JPH09295342A

JPH09295342A - 熱可塑性樹脂成形品の加熱方法と装置

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Publication number: JPH09295342A
Application number: JP13572596A
Authority: JP
Inventors: Hideo Kurashima; 秀夫倉島; Kichiji Maruhashi; 吉次丸橋; Keisuke Nakada; 圭介中田
Original assignee: Individual
Current assignee: Individual
Priority date: 1996-05-07
Filing date: 1996-05-07
Publication date: 1997-11-18
Anticipated expiration: 2016-05-07
Also published as: JP3758233B2

Abstract

(57)【要約】【課題】熱可塑性樹脂成形品のマイクロ波誘電加熱を
量産に適するようにする。【解決手段】多数の熱可塑性樹脂成形品５を自転させ
て連続的に移送しながら、その被加熱部分５ｃに側方よ
り近赤外線を照射して、被加熱部分５ｃを当該熱可塑性
樹脂のガラス転移点以上、再結晶化温度未満の温度に加
熱する。その後熱可塑性樹脂成形品５の送られる経路５
ｘに対して串形に配列された、空洞共振器１０ａ、１０
ｂ内にマイクロ波を伝送し、被加熱部分５ｃを、各空洞
共振器１０ａ、１０ｂにつき１つの高電界域３６のみを
通過させて誘電加熱する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、ブロー成形や延伸
ブロー成形等によって形成されるプラスチックボトル形
成用のプリフォーム等の熱可塑性樹脂成形品のマイクロ
波誘電加熱方法および装置、並びに赤外線輻射加熱方法
に関する。

【０００２】

【従来の技術】特公平６−２２８７４号公報には、空洞
共振器内に共振状態で存在するマイクロ波定在波の高電
界域および低電界域を高分子樹脂成形品を繰り返し通過
させて、高分子樹脂成形品をマイクロ波誘電加熱する方
法が提案されている。すなわち図９に示すように、矢印
Ｂ方向にマイクロ波を伝送して、高電界域１０１および
低電界域１０２が交互に存在するようにした空洞共振器
１００の内部を通って、高分子樹脂成形品の被加熱部分
１０３を矢印Ａ方向に通過させてマイクロ波誘電加熱す
る。しかしながら本発明者の経験によれば、この方法で
は、同時に２個以上の被加熱部分１０３が空洞共振器１
００を通過するようにすると、満足な加熱を行なうこと
ができないことが判明した。従ってこの方法は、比較的
長い空洞共振器１００で１個づつのみしか加熱できない
ので、量産に不適当である。

【０００３】その理由は次のように考えられる。図９の
空洞共振器１００の受端１０５が特性インピーダンスで
閉じていれば、入射するエネルギーは全部受短１０５で
吸収され反射波はない。受端１０５のインピーダンスが
特性インピーダンスと異なれば、受端１０５で入射エネ
ルギーの一部あるいは全部が反射されて反射波を生ず
る。この場合、空洞共振器１００内の電界は入射波と反
射波を合成したものとなり、この合成波を定在波とよ
ぶ。定在波は図１０に示すように（空洞共振器が入射端
１０４を除いて実質的に閉鎖している場合）、一定の場
所に波の腹と節があって、その間で電界強度が正弦的に
分布し、その位置で時間的に変化するだけで少しも進行
しない波のことをいう。空洞共振器１００の底部に被加
熱部分１０３を通過させるためのスリット（図３の３５
に対応する）が形成されている場合は、図１１に示すよ
うに、特に長さ方向中央ほどマイクロ波の漏れが多く、
電界強度が小さくなる。そのため空洞共振器１００の中
央部では、通過する被加熱部分１０３が１個の場合でも
加熱効率が低くなる。この状態で空洞共振器１００の中
に誘電体である被加熱部分１０３が１個入ってきた時、
インピーダンスの整合をとると図１２に示すように、被
加熱部分１０３の吸収率が大きいため、反射マイクロ波
電力が小さくなると共に、透過マイクロ波電力も小さく
なる。従って複数の被加熱部分１０３が空洞共振器１０
０を矢印Ａ方向に通過する場合、入射側の被加熱部分１
０３によってマイクロ波電力の殆どが吸収され、それよ
り下流にある被加熱部分１０３に向う透過マイクロ波電
力が小さくなり、加熱効率が更に低下する。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】本発明は、量産に適し
た、熱可塑性樹脂成形品のマイクロ波誘電加熱方法およ
び装置を提供することを目的とする。さらに本発明は、
熱可塑性樹脂成形品の被加熱部分を結晶化させるため、
被加熱部分をその再結晶化温度を越える温度に均一に急
速に加熱する方法を提供することを目的とする。

【０００５】

【課題を解決するための手段】請求項１に係る熱可塑性
樹脂成形品の加熱方法は、多数の熱可塑性樹脂成形品を
マイクロ波により連続的に誘電加熱する方法であって、
熱可塑性樹脂成形品の送られる経路に対して串形に配列
された、１個もしくは複数の空洞共振器内にマイクロ波
を伝送し、熱可塑性樹脂成形品の被加熱部分を、各空洞
共振器につき１つの高電界域のみを通過させることを特
徴とする。請求項２に係る熱可塑性樹脂成形品の加熱方
法は、熱可塑性樹脂成形品を自転させながら、その被加
熱部分に側方より近赤外線を照射して、被加熱部分を当
該熱可塑性樹脂のガラス転移点以上、再結晶化温度未満
の温度に加熱した後に、請求項１記載の誘電加熱を行な
うものである。請求項３に係る熱可塑性樹脂成形品の加
熱方法は、請求項１記載の誘電加熱を行なった後に、熱
可塑性樹脂成形品を自転させながら、その被加熱部分に
側方より近赤外線を照射して、被加熱部分を熱可塑性樹
脂の再結晶化温度を越える温度に加熱するものである。
請求項４に係る熱可塑性樹脂成形品の加熱方法は、熱可
塑性樹脂成形品を自転させながら、その被加熱部分に側
方より近赤外線を照射して、被加熱部分を当該熱可塑性
樹脂のガラス転移点以上、再結晶化温度未満の温度に加
熱し、次に請求項１記載の誘電加熱により再結晶化温度
近傍の温度に加熱し、次いで熱可塑性樹脂成形品を自転
させながら、その被加熱部分に側方より近赤外線を照射
して、被加熱部分を当該熱可塑性樹脂の再結晶化温度を
越える温度に加熱するものである。

【０００６】請求項５に係る熱可塑性樹脂成形品の加熱
装置は、多数の熱可塑性樹脂成形品をマイクロ波により
連続的に誘電加熱する装置であって、該装置は、熱可塑
性樹脂成形品の送られる経路に対して串形に配列され
た、１個もしくは複数のマイクロ波空洞共振器；空洞共
振器の該経路に沿う部分に１つの高電界域のみを形成す
る装置、および熱可塑性樹脂成形品を該経路に沿って移
送する装置を備えることを特徴とする。

【０００７】

【発明の実施の形態】プリフォーム（ポリエチレンテレ
フタレート系ポリエステル樹脂よりなる）の口頚部を加
熱により結晶化（白化）して、硬化し、耐熱性等を向上
させる方法と装置の例について説明する。図１は上記装
置の説明用平面図であって、１は架台、２は駆動スプロ
ケット、３は案内スプロケット、４は駆動スプロケット
２および案内スプロケット３と係合して、矢印方向に一
定速度で移動し、かつプリフォーム５を移送する移動チ
エーンである。６および７はそれぞれ、プリフォーム５
の送入部および送出部である。案内スプロケット３の送
入部６側に移動チエーン４に沿って、その外側に第１の
赤外線前加熱装置８ａと第２の赤外線前加熱装置８ｂが
配設されている。また第１の赤外線前加熱装置８ａおよ
び第２の赤外線前加熱装置８ｂにそれぞれ対向して、移
動チエーン４に沿って、その外側に第３の赤外線前加熱
装置８ｃおよび第４の赤外線前加熱装置８ｄが配設され
ている。駆動スプロケット２の送出部７側近傍に移動チ
エーン４に沿って、その外側に赤外線後加熱装置９が配
設されている。第４の赤外線前加熱装置８ｄに近接し
て、その下流側に空洞共振器セット１０が配設されてい
る。空洞共振器セット１０は、導波管１２およびアイソ
レータ１３を介してマイクロ波発振器１４に接続する。
アイソレータ１３は、反射波を吸収体１１に回避して発
振器１４を保護する。吸収体１１は、空洞共振器セット
１０からの反射波を吸収する水負荷である。

【０００８】図２に示すように、移動チエーン４の各リ
ンク・ピン１５は上方に鉛直に延びており、その上方部
１５ａに、玉軸受１６を介してスリーブ１７が外挿され
ている。スリーブ１７にスプロケット１８が周設されて
いる。１９および２０はそれぞれ、移動チエーン４の直
線経路に沿って平行に設けられた内側固定チエーンおよ
び外側固定チエーンであり、スプロケット１８に係合し
ており、移動チエーンの移動に伴ってスリーブ１７が回
転するようになっている。なお２１および２２はそれぞ
れ、移動チエーン４の側部案内部材および下部案内部材
であり、２３は移動チエーン４の下部に着設されたコロ
である。下部案内部材２２は、移動チエーン４の全経路
に沿って配設されており、プリフォーム５が常に同じ高
さで移動することができるように、その上面２２ａは全
長に亘り定レベルに位置する。

【０００９】スリーブ１７の鍔部１７ａの上に鉛直方向
に延びる円筒状のプリフォーム保持具２４が着設されて
いる。プリフォーム保持具２４は金属、例えばアルミニ
ュウムよりなっている。プリフォーム５の底部は受台１
７ｂとばね１７ｃによって支持され、プリフォーム５の
鍔部５ａは、プリフォーム保持具２４の上部細径部２４
ａの端面より２〜３ｍｍ上方に浮いている。赤外線前加
熱装置８ａ、８ｂ、８ｃ、８ｄおよび赤外線後加熱装置
９には、プリフォーム５の鍔部５ａおよびねじ部５ｂを
含む口頚部５ｃに対向する位置に、プリフォーム５の移
動方向（長手方向）に延びる断面Ｕ字形の赤外線反射鏡
２６が設けられている。赤外線反射鏡２６の内部には上
下２本のセットよりなる近赤外線ランプ２５が、口頚部
５ｃに集光可能の位置に長手方向に配設されている。２
７は赤外線遮蔽板であり、２８はプリフォーム保持具２
４のガイド板である。

【００１０】図３、図４および図５に示すように、空洞
共振器セット１０は、２個の空洞共振器１０ａおよび１
０ｂが一体になったもので、全体として金属板（好まし
くは電気伝導度が高いアルミニュウムや銅等よりなる）
で包囲された、均一な内面高さＨの密閉箱（後記のスロ
ット３０ａ、３１ａおよびスリット３５を除いて密閉さ
れた）よりなっている。空洞共振器１０ａおよび空洞共
振器１０ｂは、ロッド３２を起点とし、端壁３３に垂直
に延びる隔壁２９によって隔離されており、かつ両者は
同じサイズであり、そのサイズは内部にそれぞれ１個の
高電界域３６が形成されるように定められている。２個
の独立した高電界域３６の中心Ｏを、移動するプリフォ
ーム５の軸線の軌跡５ｘ（つまりリンク・ピン１５の軸
線の軌跡）が通るように、プリフォーム５の通る経路は
定められる。この場合プリフォームの軸線の軌跡５ｘと
空洞共振器の端壁３３の内面間の距離が（１／４）・λ
（λは空洞共振器内のマイクロ波の波長：図１０参照）
になる。空洞共振器の端壁３３が短絡板（密閉板）なの
で、端壁３３での電界は０になり、高電界域３６の中心
Ｏの端壁３３の内面からの距離は、（１／４）・λにな
るからである。隔壁２９、空洞共振器１０ａの入口側壁
部３０および空洞共振器１０ｂの出口側壁部３１は、プ
リフォーム５の移動方向、すなわち移動チエーン４に垂
直になっており、これら各々にはそれぞれ方形のスロッ
ト２９ａ、３０ａおよび３１ａが形成されている。スロ
ット２９ａ、３０ａおよび３１ａは、中心線（例えば図
４の３１ａ1）が、移動するプリフォーム５の軸線の軌
跡５ｘを通るように、同じサイズで形成されている。ス
ロット２９ａ、３０ａおよび３１ａは、高さｈおよび幅
ｗがそれぞれ、プリフォーム５の口頚部５ｃの高さおよ
び最大直径より若干大きく定められている。空洞共振器
１０ａおよび１０ｂには、発振器１４より矢印Ｂ方向に
マイクロ波が伝送される。スロット２９ａ、３０ａおよ
び３１ａの底部を結んで、空洞共振器セット１０の底部
３４に矢印Ｂ方向に直角にスリット３５が形成されい
て、プリフォーム５の口頚部５ｃが入口側壁部３０から
出口側壁部３１に向って通り抜けることができるように
なっている。このように空洞共振器１０ａ、１０ｂは、
プリフォーム５の移動経路に対して串形に配列してい
る。すなわち空洞共振器１０ａ、１０ｂに対するマイク
ロ波の伝送方向（矢印Ｂ方向）は、上記移動経路に対し
て直角になっている。

【００１１】入口側壁部３０は内側斜め方向に延びる傾
斜部３８に接続する。入口側壁部３１も内側斜め方向に
延びる傾斜部３９に接続する。隔壁２９の長さ、並びに
傾斜部３８の内面および傾斜部３９の内面とロッド３２
の中心との距離は、空洞共振器１０ａの端壁３３ａの側
壁部３０内面と隔壁２９間の距離ｓ、あるいは空洞共振
器１０ｂの端壁３３ｂの側壁部３１内面と隔壁２９間の
距離ｓにほぼ等しい。また入口側壁部３０および出口側
壁部３１の長さは、距離ｓとほぼ等しいか、あるいはそ
れより若干大きい。距離ｓは、λ／２以上で、かつλ以
下の適宜の大きさに定められる。高さＨは約ｓ／２であ
るのが好ましい。なおマイクロ波の自由空間における波
長をλ0とすると、λは、λ0を｛１−（λ0／ｓ）²ｘ１
／４｝の平方根で割った値に等しい。但しｓ≠λ0／
２。傾斜部３８および３９は、内面幅が距離ｓに等しい
基部３７に接続する。４０は、基部３７を導波管１２に
接続するためのフランジ部である。４１および４２は、
空洞共振器１０ａおよび１０ｂのインピーダンスを調節
するためのスタブチューナである。

【００１２】以上の装置により、プリフォーム５の口頚
部５ｃの結晶化は次のようにして行なわれる。作業開始
前に、近赤外線ランプ２５を点燈し、マイクロ波発振器
１４をＯＮにして、空洞共振器１０ａ、１０ｂにマイク
ロ波を矢印Ｂ方向に（図１、図３）伝送すると、空洞共
振器１０ａ、１０ｂ内にマイクロ波定在波が共振状態で
存在するようになり、かつプリフォーム５が通過するス
リット３５に対応する空洞共振器内の部分に高電界域３
６が形成される。駆動スプロケット２を駆動して、移動
チエーン４を矢印方向に移動させる。以上の準備が終わ
った後、送入部６において、挿入装置（図示されない）
より各プリフォーム保持具２４に、プリフォーム５を次
々と図２に示すように挿入する。プリフォーム５の口頚
部５ｃは自転しながら赤外線前加熱装置８ａ、８ｂ、８
ｃおよび８ｄを通過して近赤外線を照射され、赤外線前
加熱装置８ｄを出る時点で、ポリエチレンテレフタレー
ト系ポリエステルのガラス転移点（Ｔｇとよぶ：７５〜
８０℃）以上、再結晶化温度（Ｔｃとよぶ：１５５〜１
６０℃）未満の温度に加熱される。好ましくはＴｇとＴ
ｇ＋５０℃の間の温度、より好ましくはＴｇとＴｇ＋３
０℃の間の温度に加熱される。

【００１３】このように口頚部５ｃを前加熱するのは、
ガラス転移点以上の温度になると樹脂が急速に誘電加熱
されて昇温するためである。その理由は次のように考え
られる。樹脂がガラス転移点以上の温度になると、その
高分子鎖間の結合が弱まって高分子鎖が運動し易くな
る。この状態で樹脂をマイクロ波の電界の中に入れる
と、分極作用による高分子鎖の運動が激しくなり、その
際の高分子鎖間の摩擦力による発熱等によって誘電加熱
が促進される。直ちに口頚部５ｃは自転しながら空洞共
振器１０ａ、１０ｂを通過する。この際、各空洞共振器
では１つの高電界域３６のみを通過してマイクロ波誘電
加熱される。このように１個の高電界域に複数の口頚部
５ｃ（熱可塑性樹脂成形品の被加熱部分）がマイクロ波
の伝送方向（矢印Ｂ方向）に直角方向に入った場合、そ
れぞれの口頚部５ｃにマイクロ波電力が均等に分割され
て吸収される。そのため段落番号０００２および０００
３で説明したような、１個の被加熱部分のみが満足に加
熱され、他の被加熱部分は満足に加熱されないというよ
うなことは起こらない。空洞共振器１０ａ、１０ｂにお
いてプリフォーム５の口頚部５ｃを誘電加熱する場合、
口頚部５ｃの高さ方向の温度分布は、図４の顎部５ａの
挿入深さｆにより変化し、後述の実施例の場合では、挿
入深さｆが４ｍｍの時に良好な結果が得られた。空洞共
振器のスリット３５はかなりの高電界になり、プリフォ
ーム保持具２４と接触すると放電することがあるので、
スリット３５の端面を誘電損失の少ない電気絶縁体で被
覆することが好ましい。

【００１４】空洞共振器１０ｂを出た時点で、口頚部５
ｃはポリエチレンテレフタレート系ポリエステルの再結
晶化温度Ｔｃ（１５５〜１６０℃）近傍の温度に加熱さ
れている。好ましくはＴｃ−１０℃とＴｃ＋１０℃の間
の温度に加熱される。その後直ちに口頚部５ｃは、自転
しながら赤外線後加熱装置９を通過して、全体が均一に
再結晶化温度を越えて加熱され、好ましくはＴｃ＋５℃
とＴｃ＋４０℃の間の温度に加熱されて、再結晶化（白
化）が開始する。プリフォーム５は赤外線後加熱装置９
を出ると直ちに送出部７において、送出装置（図示され
ない）によってプリフォーム保持具２４から取り出さ
れ、次工程の装置へ送られる。次工程までに口頚部５ｃ
は若干自然放冷されて、再結晶化が熟すると同時に、金
型により口頚部５ｃの内径と高さを所定の値にするため
の整形が行なわれた後、急冷される。

【００１５】近赤外線ランプ（４ｋｗ）加熱とマイクロ
波（出力２．７ｋｗ）加熱における、プリフォーム口頚
部の初期温度に対する温度上昇速度の関係を図６に示
す。近赤外線ランプ加熱の場合は、初期温度が低い時は
温度上昇速度が高いが（ただし厚み方向の温度差が大き
い）、マイクロ波加熱の場合は初期温度が、ガラス転移
点以上で高くなる程温度上昇速度は高くなる。このよう
に加熱効率を高くするための、近赤外線ランプ出力やマ
イクロ波加熱出力および加熱時間等の設定を図６から行
なうことができる。

【００１６】

【実施例】赤外線前加熱装置８ａ、８ｂ、８ｃ、８ｄお
よび赤外線後加熱装置９の各々に、１本２ｋｗ、長さ３
００ｍｍの近赤外線ランプ２５を１セット（２本）配設
した。マイクロ波発振器１４として、マイクロ波周波数
が２，４５０ＭＨｚ、定格出力５ｋＷのものを使用した
（加熱時の出力は２．７ｋｗ）。空洞共振器１０ａ、１
０ｂは、距離ｓ（図３）が１１０ｍｍ、高さＨが５５ｍ
ｍ、スロット（３１ａ等の）の高さｈが４０ｍｍ、幅ｗ
が３８ｍｍのものを使用した。ポリエチレンテレフタレ
ート系ポリエステルよりなるプリフォーム５の口頚部５
ｃの高さは２３ｍｍ、ねじ部５ｂのねじ山部の直径は２
７ｍｍであった。移動チエーン４のリンク・ピン１５の
中心間隔、従ってプリフォーム５間の中心間隔を６５ｍ
ｍにし、移動チエーン４の移動速度を４．１ｍ／分にし
た。この時の加熱速度は約６３本／分である。以上の条
件でプリフォームの口頚部５ｃを加熱した所、赤外線前
加熱時間２０秒後に１２０℃、マイクロ波加熱時間３秒
後に１６５℃、赤外線後加熱時間５秒後に１８０℃にな
って、口頚部５ｃの満足な結晶化が行なわれた。

【００１７】比較のため、空洞共振器１０ａ、１０ｂが
ある位置に、図９に示すタイプの空洞共振器１００（長
さｒが４００ｍｍ、幅ｐが１１３ｍｍ、高さ６０ｍｍ）
をプリフォーム５の移動方向（矢印Ａ方向）が長さ方向
になるように配設した。アイソレータ１３と空洞共振器
１００の間に３本のスタブチューナ（インピーダンス整
合器）を入れ、マイクロ波を矢印Ｂ方向に伝送した。こ
れ以外は、前記と同様の条件で加熱を行なったが、空洞
共振器１００を出た後の口頚部５ｃの温度は１３０℃
で、後加熱後も結晶化は行なわれなかった。

【００１８】本発明は以上の実施例によって制約される
ものでなく、例えば図７に示すようなＹ字形の空洞共振
器セット５０および５１を向い合わせて組み立てたもの
の中をプリフォーム５の口頚部５ｃを通過させてもよ
い。図７において、５０ａ、５０ｂは空洞共振器セット
５０の空洞共振器であり、５１ａ、５１ｂは空洞共振器
セット５１の空洞共振器であり、何れも図３に示す空洞
共振器１０ａと同様の構造をしており、同様のスロット
およびスリットを有している。５２が口頚部５ｃが通過
するスリットが形成された部分である。マイクロ波は矢
印Ｂ方向に伝送される。また図８に示すようにＩ字形の
空洞共振器６０、６１を、熱可塑性樹脂成形品が送られ
る経路に対して串形に近接して配列したものでもよい。
６２、６３はスリットであり、マイクロ波は矢印Ｂ方向
に伝送される。生産速度（毎分当たりの加熱本数）が小
さい場合は、空洞共振器は１個でもよい。この場合は空
洞共振器セット１０のロッド３２と傾斜部３９の基部３
７側端部の間に隔壁５３を設け、マイクロ波が空洞共振
器１０ｂに伝送されるのを遮断すればよい。あるいは図
８の空洞共振器６０または６１の１個のみを用いてもよ
い。誘電加熱の時、熱可塑性樹脂成形品は自転しなくて
もよい。

【００１９】

【発明の効果】請求項１、請求項２および請求項５に係
る発明は、熱可塑性樹脂成形品を量産的にマイクロ波誘
電加熱できるという効果を奏する。請求項３に係る発明
は、熱可塑性樹脂成形品の被加熱部分を均一に結晶化さ
せることができるという効果を奏する。請求項４に係る
発明は、熱可塑性樹脂成形品の被加熱部分を均一に、か
つ急速に結晶化させることができるという効果を奏す
る。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の方法を実施するための装置の例の説明
用平面図である。

【図２】図１のＩＩ−ＩＩ線に沿う縦断面図である。

【図３】図１に示される空洞共振器セットの拡大平面図
である。

【図４】図３の空洞共振器セットの、ＩＶ−ＩＶ線から
見た側面図である。

【図５】図３の空洞共振器の、Ｖ−Ｖ線から見た正面図
である。

【図６】近赤外線加熱とマイクロ波加熱における、被加
熱部分の初期温度と温度上昇速度との関係の例を示す線
図である。

【図７】本発明の実施に用いられる空洞共振器セットの
他の例の平面図である。

【図８】本発明の実施に用いられる空洞共振器セットの
更に他の例の平面図である。

【図９】従来の空洞共振器の説明用平面図である。

【図１０】図９の空洞共振器が、マイクロ波入射部を除
いて、実質的に密閉状態にある場合の、定在波を示す線
図である。

【図１１】図９の空洞共振器の底部にスリットがある場
合で、被加熱部分（誘電体）が入っていない時の電界強
度分布を示す線図である。

【図１２】図９の空洞共振器の底部にスリットがある場
合に、被加熱部分（誘電体）が１個入った時の電界強度
分布を示す線図である。

【符号の説明】

１移動チエーン（移送する装置）５プリフォーム（熱可塑性樹脂成形品）５ｃ口頚部（被加熱部分）５ｘプリフォームの軸線の軌跡（熱可塑性樹脂成形
品が送られる経路）８ａ赤外線前加熱装置（ガラス転移点以上の温度ま
で加熱する装置）８ｂ赤外線前加熱装置（ガラス転移点以上の温度ま
で加熱する装置）８ｃ赤外線前加熱装置（ガラス転移点以上の温度ま
で加熱する装置）８ｄ赤外線前加熱装置（ガラス転移点以上の温度ま
で加熱する装置）９赤外線後加熱装置（再結晶化温度を越えて加熱
する装置）１０ａ空洞共振器１０ｂ空洞共振器１２導波管（高電界を形成する装置）１４マイクロ波発振器（マイクロ波電界を発生する
装置）１８スプロケット（熱可塑性樹脂成形品を自転させ
る装置）１９内側固定チエーン（熱可塑性樹脂成形品を自転
させる装置）２０外側固定チエーン（熱可塑性樹脂成形品を自転
させる装置）２５近赤外線ランプ３５スリット（熱可塑性樹脂成形品が送られる経
路）３６高電界域５０ａ空洞共振器５０ｂ空洞共振器５１ａ空洞共振器５１ｂ空洞共振器５２スリット（熱可塑性樹脂成形品が送られる経
路）６０空洞共振器６１空洞共振器６２スリット（熱可塑性樹脂成形品が送られる経
路）６３スリット（熱可塑性樹脂成形品が送られる経
路）

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】多数の熱可塑性樹脂成形品をマイクロ波
により連続的に誘電加熱する方法において、熱可塑性樹
脂成形品の送られる経路に対して串形に配列された、１
個もしくは複数の空洞共振器内にマイクロ波を伝送し、
熱可塑性樹脂成形品の被加熱部分を、各空洞共振器につ
き１つの高電界域のみを通過させることを特徴とする熱
可塑性樹脂成形品の加熱方法。
【請求項２】熱可塑性樹脂成形品を自転させながら、
その被加熱部分に側方より近赤外線を照射して、被加熱
部分を当該熱可塑性樹脂のガラス転移点以上、再結晶化
温度未満の温度に加熱した後に、請求項１記載の誘電加
熱を行なう熱可塑性樹脂成形品の加熱方法。
【請求項３】請求項１記載の誘電加熱を行なった後
に、熱可塑性樹脂成形品を自転させながら、その被加熱
部分に側方より近赤外線を照射して、被加熱部分を熱可
塑性樹脂の再結晶化温度を越える温度に加熱する熱可塑
性樹脂成形品の加熱方法。
【請求項４】熱可塑性樹脂成形品を自転させながら、
その被加熱部分に側方より近赤外線を照射して、被加熱
部分を当該熱可塑性樹脂のガラス転移点以上、再結晶化
温度未満の温度に加熱し、次に請求項１記載の誘電加熱
により再結晶化温度近傍の温度に加熱し、次いで熱可塑
性樹脂成形品を自転させながら、その被加熱部分に側方
より近赤外線を照射して、被加熱部分を当該熱可塑性樹
脂の再結晶化温度を越える温度に加熱する熱可塑性樹脂
成形品の加熱方法。
【請求項５】多数の熱可塑性樹脂成形品をマイクロ波
により連続的に誘電加熱する装置において、該装置は、
熱可塑性樹脂成形品の送られる経路に対して串形に配列
された、１個もしくは複数のマイクロ波空洞共振器；空
洞共振器の該経路に沿う部分に１つの高電界域のみを形
成する装置、および熱可塑性樹脂成形品を該経路に沿っ
て移送する装置を備えることを特徴とする熱可塑性樹脂
成形品の加熱装置。