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JPH0969603A - 電力用半導体装置、その外装ケースとその製造方法 - Google Patents

電力用半導体装置、その外装ケースとその製造方法

Info

Publication number
JPH0969603A
JPH0969603A JP7225159A JP22515995A JPH0969603A JP H0969603 A JPH0969603 A JP H0969603A JP 7225159 A JP7225159 A JP 7225159A JP 22515995 A JP22515995 A JP 22515995A JP H0969603 A JPH0969603 A JP H0969603A
Authority
JP
Japan
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terminal nut
terminal
outer case
power semiconductor
semiconductor device
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP7225159A
Other languages
English (en)
Inventor
Toshikazu Masumoto
歳和 桝本
Hisatoshi Arita
久利 有田
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Mitsubishi Electric Corp
Original Assignee
Mitsubishi Electric Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Mitsubishi Electric Corp filed Critical Mitsubishi Electric Corp
Priority to JP7225159A priority Critical patent/JPH0969603A/ja
Priority to US08/615,052 priority patent/US5825085A/en
Priority to DE19618978A priority patent/DE19618978C2/de
Publication of JPH0969603A publication Critical patent/JPH0969603A/ja
Pending legal-status Critical Current

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Abstract

(57)【要約】 【課題】 電極板端子部を外装ケースの挿入用孔に挿入
後に折り曲げることに起因して発生する、外装ケースの
クラックや,端子部の締付ボルト挿入孔と端子ナットの
ネジ部との位置ズレ等を防止可能とし、組立自動化の容
易な構造を有する電力用半導体装置の外装ケースを実現
する。 【解決手段】 ボルト締結時に回転しない様に端子ナッ
ト31を覆って支持可能な第1凹部15aとボルトのネ
ジ部先端を突出可能とするための第2凹部15bとを備
えた構造の端子ナットカバー15を、予めモールド成形
しておく。そして、予めプレス機等で端子部2bを所定
形状に折り曲げておいた電極板2と、上記第1凹部15
aに挿入・支持された端子ナット31を有する端子ナッ
トカバー15とを外装ケース用金型内に設置して、これ
らを外装ケース11と共に一体的にインサート成形する
ことで、電力用半導体装置の外装ケース11を成形す
る。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】この発明は、電力用半導体装
置の外装ケース及びその製造技術に関するものであり、
特に、当該外装ケースを製造する時に端子ナット及び電
極板をインサート成形で外装ケースと共に一体形成する
ものである。
【0002】
【従来の技術】図5は、従来の電力用半導体装置の要部
の構成を示す縦断面図である。又、図6は、図5の部分
拡大図にあたる縦断面図である。
【0003】両図において、各参照符号は次のものを示
す。即ち、1Pと2Pは共に電極板であり、それぞれ、
その先端側に端子部1bP,2bPを有している。そし
て、これらの電極板1P,2Pが成形された時点では、
各端子部1bP,2bPは共に、図5に破線で描かれた
状態、即ち真直ぐに延びて外装ケース11Pに挿入しや
すくなっている。
【0004】9Pは外部へ熱を逃がすための放熱板、1
1Pは外装ケースであり、同ケース11Pは、端子部1
bP,2bPを挿入するための挿入用孔11a,11b
と、端子ナット用挿入穴11c,11dと、シリコン樹
脂やエポキシ樹脂を注入するための窓11ePとを併せ
持つ形状に、予めモールド成形されている。
【0005】外装ケース11Pの端子挿入孔11a,1
1bに、電極板1P,2Pの各端子部1bPと2bPを
それぞれ挿入し、更に、二つの端子ナット31Pをそれ
ぞれ外装ケース11Pの端子ナット用挿入穴11c,1
1dに挿入する。その後、端子部1bP,2bPのそれ
ぞれを、図5に矢印で示す所定の方向へ折り曲げて外装
ケース11Pの上面に対して略水平状態とすることによ
り、電極板及び端子ナット付き外装ケース11Pを形成
する。尚、図6の符号2aPは、先端部2bPに形成さ
れた、締結用ボルトを通すための外部ボルト挿入孔であ
る。
【0006】21Pは絶縁性基板としてのセラミックス
基板であり、同基板21P上には回路導体箔23Pが結
合されている。22は電力用半導体素子であり、セラミ
ックス基板21Pの回路導体箔23Pに固着されてい
る。25Pはアルミ線、31Pは端子部1bP,2bP
と図示しない外部電極とを締付け接続するための端子ナ
ット、41Pは電力用半導体素子22Pや接続配線され
たアルミ線25Pを保護するための軟質のシリコン樹
脂、42Pは硬質のエポキシ樹脂である。
【0007】次に、図5に示した従来の電力用半導体装
置の概略動作を説明する。即ち、電力用半導体素子22
Pで得られる機能は、アルミ線25Pや絶縁性基板21
Pに結合された回路導体箔23Pを介して電極板1P,
2Pに伝わり、端子ナット31Pと電力用半導体装置外
で準備された締付けボルト(図示省略)とによって締め
付けられた、別に準備された外部電極(図示省略)に伝
えられる。また、電力用半導体素子22Pで発生した熱
は、回路導体箔付絶縁性基板21Pと放熱板9Pとを介
して、電力用半導体装置が取付けられている図示しない
冷却体に放熱されると共に、電力用半導体素子22P及
びアルミ線25Pを保護する目的のシリコン樹脂41P
を通して電極板1P,2Pに伝わり、上部へも放熱され
る。
【0008】
【発明が解決しようとする課題】この電力用半導体装置
の組み立て時に起こりやすい問題点を、以下に詳述す
る。
【0009】電極板付き外装ケース11Pは、電力用半
導体装置の組立て工程時に形成されるわけではなく、そ
の前工程において形成される。その方法を、図6を基に
して説明するならば、先ず、予め所定の形状に樹脂を以
てモールド成形された外装ケース11Pの端子ナット挿
入穴11d及び電極板挿入孔11bに、それぞれ端子ナ
ット31P及び電極板2Pを挿入する。その後、電極板
2Pの端子部2bPを後曲げとして折り曲げる。この
時、電極板2Pの端子部2bPと外装ケース11Pとの
間に金型等の剛体を設けて当該端子部2bPを折り曲げ
ることができないため、電極板挿入孔11bの近傍の外
装ケース11Pに、曲げ応力によるクラックが発生した
りする。又、電極板2Pの端子部2bPの曲げ精度が悪
かったり、その曲げ部にメッキはがれによるキレツが生
じたりすることがある。特に、電極板2Pの板厚が1m
m以上になると、そのような問題の発生率が高い。
【0010】以上のように、従来の電力用半導体装置で
は、電極板付き外装ケースの組み立て時に、外装ケー
スのクラックや,電極板端子部の曲げ精度不良と、そ
れによる電極板端子部に設けられた外部ボルト挿入孔と
端子ナットのネジ孔との間の位置ズレや,端子部のキ
レツ発生という問題点が発生しやすく、これらの問題点
は、全て電極板の端子部を後曲げすることに起因してい
る。
【0011】そこで、これらの問題点を解決するため
に、電極板端子部を先曲げし、インサート成形によって
電極板付外装ケースを形成することが必要となる。しか
しながら、その時、端子ナットのネジ穴部へ外装ケース
成形用樹脂が侵入してしまい、端子ナットとしての役目
を果たさなくなる。
【0012】この発明は、このような課題を解決するた
めになされたものであり、上記問題点〜を全て解決
可能とし、インサート成形時に端子ナットのネジ孔部へ
モールド樹脂を侵入させることなく、且つ外部ボルトに
よる締付け時に端子ナットが回転するのを防ぐことの出
来る、電力用半導体装置の外装ケースを提供することを
目的としている。
【0013】更に、端子周辺部の組立の自動化を容易化
すると共に、上記端子ナットの回転をより一層確実に防
止し、外装ケース成形の精度向上を図ることをも、目的
としている。
【0014】
【課題を解決するための手段】請求項1に係る電力用半
導体装置は、端子ナットと、前記端子ナットの回転を防
止し得るように前記端子ナットの少なくとも下部の外側
側面と底面とを覆って前記端子ナットを支持する端子ナ
ットカバーと、予め所定の形状に折り曲げられた端子部
を備え、且つ前記端子ナットと螺合すべき外部のボルト
を通すためのボルト挿入孔が前記端子部に形成されてお
り、しかも前記ボルト挿入孔の中心軸が前記端子ナット
のネジ孔の中心軸と一致した電極板とを備えた、外装ケ
ースを備えており、前記端子ナットカバーと前記電極板
とは前記外装ケースと共に一体的にインサート成形され
ている。
【0015】請求項2に係る電力用半導体装置では、請
求項1記載の前記端子ナットカバーは、前記端子ナット
の外形形状と同一の形状及び寸法を有する第1凹部を備
えており、前記第1凹部の深さは前記端子ナットの回転
を防止するのに充分な寸法値に設定されており、前記端
子ナットは前記第1凹部内に配設されることにより前記
端子ナットカバーで支持されている。
【0016】請求項3に係る電力用半導体装置では、請
求項2記載の前記端子ナットカバーは前記第1凹部の底
面の一部より形成された第2凹部を更に備えており、前
記第2凹部の中心軸は前記第1凹部の中心軸に一致して
おり、且つ前記第2凹部の形状及び寸法は、前記外部の
ボルトを前記端子ナットに螺合した際にそのボルトネジ
部が前記第1凹部の前記底面より突出可能となるように
設定されている。
【0017】請求項4に係る電力用半導体装置では、請
求項1ないし3の何れかに記載の前記端子ナットカバー
は、端子ナットカバーの外面の一部に形成され、且つ前
記外装ケース内に埋め込まれた溝部を更に備えている。
【0018】請求項5に係る電力用半導体装置では、請
求項1ないし4の何れかに記載の前記端子ナットカバー
は、前記端子ナットの挿入面とは反対側の前記外装ケー
ス内に埋め込まれた底面の一部より形成された2次成形
用位置決め凹部を更に備えており、前記外装ケースは、
前記端子ナットカバーの底面と対向した面より形成され
ており、しかも前記2次成形用位置決め凹部と貫通した
貫通孔を備える。
【0019】請求項6に係る電力用半導体装置の外装ケ
ースは、端子ナットの回転を防止し得るように端子ナッ
トの少なくとも下部の外側側面と底面とを覆って前記端
子ナットを支持する端子ナットカバーと、予め所定の形
状に折り曲げられた端子部を具備し、且つ前記端子ナッ
トと螺合すべき外部のボルトを通すためのボルト挿入孔
が前記端子部に形成されており、しかも前記ボルト挿入
孔の中心軸が前記端子ナットのネジ孔の中心軸と一致し
た、電極板とが、前記外装ケースと共に一体的にインサ
ート成形されている。
【0020】請求項7に係る電力用半導体装置の外装ケ
ースでは、請求項6記載の前記外装ケース内に埋め込ま
れた前記端子ナットカバーの外面の一部には溝部が設け
られている。
【0021】請求項8に係る電力用半導体装置の外装ケ
ースでは、請求項6又は7記載の前記外装ケース内に埋
め込まれた前記端子ナットカバーの底面の一部より2次
成形位置決め用凹部が形成されており、前記2次成形位
置決め用凹部と貫通した貫通孔が前記外装ケースに形成
されている。
【0022】請求項9に係る電力用半導体装置の外装ケ
ースの製造方法は、端子ナットを準備する工程と、前記
端子ナットの回転を防止可能に前記端子ナットの少なく
とも下部の外側側面と底面とを覆って前記端子ナットを
支持するための構造を具備した端子ナットカバーを準備
する工程と、予め所定の形状に折り曲げられた端子部を
備え、且つ前記端子ナットと螺合すべき外部のボルトを
通すためのボルト挿入孔が前記端子部に形成された電極
板を準備する工程と、前記電極板の前記ボルト挿入孔の
中心軸が前記端子ナットカバーによって支持された場合
の前記端子ナットのネジ孔の中心軸と一致するように、
前記端子ナットカバーと前記電極板との配設箇所が設け
られた、前記外装ケース用の金型を準備する工程と、前
記端子ナットカバーを前記金型に於ける対応する前記配
設箇所に設け、前記端子ナットを前記端子ナットカバー
で支持し、更に前記電極板を対応する前記配設箇所に設
けた上で、前記外装ケースと共に一体的にインサート成
形する工程とを備えている。
【0023】請求項10に係る電力用半導体装置の外装
ケースの製造方法では、請求項9記載の前記端子ナット
カバーの外面の一部には予め溝部が形成されている。
【0024】請求項11に係る電力用半導体装置の外装
ケースの製造方法では、請求項9または10記載の前記
金型には予め2次成形位置決め用凸部が形成されてお
り、前記端子ナットカバーの底面の一部には、前記イン
サート成形工程時に前記2次成形位置決め用凸部が挿嵌
される様に2次成形位置決め用凹部が予め形成されてい
る。
【0025】この発明に係る電力用半導体装置の外装ケ
ースに配設された端子ナットカバーは、インサート成形
時に、端子ナットのネジ孔部へモールド樹脂が侵入する
のを防いで、しかも端子ナットカバー内で端子ナットが
回転するのを防ぐ。この構造により、電極板の端子部を
先曲げ加工することが可能となり、外装ケースのクラッ
クが無くなるとともに、電極板の端子部の曲げ精度が向
上する。
【0026】又、端子ナットカバーは、外装ケースへ容
易に固着できる形状を有しており、しかも、外装ケース
を成形する際に容易に端子ナットカバーの位置精度を向
上させ得る形状を有している。
【0027】
【発明の実施の形態】
(実施の形態1)図1は、この発明の実施の形態1に係
る電力用半導体装置の要部の構成を示す縦断面図であ
る。又、図2は、図1中の破線で囲まれた部分の拡大図
に対応する、電力用半導体装置の外装ケースの主要部の
構成を示す縦断面図である。
【0028】図1において、符号21は例えばセラミッ
クス基板からなる絶縁性基板であり、同基板21の上面
には回路導体箔23が設けられている。この回路導体箔
23の内のいくつかには、その上面上に電力用半導体素
子22が固着されており、電力用半導体素子22の各電
極と他の回路導体箔23との間には、アルミ線25が接
続配線されている。又、回路導体箔23a,23bに
は、それぞれ後述する電極板1,2の一端が固着され
る。又、絶縁性基板21の下面には放熱板9が固設され
ており、同板9は電力用半導体素子22が発する熱を外
部へ放熱する。
【0029】上述した各部9,21,22,23,25
からなる能動体部を外装ケース11によって覆い、外装
ケース11に設けられた注入窓11eよりシリコン樹脂
41及びエポキシ樹脂42を順次に外装ケース11内に
注入することによって、本電力用半導体装置10は樹脂
封止される。
【0030】外装ケース11は、この発明の核心部をな
す樹脂ケースであり、電極板1,2と、電極板1,2を
介して図示しない外部のボルトと螺合される端子ナット
31と、端子ナット31の回転を防止しうるように、そ
の少なくとも下部の外側側面と底面とを覆って端子ナッ
ト31を支持する端子ナットカバー15とを具備してお
り、しかも、同ケース11は、これらの部材1,2,1
5と共に一体的にインサート成形されて成るものであ
る。後述するように、同ケース11をモールド成形する
工程は、本電力用半導体装置10の組立て・樹脂封止工
程の前工程にあたる。以下、この外装ケース11の構造
を詳細に説明する。
【0031】電極板1,2は、それぞれ予めプレス機等
によって精度良く所定の形状に折り曲げ加工された端子
部1b,2bを有する。ここでは、端子部1b,2b
は、モールド成形後に外装ケース11の上面4に対して
水平方向に配設されるように、L字型に折り曲げられた
状態に形成される。又、各端子部1b,2bの所定位置
には、外部の締付ボルトを通すためのボルト挿入孔1
a,2aが予め加工形成されている。このボルト挿入孔
1a,2aの中心軸が、外装ケース11のモールド成形
後には、端子ナット31のネジ孔(図示せず)の中心軸
と一致するように、電極板1,2はインサート成形用の
金型(図示せず)の所定箇所に配設される。
【0032】端子ナットカバー15は、予めモールド成
形された樹脂体であり、つながった2段の凹部、即ち、
外装ケース11の端子ナット31の挿入面4側に開口を
有する、端子ナット挿入穴としての第1凹部15aと、
第1凹部15aの底面の開口部5より形成された第2凹
部15bを有する。
【0033】このうち、第1凹部15aは、端子ナット
31の外形形状と同一の形状及び寸法を有する。即ち、
この例では、端子ナット31は六角ナットであるから、
第1凹部15aは、その中心軸3に垂直な断面が六角形
状となる凹部形状を有し、その深さは端子ナット31の
外側側面の長さ寸法に相等しい。従って、第1凹部15
aに端子ナット31を挿入すると、端子ナット31の側
面及び底面は、この第1凹部15aによって覆われ、端
子ナット31の側面及び底面と第1凹部15aの壁面と
の間の当接によって生じる力により、端子ナット31
は、外部のボルトとの締結時に回転することなく支持さ
れることとなる。このとき、端子ナットカバー15、従
って第1凹部15aの中心軸3は、端子ナット31のネ
ジ孔の中心軸及び、電極板1,2のボルト挿入孔1a,
2aの中心軸とほぼ一致する。
【0034】又、第2凹部15bは、その中心軸が第1
凹部15aの中心軸と一致するように形成された穴であ
り、その形状及び寸法は、外部のボルトを端子ナット3
1に螺合して締付けた際に、外部のボルトの締付ボルト
ネジ部の一部が端子ナット31の下面6より突出可能と
なるように設定されている。
【0035】次に、このような構造を具備した外装ケー
ス11の製造工程(前工程)について詳述する。同工程
は、大別して、一次成形と二次成形とから成る。
【0036】先ず、図1,図2に示した構造を有する端
子ナットカバー15を、モールド成形する(一次成
形)。
【0037】又、所定位置にボルト挿入孔1a,2aが
形成されている電極板1,2を、プレス機等の加工機を
用いて所定の形状に折り曲げ加工して、先端部1b,2
bを形成する。
【0038】次に、二次成形へと移る。即ち、端子ナッ
トカバー15の第1凹部15aによって端子ナット31
が支持されたときに、電極板1,2のボルト挿入孔1
a,2aの中心軸がその端子ナット31の中心軸と一致
するように、端子ナットカバー15と電極板1,2の配
設箇所が設定された、外装ケース用の金型(図示せず)
を準備する。そして、この金型に、先ず端子ナットカバ
ー15を上記対応する配設箇所に設置し、次に端子ナッ
ト31を第1凹部15a内に挿入して、端子ナット31
を端子ナットカバー15で支持する。この場合、端子ナ
ット31と第1凹部15aの側壁間には、少しばかりの
遊びが生じる。更に、電極板1,2を上記所定の配設箇
所に設置する。これらの準備がととのった段階で、電極
板1,2と端子ナット31付きの端子ナットカバー15
とを、外装ケースとなるべき樹脂部材と共に一体的にイ
ンサート成形する。これにより、図1,図2に示した構
造の外装ケース11が成形される。
【0039】この外装ケース11の製造が完了したなら
ば、次に電力用半導体装置10の組立て工程へと移るこ
ととなる。
【0040】以上説明したように、この電力用半導体装
置10の外装ケース11では、端子ナットカバー15
が、一次成形によって、端子ナット31を締付ボルトと
の締結時に回転させないように覆う形状に予め成形され
ているので、外装ケース11をモールド成形する際に端
子ナットのネジ部内へ樹脂が流入するような不具合が生
じることは一切ない。これにより、電極板1,2の端子
部1b,2bをプレス機などによって予め精度よく折り
曲げて加工することが可能となり、しかも、端子ナット
31のネジ孔と電極板1,2の締付ボルト挿入孔1a,
2aとの間の位置精度を向上させることもできる。従っ
て、従来技術が電極板の端子部を外装ケース成形後に所
定の挿入孔に挿入して折り曲げて形成していたために発
生していた、外装ケースのクラック不良や位置ずれや端
子部のキレツ等を完全に防ぐことが可能となる。
【0041】更に、端子ナット31や電極板1,2等の
組立てを外装ケース11のモールド時に行うことができ
るので、端子まわりの組立て工程を容易に自動化するこ
とができる効果がある。
【0042】また、電極板の板厚が1.0mm以上の場
合にも採用することができるので、大電力用半導体装置
への展開が可能となる効果がある。
【0043】(実施の形態2)図3(a)は、電力用半
導体装置の外装フレームの他の構成例を示した要部断面
図であり、図1の破線領域にあたる部分の変形例に該当
している。又、図3(b)は、同図(a)の端子ナット
カバー15Aを矢印方向7から眺めた場合の平面図であ
る。そして、図3(b)に示したX−Y線に関する縦断
面図が、図3(a)に該当している。
【0044】この実施の形態2が実施の形態1と異なる
点は、端子ナットカバーの形状である。その他の点で
は、実施の形態1と同一である。
【0045】図3(a),(b)において、11Aは外
装ケースであり、15Aは端子ナットカバーである。そ
して、同カバー15Aが外装ケース11Aの樹脂と固着
する所定の箇所、即ち同カバー15Aの外面(外側側面
と底面)の一部に、溝部または切欠け部8が設けられて
いる。この溝部8を設けることによって、インサート成
形時に外装ケース11A用の樹脂が溝部8内にも入り込
んでくることとなり、外装ケース11Aの樹脂と端子ナ
ットカバー15Aを形成する樹脂との間の付着力が強ま
ることとなる。
【0046】この様に、本実施の形態2では、端子ナッ
トカバー15Aと外装ケース11Aとをより強固に固着
することができるので、締付ボルトと端子ナット31と
の螺合の際に生じる締付力によって、端子ナットカバー
15Aが外装ケース11Aに対して回転しようとするの
を防止することができ、従って、端子ナット31の回転
を完全に防止することができる。その結果、確実に締付
ボルトによる締付けを行うことができる効果がある。
【0047】(実施の形態3)図4は、電力用半導体装
置の外装ケースの更に他の実施の形態を示す要部断面図
であり、図1の破線領域を拡大したものに相当してい
る。この実施の形態3は実施の形態2の変形例に相当し
ており、その相違するところは、次の点にある。
【0048】即ち、図4に示した外装ケース11Bで
は、図3の構成のものに対して、更に端子ナットカバー
15Bの裏面側(端子ナット31の挿入面4とは反対側
にあたる)に、その底面9の中心部より内部へ向けて2
次成形位置決め用凹部12を配設している。この2次成
形位置決め用凹部12は、インサート成形時に外装ケー
ス11B内に形成された貫通孔とつながっており、同凹
部12は、外装ケース11Bをインサート成形する時の
金型への当たり面となる部分である。即ち、図示しない
金型には、予め、2次成形位置決め用凸部が上記凹部1
2に対応して形成されており、インサート成形する際
に、この凸部を上記凹部12に挿嵌することで、端子ナ
ットカバー15Bの金型への配設が確実になされる。
【0049】この様に、簡単な端子ナットカバー15B
の構造を用いることにより、外装ケース11B用の樹脂
の注入圧力に負けることなく、確実に所望のインサート
成形を行うことができ、上記注入圧力で生じうる位置ズ
レを防止することが可能となる。
【0050】尚、上記凹部12を設ける考えを、図2に
示した外装ケース11に適用することも可能である。
又、実施の形態1〜3では、端子ナットカバー15,1
5A,15Bの第1凹部15aの深さ寸法は、端子ナッ
ト31の側面の長さと略同一としていたが、その寸法
を、端子ナット31が回転しない限度で、さらに小さく
設定しても良い。
【図面の簡単な説明】
【図1】 この発明の実施の形態1による電力用半導体
装置の要部断面図である。
【図2】 この発明の実施の形態1による電力用半導体
装置の外装ケースの要部断面図である。
【図3】 この発明の他の実施の形態による電力用半導
体装置の外装ケースの要部を示す図である。
【図4】 この発明の他の実施の形態による電力用半導
体装置の外装ケースの要部断面図である。
【図5】 従来の電力用半導体装置の要部断面図であ
る。
【図6】 従来の電力用半導体装置の要部断面図であ
る。
【符号の説明】
1,2 電極板、1b 端子部、2a (締付)ボルト
挿入孔、2b 端子部、9 放熱板、11 外装ケー
ス、11e 樹脂注入窓、15 端子ナットカバー、1
5a 第1凹部(端子ナット挿入穴)、15b 第2凹
部(締付ボルト突出用穴)、21 絶縁性基板、22
電力用半導体素子、25 アルミ線、31端子ナット、
41 シリコン樹脂、42 エポキシ樹脂。

Claims (11)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 外装ケースを備え、 前記外装ケースは、 端子ナットと、 前記端子ナットの回転を防止し得るように前記端子ナッ
    トの少なくとも下部の外側側面と底面とを覆って前記端
    子ナットを支持する端子ナットカバーと、 予め所定の形状に折り曲げられた端子部を備え、且つ前
    記端子ナットと螺合すべき外部のボルトを通すためのボ
    ルト挿入孔が前記端子部に形成されており、しかも前記
    ボルト挿入孔の中心軸が前記端子ナットのネジ孔の中心
    軸と一致した、電極板とを、備えており、 前記端子ナットカバーと前記電極板とは前記外装ケース
    と共に一体的にインサート成形されている、電力用半導
    体装置。
  2. 【請求項2】 請求項1記載の電力用半導体装置におい
    て、 前記端子ナットカバーは、 前記端子ナットの外形形状と同一の形状及び寸法を有す
    る第1凹部を備えており、 前記第1凹部の深さは前記端子ナットの回転を防止する
    のに充分な寸法値に設定されており、 前記端子ナットは前記第1凹部内に配設されることによ
    り前記端子ナットカバーで支持されている、電力用半導
    体装置。
  3. 【請求項3】 請求項2記載の電力用半導体装置におい
    て、 前記端子ナットカバーは、 前記第1凹部の底面の一部より形成された第2凹部を更
    に備えており、 前記第2凹部の中心軸は前記第1凹部の中心軸に一致し
    ており、且つ前記第2凹部の形状及び寸法は、前記外部
    のボルトを前記端子ナットに螺合した際にそのボルトネ
    ジ部が前記第1凹部の前記底面より突出可能となるよう
    に設定されている、電力用半導体装置。
  4. 【請求項4】 請求項1ないし3の何れかに記載の電力
    用半導体装置において、 前記端子ナットカバーは、 端子ナットカバーの外面の一部に形成され、且つ前記外
    装ケース内に埋め込まれた溝部を更に備えている、電力
    用半導体装置。
  5. 【請求項5】 請求項1ないし4の何れかに記載の電力
    用半導体装置において、 前記端子ナットカバーは、 前記端子ナットの挿入面とは反対側の前記外装ケース内
    に埋め込まれた底面の一部より形成された2次成形用位
    置決め凹部を更に備えており、 前記外装ケースは、 前記端子ナットカバーの底面と対向した面より形成され
    ており、しかも前記2次成形用位置決め凹部と貫通した
    貫通孔を備える、電力用半導体装置。
  6. 【請求項6】 電力用半導体装置の外装ケースであっ
    て、 端子ナットの回転を防止し得るように前記端子ナットの
    少なくとも下部の外側側面と底面とを覆って前記端子ナ
    ットを支持する端子ナットカバーと、 予め所定の形状に折り曲げられた端子部を具備し、且つ
    前記端子ナットと螺合すべき外部のボルトを通すための
    ボルト挿入孔が前記端子部に形成されており、しかも前
    記ボルト挿入孔の中心軸が前記端子ナットのネジ孔の中
    心軸と一致した、電極板とが、前記外装ケースと共に一
    体的にインサート成形されている、電力用半導体装置の
    外装ケース。
  7. 【請求項7】 請求項6記載の電力用半導体装置の外装
    ケースにおいて、 前記外装ケース内に埋め込まれた前記端子ナットカバー
    の外面の一部には溝部が設けられている、電力用半導体
    装置の外装ケース。
  8. 【請求項8】 請求項6又は7記載の電力用半導体装置
    の外装ケースにおいて、 前記外装ケース内に埋め込まれた前記端子ナットカバー
    の底面の一部より2次成形位置決め用凹部が形成されて
    おり、 前記2次成形位置決め用凹部と貫通した貫通孔が前記外
    装ケースに形成されている、電力用半導体装置の外装ケ
    ース。
  9. 【請求項9】 電力用半導体装置の外装ケースの製造方
    法であって、 端子ナットを準備する工程と、 前記端子ナットの回転を防止可能に前記端子ナットの少
    なくとも下部の外側側面と底面とを覆って前記端子ナッ
    トを支持するための構造を具備した端子ナットカバーを
    準備する工程と、 予め所定の形状に折り曲げられた端子部を備え、且つ前
    記端子ナットと螺合すべき外部のボルトを通すためのボ
    ルト挿入孔が前記端子部に形成された電極板を準備する
    工程と、 前記電極板の前記ボルト挿入孔の中心軸が前記端子ナッ
    トカバーによって支持された場合の前記端子ナットのネ
    ジ孔の中心軸と一致するように、前記端子ナットカバー
    と前記電極板との配設箇所が設けられた、前記外装ケー
    ス用の金型を準備する工程と、 前記端子ナットカバーを前記金型に於ける対応する前記
    配設箇所に設け、前記端子ナットを前記端子ナットカバ
    ーで支持し、更に前記電極板を対応する前記配設箇所に
    設けた上で、前記外装ケースと共に一体的にインサート
    成形する工程とを、備えた電力用半導体装置の外装ケー
    スの製造方法。
  10. 【請求項10】 請求項9記載の電力用半導体装置の外
    装ケースの製造方法であって、 前記端子ナットカバーの外面の一部には予め溝部が形成
    されている、電力用半導体装置の外装ケースの製造方
    法。
  11. 【請求項11】 請求項9または10記載の電力用半導
    体装置の外装ケースの製造方法において、 前記金型には予め2次成形位置決め用凸部が形成されて
    おり、 前記端子ナットカバーの底面の一部には、前記インサー
    ト成形工程時に前記2次成形位置決め用凸部が挿嵌され
    る様に2次成形位置決め用凹部が予め形成されている、
    電力用半導体装置の外装ケースの製造方法。
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US08/615,052 US5825085A (en) 1995-09-01 1996-03-12 Power semiconductor device, armoring case thereof and method for manufacturing the same
DE19618978A DE19618978C2 (de) 1995-09-01 1996-05-10 Leistungshalbleitervorrichtung und ein gepanzertes Gehäuse für eine Leistungshalb leitervorrichtung und Verfahren zu deren Herstellung

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Cited By (19)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH09232512A (ja) * 1996-02-22 1997-09-05 Hitachi Ltd パワー半導体モジュール
JP2004087540A (ja) * 2002-08-23 2004-03-18 Hitachi Ltd 半導体装置
JP2004214536A (ja) * 2003-01-08 2004-07-29 Mitsubishi Electric Corp 電力用半導体装置
JP2010021338A (ja) * 2008-07-10 2010-01-28 Mitsubishi Electric Corp 半導体装置およびその製造方法
JP2010098036A (ja) * 2008-10-15 2010-04-30 Fuji Electric Systems Co Ltd 樹脂ケース及び樹脂ケース製造方法
WO2011149017A1 (ja) * 2010-05-27 2011-12-01 京セラ株式会社 半導体モジュール基板および半導体モジュール
JP2012519388A (ja) * 2009-03-03 2012-08-23 アーベーベー・テヒノロギー・アーゲー 固定用デバイスを備えた電気的モジュール
JP2013055763A (ja) * 2011-09-02 2013-03-21 Denso Corp 電力変換装置
JP2013065598A (ja) * 2011-09-15 2013-04-11 Shindengen Electric Mfg Co Ltd 半導体装置
JP2013102242A (ja) * 2013-03-05 2013-05-23 Mitsubishi Electric Corp パワー半導体装置
JP5626472B2 (ja) * 2011-07-28 2014-11-19 富士電機株式会社 半導体装置および半導体装置の製造方法
JP5672370B2 (ja) * 2011-03-16 2015-02-18 富士電機株式会社 半導体モジュールおよびその製造方法
DE102015223300A1 (de) 2014-11-26 2016-06-02 Mitsubishi Electric Corporation Halbleitervorrichtung
WO2017141946A1 (ja) * 2016-02-19 2017-08-24 株式会社Ihi 締結構造および電動過給機
JP2019093634A (ja) * 2017-11-22 2019-06-20 住友電装株式会社 コネクタ及びその製造方法
US10381243B2 (en) 2016-09-14 2019-08-13 Fuji Electric Co., Ltd. Semiconductor module having supporting portion for fastening portion inside a through hole in a resin case
WO2019172037A1 (ja) * 2018-03-07 2019-09-12 住友電装株式会社 コネクタ及びその製造方法
CN113728427A (zh) * 2020-03-23 2021-11-30 株式会社三社电机制作所 半导体装置
WO2023188550A1 (ja) * 2022-03-28 2023-10-05 株式会社日立パワーデバイス パワー半導体モジュール及びそれを用いた電力変換装置

Families Citing this family (22)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE29511510U1 (de) * 1995-07-17 1995-09-14 Siemens AG, 80333 München Leistungshalbleiter-Baustein
US6281579B1 (en) * 1997-02-14 2001-08-28 International Rectifier Corporation Insert-molded leadframe to optimize interface between powertrain and driver board
US6045599A (en) * 1998-11-13 2000-04-04 Solberg Manufacturing, Inc. Renewable filter
JP4420538B2 (ja) * 1999-07-23 2010-02-24 アバゴ・テクノロジーズ・ワイヤレス・アイピー(シンガポール)プライベート・リミテッド ウェーハパッケージの製造方法
JP4151209B2 (ja) * 2000-08-29 2008-09-17 三菱電機株式会社 電力用半導体装置
JP4130527B2 (ja) * 2000-12-13 2008-08-06 三菱電機株式会社 半導体装置
DE10122837B4 (de) * 2001-05-11 2006-06-22 Ixys Semiconductor Gmbh Leistungshalbleiter-Modul
JP3952904B2 (ja) * 2002-08-12 2007-08-01 住友電装株式会社 電気接続箱
DE10237561C1 (de) 2002-08-16 2003-10-16 Semikron Elektronik Gmbh Induktivitätsarme Schaltungsanordnung bzw. Schaltungsaufbau für Leistungshalbleitermodule
JP3864130B2 (ja) * 2002-10-10 2006-12-27 三菱電機株式会社 電力用半導体装置
US7015570B2 (en) * 2002-12-09 2006-03-21 International Business Machines Corp. Electronic substrate with inboard terminal array, perimeter terminal array and exterior terminal array on a second surface and module and system including the substrate
JP4644008B2 (ja) 2005-03-09 2011-03-02 三菱電機株式会社 半導体モジュール
JP4890208B2 (ja) * 2006-11-24 2012-03-07 三菱電機株式会社 半導体装置
JP5252819B2 (ja) * 2007-03-26 2013-07-31 三菱電機株式会社 半導体装置およびその製造方法
JP4911725B2 (ja) * 2008-02-18 2012-04-04 三菱電機株式会社 半導体装置
JP4634498B2 (ja) * 2008-11-28 2011-02-16 三菱電機株式会社 電力用半導体モジュール
JP5839769B2 (ja) * 2009-03-06 2016-01-06 三菱重工業株式会社 インバータモジュールおよびインバータ一体型電動圧縮機
JP5319601B2 (ja) * 2010-05-10 2013-10-16 株式会社東芝 半導体装置及び電力用半導体装置
DE102013216035B3 (de) * 2013-08-13 2015-01-22 Infineon Technologies Ag Leistungshalbleitermodul und Verfahren zur Herstellung eines Leistungshalbleitermoduls
DE102014115847B4 (de) 2014-10-30 2018-03-08 Infineon Technologies Ag Verfahren zur Herstellung eines Leistungshalbleitermoduls
US10679929B2 (en) * 2017-07-28 2020-06-09 Advanced Semiconductor Engineering Korea, Inc. Semiconductor package device and method of manufacturing the same
DE102021120622B3 (de) 2021-08-09 2022-09-29 Maschinenfabrik Reinhausen Gmbh Lastumschalter für einen Laststufenschalter und ein Verfahren zur Herstellung eines Lastumschalters

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5710952A (en) * 1980-06-23 1982-01-20 Mitsubishi Electric Corp Resin sealed type semiconductor device
JP2671665B2 (ja) * 1991-10-14 1997-10-29 三菱電機株式会社 半導体装置
JPH06120390A (ja) * 1992-10-05 1994-04-28 Fuji Electric Co Ltd 樹脂封止形半導体装置の端子構造
JP3357220B2 (ja) * 1995-07-07 2002-12-16 三菱電機株式会社 半導体装置

Cited By (27)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH09232512A (ja) * 1996-02-22 1997-09-05 Hitachi Ltd パワー半導体モジュール
JP2004087540A (ja) * 2002-08-23 2004-03-18 Hitachi Ltd 半導体装置
JP2004214536A (ja) * 2003-01-08 2004-07-29 Mitsubishi Electric Corp 電力用半導体装置
JP2010021338A (ja) * 2008-07-10 2010-01-28 Mitsubishi Electric Corp 半導体装置およびその製造方法
JP2010098036A (ja) * 2008-10-15 2010-04-30 Fuji Electric Systems Co Ltd 樹脂ケース及び樹脂ケース製造方法
JP2012519388A (ja) * 2009-03-03 2012-08-23 アーベーベー・テヒノロギー・アーゲー 固定用デバイスを備えた電気的モジュール
WO2011149017A1 (ja) * 2010-05-27 2011-12-01 京セラ株式会社 半導体モジュール基板および半導体モジュール
JP5672370B2 (ja) * 2011-03-16 2015-02-18 富士電機株式会社 半導体モジュールおよびその製造方法
JP5626472B2 (ja) * 2011-07-28 2014-11-19 富士電機株式会社 半導体装置および半導体装置の製造方法
US9312782B2 (en) 2011-09-02 2016-04-12 Denso Corporation Power converter equipped with semiconductor module
JP2013055763A (ja) * 2011-09-02 2013-03-21 Denso Corp 電力変換装置
JP2013065598A (ja) * 2011-09-15 2013-04-11 Shindengen Electric Mfg Co Ltd 半導体装置
JP2013102242A (ja) * 2013-03-05 2013-05-23 Mitsubishi Electric Corp パワー半導体装置
DE102015223300A1 (de) 2014-11-26 2016-06-02 Mitsubishi Electric Corporation Halbleitervorrichtung
US9455208B2 (en) 2014-11-26 2016-09-27 Mitsubishi Electric Corporation Semiconductor device
DE102015223300B4 (de) 2014-11-26 2024-05-16 Mitsubishi Electric Corporation Halbleitervorrichtung
WO2017141946A1 (ja) * 2016-02-19 2017-08-24 株式会社Ihi 締結構造および電動過給機
JPWO2017141946A1 (ja) * 2016-02-19 2018-07-12 株式会社Ihi 締結構造および電動過給機
US10381243B2 (en) 2016-09-14 2019-08-13 Fuji Electric Co., Ltd. Semiconductor module having supporting portion for fastening portion inside a through hole in a resin case
JP2019093634A (ja) * 2017-11-22 2019-06-20 住友電装株式会社 コネクタ及びその製造方法
WO2019172037A1 (ja) * 2018-03-07 2019-09-12 住友電装株式会社 コネクタ及びその製造方法
JP2019155613A (ja) * 2018-03-07 2019-09-19 住友電装株式会社 コネクタ及びその製造方法
CN111819058A (zh) * 2018-03-07 2020-10-23 住友电装株式会社 连接器及其制造方法
CN111819058B (zh) * 2018-03-07 2022-05-31 住友电装株式会社 连接器及其制造方法
CN113728427A (zh) * 2020-03-23 2021-11-30 株式会社三社电机制作所 半导体装置
CN113728427B (zh) * 2020-03-23 2023-11-21 株式会社三社电机制作所 半导体装置
WO2023188550A1 (ja) * 2022-03-28 2023-10-05 株式会社日立パワーデバイス パワー半導体モジュール及びそれを用いた電力変換装置

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Publication number Publication date
US5825085A (en) 1998-10-20
DE19618978C2 (de) 2002-01-31
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