JPH0961855A - Liquid crystal display device - Google Patents
Liquid crystal display deviceInfo
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- JPH0961855A JPH0961855A JP21638995A JP21638995A JPH0961855A JP H0961855 A JPH0961855 A JP H0961855A JP 21638995 A JP21638995 A JP 21638995A JP 21638995 A JP21638995 A JP 21638995A JP H0961855 A JPH0961855 A JP H0961855A
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Abstract
Description
【0001】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は、高画質、高開口率
を実現する液晶表示装置に関するものである。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a liquid crystal display device which realizes high image quality and high aperture ratio.
【0002】[0002]
【従来の技術】液晶表示装置は、近年、ワークステーシ
ョン、パーソナルコンピュータ、ポータブルテレビ等に
広く利用されており、さらに利用範囲は拡大する傾向に
ある。図3に従来の薄膜トランジスタ型液晶表示装置の
アレイ基板の平面図を示す。図に示すように、ゲート線
1とソース線2とが互いに直交するように形成され、そ
の交点には、画素電極3、薄膜トランジスタ4、及び蓄
積容量5が形成されている。薄膜トランジスタ4はゲー
ト線1の電位によりソース線2と画素電極3との間の導
通を制御する。蓄積容量5は、画素電極3の一部分と、
隣接ゲート線1とが絶縁層を介して対向することによっ
て形成される。図中、6,7,及び8はそれぞれアレイ
基板、中間層、対向基板における電圧が印加されていな
い状態での液晶分子の配向方向である。2. Description of the Related Art In recent years, liquid crystal display devices have been widely used in workstations, personal computers, portable televisions, and the like, and their use range tends to expand. FIG. 3 shows a plan view of an array substrate of a conventional thin film transistor type liquid crystal display device. As shown in the drawing, the gate line 1 and the source line 2 are formed so as to be orthogonal to each other, and the pixel electrode 3, the thin film transistor 4, and the storage capacitor 5 are formed at the intersections thereof. The thin film transistor 4 controls conduction between the source line 2 and the pixel electrode 3 by the potential of the gate line 1. The storage capacitor 5 includes a part of the pixel electrode 3 and
It is formed by facing the adjacent gate line 1 through the insulating layer. In the figure, 6, 7, and 8 are the alignment directions of liquid crystal molecules in the array substrate, the intermediate layer, and the counter substrate in the state where no voltage is applied.
【0003】図3のB−B断面、すなわち、ソース線に
垂直な方向での断面を図4に示す。ゲート線1、ソース
線2、画素電極3、薄膜トランジスタ4、および蓄積容
量5はアレイ基板9上に形成され、その上に絶縁膜10
および配向膜11が形成されている。対向基板13上に
は対向電極12が形成され、その上に配向膜11が形成
されている。そして、アレイ基板9と対向基板13間に
液晶14が封入されている。FIG. 4 shows a BB cross section of FIG. 3, that is, a cross section in a direction perpendicular to the source line. The gate line 1, the source line 2, the pixel electrode 3, the thin film transistor 4, and the storage capacitor 5 are formed on the array substrate 9, and the insulating film 10 is formed thereon.
And the alignment film 11 is formed. A counter electrode 12 is formed on the counter substrate 13, and an alignment film 11 is formed thereon. Liquid crystal 14 is sealed between the array substrate 9 and the counter substrate 13.
【0004】[0004]
【発明が解決しようとする課題】薄膜トランジスタ液晶
表示装置の調光効果は画素電極3と対向電極12間の液
晶分子配向を電界制御することで得られるが、均質な高
画質を得るためには均質な垂直電界が印加されることが
理想的である。ところが実際には、一般にソース線2と
画素電極3には異なる電位が印加され、両者の間隔が狭
いことから、大きな横電界15が生じる。液晶分子は電
極周辺部では横電界の電気力線方向に配向しようとする
ために、プレティルトできまるティルト方向(ノーマル
ティルト)とは異なるティルト方向(リバースティル
ト)へ配向する部分が存在していた。ノーマルティルト
とリバースティルトの境界には、液晶分子配向が急激に
変化する部分が存在し、これは、しばしば光抜け等の光
透過率異常として観測され、コントラスト低下、残像現
象等の画質劣化、あるいは、この部分をブラックマトリ
クスで遮光することによる開口率の低下の一因となって
いた。The dimming effect of the thin film transistor liquid crystal display device is obtained by controlling the liquid crystal molecule alignment between the pixel electrode 3 and the counter electrode 12 by an electric field. Ideally, a vertical electric field is applied. However, in practice, different potentials are generally applied to the source line 2 and the pixel electrode 3, and a large lateral electric field 15 is generated because the distance between the two is narrow. Since the liquid crystal molecules tend to be aligned in the direction of the electric lines of force of the lateral electric field in the periphery of the electrodes, there is a portion that is aligned in the tilt direction (reverse tilt) different from the tilt direction (normal tilt) that can be pretilted. At the boundary between the normal tilt and the reverse tilt, there is a portion where the liquid crystal molecule orientation changes abruptly. This is one of the causes of the reduction in the aperture ratio due to the black matrix shielding this portion.
【0005】そこで、本発明は、リバースティルトの発
生を抑制することによりコントラスト低下、残像現象等
の画質劣化なしに高開口率を実現することを目的とす
る。Therefore, an object of the present invention is to realize a high aperture ratio by suppressing the occurrence of reverse tilt without deterioration of image quality such as contrast reduction and afterimage phenomenon.
【0006】[0006]
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
の本発明による液晶表示装置は、第1の基板と第2の基
板との間に液晶が封入され、第1及び第2の基板のいず
れか一方または両方に、列状またはマトリクス状の電極
配線が形成されているものであって、その特徴は、前記
列状の電極配線が、または、マトリクス状の電極配線の
うちの一方が、基板面方向の電界強度が最大となる位置
における液晶分子の配向方向と平行である点にある。電
極配線と液晶の配向方向を平行にする方法としては、電
極配線の形成方向を変える方法、または、液晶配向方向
を変える方法のいずれでもよい。In order to achieve the above object, a liquid crystal display device according to the present invention has a liquid crystal sealed between a first substrate and a second substrate and has a first substrate and a second substrate. A column-shaped or matrix-shaped electrode wiring is formed on either one or both of them, and the feature thereof is that the column-shaped electrode wiring or one of the matrix-shaped electrode wiring is The point is parallel to the alignment direction of the liquid crystal molecules at the position where the electric field strength in the substrate surface direction is maximum. As a method for making the alignment directions of the electrode wiring and the liquid crystal parallel, either a method of changing the formation direction of the electrode wiring or a method of changing the alignment direction of the liquid crystal may be used.
【0007】具体的な構造は、液晶表示装置が単純マト
リクス型かアクティブマトリクス(薄膜トランジスタ)
型かによって異なる。第1の基板上に走査線が形成さ
れ、第2の基板上に前記走査線と交差する方向の信号線
が形成された単純マトリクス液晶表示装置にあっては、
前記走査線または前記信号線を、基板面方向の電界強度
が最大となる位置における液晶分子の配向方向と平行に
する。The specific structure of the liquid crystal display device is a simple matrix type or an active matrix (thin film transistor).
It depends on the type. In a simple matrix liquid crystal display device in which scanning lines are formed on a first substrate and signal lines in a direction intersecting with the scanning lines are formed on a second substrate,
The scanning line or the signal line is parallel to the alignment direction of liquid crystal molecules at the position where the electric field strength in the substrate surface direction is maximum.
【0008】また、アレイ基板にマトリクス状に形成さ
れたゲート線とソース線との各交点に画素電極と、前記
ゲート線の電位により前記ソース線及び画素電極間の導
通を制御する薄膜トランジスタとが形成され、対向基板
に対向電極が形成され、前記アレイ基板と前記対向基板
との間に液晶が封入されている薄膜トランジスタ液晶表
示装置にあっては、前記ゲート線または前記ソース線
を、基板面方向の電界強度が最大となる位置における液
晶分子の配向方向と平行にする。Further, pixel electrodes are formed at the intersections of the gate lines and the source lines formed in a matrix on the array substrate, and thin film transistors for controlling conduction between the source lines and the pixel electrodes by the potential of the gate lines are formed. In the thin film transistor liquid crystal display device in which the counter electrode is formed on the counter substrate and the liquid crystal is sealed between the array substrate and the counter substrate, the gate line or the source line is connected in the substrate surface direction. It is parallel to the alignment direction of liquid crystal molecules at the position where the electric field strength is maximum.
【0009】より具体的には、単純マトリクス液晶表示
装置の場合、第1の基板に接する部分における液晶分子
の配向方向に対して、走査線が、第2の基板により規定
される液晶のねじれ方向に、5度から40度の範囲内の
角度を成すようにすることが好ましい。あるいは、第2
の基板に接する部分における液晶分子の配向方向に対し
て、信号線が、第1の基板により規定される液晶のねじ
れ方向に、5度から40度の範囲内の角度を成すように
してもよい。More specifically, in the case of a simple matrix liquid crystal display device, the scanning line is the twist direction of the liquid crystal defined by the second substrate with respect to the alignment direction of the liquid crystal molecules in the portion in contact with the first substrate. Further, it is preferable to form an angle within the range of 5 degrees to 40 degrees. Or the second
The signal line may form an angle within the range of 5 to 40 degrees with respect to the orientation direction of the liquid crystal molecules in the portion in contact with the substrate in the twist direction of the liquid crystal defined by the first substrate. .
【0010】また、薄膜トランジスタ液晶表示装置の場
合は、アレイ基板に接する部分における液晶分子の配向
方向に対して、ゲート線またはソース線が、対向基板に
より規定される液晶のねじれ方向に、5度から40度の
範囲内の角度を成すようにすることが好ましい。Further, in the case of the thin film transistor liquid crystal display device, the gate line or the source line is oriented from 5 degrees in the twist direction of the liquid crystal defined by the counter substrate with respect to the alignment direction of the liquid crystal molecules in the portion contacting the array substrate. It is preferable to form an angle within the range of 40 degrees.
【0011】液晶表示装置において左右対称の視角特性
を得るために、第1の基板に接する部分の液晶分子の配
向方向と第2の基板に接する部分の液晶分子の配向方向
とが直交するツイスト構造において、両基板の中間層の
液晶の配向方向が前後方向を向いている構成がしばしば
採用されるが、上記の具体的構成は、このような場合に
極めて有効である。In order to obtain symmetrical viewing angle characteristics in a liquid crystal display device, a twist structure in which an alignment direction of liquid crystal molecules in a portion in contact with the first substrate is orthogonal to an alignment direction of liquid crystal molecules in a portion in contact with the second substrate. In the above, a configuration in which the alignment direction of the liquid crystal of the intermediate layer of both substrates is oriented in the front-back direction is often adopted, but the above specific configuration is extremely effective in such a case.
【0012】さらに、単純マトリクス液晶表示装置で
は、走査線と信号線が50度から85度の範囲内の角度
を成して交差していることが好ましい。同様に、薄膜ト
ランジスタ液晶表示装置では、ゲート線とソース線が5
0度から85度の範囲内の角度を成して交差しているこ
とが好ましい。Further, in the simple matrix liquid crystal display device, it is preferable that the scanning lines and the signal lines intersect at an angle within the range of 50 to 85 degrees. Similarly, in the thin film transistor liquid crystal display device, the gate line and the source line are 5
It is preferable that they intersect at an angle within the range of 0 to 85 degrees.
【0013】[0013]
【発明の実施の形態】以下、本発明の好ましい実施形態
を図面に基づいて説明する。本実施形態は、アレイ基板
に接する部分の液晶分子の配向方向と対向基板に接する
部分の液晶分子の配向方向が直交しているツイスト構造
の薄膜トランジスタ液晶表示装置において、ゲート線と
ソース線とを斜めに交差させることにより、アレイ基板
に接する部分の液晶分子の配向方向に対して、ソース線
が、対向基板により規定される液晶のねじれ方向に、あ
る角度を成すように構成し、これによって、基板面方向
の電界強度が最大となる位置の液晶の配向方向とソース
線の方向とが平行になるようにしたものである。DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Preferred embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings. In this embodiment, in the twisted thin film transistor liquid crystal display device in which the alignment direction of the liquid crystal molecules in the portion in contact with the array substrate and the alignment direction of the liquid crystal molecules in the portion in contact with the counter substrate are orthogonal to each other, the gate line and the source line are slanted. By intersecting with the alignment direction of the liquid crystal molecules in the portion in contact with the array substrate, the source line forms an angle with the twist direction of the liquid crystal defined by the counter substrate. The orientation of the liquid crystal at the position where the electric field strength in the plane direction is maximum and the direction of the source line are parallel to each other.
【0014】図1に、本実施形態に係る液晶表示装置の
平面図を示す。図中、1はゲート線、2はソース線であ
り、両者は75度の角度で交差している。ゲート線1と
ソース線2との各交点には、画素電極3、薄膜トランジ
スタ4、及び蓄積容量5が形成されている。薄膜トラン
ジスタ4はゲート線1の電位によりソース線2と画素電
極3との間の導通を制御する。蓄積容量5は、画素電極
3の一部分と、隣接ゲート線1とが絶縁層を介して重畳
することによって形成される。図中、6,7,及び8は
それぞれアレイ基板、中間層、対向基板における電圧が
印加されていない状態での液晶分子の配向方向を示して
いる。アレイ基板に接する部分における液晶分子の配向
方向6と対向基板に接する部分における液晶分子の配向
方向8とは直交しており、層の中間部分における液晶分
子の配向方向7はそれらの配向方向の中間に位置する
(後方を向いている)。FIG. 1 is a plan view of the liquid crystal display device according to this embodiment. In the figure, 1 is a gate line, 2 is a source line, and both intersect at an angle of 75 degrees. A pixel electrode 3, a thin film transistor 4, and a storage capacitor 5 are formed at each intersection of the gate line 1 and the source line 2. The thin film transistor 4 controls conduction between the source line 2 and the pixel electrode 3 by the potential of the gate line 1. The storage capacitor 5 is formed by overlapping a part of the pixel electrode 3 and the adjacent gate line 1 with an insulating layer interposed therebetween. In the figure, reference numerals 6, 7, and 8 respectively indicate the alignment directions of the liquid crystal molecules in the array substrate, the intermediate layer, and the counter substrate in the state where no voltage is applied. The alignment direction 6 of the liquid crystal molecules in the part in contact with the array substrate and the alignment direction 8 of the liquid crystal molecules in the part in contact with the counter substrate are orthogonal to each other, and the alignment direction 7 of the liquid crystal molecules in the middle part of the layer is the middle of those alignment directions. Located at (facing rear).
【0015】図2は図1のA−A’断面、すなわち、ソ
ース線に垂直な方向での断面を示している。なお、ゲー
ト線とソース線とは直交していないので、断面とゲート
線とは平行ではない。ゲート線1、ソース線2、画素電
極3、薄膜トランジスタ4、及び蓄積容量5はアレイ基
板9上に形成され、その上に絶縁膜10、さらにその上
に配向膜11がそれぞれ形成されている。対向電極12
は対向基板13上に形成され、アレイ基板9と同様に、
その上に配向膜11が形成されている。そしてアレイ基
板9と対向基板13との間に液晶14が封入されてい
る。FIG. 2 shows a cross section taken along the line AA 'of FIG. 1, that is, a cross section in a direction perpendicular to the source line. Since the gate line and the source line are not orthogonal to each other, the cross section and the gate line are not parallel to each other. The gate line 1, the source line 2, the pixel electrode 3, the thin film transistor 4, and the storage capacitor 5 are formed on the array substrate 9, an insulating film 10 is formed thereon, and an alignment film 11 is formed thereon. Counter electrode 12
Is formed on the counter substrate 13, and like the array substrate 9,
An alignment film 11 is formed on it. Liquid crystal 14 is sealed between the array substrate 9 and the counter substrate 13.
【0016】図2からわかるように、ソース線2と画素
電極3との間に形成された電気力線で示されている横電
界(基板面方向の電界)15の強度が最大となる位置
は、ソース線2と画素電極3との中間で、アレイ基板9
(配向膜11)の表面から少し離れた部分にある。そし
て、この位置における液晶分子14の配向方向(長軸方
向)は紙面に垂直、つまりソース線2と平行である。し
たがって、液晶分子14は横電界15に直交することに
なる。As can be seen from FIG. 2, the position at which the intensity of the transverse electric field (electric field in the substrate surface direction) 15 indicated by the line of electric force formed between the source line 2 and the pixel electrode 3 becomes maximum is. , The array substrate 9 is provided between the source line 2 and the pixel electrode 3.
It is located at a portion slightly away from the surface of the (alignment film 11). The alignment direction (long axis direction) of the liquid crystal molecules 14 at this position is perpendicular to the paper surface, that is, parallel to the source line 2. Therefore, the liquid crystal molecules 14 are orthogonal to the horizontal electric field 15.
【0017】液晶表示装置に使われる正の誘電異方性を
もつ液晶材料は、分子配向方向を長軸とする回転楕円体
型の誘電率分布を持つため、電界と配向方向が直交して
いる場合には、電界による液晶分子に対するトルクはゼ
ロである。このとき、分子配向に作用する力は、隣接分
子の弾性力が支配的となる。画素電極上の大部分の液晶
分子はプレティルトできまるノーマルティルト方向に立
ち上がるので、これに追随して横電界部分の液晶分子も
ノーマルティルト方向に立ち上がる。したがって、リバ
ースティルトが発生せずに画素全体がノーマルティルト
方向に立ち上がることにより、均一な透過光特性が得ら
れる。A liquid crystal material having a positive dielectric anisotropy used in a liquid crystal display device has a spheroidal dielectric constant distribution whose major axis is the molecular orientation direction, and therefore, when the electric field and the orientation direction are orthogonal to each other. , The torque on the liquid crystal molecules by the electric field is zero. At this time, the force acting on the molecular orientation is dominated by the elastic force of adjacent molecules. Most of the liquid crystal molecules on the pixel electrode rise in the normal tilt direction which can be pretilted, and accordingly, the liquid crystal molecules in the lateral electric field also rise in the normal tilt direction. Therefore, the entire pixel rises in the normal tilt direction without the occurrence of reverse tilt, and uniform transmitted light characteristics can be obtained.
【0018】なお、本実施形態では、図1からわかるよ
うに、アレイ基板に接する部分の液晶分子の配向方向に
対してソース線は、対向基板により規定される液晶のね
じれ方向に30(75−45)度の角度を成している
が、アレイ基板及び対向基板に接する部分の液晶分子の
配向方向を変化させて実験したところ、この角度は5度
から40度までの範囲内で効果があり、特に15度から
30度までの範囲内で顕著な効果が得られた。また、本
実施形態では、薄膜トランジスタ液晶表示装置のソース
線について説明したが、ゲート線を横電界強度が最大と
なる位置における液晶分子の配向方向と平行にすること
によっても同様の効果が得られる。さらに、薄膜トラン
ジスタ(アクティブマトリクス)液晶表示装置に限ら
ず、単純マトリクス液晶表示装置の走査線と信号線につ
いても同様に本発明を適用することができる。In this embodiment, as can be seen from FIG. 1, the source line is 30 (75-75) in the twist direction of the liquid crystal defined by the counter substrate with respect to the alignment direction of the liquid crystal molecules in the portion in contact with the array substrate. Although an angle of 45) is formed, when an experiment was conducted by changing the alignment direction of the liquid crystal molecules in the portion in contact with the array substrate and the counter substrate, this angle was effective within the range of 5 to 40 degrees. In particular, a remarkable effect was obtained within the range of 15 to 30 degrees. Further, although the source line of the thin film transistor liquid crystal display device has been described in the present embodiment, the same effect can be obtained by making the gate line parallel to the alignment direction of the liquid crystal molecules at the position where the lateral electric field strength is maximum. Further, the present invention can be applied to not only the thin film transistor (active matrix) liquid crystal display device but also the scanning lines and signal lines of the simple matrix liquid crystal display device.
【0019】[0019]
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
リバースティルトの発生が抑制されることにより、ノー
マルティルトとリバースティルトとの境界の液晶分子配
向が急激に変化する部分における光抜け等の光透過率異
常が低減され、透過率が確実に制御される状態で有効表
示領域を拡大することができる。これにより、コントラ
ストの低下や残像現象等の画質劣化なしに開口率を高め
ることができる。As described above, according to the present invention,
By suppressing the occurrence of the reverse tilt, abnormal light transmittance such as light leakage at the portion where the liquid crystal molecule alignment at the boundary between the normal tilt and the reverse tilt changes rapidly is reduced, and the transmittance is reliably controlled. The effective display area can be enlarged in the state. As a result, the aperture ratio can be increased without deterioration of image quality such as reduction of contrast and afterimage phenomenon.
【図1】本発明の実施形態に係る薄膜トランジスタ液晶
表示装置のアレイ基板の平面図FIG. 1 is a plan view of an array substrate of a thin film transistor liquid crystal display device according to an exemplary embodiment of the present invention.
【図2】図1の薄膜トランジスタ液晶表示装置のA−
A’断面図2 is a view of A- of the thin film transistor liquid crystal display device of FIG.
A 'sectional view
【図3】従来例に係る薄膜トランジスタ液晶表示装置の
アレイ基板の平面図FIG. 3 is a plan view of an array substrate of a thin film transistor liquid crystal display device according to a conventional example.
【図4】図3の薄膜トランジスタ液晶表示装置のB−
B’断面図FIG. 4 is a B- of the thin film transistor liquid crystal display device of FIG.
B 'sectional view
1 ゲート線 2 ソース線 3 画素電極 4 薄膜トランジスタ 5 蓄積容量 6 アレイ基板に接する部分の液晶分子配向方向 7 層中間部分の液晶分子配向方向 8 対向基板に接する部分の液晶分子配向方向 9 アレイ基板 10 絶縁膜 11 配向膜 12 対向電極 13 対向基板 14 液晶 15 横電界 1 gate line 2 source line 3 pixel electrode 4 thin film transistor 5 storage capacitor 6 liquid crystal molecule alignment direction of a portion in contact with the array substrate 7 liquid crystal molecule alignment direction of a middle portion of the layer 8 liquid crystal molecule alignment direction of a portion in contact with a counter substrate 9 array substrate 10 insulation Film 11 Alignment film 12 Counter electrode 13 Counter substrate 14 Liquid crystal 15 Horizontal electric field
Claims (9)
封入され、第1及び第2の基板のいずれか一方または両
方に、列状またはマトリクス状の電極配線が形成された
液晶表示装置であって、 前記列状の電極配線が、または、マトリクス状の電極配
線のうちの一方が、基板面方向の電界強度が最大となる
位置における液晶分子の配向方向と平行であることを特
徴とする液晶表示装置。1. A liquid crystal is sealed between a first substrate and a second substrate, and column-shaped or matrix-shaped electrode wiring is formed on either or both of the first and second substrates. In the liquid crystal display device, one of the column-shaped electrode wirings or one of the matrix-shaped electrode wirings is parallel to the alignment direction of liquid crystal molecules at a position where the electric field strength in the substrate surface direction is maximized. Liquid crystal display device characterized by.
の基板上に前記走査線と交差する方向の信号線が形成さ
れた単純マトリクス液晶表示装置であって、 前記走査線または前記信号線が、基板面方向の電界強度
が最大となる位置における液晶分子の配向方向と平行で
あることを特徴とする請求項1記載の液晶表示装置。2. The scan line is formed on the first substrate, and the scan line is formed on the second substrate.
A simple matrix liquid crystal display device in which a signal line in a direction intersecting with the scanning line is formed on a substrate of the liquid crystal molecule at a position where the scanning line or the signal line has a maximum electric field strength in the substrate surface direction. The liquid crystal display device according to claim 1, wherein the liquid crystal display device is parallel to the alignment direction of.
ゲート線とソース線との各交点に画素電極と、前記ゲー
ト線の電位により前記ソース線及び画素電極間の導通を
制御する薄膜トランジスタとが形成され、対向基板に対
向電極が形成され、前記アレイ基板と前記対向基板との
間に液晶が封入されている液晶表示装置であって、 前記ゲート線または前記ソース線が、基板面方向の電界
強度が最大となる位置における液晶分子の配向方向と平
行であることを特徴とする請求項1記載の液晶表示装
置。3. A pixel electrode is formed at each intersection of a gate line and a source line formed in a matrix on an array substrate, and a thin film transistor for controlling conduction between the source line and the pixel electrode by a potential of the gate line is formed. In the liquid crystal display device, a counter electrode is formed on a counter substrate, and liquid crystal is sealed between the array substrate and the counter substrate, wherein the gate line or the source line has a field strength in a substrate surface direction. 2. The liquid crystal display device according to claim 1, wherein the liquid crystal display device is parallel to the alignment direction of the liquid crystal molecules at the position where the maximum is.
子の配向方向に対して、走査線が、第2の基板により規
定される液晶のねじれ方向に、5度から40度の範囲内
の角度を成していることを特徴とする請求項2記載の液
晶表示装置。4. An angle within a range of 5 to 40 degrees with respect to an alignment direction of liquid crystal molecules in a portion in contact with the first substrate, the scanning line being in a twist direction of liquid crystal defined by the second substrate. The liquid crystal display device according to claim 2, wherein
子の配向方向に対して、信号線が、第1の基板により規
定される液晶のねじれ方向に、5度から40度の範囲内
の角度を成していることを特徴とする請求項2記載の液
晶表示装置。5. The signal line forms an angle within the range of 5 to 40 degrees with respect to the alignment direction of the liquid crystal molecules in the portion in contact with the second substrate, in the twist direction of the liquid crystal defined by the first substrate. The liquid crystal display device according to claim 2, wherein
子の配向方向に対して、ゲート線またはソース線が、対
向基板により規定される液晶のねじれ方向に、5度から
40度の範囲内の角度を成していることを特徴とする請
求項3記載の液晶表示装置。6. A gate line or a source line forms an angle within a range of 5 to 40 degrees with respect to an alignment direction of liquid crystal molecules in a portion in contact with the array substrate, in a twist direction of liquid crystal defined by a counter substrate. The liquid crystal display device according to claim 3, wherein the liquid crystal display device is formed.
子の配向方向と第2の基板に接する部分における液晶分
子の配向方向が直交するツイスト配列の構造を有するこ
とを特徴とする、請求項1記載の液晶表示装置。7. A structure having a twist arrangement in which an alignment direction of liquid crystal molecules in a portion in contact with the first substrate is orthogonal to an alignment direction of liquid crystal molecules in a portion in contact with the second substrate. The described liquid crystal display device.
の範囲内の角度を成して交差していることを特徴とする
請求項2記載の液晶表示装置。8. The liquid crystal display device according to claim 2, wherein the scan line and the signal line intersect at an angle within a range of 50 degrees to 85 degrees.
5度の範囲内の角度を成して交差していることを特徴と
する請求項3記載の液晶表示装置。9. The gate line and the source line are 50 degrees to 8 degrees.
4. The liquid crystal display device according to claim 3, wherein the liquid crystal display devices intersect at an angle of 5 degrees.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP21638995A JPH0961855A (en) | 1995-08-24 | 1995-08-24 | Liquid crystal display device |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP21638995A JPH0961855A (en) | 1995-08-24 | 1995-08-24 | Liquid crystal display device |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0961855A true JPH0961855A (en) | 1997-03-07 |
Family
ID=16687809
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP21638995A Pending JPH0961855A (en) | 1995-08-24 | 1995-08-24 | Liquid crystal display device |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH0961855A (en) |
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6469765B1 (en) | 1999-06-16 | 2002-10-22 | Nec Corporation | Liquid crystal display and method of performing display operation |
JP2007193362A (en) * | 2007-04-09 | 2007-08-02 | Nec Corp | Method of driving liquid crystal panel |
JP2008176343A (en) * | 2008-04-07 | 2008-07-31 | Nec Corp | Liquid crystal display element |
US8223287B2 (en) | 2006-10-11 | 2012-07-17 | Seiko Epson Corporation | Electrooptic device and electronic device |
JP2012168553A (en) * | 2012-04-23 | 2012-09-06 | Nlt Technologies Ltd | Liquid crystal display device |
-
1995
- 1995-08-24 JP JP21638995A patent/JPH0961855A/en active Pending
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6469765B1 (en) | 1999-06-16 | 2002-10-22 | Nec Corporation | Liquid crystal display and method of performing display operation |
US8223287B2 (en) | 2006-10-11 | 2012-07-17 | Seiko Epson Corporation | Electrooptic device and electronic device |
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