JPH093637A - Split sputtering target - Google Patents
Split sputtering targetInfo
- Publication number
- JPH093637A JPH093637A JP19237595A JP19237595A JPH093637A JP H093637 A JPH093637 A JP H093637A JP 19237595 A JP19237595 A JP 19237595A JP 19237595 A JP19237595 A JP 19237595A JP H093637 A JPH093637 A JP H093637A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- target
- targets
- bonding material
- sputtering target
- split
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Physical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
Description
【0001】[0001]
【産業上の利用分野】本発明は、薄膜形成に用いるスパ
ッタリングターゲットに関する。さらに詳しくは、分割
した金属(合金を含む)スパッタリングターゲットに関
する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a sputtering target used for forming a thin film. More specifically, it relates to a divided metal (including alloy) sputtering target.
【0002】[0002]
【従来の技術】一般にスパッタリング法で用いられるタ
ーゲットは、ボンデング材でバッキングプレートを接合
して使用される。2. Description of the Related Art Generally, a target used in a sputtering method is used by bonding a backing plate with a bonding material.
【0003】近年、スパッタリング法に用いるスパッタ
リング装置は、薄膜の量産性の向上や薄膜の広面積化の
ため益々大型化しているが、これにともなってスパッタ
リングターゲットも大型化している。この場合、大型タ
ーゲット製造の際発生する反りの問題や、切削加工、研
磨加工等の加工技術上、一枚のターゲットでは製作が不
可能となることが多い。このため数枚のターゲットを製
作し、これを継いでバッキングプレートにボンデング材
で接合する、いわゆる、分割スパッタリングターゲット
で大型化に対応している現状である。In recent years, the sputtering apparatus used for the sputtering method has become larger and larger in order to improve the mass productivity of thin films and increase the area of thin films. In this case, it is often impossible to manufacture a single target due to the problem of warpage that occurs when manufacturing a large target and processing techniques such as cutting and polishing. For this reason, it is the current situation that a so-called split sputtering target is produced, in which a plurality of targets are manufactured, and the targets are joined and bonded to a backing plate with a bonding material.
【0004】また、種類の異なった金属ターゲットを同
一バッキングプレートに接合し、スパッタリング法によ
りそれらの合金薄膜を形成する場合がある。この場合も
分割スパッタリングターゲットを必要とする。There are also cases where different types of metal targets are bonded to the same backing plate and their alloy thin films are formed by the sputtering method. Also in this case, a split sputtering target is required.
【0005】[0005]
【発明が解決しようとする課題】上記の分割スパッタリ
ングターゲットの場合、ターゲットとそれに近接する他
のターゲットとの継ぎ目に隙間ができ易い。一般にボン
デング材はインジウム合金、半田、ロウ材等を用いる
が、これらのボンデング材はバッキングプレートとの接
合時には流動体であるためその隙間に容易に侵入する。
また、ターゲットをスパッタする際熱が発生し、その発
熱によってボンデング材が溶融し、ターゲット間の隙間
にボンデング材が侵入することもある。In the case of the split sputtering target described above, a gap is likely to be formed at the joint between the target and another target adjacent thereto. In general, an indium alloy, a solder, a brazing material, or the like is used as the bonding material, but these bonding materials are fluids when they are joined to the backing plate, so they easily penetrate into the gaps.
In addition, heat may be generated when the target is sputtered, and the bonding material may be melted by the generated heat, and the bonding material may enter the gap between the targets.
【0006】このような状態でターゲットをスパッタす
るとボンデング材もスパッタされ、形成された薄膜の中
にボンデング材が不純物として混入し膜特性を著しく悪
化させる原因となる。When the target is sputtered in such a state, the bonding material is also sputtered, and the bonding material is mixed as an impurity in the formed thin film, which causes the film characteristics to be significantly deteriorated.
【0007】このような欠点を除くため、図5に示すよ
うに、各ターゲットの継ぎ目全体を溶接することが考え
られる。図において8は溶接部である。しかし、この場
合は溶接熱によって、各ターゲットの接合部分の結晶粒
の粗大化等金属組織が変質したり、ターゲットの反りが
発生したりしてスパッタリングターゲットの製造技術上
好ましくない現象が起こる欠点がある。例えば、ターゲ
ットの反りが発生した場合、バッキングプレートにボン
デング材で接合できなくなり、接合部分の結晶粒の粗大
化が発生した場合、スパッタレイトの均一性が損なわれ
るのである。In order to eliminate such a defect, it is conceivable to weld the entire seam of each target as shown in FIG. In the figure, 8 is a welded portion. However, in this case, due to the welding heat, the metal structure such as the coarsening of the crystal grains of the joint portion of each target is deteriorated, or the target warpage occurs, which is a disadvantage in the manufacturing technology of the sputtering target. is there. For example, when the target warps, it becomes impossible to bond the target to the backing plate with the bonding material, and when the crystal grains in the bonded portion become coarse, the uniformity of the sputter rate is impaired.
【0008】本発明者は、このような欠点を除くため、
先に各ターゲットの継ぎ目に高分子耐熱性シートあるい
はターゲットと同質の金属シートのような裏打ち材を貼
付し、ターゲット間の隙間にボンデング材の侵入を防止
する発明を特許出願した(特願平1−75963号)。The present inventor has, in order to eliminate such drawbacks,
Previously, a patent application was filed for an invention that a backing material such as a polymer heat-resistant sheet or a metal sheet of the same quality as the target is attached to the joint of each target to prevent the bonding material from entering the gap between the targets (Japanese Patent Application No. -75963).
【0009】本発明は、上記発明と同様に、ターゲット
の継ぎ目の隙間にボンデング材が侵入しない分割スパッ
タリングターゲットを提供することを目的とするもので
ある。An object of the present invention, like the above-mentioned invention, is to provide a split sputtering target in which the bonding material does not enter the gap between the joints of the target.
【0010】[0010]
【課題を解決するための手段】本発明は、分割した金属
(合金を含む)スパッタリングターゲットの各ターゲッ
ト間の継ぎ目において、該ターゲットの裏面の継ぎ目部
に切欠き部あるいは面取り仕上げ部を設け、相対したタ
ーゲットの切欠き部あるいは面取り仕上げ部で形成され
た凹部を溶接により接合したものである。DISCLOSURE OF THE INVENTION According to the present invention, in a joint between targets of a divided metal (including alloy) sputtering target, a notch or a chamfered finish is provided at a joint on the back surface of the target, The recesses formed in the notched portion or the chamfered finished portion of the target are joined by welding.
【0011】以下、本発明の実施例を図にしたがって詳
細に説明する。図1は角板状ターゲットの斜視図であ
り、ターゲット裏面9に切欠き部7を設ける。図2はバ
ッキングプレートに4個のターゲットを設置した分割ス
パッタリングターゲット20の斜視図である。5はバッ
キングプレート、6はボンデング材、1〜4は各ターゲ
ットであり、各ターゲット間はできるだけ隙間ができな
いように接近させた状態で、相対したターゲットの切欠
き部で形成された凹部を溶接する。8は溶接部である。
この場合、もし溶接突起が形成されたら、これを切除し
て平面に仕上げ、ターゲット裏面9をバッキングプレー
ト側に向けてボンデング材6により接合する。Embodiments of the present invention will be described in detail below with reference to the drawings. FIG. 1 is a perspective view of a rectangular plate-shaped target, in which a notch portion 7 is provided on the back surface 9 of the target. FIG. 2 is a perspective view of a split sputtering target 20 in which four targets are installed on a backing plate. Reference numeral 5 is a backing plate, 6 is a bonding material, 1 to 4 are targets, and the recesses formed by the notches of the opposing targets are welded in a state in which the targets are close to each other so that there is no gap between them. . 8 is a welded part.
In this case, if a welding projection is formed, it is cut off and finished into a flat surface, and the target back surface 9 is bonded to the backing plate side by the bonding material 6.
【0012】次に他の実施例を図にしたがって説明す
る。ただし、前実施例と同じ仕様の場合は説明を省略す
る。図3は面取り仕上げ7’をした角板状ターゲットの
斜視図である。図4は図3のターゲットを4個設置した
分割スパッタリングターゲット30の斜視図である。こ
の場合は相対したターゲットの面取り仕上げ部で形成さ
れた凹部を溶接する。図から明かなように、前実施例の
凹部の断面は四角形であるが、本実施例の凹部の断面は
三角形となる。Next, another embodiment will be described with reference to the drawings. However, if the specifications are the same as those of the previous embodiment, the description is omitted. FIG. 3 is a perspective view of a square plate-shaped target having a chamfered finish 7 '. FIG. 4 is a perspective view of a split sputtering target 30 in which four targets of FIG. 3 are installed. In this case, the concavities formed by the chamfered finishes of the opposing targets are welded. As is clear from the figure, the cross section of the recess of the previous embodiment is square, but the cross section of the recess of this embodiment is triangular.
【0013】上記の構成により、ターゲットの継ぎ目の
隙間にボンデング材が侵入できないことは明かである。
また、図5に示すように継ぎ目の全体的溶接ではなくタ
ーゲット裏面の部分的溶接であるので、スパッタ面での
金属組織の変質は起こらず、ターゲットの反りも発生し
ない。It is obvious that the above-mentioned structure prevents the bonding material from entering the gap between the joints of the target.
Further, as shown in FIG. 5, since the joint is not entirely welded but the target rear surface is partially welded, the metal structure of the sputter surface is not deteriorated and the target is not warped.
【0014】溶接部の断面構造は上記の実施例に限定さ
れるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない限りどの
ような構造であってもよい。また、上記の実施例では分
割スパッタリングターゲットとして4個のターゲットの
例を示したが、ターゲットが複数個であればよく、その
個数に制限はない。さらに、角板状分割スパッタリング
ターゲットのみならず、円板状、その他の形状の分割ス
パッタリングターゲットにも適用できるものである。The sectional structure of the welded part is not limited to the above-mentioned embodiment, and any structure may be used without departing from the gist of the present invention. Further, in the above embodiment, an example of four targets was shown as a split sputtering target, but the number of targets is not limited and the number is not limited. Further, the present invention can be applied not only to a rectangular plate-shaped split sputtering target but also to a disk-shaped or other-shaped split sputtering target.
【0015】本発明に用いられる溶接部材はどのような
溶接部材であってもよいが、できればターゲットと同一
金属(合金を含む)の溶接部材を用いることが好まし
い。The welding member used in the present invention may be any welding member, but it is preferable to use a welding member of the same metal (including alloy) as the target if possible.
【0016】近時、スパッタリングターゲットとバッキ
ングプレートを同一材料で一体化したいわゆる一体構造
型スパッタリングターゲットが多用されるようになっ
た。このスパッタリングターゲットも大型化の傾向にあ
り、上記の理由により製作が困難なことが多い。しか
し、このスパッタリングターゲットは裏面が直接冷却水
に接触しているため、分割することができない。Recently, a so-called integral structure type sputtering target in which a sputtering target and a backing plate are made of the same material has been widely used. This sputtering target also tends to be large in size, and is often difficult to manufacture for the above reasons. However, since the back surface of this sputtering target is in direct contact with cooling water, it cannot be divided.
【0017】しかるに、本発明によれば、各ターゲット
間の継ぎ目において、相対したターゲットの切欠き部あ
るいは面取り仕上げ部で形成された凹部を溶接により接
合するため水もれが起こらず、そのため分割することに
よって大型の一体構造型スパッタリングターゲットの製
造が可能となり、その工業的価値は極めて大きいもので
ある。However, according to the present invention, at the seam between the targets, the recesses formed by the notched portions or the chamfered finish portions of the opposing targets are joined by welding, so that water leakage does not occur, and therefore the splitting is performed. This makes it possible to manufacture a large-scale integral structure type sputtering target, and its industrial value is extremely large.
【0018】[0018]
【発明の効果】本発明によれば、分割スパッタリングタ
ーゲットにおいて、ターゲットの継ぎ目の隙間にボンデ
ング材が侵入することがなく、したがって、成膜した膜
に不純物が混入しない特徴がある。また、分割ターゲッ
トが比較的多数個であるとき、前出願の特願平1−75
963号においては、各ターゲットの継ぎ目を裏打ち材
で裏打ちしただけのものであり接着強度が劣るため、ス
パッタ中の発熱量が分割スパッタリングターゲット中で
偏在した場合、過熱された一部のターゲットがパッキン
グプレートから剥離し易い。しかるに、本発明によれ
ば、各ターゲットはターゲット裏面において完全に溶接
されているため、このような一部のターゲットの剥離は
発生しない利点がある。According to the present invention, the split sputtering target is characterized in that the bonding material does not enter the gap between the joints of the target, and therefore impurities are not mixed into the formed film. In addition, when there are a relatively large number of division targets, Japanese Patent Application No. 1-75
In No. 963, since the seam of each target is only lined with a lining material and the adhesive strength is poor, if the amount of heat generated during sputtering is unevenly distributed among the split sputtering targets, some of the overheated targets will be packed. Easy to peel off from the plate. However, according to the present invention, since each target is completely welded on the back surface of the target, there is an advantage that such partial peeling of the target does not occur.
【図1】本発明になる切欠き部を設けたターゲットの斜
視図である。FIG. 1 is a perspective view of a target provided with a cutout portion according to the present invention.
【図2】本発明になる分割スパッタリングターゲット2
0の斜視図である。FIG. 2 is a split sputtering target 2 according to the present invention.
It is a perspective view of 0 .
【図3】本発明になる面取り仕上げ部を設けたターゲッ
トの斜視図である。FIG. 3 is a perspective view of a target provided with a chamfered finish according to the present invention.
【図4】本発明になる分割スパッタリングターゲット3
0の斜視図である。FIG. 4 is a split sputtering target 3 according to the present invention.
It is a perspective view of 0 .
【図5】各ターゲットの継ぎ目全体を溶接した分割スパ
ッタリングターゲットの斜視図である。FIG. 5 is a perspective view of a split sputtering target in which the entire seam of each target is welded.
1、1’、1”〜 4、4’、4” ターゲット 5、5’ バッキングプレート 6、6’ ボンデング材 7 切欠き部 7’ 面取り仕上げ部 8 溶接部 9、9’ ターゲット裏面 1, 1 ', 1 "to 4, 4', 4" Target 5, 5'Backing plate 6, 6 'Bonding material 7 Notch 7' Chamfer finish 8 Weld 9, 9 'Target backside
Claims (1)
の各ターゲット間の継ぎ目において、該ターゲットの裏
面の継ぎ目部に切欠き部あるいは面取り仕上げ部を設
け、相対したターゲットの切欠き部あるいは面取り仕上
げ部で形成された凹部を溶接により接合したことを特徴
とする分割スパッタリングターゲット。1. A seam between the targets of the divided metal sputtering target is provided with a notch portion or a chamfered finish portion at a joint portion on the back surface of the target, and the notch portion or the chamfered finish portion of the facing target is formed. A split sputtering target characterized in that the recesses are joined by welding.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP19237595A JPH093637A (en) | 1995-06-23 | 1995-06-23 | Split sputtering target |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP19237595A JPH093637A (en) | 1995-06-23 | 1995-06-23 | Split sputtering target |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH093637A true JPH093637A (en) | 1997-01-07 |
Family
ID=16290251
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP19237595A Pending JPH093637A (en) | 1995-06-23 | 1995-06-23 | Split sputtering target |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH093637A (en) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2006526073A (en) * | 2003-05-23 | 2006-11-16 | アプライド フィルムス ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング ウント コンパニー コマンディートゲゼルシャフト | Magnetron sputter cathode electrode |
US7550055B2 (en) * | 2005-05-31 | 2009-06-23 | Applied Materials, Inc. | Elastomer bonding of large area sputtering target |
-
1995
- 1995-06-23 JP JP19237595A patent/JPH093637A/en active Pending
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2006526073A (en) * | 2003-05-23 | 2006-11-16 | アプライド フィルムス ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング ウント コンパニー コマンディートゲゼルシャフト | Magnetron sputter cathode electrode |
US7550055B2 (en) * | 2005-05-31 | 2009-06-23 | Applied Materials, Inc. | Elastomer bonding of large area sputtering target |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US4966676A (en) | Sputtering target | |
US5342496A (en) | Method of welding sputtering target/backing plate assemblies | |
JP4706926B2 (en) | Method for manufacturing target with backing plate | |
JP4511733B2 (en) | Sputter target low temperature bonding method and target assembly manufactured thereby | |
KR20090051215A (en) | Sputtering Target Assembly and Manufacturing Method Thereof | |
JP4017198B2 (en) | Joining method of sputtering target and backing plate | |
JP2000265265A (en) | Integrated structure type sputtering target | |
JPH093637A (en) | Split sputtering target | |
JP2898515B2 (en) | Mosaic target | |
JP6110224B2 (en) | Target assembly and manufacturing method thereof | |
JP2939751B2 (en) | Split sputtering target | |
JPH04333565A (en) | Sputtering target and manufacture therefor | |
JPS63143258A (en) | Target for sputtering | |
JPH0959770A (en) | Target for sputtering and its production | |
JP2004270019A (en) | Division-type sputtering target | |
JPS63100177A (en) | Target for sputtering | |
JP2004083985A (en) | Sputtering target and method for manufacturing the same | |
JP3469261B2 (en) | Diffusion bonded sputtering target assembly and method of manufacturing the same | |
JPH0428866A (en) | Method for bonding sputtering target | |
JP2000345330A (en) | Sputtering target | |
JPS62243762A (en) | Backing plate for sputtering target | |
JPH07316802A (en) | Mosaic target and manufacturing method thereof | |
JPH04350161A (en) | Sputtering target | |
JPH07316801A (en) | Mosaic target and manufacturing method thereof | |
GB2097298A (en) | Jointing by cold pressing |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A02 | Decision of refusal |
Effective date: 20040406 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 |