JPH09292621A - Correcting device for liquid crystal substrate and correcting method of the same - Google Patents
Correcting device for liquid crystal substrate and correcting method of the sameInfo
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Abstract
Description
【０００１】[0001]
【発明の属する技術分野】この発明は液晶基板修正装置
および液晶基板修正方法に関し、特に、液晶基板に設け
られる電極および配線パターンを修正するような液晶基
板修正装置および液晶基板修正方法に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a liquid crystal substrate repairing device and a liquid crystal substrate repairing method, and more particularly to a liquid crystal substrate repairing device and a liquid crystal substrate repairing method for repairing electrodes and wiring patterns provided on a liquid crystal substrate.
【０００２】[0002]
【従来の技術】液晶ディスプレイの大画面化，高精細化
によりその画素数は増大化する傾向がある。これに伴っ
て、液晶基板の電極および配線パターンに欠陥の発生す
る確率が高くなる。液晶基板製造における歩留りを向上
させるためにこの欠陥を修復する必要がある。欠陥に
は、短絡によるものと断線によるものとがあり、それぞ
れレーザカットおよび導電性膜の成膜により修正され
る。導電性膜の成膜の方法は現在レーザＣＶＤによって
行なっている。2. Description of the Related Art The number of pixels tends to increase with the increase in screen size and definition of liquid crystal displays. Along with this, the probability of occurrence of defects in the electrodes and wiring patterns of the liquid crystal substrate increases. This defect needs to be repaired in order to improve the yield in liquid crystal substrate manufacturing. The defects include those caused by a short circuit and those caused by a disconnection, which are corrected by laser cutting and deposition of a conductive film, respectively. The conductive film is currently formed by laser CVD.
【０００３】図４はレーザＣＶＤによる成膜方法を説明
するための図である。図４において、液晶基板１００上
の修正したい部分をカップ１０１で覆い、外部の真空ポ
ンプでカップ１０１内部の真空引きを行なった後、ＣＶ
Ｄのプロセスガスをカップ１０１内に導入する。この状
態で修正したい箇所に透過ガラス１０２越しにアルゴン
レーザを照射し、その光反応によってプロセスガスを分
解させ、液晶基板１００上への付着によって導電性膜を
形成する。FIG. 4 is a diagram for explaining a film forming method by laser CVD. In FIG. 4, the portion to be corrected on the liquid crystal substrate 100 is covered with the cup 101, and the inside of the cup 101 is evacuated by an external vacuum pump.
The process gas D is introduced into the cup 101. In this state, a portion to be corrected is irradiated with an argon laser through the transparent glass 102, the process gas is decomposed by the photoreaction, and the conductive film is formed by being attached onto the liquid crystal substrate 100.
【０００４】この修正方法は成膜のために真空環境を必
要とするため、スループットが長いこと、プロセスガス
などの付属機器が多く装置構造が複雑であり、装置が高
価であるという問題点がある。Since this correction method requires a vacuum environment for film formation, it has the problems of long throughput, a large number of auxiliary equipment such as process gas, a complicated apparatus structure, and an expensive apparatus. .
【０００５】そこで、特願平７−９８４０３号ではレジ
ネートペーストなど導電性ペーストの塗布を利用した簡
便な導電性膜の形成方法を提案している。Therefore, Japanese Patent Application No. 7-98403 proposes a simple method for forming a conductive film by applying a conductive paste such as resinate paste.
【０００６】図５はそのような導電性膜の形成方法を説
明するための図である。図５（ａ）において、液晶基板
１のガラス２にはＩＴＯ膜で形成された透明電極３が設
けられ、図５（ｂ）に示すようにこの透明電極に断線４
が生じている。この断線部の修正のために、図５（ｃ）
に示すようにレジネートペーストなど加熱焼成によって
導電性を持つペースト５を付着させた先端部にフラット
面を持つ針６を基板断線部に接触させることにより、図
５（ｄ）に示すように前記ペーストを液晶基板１に塗布
する。その後、図５（ｅ）に示すようにこのペーストを
ＣＯ2 レーザ７を集光レンズ８を介してペースト５上に
照射することにより、ペースト５を乾燥もしくは焼成す
ることによって導電性膜を形成する。この方法によれば
安価な装置で電極もしくは配線パターンの断線欠陥を修
正できるという利点がある。FIG. 5 is a diagram for explaining a method of forming such a conductive film. In FIG. 5A, the glass 2 of the liquid crystal substrate 1 is provided with a transparent electrode 3 formed of an ITO film, and the transparent electrode 3 has a disconnection 4 as shown in FIG. 5B.
Is occurring. In order to correct this disconnection, FIG. 5 (c)
As shown in FIG. 5 (d), a needle 6 having a flat surface at the tip end to which a conductive paste 5 such as resinate paste is adhered by heating and firing is brought into contact with the substrate disconnection portion, and the paste is removed as shown in FIG. 5 (d). Is applied to the liquid crystal substrate 1. Then, as shown in FIG. 5E, the paste 5 is irradiated with a CO 2 laser 7 through a condenser lens 8 to dry or fire the paste 5 to form a conductive film. . According to this method, there is an advantage that the disconnection defect of the electrode or the wiring pattern can be corrected with an inexpensive device.
【０００７】[0007]
【発明が解決しようとする課題】ところで、成膜した被
膜の性能の向上を図るにはガラス基板への密着性が必要
とされる。このガラス基板への密着性はペーストの焼成
条件によって変化する。十分に密着性を得るためには、
ペースト固有の焼成温度で焼成する必要がある。しか
し、ＣＯ2 レーザに対するガラスとＩＴＯとの吸収率の
差が大きいために、図６に示すように、ペースト焼成温
度を一定にするには、レーザ照射部のＩＴＯ占有率（Ｉ
ＴＯとガラスとの面積比）によってレーザ照射量を制御
する必要がある。By the way, in order to improve the performance of the formed film, the adhesion to the glass substrate is required. The adhesion to the glass substrate changes depending on the firing conditions of the paste. To obtain sufficient adhesion,
It is necessary to fire at the firing temperature specific to the paste. However, since the difference in the absorptance between the glass and ITO for the CO 2 laser is large, as shown in FIG. 6, in order to keep the paste firing temperature constant, the ITO occupancy (I
It is necessary to control the laser irradiation amount by the area ratio of TO and glass).
【０００８】しかし、ＩＴＯパターンには多くの種類が
あること、断線欠陥自体にも種々のタイプ，サイズがあ
り、各断線修正部において最適なレーザ照射条件を設定
することは難しい。また、ガラス基板厚さのばらつきや
レーザパワーの変動のある場合にも、最適なペースト焼
成温度を得るためには、ガラス基板へのレーザ照射量を
変化させなければならない。However, since there are many types of ITO patterns and various types and sizes of disconnection defects themselves, it is difficult to set optimum laser irradiation conditions in each disconnection repairing section. Further, even when there is a variation in the thickness of the glass substrate or a variation in the laser power, the laser irradiation amount on the glass substrate must be changed in order to obtain the optimum paste firing temperature.
【０００９】それゆえに、この発明の主たる目的は、成
膜修正部のＩＴＯパターンによらずほぼ一定のレーザ照
射条件で最適なペースト焼成を可能にし得る液晶基板修
正装置および液晶基板修正方法を提供することである。Therefore, a main object of the present invention is to provide a liquid crystal substrate repairing apparatus and a liquid crystal substrate repairing method capable of enabling optimum paste firing under substantially constant laser irradiation conditions regardless of the ITO pattern of the film-forming correction portion. That is.
【００１０】[0010]
【課題を解決するための手段】請求項１に係る発明は、
液晶基板が載置されて水平方向に移動可能なテーブル
と、液晶基板の一方面側の欠陥部に導電性ペーストを塗
布する針と、その針を上下方向に移動可能な駆動機構
と、導電性ペーストを焼成するためのＣＯ2 レーザ光源
とを備え、液晶基板の欠陥部に導電性ペーストを焼成し
て導電性膜の成膜による接続を行なう液晶基板修正装置
であって、ＣＯ2 レーザ光源を液晶基板の他方面側に設
け、液晶基板を介してＣＯ2 レーザ光を導電性ペースト
に照射して焼成する。The invention according to claim 1 is
A table on which the liquid crystal substrate is placed and movable in the horizontal direction, a needle for applying the conductive paste to the defective portion on one side of the liquid crystal substrate, a drive mechanism for moving the needle in the vertical direction, and a conductive and a CO 2 laser light source for firing a paste, a liquid crystal substrate correcting device for connecting by firing the conductive paste to the defect portion of the liquid crystal substrate by deposition of the conductive film, a CO 2 laser source It is provided on the other surface side of the liquid crystal substrate, and the conductive paste is irradiated with CO 2 laser light through the liquid crystal substrate and baked.
【００１１】請求項２に係る発明では、さらに、ＣＯ2
レーザ光源からＣＯ2 レーザ光を液晶基板の修正部に照
射しているときの温度を測定するための輻射式温度計が
設けられる。In the invention according to claim 2, further, CO 2
A radiation thermometer is provided for measuring the temperature when the CO 2 laser beam is being emitted from the laser light source to the correction portion of the liquid crystal substrate.
【００１２】請求項３に係る発明では、請求項２の輻射
式温度計の出力に基づいてＣＯ2 レーザ光源の出力を制
御する制御手段が設けられる。According to a third aspect of the invention, there is provided control means for controlling the output of the CO 2 laser light source based on the output of the radiation thermometer of the second aspect .
【００１３】請求項４に係る発明は、液晶基板の配線の
断線を修復するために、その断線箇所に導電性ペースト
を塗布し、焼成することによって導電性膜を成膜する液
晶基板修正方法において、液晶基板の反修正面からＣＯ
2 レーザ光を照射して導電性ペーストの焼成を行なう。According to a fourth aspect of the present invention, there is provided a liquid crystal substrate repairing method for forming a conductive film by applying a conductive paste to a broken portion of a wiring of the liquid crystal substrate in order to repair the broken wiring, and by firing the paste. From the anti-correction side of the liquid crystal substrate, CO
2 Irradiate laser light to fire the conductive paste.
【００１４】請求項５に係る発明は、さらに液晶基板修
正部の温度を輻射式温度計で測定し、その測定結果に基
づいてレーザ光の出力を制御する。According to a fifth aspect of the present invention, the temperature of the liquid crystal substrate correction section is further measured by a radiation thermometer, and the output of laser light is controlled based on the measurement result.
【００１５】[0015]
【発明の実施の形態】図１はこの発明の実施形態におけ
る液晶基板修正方法を説明するための図である。1 is a diagram for explaining a liquid crystal substrate repairing method according to an embodiment of the present invention.
【００１６】従来の方法では、ＩＴＯパターン修正面１
１側からレーザ照射を行なっていたのに対して、この発
明では反ＩＴＯ面１２側からＣＯ2 レーザ光を、集光レ
ンズ１９を介して照射してペースト１４の焼成を行な
う。In the conventional method, the ITO pattern correction surface 1
While the laser irradiation is performed from the side 1 in the present invention, the paste 14 is fired by irradiating the CO 2 laser light from the side opposite to the ITO surface 12 through the condenser lens 19 in the present invention.
【００１７】ガラス単独の面にレーザ光を照射すること
により、ＩＴＯ面でのレーザの反射をなくしてガラスを
加熱することができる。よってＩＴＯパターンによって
レーザ照射量を変化させる必要がなく、一定のレーザ照
射条件で最適なペースト焼成が可能となる。一方、ガラ
ス基板の厚さ変動がある場合には、同一のレーザ照射条
件では最適なペースト焼成をすることができない。ま
た、レーザの出力安定性による出力変化によって最適な
ペースト焼成ができない場合もある。By irradiating the surface of the glass alone with laser light, it is possible to heat the glass without reflection of the laser on the ITO surface. Therefore, it is not necessary to change the laser irradiation amount depending on the ITO pattern, and optimum paste firing can be performed under constant laser irradiation conditions. On the other hand, when the thickness of the glass substrate varies, optimum paste firing cannot be performed under the same laser irradiation conditions. Further, there are cases where optimum paste firing cannot be performed due to output changes due to laser output stability.
【００１８】図２はそのような不安定要素を解決するた
めの液晶基板修正装置を示す図である。図２において、
反ＩＴＯ面１２側にはＣＯ2 レーザ２０と輻射式温度計
１５が設けられる。ＣＯ2 レーザ２０からのＣＯ2 レー
ザ光１３はミラー１８によって９０°曲げられ、集光レ
ンズ１９を介して反ＩＴＯ面１２側に照射される。輻射
式温度計１５はレーザ照射時のガラス基板温度を測定す
る。この輻射式温度計１５から温度測定値に比例した電
圧もしくは電流がレーザパワーコントローラ１６にフィ
ードバックされ、レーザパワー指令値発生器１７からの
指令値とともにレーザパワーコントローラ１６に与えら
れ、このレーザパワーコントローラ１６によってＣＯ2
レーザ２０のパワーがコントロールされる。ここでＣＯ
2 レーザ２０を用いるのは、ガラス基板のＣＯ2 レーザ
光吸収率が高く、ペーストを含めた修正面の加熱が容易
であるためである。FIG. 2 is a view showing a liquid crystal substrate repairing device for solving such an unstable element. In FIG.
A CO 2 laser 20 and a radiation thermometer 15 are provided on the side opposite to the ITO surface 12. CO CO 2 laser beam 13 from the second laser 20 is bent 90 ° by the mirror 18 and is irradiated through the condenser lens 19 in a counter-ITO surface 12 side. The radiation thermometer 15 measures the glass substrate temperature during laser irradiation. A voltage or current proportional to the temperature measurement value is fed back from the radiation thermometer 15 to the laser power controller 16 and given to the laser power controller 16 together with the command value from the laser power command value generator 17, and this laser power controller 16 is supplied. By CO 2
The power of the laser 20 is controlled. Where CO
The 2 laser 20 is used because the glass substrate has a high CO 2 laser light absorptivity and the heating of the correction surface including the paste is easy.
【００１９】図３は液晶基板修正装置の全体の構成を示
す外観図である。図３において、ＸＹテーブル２０１は
ＸＹ平面の水平方向に移動自在に設けられており、その
上には真空チャックテーブル２０２が設けられている。
真空チャックテーブル２０２は欠陥修正対象物としての
ワーク２０８をＸＹテーブル２０１に固定する。さら
に、Ｚ軸方向に上下するＺテーブル２１３が設けられ、
このＺテーブル２１３にはＹＡＧレーザ２１１とＣＣＤ
カメラ２１２とペースト塗布用針２１４とシリンダ２１
５とペーストタンク２１７と回転テーブル２１８が取付
けられている。FIG. 3 is an external view showing the overall structure of the liquid crystal substrate repairing apparatus. In FIG. 3, an XY table 201 is provided so as to be movable in the horizontal direction of the XY plane, and a vacuum chuck table 202 is provided thereon.
The vacuum chuck table 202 fixes the work 208, which is a defect correction target, to the XY table 201. Further, a Z table 213 that moves up and down in the Z-axis direction is provided,
The Z table 213 has a YAG laser 211 and a CCD.
Camera 212, paste application needle 214, and cylinder 21
5, the paste tank 217 and the turntable 218 are attached.
【００２０】さらに、ＹＡＧレーザ２１１は塗布したペ
ーストの不要部分を除去するためのレーザ光を出射す
る。ＣＣＤカメラ２１２はワーク２０８の画像を取込
み、針２１４は欠陥箇所修正用のペーストを塗布する。
シリンダ２１５はペースト塗布用針２１４をＺ軸方向に
上下させ、ペースト塗布用針２１４にペーストを付着さ
せたり、ワーク２０８に塗布時に使用する。ペーストタ
ンク２１７はペースト収納用で回転テーブル２１８はペ
ースト塗布用針２１４にペースト付着時にペーストタン
ク２１７をペースト塗布用針２１４の真下に移動させる
働きをする。Ｚテーブル２１３はワーク画像をＣＣＤカ
メラ２１２で取込む際の、焦点位置調整に利用される。Further, the YAG laser 211 emits laser light for removing unnecessary portions of the applied paste. The CCD camera 212 captures an image of the work 208, and the needle 214 applies a paste for correcting a defective portion.
The cylinder 215 is used when the paste application needle 214 is moved up and down in the Z-axis direction to attach the paste to the paste application needle 214 or when the paste is applied to the work 208. The paste tank 217 is for accommodating the paste, and the rotary table 218 has a function of moving the paste tank 217 directly below the paste application needle 214 when the paste is attached to the paste application needle 214. The Z table 213 is used for adjusting the focus position when the work image is captured by the CCD camera 212.
【００２１】ＸＹテーブル２０１の下にはＣＯ2 レーザ
２１０とＣＯ2 レーザ２１０をワーク２０８に照射する
ためのミラー２１９と集光レンズ２２０が設けられてい
る。ＣＯ2 レーザ２１０はワーク２０８に塗布したペー
ストを乾燥もしくは焼成するためのレーザ光を出射す
る。The mirror 219 and the condenser lens 220 for irradiating a CO 2 laser 210 and CO 2 laser 210 to the workpiece 208 below the XY table 201 is provided. The CO 2 laser 210 emits laser light for drying or firing the paste applied to the work 208.
【００２２】この図３に示した液晶基板修正装置は、Ｘ
Ｙテーブル２０１上に真空チャックテーブル２０２によ
ってワーク２０８としての液晶基板が固定され、ペース
ト塗布用針２１４によってペーストタンク２１７内のペ
ーストが付着され、このペースト塗布用針２１４が液晶
基板上に移動され、欠陥部にペーストが塗布される。そ
の後、ＸＹテーブル２０１の下に設けられているＣＯ2
レーザ２１０からのレーザ光がミラー２１９，集光レン
ズ２２０を介して反ＩＴＯ面側からワーク２０８とペー
ストとに照射される。The liquid crystal substrate repair apparatus shown in FIG.
The liquid crystal substrate as the work 208 is fixed on the Y table 201 by the vacuum chuck table 202, the paste in the paste tank 217 is attached by the paste application needle 214, and the paste application needle 214 is moved onto the liquid crystal substrate. Paste is applied to the defective portion. After that, CO 2 provided under the XY table 201
Laser light from the laser 210 is applied to the work 208 and the paste from the side opposite to the ITO surface via the mirror 219 and the condenser lens 220.
【００２３】[0023]
【発明の効果】以上のように、この発明によれば、ＣＯ
2 レーザ光源を導電性ペーストの塗布面と反対側に設け
液晶基板を介して導電性ペーストにＣＯ2 レーザ光を照
射させるようにしたので、成膜修正部のＩＴＯパターン
によらずほぼ一定のレーザ照射条件で最適なペースト焼
成が可能となる。また、修正後の温度管理を行なうこと
により、より正確なレーザ照射条件でのペースト焼成が
可能となる。As described above, according to the present invention, CO
2 Since a laser light source is provided on the side opposite to the surface on which the conductive paste is applied to irradiate the conductive paste with CO 2 laser light through the liquid crystal substrate, a substantially constant laser is obtained irrespective of the ITO pattern of the film formation correction portion. Optimal paste firing becomes possible under irradiation conditions. Further, by controlling the temperature after correction, it becomes possible to perform paste firing under more accurate laser irradiation conditions.
【図１】この発明の液晶基板修正方法を説明するための
図である。FIG. 1 is a diagram for explaining a liquid crystal substrate repairing method of the present invention.
【図２】この発明の一実施形態における液晶基板修正装
置のブロック図である。FIG. 2 is a block diagram of a liquid crystal substrate repairing apparatus according to an embodiment of the present invention.
【図３】液晶基板修正装置の具体的な構成を示す外観図
である。FIG. 3 is an external view showing a specific configuration of a liquid crystal substrate repairing device.
【図４】従来のＣＶＤ法による基板修正方法を説明する
ための図である。FIG. 4 is a diagram for explaining a conventional substrate correction method by a CVD method.
【図５】従来の導電性ペーストを塗布して導電性膜を形
成する方法を説明するための図である。FIG. 5 is a diagram for explaining a conventional method of applying a conductive paste to form a conductive film.
【図６】ＩＴＯ占有率とレーザ照射量との関係を示す図
である。FIG. 6 is a diagram showing a relationship between an ITO occupation rate and a laser irradiation amount.
１１ ＩＴＯパターン修正面 １２ 反ＩＴＯ面 １３，２１０ ＣＯ2 レーザ １４ ペースト １５ 輻射式温度計 １６ レーザパワーコントローラ １７ レーザパワー指令値発生器 １８，２１９ ミラー １９，２２０集光レンズ11 ITO Pattern Correction Surface 12 Anti-ITO Surface 13,210 CO 2 Laser 14 Paste 15 Radiation Thermometer 16 Laser Power Controller 17 Laser Power Command Value Generator 18,219 Mirror 19,220 Condensing Lens
Claims (5)
能なテーブルと、前記液晶基板の一方面側の欠陥部に導
電性ペーストを塗布する針と、前記針を上下方向に移動
可能な駆動機構と、前記導電性ペーストを焼成するため
のＣＯ2 レーザ光源とを備え、前記液晶基板の欠陥部に
導電性ペーストを焼成して導電性膜の成膜により接続を
行なう液晶基板修正装置であって、 前記ＣＯ2 レーザ光源を前記液晶基板の他方面側に設
け、前記液晶基板を介して前記導電性ペーストを焼成す
ることを特徴とする、液晶基板修正装置。1. A table on which a liquid crystal substrate is placed and movable in the horizontal direction, a needle for applying a conductive paste to a defective portion on one surface side of the liquid crystal substrate, and the needle is movable in the vertical direction. A liquid crystal substrate repairing device comprising a drive mechanism and a CO 2 laser light source for firing the conductive paste, and performing connection by firing the conductive paste on a defective portion of the liquid crystal substrate and forming a conductive film. A liquid crystal substrate repairing device, wherein the CO 2 laser light source is provided on the other surface side of the liquid crystal substrate, and the conductive paste is fired through the liquid crystal substrate.
2 レーザ光を前記液晶基板の修正部に照射しているとき
の温度を測定するための輻射式温度計を備えた、請求項
１に記載の液晶基板修正装置。2. Further, CO from the CO 2 laser light source is used.
2. The liquid crystal substrate repairing device according to claim 1, further comprising a radiation thermometer for measuring a temperature when the laser light is applied to the repairing portion of the liquid crystal substrate.
いて、前記ＣＯ2 レーザ光源の出力を制御する制御手段
を備えた、請求項２に記載の液晶基板修正装置。3. The liquid crystal substrate repairing apparatus according to claim 2, further comprising control means for controlling the output of the CO 2 laser light source based on the output of the radiation thermometer.
に、該断線箇所に導電性ペーストを塗布し、焼成するこ
とによって導電性膜を成膜する液晶基板修正方法におい
て、 前記液晶基板の反修正面からＣＯ2 レーザ光を照射して
前記導電性ペーストの焼成を行なうことを特徴とする、
液晶基板修正方法。4. A liquid crystal substrate repairing method for forming a conductive film by applying a conductive paste to a broken portion in order to repair a broken wire of a liquid crystal substrate, the method comprising: CO 2 laser light is radiated from the modified surface to bake the conductive paste.
LCD substrate repair method.
射式温度計で測定し、その測定結果に基づいて、前記Ｃ
Ｏ2 レーザ光の出力を制御することを特徴とする、請求
項４に記載の液晶基板修正方法。5. The temperature of the liquid crystal substrate correction portion is measured by a radiation thermometer, and the C temperature is measured based on the measurement result.
The liquid crystal substrate repairing method according to claim 4, wherein the output of the O 2 laser light is controlled.
Priority Applications (3)
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Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10665496A JPH09292621A (en) | 1996-04-26 | 1996-04-26 | Correcting device for liquid crystal substrate and correcting method of the same |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09292621A true JPH09292621A (en) | 1997-11-11 |
Family
ID=14439101
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10665496A Withdrawn JPH09292621A (en) | 1996-02-29 | 1996-04-26 | Correcting device for liquid crystal substrate and correcting method of the same |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH09292621A (en) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001246299A (en) * | 2000-03-07 | 2001-09-11 | Toshiba Corp | Paste applying method and mounting device |
-
1996
- 1996-04-26 JP JP10665496A patent/JPH09292621A/en not_active Withdrawn
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001246299A (en) * | 2000-03-07 | 2001-09-11 | Toshiba Corp | Paste applying method and mounting device |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
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