JPH09331692A - モータの駆動回路 - Google Patents
モータの駆動回路Info
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- JPH09331692A JPH09331692A JP8168696A JP16869696A JPH09331692A JP H09331692 A JPH09331692 A JP H09331692A JP 8168696 A JP8168696 A JP 8168696A JP 16869696 A JP16869696 A JP 16869696A JP H09331692 A JPH09331692 A JP H09331692A
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- 230000001934 delay Effects 0.000 claims 2
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- Control Of Motors That Do Not Use Commutators (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目 的】本発明は、単相ブラシレスＤＣモータの効率
向上とＭＯＳＦＥＴによるバイポーラ通電のドライブ回
路を安価に実現することを目的とする。 【構 成】２個のＰチャンネルＭＯＳＦＥＴを電源側
に、２個のＮチャンネルＭＯＳＦＥＴを零電位側に配置
することでＨブリッジ回路を構成し、該Ｈブリッジ回路
の中間接続点に単相ブラシレスＤＣモータのコイルを接
続してバイポーラ通電する駆動回路において、通電切り
替え毎に動作する簡素化したデッドタイム回路を設け、
同時に通電する一対のＰチャンネルＭＯＳＦＥＴとＮチ
ャンネルＭＯＳＦＥＴのゲート信号を１個のＰＮＰトラ
ンジスタのエミツタ側にＰチャンネルＭＯＳＦＥＴを、
コレクタ側にＮチャンネルＭＯＳＦＥＴを接続する よ
うに構成した。
向上とＭＯＳＦＥＴによるバイポーラ通電のドライブ回
路を安価に実現することを目的とする。 【構 成】２個のＰチャンネルＭＯＳＦＥＴを電源側
に、２個のＮチャンネルＭＯＳＦＥＴを零電位側に配置
することでＨブリッジ回路を構成し、該Ｈブリッジ回路
の中間接続点に単相ブラシレスＤＣモータのコイルを接
続してバイポーラ通電する駆動回路において、通電切り
替え毎に動作する簡素化したデッドタイム回路を設け、
同時に通電する一対のＰチャンネルＭＯＳＦＥＴとＮチ
ャンネルＭＯＳＦＥＴのゲート信号を１個のＰＮＰトラ
ンジスタのエミツタ側にＰチャンネルＭＯＳＦＥＴを、
コレクタ側にＮチャンネルＭＯＳＦＥＴを接続する よ
うに構成した。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、ファン等に使用される
ＤＣブラシレスモータの駆動回路に関し、特にモータコ
イルエネルギーの有効活用が可能なＭＯＳＦＥＴのゲー
トドライブと貫通電流防止とを有する駆動回路を供給す
るものである。
ＤＣブラシレスモータの駆動回路に関し、特にモータコ
イルエネルギーの有効活用が可能なＭＯＳＦＥＴのゲー
トドライブと貫通電流防止とを有する駆動回路を供給す
るものである。
【０００２】
【従来の技術】図３は単相ブラシレスＤＣモータコイル
にＭＯＳＦＥＴによるバイポーラ通電の従来例を示す回
路であり、図３において、１はモータに内蔵されている
マグネットロータの回転位置を検出するホール素子、２
はコイル通電方向の切り替え信号を出力するＩＣ、３は
モータコイルの通電方向切り替え時に信号伝達系の微少
な時間ずれにより発生する上下アームＭＯＳＦＥＴ同時
オンによる電源短絡現象を防止するための無通電時間を
発生するデッドタイム回路、４ａ、４ｂはトランジスタ
による信号反転回路、５ａ、５ｂはＰチャンネルＭＯＳ
ＦＥＴでゲートはトランジシタ４ａ及び４ｂのコレクタ
に接続されている、６ａ、６ｂは ＮチャンネルＭＯＳ
ＦＥＴ、９はモータコイル、７ａ，７ｂ，７ｃ，７ｄは
モータコイル通電方向切り替え時にモータコイルから発
生する誘導電圧をバイパスさせるダイオード、８はその
誘導エネルギーを蓄積するコンデンサである。
にＭＯＳＦＥＴによるバイポーラ通電の従来例を示す回
路であり、図３において、１はモータに内蔵されている
マグネットロータの回転位置を検出するホール素子、２
はコイル通電方向の切り替え信号を出力するＩＣ、３は
モータコイルの通電方向切り替え時に信号伝達系の微少
な時間ずれにより発生する上下アームＭＯＳＦＥＴ同時
オンによる電源短絡現象を防止するための無通電時間を
発生するデッドタイム回路、４ａ、４ｂはトランジスタ
による信号反転回路、５ａ、５ｂはＰチャンネルＭＯＳ
ＦＥＴでゲートはトランジシタ４ａ及び４ｂのコレクタ
に接続されている、６ａ、６ｂは ＮチャンネルＭＯＳ
ＦＥＴ、９はモータコイル、７ａ，７ｂ，７ｃ，７ｄは
モータコイル通電方向切り替え時にモータコイルから発
生する誘導電圧をバイパスさせるダイオード、８はその
誘導エネルギーを蓄積するコンデンサである。
【０００３】図４は図３の各部の信号波形を示すタイム
チャートである。図４により図３に示す回路の動作につ
いて説明する。通常運転時には、マグネットロータの回
転によりホール素子１の出力は４−１の波形となり、こ
の位置信号によりＩＣ２は４−２ａ、４−２ｂのような
相補の信号を出力する。デッドタイム回路３の出力は４
−３ａ、４−３ｂのようにオンでＴDの時間遅れを持
ち、４−５ａ、４−５ｂはＰチャンネルＭＯＳＦＥＴの
オン、オフ時間でＴL1のオフ遅れ時間を示し、４−６
ａ、４−６ｂはＮチャンネルＭＯＳＦＥＴのオン、オフ
時間でＴL2のオフ遅れ時間を示すもので、Ｐチャンネル
ＭＯＳＦＥＴのオフ時間はそれ自体の入力容量による遅
れとゲートドライブＮＰＮスイッチングトランジスタ４
ａ、４ｂの飽和領域による蓄積時間の遅れが加わり大き
くなる。４−８はコンデンサの充放電電流を示すもの
で、正方向がモータコイルの誘導エネルギーを電流とし
てコンデンサに充電している期間である。また、負方向
は充電されたエネルギーをコンデンサから放電電流とし
てモータコイルに供給している期間で、この間は電源か
らは電流の供給は不用で効率が良くなる。また、デッド
タイム回路３については、２２ａ、２２ｂの抵抗と、２
３ａ、２３ｂのコンデンサで時間遅れ回路を構成し、コ
ンパレータ２４ａ、２４ｂにて比較し、デッドタイムを
発生させている。また、トランジスタ２１ａ、２１ｂは
コンデンサ２３ａ、２３ｂの電荷を引き抜くためのもの
である。
チャートである。図４により図３に示す回路の動作につ
いて説明する。通常運転時には、マグネットロータの回
転によりホール素子１の出力は４−１の波形となり、こ
の位置信号によりＩＣ２は４−２ａ、４−２ｂのような
相補の信号を出力する。デッドタイム回路３の出力は４
−３ａ、４−３ｂのようにオンでＴDの時間遅れを持
ち、４−５ａ、４−５ｂはＰチャンネルＭＯＳＦＥＴの
オン、オフ時間でＴL1のオフ遅れ時間を示し、４−６
ａ、４−６ｂはＮチャンネルＭＯＳＦＥＴのオン、オフ
時間でＴL2のオフ遅れ時間を示すもので、Ｐチャンネル
ＭＯＳＦＥＴのオフ時間はそれ自体の入力容量による遅
れとゲートドライブＮＰＮスイッチングトランジスタ４
ａ、４ｂの飽和領域による蓄積時間の遅れが加わり大き
くなる。４−８はコンデンサの充放電電流を示すもの
で、正方向がモータコイルの誘導エネルギーを電流とし
てコンデンサに充電している期間である。また、負方向
は充電されたエネルギーをコンデンサから放電電流とし
てモータコイルに供給している期間で、この間は電源か
らは電流の供給は不用で効率が良くなる。また、デッド
タイム回路３については、２２ａ、２２ｂの抵抗と、２
３ａ、２３ｂのコンデンサで時間遅れ回路を構成し、コ
ンパレータ２４ａ、２４ｂにて比較し、デッドタイムを
発生させている。また、トランジスタ２１ａ、２１ｂは
コンデンサ２３ａ、２３ｂの電荷を引き抜くためのもの
である。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】従来の単相ブラシレス
モータのバイポーラ通電では、以上の様にＰチャンネル
ＭＯＳＦＥＴのオフ時間が、ＮチャンネルＭＯＳＦＥＴ
に比べて長く、その時間差ＴL１−ＴL２の間モータコイ
ルエネルギーは、例えば、ＰチャンネルＭＯＳＦＥＴ５
ａとモータコイルそしてダイオード７ｂとで形成される
ル−プで循環して消費され、その循環電流は通電切り替
えの位置で生じるためモータトルクに寄与しない。ま
た、デッドタイム時間ＴDは無通電時間であり、Ｐチャ
ンネルＭＯＳＦＥＴのオフ時間のハ゛ラツキを考慮して決定
するが必要以上長くすることはモータ出力低下につなが
る。本発明は上記のような問題点を簡素化した回路構成
で解消することを目的とするものである。
モータのバイポーラ通電では、以上の様にＰチャンネル
ＭＯＳＦＥＴのオフ時間が、ＮチャンネルＭＯＳＦＥＴ
に比べて長く、その時間差ＴL１−ＴL２の間モータコイ
ルエネルギーは、例えば、ＰチャンネルＭＯＳＦＥＴ５
ａとモータコイルそしてダイオード７ｂとで形成される
ル−プで循環して消費され、その循環電流は通電切り替
えの位置で生じるためモータトルクに寄与しない。ま
た、デッドタイム時間ＴDは無通電時間であり、Ｐチャ
ンネルＭＯＳＦＥＴのオフ時間のハ゛ラツキを考慮して決定
するが必要以上長くすることはモータ出力低下につなが
る。本発明は上記のような問題点を簡素化した回路構成
で解消することを目的とするものである。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明はＰチャンネルＭ
ＯＳＦＥＴとＮチャンネルＭＯＳＦＥＴとのオフ遅れ時
間ＴL1、ＴL2の差を極力少なくして、モータコイル循環
電流を低減し、コンデンサへの充電量を増やす。これを
簡略化した回路で実現するために、同時に通電する一対
のＰチャンネルＭＯＳＦＥＴとＮチャンネルＭＯＳＦＥ
Ｔのそれぞれのゲート信号を、１個のＰＮＰトランジス
タのエミツタ側にＰチャンネルＭＯＳＦＥＴを、コレク
タ側にＮチャンネルＭＯＳＦＥＴを接続し、且つ該トラ
ンジスタを活性領域動作としたものである。また、デッ
ドタイムは、通電方向切り替え信号を、低周波増幅用の
比較的コレクタ容量の大きなトランジスタにベース電流
を大きく流すことでトランジスタのオフ時間を遅らせて
発生させる。
ＯＳＦＥＴとＮチャンネルＭＯＳＦＥＴとのオフ遅れ時
間ＴL1、ＴL2の差を極力少なくして、モータコイル循環
電流を低減し、コンデンサへの充電量を増やす。これを
簡略化した回路で実現するために、同時に通電する一対
のＰチャンネルＭＯＳＦＥＴとＮチャンネルＭＯＳＦＥ
Ｔのそれぞれのゲート信号を、１個のＰＮＰトランジス
タのエミツタ側にＰチャンネルＭＯＳＦＥＴを、コレク
タ側にＮチャンネルＭＯＳＦＥＴを接続し、且つ該トラ
ンジスタを活性領域動作としたものである。また、デッ
ドタイムは、通電方向切り替え信号を、低周波増幅用の
比較的コレクタ容量の大きなトランジスタにベース電流
を大きく流すことでトランジスタのオフ時間を遅らせて
発生させる。
【０００６】
【作 用】上述の如き構成においては、ＭＯＳＦＥＴの
ゲートドライブに安価であるバイポーラトランジスタを
使用するが、スイッチング動作のためコレクタ電流の飽
和期間中にベースに少数キャリアが蓄積され、オフ時に
それが放電されるまでコレクタ電流が流れ続ける蓄積時
間が存在する。しかし、エミツタホロワとして使用すれ
ばオフ時の遅れはほとんど生じない。また、一般的にＰ
チャンネルＭＯＳＦＥＴはＮチャンネルＭＯＳＦＥＴよ
りも入力容量が大きく、スイッチング遅れ時間も大きい
ので、ＰチャンネルＭＯＳＦＥＴはエミッタホロワで早
く、ＮチャンネルＭＯＳＦＥＴはコレクタ接続で若干遅
くドライブすることで、両者のオフ時間の差を軽減でき
る。また、ＩＣからの２つの通電切り替え信号により、
それぞれのトランジスタのベース電流を大きく流し、ト
ランジスタ自体のオフ遅れ時間を３０〜４０μｓ発生さ
せる。その信号で前述のＭＯＳＦＥＴのゲート駆動用ト
ランジスタのベースに、別のトランジスタでたすき掛け
に接続することで、強制的にオフ時間を設けられ相切り
替え毎にデッドタイム時間が生じ上下アームによる電源
短絡現象は生じない。
ゲートドライブに安価であるバイポーラトランジスタを
使用するが、スイッチング動作のためコレクタ電流の飽
和期間中にベースに少数キャリアが蓄積され、オフ時に
それが放電されるまでコレクタ電流が流れ続ける蓄積時
間が存在する。しかし、エミツタホロワとして使用すれ
ばオフ時の遅れはほとんど生じない。また、一般的にＰ
チャンネルＭＯＳＦＥＴはＮチャンネルＭＯＳＦＥＴよ
りも入力容量が大きく、スイッチング遅れ時間も大きい
ので、ＰチャンネルＭＯＳＦＥＴはエミッタホロワで早
く、ＮチャンネルＭＯＳＦＥＴはコレクタ接続で若干遅
くドライブすることで、両者のオフ時間の差を軽減でき
る。また、ＩＣからの２つの通電切り替え信号により、
それぞれのトランジスタのベース電流を大きく流し、ト
ランジスタ自体のオフ遅れ時間を３０〜４０μｓ発生さ
せる。その信号で前述のＭＯＳＦＥＴのゲート駆動用ト
ランジスタのベースに、別のトランジスタでたすき掛け
に接続することで、強制的にオフ時間を設けられ相切り
替え毎にデッドタイム時間が生じ上下アームによる電源
短絡現象は生じない。
【０００７】
【実施例】以下図面によって本発明の実施例を説明す
る。図１は本発明の一実施例を示す回路図である。図１
において１はモータに内蔵されているマグネットロータ
の回転位置を検出するホール素子、２はコイル通電方向
の切り替え信号を出力するＩＣで図３に示す従来技術の
回路と同じであるが、該ＩＣ２の出力は低周波増幅用ト
ランジスタ３１ａ、３１ｂに接続され、該トランジスタ
３１ａ，３１ｂの出力は、ＭＯＳＦＥＴのゲートをドラ
イブするＰＮＰの小信号トランジスタ３０ａ、３０ｂの
ベースに接続され、又、トランジスタ３１ａ，３１ｂの
出力は、それぞれトランジスタ３２ｂ，３２ａのベース
に接続され、そのコレクタはそれぞれトランジスタ３０
ｂ，３０ａに接続され、該小信号トランジスタ３０ａ，
３０ｂのエミツタはＰチャンネルＭＯＳＦＥＴ５ａ，５
ｂのゲートに、コレクタはＮチャンネルＭＯＳＦＥＴ６
ａ，６ｂのゲートにそれぞれ接続されており、モータコ
イル通電方向の切り替え信号を出力するＩＣ２により、
トランジスタ３０ａと３０ｂは交互にオン、オフされ
る。
る。図１は本発明の一実施例を示す回路図である。図１
において１はモータに内蔵されているマグネットロータ
の回転位置を検出するホール素子、２はコイル通電方向
の切り替え信号を出力するＩＣで図３に示す従来技術の
回路と同じであるが、該ＩＣ２の出力は低周波増幅用ト
ランジスタ３１ａ、３１ｂに接続され、該トランジスタ
３１ａ，３１ｂの出力は、ＭＯＳＦＥＴのゲートをドラ
イブするＰＮＰの小信号トランジスタ３０ａ、３０ｂの
ベースに接続され、又、トランジスタ３１ａ，３１ｂの
出力は、それぞれトランジスタ３２ｂ，３２ａのベース
に接続され、そのコレクタはそれぞれトランジスタ３０
ｂ，３０ａに接続され、該小信号トランジスタ３０ａ，
３０ｂのエミツタはＰチャンネルＭＯＳＦＥＴ５ａ，５
ｂのゲートに、コレクタはＮチャンネルＭＯＳＦＥＴ６
ａ，６ｂのゲートにそれぞれ接続されており、モータコ
イル通電方向の切り替え信号を出力するＩＣ２により、
トランジスタ３０ａと３０ｂは交互にオン、オフされ
る。
【０００８】トランジスタ３０ａがオン状態ではＭＯＳ
ＦＥＴ５ａと６ａがオンとなりコイル９に左から右の方
向に通電されて、その後、トランジスタ３０ａがオフす
ると３０ｂがオンとなり、ＭＯＳＦＥＴ５ｂと６ｂがオ
ンとなり、モータコイル９には前とは逆方向に通電され
る。
ＦＥＴ５ａと６ａがオンとなりコイル９に左から右の方
向に通電されて、その後、トランジスタ３０ａがオフす
ると３０ｂがオンとなり、ＭＯＳＦＥＴ５ｂと６ｂがオ
ンとなり、モータコイル９には前とは逆方向に通電され
る。
【０００９】ＰチャンネルＭＯＳＦＥＴのオフ時間はこ
れ自体の入力容量で決まり、本回路でオフ時間遅れＴL1
は約２０μｓ、ＮチャンネルＭＯＳＦＥＴにはＰＮＰト
ランジスタの遅れも加わりＴL2は約１５μｓとなり、時
間差が約５μｓと従来の半分以下になる。また、時間差
を更に少なくするには、ＰＮＰトランジスタのコレクタ
にコレクタ抵抗と並列にコンデンサを挿入して、Ｎチャ
ンネルＭＯＳＦＥＴのオフ時間を遅くすればよい。 こ
の時間差の低減により、モータコイルへの循環電流の時
間が減り、ＭＯＳＦＥＴに並列に接続されたダイオード
７ａと７ｃまたは７ｂと７ｄを経由してモータコイルエ
ネルギーは有効的にコンデンサ８にチャージされ、次の
通電方向切り替え時にモータコイルに供給される。
れ自体の入力容量で決まり、本回路でオフ時間遅れＴL1
は約２０μｓ、ＮチャンネルＭＯＳＦＥＴにはＰＮＰト
ランジスタの遅れも加わりＴL2は約１５μｓとなり、時
間差が約５μｓと従来の半分以下になる。また、時間差
を更に少なくするには、ＰＮＰトランジスタのコレクタ
にコレクタ抵抗と並列にコンデンサを挿入して、Ｎチャ
ンネルＭＯＳＦＥＴのオフ時間を遅くすればよい。 こ
の時間差の低減により、モータコイルへの循環電流の時
間が減り、ＭＯＳＦＥＴに並列に接続されたダイオード
７ａと７ｃまたは７ｂと７ｄを経由してモータコイルエ
ネルギーは有効的にコンデンサ８にチャージされ、次の
通電方向切り替え時にモータコイルに供給される。
【００１０】図２は図１の各部の信号波形を示すタイム
チャートである。図において２−２ａ、２ｂはトランジ
スタ３１ａ，３１ｂの出力波形で、ｔはトランジスタの
遅れ時間であり、２−３ａ，３ｂはゲートドライブＰＮ
Ｐトランジスタ３０ａ，３０ｂのベース信号で、ｔと同
じ時間であるＴＤのデッドタイムが生じる。２−５ａ，
５ｂはＰチャネルＭＯＳＦＥＴのオン．オフ時間でＴＬ
1のオフ遅れ時間は、図４の４−５ａ，５ｂに比べて短
くなる。また２−６ａ，６ｂはＮチャネルＭＯＳＦＥＴ
のオンオフ時間でＴＬ2のオフ遅れ時間は図４の４−６
ａ，６ｂに比べ長くなる。その結果、ＴＬ1とＴＬ2の差
が２ー８のように微少となる。
チャートである。図において２−２ａ、２ｂはトランジ
スタ３１ａ，３１ｂの出力波形で、ｔはトランジスタの
遅れ時間であり、２−３ａ，３ｂはゲートドライブＰＮ
Ｐトランジスタ３０ａ，３０ｂのベース信号で、ｔと同
じ時間であるＴＤのデッドタイムが生じる。２−５ａ，
５ｂはＰチャネルＭＯＳＦＥＴのオン．オフ時間でＴＬ
1のオフ遅れ時間は、図４の４−５ａ，５ｂに比べて短
くなる。また２−６ａ，６ｂはＮチャネルＭＯＳＦＥＴ
のオンオフ時間でＴＬ2のオフ遅れ時間は図４の４−６
ａ，６ｂに比べ長くなる。その結果、ＴＬ1とＴＬ2の差
が２ー８のように微少となる。
【発明の効果】以上詳述したように本発明によれば、同
時に通電する一対のＰチャンネルＭＯＳＦＥＴとＮチャ
ンネルＭＯＳＦＥＴのそれぞれのゲート端子に１個のＰ
ＮＰトランジスタのエミツタ側にＰチャンネルＭＯＳＦ
ＥＴを、コレクタ側にＮチャンネルＭＯＳＦＥＴを接続
して、ＭＯＳＦＥＴのオフ遅れ時間差を低減し、モータ
コイルエネルギーを有効的に利用することが可能であ
る。また、従来方法の通電方向切り換え時のデットタイ
ム回路に対して時定数回路、コンパレータ等を必要とせ
ず、回路構成も簡素化できローコストに対応出来る等の
効果を有している。
時に通電する一対のＰチャンネルＭＯＳＦＥＴとＮチャ
ンネルＭＯＳＦＥＴのそれぞれのゲート端子に１個のＰ
ＮＰトランジスタのエミツタ側にＰチャンネルＭＯＳＦ
ＥＴを、コレクタ側にＮチャンネルＭＯＳＦＥＴを接続
して、ＭＯＳＦＥＴのオフ遅れ時間差を低減し、モータ
コイルエネルギーを有効的に利用することが可能であ
る。また、従来方法の通電方向切り換え時のデットタイ
ム回路に対して時定数回路、コンパレータ等を必要とせ
ず、回路構成も簡素化できローコストに対応出来る等の
効果を有している。
【００１１】
【図１】本発明に成るモータの駆動回路の一実施例を示
す回路構成図である。
す回路構成図である。
【図２】本発明の実施例である図１の回路の動作タイミ
ングチャートと各部の波形である。
ングチャートと各部の波形である。
【図３】従来技術に成るモータの駆動回路の回路構成図
である。
である。
【図４】従来技術による回路構成図の図３の動作タイミ
ングチャートと各部の波形である。
ングチャートと各部の波形である。
１ ホール素子 ２ ＩＣ ３ デッドタイム回路 ４ａ，４ｂ トランジスタ ５ａ，５ｂ ＰチャンネルＭＯＳＦＥＴ ６ａ，６ｂ ＮチャンネルＭＯＳＦＥＴ ７ａ，７ｂ，７ｃ，７ｄ ダイオード ８ コンデンサ ９ モータコイル １０ 基準電圧 ２１ａ，２１ｂ トランジスタ ２２ａ，２２ｂ 抵抗 ２３ａ，２３ｂ コンデンサ ２４ａ，２４ｂ コンパレータ ３０ａ，３０ｂ トランジスタ ３１ａ，３１ｂ トランジスタ ３２ａ，３２ｂ トランジスタ ２−２ａ、２ｂ トランジスタ３１ａ，３１ｂの出力 ２−５ａ、５ｂ ＰチャンネルＭＯＳＦＥＴ５の出力 ２−６ａ、６ｂ ＮチャンネルＭＯＳＦＥＴ６の出力 ２−８ コンデンサ８の電流波形 ４−１ ホール素子１の出力電圧波形 ４−２ａ、２ｂ ＩＣ２の出力波形 ４−３ａ、３ｂ デッドタイム回路３の出力 ４−５ａ、５ｂ ＰチャンネルＭＯＳＦＥＴ５の出力 ４−６ａ、６ｂ ＮチャンネルＭＯＳＦＥＴ６の出力 ４−８ コンデンサ８の電流波形
Claims (2)
- 【請求項１】 ２個のＰチャンネル電界効果形トランジ
スタ（以下ＭＯＳＦＥＴと称する）を電源側に、２個の
ＮチャンネルＭＯＳＦＥＴを零電位側に配置してそれぞ
れ直列に接続してＨブリッジ回路を構成し、その中間接
続点に単相ブラシレスＤＣモータのコイルを接続し、該
コイルにバイポーラ通電するモータの駆動回路におい
て、通電切り替え毎に動作する通電停止（以下デッドタ
イムと称する）回路を具備し、同時に通電するそれぞれ
の一対のＰチャンネルＭＯＳＦＥＴとＮチャンネルＭＯ
ＳＦＥＴのゲート端子を１個ＰＮＰトランジスタで駆動
し、該トランジスタのエミツタ側を前記ＰチャンネルＭ
ＯＳＦＥＴに、コレクタ側を前記ＮチャンネルＭＯＳＦ
ＥＴに接続すること、を特徴とするモータの駆動回路。 - 【請求項２】 前記デッドタイム回路は、相補動作であ
る２つの通電方向切り替え信号を受ける２つのトランジ
スタのベース電流をオーバードライブとし、トランジス
タのオフ時間を遅らせて該２つの信号を他のトランジス
タでたすき掛け接続することで、前記ゲート駆動用トラ
ンジシタを、遅れ時間だけ強制的にオフさせることを特
徴とする請求項１に記載のモータの駆動回路。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8168696A JPH09331692A (ja) | 1996-06-10 | 1996-06-10 | モータの駆動回路 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8168696A JPH09331692A (ja) | 1996-06-10 | 1996-06-10 | モータの駆動回路 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09331692A true JPH09331692A (ja) | 1997-12-22 |
Family
ID=15872776
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8168696A Pending JPH09331692A (ja) | 1996-06-10 | 1996-06-10 | モータの駆動回路 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH09331692A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6995531B2 (en) | 2004-03-22 | 2006-02-07 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Direct current motor drive circuit and fan motor including the same |
| JP2007068391A (ja) * | 2005-08-29 | 2007-03-15 | Asahi Kasei Microsystems Kk | モータのためのデジタルノイズリダクション |
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1996
- 1996-06-10 JP JP8168696A patent/JPH09331692A/ja active Pending
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