JPH0931641A - Sputtering device and sputtering method - Google Patents
Sputtering device and sputtering methodInfo
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- JPH0931641A JPH0931641A JP17914095A JP17914095A JPH0931641A JP H0931641 A JPH0931641 A JP H0931641A JP 17914095 A JP17914095 A JP 17914095A JP 17914095 A JP17914095 A JP 17914095A JP H0931641 A JPH0931641 A JP H0931641A
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Abstract
Description
【0001】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は、基板に成膜を施す
スパッタリング装置およびスパッタリング方法に関す
る。TECHNICAL FIELD The present invention relates to a sputtering apparatus and a sputtering method for forming a film on a substrate.
【0002】[0002]
【従来の技術】従来、ディスクの大量生産に対応するた
めに連続式のスパッタリング装置が用いられてきた。こ
れらは、基本的に小品種大量生産を前提としてタクトの
短縮を目的としたものである。例えば、特開平5−18
4903号公報に開示される構成は、ディスク等の基板
の基板ホルダーへの挿入取り出しを行う第1のステーシ
ョンと、成膜をする第2のステーションとを有し、各ス
テーションが共通の搬送室に向かう開口を有し、搬送室
内に、2つの基板ホルダーを有し、その基板ホルダーは
交互に前記開口に正対する位置に移動可能にして且つ該
開口の放線方向に移動可能に支持された基板搬送装置を
有した構造になっている。そして、第1のステーション
で基板ホルダーへ基板の着脱が行われ、一方で第2のス
テーションで成膜が行われ、処理が終了するごとに基板
搬送装置によってそれぞれの基板ホルダーの位置が第1
のステーションと第2のステーションとを行き来するも
のである。2. Description of the Related Art Conventionally, a continuous sputtering apparatus has been used to cope with mass production of disks. These are basically aimed at shortening the tact time on the premise of mass production of small varieties. For example, JP-A-5-18
The configuration disclosed in Japanese Patent No. 4903 has a first station for inserting / removing a substrate such as a disk into / from a substrate holder, and a second station for forming a film, and each station is a common transfer chamber. A substrate transfer having an opening toward the inside and two substrate holders in the transfer chamber, the substrate holders being alternately movable to a position directly facing the opening and being movable in the radial direction of the opening. It has a structure with a device. Then, the substrate is attached / detached to / from the substrate holder at the first station, while the film is formed at the second station, and each time the processing is completed, the position of each substrate holder is changed to the first position by the substrate transfer device.
Between the second station and the second station.
【0003】[0003]
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、近年に
なり多品種小量生産のニーズが高まり、成膜技術におい
ても小ロットでの処理のニーズが出てきた。しかし、従
来の連続式の成膜装置では、ある程度決まった大きさの
基板を処理することを前提として設計されているので、
基板ホルダーの形状も特定の基板に対して最適な形状に
設計されており、成膜室の形状もそれに対応して形状が
設計されている。従って、多品種の基板を処理すること
に対してハード上の自由度がない。However, in recent years, there has been an increasing need for high-mix low-volume production of a wide variety of products, and there is a need for processing in a small lot in the film forming technique. However, since the conventional continuous film forming apparatus is designed on the assumption that a substrate of a certain size is processed,
The shape of the substrate holder is also designed to be the optimum shape for the particular substrate, and the shape of the film forming chamber is also designed correspondingly. Therefore, there is no hardware freedom for processing a wide variety of substrates.
【0004】本発明は、上記従来技術の問題点に鑑みて
なされたもので、簡単な構成で多品種の基板を連続的に
処理できるスパッタリング装置およびスパッタリング方
法を提案することを目的とする。The present invention has been made in view of the above problems of the prior art, and an object of the present invention is to propose a sputtering apparatus and a sputtering method capable of continuously processing a wide variety of substrates with a simple structure.
【0005】[0005]
【課題を解決するための手段】本発明は、上記課題を解
決するために、以下のように構成した。請求項1の発明
は、基板ホルダーの一部を真空槽の端面と合致する形状
に成し、基板ホルダーと真空槽とを前記合致する部位で
密着および分離可能にするとともに、基板ホルダーと真
空槽を前記部位で密着させた際に、基板ホルダーと真空
槽とで囲まれる空間を外気から分離した真空処理室とし
て構成するようにしたスパッタリング装置とした。In order to solve the above-mentioned problems, the present invention has the following constitution. According to a first aspect of the present invention, a part of the substrate holder is formed in a shape that matches the end surface of the vacuum chamber, and the substrate holder and the vacuum chamber can be brought into close contact with and separated from each other in the matching region. When the above was closely contacted with the above-mentioned site, the space surrounded by the substrate holder and the vacuum chamber was configured as a vacuum processing chamber separated from the outside air.
【0006】請求項2の発明に係るスパッタリング方法
は、基板ホルダーに基板を装着した後、基板ホルダーを
真空槽に対して移送し、基板ホルダーの一部と真空槽の
端面を密着して真空処理室を形成した後、基板ホルダー
に装着した基板に成膜を施し、次いで基板ホルダーを真
空槽から分離して次工程へ移送するようにした。In the sputtering method according to the second aspect of the present invention, after the substrate is mounted on the substrate holder, the substrate holder is transferred to the vacuum chamber, and a part of the substrate holder and the end face of the vacuum chamber are brought into close contact with each other to perform the vacuum treatment. After forming the chamber, the substrate mounted on the substrate holder was subjected to film formation, and then the substrate holder was separated from the vacuum chamber and transferred to the next step.
【0007】上記請求項1の構成にあっては、基板ホル
ダーの一部を真空槽の端面と合致する形状とし、両者は
その端面において密着分離可能とすることにより、基板
ホルダーの上記一部以外の部分を多種の形状の基板に対
応して基板を保持できるように形状を設計することがで
きる。従って、基板の形状とは関わりなく真空処理室を
構成できる。すなわち、一つの決まったスパッタリング
装置で多種の基板の成膜に対応することができる。According to the structure of claim 1, a part of the substrate holder is shaped so as to match the end face of the vacuum chamber, and both end faces can be closely adhered to each other so as to be separated from the part of the substrate holder. The shape of the part can be designed so that the board can be held corresponding to the board of various shapes. Therefore, the vacuum processing chamber can be configured regardless of the shape of the substrate. That is, it is possible to cope with film formation on various types of substrates with one fixed sputtering apparatus.
【0008】また、上記請求項2の構成にあっては、基
板を装着した基板ホルダーを真空槽に密着させることで
真空処理室を形成し、真空処理室内で基板に成膜し、成
膜が終了した基板ホルダーを真空槽から分離し、次工程
へ移送できるので連続的な処理が可能となる。Further, in the above-mentioned structure of the present invention, a vacuum processing chamber is formed by adhering a substrate holder on which a substrate is mounted to a vacuum chamber, and a film is formed on the substrate in the vacuum processing chamber. Since the completed substrate holder can be separated from the vacuum chamber and transferred to the next step, continuous processing becomes possible.
【0009】[0009]
【発明の実施の形態】図1〜図5を用いて本発明に係る
スパッタリング装置の実施の形態1を説明する。図1は
本発明の実施の形態1の真空処理を行う部分を示す断面
図である。真空槽1は上方に開口部を有する円筒状に形
成され、ガス導入口2および排気口3が設けられてい
る。ガス導入口2は図示しない流量弁を介して図示しな
いボンベに接続され、排気口3は図示しない排気弁を介
して図示しないポンプに接続されている。真空槽1内に
は開口部の方向に向けたターゲット4が真空槽1とは電
気的に絶縁されて支持されており、電源5と電気的に接
続されている。ターゲット4の支持の部分は本発明の主
旨からは外れるため詳細の構造は図示せず概念的に表し
てあるが、周知のスパッタリング装置の構造と同様でよ
い。真空槽1の上端面1aは平面に加工され、この上端
面1aに環状溝1bが形成されるとともに、環状溝1b
に嵌合するようにOリング6が配置されている。DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS A first embodiment of a sputtering apparatus according to the present invention will be described with reference to FIGS. 1 is a cross-sectional view showing a portion for performing vacuum processing according to Embodiment 1 of the present invention. The vacuum chamber 1 is formed in a cylindrical shape having an opening at the top, and is provided with a gas introduction port 2 and an exhaust port 3. The gas inlet 2 is connected to a cylinder (not shown) via a flow valve (not shown), and the exhaust port 3 is connected to a pump (not shown) via an exhaust valve (not shown). A target 4 directed toward the opening is supported in the vacuum chamber 1 while being electrically insulated from the vacuum chamber 1, and is electrically connected to a power source 5. Since the supporting portion of the target 4 is out of the scope of the present invention, the detailed structure is conceptually shown (not shown), but may be the same as the structure of a known sputtering apparatus. The upper end surface 1a of the vacuum chamber 1 is processed into a flat surface, and an annular groove 1b is formed on the upper end surface 1a, and the annular groove 1b is formed.
The O-ring 6 is arranged so as to be fitted in.
【0010】図2は本実施の形態1に係るスパッタリン
グ装置の基板ホルダー7を示す断面図、図3は基板ホル
ダー7の片面を示す平面図である。基板ホルダー7は材
質がSUSで、厚さ1cm、外径が真空槽1のOリング
6の径よりやや大きい円盤状に形成されており、その中
央部に可撓性のあるプラスチックからなるチャック用の
爪8が設けられている。爪8は、図2および図3に示す
ように、基板ホルダー7の中心を中心とする円周上に9
0°ずつの間隔で4箇所設けられた根元より先の方が外
側に向かってやや太くなった形状に形成されている。4
個の爪8により構成される根元部の外周径は、基板ホル
ダー7で保持を目的とする基板の中央部の穴の内径に対
応するように設定され、先部の外周径は前記穴の内径よ
り大きく設定されており、爪8で基板を保持した際に脱
落しないようになっている。すなわち、基板ホルダー7
は、例えば光ディスクのような中央に穴のあいた基板の
穴に爪8を内側にたわませて挿入することによって保持
するものであり、図4は基板ホルダー7にディスク基板
9をセットした状態を示している。また、爪8を設けた
側における基板ホルダー7の周辺部には真空槽1の上端
面1aと密着する密着部7aが設けられており、この密
着部7aは真空槽1の上端面1aに対応して平面に加工
されている。FIG. 2 is a sectional view showing the substrate holder 7 of the sputtering apparatus according to the first embodiment, and FIG. 3 is a plan view showing one side of the substrate holder 7. The substrate holder 7 is made of SUS, has a thickness of 1 cm, and has an outer diameter of a disk shape slightly larger than the diameter of the O-ring 6 of the vacuum chamber 1. For the chuck made of a flexible plastic at the center thereof. Claws 8 are provided. As shown in FIGS. 2 and 3, the claw 8 is formed on the circumference of the substrate holder 7 centered on the circumference of the claw 8.
The shape is formed in such a manner that the tip of the root provided at four places at intervals of 0 ° is slightly thicker toward the outside. Four
The outer diameter of the base portion formed by the individual claws 8 is set so as to correspond to the inner diameter of the hole in the central portion of the substrate intended to be held by the substrate holder 7, and the outer diameter of the tip portion is the inner diameter of the hole. It is set to be larger so that it does not fall off when the substrate is held by the claw 8. That is, the substrate holder 7
Is to hold the disk substrate 9 by setting the disk substrate 9 in the substrate holder 7 by bending the claw 8 inward and inserting it into a hole of a substrate having a hole in the center such as an optical disk. Shows. In addition, a contact portion 7a that is in close contact with the upper end surface 1a of the vacuum chamber 1 is provided in the peripheral portion of the substrate holder 7 on the side where the claws 8 are provided, and this contact portion 7a corresponds to the upper end surface 1a of the vacuum chamber 1. And then processed into a flat surface.
【0011】図5は真空槽1の開口部を閉塞するように
基板ホルダー7を真空槽1の上端面1aに載置して真空
処理室10を形成した状態を示す断面図であり、基板ホ
ルダー7の密着部7bと真空槽1の上端面1aとを密着
するとともにOリング6を介在させて、基板ホルダー7
と真空槽1を気密の状態にし、基板ホルダー7と真空槽
1とで囲まれる内部空間に真空処理室10が形成される
ようになっている。そして、基板ホルダー7の交換は、
真空処理室10を大気にした状態で行われ、真空槽1か
ら基板ホルダー7を分離し、別の基板ホルダー7を使う
ときには、基板ホルダー7の密着部7aと真空槽1の上
端面1aを接した状態にし、排気口3を通じて真空ポン
プにより真空処理室10内を排気することにより交換で
きる。FIG. 5 is a sectional view showing a state in which the substrate holder 7 is placed on the upper end surface 1a of the vacuum chamber 1 so as to close the opening of the vacuum chamber 1 and the vacuum processing chamber 10 is formed. The contact portion 7b of the vacuum chamber 1 and the upper end surface 1a of the vacuum chamber 1 are in close contact with each other, and the O-ring 6 is interposed therebetween,
The vacuum chamber 1 is made airtight, and the vacuum processing chamber 10 is formed in the internal space surrounded by the substrate holder 7 and the vacuum chamber 1. And the replacement of the substrate holder 7 is
When the vacuum processing chamber 10 is exposed to the atmosphere and the substrate holder 7 is separated from the vacuum chamber 1 and another substrate holder 7 is used, the contact portion 7a of the substrate holder 7 and the upper end surface 1a of the vacuum chamber 1 are brought into contact with each other. In this state, the inside of the vacuum processing chamber 10 is evacuated by the vacuum pump through the exhaust port 3 so as to be replaced.
【0012】上記構成は請求項1に対応する実施の形態
であり、その作用効果は、基板ホルダー7はその密着部
7aのみが真空槽1の上端面1aと気密に接し得るよう
な形状に設計され、その中央部に設けた基板保持チャッ
ク用の爪8の部分は中央部に穴の開いたディスク状の基
板8をターゲット4に対向させた状態で保持することが
できるようになっている。従って、本発明の実施の形態
1のスパッタリング装置で上記のような内部に穴のある
ディスク基板8にスパッタ処理が可能である。さらに、
真空処理室10内に収納可能な大きさの基板であれば、
基板の大小に限定されることなく基板ホルダー7で保持
することができる。The above structure is an embodiment corresponding to claim 1, and the operation and effect thereof is designed in such a shape that only the contact portion 7a of the substrate holder 7 can be in airtight contact with the upper end surface 1a of the vacuum chamber 1. The portion of the claw 8 for the substrate holding chuck provided in the central portion can hold the disk-shaped substrate 8 having a hole in the central portion while facing the target 4. Therefore, the sputtering apparatus according to the first embodiment of the present invention can perform the sputtering process on the disk substrate 8 having the hole as described above. further,
If the substrate has a size that can be stored in the vacuum processing chamber 10,
The size of the substrate is not limited, and the substrate can be held by the substrate holder 7.
【0013】なお、スパッタは周知のように例えばアル
ミニウムのターゲット4がセットされた真空処理室10
を真空ポンプで排気した後、ガス導入口3からアルゴン
ガスを導入して電源5よりターゲット4にRFパワー等
を入力してアルミニウムをスパッタできる。なお、スパ
ッタする材料やスパッタガスは上記のものに限られず、
種々の材料やガスを用いてもよく、ガスの圧力や投入パ
ワー等、スパッタ条件は適宜設定できることは周知の通
りであり言うまでもない。As is well known, sputtering is performed in a vacuum processing chamber 10 in which an aluminum target 4 is set.
After being evacuated by a vacuum pump, argon gas is introduced from the gas inlet 3 and RF power or the like is input from the power source 5 to the target 4 to sputter aluminum. The materials to be sputtered and the sputtering gas are not limited to the above,
It goes without saying that various materials and gases may be used, and the sputtering conditions such as gas pressure and input power can be set appropriately.
【0014】図6および図7を用い本発明の実施の形態
2を説明する。図6は本発明の実施の形態2のスパッタ
リング装置に備えた基板ホルダーを示す断面図で、基板
を保持した状態を表しており、図7は基板ホルダーの片
面を示す平面図である。本実施の形態2は、上記実施の
形態1と基板ホルダーのみが異なるので、その点のみを
説明し、その他の構成は図示およびその説明を省略す
る。なお、以下の説明にあっては必要に応じて図1の番
号を用いるものとする。A second embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS. 6 and 7. FIG. 6 is a cross-sectional view showing a substrate holder provided in the sputtering apparatus according to the second embodiment of the present invention, showing a state in which the substrate is held, and FIG. 7 is a plan view showing one side of the substrate holder. The second embodiment is different from the first embodiment only in the substrate holder, and therefore only that point will be described, and other configurations will not be illustrated and described. In the following description, the numbers in FIG. 1 will be used as necessary.
【0015】基板ホルダー15は材質がSUSで、厚さ
1cm、外径が真空槽1のOリング6の径よりやや大き
い円盤状に形成されており、真空処理室10の壁面を形
成する側に可撓性のあるプラスチックからなるチャック
用の爪16が設けられている。爪16は、図7に示すよ
うに、基板ホルダー15で保持を目的とする大口径レン
ズ基板17の外径に対応して円周状に90°ずつの間隔
で4箇所にネジ18で固定され、図6に示すように、根
元より先の方が内側に向かってやや太くなった形状に形
成されており、大口径レンズ基板17の外周部を爪16
で取り囲むように保持し得るようになっている。すなわ
ち、4個の爪16により構成される根元部の内周径は、
基板ホルダー15で保持する大口径レンズ基板17の外
径に対応するように設定され、先部の内周径は大口径レ
ンズ基板17の外径より小さく設定されており、爪16
で大口径レンズ基板17を保持した際に脱落しないよう
になっている。また、爪16を設けた側における基板ホ
ルダー15の周辺部には真空槽1の上端面1aと密着す
る密着部15aが設けられており、この密着部15aは
真空槽1の上端面1aに対応して平面に加工されてい
る。The substrate holder 15 is made of SUS, has a thickness of 1 cm, and an outer diameter of a disk shape slightly larger than the diameter of the O-ring 6 of the vacuum chamber 1, and is formed on the side forming the wall surface of the vacuum processing chamber 10. A chuck claw 16 made of flexible plastic is provided. As shown in FIG. 7, the claws 16 are circumferentially fixed with screws 18 at four positions at intervals of 90 ° corresponding to the outer diameter of the large-diameter lens substrate 17 intended to be held by the substrate holder 15. As shown in FIG. 6, the tip of the root is formed to be slightly thicker toward the inside, and the outer peripheral portion of the large-diameter lens substrate 17 is claw 16
It can be held so that it is surrounded by. That is, the inner peripheral diameter of the root portion formed by the four claws 16 is
It is set so as to correspond to the outer diameter of the large-diameter lens substrate 17 held by the substrate holder 15, and the inner peripheral diameter of the tip portion is set smaller than the outer diameter of the large-diameter lens substrate 17, and the claw 16
Therefore, the large-diameter lens substrate 17 is prevented from falling off while being held. In addition, a contact portion 15a that is in close contact with the upper end surface 1a of the vacuum chamber 1 is provided in the peripheral portion of the substrate holder 15 on the side where the claw 16 is provided, and this contact portion 15a corresponds to the upper end surface 1a of the vacuum chamber 1. And then processed into a flat surface.
【0016】上記構成は請求項1に対応する実施の形態
であり、その作用効果は、基板ホルダー15はその密着
部15aのみが真空槽1の上端面1aと気密に接し得る
ような形状に設計され、基板保持チャック用の爪16の
部分は大口径レンズ基板17をターゲット4に対向させ
た状態で保持することができるようになっている。従っ
て、本発明の実施の形態2のスパッタリング装置で上記
のような大口径レンズにスパッタ処理が可能である。The above-described structure is an embodiment corresponding to claim 1, and its function and effect are designed in such a shape that only the contact portion 15a of the substrate holder 15 can be in airtight contact with the upper end surface 1a of the vacuum chamber 1. Thus, the claw 16 for the substrate holding chuck can hold the large-diameter lens substrate 17 in a state of facing the target 4. Therefore, the large-diameter lens as described above can be sputtered by the sputtering apparatus according to the second embodiment of the present invention.
【0017】図8および図9を用い本発明の実施の形態
3を説明する。図8は本発明の実施の形態3のスパッタ
リング装置に備えた基板ホルダーを示す断面図で、基板
を保持した状態を表しており、図9は基板ホルダーの片
面を示す平面図である。本実施の形態3は、上記実施の
形態1における基板ホルダーのみが異なるので、その点
のみを説明し、その他の構成は図示およびその説明を省
略する。なお、以下の説明にあっては必要に応じて図1
の番号を用いるものとする。A third embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS. 8 and 9. FIG. 8 is a cross-sectional view showing a substrate holder provided in the sputtering apparatus according to the third embodiment of the present invention, showing a state in which the substrate is held, and FIG. 9 is a plan view showing one side of the substrate holder. The third embodiment differs from the first embodiment only in the substrate holder, and therefore only that point will be described, and the other configurations will not be shown or described. In addition, in the following description, FIG.
Shall be used.
【0018】基板ホルダー20は材質がSUSで、厚さ
1cm、外径が真空槽1のOリング6の径よりやや大き
い円盤状に形成されており、真空槽1の壁面を形成する
側に可撓性のあるプラスチックからなるチャック用の爪
21が5個設けられている。各爪21は、図8に示すよ
うに、円板部21aと爪部21bからなり、爪部21b
は基板ホルダー20で保持を目的とする小口径レンズ基
板22の外径に対応して円板部21aの外周部に90°
ずつの間隔で4本立設されている。爪部21bは、根元
より先の方が内側に向かってやや太くなった形状に形成
されており、小口径レンズ基板22の外周部を爪部21
bで取り囲むように保持し得るようになっている。すな
わち、4本の爪部21bで形成される根元部の内周径
は、小口径レンズ基板22の外径に対応するように設定
され、先部の内周径は小口径レンズ基板22の外径より
も小さく設定されており、爪21で小口径レンズ基板2
2を保持した際に脱落しないようになっている。この爪
21は、図9に示すように、基板ホルダー20の中心部
とその回りに合計5個備えられており、それぞれボルト
23で基板に固定されている。また、爪21を設けた側
における基板ホルダー20の周辺部には真空槽1の上端
面1aに密着する密着部20aが設けられており、この
密着部20aは真空槽1の上端面1aに対応して平面に
加工されている。The substrate holder 20 is made of SUS, has a thickness of 1 cm, and an outer diameter of a disk shape slightly larger than the diameter of the O-ring 6 of the vacuum chamber 1. Five chuck claws 21 made of flexible plastic are provided. As shown in FIG. 8, each claw 21 is composed of a disk portion 21a and a claw portion 21b.
Corresponds to the outer diameter of the small-diameter lens substrate 22 intended to be held by the substrate holder 20, and is 90 ° on the outer peripheral portion of the disc portion 21a.
Four pieces are erected at intervals. The claw portion 21b is formed in a shape in which the front end is slightly thicker toward the inside, and the outer peripheral portion of the small-diameter lens substrate 22 is formed on the claw portion 21b.
It can be held so as to be surrounded by b. That is, the inner peripheral diameter of the root portion formed by the four claw portions 21 b is set so as to correspond to the outer diameter of the small diameter lens substrate 22, and the inner peripheral diameter of the tip portion is set to the outer diameter of the small diameter lens substrate 22. It is set smaller than the diameter, and the small-diameter lens substrate 2 is
It does not fall off when holding 2. As shown in FIG. 9, a total of five claws 21 are provided in and around the central portion of the substrate holder 20, and are fixed to the substrate by bolts 23. Further, a contact portion 20a that is in close contact with the upper end surface 1a of the vacuum chamber 1 is provided in the peripheral portion of the substrate holder 20 on the side where the claws 21 are provided, and this contact portion 20a corresponds to the upper end surface 1a of the vacuum chamber 1. And then processed into a flat surface.
【0019】本構成は請求項1に対応する実施の形態で
あり、その作用効果は、基板ホルダー20は、密着部2
0aのみが真空槽1の上端面1aと気密に接し得るよう
な形状に設計され、基板保持チャックの爪21の部分は
小口径レンズ基板22をターゲット4に対向させて5個
保持することができるようになっている。従って、本発
明の実施の形態のスパッタリング装置で上記のような小
口径レンズにスパッタ処理が可能である。The present configuration is an embodiment corresponding to claim 1, and its function and advantage are that the substrate holder 20 has the contact portion 2
Only 0a is designed to be in airtight contact with the upper end surface 1a of the vacuum chamber 1, and the claws 21 of the substrate holding chuck can hold five small-diameter lens substrates 22 facing the target 4. It is like this. Therefore, the sputtering apparatus according to the embodiment of the present invention can perform the sputtering process on the small-diameter lens as described above.
【0020】図10および図11を用いて本発明の実施
の形態4を説明する。図10は本発明の実施の形態4の
スパッタリング装置を示す断面図、図11は基板ホルダ
ーの開口部側から見た状態を示す平面図である。なお、
本実施の形態は、上記実施の形態1と基本的な構成は同
様であるので、上記実施の形態1と同じ構成部分につい
ては同一番号を付し、異なる点のみ説明する。A fourth embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS. 10 and 11. 10 is a sectional view showing a sputtering apparatus according to a fourth embodiment of the present invention, and FIG. 11 is a plan view showing a state seen from the opening side of the substrate holder. In addition,
Since the present embodiment has the same basic configuration as that of the above-described first embodiment, the same components as those of the above-mentioned first embodiment are denoted by the same reference numerals and only different points will be described.
【0021】本実施の形態における真空槽1の側壁部1
bは、その高さが上記実施の形態1より低く形成されて
いる。Side wall portion 1 of vacuum chamber 1 in the present embodiment
The height of b is lower than that of the first embodiment.
【0022】基板ホルダー7は、厚さ1cmのSUSの
板によりなる一方を開口した側壁部7bとこの側壁部7
bにつながる上面部7cを有する円筒状に形成されてお
り、開口している側の外径が真空槽1の上端面1aの外
径と等しく、側壁部7bの端面が真空槽1の上端面1a
との密着部7aとして平面に加工されている。この密着
部7aが真空槽1の上端面1aと密着して真空処理室1
0を形成する。基板ホルダー7の真空処理室10に面す
る上面部7cの中央部には可撓性のあるプラスチックか
らなるチャック用の爪8が設けられている。爪8は、基
板ホルダー7の上面部7cの中心を中心とする円周上に
90°ずつの間隔で4箇所ネジ25により固定されてお
り、ネジ25止めされた根元より先の方が内側に向かっ
てやや太くなった形状に形成されており、レンズ基板2
6の外周部を爪8で囲むように保持し得るようになって
いる。すなわち、4箇所の爪8により形成される根元部
の内径は、基板ホルダー7で保持を目的とするレンズ基
板26の外径に対応するように設定され、先部の内周径
はレンズ基板26の外径より小さく設定されており、爪
8でレンズ基板26を保持した際に脱落しないようにな
っている。The substrate holder 7 is made of a SUS plate having a thickness of 1 cm.
It is formed in a cylindrical shape having an upper surface portion 7c connected to b, the outer diameter of the opening side is equal to the outer diameter of the upper end surface 1a of the vacuum chamber 1, and the end surface of the side wall portion 7b is the upper end surface of the vacuum chamber 1. 1a
Is processed into a flat surface as a contact portion 7a. The close contact portion 7a is in close contact with the upper end surface 1a of the vacuum chamber 1 and the vacuum processing chamber 1
Form 0. A chuck claw 8 made of flexible plastic is provided at the center of the upper surface 7c of the substrate holder 7 facing the vacuum processing chamber 10. The claws 8 are fixed by four screws 25 at intervals of 90 ° on the circumference centered on the center of the upper surface portion 7c of the substrate holder 7, and the front of the root fixed with the screws 25 is inward. The lens substrate 2 is formed in a shape that is slightly thicker toward the lens substrate 2.
The outer peripheral portion of 6 can be held so as to be surrounded by the claw 8. That is, the inner diameter of the base portion formed by the four claws 8 is set so as to correspond to the outer diameter of the lens substrate 26 intended to be held by the substrate holder 7, and the inner diameter of the tip portion is set to the lens substrate 26. The outer diameter of the lens substrate 26 is smaller than the outer diameter of the lens substrate 26 so that the lens substrate 26 does not drop when the lens substrate 26 is held by the claw 8.
【0023】本発明の実施の形態4によれば、上記実施
の形態1による効果に加え、真空槽1と基板ホルダー7
によって形成される真空処理室10の内壁が基板ホルダ
ー7によって多く占められるので、真空処理室10の内
壁に付着する成膜物質は基板ホルダー7側に付着するこ
とになり、付着物質を除去するためのメンテナンスがし
やすくなる。すなわち、基板ホルダー7を取り外してク
リーニングすれば良いことになる。According to the fourth embodiment of the present invention, in addition to the effects of the first embodiment, the vacuum chamber 1 and the substrate holder 7 are provided.
Since the inner wall of the vacuum processing chamber 10 formed by the substrate holder 7 is mostly occupied by the substrate holder 7, the film-forming substance attached to the inner wall of the vacuum processing chamber 10 is attached to the substrate holder 7 side, so that the attached substance is removed. Makes maintenance easier. That is, the substrate holder 7 should be removed and cleaned.
【0024】図12および図13を用いて本発明の実施
の形態5を説明する。図12は本発明の実施の形態5の
スパッタリング装置備えた基板ホルダーを示す断面で、
基板を保持した状態を表しており、図13は開口部側か
ら見た平面図である。本実施の形態5は、上記実施の形
態4と基板ホルダーのみが異なるので、その点のみを説
明し、その他の構成は図示およびその説明を省略する。
なお、以下の説明にあっては必要に応じて図10の番号
を用いるものとする。The fifth embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS. FIG. 12 is a cross section showing a substrate holder equipped with a sputtering apparatus according to a fifth embodiment of the present invention.
FIG. 13 shows a state in which the substrate is held, and FIG. 13 is a plan view seen from the opening side. The fifth embodiment is different from the above-mentioned fourth embodiment only in the substrate holder, and therefore only that point will be described, and other configurations will not be shown and described.
In the following description, the numbers in FIG. 10 will be used as necessary.
【0025】基板ホルダー7は、厚さ1cmのポリカー
ボネートの板によりなる一方を開口した側壁部7bとこ
の側壁部7bにつながる上面部7cを有する円筒状に形
成されており、開口している側の外径が真空槽1の上端
面1aの外径と等しく、側壁部7bの端面が真空槽1の
上端面1aとの密着部7aとして平面に加工されてい
る。この密着部7aが真空槽1の上端面1aと密着して
真空処理室10を形成する。基板ホルダー7の真空処理
室10に面する上面部7cの中央部には可撓性のあるプ
ラスチックからなるチャック用の爪30が平行に対向さ
せて基板ホルダー7と一体に3箇所形成されている。爪
30は、基板ホルダー7で保持を目的とする矩形のプリ
ズム31外径に対応して長さの異なる対向させた2本の
爪部30aよりなり、各爪部30aは根元より先の方が
内側に向かってやや太くなった形状の突起が平行に対向
して設けられており、プリズム31の対向する二辺を爪
30で囲むように保持し得るようになっている。すなわ
ち、対向する爪部30aの間隔はプリズム31の長さに
対応するように設定され、突起間の間隔はプリズム31
の長さより小さく設定されており、爪30でプリズム3
1を保持した際に脱落しないようになっている。The substrate holder 7 is formed in a cylindrical shape having a side wall portion 7b made of a polycarbonate plate having a thickness of 1 cm and having one side opening and an upper surface portion 7c connected to the side wall portion 7b. The outer diameter is equal to the outer diameter of the upper end surface 1a of the vacuum chamber 1, and the end surface of the side wall portion 7b is processed into a flat surface as a contact portion 7a with the upper end surface 1a of the vacuum chamber 1. The close contact portion 7a is in close contact with the upper end surface 1a of the vacuum chamber 1 to form the vacuum processing chamber 10. In the central portion of the upper surface portion 7c of the substrate holder 7 facing the vacuum processing chamber 10, chuck claws 30 made of flexible plastic are formed in three places integrally with the substrate holder 7 so as to face each other in parallel. . The claw 30 is composed of two claw portions 30a opposed to each other and having different lengths corresponding to the outer diameter of the rectangular prism 31 intended to be held by the substrate holder 7, and each claw portion 30a is more forward than the root. Protrusions having a slightly thicker shape facing inward are provided in parallel to each other so that two opposite sides of the prism 31 can be held so as to be surrounded by the claws 30. That is, the distance between the facing claw portions 30 a is set so as to correspond to the length of the prism 31, and the distance between the protrusions is set to the prism 31.
The length of the prism 3 is smaller than the length of
It is designed not to fall off when holding 1.
【0026】本発明の実施の形態5によれば上記実施の
形態4による効果に加え、基板ホルダー7を樹脂モール
ド等で安く作り、使い捨てとすれば、真空処理室10の
クリーニングをほとんど不要とするとができる。According to the fifth embodiment of the present invention, in addition to the effect of the fourth embodiment, if the substrate holder 7 is made inexpensively by resin molding or the like and is made disposable, cleaning of the vacuum processing chamber 10 becomes almost unnecessary. You can
【0027】図14〜図16を用いて本発明の実施の形
態6を説明する。本実施の形態はスパッタリング方法で
ある。図14は基板ホルダーの移動方向に対して横か
ら、図15および図16は基板ホルダー移動方向から描
いた図である。A sixth embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS. This embodiment is a sputtering method. FIG. 14 is a side view with respect to the moving direction of the substrate holder, and FIGS. 15 and 16 are views drawn from the moving direction of the substrate holder.
【0028】まず、図14に示すように、爪8に基板で
あるレンズ26を装着し、基板ホルダー7にレンズ26
をセットする。First, as shown in FIG. 14, the lens 26, which is a substrate, is attached to the claw 8, and the lens 26 is attached to the substrate holder 7.
Set.
【0029】その後、図15に示すように、基板ホルダ
ー7を真空槽1の直下までガイドレール32に乗せて移
動する。このとき、基板ホルダー7は上側に向かって開
口している。真空槽1の真下までの基板ホルダー7の移
動は、基板ホルダー7の側壁部7b外面に設けられたラ
ック7dとそのラック7dに噛み合うピニオン33によ
って行われる。ピニオン33はその軸33aに図示しな
いハンドルが連結されており、人が左右の手でそのハン
ドルを回す。その際の左右のタイミング合わせや位置決
めは人が目で見て行う。基板ホルダー7が真空槽1の直
下にきたとき、基板ホルダー7の上面部(図では下面
部)7cの面をリニアアクチエータ34の駆動棒34a
により支持される。After that, as shown in FIG. 15, the substrate holder 7 is placed on the guide rail 32 and moved to a position right below the vacuum chamber 1. At this time, the substrate holder 7 is open upward. The movement of the substrate holder 7 to directly below the vacuum chamber 1 is performed by a rack 7d provided on the outer surface of the side wall portion 7b of the substrate holder 7 and a pinion 33 meshing with the rack 7d. A handle (not shown) is coupled to the shaft 33a of the pinion 33, and a person turns the handle with his / her left and right hands. At that time, the left eye and the right eye are aligned and positioned visually by a person. When the substrate holder 7 comes directly under the vacuum chamber 1, the surface of the upper surface portion (lower surface portion in the figure) 7c of the substrate holder 7 is driven by the drive rod 34a of the linear actuator 34.
Supported by
【0030】次に、図16に示すように、リニアアクチ
エータ34が動作し駆動棒34aが上がることによって
基板ホルダー7自体が上昇し、基板ホルダー7の密着部
7aと真空槽1の上端面(図では下端面)1aとが密着
して真空処理室(スパッタ室)10を形成する。スパッ
タ室10の排気を図示しないポンプにより排気口3を介
して行い、スパッタを終了するとスパッタ室10をベン
トした後、リニアアクチエータ34の駆動棒34aを下
降することによって基板ホルダー7と真空槽1を分離
し、基板ホルダー7は再び人手によってハンドルでピニ
オン33を回すことにより、洗浄等の次工程に移送され
る。Next, as shown in FIG. 16, the linear actuator 34 operates and the drive rod 34a rises, whereby the substrate holder 7 itself rises, and the contact portion 7a of the substrate holder 7 and the upper end surface of the vacuum chamber 1 ( The vacuum processing chamber (sputtering chamber) 10 is formed in close contact with the lower end surface 1a in the figure. The sputtering chamber 10 is evacuated by a pump (not shown) through the exhaust port 3, and when the sputtering is completed, the sputtering chamber 10 is vented, and then the drive rod 34a of the linear actuator 34 is lowered to lower the substrate holder 7 and the vacuum chamber 1. The substrate holder 7 is transferred to the next step such as cleaning by manually turning the pinion 33 with the handle again.
【0031】上記構成のスパッタリング方法によれば、
スパッタ処理を終了した真空槽1は待機の状態となるの
で、基板ホルダー7を複数用意してベルトコンベアによ
る流れ作業のように並べて順次上記のように移送される
ようにすることができ、連続的な処理が可能となる。こ
れにより、多品種小量生産に対応することが可能にな
り、目的である基板を連続的に処理することができる。
さらに、基板ホルダー7の底面に基板をセットすること
になるので、基板セットの構造が簡単になるという効果
も有する。According to the sputtering method having the above structure,
Since the vacuum chamber 1 that has completed the sputtering process is in a standby state, it is possible to prepare a plurality of substrate holders 7 and arrange them in a line like a flow work by a belt conveyor so that they are sequentially transferred as described above. Various processing is possible. As a result, it becomes possible to cope with small-lot production of a wide variety of products, and the target substrate can be continuously processed.
Further, since the substrate is set on the bottom surface of the substrate holder 7, there is an effect that the structure of the substrate setting is simplified.
【0032】[0032]
【発明の効果】以上のように本発明によれば簡単な構成
で多品種の基板を処理することができる。As described above, according to the present invention, a wide variety of substrates can be processed with a simple structure.
【図1】本発明の実施の形態1の真空槽を示す断面図で
ある。FIG. 1 is a sectional view showing a vacuum chamber according to a first embodiment of the present invention.
【図2】本発明の実施の形態1に係るスパッタリング装
置の基板ホルダーを示す断面図である。FIG. 2 is a cross-sectional view showing a substrate holder of the sputtering device according to the first embodiment of the present invention.
【図3】図2の基板ホルダーを下側から見た図である。3 is a view of the substrate holder of FIG. 2 as viewed from below.
【図4】本発明の実施の形態1の基板ホルダーに基板9
をセットした状態を示す断面図である。FIG. 4 shows the substrate 9 in the substrate holder according to the first embodiment of the present invention.
It is sectional drawing which shows the state which set.
【図5】本発明の実施の形態1に係るスパッタリング装
置を示す断面図である。FIG. 5 is a cross-sectional view showing a sputtering device according to the first embodiment of the present invention.
【図6】本発明の実施の形態2に係るスパッタリング装
置の基板ホルダーを示す断面図である。FIG. 6 is a sectional view showing a substrate holder of a sputtering apparatus according to a second embodiment of the present invention.
【図7】図6の基板ホルダーを下側から見た図である。7 is a view of the substrate holder of FIG. 6 as viewed from below.
【図8】本発明の実施の形態3に係るスパッタリング装
置の基板ホルダーを示す断面図である。FIG. 8 is a sectional view showing a substrate holder of a sputtering device according to a third embodiment of the present invention.
【図9】図8の基板ホルダーを下側から見た図である。9 is a view of the substrate holder of FIG. 8 as viewed from below.
【図10】本発明の実施の形態4に係るスパッタリング
装置の基板ホルダーを示す断面図である。FIG. 10 is a sectional view showing a substrate holder of a sputtering apparatus according to a fourth embodiment of the present invention.
【図11】図10の基板ホルダーを下側から見た図であ
る。11 is a view of the substrate holder of FIG. 10 as viewed from below.
【図12】本発明の実施の形態5に係るスパッタリング
装置の基板ホルダーを示す断面図である。FIG. 12 is a sectional view showing a substrate holder of a sputtering apparatus according to a fifth embodiment of the present invention.
【図13】図12の基板ホルダーを下側から見た図であ
る。13 is a diagram of the substrate holder of FIG. 12 viewed from the lower side.
【図14】本発明の実施の形態6に係るスパッタリング
方法における一工程を示す断面図である。FIG. 14 is a cross-sectional view showing one step in a sputtering method according to a sixth embodiment of the present invention.
【図15】本発明の実施の形態6に係るスパッタリング
方法における一工程を示す断面図である。FIG. 15 is a cross-sectional view showing one step in a sputtering method according to the sixth embodiment of the present invention.
【図16】本発明の実施の形態6に係るスパッタリング
方法における一工程を示す断面図である。FIG. 16 is a cross-sectional view showing one step in a sputtering method according to the sixth embodiment of the present invention.
1 真空槽 1a 上端面 7,15,20 基板ホルダー 7a,15a,20a 密着部 8,17,22,26 基板 10 真空処理室 31 プリズム 1 Vacuum tank 1a Upper end surface 7,15,20 Substrate holder 7a, 15a, 20a Adhesion part 8,17,22,26 Substrate 10 Vacuum processing chamber 31 Prism
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 川俣 健 東京都渋谷区幡ヶ谷2丁目43番2号 オリ ンパス光学工業株式会社内 (72)発明者 生水 利明 東京都渋谷区幡ヶ谷2丁目43番2号 オリ ンパス光学工業株式会社内 (72)発明者 池田 浩 東京都渋谷区幡ヶ谷2丁目43番2号 オリ ンパス光学工業株式会社内 (72)発明者 新田 佳樹 東京都渋谷区幡ヶ谷2丁目43番2号 オリ ンパス光学工業株式会社内 (72)発明者 鈴木 稔明 東京都渋谷区幡ヶ谷2丁目43番2号 オリ ンパス光学工業株式会社内 ─────────────────────────────────────────────────── ─── Continuation of the front page (72) Ken Kawamata Ken 43, 2-2 Hatagaya, Shibuya-ku, Tokyo Inside Olympus Optical Co., Ltd. (72) Toshiaki Ikumizu 2-43 Hatagaya, Shibuya-ku, Tokyo No. Olympus Optical Co., Ltd. (72) Inventor Hiroshi Ikeda 2-43-2 Hatagaya, Shibuya-ku, Tokyo Olympus Optical Co., Ltd. (72) Yoshiki Nitta 2-43 Hatagaya, Shibuya-ku, Tokyo No. 2 Olympus Optical Co., Ltd. (72) Inventor Toshiaki Suzuki 2-43-2 Hatagaya, Shibuya-ku, Tokyo Olympus Optical Co., Ltd.
Claims (2)
致する形状に成し、基板ホルダーと真空槽とを前記合致
する部位で密着および分離可能にするとともに、基板ホ
ルダーと真空槽を前記部位で密着させた際に、基板ホル
ダーと真空槽とで囲まれる空間を外気から分離した真空
処理室として構成するようにしたことを特徴とするスパ
ッタリング装置。1. A part of the substrate holder is formed in a shape that matches the end face of the vacuum chamber, and the substrate holder and the vacuum chamber can be adhered and separated at the matching portion, and the substrate holder and the vacuum chamber are formed by A sputtering apparatus characterized in that a space surrounded by a substrate holder and a vacuum chamber is configured as a vacuum processing chamber separated from the outside air when they are brought into close contact with each other.
ホルダーを真空槽に対して移送し、基板ホルダーの一部
と真空槽の端面を密着して真空処理室を形成した後、基
板ホルダーに装着した基板に成膜を施し、次いで基板ホ
ルダーを真空槽から分離して次工程へ移送することを特
徴としたスパッタリング方法。2. After mounting the substrate on the substrate holder, the substrate holder is transferred to a vacuum chamber, a part of the substrate holder and the end face of the vacuum chamber are adhered to each other to form a vacuum processing chamber, and then the substrate holder is mounted on the substrate holder. A sputtering method characterized in that a film is formed on the mounted substrate, and then the substrate holder is separated from the vacuum chamber and transferred to the next step.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP17914095A JPH0931641A (en) | 1995-07-14 | 1995-07-14 | Sputtering device and sputtering method |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP17914095A JPH0931641A (en) | 1995-07-14 | 1995-07-14 | Sputtering device and sputtering method |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0931641A true JPH0931641A (en) | 1997-02-04 |
Family
ID=16060684
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP17914095A Withdrawn JPH0931641A (en) | 1995-07-14 | 1995-07-14 | Sputtering device and sputtering method |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH0931641A (en) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN100441735C (en) * | 1998-02-17 | 2008-12-10 | 夏普公司 | Sputtering apparatus capable of changing distance between substrate and deposition preventing plate used for film formation |
WO2013160948A1 (en) * | 2012-04-25 | 2013-10-31 | 株式会社ニッシン | Vacuum processing device |
-
1995
- 1995-07-14 JP JP17914095A patent/JPH0931641A/en not_active Withdrawn
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN100441735C (en) * | 1998-02-17 | 2008-12-10 | 夏普公司 | Sputtering apparatus capable of changing distance between substrate and deposition preventing plate used for film formation |
WO2013160948A1 (en) * | 2012-04-25 | 2013-10-31 | 株式会社ニッシン | Vacuum processing device |
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