JPH09280756A - Multi-temperature control system and reaction processor to which same is applied - Google Patents
Multi-temperature control system and reaction processor to which same is appliedInfo
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Abstract
Description
【0001】[0001]
【発明の技術分野】本発明は、複数の場所の温度を作動
流体の循環によって制御するマルチ温度制御システムに
関する。本発明の温度制御システムは、例えば、半導体
処理装置における複数のプロセスチャンバ(反応処理
室)内の諸部分の温度を制御する用途に好適であるが、
半導体処理装置のみに限らず、他の種々の反応処理装置
にも適用することができる。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a multi-temperature control system for controlling the temperature of a plurality of places by circulating a working fluid. The temperature control system of the present invention is suitable for use in controlling the temperature of various parts in a plurality of process chambers (reaction processing chambers) in a semiconductor processing apparatus,
Not only the semiconductor processing apparatus but also various other reaction processing apparatuses can be applied.
【0002】[0002]
【従来の技術】従来の半導体処理装置は例えば図1のよ
うに構成されている。即ち、トランスファチャンバ1の
周囲に複数のプロセスチャンバ2a、2b、2cが配設
されている。トランスファチャンバ1内に設けられた搬
送ロボット(図示せず)により、処理対象のウエハ(図
示せず)が、トランスチャンバ1を経由してあるプロセ
スチャンバから別のプロセスチャンバへと搬送される。
各プロセスチャンバ2a、2b、2cでは、それぞれに
固有の反応処理がウエハに対して行われる。2. Description of the Related Art A conventional semiconductor processing apparatus is constructed, for example, as shown in FIG. That is, a plurality of process chambers 2a, 2b, 2c are arranged around the transfer chamber 1. A transfer robot (not shown) provided in the transfer chamber 1 transfers a wafer to be processed (not shown) from one process chamber to another process chamber via the transfer chamber 1.
In each of the process chambers 2a, 2b, 2c, a reaction process unique to each is performed on the wafer.
【0003】図2は一つのプロセスチャンバの構成を示
す。プロセスチャンバは、チャンバ壁3、陽極として機
能するチャンバカバー4、及び陰極として機能するウエ
ハ支持台6を備える。チャンバ壁3、チャンバカバー4
及びウエハ支持台6の各々は、温度制御用の作動流体が
流れる管路7a、7b、7cを有している。そして、各
管路7a、7b、7cを流れる流体によって、チャンバ
壁3、チャンバカバー4及びウエハ支持台6の各々の温
度が、各々に固有の目標温度T1、T2、T3に制御され
る。FIG. 2 shows the construction of one process chamber. The process chamber comprises a chamber wall 3, a chamber cover 4 that functions as an anode, and a wafer support 6 that functions as a cathode. Chamber wall 3, chamber cover 4
Each of the wafer support bases 6 has pipelines 7a, 7b, 7c through which a working fluid for temperature control flows. Then, the temperature of each of the chamber wall 3, the chamber cover 4, and the wafer support table 6 is controlled to a target temperature T1, T2, T3 peculiar to each by the fluid flowing in each of the pipelines 7a, 7b, 7c.
【0004】この半導体処理装置に適用される温度制御
システムは、図1に示すように3台の温度制御機8a、
8b、8cを備え、各温度制御機8a、8b、8cに各
目標温度T1、T2、T3が設定されている。温度制御機
8a、8b、8cの各々は、半導体処理装置内の全ての
プロセスチャンバ2a、2b、2cに対し、温度制御さ
れた作動流体を供給する。例えば、第1の温度制御機8
aは、全てのプロセスチャンバ2a、2b、2cのチャ
ンバ壁3に対し、循環流路9a、9b、9a、9b、9
a、9bを通じて作動流体を供給する。同様に、第2の
温度制御機8bは全プロセスチャンバ2a、2b、2c
のチャンバカバー4に対し、また、第3の温度制御機8
cは全プロセスチャンバ2a、2b、2cのウエハ支持
台6に対し、それぞれ作動流体を供給する。As shown in FIG. 1, the temperature control system applied to this semiconductor processing apparatus includes three temperature controllers 8a,
8b and 8c, and the target temperatures T1, T2 and T3 are set in the temperature controllers 8a, 8b and 8c, respectively. Each of the temperature controllers 8a, 8b, 8c supplies a temperature-controlled working fluid to all the process chambers 2a, 2b, 2c in the semiconductor processing apparatus. For example, the first temperature controller 8
a is the circulation flow paths 9a, 9b, 9a, 9b, 9 for the chamber walls 3 of all the process chambers 2a, 2b, 2c.
A working fluid is supplied through a and 9b. Similarly, the second temperature controller 8b is used for all process chambers 2a, 2b, 2c.
The chamber cover 4 of the third temperature controller 8
c supplies the working fluid to the wafer supports 6 of all the process chambers 2a, 2b and 2c.
【0005】各温度制御機は例えば図3に示すように、
作動流体を冷却するための熱交換器11と、加熱するた
めの加熱装置13と、これらにより温度制御された作動
流体を循環流路9a、9bに循環させるポンプ14とを
備える。熱交換器11は、冷却水管10を流れる冷却水
により作動流体を冷却する。加熱装置13は、タンク1
3a内に作動流体を溜め、タンク13a内の電熱ヒータ
12で作動流体を加熱する。Each temperature controller is, for example, as shown in FIG.
A heat exchanger 11 for cooling the working fluid, a heating device 13 for heating, and a pump 14 for circulating the working fluid, the temperature of which is controlled by these, through the circulation flow paths 9a and 9b are provided. The heat exchanger 11 cools the working fluid with the cooling water flowing through the cooling water pipe 10. The heating device 13 is the tank 1
The working fluid is stored in 3a, and the working fluid is heated by the electric heater 12 in the tank 13a.
【0006】[0006]
【発明が解決しようとする課題】上述のように、従来の
半導体処理装置用の温度制御システムでは、1台の温度
制御機が複数のプロセスチャンバに対し共通に設けられ
ており、その1台の温度制御機が複数のプロセスチャン
バの特定部分の温度を集中制御している。As described above, in the conventional temperature control system for a semiconductor processing apparatus, one temperature controller is commonly provided for a plurality of process chambers, and one temperature controller is provided. A temperature controller centrally controls the temperature of a specific portion of the process chambers.
【0007】そのため、その共通に温度制御される部分
の目標温度を個々のプロセスチャンバ毎に異ならせるこ
とは、原則としてできない。また逆に、全てのプロセス
チャンバのそれらの部分の温度を全く同一且つ正確に制
御することも難しい。何故なら、チャンバの形状や作動
状態及び各循環流路の長さや圧損などが各チャンバ毎に
多少異なるから、チャンバ毎に作動流体の温度が微妙に
相違してしまうからである。Therefore, as a general rule, it is impossible to make the target temperature of the common temperature controlled portion different for each process chamber. Conversely, it is also difficult to control the temperature of those parts of all process chambers exactly and exactly. This is because the shape and operating state of the chamber and the length and pressure loss of each circulation flow path are slightly different for each chamber, so that the temperature of the working fluid is slightly different for each chamber.
【0008】仮に上記のことを実現しようとするなら
ば、作動流体の流速を各チャンバ毎に制御する方法が考
えられるが、それでは構成が相当に複雑になると共に、
チャンバ間での流速制御の干渉も生じるであろうから、
やはり正確な温度制御は難しい。In order to realize the above, a method of controlling the flow velocity of the working fluid for each chamber is conceivable. However, this makes the structure considerably complicated and
Flow rate control interference between chambers will also occur,
After all, accurate temperature control is difficult.
【0009】また、従来システムでは集中制御を行うた
め必然的に、温度制御機の配置場所は図1に示すように
半導体処理装置から適当に離れた場所となる。結果とし
て、循環流路が長くなり、作動流体の使用量が多くな
る。作動流体にはガルテン(登録商標)やフロリナート
(登録商標)のような非活性な液体を用いることが望ま
しいが、これらはかなり高価であるから大量使用には適
しない。そのため、従来システムでは、特別な事情のな
い限り、エチレングリコールや水のような安価な液体を
使用している。しかし、これら安価な液体は、プロセス
チャンバ内のプラズマの影響などにより腐食の原因とな
るイオンを生じるため、脱イオン装置を別途設ける必要
が生じる。この脱イオン装置はかなり大型であり、かつ
コストもかかる。Further, in the conventional system, since the centralized control is performed, the location of the temperature controller is inevitably a location distant from the semiconductor processing apparatus as shown in FIG. As a result, the circulation flow path becomes long and the amount of working fluid used increases. Although it is desirable to use an inert liquid such as Garten (registered trademark) or Fluorinert (registered trademark) as the working fluid, they are not suitable for large-scale use because they are considerably expensive. Therefore, in conventional systems, inexpensive liquids such as ethylene glycol and water are used unless there are special circumstances. However, since these inexpensive liquids generate ions that cause corrosion due to the influence of plasma in the process chamber, it is necessary to separately provide a deionization device. This deionizer is quite large and costly.
【0010】従来システムでは、流体の循環流路が長い
から、循環流路での熱損失が大きい。よって、個々の温
度制御機の熱容量もある程度大きい必要がある。このこ
とや、前述した配置場所などの事情から、温度制御シス
テムはかなり大型となる。In the conventional system, since the circulation passage of the fluid is long, the heat loss in the circulation passage is large. Therefore, the heat capacity of each temperature controller must be large to some extent. Due to this and the circumstances such as the above-mentioned arrangement location, the temperature control system becomes quite large.
【0011】従って、本発明の目的は、複数場所の温度
を作動流体の循環により制御するマルチ温度制御システ
ムにおいて、各場所の温度が正確に制御でき、かつ小型
で作動流体の使用量も少なくて済むものを提供すること
にある。Therefore, an object of the present invention is to provide a multi-temperature control system for controlling the temperature of a plurality of places by circulating the working fluid, whereby the temperature of each place can be accurately controlled, and the size is small and the working fluid consumption is small. It's about providing what you do.
【0012】[0012]
【課題を解決するための手段】本発明に従うマルチ温度
制御システムは、複数の場所の温度を作動流体の循環に
より制御するものであって、各場所にそれぞれ局在した
複数の温度制御機を備える。そして、その各場所の温度
制御機が、各場所に専用の作動流体の循環流路を有し、
この専用の循環流路内の作動流体の温度を個別に制御す
る。A multi-temperature control system according to the present invention controls the temperature at a plurality of locations by circulating a working fluid, and comprises a plurality of temperature controllers each localized at each location. . And, the temperature controller at each location has a dedicated working fluid circulation channel at each location,
The temperature of the working fluid in this dedicated circulation channel is individually controlled.
【0013】このシステムによれば、温度制御すべき各
場所に、その場所専用の作動流体を循環させる温度制御
機が局在している。必然的に、作動流体の循環流路は短
くて済むことになり、作動流体の使用量は少ない。よっ
て、ガルテンやフロリナートのように、高価ではあるが
脱イオン装置が不要で性能の良い作動流体が使用でき
る。According to this system, at each location where the temperature is to be controlled, a temperature controller for circulating a working fluid dedicated to that location is localized. Inevitably, the working fluid circulation path will be short, and the amount of working fluid used will be small. Therefore, it is possible to use a high-performance working fluid such as Garten and Fluorinert, which is expensive but does not require a deionization device.
【0014】また、各温度制御機が各場所専用の作動流
体を個別に制御し、かつその作動流体の循環流路は短く
て熱損失が小さく、温度制御のレスポンスも速いため、
正確な温度制御が可能である。Further, since each temperature controller individually controls the working fluid dedicated to each place, and the circulation passage of the working fluid is short, the heat loss is small, and the temperature control response is fast.
Accurate temperature control is possible.
【0015】更に、個々の温度制御機は、その熱的な容
量が小さくて済み、循環のための動力も小さくて済み、
消費電力も小さくできるから、小型に作ることができ
る。そして、その小型の温度制御機が複数の場所に分散
配置され、個々の循環流路が短く、更には、脱イオン装
置を不要とすることも容易であるから、システムの全体
サイズも容易に小さくできる。Further, each temperature controller requires only a small thermal capacity and a small amount of power for circulation,
Since the power consumption can be reduced, it can be made small. Further, since the small temperature controllers are distributed in a plurality of places, the individual circulation flow paths are short, and it is easy to eliminate the need for a deionization device, the overall size of the system can be easily reduced. it can.
【0016】温度制御装置が作動流体を冷却するために
冷却液を用いる場合には、複数の温度制御装置が同じ冷
却液源を共用するようにできる。そのようにすると、冷
却液系統の構成が簡単になる。Where the temperature control device uses a cooling liquid to cool the working fluid, the plurality of temperature control devices may share the same source of cooling liquid. By doing so, the configuration of the cooling liquid system becomes simple.
【0017】温度制御機の好ましい構成例は、作動流体
を流すための内側空間をもつ内側容器と、その内側空間
内に配置されたヒータと、内側容器を囲繞して内側容器
の外側に冷却水を流すための外側空間を形成した外側容
器とを備えたものである。このような温度制御機は、作
動流体の加熱と冷却とを共に一つの容器の内部で行える
ので、比較的小型である。更に好ましくは、ヒータに赤
外線ランプを用いることである。赤外線ランプを利用す
ると、小型でも多量の加熱量が得られるため、温度制御
機を一層小型にし易い。温度制御機が小型であること
は、各温度制御機を各場所に局在させるのに好都合であ
る。A preferred configuration example of the temperature controller includes an inner container having an inner space for flowing a working fluid, a heater arranged in the inner space, and cooling water outside the inner container surrounding the inner container. And an outer container forming an outer space for flowing the liquid. Such a temperature controller is relatively small in size because it can both heat and cool the working fluid inside a single container. More preferably, an infrared lamp is used for the heater. If an infrared lamp is used, a large amount of heating can be obtained even if it is small, so that it is easier to make the temperature controller smaller. The small size of the temperature controllers is convenient for localizing each temperature controller at each location.
【0018】本発明のシステムは、半導体処理装置のよ
うに、複数のプロセスチャンバをもつ反応処理装置に適
用することができる。その場合、各プロセスチャンバの
近傍に、そのチャンバに専用の温度制御機が配置され
る。1つのプロセスチャンバが複数の温度制御すべき部
分を有する場合、その1つのプロセスチャンバの近傍
に、その複数の部分にそれぞれ専用の複数の温度制御機
を配置することが望ましい。その場合、各部分に専用の
各温度制御機が、各部分に近接した位置に各々配置され
ることが更に望ましい。The system of the present invention can be applied to a reaction processing apparatus having a plurality of process chambers, such as a semiconductor processing apparatus. In that case, a temperature controller dedicated to the process chamber is arranged in the vicinity of each process chamber. When one process chamber has a plurality of parts to be temperature controlled, it is desirable to arrange a plurality of temperature controllers dedicated to the plurality of parts in the vicinity of the one process chamber. In that case, it is more desirable that each temperature controller dedicated to each part is arranged at a position close to each part.
【0019】[0019]
【発明の実施の形態】図4は、半導体処理装置に適用さ
れた本発明の一実施形態にかかるマルチ温度制御システ
ムの全体構成を示す。ここで、半導体処理装置それ自体
は、図1及び図2に示した従来のそれと実質的に同じ構
成であるから、その従来装置と同一の要素には同一の参
照符号を付し、重複した説明は省略する。DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS FIG. 4 shows the overall structure of a multi-temperature control system according to an embodiment of the present invention applied to a semiconductor processing apparatus. Here, since the semiconductor processing device itself has substantially the same configuration as that of the conventional semiconductor device shown in FIGS. 1 and 2, the same elements as those of the conventional device are designated by the same reference numerals, and a duplicate description will be given. Is omitted.
【0020】図4に示すように、半導体処理装置のプロ
セスチャンバ2a、2b、2cの一つ一つに対して、3
台の小型の温度制御機15a、15b、15cが設けら
れている。つまり、第1のプロセスチャンバ2aに対し
て3台の温度制御機15a、15b、15cが設けら
れ、第2のプロセスチャンバ2bに対しても3台の温度
制御機15a、15b、15cが、また、第3のプロセ
スチャンバ2cにも3台の温度制御機15a、15b、
15cが設けられている。As shown in FIG. 4, for each of the process chambers 2a, 2b, 2c of the semiconductor processing apparatus, 3
Small-sized temperature controllers 15a, 15b, 15c are provided. That is, three temperature controllers 15a, 15b, 15c are provided for the first process chamber 2a, and three temperature controllers 15a, 15b, 15c are also provided for the second process chamber 2b. , The third process chamber 2c also includes three temperature controllers 15a, 15b,
15c is provided.
【0021】各温度制御機15a、15b、15cは、
他の温度制御機から独立した固有の循環流路(図4では
図示されていない)を有して、フロリナートのような作
動流体を各プロセスチャンバ2a、2b、2cへ独立し
て供給する。各温度制御機15a、15b、15cは、
それが設けられたプロセスチャンバのみに作動流体を供
給し、他のプロセスチャンバへは供給しない。そして、
1つのチャンバに設けられた3台の温度制御機15a、
15b、15cのうち、1台目15aは図2に示したチ
ャンバ壁3の管路7aへ、2台目15bはチャンバカバ
ー4の管路7bへ、また3台目はウエハ支持台6の管路
7cへ、それぞれ作動流体を供給する。要するに、半導
体処理装置内の各温度制御対象部分に対してぞれそれ1
台の温度制御機が専用に割当てられている。Each temperature controller 15a, 15b, 15c is
It has its own circulation flow path (not shown in FIG. 4) that is independent of the other temperature controllers to independently supply working fluid such as Fluorinert to each process chamber 2a, 2b, 2c. Each temperature controller 15a, 15b, 15c
The working fluid is supplied only to the process chamber in which it is provided, and not supplied to the other process chambers. And
Three temperature controllers 15a provided in one chamber,
Of the 15b and 15c, the first unit 15a is the conduit 7a of the chamber wall 3 shown in FIG. 2, the second unit 15b is the conduit 7b of the chamber cover 4, and the third unit is the pipe of the wafer support table 6. A working fluid is supplied to each of the passages 7c. In short, one for each temperature control target part in the semiconductor processing equipment.
The temperature controller of each unit is exclusively assigned.
【0022】これらの温度制御機15a、15b、15
cは、プロセスチャンバの例えば外壁面に取付けられる
が、必ずしも外壁面である必要はなく、要するにプロセ
スチャンバに可能な限り近接して循環流路が十分に短く
なるような位置に配置されていればよい。同じ観点か
ら、個々の温度制御機15a、15b、15cは、それ
ぞれに割当てられた部分の管路7a、7b、7cに出来
るだけ近くで接続できる場所に配置されることが好まし
い。These temperature controllers 15a, 15b, 15
c is attached to, for example, the outer wall surface of the process chamber, but is not necessarily the outer wall surface, and in short, provided that the circulation flow path is sufficiently short as close to the process chamber as possible. Good. From the same point of view, it is preferable that the individual temperature controllers 15a, 15b, 15c are arranged at locations where they can be connected as close as possible to the pipe lines 7a, 7b, 7c of the portions assigned to them.
【0023】これら9台の温度制御機15a、15b、
15cは、個別の冷却液循環流路10、10を介して、
共通の冷却液源30に接続されている。冷却液には例え
ば水が使用されるが、勿論それ以外の物質であってもよ
い。These nine temperature controllers 15a, 15b,
15c is provided through the individual cooling liquid circulation flow paths 10, 10.
It is connected to a common cooling liquid source 30. For example, water is used as the cooling liquid, but other substances may of course be used.
【0024】全ての温度制御機15a、15b、15c
は実質的に同じ構成を有する。個々の温度制御機は、図
5に示すように、作動流体の加熱・冷却装置16と、作
動流体を循環流路9a、9bに循環させるポンプ14と
を有する。加熱・冷却装置16は、冷却水で作動流体を
冷却する冷却部16aと、作動流体を加熱する加熱部1
6bとを有する。作動流体にエチレングリコールや水を
用いる場合には、循環流路の供給管9aと戻り管9bの
間に脱イオン装置17が接続される。しかし、フロリナ
ートのような非活性物質の作動流体に用いる場合は、脱
イオン装置17は不要である。All temperature controllers 15a, 15b, 15c
Have substantially the same configuration. As shown in FIG. 5, each temperature controller has a heating / cooling device 16 for the working fluid, and a pump 14 for circulating the working fluid through the circulation flow paths 9a, 9b. The heating / cooling device 16 includes a cooling unit 16a that cools the working fluid with cooling water and a heating unit 1 that heats the working fluid.
6b. When ethylene glycol or water is used as the working fluid, the deionization device 17 is connected between the supply pipe 9a and the return pipe 9b in the circulation channel. However, the deionization device 17 is not necessary when used as a working fluid of a non-active substance such as Fluorinert.
【0025】図6、図7は、図5に示した加熱・冷却装
置16の具体的な構成例を示す。図6は加熱・冷却装置
の縦断面図であり、図7は図6のA−A線での横断面図
である。FIG. 6 and FIG. 7 show a concrete configuration example of the heating / cooling device 16 shown in FIG. 6 is a vertical cross-sectional view of the heating / cooling device, and FIG. 7 is a horizontal cross-sectional view taken along the line AA of FIG.
【0026】これらの図に示すように、加熱・冷却装置
は同軸に配置された大小2つの円筒形の容器20、22
を有する。内側の容器20は内側に空間21を有し、か
つ塞がれた両端面を有する。外側の容器22も塞がれた
両端面を有し、かつ内側容器20を囲繞して内側容器2
0の外側に空間23を有している。内側容器20は、そ
の周壁の一端に近い箇所に、作動流体の入口20aを有
し、かつ、周壁の他端に近い箇所であって入口20aと
は中心軸に対して対称な箇所に、作動流体の出口20b
を有する。また、外側容器22は、その周壁の一端に近
い箇所に、冷却液の入口22aを有し、かつ、周壁の他
端に近い箇所であって入口22aとは中心軸に対して対
称な箇所に、冷却液の出口22bを有する。As shown in these figures, the heating / cooling device has two large and small cylindrical containers 20, 22 arranged coaxially.
Having. The inner container 20 has a space 21 inside and has both closed end surfaces. The outer container 22 also has both closed end faces, and surrounds the inner container 20 to surround the inner container 2
There is a space 23 outside 0. The inner container 20 has an inlet 20a for the working fluid at a position near one end of its peripheral wall, and operates at a position near the other end of the peripheral wall and symmetrical to the inlet 20a with respect to the central axis. Fluid outlet 20b
Having. The outer container 22 has an inlet 22a for the cooling liquid at a position near one end of its peripheral wall, and at a position near the other end of the peripheral wall and symmetrical to the inlet 22a with respect to the central axis. , With a coolant outlet 22b.
【0027】内側容器20は、熱伝導性、耐食性及び成
形性の良好な材料、例えばアルミニューム、銅、ステン
レススチールなどで作られる。外側容器22も同様な材
料で作られてよいし、或は、耐食性及び成形性は良好で
あるが熱伝導性の高くない別の材料、例えばプラスチッ
クや塩化ビニルやセラミックスなどで作ることもでき
る。内側容器20と外側容器22との接合部は、溶接や
ロウ付けやその他の適当な方法により、液を洩らさない
ようシールされる。The inner container 20 is made of a material having good thermal conductivity, corrosion resistance, and moldability, such as aluminum, copper, or stainless steel. The outer container 22 may be made of a similar material, or may be made of another material having good corrosion resistance and moldability but not high thermal conductivity, such as plastic, vinyl chloride, and ceramics. The joint between the inner container 20 and the outer container 22 is sealed by welding, brazing, or any other suitable method so as not to leak liquid.
【0028】内側容器20の内側空間21内には、中心
軸に沿って透明筒24が配置され、この透明筒24は内
側容器20の両端の壁26、26を貫通している。この
透明筒24内に、ヒーティングランプ25が挿入されて
いる。透明筒24は、石英ガラスのような光透過性の極
めて高い耐熱性の材料で作られている。ヒーティングラ
ンプ25には、赤外線を多く出すものが好ましく、例え
ばヒータ用のハロゲンランプが用いられる。このランプ
25は、ブッシュ29によって透明筒24に接触しない
ように、透明筒24内の中心軸位置に支持されている。In the inner space 21 of the inner container 20, a transparent cylinder 24 is arranged along the central axis, and the transparent cylinder 24 penetrates the walls 26, 26 at both ends of the inner container 20. A heating lamp 25 is inserted into the transparent tube 24. The transparent tube 24 is made of a heat-resistant material having a very high light transmittance, such as quartz glass. The heating lamp 25 preferably emits a large amount of infrared light. For example, a halogen lamp for a heater is used. The lamp 25 is supported by a bush 29 at a central axis position in the transparent tube 24 so as not to contact the transparent tube 24.
【0029】内側容器20の両端の壁26、26は、硬
質ゴムやプラスチックや金属のように適度な弾性と十分
な耐熱性とをもつ材料によって作られている。端壁2
6、26と内側容器20及び透明筒24との間の隙間を
シールするために、端壁26、26の外周面と内周面に
はそれぞれOリングのようなシールリング27が填め込
まれている。The walls 26, 26 at both ends of the inner container 20 are made of a material having appropriate elasticity and sufficient heat resistance such as hard rubber, plastic or metal. End wall 2
A seal ring 27 such as an O-ring is fitted to the outer peripheral surface and the inner peripheral surface of the end walls 26 and 26, respectively, in order to seal the gap between the inner wall 20 and the transparent cylinder 24. There is.
【0030】内側容器20の内周面には、容器20の中
心軸に平行に伸びた多数本の内側フィン28aが固定さ
れており、外周面にも中心軸に平行に伸びた多数本の外
側フィン28bが固定されている。内側フィン28a
は、内側空間21の半径の方向に、つまり、ランプ25
からの赤外線の放射方向に、真っ直ぐに立っている。外
側フィン28bも同様に、半径の方向に放射状に直立し
ているが、必ずしもそうである必要はない。内側フィン
28aも外側フィン28bも、内側空間21及び外側空
間23のほぼ全体領域にわたって分散されて配置されて
おり、且つその全体領域にわたって実質的に一様の密度
(つまり、概略的に一様の間隔)で配置されている。こ
れらのフィン28a、28bは、熱伝導率が高く、耐食
性及び成形性も良好な、例えばアルミニューム、銅、ス
テンレススチールのような材料で作られる。更に、赤外
線の吸収率も良い材料であることが望ましい。A large number of inner fins 28a extending parallel to the central axis of the container 20 are fixed to the inner peripheral surface of the inner container 20, and a large number of outer fins extending parallel to the central axis also on the outer peripheral surface. The fin 28b is fixed. Inner fin 28a
Is in the radial direction of the inner space 21, that is, the ramp 25
Stands straight in the direction of infrared radiation from. Outer fins 28b likewise stand radially upright in the radial direction, but need not be. The inner fins 28a and the outer fins 28b are arranged in a distributed manner over substantially the entire region of the inner space 21 and the outer space 23, and have a substantially uniform density (that is, a substantially uniform density) over the entire region. Are arranged at intervals). These fins 28a, 28b are made of a material having high thermal conductivity, good corrosion resistance and good formability, such as aluminum, copper, and stainless steel. Further, it is desirable that the material has a good infrared absorptance.
【0031】内側フィン28aの先端と透明筒24の外
周面との間には僅かな隙間がある。外側フィン28bの
先端と外側容器22の内周面との間にも僅かな隙間があ
る。There is a slight gap between the tip of the inner fin 28a and the outer peripheral surface of the transparent cylinder 24. There is also a slight gap between the tip of the outer fin 28b and the inner peripheral surface of the outer container 22.
【0032】このように構成された加熱・冷却装置にお
いて、作動流体は、入口20aから内側空間21に流入
し内側空間21を通って出口20bから流出する。ま
た、冷却液は、入口22aから外側空間23に流入し外
側空間23を通って出口22bから流出する。In the thus constructed heating / cooling device, the working fluid flows into the inner space 21 from the inlet 20a, passes through the inner space 21 and flows out from the outlet 20b. Further, the cooling liquid flows into the outer space 23 from the inlet 22a, passes through the outer space 23, and flows out from the outlet 22b.
【0033】作動流体の入口20aでの温度(例えば2
5℃)より目標温度が高い(例えば100℃)場合、ラ
ンプ25が点灯される。この場合、冷却液の流れは原則
として停止される。ランプ25から放射された赤外線は
透明筒24を通過して内側空間21に入射する。もし、
作動流体が光吸収性の極めて低い物質(例えばフロリナ
ート)であれば、赤外線の大部分はフィン28aに吸収
され、そこで生じた放射熱がフィン28aから流体へと
伝えられて、作動流体が加熱される。もし、作動流体が
光吸収性を適度にもつ物質(例えば水、エチレングリコ
ールなど)であれば、赤外線はフィン28aだけでなく
作動流体自体にも直接吸収され、その放射熱で流体の温
度が上昇する。The temperature of the working fluid at the inlet 20a (for example, 2
When the target temperature is higher than 5 ° C (for example, 100 ° C), the lamp 25 is turned on. In this case, the flow of cooling liquid is in principle stopped. The infrared rays emitted from the lamp 25 pass through the transparent tube 24 and enter the inner space 21. if,
If the working fluid is a substance having a very low light absorption property (for example, Fluorinert), most of the infrared rays are absorbed by the fins 28a, and the radiant heat generated there is transferred from the fins 28a to the fluid to heat the working fluid. It If the working fluid is a substance having an appropriate light absorption property (for example, water, ethylene glycol, etc.), the infrared rays are directly absorbed not only by the fin 28a but also by the working fluid itself, and the temperature of the fluid rises due to the radiant heat. To do.
【0034】加熱量の制御は、出口20bに配置した温
度センサとコントローラ(いずれも図示せず)とによ
り、ランプ25の点灯時間のデューティ比や発光量を調
節することにより行われる。例えば、出口温度が目標温
度に一致するように、ランプ25への供給電力をフィー
ドバック制御する。過加熱や外的な原因などにより流体
の出口温度が目標温度を越えてしまった場合、ランプ2
5は消灯される。また、ランプ消灯だけでは十分でない
場合、冷却液が流される。The control of the heating amount is performed by adjusting the duty ratio of the lighting time of the lamp 25 and the light emission amount by a temperature sensor and a controller (neither shown) arranged at the outlet 20b. For example, the electric power supplied to the lamp 25 is feedback-controlled so that the outlet temperature matches the target temperature. If the fluid outlet temperature exceeds the target temperature due to overheating or external causes, the lamp 2
5 is turned off. Further, when it is not enough to turn off the lamp, the cooling liquid is flown.
【0035】また、作動流体の入口温度(例えば80
℃)より目標温度が低い(例えば30℃)場合には、冷
却液が流され、ランプ25は通常は消灯される。作動流
体が保有する熱が内側フィン28a、内側容器20及び
外側フィン28bを通じて冷却液に伝えられ、流体が冷
却される。上述したコントローラが、冷却液の流量の調
節を行って、流体の出口温度を目標温度に一致させる。
過冷却により流体の出口温度が目標温度を下回った場合
は、ランプ25が点灯されたり、冷却液の流量が絞られ
たりする。Further, the inlet temperature of the working fluid (for example, 80
When the target temperature is lower than (.degree. C.) (for example, 30.degree. C.), the cooling liquid is flown and the lamp 25 is normally turned off. The heat contained in the working fluid is transferred to the cooling liquid through the inner fin 28a, the inner container 20 and the outer fin 28b, and the fluid is cooled. The controller described above adjusts the flow rate of the cooling liquid to match the outlet temperature of the fluid with the target temperature.
When the outlet temperature of the fluid falls below the target temperature due to supercooling, the lamp 25 is turned on or the flow rate of the cooling liquid is reduced.
【0036】このように、コントローラがランプ25の
点灯と冷却液の流量とを制御して、加熱と冷却とを使い
分けたり併用したりすることにより、作動流体の温度を
目標温度に制御する。In this way, the controller controls the lighting of the lamp 25 and the flow rate of the cooling liquid, and controls the temperature of the working fluid to the target temperature by selectively using the heating and the cooling or using them in combination.
【0037】上の説明から分るように、加熱は主として
赤外線の放射熱により行われる。放射熱は、その本来の
性質故に、ランプ25からの距離に関わらず内側空間2
1内のどの場所にある光吸収物質へも平等に供給され
る。それに加え、内側空間21内でフィン28aがラン
プ25からの赤外線の放射方向に向いて立っているた
め、赤外線はフィン28aに遮られずに、内側空間21
の全ての場所に平等に入射し得る。結果として、もし流
体が水のように光を適度に吸収する物質ならば、内側空
間21内の全ての場所でその流体は実質的に平等に放射
熱を受けて一様に温度が上昇する。また、流体がフロリ
ナートのように光を殆ど吸収しない物質である場合は、
内側空間21の全体領域にほぼ一様密度で存在する多数
のフィン28aが、その全ての箇所にて平等に放射熱を
受け取ってこれを流体に伝達するから、やはり流体は一
様に近い態様で加熱される。As can be seen from the above description, heating is mainly performed by radiant heat of infrared rays. Radiant heat is, due to its original nature, irrespective of the distance from the lamp 25, the inner space 2
It is evenly distributed to the light absorbing material anywhere in 1. In addition, since the fins 28a stand in the inner space 21 in the direction of the infrared rays emitted from the lamp 25, the infrared rays are not blocked by the fins 28a and the inner space 21 is not blocked.
Can be equally incident on all places. As a result, if the fluid is a substance that absorbs light moderately, such as water, the fluid will receive radiant heat substantially uniformly in all locations within the inner space 21 and will rise in temperature uniformly. If the fluid is a substance that hardly absorbs light like Fluorinert,
Since the large number of fins 28a existing in the entire region of the inner space 21 at a substantially uniform density receive the radiant heat evenly at all the places and transfer it to the fluid, the fluid is also in a nearly uniform manner. Be heated.
【0038】上記のようにランプ25の出力の多くは、
放射熱として内側空間21内の作動流体全体にほぼ平等
に供給されるので、熱が特定の局所に集中することがな
い。また、ランプ25と透明筒24との間には間隔が空
いているため、熱伝導によって透明筒24やその近傍を
通る流体だけが特別に高温になることもない。これらの
ことから、ランプ25の出力熱量をかなり増大させるこ
とが可能であり、結果として、サイズは小型でも大きい
加熱能力を発揮することができる。As described above, most of the output of the lamp 25 is
Since radiant heat is supplied almost evenly to the entire working fluid in the inner space 21, heat does not concentrate in a specific local area. In addition, since there is a space between the lamp 25 and the transparent tube 24, only the fluid passing through the transparent tube 24 and its vicinity does not reach a high temperature due to heat conduction. From these facts, it is possible to considerably increase the amount of heat output from the lamp 25, and as a result, it is possible to exert a large heating capacity even if the size is small.
【0039】また、外側フィン28bと外側容器22と
の間に隙間があるため、加熱の際に内側容器20内の放
射熱が外側フィン28bから直接に外側容器22へと逃
げることがない。このことは加熱効率の観点から好まし
い。同じ観点から、外側容器22をセラミックスやプラ
スチックのような熱伝導性の悪い材料で作ることも好ま
しい。但し、加熱効率に特に問題が無ければ、外側フィ
ン28bと外側容器22とが接触していても、あるい
は、外側容器22が熱伝導性の高い材料(例えば内側容
器20と同じ材料)で作られていていても構わない。Further, since there is a gap between the outer fin 28b and the outer container 22, radiant heat in the inner container 20 does not escape directly from the outer fin 28b to the outer container 22 during heating. This is preferable from the viewpoint of heating efficiency. From the same viewpoint, it is also preferable that the outer container 22 is made of a material having poor thermal conductivity such as ceramics or plastic. However, if there is no particular problem in heating efficiency, even if the outer fins 28b and the outer container 22 are in contact with each other, or the outer container 22 is made of a material having high thermal conductivity (for example, the same material as the inner container 20). It doesn't matter.
【0040】冷却は、フィン28a、28bを通じた熱
伝導を利用して行われる。フィン28a、28bが内側
及び外側空間21、23の全体領域にわたり概略一様の
密度で分散配置されているから、冷却効率が良好である
と共に、熱伝導を利用するが故の温度むらも小さい。外
側フィン28bと外側容器22との間に隙間があること
は、外側フィン28bが外気温度の影響を受けにくいの
で、冷却効率の観点からも好ましい。Cooling is performed by utilizing heat conduction through the fins 28a and 28b. Since the fins 28a, 28b are dispersed and arranged at a substantially uniform density over the entire area of the inner and outer spaces 21, 23, the cooling efficiency is good and the temperature unevenness due to the use of heat conduction is small. It is preferable from the viewpoint of cooling efficiency that there is a gap between the outer fin 28b and the outer container 22, because the outer fin 28b is less likely to be affected by the outside air temperature.
【0041】この加熱・冷却装置16の組み立て時に
は、透明筒24が内側空間21内へ挿入される。また、
メンテナンス時にも、透明筒24が内側空間21から引
出されたり再び挿入されたりする。この挿入・引出し作
業では、透明筒24と内側フィン28aとの間の隙間が
クリアランスとなって、この作業をスムーズに行わせし
める。勿論、作業に支障が無ければ、内側フィン28a
と透明筒24とが接触していても構わない。When the heating / cooling device 16 is assembled, the transparent tube 24 is inserted into the inner space 21. Also,
Even during maintenance, the transparent tube 24 is pulled out from the inner space 21 or inserted again. In this insertion / drawing operation, the clearance between the transparent tube 24 and the inner fin 28a serves as a clearance, which allows this operation to be performed smoothly. Of course, if there is no hindrance to the work, the inner fin 28a
And the transparent tube 24 may be in contact with each other.
【0042】以上の説明から分るように、この加熱・冷
却装置16はサイズの割には大きい加熱及び冷却能力を
発揮することができる。そのため、かなり小型のサイズ
にすることができる。また、作動流体を温度むらなく一
様に目標温度にすることができるため、温度制御の精度
も高い。結果として、各温度制御機15a、15b、1
5cもかなり小型になり、且つその温度制御の精度は高
い。このような小型の温度制御機15a、15b、15
cは、図4に示したように個々のプロセスチャンバ2
a、2b、2cに個別に取付けることが容易である。As can be seen from the above description, the heating / cooling device 16 can exhibit a large heating / cooling capacity for its size. Therefore, the size can be made quite small. Further, since the working fluid can be uniformly brought to the target temperature without temperature unevenness, the temperature control accuracy is high. As a result, each temperature controller 15a, 15b, 1
5c is also quite small, and its temperature control accuracy is high. Such small temperature controllers 15a, 15b, 15
c is the individual process chamber 2 as shown in FIG.
It is easy to individually attach a, 2b, and 2c.
【0043】尚、加熱・冷却装置16の具体的構成には
上記以外の種々のバリエーションが採用し得る。例え
ば、フィン28a、28bには、上述のもの以外に、多
数の細長いピンを立設したものや、薄板を波形に折り曲
げたものなど、公知の様々なフィンが採用できる。但
し、薄板を波形に折り曲げたフィンのように赤外線を遮
ってしまう形態のフィンは、フロリナートのように光吸
収性の極めて低い作動流体を用いる場合にのみ採用すべ
きであり、水のように光吸収性のある程度高い作動流体
を用いる場合には、図6、7に示したフィンやピンを立
設したフィンのように、赤外線を余り遮らずに赤外線が
内側空間21全体に行き渡れるようなフィンを採用すべ
きである。また、加熱効率が多少低くても問題無けれ
ば、ヒーティングランプに代えて電気ヒータを用いるこ
ともできる。Various variations other than those described above can be adopted as the specific configuration of the heating / cooling device 16. For example, as the fins 28a and 28b, in addition to the above-mentioned fins, various well-known fins such as one in which a large number of elongated pins are provided upright and one in which a thin plate is bent in a wave shape can be adopted. However, fins that block infrared rays, such as fins formed by bending a thin plate into a corrugated shape, should be used only when using a working fluid with extremely low light absorption, such as Fluorinert. When a working fluid having a certain degree of absorption is used, a fin that allows infrared rays to reach the entire inner space 21 without blocking the infrared rays much like the fins and the fins in which pins are provided upright as shown in FIGS. Should be adopted. Further, if there is no problem even if the heating efficiency is somewhat low, an electric heater can be used instead of the heating lamp.
【0044】図8は、各温度制御機15a、15b、1
5cを各プロセスチャンバ2a、2b、2cに取付ける
場合の一つの態様を示す。FIG. 8 shows the temperature controllers 15a, 15b, 1
One mode in which 5c is attached to each process chamber 2a, 2b, 2c is shown.
【0045】図示のように、各温度制御機15a、15
b、15cがプロセスチャンバの側壁の外面に固定され
ており、各温度制御機15a、15b、15cから出た
流体の循環流路9a、9bがプロセスチャンバの側壁内
に導かれ、図2に示した管路7a、7b、7cへに接続
されている。As shown, each temperature controller 15a, 15
b, 15c are fixed to the outer surface of the side wall of the process chamber, and the circulation flow paths 9a, 9b for the fluid exiting from the respective temperature controllers 15a, 15b, 15c are guided into the side wall of the process chamber and are shown in FIG. To the conduits 7a, 7b, 7c.
【0046】また、各温度制御機15a、15b、15
cから冷却液の循環流路10が出ており、これら各温度
制御機毎の冷却液循環流路10は図4に示したように各
チャンバ毎に一対の冷却液循環流路10に統合されてか
ら、共通の冷却液源30に接続される。尚、各温度制御
機毎の冷却液循環流路10を直接に共通の冷却液源30
に接続してもよい。あるいは、例えば、プロセスチャン
バ2aにおいて3つの温度制御機15a、15b、15
cの目標温度が異なる場合、冷却液源30からの冷却水
を最初に最低の目標温度をもつ温度制御機に流し、次
に、これを通過した冷却水を中間の目標温度をもつ温度
制御機に流し、最後に、これを通過した冷却水を最高の
目標温度をもつ温度制御機に与えて冷却水源に戻す、と
いうように温度制御機15a、15b、15cの冷却液
循環10を直列に接続して冷却液を順番に巡らせる方法
も可能である。Further, each temperature controller 15a, 15b, 15
A cooling liquid circulation flow passage 10 exits from c, and the cooling liquid circulation flow passage 10 for each temperature controller is integrated into a pair of cooling liquid circulation flow passages 10 for each chamber as shown in FIG. And then connected to the common cooling liquid source 30. In addition, the cooling liquid circulation passage 10 for each temperature controller is directly connected to the common cooling liquid source 30.
May be connected. Alternatively, for example, in the process chamber 2a, the three temperature controllers 15a, 15b, 15
When the target temperatures of c are different, the cooling water from the cooling liquid source 30 is first passed through the temperature controller having the lowest target temperature, and then the cooling water passing through this is controlled by the temperature controller having the intermediate target temperature. Then, the cooling water passing therethrough is fed to the temperature controller having the highest target temperature and returned to the cooling water source, and the cooling liquid circulation 10 of the temperature controllers 15a, 15b, 15c is connected in series. Then, a method of circulating the cooling liquid in order is also possible.
【0047】このように冷却液を複数の温度制御機15
a、15b、15cで共用したとしても、冷却液の流速
が遅すぎない限り、冷却液の温度変動は小さく、かつ、
冷却液の温度が多少変動しても、それに応じて各温度制
御機15a、15b、15c毎にコントローラが最適な
制御を行うから、作動流体の温度は正確に制御すること
ができる。In this way, the cooling liquid is supplied to a plurality of temperature controllers 15
Even if it is shared by a, 15b, and 15c, unless the flow rate of the cooling liquid is too slow, the temperature fluctuation of the cooling liquid is small, and
Even if the temperature of the cooling liquid fluctuates to some extent, the temperature of the working fluid can be accurately controlled because the controller optimally controls the temperature controllers 15a, 15b, 15c accordingly.
【0048】尚、温度制御機15a、15b、15cの
取付け場所は、プロセスチャンバの側壁だけに限られ
ず、底壁下でも天井壁上でも近くの床上でも、要する
に、流体循環流路が十分に短くなるようなチャンバ近傍
の適当な場所であればよい。The location of the temperature controllers 15a, 15b, 15c is not limited to the side wall of the process chamber, and the fluid circulation flow path is sufficiently short whether it is under the bottom wall, the ceiling wall or a nearby floor. It may be any suitable place near the chamber.
【0049】また、上述の実施形態では、全てのプロセ
スチャンバの全ての部分の温度を作動流体の循環により
制御しているが、必ずしもそうする必要はなく、部分的
に作動流体を用いない別の原理による温度制御を実施す
ることもできる。例えば、100℃以上のような高温に
制御するチャンバ又は部分がある場合に、そのチャンバ
又は部分には上記温度制御機に代えて赤外線ランプを設
けて、この赤外線ランプによりそのチャンバ又は部分を
直接加熱するようにしてもよい。Further, in the above-described embodiment, the temperature of all parts of all process chambers is controlled by the circulation of the working fluid, but it is not always necessary to do so, and it is not necessary to use another part of the working fluid. It is also possible to carry out temperature control according to the principle. For example, when there is a chamber or part controlled to a high temperature such as 100 ° C. or higher, an infrared lamp is provided in the chamber or part instead of the temperature controller, and the chamber or part is directly heated by the infrared lamp. You may do it.
【0050】以上の実施形態の説明は本発明の理解のた
めのものであって、それら実施形態のみに本発明の範囲
を限定する趣旨ではない。本発明は、その要旨を逸脱し
ない範囲内で、上記実施形態に変更、修正、改良などを
加えた他の種々の形態においても実施することができ
る。The above description of the embodiments is for understanding the present invention, and is not intended to limit the scope of the present invention to only those embodiments. The present invention can be embodied in various other forms in which changes, corrections, improvements, and the like are added to the above-described embodiments without departing from the gist thereof.
【図1】従来の温度制御システムを用いた半導体処理装
置用を示す平面図。FIG. 1 is a plan view showing a semiconductor processing apparatus using a conventional temperature control system.
【図2】プロセスチャンバの概略構成を示す断面図。FIG. 2 is a sectional view showing a schematic configuration of a process chamber.
【図3】従来の温度制御機の回路図。FIG. 3 is a circuit diagram of a conventional temperature controller.
【図4】本発明の一実施形態にかかる温度制御システム
を用いた半導体処理装置用を示す平面図。FIG. 4 is a plan view showing a semiconductor processing apparatus using a temperature control system according to an embodiment of the present invention.
【図5】同実施形態で用いる温度制御機の回路図。FIG. 5 is a circuit diagram of a temperature controller used in the same embodiment.
【図6】図5の温度制御装置で用いる加熱・冷却装置の
縦断面図。6 is a longitudinal sectional view of a heating / cooling device used in the temperature control device of FIG.
【図7】図6のA−A線に沿う断面矢視図。7 is a cross-sectional view taken along the line AA of FIG.
【図8】同実施形態における温度制御機の取付け態様を
示す斜視図。FIG. 8 is a perspective view showing an attachment mode of the temperature controller in the same embodiment.
1 トランスファチャンバ 2a、2b、2c プロセスチャンバ 3 チャンバ壁 4 チャンバカバー 5 ウエハ 6 ウエハ支持台 7a、7b、7c 管路 9a、9b 流体の循環流路 10 冷却液の循環流路 15a、15b、15c 温度制御機 16 加熱・冷却装置 20 内側容器 21 内側空間 22 外側容器 25 ヒーティングランプ 24 透明筒 28a 内側フィン 28b 外側フィン 1 Transfer Chamber 2a, 2b, 2c Process Chamber 3 Chamber Wall 4 Chamber Cover 5 Wafer 6 Wafer Support 7a, 7b, 7c Pipeline 9a, 9b Fluid Circulation Channel 10 Coolant Circulation Channel 15a, 15b, 15c Temperature Controller 16 Heating / Cooling device 20 Inner container 21 Inner space 22 Outer container 25 Heating lamp 24 Transparent tube 28a Inner fin 28b Outer fin
Claims (10)
り制御するマルチ温度制御システムにおいて、 各場所にそれぞれ局在した複数の温度制御機を備え、 各温度制御機が、各場所に専用の作動流体の循環流路を
有して、この専用の循環流路内の作動流体の温度を個別
に制御することを特徴とするマルチ温度制御システム。1. A multi-temperature control system for controlling the temperature of a plurality of places by circulating a working fluid, comprising a plurality of temperature controllers localized at each place, each temperature controller being dedicated to each place. A multi-temperature control system having a working fluid circulation passage and individually controlling the temperature of the working fluid in the dedicated circulation passage.
備えることを特徴とするマルチ温度制御システム。2. The system according to claim 1, further comprising a common cooling liquid source shared by the plurality of temperature controllers.
を流すための外側空間を形成する外側容器とを有するこ
とを特徴とするマルチ温度制御システム。3. The system according to claim 1, wherein each temperature controller has an inner container having an inner space for flowing a working fluid, a heater arranged in the inner space, and surrounding the inner container. And an outer container that forms an outer space for flowing cooling water outside the inner container.
とするマルチ温度制御システム。4. The multi-temperature control system according to claim 3, wherein the heater is a lamp that emits infrared rays.
チャンバであることを特徴とするマルチ温度制御システ
ム。5. The multi-temperature control system according to claim 1, wherein the plurality of locations are a plurality of process chambers included in a reaction processing apparatus.
チャンバの複数の部分であることを特徴とするのマルチ
温度制御システム。6. The multi-temperature control system of claim 1, wherein the plurality of locations are portions of individual process chambers of a reaction processor.
ステムにおいて、 各温度制御機が、各プロセスチャンバの近傍に配置され
ていることを特徴とするマルチ温度制御システム。7. The multi-temperature control system according to claim 5, wherein each temperature controller is arranged in the vicinity of each process chamber.
の各々の近傍に配置されていることを特徴とするマルチ
温度制御システム。8. The multi-temperature control system of claim 6, wherein each temperature controller is located proximate each of a plurality of portions of an individual process chamber.
セスチャンバが温度制御されるべき少なくとも1つの部
分を有している反応処理装置において、 各プロセスチャンバにそれぞれ局在した複数の温度制御
機を備え、 各温度制御機が、各プロセスチャンバに専用の作動流体
の循環流路を有して、この専用の循環流路内の作動流体
の温度を個別に制御することを特徴とするマルチ温度制
御システムが適用された反応処理装置。9. A reaction treatment apparatus comprising a plurality of process chambers, each process chamber having at least one part to be temperature controlled, comprising a plurality of temperature controllers each localized in each process chamber. A multi-temperature control system characterized in that each temperature controller has a dedicated working fluid circulation passage in each process chamber and individually controls the temperature of the working fluid in the dedicated circulation passage. Is applied to the reaction processing device.
備え、各プロセスチャンバが温度制御されるべき複数の
部分を有している反応処理装置において、 各プロセスチャンバにそれぞれ局在した複数の温度制御
機を備え、 各温度制御機が、各プロセスチャンバの各部分に専用の
作動流体の循環流路を有して、この専用の循環流路内の
作動流体の温度を個別に制御することを特徴とするマル
チ温度制御システムが適用された反応処理装置。10. A reaction treatment apparatus comprising at least one process chamber, each process chamber having a plurality of parts to be temperature controlled, comprising a plurality of temperature controllers each localized in each process chamber. , Each temperature controller has a dedicated working fluid circulation passage in each part of each process chamber, and individually controls the temperature of the working fluid in this dedicated circulation passage. A reaction processing device to which a temperature control system is applied.
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