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JPH09283279A - Manufacture of organic el element - Google Patents

Manufacture of organic el element

Info

Publication number
JPH09283279A
JPH09283279A JP8094287A JP9428796A JPH09283279A JP H09283279 A JPH09283279 A JP H09283279A JP 8094287 A JP8094287 A JP 8094287A JP 9428796 A JP9428796 A JP 9428796A JP H09283279 A JPH09283279 A JP H09283279A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
organic
layer
electrode layer
wire
negative electrode
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Withdrawn
Application number
JP8094287A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Hitoshi Ikeda
等 池田
Hiroo Miyamoto
裕生 宮本
Katsuaki Umibe
勝晶 海部
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Oki Electric Industry Co Ltd
Original Assignee
Oki Electric Industry Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Oki Electric Industry Co Ltd filed Critical Oki Electric Industry Co Ltd
Priority to JP8094287A priority Critical patent/JPH09283279A/en
Publication of JPH09283279A publication Critical patent/JPH09283279A/en
Withdrawn legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10OLED displays
    • H10K59/17Passive-matrix OLED displays

Landscapes

  • Electroluminescent Light Sources (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【課題】 ストライプ状の陰電極層を所定のピッチ及び
間隔で多数平行に形成することが容易な有機EL素子の
製造方法を提供すること。 【解決手段】 基板11上にストライプ状の陽電極層1
3を多数平行に形成し、陽電極層13上に陽電極層13
を覆う有機EL層15を形成した後、この試料を金属電
極用として用意した真空蒸着装置に移し、この有機EL
層15上に、ワイヤーマスク19を配置する。ワイヤー
マスク19は、所定の大きさの外枠(図示せず)に設け
られた多数の溝に、直径10μmの金(Au)から成る
ワイヤー19aを100μmのピッチP2で平行に多数
配置した構成のものであって、各ワイヤー19aの表面
は揮発成分含有シリコンオイルで被覆されている。その
後、この有機EL層15上に真空蒸着法によりワイヤー
マスク19を介してマグネシウム(Mg)を蒸着し、ス
トライプ状の陰電極層17を多数平行に形成する。
(57) An object of the present invention is to provide a method for manufacturing an organic EL device, in which a large number of striped negative electrode layers can be easily formed in parallel at a predetermined pitch and interval. SOLUTION: A striped positive electrode layer 1 is formed on a substrate 11.
3 are formed in parallel, and the positive electrode layer 13 is formed on the positive electrode layer 13.
After forming the organic EL layer 15 covering the organic EL layer, the sample is transferred to a vacuum vapor deposition apparatus prepared for a metal electrode,
A wire mask 19 is arranged on the layer 15. The wire mask 19 has a structure in which a large number of wires 19a made of gold (Au) having a diameter of 10 μm are arranged in parallel at a pitch P2 of 100 μm in a large number of grooves provided in an outer frame (not shown) of a predetermined size. The surface of each wire 19a is covered with a volatile component-containing silicone oil. After that, magnesium (Mg) is vapor-deposited on the organic EL layer 15 through the wire mask 19 by a vacuum vapor deposition method to form a large number of striped negative electrode layers 17 in parallel.

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】この発明はエレクトロルミネ
ッセンス(EL)現象を利用した有機EL素子の製造方
法に関するものである。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a method for manufacturing an organic EL device utilizing the electroluminescence (EL) phenomenon.

【0002】[0002]

【従来の技術】従来の典型的な有機EL素子は、図4に
要部の斜視図をもって示したように、発光光に対し透光
性を有した基板11上に、透明性を有した陽電極層1
3、単数あるいは複数層で構成された有機EL層15及
び陰電極層17をこの順に具えた構造となっている。図
4には有機EL層15が有機正孔輸送層15a及び有機
電子輸送性発光層15b(詳細は後述する)で構成され
る例を示してある。
2. Description of the Related Art A typical conventional organic EL device has a transparent positive electrode on a substrate 11 which is transparent to emitted light, as shown in a perspective view of a main portion of FIG. Electrode layer 1
3. The organic EL layer 15 and the negative electrode layer 17 each composed of a single layer or a plurality of layers are provided in this order. FIG. 4 shows an example in which the organic EL layer 15 is composed of an organic hole transport layer 15a and an organic electron transport light emitting layer 15b (details will be described later).

【0003】このような有機EL素子をディスプレイな
どの表示素子へ応用する場合、図4の構造を平面状に複
数展開した形のドット・マトリックスなどを作製する必
要がある。そのためには、先ず基板上にストライプ状の
陽電極層を多数平行に形成し、次に陽電極層上に陽電極
層を覆う有機EL層を形成し、その後有機EL層上にス
トライプ状の陰電極層を陽電極層と直交する方向に多数
平行に形成する。陰電極層は、例えばマグネシウム(M
g)などの金属を、金属マスクを用いて真空蒸着法によ
り形成する。以上のようにしてドット・マトリックスを
作製した場合、1つのドットの大きさは陽電極層のスト
ライプ幅と陰電極層のストライプ幅により定まる。
When such an organic EL device is applied to a display device such as a display, it is necessary to produce a dot matrix or the like in which a plurality of the structures shown in FIG. 4 are developed in a plane. For that purpose, first, a large number of stripe-shaped positive electrode layers are formed in parallel on the substrate, then an organic EL layer covering the positive electrode layers is formed on the positive electrode layer, and then the stripe-shaped negative electrode layers are formed on the organic EL layer. A large number of electrode layers are formed parallel to each other in a direction orthogonal to the positive electrode layer. The negative electrode layer is, for example, magnesium (M
A metal such as g) is formed by a vacuum evaporation method using a metal mask. When the dot matrix is produced as described above, the size of one dot is determined by the stripe width of the positive electrode layer and the stripe width of the negative electrode layer.

【0004】[0004]

【発明が解決しようとする課題】このドット・マトリッ
クスを実際の表示素子として用いる場合、例えば電卓程
度のモノクロ表示を考えた場合でも、1mm当たり2〜
3ピッチ(約400μm角)以下のドットサイズが要求
される。
When this dot matrix is used as an actual display element, for example, even when considering monochrome display like a calculator, it is 2 to 1 mm.
A dot size of 3 pitches (about 400 μm square) or less is required.

【0005】しかしながら、有機EL素子の陰電極層
は、金属マスクを用いて真空蒸着法により形成するた
め、幅数百μm以下のストライプ状の陰電極層を形成す
ることは非常に困難である。なぜならば通常用いられて
いるステンレス鋼の場合、その加工できる薄さの限界が
100μm程度であるため、たとえ、この金属マスクを
数百μmピッチのストライプ状に切り抜き加工したとし
ても、マスクの厚みに対してストライプの切り抜き幅が
非常に狭くなり、そのため、蒸着源に対して、有機薄膜
層表面の蒸着部に陰ができてしまうからである。また、
このようなマスクを有機EL層の表面に密着せることは
難しく、陰電極層の蒸着時には、金属マスクで隠れてい
る有機EL層表面にも、蒸着原料成分が回り込み、作製
した陰電極層ストライプ間の電気的絶縁が取れなくなっ
てしまう。
However, since the negative electrode layer of the organic EL element is formed by a vacuum deposition method using a metal mask, it is very difficult to form a striped negative electrode layer having a width of several hundreds μm or less. This is because in the case of commonly used stainless steel, the limit of the thinness that can be processed is about 100 μm, so even if this metal mask is cut out into a stripe shape with a pitch of several hundred μm, the mask thickness On the other hand, the cut-out width of the stripe becomes very narrow, and therefore, the deposition portion on the surface of the organic thin film layer is shaded with respect to the deposition source. Also,
It is difficult to bring such a mask into close contact with the surface of the organic EL layer, and at the time of vapor deposition of the negative electrode layer, the vapor deposition raw material components also wrap around the surface of the organic EL layer hidden by the metal mask, so that the negative electrode layer stripes are formed. Will lose electrical insulation.

【0006】また、ストライプ状の陰電極層は、フォト
リソグラフィ技術及びエッチング技術により加工し形成
することも考えられるが、加工時には、すでに有機EL
層や陰電極層を成膜した後であるので、水には陰電極層
が反応してしまったり、有機溶剤には有機EL層が溶解
してしまったりして洗浄ができず、また有機EL層が熱
に弱いためレジストのベーキング処理も行えないなど、
多くの問題点がある。
The striped negative electrode layer may be processed and formed by a photolithography technique and an etching technique, but at the time of processing, the organic EL is already formed.
Since the negative electrode layer reacts with water or the organic EL layer dissolves in the organic solvent, it cannot be washed because the organic layer and the negative electrode layer have been formed. Since the layer is weak to heat, the resist cannot be baked.
There are many problems.

【0007】従って、ストライプ状の陰電極層を所定の
ピッチ及び間隔で多数平行に形成することが容易な有機
EL素子の製造方法の出現が望まれていた。
Therefore, the advent of a method for manufacturing an organic EL device in which it is easy to form a large number of stripe-shaped negative electrode layers in parallel at a predetermined pitch and interval has been desired.

【0008】[0008]

【課題を解決するための手段】このため、この発明の有
機EL素子の製造方法によれば、基板上にストライプ状
の陽電極層を形成し、陽電極層上に有機EL層を形成
し、有機EL層上にストライプ状の陰電極層を陽電極層
と直交するように所定のピッチ及び間隔で多数平行に形
成することにより、陽電極層及び陰電極層間に有機EL
層を挟んだ構造の有機EL素子を製造するに当たり、形
成予定の陰電極層の間隔より小さい直径を有し表面が揮
発成分を含む物質で被覆されているワイヤーを、形成予
定の陰電極層のピッチと同じピッチで平行に多数配置し
た構成のワイヤーマスクをマスクとして用いて、真空を
利用した薄膜作成法により、陰電極層を形成することを
特徴とする。
Therefore, according to the method of manufacturing an organic EL element of the present invention, a striped positive electrode layer is formed on a substrate, and an organic EL layer is formed on the positive electrode layer. By forming a number of stripe-shaped negative electrode layers in parallel on the organic EL layer at a predetermined pitch and at intervals so as to be orthogonal to the positive electrode layer, the organic EL layer is formed between the positive electrode layer and the negative electrode layer.
In manufacturing an organic EL element having a structure sandwiching layers, a wire having a diameter smaller than the distance between the negative electrode layers to be formed and having a surface coated with a substance containing a volatile component is formed on the negative electrode layer to be formed. It is characterized in that the negative electrode layer is formed by a thin film forming method using vacuum, using as a mask a wire mask having a plurality of parallel arrangements at the same pitch as the pitch.

【0009】このように、表面が揮発成分を含む物質で
被覆されているワイヤーにより構成されたワイヤーマス
クをマスクとして用いて、真空を利用した薄膜作成法に
より、陰電極層を形成する場合には、先ずワイヤーマス
クを構成する各ワイヤーが基板上に形成されたストライ
プ状の陽電極層と直交するように、ワイヤーマスクを有
機EL層上に配置する。その後、真空を利用した薄膜作
成法により、陰電極層を形成する。陰電極層を形成する
際の真空状態では、各ワイヤーの表面を被覆する物質か
ら揮発する成分により、各ワイヤーの周囲には揮発成分
の雰囲気が形成されている。そのため、揮発成分の雰囲
気の影響により、ワイヤーの周辺近くには陰電極層は形
成されず、ワイヤーからある程度離れた位置に陰電極層
が形成される。従って、揮発成分の雰囲気の影響によ
り、所定の間隔で陰電極層が形成されると考えられる。
また、多少ワイヤーが有機EL層と離れていたとして
も、ワイヤーの周囲に形成される揮発成分の雰囲気の影
響により、ワイヤーが有機EL層と密着した場合と同程
度の間隔で陰電極層が形成されると考えられる。
As described above, when the negative electrode layer is formed by a thin film forming method using vacuum using the wire mask composed of the wire whose surface is coated with a substance containing a volatile component as a mask. First, the wire mask is arranged on the organic EL layer so that each wire forming the wire mask is orthogonal to the striped positive electrode layer formed on the substrate. Then, the negative electrode layer is formed by a thin film forming method using vacuum. In the vacuum state when forming the negative electrode layer, an atmosphere of volatile components is formed around each wire due to a component volatilized from the substance that coats the surface of each wire. Therefore, due to the influence of the atmosphere of volatile components, the negative electrode layer is not formed near the periphery of the wire, but the negative electrode layer is formed at a position apart from the wire to some extent. Therefore, it is considered that the negative electrode layers are formed at predetermined intervals due to the influence of the atmosphere of volatile components.
Further, even if the wire is slightly separated from the organic EL layer, the negative electrode layer is formed at the same interval as when the wire is in close contact with the organic EL layer due to the influence of the atmosphere of the volatile components formed around the wire. It is thought to be done.

【0010】なお、この発明の実施に当たり、ワイヤー
としては、例えば金(Au)から成るワイヤーを用いる
ことができ、真空を利用した薄膜作成法としては、例え
ば抵抗加熱蒸着法及び電子ビーム蒸着法などの真空蒸着
法、またはスパッタ法を用いることができる。
In carrying out the present invention, a wire made of, for example, gold (Au) can be used as the wire, and a thin film forming method using vacuum is, for example, a resistance heating evaporation method or an electron beam evaporation method. The vacuum evaporation method or the sputtering method can be used.

【0011】また、ここでこの発明において使用する基
板は、有機EL素子の設計に応じて任意好適なものとで
きる。典型的には基板側に光を取り出すので、基板は発
光光に対し透光性を有したガラス基板またはフィルムな
どで構成できる。
The substrate used in the present invention can be any suitable one depending on the design of the organic EL element. Since the light is typically extracted to the substrate side, the substrate can be composed of a glass substrate or a film having a property of transmitting emitted light.

【0012】また、陽電極層も有機EL素子の設計に応
じた任意好適なものとできる。典型的には基板側に光を
取り出すので、陽電極層は透明導電膜例えばITOで構
成できる。
Also, the positive electrode layer may be any suitable one according to the design of the organic EL element. Since the light is typically extracted to the substrate side, the positive electrode layer can be made of a transparent conductive film such as ITO.

【0013】また、有機EL層の層構造は特に限定され
ず、有機発光層のみ、または有機正孔輸送層と有機電子
輸送性発光層との2層構造(後述の実施例で説明してい
る構造)、または有機正孔輸送性発光層と有機電子輸送
層との2層構造、または有機正孔輸送層と有機発光層と
有機電子輸送層とをこの順に積層させた3層構造等、任
意の層構造とすることができる。また有機EL層の構成
材料も特に限定されず、種々の好適な有機化合物および
それらの組み合わせが可能である。例えば、文献I
(「有機EL素子開発戦略」(サイエンスフォーラム1
992年出版))に開示されている化合物や積層の組み
合わせはこの発明の適用例の一例とすることができる。
また、有機EL層の成膜方法は、真空蒸着法以外に、ウ
エットな方法としては、ディップコ−ト法、スピンコー
ト法、ラングミュア・ブロジェット(LB)法やミセル
電解法などを、また、ドライな方法としては、有機分子
線蒸着(OMBD)法やプラズマ重合法などを用いるこ
とも可能である。
The layer structure of the organic EL layer is not particularly limited, and only the organic light emitting layer or a two-layer structure of an organic hole transporting layer and an organic electron transporting light emitting layer (described in the examples described later). Structure) or a two-layer structure of an organic hole transporting light emitting layer and an organic electron transporting layer, or a three layer structure in which an organic hole transporting layer, an organic light emitting layer and an organic electron transporting layer are laminated in this order. Can have a layered structure. The constituent material of the organic EL layer is not particularly limited, and various suitable organic compounds and combinations thereof are possible. For example, Document I
("Organic EL device development strategy" (Science Forum 1
The combination of compounds and laminations disclosed in (1992)) can be an example of application of the present invention.
In addition to the vacuum vapor deposition method, the organic EL layer may be formed by a wet method such as a dip coating method, a spin coating method, a Langmuir-Blodgett (LB) method, or a micelle electrolysis method. As such a method, it is possible to use an organic molecular beam deposition (OMBD) method, a plasma polymerization method, or the like.

【0014】また、陰電極層の構成材料としては、例え
ばマグネシウム(Mg)を使用して好適である。また、
これらの有機EL層に対する密着性を高めかつそれを安
定化させるために他の金属を微量混ぜた合金を陰電極層
の構成材料としても良い。例えば、Mgに銀(銀)やイ
ンジウム(In)を微量混ぜて構成されるMgを主成分
とする合金を用いても良い。
As a constituent material of the negative electrode layer, for example, magnesium (Mg) is preferably used. Also,
An alloy in which a small amount of another metal is mixed may be used as the constituent material of the negative electrode layer in order to enhance the adhesion to these organic EL layers and stabilize them. For example, an alloy containing Mg as a main component, which is formed by mixing a small amount of silver (silver) or indium (In) with Mg, may be used.

【0015】[0015]

【発明の実施の形態】以下、図を参照して、この出願の
発明の実施の形態について説明する。以下の説明に用い
る各図において、各構成成分は、この発明を理解出来る
程度に、その寸法、形状及び配置関係を概略的に示して
あるにすぎない。また、説明に用いる各図において同様
の構成成分については同一の番号を付して示し、その重
複する説明を省略する。また、以下の説明中で挙げる使
用材料及びその量、処理時間、処理温度、膜厚などの数
値的条件は、この発明の範囲内の好適例にすぎない。従
って、この出願に係る発明は、これら条件にのみ限定さ
れるものではないことは理解されたい。また、以下の説
明の中で用いる「電子輸送層」とは、仕事関数が小さな
電子注入電極を用いた場合に、多量の電子が注入可能で
しかも注入された電子が膜中を移動できる一方、正孔は
注入が困難であるか、注入は可能でも膜中を移動しにく
いような性質を持った薄膜層である。さらに、「正孔輸
送層」とは、仕事関数が大きな正孔注入電極を用いた場
合に、多量の正孔の注入が可能で、しかも注入された正
孔が膜中を移動できる一方、電子の注入は困難である
か、注入可能でも膜中を移動しにくいような性質を持っ
た薄膜層である。
DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS An embodiment of the invention of the present application will be described below with reference to the drawings. In the drawings used in the following description, the respective constituent components are only schematically shown in size, shape and arrangement relationship to the extent that the present invention can be understood. Further, in each of the drawings used for the description, the same components are denoted by the same reference numerals, and the duplicate description thereof will be omitted. Further, the materials used and the numerical conditions such as the amount thereof, the processing time, the processing temperature, and the film thickness mentioned in the following description are only preferable examples within the scope of the present invention. Therefore, it should be understood that the invention according to this application is not limited to these conditions. Further, the "electron transport layer" used in the following description means that when an electron injection electrode having a small work function is used, a large amount of electrons can be injected and the injected electrons can move in the film, Holes are a thin film layer that is difficult to inject, or that can inject but does not easily move in the film. Further, the “hole transport layer” means that when a hole injection electrode having a large work function is used, a large amount of holes can be injected, and the injected holes can move in the film, while Is a thin film layer having a property that it is difficult to implant, or even if it can be implanted, it does not easily move in the film.

【0016】図1〜図2は、この実施の形態の説明に供
する有機EL素子の製造工程を段階的に示す工程図であ
る。
FIGS. 1 to 2 are process drawings showing step by step the manufacturing process of the organic EL element used in the description of this embodiment.

【0017】先ず、石英ガラス基板11を洗浄した後、
この石英ガラス基板11上にスパッタリング法によりI
TO膜を膜厚が180nmでかつシート抵抗が10Ω/
□以下となる条件で形成した。次に、このITO膜をフ
ォトリソグラフィ技術及びエッチング技術により加工
し、陽電極層13のピッチP1が100μmとなり、隣
接するストライプの間隔D1が20μmとなるように、
ストライプ状の陽電極層13を多数平行に形成した(図
1(A))。
First, after cleaning the quartz glass substrate 11,
I is formed on the quartz glass substrate 11 by the sputtering method.
The TO film has a film thickness of 180 nm and a sheet resistance of 10 Ω /
□ Formed under the following conditions. Next, this ITO film is processed by a photolithography technique and an etching technique so that the pitch P1 of the positive electrode layers 13 becomes 100 μm and the distance D1 between adjacent stripes becomes 20 μm.
A large number of stripe-shaped positive electrode layers 13 were formed in parallel (FIG. 1A).

【0018】次に、この陽電極層13の形成が済んだ基
板11をアセトン、2−プロパノールを順次に用いてそ
れぞれ10分ずつ超音波洗浄した後、乾燥し、さらにU
V/O3 洗浄した。次いで、この陽電極層13の形成が
済んだ基板11を有機EL層形成用の真空蒸着装置内に
設置し以下のように有機EL層15を形成した(図1
(B))。
Next, the substrate 11 on which the positive electrode layer 13 has been formed is ultrasonically cleaned by sequentially using acetone and 2-propanol for 10 minutes each, and then dried, and further U
Washed with V / O 3 . Then, the substrate 11 on which the positive electrode layer 13 has been formed is placed in a vacuum vapor deposition apparatus for forming an organic EL layer, and an organic EL layer 15 is formed as follows (FIG. 1).
(B)).

【0019】まず、正孔輸送層を形成するために、陽電
極層13の形成が済んだ基板11上に、真空蒸着法によ
りトリフェニルアミン誘導体(N,N’−ジフェニル−
N,N’−ビス(3−メチルフェニル)−1,1’−ビ
フェニル−4,4’−ジアミン(以下、TPDともい
う。)を厚さ50nm程度になるよう蒸着した。なお、
このときの蒸着速度は1.0nm/sとした。引き続
き、電子輸送性発光層を形成するために、同じ蒸着装置
で、上記正孔輸送層上にアルミキノリノール錯体(トリ
ス(8−ヒドロキシキノリノール)アルミニウム(以
下、Alq3 ともいう。)を厚さ50nm程度になるよ
うに真空蒸着した。このときの蒸着速度は1.0nm/
sとした。従って、有機EL層15は、図1(B)中で
は区分けしていないが、正孔輸送層と電子輸送性発光層
とをこの順に積層した構成となっている。
First, in order to form a hole transport layer, a triphenylamine derivative (N, N'-diphenyl-) is formed on the substrate 11 on which the positive electrode layer 13 has been formed by a vacuum deposition method.
N, N'-bis (3-methylphenyl) -1,1'-biphenyl-4,4'-diamine (hereinafter, also referred to as TPD) was vapor-deposited to a thickness of about 50 nm. In addition,
The vapor deposition rate at this time was 1.0 nm / s. Subsequently, in order to form an electron transporting light emitting layer, an aluminum quinolinol complex (tris (8-hydroxyquinolinol) aluminum (hereinafter, also referred to as Alq 3 )) having a thickness of 50 nm is formed on the hole transporting layer by the same vapor deposition device. Vacuum deposition was performed so that the deposition rate was about 1.0 nm /
s. Therefore, the organic EL layer 15 has a structure in which a hole transporting layer and an electron transporting light emitting layer are laminated in this order, although not divided in FIG. 1B.

【0020】次にこの試料を別の真空蒸着装置(金属電
極用として用意した真空蒸着装置)に移し、この有機E
L層15上に、以下に示す構成のワイヤーマスク19を
以下のように配置した(図2(A))。
Next, this sample was transferred to another vacuum vapor deposition apparatus (vacuum vapor deposition apparatus prepared for a metal electrode), and this organic E
A wire mask 19 having the following structure was arranged on the L layer 15 as follows (FIG. 2A).

【0021】ワイヤーマスク19は、所定の大きさの外
枠(図示せず)に設けられた多数の溝に、直径10μm
の金(Au)から成るワイヤー19aを100μmのピ
ッチP2で平行に多数配置した構成のものであって、各
ワイヤー19aの表面は揮発成分を含む物質で被覆され
ている。揮発成分を含む物質として、シリコンオイルを
主成分とし揮発成分を含有しているか、あるいは混入し
ている物質(例えば信越化学工業株式会社製のKF96
−50(商品名))(以下、これを揮発成分含有シリコ
ンオイルと称する。)や市販のマジックインクを用いる
ことができる。そして、このワイヤーマスク19を、各
ワイヤー19aが基板11上に形成されたストライプ状
の陽電極層13と直交するように有機EL層15上に配
置した。その際、ワイヤーマスク19を構成する各ワイ
ヤー19aの多くの部分は有機EL層15と密着してい
る。なお、揮発成分を含む物質として、揮発成分含有シ
リコンオイルを用いる場合には、ワイヤー19aの表面
にその物質を塗ることにより、ワイヤー19aの表面を
その物質で被覆することができる。また、揮発成分を含
む物質として、市販のマジックインクを用いる場合に
は、ワイヤー19aの表面に市販のマジックインクを塗
ることにより、ワイヤー19aの表面を市販のマジック
インクで被覆することができる。
The wire mask 19 has a diameter of 10 μm in a large number of grooves provided in an outer frame (not shown) of a predetermined size.
The wire 19a made of gold (Au) is arranged in parallel at a pitch P2 of 100 μm, and the surface of each wire 19a is coated with a substance containing a volatile component. As a substance containing a volatile component, a substance containing silicon oil as a main component and containing a volatile component or a substance mixed therein (for example, KF96 manufactured by Shin-Etsu Chemical Co., Ltd.).
-50 (trade name) (hereinafter referred to as volatile component-containing silicone oil) and commercially available magic ink can be used. Then, this wire mask 19 was arranged on the organic EL layer 15 so that each wire 19 a was orthogonal to the striped positive electrode layer 13 formed on the substrate 11. At that time, many portions of each wire 19 a forming the wire mask 19 are in close contact with the organic EL layer 15. When the volatile component-containing silicone oil is used as the substance containing the volatile component, the surface of the wire 19a can be coated with the substance by applying the substance to the surface of the wire 19a. When a commercially available magic ink is used as the substance containing a volatile component, the surface of the wire 19a can be coated with the commercially available magic ink by applying the commercially available magic ink to the surface of the wire 19a.

【0022】次に、この有機EL層15上に真空蒸着法
(例えば抵抗加熱蒸着法)によりワイヤーマスク19を
介してマグネシウム(Mg)を蒸着した(図2
(B))。Mgを蒸着する際の真空状態では、各ワイヤ
ー19aの表面を被覆する物質から揮発する成分によ
り、各ワイヤー19aの周囲には揮発成分の雰囲気が形
成されている。そのため、揮発成分の雰囲気の影響によ
り、ワイヤー19aの周辺近くにはMgは蒸着されず、
ワイヤー19aからある程度離れた位置にMgは蒸着す
る。例えば、揮発成分を含む物質として、揮発成分含有
シリコンオイルを用いた場合には、先ず、蒸着速度を
1.0nm/sとした条件で膜厚20nmのMg膜を形
成し、さらに蒸着速度を0.2nm/sとした条件で膜
厚180nmのMg膜を形成することにより、ピッチP
2が100μmであり、隣接するストライプの間隔D2
が20μmである厚さ200μmの陰電極層17を形成
した。また、揮発成分を含む物質として、市販のマジッ
クインクを用いた場合には、同様の方法でMgを蒸着す
ることによりピッチP2が100μmであり、隣接する
ストライプの間隔D2が25μmである厚さ200μm
の陰電極層17を形成した。従って、直径10μmのワ
イヤー19aが、その表面を揮発成分含有シリコンオイ
ルで被覆することにより20μmの幅のマスクとして機
能し、その表面を市販のマジックインクで被覆すること
により25μmの幅のマスクとして機能した考えること
ができる。なお、隣接する陰電極層の間隔が市販のマジ
ックインクを用いた場合の方が広いのは、市販のマジッ
クインク中の揮発成分の含有量が揮発成分含有シリコン
オイル中の揮発成分の含有量より多かったり、市販のマ
ジックインクの揮発成分が揮発成分含有シリコンオイル
中の揮発成分より揮発し易かったりするためであると考
えられる。また、このように2段構成でMg膜を成膜す
ると、下地(ここでは、有機EL層15や基板11)に
対し密着性の良いMg膜が形成できる。
Next, magnesium (Mg) was vapor-deposited on the organic EL layer 15 by a vacuum vapor deposition method (for example, resistance heating vapor deposition method) through the wire mask 19 (FIG. 2).
(B)). In a vacuum state when vapor-depositing Mg, an atmosphere of a volatile component is formed around each wire 19a due to a component volatilized from the substance coating the surface of each wire 19a. Therefore, due to the influence of the atmosphere of volatile components, Mg is not deposited near the periphery of the wire 19a,
Mg is vapor-deposited at a position apart from the wire 19a to some extent. For example, when volatile component-containing silicon oil is used as the substance containing a volatile component, first, a Mg film having a film thickness of 20 nm is formed under the condition that the vapor deposition rate is 1.0 nm / s, and the vapor deposition rate is 0. By forming an Mg film having a film thickness of 180 nm under the condition of 0.2 nm / s, the pitch P
2 is 100 μm, and the distance D2 between adjacent stripes
A negative electrode layer 17 having a thickness of 200 μm and a thickness of 20 μm was formed. When a commercially available magic ink is used as the substance containing a volatile component, the pitch P2 is 100 μm and the distance D2 between adjacent stripes is 25 μm by depositing Mg by the same method.
The negative electrode layer 17 was formed. Therefore, the wire 19a having a diameter of 10 μm functions as a mask having a width of 20 μm by coating the surface with a volatile component-containing silicone oil, and functions as a mask having a width of 25 μm by coating the surface with a commercially available magic ink. You can think of The distance between the adjacent negative electrode layers is wider when using a commercially available magic ink, because the content of the volatile component in the commercially available magic ink is larger than the content of the volatile component in the volatile component-containing silicone oil. It is considered that this is because the amount is large and the volatile components of the commercially available magic ink are more volatile than the volatile components in the volatile component-containing silicone oil. Further, when the Mg film is formed in the two-stage structure as described above, the Mg film having good adhesion to the base (here, the organic EL layer 15 and the substrate 11) can be formed.

【0023】図3を用いて、さらに詳細に陰電極層17
を形成する状態を説明する。ワイヤー19aの表面を被
覆する物質に含まれている揮発成分は揮発して拡散し、
ワイヤー19aの近傍で局所的に圧力の高い雰囲気を形
成すると想定される。この揮発成分を含む物質で被覆さ
れているワイヤー19aを有機EL層上に配置し、有機
EL層の上側からMgを蒸着すると、Mgはこのワイヤ
ー19aから一定の距離だけ離れたところを実質的な境
界としてこの境界からワイヤー19aとは反対側の有機
EL層上に蒸着する。そして、ワイヤー19a側のこの
境界の内側にはMgは蒸着しない。その原因は、ワイヤ
ー19aの近傍では、揮発成分の圧力が高いため、Mg
が有機EL層上にまで到達できないからであると推考さ
れる。従って、ワイヤー19aの直径をYとし、かつ揮
発成分の圧力が高くMgが有機EL層上に到達できない
ワイヤーからの距離をXとすると、Y+2Xの距離範囲
内の領域はMgが蒸着しないこととなる。
The cathode layer 17 will be described in more detail with reference to FIG.
The state of forming the will be described. Volatile components contained in the substance coating the surface of the wire 19a volatilize and diffuse,
It is assumed that an atmosphere having a high pressure is locally formed in the vicinity of the wire 19a. When the wire 19a coated with the substance containing the volatile component is arranged on the organic EL layer and Mg is vapor-deposited from the upper side of the organic EL layer, the Mg is substantially separated from the wire 19a by a certain distance. As a boundary, vapor deposition is performed from this boundary on the organic EL layer on the side opposite to the wire 19a. And Mg is not vapor-deposited inside this boundary on the wire 19a side. The cause is that the pressure of the volatile component is high near the wire 19a,
It is presumed that this is because it cannot reach the organic EL layer. Therefore, assuming that the diameter of the wire 19a is Y, and the distance from the wire where the pressure of the volatile component is high and Mg cannot reach the organic EL layer is X, Mg will not be deposited in the area within the distance range of Y + 2X. .

【0024】従って、予め隣接する陰電極層17の間隔
D2が、D2=Y+2Xとなるようにワイヤーの直径Y
を定めておけば、理論上はY+2Xの間隔で陰電極層1
7を平行に形成することができる。この場合、Xがどの
程度の距離となるかは、ワイヤー19aの表面を被覆す
る物質に依存するので予めワイヤー19aの表面を被覆
する物質とXとの関係を調べて置く必要がある。
Therefore, the wire diameter Y is set so that the distance D2 between the adjacent negative electrode layers 17 is D2 = Y + 2X.
If theoretically defined, the negative electrode layer 1 is theoretically provided at an interval of Y + 2X.
7 can be formed in parallel. In this case, the distance of X depends on the substance that coats the surface of the wire 19a, and therefore it is necessary to examine beforehand the relationship between the substance that coats the surface of the wire 19a and X.

【0025】以上のようにして製造した有機EL素子
は、基板としての石英ガラス基板11と、基板11上に
所定のピッチ及び間隔で多数平行に設けられたストライ
プ状の陽電極層13と、陽電極層13上に陽電極層13
を覆うように設けられた、有機正孔輸送層15a及び有
機電子輸送性発光層15bで構成された有機EL層15
と、有機EL層15上に陽電極層13と直交するように
所定のピッチ及び間隔で多数平行に設けられたストライ
プ状の陰電極層17とを具えている。従って、この有機
EL素子は、陽電極層13及び陰電極層15間に有機E
L層15を挟んだ構造となっている。例えば、揮発成分
を含む物質として、揮発成分含有シリコンオイルを用い
た場合には、陽電極層13の幅は80μmであり、陰電
極層17の幅は80μmであるため、陽電極層13と陰
電極層17とが直交して形成される一つのドットの大き
さは80×80μm2 である。また、揮発成分を含む物
質として、市販のマジックインクを用いた場合には、陽
電極層13の幅は80μmであり、陰電極層17の幅は
75μmであるため、陽電極層13と陰電極層17とが
直交して形成される一つのドットの大きさは80×75
μm2 である。
The organic EL device manufactured as described above has a quartz glass substrate 11 as a substrate, a plurality of stripe-shaped positive electrode layers 13 provided in parallel on the substrate 11 at a predetermined pitch and intervals, and a positive electrode layer 13. Positive electrode layer 13 on the electrode layer 13
An organic EL layer 15 composed of an organic hole transporting layer 15a and an organic electron transporting light emitting layer 15b provided so as to cover
And a striped negative electrode layer 17 provided in parallel on the organic EL layer 15 so as to be orthogonal to the positive electrode layer 13 at a predetermined pitch and at a predetermined interval. Therefore, this organic EL device has the organic EL element between the positive electrode layer 13 and the negative electrode layer 15.
It has a structure in which the L layer 15 is sandwiched. For example, when volatile component-containing silicon oil is used as the substance containing the volatile component, the width of the positive electrode layer 13 is 80 μm and the width of the negative electrode layer 17 is 80 μm. The size of one dot formed orthogonal to the electrode layer 17 is 80 × 80 μm 2 . When a commercially available magic ink is used as the substance containing a volatile component, the width of the positive electrode layer 13 is 80 μm and the width of the negative electrode layer 17 is 75 μm. The size of one dot formed orthogonal to the layer 17 is 80 × 75
μm 2 .

【0026】次に、この有機EL素子を以下のように動
作させた。陽電極層13および陰電極層17間に印加す
る電圧を徐々に変える。揮発成分を含む物質として、揮
発成分含有シリコンオイルを用いた場合または市販のマ
ジックインクを用いた場合のいずれの場合も、印加電圧
が5Vにおいて印加部のみのドットが発光し始め、印加
電圧が15Vの時に印加部以外のドットが発光すること
はなかった。また、隣接する陰電極層同士での短絡はい
ずれの場合も生じなかった。
Next, this organic EL device was operated as follows. The voltage applied between the positive electrode layer 13 and the negative electrode layer 17 is gradually changed. Regardless of whether volatile component-containing silicone oil is used as a substance containing a volatile component or a commercially available magic ink is used, when the applied voltage is 5V, dots only in the applied portion start to emit light, and the applied voltage is 15V. At that time, dots other than the application portion did not emit light. Moreover, a short circuit between the adjacent negative electrode layers did not occur in any case.

【0027】これに対して、ワイヤーマスクとして、各
ワイヤー19aの表面を揮発成分を含む物質で被覆して
いないもの、すなわち各ワイヤー19aに揮発成分含有
シリコンオイルや市販のマジックインクを塗っていない
ワイヤーマスクを用いて製造した有機EL素子では、隣
接する陰電極層同士での短絡が生じた。
On the other hand, as a wire mask, the surface of each wire 19a is not coated with a substance containing a volatile component, that is, each wire 19a is not coated with a volatile component-containing silicone oil or a commercially available magic ink. In the organic EL element manufactured using the mask, a short circuit occurred between the adjacent negative electrode layers.

【0028】[0028]

【発明の効果】上述した説明から明らかなように、この
発明の有機EL素子の製造方法によれば、形成予定の陰
電極層の間隔より小さい直径を有し表面が揮発成分を含
む物質で被覆されているワイヤーを、形成予定の陰電極
層のピッチと同じピッチで平行に多数配置した構成のワ
イヤーマスクをマスクとして用いて、真空を利用した薄
膜作成法により、陰電極層を形成する。
As is apparent from the above description, according to the method of manufacturing an organic EL element of the present invention, the surface of the negative electrode layer to be formed has a diameter smaller than that of the negative electrode layer and the surface is covered with a substance containing a volatile component. The negative electrode layer is formed by a thin film forming method using vacuum using a wire mask having a configuration in which a large number of the formed wires are arranged in parallel at the same pitch as the negative electrode layer to be formed.

【0029】このような有機EL素子の製造方法では、
陰電極層を形成する際の真空状態では、各ワイヤーの表
面を被覆する物質から揮発する成分により、各ワイヤー
の周囲には揮発成分の雰囲気が形成される。そのため、
揮発成分の雰囲気の影響により、ワイヤーの周辺近くに
は陰電極層は形成されず、ワイヤーからある程度離れた
位置に陰電極層が形成される。従って、揮発成分の雰囲
気の影響により、所定の間隔で陰電極層が形成され、ス
トライプ状の陰電極層を所定のピッチ及び間隔で多数平
行に形成することが容易になると考えられる。
In the method of manufacturing such an organic EL device,
In the vacuum state at the time of forming the negative electrode layer, an atmosphere of volatile components is formed around each wire due to the components volatilized from the substance coating the surface of each wire. for that reason,
Due to the influence of the atmosphere of volatile components, the negative electrode layer is not formed near the periphery of the wire, but the negative electrode layer is formed at a position apart from the wire to some extent. Therefore, it is considered that the negative electrode layers are formed at predetermined intervals due to the influence of the atmosphere of volatile components, and it becomes easy to form a large number of stripe-shaped negative electrode layers in parallel at predetermined pitches and intervals.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】(A)及び(B)は、実施の形態の説明に供す
る有機EL素子の製造工程を段階的に示す工程図であ
る。
FIG. 1A and FIG. 1B are process drawings showing step by step a manufacturing process of an organic EL element used in the description of an embodiment.

【図2】(A)及び(B)は、図1につづく実施の形態
の説明に供する有機EL素子の製造工程を段階的に示す
工程図である。
2A and 2B are process diagrams showing stepwise a manufacturing process of an organic EL element, which is used for explaining the embodiment following FIG.

【図3】陰電極層を形成する状態を説明するための概略
図である。
FIG. 3 is a schematic diagram for explaining a state of forming a negative electrode layer.

【図4】従来技術の説明に供する図である。FIG. 4 is a diagram for explaining a conventional technique.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

11:基板 13:陽電極層 15:有機EL層 15a:有機正孔輸送層 15b:有機電子輸送性発光層 17:陰電極層 19:ワイヤーマスク 19a:ワイヤー 11: Substrate 13: Positive Electrode Layer 15: Organic EL Layer 15a: Organic Hole Transport Layer 15b: Organic Electron Transport Light Emitting Layer 17: Cathode Electrode Layer 19: Wire Mask 19a: Wire

Claims (3)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 基板上にストライプ状の陽電極層を形成
し、該陽電極層上に有機EL層を形成し、該有機EL層
上にストライプ状の陰電極層を前記陽電極層と直交する
ように所定のピッチ及び間隔で多数平行に形成すること
により、前記陽電極層及び前記陰電極層間に前記有機E
L層を挟んだ構造の有機EL素子を製造するに当たり、 形成予定の陰電極層の間隔より小さい直径を有し表面が
揮発成分を含む物質で被覆されているワイヤーを、形成
予定の陰電極層のピッチと同じピッチで平行に多数配置
した構成のワイヤーマスクをマスクとして用いて、真空
を利用した薄膜作成法により、前記陰電極層を形成する
ことを特徴とする有機EL素子の製造方法。
1. A striped positive electrode layer is formed on a substrate, an organic EL layer is formed on the positive electrode layer, and a striped negative electrode layer is orthogonal to the positive electrode layer on the organic EL layer. As described above, a plurality of organic EL layers are formed in parallel at a predetermined pitch and a predetermined interval so that the organic E layer is formed between the positive electrode layer and the negative electrode layer.
In manufacturing an organic EL device having a structure in which an L layer is sandwiched, a wire having a diameter smaller than the space between the negative electrode layers to be formed and having a surface coated with a substance containing a volatile component is formed on the negative electrode layer to be formed. A method for manufacturing an organic EL element, characterized in that the negative electrode layer is formed by a thin film forming method using a vacuum, using as a mask a wire mask having a configuration in which a large number of wire masks are arranged in parallel at the same pitch.
【請求項2】 請求項1に記載の有機EL素子の製造方
法において、前記ワイヤーを、金(Au)から成るワイ
ヤーとすることを特徴とする有機EL素子の製造方法。
2. The method for manufacturing an organic EL element according to claim 1, wherein the wire is a wire made of gold (Au).
【請求項3】 請求項1に記載の有機EL素子の製造方
法において、前記薄膜作成法を、真空蒸着法またはスパ
ッタ法とすることを特徴とする有機EL素子の製造方
法。
3. The method for manufacturing an organic EL element according to claim 1, wherein the thin film forming method is a vacuum deposition method or a sputtering method.
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP1009198A4 (en) * 1998-06-26 2006-08-23 Idemitsu Kosan Co LUMINESCENT DEVICE
US8920563B2 (en) 2010-12-15 2014-12-30 Samsung Display Co., Ltd. Thin film deposition apparatus and method of manufacturing organic light-emitting display device by using the same

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