[go: up one dir, main page]

JPH0968718A - Reflection type liquid crystal display device - Google Patents

Reflection type liquid crystal display device

Info

Publication number
JPH0968718A
JPH0968718A JP22555995A JP22555995A JPH0968718A JP H0968718 A JPH0968718 A JP H0968718A JP 22555995 A JP22555995 A JP 22555995A JP 22555995 A JP22555995 A JP 22555995A JP H0968718 A JPH0968718 A JP H0968718A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
liquid crystal
display device
crystal display
pixel electrode
reflection type
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP22555995A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Itaru Tsuchiya
至 土屋
Kuninao Ishii
邦尚 石井
Kenichi Hanada
健一 花田
Motohisa Okuni
元久 大國
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Pioneer Video Corp
Pioneer Corp
Original Assignee
Pioneer Video Corp
Pioneer Electronic Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Pioneer Video Corp, Pioneer Electronic Corp filed Critical Pioneer Video Corp
Priority to JP22555995A priority Critical patent/JPH0968718A/en
Priority to US08/697,867 priority patent/US5990988A/en
Publication of JPH0968718A publication Critical patent/JPH0968718A/en
Pending legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Liquid Crystal (AREA)

Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To embody a reflection type liquid crystal display device having the flat reflection surface of a pixel electrode laminated panel. SOLUTION: This reflection type liquid crystal display device is constituted by consisting the panel of a silicon substrate 1, a glass substrate 6 and liquid crystals 9 between these substrates and forming transistors(TRs) 10, 20 arranged in a matrix form on this silicon substrate 1 and pixel electrodes 34D arranged in a matrix form above these TRs. The reflection type liquid crystal display device described above has multilayered wiring layers 31, 32, 33 which are disposed between the layers of the TRs 10, etc., and the layers of the pixel electrodes 34D and connect the layers corresponding to each other. At least the pixel arranging parts of these wiring layers 31, etc., consist of wiring pattern parts 31S, 31D, 32D, 33D and residual pattern parts 31F, 31F, 33F, etc., formed integrally therewith.

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】この発明は、反射型液晶表示
装置に関し、詳しくは、いわゆるプロジェクタ等に好適
な反射パネルすなわち微細で反射特性のよい液晶表示パ
ネルを持った反射型液晶表示装置に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a reflection type liquid crystal display device, and more particularly to a reflection type liquid crystal display device having a reflection panel suitable for a so-called projector or the like, that is, a liquid crystal display panel having a fine reflection characteristic.

【0002】[0002]

【従来の技術】従来、反射型液晶表示装置として、例え
ば特開平4−56827号公報記載のものが知られてい
る。これは、図4にそのパネル断面を示したが、シリコ
ン基板1とこれに対向するガラス基板6との間に液晶9
を封入した反射パネルを備えたものである。このシリコ
ン基板1の液晶9側の面上には、マトリクス状に配置さ
れたMosFET2と、絶縁層3を介在させてやはりマ
トリクス状に配置された画素電極4と、これらの上に被
着された保護膜5などが形成されている。一方、ガラス
基板6の液晶9側の面上には、透明電極7が全面に被着
され、さらにMosFET2等の対向位置にブラックマ
トリクス又はブラックストライプ9bが形成されてい
る。そして、画素電極4をその下に形成された蓄積容量
部の上面域に限定することで、画素電極4の表面の平坦
化を図っている。
2. Description of the Related Art Conventionally, as a reflection type liquid crystal display device, for example, one described in JP-A-4-56827 is known. This is shown in FIG. 4 which is a cross section of the panel.
It is equipped with a reflection panel encapsulating. On the surface of the silicon substrate 1 on the liquid crystal 9 side, MosFETs 2 arranged in a matrix, pixel electrodes 4 also arranged in a matrix with an insulating layer 3 interposed, and deposited on these. The protective film 5 and the like are formed. On the other hand, on the surface of the glass substrate 6 on the liquid crystal 9 side, a transparent electrode 7 is deposited on the entire surface, and a black matrix or a black stripe 9b is formed at a position facing the MosFET 2 or the like. Then, by limiting the pixel electrode 4 to the upper surface region of the storage capacitor portion formed therebelow, the surface of the pixel electrode 4 is flattened.

【0003】また、特開平6−148679号公報記載
の反射型液晶表示装置は、図5にそのパネル断面を示し
たが、シリコン基板1の表面に、マトリクス状に配置さ
れたMosFET2と、絶縁層3を介在させてやはりマ
トリクス状に配置された画素電極4と、これらの上に被
着された保護膜5などが形成されたものである。そし
て、画素電極4や保護膜5の表面を研磨することで、画
素電極4等の表面の平坦化を図っている。
The reflection type liquid crystal display device disclosed in Japanese Patent Laid-Open No. 148679/1994, whose cross section is shown in FIG. 5, has MosFETs 2 arranged in a matrix and an insulating layer on the surface of the silicon substrate 1. Pixel electrodes 4 which are also arranged in a matrix with 3 interposed, and a protective film 5 and the like deposited thereon are formed. Then, the surface of the pixel electrode 4 and the like is flattened by polishing the surface of the pixel electrode 4 and the protective film 5.

【0004】[0004]

【発明が解決しようとする課題】このように従来の反射
型液晶表示装置では、画素電極の形成範囲を限定した
り、画素電極形成後の表面を研磨することで、反射率や
偏光制御性などの反射特性を改善すべく反射面の平坦化
を図っている。
As described above, in the conventional reflection type liquid crystal display device, the reflectance and the polarization controllability can be improved by limiting the forming range of the pixel electrode or polishing the surface after the pixel electrode is formed. The reflection surface is flattened to improve the reflection characteristics of.

【0005】しかしながら、画素電極の形成範囲を限定
した場合には、部分的にしか平坦化は達成されず、シリ
コン基板上のトランジスタや配線などの部分はガラス基
板上のブラックマトリクスで遮光しなければならない。
このため、開口率が低いという不都合ばかりか、シリコ
ン基板とガラス基板との組立に際して面倒で困難な位置
合わせ作業が必要という不都合もある。
However, when the formation range of the pixel electrode is limited, the planarization is achieved only partially, and the portions such as transistors and wirings on the silicon substrate must be shielded by the black matrix on the glass substrate. I won't.
For this reason, not only is the aperture ratio low, but there is also the inconvenience of requiring a laborious and difficult alignment operation when assembling the silicon substrate and the glass substrate.

【0006】また、画素電極形成後の表面を研磨する場
合でも、特開平6−148679号公報記載の如く通常
より遥かに厚い膜を長時間かけて積層し、さらに凹凸が
無くなるまで研ぎ込むのは、実験的には可能であって
も、処理コストの増加を招き実用上好ましいものではな
い。
Even when the surface after the pixel electrode is formed is polished, as described in Japanese Patent Laid-Open No. 148679/1994, a film much thicker than usual is laminated for a long time, and further polished until the unevenness disappears. Although it is possible experimentally, it is not preferable in practice because it causes an increase in processing cost.

【0007】さらに、導体のパターンが支配的な部分
と、層間膜が多くてその中の一部に導体のパターンが孤
立して存在しているような部分とでは、研げ具合いが異
なることから、特に後者の部分の平坦化には困難が伴
う。
Further, the sharpening condition is different between the part where the conductor pattern is dominant and the part where the conductor pattern is isolated and exists in a part of the inter-layer film where there are many interlayer films. Especially, it is difficult to flatten the latter part.

【0008】ところで、プロジェクタ等の如く、画素の
微細化が強く要求される分野では、所望のスイッチング
特性を確保するためトランジスタに対し画素電極の面積
にかなり近い面積を割り当てる必要があることから、こ
れらを平面的に配置して画素電極の形成範囲を限定した
のでは、開口率が低くて所望の効率を得るのが困難であ
る。このため、トランジスタの上方に画素電極を積み上
げる立体的なパネル構造が想定されることとなるが、こ
れらを単に積み上げただけでは、表面研磨を行うにして
も、上述したように不都合がある。そこで、トランジス
タの上方に画素電極を積み上げた言わば画素電極積層形
パネルでありながらも、反射面の平坦化が容易なパネル
構造を具現化することが課題となる。
By the way, in a field where miniaturization of pixels is strongly required such as a projector, it is necessary to allocate an area which is considerably close to the area of the pixel electrode to the transistor in order to secure a desired switching characteristic. However, the aperture ratio is low and it is difficult to obtain the desired efficiency by arranging in a plane and limiting the formation range of the pixel electrode. For this reason, a three-dimensional panel structure in which the pixel electrodes are stacked above the transistor is supposed, but simply stacking them together causes the inconvenience as described above even if the surface is polished. Therefore, there is a problem to realize a panel structure in which a pixel electrode is stacked above a transistor, which is a so-called pixel electrode laminated type panel, but whose reflection surface is easily flattened.

【0009】この発明は、このような課題を解決するた
めになされたものであり、画素電極積層形パネルの反射
面が平坦な反射型液晶表示装置の提供を目的とする。
The present invention has been made to solve the above problems, and an object thereof is to provide a reflection type liquid crystal display device having a flat reflection surface of a pixel electrode laminated type panel.

【0010】[0010]

【課題を解決するための手段】このような課題を解決す
るために発明された第1乃至第5の解決手段について、
その構成および作用効果を以下に説明する。
The first to fifth solving means invented to solve such a problem are as follows.
The configuration and action and effect will be described below.

【0011】[第lの解決手段]第1の解決手段の反射
型液晶表示装置は(、出願当初の請求項1に記載の如
く)、パネルが半導体基板とこれに対向する透明基板と
これらの基板間に封入された液晶とを有してなり、前記
半導体基板の前記液晶側表面上には、マトリクス状の画
素配列に対応してマトリクス状に配置されたスイッチン
グ素子と、これの上方に前記画素配列対応でマトリクス
状に配置された画素電極とが形成されている反射型液晶
表示装置において、前記スイッチング素子の層と前記画
素電極の層との間に設けられ前記スイッチング素子と前
記画素電極とのうち前記画素配列に従って対応し合うも
のを接続する多層の配線層を備え、前記多層の配線層の
うち少なくとも1つは、少なくとも前記画素配列の対象
部分が、前記接続のための配線パターン部と、所定の最
小絶縁間隙を挟んで前記配線パターンと一体的に形成さ
れた残パターン部とからなるものであることを特徴とす
るものである。
[First Solving Means] In the reflection type liquid crystal display device of the first solving means (as described in claim 1 at the beginning of the application), the panel is a semiconductor substrate and a transparent substrate facing the semiconductor substrate and these. Switching elements arranged in a matrix corresponding to a pixel array in a matrix on the liquid crystal side surface of the semiconductor substrate, and the liquid crystal sealed between the substrates, and the switching element above the switching elements. In a reflective liquid crystal display device in which pixel electrodes arranged in a matrix corresponding to a pixel array are formed, the switching element and the pixel electrode are provided between the switching element layer and the pixel electrode layer. Of the plurality of wiring layers, at least one of the plurality of wiring layers has at least a target portion of the pixel arrangement. And the wiring pattern of the eye, is characterized in that is made of the wiring pattern are integrally formed with the remaining pattern portion across a predetermined minimum insulation gap.

【0012】ここで、上記の「所定の最小絶縁間隙」と
は、静的絶縁のみでなく駆動状態をも考慮して動的にも
隣接パターンとの絶縁を確保するために必要とされる最
小幅の間隙と安定に加工できる最小幅の間隙のうちの大
きい方であって、間隙の何れのところでも概ねこの幅に
なるように前記配線パ夕ーン部の周りに設けられた間隙
をいう。この間隙は絶縁材等で充填されていてもよい。
Here, the above-mentioned "predetermined minimum insulation gap" is the maximum required to secure insulation between adjacent patterns dynamically not only in static insulation but also in consideration of driving state. A gap that is the larger of the narrow gap and the minimum gap that can be stably processed, and that is provided around the wiring pattern part so that the gap is approximately this width at any of the gaps. . This gap may be filled with an insulating material or the like.

【0013】このような第lの解決手段の反射型液晶表
示装置にあっては、高い開口率の確保のために画素電極
積層形パネル構造を採るが、すなわち画素が微細であっ
ても僅かな隣接間の絶縁間隙を挟んだ画素電極を密に配
設することで高い開口率を確保するために透明基板を介
して半導体基板に向かう入射光の反射状態を各画素ごと
に切り換えるための液晶を駆動する画素電極が画素電極
制御用のスイッチング素子の上方に配されるという画素
電極積層形パネル構造を採用するが、スイッチング素子
層と画素電極層との間に特定の多層の配線層が設けられ
ている。
In the reflection type liquid crystal display device of the first means, the pixel electrode laminated type panel structure is adopted in order to secure a high aperture ratio. In order to secure a high aperture ratio by densely arranging pixel electrodes sandwiching an insulating gap between adjacent ones, a liquid crystal for switching the reflection state of incident light toward the semiconductor substrate through the transparent substrate for each pixel is provided. The pixel electrode laminated panel structure in which the pixel electrode to be driven is arranged above the switching element for controlling the pixel electrode is adopted, but a specific multilayer wiring layer is provided between the switching element layer and the pixel electrode layer. ing.

【0014】この配線層は、互いに対応するスイッチン
グ素子と画素電極とを接続するためやトランジスタの遮
光等のために元来必要なものであるが、少なくともlつ
の配線層は、少なくとも画素の配設部分には、本来の接
続用配線パターン部の他に、所定の最小絶縁間隙を除い
て概ね密に、配線パターンと一体形成された残パターン
部が残っている。そこで、このような層では、不所望な
段差の発生が最小絶縁間隙部分の僅かな面積に限定され
る一方、大部分の配線パ夕ーン部および残パターン部に
おいては層を重ねる度に段差の角部等がなだらかにな
る。
This wiring layer is originally necessary for connecting switching elements and pixel electrodes corresponding to each other, for shielding the transistor, and the like. At least one wiring layer is provided for at least pixels. In addition to the original connection wiring pattern portion, a residual pattern portion that is integrally formed with the wiring pattern remains in a substantially dense manner except for a predetermined minimum insulating gap. Therefore, in such a layer, the occurrence of an undesired step is limited to a small area of the minimum insulation gap portion, while in most of the wiring pattern portion and the remaining pattern portion, the step is not formed every time the layers are stacked. The corners, etc., become gentle.

【0015】これにより、上方の層ほど表面が全体的に
平坦化されることから、スイッチング素子層表面では粗
い凹凸を途中の多層配線層の存在によって減衰させるこ
とができるので、画素電極表面は十分に平坦化される。
そして、この画素電極表面を直接反射面とした場合は元
より、画素電極層の上方に反射面を積層形成した場合
も、十分に平坦な反射面を得ることができる。
As a result, since the surface of the upper layer is flattened as a whole, rough unevenness on the surface of the switching element layer can be attenuated by the presence of the multi-layer wiring layer in the middle, so that the surface of the pixel electrode is sufficient. Is flattened to.
Further, when the surface of the pixel electrode is directly used as a reflective surface, a sufficiently flat reflective surface can be obtained not only when the reflective surface is laminated above the pixel electrode layer.

【0016】したがって、この発明によれば、画素電極
積層形パネルの反射面が平坦な反射型液晶表示装置を実
現することができる。
Therefore, according to the present invention, it is possible to realize a reflection type liquid crystal display device in which the reflection surface of the pixel electrode laminated type panel is flat.

【0017】[第2の解決手段]第2の解決手段の反射
型液晶表示装置は(、出願当初の請求項2に記載の如
く)、上記の第1の解決手段の反射型液晶表示装置であ
って、前記画素電極は、前記液晶側の表面が化学的機械
的研磨により平坦化されたものであることを特徴とする
ものである。
[Second Solving Means] The reflection type liquid crystal display device of the second solving means (as described in claim 2 at the beginning of the application) is the reflection type liquid crystal display device of the first solving means. Further, the pixel electrode is characterized in that the surface on the liquid crystal side is planarized by chemical mechanical polishing.

【0018】このような第2の解決手段の反射型液晶表
示装置にあっては、化学的機械的研磨によって画素電極
表面ひいては反射面がさらに平坦になるが、上述したよ
うに画素電極が密に配設されているばかりか既に凹凸が
ほとんど無くなっていることから、ほんの少し研磨する
だけで、斑の無い極めて平坦な表面を得ることができ
る。これにより、長時間の研磨処理や、この研磨に備え
た厚い画素電極層の形成処理などは、回避することがで
きる。その結果、画素電極表面を研磨処理しても、処理
コストの増加を抑え込むことができる。また、画素電極
が平坦なことから、画素電極と透明電極との間における
液晶に印加される電圧も均−なものとなる。
In the reflection type liquid crystal display device of the second means as described above, the surface of the pixel electrode and thus the reflection surface are further flattened by the chemical mechanical polishing, but as described above, the pixel electrodes are densely formed. Since it is not only provided but also has almost no unevenness, it is possible to obtain an extremely flat surface without spots by polishing a little. This makes it possible to avoid a long-time polishing process and a process of forming a thick pixel electrode layer in preparation for this polishing. As a result, even if the surface of the pixel electrode is polished, an increase in processing cost can be suppressed. In addition, since the pixel electrode is flat, the voltage applied to the liquid crystal between the pixel electrode and the transparent electrode becomes uniform.

【0019】したがって、この発明によれば、画素電極
表面の僅かな研磨によって、液晶に印加される電界が均
−で且つ画素電極積層形パネルの反射面が平坦な反射型
液晶表示装置を実現することができる。
Therefore, according to the present invention, a slight polishing of the surface of the pixel electrode realizes a reflection type liquid crystal display device in which the electric field applied to the liquid crystal is uniform and the reflection surface of the pixel electrode laminated type panel is flat. be able to.

【0020】[第3の解決手段]第3の解決手段の反射
型液晶表示装置は(、出願当初の請求項3に記載の如
く)、上記の第1又は第2の解決手段の反射型液晶表示
装置であって、前記画素電極は、前記画素電極の下に前
記配線層を覆う絶縁層を備え、この絶縁層の表面が化学
的機械的研磨により平坦化されたものであることを特徴
とするものである。
[Third Solving Means] The reflection type liquid crystal display device of the third solving means (as described in claim 3 at the beginning of the application) is the reflection type liquid crystal of the above first or second solving means. In the display device, the pixel electrode includes an insulating layer that covers the wiring layer under the pixel electrode, and the surface of the insulating layer is planarized by chemical mechanical polishing. To do.

【0021】このような第3の解決手段の反射型液晶表
示装置にあっては、配線層を覆う絶縁層の表面が化学的
機械的研磨によって平坦化され、その上に画素電極が形
成される。これにより、僅かな研磨処理を施すだけで
も、急速に凹凸が減衰するので、画素電極表面は一層平
坦なものとなる。
In the reflection type liquid crystal display device as the third means, the surface of the insulating layer covering the wiring layer is planarized by chemical mechanical polishing, and the pixel electrode is formed thereon. . As a result, even if a slight polishing process is performed, the unevenness is rapidly attenuated, and the pixel electrode surface becomes flatter.

【0022】したがって、この発明によれば、絶縁層表
面の僅かな研磨によって、画素電極積層形パネルの反射
面が一層平坦な反射型液晶表示装置を実現することがで
きる。
Therefore, according to the present invention, it is possible to realize a reflection type liquid crystal display device in which the reflection surface of the pixel electrode laminated type panel is further flattened by slightly polishing the surface of the insulating layer.

【0023】[第4の解決手段]第4の解決手段の反射
型液晶表示装置は(、出願当初の請求項4に記載の如
く)、上記の第1〜第3の解決手段の反射型液晶表示装
置であって、前記画素電極を覆う保護層を備え、この保
護層は、前記液晶側の表面が化学的機械的研磨により平
坦化されたものであることを特徴とするものである。
[Fourth Solving Means] The reflection type liquid crystal display device of the fourth solving means (as described in claim 4 at the beginning of the application) is the reflection type liquid crystal of the above first to third solving means. A display device is provided with a protective layer covering the pixel electrode, and the protective layer is characterized in that the surface on the liquid crystal side is planarized by chemical mechanical polishing.

【0024】このような第4の解決手段の反射型液晶表
示装置にあっては、化学的機械的研磨によって画素電極
上部の保護層表面ひいては反射面がさらに平坦になる
が、上述したのと同じ理由から、ほんの少し研磨するだ
けで、斑の無い極めて平坦な表面を得ることができる。
これにより、同様に、長時間の研磨処理等を回避して、
処理コストの増加を抑え込むことができる。
In the reflection type liquid crystal display device of the fourth means, the surface of the protective layer on the pixel electrode and thus the reflection surface is further flattened by the chemical mechanical polishing, which is the same as described above. For that reason, it is possible to obtain a very flat surface without spots, with only a little polishing.
As a result, similarly, avoiding a long polishing process,
An increase in processing cost can be suppressed.

【0025】したがって、この発明によれば、画素電極
表面を覆う保護層の僅かな研磨によって画素電極積層形
パネルの反射面が平坦な反射型液晶表示装置を実現する
ことができる。
Therefore, according to the present invention, it is possible to realize a reflection type liquid crystal display device in which the reflection surface of the pixel electrode laminated panel is flat by slightly polishing the protective layer covering the surface of the pixel electrode.

【0026】[第5の解決手段]第5の解決手段の反射
型液晶表示装置は(、出願当初の請求項5に記載の如
く)、上記の第4の解決手段の反射型液晶表示装置であ
って、前記保護層を覆う誘電体ミラーを備えたことを特
徴とするものである。
[Fifth Solving Means] The reflection type liquid crystal display device of the fifth solving means (as described in claim 5 at the beginning of the application) is the reflection type liquid crystal display device of the fourth solving means. It is characterized in that a dielectric mirror covering the protective layer is provided.

【0027】このような第5の解決手段の反射型液晶表
示装置にあっては、反射面として機能する誘電体ミラー
が保護層表面を覆って形成されているが、この保護層表
面が化学的機械的研磨等によって十分に平坦化されてい
るので、誘電体ミラーに特別な処理を施さなくても反射
面は平坦化される。
In the reflection type liquid crystal display device as the fifth means, the dielectric mirror functioning as a reflection surface is formed so as to cover the surface of the protective layer, and the surface of the protective layer is chemically formed. Since it is sufficiently flattened by mechanical polishing or the like, the reflecting surface is flattened without any special treatment on the dielectric mirror.

【0028】したがって、この発明によれば、画素電極
表面を覆う保護層の僅かな研磨によって誘電体ミラーが
平坦な反射型液晶表示装置を実現することができる。
Therefore, according to the present invention, it is possible to realize a reflection type liquid crystal display device having a flat dielectric mirror by slightly polishing the protective layer covering the surface of the pixel electrode.

【0029】[0029]

【発明の実施の形態】このような第1乃至第5の解決手
段で達成された本発明の反射型液晶表示装置について、
これを実施するための形態を説明する。
BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION Regarding the reflection type liquid crystal display device of the present invention achieved by the first to fifth means,
A mode for carrying out this will be described.

【0030】[第1の実施の形態]本発明の第1の実施
形態にあっては、上述した第1の解決手段等を実施する
ために、(表示)パネルが(P型やN型のシリコン基板
等の)半導体基板とこれに対向する(ガラス基板や石英
基板等の)透明基板とこれらの基板間に封入された(S
TN形やFLC形等の)液晶とを有してなり、前記半導
体基板の前記液晶側表面上には、マトリクス状の画素配
列に対応してマトリクス状に配置された(各画素当り1
又は2以上のPチャネル・NチャネルMOSトランジス
タ等の複数の)スイッチング素子と、これの上方に前記
画素配列対応でマトリクス状に配置された画素電極とが
形成されている反射型液晶表示装置において、前記スイ
ッチング素子の層と前記画素電極の層との間に(層間絶
縁膜等を介在させて)設けられ、前記スイッチング素子
と前記画素電極とのうち前記画素配列に従って対応し合
うものを接続する多層の(AlやW、Al合金、Ti+
Al重畳、その他の金属導体などからなる)配線層を備
え、前記多層の配線層のうち少なくとも1つ(望ましく
は総て)は、少なくとも前記画素配列の対象部分が(望
ましくは周辺部も含めてパネル全面に亘る部分が)、前
記接続のための(ドレインラインやソースライン等の)
配線パターン部と、所定の最小絶縁間隙を挟んで前記配
線パターンと(同一のスパッタや蒸着と同一のフォトリ
ソ工程等で)一体的に形成された(ダミーパターン等
の)残パターン部とからなるものであることを特徴とす
る。
[First Embodiment] In the first embodiment of the present invention, in order to carry out the above-mentioned first solving means, the (display) panel has a (P-type or N-type). A semiconductor substrate (such as a silicon substrate) and a transparent substrate (such as a glass substrate or a quartz substrate) that faces the semiconductor substrate are sealed between these substrates (S
Liquid crystal (TN type, FLC type, etc.), and arranged in a matrix on the liquid crystal side surface of the semiconductor substrate (1 for each pixel).
Alternatively, in a reflective liquid crystal display device in which two or more switching elements such as P-channel / N-channel MOS transistors) and pixel electrodes arranged in a matrix corresponding to the pixel array are formed above the switching elements, A multi-layer provided between the layer of the switching element and the layer of the pixel electrode (with an interlayer insulating film or the like interposed) to connect the switching element and the pixel electrode corresponding to each other according to the pixel arrangement. (Al, W, Al alloy, Ti +
At least one (preferably all) of the multi-layered wiring layers is provided with at least a target portion of the pixel array (desirably including a peripheral portion). For the connection (drain line, source line, etc.)
A wiring pattern portion and a residual pattern portion (such as a dummy pattern) integrally formed with the wiring pattern (in the same photolithography process such as sputtering or vapor deposition) with a predetermined minimum insulation gap interposed therebetween. Is characterized in that.

【0031】[第2の実施の形態]本発明の第2の実施
形態は、上記の第1の実施形態の反射型液晶表示装置で
あって、卜ランジスタ特性が入射光や漏洩光による不所
望な影響を受けることを防止するために前記画素電極が
前記スイッチング素子としてのトランジスタを覆うよう
に配置されるとともに前記残パターン部が前記画素電極
の間隙下でこれから漏れた入射光を遮る位置に配置され
ており、開口率又は反射率の向上のために前記画素電極
が隣接画素電極との絶縁に要する最小間隙または安定し
て加工可能な最小間隙を空けて密に配設されている。
[Second Embodiment] The second embodiment of the present invention is the reflection type liquid crystal display device of the first embodiment, wherein the characteristics of the transistor transistor are undesired due to incident light or leakage light. The pixel electrode is arranged so as to cover the transistor as the switching element in order to prevent it from being adversely affected, and the residual pattern portion is arranged under the gap between the pixel electrodes so as to block incident light leaking from the pixel electrode. In order to improve the aperture ratio or the reflectance, the pixel electrodes are densely arranged with a minimum gap required for insulation from an adjacent pixel electrode or a minimum gap that can be stably processed.

【0032】[第3の実施の形態]本発明の第3の実施
形態は、上記の第1,第2の実施形態の反射型液晶表示
装置であって、化学的機械的研磨処理による精度向上等
のために、前記複数の配線層および前記画素電極の層に
おける残パターンが駆動回路その他の周辺回路等の上方
にも設けられ、前記複数の配線層および前記画素電極に
介在する複数の層間絶縁膜は材質がPSG等の同一のも
ので製造工程が単純で済むものである。
[Third Embodiment] The third embodiment of the present invention is the reflection type liquid crystal display device according to the first and second embodiments, in which the accuracy is improved by the chemical mechanical polishing process. For this reason, the residual patterns in the plurality of wiring layers and the pixel electrode layer are provided above the driving circuit and other peripheral circuits, and the plurality of interlayer insulations interposed in the plurality of wiring layers and the pixel electrodes. The film is made of the same material such as PSG and the manufacturing process is simple.

【0033】[第4の実施の形態]本発明の第4の実施
形態は、上記の第1〜第3の実施形態の反射型液晶表示
装置であって、平坦度向上のために、前記多層の配線層
も表面に化学的機械的研磨を施したものである。この場
合、中間段階の工程なので僅かな研磨処理で十分であ
る。
[Fourth Embodiment] The fourth embodiment of the present invention is the reflection type liquid crystal display device according to any one of the first to third embodiments, wherein the multi-layer structure is used for improving flatness. The wiring layer is also one whose surface has been subjected to chemical mechanical polishing. In this case, a slight polishing process is sufficient because it is an intermediate step.

【0034】[0034]

【実施例】本発明の反射型液晶表示装置の最良と思う実
施例について、その具体的な構成を、図面を引用して説
明する。図1は、そのパネル断面の模式図であるが、複
数画素のうちの或る画素部分を拡大した図である。
DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS A specific structure of a preferred embodiment of the reflection type liquid crystal display device of the present invention will be described with reference to the drawings. FIG. 1 is a schematic view of the panel cross section, but is an enlarged view of a certain pixel portion of a plurality of pixels.

【0035】この反射型液晶表示装置は、表示パネル
が、P型のシリコン基板1と、一部にスペーサ等を介在
させてシリコン基板lに対向するガラス基板6と、これ
らの基板間に真空吸引等によって封入された液晶9とを
有してなるものである。
In this reflection type liquid crystal display device, the display panel includes a P type silicon substrate 1, a glass substrate 6 facing the silicon substrate 1 with a spacer or the like partially interposed therebetween, and vacuum suction between these substrates. And the liquid crystal 9 enclosed by the above.

【0036】ガラス基板6は、液晶9側表面上に、コモ
ン電圧に保持される又は接地等されるITO等の透明電
極7と、斜め蒸着したシリコン酸化膜からなる配向膜8
とが積層して形成されている。なお、ブラックマトリク
スは除かれたものとなっている。
The glass substrate 6 has a transparent electrode 7 made of ITO or the like, which is held at a common voltage or is grounded, and an alignment film 8 made of an obliquely vapor-deposited silicon oxide film, on the surface of the liquid crystal 9 side.
Are laminated. Note that the black matrix is excluded.

【0037】液晶9は、垂直配列タイプのネマチック液
晶である。
The liquid crystal 9 is a vertical alignment type nematic liquid crystal.

【0038】シリコン基板lは、液晶9側表面上に、マ
トリクス状に配列された画素の1つに対応して、ソース
11がソースライン31Sを介してデータ信号を受けポ
リシリコンゲート12がスキャン信号を受けドレイン1
3がドレインライン31Dに接続されたPチャネルMO
Sトランジスタ10およびソース21がソースライン3
1Sを介してデータ信号を受けポリシリコンゲート22
がスキャン信号を受けドレイン23がドレインライン3
1Dに接続されたNチャネルMOSトランジスタ20
と、これの上方の画素電極層34内に隣接画素電極と僅
かな絶縁間隙で分離されて密にパターン形成された画素
電極34Dと、それぞれ配線層31,32,33内にパ
ターン形成されてトランジスタ10,20のドレインと
画素電極34Dとを接続するドレインライン31D,3
2D,33Dとが設けられたものである。他の画素部分
も、同様のものである。
In the silicon substrate 1, the source 11 receives a data signal via the source line 31S and the polysilicon gate 12 receives a scan signal corresponding to one of the pixels arranged in a matrix on the surface of the liquid crystal 9 side. Receiving drain 1
3 is a P-channel MO connected to the drain line 31D.
S transistor 10 and source 21 are connected to source line 3
A polysilicon gate 22 receives a data signal via 1S.
Receives a scan signal and drain 23 is drain line 3
N-channel MOS transistor 20 connected to 1D
A pixel electrode 34D which is separated from the adjacent pixel electrode by a slight insulating gap in the pixel electrode layer 34 above the pixel electrode 34D and is densely patterned; and a transistor which is patterned in the wiring layers 31, 32 and 33, respectively. Drain lines 31D, 3 connecting the drains of the pixels 10, 20 and the pixel electrode 34D
2D and 33D are provided. The other pixel portions are similar.

【0039】また、トランジスタ10,20の層と各配
線層31,32,33と画素電極層34との間には絶縁
膜40および層間絶縁膜41,42,43が交互に積層
して設けられている。ここで、配線層31,32,33
および画素電極層34はアルミニウム(Al)膜で形成
されている。また、絶縁膜40〜43は、リンシリケー
トガラス(PSG)膜で形成されており、全層同じ材質
のものとなっている。なお、層間絶縁膜43の形成後、
その表面は化学的機械的研磨研磨処理を施す。電極の平
坦性および電界の均一性を得るためである。
Insulating films 40 and interlayer insulating films 41, 42 and 43 are alternately laminated between the layers of the transistors 10 and 20, the wiring layers 31, 32 and 33 and the pixel electrode layer 34. ing. Here, the wiring layers 31, 32, 33
The pixel electrode layer 34 is formed of an aluminum (Al) film. The insulating films 40 to 43 are formed of a phosphor silicate glass (PSG) film, and are made of the same material in all layers. After forming the interlayer insulating film 43,
The surface is subjected to chemical mechanical polishing polishing treatment. This is to obtain the flatness of the electrodes and the uniformity of the electric field.

【0040】さらに、画素電極層34の上には、シリコ
ン酸化膜やシリコン窒化膜からなる保護膜50と、入射
光を反射する誘電体ミラ−51と、斜め蒸着したシリコ
ン酸化膜からなる配向膜52とが順に積層して形成され
ている。
Further, on the pixel electrode layer 34, a protective film 50 made of a silicon oxide film or a silicon nitride film, a dielectric mirror 51 for reflecting incident light, and an alignment film made of a silicon oxide film obliquely deposited. 52 and 52 are sequentially stacked.

【0041】このような構造を採用したことから、この
反射型液晶表示装置は、一般的なCMOS製造用のシリ
コンプロセスや液晶パネル製造プロセスによって製造す
ることができる。そこで、一般技術の説明は割愛する
が、この反射型液晶表示装置のパネルでは、配線層3
2,33をパタ−ニングしてドレインライン32D,3
3Dを形成する際に、ドレインライン32D,33Dの
周りをその絶縁又は加工に必要な最小限の幅だけエッチ
ングで除去するに留めておく。これにより、ダミーパタ
ーン32F,33F等の残パターン部は、ドレインライ
ン32D等と同時一体的に、新たな工程を追加すること
なく、形成される。なお、ダミーパターン33F等は、
画素電極34Dとその隣接画素電極との間隙の下に配置
されて、漏れた入射光が卜ランジスタ10,20に到達
しないように遮光も行うものとなっている。
By adopting such a structure, this reflection type liquid crystal display device can be manufactured by a general silicon process for manufacturing CMOS or a liquid crystal panel manufacturing process. Therefore, although the description of the general technique is omitted, in the panel of this reflective liquid crystal display device, the wiring layer 3
2 and 33 are patterned to form drain lines 32D and 3D
When forming the 3D, only the minimum width required for the insulation or processing of the drain lines 32D and 33D is removed by etching. As a result, the remaining pattern portions such as the dummy patterns 32F and 33F are formed simultaneously with the drain line 32D and the like without adding a new process. The dummy pattern 33F and the like are
It is arranged under the gap between the pixel electrode 34D and its adjacent pixel electrode, and also shields the leaked incident light so that it does not reach the resonators 10 and 20.

【0042】また、画素電極層34の形成後は、その表
面に短時間の化学的機械的研磨処理を施すとともに、保
護膜50の形成後は、その表面に鏡面仕上げの化学的機
械的研磨処理を施す。これにより、追加処理を僅かなも
のに抑えながらも、誘電体ミラ−51による反射面を十
分に平坦化することができる。
After the pixel electrode layer 34 is formed, its surface is subjected to chemical mechanical polishing for a short time, and after the protective film 50 is formed, its surface is subjected to mirror surface chemical mechanical polishing. Give. This makes it possible to sufficiently flatten the reflecting surface of the dielectric mirror 51 while suppressing the additional processing to a slight amount.

【0043】この実施例の反射型液晶表示装置につい
て、その具体的な動作を、図面を引用して説明する。図
2は、その等価回路のブロック図であり、図3は駆動信
号の波形例である。
The specific operation of the reflective liquid crystal display device of this embodiment will be described with reference to the drawings. FIG. 2 is a block diagram of the equivalent circuit, and FIG. 3 is a waveform example of a drive signal.

【0044】液晶9の駆動は線順次駆動のアクティブマ
トリクス方式で行われる。すなわち、列電極駆動回路か
ら1水平走査線に相当する各列ごとのデータ信号がデー
タラインA1〜Anにパラレル出力されるとともに、行
電極駆動回路からその走査線に該当する行のスキャン信
号の正負のパルスがスキャンラインX1,Y1等に順次
出力される。このパルス出力は水平走査の度にラインX
1,Y1からラインX2,Y2さらにラインX3,Y3
と順に遷移する。
The liquid crystal 9 is driven by the line-sequential active matrix method. That is, the data signal for each column corresponding to one horizontal scanning line is output in parallel to the data lines A1 to An from the column electrode driving circuit, and the polarity of the scanning signal of the row corresponding to the scanning line is output from the row electrode driving circuit. Are sequentially output to the scan lines X1, Y1 and the like. This pulse output is applied to the line X every horizontal scanning.
1, Y1 to lines X2, Y2 and lines X3, Y3
It transits in order.

【0045】ここで、2行2列目の画素を例にとると、
この画素では、PチャネルMOS卜ランジスタ10がラ
インX2を介してゲート12に負のスキャンパルスを受
け、同時にNチャネルMOSトランジスタ20がライン
Y2を介してゲート22に正のスキャンパルスを受ける
と、MOSトランジスタ10,20が共にオンして、ソ
ース12,22とドレイン13,23とが導通する。す
ると、ラインA2上に出力されたデータ信号の電圧は、
ソースライン31Sと、トランジスタ10,2Oと、ド
レインライン3lD,32D,33Dとを介して、画素
電極34Dに印加される。次にPチャネルMOS卜ラン
ジスタ10のゲート12及びNチャネルMOSトランジ
スタ20のゲート22に接地電位が印加されると、MO
Sトランジスタ10,20が共にオフして、画素電極3
4Dにデータ信号の電圧が保持される。
Here, taking the pixel in the second row and the second column as an example,
In this pixel, when the P-channel MOS transistor 10 receives a negative scan pulse on the gate 12 via the line X2 and the N-channel MOS transistor 20 simultaneously receives a positive scan pulse on the gate 22 via the line Y2, the MOS is generated. Both the transistors 10 and 20 are turned on, and the sources 12 and 22 and the drains 13 and 23 are electrically connected. Then, the voltage of the data signal output on line A2 is
It is applied to the pixel electrode 34D via the source line 31S, the transistors 10 and 20, and the drain lines 31D, 32D, and 33D. Next, when a ground potential is applied to the gate 12 of the P-channel MOS transistor 10 and the gate 22 of the N-channel MOS transistor 20, the MO
The S transistors 10 and 20 are both turned off and the pixel electrode 3
4D holds the voltage of the data signal.

【0046】そして、この画素電極34Dの印加電圧と
透明電極7のコモン電圧との電圧差に応じて、画素電極
34D上部における部分の液晶9が偏光状態を変えるの
で、図示しない光源から投射された入射光に対する図示
しない投写面への反射光の割合を制御することができ
る。この反射光の状態は、画素電極34Dの表面が平坦
ゆえ液晶9の印加電界が均−となっており、しかも誘電
体ミラ−51の表面が平坦ゆえ反射面が光学的鏡面とな
っているとともに液晶9の厚さも均−となっていること
から、極めて良好である。他の画素に関しても同様であ
る。そこで、ブラックマトリクスが無くても、明瞭な映
像を投写面に写すことができる。
Then, the liquid crystal 9 in the portion above the pixel electrode 34D changes its polarization state according to the voltage difference between the applied voltage of the pixel electrode 34D and the common voltage of the transparent electrode 7, so that it is projected from a light source (not shown). It is possible to control the ratio of the reflected light to the projection surface (not shown) with respect to the incident light. In this reflected light state, the electric field applied to the liquid crystal 9 is uniform because the surface of the pixel electrode 34D is flat, and the reflecting surface is an optical mirror surface because the surface of the dielectric mirror 51 is flat. Since the thickness of the liquid crystal 9 is uniform, it is extremely good. The same applies to other pixels. Therefore, a clear image can be projected on the projection surface without the black matrix.

【0047】以上ガラス基板にブラックマトリクスの無
い反射型液晶表示装置を例に説明してきたが、ガラス基
板にブラックマトリクスを設けた場合であっても、本発
明は有効である。ブラックマトリクスを設けるとして
も、反射面が平坦で反射特性がよいので、密に配置され
た画素電極の僅かな間隙に対応する部分に対して設ける
だけで済むことから、高い開口率を維持することができ
るのである。
Although the reflection type liquid crystal display device having no black matrix on the glass substrate has been described above, the present invention is effective even when the glass substrate is provided with the black matrix. Even if the black matrix is provided, since the reflection surface is flat and the reflection characteristics are good, it is only necessary to provide the portion corresponding to a small gap between the pixel electrodes densely arranged, so that a high aperture ratio is maintained. Can be done.

【0048】[0048]

【発明の効果】以上の説明から明らかなように、本発明
の第1の解決手段の反射型液晶表示装置にあっては、途
中の多層配線層によって凹凸を減少させることにより、
画素電極表面が十分に平坦化され、その結果として反射
率や偏光制御性などの反射特性が改善されている。した
がって、画素電極積層形パネルの反射面が平坦な反射型
液晶表示装置を実現することができるという有利な効果
が有る。
As is apparent from the above description, in the reflection type liquid crystal display device of the first solution of the present invention, the unevenness is reduced by the multilayer wiring layer in the middle,
The surface of the pixel electrode is sufficiently flattened, and as a result, reflection characteristics such as reflectance and polarization controllability are improved. Therefore, there is an advantageous effect that it is possible to realize a reflection type liquid crystal display device in which the reflection surface of the pixel electrode laminated type panel is flat.

【0049】また、本発明の第2の解決手段の反射型液
晶表示装置にあっては、画素電極表面を僅かに研磨する
ことで、液晶に印加される電界が均−で且つ画素電極積
層形パネルの反射面が平坦な反射型液晶表示装置を実現
することができるという有利な効果を奏する。
In the reflection type liquid crystal display device according to the second solution of the present invention, by slightly polishing the surface of the pixel electrode, the electric field applied to the liquid crystal is uniform and the pixel electrode laminated type The advantageous effect that a reflective liquid crystal display device in which the reflective surface of the panel is flat can be realized is achieved.

【0050】さらに、本発明の第3の解決手段の反射型
液晶表示装置にあっては、絶縁層表面を僅かに研磨する
ことで、画素電極積層形パネルの反射面が平坦な反射型
液晶表示装置を実現することができるという有利な効果
が有る。
Further, in the reflection type liquid crystal display device of the third means of the present invention, the reflection type liquid crystal display in which the reflection surface of the pixel electrode laminated type panel is flat by slightly polishing the surface of the insulating layer. The advantage is that the device can be realized.

【0051】また、本発明の第4の解決手段の反射型液
晶表示装置にあっては、画素電極表面上部の保護層を僅
かに研磨することで、画素電極積層形パネルの反射面が
平坦な反射型液晶表示装置を実現することができるとい
う有利な効果を奏する。
Further, in the reflection type liquid crystal display device of the fourth solution of the present invention, the reflection surface of the pixel electrode laminated type panel is made flat by slightly polishing the protective layer above the pixel electrode surface. This has an advantageous effect that a reflective liquid crystal display device can be realized.

【0052】また、本発明の第5の解決手段の反射型液
晶表示装置にあっては、誘電体ミラーに特別な処理を施
さなくても、画素電極表面を覆う保護層の僅かな研磨に
よって、誘電体ミラーが平坦な反射型液晶表示装置を実
現することができるという有利な効果が有る。
Further, in the reflection type liquid crystal display device of the fifth means of the present invention, even if the dielectric mirror is not subjected to any special treatment, the protective layer covering the surface of the pixel electrode is slightly polished, There is an advantageous effect that a reflection type liquid crystal display device having a flat dielectric mirror can be realized.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】 本発明の反射型液晶表示装置のパネル断面の
拡大模式図である。
FIG. 1 is an enlarged schematic view of a panel cross section of a reflective liquid crystal display device of the present invention.

【図2】 その装置の等価回路のブロック図である。FIG. 2 is a block diagram of an equivalent circuit of the device.

【図3】 その駆動信号の波形図である。FIG. 3 is a waveform diagram of the drive signal.

【図4】 従来の液晶表示パネルの断面模式図である。FIG. 4 is a schematic sectional view of a conventional liquid crystal display panel.

【図5】 従来の液晶表示パネルの断面模式図である。FIG. 5 is a schematic sectional view of a conventional liquid crystal display panel.

【符号の説明】 1 シリコン基板(半導体基板) 2 MosFET 3 絶縁層 3a フィールド酸化膜 4 画素電極 5 保護膜 6 ガラス基板(透明基板) 7 透明電極 8 配向膜 9 液晶 10 PチャネルMOSトランジスタ(PchMos
FET) 11 ソース 12 ゲート 13 ドレイン 20 NチャネルMOSトランジスタ(NchMos
FET) 21 ソース 22 ゲート 23 ドレイン 31 配線層 31S ソースライン(配線パターン部) 31D ドレインライン(配線パターン部) 32 配線層 32D ドレインライン(配線パターン部) 32F ダミーパターン(残パターン部) 33 配線層 34 画素電極層 34D 画素電極 40 絶縁膜 41 層間絶縁膜 42 層間絶縁膜 43 層間絶縁膜 50 保護膜 51 誘電体ミラー 52 配向膜
[Description of Reference Signs] 1 Silicon substrate (semiconductor substrate) 2 MosFET 3 Insulating layer 3a Field oxide film 4 Pixel electrode 5 Protective film 6 Glass substrate (Transparent substrate) 7 Transparent electrode 8 Alignment film 9 Liquid crystal 10 P-channel MOS transistor (PchMos)
FET) 11 source 12 gate 13 drain 20 N-channel MOS transistor (NchMos)
FET) 21 source 22 gate 23 drain 31 wiring layer 31S source line (wiring pattern portion) 31D drain line (wiring pattern portion) 32 wiring layer 32D drain line (wiring pattern portion) 32F dummy pattern (remaining pattern portion) 33 wiring layer 34 Pixel electrode layer 34D Pixel electrode 40 Insulating film 41 Interlayer insulating film 42 Interlayer insulating film 43 Interlayer insulating film 50 Protective film 51 Dielectric mirror 52 Alignment film

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 花田 健一 山梨県甲府市大里町465番地 パイオニア ビデオ株式会社国母工場内 (72)発明者 大國 元久 山梨県甲府市大里町465番地 パイオニア ビデオ株式会社国母工場内 ─────────────────────────────────────────────────── ─── Continuation of the front page (72) Kenichi Hanada, 465 Ozato-cho, Kofu-shi, Yamanashi Pioneer Video Co., Ltd., Kokumo Factory (72) Motohisa Oguni, 465, Oza-cho, Kofu-shi, Yamanashi Pioneer Video Co., Ltd., Kokumo Factory Within

Claims (5)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】パネルが半導体基板とこれに対向する透明
基板とこれらの基板間に封入された液晶とを有してな
り、前記半導体基板の前記液晶側表面上には、画素配列
に対応してマトリクス状に配置されたスイッチング素子
と、これの上方に前記画素配列対応でマトリクス状に配
置された画素電極とが形成されている反射型液晶表示装
置において、前記スイッチング素子の層と前記画素電極
の層との間に設けられ前記スイッチング素子と前記画素
電極とのうち前記画素配列に従って対応し合うものを接
続する多層の配線層を備え、前記多層の配線層のうち少
なくとも1つは、少なくとも前記画素配列の対象部分
が、前記接続のための配線パターン部と、所定の最小絶
縁間隙を挟んで前記配線パターンと一体的に形成された
残パターン部とからなるものであることを特徴とする反
射型液晶表示装置。
1. A panel comprises a semiconductor substrate, a transparent substrate facing the semiconductor substrate, and liquid crystal enclosed between these substrates, and a liquid crystal surface of the semiconductor substrate corresponding to a pixel array on the liquid crystal side surface. In a reflective liquid crystal display device in which switching elements arranged in a matrix are formed, and pixel electrodes arranged in a matrix corresponding to the pixel array are formed above the switching elements, the layers of the switching elements and the pixel electrodes. A wiring layer provided between the switching element and the pixel electrode and corresponding to each other according to the pixel arrangement, and at least one of the wiring layers is at least The target portion of the pixel array is composed of a wiring pattern portion for the connection and a residual pattern portion integrally formed with the wiring pattern with a predetermined minimum insulation gap interposed therebetween. Reflection type liquid crystal display device, characterized in that those.
【請求項2】前記画素電極は、前記液晶側の表面が化学
的機械的研磨により平坦化されたものであることを特徴
とする請求項1記載の反射型液晶表示装置。
2. The reflection type liquid crystal display device according to claim 1, wherein the pixel electrode has a surface on the liquid crystal side which is flattened by chemical mechanical polishing.
【請求項3】前記画素電極は、前記画素電極の下に前記
配線層を覆う絶縁層を備え、この絶縁層の表面が化学的
機械的研磨により平坦化されたものであることを特徴と
する請求項1又は2に記載の反射型液晶表示装置。
3. The pixel electrode includes an insulating layer that covers the wiring layer under the pixel electrode, and the surface of the insulating layer is planarized by chemical mechanical polishing. The reflective liquid crystal display device according to claim 1.
【請求項4】前記画素電極を覆う保護層を備え、この保
護層は、前記液晶側の表面が化学的機械的研磨により平
坦化されたものであることを特徴とする請求項1乃至3
の何れかの請求項に記載された反射型液晶表示装置。
4. A protective layer for covering the pixel electrode is provided, and the protective layer has a surface on the liquid crystal side which is planarized by chemical mechanical polishing.
The reflective liquid crystal display device according to claim 1.
【請求項5】前記保護層を覆う誘電体ミラーを備えたこ
とを特徴とする請求項4記載の反射型液晶表示装置。
5. The reflection type liquid crystal display device according to claim 4, further comprising a dielectric mirror that covers the protective layer.
JP22555995A 1995-09-01 1995-09-01 Reflection type liquid crystal display device Pending JPH0968718A (en)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP22555995A JPH0968718A (en) 1995-09-01 1995-09-01 Reflection type liquid crystal display device
US08/697,867 US5990988A (en) 1995-09-01 1996-08-30 Reflection liquid crystal display and a semiconductor device for the display

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP22555995A JPH0968718A (en) 1995-09-01 1995-09-01 Reflection type liquid crystal display device

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPH0968718A true JPH0968718A (en) 1997-03-11

Family

ID=16831202

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP22555995A Pending JPH0968718A (en) 1995-09-01 1995-09-01 Reflection type liquid crystal display device

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPH0968718A (en)

Cited By (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO1999028784A1 (en) * 1997-11-28 1999-06-10 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Reflection-type display device and image device using reflection-type display device
WO2002025360A3 (en) * 2000-09-25 2002-08-01 Koninkl Philips Electronics Nv Reflective liquid crystal display device.
JP2002533773A (en) * 1998-12-23 2002-10-08 オーロラ システムズ, インコーポレイテッド Combined CMP-etch method for forming a thin planar layer on the surface of a device
US7075704B2 (en) 2003-03-19 2006-07-11 Seiko Epson Corporation Test-element-provided substrate, method of manufacturing the same, substrate for electro-optical device, electro-optical device, and electronic apparatus
US7095550B2 (en) 2003-03-13 2006-08-22 Seiko Epson Corporation Substrate having a planarization layer and method of manufacture therefor, substrate for electro-optical device, electro-optical device, and electronic apparatus
JP2006301653A (en) * 2006-04-27 2006-11-02 Semiconductor Energy Lab Co Ltd Display apparatus and its manufacturing method
JP2007206212A (en) * 2006-01-31 2007-08-16 Canon Inc Reflective liquid crystal display device and method for manufacturing same
CN100416394C (en) * 1997-06-17 2008-09-03 精工爱普生株式会社 Electro-optic device substrates, electro-optic devices, electronic devices and projection display equipment
US11489024B2 (en) 2020-01-22 2022-11-01 Samsung Display Co., Ltd. Display device

Cited By (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2014013389A (en) * 1997-06-17 2014-01-23 Seiko Epson Corp Substrate for electro-optical device, electro-optical device, electronic apparatus and projection type display device
JP2012042977A (en) * 1997-06-17 2012-03-01 Seiko Epson Corp Substrate for electro-optical device, electro-optical device, electronic equipment and projection type display device
CN100416394C (en) * 1997-06-17 2008-09-03 精工爱普生株式会社 Electro-optic device substrates, electro-optic devices, electronic devices and projection display equipment
WO1999028784A1 (en) * 1997-11-28 1999-06-10 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Reflection-type display device and image device using reflection-type display device
JP2010282240A (en) * 1998-12-23 2010-12-16 Aurora Systems Inc Reflective display
JP2002533773A (en) * 1998-12-23 2002-10-08 オーロラ システムズ, インコーポレイテッド Combined CMP-etch method for forming a thin planar layer on the surface of a device
WO2002025360A3 (en) * 2000-09-25 2002-08-01 Koninkl Philips Electronics Nv Reflective liquid crystal display device.
KR100768145B1 (en) * 2000-09-25 2007-10-18 티피오 홍콩 홀딩 리미티드 Reflective liquid crystal display device
US7095550B2 (en) 2003-03-13 2006-08-22 Seiko Epson Corporation Substrate having a planarization layer and method of manufacture therefor, substrate for electro-optical device, electro-optical device, and electronic apparatus
US7075704B2 (en) 2003-03-19 2006-07-11 Seiko Epson Corporation Test-element-provided substrate, method of manufacturing the same, substrate for electro-optical device, electro-optical device, and electronic apparatus
JP2007206212A (en) * 2006-01-31 2007-08-16 Canon Inc Reflective liquid crystal display device and method for manufacturing same
JP4712601B2 (en) * 2006-04-27 2011-06-29 株式会社半導体エネルギー研究所 Manufacturing method of simple matrix type liquid crystal display device
JP2006301653A (en) * 2006-04-27 2006-11-02 Semiconductor Energy Lab Co Ltd Display apparatus and its manufacturing method
US11489024B2 (en) 2020-01-22 2022-11-01 Samsung Display Co., Ltd. Display device
US12144234B2 (en) 2020-01-22 2024-11-12 Samsung Display Co., Ltd. Display device

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US9030458B2 (en) Electro-optical device and electronic apparatus
EP0991126B1 (en) Method of manufacturing an electrooptic device
KR100508470B1 (en) Liquid crystal panel substrates and liquid crystal panels, electronic devices and projection display devices using them
JP2864464B2 (en) Reflective active matrix display panel and method of manufacturing the same
EP1174757B1 (en) Reflective type liquid crystal display device
US5042918A (en) Liquid crystal display device
EP1437618B1 (en) Electro-optical device, process for manufacturing the same, and electronic apparatus
JPH1054995A (en) Reflection type liquid crystal display device
KR20020075286A (en) Electro-optical substrate device and method of manufacturing same, electro-optical device, electronic device and method of manufacturing a substrate device
KR100449772B1 (en) Electrooptical device, manufacturing method for manufacturing electrooptical device, and electronic equipment
JP3661669B2 (en) Active matrix substrate, electro-optical device, electronic equipment
JP2003308029A (en) Electro-optical devices and electronic equipment
JPH0968718A (en) Reflection type liquid crystal display device
JP2000066241A (en) Liquid crystal panel substrate, liquid crystal panel, electronic device using the same, and method of manufacturing liquid crystal panel substrate
KR100568372B1 (en) Electro-optical devices and electronic devices
US7215388B2 (en) Electro-optical device and method of manufacturing the same comprising an interlayer insulating film having a multi-layered structure
US7605024B2 (en) Electro-optic device, method for manufacturing the same, and electronic apparatus
KR20030076421A (en) Electrooptics apparatus, method of manufacturing the same, and electronic equipment
JP3932835B2 (en) TFT array substrate, electro-optical device and electronic apparatus
JP3316115B2 (en) Reflective liquid crystal display
JP4000827B2 (en) ELECTRO-OPTICAL DEVICE, MANUFACTURING METHOD THEREOF, AND ELECTRONIC DEVICE
JP7447724B2 (en) Electro-optical devices and electronic equipment
JP2002341380A (en) Electro-optical device and electronic equipment including the same
JPH1010569A (en) Reflection type liquid crystal display device
JPH09244068A (en) Reflection liquid crystal display device