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JPH09302221A - ポジ型感光性樹脂組成物 - Google Patents

ポジ型感光性樹脂組成物

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Publication number
JPH09302221A
JPH09302221A JP11738796A JP11738796A JPH09302221A JP H09302221 A JPH09302221 A JP H09302221A JP 11738796 A JP11738796 A JP 11738796A JP 11738796 A JP11738796 A JP 11738796A JP H09302221 A JPH09302221 A JP H09302221A
Authority
JP
Japan
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compound
photosensitive resin
resin composition
polyamide
weight
Prior art date
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Granted
Application number
JP11738796A
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English (en)
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JP3207352B2 (ja
Inventor
Toshio Banba
敏夫 番場
Takashi Hirano
孝 平野
Naoji Takeda
直滋 竹田
Toshiro Takeda
敏郎 竹田
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Sumitomo Bakelite Co Ltd
Original Assignee
Sumitomo Bakelite Co Ltd
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Publication date
Application filed by Sumitomo Bakelite Co Ltd filed Critical Sumitomo Bakelite Co Ltd
Priority to JP11738796A priority Critical patent/JP3207352B2/ja
Priority to TW086105647A priority patent/TW502135B/zh
Priority to DE69704294T priority patent/DE69704294T2/de
Priority to EP97107190A priority patent/EP0807852B1/en
Priority to SG1997001374A priority patent/SG78269A1/en
Priority to CN97111184A priority patent/CN1113273C/zh
Priority to KR1019970018351A priority patent/KR100533488B1/ko
Priority to US08/854,863 priority patent/US6071666A/en
Publication of JPH09302221A publication Critical patent/JPH09302221A/ja
Priority to US09/442,277 priority patent/US6235436B1/en
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 高感度で高残膜率のパターンを得ることがで
き封止樹脂との密着性に優れるポジ型感光性樹脂を提供
すること。 【解決手段】 一般式(I)で示されるポリアミド
(A)100重量部と感光性ジアゾキノン化合物(B)
1〜100重量部と一般式(II)で表わされるフェノー
ル化合物(C)1〜50重量部からなるポジ型感光性樹
脂組成物。 【化1】 【化2】

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、高感度で高残膜率
のパターンを得ることができ、封止樹脂との密着性に優
れるポジ型感光性樹脂組成物に関するものである。
【0002】
【従来の技術】従来、半導体素子の表面保護膜、層間絶
縁膜には耐熱性が優れ、又卓越した電気特性、機械的特
性等を有するポリイミド樹脂が用いられているが、近年
半導体素子の高集積化、大型化、封止樹脂パッケージの
薄型化、小型化、半田リフローによる表面実装への移行
等により耐熱サイクル性、耐熱ショック性等の著しい向
上の要求があり、更に高性能のポリイミド樹脂が必要と
されるようになってきた。一方、ポリイミド樹脂自身に
感光性を付与する技術が最近注目を集めてきており、例
えば感光性ポリイミド樹脂として、下記式(VI)等があ
る。
【化8】
【0003】これを用いるとパターン作成工程の一部が
簡略化でき、工程短縮の効果はあるが、現像の際にN−
メチル−2−ピロリドン等の溶剤が必要となるため、安
全、取扱いにおいて問題がある。そこで最近では、アル
カリ水溶液で現像ができるポジ型の感光性樹脂が開発さ
れている。例えば、特公平1−46862号公報におい
てはポリベンゾオキサゾール樹脂とジアゾキノン化合物
より構成されるポジ型感光性樹脂が開示されている。こ
れは高い耐熱性、優れた電気特性、微細加工性を有し、
ウェハーコート用のみならず層間絶縁用樹脂としての可
能性も有している。このポジ型の感光性樹脂の現像メカ
ニズムは、未露光部のジアゾキノン化合物がアルカリ性
水溶液に不溶であり、露光することによりジアゾキノン
化合物が化学変化を起こし、アルカリ性水溶液に可溶と
なる。この露光部と未露光部での溶解性の差を利用し、
未露光部のみの塗膜パターンの作成が可能となる。これ
ら感光性樹脂を実際に使用する場合、特に問題となるの
は感光性樹脂の感度である。低感度であると、ウェハー
1枚当たりの露光時間が長くなり、スループットが低下
する。そこで感光性樹脂の感度を向上させようとして、
例えばベース樹脂のポリベンゾオキサゾール樹脂の分子
量を小さくすると、非露光部の現像時の膜減りが大きく
なり、パターン形状が悪くなるといった問題が生じる。
又感光性樹脂と封止樹脂との密着性が悪く、その界面で
剥離が発生し、実用性に問題があり、より封止樹脂との
密着性に優れた感光性樹脂が強く求められるようになっ
ている。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、高感度で高
残膜率のパターンを得ることができ、封止樹脂との密着
性に優れるポジ型感光性樹脂を提供することを目的とす
る。
【0005】
【課題を解決するための手段】本発明は、一般式(I)
で示されるポリアミド(A)100重量部と感光性ジア
ゾキノン化合物(B)1〜100重量部と一般式(II)
で表わされるフェノール化合物(C)1〜50重量部か
らなることを特徴とするポジ型感光性樹脂組成物であ
る。
【化9】
【0006】
【化10】
【0007】式(I)のポリアミドは、Xの構造を有す
るビスアミノフェノールとYの構造を有するジカルボン
酸からなり、このポリアミドを約300〜400℃で加
熱すると閉環し、ポリベンゾオキサゾールという耐熱性
樹脂に変化する。本発明のポリアミド(1)のXは、例
えば、
【化11】 等であるがこれらに限定されるものではない。
【0008】この中で特に高感度であるものとしては、
【化12】 より選ばれるものである。
【0009】又式(I)のYは、例えば、
【化13】 等であるがこれらに限定されるものではない。
【0010】これらの中で特に高感度のものとしては
【化14】 より選ばれるものである。
【0011】更に、式(1)のZは、例えば
【化15】 等であるがこれらに限定されるものではない。
【0012】式(1)のZは、例えば、シリコンウェハ
ーのような基板に対して、特に密着性が必要な場合に用
いるが、その使用割合bについては最大40.0モル%
まで使用することができる。40.0モル%を越えると
樹脂の溶解性が極めて低下し、スカムが発生し、パター
ン加工ができない。なお、これらX、Y、Zの使用にあ
たっては、それぞれ1種類であっても2種類以上の混合
物であっても構わない。
【0013】本発明で用いる感光性ジアゾキノン化合物
は、1,2−ベンゾキノンジアジドあるいは1,2−ナ
フトキノンジアジド構造を有する化合物であり、米国特
許明細書第2,772,972号、第2,797,21
3号、第3,669,658号により公知の物質であ
る。例えば、下記のものが挙げられる。
【化16】
【0014】
【化17】
【0015】これらの中で特に高残膜率の点から好まし
いものとしては下記のものがある。
【化18】
【0016】感光性ジアジドキノン化合物(B)のポリ
アミド(A)への配合量は、ポリアミド100重量部に
対し、1〜100重量部で、配合量が1重量部未満だと
樹脂のパターニング性が不良であり、逆に100重量部
を越えるとフィルムの引張り伸び率が著しく低下する。
【0017】本発明のポジ型感光性樹脂組成物には、必
要により感光特性を高めるためにジヒドロキシピリジン
誘導体を加えることができる。ジヒドロキシピリジン誘
導体としては、例えば2,6−ジメチル−3,5−ジア
セチル−4−(2′−ニトロフェニル)−1,4−ジヒ
ドロピリジン、4−(2′−ニトロフェニル)−2,6
−ジメチル−3,5−ジカルボエトキシ−1,4−ジヒ
ドロピリジン、4−(2′,4′−ジニトロフェニル)
−2,6−ジメチル−3,5−カルボメトキシ−1,4
−ジヒドロピリジン等を挙げることができる。
【0018】本発明のポジ型感光性樹脂組成物において
は、更に一般式(II)で表わされるフェノール化合物を
含有させることが重要である。
【化19】
【0019】フェノール化合物をポジ型レジスト組成物
に添加する技術としては、例えば、特開平3−2002
51号公報、特開平3−200252号公報、特開平3
−200253号公報、特開平3−200254号公
報、特開平4−1650号公報、特開平4−1651号
公報、特開平4−11260号公報、特開平4−123
56号公報、特開平4−12357号公報に示されてい
る。しかし、これらに示されているようなフェノール化
合物は、本発明におけるポリアミドをベース樹脂とした
ポジ型感光性樹脂に用いても感度向上の効果は小さい。
しかし、本発明における一般式(II)で表わされるフェ
ノール化合物を用いた場合、露光部における溶解速度が
増し、感度が向上する。又分子量を小さくし感度を上げ
た場合に見られるような未露光部の膜減りも非常に小さ
い。又本発明においては、一般式(II)で表わされるフ
ェノール化合物を添加することによる新たな特性とし
て、封止樹脂との密着性が向上したポジ型感光性樹脂組
成物が得られるということを見い出した。
【0020】一般式(II)に示される化合物としては下
記のもの等を挙げることができるがこれらに限定されな
い。
【化20】
【0021】
【化21】
【0022】
【化22】
【0023】
【化23】
【0024】これらの中で特に、感度及び残膜率の点で
好ましいものとしては、
【化24】 であり、一般式(IV)又は(V)で表わされる化合物は
単独、又は混合物の形で全フェノール化合物(C)中に
50重量%以上含まれるものである。フェノール化合物
(C)の添加量としては、ポリアミド(A)100重量
部に対して1〜50重量部が好ましい。添加量が1重量
部未満だと感度向上の効果が得られず、又添加量が50
重量部を越えると残膜率の低下が大きくなったり、又冷
凍保存中において析出が起こり実用性に欠ける。
【0025】本発明におけるポジ型感光性樹脂組成物に
は、必要によりレベリング剤、シランカップリング剤等
の添加剤を添加することができる。本発明においてはこ
れらの成分を溶剤に溶解し、ワニス状にして使用する。
溶剤としては、N−メチル−2−ピロリドン、γ−ブチ
ロラクトン、N,N−ジメチルアセトアミド、ジメチル
スルホキシド、ジエチレングリコールジメチルエーテ
ル、ジエチレングリコールジエチルエーテル、ジエチレ
ングリコールジブチルエーテル、プロピレングリコール
モノメチルエーテル、ジプロピレングリコールモノメチ
ルエーテル、プロピレングリコールモノメチルエーテル
アセテート、乳酸メチル、乳酸エチル、乳酸ブチル、メ
チル−1,3−ブチレングリコールアセテート、1,3
−ブチレングリコール−3−モノメチルエーテル、ピル
ビン酸メチル、ピルビン酸エチル、メチル−3−メトキ
シプロピオネート等を単独でも混合して用いてもよい。
【0026】本発明のポジ型感光性樹脂組成物の使用方
法は、まず該組成物を適当な支持体、例えば、シリコン
ウェハー、セラミック、アルミ基板等に塗布する。塗布
方法としては、スピンナーを用いた回転塗布、スプレー
コーターを用いた噴霧塗布、浸漬、印刷、ロールコーテ
ィング等がある。次に、60〜120℃でプリベークし
て塗膜を乾燥後、所望のパターン形状に化学線を照射す
る。化学線としては、X線、電子線、紫外線、可視光線
等が使用できるが、200〜500nmの波長のものが
好ましい。次に照射部を現像液で溶解除去することによ
りレリーフパターンを得る。現像液としては、水酸化ナ
トリウム、水酸化カリウム、炭酸ナトリウム、ケイ酸ナ
トリウム、メタケイ酸ナトリウム、アンモニア水等の無
機アルカリ類、エチルアミン、n−プロピルアミン等の
第1アミン類、ジエチルアミン、ジ−n−プロピルアミ
ン等の第2アミン類、トリエチルアミン、メチルジエチ
ルアミン等の第3アミン類、ジメチルエタノールアミ
ン、トリエタノールアミン等のアルコールアミン類、テ
トラメチルアンモニウムヒドロキシド、テトラエチルア
ンモニウムヒドロキシド等の第4級アンモニウム塩等の
アルカリ類の水溶液、及びこれにメタノール、エタノー
ルのごときアルコール類等の水溶性有機溶媒や界面活性
剤を適当量添加した水溶液を好適に使用することができ
る。現像方法としては、スプレー、パドル、浸漬、超音
波等の方式が可能である。次に、現像によって形成した
レリーフパターンをリンスする。リンス液としては、蒸
留水を使用する。次に加熱処理を行い、オキサゾール環
を形成し、耐熱性に富む最終パターンを得る。本発明に
よるポジ型感光性樹脂組成物は、半導体用途のみなら
ず、多層回路の層間絶縁やフレキシブル銅張板のカバー
コート、ソルダーレジスト膜や液晶配向膜等としても有
用である。
【0027】
【実施例】以下、実施例により本発明を具体的に説明す
る。 《実施例1》 *ポリアミドの合成 2,2−ビス(3−アミノ−4−ヒドロキシフェニル)
ヘキサフルオロプロパン36.6重量部(0.100モ
ル)をN,N−ジメチルアセトアミド150重量部及び
ピリジン33.2(0.420モル)重量部に溶解し
た。次にシクロヘキサノン100重量部に溶解したテレ
フタル酸クロリド17.0重量部(0.084モル)と
イソフタル酸クロリド4.3重量部(0.021モル)
を−10〜−15℃で30分かけて滴下し、その後室温
で4時間撹拌し反応を終了した。反応混合物を濾過した
後、溶液を水中に投入し目的の一般式(I)で示され、
Xが下記式X−1、Yが下記式Y−1及びY−2の混合
で、a=100、b=0からなるポリアミド(A1)を
沈殿させた。沈殿物を濾集し水で充分洗浄した後、真空
下80℃で1昼夜乾燥させた。
【0028】*ポジ型感光性樹脂組成物の作製 合成したポリアミド(A1)100重量部、下記式の構
造を有するジアゾキノン(Q1)25重量部、下記式の
構造を有するフェノール化合物(P−1)15重量部を
N−メチル−2−ピロリドン200重量部に溶解した
後、0.2μmのテフロンフィルターで濾過し感光性樹
脂組成物を得た。
【0029】*特性評価 このポジ型感光性樹脂組成物をシリコンウェハー上にス
ピンコーターを用いて塗布した後、オーブン中70℃で
1時間乾燥し、膜厚約3μmの塗膜を得た。この塗膜に
g線ステッパー露光機NSR−1505G3A(ニコン
(株)製)によりレチクルを通して50mJ/cmから
20mJ/cmづつ増やして540mJ/cmまで
露光を行った。次に0.79%のテトラメチルアンモニ
ウムヒドロキシド水溶液に30秒浸漬することによって
露光部を溶解除去した後、純水で30秒間リンスした。
その結果、露光量200mJ/cmの照射した部分よ
りパターンが成形されていることが確認できた。(感度
は200mJ/cm)。この時の残膜率(現像後の膜
厚/現像前の膜厚)は91.3%と非常に高い値を示し
た。又、別にポジ型感光性樹脂組成物を同様にシリコン
ウエハー上に塗布し、プリベークした後、オーブン中3
0分/150℃、30分/250℃、30分/350℃
の順で加熱、樹脂を硬化させた。更に硬化膜の上に半導
体封止用エポキシ樹脂組成物(住友ベークライト(株)
製、EME−6300H)を2×2×2mm(横×縦×
高さ)の大きさに成形した。テンシロンを用いて、ポリ
ベンゾオキサゾール樹脂硬化膜上に成形した封止用エポ
キシ樹脂組成物を引き剥がし、剪断強度を測定した結
果、3.2kg/mmであった。
【0030】《実施例2》実施例1におけるフェノール
化合物を下記式P−2に替えて評価を行った。 《実施例3》実施例1におけるフェノール化合物を下記
式P−3に替えて評価を行った。 《実施例4》実施例1におけるフェノール化合物(P−
1)の添加量を5重量部して評価を行った。 《実施例5》実施例1におけるポリアミドの合成におい
て、テレフタル酸クロリド、イソフタル酸クロリドの替
わりにジフェニルエーテル−4,4′−ジカルボン酸ク
ロリドに替え、一般式(I)で示され、Xが下記式X−
1、Yが下記式Y−3で、a=100、b=0からなる
ポリアミド(A2)を合成し、その他は実施例1と同様
の評価を行った。
【0031】《実施例6》実施例1におけるポリアミド
の合成において、テレフタル酸クロリド、イソフタル酸
クロリドの替わりに、ジフェニルエーテル−4,4′−
ジカルボン酸クロリドを用い、また、2,2−ビス(3
−アミノ−4−ヒドロキシフェニル)ヘキサフルオロプ
ロパンの替わりに、3,3′−ジアミノ−4,4′−ジ
ヒドロキシジフェニルスルホンを用いて、一般式(I)
で示され、Xが下記式X−2、Yが下記式Y−3で、a
=100、b=0からなるポリアミド(A3)の合成を
し、その他は実施例1と同様の評価を行った。 《実施例7》実施例1におけるポリアミドの合成におい
て、テレフタル酸クロリド、イソフタル酸クロリドの替
わりに、ジフェニルエーテル−4,4′−ジカルボン酸
クロリドを用い、又2,2−ビス(3−アミノ−4−ヒ
ドロキシフェニル)ヘキサフルオロプロパンの替わり
に、3,3′−ジアミノ−4,4′−ジヒドロキシジフ
ェニルエーテルを用いて、一般式(I)で示され、Xが
下記式X−3、Yが下記式Y−3で、a=100、b=
0からなるポリアミド(A4)の合成をし、更にジアゾ
キノンとして下記式構造のジアゾキノン(Q2)を使用
し、感光性樹脂組成物を得、その他は実施例1と同様の
評価を行った。 《実施例8》実施例1におけるポリアミドの合成におい
て2,2−ビス(3−アミノ−4−ヒドロキシフェニ
ル)ヘキサフルオロプロパンを34.8重量部(0.0
95モル)に減らし、替わりに1,3−ビス(3−アミ
ノプロピル)−1,1,3,3−テトラメチルジシロキ
サン1.24重量部(0.005モル)を加え、一般式
(I)で示され、Xが下記式X−1、Yが下記式Y−1
及びY−2の混合、Zが下記式Z−1で、a=95、b
=5からなるポリアミド(A5)を合成し、その他は実
施例1と同様の評価を行った。
【0032】《比較例1》実施例1においてフェノール
化合物を添加しないで評価を行った。 《比較例2》実施例5においてフェノール化合物を添加
しないで評価を行った。 《比較例3》実施例6においてフェノール化合物を添加
しないで評価を行った。 《比較例4》実施例1においてのフェノール化合物の添
加量を0.5重量部に減らして評価を行った。 《比較例5》実施例1におけるフェノール化合物の添加
量を60重量部に増して評価を行った。 《比較例6》実施例1におけるフェノール化合物をP−
4に替えて評価を行った。 《比較例7》実施例1におけるフェノール化合物をP−
5に替えて評価を行った。 《比較例8》実施例1におけるフェノール化合物をP−
6に替えて評価を行った。 以上実施例1〜8、比較例1〜8の評価結果を表1に示
す。
【0033】
【化25】
【0034】
【化26】
【0035】
【化27】
【0036】
【化28】
【0037】
【化29】
【0038】
【表1】
【0039】
【発明の効果】本発明によれば、高感度で高残膜率なパ
ターンが得れ、封止樹脂との密着性に優れるポジ型感光
性樹脂組成物を得ることができる。
フロントページの続き (72)発明者 竹田 敏郎 東京都品川区東品川2丁目5番8号 住友 ベークライト株式会社内

Claims (6)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 一般式(I)で示されるポリアミド
    (A)100重量部と感光性ジアゾキノン化合物(B)
    1〜100重量部と一般式(II)で表わされるフェノー
    ル化合物(C)1〜50重量部からなることを特徴とす
    るポジ型感光性樹脂組成物。 【化1】 【化2】
  2. 【請求項2】 フェノール化合物(C)が、一般式(II
    I)で表わされるフェノール化合物である請求項1記載
    のポジ型感光性樹脂組成物。 【化3】
  3. 【請求項3】 フェノール化合物が、一般式(IV)又は
    (V)で表わされる化合物であり、単独又は混合物の形
    で、フェノール化合物(C)全体の50重量%以上含む
    請求項2記載のポジ型感光性樹脂組成物。 【化4】
  4. 【請求項4】 一般式(I)のポリアミドにおけるX
    が、下記より選ばれてなる請求項1、2又は3記載のポ
    ジ型感光性樹脂組成物。 【化5】
  5. 【請求項5】 一般式(I)のポリアミドにおけるY
    が、下記より選ばれてなる請求項1、2、3又は4記載
    のポジ型感光性樹脂組成物。 【化6】
  6. 【請求項6】 感光性ジアゾキノン化合物(B)が、下
    記より選ばれてなる請求項1、2、3、4又は5記載の
    ポジ型感光性樹脂組成物。 【化7】
JP11738796A 1996-05-13 1996-05-13 ポジ型感光性樹脂組成物 Expired - Lifetime JP3207352B2 (ja)

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