JPH09275398A - Hybrid integrated circuit and ATM-LAN adapter - Google Patents
Hybrid integrated circuit and ATM-LAN adapterInfo
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- JPH09275398A JPH09275398A JP8520696A JP8520696A JPH09275398A JP H09275398 A JPH09275398 A JP H09275398A JP 8520696 A JP8520696 A JP 8520696A JP 8520696 A JP8520696 A JP 8520696A JP H09275398 A JPH09275398 A JP H09275398A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 伝送線との特性インピーダンスを容易に整合
させることができるATM−LAN物理層インタフェー
ス技術を提供する。
【解決手段】 ATM−LAN物理層インタフェースを
構成するための回線終端装置を伝送線に結合するための
混成集積回路(9)は、伝送線との特性インピーダンス
整合用の終端抵抗(R10)を、受信用の第2のパルス
トランス(92)に近接配置して有し、第2のパルスト
ランスの結合係数を0.9996以上にする。これによ
り、第2のパルストランスの2次側から前記終端抵抗ま
での配線に存在する負所望なインダクタンス成分や容量
成分を実質的に無視することが出来、また、パルストラ
ンスの直列抵抗を小さく出来ると共にそのばらつきも抑
えることが出来る。
(57) Abstract: An ATM-LAN physical layer interface technology capable of easily matching a characteristic impedance with a transmission line is provided. A hybrid integrated circuit (9) for coupling a line terminating device for constituting an ATM-LAN physical layer interface to a transmission line includes a terminating resistor (R10) for matching characteristic impedance with the transmission line. The second pulse transformer (92) for reception is arranged close to the second pulse transformer (92), and the coupling coefficient of the second pulse transformer is set to 0.9996 or more. As a result, the negative desired inductance component or capacitance component present in the wiring from the secondary side of the second pulse transformer to the terminating resistor can be substantially ignored, and the series resistance of the pulse transformer can be reduced. At the same time, the variation can be suppressed.
Description
【0001】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は、特性インピーダン
スの相違される複数種類の伝送線に対してインピーダン
ス整合を図ることが出来るATM−LAN物理層インタ
フェース技術に関し、更に詳しくは、ATM−LANシ
ステムに用いられる物理層の回線終端装置を伝送線に結
合するためのパルストランス及び終端抵抗をモジュール
化する技術に係り、例えば、ICカード化されたATM
−LANインタフェース用のアダプタに適用して有効な
技術に関するものである。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an ATM-LAN physical layer interface technology capable of achieving impedance matching for a plurality of types of transmission lines having different characteristic impedances, and more specifically to an ATM-LAN system. The present invention relates to a technique of modularizing a pulse transformer and a terminating resistor for coupling a line terminating device of a physical layer used to a transmission line, for example, an ATM in an IC card.
-It relates to a technique effectively applied to an adapter for a LAN interface.
【0002】[0002]
【従来の技術】ATM(Asynchronous Transfer Mode;
非同期転送モード)技術をLAN(Local Area Networ
k)に導入したATM−LANは、低速度の通信や情報
量の少ない通信から高速高帯域の通信まで、通信中であ
っても帯域を自由に変えることができるATM交換の技
術を導入し、送受信が1対1対応の関係で行われ、それ
によって、スループットを向上させた超高速のデータ伝
送を実現できる。2. Description of the Related Art ATM (Asynchronous Transfer Mode);
Asynchronous transfer mode) technology for LAN (Local Area Network)
The ATM-LAN introduced in k) introduces ATM exchange technology that can freely change the band even during communication, from low speed communication and communication with a small amount of information to high speed and high bandwidth communication, Transmission / reception is performed in a one-to-one correspondence relationship, whereby ultra-high-speed data transmission with improved throughput can be realized.
【0003】前記ATM−LANの物理層インタフェー
スの概念を説明すると、送信側には送信用ドライバ回路
が配置され、受信側には波形等化フィルタ回路が配置さ
れ、送信用ドライバ回路から出力されるパルス波形を送
信波形テンプレートフィルタ回路にて規定の波形に制限
し、このテンプレートフィルタ回路の出力はパルストラ
ンスを介してツイストペア線の一端側に与えられる。ツ
イストペア線の他端側は、パルストランスを介して前記
波形等化フィルタ回路に与えられ、波形等化フィルタ回
路は、入力受信波形をパルス波形に再生する。受信側の
パルストランスの2次側には終端抵抗を配置して、前記
ツイストペア線の特性インピーダンスとの整合を図り、
受信信号波形の歪みを小さくしている。To explain the concept of the physical layer interface of the ATM-LAN, a transmitting driver circuit is arranged on the transmitting side, a waveform equalizing filter circuit is arranged on the receiving side, and the signal is output from the transmitting driver circuit. The pulse waveform is limited to a prescribed waveform by the transmission waveform template filter circuit, and the output of this template filter circuit is given to one end side of the twisted pair line via the pulse transformer. The other end of the twisted pair wire is given to the waveform equalization filter circuit via a pulse transformer, and the waveform equalization filter circuit reproduces the input reception waveform into a pulse waveform. A terminating resistor is arranged on the secondary side of the pulse transformer on the receiving side to achieve matching with the characteristic impedance of the twisted pair line,
The distortion of the received signal waveform is reduced.
【0004】このとき、ATM−LANの物理層インタ
フェースに関する機能仕様は、1994年〜1995年
にかけてATM Forum Technical Committeeから発行され
たPhysical Interface Specification for 25.6Mb/s ov
er Twisted Pair Cableに述べられており、それに利用
されるツイストペア線は、最長100mで、特性インピ
ーダンス100ΩのUTP(Unshield Twisted Pair;
無シールドのツイストペア線)又は特性インピーダンス
150ΩのSTP(Shield Twisted Pair;シールド付
きツイストペア線)若しくは特性インピーダンス120
ΩのFTP(Foiled Twisted Pair;被覆ツイストペア
線)とされる。At this time, the functional specifications relating to the physical layer interface of the ATM-LAN are the Physical Interface Specification for 25.6 Mb / s ov issued by the ATM Forum Technical Committee from 1994 to 1995.
er Twisted Pair Cable, the twisted pair wire used for it has a maximum length of 100 m and a characteristic impedance of 100Ω UTP (Unshield Twisted Pair;
Unshielded twisted pair wire) or STP (Shield Twisted Pair) with characteristic impedance of 150Ω or characteristic impedance 120
Ω of FTP (Foiled Twisted Pair).
【0005】1994年5月1日発行のトランスイッチ
社「ATM Line Interface Devices for 25Mbit/s Operat
ion TXC-07025 Chip Set DATA SHEET」の第24及び第
25頁には、ATM−LAN用のTC(Transmission C
onvergence)やPMD(Physical Media Dependent Sub
layer)を実現するLSI(前記送信用ドライバ回路や
波形等化フィルタ回路などを備えて半導体集積回路化さ
れたATM−LAN物理層の回線終端装置に対応される
回路と考えられる)と、フィルタやトランスを備えたハ
イブリッドモジュールが示されている。終端抵抗は前記
LSI(LargeScale Integration)に外付けする設計と
されている。Transwitch "ATM Line Interface Devices for 25Mbit / s Operat" issued May 1, 1994
pages 24 and 25 of "ion TXC-07025 Chip Set DATA SHEET", TC (Transmission C for ATM-LAN)
onvergence) and PMD (Physical Media Dependent Sub)
layer), which is considered to be a circuit corresponding to the line terminating device of the ATM-LAN physical layer, which includes the transmission driver circuit, the waveform equalization filter circuit, etc. and is formed into a semiconductor integrated circuit, and a filter and A hybrid module with a transformer is shown. The terminating resistor is designed to be externally attached to the LSI (Large Scale Integration).
【0006】[0006]
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、本発明
者は上記従来技術を検討したところ、前記TCやPMD
を実現するLSIと前記ハイブリッドモジュールをプリ
ント配線基板などに実装すると共に、両者を接続する受
信系の配線に終端抵抗を実装する場合には、前記ハイブ
リッドモジュールに含まれる受信用のパルストランスに
おける2次側から前記終端抵抗までの距離が長くなり、
また、その距離は終端抵抗の実装位置によってばらつく
ことが予想される。これにより、終端抵抗により伝送線
との特性インピーダンスの整合を図る上で、前記パルス
トランスの2次側から前記終端抵抗までの配線に存在す
る不所望なインダクタンス成分や容量成分を無視出来な
くなり、終端抵抗の値を調整しなければ、伝送線との間
で特性インピーダンスを良好に整合させることが出来な
くなる虞のあることが明らかにされた。However, when the present inventor examined the above-mentioned prior art, the above-mentioned TC and PMD
When the LSI for realizing the above and the hybrid module are mounted on a printed wiring board or the like, and a terminating resistor is mounted on the wiring of the receiving system connecting them, the secondary in the pulse transformer for reception included in the hybrid module. The distance from the side to the terminating resistor becomes longer,
Further, it is expected that the distance will vary depending on the mounting position of the terminating resistor. As a result, in order to match the characteristic impedance with the transmission line by the terminating resistor, it is not possible to ignore undesired inductance components and capacitance components present in the wiring from the secondary side of the pulse transformer to the terminating resistor, and the terminating resistor can be used. It has been clarified that the characteristic impedance may not be well matched with the transmission line unless the resistance value is adjusted.
【0007】また、伝送線の特性インピーダンスとの整
合を図る上において、パルストランスの直列抵抗(1次
側から見たパルストランスの抵抗)を考慮したとき、パ
ルストランスの直列抵抗やその直列抵抗のばらつきが大
きい場合には、ATM−LANの物理層インタフェース
に関する上記機能仕様で定められている複数種類のツイ
ストペア線に対して、その何れを採用するかによっても
終端抵抗の値を変化させなければならなくなる事態が予
想される。そうすると、ATM−LANの物理層インタ
フェースや伝送プロトコルを司るシステム若しくはアダ
プタカードを、ツイストペア線の種類毎に提供しなけれ
ばならないという不便を強いられ、また、ユーザにとっ
ても使い勝手が悪くなることが本発明者によって見出さ
れた。Further, in consideration of the series resistance of the pulse transformer (the resistance of the pulse transformer viewed from the primary side) in matching with the characteristic impedance of the transmission line, the series resistance of the pulse transformer and the series resistance of the series resistance of the pulse transformer are considered. When the variation is large, the value of the terminating resistance must be changed depending on which of a plurality of types of twisted pair lines defined in the above-mentioned functional specifications regarding the physical layer interface of the ATM-LAN is adopted. It is expected that it will disappear. In this case, it is inconvenient that a system or an adapter card that controls the physical layer interface of the ATM-LAN and a transmission protocol must be provided for each type of twisted pair wire, and the usability for the user is deteriorated. Found by the person.
【0008】本発明の目的は、伝送線との特性インピー
ダンスの整合を容易化できるATM−LAN物理層イン
タフェース技術を提供することにある。An object of the present invention is to provide an ATM-LAN physical layer interface technique which can facilitate matching of characteristic impedance with a transmission line.
【0009】本発明の別の目的は、特性インピーダンス
の異なった複数種類の伝送線の何れに対しても、終端抵
抗を変えることなくインピーダンス整合を図ることがで
きるATM−LAN物理層インタフェース技術を提供す
ることにある。Another object of the present invention is to provide an ATM-LAN physical layer interface technology capable of achieving impedance matching with respect to any of a plurality of types of transmission lines having different characteristic impedances without changing the terminating resistance. To do.
【0010】本発明のその他の目的は、終端抵抗により
伝送線との特性インピーダンスの整合を図る上で、受信
側のパルストランスの2次側から前記終端抵抗までの配
線に存在する不所望なインダクタンス成分や容量成分を
実質的に無視出来るATM−LAN物理層インタフェー
ス技術を提供することにある。Another object of the present invention is to obtain an undesired inductance existing in the wiring from the secondary side of the pulse transformer on the receiving side to the terminating resistor in order to match the characteristic impedance with the transmission line by the terminating resistor. An object of the present invention is to provide an ATM-LAN physical layer interface technology capable of substantially ignoring components and capacity components.
【0011】本発明の前記並びにその他の目的と新規な
特徴は本明細書の記述及び添付図面から明らかになるで
あろう。The above and other objects and novel features of the present invention will be apparent from the description of this specification and the accompanying drawings.
【0012】[0012]
【課題を解決するための手段】本願において開示される
発明のうち代表的なものの概要を簡単に説明すれば下記
の通りである。The following is a brief description of an outline of a typical invention among the inventions disclosed in the present application.
【0013】すなわち、ATM−LAN物理層インタフ
ェースを構成するための回線終端装置(8)を伝送線
(3,4)に結合するための混成集積回路(9)は、伝
送線との特性インピーダンス整合用の終端抵抗(R1
0)を有する。終端抵抗は、受信用の第2のパルストラ
ンス(92)と10mm以内の間隔で、混成集積回路の
基板(93)に実装されている。第2のパルストランス
と終端抵抗を上述のように近接配置するには、例えば、
前記第2のパルストランスの2次側と前記終端抵抗を、
前記基板の表裏面から前記1対の出力端子に共通接続す
る実装形態を採用することが出来る。That is, the hybrid integrated circuit (9) for coupling the line terminating device (8) for constructing the ATM-LAN physical layer interface to the transmission line (3, 4) has a characteristic impedance matching with the transmission line. Terminal resistor (R1
0). The terminating resistor is mounted on the substrate (93) of the hybrid integrated circuit at an interval of 10 mm or less with the second pulse transformer (92) for reception. To arrange the second pulse transformer and the terminating resistor close to each other as described above, for example,
The secondary side of the second pulse transformer and the terminating resistor,
It is possible to adopt a mounting form in which the front and back surfaces of the substrate are commonly connected to the pair of output terminals.
【0014】これによれば、前記パルストランスの2次
側から前記終端抵抗までの距離は極めて短く、しかも、
その距離は何れの混成集積回路においても実質的に一定
するので、終端抵抗によって伝送線との特性インピーダ
ンスの整合を図る上で、前記第2のパルストランス(9
2)の2次側から前記終端抵抗(R10)までの配線に
存在する負所望なインダクタンス成分や容量成分を実質
的に無視することが出来る。したがって、個別的に前記
終端抵抗の値を調整することなく、伝送線との間で特性
インピーダンスを整合させることが容易になる。尚、上
記混成集積回路は、回線終端装置から出力された送信用
のパルス波形を規定の波形に制限する送信波形フィルタ
回路(90)と、この送信波形フィルタ回路の出力を1
次側に受ける第1のパルストランス(91)も実装され
ている。According to this, the distance from the secondary side of the pulse transformer to the terminating resistor is extremely short, and
Since the distance is substantially constant in any of the hybrid integrated circuits, in order to match the characteristic impedance with the transmission line by the terminating resistor, the second pulse transformer (9
The negative desired inductance component or capacitance component existing in the wiring from the secondary side of 2) to the terminating resistor (R10) can be substantially ignored. Therefore, it becomes easy to match the characteristic impedance with the transmission line without individually adjusting the value of the terminating resistor. The hybrid integrated circuit outputs a transmission waveform filter circuit (90) for limiting the transmission pulse waveform output from the line terminating device to a prescribed waveform and an output of the transmission waveform filter circuit.
A first pulse transformer (91) received on the next side is also mounted.
【0015】前記第1及び第2のパルストランス(9
1,92)の結合係数を0.9996以上にすることに
より、当該パルストランスの巻数を例えば30程度又は
それ以下にすることができ、パルストランスの1次側か
ら見た抵抗即ち直列抵抗を小さく出来ると共にそのばら
つきも抑えることが出来る。例えば、前記第1及び第2
のパルストランスに、マンガン−亜鉛系で比透磁率が5
000以上のコアを適用して、直列抵抗を1Ω以下にす
ることができる。パルストランスの1次側から見た抵抗
即ち直列抵抗を小さく出来ると共にそのばらつきも抑え
ることが出来るので、ATM−LANの物理層インタフ
ェースに関する機能仕様で定められている複数種類の伝
送線に対して、それらの特性インピーダンスの内の中間
の値を終端抵抗(R10)に採用すれば、特性インピー
ダンスが相違される何れの伝送線を採用しても、第2の
パルストランスの直列抵抗と終端抵抗とのインピーダン
スが伝送線の特性インピーダンスに整合できる許容範囲
を超えてインピーダンス不整合になる事態を生じない。
これにより、例えば、前記伝送線として、夫々伝送速度
が25.6メガビット/秒のATM−LANに用いられ
るところの、150Ωのシールド付きツイストペア線、
100Ωの無シールドツイストペア線、120Ωのシー
ルドツイストペア線に対して、その中間の値である約1
20Ωを前記終端抵抗の抵抗値として採用する場合に
は、その3種類の仕様の伝送線に対して、共通にインピ
ーダンス整合させることができる。このことにより、A
TM−LANの物理層インタフェースや伝送プロトコル
を司るシステム若しくはアダプタカードを、ツイストペ
ア線の種類毎に提供しなければならないという不便を強
いられず、また、ユーザにとっても使い勝手の良好なシ
ステム若しくはATM−LANアダプタを提供すること
ができる。The first and second pulse transformers (9
By setting the coupling coefficient of (1, 92) to 0.9996 or more, the number of turns of the pulse transformer can be reduced to, for example, about 30 or less, and the resistance viewed from the primary side of the pulse transformer, that is, the series resistance is reduced. It can be done and the variation can be suppressed. For example, the first and second
Pulse transformer of manganese-zinc system with relative permeability of 5
By applying 000 or more cores, the series resistance can be reduced to 1Ω or less. Since the resistance viewed from the primary side of the pulse transformer, that is, the series resistance can be reduced and its variation can be suppressed, it is possible to reduce the variation of the resistance of the pulse transformer to a plurality of types of transmission lines defined in the functional specifications relating to the physical layer interface of the ATM-LAN. If an intermediate value of those characteristic impedances is adopted as the terminating resistance (R10), the series resistance and the terminating resistance of the second pulse transformer will be the same regardless of which transmission line is used. The impedance does not exceed the allowable range that can match the characteristic impedance of the transmission line, resulting in impedance mismatch.
Thus, for example, as the transmission line, a twisted pair wire with a shield of 150Ω, which is used in an ATM-LAN having a transmission speed of 25.6 megabits / second,
About 1 which is an intermediate value between 100Ω unshielded twisted pair wire and 120Ω shielded twisted pair wire.
When 20Ω is adopted as the resistance value of the terminating resistor, impedance matching can be performed in common with the transmission lines of the three types of specifications. By this, A
A system or an ATM-LAN that is convenient for the user without the inconvenience of having to provide a system or adapter card that controls the physical layer interface or transmission protocol of TM-LAN for each type of twisted pair line An adapter can be provided.
【0016】前記混成集積回路(9)に内蔵される送信
用の第1のパルストランス(91)も受信用の第2のパ
ルストランス(92)と同一の仕様で構成され、その結
合係数及び直列抵抗も第2のパルストランス(92)と
同一であるから、送信側に要求されるリターンロスも極
めて小さくすることができる。このことは、1対1対応
で送信ノードと受信ノードが結合されるATM−LAN
の性質上、混成集積回路(9)、さらにはそれを適用し
たATM−LANアダプタは、一つの伝送系全体として
の伝送精度を向上できる。The first pulse transformer (91) for transmission built in the hybrid integrated circuit (9) is also constructed with the same specifications as the second pulse transformer (92) for reception, and its coupling coefficient and series. Since the resistance is the same as that of the second pulse transformer (92), the return loss required on the transmitting side can be made extremely small. This is an ATM-LAN in which a sending node and a receiving node are connected in a one-to-one correspondence.
Due to the nature of the above, the hybrid integrated circuit (9) and the ATM-LAN adapter to which it is applied can improve the transmission accuracy of one transmission system as a whole.
【0017】ATM−LANアダプタは、前記混成集積
回路(9)と、該混成集積回路に結合される回線終端装
置(8)とを備え、回線終端装置は、前記混成集積回路
の入力端子に出力が結合された送信ドライバ回路(8
0)と、前記混成集積回路の出力端子に入力が結合され
前記第2のパルストランスから得られる受信波形をパル
ス波形に再生する波形等化フィルタ回路(81)とを含
んで半導体集積回路化することができる。前記混成集積
回路により、前記終端抵抗などの外付け部品が無くなる
ので、ATM−LANアダプタの小型化に寄与する。The ATM-LAN adapter comprises the hybrid integrated circuit (9) and a line terminating device (8) coupled to the hybrid integrated circuit, and the line terminating device outputs to the input terminal of the hybrid integrated circuit. Transmission driver circuit (8
0) and a waveform equalization filter circuit (81) whose input is coupled to the output terminal of the hybrid integrated circuit and which reproduces the received waveform obtained from the second pulse transformer into a pulse waveform, thereby forming a semiconductor integrated circuit. be able to. The hybrid integrated circuit eliminates external parts such as the terminating resistor, which contributes to downsizing of the ATM-LAN adapter.
【0018】前記ATM−LANアダプタは、回線終端
装置を介して送信すべきデータ及び前記回線終端装置を
介して受信したデータに対するATM−LANのプロト
コル制御を行うATMコントローラ(106〜110)
を更に含み、このATMコントローラと共に、前記混成
集積回路と物理層の回線終端装置とを、パーソナルコン
ピュータに実装可能なサイズのカード基板(100)に
搭載して、ICカード化することができる。The ATM-LAN adapter is an ATM controller (106-110) for controlling the ATM-LAN protocol for data to be transmitted via the line terminating device and data received via the line terminating device.
In addition, the hybrid integrated circuit and the line terminating device of the physical layer together with the ATM controller can be mounted on a card board (100) of a size mountable in a personal computer to form an IC card.
【0019】[0019]
《ATM−LAN物理層のシステム構成》 図3は、A
TM−LAN物理層のシステム構成の一例を示す。AT
M−LANは伝送線専有型のLANである。伝送線専有
型のLANは、一つの伝送線にノードを一つだけ接続
し、それをハブ等に集線して、交換するものである。以
下で説明する発明の実施の形態では、特に制限されない
が、25.6メガビット/秒のATM−LANに着目し
ている。図3において、1はパーソナルコンピュータ又
はワークステーション等の端末装置である。2は端末装
置1に1対1対応されて設けられたATM−LANイン
タフェース回路である。3,4はツイストペア線(伝送
線)、5は上記ツイストペア線3,4が集線されたAT
Mハブ、6は高速伝送用ケーブルである。尚、図3にお
いてATMハブ5に集線されるツイストペア線は3,4
が代表的に示されているが、実際にはその他の端末装置
からのツイストペア線も集線されている。このATMハ
ブ5は、特に図示はしないが、伝送経路を切り替えるた
めのATM交換機としてのスイッチマトリクスや、前記
高速伝送用ケーブル6を介してハブ間の伝送を行う為の
多重分離装置などを備える。<< ATM-LAN Physical Layer System Configuration >> FIG.
An example of a system configuration of a TM-LAN physical layer is shown. AT
The M-LAN is a transmission line exclusive LAN. In the transmission line-proprietary type LAN, only one node is connected to one transmission line, which is concentrated on a hub or the like and exchanged. Although not particularly limited, the embodiments of the invention described below focus on an ATM-LAN of 25.6 megabits / second. In FIG. 3, reference numeral 1 is a terminal device such as a personal computer or a workstation. Reference numeral 2 is an ATM-LAN interface circuit provided in a one-to-one correspondence with the terminal device 1. 3 and 4 are twisted pair lines (transmission lines), 5 is an AT where the above twisted pair lines 3 and 4 are concentrated
M hub, 6 is a cable for high speed transmission. In addition, in FIG. 3, the twisted pair wires concentrated on the ATM hub 5 are 3, 4
However, in reality, twisted pair lines from other terminal devices are also concentrated. Although not shown, the ATM hub 5 includes a switch matrix as an ATM switch for switching the transmission path, a demultiplexing device for performing transmission between the hubs via the high-speed transmission cable 6, and the like.
【0020】上記ATM−LANインタフェース回路2
とハブ5は、ATM−LAN用のPMD(Physical Med
ia Dependent;物理媒体依存)サブレーヤ用の半導体集
積回路化された回線終端装置(以下単にPMD半導体チ
ップとも記す)8、そしてこのPMD半導体チップ8を
ツイストペア線3,4に接続するためのパルストランス
を備えた混成集積回路(以下単にトランスモジュールと
も称する)9を含んでいる。The ATM-LAN interface circuit 2
The hub and the hub 5 are PMD (Physical Med) for ATM-LAN.
ia Dependent; Physical medium dependent) A line termination device (hereinafter simply referred to as a PMD semiconductor chip) 8 which is made into a semiconductor integrated circuit for a sublayer, and a pulse transformer for connecting the PMD semiconductor chip 8 to the twisted pair lines 3 and 4. It includes a hybrid integrated circuit (hereinafter also simply referred to as a transformer module) 9 provided.
【0021】《PMD半導体チップ》 図4には前記P
MD半導体チップ8と前記トランスモジュール9の一例
ブロック図が示される。PMD半導体チップ8は、特に
制限されないが、CMOS集積回路製造技術によって、
単結晶シリコンなどの1個の半導体基板に形成されてい
る。PMD半導体チップ8は、代表的に示された外部端
子として、1対の送信端子TX−A,TX−B、1対の
受信端子RX−A,RX−B、データ出力端子RX−D
ata、データ入力端子TX−Data、クロック入力
端子TX−Clk、クロック出力端子RX−Clkを有
する。PMD半導体チップ8は、送信ドライバ回路8
0、波形等化フィルタ回路81、ループバック回路8
2、クロック抽出用のPLL(Phase lock loop)回路
83、受信用のデータラッチ回路84、及び送信用のデ
ータラッチ回路85を備える。<< PMD Semiconductor Chip >> In FIG.
An example block diagram of the MD semiconductor chip 8 and the transformer module 9 is shown. The PMD semiconductor chip 8 is not particularly limited, but by the CMOS integrated circuit manufacturing technology,
It is formed on one semiconductor substrate such as single crystal silicon. The PMD semiconductor chip 8 has a pair of transmitting terminals TX-A, TX-B, a pair of receiving terminals RX-A, RX-B, and a data output terminal RX-D as representatively shown external terminals.
data, a data input terminal TX-Data, a clock input terminal TX-Clk, and a clock output terminal RX-Clk. The PMD semiconductor chip 8 includes a transmission driver circuit 8
0, waveform equalization filter circuit 81, loopback circuit 8
2. A PLL (Phase lock loop) circuit 83 for clock extraction, a data latch circuit 84 for reception, and a data latch circuit 85 for transmission are provided.
【0022】前記トランスモジュール9についてはその
詳細を後述するが、図1に示すように入力端子TY−
A,TY−Bから供給される差動信号を送信波形フィル
タ回路(以下単に送信フィルタ又は送信波形テンプレー
トフィルタ回路とも記す)90で受け、この送信フィル
タ90の出力を第1のパルストランス(以下単に送信ト
ランスとも記す)91の1次側に受けその2次側が送信
端子TZ−A,TZ−Bに結合され、また、受信端子R
Z−A,RZ−Bに第2のパルストランス(以下単に受
信トランスとも記す)92の1次側が結合され2次側が
出力端子RY−A,RY−Bに結合されると共に、受信
トランス92の2次側にツイストペア線4とのインピー
ダンス整合用の終端抵抗R10が近接配置されて構成さ
れる。The transformer module 9 will be described in detail later, but as shown in FIG. 1, the input terminal TY-
A differential signal supplied from A and TY-B is received by a transmission waveform filter circuit (hereinafter also simply referred to as a transmission filter or a transmission waveform template filter circuit) 90, and the output of the transmission filter 90 is received by a first pulse transformer (hereinafter simply referred to as "transmission filter"). Also referred to as a transmission transformer) 91 is received on the primary side and its secondary side is coupled to the transmission terminals TZ-A and TZ-B, and the reception terminal R
A primary side of a second pulse transformer (hereinafter also simply referred to as a receiving transformer) 92 is coupled to ZA and RZ-B, a secondary side thereof is coupled to output terminals RY-A and RY-B, and at the same time, a receiving transformer 92 A terminating resistor R10 for impedance matching with the twisted pair wire 4 is arranged close to the secondary side.
【0023】図4に示した前記データ入力端子TX−D
ataは、例えばパーソナルコンピュータ等の端末装置
1の内部で扱われる文字や画像などのデータ信号の入力
端子であり、クロック入力端子TX−CLKから供給さ
れる送信クロックに同期して、データラッチ回路85に
取り込まれる。データラッチ回路85に取り込まれたデ
ータは、送信ドライバ回路80から差動信号として前記
送信端子TX−A,TX−Bに出力される。送信端子T
X−A,TX−Bはトランスモジュール9の入力端子T
Y−A,TY−Bに結合され、この入力端子TY−A,
TY−Bに入力された信号は送信フィルタ90により、
その出力パルス波形がテンプレートで規定される規定値
内に制限され、送信トランス91を介して送信端子TZ
−A,TZ−Bに出力される。送信端子TZ−A,TZ
−Bからの送信出力信号は、ツイストペア線3を介して
伝送される。ツイストペア線3,4は、最長100m、
特性インピーダンス100ΩのUTP(無シールドツイ
ストペア線)又は同120Ωの若しくは150ΩのST
P(シールド付きツイストペア線)とされる。The data input terminal TX-D shown in FIG.
data is an input terminal for data signals such as characters and images handled inside the terminal device 1 such as a personal computer, and the data latch circuit 85 is synchronized with the transmission clock supplied from the clock input terminal TX-CLK. Is taken into. The data fetched by the data latch circuit 85 is output from the transmission driver circuit 80 to the transmission terminals TX-A and TX-B as a differential signal. Transmission terminal T
X-A and TX-B are input terminals T of the transformer module 9.
The input terminals TY-A and TY-A are connected to YA and TY-B.
The signal input to TY-B is transmitted by the transmission filter 90.
The output pulse waveform is limited to within the specified value specified by the template, and the transmission terminal TZ is transmitted via the transmission transformer 91.
-A, TZ-B is output. Transmission terminal TZ-A, TZ
The transmission output signal from −B is transmitted via the twisted pair wire 3. The maximum length of the twisted pair wires 3 and 4 is 100m,
UTP (unshielded twisted pair wire) with characteristic impedance of 100Ω or ST of 120Ω or 150Ω
P (shielded twisted pair wire).
【0024】一方、図4に示すようにツイストペア線4
から受信端子RZ−A,RZ−Bに入力された信号は、
受信トランス92、及び出力端子RY−A,RY−Bを
経て、PMD半導体チップ8の受信端子RX−A,RX
−Bに入力される。入力された受信信号は、波形等化フ
ィルタ回路81によってパルス波形に再生される。伝送
速度25.6Mビット/秒のATM−LANシステムで
は、4B/5B変換されたNRZI(Non-Return to Ze
ro Inverse)符号が用いられるため、実際に伝送される
信号は最高32Mビット/秒であり、16MHzまでの
周波数成分が含まれる。したがって上記の波形等化フィ
ルタ回路81は16MHzまでの周波数範囲のハイパス
特性を有するようにされている。On the other hand, as shown in FIG.
The signals input from the receiving terminals RZ-A and RZ-B from
The receiving terminals RX-A and RX of the PMD semiconductor chip 8 through the receiving transformer 92 and the output terminals RY-A and RY-B.
-Entered in B. The input reception signal is reproduced into a pulse waveform by the waveform equalization filter circuit 81. In an ATM-LAN system with a transmission rate of 25.6 Mbit / sec, 4B / 5B converted NRZI (Non-Return to Ze) is used.
Since the ro Inverse) code is used, the actual transmitted signal has a maximum of 32 Mbit / sec and includes frequency components up to 16 MHz. Therefore, the waveform equalization filter circuit 81 is designed to have high-pass characteristics in the frequency range up to 16 MHz.
【0025】図4に示すように、PLL回路83は波形
等化フィルタ回路81の出力信号から32MHzの安定
したクロック信号をクロック出力端子RX−CLKに向
けて同期抽出する。この同期抽出されたクロック信号に
よって波形等化フィルタ回路81の出力データをデータ
ラッチ回路84でラッチし、データ出力端子RX−Da
taから出力する。尚、前記ループバック回路82は、
ここには示されていない受信信号の検出手段が通信中に
受信信号の断を検出した場合に、送信信号を代用してあ
る時間PLLの同期を保持するために設けられた回路で
あると同時に、例えばPMD半導体チップ8に電源が投
入された直後の非送信時に不要な信号が送出されること
を防ぐ機能を有している。As shown in FIG. 4, the PLL circuit 83 synchronously extracts a stable 32 MHz clock signal from the output signal of the waveform equalization filter circuit 81 toward the clock output terminal RX-CLK. The output data of the waveform equalization filter circuit 81 is latched by the data latch circuit 84 by the clock signal extracted in synchronization with the data output terminal RX-Da.
Output from ta. The loopback circuit 82 is
At the same time as the circuit provided to hold the synchronization of the PLL for a certain time by substituting the transmission signal when the reception signal detecting means (not shown) detects disconnection of the reception signal during communication. For example, the PMD semiconductor chip 8 has a function of preventing an unnecessary signal from being transmitted during non-transmission immediately after the power is turned on.
【0026】《トランスモジュール》 図1には図3,
図4に示した前記トランスモジュール9の詳細な一例回
路が示されている。図1においてトランスモジュール9
は、ガラスエポキシ基板93の表裏面の要所に、前記送
信フィルタ90、送信トランス91、受信トランス92
及び終端抵抗R10が配置され、更に、送信トランス9
1と送信端子TZ−A,TZ−Bとの間、そして受信ト
ランス92と受信端子RZ−A,RZ−Bとの間に、同
相ノイズ成分を除去するためのコモンチョークコイル9
5,94がそれぞれ配置されている。<< Transformer Module >> FIG.
A detailed example circuit of the transformer module 9 shown in FIG. 4 is shown. In FIG. 1, the transformer module 9
Is a transmission filter 90, a transmission transformer 91, and a reception transformer 92 on the front and back surfaces of the glass epoxy substrate 93.
And a terminating resistor R10 are arranged, and further, the transmission transformer 9
1 and the transmission terminals TZ-A and TZ-B, and between the reception transformer 92 and the reception terminals RZ-A and RZ-B, a common choke coil 9 for removing a common-mode noise component.
5, 94 are arranged respectively.
【0027】前記送信フィルタ90は、容量C24〜C
29、インダクタンスL3〜L6及び抵抗R12,R1
3,R19を図示のように接続して構成されている。こ
の送信フィルタ90は、前述のように、入力パルス波形
をテンプレート(パルスマスク)で規定される規定値内
に制限して出力するものである。そのようなテンプレー
トは、例えば、ATM_Forum/94-1008R5で仕様化されてお
り、上記ATM−LANの物理層インタフェースにおい
ては、伝送効率を良くするために、伝送情報における論
理値”0”又は”1”の連続ビット数(シンボル数)を
5シンボルに制限しており、テンプレートは、同一論理
値のシンボル数毎にその波形(トランスの出力波形)を
規定している。送信フィルタ90は、そのようなテンプ
レートを満足する送信波形を送信トランス91の2次側
から出力するために採用されている。The transmission filter 90 has capacitors C24 to C.
29, inductances L3 to L6 and resistors R12 and R1
3, R19 are connected as shown in the figure. As described above, the transmission filter 90 limits the input pulse waveform to within the specified value specified by the template (pulse mask) and outputs it. Such a template is specified by, for example, ATM_Forum / 94-1008R5, and in the physical layer interface of the above ATM-LAN, in order to improve the transmission efficiency, a logical value "0" or "1" in the transmission information is used. The number of consecutive bits (the number of symbols) of "is limited to 5 symbols, and the template defines the waveform (transformer output waveform) for each number of symbols having the same logical value. The transmission filter 90 is adopted to output a transmission waveform satisfying such a template from the secondary side of the transmission transformer 91.
【0028】前記ガラスエポキシ基板93の表裏面への
上記各回路部品の実装形態の詳細は図2に示されてい
る。図2においてLD1〜LD14は夫々表裏面に連通
する導電パターンから成る円形ランド、LD15〜LD
18は導電パターンから成る方形ランド、TH1,TH
2はガラスエポキシ基板93の表裏面に導電層が貫通さ
れるスルーホールである。前記送信フィルタ90を構成
する各回路部品及び終端抵抗R10は、図2の(A)に
示されるようにガラスエポキシ基板93の表面に形成さ
れた配線層(太い実線で図示)の所定位置に実装されい
る。図2の(B)に示されるようにガラスエポキシ基板
93の裏面には、トランス91,92とチョークコイル
94,95がランドLD5,LD7,LD8,LD9,
LD17,LD18,LD12,LD14,LD15,
LD16及びスルーホールTH1,TH2に対応リード
線を接続して実装されている。それらリード線は太い破
線によって概念的に示されている。図1では回路的に未
使用のランドは図示を省略している。FIG. 2 shows the details of the mounting form of each of the above-mentioned circuit components on the front and back surfaces of the glass epoxy substrate 93. In FIG. 2, LD1 to LD14 are circular lands LD15 to LD, each of which is a conductive pattern communicating with the front and back surfaces.
18 is a rectangular land consisting of a conductive pattern, TH1, TH
Reference numeral 2 is a through hole through which a conductive layer is penetrated on the front and back surfaces of the glass epoxy substrate 93. Each circuit component forming the transmission filter 90 and the terminating resistor R10 are mounted at predetermined positions on a wiring layer (illustrated by a thick solid line) formed on the surface of the glass epoxy substrate 93 as shown in FIG. Has been done. As shown in FIG. 2B, transformers 91, 92 and choke coils 94, 95 are provided on the back surface of the glass epoxy substrate 93, and the lands LD5, LD7, LD8, LD9,
LD17, LD18, LD12, LD14, LD15,
The LD 16 and the through holes TH1 and TH2 are mounted by connecting corresponding lead wires. The leads are conceptually indicated by thick dashed lines. In FIG. 1, lands that are unused in the circuit are not shown.
【0029】各回路素子が実装されたガラスエポキシ基
板93は、組立工程において、図示を省略するリードフ
レームの上にランドLD1〜LD14を介して載置固定
され、その状態で各回路素子は全体的に樹脂96でモー
ルドされ、最後にリードフレームのフレーム部分がリー
ド端子の部分から切断除去されて、トランスモジュール
9が完成される。図1及び図2の例では、前記端子RZ
−A,RZ−B,TZ−A,TZ−B,RY−A,RY
−B,TY−A,TY−Bは円形にランドにリード端子
を固定したものとして図示されている。The glass epoxy board 93 on which each circuit element is mounted is mounted and fixed on a lead frame (not shown) via lands LD1 to LD14 in the assembly process, and in that state, each circuit element is entirely Then, it is molded with resin 96, and finally the frame portion of the lead frame is cut and removed from the lead terminal portion to complete the transformer module 9. In the example of FIGS. 1 and 2, the terminal RZ
-A, RZ-B, TZ-A, TZ-B, RY-A, RY
-B, TY-A, and TY-B are illustrated as circularly fixed lead terminals to the land.
【0030】前記エポキシ基板93は、特に制限されな
いが、縦が10.0mm、横が16.5mm、厚さが
0.38mmのサイズとされ、回路部品を実装した後の
全体的な厚さは最大で1.5mmの範囲に規定されてい
る。The epoxy substrate 93 is not particularly limited, but has a length of 10.0 mm, a width of 16.5 mm, and a thickness of 0.38 mm, and has a total thickness after mounting the circuit components. It is specified within a range of 1.5 mm at maximum.
【0031】ここで、受信トランス92の2次側と終端
抵抗R10との間隔は10mm以内に抑えられ、受信ト
ランス92の2次側と終端抵抗R10を接続する配線の
全長さはその間隔寸法によって規定されるところの比較
的短い長さとされている。図2の例に従えば、終端抵抗
R10とランドLD5,LD7を接続する配線パターン
の長さと、受信トランス92の2次側とランドLD5,
LD7とを接続するリード線の長さは、全体でも数mm
若しくは10mm程度に抑えられている。その配線長
は、終端抵抗R10を含めてトランスモジュール9を構
成する性質上、異なる製造ロットで製造された何れのト
ランスモジュール9でも実質的に一定である。これによ
れば、前記受信トランス92の2次側から前記終端抵抗
R10までの距離は極めて短く、しかも、その距離は何
れのトランスモジュールにおいても実質的に一定してい
るので、終端抵抗R10によって伝送線との特性インピ
ーダンスの整合を図る上で、前記受信トランス92の2
次側から前記終端抵抗R10までの配線に存在する不所
望なインダクタンス成分や容量成分を実質的に無視する
ことが出来る。Here, the distance between the secondary side of the receiving transformer 92 and the terminating resistor R10 is suppressed to within 10 mm, and the total length of the wiring connecting the secondary side of the receiving transformer 92 and the terminating resistor R10 depends on the distance dimension. It has a relatively short length as specified. According to the example of FIG. 2, the length of the wiring pattern connecting the terminating resistor R10 to the lands LD5 and LD7, the secondary side of the receiving transformer 92 and the lands LD5 and LD5.
The length of the lead wire connecting to LD7 is a few mm in total.
Alternatively, it is suppressed to about 10 mm. The wiring length is substantially constant in any of the transformer modules 9 manufactured in different manufacturing lots due to the property of forming the transformer module 9 including the terminating resistor R10. According to this, since the distance from the secondary side of the receiving transformer 92 to the terminating resistor R10 is extremely short, and the distance is substantially constant in any transformer module, transmission is performed by the terminating resistor R10. In order to match the characteristic impedance with the line, 2 of the receiving transformer 92 is used.
Undesired inductance components and capacitance components existing in the wiring from the next side to the terminating resistor R10 can be substantially ignored.
【0032】前記送信トランス91及び受信トランス9
2は、超広帯域特性を有するパルストランスとされ、マ
ンガン−亜鉛系で比透磁率が5000以上のコアを適用
して、結合係数は0.9996以上にされている。これ
により、当該パルストランス90,91の巻数は30程
度若しくはそれ以下にすることができ、パルストランス
の1次側から見た抵抗即ち直列抵抗を1Ω若しくはそれ
以下に小さく出来ると共にそのばらつきも抑えることが
出来る。The transmitting transformer 91 and the receiving transformer 9
Reference numeral 2 is a pulse transformer having an ultra-wide band characteristic, and a coupling coefficient is set to 0.9996 or more by applying a manganese-zinc system core having a relative magnetic permeability of 5000 or more. As a result, the number of turns of the pulse transformers 90 and 91 can be set to about 30 or less, and the resistance viewed from the primary side of the pulse transformer, that is, the series resistance can be reduced to 1Ω or less and its variation can be suppressed. Can be done.
【0033】この特性は、送信トランス91にとって
は、ATM_Forum/94-1008R5等で規定されているところ
の、送信回路のリターンロス(Transmitter Return Los
s=TRL)の規定を満足する。リターンロスは、1〜
6MHzの周波数帯域では14dB以上、6〜17MH
zの周波数帯域では12dB以上、17〜25MHzの
周波数帯域では8dB以上と規定される。ここでリター
ンロスについて図5を参照しながら説明する。図5は、
理解を容易化するために(A)に示すように、信号源V
s、信号源側のインピーダンスr0、そしてトランス、
伝送線及び負荷側のインピーダンスRLをモデル化し、
それを(B)に示されるように等価回路として表す。図
5においてLはトランスのインダクタンス、rtはトラ
ンスの直列抵抗、kはトランスの結合係数である。k・
Lはトランスの主磁束によるインダクタンス、(1−
k)・Lは漏れインダクタンスである。信号源Vsから
負荷側を見たときのインピーダンスZLは、 ZL=rt+jω(1−k)L+{ω2kL2(1−k)
+jωkL(rt+RL)}/(rt+RL+jωL) と表される。ここでω=2πf、fは周波数である。For the transmission transformer 91, this characteristic shows that the return loss (transmitter return loss) of the transmission circuit, which is defined by ATM_Forum / 94-1008R5 or the like.
s = TRL) is satisfied. Return loss is 1 to
14 dB or more in the frequency band of 6 MHz, 6 to 17 MH
It is defined as 12 dB or more in the frequency band of z and 8 dB or more in the frequency band of 17 to 25 MHz. Here, the return loss will be described with reference to FIG. FIG.
As shown in (A) to facilitate understanding, the signal source V
s, the impedance r0 on the signal source side, and the transformer,
Model the impedance RL on the transmission line and the load side,
It is represented as an equivalent circuit as shown in FIG. In FIG. 5, L is the inductance of the transformer, rt is the series resistance of the transformer, and k is the coupling coefficient of the transformer. k
L is the inductance due to the main magnetic flux of the transformer, (1-
k) · L is the leakage inductance. Impedance ZL looking into the load side from the signal source Vs is, ZL = rt + jω (1 -k) L + {ω 2 kL 2 (1-k)
+ JωkL (rt + RL)} / (rt + RL + jωL). Here, ω = 2πf, and f is the frequency.
【0034】上記インピーダンスZLの式において、k
≒1、ωL≫rt+RLとすると、インピーダンスZL
は、ZL≒2rt+RLに簡略化できる。In the above equation of impedance ZL, k
≈1, ωL >> rt + RL, impedance ZL
Can be simplified to ZL≈2rt + RL.
【0035】リターンロスの定義は、10・log(1
/Γ2)であり、Γ(反射率)は、Γ=|(r0−ZL)
/(r0+ZL)|である。したがって、ATM_Forum/94-1
008R3が規定するリターンロスを比較的容易に満足させ
るには、上記k≒1、ωL≫rt+RLの条件を満足す
る高性能なトランスを利用する事が望ましく、上記トラ
ンス91,92はその条件を満足することが出来る。The definition of return loss is 10 log (1
/ Γ 2 ), and Γ (reflectance) is Γ = | (r0-ZL)
/ (R0 + ZL) | Therefore, ATM_Forum / 94-1
In order to satisfy the return loss specified by 008R3 relatively easily, it is desirable to use a high-performance transformer that satisfies the condition of k≈1, ωL >> rt + RL, and the transformers 91 and 92 satisfy the condition. You can do it.
【0036】また、上記トランスの特性は、受信トラン
ス92にとっては、当該トランス92の1次側から見た
抵抗即ち直列抵抗を小さく出来ると共にそのばらつきも
抑えることが出来る。これにより、ATM−LANの物
理層インタフェースに関する機能仕様で定められている
複数種類の伝送線に対して、それらの特性インピーダン
スの内の中間の値を終端抵抗R10に採用すれば、特性
インピーダンスが相違される何れの伝送線を採用して
も、受信トランス92の直列抵抗と終端抵抗R10との
インピーダンスがツイストペア線の特性インピーダンス
に整合できる許容範囲を超えてインピーダンス不整合に
なる事態を生じない。したがって、夫々伝送速度が2
5.6メガビット/秒のATM−LANに用いられると
ころの、150Ωのシールド付きツイストペア線、10
0Ωの無シールドツイストペア線、120Ωの無シール
ドツイストペア線に対して、その中間の値である約12
0Ωを前記終端抵抗R10の抵抗値として採用すると、
その3種類の仕様の何れの伝送線に対しても、共通にイ
ンピーダンス整合させることができる。With respect to the characteristics of the above-mentioned transformer, for the receiving transformer 92, the resistance viewed from the primary side of the transformer 92, that is, the series resistance can be made small and its variation can be suppressed. Accordingly, for a plurality of types of transmission lines defined in the functional specifications relating to the physical layer interface of ATM-LAN, if an intermediate value among the characteristic impedances is adopted as the terminating resistor R10, the characteristic impedances are different. Regardless of which transmission line is used, the impedance mismatch between the series resistance of the receiving transformer 92 and the terminating resistor R10 does not exceed the allowable range in which the characteristic impedance of the twisted pair line can be matched, resulting in impedance mismatch. Therefore, each transmission rate is 2
Shielded twisted pair wire of 150Ω, which is used for ATM-LAN of 5.6 megabits / second, 10
About 12 which is an intermediate value between 0Ω unshielded twisted pair wire and 120Ω unshielded twisted pair wire.
If 0Ω is adopted as the resistance value of the terminating resistor R10,
Impedance matching can be commonly applied to any of the three types of transmission lines.
【0037】図6には、前記PMD半導体チップ8とト
ランスモジュール9を適用したATM−LAN用のアダ
プタ2Aの一例が示される。このATM−LANアダプ
タ2Aは、トランスモジュール9をPMD半導体チップ
8と及びその他の集積回路と共に横85.6mm、縦5
4.0mm、厚み5.0mmのいわゆるタイプ2と呼ば
れる標準ICカード基板100に実装して実現された、
例えば伝送速度25.6Mビット/秒のATM−LAN
用のICカードである。トランスモジュール9の送受信
信号は、このICカード基板100に設けられた図示し
ない第1の端子群とコネクタ101を介して最長5mの
ツイストペアケーブル102と接続され、このツイスト
ペアケーブル102は規定のジャック/ソケット103
によって最長90mの前記UTP、STP又はETPな
どのツイストペアケーブル104に接続される。前記ツ
イストペアケーブル102、104及びジャック/ソケ
ット103は前記ツイストペア線3,4に相当される。
一方、このICカード基板100は、例えばノート型な
どののパーソナルコンピュータ本体に挿し込まれ、IC
カードカード基板100に設けられた第2の端子群10
5からPCMCIA(Personal Computer Memory Card
International Association)バスインタフェースなど
を通じてパーソナルコンピュータ本体に搭載されたマイ
クロプロッセサと直接または間接的に接続され、このA
TM−LANアダプタカードを用いた各種データの送受
信および表示、加工などを可能とする。FIG. 6 shows an example of an ATM-LAN adapter 2A to which the PMD semiconductor chip 8 and the transformer module 9 are applied. This ATM-LAN adapter 2A has a transformer module 9 together with a PMD semiconductor chip 8 and other integrated circuits, in a width of 85.6 mm and a length of 5.
It was realized by mounting it on a standard IC card substrate 100 of so-called type 2 having a thickness of 4.0 mm and a thickness of 5.0 mm.
For example, ATM-LAN with a transmission rate of 25.6 Mbit / sec
IC card for. A transmission / reception signal of the transformer module 9 is connected to a twisted pair cable 102 having a maximum length of 5 m through a first terminal group (not shown) provided on the IC card substrate 100 and a connector 101, and the twisted pair cable 102 is a specified jack / socket. 103
Is connected to the twisted pair cable 104 such as UTP, STP or ETP having a maximum length of 90 m. The twisted pair cables 102, 104 and the jack / socket 103 correspond to the twisted pair wires 3, 4.
On the other hand, the IC card substrate 100 is inserted into a personal computer body such as a notebook type,
Card Second terminal group 10 provided on card board 100
5 to PCMCIA (Personal Computer Memory Card)
International Association) It is directly or indirectly connected to the microprocessor installed in the personal computer through a bus interface, etc.
It enables transmission / reception, display, and processing of various data using the TM-LAN adapter card.
【0038】図6に示されるのTC(Transmission Con
vergence)部106はPMD半導体チップ8と共にAT
M−LANにおける物理層を構成し、送受信データセル
のスクランブル/デスクランブル、4ビット/5ビット
変換、NRZ/NRZI符号変換、などの機能を内蔵す
る。ATMコントローラ部107は、マイクロプロセッ
サ108、ROM109及びRAM110と共に、たと
えば可変長パケットの各種データと固定長のATMセル
との変換、各種異なるバス形式のインタフェース変換な
どの機能を実現する。なお、このPMD及びTC等の機
能仕様については、1994年から1995年にかけて
ATM Forum Technical Committeeから発行されたPhysica
l Interface Specification for 25.6Mb/s over Twiste
d PairCableに詳しく述べられている。前記TC部10
6とATMコントローラ部107は単一のLSI(AT
M−LSI)によって構成されている。前記TC部10
6、ATMコントローラ部107、マイクロコンピュー
タ106,ROM109、RAM110は、送受信デー
タに対するATM−LANのプロトコル制御を行うAT
Mコントローラを構成する。DRAMから成るバッファ
メモリ111はデータの送受信に際してTMコントロー
ラ部107がデータバッファとして利用する。The TC (Transmission Con) shown in FIG.
The vergence) unit 106 is an AT together with the PMD semiconductor chip 8.
It constitutes a physical layer in the M-LAN and has functions such as scramble / descramble of transmission / reception data cells, 4-bit / 5-bit conversion, and NRZ / NRZI code conversion. The ATM controller 107, together with the microprocessor 108, the ROM 109, and the RAM 110, realizes functions such as conversion of various data of variable-length packets and ATM cells of fixed length, interface conversion of various different bus formats, and the like. Regarding the functional specifications of PMD and TC, from 1994 to 1995
Physica issued by ATM Forum Technical Committee
l Interface Specification for 25.6Mb / s over Twiste
It is described in detail in d Pair Cable. The TC section 10
6 and ATM controller 107 are a single LSI (AT
M-LSI). The TC section 10
An ATM controller 107, a microcomputer 106, a ROM 109, and a RAM 110 are ATs that perform ATM-LAN protocol control for transmission / reception data.
Configure the M controller. The buffer memory 111 composed of DRAM is used by the TM controller unit 107 as a data buffer when transmitting and receiving data.
【0039】上記実施例によれば以下の作用効果があ
る。〔1〕ATM−LAN物理層インタフェースを構成
するためのPMD半導体チップ(回線終端装置)8をツ
イストペア線(伝送線)3,4に結合するためのトラン
スモジュール(混成集積回路)9は、ツイストペア線と
の特性インピーダンス整合用の終端抵抗R10を有す
る。終端抵抗R10は、受信トランス92と10mm以
内の間隔で、トランスモジュールの基板93に実装され
ている。その実装形態として、受信トランス92の2次
側と前記終端抵抗R10を、基板93の表裏面から前記
1対の出力端子RY−A,RY−B(ランドLD7,L
D5)に共通接続する形態を採用することにより、受信
トランス92の2次側と前記終端抵抗R10を接続する
配線長を全体として数mm又は10mm程度で実現でき
る。According to the above embodiment, there are the following effects. [1] A transformer module (hybrid integrated circuit) 9 for coupling a PMD semiconductor chip (line terminator) 8 for configuring an ATM-LAN physical layer interface to twisted pair lines (transmission lines) 3 and 4 is a twisted pair line. And a terminating resistor R10 for matching the characteristic impedance with. The terminating resistor R10 is mounted on the substrate 93 of the transformer module at an interval of 10 mm or less from the receiving transformer 92. As a mounting mode, the secondary side of the receiving transformer 92 and the terminating resistor R10 are connected from the front and back surfaces of the substrate 93 to the pair of output terminals RY-A, RY-B (lands LD7, L).
By adopting the form of common connection to D5), the wiring length for connecting the secondary side of the receiving transformer 92 and the terminating resistor R10 can be realized with a total length of several mm or 10 mm.
【0040】これによれば、前記受信トランス92の2
次側から前記終端抵抗R10までの距離は極めて短く、
その距離は何れのトランスモジュールにおいても実質的
に一定するので、終端抵抗R10によってツイストペア
線との特性インピーダンスの整合を図る上で、前記受信
トランス92の2次側から前記終端抵抗R10までの配
線に存在する負所望なインダクタンス成分や容量成分を
実質的に無視することが出来る。したがって、個別的に
前記終端抵抗の値を調整することなく、ツイストペア線
との間で特性インピーダンスを整合させることが容易に
なる。According to this, 2 of the receiving transformer 92
The distance from the next side to the terminating resistor R10 is extremely short,
Since the distance is substantially constant in any transformer module, the wiring from the secondary side of the receiving transformer 92 to the terminating resistor R10 is used for matching the characteristic impedance with the twisted pair line by the terminating resistor R10. The existing negative desired inductance component or capacitance component can be substantially ignored. Therefore, it becomes easy to match the characteristic impedance with the twisted pair wire without individually adjusting the value of the terminating resistance.
【0041】〔2〕前記パルストランス91,92の結
合係数を0.9996以上にすることにより、当該パル
ストランスの巻数を例えば30程度又はそれ以下にする
ことができ、パルストランスの直列抵抗を小さく出来る
と共にそのばらつきも抑えることが出来る。前記パルス
トランス91,92に、マンガン−亜鉛系で比透磁率が
5000以上のコアを適用して、直列抵抗を1Ω以下に
することができる。[2] By setting the coupling coefficient of the pulse transformers 91 and 92 to 0.9996 or more, the number of turns of the pulse transformer can be set to, for example, about 30 or less, and the series resistance of the pulse transformer can be reduced. It can be done and the variation can be suppressed. By applying a manganese-zinc-based core having a relative magnetic permeability of 5000 or more to the pulse transformers 91 and 92, the series resistance can be set to 1Ω or less.
【0042】パルストランスの1次側から見た抵抗即ち
直列抵抗を小さく出来ると共にそのばらつきも抑えるこ
とが出来るので、ATM−LANの物理層インタフェー
スに関する機能仕様で定められている複数種類の伝送線
に対して、それらの特性インピーダンスの内の中間の値
を終端抵抗R10に採用すれば、特性インピーダンスが
相違される何れの伝送線を採用しても、受信トランスの
直列抵抗と終端抵抗R10とのインピーダンスがツイス
トペア線の特性インピーダンスに整合できる許容範囲を
超えてインピーダンス不整合になる事態を生じない。こ
れにより、夫々伝送速度が25.6メガビット/秒のA
TM−LANに用いられるところの、150Ωのシール
ド付きツイストペア線、100Ωの無シールドツイスト
ペア線、120Ωの無シールドツイストペア線に対し
て、その中間の値である約120Ωを前記終端抵抗R1
0の抵抗値として採用する場合には、その3種類の仕様
の伝送線に対して、共通にインピーダンス整合させるこ
とができる。Since the resistance viewed from the primary side of the pulse transformer, that is, the series resistance can be reduced and its variation can be suppressed, a plurality of types of transmission lines defined in the functional specifications relating to the physical layer interface of the ATM-LAN can be used. On the other hand, if an intermediate value of those characteristic impedances is adopted for the terminating resistor R10, the impedance between the series resistance of the receiving transformer and the terminating resistor R10 will be adopted regardless of which transmission line the characteristic impedances are different from. Does not exceed the allowable range that can match the characteristic impedance of the twisted pair wire, resulting in impedance mismatch. As a result, each of the transmission rates of 25.6 Mbit / sec.
About 150Ω, which is an intermediate value between the shielded twisted pair wire of 150Ω, the unshielded twisted pair wire of 100Ω, and the unshielded twisted pair wire of 120Ω, which is used for the TM-LAN, the terminal resistance R1 is set.
When adopted as a resistance value of 0, impedance matching can be performed in common for the transmission lines of the three types of specifications.
【0043】〔3〕トランスモジュールに内蔵される送
信トランス91も受信トランス92と同一の仕様で構成
され、その結合係数及び直列抵抗も受信トランス92と
同一であるから、送信側に要求されるリターンロスも極
めて小さくすることができる。このことは、1対1対応
で送信ノードと受信ノードが結合されるATM−LAN
の性質上、トランスモジュール9、さらにはそれを適用
したATM−LANアダプタ若しくはICカード化され
たATM−LANアダプタは、一つの伝送系全体として
の伝送精度を向上できる。[3] The transmission transformer 91 built in the transformer module is also configured to have the same specifications as the reception transformer 92, and its coupling coefficient and series resistance are also the same as those of the reception transformer 92. The loss can also be made extremely small. This is an ATM-LAN in which a sending node and a receiving node are connected in a one-to-one correspondence.
Due to the nature of the above, the transformer module 9, and further the ATM-LAN adapter to which it is applied or the ATM-LAN adapter in the form of an IC card can improve the transmission accuracy of one transmission system as a whole.
【0044】以上本発明者によってなされた発明を実施
例に基づいて具体的に説明したが、本発明はそれに限定
されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲におい
て種々変更可能であることは言うまでもない。例えばハ
ブ5に設けられるATM−LANアダプタは、PMD半
導体チップ8とトランスモジュール9によってが出来
る。また、トランスモジュール9の基板サイズは上記説
明に限定されず、適宜変更可能である。また、受信用の
パルストランスと終端抵抗の実装形式は上記説明のよう
に基板の表裏に実装する形態に限定されない。また、A
TM−LANアダプタは所謂タイプ2のICカードに限
定されず、適気の回路ボードとして実現することが可能
である。Although the invention made by the present inventor has been specifically described based on the embodiments, the present invention is not limited thereto, and needless to say, various modifications can be made without departing from the scope of the invention. Yes. For example, the ATM-LAN adapter provided in the hub 5 can be composed of the PMD semiconductor chip 8 and the transformer module 9. Further, the substrate size of the transformer module 9 is not limited to the above description and can be changed as appropriate. Further, the mounting form of the receiving pulse transformer and the terminating resistor is not limited to the mounting form on the front and back sides of the substrate as described above. Also, A
The TM-LAN adapter is not limited to a so-called type 2 IC card, but can be realized as an aerial circuit board.
【0045】[0045]
【発明の効果】本願において開示される発明のうち代表
的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば下記
の通りである。The effects obtained by typical ones of the inventions disclosed in the present application will be briefly described as follows.
【0046】すなわち、混成集積回路(9)は、伝送線
との特性インピーダンス整合用の終端抵抗(R10)を
有し、終端抵抗は、受信用の第2のパルストランス(9
2)と10mm以内の間隔で、混成集積回路の基板(9
3)に実装されている。したがって、前記パルストラン
スの2次側から前記終端抵抗までの距離は極めて短く、
しかも、その距離は何れの混成集積回路においても実質
的に一定するので、終端抵抗によって伝送線との特性イ
ンピーダンスの整合を図る上で、前記第2のパルストラ
ンス(92)の2次側から前記終端抵抗(R10)まで
の配線に存在する負所望なインダクタンス成分や容量成
分を実質的に無視することが出来る。そして、個別的に
前記終端抵抗の値を調整することなく、伝送線との間で
特性インピーダンスを整合させることが容易になる。That is, the hybrid integrated circuit (9) has a terminating resistor (R10) for matching the characteristic impedance with the transmission line, and the terminating resistor is the second pulse transformer (9) for receiving.
2) and 10 mm apart from the substrate (9) of the hybrid integrated circuit.
It is implemented in 3). Therefore, the distance from the secondary side of the pulse transformer to the terminating resistor is extremely short,
Moreover, the distance is substantially constant in any of the hybrid integrated circuits. Therefore, in order to match the characteristic impedance with the transmission line by the terminating resistor, the distance from the secondary side of the second pulse transformer (92) to the above Negative desired inductance components and capacitance components existing in the wiring up to the terminating resistor (R10) can be substantially ignored. Then, it becomes easy to match the characteristic impedance with the transmission line without individually adjusting the value of the terminating resistor.
【0047】前記第2のパルストランスの2次側と前記
終端抵抗を、前記基板の表裏面から前記1対の出力端子
に共通接続する実装形態を採用することにより、第2の
パルストランスと終端抵抗を上述のように近接配置する
ことを容易に実現できる。By adopting a mounting form in which the secondary side of the second pulse transformer and the terminating resistor are commonly connected to the pair of output terminals from the front and back surfaces of the substrate, the second pulse transformer and the terminating resistor are connected. The close arrangement of the resistors as described above can be easily realized.
【0048】前記第1及び第2のパルストランス(9
1,92)の結合係数を0.9996以上にすることに
より、当該パルストランスの巻数を例えば30程度又は
それ以下にすることができ、パルストランスの1次側か
ら見た抵抗即ち直列抵抗を小さく出来ると共にそのばら
つきも抑えることが出来る。例えば、前記第1及び第2
のパルストランスに、マンガン−亜鉛系で比透磁率が5
000以上のコアを適用して、直列抵抗を1Ω以下にす
ることができる。The first and second pulse transformers (9
By setting the coupling coefficient of (1, 92) to 0.9996 or more, the number of turns of the pulse transformer can be reduced to, for example, about 30 or less, and the resistance viewed from the primary side of the pulse transformer, that is, the series resistance is reduced. It can be done and the variation can be suppressed. For example, the first and second
Pulse transformer of manganese-zinc system with relative permeability of 5
By applying 000 or more cores, the series resistance can be reduced to 1Ω or less.
【0049】パルストランスの1次側から見た抵抗即ち
直列抵抗を小さく出来ると共にそのばらつきも抑えるこ
とが出来るので、ATM−LANの物理層インタフェー
スに関する機能仕様で定められている複数種類の伝送線
に対して、それらの特性インピーダンスの内の中間の値
を終端抵抗(R10)に採用すれば、特性インピーダン
スが相違される何れの伝送線を採用しても、第2のパル
ストランスの直列抵抗と終端抵抗とのインピーダンスが
伝送線の特性インピーダンスに整合できる許容範囲を超
えてインピーダンス不整合になる事態を生じない。上記
により、前記伝送線として、夫々伝送速度が25.6メ
ガビット/秒のATM−LANに用いられるところの、
150Ωのシールド付きツイストペア線、100Ωの無
シールドツイストペア線、120Ωの無シールドツイス
トペア線に対して、その中間の値である約120Ωを前
記終端抵抗の抵抗値として採用することにより、その3
種類の仕様の伝送線に対して、共通にインピーダンス整
合させることができる。それらにより、ATM−LAN
の物理層インタフェースや伝送プロトコルを司るシステ
ム若しくはアダプタカードを、ツイストペア線の種類毎
に提供しなければならないという不便を強いられず、ま
た、ユーザにとっても使い勝手の良好なシステム若しく
はATM−LANアダプタを提供することができる。Since the resistance viewed from the primary side of the pulse transformer, that is, the series resistance can be reduced and its variation can be suppressed, a plurality of types of transmission lines defined in the functional specifications relating to the physical layer interface of the ATM-LAN can be used. On the other hand, if an intermediate value of those characteristic impedances is adopted as the terminating resistor (R10), no matter which transmission line the characteristic impedances differ, the series resistance and the terminating end of the second pulse transformer are adopted. The impedance mismatch with the resistance does not exceed the allowable range for matching the characteristic impedance of the transmission line. According to the above, each of the transmission lines is used in an ATM-LAN having a transmission rate of 25.6 Mbit / sec.
About 150Ω shielded twisted pair wire, 100Ω unshielded twisted pair wire, and 120Ω unshielded twisted pair wire, by adopting an intermediate value of about 120Ω as the resistance value of the terminating resistor, 3
It is possible to perform impedance matching in common for transmission lines of various specifications. With them, ATM-LAN
It is not inconvenient to provide a system or adapter card that controls the physical layer interface or transmission protocol for each type of twisted pair wire, and also provides a user-friendly system or ATM-LAN adapter. can do.
【0050】前記混成集積回路(9)に内蔵される送信
用の第1のパルストランス(91)も受信用の第2のパ
ルストランス(92)と同一の仕様で構成され、その結
合係数及び直列抵抗も第2のパルストランス(92)と
同一であるから、送信側に要求されるリターンロスも極
めて小さくすることができる。したがって、1対1対応
で送信ノードと受信ノードが結合されるATM−LAN
の性質上、混成集積回路(9)、さらにはそれを適用し
たATM−LANアダプタは、一つの伝送系全体として
の伝送精度を向上できる。The first pulse transformer (91) for transmission, which is built in the hybrid integrated circuit (9), has the same specifications as the second pulse transformer (92) for reception. Since the resistance is the same as that of the second pulse transformer (92), the return loss required on the transmitting side can be made extremely small. Therefore, the ATM-LAN in which the sending node and the receiving node are connected in a one-to-one correspondence
Due to the nature of the above, the hybrid integrated circuit (9) and the ATM-LAN adapter to which it is applied can improve the transmission accuracy of one transmission system as a whole.
【図1】本発明の混成集積回路の一例に係るトランスモ
ジュールの回路図である。FIG. 1 is a circuit diagram of a transformer module according to an example of a hybrid integrated circuit of the present invention.
【図2】トランスモジュールを構成する回路部品の実装
形態の一例をその表裏面双方に亘って示す説明図であ
る。FIG. 2 is an explanatory diagram showing an example of a mounting form of circuit components that constitute a transformer module over both front and back surfaces thereof.
【図3】ATM−LAN物理層のシステム構成の一例を
示す説明図である。FIG. 3 is an explanatory diagram showing an example of a system configuration of an ATM-LAN physical layer.
【図4】PMD半導体チップとトランスモジュールの一
例ブロック図である。FIG. 4 is a block diagram showing an example of a PMD semiconductor chip and a transformer module.
【図5】リターンロスの説明図である。FIG. 5 is an explanatory diagram of return loss.
【図6】PMD半導体チップとトランスモジュールを適
用したATM−LAN用のアダプタカードの一例ブロッ
ク図である。FIG. 6 is a block diagram showing an example of an ATM-LAN adapter card to which a PMD semiconductor chip and a transformer module are applied.
3,4 ツイストペア線(伝送線) 8 PMD半導体チップ(回線終端装置) 80 送信ドライバ回路 81 波形等化フィルタ回路 TY−A,TY−B 入力端子 TZ−A,TZ−B 送信端子 RY−A,RY−B 出力端子 RZ−A,RZ−B 受信端子 9 トランスモジュール(混成集積回路) 90 送信波形フィルタ回路(送信フィルタ) 91 送信トランス(第1のパルストランス) 92 受信トランス(第2のパルストランス) 93 基板 LD1〜LD14 円形ランド R10 終端抵抗 2A ATM−LAN用のアダプタカード 100 ICカード基板 106 TC部 107 ATMコントローラ部 108 マイクロコンピュータ 109 ROM 110 RAM 3, 4 twisted pair line (transmission line) 8 PMD semiconductor chip (line terminator) 80 transmission driver circuit 81 waveform equalization filter circuit TY-A, TY-B input terminal TZ-A, TZ-B transmission terminal RY-A, RY-B output terminal RZ-A, RZ-B reception terminal 9 transformer module (mixed integrated circuit) 90 transmission waveform filter circuit (transmission filter) 91 transmission transformer (first pulse transformer) 92 reception transformer (second pulse transformer) ) 93 substrate LD1 to LD14 circular land R10 terminating resistor 2A ATM-LAN adapter card 100 IC card substrate 106 TC section 107 ATM controller section 108 microcomputer 109 ROM 110 RAM
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 横田 泰幸 神奈川県秦野市堀山下1番地 日立コンピ ュータエンジニアリング株式会社内 (72)発明者 永山 義治 東京都青梅市今井2326番地 株式会社日立 製作所デバイス開発センタ内 (72)発明者 伊藤 亨 鳥取県鳥取市桂木244番地9 日立フェラ イト電子株式会社内 ─────────────────────────────────────────────────── ─── Continuation of the front page (72) Inventor Yasuyuki Yokota 1 Horiyamashita, Hadano-shi, Kanagawa Hitachi Computer Engineering Co., Ltd. (72) Inventor Yoshiharu Nagayama 2326 Imai, Ome-shi, Tokyo Hitachi, Ltd. Device In the development center (72) Inventor Toru Ito 244, Katsuragi, Tottori City, Tottori Prefecture Hitachi Ferrite Electronics Co., Ltd.
Claims (7)
理層の回線終端装置との接続に用いれられる1対の入力
端子と1対の出力端子、そしてATM−LANシステム
に用いられる伝送線との接続に用いられる1対の送信端
子と1対の受信端子をそれぞれ有する基板と、 前記1対の入力端子から与えられるパルス波形を規定の
波形に制限する送信波形フィルタ回路と、 この送信波形フィルタ回路に1次側が接続され2次側が
前記1対の送信端子に接続される第1のパルストランス
と、 前記1対の受信端子に1次側が接続され2次側が前記1
対の出力端子に接続される第2のパルストランスと、 この第2のパルストランスに接続される終端抵抗とを備
え、 前記第2のパルストランスと前記終端抵抗とが10mm
以内の距離で近接配置されて成るものであることを特徴
とする混成集積回路。1. A pair of input terminals and a pair of output terminals used for connection to a physical layer line terminating device used in an ATM-LAN system, and a connection to a transmission line used in an ATM-LAN system. A board having a pair of transmission terminals and a pair of reception terminals used, a transmission waveform filter circuit for limiting a pulse waveform given from the pair of input terminals to a prescribed waveform, and a transmission waveform filter circuit A first pulse transformer having a secondary side connected and a secondary side connected to the pair of transmission terminals; and a primary side connected to the pair of reception terminals and a secondary side having the first side.
A second pulse transformer connected to the pair of output terminals, and a terminating resistor connected to the second pulse transformer are provided, and the second pulse transformer and the terminating resistor are 10 mm.
A hybrid integrated circuit characterized by being closely arranged at a distance of within.
記終端抵抗は、前記基板の表裏面から前記1対の出力端
子に共通接続されて基板に実装されて成るものであるこ
とを特徴とする請求項1記載の混成集積回路。2. The secondary side of the second pulse transformer and the terminating resistor are commonly connected to the pair of output terminals from the front and back surfaces of the substrate and mounted on the substrate. The hybrid integrated circuit according to claim 1.
々結合係数が0.9996以上であることを特徴とする
請求項1又は2記載の混成集積回路。3. The hybrid integrated circuit according to claim 1, wherein the first and second pulse transformers each have a coupling coefficient of 0.9996 or more.
マンガン−亜鉛系で比透磁率が5000以上のコアを有
し、直列抵抗が1Ω以下とされて成るものであることを
特徴とする請求項3記載の混成集積回路。4. The first and second pulse transformers,
4. The hybrid integrated circuit according to claim 3, which has a manganese-zinc based core having a relative magnetic permeability of 5000 or more and a series resistance of 1 Ω or less.
々伝送速度が25.6メガビット/秒のATM−LAN
に用いられるところの、150Ωのシールド付きツイス
トペア線、100Ωの無シールドツイストペア線、12
0Ωのシールドツイストペア線に共通の約120Ωであ
ることを特徴とする請求項4記載の混成集積回路。5. The terminating resistor, as the transmission line, is an ATM-LAN having a transmission rate of 25.6 megabits / second.
150Ω shielded twisted pair wire, 100Ω unshielded twisted pair wire, 12
The hybrid integrated circuit according to claim 4, wherein the shielded twisted pair wire of 0Ω has a common value of about 120Ω.
集積回路に結合される前記回線終端装置とを備え、前記
回線終端装置は、前記混成集積回路の前記1対の入力端
子に出力が結合された送信ドライバ回路と、前記混成集
積回路の1対の出力端子に入力が結合され前記第2のパ
ルストランスから得られる受信波形をパルス波形に再生
する波形等化フィルタ回路とを含んで半導体集積回路化
されて成るものであることを特徴とするATM−LAN
アダプタ。6. The hybrid integrated circuit according to claim 4, and the line termination device coupled to the hybrid integrated circuit, wherein the line termination device outputs to the pair of input terminals of the hybrid integrated circuit. And a waveform equalization filter circuit for reproducing the received waveform obtained from the second pulse transformer into a pulse waveform by coupling the input to the pair of output terminals of the hybrid integrated circuit. ATM-LAN characterized by being formed into a semiconductor integrated circuit
adapter.
ータ及び前記回線終端装置を介して受信したデータに対
するATM−LANのプロトコル制御を行うATMコン
トローラを更に含み、このATMコントローラと共に、
前記混成集積回路と回線終端装置とを、パーソナルコン
ピュータに実装可能なサイズのカード基板に搭載して成
るものであることを特徴とする請求項5記載のATM−
LANアダプタ。7. An ATM controller for performing an ATM-LAN protocol control for data to be transmitted via the line terminating device and data received via the line terminating device, further comprising:
6. The ATM- according to claim 5, wherein the hybrid integrated circuit and the line terminating device are mounted on a card board having a size mountable on a personal computer.
LAN adapter.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP8520696A JPH09275398A (en) | 1996-04-08 | 1996-04-08 | Hybrid integrated circuit and ATM-LAN adapter |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP8520696A JPH09275398A (en) | 1996-04-08 | 1996-04-08 | Hybrid integrated circuit and ATM-LAN adapter |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH09275398A true JPH09275398A (en) | 1997-10-21 |
Family
ID=13852134
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP8520696A Withdrawn JPH09275398A (en) | 1996-04-08 | 1996-04-08 | Hybrid integrated circuit and ATM-LAN adapter |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH09275398A (en) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US11528045B2 (en) | 2020-12-03 | 2022-12-13 | Hitachi, Ltd. | Signal transmission device |
-
1996
- 1996-04-08 JP JP8520696A patent/JPH09275398A/en not_active Withdrawn
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US11528045B2 (en) | 2020-12-03 | 2022-12-13 | Hitachi, Ltd. | Signal transmission device |
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