed by an electrostatic deflector, the scanning speed is proportional to the rate of change of the deflector voltage, so a uniform irradiation intensity is achieved by applying a voltage proportional to the change in beam intensity. it can.

【0011】加速した荷電粒子ビームを出射し、目標を
照射するとき、予め目標の照射量分布を定めておき、荷
電粒子ビームを走査しながら照射量の空間分布を測定す
る。ただし、目標位置と空間分布測定手段の位置でのビ
ーム強度は異なるから、目標の位置,深さを考慮して、
照射線量分布の目標値を算出する。そしてこの測定結果
に基づき、積算照射量を算出し、目標値との差を求め、
照射の継続,停止を判断し、次の走査過程で、照射の停
止が必要な箇所では、照射を停止する。ただし、ビーム
出射は停止したままで偏向器の強度は、継続して変化さ
せ、照射の継続が必要な位置になると、ビーム出射し照
射を行う。また、同時に、ビーム強度分布測定を行い、
照射している過程で目標線量に達した位置については、
ビームを停止する。これらの手順を繰り返すことによ
り、目標の照射線量分布通りの照射が行える。
When the accelerated charged particle beam is emitted to irradiate the target, the target irradiation amount distribution is determined in advance, and the spatial distribution of the irradiation amount is measured while scanning the charged particle beam. However, since the beam intensity at the target position and the position of the spatial distribution measuring means are different, considering the position and depth of the target,
Calculate the target value of the irradiation dose distribution. Then, based on this measurement result, the integrated dose is calculated and the difference from the target value is calculated.
Whether to continue or stop the irradiation is determined, and in the next scanning process, the irradiation is stopped at the place where the irradiation needs to be stopped. However, the beam extraction is stopped and the intensity of the deflector is continuously changed, and when the irradiation reaches a position where the irradiation is required, the beam is extracted and the irradiation is performed. At the same time, the beam intensity distribution is measured,
For the position where the target dose was reached during irradiation,
Stop the beam. By repeating these procedures, irradiation can be performed according to the target irradiation dose distribution.

【0012】[0012]

【発明の実施の形態】以下、本発明の一実施例を図面を
参照して説明する。図1は、本発明の第1実施例に係る
荷電粒子ビーム装置の構成図である。本実施例では、前
段加速器98から低エネルギーのイオンをシンクロトロ
ン型の加速器100に入射し、加速後、治療室111へ
出射する。このイオンビームは、回転照射装置110
(これは、治療室111内に設置されている。)によ
り、癌治療に使用される。
BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION An embodiment of the present invention will be described below with reference to the drawings. FIG. 1 is a configuration diagram of a charged particle beam system according to a first embodiment of the present invention. In this embodiment, low-energy ions are made incident on the synchrotron type accelerator 100 from the pre-stage accelerator 98, and after acceleration, are emitted to the treatment room 111. This ion beam is applied to the rotary irradiation device 110.
(This is installed in the treatment room 111.) and is used for cancer treatment.

【0013】図2は、体内の深さとイオンビームの照射
線量の関係の一例を示す図である。図2の照射線量のピ
ークをブラッグピークと呼ぶが、ブラッグピークの位置
は、エネルギーにより変化する。従って、図1の制御装
置130に患部の深さ等の患者情報を入力し、制御装置
130はこの患者情報に基づいて必要な加速エネルギー
の大きさを演算して求める。そして、前段加速器98か
ら加速器100にビームを入射した後、制御装置130
からの制御信号に基づき、加速器100の電源165を
制御し、イオンビームを必要なエネルギーにまで加速す
る。
FIG. 2 is a diagram showing an example of the relationship between the depth inside the body and the irradiation dose of the ion beam. The peak of the irradiation dose in FIG. 2 is called a Bragg peak, but the position of the Bragg peak changes depending on the energy. Therefore, the patient information such as the depth of the affected area is input to the control device 130 of FIG. 1, and the control device 130 calculates the magnitude of the required acceleration energy based on the patient information. Then, after the beam is incident on the accelerator 100 from the pre-stage accelerator 98, the controller 130
The power source 165 of the accelerator 100 is controlled on the basis of the control signal from ## EQU1 ## to accelerate the ion beam to the required energy.

【0014】加速したビームは、加速器100から治療
室101へ出射するとき、ビームの振動の共鳴現象を利
用し、振動が増大したビームから出射する。共鳴現象
は、加速器内の4極電磁石145で制御する。出射過程
では、共鳴を制御する4極電磁石145の励磁量を加速
器電源165で変化させて行くに伴い、出射されたビー
ムの強度は図3のように変化する。
When the accelerated beam is emitted from the accelerator 100 to the treatment room 101, it utilizes the resonance phenomenon of the vibration of the beam and is emitted from the beam with increased vibration. The resonance phenomenon is controlled by the quadrupole electromagnet 145 in the accelerator. In the extraction process, the intensity of the emitted beam changes as shown in FIG. 3 as the amount of excitation of the quadrupole electromagnet 145 that controls resonance is changed by the accelerator power supply 165.

【0015】加速器100から出射し輸送系171を経
て治療室111に導入されたビーム172は、回転照射
装置110を用いて患者に照射される。回転照射装置1
10では、4極電磁石150や偏向電磁石151を用
い、制御装置130からのビームエネルギー信号に基づ
き必要な電流を電源170から供給し、ビームを下流に
輸送する。
The beam 172 emitted from the accelerator 100 and introduced into the treatment room 111 via the transportation system 171 is irradiated to the patient by using the rotary irradiation device 110. Rotating irradiation device 1
In 10, the quadrupole electromagnet 150 and the deflection electromagnet 151 are used to supply a necessary current from the power supply 170 based on the beam energy signal from the control device 130 to transport the beam downstream.

【0016】回転照射装置110の下流側には、走査用
電磁石120,121が設置され、ビームの進行方向に
垂直な平面内でビームをx方向及びy方向に2次元的に
走査する。走査用電磁石の走査範囲は、患者情報に基づ
き制御装置130で算出し、この結果から、走査用電磁
石の電源160を制御する。回転照射装置110にはビ
ームの強度検出器140を設置し、ビーム強度の時間変
化を測定する。ビーム強度検出器140は、ビーム電流
を電磁気的に計測する装置でもよいし、また、ビームの
粒子数を直接検出する装置でもよい。
Scanning electromagnets 120 and 121 are installed on the downstream side of the rotary irradiation device 110, and two-dimensionally scans the beam in the x and y directions within a plane perpendicular to the beam traveling direction. The scanning range of the scanning electromagnet is calculated by the control device 130 based on the patient information, and the power supply 160 of the scanning electromagnet is controlled based on this result. A beam intensity detector 140 is installed in the rotary irradiation device 110 to measure a temporal change in beam intensity. The beam intensity detector 140 may be a device that electromagnetically measures the beam current or a device that directly detects the number of particles in the beam.

【0017】本実施例では、ビームの走査速度を、ビー
ムの強度が高いとき程速くし、ビームの強度が弱いとき
程遅くし、患部の照射野全域で常にイオンビームの照射
量が均一となるように制御する。ある時点におけるビー
ム強度をN(t)〔1/s〕と表し、走査速さをv
(t)〔m/s〕と表すと、単位長さあたりのビーム強
度はN(t)/v(t)となる。従って、単位長さ当た
りのビーム強度を一定にするには、N(t)/v(t)
を一定(N(t)がゼロの時はv(t)もゼロ)にすれ
ばよく、これにより均一な分布で照射可能となる。この
ため、ビーム強度検出器140で得たN(t)の検出結
果に基づき、N(t)/v(t)が一定になるように、
制御装置130で走査用電磁石の電源160を制御す
る。
In the present embodiment, the scanning speed of the beam is increased when the beam intensity is high and is decreased when the beam intensity is weak, so that the ion beam dose is always uniform over the entire irradiation field of the affected area. To control. The beam intensity at a certain point is expressed as N (t) [1 / s], and the scanning speed is v
When expressed as (t) [m / s], the beam intensity per unit length is N (t) / v (t). Therefore, to keep the beam intensity per unit length constant, N (t) / v (t)
Should be constant (v (t) is also zero when N (t) is zero), which enables irradiation with a uniform distribution. Therefore, based on the detection result of N (t) obtained by the beam intensity detector 140, N (t) / v (t) becomes constant,
The controller 130 controls the power supply 160 of the scanning electromagnet.

【0018】図4は、走査用電磁石の等価回路図であ
り、図5は、その制御方法を示すフローチャートであ
る。図4において、Rは走査用電磁石の抵抗、Lは走査
用電磁石のインダクタンスであり、これらの値は予め求
めておく。走査速さv(t)は、走査用電磁石の電流I
の時間変化率dI/dtに比例する。そこで、図5のス
テップ1で、時刻tにおける走査用電磁石の電流値Iを
求める。このステップ1と同時に、ステップ2により、
ビーム強度N(t)を検出器140(図1)で計測す
る。そして、比例定数をConとして、必要な電流変化
率 dI/dt=Con・N(t) を制御装置130により求める。
FIG. 4 is an equivalent circuit diagram of the scanning electromagnet, and FIG. 5 is a flow chart showing the control method thereof. In FIG. 4, R is the resistance of the scanning electromagnet and L is the inductance of the scanning electromagnet, and these values are obtained in advance. The scanning speed v (t) is the current I of the scanning electromagnet.
Is proportional to the time change rate dI / dt. Therefore, in step 1 of FIG. 5, the current value I of the scanning electromagnet at time t is obtained. At the same time as this step 1, step 2
The beam intensity N (t) is measured by the detector 140 (FIG. 1). Then, with the proportional constant being Con, the required current change rate dI / dt = Con · N (t) is obtained by the controller 130.

【0019】次に、ステップ3で、走査用電磁石に印加
する電圧Vmagを Vmag=RI+L・dI/dt=RI+L・Con・
N(t) として求める。そして、ステップ3で求めた電圧を、電
源160から走査用電磁石に印加する(ステップ4)。
これらのステップ1〜4までの手順を、走査用電磁石の
電流値が、制御装置130で予め定めた最大値Imax
になるまで繰り返す。尚、これらの演算と制御は、x方
向、y方向の各々の走査用電磁石について行う。
Next, in step 3, the voltage Vmag applied to the scanning electromagnet is Vmag = RI + L.dI / dt = RI + L.Con.
Calculate as N (t). Then, the voltage obtained in step 3 is applied from the power supply 160 to the scanning electromagnet (step 4).
The procedure of steps 1 to 4 is performed according to the maximum value Imax of the current value of the scanning electromagnet determined in advance by the controller 130.
Repeat until. It should be noted that these calculations and controls are performed for the scanning electromagnets in the x direction and the y direction.

【0020】以上の制御により、走査用電磁石の電流変
化率は、図3のビーム強度の時間変化と相似形になり、
ビーム強度の時間変化N(t)〔1/s〕と電流変化率
に比例する走査速さV(t)との比 N(t)/V
(t) を一定にすることが可能となる。この結果、照
射線量の空間分布は一様となる。
By the above control, the current change rate of the scanning electromagnet becomes similar to the time change of the beam intensity shown in FIG.
Ratio N (t) / V of temporal change in beam intensity N (t) [1 / s] and scanning speed V (t) proportional to current change rate
It is possible to keep (t) constant. As a result, the spatial distribution of irradiation dose becomes uniform.

【0021】上述した実施例では、照射目標上を直線的
にジグザグにビームを走査したが、円弧上に走査する場
合や、また、ビームを平面状に拡大し且つ平面に垂直に
走査する場合についても、走査用電磁石を同様に制御す
ることにより、全く同様の効果を得ることができる。
In the above-described embodiment, the beam is scanned linearly in a zigzag manner on the irradiation target. However, in the case of scanning on an arc, or in the case of expanding the beam in a plane and scanning it vertically to the plane. Also, by controlling the scanning electromagnet in the same manner, the same effect can be obtained.

【0022】また、上述した実施例では偏向器に電磁石
を使用しているが、静電偏向器を用いる場合は、静電偏
向器に加える電圧Vinfの変化率が走査速さに比例するた
め、電圧Vinfを、 Vinf=Con2・N(t) (Con2:定数) で求め、静電偏向器に加えることにより、電磁石で走査
する場合と同様に均一な分布で照射できる。
Further, although the electromagnet is used for the deflector in the above-mentioned embodiment, when the electrostatic deflector is used, the rate of change of the voltage Vinf applied to the electrostatic deflector is proportional to the scanning speed. The voltage Vinf is calculated by Vinf = Con2 · N (t) (Con2: constant), and by applying it to the electrostatic deflector, irradiation can be performed with a uniform distribution as in the case of scanning with an electromagnet.

【0023】図6は、本発明の第2実施例に係る荷電粒
子ビーム装置の構成図である。本実施例に係る荷電粒子
ビーム装置は、基本的には図1に示す装置構成と同じで
あるが、強度検出器140の代わりにビームの空間分布
測定器141を用い、制御装置180を新たに付加して
いる。加速器100からは、第1実施例と同様に、ビー
ムの振動の共鳴を利用して出射するが、本実施例では、
出射中、4極電磁石145の強度を一定にしておき、共
鳴の安定限界を一定に保つ。一方、高周波装置175か
ら高周波をビームに加えてビーム径を徐々に増加させ、
共鳴の安定限界を越えさせて共鳴を発生させる。出射さ
れた荷電粒子ビームは、輸送系171で回転照射装置1
10に輸送され、走査用電磁石120,121を使用し
て、ビームをジグザグに走査し、広がりのある患部を照
射する。また、ビーム強度の空間分布測定器141を用
いて、患者直前部分でのビーム強度分布を測定する。
FIG. 6 is a block diagram of a charged particle beam system according to the second embodiment of the present invention. The charged particle beam apparatus according to the present embodiment is basically the same as the apparatus configuration shown in FIG. 1, except that a beam spatial distribution measuring instrument 141 is used instead of the intensity detector 140 and a control apparatus 180 is newly added. It is attached. As in the first embodiment, the accelerator 100 emits light utilizing resonance of vibration of the beam.
During emission, the strength of the quadrupole electromagnet 145 is kept constant, and the stability limit of resonance is kept constant. On the other hand, a high frequency is applied to the beam from the high frequency device 175 to gradually increase the beam diameter,
Resonance is generated by exceeding the stability limit of resonance. The charged particle beam emitted is transported by the transport system 171 to the rotary irradiation device 1.
The scanning electromagnets 120 and 121 are used to scan the beam in a zigzag manner to irradiate the spread diseased part. Further, the beam intensity spatial distribution measuring device 141 is used to measure the beam intensity distribution immediately before the patient.

【0024】本実施例の荷電粒子ビーム装置では、患者
の患部に関する情報を、制御装置180に入力する。入
力される情報は、患部位置,形状,照射治療の履歴,患
部が吸収した放射線量等である。制御装置180は、患
部を深さ方向の多数の層に分割し、図7の処理に従っ
て、加速器及び走査電磁石の制御に必要な種々のパラメ
ータを定める。
In the charged particle beam system of this embodiment, information about the affected part of the patient is input to the control unit 180. The input information includes the position and shape of the affected area, the history of irradiation treatment, the radiation dose absorbed by the affected area, and the like. The control device 180 divides the affected area into a number of layers in the depth direction, and determines various parameters necessary for controlling the accelerator and the scanning electromagnet according to the process of FIG. 7.

【0025】まず、図7のステップ11で、患部を仮想
的に多数の層Li(i=1,2,…,n)に分割する。
ステップ12では、それぞれの層Liでの患部の深さか
ら、それぞれの深さの患部を照射するビームのエネルギ
ーを求め、それぞれをE1,E2,…,Enとする。次
に、ステップ13で、各層Liについて、患部の広が
り、形状の情報から、走査電磁石120,121の走査
範囲を定める。本実施例では、図6のx方向の走査電磁
石120の走査速さに比べて、y方向の走査電磁石12
1の走査速さを大きくする。そこで、x方向の走査電磁
石120の電流に応じ、y方向の走査電磁石電流の最大
値を患部形状に応じて設定する。
First, in step 11 of FIG. 7, the affected area is virtually divided into a large number of layers Li (i = 1, 2, ..., N).
In step 12, the energies of the beams for irradiating the affected areas of the respective depths are obtained from the depths of the affected areas in the respective layers Li, and are defined as E1, E2, ..., En. Next, in step 13, for each layer Li, the scanning range of the scanning electromagnets 120 and 121 is determined from the information on the spread and shape of the affected area. In the present embodiment, compared with the scanning speed of the scanning electromagnet 120 in the x direction in FIG.
Increase the scanning speed of 1. Therefore, the maximum value of the scanning electromagnet current in the y direction is set according to the current of the scanning electromagnet 120 in the x direction according to the shape of the affected part.

【0026】次のステップ14では、層Liについて、
ビーム照射量の目標空間分布を定める。これは、図2に
示したブラッグピークが層Liの位置に一致するように
すると、図8に示す様に、層Ljのように層Liより浅
い位置では、図2のプラトー部に相当する照射を受ける
ため、吸収線量が必要以上に多くなる部分が生じること
を防止するためである。従って、層Liにブラッグピー
クを合わせるとき、層Liの中で既にプラトー部の照射
を受けた中央領域の照射線量は、プラトー部の照射を受
けていない部分に比べて照射量を低減する。
In the next step 14, for the layer Li,
Determine the target spatial distribution of beam dose. This is because when the Bragg peak shown in FIG. 2 is made to coincide with the position of the layer Li, as shown in FIG. 8, at a position shallower than the layer Li such as the layer Lj, irradiation corresponding to the plateau portion of FIG. 2 is performed. This is to prevent the occurrence of a portion where the absorbed dose is unnecessarily high. Therefore, when the Bragg peak is adjusted to the layer Li, the irradiation dose of the central region of the layer Li which has already been irradiated by the plateau portion is smaller than that of the non-irradiated portion of the plateau portion.

【0027】図9は、図7での処理による算出結果に基
づいた照射方法と機器の動作を示すフローチャートであ
る。まず、ステップ21で、患者情報に基づき、制御装
置180で定めた患部の層Liの照射に必要なビームエ
ネルギーEiまで制御装置130で加速器電源165を
制御しビームを加速する。加速した後、ステップ22
で、層Liの患部形状に合致するようにx方向及びy方
向にビームを走査できるように制御装置180からの信
号に基づき走査電磁石120,121の電流を変化させ
る。
FIG. 9 is a flow chart showing the operation of the irradiation method and the device based on the calculation result of the processing in FIG. First, in step 21, the controller 130 controls the accelerator power supply 165 to accelerate the beam up to the beam energy Ei required by the controller 180 to irradiate the layer Li of the affected area based on the patient information. After accelerating, step 22
Then, the currents of the scanning electromagnets 120 and 121 are changed based on the signal from the control device 180 so that the beam can be scanned in the x direction and the y direction so as to match the shape of the affected part of the layer Li.

【0028】次のステップ23では、位置(X,Y)で
ビームの積算強度R(X,Y)を目標強度T(X,Y)
と比較する。積算線量が目標値より小さい場合には、図
9のステップ24で、高周波装置175から高周波をビ
ームに加える。高周波をビームに加えると、ビーム径が
増加し、ビームの振動に共鳴が生じビームが出射され
る。次のステップ25では、位置(X,Y)での照射量
をビーム強度空間分布測定器141(図6)で測定し、
積算線量R(X,Y)を算出する。
In the next step 23, the integrated intensity R (X, Y) of the beam at the position (X, Y) is converted to the target intensity T (X, Y).
Compare with When the integrated dose is smaller than the target value, a high frequency is applied to the beam from the high frequency device 175 in step 24 of FIG. When a high frequency wave is applied to the beam, the beam diameter increases, resonance occurs in the vibration of the beam, and the beam is emitted. In the next step 25, the dose at the position (X, Y) is measured by the beam intensity spatial distribution measuring device 141 (FIG. 6),
The integrated dose R (X, Y) is calculated.

【0029】一方、ステップ23で、積算線量R(X,
Y)が目標強度T(X,Y)に達している場合について
は、ステップ26に進み、出射用の高周波を停止して、
ビーム出射を停止する。ただし、ビーム走査用の電磁石
120,121の電流は、ビーム出射を行っているとき
と同様に変化させ、高周波を加えてビーム出射を行った
場合には、照射位置が変化するように制御する。
On the other hand, in step 23, the integrated dose R (X,
When Y) has reached the target intensity T (X, Y), the process proceeds to step 26, the high frequency for emission is stopped, and
Stop beam emission. However, the currents of the beam scanning electromagnets 120 and 121 are changed in the same manner as when beam extraction is performed, and when beam extraction is performed by applying a high frequency, the irradiation position is controlled to change.

【0030】ステップ27では、これらの手順を、層L
iの面の走査を終えるまで繰り返し行う。層Liの走査
を終えると、ステップ28に進み、層Liの全ての点で
積算線量R(X,Y)が目標線量T(X,Y)に達して
いるかどうかを判断し、目標線量に達していない場合に
は、再びビームを加速し、出射及び照射を行う。層Li
の全ての点で積算線量R(X,Y)が目標線量T(X,
Y)に達している場合は、ステップ11に戻り、層Li
+1を照射するようにビームエネルギーをEi+1に加速
し、上記と同様にビーム走査及び照射を行う。以上のよ
うな、エネルギー変更と層Liの照射を繰り返していく
ことにより、患部を照射目標線量通りに照射できる。
In step 27, these procedures are performed on the layer L.
The scanning is repeated until the surface i is scanned. When the scanning of the layer Li is completed, the process proceeds to step 28, where it is determined whether the integrated dose R (X, Y) has reached the target dose T (X, Y) at all points of the layer Li, and the target dose has been reached. If not, the beam is accelerated again to perform extraction and irradiation. Layer Li
The cumulative dose R (X, Y) is the target dose T (X,
Y), the process returns to step 11 and the layer Li
The beam energy is accelerated to Ei + 1 so as to irradiate +1 and beam scanning and irradiation are performed as described above. By repeating the energy change and the irradiation of the layer Li as described above, the affected area can be irradiated at the irradiation target dose.

【0031】図10は、本発明の第3実施例に係る荷電
粒子ビーム装置の構成図である。本実施例は第1実施例
と第2実施例を共に備えるものであり、第1実施例で説
明した方法で走査毎に一様強度分布で照射すると同時
に、第2実施例で説明したように目標の照射線量分布を
予め定め、目標に達した位置では、出射用の高周波を停
止して、出射を停止する。本実施例の場合、走査用電磁
石120,121の下流にビーム強度検出器140と分
布測定器141を共に設置し、ビームの走査速さを制御
する。照射に必要なパラメータ算出は、図7と同じよう
に行う。
FIG. 10 is a block diagram of a charged particle beam system according to the third embodiment of the present invention. This embodiment includes both the first embodiment and the second embodiment. The method described in the first embodiment irradiates with a uniform intensity distribution for each scan, and at the same time, as described in the second embodiment. The target irradiation dose distribution is determined in advance, and at the position where the target is reached, the high frequency for extraction is stopped and the extraction is stopped. In the case of this embodiment, the beam intensity detector 140 and the distribution measuring device 141 are both installed downstream of the scanning electromagnets 120 and 121 to control the beam scanning speed. The parameters necessary for irradiation are calculated in the same manner as in FIG.

【0032】図11は、この第3実施例における照射時
の運転手順を示すフローチャートである。図9のフロー
チャートと異なるのは、ステップ24とステップ25の
間に設けたステップ25により、ビームの強度N(t)を検
出器140(図10)で測定し、これに基づき、ビーム
強度N(t)と走査速さv(t)の比が一定になるよう
に走査電磁石120,121の電源を制御する点であ
る。これにより、加速器から出射されるビーム強度が時
間的に変動する場合にも、第2実施例に比べて、短時間
で目標の照射線量分布を実現できるという効果がある。
FIG. 11 is a flow chart showing the operating procedure at the time of irradiation in the third embodiment. The difference from the flowchart in FIG. 9 is that the beam intensity N (t) is measured by the detector 140 (FIG. 10) in step 25 provided between step 24 and step 25, and the beam intensity N (t The point is to control the power supplies of the scanning electromagnets 120 and 121 so that the ratio of t) to the scanning speed v (t) becomes constant. As a result, even if the intensity of the beam emitted from the accelerator temporally varies, the target irradiation dose distribution can be realized in a shorter time than in the second embodiment.

【0033】以上述べた実施例では、荷電粒子ビームを
患部に照射して治療する場合について説明したが、超音
波CTやX線CTのような患部の断層撮影に荷電粒子ビ
ームを利用する場合にも適用できることはいうまでもな
い。
In the above-mentioned embodiments, the case where the charged particle beam is irradiated to the affected area for treatment has been described. However, when the charged particle beam is used for tomographic imaging of the affected area such as ultrasonic CT and X-ray CT. It goes without saying that it is also applicable.

【0034】[0034]

【発明の効果】本発明によれば、荷電粒子ビームの強度
が時間的に変動した場合でも、照射目標を一様に照射で
き、また、患部の形状,大きさに関わらず照射量分布を
任意に制御できる。このため、荷電粒子ビーム強度を時
間的に一定にするための装置等が不要になり、システム
全体を低コスト化できる。
According to the present invention, even if the intensity of the charged particle beam fluctuates with time, the irradiation target can be uniformly irradiated, and the irradiation dose distribution can be set regardless of the shape and size of the affected area. Can be controlled. Therefore, an apparatus or the like for keeping the charged particle beam intensity constant over time is not required, and the cost of the entire system can be reduced.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】本発明の第1実施例に係る荷電粒子ビーム装置
の構成図である。
FIG. 1 is a configuration diagram of a charged particle beam apparatus according to a first embodiment of the present invention.

【図2】ブラッグピークを示す概念図である。FIG. 2 is a conceptual diagram showing a Bragg peak.

【図3】ビーム強度の時間的変化を示す図である。FIG. 3 is a diagram showing a temporal change in beam intensity.

【図4】走査用電磁石の等価回路を示す図である。FIG. 4 is a diagram showing an equivalent circuit of a scanning electromagnet.

【図5】走査用電磁石の制御アルゴリズムを示す図であ
る。
FIG. 5 is a diagram showing a control algorithm of a scanning electromagnet.

【図6】本発明の第2実施例に係る荷電粒子ビーム装置
の構成図である。
FIG. 6 is a configuration diagram of a charged particle beam apparatus according to a second embodiment of the present invention.

【図7】照射制御に必要なパラメータ算出手順を示すフ
ローチャートである。
FIG. 7 is a flowchart showing a parameter calculation procedure necessary for irradiation control.

【図8】照射線量の重畳を示す図である。FIG. 8 is a diagram showing superimposition of irradiation doses.

【図9】照射手順を示すフローチャートである。FIG. 9 is a flowchart showing an irradiation procedure.

【図10】本発明の第3実施例に係る荷電粒子ビーム装
置の構成図である。
FIG. 10 is a configuration diagram of a charged particle beam system according to a third embodiment of the invention.

【図11】第3実施例の照射手順を示すフローチャート
である。
FIG. 11 is a flowchart showing an irradiation procedure of the third embodiment.

【図12】従来の荷電粒子ビーム装置の概略構成図であ
る。
FIG. 12 is a schematic configuration diagram of a conventional charged particle beam device.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

172…荷電粒子ビーム、101…X方向走査電磁石、
102…x方向に垂直なY方向走査電磁石、99…照射
野、98…前段加速器、100…加速器、111…治療
室、110…回転照射装置、130…制御装置、145
…4極電磁石、165…加速器電源、120、121…
走査用電磁石、160…走査用電磁石の電源、140…
ビームの強度検出器、141…ビーム強度の空間分布測
定器、170…電源、171…輸送系、172…ビー
ム、175…高周波装置、180…制御装置。
172 ... Charged particle beam, 101 ... X-direction scanning electromagnet,
102 ... Y direction scanning electromagnet perpendicular to the x direction, 99 ... Irradiation field, 98 ... Pre-accelerator, 100 ... Accelerator, 111 ... Treatment room, 110 ... Rotation irradiation device, 130 ... Control device, 145
… Quadrupole electromagnet, 165… Accelerator power supply, 120, 121…
Electromagnet for scanning, 160 ... Power source for electromagnet for scanning, 140 ...
Beam intensity detector, 141 ... Beam intensity spatial distribution measuring instrument, 170 ... Power source, 171 ... Transport system, 172 ... Beam, 175 ... High frequency device, 180 ... Control device.

Claims (11)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 出射される荷電粒子ビームを所要範囲の
目標に走査しながら照射する荷電粒子ビーム装置におい
て、荷電粒子ビームの強度の時間変化を測定する強度測
定手段と、該強度の測定値に比例して荷電粒子ビームの
走査速度を制御する制御手段とを備えることを特徴とす
る荷電粒子ビーム装置。
1. A charged particle beam apparatus for irradiating an emitted charged particle beam onto a target in a required range while scanning the target, and an intensity measuring unit for measuring a time change of the intensity of the charged particle beam, and a measured value of the intensity. A charged particle beam device comprising: a control unit that proportionally controls the scanning speed of the charged particle beam.
【請求項2】 出射される荷電粒子ビームを所要範囲の
目標に走査しながら照射する荷電粒子ビーム装置におい
て、荷電粒子ビームの強度の時間変化N(t)を測定す
る強度測定手段と、荷電粒子ビームの走査速度をv
(t)と表したときN(t)/v(t)が一定または予
め定めた範囲内となるように走査速度を制御する制御手
段とを備えることを特徴とする荷電粒子ビーム装置。
2. A charged particle beam apparatus for irradiating an emitted charged particle beam onto a target within a required range while scanning the target, and an intensity measuring unit for measuring a time change N (t) of the intensity of the charged particle beam; Beam scanning speed v
A charged particle beam apparatus comprising: a control unit that controls a scanning speed such that N (t) / v (t) is constant or within a predetermined range when expressed as (t).
【請求項3】 請求項1または請求項2において、制御
手段は、走査用電磁石の電流を制御して走査速度を制御
することを特徴とする荷電粒子ビーム装置。
3. The charged particle beam apparatus according to claim 1, wherein the control means controls the scanning speed by controlling the current of the scanning electromagnet.
【請求項4】 請求項1または請求項2において、制御
手段は、静電偏向器の電圧を制御して走査速度を制御す
ることを特徴とする荷電粒子ビーム装置。
4. The charged particle beam apparatus according to claim 1, wherein the control means controls the voltage of the electrostatic deflector to control the scanning speed.
【請求項5】 請求項1または請求項2において、強度
測定手段による強度測定と制御手段による走査速度の制
御は荷電粒子ビームの走査中に行うことを特徴とする荷
電粒子ビーム装置。
5. The charged particle beam apparatus according to claim 1 or 2, wherein the intensity measurement by the intensity measuring means and the control of the scanning speed by the control means are performed during scanning of the charged particle beam.
【請求項6】 出射される荷電粒子ビームを所要範囲の
目標に走査しながら照射する荷電粒子ビーム装置におい
て、荷電粒子ビームの照射量の空間分布を測定する分布
測定手段と、照射対象領域の各走査位置での目標照射量
を算出する制御手段と、前記分布測定手段の測定値と前
記目標照射量との偏差に基づいて照射する荷電粒子ビー
ムの強度を制御する手段とを備えることを特徴とする荷
電粒子ビーム装置。
6. A charged particle beam device for irradiating an emitted charged particle beam to a target in a required range while scanning the target, and a distribution measuring unit for measuring a spatial distribution of a dose of the charged particle beam, and an irradiation target area. Control means for calculating a target irradiation amount at the scanning position, and means for controlling the intensity of the charged particle beam to be irradiated based on the deviation between the measured value of the distribution measuring means and the target irradiation amount. Charged particle beam device.
【請求項7】 出射される荷電粒子ビームを所要範囲の
目標に走査しながら照射する荷電粒子ビーム装置におい
て、荷電粒子ビームの照射量の空間分布を測定する分布
測定手段と、照射対象領域の目標照射量分布を算出する
制御手段と、前記分布測定手段の測定値に基づいて荷電
粒子ビームを照射し前記照射対象領域に照射される照射
量を前記目標照射量分布に制御する手段とを備えること
を特徴とする荷電粒子ビーム装置。
7. A charged particle beam apparatus for irradiating a target within a required range while scanning an emitted charged particle beam, and a distribution measuring unit for measuring a spatial distribution of a dose of the charged particle beam, and a target of an irradiation target area. And a control unit for calculating a dose distribution, and a unit for irradiating a charged particle beam on the basis of the measurement value of the distribution measuring unit to control the dose applied to the irradiation target region to the target dose distribution. Charged particle beam device characterized by:
【請求項8】 請求項6または請求項7において、照射
対象領域全域の照射量が均一となるように各走査位置で
の目標照射量または目標照射量分布を定めることを特徴
とする荷電粒子ビーム装置。
8. The charged particle beam according to claim 6 or 7, wherein the target irradiation amount or the target irradiation amount distribution at each scanning position is determined so that the irradiation amount is uniform over the entire irradiation target area. apparatus.
【請求項9】 請求項6乃至請求項8のいずれかにおい
て、荷電粒子ビームの強度を制御する手段は高周波装置
であることを特徴とする荷電粒子ビーム装置。
9. The charged particle beam device according to claim 6, wherein the means for controlling the intensity of the charged particle beam is a high frequency device.
【請求項10】 請求項6乃至請求項8のいずれかにお
いて、荷電粒子ビームの強度を制御する手段は、荷電粒
子の発生手段を制御するものであることを特徴とする荷
電粒子ビーム装置。
10. The charged particle beam device according to claim 6, wherein the means for controlling the intensity of the charged particle beam is for controlling a charged particle generating means.
【請求項11】 出射される荷電粒子ビームを所要範囲
の目標に走査しながら照射する荷電粒子ビーム装置にお
いて、荷電粒子ビームの強度の時間変化を測定する強度
測定手段と、該強度の測定値に比例して荷電粒子ビーム
の走査速度を制御する制御手段と、荷電粒子ビームの照
射量の空間分布を測定する分布測定手段と、照射対象領
域の各走査位置での目標照射量を算出する制御手段と、
前記制御手段で制御された荷電粒子ビームにより前記分
布測定手段の測定した照射量が前記目標照射量となるよ
うに走査する手段とを備えることを特徴とする荷電粒子
ビーム装置。
11. A charged particle beam device for irradiating an emitted charged particle beam onto a target in a required range while scanning the target, and an intensity measuring means for measuring a temporal change of the intensity of the charged particle beam, and a measured value of the intensity. Control means for proportionally controlling the scanning speed of the charged particle beam, distribution measuring means for measuring the spatial distribution of the irradiation amount of the charged particle beam, and control means for calculating the target irradiation amount at each scanning position of the irradiation target region. When,
A charged particle beam device comprising: a charged particle beam controlled by the control means; and a means for scanning so that the irradiation dose measured by the distribution measuring device becomes the target irradiation dose.
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