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JPH0946044A - Method for manufacturing laminated ceramic circuit board - Google Patents

Method for manufacturing laminated ceramic circuit board

Info

Publication number
JPH0946044A
JPH0946044A JP7192279A JP19227995A JPH0946044A JP H0946044 A JPH0946044 A JP H0946044A JP 7192279 A JP7192279 A JP 7192279A JP 19227995 A JP19227995 A JP 19227995A JP H0946044 A JPH0946044 A JP H0946044A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
conductor
ceramic
coating film
hole
forming
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP7192279A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Tsutomu Oda
勉 小田
Yuzuru Matsumoto
譲 松本
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Kyocera Corp
Original Assignee
Kyocera Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Kyocera Corp filed Critical Kyocera Corp
Priority to JP7192279A priority Critical patent/JPH0946044A/en
Publication of JPH0946044A publication Critical patent/JPH0946044A/en
Pending legal-status Critical Current

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  • Production Of Multi-Layered Print Wiring Board (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【課題】 ビアホール導体の形状が安定して、支持基板
の表面凹凸に影響されない積層セラミック回路基板の製
造方法を提供する。 【解決手段】 支持基板15上に、着色された基板平滑
層16を形成し、この支持基板15上に、セラミックス
リップ材の塗布又は印刷・乾燥処理によって塗布膜10
a〜10eを形成する第1の工程、選択的な露光処理・
現像処理によって貫通穴を形成する第2の工程、該塗布
膜の貫通穴にビアホール導体となる導体、塗布膜上に内
部配線導体となる導体膜を導電性ペーストの印刷・乾燥
処理によって形成する第3の工程を順次行い、積層体を
形成する工程と、前記支持基板15上から基板平滑層1
6を含む積層体を剥離した後、前記積層体を焼成と同時
に基板平滑層16を焼失する工程とを含む積層セラミッ
ク回路基板の製造方法である。
(57) An object of the present invention is to provide a method for manufacturing a laminated ceramic circuit board in which the shape of a via-hole conductor is stable and is not affected by surface irregularities of a supporting board. SOLUTION: A colored substrate smoothing layer 16 is formed on a supporting substrate 15, and a coating film 10 is formed on the supporting substrate 15 by coating or printing / drying a ceramic slip material.
First step of forming a to 10e, selective exposure treatment
A second step of forming a through hole by a developing process, a conductor forming a via hole conductor in the through hole of the coating film, and a conductor film forming an internal wiring conductor on the coating film by a printing / drying process of a conductive paste. 3 is sequentially performed to form a laminate, and the substrate smoothing layer 1 is formed on the supporting substrate 15.
A method for manufacturing a monolithic ceramic circuit board, comprising the steps of peeling the laminated body containing 6 and firing the laminated body and simultaneously burning away the substrate smoothing layer 16.

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【発明が属する技術分野】本発明は、光硬化可能なモノ
マーを含むセラミックスリップ材を用いた積層セラミッ
ク回路基板の製造方法に関するものである。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a method for manufacturing a laminated ceramic circuit board using a ceramic slip material containing a photocurable monomer.

【0002】[0002]

【従来の技術】本出願人には、先に、光硬化可能なモノ
マーを含むセラミックスリップ材を用いた積層セラミッ
ク回路基板の製造方法を提案した。
2. Description of the Related Art The present applicant has previously proposed a method for manufacturing a laminated ceramic circuit board using a ceramic slip material containing a photocurable monomer.

【0003】具体的には、セラミック粉末、ガラスフリ
ット、光硬化可能なモノマー、有機バインダ、溶剤など
を均質混合したセラミックスリップ材を、支持基板など
に塗布または印刷し、乾燥して絶縁層となる塗布膜を形
成する第1の工程、この塗布膜に選択的な露光処理・現
像処理を行い、ビアホール導体となる貫通穴を形成する
第2の工程、前記貫通穴に導電性ペーストを印刷充填し
てビアホール導体となる導体を形成するとともに、必要
に応じて、塗布膜上に導電性ペーストを印刷・乾燥して
内部配線導体となる導体膜を形成する第3の工程を、順
次繰り返して積層体を形成し、この積層体を焼成処理す
るものである。
Specifically, a ceramic slip material obtained by homogeneously mixing ceramic powder, glass frit, a photo-curable monomer, an organic binder, a solvent and the like is applied or printed on a supporting substrate or the like and dried to form an insulating layer. A first step of forming a coating film, a second step of selectively exposing and developing the coating film to form a through hole to be a via hole conductor, and a conductive paste is printed and filled in the through hole. To form a conductor to be a via-hole conductor and, if necessary, to print a conductive paste on the coating film and dry it to form a conductor film to be an internal wiring conductor. Is formed, and the laminate is fired.

【0004】尚、実際には、積層体の最下層の絶縁層と
なる塗布膜は、セラミックや樹脂フィルムなどからなる
支持基板上で形成され、次の塗布膜からは前に形成され
た塗布膜上に夫々形成されることになる。
In practice, the lowermost insulating layer of the laminate is formed by a coating film formed on a supporting substrate made of a ceramic or resin film, and the next coating film is a coating film formed before. Will be formed on each.

【0005】前記第2の工程において、選択的な露光処
理によって、露光光が照射された塗布膜の一部のみが硬
化し、露光光が照射されない部分が、次の現像処理によ
って除去され、その結果、塗布膜に貫通穴が形成される
ものである。従って、選択的な露光処理の制御によっ
て、貫通穴の形状は任意に形成でき、しかも、第3の工
程で、この貫通穴に導電性ペーストを充填しても、支持
基板や既に形成された塗布膜によって導電性ペーストが
抜けることがないため、接続信頼性が高く、導電率の高
いビアホール導体が形成されることになる。
In the second step, the selective exposure treatment cures only a part of the coating film exposed to the exposure light, and the portion not exposed to the exposure light is removed by the next development treatment. As a result, through holes are formed in the coating film. Therefore, the shape of the through-hole can be arbitrarily formed by controlling the selective exposure process, and even if the through-hole is filled with the conductive paste in the third step, the supporting substrate and the coating already formed are formed. Since the conductive paste does not come off due to the film, a via hole conductor having high connection reliability and high conductivity is formed.

【0006】尚、第3の工程においては、最上層となる
塗布膜に処理する場合には、ビアホール導体となる導体
の形成だけでよいが、積層体の焼成と同時に積層体の表
面配線導体を形成する場合、予め表面配線導体となる導
体膜を形成しておいても構わない。
In addition, in the third step, when the coating film which is the uppermost layer is processed, it is only necessary to form the conductor which becomes the via hole conductor, but the surface wiring conductor of the laminate is formed at the same time as the firing of the laminate. When forming, a conductor film to be a surface wiring conductor may be formed in advance.

【0007】尚、支持基板とは、セラミックや樹脂フィ
ルムなどからなり、第1〜第3の工程を繰り返し行い積
層体部分を形成した後、支持基板から積層体を剥離して
焼成していた。
The supporting substrate is made of a ceramic or a resin film, and after the first to third steps are repeated to form a laminated body portion, the laminated body is peeled from the supporting substrate and fired.

【0008】上述の支持基板から積層体を剥離する場合
において、特に積層体と支持体との剥離性を高め、ま
た、支持基板の表面形状が積層体の最下層の絶縁層に悪
影響を与えないように、支持基板に基板平滑層を形成し
た製造方法も本出願人は提案している。この基板平滑層
は、アクリル系のポリエステル樹脂などからなってい
た。
When the laminate is peeled from the above-mentioned support substrate, the peelability between the laminate and the support is particularly enhanced, and the surface shape of the support substrate does not adversely affect the lowermost insulating layer of the laminate. As described above, the present applicant also proposes a manufacturing method in which the substrate smoothing layer is formed on the supporting substrate. This substrate smoothing layer was made of acrylic polyester resin or the like.

【0009】[0009]

【発明が解決しようとする課題】しかし、第1の工程に
おいて、セラミックスリップ材を塗布または印刷を行
い、乾燥を行い、セラミック層となる塗布膜を形成する
が、この乾燥処理によって、その後の第2の工程の露光
処理・現像処理で形成される貫通穴の安定性を大きく左
右する。急激な乾燥は、ストリップ材の塗布膜の表面に
クラックを発生させてしまうことになるため、これを避
けて乾燥条件を設定して行うが、総じて乾燥不足では、
塗布膜中に溶剤が多く残ってしまい(溶剤過剰)、貫通
穴の形成の際に、所定形成位置部分以外にも溶解が進ん
でしまうという問題があった。
However, in the first step, the ceramic slip material is applied or printed and dried to form a coating film to be a ceramic layer. The stability of the through-hole formed in the exposure process and the development process in the second step largely affects. Rapid drying will cause cracks on the surface of the coating film of the strip material, so avoid this and set the drying conditions, but if drying is insufficient, overall,
There is a problem that a large amount of solvent remains in the coating film (solvent excess), and when the through hole is formed, the dissolution progresses to a portion other than the predetermined formation position.

【0010】また、逆に乾燥過剰となると、膜の緻密化
が進み過ぎて、現像液の浸透が困難となり、現像(除
去)不足となってしまう。
On the other hand, if the film is excessively dried, the film becomes too dense, and it becomes difficult for the developer to permeate, resulting in insufficient development (removal).

【0011】本発明は、上述の問題点に鑑みて案出され
たもであり、その目的は、ビアホール導体と成る貫通穴
を精度よく形成することができる積層セラミック回路基
板の製造方法を提供することにある。
The present invention has been devised in view of the above-mentioned problems, and an object thereof is to provide a method for manufacturing a laminated ceramic circuit board capable of accurately forming a through hole to be a via hole conductor. Especially.

【0012】[0012]

【課題を解決するための手段】第1の発明は、支持基板
上に、セラミックフィラー、ガラスフリット、光硬化可
能なモノマー、有機バインダー、溶剤から成るセラミッ
クスリップ材の塗布又は印刷・乾燥処理によってセラミ
ック層となる塗布膜を形成する第1の工程、前記塗布膜
に選択的な露光処理・現像処理によって貫通穴を形成す
る第2の工程、前記貫通穴に導電性ペーストの印刷充填
によってビアホール導体となる導体を形成するととも
に、前記塗布膜上に導電性ペーストの印刷・乾燥処理に
よって内部配線導体となる導体膜を形成する第3の工
程、前記第1の工程から第3の工程を繰り返して積層体
を形成し、前記支持基板に形成した積層体を焼成処理し
て成る積層セラミック回路基板の製造方法において、前
記セラミック層となる塗布膜は、乾燥処理によってセラ
ミックスリップ材の全溶剤の85〜97wt%を除去し
た積層セラミック回路基板の製造方法である。
According to a first aspect of the invention, a ceramic slip material composed of a ceramic filler, a glass frit, a photocurable monomer, an organic binder and a solvent is applied or printed / dried on a supporting substrate. A first step of forming a coating film to be a layer, a second step of forming a through hole in the coating film by selective exposure treatment / development processing, and a via hole conductor by printing and filling a conductive paste into the through hole. Forming a conductor, and forming a conductor film to be an internal wiring conductor on the coating film by printing and drying a conductive paste. Repeating the first to third steps to stack the conductor film. In the method for manufacturing a laminated ceramic circuit board, which comprises forming a body and firing the laminated body formed on the supporting substrate, the ceramic layer is formed. Nunomaku is a method for producing a multilayer ceramic circuit board obtained by removing 85~97Wt% of the total solvent of the ceramic slip material by drying.

【0013】[0013]

【作用】本発明によれば、第1の工程、即ちセラミック
スリップ材を塗布または印刷した後、乾燥処理した状態
の塗布膜は、セラミックスリップ材の全溶剤の85〜9
7wt%を除去している。このため、乾燥不足による第
2の工程における過剰現像を有効に抑えることができ
る。また、乾燥過剰による塗布膜の緻密化を防止して、
第2の工程における現像不足を有効に抑えることができ
る。これによって、所定穴形状の精度の高い貫通穴を現
像処理によって簡単に形成することができる。
According to the present invention, the coating film in the first step, that is, after the coating or printing of the ceramic slip material and the dry treatment, is 85 to 9% of the total solvent of the ceramic slip material.
7 wt% is removed. Therefore, excessive development in the second step due to insufficient drying can be effectively suppressed. In addition, it prevents densification of the coating film due to overdrying,
The insufficient development in the second step can be effectively suppressed. With this, it is possible to easily form the through hole having the predetermined hole shape with high accuracy by the developing process.

【0014】これによって、積層セラミック回路基板の
ビアホール導体と内部配線導体との接続を極めて信頼性
高くすることができる。
As a result, the connection between the via-hole conductor of the laminated ceramic circuit board and the internal wiring conductor can be made extremely reliable.

【0015】[0015]

【発明の実施の形態】以下、本発明の積層セラミック回
路基板の製造方法を図面に基づいて説明する。図1は、
本発明に係る積層セラミック回路基板の断面図である。
BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION A method for manufacturing a laminated ceramic circuit board according to the present invention will be described below with reference to the drawings. FIG.
It is sectional drawing of the laminated ceramic circuit board which concerns on this invention.

【0016】図1において、10は積層セラミック回路
基板であり、積層セラミック回路基板1は、内部に所定
回路を構成する内部配線導体を有する積層体1、積層体
1の表面に形成した表面配線導体4、5、必要に応じて
表面配線導体4、5に接続する厚膜抵抗体膜6、各種電
子部品7などから構成されている。
In FIG. 1, reference numeral 10 denotes a monolithic ceramic circuit board. The monolithic ceramic circuit board 1 is a laminated body 1 having internal wiring conductors forming a predetermined circuit therein, and a surface wiring conductor formed on the surface of the laminated body 1. 4, 5, a thick film resistor film 6 connected to the surface wiring conductors 4, 5 as necessary, various electronic components 7, and the like.

【0017】積層体1は、セラミック層1a〜1eと、
セラミック層1a〜1eの各層間には、所定回路網を達
成するや容量成分を発生するための内部配線導体2が配
置されている。また、セラミック層1a〜1eには、そ
の層の厚み方向を貫くビアホール導体3が形成されてい
る。
The laminated body 1 comprises ceramic layers 1a to 1e,
Internal wiring conductors 2 for achieving a predetermined circuit network and for generating a capacitance component are arranged between the ceramic layers 1a to 1e. In addition, a via-hole conductor 3 is formed in each of the ceramic layers 1a to 1e so as to penetrate in the thickness direction of the layer.

【0018】セラミック層1a〜1eは、例えば850
〜1050℃前後の比較的低い温度で焼成可能にするガ
ラス−セラミック材料からなる。具体的なセラミック材
料としては、クリストバライト、石英、コランダム(α
アルミナ)、ムライト、コージライトなどが例示でき
る。また、ガラス材料として複数の金属酸化物を含むガ
ラスフリットを焼成処理することによって、コージェラ
イト、ムライト、アノーサイト、セルジアン、スピネ
ル、ガーナイト、ウイレマイト、ドロマイト、ペタライ
トやその置換誘導体の結晶を少なくとも1種類を析出す
るものである。このセラミック層1a〜1eの厚みは例
えば10〜100μm程度である。
The ceramic layers 1a to 1e are, for example, 850.
It consists of a glass-ceramic material that allows firing at relatively low temperatures around 1050C. Specific ceramic materials include cristobalite, quartz, corundum (α
Alumina), mullite, cordierite and the like can be exemplified. In addition, by firing a glass frit containing a plurality of metal oxides as a glass material, at least one kind of crystal of cordierite, mullite, anorthite, Celsian, spinel, garnite, willemite, dolomite, petalite or a substituted derivative thereof is obtained. Is deposited. The thickness of the ceramic layers 1a to 1e is, for example, about 10 to 100 μm.

【0019】内部配線導体2、ビアホール導体3は、A
g系(Ag単体、Ag−PdなどのAg合金)、Cu系
(Cu単体、Cu合金)など導体からなり、内部配線導
体2の厚みは8〜15μm程度であり、ビアホール導体
3の直径は任意な値とすることができるが、例えば直径
は80〜250μmである。
The internal wiring conductor 2 and the via-hole conductor 3 are A
The internal wiring conductor 2 has a thickness of about 8 to 15 μm, and the via-hole conductor 3 has an arbitrary diameter. The internal wiring conductor 2 has a thickness of about 8 to 15 μm, and the internal wiring conductor 2 has a thickness of about 8 to 15 μm. However, the diameter is, for example, 80 to 250 μm.

【0020】また、積層体1の両主面には、表面配線導
体4、5が形成されている。尚、図の積層体1の上面側
の表面配線導体5は、積層体1の表面に焼きつけによっ
て形成され、図の積層体1の下面側の表面配線導体4は
セラミック層1eに埋設されているように形成され、セ
ラミック層1eの表面と同一平面となっている。表面配
線導体4、5は、Ag系(Ag単体、Ag−Pdなどの
Ag合金)、Cu系(Cu単体、Cu合金)など導体か
ら成る。
Surface wiring conductors 4 and 5 are formed on both main surfaces of the laminate 1. The surface wiring conductor 5 on the upper surface side of the laminated body 1 in the figure is formed by baking on the surface of the laminated body 1, and the surface wiring conductor 4 on the lower surface side of the laminated body 1 in the figure is embedded in the ceramic layer 1e. Are formed as described above and are flush with the surface of the ceramic layer 1e. The surface wiring conductors 4 and 5 are made of Ag-based (Ag simple substance, Ag alloy such as Ag-Pd) or Cu-based (Cu simple substance, Cu alloy) conductors.

【0021】また、表面配線導体4、5は、Cu系材料
では、耐マイグレーション性に優れ、高密度化が可能と
なる。尚、銅系導体の場合には、焼きつけの条件が還元
性雰囲気または中性雰囲気で行う必要がある。また、積
層体1の焼成時に同時に焼成する場合には、内部配線導
体2の焼成条件で焼成可能となる材料、例えば銀系導体
材料を用いる。
Further, the surface wiring conductors 4 and 5 are made of a Cu-based material, which has excellent migration resistance and enables high density. Incidentally, in the case of a copper-based conductor, it is necessary to perform baking in a reducing atmosphere or a neutral atmosphere. When firing the laminated body 1 at the same time as firing, a material that can be fired under the firing conditions of the internal wiring conductor 2, for example, a silver-based conductor material is used.

【0022】尚、表面配線導体4、5は、入出力端子部
分や電子部品搭載パッドを含むものであり、必要に応じ
て、厚膜抵抗体膜6や絶縁保護膜が形成されている。
The surface wiring conductors 4 and 5 include an input / output terminal portion and an electronic component mounting pad, and a thick film resistor film 6 and an insulating protective film are formed as necessary.

【0023】このような積層体1の表面配線導体4、5
には、厚膜抵抗体膜6が形成され、チップ状コンデン
サ、チップ状抵抗、トランジスタ、ICなどの各種電子
部品7などが半田・ワイヤボンディングなどによって搭
載されている。
The surface wiring conductors 4 and 5 of such a laminated body 1
A thick-film resistor film 6 is formed on the substrate, and various electronic components 7 such as a chip-shaped capacitor, a chip-shaped resistor, a transistor, and an IC are mounted by soldering, wire bonding, or the like.

【0024】上述の積層セラミック回路基板の製造方法
について説明する。
A method of manufacturing the above-mentioned laminated ceramic circuit board will be described.

【0025】積層セラミック回路基板1の製造方法は、
大きく分けて、積層前の準備工程と第1の工程〜第3の
工程からなる積層体の形成工程、剥離工程、焼成処理工
程、表面処理工程とから成る。
The method for manufacturing the laminated ceramic circuit board 1 is as follows.
The process is roughly divided into a preparation process before lamination, and a laminate forming process including first to third processes, a peeling process, a firing treatment process, and a surface treatment process.

【0026】準備工程は、支持基板15、セラミック層
1a〜1eとなるセラミック塗布膜のセラミックスリッ
プ材、内部配線導体2、ビアホール導体3、表面配線導
体5となる導体膜や導体の導電性ペーストを夫々準備す
る工程である。
In the preparation step, the support substrate 15, the ceramic slip material of the ceramic coating film to be the ceramic layers 1a to 1e, the internal wiring conductor 2, the via-hole conductor 3, and the conductive paste of the conductor film or the conductor to be the surface wiring conductor 5 are prepared. It is a process of preparing each.

【0027】〔支持基板〕図2(a)に示すように、支
持基板15は、セラミック、ガラス、耐熱性樹脂などの
基板からなり、支持基板15の積層体を積層する側の表
面には、基板平滑層16が形成される。
[Supporting Substrate] As shown in FIG. 2A, the supporting substrate 15 is a substrate made of ceramic, glass, heat-resistant resin, or the like. The substrate smoothing layer 16 is formed.

【0028】基板平滑層16は、有機バインダ、光硬化
なモノマー、着色剤、溶剤を均質混練したスリップ材を
塗布・乾燥して塗布膜を形成し、その後、塗布膜の全面
に露光処理して硬化することによって形成する。基板平
滑層16の厚みは、少なくとも支持基板15の凹凸を吸
収し得る程度の厚み、例えば20μm以上である。
The substrate smoothing layer 16 is formed by applying and drying a slip material obtained by homogeneously kneading an organic binder, a photocurable monomer, a coloring agent and a solvent to form a coating film, and then exposing the entire surface of the coating film to light exposure. It is formed by curing. The thickness of the substrate smoothing layer 16 is at least thick enough to absorb the irregularities of the supporting substrate 15, for example, 20 μm or more.

【0029】ここで、有機バインダは、比較的低温で且
つ短時間の焼成工程で焼失できるように熱分解性に優れ
たものであり、同時にスリップの粘性を決めるものであ
る為、アクリル酸もしくはメタクリル酸系重合体のよう
なカルボキシル基、アルコール性水酸基を備えたエチレ
ン性不飽和化合物が好ましい。
Here, the organic binder has excellent thermal decomposability so that it can be burned out at a relatively low temperature and in a short-time firing step, and at the same time, it determines the viscosity of the slip, and therefore acrylic acid or methacrylic acid is used. An ethylenically unsaturated compound having a carboxyl group and an alcoholic hydroxyl group such as an acid polymer is preferable.

【0030】光硬化可能なモノマーは、比較的低温で且
つ短時間の焼成工程で焼失できるように熱分解性に優れ
たものであり、また、スリップ材の塗布・乾燥後の露光
によって、光重合される必要があり、遊離ラジカルの形
成、連鎖生長付加重合が可能で、2級もしくは3級炭素
を有したモノマーが好ましく、例えば少なくとも1つの
重合可能なエチレン系基を有するブチルアクリレート等
のアルキルアクリレートおよびそれらに対応するアルキ
ルメタクリレートが有効である。また、テトラエチレン
グリコールジアクリレート等のポリエチレングリコール
ジアクリレートおよびそれらに対応するメタクリレート
などが挙げられる。
The photo-curable monomer has excellent thermal decomposability so that it can be burned out at a relatively low temperature in a short baking step, and it is photopolymerized by exposure after coating and drying of the slip material. A monomer having a secondary or tertiary carbon, which is capable of forming free radicals and chain-growth addition polymerization, is preferable, for example, an alkyl acrylate such as butyl acrylate having at least one polymerizable ethylene group. And their corresponding alkyl methacrylates are effective. In addition, polyethylene glycol diacrylates such as tetraethylene glycol diacrylate and methacrylates corresponding to them can be mentioned.

【0031】尚、光硬化可能なモノマーと有機バンダー
との比率は、1〜3:5程度に添加される。
The ratio of the photo-curable monomer to the organic bander is about 1 to 3: 5.

【0032】着色剤は、アゾ系やアントラキノン系の染
料などが例示でき、これによって形成された基板平滑層
16は赤色、褐色、緑色、青色などの吸光度の高い色を
呈することになる。
The colorant can be exemplified by an azo-based or anthraquinone-based dye, and the substrate smoothing layer 16 formed by this exhibits a color with high light absorption such as red, brown, green or blue.

【0033】溶剤として、有機系溶剤、水系溶剤を用い
ることができる。尚、水系溶剤の場合、光硬化可能なモ
ノマー及び有機バインダは、水溶性である必要があり、
モノマー及び有機バインダには、親水性の官能基、例え
ばカルボキシル基が付加されている。その付加量は酸価
で表せば2〜300あり、好ましくは5〜100であ
る。
As the solvent, an organic solvent or an aqueous solvent can be used. In the case of an aqueous solvent, the photocurable monomer and the organic binder must be water-soluble,
A hydrophilic functional group such as a carboxyl group is added to the monomer and the organic binder. The amount of addition is 2 to 300, preferably 5 to 100, when expressed by acid value.

【0034】上述のスリップ材は、光硬化可能なモノマ
ー及び有機バインダが上述したように積層体の焼成の過
程で完全に熱分解しなくてはならないが、特に、600
℃以下、好ましくは500℃以下で分解する材料を選択
する。
In the above slip material, the photo-curable monomer and the organic binder must be completely pyrolyzed in the process of firing the laminate as described above.
A material is selected that decomposes at a temperature of ≤C, preferably of ≤500C.

【0035】また、スリップ材には、増感剤、光開始系
材料等を必要に応じて添加しても構わない。例えば、光
開始系材料としては、ベンゾフェノン類、アシロインエ
ステル類化合物などが挙げられる。
Further, a sensitizer, a photoinitiating material, etc. may be added to the slip material, if necessary. For example, examples of the photoinitiator-based material include benzophenones and acyloin ester compounds.

【0036】スリップ材の塗布方法としては、例えば、
ドクターブレード法(ナイフコート法)、ロールコート
法、印刷法などが挙げられる。特に基板平滑層16の表
面が平坦化することが容易なドクターブレード法などが
好適である。尚、塗布方法に応じて溶剤の添加量が調整
され、所定粘度に調整される。
As a method of applying the slip material, for example,
A doctor blade method (knife coating method), a roll coating method, a printing method and the like can be mentioned. In particular, a doctor blade method or the like is preferable because the surface of the substrate smoothing layer 16 can be easily flattened. The amount of the solvent added is adjusted according to the coating method to adjust the viscosity to a predetermined value.

【0037】乾燥方法としては、バッチ式乾燥炉、イン
ライン式乾燥炉を用いて行われ、乾燥条件は、120℃
以下が望ましい。また、急激な乾燥は、表面にクラック
を発生される可能性があるため、急加熱を避けることが
重要となる。
As a drying method, a batch-type drying furnace or an in-line-type drying furnace is used, and the drying condition is 120 ° C.
The following is desirable. Further, since rapid drying may cause cracks on the surface, it is important to avoid rapid heating.

【0038】露光処理としては、塗布膜中に含まれる光
硬化モノマーが光重合されるネガ型であるため、塗膜全
面に低圧、高圧、超高圧の水銀灯系の露光光を照射す
る。尚、露光条件は、10〜20mW/cm2 の露光光
を約5〜30秒程度照射して行う。これにより、塗布膜
は、光硬化可能なモノマーの光重合反応を起し、光硬化
されることになる。
The exposure treatment is a negative type in which the photo-curable monomer contained in the coating film is photo-polymerized, so that the entire surface of the coating film is irradiated with low-pressure, high-pressure, and ultra-high-pressure mercury lamp exposure light. The exposure conditions are such that the exposure light of 10 to 20 mW / cm 2 is irradiated for about 5 to 30 seconds. As a result, the coating film is photocured by causing a photopolymerization reaction of the photocurable monomer.

【0039】尚、上述の支持基板15の表面には、着色
された基板平滑層16を設けているが、支持基板15の
それ自体に着色処理しておき、基板平滑層16を省略し
ても構わない。具体的には、上述の着色材が含有された
ポリエステル系の樹脂の支持基板を用いる。
Although the colored substrate smoothing layer 16 is provided on the surface of the supporting substrate 15 described above, the substrate smoothing layer 16 may be omitted by subjecting the supporting substrate 15 itself to a coloring treatment. I do not care. Specifically, a supporting substrate made of a polyester resin containing the above coloring material is used.

【0040】〔セラミックスリップ材〕セラミックスリ
ップ材は、セラミック粉末、ガラスフリット、光硬化可
能なモノマー、バインダ、溶剤を均質混練して形成す
る。
[Ceramic Slip Material] The ceramic slip material is formed by homogeneously kneading ceramic powder, glass frit, photocurable monomer, binder and solvent.

【0041】セラミック粉末は、クリストバライト、石
英、コランダム(αアルミナ)、ムライト、コージライ
トなどの絶縁セラミック材料、BaTiO3 、Pb4
2Nb2 12、TiO2 などの誘電体セラミック材
料、Ni−Znフェライト、Mn−Znフェライト(広
義の意味でセラミックという)なとの磁性体セラミック
材料などが挙げられ、その平均粒径1.0〜6.0μ
m、好ましくは1.5〜4.0μmに粉砕したものを用
いる。尚、セラミック材料は2種以上混合して用いられ
てもよい。特に、コランダムを用いた場合、コスト的に
有利となる。
The ceramic powder is an insulating ceramic material such as cristobalite, quartz, corundum (α-alumina), mullite or cordierite, BaTiO 3 , Pb 4 F.
e 2 Nb 2 O 12, the dielectric ceramic material, such as TiO 2, Ni-Zn ferrite, (referred to ceramic in a broad sense) Mn-Zn ferrite Do to as magnetic ceramic material can be mentioned, its average particle size 1 0.0-6.0μ
m, preferably 1.5 to 4.0 μm. Note that two or more ceramic materials may be used in combination. In particular, the use of corundum is advantageous in terms of cost.

【0042】ガラスフリットは、焼成処理することによ
ってコージェライト、ムライト、アノーサイト、セルジ
アン、スピネル、ガーナイト、ウイレマイト、ドロマイ
ト、ペタライトやその置換誘導体の結晶やスピネル構造
の結晶相を析出するものであればよく、例えば、B2
3 、SiO2 、Al2 3 、ZnO、アルカリ土類酸化
物を含むガラスフリットが挙げられる。この様なガラス
フリットは、ガラス化範囲が広くまた屈伏点が600〜
800℃付近にあるため、850〜1050℃程度の低
温焼成に適し、内部配線導体2となる導体膜との焼結挙
動が近似しているためである。尚、このガラスフリット
の平均粒径は、1.0〜6.0μm、好ましくは1.5
〜3.5μmである。
The glass frit is a glass frit as long as it crystallizes cordierite, mullite, anorthite, sergian, spinel, garnite, willemite, dolomite, petalite or a derivative thereof or a spinel structure crystal phase by firing treatment. Well, for example, B 2 O
Examples thereof include glass frits containing 3 , SiO 2 , Al 2 O 3 , ZnO and alkaline earth oxides. Such a glass frit has a wide vitrification range and a yield point of 600 to
This is because the temperature is around 800 ° C., so that it is suitable for low temperature firing at about 850 to 1050 ° C., and the sintering behavior with the conductor film to be the internal wiring conductor 2 is similar. The average particle size of the glass frit is 1.0 to 6.0 μm, preferably 1.5.
Is about 3.5 μm.

【0043】上述のセラミック材料とガラス材料との構
成比率は、850〜1050℃の比較的低温で焼成する
場合には、セラミック材料が10〜60wt%、好まし
くは30〜50wt%であり、ガラス材料が90〜40
wt%、好ましくは70〜50wt%である。
The composition ratio of the above-mentioned ceramic material and glass material is such that when firing at a relatively low temperature of 850 to 1050 ° C., the ceramic material is 10 to 60 wt%, preferably 30 to 50 wt%. Is 90-40
wt%, preferably 70 to 50 wt%.

【0044】尚、セラミック材料として、誘電体セラミ
ック材料や磁性体セラミック材料とともに用いる場合に
は、セラミック材料の固有の特性を低下させることがあ
るため、ガラスフリットは必要に応じて添加する。
When the ceramic material is used in combination with a dielectric ceramic material or a magnetic ceramic material, the characteristic peculiarity of the ceramic material may be deteriorated. Therefore, glass frit is added as necessary.

【0045】光硬化可能なモノマーは、基板平滑層16
に用いた材料ものが使用できる。これは、露光条件を略
同一とするためである。光硬化可能なモノマーは、露光
処理後の現像処理によって露光部分以外の部分が容易に
除去できるように所定量添加される。例えば、固形成分
(セラミック材料及びガラス材料) に対して5〜15w
t%以下である。バインダは、固形分との濡れ性も重視
する必要があり、基板平滑層16に用いた材料ものが使
用できる。添加量としては固形分に対して25wt%以
下が好ましい。
The photocurable monomer is used for the substrate smoothing layer 16
The materials used for can be used. This is to make the exposure conditions substantially the same. The photocurable monomer is added in a predetermined amount so that the portion other than the exposed portion can be easily removed by the developing treatment after the exposure treatment. For example, 5 to 15w for solid components (ceramic material and glass material)
It is t% or less. For the binder, it is necessary to give importance to wettability with the solid content, and the material used for the substrate smoothing layer 16 can be used. The addition amount is preferably 25 wt% or less with respect to the solid content.

【0046】溶剤として、有機系溶剤、水系溶剤を用い
ることができる。尚、水系溶剤の場合、光硬化可能なモ
ノマー及びバインダは、水溶性である必要があり、モノ
マー及びバインダには、親水性の官能基、例えばカルボ
キシル基が付加されている。
As the solvent, an organic solvent or an aqueous solvent can be used. In the case of an aqueous solvent, the photocurable monomer and binder must be water-soluble, and a hydrophilic functional group such as a carboxyl group is added to the monomer and binder.

【0047】その付加量は酸価で表せば2〜300あ
り、好ましくは5〜100である。
The addition amount is from 2 to 300, preferably from 5 to 100, in terms of acid value.

【0048】付加量が少ない場合は水への溶解性、固定
成分の粉末の分散性が悪くなり、多い場合は熱分解性が
悪くなるため、付加量は、水への溶解性、分散性、熱分
解性を考慮して、上述の範囲で適宜付加される。
When the addition amount is small, the solubility in water and the dispersibility of the powder of the fixed component deteriorate, and when the addition amount is large, the thermal decomposability deteriorates. Therefore, the addition amount depends on the solubility and dispersibility in water, Considering the thermal decomposability, it is appropriately added within the above range.

【0049】また、スリップ材には、増感剤、光開始系
材料等を必要に応じて添加しても構わない。例えば、光
開始系材料としては、ベンゾフェノン類、アシロインエ
ステル類化合物などが挙げられる。
Further, a sensitizer, a photoinitiator material, etc. may be added to the slip material as required. For example, examples of the photoinitiator-based material include benzophenones and acyloin ester compounds.

【0050】〔導電性ペースト〕導電性ペーストは、A
g系(Ag単体、Ag−PdなどのAg合金)、Cu系
(Cu単体、Cu合金)など導体材料粉末、例えば銀系
粉末と、低融点ガラス成分と、バインダと溶剤とを均質
混練したものが用いられる。また、表面配線導体5にも
このペーストを用いても構わない。尚、内部配線導体2
となる導体膜用の導電性ペーストにおいては、セラミッ
クスリップ材に用いた光硬化モノマーを添加しても構わ
ない。この光硬化モノマーを添加した導電性ペーストを
用いる場合、各導体膜を印刷・乾燥した後、又は各導体
を充填・乾燥した後に、露光処理によって光硬化させ
る。
[Conductive paste] The conductive paste is A
Conductive material powder such as g-based (Ag simple substance, Ag alloy such as Ag-Pd), Cu-based (Cu simple substance, Cu alloy), for example, silver-based powder, low melting point glass component, binder and solvent homogeneously kneaded Is used. Also, this paste may be used for the surface wiring conductor 5. The internal wiring conductor 2
In the conductive paste for the conductor film that becomes, the photocurable monomer used for the ceramic slip material may be added. When the conductive paste containing the photocurable monomer is used, the conductor film is printed and dried, or the conductor is filled and dried, and then photocured by an exposure process.

【0051】〔積層体形成工程〕積層体形成工程は、光
硬化可能なモノマーを含むセラミックスリップ材の塗布
又は印刷・乾燥処理によってセラミック層となる塗布膜
を形成する第1の工程、前記塗布膜に選択的な露光処理
・現像処理によって貫通穴を形成する第2の工程、前記
貫通穴に導電性ペーストの印刷充填によってビアホール
導体を形成するとともに、前記塗布膜上に導電性ペース
トの印刷・乾燥処理によって内部配線導体となる導体膜
を形成する第3の工程からなる。尚、製造工程中におけ
る積層体は、最終的に複数の積層体が抽出できるよう複
数の積層体の領域を同時に形成するが、ここでは、1つ
の積層体の領域について説明する。
[Layered Body Forming Step] The laminated body forming step is a first step of forming a coating film to be a ceramic layer by coating or printing / drying a ceramic slip material containing a photocurable monomer, and the coating film. Second step of forming a through hole by selective exposure processing and development processing, forming a via hole conductor by printing and filling a conductive paste in the through hole, and printing and drying the conductive paste on the coating film. The third step is to form a conductor film to be an internal wiring conductor by processing. In addition, in the laminated body in the manufacturing process, a plurality of laminated body regions are formed at the same time so that a plurality of laminated bodies can be finally extracted, but here, only one laminated body region will be described.

【0052】まず、積層体1の最下層のセラミック層1
eとなるセラミック塗布膜10e第1の工程で形成す
る。即ち、図2(b)に示すように、支持基板15の基
板平滑層16上に、セラミック層1eとなるセラミック
塗布膜10eを上述のセラミックスリップ材をドクター
ブレード法などで塗布し、乾燥(バッチ式乾燥炉、イン
ライン式乾燥炉で120℃以下)を行う。
First, the lowermost ceramic layer 1 of the laminated body 1
The ceramic coating film 10e to be e is formed in the first step. That is, as shown in FIG. 2B, a ceramic coating film 10e to be the ceramic layer 1e is coated on the substrate smoothing layer 16 of the supporting substrate 15 with the above-mentioned ceramic slip material by a doctor blade method or the like and dried (batch). Type drying oven or in-line type drying oven).

【0053】スリップ材の塗布方法としては、例えば、
ドクターブレード法(ナイフコート法)、ロールコート
法、印刷法などが挙げられる。特に基板平滑層16の表
面が平坦化することが容易なドクターブレード法などが
好適である。尚、塗布方法に応じて溶剤の添加量が調整
され、所定粘度に調整される。
As a method of applying the slip material, for example,
A doctor blade method (knife coating method), a roll coating method, a printing method and the like can be mentioned. In particular, a doctor blade method or the like is preferable because the surface of the substrate smoothing layer 16 can be easily flattened. The amount of the solvent added is adjusted according to the coating method to adjust the viscosity to a predetermined value.

【0054】乾燥方法としては、120℃以下、塗布膜
の膜厚にもよるが、60〜80℃で10分〜30分の乾
燥処理が行われ、乾燥後の塗布膜は、当初の溶剤の85
〜92wt%の溶剤が除去される。
The drying method is 120 ° C. or lower, and depending on the thickness of the coating film, a drying treatment is carried out at 60 to 80 ° C. for 10 minutes to 30 minutes. 85
~ 92 wt% solvent is removed.

【0055】次に、セラミック塗布膜10eにビアホー
ル導体3となる貫通穴(実際には、下側の穴開口は支持
基板で閉塞されるため、以下貫通凹部という)30を第
2の工程で形成する。即ち、図2(c)に示す選択的な
露光処理と、図2(d)に示す現像処理によって形成さ
れる。
Next, in the second step, a through hole (actually, the lower hole opening is closed by the supporting substrate, which is hereinafter referred to as a through recess) 30 is formed in the ceramic coating film 10e as the via hole conductor 3. To do. That is, it is formed by the selective exposure process shown in FIG. 2C and the development process shown in FIG.

【0056】露光処理は、セラミック層1eの厚みを貫
通するビアホール導体3となる位置に貫通凹部30を形
成するため、この部分のみに露光光が照射されないよう
な所定導体を有するフォトターゲットを塗布膜10e上
に近接又は載置して、基板平滑層16を形成した時の露
光条件(低圧、高圧、超高圧の水銀灯系の15〜20m
W/cm2 の露光光を約5〜30秒程度照射する)で処
理を行う。
In the exposure process, since the through recess 30 is formed at the position which becomes the via hole conductor 3 penetrating the thickness of the ceramic layer 1e, the photo target having the predetermined conductor which is not irradiated with the exposure light is applied to only this part. Exposure conditions when the substrate smoothing layer 16 is formed by being placed close to or on 10e (10 to 20 m of low-pressure, high-pressure, and ultra-high-pressure mercury lamp system).
The exposure light of W / cm 2 is irradiated for about 5 to 30 seconds).

【0057】図2(c)において、32はフォトターゲ
ットであり、矢印は露光光を示す、塗布膜10eの点々
部分は、露光処理によって光硬化された部分である。
In FIG. 2 (c), 32 is a photo target, the arrow indicates the exposure light, and the dotted portions of the coating film 10e are the portions that are photo-cured by the exposure processing.

【0058】現像処理は、選択的な露光処理を行った塗
布膜10eに有機系のクロロセン、1,1,1−トリク
ロロエタン、水系のアルカリ現像溶剤を、例えばスプレ
ー現像法やパドル現像法によって噴射したり、接触した
り現像処理を行う。その後、必要に応じて洗浄及び乾燥
を行なう。
In the development process, organic chlorocene, 1,1,1-trichloroethane, and a water-based alkaline developing solvent are sprayed onto the coating film 10e subjected to the selective exposure process, for example, by a spray developing method or a paddle developing method. Or contact or develop. Then, if necessary, washing and drying are performed.

【0059】この選択的な露光処理及び現像処理によっ
て、塗布膜10eには、ビアホール導体3となる位置に
貫通凹部30が形成され、しかも、現像処理によって残
存する部分は全て光硬化されていることになる。
By this selective exposure process and development process, the through recess 30 is formed in the coating film 10e at the position to be the via-hole conductor 3, and all the portions remaining by the development process are photo-cured. become.

【0060】この第2の工程によって形成された貫通凹
部30の形状、径などはフォトターゲットの形状の制御
によって、任意に設定できることになる。即ち、電源供
給用配線やアース電位の配線など比較的大電流が流れる
配線間を接続するビアホール導体3の形状を大きくする
ことが簡単に行える。
The shape and diameter of the through recess 30 formed in the second step can be arbitrarily set by controlling the shape of the photo target. That is, it is possible to easily increase the size of the via-hole conductor 3 that connects between the wires for supplying a relatively large current, such as the power supply wires and the ground potential wires.

【0061】また、フォトターゲットを用いた露光は、
一般に、半導体チップなどの微細加工などに用いられる
ものであるため、フォトターゲットによって制御されて
形成されるビアホール導体3の貫通凹部30において
は、位置ずれがなく、ビアホール導体3の導通信頼性が
大きく向上する。
The exposure using the photo target is
Generally, since it is used for microfabrication of a semiconductor chip or the like, there is no positional deviation in the through recess 30 of the via hole conductor 3 formed by being controlled by the photo target, and the conduction reliability of the via hole conductor 3 is large. improves.

【0062】次に、第3の工程として、塗布膜10eの
貫通凹部30にビアホール導体3となる導体31を充填
するとともに、セラミック層1eとセラミック層1dと
の層間の内部配線導体2となる導体膜20を形成する。
Next, in a third step, the through recess 30 of the coating film 10e is filled with the conductor 31 which becomes the via hole conductor 3, and the conductor which becomes the internal wiring conductor 2 between the ceramic layers 1e and 1d is formed. The film 20 is formed.

【0063】即ち、図2(e)に示すように、塗布膜1
0eの貫通凹部30に上述の導電性ペーストをスクリー
ン印刷で印刷することにより、貫通凹部30内にビアホ
ール導体3となる導体31を充填する。また、塗布膜1
0e上に上述の導電性ペーストをスクリーン印刷で所定
形状に印刷することにより、内部配線導体2となる導体
膜20を形成する。その後、乾燥処理を行い、必要に応
じて露光処理を行い、光硬化を行う。 尚、貫通凹部3
0の形状が大きい場合には、まず、導電性ペーストをデ
ィスペンサーなどを用いて貫通凹部30内に導体31を
充填し、その後、内部配線導体2となる導体膜20を印
刷形成しても構わない。
That is, as shown in FIG. 2E, the coating film 1
The conductor 31 serving as the via-hole conductor 3 is filled in the penetrating recess 30 by printing the above-mentioned conductive paste in the penetrating recess 30 of 0e by screen printing. In addition, the coating film 1
The conductor film 20 to be the internal wiring conductor 2 is formed by screen-printing the above-mentioned conductive paste on 0e in a predetermined shape. After that, a drying process is performed, an exposure process is performed if necessary, and a photocuring process is performed. The through recess 3
When the shape of 0 is large, first, the conductive paste may be filled in the through recess 30 with the conductor 31 using a dispenser or the like, and then the conductor film 20 to be the internal wiring conductor 2 may be formed by printing. .

【0064】次に、第1の工程〜第3の工程を順次繰り
返して、支持基板15上に、内部配線導体2・・・とな
る導体膜、ビアホール導体3となる導体31が形成され
た積層体(未焼成状態)を形成する。この状態を図2
(d)に示す。
Next, the first step to the third step are sequentially repeated to form a laminated structure on the supporting substrate 15 in which a conductor film to be the internal wiring conductors 2 ... And a conductor 31 to be the via hole conductor 3 are formed. Form a body (unfired). This state is shown in FIG.
It shows in (d).

【0065】尚、積層体の最上層となる塗布膜に対して
行う第3の工程では、内部配線導体を形成する必要がな
いため、ビアホール導体3となる導体31の充填のみを
行う。また、積層体形成工程の最後に、必要に応じて、
各積層体1の形状に応じて、分割溝をプレス成型などに
よって形成しても構わない。
In the third step performed on the coating film which is the uppermost layer of the laminated body, it is not necessary to form the internal wiring conductor, so only the conductor 31 that becomes the via-hole conductor 3 is filled. Also, at the end of the laminated body forming step, if necessary,
The dividing grooves may be formed by press molding or the like depending on the shape of each laminated body 1.

【0066】〔剥離工程〕次に、図2(f)に示すよう
に、支持基板15からセラミック塗布膜10a〜10
e、内部配線導体2となる導体膜20、ビアホール導体
3となる導体31から成る未焼成の積層体を剥離する。
[Peeling Step] Next, as shown in FIG. 2F, the ceramic coating films 10 a to 10 a are removed from the support substrate 15.
e, the unfired laminated body including the conductor film 20 that becomes the internal wiring conductor 2 and the conductor 31 that becomes the via-hole conductor 3 is peeled off.

【0067】ここで、仮に積層体側に基板平滑層16の
一部又は全部が付着したとしても、その後の焼成処理に
よって完全に焼失してしまうことになる。
Here, even if part or all of the substrate smoothing layer 16 adheres to the laminate side, it will be completely burned out by the subsequent firing process.

【0068】尚、基板平滑層16中に、120℃(乾燥
処理の温度)以上で発泡性反応を起こす樹脂材料を添加
しておいたり、また基板平滑層16表面に発泡性反応を
起こす樹脂層を設けておけば、120℃以上で加熱処理
で簡単に剥離することができる。
A resin material which causes a foaming reaction at 120 ° C. (drying temperature) or higher is added to the substrate smoothing layer 16, or a resin layer which causes a foaming reaction on the surface of the substrate smoothing layer 16 is added. If provided, it can be easily peeled off by heat treatment at 120 ° C. or higher.

【0069】また、支持基板15と基板平滑層16の界
面部分に有機溶剤によって溶解するシートを介在させた
り、支持基板15自身を有機溶剤によって溶解するシー
トを用いたりして、有機溶剤の浸漬により剥離を行うよ
うにしても構わない。尚、有機溶剤によって溶解するシ
ートを用いる場合には、セラミックスリップ材、導電性
ペーストにバイダー、光硬化モノマーに水系を用い、溶
剤に純水などを用いることが重要となる。
Further, by interposing a sheet that dissolves in an organic solvent at the interface between the supporting substrate 15 and the substrate smoothing layer 16, or by using a sheet that dissolves the supporting substrate 15 itself in an organic solvent, the sheet can be immersed in the organic solvent. Peeling may be performed. When using a sheet that dissolves in an organic solvent, it is important to use a ceramic slip material, a conductive paste as a binder, a photocurable monomer as an aqueous system, and a solvent as pure water.

【0070】〔焼成工程〕次に、支持基板15から剥離
した未焼成の積層体を焼成処理する。焼成処理は、脱バ
インダ過程と焼結過程からなる。
[Firing Step] Next, the unfired laminate separated from the support substrate 15 is subjected to firing treatment. The firing process includes a binder removal process and a sintering process.

【0071】脱バインダ過程は、セラミック塗布膜10
a〜10e、内部配線導体2となる導体膜20、ビアホ
ール導体3となる導体31、表面配線導体5となる導体
膜50に含まれる有機成分、及び基板平滑層16を焼失
するためのものであり、例えば600℃以下の温度領域
で行われる。
The binder removal process is performed by the ceramic coating film 10.
a to 10e, the conductor film 20 to be the internal wiring conductor 2, the conductor 31 to be the via-hole conductor 3, the organic components contained in the conductor film 50 to be the surface wiring conductor 5, and the substrate smoothing layer 16 are burned down. , For example, in a temperature range of 600 ° C. or lower.

【0072】また、焼結過程は、塗布膜10a〜10e
のガラス成分を結晶化させて、セラミック粉末の粒界に
均一に分散させ、積層体1に一定強度を与え、同時に、
内部配線導体2となる導体膜20、ビアホール導体3と
なる導体31、表面配線導体5となる導体膜50の導電
材料、例えば、銀系粉末を粒成長させて、低抵抗化させ
るとともに、セラミック層1a〜1eと一体化させるも
のである。これは、ピーク温度850〜1050℃に達
するまでに行われる。
In the sintering process, the coating films 10a to 10e are used.
The glass component of is crystallized and uniformly dispersed in the grain boundaries of the ceramic powder to give the laminate 1 a certain strength, and at the same time,
The conductive material of the conductor film 20 serving as the internal wiring conductor 2, the conductor 31 serving as the via-hole conductor 3, and the conductor film 50 serving as the surface wiring conductor 5, for example, silver-based powder is grain-grown to reduce the resistance, and at the same time, the ceramic layer is formed. It is to be integrated with 1a to 1e. This is done until a peak temperature of 850-1050 <0> C is reached.

【0073】焼成雰囲気は、導電性ペーストの材料など
によって異なり、上述のようにAg系導体の場合は、大
気(酸化性)雰囲気又は中性雰囲気で行われ、Cu系導
体の場合は、還元性雰囲気又は中性雰囲気で行われる。
The firing atmosphere differs depending on the material of the conductive paste. As described above, in the case of the Ag-based conductor, the atmosphere (oxidizing) atmosphere or neutral atmosphere is used, and in the case of the Cu-based conductor, the reducing atmosphere is used. It is performed in an atmosphere or a neutral atmosphere.

【0074】これにより、塗布膜10a〜10eはセラ
ミック層1a〜1eとなり、導体膜20は内部配線導体
2に、導体31はビアホール導体3となり、焼成された
大型積層体基板が達成される。
As a result, the coating films 10a to 10e become the ceramic layers 1a to 1e, the conductor film 20 becomes the internal wiring conductor 2, and the conductor 31 becomes the via-hole conductor 3 to achieve a large-sized laminated substrate.

【0075】尚、支持基板から積層体を剥離した場合、
積層体側に基板平滑層16の一部又は全部が付着してい
ても、この焼成処理によって、有機バインダ成分は完全
に焼失されることになる。
When the laminate is peeled from the supporting substrate,
Even if a part or all of the substrate smoothing layer 16 is attached to the laminated body side, the organic binder component is completely burned out by this baking treatment.

【0076】〔表面処理工程〕次に焼成処理された大型
積層体基板の両主面に表面処理を行う。
[Surface Treatment Step] Next, surface treatment is performed on both main surfaces of the fired large-sized laminate substrate.

【0077】例えば、大型積層体基板の両主面に、セラ
ミック層1a、1eに形成したビアホール導体3と接続
するように、例えば銅系導電性ペーストの印刷・乾燥、
焼きつけにより、表面配線導体4、5を形成する。ここ
で、銅系の表面配線導体4、5と銀系導体のビアホール
導体3とが接合することになる。このため、銀と銅との
共晶温度を考慮して、低温(例えば780℃以下)焼成
可能し、しかも、銅の酸化を防止するために還元性雰囲
気や中性雰囲気中で行うことが重要である。
For example, a copper-based conductive paste is printed and dried so as to be connected to the via-hole conductors 3 formed in the ceramic layers 1a and 1e on both main surfaces of the large-sized laminate substrate.
The surface wiring conductors 4 and 5 are formed by baking. Here, the copper-based surface wiring conductors 4 and 5 are joined to the silver-based conductor via-hole conductor 3. Therefore, in consideration of the eutectic temperature of silver and copper, it is important that the firing can be performed at a low temperature (for example, 780 ° C. or lower), and further, in a reducing atmosphere or a neutral atmosphere to prevent the oxidation of copper. Is.

【0078】その後、必要に応じて、厚膜抵抗膜6や保
護膜などを焼きつけを行い、各種電子部品7を搭載す
る。
After that, if necessary, the thick film resistance film 6 and the protective film are baked to mount various electronic components 7.

【0079】尚、上述の実施例について、積層体1の下
面側の表面配線導体4を焼成工程の後に形成したが、例
えば、支持基板15上に、積層体形成工程に先立って、
導電性ペーストで所定形状に形成し、その後に、積層体
形成して、積層体の焼成と同時に一体的に焼成処理して
も構わない。
In the above embodiment, the surface wiring conductor 4 on the lower surface side of the laminated body 1 was formed after the firing step. For example, on the support substrate 15, prior to the laminated body forming step,
It is also possible to form the conductive paste into a predetermined shape, then form the laminated body, and perform the firing treatment integrally with the firing of the laminated body.

【0080】また、分割溝について、上述の製造工程で
は支持基板15から積層体1を剥離する前に形成した
が、要は焼成前に形成することが重要であり、支持基板
15を剥離した後に、積層体の両主面側に形成してもか
まわない。また、分割溝にそって行う分割処理につい
て、上述の製造工程は、表面処理工程の最後におこなっ
ているが、電子部品7を搭載する前に分割処理しても構
わない。
Further, although the dividing grooves are formed before the laminated body 1 is peeled from the supporting substrate 15 in the above manufacturing process, it is important to form the dividing grooves before firing, and after the supporting substrate 15 is peeled. It may be formed on both main surface sides of the laminate. Further, regarding the dividing process performed along the dividing groove, the above-described manufacturing process is performed at the end of the surface treatment process, but the dividing process may be performed before mounting the electronic component 7.

【0081】以上のように、上述の製造方法によれば、
基板平滑層16を有する支持基板15上に、第1の工程
である光硬化モノマーを有するセラミックスリップ材の
塗布または印刷し、乾燥処理により、塗布膜を形成し、
その後、第2の工程の選択的な露光処理、現像処理され
る。
As described above, according to the above manufacturing method,
On the supporting substrate 15 having the substrate smoothing layer 16, a ceramic slip material having a photocurable monomer, which is the first step, is applied or printed, and a coating film is formed by a drying process,
After that, selective exposure processing and development processing in the second step are performed.

【0082】ここで、乾燥処理は、セラミックスリップ
材に当初含有する87〜92wt%の溶剤が除去される
ことになり、第2の工程の現像処理で、ビアホール導体
3を形成する安定した貫通穴30を形成することができ
る。
Here, in the drying process, 87 to 92 wt% of the solvent initially contained in the ceramic slip material is removed, and the stable through-hole forming the via-hole conductor 3 is formed in the developing process in the second step. 30 can be formed.

【0083】このことは、特に内部配線導体2と表面配
線導体5との接続信頼性が向上する。
This improves the connection reliability between the internal wiring conductor 2 and the surface wiring conductor 5, in particular.

【0084】[0084]

【実施例】本発明者らは、塗布膜の溶剤除去率と現像処
理による現像性を調べた。
EXAMPLES The present inventors investigated the solvent removal rate of the coating film and the developability by the development treatment.

【0085】まず、セラミックストリップ材の塗布膜の
厚みを100μm、150μmを塗布して、乾燥温度を
60℃、80℃として、乾燥時間を制御して、セラミッ
クストリップ材の溶剤除去率を測定し、その現像処理に
よる現像性で評価した。評価は、ビアホール導体3とな
る貫通穴が完全に抜けたかどうかを評価した貫通性と、
貫通穴以外の部分で現像されたかを評価した膜減りの2
点で評価した。
First, the thickness of the coating film of the ceramic strip material is 100 μm and 150 μm, the drying temperature is 60 ° C. and 80 ° C., the drying time is controlled, and the solvent removal rate of the ceramic strip material is measured. The developing property by the development processing was evaluated. The evaluation was conducted by evaluating whether or not the through hole to be the via-hole conductor 3 was completely removed.
2 of the film loss that evaluated whether it was developed in the part other than the through hole
The point was evaluated.

【0086】尚、総溶剤量に対する除去率は、セラミッ
クスリップ材を印刷または塗布する前(例えば支持基板
のみ)の全重量X、セラミックスリップ材を印刷または
塗布した状態(乾燥処理前)の全重量(X+ΔX)、セ
ラミックスリップ材を形成する際、バインダーを含む全
固形成分に対する溶剤の重量の比率a%、乾燥後の全重
量(X+ΔX−Δy)を測定することにより算出するこ
とができる。
The removal rate with respect to the total amount of the solvent is the total weight X before printing or applying the ceramic slip material (for example, only the supporting substrate), and the total weight when the ceramic slip material is printed or applied (before the drying treatment). (X + ΔX), when forming the ceramic slip material, it can be calculated by measuring the ratio a% of the weight of the solvent to the total solid components including the binder, and the total weight after drying (X + ΔX−Δy).

【0087】まず、乾燥処理前の塗布膜の重量は、Δx
であり、この状態の塗布膜に含まれる溶剤の重量yは、
y=Δx×aで求まり乾燥処理によって減少した重量
は、すべて溶剤であるとして、乾燥された溶剤の重量は
Δyとなる。そして、溶剤除去率はΔy/y×100で
求められる。
First, the weight of the coating film before the drying treatment is Δx
And the weight y of the solvent contained in the coating film in this state is
Assuming that the weight obtained by y = Δx × a and reduced by the drying treatment is all solvent, the weight of the dried solvent is Δy. Then, the solvent removal rate is calculated by Δy / y × 100.

【0088】その結果を表1に示す。Table 1 shows the results.

【0089】[0089]

【表1】 [Table 1]

【0090】表1の試料番号1〜4は、塗布膜100μ
mに設定し、乾燥温度80℃で乾燥時間を変化させたも
のであり、夫々乾燥時間によって溶剤除去率が80%
(試料番号1)、92%(試料番号2)、95%(試料
番号3)、98%(試料番号4)と変化する。
Sample Nos. 1 to 4 in Table 1 are coated films of 100 μm.
m, the drying time was changed at a drying temperature of 80 ° C, and the solvent removal rate was 80% depending on the drying time.
(Sample No. 1), 92% (Sample No. 2), 95% (Sample No. 3), 98% (Sample No. 4).

【0091】この各状態で、選択的な露光及び現像処理
を行うと、溶剤除去率が80%の試料番号1では、露光
処理された部分でも、若干の現像されてしまう膜減り現
象が発生してしまう。
In each of these states, when selective exposure and development treatments were carried out, in Sample No. 1 having a solvent removal rate of 80%, a slight film reduction phenomenon was caused even in the exposed portion, which was developed. Will end up.

【0092】これは、塗布膜中に溶剤が20%も多く残
ってしまい、貫通穴の形成の際に、所定形成位置部分以
外にも溶解してしまうためである。
This is because as much as 20% of the solvent remains in the coating film, and when the through hole is formed, it is dissolved in portions other than the predetermined formation position.

【0093】また、溶剤除去率が98%の試料番号4で
は、充分な貫通性が得られない。
In Sample No. 4 having a solvent removal rate of 98%, sufficient penetrability cannot be obtained.

【0094】これは、乾燥過剰となり、乾燥後の塗布膜
の緻密化が進み過ぎて、現像液の浸透が困難となるため
である。
This is because overdrying causes the coating film after drying to become too dense, which makes it difficult for the developing solution to permeate.

【0095】これに対して、除去率が85〜97%、例
えば試料番号2、3では、膜減り現象がなく、しかも、
精度の高い安定した貫通穴を形成することができる。
On the other hand, in the removal rate of 85 to 97%, for example, in sample numbers 2 and 3, there is no film reduction phenomenon, and
A highly accurate and stable through hole can be formed.

【0096】試料番号1〜4では、溶剤除去率が92%
(試料番号2)の場合で、非常に優れた貫通穴が形成さ
れるが、これと同一の溶剤除去率が92%を、乾燥温度
60℃で設定したのが試料番号5である。試料番号5で
は、乾燥時間に20分要するものの、評価は、試料番号
2と全く同じであった。即ち、重要なことは、塗布膜の
溶剤除去率、換言すれば、乾燥処理後の溶剤の残存率で
あり、乾燥温度は、表面にクラックが発生しない程度で
あれば、特に問題はない。
Sample Nos. 1 to 4 had a solvent removal rate of 92%.
In the case of (Sample No. 2), a very excellent through hole is formed, and the same solvent removal rate as 92% is set in Sample No. 5 at a drying temperature of 60 ° C. Although the sample No. 5 required a drying time of 20 minutes, the evaluation was exactly the same as that of the sample No. 2. That is, what is important is the solvent removal rate of the coating film, in other words, the residual rate of the solvent after the drying treatment, and there is no particular problem as long as the drying temperature is such that cracks do not occur on the surface.

【0097】試料番号6〜9は、塗布膜150μmに設
定し、乾燥温度80℃で乾燥時間を変化させたものであ
り、夫々乾燥時間によって溶剤除去率が78%(試料番
号6)、85%(試料番号7)、97%(試料番号
8)、99%(試料番号9)と変化する。
Sample Nos. 6 to 9 were prepared by setting the coating film to 150 μm and changing the drying time at a drying temperature of 80 ° C. The solvent removal rates were 78% (Sample No. 6) and 85%, respectively, depending on the drying time. (Sample No. 7), 97% (Sample No. 8), 99% (Sample No. 9).

【0098】試料7〜8から理解できるように、塗布膜
の膜厚が150μmとなっても、乾燥時間を制御して、
溶剤除去率が85〜97%、(試料番号7で85%、試
料試料番号7で97%)とすることによって、膜減り現
象が発生せず、貫通性も良好な安定した貫通穴を形成す
ることがてきる。
As can be understood from Samples 7 to 8, even when the thickness of the coating film was 150 μm, the drying time was controlled and
By setting the solvent removal rate to 85 to 97% (85% for sample No. 7 and 97% for sample No. 7), a film reduction phenomenon does not occur and a stable through hole with good penetrability is formed. Things will come.

【0099】即ち、膜厚の変化があったとしても、膜厚
に応じた適切な乾燥時間を設定してやり、溶剤除去率が
85〜97%にすることが重要である。
That is, even if there is a change in the film thickness, it is important to set an appropriate drying time according to the film thickness so that the solvent removal rate is 85 to 97%.

【0100】以上、本発明では、光硬化モノマーを含有
するセラミックスリップ材を用いて、内部配線導体2や
表面配線導体4と接続するビアホール導体3を、セラミ
ック塗布膜の選択的な露光処理及び現像処理によって形
成した貫通穴に導電性ペーストを充填して形成した積層
セラミック回路基板の製造方法で、セラミックスリップ
材の乾燥処理による塗布膜の溶剤除去率を85〜97w
t%に設定することにより、精度の高い安定した貫通穴
を簡単に形成することができ、これより、内分配線導体
2、表面配線導体4との接続信頼性が飛躍的に向上す
る。
As described above, in the present invention, the via-hole conductor 3 connected to the internal wiring conductor 2 and the surface wiring conductor 4 is selectively exposed to the ceramic coating film and developed by using the ceramic slip material containing the photocurable monomer. In the method for manufacturing a laminated ceramic circuit board formed by filling a conductive paste into a through hole formed by a treatment, the solvent removal rate of the coating film by the drying treatment of the ceramic slip material is 85 to 97 w.
By setting t%, it is possible to easily form a highly accurate and stable through hole, and thereby the connection reliability with the internal wiring conductor 2 and the surface wiring conductor 4 is dramatically improved.

【0101】[0101]

【発明の効果】以上のように本発明によれば、支持基板
上に、光硬化モノマーが含有するセラミックスリップ材
を塗布または印刷し、乾燥処理を行い、乾燥前の塗布膜
の溶剤に対して、85〜97wt%ととしたため、続い
てこのセラミック塗布膜を選択的な露光処理・現像処理
をおこなっても、露光部分の現像の発生がなく、安定し
た現像処理ができるとともに、セラミック層となる塗布
膜を貫くビアホール導体の径・形状、位置などが精度よ
く、且つ安定的に形成することができる。これによっ
て、内部配線導体と表面配線導体との接続信頼性が向上
する。
As described above, according to the present invention, a ceramic slip material containing a photocurable monomer is applied or printed on a supporting substrate, and a drying process is performed to remove the solvent of the coating film before drying. , 85-97 wt%, the subsequent exposure / development treatment of this ceramic coating film does not cause development of the exposed portion, which enables stable development treatment and becomes a ceramic layer. The diameter, shape, and position of the via-hole conductor that penetrates the coating film can be formed accurately and stably. This improves the connection reliability between the internal wiring conductor and the surface wiring conductor.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】本発明に係る積層セラミック回路基板の断面図
である。
FIG. 1 is a cross-sectional view of a multilayer ceramic circuit board according to the present invention.

【図2】(a)〜(f)は本発明の積層セラミック回路
基板の製造の主要工程における断面図である。
2 (a) to 2 (f) are cross-sectional views in the main steps of manufacturing the laminated ceramic circuit board of the present invention.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

10・・・・・・積層セラミック回路基板 1・・・・・・・積層体 1a〜1e・・・セラミック層 10a〜10e・・・塗布膜 2・・・・・・・内部配線導体 20・・・・・・内部配線導体となる導体膜 3・・・・・・・ビアホール導体 30・・・・・・貫通凹部 31・・・・・・ビアホール導体となる導体 4、5・・・・・表面配線導体 15・・・・・・支持基板 16・・・・・・基板平滑層 10 ... Multilayer ceramic circuit board 1 ... Multilayer body 1a to 1e ... Ceramic layer 10a to 10e ... Coating film 2 ... Internal wiring conductor 20 ...・ ・ ・ ・ ・ Conductor film that becomes the internal wiring conductor ・ ・ ・ ・ ・ ・ ・ ・ Via hole conductor 30 ・ ・ ・ ・ ・ ・ Through hole 31 ・ ・ ・・ Surface wiring conductor 15 ・ ・ ・ ・ ・ ・ Supporting substrate 16 ・ ・ ・ ・ ・ ・ Substrate smoothing layer

Claims (1)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 支持基板上に、 セラミックフィラー、ガラスフリット、光硬化可能なモ
ノマー、有機バインダー、溶剤から成るセラミックスリ
ップ材の塗布又は印刷・乾燥処理によってセラミック層
となる塗布膜を形成する第1の工程、 前記塗布膜に選択的な露光処理・現像処理によって貫通
穴を形成する第2の工程、 前記貫通穴に導電性ペーストの印刷充填によってビアホ
ール導体となる導体を形成するとともに、前記塗布膜上
に導電性ペーストの印刷・乾燥処理によって内部配線導
体となる導体膜を形成する第3の工程、 前記第1の工程から第3の工程を繰り返して積層体を形
成し、前記支持基板に形成した積層体を焼成処理して成
る積層セラミック回路基板の製造方法において、 前記セラミック層となる塗布膜は、乾燥処理によってセ
ラミックスリップ材の全溶剤の85〜97wt%が除去
されることを特徴とする積層セラミック回路基板の製造
方法。
1. A coating film to be a ceramic layer is formed on a supporting substrate by coating or printing / drying a ceramic slip material comprising a ceramic filler, a glass frit, a photocurable monomer, an organic binder and a solvent. A second step of forming a through hole in the coating film by a selective exposure process / development process; forming a conductor to be a via-hole conductor in the through hole by printing and filling a conductive paste; A third step of forming a conductor film to be an internal wiring conductor on the top by printing and drying a conductive paste, and forming a laminated body by repeating the first step to the third step and forming it on the support substrate. In the method for manufacturing a laminated ceramic circuit board formed by firing the laminated body, the coating film to be the ceramic layer is dried. Method of manufacturing a multilayer ceramic circuit board, characterized in that 85~97Wt% of the total solvent La mix lip material is removed.
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7156935B2 (en) 2002-04-26 2007-01-02 Murata Manufacturing Co., Ltd. Method of manufacturing ceramic laminated body
JP2017031497A (en) * 2015-08-03 2017-02-09 小林 博 Surface modification that imparts different properties to parts or substrates

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