JPH0981918A - 薄膜磁気ヘッド - Google Patents
薄膜磁気ヘッドInfo
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- JPH0981918A JPH0981918A JP23238595A JP23238595A JPH0981918A JP H0981918 A JPH0981918 A JP H0981918A JP 23238595 A JP23238595 A JP 23238595A JP 23238595 A JP23238595 A JP 23238595A JP H0981918 A JPH0981918 A JP H0981918A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 ＳＡＬバイアス方式の薄膜磁気ヘッドでは、
ＳＡＬバイアスにより発生する横バイアス磁界が安定せ
ず、バルクハウゼンノイズを低減させるのが困難であっ
た。 【解決手段】 横バイアス層９として、磁性体層９ａ
と、交換異方性結合により磁性体層９ａをＹ方向へ磁化
する下部反強磁性層９ｂが用いられている。ＭＲ層４に
は縦バイアス層５によりＸ方向への縦バイアス磁界が与
えられるとともに、前記横バイアス層９によりＹ方向へ
の安定した横バイアス磁界が与えられる。よってＭＲ層
４の磁化は、Ｘ軸方向とＹ軸方向の中間の方向へ安定
し、バルクハウゼンノイズを低減できる。
ＳＡＬバイアスにより発生する横バイアス磁界が安定せ
ず、バルクハウゼンノイズを低減させるのが困難であっ
た。 【解決手段】 横バイアス層９として、磁性体層９ａ
と、交換異方性結合により磁性体層９ａをＹ方向へ磁化
する下部反強磁性層９ｂが用いられている。ＭＲ層４に
は縦バイアス層５によりＸ方向への縦バイアス磁界が与
えられるとともに、前記横バイアス層９によりＹ方向へ
の安定した横バイアス磁界が与えられる。よってＭＲ層
４の磁化は、Ｘ軸方向とＹ軸方向の中間の方向へ安定
し、バルクハウゼンノイズを低減できる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、ハードディスク装
置の磁気ヘッドなどに設けられて、磁気記録媒体からの
洩れ磁界を磁気抵抗効果を利用して検出する薄膜磁気ヘ
ッドに係り、特に、バルクハウゼンノイズを改善し、磁
気検出特性を向上させた薄膜磁気ヘッドに関する。
置の磁気ヘッドなどに設けられて、磁気記録媒体からの
洩れ磁界を磁気抵抗効果を利用して検出する薄膜磁気ヘ
ッドに係り、特に、バルクハウゼンノイズを改善し、磁
気検出特性を向上させた薄膜磁気ヘッドに関する。
【０００２】
【従来の技術】図５と図６は、磁気抵抗効果層（ＭＲ
層）に対し、横バイアス磁界としてＳＡＬバイアスを与
える薄膜磁気ヘッドの正面図である。また図５では磁気
抵抗効果層（ＭＲ層）に対して縦バイアス磁界を与える
方法がハードバイアス方式であり、図６は縦バイアス磁
界を与える方法がエクスチェンジバイアス方式である。
層）に対し、横バイアス磁界としてＳＡＬバイアスを与
える薄膜磁気ヘッドの正面図である。また図５では磁気
抵抗効果層（ＭＲ層）に対して縦バイアス磁界を与える
方法がハードバイアス方式であり、図６は縦バイアス磁
界を与える方法がエクスチェンジバイアス方式である。
【０００３】図５に示す薄膜磁気ヘッドでは、Ａｌ2Ｏ3
（酸化アルミニウム）などの下部絶縁層１の上に、軟磁
性（ＳＡＬ）層２、非磁性（ＳＨＵＮＴ）層３、磁気抵
抗効果（ＭＲ）層４が順に積層されている。ＭＲ層４
は、Ｘ方向へトラック幅Ｔｗの寸法を有している。例え
ば、ＳＡＬ層２はＣｏ−Ｚｒ−Ｍｏ（コバルト−ジルコ
ニウム−モリブデン）系合金、ＳＨＵＮＴ層３はＴａ
（タンタル）、ＭＲ層４はＦｅ−Ｎｉ（鉄−ニッケル）
合金により成膜される。下部絶縁層１の上にはトラック
幅Ｔｗを開けてＣｏ−Ｐｔ（コバルト−白金）合金ある
いはＣｏ−Ｃｒ−Ｐｔ（コバルト−クロム−白金）合金
から成るハードバイアス方式の縦バイアス層５が積層さ
れており、さらにその上にＣｒ（クロム）あるいはＴａ
（タンタル）などから成るリード層６が積層されてい
る。そしてＭＲ層４およびリード層６の上に、Ａｌ2Ｏ3
などの上部絶縁層７が積層されている。
（酸化アルミニウム）などの下部絶縁層１の上に、軟磁
性（ＳＡＬ）層２、非磁性（ＳＨＵＮＴ）層３、磁気抵
抗効果（ＭＲ）層４が順に積層されている。ＭＲ層４
は、Ｘ方向へトラック幅Ｔｗの寸法を有している。例え
ば、ＳＡＬ層２はＣｏ−Ｚｒ−Ｍｏ（コバルト−ジルコ
ニウム−モリブデン）系合金、ＳＨＵＮＴ層３はＴａ
（タンタル）、ＭＲ層４はＦｅ−Ｎｉ（鉄−ニッケル）
合金により成膜される。下部絶縁層１の上にはトラック
幅Ｔｗを開けてＣｏ−Ｐｔ（コバルト−白金）合金ある
いはＣｏ−Ｃｒ−Ｐｔ（コバルト−クロム−白金）合金
から成るハードバイアス方式の縦バイアス層５が積層さ
れており、さらにその上にＣｒ（クロム）あるいはＴａ
（タンタル）などから成るリード層６が積層されてい
る。そしてＭＲ層４およびリード層６の上に、Ａｌ2Ｏ3
などの上部絶縁層７が積層されている。
【０００４】図５に示す薄膜磁気ヘッドでは、縦バイア
ス層５がＸ方向へ永久磁化されたハードバイアス層であ
り、この縦バイアス層５によりＭＲ層４に対してＸ方向
への縦バイアス磁界が与えられ、ＭＲ層４がＸ方向に単
磁区化される。また、ＭＲ層４に対してＹ方向への横バ
イアス磁界を与える横バイアス層としてＳＡＬ層２が用
いられている。リード層６から縦バイアス層５を経てＭ
Ｒ層４にＸ方向への定常電流が与えられると、ＭＲ層４
にＸ軸回りの磁界が発生する。この磁界によりＳＡＬ層
（横バイアス層）２がＹ方向へ磁化され、さらにＳＡＬ
層２がＭＲ層４にもたらす静磁結合エネルギーによっ
て、ＭＲ層４にＹ方向の横バイアス磁界が与えられる。
ス層５がＸ方向へ永久磁化されたハードバイアス層であ
り、この縦バイアス層５によりＭＲ層４に対してＸ方向
への縦バイアス磁界が与えられ、ＭＲ層４がＸ方向に単
磁区化される。また、ＭＲ層４に対してＹ方向への横バ
イアス磁界を与える横バイアス層としてＳＡＬ層２が用
いられている。リード層６から縦バイアス層５を経てＭ
Ｒ層４にＸ方向への定常電流が与えられると、ＭＲ層４
にＸ軸回りの磁界が発生する。この磁界によりＳＡＬ層
（横バイアス層）２がＹ方向へ磁化され、さらにＳＡＬ
層２がＭＲ層４にもたらす静磁結合エネルギーによっ
て、ＭＲ層４にＹ方向の横バイアス磁界が与えられる。
【０００５】薄膜磁気ヘッドに対するハードディスクな
どの磁気記録媒体の移動方向はＺ方向であり、磁気記録
媒体から磁気ヘッドに与えられる洩れ磁界の方向はＹ方
向である。この洩れ磁界によりＭＲ層４の磁化の方向が
変わると、ＭＲ層４の電気抵抗が変化する。この抵抗値
の変化が電圧降下として検出され、磁気記録媒体からの
洩れ磁界が検出される。縦バイアス磁界と横バイアス磁
界により、ＭＲ層４の磁化の方向がＸ方向とＹ方向の中
間の角度に向けられ、これにより磁気記録媒体からの洩
れ磁界の変化に対し、ＭＲ層４の電気抵抗の変化が直線
性を有するようになる。
どの磁気記録媒体の移動方向はＺ方向であり、磁気記録
媒体から磁気ヘッドに与えられる洩れ磁界の方向はＹ方
向である。この洩れ磁界によりＭＲ層４の磁化の方向が
変わると、ＭＲ層４の電気抵抗が変化する。この抵抗値
の変化が電圧降下として検出され、磁気記録媒体からの
洩れ磁界が検出される。縦バイアス磁界と横バイアス磁
界により、ＭＲ層４の磁化の方向がＸ方向とＹ方向の中
間の角度に向けられ、これにより磁気記録媒体からの洩
れ磁界の変化に対し、ＭＲ層４の電気抵抗の変化が直線
性を有するようになる。
【０００６】図６に示す薄膜磁気ヘッドでは、下部絶縁
層１の上に、ＳＡＬ層２、ＳＨＵＮＴ層３、ＭＲ層４が
順に積層されている。ＭＲ層４の表面にはトラック幅Ｔ
ｗを開けて、縦バイアス層８とリード層６が積層されて
いる。図６では、縦バイアス層８が、例えばＦｅ−Ｍｎ
（鉄−マンガン）合金などで形成された反強磁性層であ
る。縦バイアス層８が積層されているＭＲ層４のＢ領域
では、両層の膜境界面での交換異方性結合により、ＭＲ
層４がＸ方向へ単磁区化され、これに誘発されてトラッ
ク幅Ｔｗ内のＡ領域のＭＲ層４がＸ方向へ単磁区化され
る。また定常電流がリード層６を通ってＭＲ層４に流れ
るときに発生する磁界がＳＡＬ層２をＹ方向へ磁化し、
このＳＡＬ層２がＭＲ層４にもたらす静磁結合エネルギ
ーによって、ＭＲ層４にＹ方向の横バイアス磁界が与え
られる。そして図５に示したものと同様に、磁気記録媒
体からの洩れ磁界の変化に対しＭＲ層４の電気抵抗の変
化が直線性を持つものとなる。
層１の上に、ＳＡＬ層２、ＳＨＵＮＴ層３、ＭＲ層４が
順に積層されている。ＭＲ層４の表面にはトラック幅Ｔ
ｗを開けて、縦バイアス層８とリード層６が積層されて
いる。図６では、縦バイアス層８が、例えばＦｅ−Ｍｎ
（鉄−マンガン）合金などで形成された反強磁性層であ
る。縦バイアス層８が積層されているＭＲ層４のＢ領域
では、両層の膜境界面での交換異方性結合により、ＭＲ
層４がＸ方向へ単磁区化され、これに誘発されてトラッ
ク幅Ｔｗ内のＡ領域のＭＲ層４がＸ方向へ単磁区化され
る。また定常電流がリード層６を通ってＭＲ層４に流れ
るときに発生する磁界がＳＡＬ層２をＹ方向へ磁化し、
このＳＡＬ層２がＭＲ層４にもたらす静磁結合エネルギ
ーによって、ＭＲ層４にＹ方向の横バイアス磁界が与え
られる。そして図５に示したものと同様に、磁気記録媒
体からの洩れ磁界の変化に対しＭＲ層４の電気抵抗の変
化が直線性を持つものとなる。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】図５および図６に示す
薄膜磁気ヘッドでは、縦バイアス層５または縦バイアス
層８からＭＲ層４に与えられるＸ方向の縦バイアス磁界
と、ＳＡＬ層２との静磁結合エネルギーによりＭＲ層４
にＹ方向に与えられる横バイアス磁界とにより、ＭＲ層
４の磁化の方向がＸ軸方向とＹ軸方向の中間の角度に設
定され、これにより磁気記録媒体からの洩れ磁界の変化
に対し、電気抵抗値の変化が直線性を有するように設定
される。したがって、ＭＲ層４にＸ方向への縦バイアス
磁界を与えると共に、ＭＲ層４に対してＹ方向へ所定の
大きさの横バイアス磁界を与え、ＭＲ層４の磁化方向を
Ｘ軸方向とＹ軸方向の中間の角度に安定して向けること
が、バルクハウゼンノイズを低減する上で重要な要件と
なる。
薄膜磁気ヘッドでは、縦バイアス層５または縦バイアス
層８からＭＲ層４に与えられるＸ方向の縦バイアス磁界
と、ＳＡＬ層２との静磁結合エネルギーによりＭＲ層４
にＹ方向に与えられる横バイアス磁界とにより、ＭＲ層
４の磁化の方向がＸ軸方向とＹ軸方向の中間の角度に設
定され、これにより磁気記録媒体からの洩れ磁界の変化
に対し、電気抵抗値の変化が直線性を有するように設定
される。したがって、ＭＲ層４にＸ方向への縦バイアス
磁界を与えると共に、ＭＲ層４に対してＹ方向へ所定の
大きさの横バイアス磁界を与え、ＭＲ層４の磁化方向を
Ｘ軸方向とＹ軸方向の中間の角度に安定して向けること
が、バルクハウゼンノイズを低減する上で重要な要件と
なる。
【０００８】図５と図６に示す従来の薄膜磁気ヘッドで
は、ＭＲ層４に対して横バイアス磁界を与える方法とし
てＳＡＬバイアスが使用されている。このＳＡＬバイア
スは、ＭＲ層４に電流を与え、ＭＲ層４にＸ軸回りの磁
界を発生させてＳＡＬ層２を磁化させ、さらにＳＡＬ層
２からＭＲ層４に対し静磁結合エネルギーによるＹ方向
への横バイアス磁界を与えるものとなっている。
は、ＭＲ層４に対して横バイアス磁界を与える方法とし
てＳＡＬバイアスが使用されている。このＳＡＬバイア
スは、ＭＲ層４に電流を与え、ＭＲ層４にＸ軸回りの磁
界を発生させてＳＡＬ層２を磁化させ、さらにＳＡＬ層
２からＭＲ層４に対し静磁結合エネルギーによるＹ方向
への横バイアス磁界を与えるものとなっている。
【０００９】しかしながら、上記のＳＡＬバイアスによ
る横バイアス磁界は、外部磁界の影響を受けやすく、外
部磁界が変化すると、ＭＲ層４に与えられる横バイアス
磁界が変動し、ＭＲ層４の磁化の方向が不安定になる。
またＳＡＬ層２からの横バイアス磁界を充分に発生させ
るためには、ＭＲ層４に大きな電流を与えることが必要
である。しかし実際の薄膜磁気ヘッドでは、定常電流が
ＭＲ層４のみならずＳＡＬ層２およびＳＨＵＮＴ層３に
も分流するため、ＭＲ層４のみに大きな電流を与えるこ
とが困難である。したがって、充分な横バイアス磁界を
発生させるのが難しい。
る横バイアス磁界は、外部磁界の影響を受けやすく、外
部磁界が変化すると、ＭＲ層４に与えられる横バイアス
磁界が変動し、ＭＲ層４の磁化の方向が不安定になる。
またＳＡＬ層２からの横バイアス磁界を充分に発生させ
るためには、ＭＲ層４に大きな電流を与えることが必要
である。しかし実際の薄膜磁気ヘッドでは、定常電流が
ＭＲ層４のみならずＳＡＬ層２およびＳＨＵＮＴ層３に
も分流するため、ＭＲ層４のみに大きな電流を与えるこ
とが困難である。したがって、充分な横バイアス磁界を
発生させるのが難しい。
【００１０】また図５に示す、ハードバイアス方式の縦
バイアス層５が使用されたものでは、ＳＡＬ層２の両側
に縦バイアス層５が接触しているため、縦バイアス層５
からのＸ方向の磁界によりＳＡＬ層２の磁化方向が影響
を受け、ＭＲ層４にＸ軸回りの磁界が発生してＳＡＬ層
２がＹ方向に磁化されるとき、その磁化の方向が安定せ
ず、よってＭＲ層４に対してＹ方向へ与えられる横バイ
アス磁界が不安定になりやすいものとなっている。
バイアス層５が使用されたものでは、ＳＡＬ層２の両側
に縦バイアス層５が接触しているため、縦バイアス層５
からのＸ方向の磁界によりＳＡＬ層２の磁化方向が影響
を受け、ＭＲ層４にＸ軸回りの磁界が発生してＳＡＬ層
２がＹ方向に磁化されるとき、その磁化の方向が安定せ
ず、よってＭＲ層４に対してＹ方向へ与えられる横バイ
アス磁界が不安定になりやすいものとなっている。
【００１１】本発明は上記従来の課題を解決するもので
あり、磁気抵抗効果層に安定した横バイアス磁界を与え
ることができるようにして、バルクハウゼンノイズを低
減できる薄膜磁気ヘッドを提供することを目的としてい
る。
あり、磁気抵抗効果層に安定した横バイアス磁界を与え
ることができるようにして、バルクハウゼンノイズを低
減できる薄膜磁気ヘッドを提供することを目的としてい
る。
【００１２】
【課題を解決するための手段】本発明は、縦バイアス層
により単磁区化される磁気抵抗効果層と、前記磁気抵抗
効果層に横バイアス磁界を与える横バイアス層とを有す
る薄膜磁気ヘッドにおいて、前記横バイアス層が、磁性
体層と、交換異方性結合によりこの磁性体層を横方向に
磁化させる反強磁性層とから成るものである。
により単磁区化される磁気抵抗効果層と、前記磁気抵抗
効果層に横バイアス磁界を与える横バイアス層とを有す
る薄膜磁気ヘッドにおいて、前記横バイアス層が、磁性
体層と、交換異方性結合によりこの磁性体層を横方向に
磁化させる反強磁性層とから成るものである。
【００１３】前記反強磁性層は、ＮｉＯ（酸化ニッケ
ル）、Ｎｉ−Ｍｎ（ニッケル−マンガン）合金、Ｐｔ−
Ｍｎ（白金−マンガン）合金、Ｆｅ−Ｍｎ（鉄−マンガ
ン）合金などにより形成される。あるいは、α−Ｆｅ2
Ｏ3（酸化鉄）などの耐腐食性に優れた磁性材料により
形成される。
ル）、Ｎｉ−Ｍｎ（ニッケル−マンガン）合金、Ｐｔ−
Ｍｎ（白金−マンガン）合金、Ｆｅ−Ｍｎ（鉄−マンガ
ン）合金などにより形成される。あるいは、α−Ｆｅ2
Ｏ3（酸化鉄）などの耐腐食性に優れた磁性材料により
形成される。
【００１４】また本発明は、前記薄膜磁気ヘッドにおい
て、前記横バイアス層として、横方向（Ｙ方向）への磁
界を保持したハードバイアス層が設けられる。このハー
ドバイアス層は、例えばＣｏ−Ｎｉ−Ｐｔ（コバルト−
ニッケル−白金）合金などで形成される。
て、前記横バイアス層として、横方向（Ｙ方向）への磁
界を保持したハードバイアス層が設けられる。このハー
ドバイアス層は、例えばＣｏ−Ｎｉ−Ｐｔ（コバルト−
ニッケル−白金）合金などで形成される。
【００１５】また、磁気抵抗効果層に縦バイアス磁界を
与える縦バイアス層としては、磁気抵抗効果層の両側に
位置して縦方向に永久磁化されたハードバイアス層、ま
たは磁気抵抗効果層に密着し交換異方性結合により磁気
抵抗効果層に縦バイアス磁界を与えるエクスチェンジバ
イアス層が用いられる。
与える縦バイアス層としては、磁気抵抗効果層の両側に
位置して縦方向に永久磁化されたハードバイアス層、ま
たは磁気抵抗効果層に密着し交換異方性結合により磁気
抵抗効果層に縦バイアス磁界を与えるエクスチェンジバ
イアス層が用いられる。
【００１６】縦バイアス層と横バイアス層が共にハード
バイアス層の場合には、縦バイアス層と横バイアス層と
を互いに保磁力の相違する材料で形成しておくことによ
り、両バイアス層を互いに異なる方向へ永久磁化させる
ことが可能である。
バイアス層の場合には、縦バイアス層と横バイアス層と
を互いに保磁力の相違する材料で形成しておくことによ
り、両バイアス層を互いに異なる方向へ永久磁化させる
ことが可能である。
【００１７】また、縦バイアス層が、磁気抵抗効果層に
交換異方性結合による磁界を与える反強磁性層であり、
横バイアス層が、磁性体層と反強磁性層とで構成される
場合には、縦バイアス層の反強磁性層と、横バイアス層
の反強磁性層とを、互いにブロッキング温度（キュリー
点温度）の異なる材料により形成する。これにより縦バ
イアス層の反強磁性層と、横バイアス層の反強磁性層と
で、交換異方性磁界の方向が相違するように設定するこ
とが可能である。
交換異方性結合による磁界を与える反強磁性層であり、
横バイアス層が、磁性体層と反強磁性層とで構成される
場合には、縦バイアス層の反強磁性層と、横バイアス層
の反強磁性層とを、互いにブロッキング温度（キュリー
点温度）の異なる材料により形成する。これにより縦バ
イアス層の反強磁性層と、横バイアス層の反強磁性層と
で、交換異方性磁界の方向が相違するように設定するこ
とが可能である。
【００１８】本発明の薄膜磁気ヘッドでは、横バイアス
層が、磁性体層と、この磁性体層を交換異方性結合によ
り一方向に磁化する反強磁性層とで構成され、またはハ
ードバイアス層により構成されている。よって横バイア
ス層は、自らが横方向へ安定して単磁区化され磁化さ
れ、横バイアス層から磁気抵抗効果層に充分に大きい安
定した横バイアス磁界が与えられる。したがって、磁気
抵抗効果層では、磁化の方向がＸ軸方向とＹ軸方向の中
間の向きに確実に向けられ、バルクハウゼンノイズが低
減できるものとなる。
層が、磁性体層と、この磁性体層を交換異方性結合によ
り一方向に磁化する反強磁性層とで構成され、またはハ
ードバイアス層により構成されている。よって横バイア
ス層は、自らが横方向へ安定して単磁区化され磁化さ
れ、横バイアス層から磁気抵抗効果層に充分に大きい安
定した横バイアス磁界が与えられる。したがって、磁気
抵抗効果層では、磁化の方向がＸ軸方向とＹ軸方向の中
間の向きに確実に向けられ、バルクハウゼンノイズが低
減できるものとなる。
【００１９】
【発明の実施の形態】図１と図２は、本発明の第１の実
施形態と第２の実施形態の薄膜磁気ヘッドの正面図であ
り、共に縦バイアス層としてハードバイアス層が設けら
れているものである。図１に示す薄膜磁気ヘッドは、Ａ
ｌ2Ｏ3（酸化アルミニウム）などの下部絶縁層１の上
に、下部反強磁性層９ｂ、磁性体層９ａ、非磁性（ＳＨ
ＵＮＴ）層３、磁気抵抗効果（ＭＲ）層４が下から順に
積層されている。下部反強磁性層９ｂは例えばＮｉＯ
（酸化ニッケル）、Ｎｉ−Ｍｎ（ニッケル−マンガン）
合金、Ｐｔ−Ｍｎ（白金−マンガン）合金、Ｆｅ−Ｍｎ
（鉄−マンガン）合金などで形成され、磁性体層９ａは
Ｆｅ−Ｎｉ（鉄−ニッケル）系合金などで形成されてい
る。図１に示す例では、磁性体層９ａと下部反強磁性層
９ｂとで横バイアス層９が構成されている。下部反強磁
性層９ｂと磁性体層９ａとの交換異方性結合により、磁
性体層９ａがＹ方向へ単磁区化されて磁化され、その磁
界により、ＭＲ層４に対し、Ｙ方向への横バイアス磁界
が与えられるものとなっている。
施形態と第２の実施形態の薄膜磁気ヘッドの正面図であ
り、共に縦バイアス層としてハードバイアス層が設けら
れているものである。図１に示す薄膜磁気ヘッドは、Ａ
ｌ2Ｏ3（酸化アルミニウム）などの下部絶縁層１の上
に、下部反強磁性層９ｂ、磁性体層９ａ、非磁性（ＳＨ
ＵＮＴ）層３、磁気抵抗効果（ＭＲ）層４が下から順に
積層されている。下部反強磁性層９ｂは例えばＮｉＯ
（酸化ニッケル）、Ｎｉ−Ｍｎ（ニッケル−マンガン）
合金、Ｐｔ−Ｍｎ（白金−マンガン）合金、Ｆｅ−Ｍｎ
（鉄−マンガン）合金などで形成され、磁性体層９ａは
Ｆｅ−Ｎｉ（鉄−ニッケル）系合金などで形成されてい
る。図１に示す例では、磁性体層９ａと下部反強磁性層
９ｂとで横バイアス層９が構成されている。下部反強磁
性層９ｂと磁性体層９ａとの交換異方性結合により、磁
性体層９ａがＹ方向へ単磁区化されて磁化され、その磁
界により、ＭＲ層４に対し、Ｙ方向への横バイアス磁界
が与えられるものとなっている。
【００２０】また、ＳＨＵＮＴ層３はＴａ（タンタル）
などの非磁性材料により形成され、ＭＲ層４はＮｉ−Ｆ
ｅ（ニッケル−鉄）合金などにより形成されている。ト
ラック幅Ｔｗを開けた両側では、下部絶縁層１の上に縦
バイアス層５が成膜されている。この縦バイアス層５
は、下部反強磁性層９ｂ、磁性体層９ａ、ＳＨＵＮＴ層
３およびＭＲ層４の両端面に密着して成膜されている。
この縦バイアス層５は、保磁力の大きい強磁性材料で、
例えばＣｏ−Ｐｔ（コバルト−白金）合金やＣｏ−Ｃｒ
−Ｔａ（コバルト−クロム−タンタル）合金などにより
形成され、縦バイアス層５はＸ方向へ永久磁化されたハ
ードバイアス層となっている。縦バイアス層５の上に
は、Ｃｒ（クロム）やＴａ（タンタル）などの比抵抗の
小さい材料により形成されたリード層６が積層されてい
る。
などの非磁性材料により形成され、ＭＲ層４はＮｉ−Ｆ
ｅ（ニッケル−鉄）合金などにより形成されている。ト
ラック幅Ｔｗを開けた両側では、下部絶縁層１の上に縦
バイアス層５が成膜されている。この縦バイアス層５
は、下部反強磁性層９ｂ、磁性体層９ａ、ＳＨＵＮＴ層
３およびＭＲ層４の両端面に密着して成膜されている。
この縦バイアス層５は、保磁力の大きい強磁性材料で、
例えばＣｏ−Ｐｔ（コバルト−白金）合金やＣｏ−Ｃｒ
−Ｔａ（コバルト−クロム−タンタル）合金などにより
形成され、縦バイアス層５はＸ方向へ永久磁化されたハ
ードバイアス層となっている。縦バイアス層５の上に
は、Ｃｒ（クロム）やＴａ（タンタル）などの比抵抗の
小さい材料により形成されたリード層６が積層されてい
る。
【００２１】図１に示す薄膜磁気ヘッドでは、縦バイア
ス層５がハードバイアス層であり、ハードバイアス層の
Ｘ方向への永久磁化により、ＭＲ層４がＸ方向へ単磁区
化されて磁化される。また下部反強磁性層９ｂは交換異
方性結合により磁性体層９ａをＹ方向へ単磁区化させ磁
化させるように機能する。磁性体層９ａは前記交換異方
性結合により、Ｙ方向へ確実に磁化されるため、この磁
性体層９ａの磁化によりＭＲ層４に対しＹ方向への静磁
結合エネルギーを与え、ＭＲ層４にＹ方向への安定した
横バイアス磁界を与えることができる。また定常電流
は、リード層６から縦バイアス層５を経てＭＲ層４に与
えられ、ＭＲ層４ではＸ軸回りの磁界が発生し、磁性体
層９ａはこのＭＲ層４からの磁界の影響も受ける。すな
わち、磁性体層９ａは、下部反強磁性層９ｂとの交換異
方性結合、および定常電流によりＭＲ層４に発生した磁
界の双方によりＹ方向へ磁化され、その磁界によりＭＲ
層４に安定した横バイアス磁界が与えられる。
ス層５がハードバイアス層であり、ハードバイアス層の
Ｘ方向への永久磁化により、ＭＲ層４がＸ方向へ単磁区
化されて磁化される。また下部反強磁性層９ｂは交換異
方性結合により磁性体層９ａをＹ方向へ単磁区化させ磁
化させるように機能する。磁性体層９ａは前記交換異方
性結合により、Ｙ方向へ確実に磁化されるため、この磁
性体層９ａの磁化によりＭＲ層４に対しＹ方向への静磁
結合エネルギーを与え、ＭＲ層４にＹ方向への安定した
横バイアス磁界を与えることができる。また定常電流
は、リード層６から縦バイアス層５を経てＭＲ層４に与
えられ、ＭＲ層４ではＸ軸回りの磁界が発生し、磁性体
層９ａはこのＭＲ層４からの磁界の影響も受ける。すな
わち、磁性体層９ａは、下部反強磁性層９ｂとの交換異
方性結合、および定常電流によりＭＲ層４に発生した磁
界の双方によりＹ方向へ磁化され、その磁界によりＭＲ
層４に安定した横バイアス磁界が与えられる。
【００２２】ハードバイアス層による縦バイアス磁界
と、前記磁性体層９ａからの横バイアス磁界とにより、
ＭＲ層４の磁化の方向は、Ｘ軸方向とＹ軸方向の中間の
向きに安定する。磁気記録媒体からの洩れ磁界はＹ方向
へ与えられ、この洩れ磁界に応じてＭＲ層４の磁化の方
向が変化し、電気抵抗値が変化するが、ＭＲ層４では安
定した横バイアス磁界により磁化の方向が安定している
ため、洩れ磁界の変化に対する電気抵抗値の変化の直線
性に優れ、バルクハウゼンノイズを低下できるようにな
る。
と、前記磁性体層９ａからの横バイアス磁界とにより、
ＭＲ層４の磁化の方向は、Ｘ軸方向とＹ軸方向の中間の
向きに安定する。磁気記録媒体からの洩れ磁界はＹ方向
へ与えられ、この洩れ磁界に応じてＭＲ層４の磁化の方
向が変化し、電気抵抗値が変化するが、ＭＲ層４では安
定した横バイアス磁界により磁化の方向が安定している
ため、洩れ磁界の変化に対する電気抵抗値の変化の直線
性に優れ、バルクハウゼンノイズを低下できるようにな
る。
【００２３】図１に示す薄膜磁気ヘッドでは、各層がス
パッタ成膜された後に下部反強磁性層９ｂがＹ方向への
交換異方性を発揮できるように処理され、またハードバ
イアス層である縦バイアス層５をＸ方向へ永久磁化させ
るための処理が行われる。この処理方法として、まず最
初に、各層の成膜が完了したものを、Ｙ方向の磁界中に
おいて、下部反強磁性層９ｂのブロッキング温度（キュ
リー点温度）以上の温度に加熱する。これにより下部反
強磁性層９ｂにＹ方向への交換異方性を持たせることが
できる。次に、縦バイアス層５の保磁力以上の大きさの
Ｘ方向への磁界を与え、縦バイアス層５をＸ方向へ永久
磁化される。このとき、前記ブロッキング温度以下でＸ
方向への磁界を与えれば、下部反強磁性層９ｂの交換異
方性がＸ方向の磁界の影響を受けることがない。あるい
は最初に縦バイアス層５の保磁力以上の大きさのＸ方向
への磁界を与えて、縦バイアス層５をＸ方向へ永久磁化
させ、次に下部反強磁性層９ｂのブロッキング温度以上
に加熱し、このときＹ方向へ前記保磁力よりも小さい磁
界をＸ方向へ与えて、下部反強磁性層９ｂに対しＹ方向
への交換異方性を持たせるようにしてもよい。上記工程
により、縦バイアス層５をＸ方向へ永久磁化させ、また
下部反強磁性層９ｂと磁性体層９ａとの交換異方性結合
によりＹ方向への横バイアス磁界を発生させることが可
能になる。
パッタ成膜された後に下部反強磁性層９ｂがＹ方向への
交換異方性を発揮できるように処理され、またハードバ
イアス層である縦バイアス層５をＸ方向へ永久磁化させ
るための処理が行われる。この処理方法として、まず最
初に、各層の成膜が完了したものを、Ｙ方向の磁界中に
おいて、下部反強磁性層９ｂのブロッキング温度（キュ
リー点温度）以上の温度に加熱する。これにより下部反
強磁性層９ｂにＹ方向への交換異方性を持たせることが
できる。次に、縦バイアス層５の保磁力以上の大きさの
Ｘ方向への磁界を与え、縦バイアス層５をＸ方向へ永久
磁化される。このとき、前記ブロッキング温度以下でＸ
方向への磁界を与えれば、下部反強磁性層９ｂの交換異
方性がＸ方向の磁界の影響を受けることがない。あるい
は最初に縦バイアス層５の保磁力以上の大きさのＸ方向
への磁界を与えて、縦バイアス層５をＸ方向へ永久磁化
させ、次に下部反強磁性層９ｂのブロッキング温度以上
に加熱し、このときＹ方向へ前記保磁力よりも小さい磁
界をＸ方向へ与えて、下部反強磁性層９ｂに対しＹ方向
への交換異方性を持たせるようにしてもよい。上記工程
により、縦バイアス層５をＸ方向へ永久磁化させ、また
下部反強磁性層９ｂと磁性体層９ａとの交換異方性結合
によりＹ方向への横バイアス磁界を発生させることが可
能になる。
【００２４】また、図１に示す薄膜磁気ヘッドにおい
て、下部反強磁性層９ｂとしてα−Ｆｅ2Ｏ3を使用して
もよい。α−Ｆｅ2Ｏ3は耐腐蝕性に優れた材料であり、
この材料を使用することにより、耐食性に優れた薄膜磁
気ヘッドを構成できる。またα−Ｆｅ2Ｏ3は、ＮｉＯ、
Ｎｉ−Ｍｎ合金、Ｐｔ−Ｍｎ合金、Ｆｅ−Ｍｎ合金と同
様に、磁性体層９ａに対し数十（Ｏｅ；エルステッド）
の交換異方性磁界（Ｈｅｘ）を与えることができる。し
かもα−Ｆｅ2Ｏ3と密着した磁性体層９ａは保磁力（Ｈ
ｃ）が大きくなり、その保磁力は数百（Ｏｅ）に達し、
この保持力は、通常のハードバイアス方式におけるハー
ド膜の保持力に匹敵する。よって、下部反強磁性層９ｂ
としてα−Ｆｅ2Ｏ3を用いると、磁性体層９ａは交換異
方性結合によりＹ方向に磁化されるのみならず、永久磁
化によってもＹ方向への磁界を発生でき、ＭＲ層４に与
えられる横バイアス磁界がさらに安定したものとなる。
て、下部反強磁性層９ｂとしてα−Ｆｅ2Ｏ3を使用して
もよい。α−Ｆｅ2Ｏ3は耐腐蝕性に優れた材料であり、
この材料を使用することにより、耐食性に優れた薄膜磁
気ヘッドを構成できる。またα−Ｆｅ2Ｏ3は、ＮｉＯ、
Ｎｉ−Ｍｎ合金、Ｐｔ−Ｍｎ合金、Ｆｅ−Ｍｎ合金と同
様に、磁性体層９ａに対し数十（Ｏｅ；エルステッド）
の交換異方性磁界（Ｈｅｘ）を与えることができる。し
かもα−Ｆｅ2Ｏ3と密着した磁性体層９ａは保磁力（Ｈ
ｃ）が大きくなり、その保磁力は数百（Ｏｅ）に達し、
この保持力は、通常のハードバイアス方式におけるハー
ド膜の保持力に匹敵する。よって、下部反強磁性層９ｂ
としてα−Ｆｅ2Ｏ3を用いると、磁性体層９ａは交換異
方性結合によりＹ方向に磁化されるのみならず、永久磁
化によってもＹ方向への磁界を発生でき、ＭＲ層４に与
えられる横バイアス磁界がさらに安定したものとなる。
【００２５】図２に示す薄膜磁気ヘッドは、図１に示し
たものにおいて磁性体層９ａおよび下部反強磁性層９ｂ
の代わりの横バイアス層としてハード層１０を形成した
ものであり、図２におけるハード層１０以外の層の構造
は図１に示したものと同じである。ハード層１０は例え
ばＣｏ−Ｎｉ−Ｐｔ（コバルト−ニッケル−白金）合金
などの保磁力の大きい磁性材料で形成されて、Ｙ方向に
永久磁化されている。
たものにおいて磁性体層９ａおよび下部反強磁性層９ｂ
の代わりの横バイアス層としてハード層１０を形成した
ものであり、図２におけるハード層１０以外の層の構造
は図１に示したものと同じである。ハード層１０は例え
ばＣｏ−Ｎｉ−Ｐｔ（コバルト−ニッケル−白金）合金
などの保磁力の大きい磁性材料で形成されて、Ｙ方向に
永久磁化されている。
【００２６】この薄膜磁気ヘッドでは、横バイアス層で
あるハード層１０がＹ方向へ永久磁化されているため、
このハード層１０のＹ方向への磁化により、ＭＲ層４に
対してＹ方向へ安定した横バイアス磁界を与えることが
できる。また縦バイアス層５のＸ方向への永久磁化によ
り、ＭＲ層４にＸ方向への縦バイアス磁界が与えられ
る。この縦バイアス磁界と前記横バイアス磁界とで、Ｍ
Ｒ層４の磁化の方向が、Ｘ軸方向とＹ軸方向の中間へ安
定して向けられ、磁気記録媒体からの洩れ磁界の変化に
対して、ＭＲ層４の電気抵抗値の変化が直線性を保つよ
うになる。
あるハード層１０がＹ方向へ永久磁化されているため、
このハード層１０のＹ方向への磁化により、ＭＲ層４に
対してＹ方向へ安定した横バイアス磁界を与えることが
できる。また縦バイアス層５のＸ方向への永久磁化によ
り、ＭＲ層４にＸ方向への縦バイアス磁界が与えられ
る。この縦バイアス磁界と前記横バイアス磁界とで、Ｍ
Ｒ層４の磁化の方向が、Ｘ軸方向とＹ軸方向の中間へ安
定して向けられ、磁気記録媒体からの洩れ磁界の変化に
対して、ＭＲ層４の電気抵抗値の変化が直線性を保つよ
うになる。
【００２７】図２に示した薄膜磁気ヘッドでは、縦バイ
アス層５と、横バイアス層であるハード層１０とが、共
に永久磁化されたハードバイアス層であり、また縦バイ
アス層５の磁化の方向（Ｘ方向）と、ハード層１０の磁
化の方向（Ｙ方向）とは直交している。このように、異
なる方向へ磁化されたハードバイアス層を設けるために
は、縦バイアス層５とハード層１０とを保磁力の相違す
る材料により形成すればよい。
アス層５と、横バイアス層であるハード層１０とが、共
に永久磁化されたハードバイアス層であり、また縦バイ
アス層５の磁化の方向（Ｘ方向）と、ハード層１０の磁
化の方向（Ｙ方向）とは直交している。このように、異
なる方向へ磁化されたハードバイアス層を設けるために
は、縦バイアス層５とハード層１０とを保磁力の相違す
る材料により形成すればよい。
【００２８】例えば、縦バイアス層５をハード層１０よ
りも保持力の大きい材料により形成する。薄膜磁気ヘッ
ドの各層が成膜された状態で、保磁力の大きい縦バイア
ス層５を最初に磁化する。すなわち、縦バイアス層５の
保持力よりも大きいＸ方向への磁界を与えて縦バイアス
層５をＸ方向へ磁化する。次に、縦バイアス層５の保磁
力よりも小さく且つハード層１０の保磁力よりも大きい
Ｙ方向への磁界を与え、ハード層１０をＹ方向へ磁化さ
せればよい。なお、ハード層１０を縦バイアス層５より
も保磁力の大きい材料により形成した場合には、最初に
ハード層１０をＹ方向へ磁化させ、次に縦バイアス層５
をＸ方向へ磁化させればよい。
りも保持力の大きい材料により形成する。薄膜磁気ヘッ
ドの各層が成膜された状態で、保磁力の大きい縦バイア
ス層５を最初に磁化する。すなわち、縦バイアス層５の
保持力よりも大きいＸ方向への磁界を与えて縦バイアス
層５をＸ方向へ磁化する。次に、縦バイアス層５の保磁
力よりも小さく且つハード層１０の保磁力よりも大きい
Ｙ方向への磁界を与え、ハード層１０をＹ方向へ磁化さ
せればよい。なお、ハード層１０を縦バイアス層５より
も保磁力の大きい材料により形成した場合には、最初に
ハード層１０をＹ方向へ磁化させ、次に縦バイアス層５
をＸ方向へ磁化させればよい。
【００２９】図３と図４は、本発明の第３の実施形態と
第４の実施形態を示す薄膜磁気ヘッドの正面図であり、
共に縦バイアス層として反強磁性層が用いられたエクス
チェンジバイアス方式である。図３に示す薄膜磁気ヘッ
ドは、下部絶縁層１の上に下部反強磁性層９ｂ、磁性体
層９ａ、ＳＨＵＮＴ層３、ＭＲ層４が下から順に積層さ
れている。ＭＲ層４の上にはトラック幅（Ｔｗ）を開け
て縦バイアス層８が積層されており、さらにその上にリ
ード層６が積層されている。リード層６およびＭＲ層４
の上には上部絶縁層７が積層されている。
第４の実施形態を示す薄膜磁気ヘッドの正面図であり、
共に縦バイアス層として反強磁性層が用いられたエクス
チェンジバイアス方式である。図３に示す薄膜磁気ヘッ
ドは、下部絶縁層１の上に下部反強磁性層９ｂ、磁性体
層９ａ、ＳＨＵＮＴ層３、ＭＲ層４が下から順に積層さ
れている。ＭＲ層４の上にはトラック幅（Ｔｗ）を開け
て縦バイアス層８が積層されており、さらにその上にリ
ード層６が積層されている。リード層６およびＭＲ層４
の上には上部絶縁層７が積層されている。
【００３０】図３では、図１に示したものと同様に、下
部反強磁性層９ｂと磁性体層９ａとで、横バイアス層９
が構成されている。下部反強磁性層９ｂには例えばＦｅ
−Ｍｎ合金あるいはＮｉ−Ｍｎ合金などが使用され、磁
性体層９ａはＦｅ−Ｎｉ合金などにより形成されてい
る。また縦バイアス層８はＦｅ−Ｍｎ合金などで形成さ
れている。
部反強磁性層９ｂと磁性体層９ａとで、横バイアス層９
が構成されている。下部反強磁性層９ｂには例えばＦｅ
−Ｍｎ合金あるいはＮｉ−Ｍｎ合金などが使用され、磁
性体層９ａはＦｅ−Ｎｉ合金などにより形成されてい
る。また縦バイアス層８はＦｅ−Ｍｎ合金などで形成さ
れている。
【００３１】図３に示す薄膜磁気ヘッドでは、縦バイア
ス層８とＭＲ層４との交換異方性結合により、ＭＲ層４
がＸ方向へ単磁区化されて磁化される。また横バイアス
層９では、磁性体層９ａと下部反強磁性層９ｂとの交換
異方性結合により磁性体層９ａがＹ方向へ磁化され、こ
の磁性体層９ａとＭＲ層４との静磁結合エネルギーによ
りＭＲ層４に対してＹ方向への横バイアス磁界が与えら
れる。横バイアス層９での交換異方性結合により、ＭＲ
層４に対して安定した横バイアス磁界が与えられるもの
となる。
ス層８とＭＲ層４との交換異方性結合により、ＭＲ層４
がＸ方向へ単磁区化されて磁化される。また横バイアス
層９では、磁性体層９ａと下部反強磁性層９ｂとの交換
異方性結合により磁性体層９ａがＹ方向へ磁化され、こ
の磁性体層９ａとＭＲ層４との静磁結合エネルギーによ
りＭＲ層４に対してＹ方向への横バイアス磁界が与えら
れる。横バイアス層９での交換異方性結合により、ＭＲ
層４に対して安定した横バイアス磁界が与えられるもの
となる。
【００３２】図３に示すものでは、縦バイアス層８がＸ
方向への交換異方性磁界を発揮する反強磁性層であり、
横バイアス層９の下部反強磁性層９ｂは、Ｙ方向へ交換
異方性磁界を発揮するものとなっている。このように異
なる方向へ交換異方性を有する２つの反強磁性層を設け
る場合には、両反強磁性層を、ブロッキング温度（キュ
リー点温度）の相違する材料により形成すればよい。
方向への交換異方性磁界を発揮する反強磁性層であり、
横バイアス層９の下部反強磁性層９ｂは、Ｙ方向へ交換
異方性磁界を発揮するものとなっている。このように異
なる方向へ交換異方性を有する２つの反強磁性層を設け
る場合には、両反強磁性層を、ブロッキング温度（キュ
リー点温度）の相違する材料により形成すればよい。
【００３３】例えば下部反強磁性層９ｂのブロッキング
温度が縦バイアス層８のブロッキング温度よりも高い場
合には、各層の成膜が完了した時点で、薄膜磁気ヘッド
をＹ方向への磁界を与えて下部反強磁性層９ｂのブロッ
キング温度以上に加熱する。これにより下部反強磁性層
９ｂがＹ方向への交換異方性を有するようになる。次
に、Ｘ方向への磁界を与え、縦バイアス層８のブロッキ
ング温度以上で且つ下部反強磁性層９ｂのブロッキング
温度以下の温度で加熱する。これにより、縦バイアス層
８がＸ方向への交換異方性を有するようになる。なお、
縦バイアス層８のブロッキング温度が下部反強磁性層９
ｂのブロッキング温度よりも高い場合にも、上記と同様
の処理により各層に交換異方性を持たせることができ
る。
温度が縦バイアス層８のブロッキング温度よりも高い場
合には、各層の成膜が完了した時点で、薄膜磁気ヘッド
をＹ方向への磁界を与えて下部反強磁性層９ｂのブロッ
キング温度以上に加熱する。これにより下部反強磁性層
９ｂがＹ方向への交換異方性を有するようになる。次
に、Ｘ方向への磁界を与え、縦バイアス層８のブロッキ
ング温度以上で且つ下部反強磁性層９ｂのブロッキング
温度以下の温度で加熱する。これにより、縦バイアス層
８がＸ方向への交換異方性を有するようになる。なお、
縦バイアス層８のブロッキング温度が下部反強磁性層９
ｂのブロッキング温度よりも高い場合にも、上記と同様
の処理により各層に交換異方性を持たせることができ
る。
【００３４】次に、図４に示す薄膜磁気ヘッドは、図３
に示すものにおいて、磁性体層９ａおよび下部反強磁性
層９ｂの代わりの横バイアス層としてハード層１０が設
けられたものである。ハード層１０は、Ｃｏ−Ｃｒ−Ｐ
ｔ合金などにより形成され、Ｙ方向へ永久磁化されてい
る。図４に示す薄膜磁気ヘッドでは、ハード層１０のＹ
方向への永久磁化により、ＭＲ層４に対しＹ方向への安
定した横バイアス磁界を与えることができる。この横バ
イアス磁界と、縦バイアス層８の交換異方性結合による
縦バイアス磁界とで、磁気記録媒体からの洩れ磁界に対
するＭＲ層４の抵抗値の変化の直線性を持たせることが
できる。
に示すものにおいて、磁性体層９ａおよび下部反強磁性
層９ｂの代わりの横バイアス層としてハード層１０が設
けられたものである。ハード層１０は、Ｃｏ−Ｃｒ−Ｐ
ｔ合金などにより形成され、Ｙ方向へ永久磁化されてい
る。図４に示す薄膜磁気ヘッドでは、ハード層１０のＹ
方向への永久磁化により、ＭＲ層４に対しＹ方向への安
定した横バイアス磁界を与えることができる。この横バ
イアス磁界と、縦バイアス層８の交換異方性結合による
縦バイアス磁界とで、磁気記録媒体からの洩れ磁界に対
するＭＲ層４の抵抗値の変化の直線性を持たせることが
できる。
【００３５】図４に示す薄膜磁気ヘッドでは、図１に示
したものと同様に、ハード層１０の保磁力よりも大きい
Ｙ方向の磁界により、ハード層１０をＹ方向へ磁化さ
せ、次にハード層１０の保磁力よりも小さいＸ方向への
磁界を与えて、縦バイアス層８のブロッキング温度以上
の温度で加熱し、縦バイアス層８にＸ方向への交換異方
性を持たせればよい。
したものと同様に、ハード層１０の保磁力よりも大きい
Ｙ方向の磁界により、ハード層１０をＹ方向へ磁化さ
せ、次にハード層１０の保磁力よりも小さいＸ方向への
磁界を与えて、縦バイアス層８のブロッキング温度以上
の温度で加熱し、縦バイアス層８にＸ方向への交換異方
性を持たせればよい。
【００３６】
【発明の効果】以上のように本発明によれば、横バイア
ス層として、磁性体層とこれを交換異方性結合により一
方向に磁化する反強磁性層、またはハードバイアス層を
使用することにより、磁気抵抗効果層に安定した横バイ
アス磁界を与えることができる。よって、横バイアス層
の磁化方向の変動に起因するバルクハウゼンノイズを低
減することができ、薄膜磁気ヘッドの磁気検出特性を向
上することができる。
ス層として、磁性体層とこれを交換異方性結合により一
方向に磁化する反強磁性層、またはハードバイアス層を
使用することにより、磁気抵抗効果層に安定した横バイ
アス磁界を与えることができる。よって、横バイアス層
の磁化方向の変動に起因するバルクハウゼンノイズを低
減することができ、薄膜磁気ヘッドの磁気検出特性を向
上することができる。
【図１】本発明の第１の実施形態の薄膜磁気ヘッドを示
す正面図、
す正面図、
【図２】本発明の第２の実施形態の薄膜磁気ヘッドを示
す正面図、
す正面図、
【図３】本発明の第３の実施形態の薄膜磁気ヘッドを示
す正面図、
す正面図、
【図４】本発明の第４の実施形態の薄膜磁気ヘッドを示
す正面図、
す正面図、
【図５】縦バイアスがハードバイアス方式の従来の薄膜
磁気ヘッドの正面図、
磁気ヘッドの正面図、
【図６】縦バイアスがエクスチェンジバイアス方式の従
来の薄膜磁気ヘッドの正面図、
来の薄膜磁気ヘッドの正面図、
【符号の説明】 １ 下部絶縁層 ３ 非磁性（ＳＨＵＮＴ）層 ４ 磁気抵抗（ＭＲ）層 ５ ハードバイアス方式の縦バイアス層 ６ リード層 ８ エクスチェンジバイアス方式の縦バイアス層 ９ 横バイアス層 ９ａ 磁性体層 ９ｂ 下部反強磁性層 １０ ハード層
Claims (4)
- 【請求項１】 縦バイアス層により単磁区化される磁気
抵抗効果層と、前記磁気抵抗効果層に横バイアス磁界を
与える横バイアス層とを有する薄膜磁気ヘッドにおい
て、前記横バイアス層が、磁性体層と、交換異方性結合
によりこの磁性体層を横方向に磁化させる反強磁性層と
から成ることを特徴とする薄膜磁気ヘッド。 - 【請求項２】 縦バイアス層により単磁区化される磁気
抵抗効果層と、前記磁気抵抗効果層に横バイアス磁界を
与える横バイアス層とを有する薄膜磁気ヘッドにおい
て、前記横バイアス層は、横方向への磁界を保持したハ
ードバイアス層であることを特徴とする薄膜磁気ヘッ
ド。 - 【請求項３】 縦バイアス層がハードバイアス層である
請求項１または２記載の薄膜磁気ヘッド。 - 【請求項４】 縦バイアス層が反強磁性層である請求項
１または２記載の薄膜磁気ヘッド。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23238595A JP3450546B2 (ja) | 1995-09-11 | 1995-09-11 | 薄膜磁気ヘッド |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23238595A JP3450546B2 (ja) | 1995-09-11 | 1995-09-11 | 薄膜磁気ヘッド |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0981918A true JPH0981918A (ja) | 1997-03-28 |
| JP3450546B2 JP3450546B2 (ja) | 2003-09-29 |
Family
ID=16938411
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP23238595A Expired - Fee Related JP3450546B2 (ja) | 1995-09-11 | 1995-09-11 | 薄膜磁気ヘッド |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3450546B2 (ja) |
-
1995
- 1995-09-11 JP JP23238595A patent/JP3450546B2/ja not_active Expired - Fee Related
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|---|---|
| JP3450546B2 (ja) | 2003-09-29 |
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