JPH09288911A - Pattern forming paste and method for forming pattern - Google Patents
Pattern forming paste and method for forming patternInfo
- Publication number
- JPH09288911A JPH09288911A JP12400396A JP12400396A JPH09288911A JP H09288911 A JPH09288911 A JP H09288911A JP 12400396 A JP12400396 A JP 12400396A JP 12400396 A JP12400396 A JP 12400396A JP H09288911 A JPH09288911 A JP H09288911A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- pattern
- intermediate transfer
- transfer medium
- pattern forming
- substrate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 42
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims abstract description 46
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims abstract description 46
- 239000000843 powder Substances 0.000 claims abstract description 31
- 239000004205 dimethyl polysiloxane Substances 0.000 claims abstract description 6
- 229920000435 poly(dimethylsiloxane) Polymers 0.000 claims abstract description 6
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 49
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 13
- 229920001083 polybutene Polymers 0.000 claims description 13
- -1 polydimethylsiloxane Polymers 0.000 claims description 9
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 abstract description 3
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 abstract description 2
- 235000013870 dimethyl polysiloxane Nutrition 0.000 abstract 1
- 239000000314 lubricant Substances 0.000 abstract 1
- 238000000354 decomposition reaction Methods 0.000 description 19
- 230000007261 regionalization Effects 0.000 description 11
- 238000010304 firing Methods 0.000 description 10
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 9
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 9
- 239000000463 material Substances 0.000 description 8
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-M Acrylate Chemical compound [O-]C(=O)C=C NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 7
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 7
- 238000007639 printing Methods 0.000 description 7
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 5
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 5
- COBPKKZHLDDMTB-UHFFFAOYSA-N 2-[2-(2-butoxyethoxy)ethoxy]ethanol Chemical compound CCCCOCCOCCOCCO COBPKKZHLDDMTB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N Magnesium oxide Chemical compound [Mg]=O CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000004927 fusion Effects 0.000 description 4
- 229920000139 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 4
- 239000005020 polyethylene terephthalate Substances 0.000 description 4
- 229920000297 Rayon Polymers 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 239000010408 film Substances 0.000 description 3
- 239000000113 methacrylic resin Substances 0.000 description 3
- 238000007645 offset printing Methods 0.000 description 3
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 3
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 3
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 description 3
- 229920002379 silicone rubber Polymers 0.000 description 3
- 239000004945 silicone rubber Substances 0.000 description 3
- 239000001856 Ethyl cellulose Substances 0.000 description 2
- ZZSNKZQZMQGXPY-UHFFFAOYSA-N Ethyl cellulose Chemical compound CCOCC1OC(OC)C(OCC)C(OCC)C1OC1C(O)C(O)C(OC)C(CO)O1 ZZSNKZQZMQGXPY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000002202 Polyethylene glycol Substances 0.000 description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- MCMNRKCIXSYSNV-UHFFFAOYSA-N Zirconium dioxide Chemical compound O=[Zr]=O MCMNRKCIXSYSNV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 2
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 2
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 2
- 229920001971 elastomer Polymers 0.000 description 2
- 229920001249 ethyl cellulose Polymers 0.000 description 2
- 235000019325 ethyl cellulose Nutrition 0.000 description 2
- 238000001125 extrusion Methods 0.000 description 2
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 2
- 239000000395 magnesium oxide Substances 0.000 description 2
- 239000004014 plasticizer Substances 0.000 description 2
- 229920001223 polyethylene glycol Polymers 0.000 description 2
- 238000003825 pressing Methods 0.000 description 2
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 2
- 125000000954 2-hydroxyethyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])([H])O[H] 0.000 description 1
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 description 1
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 description 1
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 1
- ODINCKMPIJJUCX-UHFFFAOYSA-N Calcium oxide Chemical compound [Ca]=O ODINCKMPIJJUCX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DQEFEBPAPFSJLV-UHFFFAOYSA-N Cellulose propionate Chemical compound CCC(=O)OCC1OC(OC(=O)CC)C(OC(=O)CC)C(OC(=O)CC)C1OC1C(OC(=O)CC)C(OC(=O)CC)C(OC(=O)CC)C(COC(=O)CC)O1 DQEFEBPAPFSJLV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MQIUGAXCHLFZKX-UHFFFAOYSA-N Di-n-octyl phthalate Natural products CCCCCCCCOC(=O)C1=CC=CC=C1C(=O)OCCCCCCCC MQIUGAXCHLFZKX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZVFDTKUVRCTHQE-UHFFFAOYSA-N Diisodecyl phthalate Chemical compound CC(C)CCCCCCCOC(=O)C1=CC=CC=C1C(=O)OCCCCCCCC(C)C ZVFDTKUVRCTHQE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AEMRFAOFKBGASW-UHFFFAOYSA-N Glycolic acid Chemical class OCC(O)=O AEMRFAOFKBGASW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WOBHKFSMXKNTIM-UHFFFAOYSA-N Hydroxyethyl methacrylate Chemical compound CC(=C)C(=O)OCCO WOBHKFSMXKNTIM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CERQOIWHTDAKMF-UHFFFAOYSA-N Methacrylic acid Chemical class CC(=C)C(O)=O CERQOIWHTDAKMF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000020 Nitrocellulose Substances 0.000 description 1
- 229920002845 Poly(methacrylic acid) Chemical class 0.000 description 1
- 239000004372 Polyvinyl alcohol Substances 0.000 description 1
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 1
- 230000000996 additive effect Effects 0.000 description 1
- 150000001278 adipic acid derivatives Chemical class 0.000 description 1
- XYLMUPLGERFSHI-UHFFFAOYSA-N alpha-Methylstyrene Chemical compound CC(=C)C1=CC=CC=C1 XYLMUPLGERFSHI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002518 antifoaming agent Substances 0.000 description 1
- 239000003963 antioxidant agent Substances 0.000 description 1
- 230000003078 antioxidant effect Effects 0.000 description 1
- BJQHLKABXJIVAM-UHFFFAOYSA-N bis(2-ethylhexyl) phthalate Chemical compound CCCCC(CC)COC(=O)C1=CC=CC=C1C(=O)OCC(CC)CCCC BJQHLKABXJIVAM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000000740 bleeding effect Effects 0.000 description 1
- 125000000484 butyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- 239000000292 calcium oxide Substances 0.000 description 1
- 235000012255 calcium oxide Nutrition 0.000 description 1
- 229920002301 cellulose acetate Polymers 0.000 description 1
- 229920001727 cellulose butyrate Polymers 0.000 description 1
- 229920006218 cellulose propionate Polymers 0.000 description 1
- KRKNYBCHXYNGOX-UHFFFAOYSA-N citric acid Chemical class OC(=O)CC(O)(C(O)=O)CC(O)=O KRKNYBCHXYNGOX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000008602 contraction Effects 0.000 description 1
- 229920001577 copolymer Polymers 0.000 description 1
- 229910052878 cordierite Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- JSKIRARMQDRGJZ-UHFFFAOYSA-N dimagnesium dioxido-bis[(1-oxido-3-oxo-2,4,6,8,9-pentaoxa-1,3-disila-5,7-dialuminabicyclo[3.3.1]nonan-7-yl)oxy]silane Chemical compound [Mg++].[Mg++].[O-][Si]([O-])(O[Al]1O[Al]2O[Si](=O)O[Si]([O-])(O1)O2)O[Al]1O[Al]2O[Si](=O)O[Si]([O-])(O1)O2 JSKIRARMQDRGJZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KZHJGOXRZJKJNY-UHFFFAOYSA-N dioxosilane;oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Si]=O.O=[Si]=O.O=[Al]O[Al]=O.O=[Al]O[Al]=O.O=[Al]O[Al]=O KZHJGOXRZJKJNY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- NXOYZQFGHKAFKP-UHFFFAOYSA-N ethene;phthalic acid Chemical compound C=C.OC(=O)C1=CC=CC=C1C(O)=O NXOYZQFGHKAFKP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000001495 ethyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 1
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 1
- 239000000945 filler Substances 0.000 description 1
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000000959 isobutyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])(C([H])([H])[H])C([H])([H])* 0.000 description 1
- 125000001449 isopropyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])(*)C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- 238000004898 kneading Methods 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 229920000609 methyl cellulose Polymers 0.000 description 1
- 125000002496 methyl group Chemical group [H]C([H])([H])* 0.000 description 1
- 239000001923 methylcellulose Substances 0.000 description 1
- 235000010981 methylcellulose Nutrition 0.000 description 1
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 1
- 229910052863 mullite Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920001220 nitrocellulos Polymers 0.000 description 1
- 238000005191 phase separation Methods 0.000 description 1
- 150000003014 phosphoric acid esters Chemical class 0.000 description 1
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 1
- 125000005498 phthalate group Chemical class 0.000 description 1
- XNGIFLGASWRNHJ-UHFFFAOYSA-M phthalate(1-) Chemical compound OC(=O)C1=CC=CC=C1C([O-])=O XNGIFLGASWRNHJ-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 1
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 1
- 229920001451 polypropylene glycol Polymers 0.000 description 1
- 229920002451 polyvinyl alcohol Polymers 0.000 description 1
- 238000007665 sagging Methods 0.000 description 1
- CXMXRPHRNRROMY-UHFFFAOYSA-N sebacic acid Chemical class OC(=O)CCCCCCCCC(O)=O CXMXRPHRNRROMY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 1
- 229920002050 silicone resin Polymers 0.000 description 1
- 239000005361 soda-lime glass Substances 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 239000004094 surface-active agent Substances 0.000 description 1
- 230000008961 swelling Effects 0.000 description 1
- 230000009974 thixotropic effect Effects 0.000 description 1
- ZIBGPFATKBEMQZ-UHFFFAOYSA-N triethylene glycol Chemical compound OCCOCCOCCO ZIBGPFATKBEMQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Printing Methods (AREA)
- Parts Printed On Printed Circuit Boards (AREA)
- Manufacturing Of Printed Wiring (AREA)
- Conductive Materials (AREA)
Abstract
Description
【０００１】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は、パターン形成用ペ
ーストおよびパターン形成方法に係り、特に画像表示装
置、サーマルヘッド、集積回路等の製造工程における電
極や抵抗体等の高精度なパターンを形成するためのパタ
ーン形成用ペーストと、このパターン形成用ペーストを
使用して高精度のパターンを形成する方法に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a pattern forming paste and a pattern forming method, and more particularly to forming a highly accurate pattern of electrodes, resistors, etc. in the manufacturing process of image display devices, thermal heads, integrated circuits and the like. And a method for forming a highly accurate pattern using the pattern forming paste.
【０００２】[0002]
【従来の技術】近年、集積回路や画像表示装置等の電子
装置における電極、抵抗体、誘電体等の微細なパターン
形成は、より高い精度で、かつ、低い製造コストで実施
可能なことが要求されている。2. Description of the Related Art In recent years, it has been required that fine patterns such as electrodes, resistors, and dielectrics in electronic devices such as integrated circuits and image display devices can be formed with higher accuracy and at lower manufacturing cost. Has been done.
【０００３】従来、上記のような電極等のパターン形成
方法として、蒸着、スパッタリング、メッキ、あるいは
印刷法等により形成した導電性薄膜等をフォトリソグラ
フィー法によりエッチングする方法、所望の特性を有す
るパターン形成用ペーストを用いてスクリーン印刷やオ
フセット印刷等の印刷法により所定のパターンを形成
し、乾燥後に焼成することによりパターン形成する印刷
法等が挙げられる。Conventionally, as a method of forming a pattern of the above-mentioned electrodes and the like, a method of etching a conductive thin film formed by vapor deposition, sputtering, plating, printing or the like by a photolithography method, and pattern formation having desired characteristics Examples include a printing method in which a predetermined pattern is formed by a printing method such as screen printing or offset printing using the paste for use, and the pattern is formed by baking after drying.
【０００４】しかし、上記のエッチング法では、高精度
のパターン形成が可能であるが、エッチング工程を有す
るために製造コストが高くなってしまうという問題があ
った。また、大型画像表示装置のように大面積基板に電
極等を形成する場合には、大型の薄膜形成装置、露光装
置、エッチング装置が多数必要となり、この点でも製造
コストの増大を来すという問題があった。However, although the above-mentioned etching method can form a pattern with high precision, it has a problem that the manufacturing cost becomes high because of the etching step. Further, when electrodes and the like are formed on a large-area substrate such as a large-sized image display device, a large number of large-scale thin film forming devices, exposure devices, and etching devices are required, and this also increases the manufacturing cost. was there.
【０００５】これに対して、印刷法はエッチング工程が
なく、上記のエッチング法に比べて工程が簡略であり、
製造コストの低減が期待される。On the other hand, the printing method has no etching step and is simpler than the above-mentioned etching method.
A reduction in manufacturing cost is expected.
【０００６】[0006]
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、スクリ
ーン印刷法ではスクリーン印刷版を構成するメッシュ材
料の伸びによる印刷精度の限界があり、また、形成した
パターンにメッシュ目が生じたりパターンのにじみが発
生し、パターンのエッジ精度が低いという問題がある。However, in the screen printing method, there is a limit to the printing accuracy due to the elongation of the mesh material forming the screen printing plate, and the formed pattern has mesh eyes or pattern bleeding. However, there is a problem that the edge accuracy of the pattern is low.
【０００７】また、オフセット印刷法では、印刷回数が
進むにつれてパターン形成用ペーストが完全に基板に転
写されずにブランケットに残るようになりパターン精度
が低下するので、これを防止するために随時ブランケッ
トの交換を行う必要があり、作業が煩雑であるという問
題があった。In the offset printing method, as the number of printings increases, the pattern forming paste is not completely transferred to the substrate and remains on the blanket, which lowers the pattern accuracy. There is a problem in that the work needs to be exchanged and the work is complicated.
【０００８】本発明は、上述のような事情に鑑みてなさ
れたものであり、電極、抵抗体、誘電体等の高精細なパ
ターン形成が可能なパターン形成用ペーストと、このパ
ターン形成用ペーストを使用して電極や抵抗体、誘電体
等の高精度なパターンを形成することができるパターン
形成方法を提供することを目的とする。The present invention has been made in view of the above circumstances, and includes a pattern forming paste capable of forming a fine pattern such as an electrode, a resistor and a dielectric, and a pattern forming paste. An object of the present invention is to provide a pattern forming method which can be used to form a highly accurate pattern of an electrode, a resistor, a dielectric or the like.
【０００９】[0009]
【課題を解決するための手段】このような目的を達成す
るために、第１の発明であるパターン形成用ペースト
は、少なくとも無機粉体と樹脂成分とを含み、動的粘性
率が５００〜７０００poise の範囲であり、損失正接 t
anδが５〜１２の範囲であり、前記樹脂成分が６００℃
以下の焼成で揮発または分解するような構成とした。In order to achieve such an object, the pattern forming paste of the first invention contains at least an inorganic powder and a resin component and has a dynamic viscosity of 500 to 7,000 poise. And the loss tangent t
anδ is in the range of 5 to 12, and the resin component is 600 ° C.
It was configured to volatilize or decompose by the following firing.
【００１０】また、前記樹脂成分をポリブテン系樹脂と
するような構成とした。The resin component is a polybutene resin.
【００１１】第２の発明であるパターン形成方法は、基
材の一方の面にポリジメチルシロキサンを主体とする離
型層を備える中間転写媒体の該離型層上に請求項１また
は請求項２に記載のパターン形成用ペーストを所定のパ
ターンで形成する第１工程と、中間転写媒体上の前記パ
ターンを基板上に転写してパターン層を形成する第２工
程と、５００〜６００℃で焼成して前記パターン層の樹
脂成分を除去するとともに前記パターン層を基板に固着
させる第３工程と、を備えるような構成とした。According to a second aspect of the present invention, there is provided a pattern forming method, wherein a release layer mainly comprising polydimethylsiloxane is provided on one surface of a base material on the release layer of an intermediate transfer medium. 1. A first step of forming the pattern forming paste in a predetermined pattern according to 1., a second step of transferring the pattern on the intermediate transfer medium onto a substrate to form a pattern layer, and baking at 500 to 600 ° C. And removing the resin component of the pattern layer and fixing the pattern layer to the substrate.
【００１２】また、前記第２工程において基板上に形成
するパターン層の厚みを１〜２０μｍとするような構
成、前記中間転写媒体を長尺状とするような構成とし
た。Further, the thickness of the pattern layer formed on the substrate in the second step is set to 1 to 20 μm, and the intermediate transfer medium is set to a long shape.
【００１３】上記のような本発明は、中間転写媒体上に
パターン形成用ペーストにより一旦パターンが形成され
た後基板上に転写されるが、この際、パターン形成用ペ
ーストの動的粘性率が５００〜７０００poise の範囲で
あり、損失正接 tanδが５〜１２の範囲であるため、中
間転写媒体から基板へのパターン形成用ペーストの良好
な転写がなされ、また、パターン形成用ペーストの樹脂
成分が６００℃以下の焼成で揮発または分解するので、
基板にパターン層を形成した後の焼成において樹脂成分
の除去が可能となり、無機粉体が相互に融着したパター
ン層が基板上に形成される。In the present invention as described above, a pattern is once formed on the intermediate transfer medium by the pattern forming paste and then transferred onto the substrate. At this time, the dynamic viscosity of the pattern forming paste is 500. Since the loss tangent tan δ is in the range of 5 to 12, the pattern forming paste is satisfactorily transferred from the intermediate transfer medium to the substrate, and the resin component of the pattern forming paste is 600 ° C. Since it volatilizes or decomposes in the following firing,
The resin component can be removed by baking after forming the pattern layer on the substrate, and the pattern layer in which the inorganic powders are fused to each other is formed on the substrate.
【００１４】[0014]
【発明の実施の形態】以下、本発明の最良の実施形態に
ついて説明する。DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS The preferred embodiments of the present invention will be described below.
【００１５】本発明のパターン形成用ペーストは、少な
くとも無機粉体と樹脂成分を含むものであり、樹脂成分
は６００℃以下の焼成、例えば、３００〜６００℃の範
囲における焼成で揮発または分解するものである。そし
て、本発明のパターン形成用ペーストは、その動的粘性
率が５００〜７０００poise の範囲であり、損失正接ta
nδが５〜１２の範囲である。動的粘性率が５００poise
未満であると、後述するようなパターン形成方法にお
ける基板へのパターン転写において、中間転写媒体上へ
のペースト残存が多くなりパターン精度の低下を来し好
ましくない。また、動的粘性率が７０００poise を超え
ると、中間転写媒体へのパターン形成が難しくなり好ま
しくない。一方、損失正接 tanδが５未満であると、後
述するようなパターン形成方法における基板へのパター
ン転写において、エッジ精度が低くなり好ましくない。
また、損失正接 tanδが１２を超えると、形成されたパ
ターンにダレが生じたり、中間転写媒体上へのペースト
残存が多くなり好ましくない。The pattern forming paste of the present invention contains at least an inorganic powder and a resin component, and the resin component is volatilized or decomposed by baking at 600 ° C. or lower, for example, in the range of 300 to 600 ° C. Is. The pattern forming paste of the present invention has a dynamic viscosity of 500 to 7,000 poise, and a loss tangent ta.
nδ is in the range of 5-12. Dynamic viscosity is 500 poise
When the amount is less than the above, the amount of the paste remaining on the intermediate transfer medium is increased in the pattern transfer to the substrate in the pattern forming method described below, and the pattern accuracy is deteriorated, which is not preferable. If the dynamic viscosity exceeds 7,000 poise, pattern formation on the intermediate transfer medium becomes difficult, which is not preferable. On the other hand, if the loss tangent tan δ is less than 5, the edge precision becomes low in the pattern transfer to the substrate in the pattern forming method described later, which is not preferable.
If the loss tangent tan δ exceeds 12, sagging occurs in the formed pattern and the amount of paste remaining on the intermediate transfer medium increases, which is not preferable.
【００１６】尚、動的粘性率および損失正接 tanδは、
キャリメッド社製ＣＳレオメータにて、温度２３℃、周
波数１０Ｈz 、歪３％で測定する。The dynamic viscosity and the loss tangent tan δ are
At Kyarimeddo Co. CS Rheometer, temperature 23 ° C., a frequency 10H z, measured at a strain of 3%.
【００１７】本発明のパターン形成用ペーストを構成す
る無機粉体は、形成するパターンの使用目的に応じた特
性を有し、軟化温度が４５０〜６００℃である無機粉体
を使用することができる。無機粉体の軟化温度が６００
℃を超えると焼成温度を高くする必要があり、例えば、
基板の耐熱性が低い場合には焼成段階で基板に熱変形を
生じることになり好ましくない。また、無機粉体の軟化
温度が４５０℃未満では、パターン形成用ペーストの樹
脂成分が完全に分解、揮発する前に無機粉体が融着する
ため、空隙を生じやすく好ましくない。As the inorganic powder constituting the pattern forming paste of the present invention, it is possible to use an inorganic powder having characteristics depending on the purpose of use of the pattern to be formed and having a softening temperature of 450 to 600 ° C. . The softening temperature of the inorganic powder is 600
If it exceeds ℃, it is necessary to raise the firing temperature, for example,
If the heat resistance of the substrate is low, the substrate is undesirably thermally deformed in the firing step. Further, if the softening temperature of the inorganic powder is less than 450 ° C., the inorganic powder is fused before the resin component of the pattern forming paste is completely decomposed and volatilized, so that voids are likely to occur, which is not preferable.
【００１８】使用可能な無機粉体の具体例としては、Ａ
ｇ粉体、Ａｇ−Ｐｄ粉体、Ａｕ粉体、Ｃｕ粉体等の導電
性粉体、低軟化温度ガラス粉体、セラミックス粉体、誘
電性粉体等を挙げることができる。また、焼成時のガラ
スの分相を防止する効果をもたせたり、軟化温度を調整
したり、熱膨張係数をガラス基板に合わせたりするため
に、Ａｌ2 Ｏ3 、Ｂ2 Ｏ3 、ＳｉＯ2 、ＭｇＯ、Ｃａ
Ｏ、ＳｒＯ、ＢａＯ等の無機粉体を併用することもでき
る。さらに、耐火物フィラーとして、アルミナ、マグネ
シア、ジルコニア、カルシア、コージュライト、シリ
カ、ムライト等のセラミックス粉体を使用することがで
きる。Specific examples of usable inorganic powders include A
Conductive powders such as g powder, Ag-Pd powder, Au powder, Cu powder, low softening temperature glass powder, ceramic powder, and dielectric powder can be used. Further, in order to have an effect of preventing phase separation of glass at the time of firing, to adjust the softening temperature, and to adjust the coefficient of thermal expansion to the glass substrate, Al 2 O 3 , B 2 O 3 , SiO 2 , MgO, Ca
Inorganic powders such as O, SrO and BaO can be used together. Further, as the refractory filler, ceramic powder such as alumina, magnesia, zirconia, calcia, cordierite, silica, mullite can be used.
【００１９】上記の無機粉体の平均粒径は、０．１〜１
０μｍ、好ましくは０．５〜５μｍの範囲から設定する
ことができる。平均粒径が０．１μｍ未満であると構造
粘性（チクソトロピー性）が大きくなり、印刷ムラが発
生しやすくなり好ましくない。また、平均粒径が１０μ
ｍを超えるとパターンのエッジ精度が低下するので好ま
しくない。The average particle size of the above inorganic powder is 0.1 to 1
It can be set from 0 μm, preferably from 0.5 to 5 μm. If the average particle size is less than 0.1 μm, the structural viscosity (thixotropic property) increases, and printing unevenness easily occurs, which is not preferable. In addition, the average particle size is 10μ.
When it exceeds m, the edge accuracy of the pattern is lowered, which is not preferable.
【００２０】このような無機粉体は、パターン形成用ペ
ーストに５〜９５重量％、好ましくは５０〜９０重量％
の範囲で含有させることができる。Such an inorganic powder is contained in the pattern forming paste in an amount of 5 to 95% by weight, preferably 50 to 90% by weight.
Can be contained in the range.
【００２１】本発明のパターン形成用ペーストを構成す
る樹脂成分は、上述のように６００℃以下の低温におけ
る焼成によって揮発、分解して、パターン中に炭化物を
残存させることのないものである。このような樹脂成分
としては、エチルセルロース、メチルセルロース、ニト
ロセルロース、セルロースアセテート、セルロースプロ
ピオネート、セルロースブチレート等のセルロース系樹
脂、メチル（メタ）アクリレート、エチル（メタ）アク
リレート、ノルマルブチル（メタ）アクリレート、イソ
ブチル（メタ）アクリレート、イソプロピル（メタ）ア
クリレート、２−エチルメチル（メタ）アクリレート、
２−ヒドロキシエチル（メタ）アクリレート等の重合体
またはこれらの共重合体からなるポリ（メタ）アクリル
酸エステル類、ポリ−α−メチルスチレン、ポリビニル
アルコール、ポリブテン系樹脂等を挙げることができる
が、特に好ましくはポリブテン系樹脂である。尚、樹脂
成分として高分子量の樹脂を使用すると、パターン形成
用ペースト中に低分子量の溶剤を多く含有する必要が生
じ、パターン形成用ペーストの機上安定性が悪くなった
り、中間転写媒体の膨潤が発生して好ましくない。この
ため、樹脂成分として常温で液体のオリゴマーが好まし
く、また、低分子量の樹脂を使用する場合には、分子量
が１００以上の樹脂が好ましい。The resin component constituting the pattern forming paste of the present invention does not volatilize and decompose by firing at a low temperature of 600 ° C. or less as described above, and does not leave a carbide in the pattern. Examples of such resin components include cellulosic resins such as ethyl cellulose, methyl cellulose, nitrocellulose, cellulose acetate, cellulose propionate, and cellulose butyrate, methyl (meth) acrylate, ethyl (meth) acrylate, normal butyl (meth) acrylate. , Isobutyl (meth) acrylate, isopropyl (meth) acrylate, 2-ethylmethyl (meth) acrylate,
Examples thereof include polymers such as 2-hydroxyethyl (meth) acrylate or poly (meth) acrylic acid esters made of copolymers thereof, poly-α-methylstyrene, polyvinyl alcohol, polybutene resins, and the like. Polybutene-based resin is particularly preferable. When a high molecular weight resin is used as the resin component, it is necessary to include a large amount of a low molecular weight solvent in the pattern forming paste, which deteriorates the on-machine stability of the pattern forming paste and swells the intermediate transfer medium. Undesirably occurs. Therefore, an oligomer which is liquid at room temperature is preferable as the resin component, and when a low molecular weight resin is used, a resin having a molecular weight of 100 or more is preferable.
【００２２】上記の樹脂成分の揮発、分解温度が６００
℃を超えると、樹脂成分を除去する際の焼成温度が高く
なり、例えば、基板の耐熱性が低い場合、基板に熱変形
が生じることになり好ましくない。一方、樹脂成分の揮
発、分解温度の下限は特に制限はないが、揮発、分解温
度が低くなるほど完全に揮発または分解する樹脂の種類
が少なくなり材料選択の幅が狭くなるので、例えば、樹
脂成分の揮発、分解温度の下限を３００℃程度に設定す
ることが好ましい。Volatilization and decomposition temperatures of the above resin components are 600
When the temperature exceeds ℃, the firing temperature for removing the resin component becomes high, and for example, when the heat resistance of the substrate is low, the substrate is thermally deformed, which is not preferable. On the other hand, the lower limit of the volatilization / decomposition temperature of the resin component is not particularly limited, but the lower the volatilization / decomposition temperature, the smaller the types of resin that completely volatilize or decompose and the narrower the material selection range. It is preferable to set the lower limit of the volatilization / decomposition temperature to about 300 ° C.
【００２３】このような樹脂成分のパターン形成用ペー
スト中の含有量は、５〜９５重量％、好ましくは１０〜
５０重量％の範囲とすることができる。The content of such a resin component in the pattern forming paste is 5 to 95% by weight, preferably 10 to
It can be in the range of 50% by weight.
【００２４】また、本発明のパターン形成用ペーストに
は、添加剤として、可塑剤、界面活性剤、消泡剤、酸化
防止剤等が必要に応じて用いられる。このうち可塑剤と
しては、フタル酸エステル類、セバチン酸エステル類、
リン酸エステル類、アジピン酸エステル類、グリコール
酸エステル類、クエン酸エステル類等が一般的に用いら
れる。さらに、パターン形成用ペーストには、用いる樹
脂成分に対して良溶媒である溶剤を含有させることがで
きる。溶剤の選定は、溶剤の揮発性と使用する樹脂成分
の溶解性を主に考慮して行われる。樹脂成分に対する溶
剤の溶解性が低いと、パターン形成用ペーストの粘度が
高くなってしまい、印刷適性が悪化するので好ましくな
い。また、溶剤の含有率はパターン形成用ペースト内の
気泡を抜くことでき、レベリングが良好で形成されるパ
ターンの平滑性が良好となるような粘度範囲で設定する
ことができ、例えば、１〜５０重量％程度が好ましい。Further, in the pattern forming paste of the present invention, a plasticizer, a surfactant, a defoaming agent, an antioxidant, etc. are used as an additive as required. Of these, as plasticizers, phthalates, sebacates,
Phosphoric acid esters, adipic acid esters, glycolic acid esters, citric acid esters and the like are generally used. Further, the pattern forming paste may contain a solvent that is a good solvent for the resin component used. The solvent is selected mainly by considering the volatility of the solvent and the solubility of the resin component used. When the solubility of the solvent in the resin component is low, the viscosity of the pattern forming paste becomes high, and the printability deteriorates, which is not preferable. Further, the content rate of the solvent can be set within a viscosity range in which bubbles in the pattern forming paste can be removed and the leveling is good and the smoothness of the formed pattern is good, for example, 1 to 50. About wt% is preferable.
【００２５】このような本発明のパターン形成用ペース
トは、上述の無機粉体と樹脂成分を低揮発性の溶剤に混
合し、ロールミルにより混練してペースト状の塗布液と
するか、あるいは、ボールミル等により混練してスラリ
ー状の塗布液として得ることができる。使用する低揮発
性の溶剤としては、トリエチレングリコールモノブチル
エーテル、トリエチレングリコール、ポリエチレングリ
コール、ポリプロピレングリコール、ジオクチルフタレ
ート、ジイソデシルフタレート等を挙げることができ
る。Such a pattern forming paste of the present invention is prepared by mixing the above-mentioned inorganic powder and resin component in a low volatile solvent and kneading them by a roll mill to prepare a paste-like coating solution, or by a ball mill. It can be kneaded with the above or the like to obtain a slurry-like coating liquid. Examples of the low volatility solvent used include triethylene glycol monobutyl ether, triethylene glycol, polyethylene glycol, polypropylene glycol, dioctyl phthalate, diisodecyl phthalate.
【００２６】次に、本発明のパターン形成方法を図面を
参照しながら説明する。Next, the pattern forming method of the present invention will be described with reference to the drawings.
【００２７】図１は、本発明のパターン形成方法の一実
施形態を説明するための図面である。図１において、本
発明のパターン形成方法は、まず、第１工程として基材
２の一方の面に離型層３を備えた長尺状の中間転写媒体
１を、基材２側からバックアップローラ６で凹版７上に
押し付け、バックアップローラ６を矢印Ａ方向に移動さ
せることにより、凹版７の凹部７ａに保持されているパ
ターン形成用ペースト８を離型層３上に転移させて所定
のパターン４を形成する（図１（Ａ））。FIG. 1 is a drawing for explaining an embodiment of the pattern forming method of the present invention. Referring to FIG. 1, in the pattern forming method of the present invention, first, as a first step, a long-sized intermediate transfer medium 1 having a release layer 3 on one surface of a base material 2 is backed up from a base material 2 side by a backup roller. 6 is pressed onto the intaglio 7 and the backup roller 6 is moved in the direction of arrow A, whereby the pattern forming paste 8 held in the recess 7a of the intaglio 7 is transferred onto the release layer 3 to form the predetermined pattern 4 Are formed (FIG. 1A).
【００２８】上記の中間転写媒体１を構成する基材２
は、ポリエチレンテレフタレート等の熱伸縮率の小さい
樹脂フィルム、アルミニウムや鉄等の金属板等を使用す
ることができ、その厚みは１０〜５００μｍ、好ましく
は５０〜３００μｍ程度のものを使用する。Substrate 2 constituting the above-mentioned intermediate transfer medium 1
A resin film having a small thermal expansion and contraction rate such as polyethylene terephthalate or a metal plate such as aluminum or iron can be used, and the thickness thereof is about 10 to 500 μm, preferably about 50 to 300 μm.
【００２９】また、中間転写媒体１を構成する離型層３
は、ポリジメチルシロキサンを主体とするシリコーン樹
脂からなる層であり、具体的には、ポリジメチルシリコ
ーンゴム、フェニル変性シリコーンゴム、エポキシ変性
シリコーンゴム、ウレタン変性シリコーンゴム等を用い
て形成することができる。また、離型層３の厚みは１０
〜３０００μｍ程度とすることができる。The release layer 3 which constitutes the intermediate transfer medium 1
Is a layer composed of a silicone resin mainly composed of polydimethylsiloxane, and specifically, it can be formed by using polydimethylsilicone rubber, phenyl-modified silicone rubber, epoxy-modified silicone rubber, urethane-modified silicone rubber, or the like. . The release layer 3 has a thickness of 10
It can be set to about 3000 μm.
【００３０】この第１工程におけるパターン４の形成に
おいて、凹版７の凹部７ａに保持されているパターン形
成用ペースト８の全量を離型層３上に転移させる必要は
なく、本発明のパターン形成用ペーストと上記の中間転
写媒体１の離型層３の特性から所望の厚みのパターン４
を安定して形成できればよい。In the formation of the pattern 4 in the first step, it is not necessary to transfer the entire amount of the pattern forming paste 8 held in the concave portion 7a of the intaglio 7 onto the release layer 3, and the pattern forming paste of the present invention can be formed. A pattern 4 having a desired thickness is obtained from the characteristics of the paste and the release layer 3 of the intermediate transfer medium 1 described above.
It suffices if it can be stably formed.
【００３１】次に、第２工程として、第１工程で離型層
３上にパターン４が形成された中間転写媒体１を、基材
２側からバックアップローラ９で基板Ｓ上に押し付け、
バックアップローラ９を矢印方向に回転させ、基板Ｓを
矢印Ｂ方向、中間転写媒体１を矢印Ｃ方向に移動させる
ことにより、パターン４を中間転写媒体１から基板Ｓ上
に転写してパターン層５を形成する（図１（Ｂ））。こ
の第２工程において形成するパターン層５の厚みは、上
述の第１工程で形成するパターン４の厚みで決定され、
形成するパターンの使用目的等からパターン層５の厚み
は適宜設定できるが、パターン層５の膜厚の均一性を考
慮して１〜２０μｍ程度の厚みが好ましい。このような
パターン層５の厚みの調整は、凹版７の凹部７ａの深さ
（版深）の設定により行うことができ、通常、版深は２
〜４０μｍ程度の範囲で設定することが好ましい。Next, in the second step, the intermediate transfer medium 1 having the pattern 4 formed on the release layer 3 in the first step is pressed from the base material 2 side onto the substrate S by the backup roller 9,
By rotating the backup roller 9 in the arrow direction and moving the substrate S in the arrow B direction and the intermediate transfer medium 1 in the arrow C direction, the pattern 4 is transferred from the intermediate transfer medium 1 onto the substrate S to form the pattern layer 5. Formed (FIG. 1B). The thickness of the pattern layer 5 formed in the second step is determined by the thickness of the pattern 4 formed in the above-mentioned first step,
The thickness of the pattern layer 5 can be appropriately set depending on the purpose of use of the pattern to be formed and the like, but a thickness of about 1 to 20 μm is preferable in consideration of the uniformity of the film thickness of the pattern layer 5. The thickness of the pattern layer 5 can be adjusted by setting the depth (plate depth) of the concave portion 7a of the intaglio plate 7, and the plate depth is usually 2
It is preferable to set in the range of about 40 μm.
【００３２】次いで、第３工程として、５００〜６００
℃で焼成することによってパターン層５に含まれる樹脂
成分が揮発、あるいは分解され、炭化物を残存すること
なく除去され、また、パターン層５に含まれる無機粉体
が焼成によって相互に融着を生じてパターン層Ｐを形成
し、形成されたパターン層Ｐは、基板Ｓに十分な強度を
もって固着される（図１（Ｃ））。Then, as a third step, 500 to 600
The resin component contained in the pattern layer 5 is volatilized or decomposed by firing at 0 ° C., the carbide is removed without remaining, and the inorganic powders contained in the pattern layer 5 are fused to each other by firing. Then, the pattern layer P is formed, and the formed pattern layer P is fixed to the substrate S with sufficient strength (FIG. 1C).
【００３３】このような長尺状の中間転写媒体１を使用
した上述のパターン形成方法では、常に中間転写媒体の
新しい面が使用されるため、従来の凹版オフセット印刷
におけるブランケット膨潤によるパターン形成用ペース
トのブランケット残りが発生することがなく、高精度の
パターンＰを安定して形成することができる。In the above-described pattern forming method using such a long intermediate transfer medium 1, since the new surface of the intermediate transfer medium is always used, the pattern forming paste by blanket swelling in the conventional intaglio offset printing is used. No blanket residue occurs, and the highly accurate pattern P can be stably formed.
【００３４】また、本発明では、パターンの位置精度を
向上させるために、大径のバックアップローラを使用
し、中間転写媒体１がバックアップローラに接触してい
る部分においてパターン転写をするようにしてもよい。
このようなパターン形成方法を図２を参照して説明す
る。図２において、まず、第１工程として長尺状の中間
転写媒体１を基材側から大径のバックアップローラ６´
で凹版７上に押し付け、凹版７を矢印Ａ方向に移動させ
るとともに、バックアップローラ６´を矢印方向に回転
移動させることにより、凹版７の凹部７ａに保持されて
いるパターン形成用ペーストを中間転写媒体１の離型層
上に転移させて所定のパターン４を形成する（図２
（Ａ））。このようにパターン４が形成された領域の中
間転写媒体１は、大径のバックアップローラ６´に接触
した状態にある。Further, in the present invention, in order to improve the positional accuracy of the pattern, a large-diameter backup roller is used, and the pattern is transferred at the portion where the intermediate transfer medium 1 is in contact with the backup roller. Good.
Such a pattern forming method will be described with reference to FIG. In FIG. 2, first, as a first step, the long intermediate transfer medium 1 is provided with a backup roller 6 ′ having a large diameter from the substrate side.
Is pressed onto the intaglio plate 7 to move the intaglio plate 7 in the direction of arrow A, and the backup roller 6 ′ is rotationally moved in the arrow direction, whereby the pattern forming paste held in the recess 7 a of the intaglio plate 7 is transferred. 1 to form a predetermined pattern 4 (FIG. 2).
(A)). The intermediate transfer medium 1 in the region where the pattern 4 is formed in this manner is in contact with the backup roller 6'having a large diameter.
【００３５】次に、第２工程として、第１工程で離型層
上にパターン４が形成された中間転写媒体１を基板Ｓ上
に押し付け、大径のバックアップローラ６´を矢印方向
に回転させ、基板Ｓを矢印Ｂ方向、中間転写媒体１を矢
印Ｃ方向に移動させることにより、パターン４を中間転
写媒体１から基板Ｓ上に転写してパターン層５を形成す
る（図１（Ｂ））。その後、上述の第３工程と同様にし
てパターン層Ｐを形成する。Next, in the second step, the intermediate transfer medium 1 having the pattern 4 formed on the release layer in the first step is pressed onto the substrate S, and the large-diameter backup roller 6'is rotated in the arrow direction. By moving the substrate S in the arrow B direction and the intermediate transfer medium 1 in the arrow C direction, the pattern 4 is transferred from the intermediate transfer medium 1 onto the substrate S to form the pattern layer 5 (FIG. 1B). . After that, the pattern layer P is formed in the same manner as the above-mentioned third step.
【００３６】上述の実施形態では、第１工程において凹
版７を用いて中間転写媒体上にパターン形成用ペースト
からなるパターン４を形成したが、本発明のパターン形
成方法はこれに限定されるものではない。例えば、図３
に示されるように、平凹版１７を使用して凹部１７ａに
保持されたパターン形成用ペースト１８を中間転写媒体
１上に転移してパターン４を形成してもよく、あるい
は、図４に示されるように、凸版２７を使用して凸部２
７ａ上に保持されたパターン形成用ペースト２８を中間
転写媒体１上に転移してパターン４を形成してもよい。In the above embodiment, the pattern 4 made of the pattern forming paste was formed on the intermediate transfer medium by using the intaglio 7 in the first step, but the pattern forming method of the present invention is not limited to this. Absent. For example, FIG.
As shown in FIG. 4, the planographic intaglio 17 may be used to transfer the pattern forming paste 18 held in the recesses 17a onto the intermediate transfer medium 1 to form the pattern 4, or, as shown in FIG. As shown in FIG.
The pattern forming paste 28 held on 7a may be transferred onto the intermediate transfer medium 1 to form the pattern 4.
【００３７】また、上述の実施形態では、第１工程にて
使用する版はいずれも平板状であるが、シリンダー状の
版であってもよいことは勿論である。Further, in the above-mentioned embodiment, all the plates used in the first step are flat plates, but it goes without saying that they may be cylindrical plates.
【００３８】さらに、本発明のパターン形成方法では、
第１工程における中間転写媒体上へのパターン形成を、
図５に示されるように押出しノズルを使用して行うこと
もできる。この場合、複数の押出し孔３２を軸方向に所
定の間隔で備えた押出しノズル３１を使用し、この押出
しノズル３１の押出し孔３２に対向する位置にバックア
ップローラ３３を設け、中間転写媒体１を図５の矢印方
向に搬送しながら押出し孔３２からパターン形成用ペー
ストを押し出すことにより、ライン状にパターン４を形
成することができる。Further, in the pattern forming method of the present invention,
Pattern formation on the intermediate transfer medium in the first step,
It can also be done using an extrusion nozzle as shown in FIG. In this case, an extruding nozzle 31 having a plurality of extruding holes 32 at predetermined intervals in the axial direction is used, and a backup roller 33 is provided at a position facing the extruding hole 32 of the extruding nozzle 31, so that the intermediate transfer medium 1 The pattern 4 can be formed in a line shape by extruding the pattern forming paste from the extrusion hole 32 while conveying it in the direction of the arrow 5.
【００３９】上述のパターン形成方法の実施形態では、
中間転写媒体は長尺状のものを使用したが、本発明では
シート状の転写媒体を使用することもできる。図６は、
シート状の中間転写媒体を用いた第１工程のパターン形
成を説明するための図である。図６において、シート状
の中間転写媒体１´（構成は上述の中間転写媒体１と同
様）を、凹部４７ａにパターン形成用ペースト４８を保
持した凹版４７にバックアップローラ４１を介して押圧
する（図６（Ａ））。次いで、中間転写媒体１´を凹版
４７から引き離すことにより、中間転写媒体１´上にパ
ターン４´を形成することができる（図６（Ｂ））。
尚、このようなシート状の中間転写媒体１´を使用する
場合も、上述のような平凹版や凸版等の種々の版を使用
することができる。In the embodiment of the pattern forming method described above,
The intermediate transfer medium used is a long one, but a sheet-shaped transfer medium can also be used in the present invention. FIG.
It is a figure for demonstrating the pattern formation of the 1st process using a sheet-shaped intermediate transfer medium. In FIG. 6, a sheet-shaped intermediate transfer medium 1 ′ (the configuration is the same as that of the above-described intermediate transfer medium 1) is pressed against the intaglio plate 47 having the pattern forming paste 48 held in the recess 47 a via the backup roller 41 (FIG. 6 (A)). Next, the pattern 4'can be formed on the intermediate transfer medium 1'by separating the intermediate transfer medium 1'from the intaglio 47 (FIG. 6 (B)).
Even when such a sheet-shaped intermediate transfer medium 1'is used, various plates such as the above-mentioned planographic intaglio plate and letterpress plate can be used.
【００４０】また、図７は、シート状の中間転写媒体を
用いた第１工程のパターン形成の他の例を説明するため
の図である。この場合、シート状の中間転写媒体１´を
シリンダー胴５１に巻き付けて装着し、凹部５７ａにパ
ターン形成用ペースト５８を保持した凹版５７に中間転
写媒体１´を押圧しながらシリンダー胴５１を矢印方向
に回転移動させることにより、中間転写媒体１´上にパ
ターン４´を形成することができる。この場合も、上述
のような平凹版や凸版等の種々の版、および、シリンダ
ー状の版を使用することができる。FIG. 7 is a diagram for explaining another example of pattern formation in the first step using a sheet-shaped intermediate transfer medium. In this case, the sheet-shaped intermediate transfer medium 1 ′ is wound around the cylinder body 51 and mounted, and the cylinder body 51 is pressed in the direction of the arrow while pressing the intermediate transfer medium 1 ′ against the intaglio 57 holding the pattern forming paste 58 in the recess 57 a. The pattern 4 ′ can be formed on the intermediate transfer medium 1 ′ by rotating the intermediate transfer medium 1 ′. Also in this case, various plates such as the above-mentioned planographic intaglio plate and letterpress plate, and a cylinder plate can be used.
【００４１】一方、シート状の中間転写媒体を使用する
場合、第２工程における基板へのパターンの転写は、例
えば、図８に示されるように、パターン４´が形成され
たシート状の中間転写媒体１´を、基板Ｓにバックアッ
プローラ６１を介して押圧する（図８（Ａ））。次い
で、この中間転写媒体１´を基板Ｓから引き離すことに
より、基板Ｓ上にパターン層５´を形成することができ
る（図８（Ｂ））。また、図９に示されるように、パタ
ーン４´が形成されたシート状の中間転写媒体１´をシ
リンダー胴７１に巻き付けて装着し、基板Ｓに中間転写
媒体１´を押圧しながらシリンダー胴７１を矢印方向に
回転移動させることにより、基板Ｓ上にパターン層５を
形成することができる。On the other hand, when a sheet-shaped intermediate transfer medium is used, the transfer of the pattern to the substrate in the second step is, for example, as shown in FIG. 8, a sheet-shaped intermediate transfer in which a pattern 4'is formed. The medium 1'is pressed against the substrate S via the backup roller 61 (FIG. 8A). Then, the pattern layer 5'can be formed on the substrate S by separating the intermediate transfer medium 1'from the substrate S (FIG. 8B). Further, as shown in FIG. 9, the sheet-shaped intermediate transfer medium 1 ′ on which the pattern 4 ′ is formed is wound around and mounted on the cylinder body 71, and the cylinder body 71 is pressed against the substrate S while pressing the intermediate transfer medium 1 ′. The pattern layer 5 can be formed on the substrate S by rotating and moving in the direction of the arrow.
【００４２】[0042]
【実施例】次に、実施例を示して本発明を更に詳細に説
明する。 （実施例１）まず、下記の１１種（Ａ〜Ｋ）の組成のパ
ターン形成用ペーストを準備した。尚、各パターン形成
用ペーストの動的粘性率（１０Ｈz ）と損失正接 tanδ
（１０Ｈz ）を下記の表１に示した。Next, the present invention will be described in more detail with reference to examples. (Example 1) First, a pattern forming paste having the following 11 types (AK) of composition was prepared. Incidentally, the dynamic viscosity of each pattern forming paste (10H z) and the loss tangent tanδ
The (10H z) shown in Table 1 below.
【００４３】 パターン形成用ペーストＡの組成 ・マイレン化ポリブテン （日本油脂（株）製 ＭＰＢ、分解温度４８０℃） … ５０重量部 ・ガラスフリット （イワキガラス（株）製Ｔ０７２、軟化温度５２５℃）… ５０重量部 パターン形成用ペーストＢの組成 ・マイレン化ポリブテン （日本油脂（株）製 ＭＰＢ、分解温度４８０℃） … ２０重量部 ・Ａｇ粉体 （昭栄化学工業（株）製 Ag-128 、融着温度５５０℃）… ８０重量部 パターン形成用ペーストＣの組成 ・アクリル樹脂（分解温度５５０℃） （共栄社油脂（株）製ポリフローNo.3） … ９５重量部 ・ガラスフリット （マツナミガラス（株）製MB-13 、軟化温度４８０℃）… ５重量部 パターン形成用ペーストＤの組成 ・ポリエチレングリコールモノメタクリレート （新中村化学（株）製Ｍ４０Ｇ、分解温度５６０℃） … １６重量部 ・メタクリル樹脂（分解温度３３０℃） （三菱レーヨン（株）製ＢＲ１０５） … ４重量部 ・Ａｇ粉体 （昭栄化学工業（株）製 Ag-128 、融着温度５５０℃）… ８０重量部 パターン形成用ペーストＥの組成 ・トリエチレングリコールモノブチルエーテル … ４４重量部 ・β−メタクリロイルオキシエチレンハイドロジエンフタレート （新中村化学（株）製ＣＢ−１、分解温度３９０℃） … ３重量部 ・メタクリル樹脂（分解温度３３０℃） （三菱レーヨン（株）製ＢＲ１０５） … ３重量部 ・Ａｇ粉体 （昭栄化学工業（株）製 Ag-128 、融着温度５５０℃）… ５０重量部 パターン形成用ペーストＦの組成 ・トリエチレングリコールモノブチルエーテル …９５．５重量部 ・β−メタクリロイルオキシエチレンハイドロジエンフタレート （新中村化学（株）製ＣＢ−１、分解温度３９０℃） … ２重量部 ・メタクリル樹脂（分解温度３３０℃） （三菱レーヨン（株）製ＢＲ１０５） …３．５重量部 パターン形成用ペーストＧの組成 ・ポリブテン （日本油脂（株）製３Ｎ、分解温度４５０℃） … １５重量部 ・ガラスフリット （イワキガラス（株）製Ｔ０７２、軟化温度５２５℃）… ８５重量部 パターン形成用ペーストＨの組成 ・ポリブテン （日本油脂（株）製２００Ｎ、分解温度４６０℃） … ５０重量部 ・ガラスフリット （イワキガラス（株）製Ｔ０７２、軟化温度５２５℃）… ５０重量部 パターン形成用ペーストＩの組成 ・トリエチレングリコールモノブチルエーテル … ４０重量部 ・エチルセルロース （ハーキュレス社製Ｎ−２００、分解温度４００℃） … １０重量部 ・ガラスフリット （イワキガラス（株）製Ｔ０７２、軟化温度５２５℃）… ５０重量部 パターン形成用ペーストＪの組成 ・ポリブテン （日本油脂（株）製２００Ｎ、分解温度４６０℃） … ２０重量部 ・Ａｇ粉体 （昭栄化学工業（株）製 Ag-128 、融着温度５５０℃）… ８０重量部 パターン形成用ペーストＫの組成 ・ポリブテン （日本油脂（株）製３Ｎ、分解温度４５０℃） … ４０重量部 ・ポリブテン （日本油脂（株）製２００Ｎ、分解温度４６０℃） … ２０重量部 ・Ａｇ粉体 （昭栄化学工業（株）製 Ag-128 、融着温度５５０℃）… ４０重量部 次に、第１工程として、上記のパターン形成用ペースト
（Ａ〜Ｋ）を図１に示されるような凹版を使用して中間
転写媒体の離型層上に印刷し、線幅８０μｍ、ピッチ２
００μｍのストライプ状のパターンを形成した（図１
（Ａ）に相当）。ここで使用した凹版は、ソーダライム
ガラス板に、下記表１に示される深さの凹部をエッチン
グで形成したものである。また、中間転写媒体として
は、基材としてのＰＥＴ（ポリエチレンテレフタレー
ト）上にポリジメチルシロキサンゴムを注型形成して離
型層を設けた長尺状の中間転写媒体を用いた。この中間
転写媒体の離型層の特性は、臨界表面張力２３ｄｙｎｅ
／ｃｍ、ヤング率１０8 ｄｙｎｅ／ｃｍ2 であった。 Composition of the paste A for pattern formation -Millenated polybutene (MPB manufactured by NOF CORPORATION, decomposition temperature 480 ° C) ... 50 parts by weight-Glass frit (T072 manufactured by Iwaki Glass Co., Ltd., softening temperature 525 ° C) 50 parts by weight Composition of pattern forming paste B -Millinated polybutene (MPB manufactured by NOF CORPORATION, decomposition temperature 480 ° C) 20 parts by weight Ag powder (Ag-128 manufactured by Shoei Chemical Industry Co., Ltd., fusion bonding) Temperature: 550 ° C.): 80 parts by weight Pattern forming paste C composition : Acrylic resin (decomposition temperature: 550 ° C.) (Kyoeisha Yushi Co., Ltd. Polyflow No. 3): 95 parts by weight: Glass frit (Matsunami Glass Co., Ltd.) MB-13, softening point 480 ° C.) ... 5 parts by weight pattern forming paste D composition polyethylene glycol monomethacrylate (manufactured by Shin-Nakamura chemical Co., 40G, decomposition temperature 560 ° C.) 16 parts by weight Methacrylic resin (decomposition temperature 330 ° C.) (BR105 manufactured by Mitsubishi Rayon Co., Ltd.) 4 parts by weight Ag powder (Ag-128 manufactured by Shoei Chemical Industry Co., Ltd., melted) Deposition temperature 550 ° C.) 80 parts by weight Composition of pattern forming paste E Triethylene glycol monobutyl ether 44 parts by weight β-methacryloyloxyethylene hydrogen phthalate (CB-1 manufactured by Shin-Nakamura Chemical Co., Ltd., decomposition temperature 390) ℃) 3 parts by weight Methacrylic resin (decomposition temperature 330 ° C.) (Mitsubishi Rayon Co., Ltd. BR105) 3 parts by weight Ag powder (Shoei Chemical Industry Co., Ltd. Ag-128, fusion temperature 550 ° C.) 50 parts by weight Composition of pattern forming paste F Triethylene glycol monobutyl ether 95.5 parts by weight β-methacryloyloxy Ethylene hydrogen phthalate (CB-1 manufactured by Shin Nakamura Chemical Co., Ltd., decomposition temperature 390 ° C.) 2 parts by weight Methacrylic resin (decomposition temperature 330 ° C.) (BR105 manufactured by Mitsubishi Rayon Co., Ltd.) 3.5 parts by weight pattern Composition of forming paste G Polybutene (3N manufactured by NOF CORPORATION, decomposition temperature 450 ° C) 15 parts by weight Glass frit (T072 manufactured by Iwaki Glass Co., Ltd., softening temperature 525 ° C) 85 parts by weight For pattern formation Composition of Paste H Polybutene (200N manufactured by NOF Corporation, decomposition temperature 460 ° C) 50 parts by weight Glass frit (T072 manufactured by Iwaki Glass Co., Ltd., softening temperature 525 ° C) 50 parts by weight Paste I for pattern formation Composition of triethylene glycol monobutyl ether ... 40 parts by weight Ethyl cellulose (N-2 manufactured by Hercules Co., Ltd.) 00, decomposition temperature 400 ° C.) 10 parts by weight Glass frit (T072 manufactured by Iwaki Glass Co., Ltd., softening temperature 525 ° C.) 50 parts by weight Composition of pattern forming paste J Polybutene (200N manufactured by NOF Corporation) Decomposition temperature 460 ° C.) 20 parts by weight Ag powder (Ag-128 manufactured by Shoei Chemical Industry Co., Ltd., fusion temperature 550 ° C.) 80 parts by weight Composition of pattern forming paste K Polybutene (NOF CORPORATION) 3N, decomposition temperature 450 ° C) 40 parts by weight Polybutene (200N manufactured by NOF CORPORATION, decomposition temperature 460 ° C) 20 parts by weight Ag powder (Ag-128 manufactured by Shoei Chemical Industry Co., Ltd., fusion bonding) Temperature 550 ° C.) 40 parts by weight Next, in a first step, the above pattern forming pastes (A to K) are printed on the release layer of the intermediate transfer medium using an intaglio plate as shown in FIG. Line width 0μm, pitch 2
A 00 μm stripe pattern was formed (see FIG. 1).
(Corresponds to (A)). The intaglio plate used here is a soda lime glass plate on which recesses having the depths shown in Table 1 below are formed by etching. As the intermediate transfer medium, a long intermediate transfer medium in which polydimethylsiloxane rubber was cast on PET (polyethylene terephthalate) as a base material and a release layer was provided was used. The characteristic of the release layer of this intermediate transfer medium is that the critical surface tension is 23 dyne.
/ Cm, Young's modulus was 10 8 dyne / cm 2 .
【００４４】次いで、第２工程として、厚み２ｍｍのガ
ラス基板上に上記のパターンを形成した中間転写媒体を
バックアップローラを介して押し付け、基板上にパター
ン層を転写形成した（図１（Ｂ）に相当）。このパター
ン層の厚みを下記の表１に示した。Then, in a second step, an intermediate transfer medium having the above pattern formed on a glass substrate having a thickness of 2 mm was pressed via a backup roller to transfer a pattern layer on the substrate (see FIG. 1 (B)). Equivalent). The thickness of this pattern layer is shown in Table 1 below.
【００４５】次に、第３工程として、ピーク温度５６０
℃にて焼成（ピーク温度保持時間２０分）し、パターン
層の樹脂成分を焼成除去してパターン層を基板上に固着
形成し（図１（Ｃ）に相当）、試料１〜１２を得た。Next, as the third step, the peak temperature 560
Baking at 20 ° C. (peak temperature holding time: 20 minutes), the resin component of the pattern layer was removed by baking to firmly form the pattern layer on the substrate (corresponding to FIG. 1C), and samples 1 to 12 were obtained. .
【００４６】このようにして形成したパターン層を下記
の基準で評価し、その結果を下記の表１に示した。The pattern layer thus formed was evaluated according to the following criteria, and the results are shown in Table 1 below.
【００４７】パターン層の評価基準 ◎：パターンのエッジ精度 ±３μｍ以内 ○：パターンのエッジ精度 ±１０μｍ未満 ×：パターンのエッジ精度 ±１０μｍ以上 Evaluation Criteria of Pattern Layer ◎: Edge accuracy of pattern within ± 3 μm ○: Edge accuracy of pattern less than ± 10 μm ×: Edge accuracy of pattern ± 10 μm or more
【００４８】[0048]
【表１】 表１に示されるように、動的粘性率（１０Ｈz ）が５０
０〜７０００の範囲であり、かつ、損失正接 tanδ（１
０Ｈz ）が５〜１２の範囲であるパターン形成用ペース
トを使用した試料１〜３、６、７、９、１０は、良好な
パターン形成が可能であった。特に樹脂成分としてポリ
ブテン系樹脂を用いたパターン形成用ペーストＡ、Ｂ、
Ｈを使用した試料１、２、９は、パターンのエッジ精度
が極めて高いものであった。[Table 1] As shown in Table 1, the dynamic viscosity (10H z) 50
It is in the range of 0 to 7,000 and the loss tangent tan δ (1
Samples 1～3,6,7,9,10 the 0H z) is a patterning paste is in the range of 5-12, was possible good pattern formation. In particular, pattern forming pastes A and B using polybutene resin as a resin component,
Samples 1, 2, and 9 using H had extremely high pattern edge accuracy.
【００４９】一方、版深が５０μｍの凹版を使用し基板
上のパターン層の厚みが２５μｍとなった試料４は、膜
厚の均一性が悪いものであった。On the other hand, Sample 4 in which the intaglio plate having a plate depth of 50 μm and the thickness of the pattern layer on the substrate was 25 μm had poor uniformity in film thickness.
【００５０】また、損失正接 tanδ（１０Ｈz ）が５未
満であるパターン形成用ペーストＤを使用した試料５
は、形成されたパターン層のエッジがシャープでなく、
一方、損失正接 tanδ（１０Ｈz ）が１２を超えるパタ
ーン形成用ペーストＫを使用した試料１２は、中間転写
媒体へのペーストの残存が発生した。[0050] In addition, sample 5 using the loss tangent tanδ (10H z) is less than 5 patterning paste D
The edges of the formed pattern layer are not sharp,
On the other hand, sample 12 which the loss tangent tanδ (10H z) is a patterning paste K exceeding 12, the residual paste to the intermediate transfer medium occurs.
【００５１】さらに、動的粘性率（１０Ｈz ）が５００
未満であるパターン形成用ペーストＧを使用した試料８
は、基板へのパターン層転写（第２工程）において中間
転写媒体へのペーストの残存が見られ、良好なパターン
層の形成が困難であり、動的粘性率（１０Ｈz ）が７０
００を超えるパターン形成用ペーストＪを使用した試料
１１は、第１工程において中間転写媒体へのパターン形
成が困難であった。 （実施例２）パターン形成用ペーストとして、実施例１
のパターン形成用ペーストＡを使用し、また、中間転写
媒体として、基材（ＰＥＴ）上に設けた離型層が下記表
２に示されるような特性を有する中間転写媒体を使用
し、凹版として版深が３０μｍの凹版を使用した他は、
実施例１と同様にしてパターン層を基板上に固着形成し
て試料１〜５を得た。[0051] In addition, the dynamic viscosity (10H z) 500
Sample 8 using the pattern forming paste G that is less than
The residual paste to the intermediate transfer medium is observed in the pattern layer transferred to the substrate (second step), it is difficult to form a good pattern layer, the dynamic viscosity (10H z) 70
In Sample 11 using the pattern forming paste J of more than 00, it was difficult to form a pattern on the intermediate transfer medium in the first step. (Example 2) As a pattern forming paste, Example 1 was used.
Of the pattern forming paste A, an intermediate transfer medium having a release layer provided on a base material (PET) having the characteristics shown in Table 2 below is used as an intermediate transfer medium, and an intaglio plate is used. Other than using an intaglio plate with a plate depth of 30 μm,
The pattern layer was fixedly formed on the substrate in the same manner as in Example 1 to obtain samples 1 to 5.
【００５２】このようにして形成したパターン層を実施
例１と同様に評価し、その結果を下記の表２に示した。The pattern layer thus formed was evaluated in the same manner as in Example 1, and the results are shown in Table 2 below.
【００５３】[0053]
【表２】 表２に示されるように、離型層のヤング率が１０9 ｄｙ
ｎｅ／ｃｍ2 以下、臨界表面張力が２５ｄｙｎｅ／ｃｍ
未満である中間転写媒体を使用した試料１〜３は、良好
なパターン形成が可能であった。[Table 2] As shown in Table 2, the Young's modulus of the release layer is 10 9 dy.
ne / cm 2 or less, critical surface tension of 25 dyne / cm
Samples 1 to 3 using the intermediate transfer medium of less than 1 were able to form good patterns.
【００５４】これに対して、離型層のヤング率が１０10
ｄｙｎｅ／ｃｍ2 である中間転写媒体を使用した試料４
は中間転写媒体へのペーストの残存が発生し、また、離
型層の臨界表面張力が２５ｄｙｎｅ／ｃｍである中間転
写媒体を使用した試料５は中間転写媒体へのペーストの
残存が発生した。On the other hand, the release layer has a Young's modulus of 10 10
Sample 4 using an intermediate transfer medium having a dyne / cm 2
In the sample 5 using the intermediate transfer medium in which the release layer has a critical surface tension of 25 dyne / cm, the paste remained in the intermediate transfer medium.
【００５５】[0055]
【発明の効果】以上詳述したように、本発明によれば少
なくとも無機粉体と６００℃以下の焼成で揮発または分
解する樹脂成分とを含み、動的粘性率を５００〜７００
０poise の範囲、損失正接 tanδを５〜１２の範囲とし
てパターン形成用ペーストとし、第１工程で基材の一方
の面にポリジメチルシロキサンを主体とした離型層を備
える中間転写媒体の離型層上に上記のパターン形成用ペ
ーストを所定のパターンで形成し、第２工程で中間転写
媒体上のパターンを基板上に転写してパターン層を形成
するので、中間転写媒体から基板へのパターン形成用ペ
ーストの良好な転写がなされ、第３工程で５００〜６０
０℃で焼成してパターン層の樹脂成分を除去するととも
にパターン層を基板に固着させてパターンとするので、
電極、抵抗体、誘電体等の高精細なパターン形成が可能
である。また、パターン形成用ペーストの樹脂成分をポ
リブテン系樹脂とすることにより上記の焼成時の樹脂成
分除去がさらに円滑に行われ、エッジ精度の極めて高い
パターン形成が可能となる。また、中間転写媒体から基
板上に転写形成されたパターン層を１〜２０μｍの厚み
を範囲とすることにより、さらに高精細なパターン形成
が可能となる。また、中間転写媒体を長尺状とすること
によって連続的なパターン形成が可能となる。As described above in detail, according to the present invention, at least an inorganic powder and a resin component which is volatilized or decomposed by baking at 600 ° C. or less are contained, and the dynamic viscosity is 500 to 700.
A release layer of an intermediate transfer medium, which is a pattern forming paste having a range of 0 poise and a loss tangent tan δ of 5 to 12, and a release layer mainly composed of polydimethylsiloxane on one surface of a substrate in the first step. Since the pattern forming paste is formed on the substrate in a predetermined pattern and the pattern on the intermediate transfer medium is transferred onto the substrate in the second step to form a pattern layer, the pattern forming paste from the intermediate transfer medium to the substrate is formed. Good transfer of the paste is achieved and 500-60 in the third step
Since the resin component of the pattern layer is removed by baking at 0 ° C. and the pattern layer is fixed to the substrate to form a pattern,
High-definition pattern formation of electrodes, resistors, dielectrics, etc. is possible. Further, by using a polybutene-based resin as the resin component of the pattern forming paste, the resin component can be removed more smoothly during the above-mentioned firing, and a pattern with extremely high edge accuracy can be formed. Further, by setting the thickness of the pattern layer transferred from the intermediate transfer medium onto the substrate within the range of 1 to 20 μm, it is possible to form a finer pattern. Further, by making the intermediate transfer medium long, continuous pattern formation becomes possible.
【図１】本発明のパターン形成方法の一実施形態を説明
するための図である。FIG. 1 is a diagram for explaining an embodiment of a pattern forming method of the present invention.
【図２】本発明のパターン形成方法の他の実施形態を説
明するための図である。FIG. 2 is a diagram for explaining another embodiment of the pattern forming method of the present invention.
【図３】本発明のパターン形成方法の他の実施形態を説
明するための図面である。FIG. 3 is a view for explaining another embodiment of the pattern forming method of the present invention.
【図４】本発明のパターン形成方法の他の実施形態を説
明するための図面である。FIG. 4 is a drawing for explaining another embodiment of the pattern forming method of the present invention.
【図５】本発明のパターン形成方法の他の実施形態を説
明するための図面である。FIG. 5 is a drawing for explaining another embodiment of the pattern forming method of the present invention.
【図６】本発明のパターン形成方法の他の実施形態を説
明するための図面である。FIG. 6 is a view for explaining another embodiment of the pattern forming method of the present invention.
【図７】本発明のパターン形成方法の他の実施形態を説
明するための図面である。FIG. 7 is a drawing for explaining another embodiment of the pattern forming method of the present invention.
【図８】本発明のパターン形成方法の他の実施形態を説
明するための図面である。FIG. 8 is a drawing for explaining another embodiment of the pattern forming method of the present invention.
【図９】本発明のパターン形成方法の他の実施形態を説
明するための図面である。FIG. 9 is a view for explaining another embodiment of the pattern forming method of the present invention.
１，１´…中間転写媒体 ２…基材 ３…離型層 ４，４´…パターン ５，５´…パターン層 Ｐ…パターン層 Ｓ…基板 1, 1 '... Intermediate transfer medium 2 ... Substrate 3 ... Release layer 4, 4' ... Pattern 5, 5 '... Pattern layer P ... Pattern layer S ... Substrate
Claims (5)
み、動的粘性率が５００〜７０００poise の範囲であ
り、損失正接 tanδが５〜１２の範囲であり、前記樹脂
成分が６００℃以下の焼成で揮発または分解することを
特徴とするパターン形成用ペースト。1. A composition comprising at least an inorganic powder and a resin component, having a dynamic viscosity in the range of 500 to 7,000 poise, a loss tangent tan δ in the range of 5 to 12, and baking the resin component at 600 ° C. or lower. A pattern forming paste characterized by being volatilized or decomposed by.
ことを特徴とする請求項１に記載のパターン形成用ペー
スト。2. The pattern forming paste according to claim 1, wherein the resin component is a polybutene-based resin.
ンを主体とする離型層を備える中間転写媒体の該離型層
上に請求項１または請求項２に記載のパターン形成用ペ
ーストを所定のパターンで形成する第１工程と、 中間転写媒体上の前記パターンを基板上に転写してパタ
ーン層を形成する第２工程と、 ５００〜６００℃で焼成して前記パターン層の樹脂成分
を除去するとともに前記パターン層を基板に固着させる
第３工程と、 を備えることを特徴とするパターン形成方法。3. The pattern forming paste according to claim 1 or 2 is provided on the release layer of an intermediate transfer medium having a release layer mainly composed of polydimethylsiloxane on one surface of a substrate. The first step of forming the pattern layer, the second step of forming the pattern layer by transferring the pattern on the intermediate transfer medium onto the substrate, and the resin component of the pattern layer by baking at 500 to 600 ° C. And a third step of fixing the pattern layer to the substrate, the pattern forming method comprising:
パターン層の厚みを１〜２０μｍとすることを特徴とす
る請求項３に記載のパターン形成方法。4. The pattern forming method according to claim 3, wherein the thickness of the pattern layer formed on the substrate in the second step is 1 to 20 μm.
特徴とする請求項３または請求項４に記載のパターン形
成方法。5. The pattern forming method according to claim 3, wherein the intermediate transfer medium has an elongated shape.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12400396A JP3920944B2 (en) | 1996-04-22 | 1996-04-22 | Pattern forming paste and pattern forming method |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12400396A JP3920944B2 (en) | 1996-04-22 | 1996-04-22 | Pattern forming paste and pattern forming method |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09288911A true JPH09288911A (en) | 1997-11-04 |
| JP3920944B2 JP3920944B2 (en) | 2007-05-30 |
Family
ID=14874637
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP12400396A Expired - Fee Related JP3920944B2 (en) | 1996-04-22 | 1996-04-22 | Pattern forming paste and pattern forming method |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3920944B2 (en) |
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2001019147A1 (en) * | 1999-09-07 | 2001-03-15 | Asahi Glass Company Ltd. | Method of forming transferable printed pattern, and glass with printed pattern |
| JP2004503116A (en) * | 2000-07-07 | 2004-01-29 | シーメンス アクチエンゲゼルシヤフト | Method of manufacturing and structuring an organic field effect transistor (OFET) |
| JP2004345134A (en) * | 2003-05-20 | 2004-12-09 | Sumitomo Rubber Ind Ltd | Method for intaglio offset printing |
| JP2006278845A (en) * | 2005-03-30 | 2006-10-12 | Toppan Printing Co Ltd | Method for forming conductive pattern |
| JP2007059668A (en) * | 2005-08-25 | 2007-03-08 | Fuji Electric Device Technology Co Ltd | Manufacturing method of semiconductor device |
| JP2011180364A (en) * | 2010-03-01 | 2011-09-15 | Ricoh Co Ltd | Method for manufacturing developer carrier, developer carrier, developing device, and image forming apparatus |
| JP2012009562A (en) * | 2010-06-23 | 2012-01-12 | Taiyo Yuden Co Ltd | Method and apparatus for generating unbaked conductor layer print sheet for laminated electronic component |
| WO2014050560A1 (en) * | 2012-09-25 | 2014-04-03 | 独立行政法人産業技術総合研究所 | Method for forming pattern |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| HRP20240504T1 (en) | 2017-02-08 | 2024-07-05 | Elkem Silicones USA Corp. | Secondary battery pack with improved thermal management |
-
1996
- 1996-04-22 JP JP12400396A patent/JP3920944B2/en not_active Expired - Fee Related
Cited By (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2001019147A1 (en) * | 1999-09-07 | 2001-03-15 | Asahi Glass Company Ltd. | Method of forming transferable printed pattern, and glass with printed pattern |
| JP2004503116A (en) * | 2000-07-07 | 2004-01-29 | シーメンス アクチエンゲゼルシヤフト | Method of manufacturing and structuring an organic field effect transistor (OFET) |
| JP2004345134A (en) * | 2003-05-20 | 2004-12-09 | Sumitomo Rubber Ind Ltd | Method for intaglio offset printing |
| JP2006278845A (en) * | 2005-03-30 | 2006-10-12 | Toppan Printing Co Ltd | Method for forming conductive pattern |
| JP2007059668A (en) * | 2005-08-25 | 2007-03-08 | Fuji Electric Device Technology Co Ltd | Manufacturing method of semiconductor device |
| JP2011180364A (en) * | 2010-03-01 | 2011-09-15 | Ricoh Co Ltd | Method for manufacturing developer carrier, developer carrier, developing device, and image forming apparatus |
| JP2012009562A (en) * | 2010-06-23 | 2012-01-12 | Taiyo Yuden Co Ltd | Method and apparatus for generating unbaked conductor layer print sheet for laminated electronic component |
| WO2014050560A1 (en) * | 2012-09-25 | 2014-04-03 | 独立行政法人産業技術総合研究所 | Method for forming pattern |
| EP2903007A4 (en) * | 2012-09-25 | 2016-07-20 | Nat Inst Of Advanced Ind Scien | PATTERN FORMATION METHOD |
| US9697954B2 (en) | 2012-09-25 | 2017-07-04 | National Institute Of Advanced Industrial Science And Technology | Method for forming pattern |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3920944B2 (en) | 2007-05-30 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US6406646B1 (en) | Resistive paste for the formation of electrically heat-generating thick film | |
| KR100920763B1 (en) | Hot Melt Conductor Paste Composition | |
| US5853446A (en) | Method for forming glass rib structures | |
| US5985460A (en) | Insulator composition, green tape, and method for forming plasma display apparatus barrier-rib | |
| JPS61220203A (en) | Dielectric composition | |
| KR100887013B1 (en) | Cationically Polymerizable Photoimageable Thick Film Compositions, Electrodes, and Methods of Forming Thereof | |
| EP0802170A2 (en) | Method and apparatus for forming glass rib structures | |
| JP3920944B2 (en) | Pattern forming paste and pattern forming method | |
| KR20080114202A (en) | Conductive paste composition, an electrode comprising the same and a method of manufacturing the electrode | |
| JP4347440B2 (en) | Conductive paste for internal electrode of multilayer ceramic capacitor, and method of manufacturing multilayer ceramic capacitor using the same | |
| JPH09214108A (en) | Pattern forming method and pattern forming equipment | |
| US6152033A (en) | Method of making an electronic printed structure | |
| US5362513A (en) | Method of manufacturing a pattern of conductive fine-line films and setting ink used for the same | |
| EP0722179A2 (en) | Insulator composition, green tape, and method for forming plasma display apparatus barrier-rib | |
| JP2001234106A (en) | Conductor ink | |
| JP3619605B2 (en) | Pattern forming material, thick film pattern forming method, and plasma display panel | |
| JP2002289039A (en) | Photocuring conductive ink, method of forming electrodes and electrode patterns | |
| JPH11172169A (en) | Pattern-forming paste and pattern-formation | |
| JPH09275266A (en) | Fine pattern and pattern forming method | |
| JPH09286955A (en) | Paste for forming pattern and formation of pattern | |
| JP3673320B2 (en) | Pattern forming paste | |
| JP2003261397A (en) | Ceramic substrate, method of manufacturing the same, and method of manufacturing electronic components using the ceramic substrate | |
| JP2015193722A (en) | Ink composition and method for manufacturing ceramic substrate | |
| JP4909179B2 (en) | Conductive paste for intaglio offset printing and electrode substrate manufacturing method using the same | |
| JPH08111573A (en) | Thick film paste |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20050831 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20051011 |
|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20051104 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Effective date: 20070213 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Effective date: 20070216 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 |
|
| R150 | Certificate of patent (=grant) or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Year of fee payment: 4 Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110223 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Year of fee payment: 4 Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110223 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Year of fee payment: 5 Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120223 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |