JPH09293716A - フッ素含有絶縁膜の形成方法 - Google Patents
フッ素含有絶縁膜の形成方法Info
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Abstract
(57)【要約】
【課 題】 微細パターンの埋め込み性に優れ且つ比誘
電率が低いフッ素含有絶縁膜の形成方法を提供する。 【解決手段】 オゾンと、フッ素含有シリコン化合物
（例えばＳｉＦ4 ）と、有機シラン（例えばＴＥＯＳ）
とを原料とし常圧熱ＣＶＤ法によりフッ素を含有する酸
化ケイ素質の絶縁膜を半導体基板２表面上に堆積する。
電率が低いフッ素含有絶縁膜の形成方法を提供する。 【解決手段】 オゾンと、フッ素含有シリコン化合物
（例えばＳｉＦ4 ）と、有機シラン（例えばＴＥＯＳ）
とを原料とし常圧熱ＣＶＤ法によりフッ素を含有する酸
化ケイ素質の絶縁膜を半導体基板２表面上に堆積する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体装置の製造
方法、特に配線を隔離するための絶縁膜の製造方法に関
するものである。
方法、特に配線を隔離するための絶縁膜の製造方法に関
するものである。
【０００２】
【従来の技術】半導体装置においては、素子および配線
を隔離するために絶縁膜が用いられる。従来この絶縁膜
として、シラン等を原料として減圧または常圧の化学気
相蒸着（ＣＶＤ）法により形成された酸化ケイ素（Ｓｉ
Ｏ2 ）膜が使用されている。第一層間膜としては硼素と
リンを含むＳｉＯ2 膜（ＢＰＳＧ）が一般に使用され、
アルミニウムまたはその合金の配線間の絶縁膜として
は、テトラエトキシシラン（ＴＥＯＳ）と酸素とを用い
たプラズマＣＶＤ法によるＳｉＯ2 （ｐ−ＴＥＯＳ）膜
や、ＴＥＯＳとオゾン（Ｏ3 ）を用いた常圧熱ＣＶＤ法
によるＳｉＯ2（Ｏ3 −ＴＥＯＳ）膜を用いることが多
い。
を隔離するために絶縁膜が用いられる。従来この絶縁膜
として、シラン等を原料として減圧または常圧の化学気
相蒸着（ＣＶＤ）法により形成された酸化ケイ素（Ｓｉ
Ｏ2 ）膜が使用されている。第一層間膜としては硼素と
リンを含むＳｉＯ2 膜（ＢＰＳＧ）が一般に使用され、
アルミニウムまたはその合金の配線間の絶縁膜として
は、テトラエトキシシラン（ＴＥＯＳ）と酸素とを用い
たプラズマＣＶＤ法によるＳｉＯ2 （ｐ−ＴＥＯＳ）膜
や、ＴＥＯＳとオゾン（Ｏ3 ）を用いた常圧熱ＣＶＤ法
によるＳｉＯ2（Ｏ3 −ＴＥＯＳ）膜を用いることが多
い。
【０００３】しかしながら近年、素子の微細化に伴い、
信号伝達遅延の問題が懸念されている。これは、素子の
微細化に伴って配線間隔が狭くなるに従い、配線間容量
が増大するために生ずる。この信号伝達遅延は、半導体
装置の性能向上を妨げるものである。従って、配線間容
量の低減が必要であり、これは主に絶縁膜の誘電率の低
減により達成される。
信号伝達遅延の問題が懸念されている。これは、素子の
微細化に伴って配線間隔が狭くなるに従い、配線間容量
が増大するために生ずる。この信号伝達遅延は、半導体
装置の性能向上を妨げるものである。従って、配線間容
量の低減が必要であり、これは主に絶縁膜の誘電率の低
減により達成される。
【０００４】ところが、前述のような従来のＳｉＯ2 膜
は、比誘電率が４〜５（ＢＰＳＧ膜では５程度、Ｏ3 −
ＴＥＯＳ膜では４程度）であり、将来の高速デバイスで
は高すぎる値と考えられている。これに対し、フッ素を
ＳｉＯ2 膜中に含有させることによって比誘電率を下げ
る方法が検討され始めている（Jpn. J. Appl. Phys. Vo
l.33 (1994) pp.408-412, J. Electrochem. Soc., Vol.
140, No.3, March 1993 pp.687-692参照）。これにより
得られるフッ素含有ＳｉＯ2 （ＳｉＯＦ）膜は比誘電率
が３．６程度であってＳｉＯ2 膜のそれに比較して低
い。しかしこのＳｉＯＦ膜を半導体基板上に成膜する技
術は未だ知られていない。
は、比誘電率が４〜５（ＢＰＳＧ膜では５程度、Ｏ3 −
ＴＥＯＳ膜では４程度）であり、将来の高速デバイスで
は高すぎる値と考えられている。これに対し、フッ素を
ＳｉＯ2 膜中に含有させることによって比誘電率を下げ
る方法が検討され始めている（Jpn. J. Appl. Phys. Vo
l.33 (1994) pp.408-412, J. Electrochem. Soc., Vol.
140, No.3, March 1993 pp.687-692参照）。これにより
得られるフッ素含有ＳｉＯ2 （ＳｉＯＦ）膜は比誘電率
が３．６程度であってＳｉＯ2 膜のそれに比較して低
い。しかしこのＳｉＯＦ膜を半導体基板上に成膜する技
術は未だ知られていない。
【０００５】他方、素子の微細化に伴って配線間隔が狭
くなるに従い、配線間の埋め込み性の問題も厳しくなっ
ている。例えばｐ−ＴＥＯＳ膜は、配線間が 0.5μｍ以
下の微細パターンを覆うように成膜すると、ボイドが発
生して平坦化特性が低減するので不適格である。このよ
うに、配線間が0.5 μｍ以下の微細パターンを備えた半
導体装置の製造プロセスについては、比誘電率と埋め込
み性との両性能を満足しうる絶縁膜の形成方法は未確立
の状態である。
くなるに従い、配線間の埋め込み性の問題も厳しくなっ
ている。例えばｐ−ＴＥＯＳ膜は、配線間が 0.5μｍ以
下の微細パターンを覆うように成膜すると、ボイドが発
生して平坦化特性が低減するので不適格である。このよ
うに、配線間が0.5 μｍ以下の微細パターンを備えた半
導体装置の製造プロセスについては、比誘電率と埋め込
み性との両性能を満足しうる絶縁膜の形成方法は未確立
の状態である。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】そこで本発明は、微細
パターンの埋め込み性に優れ且つ比誘電率が低いフッ素
含有絶縁膜の形成方法を提供することを課題とする。
パターンの埋め込み性に優れ且つ比誘電率が低いフッ素
含有絶縁膜の形成方法を提供することを課題とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】第１の本発明は、オゾン
と、フッ素含有シリコン化合物と、有機シランとを原料
とし常圧熱ＣＶＤ法によりフッ素を含有する酸化ケイ素
質の絶縁膜を半導体基板表面上に堆積することを特徴と
するフッ素含有絶縁膜の形成方法である。第２の本発明
は、原料がさらに硼素源および／またはリン源を含み、
絶縁膜がさらに硼素および／またはリンを含むを含む第
１の本発明のフッ素含有絶縁膜の形成方法である。
と、フッ素含有シリコン化合物と、有機シランとを原料
とし常圧熱ＣＶＤ法によりフッ素を含有する酸化ケイ素
質の絶縁膜を半導体基板表面上に堆積することを特徴と
するフッ素含有絶縁膜の形成方法である。第２の本発明
は、原料がさらに硼素源および／またはリン源を含み、
絶縁膜がさらに硼素および／またはリンを含むを含む第
１の本発明のフッ素含有絶縁膜の形成方法である。
【０００８】
【発明の実施の形態】第１の本発明によれば、絶縁膜の
堆積方法として、Ｏ3 −ＴＥＯＳ膜の形成プロセスであ
る常圧熱ＣＶＤ法を採用したことで、微細パターンに対
する埋め込み性に優れたＳｉＯＦ膜を得ることができ
る。そして、常圧熱ＣＶＤ法に用いる原料のうちフッ素
源として、フッ素含有シリコン化合物を用いたことで、
ＳｉＯ2 膜中にフッ素を容易に含有させることができ、
これにより初めて低誘電率を有するＳｉＯＦ膜を半導体
基板表面上に形成できる。
堆積方法として、Ｏ3 −ＴＥＯＳ膜の形成プロセスであ
る常圧熱ＣＶＤ法を採用したことで、微細パターンに対
する埋め込み性に優れたＳｉＯＦ膜を得ることができ
る。そして、常圧熱ＣＶＤ法に用いる原料のうちフッ素
源として、フッ素含有シリコン化合物を用いたことで、
ＳｉＯ2 膜中にフッ素を容易に含有させることができ、
これにより初めて低誘電率を有するＳｉＯＦ膜を半導体
基板表面上に形成できる。
【０００９】フッ素源としてフッ素含有シリコン化合
物、すなわちＳｉ−Ｆ結合を持つ物質を用いることによ
ってのみＳｉＯ2 膜中にフッ素を含有せしめることがで
きる。このことは本発明者らの新知見であり、例えば従
来のように、原料にＯ3 −ＴＥＯＳ−Ｃ2 Ｆ6 （Ｓｉ−
Ｆ結合を持たないフッ素源）を用い常圧熱ＣＶＤ法で半
導体基板表面上にＳｉＯ2 膜を成膜しても、その膜中に
フッ素の含有がほとんど確認できない。
物、すなわちＳｉ−Ｆ結合を持つ物質を用いることによ
ってのみＳｉＯ2 膜中にフッ素を含有せしめることがで
きる。このことは本発明者らの新知見であり、例えば従
来のように、原料にＯ3 −ＴＥＯＳ−Ｃ2 Ｆ6 （Ｓｉ−
Ｆ結合を持たないフッ素源）を用い常圧熱ＣＶＤ法で半
導体基板表面上にＳｉＯ2 膜を成膜しても、その膜中に
フッ素の含有がほとんど確認できない。
【００１０】フッ素源であるフッ素含有シリコン化合物
としては、フッ化ケイ素（ＳｉＦ4）が望ましいが、そ
の他Ｓｉ−Ｆ結合をもつ物質、例えばＳｉＦ（ＯＣ3 Ｈ
5 ） 3 等でも同等の効果が期待できる。有機シラン（Ｓ
ｉ源）としてはＴＥＯＳが好適であるが、この他ＴＥＯ
Ｓと同等の効果を有するテトラメトキシシラン、テトラ
プロポシシラン、トリエトキシシラン、ヘキサエトキシ
ジシロキサン、オクタメチルシクロテトラシロキサン、
トリメトキシシラン、ヘキサメチルシラザン等をＴＥＯ
Ｓに代えて或いはＴＥＯＳと組み合わせて用いることが
できる。
としては、フッ化ケイ素（ＳｉＦ4）が望ましいが、そ
の他Ｓｉ−Ｆ結合をもつ物質、例えばＳｉＦ（ＯＣ3 Ｈ
5 ） 3 等でも同等の効果が期待できる。有機シラン（Ｓ
ｉ源）としてはＴＥＯＳが好適であるが、この他ＴＥＯ
Ｓと同等の効果を有するテトラメトキシシラン、テトラ
プロポシシラン、トリエトキシシラン、ヘキサエトキシ
ジシロキサン、オクタメチルシクロテトラシロキサン、
トリメトキシシラン、ヘキサメチルシラザン等をＴＥＯ
Ｓに代えて或いはＴＥＯＳと組み合わせて用いることが
できる。
【００１１】有機シランの反応室内への導入方法として
は、Ｎ2 やＡｒ等をキャリアガスとしたバブリング法や
噴霧法があり、いずれの方法も本発明に適用できる。な
お、原料の有機シランとフッ素含有シリコン化合物との
混合比は任意に選択可能であり、成膜後の絶縁膜中のフ
ッ素含有量を高めるにはフッ素含有シリコン化合物の割
合を増加させればよい。
は、Ｎ2 やＡｒ等をキャリアガスとしたバブリング法や
噴霧法があり、いずれの方法も本発明に適用できる。な
お、原料の有機シランとフッ素含有シリコン化合物との
混合比は任意に選択可能であり、成膜後の絶縁膜中のフ
ッ素含有量を高めるにはフッ素含有シリコン化合物の割
合を増加させればよい。
【００１２】第２の本発明によれば、ＢＰＳＧ膜中にフ
ッ素を含有させることでき、低誘電率のＢＰＳＧ膜を形
成することが可能になる。第２の本発明において、硼素
源としては、ジボラン、トリメチル硼素、トリエチルホ
ウ素、ホウ酸トリメチル、ホウ酸トリエチル等を用いる
ことができ、リン源としては、ホスフィン、トリメチル
ホスフィン、リン酸トリメチル、リン酸トリエチル等を
用いることができる。なお、成膜後の絶縁膜中の硼素、
リンの含有量は、硼素源、リン源の混合比を変えること
で任意に調整できる。
ッ素を含有させることでき、低誘電率のＢＰＳＧ膜を形
成することが可能になる。第２の本発明において、硼素
源としては、ジボラン、トリメチル硼素、トリエチルホ
ウ素、ホウ酸トリメチル、ホウ酸トリエチル等を用いる
ことができ、リン源としては、ホスフィン、トリメチル
ホスフィン、リン酸トリメチル、リン酸トリエチル等を
用いることができる。なお、成膜後の絶縁膜中の硼素、
リンの含有量は、硼素源、リン源の混合比を変えること
で任意に調整できる。
【００１３】
【実施例】図１は、本発明の実施に適した成膜装置（常
圧ＣＶＤ装置）の模式図である。図１において、１は反
応室内に原料ガスを導入する給気系、２はシリコン基
板、３はヒータ、４は排気系、５はバブラ、６はマスフ
ローコントローラ、７はオゾン生成器である。
圧ＣＶＤ装置）の模式図である。図１において、１は反
応室内に原料ガスを導入する給気系、２はシリコン基
板、３はヒータ、４は排気系、５はバブラ、６はマスフ
ローコントローラ、７はオゾン生成器である。
【００１４】半導体基板（本実施例ではシリコン基板）
２はフェイスダウンに保持され、裏面に密着しているヒ
ータ３により加熱される。反応室内の圧力は、給気系１
の給気速度と排気系４の排気速度とによりコントロール
される。原料ガスのうち有機シラン（本実施例ではＴＥ
ＯＳを使用）は、バブラ５に封入されキャリアガス（本
実施例ではＮ2 を使用）でバブリングすることによって
反応室内に導入される。フッ素含有シリコン化合物（本
実施例ではＳｉＦ4 を使用）およびオゾンは直接反応室
内に導入される。フッ素含有シリコン化合物、オゾンお
よびキャリアガスの流量はそれぞれマスフローコントロ
ーラ６により制御される。なお、オゾンはオゾン生成器
７により生成される。 ＜実施例１＞図１に示した成膜装置を用いてＯ3 −ＴＥ
ＯＳ膜にフッ素を含有させた第１の本発明の実施例（実
施例１）を開示する。
２はフェイスダウンに保持され、裏面に密着しているヒ
ータ３により加熱される。反応室内の圧力は、給気系１
の給気速度と排気系４の排気速度とによりコントロール
される。原料ガスのうち有機シラン（本実施例ではＴＥ
ＯＳを使用）は、バブラ５に封入されキャリアガス（本
実施例ではＮ2 を使用）でバブリングすることによって
反応室内に導入される。フッ素含有シリコン化合物（本
実施例ではＳｉＦ4 を使用）およびオゾンは直接反応室
内に導入される。フッ素含有シリコン化合物、オゾンお
よびキャリアガスの流量はそれぞれマスフローコントロ
ーラ６により制御される。なお、オゾンはオゾン生成器
７により生成される。 ＜実施例１＞図１に示した成膜装置を用いてＯ3 −ＴＥ
ＯＳ膜にフッ素を含有させた第１の本発明の実施例（実
施例１）を開示する。
【００１５】シリコン基板２をヒータ３により４００℃
に加熱保持し、排気系４により反応室圧を４００Ｔｏｒ
ｒとし、給気系１を働かせて、ＴＥＯＳのキャリアガス
であるＮ2 （Ｎ2<TEOS> と記す）を０〜３５０sccm（標
準ｍ3 ／ｍｉｎ）、ＳｉＦ4を０〜３５０sccmの範囲で
変化させ、オゾン発生器７によりオゾンを約８wt％含ま
せた酸素を５０００sccm定流量で、それぞれ導入した。
なお、Ｎ2<TEOS> ：０sccmおよびＳｉＦ4 ：０sccmなる
流量の場合は本発明に属さないが比較基準として実施し
た。
に加熱保持し、排気系４により反応室圧を４００Ｔｏｒ
ｒとし、給気系１を働かせて、ＴＥＯＳのキャリアガス
であるＮ2 （Ｎ2<TEOS> と記す）を０〜３５０sccm（標
準ｍ3 ／ｍｉｎ）、ＳｉＦ4を０〜３５０sccmの範囲で
変化させ、オゾン発生器７によりオゾンを約８wt％含ま
せた酸素を５０００sccm定流量で、それぞれ導入した。
なお、Ｎ2<TEOS> ：０sccmおよびＳｉＦ4 ：０sccmなる
流量の場合は本発明に属さないが比較基準として実施し
た。
【００１６】この常圧熱ＣＶＤ法により、ヒータ３から
供給される熱エネルギーで原料ガスが分解され、特にＴ
ＥＯＳとオゾンとが反応室中で反応し、シリコン基板２
上にフッ素を含有するＳｉＯ2 膜が堆積する。なお、Ｓ
ｉＯ2 膜中のフッ素の含有量は、ＸＰＳ（X-ray Photoe
lectron Spectroscopy）析法による分析値である（以下
同じ）。
供給される熱エネルギーで原料ガスが分解され、特にＴ
ＥＯＳとオゾンとが反応室中で反応し、シリコン基板２
上にフッ素を含有するＳｉＯ2 膜が堆積する。なお、Ｓ
ｉＯ2 膜中のフッ素の含有量は、ＸＰＳ（X-ray Photoe
lectron Spectroscopy）析法による分析値である（以下
同じ）。
【００１７】図２は、実施例１に係るＳｉＯＦ膜中のフ
ッ素含有量（at％；以下同じ）のＳｉＦ4 ／（ＳｉＦ4
＋Ｎ2<TEOS> ）流量比依存性を示すグラフである。な
お、ＳｉＦ4 流量とＮ2<TEOS> 流量との和は３５０sccm
と一定にした。図２に示すように、本発明に従いＳｉＦ
4 をフッ素源として使用することにより、Ｏ3 −ＴＥＯ
Ｓ膜中にフッ素を含有させることができる。
ッ素含有量（at％；以下同じ）のＳｉＦ4 ／（ＳｉＦ4
＋Ｎ2<TEOS> ）流量比依存性を示すグラフである。な
お、ＳｉＦ4 流量とＮ2<TEOS> 流量との和は３５０sccm
と一定にした。図２に示すように、本発明に従いＳｉＦ
4 をフッ素源として使用することにより、Ｏ3 −ＴＥＯ
Ｓ膜中にフッ素を含有させることができる。
【００１８】図３は、実施例１に係るＳｉＯＦ膜につい
て比誘電率のフッ素含有量依存性を示すグラフである。
従来のＳｉＯ2 膜では比誘電率の下限が３．９程度であ
ることが知られている。これに対し、第１の本発明によ
れば、図３から明らかなように、比誘電率をフッ素含有
量４at％で３．４程度、フッ素含有量14at％では２．９
程度にまで低下でき、比誘電率の低いＳｉＯＦ膜が得ら
れる。 ＜実施例２＞次に、ＢＰＳＧ膜にフッ素を含有させた第
２の本発明の実施例（実施例２）を開示する。
て比誘電率のフッ素含有量依存性を示すグラフである。
従来のＳｉＯ2 膜では比誘電率の下限が３．９程度であ
ることが知られている。これに対し、第１の本発明によ
れば、図３から明らかなように、比誘電率をフッ素含有
量４at％で３．４程度、フッ素含有量14at％では２．９
程度にまで低下でき、比誘電率の低いＳｉＯＦ膜が得ら
れる。 ＜実施例２＞次に、ＢＰＳＧ膜にフッ素を含有させた第
２の本発明の実施例（実施例２）を開示する。
【００１９】成膜装置および基本的な成膜方法は実施例
１と同様である。ただし、硼素源、リン源ともにＮ2 を
キャリアガスとするバブリング法により、それぞれ流量
２５sccmで反応室内に導入した。なお、硼素源としてホ
ウ酸トリメチル（ＴＭＢ：Ｂ（ＯＣＨ3 ）3 ）を、リン
源としてリン酸トリメチル（ＴＭＰ：ＰＯ（ＯＣＨ3）
3 ）を、それぞれ使用した。
１と同様である。ただし、硼素源、リン源ともにＮ2 を
キャリアガスとするバブリング法により、それぞれ流量
２５sccmで反応室内に導入した。なお、硼素源としてホ
ウ酸トリメチル（ＴＭＢ：Ｂ（ＯＣＨ3 ）3 ）を、リン
源としてリン酸トリメチル（ＴＭＰ：ＰＯ（ＯＣＨ3）
3 ）を、それぞれ使用した。
【００２０】図４は、実施例２に係るＳｉＯＦ膜中のフ
ッ素含有量（at％；以下同じ）のＳｉＦ4 ／（ＳｉＦ4
＋Ｎ2<TEOS> ）流量比依存性を示すグラフである。な
お、ＳｉＦ4 流量とＮ2<TEOS> 流量との和は３５０sccm
と一定とした。図４から明らかなように、ＳｉＦ4 をフ
ッ素源として使用すると、ＢＯＳＧ膜中にもフッ素を含
有させることができる。
ッ素含有量（at％；以下同じ）のＳｉＦ4 ／（ＳｉＦ4
＋Ｎ2<TEOS> ）流量比依存性を示すグラフである。な
お、ＳｉＦ4 流量とＮ2<TEOS> 流量との和は３５０sccm
と一定とした。図４から明らかなように、ＳｉＦ4 をフ
ッ素源として使用すると、ＢＯＳＧ膜中にもフッ素を含
有させることができる。
【００２１】図５は、実施例２に係るＳｉＯＦ膜につい
て比誘電率のフッ素含有量依存性示すグラフである。従
来のＢＰＳＧ膜では比誘電率の下限が５程度であること
が知られている。これに対し、第２の本発明によれば、
図５から明らかなように、比誘電率をフッ素含有量４at
％で４．６程度、フッ素含有量14at％では４．３程度に
まで低下でき、比誘電率の低いＢＰＳＧ膜が得られる。
て比誘電率のフッ素含有量依存性示すグラフである。従
来のＢＰＳＧ膜では比誘電率の下限が５程度であること
が知られている。これに対し、第２の本発明によれば、
図５から明らかなように、比誘電率をフッ素含有量４at
％で４．６程度、フッ素含有量14at％では４．３程度に
まで低下でき、比誘電率の低いＢＰＳＧ膜が得られる。
【００２２】
【発明の効果】本発明によれば、オゾンおよびフッ化ケ
イ素、ならびにテトラエトキシシラン等の有機シランを
原料とする常圧熱ＣＶＤ法によりＳｉＯＦ膜を堆積する
ことにより、微細パターンの埋め込み性に優れ且つ比誘
電率が低いフッ素含有絶縁膜が形成できるという優れた
効果を奏する。
イ素、ならびにテトラエトキシシラン等の有機シランを
原料とする常圧熱ＣＶＤ法によりＳｉＯＦ膜を堆積する
ことにより、微細パターンの埋め込み性に優れ且つ比誘
電率が低いフッ素含有絶縁膜が形成できるという優れた
効果を奏する。
【図１】本発明の実施に適した成膜装置の模式図であ
る。
る。
【図２】実施例１に係るＳｉＯＦ膜中のフッ素含有量の
ＳｉＦ4 ／（ＳｉＦ4 ＋Ｎ2<TEOS> ）流量比依存性を示
すグラフである。
ＳｉＦ4 ／（ＳｉＦ4 ＋Ｎ2<TEOS> ）流量比依存性を示
すグラフである。
【図３】実施例１に係るＳｉＯＦ膜について比誘電率の
フッ素含有量依存性を示すグラフである。
フッ素含有量依存性を示すグラフである。
【図４】実施例２に係るＳｉＯＦ膜中のフッ素含有量の
ＳｉＦ4 ／（ＳｉＦ4 ＋Ｎ2<TEOS> ）流量比依存性を示
すグラフである。
ＳｉＦ4 ／（ＳｉＦ4 ＋Ｎ2<TEOS> ）流量比依存性を示
すグラフである。
【図５】実施例２に係るＳｉＯＦ膜について比誘電率の
フッ素含有量依存性示すグラフである。
フッ素含有量依存性示すグラフである。
１ 給気系 ２ シリコン基板 ３ ヒータ ４ 排気系 ５ バブラ ６ マスフローコントローラ ７ オゾン生成器
Claims (2)
- 【請求項１】 オゾンと、フッ素含有シリコン化合物
と、有機シランとを原料とし常圧熱ＣＶＤ法によりフッ
素を含有する酸化ケイ素質の絶縁膜を半導体基板表面上
に堆積することを特徴とするフッ素含有絶縁膜の形成方
法。 - 【請求項２】 原料がさらに硼素源および／またはリン
源を含み、絶縁膜がさらに硼素および／またはリンを含
む請求項１記載のフッ素含有絶縁膜の形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8102546A JPH09293716A (ja) | 1996-04-24 | 1996-04-24 | フッ素含有絶縁膜の形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8102546A JPH09293716A (ja) | 1996-04-24 | 1996-04-24 | フッ素含有絶縁膜の形成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09293716A true JPH09293716A (ja) | 1997-11-11 |
Family
ID=14330255
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8102546A Pending JPH09293716A (ja) | 1996-04-24 | 1996-04-24 | フッ素含有絶縁膜の形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH09293716A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2001041203A1 (en) * | 1999-11-30 | 2001-06-07 | Intel Corporation | Improved flourine doped sio2 film |
| EP1123991A2 (en) * | 2000-02-08 | 2001-08-16 | Asm Japan K.K. | Low dielectric constant materials and processes |
| US6905981B1 (en) | 2000-11-24 | 2005-06-14 | Asm Japan K.K. | Low-k dielectric materials and processes |
-
1996
- 1996-04-24 JP JP8102546A patent/JPH09293716A/ja active Pending
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2001041203A1 (en) * | 1999-11-30 | 2001-06-07 | Intel Corporation | Improved flourine doped sio2 film |
| GB2373372A (en) * | 1999-11-30 | 2002-09-18 | Intel Corp | Improved flourine doped sio2 film |
| GB2373372B (en) * | 1999-11-30 | 2004-04-28 | Intel Corp | Improved flourine doped sio2 film |
| EP1123991A2 (en) * | 2000-02-08 | 2001-08-16 | Asm Japan K.K. | Low dielectric constant materials and processes |
| EP1123991A3 (en) * | 2000-02-08 | 2002-11-13 | Asm Japan K.K. | Low dielectric constant materials and processes |
| US6733830B2 (en) | 2000-02-08 | 2004-05-11 | Asm Japan K.K. | Processes for depositing low dielectric constant materials |
| US7144620B2 (en) | 2000-02-08 | 2006-12-05 | Asm Japan K.K. | Process for depositing low dielectric constant materials |
| US7544827B2 (en) | 2000-02-08 | 2009-06-09 | Asm Japan K.K. | Process for depositing low dielectric constant materials |
| US6905981B1 (en) | 2000-11-24 | 2005-06-14 | Asm Japan K.K. | Low-k dielectric materials and processes |
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