JPH0955456A - 半導体装置の冷却構造 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 高い熱伝導率で半導体装置が発生する熱を効
果的に放熱することができる半導体装置の放熱構造を提
供する。 【解決手段】 シリコーンゴム１２を金網１１に含侵さ
せ、この金網１１の両側部を断面略Ｃ状に屈曲させて伝
熱性シート１０を構成し、この伝熱性シート１０を半導
体装置１とヒートシンク２との間に適当な圧力をもって
挟着し、伝熱性シート１０が金網１１とシリコーンゴム
１２の変形により全体的に撓みを生じ、これら金網１１
とシリコーンゴム１２とがそれぞれ半導体装置１とヒー
トシンク２とに接するように構成した。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】この発明は、半導体装置の冷
却構造、特に、パワートランジスタ、マイクロプロセッ
サ、光通信モジュール等の高出力で発熱量の大きな半導
体装置の冷却に有用な半導体装置の冷却構造に関する。

【０００２】

【従来の技術】周知のように、高出力で発熱量が大きな
半導体装置には放熱用のフィンを備えたヒートシンクが
接するように設けられ、このヒートシンクにより半導体
装置の放熱が行われる。このようなヒートシンクは、通
常、熱伝導率が高いほど冷却効率が優れることから、ア
ルミニウムやアルミニウム合金等の金属、また、セラミ
ックス等の高熱伝導率材料から構成されている。ところ
が、硬い高熱伝導率材料からなるヒートシンクは半導体
装置との接触部分に表面粗さ等に起因してエアギャップ
が形成され、このエアーギャップにより熱伝導率が悪化
して放熱性が阻害されるという問題が生じていた。

【０００３】そこで、近年にあっては、エアーギャップ
の発生の防止を目的に、図１０に示すように半導体装置
１とヒートシンク２との間に高い熱伝導率のフィラーを
高比率で配合したゴムシート３を介在させる冷却構造
（便宜上、先行技術１と称する）、また、半導体装置と
ヒートシンク２との間に高い熱伝導率のフィラーを高い
比率で混合分散させたグリースを塗布した冷却構造（便
宜上、先行技術２と称する）が提案されている。なお、
図１０中、４はソケット、５は回路基板、６はヒートシ
ンク２を半導体装置１に固定するアタッチメントであ
る。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上述し
た先行技術１，２の冷却構造にあっても、満足すべき熱
伝導率が得られず、ヒートシンクの大型化やフィンの形
状の工夫等の対策を採らざるをえず、全体としての大型
化や製造コストの増大等を招いていた。この発明は、上
記事情に鑑みてなされたもので、高い熱伝導率が得ら
れ、半導体装置が発生する熱を効果的に放熱することが
できる半導体装置の放熱構造を提供することを目的とす
る。

【０００５】

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、請求項１記載の発明にかかる半導体装置の冷却構造
は、高い熱伝導率のフィラーを高い配合率で分散させた
エラストマと高い熱伝導率の金属からなる金網とを備
え、該金網の一部が表裏面に露出する伝熱性シートを構
成し、該伝熱性シートを一面に露出した金網が半導体装
置と接触するように設けた。そして、請求項２記載の発
明は、請求項１記載の半導体装置の冷却構造において、
前記伝熱性シートを屈曲して屈曲内側部分に前記エラス
トマを充填することで構成される。

【０００６】また、請求項３記載の発明にかかる半導体
装置の冷却構造は、高い熱伝導率のフィラーを高い配合
率で分散させたエラストマからなるシート体に該シート
体と一体的に変形可能な高い熱伝導率の金属伝熱体を表
裏を貫通させて伝熱性シートを構成し、該伝熱性シート
を一面に露出した金属伝熱体が半導体装置と接触するよ
うに設けた。

【０００７】そして、請求項４記載の発明は、請求項１
または請求項３記載の半導体装置の冷却構造において、
前記伝熱性シートを屈曲して半導体装置とヒートシンク
との間に該ヒートシンクおよび前記半導体装置の双方と
前記金網（金属伝熱体）が接するように介装して構成さ
れる。また、請求項５記載の発明は、請求項１から請求
項４記載の半導体装置の冷却構造において、前記伝熱性
シートの少なくとも一面にエラストマのゲル層を形成し
て構成される。

【０００８】また、請求項６記載の発明にかかる半導体
装置の冷却構造は、高い熱伝導率の金属からなる金網を
略波状に折曲して平坦な接続部と放熱フィン部とを交互
に形成し、該金網の接続部の近傍部分を該接続部が露呈
するように高い熱伝導率のフィラーを分散させたエラス
トマにより被覆して放熱体を構成し、該放熱体を前記エ
ラストマから露出した金網の接続部が半導体装置と接触
するように設けた。

【０００９】請求項１および請求項６記載の半導体装置
の冷却構造においては、金網として銀、アルミニウム、
銅あるいはこれらの合金等の金属線で織成したもの、望
ましくは、線径が２０μｍ〜２００μｍの金属線で１５
〜２００メッシュに織成した金網が、エラストマとして
高温で安定し経時変化が少ない熱伝導率の高いもの、望
ましくはシリコーンゴムやシリコーンゲルが、エラスト
マに配合するフィラーとして銀、アルミニウム、アルミ
ニウム合金等の金属、または、アルミナ、窒化ケイ素、
窒化ホウ素、窒化アルミニウムあるいはセラミック等の
熱伝導率が０，０５ｃａｌ／ｓｅｃ・°Ｃ・ｃｍ以上の
高い熱伝導率を有する粉体が用いられる。そして、伝熱
性シートは、金網を折り曲げて間にエラストマを充填す
ることで、エラストマを間に金網を折り曲げることで、
金網を波形に屈曲させて表裏両面にエラストマを塗工す
ることで、あるいは、筒状に成形された金網内にエラス
トマを充填すること等で構成される。

【００１０】請求項３記載の半導体装置の冷却構造にお
いては、金属伝熱体として銀、アルミニウム、銅あるい
はこれらの合金等の金属箔や金属線が用いられ、伝熱性
シートは金属箔とエラストマとを多層積層することで、
あるいは、シート体に多数の金属線を両端部が突出する
ように表裏を貫通させることで構成される。

【００１１】

【作用】請求項１および請求項３記載の半導体装置の冷
却構造によれば、伝熱性シートは金網や金属伝熱体がエ
ラストマとともに変形して半導体装置と適当な圧力で接
触し、半導体装置が発する熱がエラストマおよび金網や
金属伝熱体を経て伝導し、伝熱性シートを介し放熱され
る。すなわち、半導体装置の熱は、フィラーを含有して
熱伝導率の高いエラストマと、高い熱伝導率の金網や金
属伝熱体との双方を経て放熱される。このため、半導体
装置の熱を効果的に放散することができる。

【００１２】また、請求項６記載の半導体装置の冷却構
造によれば、放熱体には半導体装置の発する熱がエラス
トマおよび金網の接続部から伝導し、この熱を放熱フィ
ン部から放散する。このため、上記請求項１，３記載の
冷却構造の作用に加え、ヒートシンクとしても機能し、
ヒートシンクを省略して部品点数を少なくすることがで
きる。

【００１３】そして、請求項２記載の半導体装置の冷却
構造は、伝熱性シートを屈曲して屈曲内側部分にエラス
トマを充填するため、大きく弾性変形させることがで
き、伝熱性シートを半導体装置等により確実に密着させ
ることができる。また、請求項４記載の半導体装置の冷
却構造は、伝熱性シートを折り曲げて半導体装置とヒー
トシンクとの間に介装するため、その折り曲げ部の撓み
で密着性が改善され、また、折り曲げ内側で放熱を行わ
せることもできよりすぐれた放熱性が得られる。さら
に、請求項５記載の半導体装置の冷却構造は、エラスト
マのゲル層が半導体装置やヒートシンクの表面粗さを吸
収して空気層の発生を防止するため、高い放熱性、優れ
た冷却性能が達成される。また、エラストマのゲル層を
予めプリフォームすることができるため組立作業も容易
である。

【００１４】

【発明の実施の形態】以下、この発明の実施の形態を図
面を参照して説明する。図１は請求項１記載の発明の第
１の形態にかかる半導体装置の冷却構造を示す模式断面
図である。図中、１０は伝熱性シートであり、伝熱性シ
ート１０は、シリコーンゴム（エラストマ）１２内に金
網１１を埋入させて構成される。この伝熱性シート１０
は、半導体装置１とヒートシンク２との間に適当な圧力
をもって挟着され、金網１１がシリコーンゴム１２とと
もに変形して全体的に撓みを生じ、これら金網１１とシ
リコーンゴム１２とがそれぞれ半導体装置１とヒートシ
ンク２とに接する（前述した図１０参照）。

【００１５】金網１１は、横線１１ａと縦線１１ｂとが
ともに銅、銅合金、アルミニウム等の高い熱伝導率の金
属からなり、これら線１１ａ，１１ｂが重なり部分でシ
リコーンゴム１２上に露出して一面側で半導体装置１
と、他面側でヒートシンク２と当接する。この金網１１
は、望ましくは、線１１ａ，１１ｂに線径が２０〜２０
０μｍの銅線を用い、５０〜２００メッシュに織成され
る。シリコーンゴム１２は、アルミニウム粉末等のフィ
ラーを３０重量％〜６０重量％で含有し、高い熱伝導率
を有する。

【００１６】この第１の形態にあっては、半導体装置１
とヒートシンク２との間に伝熱性シート１０が挟着され
（図１０中のゴムシートに代えて介装され）、伝熱性シ
ート１０の金網１１とシリコーンゴム１２がそれぞれ弾
性変形して適当な圧力で半導体装置１とヒートシンク２
とに接触する。このため、半導体装置１の熱が高い熱伝
導率の金網１１とシリコーンゴム１２の双方を経てヒー
トシンク２に伝導し、半導体装置１の放熱が効果的に行
われる。

【００１７】図２は請求項１記載の発明の第２の形態に
かかる半導体装置の冷却構造の模式断面図である。な
お、この第２の形態および後述する他の形態においては
上述した第１の形態と同一の部分には同一の番号を付し
て説明を省略する。この第２の形態にあっては、伝熱性
シート１０が略波状に屈曲した金網１１の表裏にシリコ
ーンゴム１２を塗工し、金網１１の屈曲角部をシリコー
ンゴム１２表面から突出するように被覆して構成され
る。この第２の形態においては、伝熱性シート１０の金
網１１が波形状に屈曲するため、金網１１が変形しやす
い。このため、金網１１が半導体装置１等と確実に接触
し、より優れた放熱性が得られる。

【００１８】図３ａ，ｂは請求項１記載の発明の第３の
形態にかかる半導体装置の冷却構造を示し、図３ａが模
式断面図、図３ｂが伝熱性シートの斜視図である。この
第３の形態は、前述した第１の形態（図１）の伝熱性シ
ート１０の両側部分を屈曲させて断面Ｃ字状に成形し、
半導体装置１とヒートシンク２との間に挟圧させて介装
するものである。この第３の形態は、伝熱性シート１０
が曲げ変形を生じるため、撓みが大きく、伝熱性シート
１０と半導体装置１およびヒートシンク２との密着性が
優れ、より高い熱伝導率が得られ、また、伝熱性シート
１０の屈曲内側部分からも放熱することができるためよ
り効果的に放熱することができる。

【００１９】そして、この第３の形態にかかる伝熱性シ
ート１０は、次のように製造される。先ず、ガラス繊維
入りテフロンシート上に金網１１を固定し、この金網１
１にスクリーン印刷の要領で液状シリコーンゴム１２を
塗布、含侵させた後に屈曲させ、次いで、この屈曲した
シリコーンゴム１２含侵の金網１１を加熱炉等で加熱硬
化させて完成する。

【００２０】図４ａ，ｂ，ｃは請求項１記載の発明の第
４の形態にかかる半導体装置の冷却構造に用いる伝熱性
シートの製造過程をアルファベット順に表し、ａが平面
図、ｂが平面図、ｃが斜視図である。この第４の形態に
あっては、前述した第１の形態の伝熱性シート１０（図
１）あるいは第２の形態の伝熱性シート１０（図２）を
用い、この伝熱性シート１０の４隅部を折り曲げて半導
体装置１とヒートシンク２との間に挟着する。

【００２１】そして、この第４の形態の伝熱性シート１
０は、以下のようにして製造される。先ず、正方形状の
金網１１を波形状に折曲し、この折曲した金網１１にシ
リコーンゴム１２を含侵させた後、この金網１１を加熱
炉で加熱硬化させる。次に、この金網１１にナイフコー
ター等を用いてシリコーンゴム１２を塗工した後、金型
を用いて金網１１の４角部を隣合う辺の中点を結ぶ折り
曲げ線（図４ａ中、破線）で折曲させ（図４ａ，ｂ参
照）、次いで、この折曲した金網１１を熱プレス等で加
熱しつつ加圧し、シリコーンゴム１２を硬化させて伝熱
性シート１０が完成する（図４ｃ）。

【００２２】図５は請求項１記載の発明の第５の形態に
かかる半導体装置の冷却構造に用いる伝熱性シートの模
式断面図である。この第５の形態においては、複数の分
割ユニット４０を平面状に接合して伝熱性シート１０が
構成される。分割ユニット４０は、金網１１からなる角
パイプ体１３内に金網１１からなる円パイプ体１４を遊
挿し、角パイプ体１３内面と円パイプ体１４外面との間
にシリコーンゴム１２を充填して構成される。そして、
伝熱性シート１０の表裏両面にはそれぞれ、シリコーン
ゴム１２と同様のフィラーを含有した高い熱伝導率のシ
リコーンゲルからシリコーンゲル層１５が形成される。

【００２３】この第５の形態にあっても、伝熱性シート
１０を半導体装置１とヒートシンク２との間に挟圧して
設けるが、さらに、伝熱性シート１０の表裏にシリコー
ンゲル層１５が設けられ、このシリコーンゲル層１５が
半導体装置１やヒートシンク２の表面粗さを吸収して空
気層の発生を防止する。このため、高い放熱性、優れた
冷却性能が達成される。特に、シリコーンゲル層１５
は、予めプリフォームすることができるため、ヒートシ
ンク２の装着の際等に塗工する等の作業が不要で組み立
て作業を容易に行うことができ、また、円パイプ体１４
内部で放熱することもでき放熱がより効果的に行える。

【００２４】図６は請求項１記載の発明の第６の形態に
かかる半導体装置の冷却構造に用いる伝熱性シートの模
式断面図である。この第６の形態は、断面略Ｕ字状に屈
曲した帯状の金網１１の内側部分にシリコーンゴム１２
を充填して分割ユニット４０が構成され、この分割ユニ
ット４０を複数接合して伝熱性シート１０が構成され
る。そして、この冷却構造にあっても、伝熱性シート１
０の表裏にはシリコーンゲル層１５が形成され、このシ
リコーンゲル層１５が半導体装置１やヒートシンク２の
表面粗さを吸収して空気層の発生を防止する。

【００２５】図７は請求項１記載の発明の第７の形態に
かかる半導体装置の冷却構造に用いる伝熱性シートの模
式断面図である。この第７の形態においては、上述した
第１の形態と同様に金網１１を略Ｃ字状に屈曲し、この
金網１１にシリコーンゲル１５を含侵させて半導体装置
１とヒートシンク２との間に介装するものである。

【００２６】図８ａ，ｂは請求項６記載の発明の一の実
施の形態にかかる半導体装置の冷却構造を示し、図８ａ
が模式斜視図、図８ｂが一部を拡大した正断面図であ
る。この実施の形態においては、金網１１を平坦な接続
部１９ａと放熱フィン部１９ｂを交互に折曲して構成
し、この屈曲させた金網１１の接続部１９ａをシリコー
ンゴム層１２内に埋入させて放熱体１９を構成するもの
である。

【００２７】この実施の形態にあっても、放熱体１９が
半導体装置１の上面にシリコーンゴム層１２を密着させ
て設けられ、放熱体１９の金網１１の接続部１９ａがシ
リコーンゴム層１２から露呈して半導体装置１の上面に
直接に大きな接触面積で接触し、また、この金網１１お
よびシリコーンゴム層１２を経て伝導した熱を放熱フィ
ン部１９ｂから放熱する。このため、半導体装置１を効
果的に冷却することができる。

【００２８】なお、この実施の形態にあっては、上記シ
リコーンゴム層１２と半導体装置１との間に前記フィラ
ーを含有したシリコーンゲル等のエラストマのゲルを介
在させることも可能であり、また、シリコーンゴム層１
２自体をシリコーンゲル等の伝熱性エラストマのゲル層
１５として構成することも可能である。

【００２９】図９は請求項３記載の発明の一の形態にか
かる半導体装置の冷却構造に用いる伝熱性シートを示
す。この形態にあっては、エラストマからなるシート本
体７１の表裏両面に複数の凸部７２を略波状に形成する
とともに、シート本体７１に表裏を貫通して表裏の凸部
７２頂面に露呈する多数の金属箔７３を埋入させ、さら
に、シート体７１の表裏両面にシリコーンゲル層１５を
形成して伝熱性シート１０を構成するものである。

【００３０】前述した各形態と同様に、シート本体７１
は高い熱伝導率のフィラーを分散させたシリコーンゴム
等から、また、金属箔７３は銅等の熱伝導率が高い金属
から、シリコーンゲル層１５は高い熱伝導率のフィラー
を分散させたシリコーンゲルから構成される。なお、こ
の形態においては、金属箔７３を導電性の高い金属の可
撓性細線で置換することも可能である。

【００３１】この形態の冷却構造にあっても、伝熱性シ
ート１０が半導体装置１とヒートシンク２との間に挟圧
状態で介装されてシート本体７１および金属箔７３が変
形し、シート本体７１と金属箔７３がそれぞれ適当な圧
力で半導体装置１とヒートシンク２とに接触する。この
ため、半導体装置１の熱がヒートシンク２に速やかに伝
導し、半導体装置１の放熱が効果的に行われる。

【００３２】そして、この形態の伝熱性シート１０は、
シリコーンゴム層と金属箔７３とを多層積層した後、刃
が波形状のカッター等を用い積層方向に対して傾斜した
切断線でシート状に切断、すなわち、シート本体７１を
成形し、次いで、シート本体７１の表裏にシリコーンゲ
ル層１５を形成することで製造できる。したがって、伝
熱性シート１０がの製造も容易であり、伝熱性シート１
０を安価に提供することができる。

【００３３】なお、上述した各形態においては、図７の
形態を除きエラストマとしてシリコーンゴムを用いる
が、シリコーンゴムに代えてシリコーンゲルを用いるこ
とも可能である。すなわち、図１，２，４，５等の形態
においては、金網１１にシリコーンゲルを含侵、充填さ
せて伝熱性シート１０を構成することも可能である。ま
た、上述した各形態においては、図８の例を除いていず
れもヒートシンク２を用いるものを例示するが、ヒート
シンク２を用いることなく伝熱性シート１０のみにより
放熱を行うように構成することも可能である。

【００３４】

【実施例】次に、本発明の実施例を説明する。 ・実施例１ 線径２５０μｍの銅線で１６メッシュに織り込んだ金網
を準備し、この金網をガラス繊維入りテフロンシート上
に固定する。次に、熱伝導性液状シリコーンゴムＫＥ１
８６１（信越化学工業（株）製）を均一な厚みとなるよ
うにシルクスクリーン印刷の要領で金網に含侵させる。
この含侵したシートを１５０°Ｃのオーブン中に１時間
放置して硬化を行い図３に相当する放熱部材を作製し
た。こうして得られた放熱部材を熱伝導率計にて熱伝導
度を測定したところ、熱伝導率が４×１０^-2と熱伝導性
シリコーンゴム単独の熱伝導度に対して約１桁向上し
た。

【００３５】・実施例２ 線径５５μｍのリン青銅線で２００メッシュに織り込ん
だ金網を準備し、この金網をガラス繊維入りテフロンシ
ート上に固定する。次に、熱伝導性液状シリコーンゴム
ＫＥ１８６１（信越化学工業（株）製）を均一な厚みと
なるようにシルクスクリーン印刷の要領で金網に含侵さ
せる。この含侵させたシートを１５０°Ｃのオーブン中
に１時間放置して硬化を行う。さらに、この硬化したシ
ートの片面に上述した熱伝導性液状シリコーンゴムＫＥ
１８６１をナイフコーターを用いてシートの総厚みが２
ｍｍとなるようにコーティングを行い、金型を使用して
折り曲げ、１５０°Ｃのオーブンで硬化させて図４に相
当する伝熱性シートを作製した。こうして得られた伝熱
性シートの厚みは４ｍｍである。この伝熱性シートに対
してモデルヒーター試験を行ったところ、温度上昇を３
５°Ｃ程度に抑制することができ、放熱用シリコーング
リスと同等の性能が得られた。また、伝熱性シートは
０．５ｍｍ圧縮した状態で荷重が１００ｇｆ／ｍｍ² と
小さく、大面積で平行度の余り良くない装置への対応が
可能であることが実証された。

【００３６】

【発明の効果】以上説明したように、請求項１および請
求項３記載の発明にかかる半導体装置の冷却構造によれ
ば、伝熱性シートは金網や金属伝熱体がエラストマとと
もに変形して半導体装置と適当な圧力で接触し、半導体
装置が発する熱がフィラーを含有した熱伝導率の高いエ
ラストマと、高い熱伝導率の金網や金属伝熱体との双方
を経て伝導して放熱されるため、半導体装置の熱を効果
的に放散することができる。

【００３７】また、請求項６記載の発明にかかる半導体
装置の冷却構造によれば、放熱体には半導体装置の発す
る熱がエラストマおよび金網の接続部から伝導し、この
熱を放熱フィン部から放散するため、ヒートシンクとし
ても機能し、ヒートシンクを省略して部品点数を少なく
することができる。

【００３８】そして、請求項２記載の発明にかかる半導
体装置の冷却構造によれば、伝熱性シートを屈曲して屈
曲内側部分にエラストマを充填するため、大きく弾性変
形させることができ、伝熱性シートを半導体装置等によ
り確実に密着させることができる。また、請求項４記載
の発明にかかる半導体装置の冷却構造は、伝熱性シート
を折り曲げて半導体装置とヒートシンクとの間に介装す
るため、その折り曲げ部の撓みで密着性が改善され、ま
た、折り曲げ内側で放熱を行わせることもできよりすぐ
れた放熱性が得られる。

【００３９】またさらに、請求項５記載の発明にかかる
半導体装置の冷却構造は、エラストマのゲル層が半導体
装置やヒートシンクの表面粗さを吸収して空気層の発生
を防止するため、高い放熱性、優れた冷却性能が達成さ
れ、また、エラストマのゲル層を予めプリフォームする
ことができるため組立作業も容易である。

【図面の簡単な説明】

【図１】請求項１記載の発明にかかる半導体装置の冷却
構造の第１の形態を示す模式断面図である。

【図２】請求項１記載の発明にかかる半導体装置の冷却
構造の第２の形態を示す模式断面図である。

【図３】請求項１記載の発明にかかる半導体装置の冷却
構造の第３の形態を示し、ａが模式断面図、ｂが斜視図
である。

【図４】請求項１記載の発明にかかる半導体装置の冷却
構造の第４の形態の伝熱性シートの製造過程をアルファ
ベット順に示し、ａ，ｂが平面図、ｃが斜視図である。

【図５】請求項１記載の発明にかかる半導体装置の冷却
構造の第５の形態を示し、同冷却構造に用いる伝熱性シ
ートの模式断面図である。

【図６】請求項１記載の発明にかかる半導体装置の冷却
構造の第６の形態を示し、同冷却構造に用いる伝熱性シ
ートの模式断面図である。

【図７】請求項１記載の発明にかかる半導体装置の冷却
構造の第７の形態を示し、同冷却構造に用いる伝熱性シ
ートの模式断面図である。

【図８】請求項６記載の発明にかかる半導体装置の冷却
構造の一の実施の形態を示し、ａが模式斜視図、ｂが一
部を拡大した模式正断面図である。

【図９】請求項３記載の発明にかかる半導体装置の冷却
構造の一形態を示し、同冷却構造に用いる伝熱性シート
の模式断面図である。

【図１０】従来の半導体装置の冷却構造を模式的に示す
分解斜視図である。

【符号の説明】

１ 半導体装置 ２ ヒートシンク １０ 伝熱性シート １１ 金網 １２ シリコーンゴム（エラストマ） １３ 角パイプ体（金網） １４ 円パイプ体（金網） １５ シリコーンゲル（エラストマ）層 １９ 放熱体 １９ａ 接続部 １９ｂ 放熱フィン部 ４０ 分割ユニット ７１ シート体 ７３ 金属箔（金属伝熱体）

Claims (6)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 高い熱伝導率のフィラーを高い配合率で
   分散させたエラストマと高い熱伝導率の金属からなる金
   網とを備え、該金網の一部が表裏面に露出する伝熱性シ
   ートを構成し、該伝熱性シートを一面に露出した金網が
   半導体装置と接触するように設けたことを特徴とする半
   導体装置の冷却構造。
2. 【請求項２】 前記伝熱性シートを屈曲して屈曲内側部
   分に前記エラストマを充填した請求項１記載の半導体装
   置の冷却装置。
3. 【請求項３】 高い熱伝導率のフィラーを高い配合率で
   分散させたエラストマからなるシート体に該シート体と
   一体的に変形可能な高い熱伝導率の金属伝熱体を表裏を
   貫通させて伝熱性シートを構成し、該伝熱性シートを一
   面に露出した金属伝熱体が半導体装置と接触するように
   設けたことを特徴とする半導体装置の冷却構造。
4. 【請求項４】 前記伝熱性シートを屈曲して半導体装置
   とヒートシンクとの間に該ヒートシンクおよび前記半導
   体装置の双方と前記金網または前記金属伝熱体が接する
   ように介装した請求項１または請求項３記載の半導体装
   置の冷却構造。
5. 【請求項５】 前記伝熱性シートの少なくとも一面にエ
   ラストマのゲル層を形成した請求項１乃至請求項４記載
   の半導体装置の冷却構造。
6. 【請求項６】 高い熱伝導率の金属からなる金網を略波
   状に折曲して平坦な接続部と放熱フィン部とを交互に形
   成し、該金網の接続部の近傍部分を該接続部が露呈する
   ように高い熱伝導率のフィラーを分散させたエラストマ
   により被覆して放熱体を構成し、該放熱体を前記エラス
   トマから露出した金網の接続部が半導体装置と接触する
   ように設けたことを特徴とする半導体装置の冷却構造。