JPH0936199A

JPH0936199A - 半導体基体処理装置及びその使用方法

Info

Publication number: JPH0936199A
Application number: JP20174895A
Authority: JP
Inventors: Masatoshi Maeda; 真寿前田; Yoshimi Kiyohara; 佳美清原
Original assignee: Texas Instruments Japan Ltd
Current assignee: Texas Instruments Japan Ltd
Priority date: 1995-07-14
Filing date: 1995-07-14
Publication date: 1997-02-07

Abstract

(57)【要約】【構成】半導体ウエハ22の成膜室２内に、成膜遮蔽板
７と、この遮蔽板７を保持する上下動可能な保持具38
と、半導体ウエハ22を遮蔽板７に対して設置する上下動
可能な設置用ピン６とがそれぞれ設けられ、半導体ウエ
ハ22を成膜室２に対して横方向に搬入及び搬出するため
の搬送アーム９を有し、この搬送アーム９の往動によっ
て成膜室２に搬入された半導体ウエハ22を設置用ピン６
の上昇移動によって遮蔽板７に対して設置し、この状態
で半導体ウエハ22に成膜処理を施した後に搬送アーム９
が再往動して半導体ウエハ22と共に遮蔽板７を支持し、
設置用ピン６及び保持具38の下降移動後に成膜室２から
搬出し、更に、この搬出された遮蔽板７をプラズマクリ
ーニング室40に搬送して、遮蔽板７上に成膜されたＷ膜
等の金属膜をプラズマエッチングで除去するＣＶＤ装置
と、その使用方法。【効果】成膜室内でクリーニングのためのプラズマを
発生させることは不要となるので、装置部品への損傷を
著しく減少させて異物の混入等を激減させることができ
る。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、半導体基体処理装置
（例えばタングステン等の金属膜を成膜するＣＶＤ(Che
mical Vapor Deposition）装置）及びその使用方法に関
するものである。

【０００２】

【従来の技術】化学的気相成長法によって半導体デバイ
スに金属膜、例えば配線用のタングステン膜を成膜する
に際しては、従来から図34に示す如きＣＶＤ装置が使用
されている。

【０００３】このＣＶＤ装置は、ロードロック室（予備
排気室）１と成膜室２とから構成されていて、成膜室２
内には、反応ガス４の導出口３と基板加熱台５と基板設
置用ピン６と成膜遮蔽板７と成膜遮蔽板の保持具８とが
それぞれ設けられ、基板搬送アーム９によって半導体基
板がロードロック室１と成膜室２との間で水平方向に搬
送及び搬出されるように構成している。なお、成膜室２
では排気口は34における側壁部、即ち、保持具８の位置
よりやや上部に複数個設けているが、図示省略した。ま
た、各室の仕切り壁には、搬入及び搬出用開口10、11を
それぞれ開閉するバルブ12、13が設けられている。更
に、反応ガス導入口３及び導出部14と成膜室２とは電気
的に絶縁されている。

【０００４】導入口３から供給された反応ガス４は、外
形が円盤状の導出部14に形成された多数の吹出し口15か
ら吹き出される。図39に明示するように、円盤状の基板
加熱台５には、支持リング16に固定された設置用ピン６
を挿通して上下動させるためのガイド孔17が形成されて
おり、また、遮蔽板７は断面が逆台形のリング体であっ
てリング状の保持具８の内周面上に保持される。この保
持具８は仕切板60の円形開口内に接合されている。

【０００５】そして、保持具８は成膜室２内に固定され
ているが、基板加熱台５と設置用ピン６はそれぞれ、作
動杆20及び21に接続され、更にそれらは外部エアシリン
ダ（図示省略）に、真空が漏れないようにフィードスル
ー18及び19を介して接続され、選択的に上昇又は下降移
動するように構成されている。

【０００６】図34に示したＣＶＤ装置の動作を説明する
と、まず同図の状態から、図35に示すようにロードロッ
ク室１のバルブ13を開放して半導体ウエハ22を仮想線位
置にある基板搬送アーム９にセットした後、そのアーム
長を縮めてからこの搬送アーム９を実線位置へ回転さ
せ、再びアーム長を伸ばして開放されたバルブ12による
開口10を通して成膜室２内へ往動させる。なお、図36
は、図34に比べて簡略図示した部分がある（以下、同
様）。

【０００７】こうして、成膜されるべき半導体基板22を
ロードロック室１より基板搬送アーム９によって成膜室
２内に搬入した後、図36に示すように、基板設置用ピン
６を上昇させて基板22を押し上げ、更に保持具８から成
膜遮蔽板７を持ち上げ、基板22上に設置する。

【０００８】次いで、図37に示すように、基板搬送アー
ム９を復動させ、基板加熱台５を上昇させ、基板22がそ
のエッジ部への成膜を防止するための成膜遮蔽板７と共
に基板加熱台５上に設置される。しかる後、設置用ピン
６は元の位置へ下降する。

【０００９】次いで、図38に示すように、成膜室２の外
部から窓23を通してヒータランプ24からの加熱ビーム25
を基板加熱台５に照射してこの加熱台を例えば 480℃に
加熱し、これによってウエハ22を十分（例えば 420〜43
0 ℃）に加熱すると、反応ガス吹き出し口15より反応ガ
ス４（ボンベ26から調整バルブ27を通して供給される例
えば六弗化タングステン（ＷＦ₆ ）、水素等の混合ガ
ス）を吹き出させる。これによって、基板22上には、Ｃ
ＶＤによるＷ膜を成膜する。なお、余剰のガスはチャン
バ内の保持具８の位置より上部に設置された複数の排気
口（図示省略）から排出される。

【００１０】しかしながら、上記した従来のタングステ
ンＣＶＤ装置では、図38の工程において基板22と共に成
膜遮蔽板７を加熱してしまうために、成膜遮蔽板７上に
もＷ膜が生成されてしまう。このような成膜を繰り返す
と、成膜遮蔽板７上のＷ膜は厚くなって剥離し、基板22
に成膜されるＷ膜中に異物として混入する。この異物の
混入によって、Ｗ膜の表面が部分的に突出し、配線の切
断（オープン）や短絡（ショート）等の欠点が生じ易
い。

【００１１】これを防止するために、基板22を成膜終了
後に成膜室２外に搬出した後、Ｗ膜のエッチングガス、
例えばＮＦ₃ガスを成膜室２内に導入し（図38参照）、
ガス導出部14と成膜室２との間に仮想線のように高周波
電圧29を印加してプラズマを発生させることによって、
成膜遮蔽板７上のＷ膜をエッチングで除去していた。例
えば、１μｍ厚のＷ膜の成膜の場合、成膜遮蔽板７上の
膜を完全に除去するためには、ＮＦ₃ガス(300ＳＣＣ
Ｍ）を使用し、ＲＦ出力を約 300ワットにしたとき、30
〜40秒間のプラズマエッチングが必要である。

【００１２】ところが、このＮＦ₃ガスは腐食性が強
く、成膜室２内の成膜遮蔽板７（これはセラミックス製
なので損傷なし）以外の他の部品に対して損傷を与えて
しまい、損傷がひどくなると、部品との反応で生じる微
細粉末（例えば、Ａｌ製加熱台５からＮＦ₃との反応で
生じるＡｌＦ₃粉やＡｌ粉等）や破片が基板22上に成膜
されるＷ膜中に異物として混入し、上記したと同様の問
題が生じる。このため、成膜室２内を大気にさらし、内
部の部品の交換及び洗浄を頻繁に行わなければならない
という問題があった。

【００１３】図40は、例えば直径６インチウエハ上にＷ
膜を上記した成膜工程により 1.0μｍ厚に成膜したとき
に観察される、粒径が 0.3μｍ以上の異物の数と処理枚
数（成膜回数又は枚数）との関係を示す。これによれ
ば、約1500枚で異物の量が増加し、1700枚を超えると異
物の量が極端に増加することが分かる。

【００１４】

【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、装置
部品への損傷を著しく減少させて異物の混入等を激減さ
せることのできる半導体基体処理装置とその使用方法を
提供することにある。

【００１５】

【課題を解決するための手段】即ち、本発明は、半導体
基体の処理室内に、この半導体基体の非処理部分を遮蔽
する遮蔽手段と、この遮蔽手段を保持し、第１の方向に
移動可能な保持手段と、前記半導体基体を前記遮蔽手段
に対して設置し、前記第１の方向に移動可能な設置手段
とがそれぞれ設けられ、前記半導体基体を前記処理室に
対して第２の方向（前記第１の方向とは異なる方向）に
搬入及び搬出するための搬送手段を有し、この搬送手段
の往動によって前記処理室に搬入された前記半導体基体
を前記設置手段の往動によって前記遮蔽手段に対して設
置し、この状態で前記半導体基体に所定の処理を施した
後に前記搬送手段が再往動して前記半導体基体と共に前
記遮蔽手段を支持し、前記設置手段及び前記保持手段の
復動後に前記処理室から搬出するように構成された半導
体基体処理装置に係るものである。

【００１６】この本発明の装置は、半導体基体の処理室
内に、この半導体基体の非処理部分を遮蔽する遮蔽手段
と、この遮蔽手段を保持する上下動可能な保持手段と、
前記半導体基体を前記遮蔽手段に対して設置する上下動
可能な設置手段とがそれぞれ設けられ、前記半導体基体
を前記処理室に対して横方向に搬入及び搬出するための
搬送手段を有し、この搬送手段の往動によって前記処理
室に搬入された前記半導体基体を前記設置手段の上昇移
動によって前記遮蔽手段に対して設置し、この状態で前
記半導体基体に所定の処理を施した後に前記搬送手段が
再往動して前記半導体基体と共に前記遮蔽手段を支持
し、前記設置手段及び前記保持手段の下降移動後に前記
処理室から搬出するように構成されるのがよい。

【００１７】本発明はまた、半導体基体の処理室内に、
この半導体基体の非処理部分を遮蔽する遮蔽手段と、こ
の遮蔽手段を保持する保持手段と、前記半導体基体を前
記遮蔽手段に対して設置し、第１の方向に移動可能な設
置手段とがそれぞれ設けられ、前記半導体基体を前記処
理室に対して第２の方向（前記第１の方向とは異なる方
向）に搬入及び搬出するための、前記第１の方向に移動
可能な搬送手段を有し、この搬送手段の前記第２の方向
での往動によって前記処理室に搬入された前記半導体基
体を前記設置手段の往動によって前記遮蔽手段に対して
設置し、この状態で前記半導体基体に所定の処理を施し
た後に前記設置手段が更に往動し、前記搬送手段が前記
第１の方向で往動及び前記第２の方向で再往動して前記
半導体基体と共に前記遮蔽手段を支持し、前記設置手段
の復動後に前記処理室から搬出するように構成された半
導体基体処理装置に係るものである。

【００１８】この装置では、半導体基体の処理室内に、
この半導体基体の非処理部分を遮蔽する遮蔽手段と、こ
の遮蔽手段を保持する保持手段と、前記半導体基体を前
記遮蔽手段に対して設置する上下動可能な設置手段とが
それぞれ設けられ、前記半導体基体を前記処理室に対し
て横方向に搬入及び搬出するための上下動可能な搬送手
段を有し、この搬送手段の往動によって前記処理室に搬
入された前記半導体基体を前記設置手段の上昇移動によ
って前記遮蔽手段に対して設置し、この状態で前記半導
体基体に所定の処理を施した後に前記設置手段が更に上
昇移動し、前記搬送手段が上昇移動及び再往動して前記
半導体基体と共に前記遮蔽手段を支持し、前記設置手段
の下降移動後に前記処理室から搬出するように構成され
るのがよい。

【００１９】そして、半導体基体の処理室内に、前記半
導体基体を支持しかつ加熱する加熱手段を備えるのがよ
い。

【００２０】本発明の上記した各半導体基体処理装置
は、半導体基体の処理室に隣接して、半導体基体搬送手
段を収容したロードロック室が設けられていることが望
ましい。

【００２１】そして、ロードロック室に隣接して、半導
体基体搬送手段を支持した半導体基体及び遮蔽手段を搬
入及び搬出させるための第２の処理室が設けられてよ
い。

【００２２】この場合、半導体基体搬送手段によって半
導体基体及び遮蔽手段を第２の処理室に搬入した後、こ
の第２の処理室内において遮蔽手段を保持する上下動可
能な保持手段の上昇移動によって前記遮蔽手段を保持
し、前記半導体基体搬送手段によって前記半導体基体を
前記第２の処理室から搬出した後、前記遮蔽手段を前記
第２の処理室内で処理するように構成されるのがよい。

【００２３】或いは、半導体基体搬送手段によって半導
体基体及び遮蔽手段を第２の処理室に搬入した後、前記
半導体基体搬送手段の下降移動によって前記遮蔽手段を
保持手段上に保持させ、前記半導体基体搬送手段によっ
て前記半導体基体を前記第２の処理室から搬出した後、
前記遮蔽手段を前記第２の処理室内で処理するように構
成されるのがよい。

【００２４】本発明の半導体基体処理装置においては、
具体的には、半導体基体の処理室がタングステン膜等の
金属膜の成膜室として構成され、遮蔽手段を処理する第
２の処理室がＮＦ₃ガス等をエッチングガスとするプラ
ズマエッチング室として構成されることができる。

【００２５】本発明の半導体基体処理装置を使用して半
導体基体を処理する方法として、処理室内において半導
体基体の非処理部分を遮蔽手段によって遮蔽しながら前
記半導体基体に所定の処理を施した後、前記処理室を大
気中に解放することなしに前記遮蔽手段を前記処理室か
ら搬出することが望ましい。

【００２６】この方法では、処理室内において半導体基
体の非処理部分を遮蔽手段によって遮蔽しながら前記半
導体基体に所定の処理を施した後、前記処理室を大気中
に解放することなしに前記遮蔽手段を前記処理室から搬
出し、更にこの状態で、前記遮蔽手段を第２の処理室へ
搬入するのがよい。

【００２７】この場合、遮蔽手段と処理された半導体基
体とを処理室から搬出した後にプラズマクリーニング室
へ搬入し、次いで前記半導体基体を前記プラズマクリー
ニング室から搬出し、次いで前記遮蔽手段をプラズマエ
ッチング等でクリーニング処理することができる。

【００２８】そして、処理された遮蔽手段を第２の処理
室から搬出した後、再び半導体基体の処理室に搬入して
よい。

【００２９】上記の処理として、半導体基体を成膜処理
し、この成膜時に付着した成膜材料を遮蔽手段から除去
することができる。成膜処理としては、半導体基体にタ
ングステン膜等の金属膜を成膜し、遮蔽手段に付着した
金属膜材料をＮＦ₃ガス等をエッチングガスとするプラ
ズマエッチングで除去することができる。

【００３０】上記の方法において、遮蔽手段を第２の処
理室で処理する代わりに、遮蔽手段と処理された半導体
基体とを処理室から搬出し、前記遮蔽手段を別の遮蔽手
段と交換し、この別の遮蔽手段を前記処理室へ搬入して
もよい。

【００３１】この場合は、金属膜が成膜された半導体基
体と共に処理室から搬出された遮蔽手段を未使用の新し
い遮蔽手段と交換することができる。

【００３２】

【実施例】以下、本発明の実施例を説明する。

【００３３】図１〜図21は、本発明をタングステン等の
ＣＶＤ装置に適用した第１の実施例を示すものである。

【００３４】本実施例によるＣＶＤ装置は、図１に示す
ように、ロードロック室（予備排気室）１と成膜室２と
から構成されている点では図38に示した従来例と同様で
あり、成膜室２内には、反応ガス４の導入口３と、基板
加熱台５と基板設置用ピン６と成膜遮蔽板７と成膜遮蔽
板の保持具38とがそれぞれ設けられているが、保持具38
が上下動可能となっていることが根本的に異なってい
る。

【００３５】また、本実施例によるＣＶＤ装置では、基
板搬送アーム９によって半導体基板がロードロック室１
と成膜室２との間で水平方向に搬送及び搬出されるよう
に構成し（なお、成膜室２では排気口は図１における側
壁部、即ち、保持具38の位置よりやや上部に複数個設け
ているが、図示省略した）、各室の仕切り壁には、搬入
及び搬出用開口10、11をそれぞれ開閉するバルブ12、13
が設けられている点でも図38に示した従来例と同様であ
るが、ロードロック室１には更に、図20に概略的に示す
如きプラズマクリーニング室（プラズマエッチング室）
40が隣接して設けられていることが著しく異なってい
る。

【００３６】このプラズマクリーニング室40に対して
は、図５及び図６に示すように、上記のロードロック室
１の基板搬送アーム９が水平方向に往復動する（即ち、
半導体ウエハ22及び遮蔽板７の搬入及び搬出を行う）よ
うに構成されている。両室１と40との仕切り壁には、そ
のための開口41とこれを開閉するバルブ42とが設けられ
ている。なお、基板搬送アーム９は、図20に示すよう
に、支軸49を中心に回動可能なアーム部９ａが連結さ
れ、更にこのアーム部９ａにアーム部９ｂ、９ｃが隣接
アーム部に対して回動可能に連結されたものである。

【００３７】そして、成膜室２においては、図38で述べ
たと同様に、導入口３から供給された反応ガス４は、外
形が円盤状の導出部14に形成された多数の吹き出し口15
から吹き出される。図12に明示するように、円盤状の基
板加熱台５には、支持リング16に固定された設置用ピン
６を挿通して上下動させるためのガイド孔17が形成され
ており、また、遮蔽板７は断面が逆台形のリング体であ
って外周面が摺り合うようにしてリング状の保持具８の
内周面上に保持される。

【００３８】図12に明示するように、基板加熱台５と設
置用ピン６はそれぞれ作動杆20及び21に接続され、更に
それらは外部エアシリンダ（図示省略）に、真空漏れが
ないようにフィードスルー18及び19を介して接続され、
選択的に上昇又は下降移動するように構成されている。
また、保持具38も作動杆44に接続され、フィードスルー
43を介してエアシリンダ（図示省略）に接続され、選択
的に上昇又は下降移動するように構成されている。

【００３９】また、図５に示すように、プラズマクリー
ニング室40においては、クリーニングされるべき遮蔽板
７は保持具45に載置される。この保持具45は、図１に示
した保持具38と同様に上下動可能なリング状体である
が、既述の図38に示した遮蔽板７を保持する保持具８の
周囲が連続したリング体であるのに対して、図13に示す
ように、搬送アーム９が上下動するために切欠き部70を
周囲の１又は２箇所に有している。そして、この保持具
45は遮蔽板７の外周面を受ける内周面を有していて、作
動杆72により外部エアシリンダ（図示省略）に、真空漏
れがないようにフィードスルー73を介して接続され、上
下動可能となっている。

【００４０】プラズマクリーニング室40には、図１に示
したガス導出部14と同様の構造からなるガス導出部46か
らエッチングガス47が供給され、導出部46とクリーニン
グ室40との間に接続された高周波電源48による電界の印
加でエッチングガスのプラズマが発生し、このプラズマ
によって遮蔽板７に対するプラズマエッチング処理を行
うようになっている。

【００４１】次に、本実施例によるＣＶＤ装置の操作を
説明すると、まず図34に示した従来例と同様の状態か
ら、図35に示したと同様にロードロック室１のバルブ13
を開放して半導体ウエハ22を同図の仮想線位置にある基
板搬送アーム９にセットする。しかる後、そのアームを
縮めてからこの搬送アーム９を実線位置へ回転させ、再
びアームを伸ばして図35に示すように開放されたバルブ
12による開口10を通して成膜室２内へ半導体ウエハ22を
往動させる。図14及び図15は、その状態を示す概略斜視
図である。

【００４２】こうして、成膜されるべき半導体基板22を
ロードロック室１より基板搬送アーム９により成膜室２
内に搬入した後、図36に示したと同様に、基板設置用ピ
ン６を上昇させて基板22を押上げ、更に保持具38から成
膜遮蔽板７を持ち上げ、基板22上に設置する。

【００４３】次いで、図37及び図15のように基板搬送ア
ーム９を復動させ、基板加熱台５を上昇させ、図37及び
図16のように、基板22がそのエッジ部への成膜を防止す
るための成膜遮蔽板７と共に基板加熱台５上に設置され
る。しかる後、設置用ピン６は元の位置へ下降する。

【００４４】次いで、図38に示したと同様に、図１に示
すように、成膜室２の外部から窓23を通してヒータラン
プ24からの加熱ビーム25を基板加熱台５に照射してこれ
を例えば 480℃に加熱し、これによってウエハ22を十分
（例えば約 420〜430 ℃）に加熱すると、反応ガス吹き
出し口15より反応ガス４、即ち、ボンベ26から調整バル
ブ27を通して供給される例えば六弗化タングステン（Ｗ
Ｆ₆）と水素又はＳｉＨ₄等の還元ガス等との混合ガス
を吹き出させる。これによって、基板22上には、ＣＶＤ
によるＷ膜を成膜する。なお、余剰のガスは保持具38よ
り上部に設けられた複数の排気口へ流れる。排気口は排
気ポンプに接続されている。

【００４５】次いで、図２に示すように、設置用ピン６
を上昇させて半導体ウエハ22を支持し、加熱台５を下降
させて半導体ウエハ22から離す。

【００４６】これと同時に、図３及び図18に示すよう
に、それまでは上昇位置にあった保持具38を仕切板60か
ら離して例えば加熱台５の位置まで下降させる（この
際、図17のように、加熱台５はなお上昇位置にあり、こ
の後にピン６を上昇させてもよい）。そして、バルブ12
を開状態とし、成膜室２を大気中に解放することなしに
真空度を保持しつつ基板搬送アーム９を成膜室２内へ往
動させ、保持具38及び加熱台５と半導体ウエハ22との間
に挿入する。

【００４７】次いで、設置用ピン６を下降させて搬送ア
ーム９上に半導体ウエハ22と共に遮蔽板７を載せる。

【００４８】次いで、図４及び図19に示すように、搬送
アーム９を復動させ、半導体ウエハ22及び遮蔽板７を成
膜室２からロードロック室１へ搬出する。この搬出に際
しては、図３のようにバルブ13は閉じられているので、
成膜室２内は大気に解放されない。

【００４９】次いで、図５に示すように、バルブ42を開
状態とし、搬送アーム９をプラズマクリーニング室40内
へ往動させ、保持具45上に位置させる。なお、プラズマ
クリーニング室40が図19に示すように配置される場合、
搬送アーム９は成膜室２から復動後にほぼ90°時計方向
へ回転し、図５の如くにプラズマクリーニング室40へ向
くことになる。プラズマクリーニング室40内の底部に
は、ガス導出部46と対向して下部電極71が配設されてい
る。

【００５０】次いで、図６に示すように、保持具45が上
昇し、遮蔽板７を下方から支持し、しかる後に、半導体
ウエハ22のみを搬送アーム９上に載せたままプラズマク
リーニング室40から搬出する。そして、この半導体ウエ
ハ22は、バルブ13を開いて搬送アーム９上からロードロ
ック室１の外部へ取り出すことができる。

【００５１】次いで、バルブ42を閉じ、ガス導出部46か
らエッチングガス47である例えばＮＦ₃ガスをクリーニ
ング室40内に供給し、導出部46とクリーニング室40（実
際には下部電極71）との間に高周波電圧48を印加して放
電によるＮＦ₃プラズマを生ぜしめる。このプラズマに
よって、成膜室２内での成膜処理時に付着した金属膜、
例えばタングステン膜を遮蔽板７からエッチングで除去
する。

【００５２】次いで、図７に示すように、再びバルブ42
を開き、搬送アーム９に半導体ウエハ22を載置してプラ
ズマクリーニング室40内に再往動させ、エッチングでク
リーンにされた遮蔽板７の下方に位置させる。

【００５３】次いで、図８に示すように、保持具45を下
降させ、これと同時に搬送アーム９上の半導体ウエハ22
上に遮蔽板７を載せる。

【００５４】そして、このまま搬送アーム９を再復動さ
せ、図９に示すように、遮蔽板７をプラズマクリーニン
グ室40から搬出する。

【００５５】こうして、搬送アーム９上のクリーニング
された遮蔽板７と半導体ウエハ22をロードロック室１へ
搬入した後は、図10に示すように、成膜室２内へ送入す
る。

【００５６】次いで、図11に仮想線で示すように、設置
用ピン６を上昇させ、半導体ウエハ22及び遮蔽板７を保
持し、搬送アーム９を成膜室２から送出する。そして、
下方位置にある保持具38と同時に加熱台５を上昇させ、
次のステップとして半導体ウエハ22にタングステン等を
成膜する。

【００５７】以上に説明したように、本実施例によるＣ
ＶＤ装置とその操作方法（使用方法）によれば、搬送ア
ーム９の往動によって成膜室２に搬入された半導体ウエ
ハ22を設置用ピン６の上昇移動によって遮蔽板７に対し
て設置し、加熱台５を上昇させ、この状態で半導体ウエ
ハ22に成膜処理を施した後に搬送アーム９が再往動して
半導体ウエハ22と共に遮蔽板７を支持し、設置用ピン６
及び保持具38の下降移動後に成膜室２から搬出し、更に
この搬出された遮蔽板７をプラズマクリーニング室40に
搬送して、遮蔽板７上に成膜されたＷ膜等の金属膜をプ
ラズマエッチングで除去しているので、従来技術のよう
に成膜室２内でクリーニングのためのプラズマを発生さ
せることは不要となる。

【００５８】従って、成膜室２内の各部品、例えばＡｌ
製の加熱台５や成膜室の壁材に損傷を与えることがな
く、この損傷によるＡｌＦ₃粉やＡｌ粉等の異物の発生
を著しく減少させることができる。この結果、飛躍的に
装置の稼働率を向上させることができる。そして、後述
するように、遮蔽板７のクリーニングをロードロック室
１での基板22の入れ替えと同期させることによって、ク
リーニングによる稼働率低下もなくなる。

【００５９】なお、遮蔽板７がたとえ損傷を受けても、
プラズマクリーニング室40においてこれを大気圧に解放
して新しいものと交換することが可能であり、成膜室２
内を大気に解放する必要はなくなる。

【００６０】図21には、タングステン膜中での 0.3μｍ
以上の異物の数と処理基板の枚数を示す（但し、遮蔽板
７はＷの１μｍの成膜を50枚行う毎に、プラズマクリー
ニング室40に搬送され、ＮＦ₃によるプラズマクリーニ
ングを行った）。これによれば、基板22を5000枚処理し
た後でも異物の個数の上昇は全く見られなかった。

【００６１】図22〜図26は、本発明をタングステン等の
ＣＶＤ装置に適用した第２の実施例を示すものである。

【００６２】本実施例では、上述の第１の実施例が保持
具38の上下動を行うようにしたのに対し、保持具は従来
例の保持具８と同様に固定し、この代わりに基板搬送ア
ームを上下動させることにより、上述の第１の実施例と
同様に成膜遮蔽板７をプラズマクリーニング室40に搬送
し、ここでプラズマエッチング処理するものである。

【００６３】即ち、本実施例によるＣＶＤ装置は、成膜
遮蔽板７の保持具８が固定されているが、基板搬送アー
ム59は支軸69に沿って上下動可能に構成され、また、こ
の上下動分に対応してロードロック室１と成膜室２との
仕切壁に設ける開口50とバルブ52は大きめに形成されて
いる。その他は、上述の第１の実施例と同様の構成を有
している。

【００６４】本実施例によるＣＶＤ装置の操作を説明す
ると、図２と同様に図22に示すように、成膜室２内で半
導体ウエハ22にタングステン膜を成膜した後に設置用ピ
ン６を上昇させて半導体ウエハ22を支持する。

【００６５】次いで、図23に示すように、ピン６を加熱
台５と共に更に上昇させ、これと同時に、搬送アーム59
を半導体ウエハ22の下面の高さレベル近傍まで上昇させ
る。

【００６６】次いで、図24に示すように、バルブ52を開
状態とし、成膜室２を大気中に解放することなしに真空
度を保持しつつ基板搬送アーム59を成膜室２内へ往動さ
せ、保持具８と半導体ウエハ22との間に挿入する。次い
で、設置用ピン６及び加熱台５を下降させ、搬送アーム
59上に半導体ウエハ22と共に遮蔽板７を載せる。

【００６７】次いで、搬送アーム59を復動させ、半導体
ウエハ22及び遮蔽板７を成膜室２からロードロック室１
へ搬出する。この際、バルブ13が閉じられているので、
成膜室２内は大気に解放されない。

【００６８】次いで、図25に示すように、バルブ42を開
状態とし、搬送アーム59をプラズマクリーニング室40内
へ往動させ、保持具８と同様の保持具55上に位置させ
る。保持具55は、保持具８が遮蔽板７を保持する周囲が
連続したリングであるのに対して、搬送アーム59が上下
動するための切欠き部が図13の70と同様にその周囲に１
箇所又は２箇所に設けられている。

【００６９】次いで、図26に示すように、搬送アーム59
が下降し、遮蔽板７を保持具55上に載せて支持させ、し
かる後に、半導体ウエハ22のみを搬送アーム59上に載せ
たままプラズマクリーニング室40から搬出する。そし
て、バルブ42を閉じてから、バルブ13を開いて半導体ウ
エハ22を搬送アーム59上からロードロック室１の外部へ
取り出すことができる。

【００７０】バルブ42は閉じられているので、ガス導出
部46からエッチングガス47である例えばＮＦ₃ガスをク
リーニング室40内に供給し、導出部46とクリーニング室
40との間に高周波電圧48を印加して放電によるＮＦ₃プ
ラズマを生ぜしめる。このプラズマによって、成膜室２
内での成膜処理時に付着した金属膜、例えばタングステ
ン膜を遮蔽板７からエッチングで除去する。

【００７１】次いで、図25と同様に、再びバルブ42を開
き、搬送アーム59上に半導体ウエハ22を載置してプラズ
マクリーニング室40内に再往動させ、エッチングでクリ
ーンにされた遮蔽板７の下方に位置させる。

【００７２】次いで、図25に示した高さまで搬送アーム
59を上昇させ、半導体ウエハ22上に遮蔽板７を載せる。

【００７３】そして、このまま搬送アーム59を再復動さ
せ、半導体ウエハ22上に遮蔽板７を載置し、プラズマク
リーニング室40から搬出する。

【００７４】こうして、半導体ウエハ22及び遮蔽板７を
載置したアーム59はロードロック室１へ搬入した後、成
膜室２内へ送入し、設置用ピン６を上昇させてウエハ22
及び遮蔽板７を保持し、搬送アーム59を成膜室２から送
出する。次いで、加熱台５を上昇させ、図22に示す状態
にし、次のステップとして半導体ウエハ22にタングステ
ン等を成膜する。

【００７５】以上に説明したように、本実施例によるＣ
ＶＤ装置とその操作方法（使用方法）によれば、搬送ア
ーム59を上下動させることによって操作を行うが、上述
した第１の実施例と同様、成膜室２から搬出された遮蔽
板７をプラズマクリーニング室40に搬送して、遮蔽板７
上に成膜されたＷ膜等の金属膜をプラズマエッチングで
除去しているので、従来技術のように成膜室２内でのク
リーニングのためのプラズマを発生させることは不要と
なる等の効果を得ることができる。

【００７６】図27〜図33は、本発明をタングステン等の
ＣＶＤ装置に適用した第３の実施例を示すものである。

【００７７】本実施例では、上述の第１の実施例が遮蔽
板７をプラズマクリーニング室40でエッチング処理する
のに対し、ロードロック室１又は基板投入部61を配し、
かつ、遮蔽板７はプラズマエッチングしないでも基板投
入部61において新しい遮蔽板と交換できるようにしてい
る。この交換は、径の異なる半導体ウエハ間で行ってよ
い。図27〜図32に示す基板投入部61は実際には、図１〜
図４に示したと同様のロードロック室１として構成され
ている。

【００７８】本実施例によるＣＶＤ装置の動作を説明す
ると、まず図27に示すように、半導体ウエハ22を基板搬
送アーム９にセットし、開放されたバルブ12による開口
10を通して成膜室２内へ往動させる。

【００７９】こうして、成膜されるべき半導体基板22を
ロードロック室１より基板搬送アーム９により成膜室２
内に搬入した後、図28に示すように、基板設置用ピン６
を上昇させて基板22を押上げ、更に保持具38から成膜遮
蔽板７を持ち上げ、基板22上に設置する。

【００８０】次いで、図29に示すように、基板搬送アー
ム９を復動させ、基板加熱台５を上昇させ、基板22がそ
のエッジ部への成膜を防止するための成膜遮蔽板７と共
に基板加熱台５上に設置される。しかる後、設置用ピン
６は元の位置へ下降する。

【００８１】次いで、図１に示したと同様に、成膜室２
の外部から窓23を通してヒータランプ24からの加熱ビー
ム25を基板加熱台５に照射してこの加熱台を例えば 480
℃に加熱し、これによってウエハ22を十分（例えば約 4
20〜430 ℃）に加熱すると、反応ガス吹き出し口15より
反応ガス４（ボンベ26から調整バルブ27を通して供給さ
れる例えば六弗化タングステン（ＷＦ₆）、水素等の混
合ガス）を吹き出させる。これによって、基板22上に
は、ＣＶＤによるＷ膜を成膜する。なお、余剰のガスは
保持具８より上部に設けられた複数の排気口へ流れる。
排気口は排気ポンプに接続されている。

【００８２】次いで、図30に示すように、それまでは上
昇位置にあった保持具38を仕切板60から下降させる。こ
の際、加熱台５はなお上昇位置にあり、この後にピン６
を上昇させる。

【００８３】次いで、図31に示すように、加熱台５を下
降させ、半導体ウエハ22と共に遮蔽板７をピン６上に載
せる。

【００８４】次いで、図32に示すように、バルブ12を開
状態とし、基板搬送アーム９を成膜室２内へ往動させ、
加熱台５と半導体ウエハ22との間に挿入する。そして、
ピン６を下降させて基板22及び遮蔽板７を搬送アーム９
上に移した後、搬送アーム９を復動させ、半導体ウエハ
22及び遮蔽板７を成膜室２から搬出する。このときも、
図３で述べたと同様、成膜室２内は大気に解放されな
い。

【００８５】次いで、成膜室２の外部、即ち、基板投入
部61において、遮蔽板７及びウエハ22を取り出し、遮蔽
板７を新しい未使用の遮蔽板と交換し、半導体ウエハ22
と共に搬送アーム９上に載せる。これは、上述したバル
ブ13を開けて行うことができ、バルブ12は閉じて成膜室
２は大気に解放することはない。

【００８６】そして、半導体ウエハ22及び遮蔽板７をロ
ードロック室１へ搬入し、成膜室２へ送入する。次い
で、設置用ピン６を上昇させて半導体ウエハ22及び遮蔽
板７を保持し、搬送アーム９を成膜室２から送出する。
下方位置にある保持具38と同時に加熱台５を上昇させ、
半導体ウエハ22にタングステン等を成膜する。

【００８７】以上に説明したように、本実施例によるＣ
ＶＤ装置とその操作方法（使用方法）によれば、成膜室
２内の成膜遮蔽板７を搬出し、成膜室２の真空を保った
まま任意に外部に取り出し、交換可能であるので、成膜
遮蔽板７上のＷ膜をプラズマエッチングにより取り去る
必要がなくなる。

【００８８】即ち、この第３の実施例においては（上述
の第１、第２の実施例でも同様）、プラズマ発生装置を
成膜室に設ける必要がなくなり、従来問題となっていた
プラズマ処理による装置部品の損傷や、これに付随して
発生する異物の増加による歩留り低下が改善され、更に
稼働率も飛躍的に改善され、安定した工程により高品質
の製品を製造することができる。

【００８９】図33は、タングステン膜中での 0.3μｍ以
上の異物の数と処理基板の枚数を示す（但し、遮蔽板７
はＷの１μｍの成膜を50枚行う毎に、プラズマクリーニ
ング室40に搬送され、新品に交換される）。これによれ
ば、基板22を5000枚処理した後でも異物の数の上昇は全
く見られなかった。

【００９０】なお、図27〜図32に示した装置は、図22〜
図24で示した例のように、保持具38を固定し、搬送アー
ム９を上下動可能としてもよい。この場合の操作は図22
〜図24で述べたと同様であるので、ここでは説明を省略
する。

【００９１】以上、本発明を実施例について説明した
が、上述の実施例は本発明の技術的思想に基いて種々に
変形が可能である。

【００９２】例えば、上述した成膜室、プラズマクリー
ニング室及びロードロック室に使用する各構成部材の形
状、構造、材質等は様々に選択することができる。上下
動機構はエアシリンダ以外にも送りねじ機構等でもよ
く、基板加熱台の加熱も抵抗加熱であってよい。移動可
能な各部材の移動方向は変更してよい。

【００９３】また、半導体ウエハに対する処理は、Ｗ膜
だけでなく、Ｍｏ、Ａｌ等、その他の金属膜や誘電体膜
の成膜であってよく、熱化学反応を利用した成膜に適用
できる。また、プラズマにより成膜室内をクリーニング
するＣＶＤ成膜装置全体に応用できる。

【００９４】

【発明の作用効果】本発明は、上述した如く、搬送手段
の往動によって前記処理室に搬入された半導体基体を前
記設置手段の例えば上昇移動によって前記遮蔽手段に対
して設置し、この状態で前記半導体基体に所定の処理を
施した後に前記搬送手段が再往動して前記半導体基体と
共に前記遮蔽手段を支持し、前記設置手段及び前記保持
手段の例えば下降移動後に前記処理室から搬出するよう
にしているので、この搬出された遮蔽手段をプラズマク
リーニング室等に搬送して処理し、前記処理室でクリー
ニングのためのプラズマを発生させること等は不要とな
る。

【００９５】従って、処理室内の各部品に損傷を与える
ことがなく、この損傷による異物の発生を著しく減少さ
せることができる。この結果、飛躍的に装置の稼働率を
向上させることができる。

【００９６】また、このような顕著な効果は、搬送手段
の往動によって前記処理室に搬入された半導体基体を前
記設置手段の例えば上昇移動によって前記遮蔽手段に対
して設置し、この状態で前記半導体基体に所定の処理を
施した後に前記設置手段が更に例えば上昇移動し、前記
搬送手段が例えば上昇移動及び再往動して前記半導体基
体と共に前記遮蔽手段を支持し、前記設置手段の例えば
下降移動後に前記処理室から搬出するようにしても得る
ことができる。この場合は、処理室内の遮蔽手段を搬出
し、交換可能であるので、例えば遮蔽手段上のＷ膜をプ
ラズマエッチングにより取り去る必要がなくなる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の実施例によるＣＶＤ装置の一工程段階
を示す概略断面図である。

【図２】同ＣＶＤ装置の一工程段階を示す概略断面図で
ある。

【図３】同ＣＶＤ装置の他の一工程段階を示す概略断面
図である。

【図４】同ＣＶＤ装置の他の一工程段階を示す概略断面
図である。

【図５】同ＣＶＤ装置の他の一工程段階を示す概略断面
図である。

【図６】同ＣＶＤ装置の他の一工程段階を示す概略断面
図である。

【図７】同ＣＶＤ装置の他の一工程段階を示す概略断面
図である。

【図８】同ＣＶＤ装置の他の一工程段階を示す概略断面
図である。

【図９】同ＣＶＤ装置の他の一工程段階を示す概略断面
図である。

【図10】同ＣＶＤ装置の他の一工程段階を示す概略断面
図である。

【図11】同ＣＶＤ装置の更に他の一工程段階を示す概略
断面図である。

【図12】同ＣＶＤ装置の成膜室の要部の斜視図である。

【図13】同ＣＶＤ装置のプラズマクリーニング室の要部
の斜視図である。

【図14】同ＣＶＤ装置の一工程段階を示す要部の斜視図
である。

【図15】同ＣＶＤ装置の他の一工程段階を示す要部の斜
視図である。

【図16】同ＣＶＤ装置の他の一工程段階を示す要部の斜
視図である。

【図17】同ＣＶＤ装置の他の一工程段階を示す要部の斜
視図である。

【図18】同ＣＶＤ装置の他の一工程段階を示す要部の斜
視図である。

【図19】同ＣＶＤ装置の更に他の一工程段階を示す要部
の斜視図である。

【図20】同ＣＶＤ装置の概略レイアウト図である。

【図21】同ＣＶＤ装置によるウエハ処理枚数と発生した
異物の個数との関係を示すグラフである。

【図22】本発明の他の実施例によるＣＶＤ装置の一工程
段階を示す概略断面図である。

【図23】同ＣＶＤ装置の一工程段階を示す概略断面図で
ある。

【図24】同ＣＶＤ装置の他の一工程段階を示す概略断面
図である。

【図25】同ＣＶＤ装置の他の一工程段階を示す概略断面
図である。

【図26】同ＣＶＤ装置の更に他の一工程段階を示す概略
断面図である。

【図27】本発明の他の実施例によるＣＶＤ装置の一工程
段階を示す概略断面図である。

【図28】同ＣＶＤ装置の他の一工程段階を示す概略断面
図である。

【図29】同ＣＶＤ装置の他の一工程段階を示す概略断面
図である。

【図30】同ＣＶＤ装置の他の一工程段階を示す概略断面
図である。

【図31】同ＣＶＤ装置の他の一工程段階を示す概略断面
図である。

【図32】同ＣＶＤ装置の更に他の一工程段階を示す概略
断面図である。

【図33】同ＣＶＤ装置によるウエハ処理枚数と発生した
異物の個数との関係を示すグラフである。

【図34】従来例によるＣＶＤ装置の一工程段階を示す概
略断面図である。

【図35】同ＣＶＤ装置の他の一工程段階を示す概略断面
図である。

【図36】同ＣＶＤ装置の他の一工程段階を示す概略断面
図である。

【図37】同ＣＶＤ装置の他の一工程段階を示す概略断面
図である。

【図38】同ＣＶＤ装置の更に他の一工程段階を示す概略
断面図である。

【図39】同ＣＶＤ装置の成膜室の要部の斜視図である。

【図40】同ＣＶＤ装置によるウエハ処理枚数と発生した
異物の個数との関係を示すグラフである。

【符号の説明】

１・・・ロードロック室２・・・成膜室４・・・反応ガス５・・・基板加熱台６・・・基板設置用ピン７・・・成膜遮蔽板８、38、45・・・保持具９、59・・・基板搬送アーム 12、13、42・・・バルブ 14、46・・・反応ガス導出部 15・・・反応ガス吹き出し口 18、19、43、73・・・フィードスルー 20、21・・・作動杆 22・・・半導体ウエハ又は半導体基板 24・・・ヒータランプ 26・・・ボンベ 40・・・プラズマクリーニング室 43・・・エアシリンダ 47・・・エッチングガス 48・・・電源 60・・・仕切板

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.⁶ 識別記号庁内整理番号ＦＩ技術表示箇所 // Ｃ２３Ｃ 16/44 Ｃ２３Ｃ 16/44 ＪＦ

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】半導体基体の処理室内に、この半導体基
体の非処理部分を遮蔽する遮蔽手段と、この遮蔽手段を
保持し、第１の方向に移動可能な保持手段と、前記半導
体基体を前記遮蔽手段に対して設置し、前記第１の方向
に移動可能な設置手段とがそれぞれ設けられ、前記半導
体基体を前記処理室に対して第２の方向に搬入及び搬出
するための搬送手段を有し、この搬送手段の往動によっ
て前記処理室に搬入された前記半導体基体を前記設置手
段の往動によって前記遮蔽手段に対して設置し、この状
態で前記半導体基体に所定の処理を施した後に前記搬送
手段が再往動して前記半導体基体と共に前記遮蔽手段を
支持し、前記設置手段及び前記保持手段の復動後に前記
処理室から搬出するように構成された半導体基体処理装
置。
【請求項２】半導体基体の処理室内に、この半導体基
体の非処理部分を遮蔽する遮蔽手段と、この遮蔽手段を
保持する上下動可能な保持手段と、前記半導体基体を前
記遮蔽手段に対して設置する上下動可能な設置手段とが
それぞれ設けられ、前記半導体基体を前記処理室に対し
て横方向に搬入及び搬出するための搬送手段を有し、こ
の搬送手段の往動によって前記処理室に搬入された半導
体基体を前記設置手段の上昇移動によって前記遮蔽手段
に対して設置し、この状態で前記半導体基体に所定の処
理を施した後に前記搬送手段が再往動して前記半導体基
体と共に前記遮蔽手段を支持し、前記設置手段及び前記
保持手段の下降移動後に前記処理室から搬出するように
構成された、請求項１に記載した装置。
【請求項３】半導体基体の処理室内に、この半導体基
体の非処理部分を遮蔽する遮蔽手段と、この遮蔽手段を
保持する保持手段と、前記半導体基体を前記遮蔽手段に
対して設置し、第１の方向に移動可能な設置手段とがそ
れぞれ設けられ、前記半導体基体を前記処理室に対して
第２の方向に搬入及び搬出するための、前記第１の方向
に移動可能な搬送手段を有し、この搬送手段の前記第２
の方向での往動によって前記処理室に搬入された前記半
導体基体を前記設置手段の往動によって前記遮蔽手段に
対して設置し、この状態で前記半導体基体に所定の処理
を施した後に前記設置手段が更に往動し、前記搬送手段
が前記第１の方向で往動及び前記第２の方向で再往動し
て前記半導体基体と共に前記遮蔽手段を支持し、前記設
置手段の復動後に前記処理室から搬出するように構成さ
れた半導体基体処理装置。
【請求項４】半導体基体の処理室内に、この半導体基
体の非処理部分を遮蔽する遮蔽手段と、この遮蔽手段を
保持する保持手段と、前記半導体基体を前記遮蔽手段に
対して設置する上下動可能な設置手段とがそれぞれ設け
られ、前記半導体基体を前記処理室に対して横方向に搬
入及び搬出するための上下動可能な搬送手段を有し、こ
の搬送手段の往動によって前記処理室に搬入された前記
半導体基体を前記設置手段の上昇移動によって前記遮蔽
手段に対して設置し、この状態で前記半導体基体に所定
の処理を施した後に前記設置手段が更に上昇移動し、前
記搬送手段が上昇移動及び再往動して前記半導体基体と
共に前記遮蔽手段を支持し、前記設置手段の下降移動後
に前記処理室から搬出するように構成された、請求項３
に記載した装置。
【請求項５】半導体基体の処理室内に、前記半導体基
体を支持しかつ加熱する加熱手段を備えた、請求項１〜
４のいずれか１項に記載した装置。
【請求項６】半導体基体の処理室に隣接して、半導体
基体搬送手段を収容したロードロック室が設けられてい
る、請求項１〜５のいずれか１項に記載した装置。
【請求項７】ロードロック室に隣接して、半導体基体
搬送手段が支持した半導体基体及び遮蔽手段を搬入及び
搬出させるための第２の処理室が設けられている、請求
項６に記載した装置。
【請求項８】半導体基体搬送手段によって半導体基体
及び遮蔽手段を第２の処理室に搬入した後、この第２の
処理室内において遮蔽手段を保持する上下動可能な保持
手段の上昇移動によって前記遮蔽手段を保持し、前記半
導体基体搬送手段によって前記半導体基体を前記第２の
処理室から搬出した後、前記遮蔽手段を前記第２の処理
室内で処理するように構成された、請求項７に記載した
装置。
【請求項９】半導体基体搬送手段によって半導体基体
及び遮蔽手段を第２の処理室に搬入した後、前記半導体
基体搬送手段の下降移動によって前記遮蔽手段を保持手
段上に保持させ、前記半導体基体搬送手段によって前記
半導体基体を前記第２の処理室から搬出した後、前記遮
蔽手段を前記第２の処理室内で処理するように構成され
た、請求項７に記載した装置。
【請求項10】半導体基体の処理室が成膜室として構成
され、遮蔽手段を処理する第２の処理室がプラズマエッ
チング室として構成されている、請求項１〜９のいずれ
か１項に記載した装置。
【請求項11】処理室内において半導体基体の非処理部
分を遮蔽手段によって遮蔽しながら前記半導体基体に所
定の処理を施した後、前記処理室を大気中に解放するこ
となしに前記遮蔽手段を前記処理室から搬出するように
した、半導体基体処理装置の使用方法。
【請求項12】処理室内において半導体基体の非処理部
分を遮蔽手段によって遮蔽しながら前記半導体基体に所
定の処理を施した後、前記処理室を大気中に解放するこ
となしに前記遮蔽手段を前記処理室から搬出し、更にこ
の状態で、前記遮蔽手段を第２の処理室へ搬入するよう
にした、請求項11に記載した方法。
【請求項13】遮蔽手段と処理された半導体基体とを処
理室から搬出した後にプラズマクリーニング室へ搬入
し、次いで前記半導体基体を前記プラズマクリーニング
室から搬出し、次いで前記遮蔽手段をクリーニング処理
する、請求項12に記載した方法。
【請求項14】処理された遮蔽手段を第２の処理室から
搬出した後、再び半導体基体の処理室に搬入する、請求
項12又は13に記載した方法。
【請求項15】半導体基体を成膜処理し、この成膜時に
付着した成膜材料を遮蔽手段から除去する、請求項12〜
14のいずれか１項に記載した方法。
【請求項16】半導体基体に金属膜を成膜し、遮蔽手段
に付着した金属膜材料をプラズマエッチングで除去す
る、請求項15に記載した方法。
【請求項17】遮蔽手段と処理された半導体基体とを処
理室から搬出し、前記遮蔽手段を別の遮蔽手段と交換
し、この別の遮蔽手段を前記処理室へ搬入する、請求項
11に記載した方法。
【請求項18】金属膜が成膜された半導体基体と共に処
理室から搬出された遮蔽手段を未使用の新しい遮蔽手段
と交換する、請求項17に記載した方法。