JPH09305139A - Display device - Google Patents
Display deviceInfo
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- JPH09305139A JPH09305139A JP8142372A JP14237296A JPH09305139A JP H09305139 A JPH09305139 A JP H09305139A JP 8142372 A JP8142372 A JP 8142372A JP 14237296 A JP14237296 A JP 14237296A JP H09305139 A JPH09305139 A JP H09305139A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- video signal
- display
- display device
- pixel
- characteristic
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Landscapes
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
- Electrodes For Cathode-Ray Tubes (AREA)
- Vessels, Lead-In Wires, Accessory Apparatuses For Cathode-Ray Tubes (AREA)
- Cathode-Ray Tubes And Fluorescent Screens For Display (AREA)
- Control Of Indicators Other Than Cathode Ray Tubes (AREA)
- Control Of El Displays (AREA)
Abstract
Description
【0001】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明はアクティブマトリク
ス方式とされた表示ピクセルを有する画像を表示する表
示装置に関し、特に電界放出型カソードを用いたFED
表示装置や、有機エレクトロルミネセンス(以下、有機
ELと記す。)表示装置に適用して好適なものである。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a display device for displaying an image having active matrix type display pixels, and more particularly to an FED using a field emission type cathode.
It is suitable for application to a display device and an organic electroluminescence (hereinafter referred to as organic EL) display device.
【0002】[0002]
【従来の技術】金属または半導体表面の印加電界を10
9 [V/m]程度にするとトンネル効果により、電子が
障壁を通過して常温でも真空中に電子放出が行われる。
これを電界放出(Field Emission)と云い、このような
原理で電子を放出するカソードを電界放出カソード(Fi
eld Emission Cathode)と呼んでいる。近年、半導体加
工技術を駆使して、ミクロンサイズの電界放出カソード
からなるアレイを用いて、面放出型の電界放出カソード
を作成することが可能となり、このような電界放出カソ
ードを用いた画像表示装置(FED表示装置)の研究開
発が行われている。2. Description of the Related Art The applied electric field on the surface of a metal or semiconductor is reduced to 10
At about 9 [V / m], electrons pass through the barrier and emit electrons in a vacuum even at room temperature due to the tunnel effect.
This is called field emission, and a cathode that emits electrons based on such a principle is called a field emission cathode (Fi
eld Emission Cathode). In recent years, it has become possible to create a surface emission type field emission cathode using an array of micron size field emission cathodes by making full use of semiconductor processing technology, and an image display apparatus using such a field emission cathode (FED display devices) are being researched and developed.
【0003】また、他の表示デバイスの1つとして、或
る種の蛍光体に電界を加えると発光するエレクトロルミ
ネセンスという現象に基づき、有機化合物を発光層に使
用した有機EL表示装置についても研究開発が行なわれ
ている。Further, as another display device, an organic EL display device using an organic compound in a light emitting layer is also studied based on a phenomenon called electroluminescence which emits light when an electric field is applied to a certain kind of phosphor. Development is underway.
【0004】[0004]
【発明が解決しようとする課題】ところで、これらの表
示装置の開発課題の1つとして、表示品位を上げるため
に良好な階調表現を実現するということがある。入力ビ
デオ信号に応じて発光輝度を制御し、良好な階調表現を
実現するには、例えば入力ビデオ信号の値に基づいてパ
ルス幅変調(PWM)を行なった信号をドライブ信号と
する方式がある。この場合、入力ビデオ信号の値に応じ
て各画素ピクセルの発光時間がコントロールされること
になるため、階調表現が行なわれることになる。By the way, one of the development subjects of these display devices is to realize good gradation expression in order to improve the display quality. In order to control the light emission luminance according to the input video signal and realize good gradation expression, for example, there is a method in which a signal subjected to pulse width modulation (PWM) based on the value of the input video signal is used as a drive signal. . In this case, since the light emission time of each pixel is controlled according to the value of the input video signal, gradation expression is performed.
【0005】ところでこの場合は一般に、入力ビデオ信
号をA/D変換し、そのデジタルデータとカウンタのカ
ウント値との一致を検出することでパルス幅変調を行な
うことになるが、実際上、配線数やカウンター用クロッ
クの周波数の制限などから、A/D変換は6ビット程
度、つまり64階調程度が限界となってしまい、例えば
8ビットで256階調を表現したり、それ以上の階調を
実現することは非常に困難なものとなっていた。即ちP
WM方式では階調表現に実用上の限界があり、飛躍的な
表示の高品位化は望めないという問題点があった。In this case, in general, pulse width modulation is performed by A / D converting the input video signal and detecting the coincidence between the digital data and the count value of the counter. Due to the limitation of the frequency of the clock for the counter and the A / D conversion, the limit of the A / D conversion is about 6 bits, that is, about 64 gradations. It was very difficult to achieve. That is, P
The WM method has a practical limit in gradation expression, and there is a problem in that dramatic improvement in display quality cannot be expected.
【0006】また他の方式としてドライブ電圧、即ちF
ED表示装置におけるゲート・カソード間電圧や、有機
EL表示装置における電極間電圧を変調することで階調
表現を行なうパルス振幅変調(PAM)方式も考えられ
ている。しかしながら、FED表示装置や有機EL表示
装置におけるアノード電流特性上のアノード電流立上り
点電圧のバラツキ(各画素ピクセル毎のバラツキ)や駆
動回路の温度特性、電力損失の点などから、階調を精密
にコントロールできず、良好な表示品位が得られないと
いう問題点があった。As another method, the drive voltage, that is, F
A pulse amplitude modulation (PAM) method has also been considered in which gradation is expressed by modulating a gate-cathode voltage in an ED display device or an electrode voltage in an organic EL display device. However, due to variations in the anode current rising point voltage on the anode current characteristics of the FED display device and the organic EL display device (variations between pixel pixels), temperature characteristics of the drive circuit, power loss, etc. There was a problem that good display quality could not be obtained because the control was not possible.
【0007】本発明はこのような問題点を解決すべく、
入力されたビデオ信号に応じた無段階の階調表現を実現
し、表示画像の品位を飛躍的に向上させるようにしたア
クティブマトリクス方式の表示装置を提供することを目
的としている。The present invention has been made to solve the above problems.
It is an object of the present invention to provide an active matrix display device which realizes stepless gradation expression according to an input video signal and dramatically improves the quality of a display image.
【0008】[0008]
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明の表示装置は、マトリクス状に表示ピクセル
が形成されているFED表示部の、前記表示ピクセルが
電子放出部と表示部とから構成され、前記電子放出部
は、少なくとも1つ以上の電界放出カソードからなり、
前記表示部は前記電子放出部から放出される電子を捕集
するアノードと、該アノードに被着されている蛍光体か
らなり、所定周期毎に順次走査されて前記各表示ピクセ
ルの前記電子放出部に間欠的にビデオ信号が与えられて
おり、前記各表示ピクセルの前記電子放出部に与えられ
る前記ビデオ信号を次の周期まで保持する保持手段と、
該保持手段により保持されたビデオ信号に応じた直流の
定電流を前記電界放出カソードに供給するFET素子か
らなる駆動手段が前記電子放出部に備えられているよう
にした。In order to achieve the above object, the display device of the present invention is an FED display section in which display pixels are formed in a matrix, wherein the display pixels include an electron emission section and a display section. And the electron emission part is composed of at least one or more field emission cathodes,
The display unit includes an anode that collects electrons emitted from the electron emission unit and a phosphor that is deposited on the anode, and the electron emission unit of each display pixel is sequentially scanned at predetermined intervals. Holding means for holding the video signal applied to the electron emission portion of each display pixel until the next cycle,
The electron emitting section is provided with a driving unit including a FET element for supplying a constant DC current corresponding to the video signal held by the holding unit to the field emission cathode.
【0009】さらに、本発明の他の表示装置は、マトリ
クス状に表示ピクセルが形成されている有機エレクトロ
ルミネセンス表示部において、前記表示ピクセルは、所
定周期毎に順次走査されて各表示ピクセルにビデオ信号
が与えられており、前記表示ピクセル毎に備えられた駆
動手段は、各表示ピクセルに与えられる前記ビデオ信号
を次の周期まで保持する保持手段と、該保持手段により
保持されたビデオ信号に応じた直流の定電流を前記表示
ピクセルに供給するFET素子からなるように構成し
た。Further, in another display device of the present invention, in the organic electroluminescence display portion in which the display pixels are formed in a matrix, the display pixels are sequentially scanned at a predetermined cycle and video is displayed on each display pixel. A signal is given, and the driving means provided for each display pixel responds to the holding means for holding the video signal given to each display pixel until the next cycle, and the video signal held by the holding means. The FET element is configured to supply a constant DC current to the display pixel.
【0010】また、前記表示手段において、前記保持手
段にグランド配線層とその上に形成された強誘電体膜と
により構成されたキャパシタを有するようにしたり、前
記各FET素子に印加するビデオ信号に対して、前記F
ET素子のゲート・ソース間電圧−ドレイン電流特性の
逆特性を与えるビデオ信号補正回路を設けたり、前記ビ
デオ信号補正回路は、前記各FET素子に印加するビデ
オ信号に対して、前記FED表示部の非線形特性に対す
る特性補正も行なうようにしている。In the display means, the holding means may have a capacitor composed of a ground wiring layer and a ferroelectric film formed thereon, and a video signal applied to each FET element may be provided. In contrast, the F
A video signal correction circuit for providing an inverse characteristic of the gate-source voltage-drain current characteristic of the ET element is provided, or the video signal correction circuit is provided for the video signal applied to each FET element of the FED display unit. Characteristic correction for non-linear characteristics is also performed.
【0011】このような本発明によれば、各表示ピクセ
ルをビデオ信号に応じた定電流により駆動することがで
きるので、ビデオ信号に応じた無段階の階調表現を実現
することができ、表示画像の品位を飛躍的に向上させる
ことができる。また、各表示ピクセルを駆動する駆動手
段を各表示ピクセル毎に備えるアクティブマトリクス方
式とすると共に、各駆動手段内に周期毎に与えられるビ
デオ信号を保持する保持手段を設けるようにしたので、
表示手段の出力端子数を低減することができる。さら
に、各表示ピクセルはデューティが1とされる直流駆動
となるので、ダイナミック方式の数分の1の駆動電圧に
より同一輝度が得られると共に、デューティが1とされ
るので表示手段の布線の浮遊容量の充放電による電力損
失をほぼなくすことができる。According to the present invention as described above, since each display pixel can be driven by a constant current corresponding to a video signal, stepless gradation expression according to the video signal can be realized and the display can be performed. The quality of the image can be dramatically improved. In addition, the driving means for driving each display pixel is provided in each display pixel, and the holding means for holding the video signal given in each cycle is provided in each driving means.
The number of output terminals of the display means can be reduced. Further, since each display pixel is driven by direct current with a duty of 1, the same luminance can be obtained by a driving voltage of a fraction of the dynamic method, and the duty is 1, so that the wiring of the display means floats. Power loss due to charge / discharge of the capacity can be almost eliminated.
【0012】[0012]
【発明の実施の形態】以下、本発明の第1の実施の形態
としての表示装置の概要を図1を参照して説明する。図
1において、表示部10はマトリクス状に配列されたm
×nのピクセルP11〜Pmnから構成されている。こ
れらのピクセルP11〜Pmnには、アナログのビデオ
信号Svがビデオアンンプ2により増幅され、さらにV
/I補正回路3によりビデオ信号の特性が補正されて供
給されている。この場合、ピクセルP11〜Pmnに
は、走査制御回路4により順次時分割されて、個々のピ
クセルP11〜Pmnにビデオ信号Svが間欠的に供給
されている。なお、走査制御回路4には同期信号Syn
cが供給され、走査制御回路4はこの同期信号Sync
のタイミングにより走査制御を行っている。BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION An outline of a display device according to a first embodiment of the present invention will be described below with reference to FIG. In FIG. 1, the display units 10 are arranged in a matrix.
It is composed of xn pixels P11 to Pmn. An analog video signal Sv is amplified by the video amp 2 to these pixels P11 to Pmn, and further V
The characteristic of the video signal is corrected by the / I correction circuit 3 and is supplied. In this case, the pixels P11 to Pmn are sequentially time-divided by the scanning control circuit 4, and the video signal Sv is intermittently supplied to the individual pixels P11 to Pmn. The scanning control circuit 4 has a synchronization signal Syn.
c is supplied, and the scanning control circuit 4 outputs the synchronization signal Sync.
The scanning control is performed according to the timing.
【0013】各ピクセルP11〜Pmnには駆動手段が
各々設けられており、表示部10はいわゆるアクティブ
マトリクス方式とされている。各ピクセルP11〜Pm
nに設けられた駆動手段は後述するが、間欠的に供給さ
れるビデオ信号を、次のフレーム周期で次のビデオ信号
が供給されるまで保持する保持手段と、保持手段で保持
されたビデオ信号のレベルに応じた定電流で駆動するF
ET素子から構成される。そして、FET素子により各
ピクセルP11〜Pmnを駆動する定電流が供給される
ようになる。各ピクセルP11〜Pmnは供給された定
電流に応じて発光するようになり、これにより、ビデオ
信号に応じた無段階とされた階調制御を行えるようにし
ている。なお、電源回路5は、表示部10に駆動用のア
ノード電源や、駆動手段に駆動電源等を供給している。A driving means is provided for each of the pixels P11 to Pmn, and the display section 10 is of a so-called active matrix type. Each pixel P11 to Pm
Although the driving means provided in n will be described later, holding means for holding the video signal intermittently supplied until the next video signal is supplied in the next frame cycle, and the video signal held by the holding means. F driven by constant current according to the level of
It is composed of ET elements. Then, the FET device supplies a constant current for driving each of the pixels P11 to Pmn. Each of the pixels P11 to Pmn emits light in response to the supplied constant current, which allows stepless gradation control according to the video signal. The power supply circuit 5 supplies an anode power supply for driving the display unit 10 and a drive power supply for the driving means.
【0014】本発明は、このようにアクティブマトリク
ス方式とされた表示装置において、無段階の階調表現を
可能とすることができるものであり、その第1の実施の
態様であるFED表示装置を図2ないし図6を参照して
説明する。まずFED表示装置に用いる電界放出カソー
ド(FEC)として、図5に半導体加工技術により作成
されたスピント(Spindt)型と呼ばれる電界放出カソー
ド(FEC)を示す。The present invention enables a stepless gradation expression in the display device of the active matrix type as described above, and the FED display device as the first embodiment thereof is provided. This will be described with reference to FIGS. 2 to 6. First, as a field emission cathode (FEC) used in an FED display device, FIG. 5 shows a field emission cathode (FEC) called a Spindt type formed by a semiconductor processing technique.
【0015】この図5に示すように、FECはガラス等
の基板Kの上にアルミニウム等の金属からなるカソード
電極Cが蒸着により形成されており、このカソード電極
C上にモリブデン等の金属からなるコーン状のエミッタ
Eが形成されている。カソード電極C上のエミッタEが
形成されていない部分には二酸化シリコン(SiO2)膜が
形成され、さらにその上にはゲートGTが形成されてお
り、ゲートGT及び二酸化シリコン膜に設けられた丸い
開口部の中に上記コーン状のエミッタEが位置してい
る。すなわち、このコーン状のエミッタEの先端部分が
ゲートGTに設けられた開口部から臨む構成とされてい
る。As shown in FIG. 5, in the FEC, a cathode electrode C made of a metal such as aluminum is formed by vapor deposition on a substrate K such as glass, and the cathode electrode C is made of a metal such as molybdenum. A cone-shaped emitter E is formed. A silicon dioxide (SiO 2 ) film is formed on a portion of the cathode electrode C where the emitter E is not formed, and a gate GT is further formed on the silicon dioxide (SiO 2 ) film, which is a round shape provided on the gate GT and the silicon dioxide film. The cone-shaped emitter E is located in the opening. That is, the tip of the cone-shaped emitter E faces the opening provided in the gate GT.
【0016】このコーン状のエミッタEのエミッタ間の
ピッチは、10ミクロン以下で製作することができ、数
万から数10万個のエミッタEを1枚の基板K上に設け
ることができる。さらに、ゲートGTとエミッタEのコ
ーンの先端との距離をサブミクロンとすることができる
ため、ゲートGTとエミッタE(カソード電極C)間と
に僅か数10ボルトのゲート・エミッタ間電圧VGEを印
加することにより、電子をエミッタEから放出すること
ができる。この電界放出された電子はゲートGT上に離
隔して配置された正の電圧VA が印加されているアノー
ドAにより補集される。The pitch between the cone-shaped emitters E can be made to be 10 microns or less, and tens of thousands to hundreds of thousands of emitters E can be provided on one substrate K. Further, since the distance between the gate GT and the tip of the cone of the emitter E can be made submicron, a gate-emitter voltage V GE of only several tens of volts is applied between the gate GT and the emitter E (cathode electrode C). By applying the voltage, electrons can be emitted from the emitter E. The field-emitted electrons are collected by the anode A to which the positive voltage VA applied to the gate GT is applied.
【0017】このようなFECのカソード電流Ic −ゲ
ート・カソード間電圧VGC特性を図6に示す。この図6
に示すように、ゲート・カソード間電圧VGCが徐々に上
昇していくと、カソード電流Ic が流れ始めるようにな
る。この電流Ic が流れ始める電圧VGCを閾値電圧VTH
と云い、この時にゲート・カソード間の電界が約109
[V/m]程度となるためエミッタEから電子が放出さ
れ始めるようになる。これにより、カソード電流Ic が
カソード電極Cに流れ始めるのである。一般に、ゲート
・カソード間には閾値電圧VTHよりかなり高い図示する
VOP程度の電圧が印加されており、この時カソード電極
Cにはカソード電流Iopが流れるようになる。FIG. 6 shows the characteristics of the cathode current I c and the gate-cathode voltage V GC of such an FEC. This figure 6
As shown in, when the gate-cathode voltage V GC gradually rises, the cathode current I c starts to flow. The voltage V GC at which this current I c begins to flow is defined as the threshold voltage V TH
At this time, the electric field between the gate and the cathode is about 10 9
Since it is about [V / m], electrons start to be emitted from the emitter E. As a result, the cathode current I c begins to flow to the cathode electrode C. In general, a voltage of about V OP shown in the figure, which is considerably higher than the threshold voltage V TH , is applied between the gate and the cathode, and at this time, the cathode current I op flows to the cathode electrode C.
【0018】この場合、コーン状のエミッタEの1つか
ら得られるエミッション電流は約1マイクロアンペアと
小さい電流であるため、多数のエミッタEをアレイ化す
ることにより所望の大きさのエミッション電流が得られ
るFECとしている。この場合、アノードAは放出され
た電子を捕集し、アノードAに蛍光体を設けておくとエ
ミッタから電界放出された電子が捕集されるアノードA
の蛍光体の部分を発光させることが出来る。このような
原理を利用することにより、FECを用いた画像表示装
置、即ちFED表示装置が実現されている。In this case, since the emission current obtained from one of the cone-shaped emitters E is a small current of about 1 microamperes, a desired magnitude of emission current can be obtained by arraying a large number of emitters E. It is called FEC. In this case, the anode A collects the emitted electrons, and when the anode A is provided with a phosphor, the anode A from which the field emission from the emitter is collected is collected.
It is possible to emit light from the phosphor portion. By utilizing such a principle, an image display device using FEC, that is, an FED display device has been realized.
【0019】このような原理を用いたFED表示装置の
表示部10の一部詳細図の一例を図2に示している。こ
の一部詳細図は、図1に示す一点鎖線で囲んだ表示部1
0のピクセルP11,P12,P21,P22の4つの
ピクセルのみを拡大して示すものである。表示部10
は、図5で説明した原理で表示が実行される部位であ
り、エミッタE及びゲートGTからなるFECのアレー
がj×kブロックで1単位のピクセルP11〜Pmnに
それぞれ形成されている。この場合、表示領域は図1に
示すようにn×mピクセルで形成される。ピクセルP1
1〜Pnmは、すべて同一構成とされており、ピクセル
の説明をピクセルP11を代表として説明する。FIG. 2 shows an example of a partial detailed view of the display portion 10 of the FED display device using such a principle. This partially detailed view shows the display unit 1 surrounded by the one-dot chain line shown in FIG.
Only four pixels P11, P12, P21 and P22 of 0 are shown in an enlarged manner. Display unit 10
Is a portion where display is performed according to the principle described in FIG. 5, and an array of FECs including an emitter E and a gate GT is formed in each of pixels P11 to Pmn of one unit in a j × k block. In this case, the display area is formed by n × m pixels as shown in FIG. Pixel P1
1 to Pnm have the same configuration, and the pixel will be described with the pixel P11 as a representative.
【0020】ピクセル11はブロックFEC11,・・
・FEC22,・・・FECjkのj×kブロックのF
ECアレーを備えており、それぞれのブロックを独立し
て駆動する駆動手段がそれぞれ備えられている。駆動手
段は2つの電界効果トランジスタ(FET)と、信号保
持用のコンデンサと、FETの特性変動圧縮用の抵抗か
らなっている。具体的に説明すると、ブロックFEC1
1においてFET TR−111はアナログスイッチと
して動作しており、ピクセルP11にビデオ信号が与え
られる時に開いて、入力されたビデオ信号をコンデンサ
C11およびFET TR−11のゲートに印加してい
る。FET TR−111はピクセルP11にビデオ信
号が与えられる期間のみオンするよう制御されるが、オ
ンとなる周期は、例えば1フレーム毎とされている。Pixel 11 is a block FEC11, ...
FEC22 ... F of j × k block of FECjk
An EC array is provided, and drive means for independently driving each block is provided. The driving means is composed of two field effect transistors (FETs), a signal holding capacitor, and a resistance for compressing the FET characteristic variation. Specifically, the block FEC1
1, the FET TR-111 operates as an analog switch and opens when the video signal is applied to the pixel P11, and applies the input video signal to the capacitor C11 and the gate of the FET TR-11. The FET TR-111 is controlled to be turned on only during the period when the video signal is applied to the pixel P11, and the period of turning on is set to, for example, every frame.
【0021】このようにしてピクセル11に取り込まれ
たビデオ信号はコンデンサC11により次のフレームで
次のビデオ信号が与えられるまで保持される。また、コ
ンデンサC11の保持電圧はFET TR−11のゲー
トに印加されており、このため、FET TR−11の
ドレインにはこのゲート電圧に応じた定電流が流れるよ
うになる。このドレイン電流はブロックFEC11にカ
ソード電流として供給されるようになる。なお、FET
TR−11のドレイン電流はブロックFEC11の立
ち上がりの特性によらず、そのゲート電圧により決定さ
れるので、図6に示すブロックFEC11の立ち上がり
の特性にばらつきがあってもそのばらつきを吸収したカ
ソード電流が流せるようになる。このため、立ち上がり
特性のばらつきを原因とする輝度のばらつきを防止する
ことができる。The video signal thus captured in the pixel 11 is held by the capacitor C11 until the next video signal is applied in the next frame. Further, the holding voltage of the capacitor C11 is applied to the gate of the FET TR-11, so that a constant current according to this gate voltage flows in the drain of the FET TR-11. This drain current is supplied to the block FEC11 as a cathode current. In addition, FET
Since the drain current of TR-11 is determined by the gate voltage of the block FEC11, not by the rising characteristics of the block FEC11, even if the rising characteristics of the block FEC11 shown in FIG. You can run it. For this reason, it is possible to prevent variations in luminance due to variations in rising characteristics.
【0022】ところで、ピクセルP11に取り込まれた
ビデオ信号は、各ブロックに備えられたコンデンサC1
1〜Cjkにそれぞれ蓄積されて保持される。そして、
上述のようにFET TR−11〜TR−jkにゲート
電圧を供給している。これにより、各ブロックFEC1
1〜FECjkはビデオ信号のレベルに応じた直流の定
電流で駆動されるようになるので、そのデューティは1
(100%)となる。これにより、ダイナミック駆動す
る場合に比べて、同一輝度を得る場合に、アノード電圧
およびゲート電圧を数分の一とすることができ、耐圧を
低くすることができるので表示装置の設計を容易とする
ことができる。By the way, the video signal taken into the pixel P11 is supplied to the capacitor C1 provided in each block.
1 to Cjk are accumulated and held respectively. And
As described above, the gate voltage is supplied to the FETs TR-11 to TR-jk. As a result, each block FEC1
1 to FECjk are driven by a direct current constant current according to the level of the video signal, so the duty is 1
(100%). As a result, when the same luminance is obtained, the anode voltage and the gate voltage can be reduced to a fraction, and the breakdown voltage can be lowered, so that the display device can be easily designed. be able to.
【0023】次に各ピクセルP11〜Pmnを駆動する
駆動制御方法について説明する。図1に示す走査制御回
路4からは、ビデオクロック信号Vck、ビデオ同期信
号Vsy、ライン同期信号Lsy、ラインクロック信号
Lckが表示部10に与えられている。また、電源回路
5から供給されたゲート電源Vgは、すべてのピクセル
P11〜Pmnのゲートに常時印加されている。表示部
10の水平方向には1ピクセル毎に設けられたシフトレ
ジスタSR−H1〜SR−Hnが縦続接続されており、
このシフトレジスタSR−H1〜SR−Hnには、ビデ
オ同期信号Vsyが入力されており、ビデオクロック信
号Vckによりビデオ同期信号Vsyがシフトされてい
る。また、表示部10の垂直方向には、1ピクセル毎に
設けられたシフトレジスタSR−V1〜SR−Vmが縦
続接続されており、このシフトレジスタSR−V1〜S
R−Vmには、ライン同期信号Lsyが入力されてお
り、ラインクロック信号Lckによりライン同期信号L
syがシフトされている。Next, a drive control method for driving the pixels P11 to Pmn will be described. From the scanning control circuit 4 shown in FIG. 1, a video clock signal Vck, a video synchronization signal Vsy, a line synchronization signal Lsy, and a line clock signal Lck are given to the display unit 10. Further, the gate power supply Vg supplied from the power supply circuit 5 is constantly applied to the gates of all the pixels P11 to Pmn. In the horizontal direction of the display unit 10, shift registers SR-H1 to SR-Hn provided for each pixel are connected in series.
The video synchronization signal Vsy is input to the shift registers SR-H1 to SR-Hn, and the video synchronization signal Vsy is shifted by the video clock signal Vck. Further, in the vertical direction of the display unit 10, shift registers SR-V1 to SR-Vm provided for each pixel are connected in series, and the shift registers SR-V1 to S are provided.
The line synchronization signal Lsy is input to R-Vm, and the line synchronization signal Lsy is input by the line clock signal Lck.
sy has been shifted.
【0024】例えば、シフトレジスタSR−V1の出力
により一水平ラインのピクセルP11ないしP1nのス
イッチS−1−1〜S−1−nの一方にアクティブレベ
ルの信号が供給されている時に、シフトレジスタSR−
H1の出力がアクティブレベルとなった時は、スイッチ
S−1−1にのみ2つのアクティブレベルの信号が供給
されるので、スイッチS−1−1のみオンとなり、ピク
セルP11内のFETTR−111〜TR−jk1がオ
ンとなる。これによりオンとなったFETTR−111
〜TR−jk1を介して、ピクセル11にビデオ信号V
sが取り込まれるようになる。次のタイミングではビデ
オクロックVckにより、ビデオ同期信号Vsyがシフ
トされてシフトレジスタSR−H2の出力がアクティブ
レベルとなり、スイッチS−1−2のみオンとなって、
ピクセルP12内のFET TR−111〜TR−jk
1がオンとなる。したがって、これらのオンとなったF
ETを介してピクセル12にビデオ信号Vsが取り込ま
れるようになる。For example, when the output of the shift register SR-V1 supplies an active level signal to one of the switches S-1-1 to S-1-n of the pixels P11 to P1n on one horizontal line, SR-
When the output of H1 becomes the active level, two signals of the active level are supplied only to the switch S-1-1. Therefore, only the switch S-1-1 is turned on and the FETs TR-111 to FET11-111 in the pixel P11. TR-jk1 is turned on. This turned on the FET TR-111.
To the video signal V to the pixel 11 via TR-jk1.
s will be taken in. At the next timing, the video synchronization signal Vsy is shifted by the video clock Vck, the output of the shift register SR-H2 becomes active level, and only the switch S-1-2 is turned on.
FETs TR-111 to TR-jk in the pixel P12
1 turns on. Therefore, these turned on F
The pixel 12 receives the video signal Vs via the ET.
【0025】シフトレジスタSRーH1〜SR−Hnで
ビデオ同期信号Vsyがシフトされていくに伴い、同様
にして、水平方向のピクセルP13〜P1nにビデオ信
号Vsが順次取り込まれる。次いで、一水平ラインの各
ピクセルにビデオ信号が取り込まれると、ライン同期信
号によりライン同期信号Lsyがシフトされて、シフト
レジスタSR−V2の出力がアクティブレベルとなり、
今度は2ライン目のピクセルP21〜P2nが、前述と
同様にして順次ビデオ信号Vsを取り込むようになる。
このような動作が引き続いて行われることにより、最終
ラインのピクセルPm1〜Pmnが順次ビデオ信号Vs
を取り込む。これにより、1フレームのビデオ信号が表
示部10に供給されたことになり、各ピクセルP11〜
Pmnでは保持しているビデオ信号に応じたカソード電
流を各FECブロックに供給して、入力されたビデオ信
号Vsの画像信号に応じた電子放出を行うようになる。Similarly, as the video synchronizing signal Vsy is shifted by the shift registers SR-H1 to SR-Hn, the video signal Vs is sequentially taken into the pixels P13 to P1n in the horizontal direction. Next, when a video signal is taken into each pixel of one horizontal line, the line synchronizing signal Lsy is shifted by the line synchronizing signal, and the output of the shift register SR-V2 becomes active level.
This time, the pixels P21 to P2n in the second line sequentially take in the video signal Vs in the same manner as described above.
By continuously performing such an operation, the pixels Pm1 to Pmn in the final line are sequentially output to the video signal Vs.
Take in. As a result, one frame of the video signal is supplied to the display unit 10, and each of the pixels P11 to
In Pmn, a cathode current corresponding to the held video signal is supplied to each FEC block, and electrons are emitted according to the image signal of the input video signal Vs.
【0026】なお、FET TR−11〜TR−jkの
ソースに挿入されているソース抵抗R11〜RjkはF
ET TR−11〜TR−jkの特性の変動を抑える作
用を行うものである。すなわち、ドレイン電流が所定よ
り少ない時にはそのソース抵抗の電圧降下が少なく、F
ETをドレイン電流が増加させる方向に動作させ、ドレ
イン電流が所定より多い時にはそのソース抵抗の電圧降
下が大きくなり、FETをドレイン電流が減少させる方
向に動作させている。このようにして、ピクセルP11
〜Pmnからビデオ信号Vsに応じた電界放出動作が行
なわれ、これが図1には示していないアノード電極A側
に捕集されて蛍光体に衝突することにより、発光動作が
行なわれる。即ち画像を構成する1フレームの発光が行
なわれ、1枚の画像表示が実行される。The source resistors R11 to Rjk inserted in the sources of the FETs TR-11 to TR-jk are F.
It acts to suppress variations in the characteristics of ET TR-11 to TR-jk. That is, when the drain current is smaller than a predetermined value, the voltage drop of the source resistance is small, and
The ET is operated in the direction of increasing the drain current, and when the drain current is larger than a predetermined value, the voltage drop of the source resistance becomes large, and the FET is operated in the direction of decreasing the drain current. In this way, the pixel P11
.About.Pmn performs a field emission operation according to the video signal Vs, which is collected on the side of the anode electrode A (not shown in FIG. 1) and collides with the phosphor, thereby performing a light emitting operation. That is, one frame of light constituting an image is emitted and one image is displayed.
【0027】各ピクセルの各ブロックに備えられている
ビデオ信号保持用のコンデンサC11〜Cjkでは、ビ
デオ信号の更新が1フレーム毎に行われ、その間ビデオ
信号を保持している必要があるが、容量が不足する場合
は、グランド配線層の上に強誘電体膜を形成して作成し
たキャパシタを付加して容量を増加させるようにしても
よい。なお、コンデンサC11〜Cjkからの保持出力
電圧は、電界効果トランジスタであるFET TR−1
1〜TRjkのゲートに印加されるが、FET TR−
11〜TRjkを絶縁ゲート型であるMOS型としたの
で、その漏れ電流は小さく小容量のコンデンサC11〜
Cjkにより1フレームの期間ビデオ信号レベルを保持
できるようになる。In the video signal holding capacitors C11 to Cjk provided in each block of each pixel, the video signal needs to be updated every frame, and the video signal needs to be held during that period. In the case of shortage, a capacitor formed by forming a ferroelectric film on the ground wiring layer may be added to increase the capacitance. The held output voltage from the capacitors C11 to Cjk is FET TR-1 which is a field effect transistor.
1 to TRjk are applied to the FET TR-
Since 11 to TRjk are the MOS type which is the insulated gate type, the leakage current is small and the capacitors C11 to C11 having a small capacity.
Cjk makes it possible to hold the video signal level for one frame.
【0028】また、FET素子のドレイン・ソース間電
圧VDSとドレイン電流ID の特性としては、一般に図3
に示すような定電流特性が知られている。本例は、この
ようなFETの定電流特性を利用して、前述したように
カソード電流を、ビデオ信号に応じて無段階変調してい
る。例えば、ピクセルP11〜Pmnに対するカソード
電流としては、各ピクセルの特性に殆ど関係なく、MO
S型FET TR11〜TRjkのゲート電圧で決まる
電流が流れることになる。この場合、MOS型FET素
子のゲート・ソース間電圧VGSとドレイン電流ID の特
性は一般的に図4のように非線形となるが、ゲート電圧
となるビデオ信号Svに対して、この特性とは逆特性と
なる特性を与えることで、入力端子1に入力されるビデ
オ信号Svの電圧値に応じて無段階に線形に変調された
カソード電流が得られることになる。このためのビデオ
信号Svの特性処理はV/I補正回路3で行なわれる。The characteristics of the drain-source voltage V DS and the drain current I D of the FET element are generally shown in FIG.
The constant current characteristic as shown in is known. In this example, the cathode current is steplessly modulated according to the video signal as described above by utilizing the constant current characteristic of the FET. For example, the cathode currents for the pixels P11 to Pmn are almost independent of the characteristics of each pixel.
A current determined by the gate voltage of the S-type FETs TR11 to TRjk flows. In this case, the characteristics of the gate-source voltage V GS and the drain current I D of the MOS type FET element are generally non-linear as shown in FIG. 4, but with the characteristics for the video signal Sv which is the gate voltage. Gives a reverse characteristic so that a cathode current linearly modulated steplessly according to the voltage value of the video signal Sv input to the input terminal 1 can be obtained. The characteristic processing of the video signal Sv for this purpose is performed by the V / I correction circuit 3.
【0029】さらに、ブロックFEC11〜FECjk
からなる各ピクセルのゲート・カソード間電圧VGCとカ
ソード電流Ic の特性は上述したように図6のようにな
るが、最大輝度はVOP,IOPに設定されるとする。ビデ
オアンプ2のゲインとしては、MOS型FET TR−
11〜TR−jkの図3に示すドレイン−ソース間電圧
VDSが湾曲点の手前、即ち1〜3Vの電圧となるように
調整する。つまりFET素子の定電流特性領域を用いる
ようにする。なお、図6に示すゲート・カソード間電圧
VGCとカソード電流Ic の非線形特性を、V/I補正回
路3で補正するようにしてもよい。Further, blocks FEC11 to FECjk
The characteristics of the gate-cathode voltage V GC and the cathode current I c of each pixel are as shown in FIG. 6 as described above, but the maximum brightness is set to V OP and I OP . As the gain of the video amplifier 2, a MOS type FET TR-
The drain-source voltage V DS of 11 to TR-jk shown in FIG. 3 is adjusted to be before the bending point, that is, a voltage of 1 to 3V. That is, the constant current characteristic region of the FET element is used. The non-linear characteristic of the gate-cathode voltage V GC and the cathode current I c shown in FIG. 6 may be corrected by the V / I correction circuit 3.
【0030】そしてV/I補正回路3では、ビデオ信号
Svに対して例えば対数圧縮処理を施し、図4に示すF
ET素子のゲート・ソース間電圧VGSとドレイン電流I
D の特性とは逆特性が与えられるようにし、そのように
処理されたビデオ信号SvがMOS型FET TR−1
1〜TR−jkのゲートに印加されるようにする。する
と、各ピクセルのカソード電極C1〜Cnに流れる電流
は、入力端子に入力されるビデオ信号Svの電圧値に対
してリニアな特性となり、つまりビデオ信号Svに応じ
て無段階に線形に変調されたカソード電流が得られるよ
うになる。In the V / I correction circuit 3, the video signal Sv is subjected to, for example, logarithmic compression processing, and F shown in FIG.
Gate-source voltage V GS and drain current I of ET element
A characteristic reverse to the characteristic of D is given, and the video signal Sv processed as described above is supplied to the MOS type FET TR-1.
1 to TR-jk are applied. Then, the current flowing through the cathode electrodes C1 to Cn of each pixel has a linear characteristic with respect to the voltage value of the video signal Sv input to the input terminal, that is, is linearly modulated in accordance with the video signal Sv. The cathode current can be obtained.
【0031】また、表示部10での輝度は、そのアノー
ド電力に比例する。アノード電圧は通常一定とすること
から、輝度はアノード電流に比例し、アノード電流はほ
ぼカソード電流と同じとなる。すなわち、カソード電流
が変化すれば、輝度はそれに応じて変化するため、ビデ
オ信号Svに応じて無段階に変調されたカソード電流に
より、ビデオ信号Svに応じた無段階階調表現が、本発
明において実現されることになる。この場合、当然なが
ら従来のPWM変調のような階調の多段階化への制限も
なく、また図6の特性のバラツキの影響もないため、表
示画像の品位を飛躍的に向上させることができる。The brightness of the display section 10 is proportional to the anode power. Since the anode voltage is usually constant, the brightness is proportional to the anode current, and the anode current is almost the same as the cathode current. That is, if the cathode current changes, the brightness changes accordingly. Therefore, in the present invention, the stepless gradation expression according to the video signal Sv is generated by the cathode current steplessly modulated according to the video signal Sv. Will be realized. In this case, as a matter of course, there is no limitation to multi-step gradation as in the conventional PWM modulation, and there is no influence of variation in characteristics of FIG. 6, so that the quality of the display image can be dramatically improved. .
【0032】ところで、V/I補正回路3の処理のみで
は特性補正が不十分であるときなどは、ビデオ信号Sv
に対してA/D変換、補正演算、D/A変換を行なう補
正回路系を設け、デジタル演算による補正を行なうよう
にしてもよい。このような場合は、各FET TR−1
1〜TR−jk毎、各ピクセル毎に対応した特性補正も
可能となる。またデジタル演算補正により各FET T
R−11〜TR−jk毎での特性補正を行なう場合は、
特性バラツキ補正のための上記のソース抵抗11〜jk
は不要となる。By the way, when the characteristic correction is insufficient only by the processing of the V / I correction circuit 3, the video signal Sv
Alternatively, a correction circuit system for performing A / D conversion, correction calculation, and D / A conversion may be provided to perform correction by digital calculation. In such a case, each FET TR-1
It is also possible to perform characteristic correction corresponding to each pixel 1 to TR-jk. In addition, each FET T is corrected by digital calculation correction.
When performing characteristic correction for each of R-11 to TR-jk,
The above-mentioned source resistances 11 to jk for correcting characteristic variations
Becomes unnecessary.
【0033】さらにビデオ信号Svの特性補正のために
は、各ピクセルP11〜Pmnまでの特性を予めテーブ
ルデータとしてメモリに保持しておき、それに基づいて
補正を実行するようにすることもできる。また、表示装
置をフルカラー化する場合は、1ピクセル内において
R、G、Bの蛍光体を設けると共に、FECアレーから
なるブロックをR、G、Bに対応して3分割し、それぞ
れの色のビデオ信号を分割された各ブロックで取り込ん
で保持するようにする。この場合、ゲート電極も分割さ
れたブロックに対応して分割すると、各ゲート電極のゲ
ート電圧を調整することにより、色バランスを調整する
ことができる。Further, in order to correct the characteristics of the video signal Sv, the characteristics of each of the pixels P11 to Pmn may be stored in the memory in advance as table data, and the correction may be executed based on the characteristics. When the display device is to be full-colored, R, G, and B phosphors are provided in one pixel, and the block made up of the FEC array is divided into three corresponding to R, G, and B, and each color is divided into three blocks. The video signal is captured and held in each divided block. In this case, if the gate electrode is also divided corresponding to the divided blocks, the color balance can be adjusted by adjusting the gate voltage of each gate electrode.
【0034】次に本発明の表示装置の第2の実施の形態
としての有機EL表示装置を図7〜図9を参照して説明
するが、表示装置の概略は図1に示す表示装置と同じで
あり、有機EL表示装置とされた場合の図1に示す表示
部10の4つのピクセルP11,12,P21,P22
の詳細な構成が図7に示されている。有機EL表示装置
においても図1に示すように、表示部10はマトリクス
状に配列されたm×nのピクセルP11〜Pmnから構
成されている。この表示装置の動作は、表示素子がFE
Cから有機EL表示素子とされた点を除いて前述した通
りであるので省略するが、表示部10はアクティブマト
リクス方式とされており、各ピクセルP11〜Pmnは
供給された定電流に応じて発光するようにされて、ビデ
オ信号に応じた無段階とされた階調制御を行えるように
している。なお、電源回路5は、表示部10に駆動用の
アノード電源等を供給している。Next, an organic EL display device as a second embodiment of the display device of the present invention will be described with reference to FIGS. 7 to 9. The outline of the display device is the same as that of the display device shown in FIG. And the four pixels P11, P21, P22 of the display unit 10 shown in FIG. 1 in the case of an organic EL display device.
The detailed configuration of is shown in FIG. Also in the organic EL display device, as shown in FIG. 1, the display unit 10 is composed of m × n pixels P11 to Pmn arranged in a matrix. The operation of this display device is such that the display element is FE.
The description is omitted because it is as described above except that the organic EL display element is changed from C, but the display unit 10 is an active matrix type, and each pixel P11 to Pmn emits light according to a constant current supplied. By doing so, stepless gradation control according to the video signal can be performed. The power supply circuit 5 supplies the display unit 10 with a driving anode power supply and the like.
【0035】本発明は、このようにアクティブマトリク
ス方式とされた表示装置において、無段階の階調表現を
可能とすることができるものであり、その第2の実施の
態様である有機EL表示装置を図7ないし図9を参照し
て説明する。この有機EL表示装置に用いられる有機E
L発光素子の構造を図8に示す。有機EL発光素子は、
ガラス基板101上に形成された薄膜状の透明のITO
電極102と、このITO電極102を覆うように形成
されたホール輸送層103と、このホール輸送層103
上に薄膜状に形成された発光層104と、発光層104
上に形成された上部電極105とから構成されている。The present invention is an organic EL display device which is a second embodiment of the present invention, which is capable of stepless gradation expression in a display device of active matrix type as described above. Will be described with reference to FIGS. Organic E used in this organic EL display device
The structure of the L light emitting element is shown in FIG. The organic EL light emitting device is
Thin film transparent ITO formed on the glass substrate 101
The electrode 102, the hole transport layer 103 formed so as to cover the ITO electrode 102, and the hole transport layer 103.
A light emitting layer 104 formed in a thin film on the top, and a light emitting layer 104
It is composed of the upper electrode 105 formed above.
【0036】このように構成された有機EL発光素子に
おいては、上部電極105がいわゆるカソード電極とな
り、ITO電極102がアノード電極となる。そして上
部電極105にマイナス、ITO電極102にプラスの
直流電圧を印加すると、ITO電極102から注入され
たホールはホール輸送層103により輸送されて発光層
104に注入される。一方、上部電極105から発光層
104に電子が注入されており、この注入された電子
と、ホール輸送層103から注入されたホールとが発光
層104内において再結合される。この再結合により、
発光層104が発光するようになり、この発光は透光性
のホール輸送層103、ITO電極102、およびガラ
ス基板101を介して観察することができる。In the organic EL light emitting device having such a structure, the upper electrode 105 serves as a so-called cathode electrode and the ITO electrode 102 serves as an anode electrode. When a negative DC voltage is applied to the upper electrode 105 and a positive DC voltage is applied to the ITO electrode 102, the holes injected from the ITO electrode 102 are transported by the hole transport layer 103 and injected into the light emitting layer 104. On the other hand, electrons are injected from the upper electrode 105 into the light emitting layer 104, and the injected electrons and holes injected from the hole transport layer 103 are recombined in the light emitting layer 104. By this recombination,
The light emitting layer 104 emits light, and this light emission can be observed through the translucent hole transport layer 103, the ITO electrode 102, and the glass substrate 101.
【0037】この場合、上部電極105とITO電極1
02に印加する直流電源の電圧が10ボルト以下で10
00[cd/cm2 ]以上の発光を得ることができる。
なお、ホール輸送層103は一般にトリフェニルジアミ
ン(TPD)を材料として形成されており、発光層10
4は一般にアルミキノリノール錯体(Alq3)により
形成されている。また、ホール輸送層103および発光
層104からなる有機EL媒体に替えて、発光性ポリマ
ーからなる一層構造の発光層を用いることもできる。In this case, the upper electrode 105 and the ITO electrode 1
If the voltage of the DC power supply applied to 02 is 10 V or less,
It is possible to obtain light emission of 00 [cd / cm 2 ] or more.
The hole transport layer 103 is generally formed of triphenyldiamine (TPD) as a material, and the light emitting layer 10
4 is generally formed of an aluminum quinolinol complex (Alq 3 ). Further, instead of the organic EL medium including the hole transport layer 103 and the light emitting layer 104, a light emitting layer having a single layer structure including a light emitting polymer can be used.
【0038】有機EL表示素子のアノード電流Ia −ア
ノード・カソード間電圧VACの特性を図6に示す。この
図6に示すように、アノード・カソード間電圧VACが徐
々に上昇していくと、アノード電流Ia が流れ始めるよ
うになる。この電流Ia が流れ始める電圧VACを閾値電
圧Vthという。一般に、アノード・カソード間には閾値
電圧Vthよりかなり高い図示するVOP程度の電圧が印加
されており、この時アノードであるITO電極102に
はアノード電流Iopが流れるようになる。The characteristics of the anode current I a of the organic EL display element and the anode-cathode voltage V AC are shown in FIG. As shown in FIG. 6, when the anode-cathode voltage V AC gradually rises, the anode current I a starts to flow. The voltage V AC at which this current I a starts to flow is called the threshold voltage V th . Generally, a voltage of about V OP, which is much higher than the threshold voltage V th , is applied between the anode and the cathode, and at this time, the anode current I op flows through the ITO electrode 102 which is the anode.
【0039】このような原理を用いた有機EL表示装置
の表示部10の一部詳細図の一例を図7に示している。
この一部詳細図は、図1に示す表示部10のピクセルP
11,P12,P21,P22の4つのピクセルのみを
拡大して示すものである。表示部10は、図8で説明し
た原理で表示が実行される部位であり、上部電極10
5、発光層104、ホール輸送層103、およびITO
電極102からなる有機EL素子がj個で1単位のピク
セルP11〜Pmnが形成される。この場合、表示領域
は図1に示すようにn×mピクセルで形成される。ピク
セルP11〜Pnmは、すべて同一構成とされており、
ピクセルの説明をピクセルP11を代表として説明す
る。An example of a partial detailed view of the display portion 10 of the organic EL display device using such a principle is shown in FIG.
This partial detailed view shows a pixel P of the display unit 10 shown in FIG.
Only four pixels of 11, P12, P21 and P22 are enlarged and shown. The display unit 10 is a portion where display is performed according to the principle described with reference to FIG.
5, light emitting layer 104, hole transport layer 103, and ITO
Pixels P11 to Pmn of one unit are formed by j organic EL elements including the electrodes 102. In this case, the display area is formed by n × m pixels as shown in FIG. Pixels P11 to Pnm are all configured the same,
The pixel will be described with the pixel P11 as a representative.
【0040】ピクセル11は有機EL素子O−EL1〜
O−ELjのj個の有機EL素子を備えており、それぞ
れの有機EL素子を独立して駆動する駆動手段がそれぞ
れ備えられている。駆動手段は2つの電界効果トランジ
スタ(FET)と信号保持用のコンデンサとFETの特
性変動圧縮用の抵抗からなっている。具体的に説明する
と、有機EL素子O−EL1においてFET TR−1
1はアナログスイッチとして動作しており、ピクセルP
11にビデオ信号が与えられる時に開いて、入力された
ビデオ信号をコンデンサC1およびFET TR−1の
ゲートに印加している。FET TR−11はピクセル
P11にビデオ信号が与えられる期間のみオンするよう
制御されるが、オンとなる周期は、例えば1フレーム毎
とされている。The pixel 11 is an organic EL element O-EL1.
It is provided with j organic EL elements of O-ELj, and a driving means for independently driving each organic EL element is provided. The driving means is composed of two field effect transistors (FETs), a signal holding capacitor, and a resistor for compressing the FET characteristic fluctuation compression. Specifically, in the organic EL element O-EL1, the FET TR-1
1 operates as an analog switch, and the pixel P
When the video signal is applied to 11, the input video signal is applied to the capacitor C1 and the gate of the FET TR-1. The FET TR-11 is controlled so as to turn on only during a period when a video signal is applied to the pixel P11, and the period of turning on is set to, for example, every frame.
【0041】このようにしてピクセル11に取り込まれ
たビデオ信号はコンデンサC1により次のフレームで次
のビデオ信号が与えられるまで保持される。また、コン
デンサC1の保持電圧はFET TR−1のゲートに印
加されており、このため、FET TR−1のドレイン
にはこのゲート電圧に応じた定電流が流れるようにな
る。このドレイン電流は有機EL素子O−EL1にカソ
ード電流として供給されるようになる。なお、FET
TR−1のドレイン電流は有機EL素子O−EL1の立
ち上がりの特性によらず、そのゲート電圧により決定さ
れるので、図9に示す有機EL素子O−EL1の立ち上
がりの特性にばらつきがあってもそのばらつきを吸収し
たカソード電流が流せるようになる。このため、立ち上
がり特性のばらつきを原因とする輝度のばらつきを防止
することができる。The video signal thus captured in the pixel 11 is held by the capacitor C1 until the next video signal is applied in the next frame. Further, the holding voltage of the capacitor C1 is applied to the gate of the FET TR-1, so that a constant current according to the gate voltage flows in the drain of the FET TR-1. This drain current is supplied to the organic EL element O-EL1 as a cathode current. In addition, FET
Since the drain current of TR-1 is determined by the gate voltage of the organic EL element O-EL1 and not by the rising characteristic of the organic EL element O-EL1, even if the rising characteristic of the organic EL element O-EL1 shown in FIG. 9 varies. The cathode current that absorbs the variation can flow. For this reason, it is possible to prevent variations in luminance due to variations in rising characteristics.
【0042】ところで、ピクセルP11に取り込まれた
ビデオ信号は、各有機EL素子毎に備えられたコンデン
サC1〜Cjに蓄積されて保持される。そして、上述の
ようにFET TR−1〜TR−jにゲート電圧を供給
している。これにより、各有機EL素子−EL1〜O−
ELjはビデオ信号のレベルに応じた直流の定電流で駆
動されるようになるので、そのデューティは1(100
%)となる。これにより、ダイナミック駆動する場合と
比べて同一輝度を得る場合に、アノード電圧を数分の一
とすることができ、耐圧を低くすることができるのでそ
の設計を容易とすることができる。By the way, the video signal taken into the pixel P11 is accumulated and held in the capacitors C1 to Cj provided for each organic EL element. Then, as described above, the gate voltage is supplied to the FETs TR-1 to TR-j. Thereby, each of the organic EL elements -EL1 to O-
ELj is driven by a constant DC current according to the level of the video signal, so its duty is 1 (100
%). As a result, when the same luminance is obtained as compared with the case of dynamic driving, the anode voltage can be reduced to a fraction, and the breakdown voltage can be lowered, which facilitates the design.
【0043】次に各ピクセルP11〜Pmnを駆動する
駆動制御方法について説明する。ここで、図1に示す走
査制御回路4からは、ビデオクロック信号Vck、ビデ
オ同期信号Vsy、ライン同期信号Lsy、ラインクロ
ック信号Lckが表示部10に与えられている。また、
電源回路5から供給されたアノード電源Vaは、すべて
のピクセルP11〜PmnのITO電極(アノード電
極)に常時印加されている。表示部10の水平方向には
1ピクセル毎に設けられたシフトレジスタSR−H1〜
SR−Hnが縦続接続されており、このシフトレジスタ
SR−H1〜SR−Hnには、ビデオ同期信号Vsyが
入力されており、ビデオクロック信号Vckによりビデ
オ同期信号Vsyがシフトされている。また、表示部1
0の垂直方向には、1ピクセル毎に設けられたシフトレ
ジスタSR−V1〜SR−Vmが縦続接続されており、
このシフトレジスタSR−V1〜SR−Vmには、ライ
ン同期信号Lsyが入力されており、ラインクロック信
号Lckによりライン同期信号Lsyがシフトされてい
る。Next, a drive control method for driving the pixels P11 to Pmn will be described. Here, from the scanning control circuit 4 shown in FIG. 1, the video clock signal Vck, the video synchronization signal Vsy, the line synchronization signal Lsy, and the line clock signal Lck are given to the display unit 10. Also,
The anode power Va supplied from the power supply circuit 5 is constantly applied to the ITO electrodes (anode electrodes) of all the pixels P11 to Pmn. In the horizontal direction of the display unit 10, shift registers SR-H1 to
The SR-Hn are connected in cascade, the video synchronization signal Vsy is input to the shift registers SR-H1 to SR-Hn, and the video synchronization signal Vsy is shifted by the video clock signal Vck. The display unit 1
In the vertical direction of 0, shift registers SR-V1 to SR-Vm provided for each pixel are connected in series.
The line synchronization signal Lsy is input to the shift registers SR-V1 to SR-Vm, and the line synchronization signal Lsy is shifted by the line clock signal Lck.
【0044】例えば、シフトレジスタSR−V1の出力
により一水平ラインのピクセルP11ないしP1nのス
イッチS−1−1〜S−1−nの一方にアクティブレベ
ルの信号が供給されている時に、シフトレジスタSR−
H1の出力がアクティブレベルとなった時は、スイッチ
S−1−1にのみ2つのアクティブレベルの信号が供給
されるので、スイッチS−1−1のみオンとなり、ピク
セルP11内のFET11〜FETj1がオンとなる。
すなわち、この時はオンとなったFET11〜FETj
1を介してピクセル11にビデオ信号Vsが取り込まれ
るようになる。次のタイミングではビデオクロックVc
kにより、ビデオ同期信号Vsyがシフトされてシフト
レジスタSR−H2の出力がアクティブレベルとなり、
スイッチS−1−2のみオンとなって、ピクセルP12
内のFET11〜FETj1がオンとなる。すなわち、
この時はオンとなったFET11〜FETj1を介して
ピクセル12にビデオ信号Vsが取り込まれるようにな
る。For example, when the output of the shift register SR-V1 supplies an active level signal to one of the switches S-1-1 to S-1-n of the pixels P11 to P1n on one horizontal line, SR-
When the output of H1 becomes the active level, since two active level signals are supplied only to the switch S-1-1, only the switch S-1-1 is turned on and the FET11 to FETj1 in the pixel P11 are turned on. It turns on.
That is, at this time, FET11 to FETj turned on
The video signal Vs is captured by the pixel 11 via 1. Video clock Vc at the next timing
The video synchronization signal Vsy is shifted by k, and the output of the shift register SR-H2 becomes active level,
Only the switch S-1-2 is turned on, and the pixel P12
FET11 to FETj1 in the inside are turned on. That is,
At this time, the video signal Vs is taken into the pixel 12 through the FET11 to FETj1 which are turned on.
【0045】シフトレジスタSRーH1〜SR−Hnを
同期信号Vsyは順次シフトされていき、これに伴い同
様にして、水平方向のピクセルP13〜P1nにビデオ
信号Vsが順次取り込まれる。次いで、一水平ラインの
ピクセルにそれぞれビデオ信号が取り込まれると、ライ
ン同期信号によりライン同期信号Lsyがシフトされ
て、シフトレジスタSR−V2の出力がアクティブレベ
ルとなり、今度は2ライン目のピクセルP21〜P2n
が、前述と同様にして順次ビデオ信号Vsを取り込むよ
うになる。このような動作が引き続いて行われることに
より、最終ラインのピクセルPm1〜Pmnが順次ビデ
オ信号Vsを取り込む。これにより、1フレームのビデ
オ信号が表示部10に供給されたことになり、各ピクセ
ルP11〜Pmnでは保持しているビデオ信号に応じた
カソード電流を各有機EL表示素子に供給して、入力さ
れたビデオ信号Vsの画像信号に応じた発光が行われる
ようになる。The synchronizing signals Vsy of the shift registers SR-H1 to SR-Hn are sequentially shifted, and accordingly, the video signals Vs are sequentially fetched to the pixels P13 to P1n in the horizontal direction. Next, when a video signal is taken into each pixel on one horizontal line, the line synchronizing signal Lsy is shifted by the line synchronizing signal, the output of the shift register SR-V2 becomes active level, and this time, the pixels P21 to P21 on the second line. P2n
However, the video signal Vs is sequentially fetched in the same manner as described above. By continuously performing such an operation, the pixels Pm1 to Pmn on the final line sequentially capture the video signal Vs. As a result, one frame of the video signal is supplied to the display unit 10, and the cathode current corresponding to the video signal held in each of the pixels P11 to Pmn is supplied to each organic EL display element to be input. Light is emitted according to the image signal of the video signal Vs.
【0046】なお、FET TR−1〜TR−jのソー
スに挿入されているソース抵抗R1〜RjはFET T
R−1〜TR−jの特性の変動を抑える作用を行うもの
である。すなわち、ドレイン電流が所定より少ない時に
はそのソース抵抗の電圧降下が少なく、FETをドレイ
ン電流が増加させる方向に動作させ、ドレイン電流が所
定より多い時にはそのソース抵抗の電圧降下が大きくな
り、FETをドレイン電流が減少させる方向に動作させ
ている。このようにして、ピクセルP11〜Pmnから
ビデオ信号Vsに応じた発光動作が行なわれる。即ち画
像を構成する1フレームの発光が行なわれ、1枚の画像
表示が実行される。The source resistors R1 to Rj inserted in the sources of the FETs TR-1 to TR-j are the FETs T1.
This serves to suppress the variation in the characteristics of R-1 to TR-j. That is, when the drain current is smaller than a predetermined value, the voltage drop of the source resistance is small, and the FET is operated in the direction of increasing the drain current. When the drain current is larger than the predetermined value, the voltage drop of the source resistance is large and the FET is drained. The current is decreasing. In this way, the pixels P11 to Pmn perform the light emitting operation according to the video signal Vs. That is, one frame of light constituting an image is emitted and one image is displayed.
【0047】各ピクセルの各ブロックに備えられている
ビデオ信号保持用のコンデンサC1〜Cjでは、ビデオ
信号の更新が1フレーム毎に行われ、この期間ビデオ信
号を保持する必要があるが、容量が不足する場合は、グ
ランド配線層の上に強誘電体膜を形成して作成したキャ
パシタを付加して容量を増加させるようにしてもよい。
なお、コンデンサC1〜Cjからの保持出力電圧は、電
界効果トランジスタであるFET TR−1〜TRjの
ゲートに印加されるが、FET TR−1〜TRjを絶
縁ゲート型であるMOS型としたので、その漏れ電流は
小さく小容量のコンデンサC1〜Cjにより1フレーム
の期間ビデオ信号レベルを保持できるようになる。In the video signal holding capacitors C1 to Cj provided in each block of each pixel, the video signal is updated every frame, and it is necessary to hold the video signal during this period. If there is a shortage, a capacitor formed by forming a ferroelectric film on the ground wiring layer may be added to increase the capacitance.
The holding output voltage from the capacitors C1 to Cj is applied to the gates of the FETs TR-1 to TRj which are field effect transistors, but since the FETs TR-1 to TRj are MOS type insulated gate type, The leakage current is small, and the small-capacity capacitors C1 to Cj can hold the video signal level for one frame.
【0048】また、FET素子のドレイン・ソース間電
圧VDSとドレイン電流ID の特性としては、一般に図3
に示すような定電流特性が知られており、この実施の態
様においても、このようなFETの定電流特性を利用し
て、前述したようにカソード電流を、ビデオ信号に応じ
て無段階変調している。例えば、ピクセルP11〜Pm
nに対するカソード電流としては、各ピクセルの特性に
殆ど関係なく、MOS型FET TR1〜TRjのゲー
ト電圧で決まる電流が流れることになる。この場合、M
OS型FET素子のゲート・ソース間電圧VGSとドレイ
ン電流ID の特性は一般的に図4のように非線形となる
が、ゲート電圧となるビデオ信号Svに対して、この特
性とは逆特性となる特性を与えることで、入力端子に入
力されるビデオ信号Svの電圧値に応じて無段階に線形
に変調されたカソード電流が得られることになる。この
ためのビデオ信号Svの特性処理はV/I補正回路3で
行なわれる。The characteristics of the drain-source voltage V DS and the drain current I D of the FET element are generally shown in FIG.
The constant current characteristic as shown in (4) is known, and in this embodiment as well, the constant current characteristic of such an FET is used to continuously modulate the cathode current according to the video signal as described above. ing. For example, the pixels P11 to Pm
As the cathode current for n, a current determined by the gate voltage of the MOS FETs TR1 to TRj flows regardless of the characteristics of each pixel. In this case, M
The characteristics of the gate-source voltage V GS and the drain current I D of the OS-type FET element are generally non-linear as shown in FIG. 4, but are opposite to these characteristics with respect to the video signal Sv serving as the gate voltage. By providing such a characteristic, a cathode current that is linearly modulated steplessly according to the voltage value of the video signal Sv input to the input terminal can be obtained. The characteristic processing of the video signal Sv for this purpose is performed by the V / I correction circuit 3.
【0049】さらに、有機EL素子O−EL1〜O−E
Ljからなる各ピクセルのアノード・カソード間電圧V
ACとアノード電流Ia の特性は上述したように図9のよ
うになるが、最大輝度はVOP,IOPに設定される。すな
わち、ビデオアンプ2のゲインとしては、MOS型FE
T TR−1〜TR−jの図3に示すドレイン−ソース
間電圧VDSが湾曲点の手前、即ち1〜3Vの電圧となる
ように調整する。つまりFET素子の定電流特性領域を
用いるようにする。また、図9に示すアノード・カソー
ド間電圧VACとアノード電流Ia の非線形特性を、V/
I補正回路3で補正するようにしてもよい。Furthermore, organic EL elements O-EL1 to OE
Anode-cathode voltage V of each pixel composed of Lj
The characteristics of AC and the anode current I a are as shown in FIG. 9 as described above, but the maximum brightness is set to V OP and I OP . That is, the gain of the video amplifier 2 is the MOS type FE.
The drain-source voltage V DS of T TR-1 to TR-j shown in FIG. 3 is adjusted to be before the bending point, that is, a voltage of 1 to 3V. That is, the constant current characteristic region of the FET element is used. In addition, the nonlinear characteristic of the anode-cathode voltage V AC and the anode current I a shown in FIG.
The correction may be performed by the I correction circuit 3.
【0050】そしてV/I補正回路3では、ビデオ信号
Svに対して例えば対数圧縮処理を施し、図4に示すF
ET素子のゲート・ソース間電圧VGSとドレイン電流I
D の特性とは逆特性が与えられるようにし、そのように
処理されたビデオ信号SvがMOS型FET TR−1
〜TR−jのゲートに印加されるようにする。すると、
各ピクセルの上部電極105(カソード電極)に流れる
電流は、入力端子に入力されるビデオ信号Svの電圧値
に対してリニアな特性となり、つまりビデオ信号Svに
応じて無段階に線形に変調されたカソード電流が得られ
るようになる。In the V / I correction circuit 3, the video signal Sv is subjected to, for example, logarithmic compression processing, and F shown in FIG.
Gate-source voltage V GS and drain current I of ET element
A characteristic reverse to the characteristic of D is given, and the video signal Sv processed as described above is supplied to the MOS type FET TR-1.
~ TR-j is applied to the gate. Then
The current flowing through the upper electrode 105 (cathode electrode) of each pixel has a linear characteristic with respect to the voltage value of the video signal Sv input to the input terminal, that is, is linearly modulated in accordance with the video signal Sv. The cathode current can be obtained.
【0051】また、表示部10での輝度は、そのアノー
ド電力に比例する。アノード電圧は通常一定とすること
から、輝度はアノード電流に比例し、アノード電流はほ
ぼカソード電流と同じとなる。すなわち、カソード電流
が変化すれば、輝度はそれに応じて変化するため、つま
り本例では、ビデオ信号Svに応じて無段階に変調され
たカソード電流により、ビデオ信号Svに応じた無段階
階調表現が実現されることになる。この場合、当然なが
ら従来のPWM変調のような階調の多段階化への制限も
なく、また図6の特性のバラツキの影響もないため、表
示画像の品位を飛躍的に向上させることができる。The brightness of the display section 10 is proportional to the anode power. Since the anode voltage is usually constant, the brightness is proportional to the anode current, and the anode current is almost the same as the cathode current. That is, if the cathode current changes, the brightness changes accordingly. In other words, in this example, the cathode current that is steplessly modulated according to the video signal Sv causes stepless gradation expression according to the video signal Sv. Will be realized. In this case, as a matter of course, there is no limitation to multi-step gradation as in the conventional PWM modulation, and there is no influence of variation in characteristics of FIG. 6, so that the quality of the display image can be dramatically improved. .
【0052】ところで、V/I補正回路3の処理のみで
は特性補正が不十分であるときなどは、ビデオ信号Sv
に対してA/D変換、補正演算、D/A変換を行なう補
正回路系を設け、デジタル演算による補正を行なうよう
にしてもよい。このような場合は、各FET TR−1
〜TR−j毎、各ピクセル毎に対応した特性補正も可能
となる。またデジタル演算補正により各FET TR−
1〜TR−j毎での特性補正を行なう場合は、特性バラ
ツキ補正のための上記のソース抵抗1〜jは不要とな
る。By the way, when the characteristic correction is not sufficient only by the processing of the V / I correction circuit 3, the video signal Sv
Alternatively, a correction circuit system for performing A / D conversion, correction calculation, and D / A conversion may be provided to perform correction by digital calculation. In such a case, each FET TR-1
It is also possible to perform characteristic correction corresponding to each TR-j and each pixel. In addition, each FET TR-
When the characteristic correction is performed for each of 1 to TR-j, the above source resistors 1 to j for correcting the characteristic variation are unnecessary.
【0053】さらにビデオ信号Svの特性補正のために
は、各ピクセルP11〜Pmnまでの特性を予めテーブ
ルデータとしてメモリに保持しておき、それに基づいて
補正を実行するようにすることもできる。また、表示装
置をフルカラー化する場合は、1ピクセル内において
R、G、Bのフィルターを設けると共に、有機EL表示
素子群をR、G、Bに対応して3分割し、それぞれの色
のビデオ信号を分割された各ブロックで取り込んで保持
するようにする。この場合、アノード電極も分割された
ブロックに対応して分割すると、各アノード電極のアノ
ード電圧を調整することにより、色バランスを調整する
ことができる。Further, in order to correct the characteristics of the video signal Sv, the characteristics of each of the pixels P11 to Pmn may be stored in the memory as table data in advance, and the correction may be executed based on the characteristics. When the display device is to be full-colored, R, G, and B filters are provided within one pixel, and the organic EL display element group is divided into three parts corresponding to R, G, and B, and video of each color is displayed. The signal is captured and held in each divided block. In this case, if the anode electrode is also divided corresponding to the divided blocks, the color balance can be adjusted by adjusting the anode voltage of each anode electrode.
【0054】[0054]
【発明の効果】以上説明したように本発明のFED表示
装置、有機エレクトロルミネセンス表示装置は、各表示
ピクセルをビデオ信号に応じた定電流により駆動するこ
とができるので、ビデオ信号に応じた無段階の階調表現
を実現することができ、表示画像の品位を飛躍的に向上
させることができる。また、各表示ピクセルを駆動する
駆動手段を各表示ピクセル毎に備えるアクティブマトリ
クス方式とすると共に、各駆動手段内に周期毎に与えら
れるビデオ信号を保持する保持手段を設けるようにした
ので、表示手段の出力端子数を低減することができる。
さらに、各表示ピクセルはデューティが1とされる直流
駆動となるので、ダイナミック方式の数分の1の駆動電
圧により同一輝度が得られると共に、デューティが1と
されるので表示手段の布線の浮遊容量の充放電による電
力損失をほぼなくすことができる。As described above, in the FED display device and the organic electroluminescence display device of the present invention, each display pixel can be driven by a constant current corresponding to the video signal, and therefore, the display pixel corresponding to the video signal is not displayed. It is possible to realize gradation expression in stages, and it is possible to dramatically improve the quality of a display image. Further, the driving means for driving each display pixel is provided for each display pixel, and the holding means for holding the video signal given in each cycle is provided in each driving means. The number of output terminals can be reduced.
Further, since each display pixel is driven by direct current with a duty of 1, the same luminance can be obtained by a driving voltage of a fraction of the dynamic method, and the duty is 1, so that the wiring of the display means floats. Power loss due to charge / discharge of the capacity can be almost eliminated.
【図1】本発明の表示装置の概略構成を示す図である。FIG. 1 is a diagram showing a schematic configuration of a display device of the present invention.
【図2】本発明の第1の実施の形態のFED表示装置の
表示部の一部を詳細に示す図である。FIG. 2 is a diagram showing in detail a part of a display unit of the FED display device according to the first embodiment of the present invention.
【図3】FETのVDS−ID 特性の説明図である。3 is an explanatory view of a V DS -I D characteristic of the FET.
【図4】FETのVGS−ID 特性の説明図である。4 is an explanatory view of the V GS -I D characteristic of the FET.
【図5】FECの構造の説明図である。FIG. 5 is an explanatory diagram of a structure of FEC.
【図6】FECのVGC−IC 特性の説明図である。FIG. 6 is an explanatory diagram of V GC -I C characteristics of FEC.
【図7】本発明の第2の実施の形態の有機EL表示装置
の表示部の一部の詳細を示す図である。FIG. 7 is a diagram showing details of a part of a display portion of an organic EL display device according to a second embodiment of the present invention.
【図8】有機EL表示部の構造の説明図である。FIG. 8 is an explanatory diagram of a structure of an organic EL display unit.
【図9】有機EL表示部のVAC−Ia特性の説明図であ
る。9 is an explanatory view of a V AC -Ia characteristics of the organic EL display unit.
2 ビデオアンプ 3 V/I補正回路 4 走査制御回路 5 電源回路 10 表示部 P11〜Pmn ピクセル FEC11〜FECjk 電界放出カソード TRー11〜TRーjk, TRー111〜TRーjk
1, TRー1〜TRーj, TRー11〜TRーj1 電
界効果トランジスタ O−EL1〜O−ELj 有機EL表示素子2 Video Amplifier 3 V / I Correction Circuit 4 Scanning Control Circuit 5 Power Supply Circuit 10 Display P11 to Pmn Pixels FEC11 to FECjk Field Emission Cathodes TR-11 to TR-jk, TR-111 to TR-jk
1, TR-1 to TR-j, TR-11 to TR-j1 Field effect transistors O-EL1 to O-ELj Organic EL display element
Claims (8)
ているFED表示部の、前記各表示ピクセルが電子放出
部と表示部とから構成され、 前記電子放出部は、少なくとも1つ以上の電界放出カソ
ードからなり、前記表示部は前記電子放出部から放出さ
れる電子を捕集するアノードと、該アノードに被着され
ている蛍光体からなり、 所定周期毎に順次走査されて前記各表示ピクセルの前記
電子放出部に間欠的にビデオ信号が与えられており、 前記各表示ピクセルの前記電子放出部に与えられる前記
ビデオ信号を次の周期まで保持する保持手段と、該保持
手段により保持されたビデオ信号に応じた直流の定電流
を前記電界放出カソードに供給するFET素子からなる
駆動手段が前記電子放出部に備えられていることを特徴
とする表示装置。1. An FED display unit in which display pixels are formed in a matrix, each display pixel includes an electron emission unit and a display unit, and the electron emission unit is at least one field emission cathode. The display unit includes an anode that collects electrons emitted from the electron emission unit, and a phosphor that is deposited on the anode. A video signal is intermittently applied to the electron emitting portion, holding means for holding the video signal applied to the electron emitting portion of each display pixel until the next cycle, and a video signal held by the holding means. The display device is characterized in that the electron-emitting portion is provided with a driving means including an FET element for supplying a constant DC current corresponding to the above to the field emission cathode.
に形成された強誘電体膜とにより構成されたキャパシタ
を有していることを特徴とする請求項1記載の表示装
置。2. The display device according to claim 1, wherein the holding means has a capacitor composed of a ground wiring layer and a ferroelectric film formed thereon.
に対して、前記FET素子のゲート・ソース間電圧−ド
レイン電流特性の逆特性を与えるビデオ信号補正回路が
設けられていることを特徴とする請求項1記載の表示装
置。3. A video signal correction circuit for providing a video signal applied to each FET element with an inverse characteristic of a gate-source voltage-drain current characteristic of the FET element is provided. The display device according to claim 1.
T素子に印加するビデオ信号に対して、前記電界放出カ
ソードの非線形特性に対する特性補正も行なうことを特
徴とする請求項3記載の表示装置。4. The video signal correction circuit is provided for each of the FEs.
4. The display device according to claim 3, wherein the video signal applied to the T element is also subjected to characteristic correction for the non-linear characteristic of the field emission cathode.
ている有機エレクトロルミネセンス表示部において、 前記表示ピクセルは、所定周期毎に順次走査されて各表
示ピクセルにビデオ信号が与えられており、 前記表示ピクセル毎に備えられた駆動手段は、各表示ピ
クセルに与えられる前記ビデオ信号を次の周期まで保持
する保持手段と、該保持手段により保持されたビデオ信
号に応じた直流の定電流を前記表示ピクセルに供給する
FET素子からなることを特徴とする表示装置。5. In an organic electroluminescence display part in which display pixels are formed in a matrix, the display pixels are sequentially scanned at predetermined intervals and a video signal is given to each display pixel. The driving means provided for each pixel is a holding means for holding the video signal given to each display pixel until the next cycle, and a constant direct current corresponding to the video signal held by the holding means for the display pixel. A display device comprising an FET element for supplying to the.
に形成された強誘電体膜とにより構成されたキャパシタ
を有していることを特徴とする請求項5記載の表示装
置。6. The display device according to claim 5, wherein the holding means has a capacitor composed of a ground wiring layer and a ferroelectric film formed thereon.
に対して、前記FET素子のゲート・ソース間電圧−ド
レイン電流特性の逆特性を与えるビデオ信号補正回路が
設けられていることを特徴とする請求項5記載の表示装
置。7. A video signal correction circuit for providing a video signal applied to each FET element with an inverse characteristic of a gate-source voltage-drain current characteristic of the FET element is provided. The display device according to claim 5.
T素子に印加するビデオ信号に対して、前記有機エレク
トロルミネセンス表示部の各表示ピクセルの非線形特性
に対する特性補正も行なうことを特徴とする請求項7記
載の表示装置。8. The video signal correction circuit is provided for each of the FEs.
8. The display device according to claim 7, wherein the video signal applied to the T element is also subjected to characteristic correction for the non-linear characteristic of each display pixel of the organic electroluminescence display section.
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