JPH09270550A - 磁気抵抗効果素子 - Google Patents
磁気抵抗効果素子Info
- Publication number
- JPH09270550A JPH09270550A JP8077996A JP7799696A JPH09270550A JP H09270550 A JPH09270550 A JP H09270550A JP 8077996 A JP8077996 A JP 8077996A JP 7799696 A JP7799696 A JP 7799696A JP H09270550 A JPH09270550 A JP H09270550A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- magnetoresistive effect
- magnetic field
- effect element
- external magnetic
- amr
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Withdrawn
Links
Classifications
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B82—NANOTECHNOLOGY
- B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
- B82Y25/00—Nanomagnetism, e.g. magnetoimpedance, anisotropic magnetoresistance, giant magnetoresistance or tunneling magnetoresistance
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01F—MAGNETS; INDUCTANCES; TRANSFORMERS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR MAGNETIC PROPERTIES
- H01F10/00—Thin magnetic films, e.g. of one-domain structure
- H01F10/32—Spin-exchange-coupled multilayers, e.g. nanostructured superlattices
- H01F10/324—Exchange coupling of magnetic film pairs via a very thin non-magnetic spacer, e.g. by exchange with conduction electrons of the spacer
- H01F10/3268—Exchange coupling of magnetic film pairs via a very thin non-magnetic spacer, e.g. by exchange with conduction electrons of the spacer the exchange coupling being asymmetric, e.g. by use of additional pinning, by using antiferromagnetic or ferromagnetic coupling interface, i.e. so-called spin-valve [SV] structure, e.g. NiFe/Cu/NiFe/FeMn
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Nanotechnology (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Magnetic Heads (AREA)
- Thin Magnetic Films (AREA)
- Hall/Mr Elements (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 外部磁界の変化に応じて磁気抵抗効果特性を
自在に制御することを可能とする磁気抵抗効果素子を提
供する 【解決手段】 磁気抵抗効果素子１は、巨大磁気抵抗効
果を示す巨大磁気抵抗効果素子２と、この巨大磁気抵抗
効果素子２に対向して配される異方性磁気抵抗効果素子
３と、巨大磁気抵抗効果素子２と異方性磁気抵抗効果素
子３との間に配され、巨大磁気抵抗効果素子２と異方性
磁気抵抗効果素子３とに対して所定のバイアス磁界を付
与するバイアス導体４とを備える。この磁気抵抗効果素
子１において、バイアス磁界は、巨大磁気抵抗効果素子
２と異方性磁気抵抗効果素子３とに対してそれぞれ逆方
向に印加される
自在に制御することを可能とする磁気抵抗効果素子を提
供する 【解決手段】 磁気抵抗効果素子１は、巨大磁気抵抗効
果を示す巨大磁気抵抗効果素子２と、この巨大磁気抵抗
効果素子２に対向して配される異方性磁気抵抗効果素子
３と、巨大磁気抵抗効果素子２と異方性磁気抵抗効果素
子３との間に配され、巨大磁気抵抗効果素子２と異方性
磁気抵抗効果素子３とに対して所定のバイアス磁界を付
与するバイアス導体４とを備える。この磁気抵抗効果素
子１において、バイアス磁界は、巨大磁気抵抗効果素子
２と異方性磁気抵抗効果素子３とに対してそれぞれ逆方
向に印加される
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、磁気ヘッド、地磁
気センサ等に好適な磁気抵抗効果を示す磁気抵抗効果素
子に関する。
気センサ等に好適な磁気抵抗効果を示す磁気抵抗効果素
子に関する。
【０００２】
【従来の技術】Ｎｉ−Ｆｅ等の磁性体を利用した異方性
磁気抵抗効果素子（以下、ＡＭＲ素子と称す。）を用い
た異方性磁気抵抗効果型磁気ヘッド（以下、ＡＭＲヘッ
ドと称す。）は、一般にハードディスク等の磁気記録媒
体の記録再生装置に用いられ、磁気記録媒体に記録され
た信号磁界を検出する。
磁気抵抗効果素子（以下、ＡＭＲ素子と称す。）を用い
た異方性磁気抵抗効果型磁気ヘッド（以下、ＡＭＲヘッ
ドと称す。）は、一般にハードディスク等の磁気記録媒
体の記録再生装置に用いられ、磁気記録媒体に記録され
た信号磁界を検出する。
【０００３】このＡＭＲ素子１００は、一軸異方性を有
し、図９中矢印ＥＡで示す方向に磁化容易軸をもち、外
部磁界がないとき、磁化が矢印ＥＡの方向を向いてな
る。このＡＭＲ素子１００は、外部磁界が印加される
と、その外部磁界の大きさ及び方向に応じて、磁化方向
Ａが変化する。
し、図９中矢印ＥＡで示す方向に磁化容易軸をもち、外
部磁界がないとき、磁化が矢印ＥＡの方向を向いてな
る。このＡＭＲ素子１００は、外部磁界が印加される
と、その外部磁界の大きさ及び方向に応じて、磁化方向
Ａが変化する。
【０００４】そして、このＡＭＲ素子１００では、外部
磁界を検出する際、図９中矢印Ｂで示すように、磁化容
易軸方向ＥＡに対して略直角の方向に一定のセンス電流
が供給される。ＡＭＲ素子１００は、外部磁界が印加さ
れず、矢印Ａと矢印ＥＡとが平行な状態でセンス電流が
供給されると、センス電流に対する抵抗値が最小とな
る。ＡＭＲ素子１００は、外部磁界が印加されてその磁
化方向が変化すると、センス電流に対する抵抗値が変化
する。そして、ＡＭＲ素子１００は、外部磁界が印加さ
れることによって、その磁化方向がセンス電流に対して
平行な方向になったとき、センス電流に対する抵抗値が
最大となる。
磁界を検出する際、図９中矢印Ｂで示すように、磁化容
易軸方向ＥＡに対して略直角の方向に一定のセンス電流
が供給される。ＡＭＲ素子１００は、外部磁界が印加さ
れず、矢印Ａと矢印ＥＡとが平行な状態でセンス電流が
供給されると、センス電流に対する抵抗値が最小とな
る。ＡＭＲ素子１００は、外部磁界が印加されてその磁
化方向が変化すると、センス電流に対する抵抗値が変化
する。そして、ＡＭＲ素子１００は、外部磁界が印加さ
れることによって、その磁化方向がセンス電流に対して
平行な方向になったとき、センス電流に対する抵抗値が
最大となる。
【０００５】すなわち、ＡＭＲ素子１００は、図１０に
示すような磁気抵抗効果曲線を示している。なお、図１
０において、横軸は、外部磁界の大きさを示し、縦軸
は、ＡＭＲ素子１００のセンス電流に対する抵抗値の大
きさを示す。
示すような磁気抵抗効果曲線を示している。なお、図１
０において、横軸は、外部磁界の大きさを示し、縦軸
は、ＡＭＲ素子１００のセンス電流に対する抵抗値の大
きさを示す。
【０００６】ＡＭＲ素子１００は、外部磁界によって上
述のようにセンス電流に対する抵抗値が変化する。そこ
で、ＡＭＲ素子１００は、外部磁界を検出する際、一定
のセンス電流を供給し、抵抗値の変化を電圧変化として
検出する。これによって、外部磁界は、ＡＭＲ素子１０
０によって検出されることになる。
述のようにセンス電流に対する抵抗値が変化する。そこ
で、ＡＭＲ素子１００は、外部磁界を検出する際、一定
のセンス電流を供給し、抵抗値の変化を電圧変化として
検出する。これによって、外部磁界は、ＡＭＲ素子１０
０によって検出されることになる。
【０００７】このとき、ＡＭＲ素子１００において、外
部磁界に応じて抵抗値が変化する起点を動作点とする また、ＡＭＲ素子１００には、通常、外部磁界を検出す
る際、所定のバイアス磁界が印加される。ＡＭＲ素子１
００では、このバイアス磁界が印加されることによっ
て、図１０に示す磁気抵抗効果曲線における線形性に優
れ且つ抵抗値の変化の大きい領域に、動作点が移動す
る。これにより、ＡＭＲ素子１００では、外部磁界を感
磁する際、外部磁界の変化に対してより線形性をもって
抵抗値が変化することになる。
部磁界に応じて抵抗値が変化する起点を動作点とする また、ＡＭＲ素子１００には、通常、外部磁界を検出す
る際、所定のバイアス磁界が印加される。ＡＭＲ素子１
００では、このバイアス磁界が印加されることによっ
て、図１０に示す磁気抵抗効果曲線における線形性に優
れ且つ抵抗値の変化の大きい領域に、動作点が移動す
る。これにより、ＡＭＲ素子１００では、外部磁界を感
磁する際、外部磁界の変化に対してより線形性をもって
抵抗値が変化することになる。
【０００８】一方、近年、磁気記録媒体は、いわゆるマ
ルチメディアデータ等を記録するために大容量化が進め
られている。そして、磁気記録媒体は、この大容量化を
実現するために、記録の高密度化が図られている。
ルチメディアデータ等を記録するために大容量化が進め
られている。そして、磁気記録媒体は、この大容量化を
実現するために、記録の高密度化が図られている。
【０００９】磁気記録媒体の記録の高密度化にともない
巨大磁気抵抗効果素子（以下、ＧＭＲ素子と称す。）を
用いた巨大磁気抵抗効果型磁気ヘッドが提案されてお
り、注目を集めている。このＧＭＲ素子は、磁気記録媒
体からの微弱な磁界に対して磁気抵抗効果がＡＭＲ素子
よりも大きく変化するといった特徴を有しており、高密
度記録された磁気記録媒体を再生するに際して好適であ
る。
巨大磁気抵抗効果素子（以下、ＧＭＲ素子と称す。）を
用いた巨大磁気抵抗効果型磁気ヘッドが提案されてお
り、注目を集めている。このＧＭＲ素子は、磁気記録媒
体からの微弱な磁界に対して磁気抵抗効果がＡＭＲ素子
よりも大きく変化するといった特徴を有しており、高密
度記録された磁気記録媒体を再生するに際して好適であ
る。
【００１０】ＧＭＲ素子１０１は、図１１に示すよう
に、磁性層１０２と非磁性層１０３とが複数積層されて
構成されている。このＧＭＲ素子１０１は、非磁性層１
０３を介して積層された隣合う磁性層１０２が反強磁性
結合して形成されている。したがって、ＧＭＲ素子１０
１では、図１１中矢印Ｃで示すように、隣合う磁性層１
０２の磁化方向が互いに正反対の方向を向いている。
に、磁性層１０２と非磁性層１０３とが複数積層されて
構成されている。このＧＭＲ素子１０１は、非磁性層１
０３を介して積層された隣合う磁性層１０２が反強磁性
結合して形成されている。したがって、ＧＭＲ素子１０
１では、図１１中矢印Ｃで示すように、隣合う磁性層１
０２の磁化方向が互いに正反対の方向を向いている。
【００１１】上述したように構成されたＧＭＲ素子１０
１では、外部磁界が印加されることによって、隣合う磁
性層１０２の磁化方向が変化する。そして、このＧＭＲ
素子１０１は、外部磁界を検出するために、一定のセン
ス電流が供給される。
１では、外部磁界が印加されることによって、隣合う磁
性層１０２の磁化方向が変化する。そして、このＧＭＲ
素子１０１は、外部磁界を検出するために、一定のセン
ス電流が供給される。
【００１２】このＧＭＲ素子１０１では、隣合う磁性層
１０２の磁化方向が互いに正反対の方向に向いていると
き、センス電流に対する抵抗値が最大となる。また、Ｇ
ＭＲ素子１０１では、外部磁界が印加されて隣合う磁性
層１０２の磁化方向が変化すると、センス電流に対する
抵抗値が変化する。そして、ＧＭＲ素子１０１では、外
部磁界が印加されて隣合う磁性層１０２の磁化方向が同
一の方向を向いているとき、センス電流に対する抵抗値
が最小となる。
１０２の磁化方向が互いに正反対の方向に向いていると
き、センス電流に対する抵抗値が最大となる。また、Ｇ
ＭＲ素子１０１では、外部磁界が印加されて隣合う磁性
層１０２の磁化方向が変化すると、センス電流に対する
抵抗値が変化する。そして、ＧＭＲ素子１０１では、外
部磁界が印加されて隣合う磁性層１０２の磁化方向が同
一の方向を向いているとき、センス電流に対する抵抗値
が最小となる。
【００１３】すなわち、ＧＭＲ素子１０１は、外部磁界
の大きさに対して、図１２に示すような磁気抵抗効果曲
線を示す。なお、図１２において、横軸は、外部磁界の
大きさを示し、縦軸は、ＧＭＲ素子１０１のセンス電流
に対する抵抗値の大きさを示す。
の大きさに対して、図１２に示すような磁気抵抗効果曲
線を示す。なお、図１２において、横軸は、外部磁界の
大きさを示し、縦軸は、ＧＭＲ素子１０１のセンス電流
に対する抵抗値の大きさを示す。
【００１４】ＧＭＲ素子１０１は、外部磁界によって上
述のようにセンス電流に対する抵抗値が変化する。そこ
で、ＧＭＲ素子１０１は、外部磁界を検出する際、一定
のセンス電流を供給し、抵抗値の変化を電圧変化として
示す。これによって、外部磁界は、ＧＭＲ素子１０１に
よって検出されることになる。
述のようにセンス電流に対する抵抗値が変化する。そこ
で、ＧＭＲ素子１０１は、外部磁界を検出する際、一定
のセンス電流を供給し、抵抗値の変化を電圧変化として
示す。これによって、外部磁界は、ＧＭＲ素子１０１に
よって検出されることになる。
【００１５】このとき、ＧＭＲ素子１０１において、外
部磁界に応じて抵抗値が変化する起点を動作点とする。
部磁界に応じて抵抗値が変化する起点を動作点とする。
【００１６】また、ＧＭＲ素子１０１には、通常、外部
磁界を検出する際、所定のバイアス磁界が印加される。
ＧＭＲ素子１０１では、このバイアス磁界が印加される
ことによって、図１２に示す磁気抵抗効果曲線における
線形性に優れ且つ抵抗値の変化の大きい領域に、動作点
が移動する。これにより、ＧＭＲ素子１０１では、外部
磁界を感磁する際、外部磁界の変化に対してより線形性
をもって抵抗値が変化することになる。
磁界を検出する際、所定のバイアス磁界が印加される。
ＧＭＲ素子１０１では、このバイアス磁界が印加される
ことによって、図１２に示す磁気抵抗効果曲線における
線形性に優れ且つ抵抗値の変化の大きい領域に、動作点
が移動する。これにより、ＧＭＲ素子１０１では、外部
磁界を感磁する際、外部磁界の変化に対してより線形性
をもって抵抗値が変化することになる。
【００１７】
【発明が解決しようとする課題】上述したように、ＡＭ
Ｒ素子１００及びＧＭＲ素子１０１においては、バイア
ス磁界を印加することによって、センス電流に対する抵
抗値が外部磁界の変化に対して線形性よく変化してい
た。
Ｒ素子１００及びＧＭＲ素子１０１においては、バイア
ス磁界を印加することによって、センス電流に対する抵
抗値が外部磁界の変化に対して線形性よく変化してい
た。
【００１８】しかしながら、ＡＭＲ素子１００及びＧＭ
Ｒ素子１０１それぞれ単独では、動作点における磁界感
度、すなわち動作点における磁気抵抗効果曲線の傾きが
素子固有のものであった。したがって、ＡＭＲ素子１０
０及びＧＭＲ素子１０１では、外部磁界に応じた制御す
ることができないといった問題点があった。
Ｒ素子１０１それぞれ単独では、動作点における磁界感
度、すなわち動作点における磁気抵抗効果曲線の傾きが
素子固有のものであった。したがって、ＡＭＲ素子１０
０及びＧＭＲ素子１０１では、外部磁界に応じた制御す
ることができないといった問題点があった。
【００１９】以上のことから、本発明は、外部磁界の種
類に応じて磁界感度等の磁気抵抗効果特性を自在に制御
することを可能とする磁気抵抗効果素子を提供すること
を目的に提案されたものである。
類に応じて磁界感度等の磁気抵抗効果特性を自在に制御
することを可能とする磁気抵抗効果素子を提供すること
を目的に提案されたものである。
【００２０】
【課題を解決するための手段】この目的を達成した本発
明に係る磁気抵抗効果素子は、巨大磁気抵抗効果を示す
巨大磁気抵抗効果素子と、この巨大磁気抵抗効果素子に
対向して配される異方性磁気抵抗効果素子と、巨大磁気
抵抗効果素子と異方性磁気抵抗効果素子との間に配さ
れ、巨大磁気抵抗効果素子と異方性磁気抵抗効果素子と
に対して所定のバイアス磁界を付与するバイアス導体と
を備える。
明に係る磁気抵抗効果素子は、巨大磁気抵抗効果を示す
巨大磁気抵抗効果素子と、この巨大磁気抵抗効果素子に
対向して配される異方性磁気抵抗効果素子と、巨大磁気
抵抗効果素子と異方性磁気抵抗効果素子との間に配さ
れ、巨大磁気抵抗効果素子と異方性磁気抵抗効果素子と
に対して所定のバイアス磁界を付与するバイアス導体と
を備える。
【００２１】以上のように構成された本発明に係る磁気
抵抗効果素子において、バイアス磁界は、巨大磁気抵抗
効果素子と異方性磁気抵抗効果素子とに対してそれぞれ
逆方向に印加されることとなる。このとき、磁気抵抗効
果素子全体の磁気抵抗効果は、バイアス磁界が印加され
た巨大磁気抵抗効果素子の磁気抵抗効果と異方性磁気抵
抗効果素子の磁気抵抗効果とを合成したものとなる。
抵抗効果素子において、バイアス磁界は、巨大磁気抵抗
効果素子と異方性磁気抵抗効果素子とに対してそれぞれ
逆方向に印加されることとなる。このとき、磁気抵抗効
果素子全体の磁気抵抗効果は、バイアス磁界が印加され
た巨大磁気抵抗効果素子の磁気抵抗効果と異方性磁気抵
抗効果素子の磁気抵抗効果とを合成したものとなる。
【００２２】
【発明の実施の形態】以下、本発明にかかる磁気抵抗効
果素子の具体的な実施の形態について図１乃至図８を参
照して詳細に説明する。
果素子の具体的な実施の形態について図１乃至図８を参
照して詳細に説明する。
【００２３】実施の形態として示す磁気抵抗効果素子１
（以下、ＭＲ素子１と称す。）は、図１及び図２に示す
ように、巨大磁気抵抗効果素子２（以下、ＧＭＲ素子２
と称す。）と、異方性磁気抵抗効果素子３（以下、ＡＭ
Ｒ素子３と称す。）と、バイアス導体４とを有して構成
されている。このＭＲ素子１は、ＧＭＲ素子２とＡＭＲ
素子３との間にバイアス導体４が配されており、全体と
して３層構造を有している。そして、このＭＲ素子１
は、ＧＭＲ素子２とＡＭＲ素子３とが外部磁界に対する
感磁部となり、外部磁界を検出する。
（以下、ＭＲ素子１と称す。）は、図１及び図２に示す
ように、巨大磁気抵抗効果素子２（以下、ＧＭＲ素子２
と称す。）と、異方性磁気抵抗効果素子３（以下、ＡＭ
Ｒ素子３と称す。）と、バイアス導体４とを有して構成
されている。このＭＲ素子１は、ＧＭＲ素子２とＡＭＲ
素子３との間にバイアス導体４が配されており、全体と
して３層構造を有している。そして、このＭＲ素子１
は、ＧＭＲ素子２とＡＭＲ素子３とが外部磁界に対する
感磁部となり、外部磁界を検出する。
【００２４】ＧＭＲ素子２は、外部磁界に対して、いわ
ゆる巨大磁気抵抗効果を示すものである。ＧＭＲ素子２
は、略矩形に形成されており、その長手方向の一方端部
に電極５が配されている。また、ＧＭＲ素子２は、長手
方向の他方端部が後述するＡＭＲ素子３と電気的に接続
されている。
ゆる巨大磁気抵抗効果を示すものである。ＧＭＲ素子２
は、略矩形に形成されており、その長手方向の一方端部
に電極５が配されている。また、ＧＭＲ素子２は、長手
方向の他方端部が後述するＡＭＲ素子３と電気的に接続
されている。
【００２５】このＧＭＲ素子２は、例えば複数の磁性層
と複数の非磁性層とを積層してなる、いわゆる超格子巨
大磁気抵抗効果素子である。このＧＭＲ素子２は、非磁
性層を介して磁性層が積層され、隣合う磁性層間に反強
磁性結合を形成している。これにより、磁性層は、その
磁化方向が隣合う磁性層の磁化方向に対して正反対の方
向となっている。
と複数の非磁性層とを積層してなる、いわゆる超格子巨
大磁気抵抗効果素子である。このＧＭＲ素子２は、非磁
性層を介して磁性層が積層され、隣合う磁性層間に反強
磁性結合を形成している。これにより、磁性層は、その
磁化方向が隣合う磁性層の磁化方向に対して正反対の方
向となっている。
【００２６】ＧＭＲ素子２の磁性層の磁化方向は、外部
磁界がないとき、上述したように、交互に逆方向とされ
ている。これに対して、ＧＭＲ素子２では、外部磁界が
あるとき、この外部磁界の影響によって、複数の磁性層
の磁化方向が変化する。
磁界がないとき、上述したように、交互に逆方向とされ
ている。これに対して、ＧＭＲ素子２では、外部磁界が
あるとき、この外部磁界の影響によって、複数の磁性層
の磁化方向が変化する。
【００２７】ＡＭＲ素子３は、外部磁界に対して、いわ
ゆる異方性磁気抵抗効果を示すものである。ＡＭＲ素子
３は、上述したＧＭＲ素子２と略同形の略矩形に形成さ
れており、ＧＭＲ素子２と対向する位置に配されるとと
もにＧＭＲ素子２の長手方向とＡＭＲ素子３の長手方向
とが平行になるように配されている。また、ＡＭＲ素子
３には、その長手方向の一方端部に電極６が配されてお
り、他方端部が上述したＧＭＲ素子２と電気的に接続さ
れている。
ゆる異方性磁気抵抗効果を示すものである。ＡＭＲ素子
３は、上述したＧＭＲ素子２と略同形の略矩形に形成さ
れており、ＧＭＲ素子２と対向する位置に配されるとと
もにＧＭＲ素子２の長手方向とＡＭＲ素子３の長手方向
とが平行になるように配されている。また、ＡＭＲ素子
３には、その長手方向の一方端部に電極６が配されてお
り、他方端部が上述したＧＭＲ素子２と電気的に接続さ
れている。
【００２８】このＡＭＲ素子３は、所定の方向を磁化容
易軸とする軟磁性体を有している。なお、ＡＭＲ素子３
は、単層からなるものであってもよいし、下地層や磁化
安定化層等を備えた多層からなるものであってもよい。
易軸とする軟磁性体を有している。なお、ＡＭＲ素子３
は、単層からなるものであってもよいし、下地層や磁化
安定化層等を備えた多層からなるものであってもよい。
【００２９】ＡＭＲ素子３は、外部磁界がないとき、軟
磁性体の磁化が上述した方向に向いている。これに対し
て、ＡＭＲ素子３は、外部磁界があるとき、軟磁性体の
磁化方向が変化する。
磁性体の磁化が上述した方向に向いている。これに対し
て、ＡＭＲ素子３は、外部磁界があるとき、軟磁性体の
磁化方向が変化する。
【００３０】バイアス導体４は、良導体からなり、上述
したＧＭＲ素子２とＡＭＲ素子３との間に、ＧＭＲ素子
２及びＡＭＲ素子３の長手方向に対して垂直な方向に配
されている。このバイアス導体４は、図示しない電源か
ら電流が供給される。これにより、バイアス導体４は、
ＧＭＲ素子２及びＡＭＲ素子３に対して、いわゆる右ネ
ジの法則に従ってバイアス磁界を印加する。
したＧＭＲ素子２とＡＭＲ素子３との間に、ＧＭＲ素子
２及びＡＭＲ素子３の長手方向に対して垂直な方向に配
されている。このバイアス導体４は、図示しない電源か
ら電流が供給される。これにより、バイアス導体４は、
ＧＭＲ素子２及びＡＭＲ素子３に対して、いわゆる右ネ
ジの法則に従ってバイアス磁界を印加する。
【００３１】以上のように構成されたＭＲ素子１では、
外部磁界がＧＭＲ素子２及びＡＭＲ素子３の長手方向に
印加され、ＧＭＲ素子２及びＡＭＲ素子３が電気的に接
続された側から外部磁界を検出する。このとき、ＭＲ素
子１では、電気的に直列に接続されたＧＭＲ素子２とＡ
ＭＲ素子３とに対して、一定のセンス電流が供給され
る。
外部磁界がＧＭＲ素子２及びＡＭＲ素子３の長手方向に
印加され、ＧＭＲ素子２及びＡＭＲ素子３が電気的に接
続された側から外部磁界を検出する。このとき、ＭＲ素
子１では、電気的に直列に接続されたＧＭＲ素子２とＡ
ＭＲ素子３とに対して、一定のセンス電流が供給され
る。
【００３２】ＧＭＲ素子２は、上述したように外部磁界
がなく、隣合う磁性層の磁化方向が互いに正反対の方向
を向いているとき、非磁性層を介して隣合う磁性層間を
移動する電子が電子散乱を受ける。したがって、ＧＭＲ
素子２では、センス電流に対する抵抗値が最大となる。
がなく、隣合う磁性層の磁化方向が互いに正反対の方向
を向いているとき、非磁性層を介して隣合う磁性層間を
移動する電子が電子散乱を受ける。したがって、ＧＭＲ
素子２では、センス電流に対する抵抗値が最大となる。
【００３３】一方、ＧＭＲ素子２は、外部磁界が印加さ
れているときは、上述した磁性層の磁化方向が変化す
る。ＧＭＲ素子２では、磁性層の磁化方向が上述のよう
に変化すると、非磁性層を介して流れるセンス電流の電
子散乱が減少する。これにより、ＧＭＲ素子２では、セ
ンス電流に対する抵抗値が減少する。そして、ＧＭＲ素
子２は、外部磁界の影響により、隣合う磁性層の磁化方
向が同一の方向を向いたとき、電子散乱がほぼ起こらな
い。これにより、ＧＭＲ素子２は、センス電流に対する
抵抗値が最小となる。
れているときは、上述した磁性層の磁化方向が変化す
る。ＧＭＲ素子２では、磁性層の磁化方向が上述のよう
に変化すると、非磁性層を介して流れるセンス電流の電
子散乱が減少する。これにより、ＧＭＲ素子２では、セ
ンス電流に対する抵抗値が減少する。そして、ＧＭＲ素
子２は、外部磁界の影響により、隣合う磁性層の磁化方
向が同一の方向を向いたとき、電子散乱がほぼ起こらな
い。これにより、ＧＭＲ素子２は、センス電流に対する
抵抗値が最小となる。
【００３４】上述したようなセンス電流に対するＧＭＲ
素子の抵抗値と外部磁界との関係は、図３に示すような
上に凸の磁気抵抗効果曲線を示している。なお、図３に
示す特性図は、横軸が外部磁界の大きさを示し、縦軸が
センス電流に対する抵抗値の大きさを示している。
素子の抵抗値と外部磁界との関係は、図３に示すような
上に凸の磁気抵抗効果曲線を示している。なお、図３に
示す特性図は、横軸が外部磁界の大きさを示し、縦軸が
センス電流に対する抵抗値の大きさを示している。
【００３５】ＡＭＲ素子３では、上述したように軟磁性
体の磁化方向が長手方向に対して垂直の方向に磁化され
ている。このＡＭＲ素子３において、センス電流は、軟
磁性体の磁化容易軸方向に対して垂直の方向に供給され
ることになる。したがって、ＡＭＲ素子３は、外部磁界
がないとき、センス電流が供給される方向と軟磁性体の
磁化方向とが垂直に交わるようになる。このとき、ＡＭ
Ｒ素子３では、センス電流に対する抵抗値が最小とな
る。
体の磁化方向が長手方向に対して垂直の方向に磁化され
ている。このＡＭＲ素子３において、センス電流は、軟
磁性体の磁化容易軸方向に対して垂直の方向に供給され
ることになる。したがって、ＡＭＲ素子３は、外部磁界
がないとき、センス電流が供給される方向と軟磁性体の
磁化方向とが垂直に交わるようになる。このとき、ＡＭ
Ｒ素子３では、センス電流に対する抵抗値が最小とな
る。
【００３６】また、ＡＭＲ素子３では、外部磁界の影響
によって、その軟磁性体の磁化方向が外部磁界の磁化方
向と平行となるように変化される。このとき、ＡＭＲ素
子３では、センス電流に対する抵抗値が増大する。そし
て、ＡＭＲ素子で３は、外部磁界の影響により、軟磁性
体の磁化方向とセンス電流が供給される方向とが平行に
なると、センス電流に対する抵抗値が最大となる。
によって、その軟磁性体の磁化方向が外部磁界の磁化方
向と平行となるように変化される。このとき、ＡＭＲ素
子３では、センス電流に対する抵抗値が増大する。そし
て、ＡＭＲ素子で３は、外部磁界の影響により、軟磁性
体の磁化方向とセンス電流が供給される方向とが平行に
なると、センス電流に対する抵抗値が最大となる。
【００３７】上述したようなＡＭＲ素子３のセンス電流
に対する抵抗値と外部磁界との関係は、図４に示すよう
に、下に凸の磁気抵抗効果曲線を示している。なお、図
４に示す特性図は、横軸が外部磁界の大きさを示し、縦
軸がセンス電流に対する抵抗値の大きさを示すものであ
る。
に対する抵抗値と外部磁界との関係は、図４に示すよう
に、下に凸の磁気抵抗効果曲線を示している。なお、図
４に示す特性図は、横軸が外部磁界の大きさを示し、縦
軸がセンス電流に対する抵抗値の大きさを示すものであ
る。
【００３８】一方、バイアス導体４は、所定の電流が供
給されると、図２中矢印Ｈｂ1及びＨｂ2で示すように、
ＧＭＲ素子２ＡＭＲ素子３とに対して互いに逆方向にバ
イアス磁界を発生する。このバイアス磁界は、ＧＭＲ素
子２及びＡＭＲ素子３が外部磁界を検出する際の動作点
を移動することにより、動作点をより線形性の良い点に
移動することができる。ＧＭＲ素子２は、このバイアス
磁界（Ｈｂ1）が印加されることにより、図５に示すよ
うに、磁気抵抗効果曲線が移動する。これに対して、Ａ
ＭＲ素子３は、ＧＭＲ素子２に対して逆方向のバイアス
磁界（Ｈｂ2）が印加されるために、図６に示すように
その磁気抵抗効果曲線が移動する。
給されると、図２中矢印Ｈｂ1及びＨｂ2で示すように、
ＧＭＲ素子２ＡＭＲ素子３とに対して互いに逆方向にバ
イアス磁界を発生する。このバイアス磁界は、ＧＭＲ素
子２及びＡＭＲ素子３が外部磁界を検出する際の動作点
を移動することにより、動作点をより線形性の良い点に
移動することができる。ＧＭＲ素子２は、このバイアス
磁界（Ｈｂ1）が印加されることにより、図５に示すよ
うに、磁気抵抗効果曲線が移動する。これに対して、Ａ
ＭＲ素子３は、ＧＭＲ素子２に対して逆方向のバイアス
磁界（Ｈｂ2）が印加されるために、図６に示すように
その磁気抵抗効果曲線が移動する。
【００３９】ＭＲ素子１は、外部磁界を検出する際、上
述したようにバイアス磁界が印加されたＧＭＲ素子２及
びＡＭＲ素子３に対して直列にセンス電流が供給される
ために、センス電流に対する素子全体の抵抗値がＧＭＲ
素子２の抵抗値とＡＭＲ素子３の抵抗値の和となる。す
なわち、ＭＲ素子１は、図７に実線Ａで示すように、そ
の全体の磁気抵抗効果曲線が図７に点線Ｂで示すＧＭＲ
素子２の磁気抵抗効果曲線と図７に点線Ｃで示すＡＭＲ
素子３の磁気抵抗効果曲線との和となっている。
述したようにバイアス磁界が印加されたＧＭＲ素子２及
びＡＭＲ素子３に対して直列にセンス電流が供給される
ために、センス電流に対する素子全体の抵抗値がＧＭＲ
素子２の抵抗値とＡＭＲ素子３の抵抗値の和となる。す
なわち、ＭＲ素子１は、図７に実線Ａで示すように、そ
の全体の磁気抵抗効果曲線が図７に点線Ｂで示すＧＭＲ
素子２の磁気抵抗効果曲線と図７に点線Ｃで示すＡＭＲ
素子３の磁気抵抗効果曲線との和となっている。
【００４０】また、ＭＲ素子１は、外部磁界の変化にと
もなって、抵抗値が変化する。ＭＲ素子１では、センス
電流が一定であるため、抵抗値が変化するとセンス電流
を供給する電圧が変化する。したがって、ＭＲ素子１で
は、外部磁界の変化をセンス電流の電圧変化として検出
することができる。
もなって、抵抗値が変化する。ＭＲ素子１では、センス
電流が一定であるため、抵抗値が変化するとセンス電流
を供給する電圧が変化する。したがって、ＭＲ素子１で
は、外部磁界の変化をセンス電流の電圧変化として検出
することができる。
【００４１】上述したように、ＭＲ素子１は、ＧＭＲ素
子２の抵抗値とＡＭＲ素子３の抵抗値との和がセンス電
流に対する全体としての抵抗値となる。
子２の抵抗値とＡＭＲ素子３の抵抗値との和がセンス電
流に対する全体としての抵抗値となる。
【００４２】一方、ＭＲ素子１は、バイアス導体４に対
して供給する電流を変化させることによって、バイアス
磁界の大きさを変化させることができる。これにより、
ＭＲ素子１は、ＧＭＲ素子２及びＡＭＲ素子３の磁気抵
抗効果曲線重ね合わせ量、つまり動作点での合成曲線の
傾きを自在に変化させることができる。すなわち、この
ＭＲ素子１では、外部磁界の大きさに応じて素子の磁界
感度を自在に設定することが可能である。
して供給する電流を変化させることによって、バイアス
磁界の大きさを変化させることができる。これにより、
ＭＲ素子１は、ＧＭＲ素子２及びＡＭＲ素子３の磁気抵
抗効果曲線重ね合わせ量、つまり動作点での合成曲線の
傾きを自在に変化させることができる。すなわち、この
ＭＲ素子１では、外部磁界の大きさに応じて素子の磁界
感度を自在に設定することが可能である。
【００４３】上述した実施の形態にかかるＭＲ素子１
は、ＧＭＲ素子２とＡＭＲ素子３とを電気的に直列に接
続した。しかしながら、本発明にかかる実施の形態は、
このＭＲ素子１に限定されるものでなく、図８に示すよ
うな磁気抵抗効果素子１１（以下、ＭＲ素子１１と称
す。）であってもよい。なお、本実施の形態にかかるＭ
Ｒ素子１１において、上述したＭＲ素子１と同一の部材
は、同一の符号を付することでその構成及び動作の詳細
な説明は省略する。
は、ＧＭＲ素子２とＡＭＲ素子３とを電気的に直列に接
続した。しかしながら、本発明にかかる実施の形態は、
このＭＲ素子１に限定されるものでなく、図８に示すよ
うな磁気抵抗効果素子１１（以下、ＭＲ素子１１と称
す。）であってもよい。なお、本実施の形態にかかるＭ
Ｒ素子１１において、上述したＭＲ素子１と同一の部材
は、同一の符号を付することでその構成及び動作の詳細
な説明は省略する。
【００４４】このＭＲ素子１１は、図８に示すように、
ＧＭＲ素子２と、ＡＭＲ素子３と、バイアス導体４とを
有して構成されている。このＭＲ素子１１は、ＧＭＲ素
子２とＡＭＲ素子３との間にバイアス導体４が配されて
おり、全体として３層構造を有している。そして、この
ＭＲ素子１は、ＧＭＲ素子２とＡＭＲ素子３とが外部磁
界に対する感磁部となり、外部磁界を検出する。
ＧＭＲ素子２と、ＡＭＲ素子３と、バイアス導体４とを
有して構成されている。このＭＲ素子１１は、ＧＭＲ素
子２とＡＭＲ素子３との間にバイアス導体４が配されて
おり、全体として３層構造を有している。そして、この
ＭＲ素子１は、ＧＭＲ素子２とＡＭＲ素子３とが外部磁
界に対する感磁部となり、外部磁界を検出する。
【００４５】このＭＲ素子１１では、ＧＭＲ素子２の長
手方向の両端部とＡＭＲ素子３の長手方向の両端部とが
それぞれ電気的に接続されることによって、ＧＭＲ素子
２とＡＭＲ素子３とが並列に接続されている。
手方向の両端部とＡＭＲ素子３の長手方向の両端部とが
それぞれ電気的に接続されることによって、ＧＭＲ素子
２とＡＭＲ素子３とが並列に接続されている。
【００４６】以上のように構成されたＭＲ素子１１で
は、外部磁界を検出する際、バイアス導体に対して所定
の電流が供給される。これにより、ＧＭＲ素子２及びＡ
ＭＲ素子３には、互いに逆方向のバイアス磁界が印加さ
れる。そして、ＧＭＲ素子２及びＡＭＲ素子３では、動
作点がそれぞれ移動することによって、抵抗値が外部磁
界の変化に対してより線形性を有して変化する。
は、外部磁界を検出する際、バイアス導体に対して所定
の電流が供給される。これにより、ＧＭＲ素子２及びＡ
ＭＲ素子３には、互いに逆方向のバイアス磁界が印加さ
れる。そして、ＧＭＲ素子２及びＡＭＲ素子３では、動
作点がそれぞれ移動することによって、抵抗値が外部磁
界の変化に対してより線形性を有して変化する。
【００４７】また、ＭＲ素子１１は、センス電流がキル
ヒホフの第１法則に従ってＧＭＲ素子２及びＡＭＲ素子
３に対して供給される。これにより、ＭＲ素子１１で
は、所定の外部磁界に対するＧＭＲ素子２の抵抗値をＲ
1とし、ＡＭＲ素子３の抵抗値をＲ2とすると、その全体
の抵抗値が（Ｒ1×Ｒ2）／（Ｒ1＋Ｒ2）となる。
ヒホフの第１法則に従ってＧＭＲ素子２及びＡＭＲ素子
３に対して供給される。これにより、ＭＲ素子１１で
は、所定の外部磁界に対するＧＭＲ素子２の抵抗値をＲ
1とし、ＡＭＲ素子３の抵抗値をＲ2とすると、その全体
の抵抗値が（Ｒ1×Ｒ2）／（Ｒ1＋Ｒ2）となる。
【００４８】一方、ＭＲ素子１１は、バイアス導体４に
対して供給する電流を変化させることによって、バイア
ス磁界の大きさを変化させることができる。これによ
り、ＭＲ素子１は、ＧＭＲ素子２及びＡＭＲ素子３の磁
気抵抗効果曲線重ね合わせ量、つまり動作点での合成曲
線の傾きを自在に変化させることができる。すなわち、
このＭＲ素子１では、外部磁界の大きさに応じて素子の
磁界感度を自在に設定することが可能である。
対して供給する電流を変化させることによって、バイア
ス磁界の大きさを変化させることができる。これによ
り、ＭＲ素子１は、ＧＭＲ素子２及びＡＭＲ素子３の磁
気抵抗効果曲線重ね合わせ量、つまり動作点での合成曲
線の傾きを自在に変化させることができる。すなわち、
このＭＲ素子１では、外部磁界の大きさに応じて素子の
磁界感度を自在に設定することが可能である。
【００４９】
【発明の効果】以上詳細に説明したように、本発明にか
かる磁気抵抗効果素子は、巨大磁気抵抗効果素子と異方
性磁気抵抗効果素子に対して同一のバイアス磁界を印加
し、巨大磁気抵抗効果素子に抵抗値と異方性磁気抵抗効
果素子の抵抗値とで全体の抵抗値を検出することによっ
て、外部磁界に対して磁気抵抗効果特性を自在に制御す
ることができる。
かる磁気抵抗効果素子は、巨大磁気抵抗効果素子と異方
性磁気抵抗効果素子に対して同一のバイアス磁界を印加
し、巨大磁気抵抗効果素子に抵抗値と異方性磁気抵抗効
果素子の抵抗値とで全体の抵抗値を検出することによっ
て、外部磁界に対して磁気抵抗効果特性を自在に制御す
ることができる。
【図１】本発明にかかる磁気抵抗効果素子の構成を示す
模式図である。
模式図である。
【図２】同磁気抵抗効果素子を模式的に示す平面図であ
る。
る。
【図３】巨大磁気抵抗効果素子の磁気抵抗効果曲線を示
す特性図である。
す特性図である。
【図４】異方性磁気抵抗効果素子の磁気抵抗効果曲線を
示す特性図である。
示す特性図である。
【図５】バイアス磁界（Ｈｂ1）が印加された巨大磁気
抵抗効果素子の磁気抵抗効果曲線を示す特性図である。
抵抗効果素子の磁気抵抗効果曲線を示す特性図である。
【図６】バイアス磁界（Ｈｂ2）が印加された異方性磁
気抵抗効果素子の磁気抵抗効果曲線を示す特性図であ
る。
気抵抗効果素子の磁気抵抗効果曲線を示す特性図であ
る。
【図７】本発明にかかる磁気抵抗効果素子の磁気抵抗効
果曲線を示す特性図である。
果曲線を示す特性図である。
【図８】本発明にかかる他の磁気抵抗効果素子を模式的
に示す平面図である。
に示す平面図である。
【図９】従来の磁気抵抗効果素子である異方性磁気抵抗
効果素子の斜視図である。
効果素子の斜視図である。
【図１０】同異方性磁気抵抗効果素子の磁気抵抗効果曲
線を示す特性図である。
線を示す特性図である。
【図１１】従来の磁気抵抗効果素子である巨大磁気抵抗
効果素子の斜視図である。
効果素子の斜視図である。
【図１２】同巨大磁気抵抗効果素子の磁気抵抗効果曲線
を示す特性図である。
を示す特性図である。
【図１３】図１０に示す磁気抵抗効果曲線と図１２に示
す磁気抵抗効果曲線とを合成した磁気抵抗効果曲線を示
す特性図である。
す磁気抵抗効果曲線とを合成した磁気抵抗効果曲線を示
す特性図である。
１ 磁気抵抗効果素子（ＭＲ素子）、２ 巨大磁気抵抗
効果素子（ＧＭＲ素子）、３ 異方性磁気抵抗効果素子
（ＡＭＲ素子）、４ バイアス導体
効果素子（ＧＭＲ素子）、３ 異方性磁気抵抗効果素子
（ＡＭＲ素子）、４ バイアス導体
Claims (4)
- 【請求項１】 巨大磁気抵抗効果を示す巨大磁気抵抗効
果素子と、 上記巨大磁気抵抗効果素子に対向して配される異方性磁
気抵抗効果素子と、 上記巨大磁気抵抗効果素子と上記異方性磁気抵抗効果素
子との間に配され、上記巨大磁気抵抗効果素子と上記異
方性磁気抵抗効果素子とに対して所定のバイアス磁界を
付与するバイアス導体と、 を備えることを特徴とする磁気抵抗効果素子。 - 【請求項２】 上記磁気抵抗効果素子に対して供給され
るセンス電流の方向が、検出しようとする外部磁界に対
して略平行とされることを特徴とする請求項１記載の磁
気抵抗効果素子。 - 【請求項３】 上記巨大磁気抵抗効果素子と上記異方性
磁気抵抗効果素子とは、電気的に直列に接続されること
を特徴とする請求項１記載の磁気抵抗効果素子。 - 【請求項４】 上記巨大磁気抵抗効果素子と上記異方性
磁気抵抗効果素子とは、電気的に並列に接続されること
を特徴とする請求項１記載の磁気抵抗効果素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8077996A JPH09270550A (ja) | 1996-03-29 | 1996-03-29 | 磁気抵抗効果素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8077996A JPH09270550A (ja) | 1996-03-29 | 1996-03-29 | 磁気抵抗効果素子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09270550A true JPH09270550A (ja) | 1997-10-14 |
Family
ID=13649429
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8077996A Withdrawn JPH09270550A (ja) | 1996-03-29 | 1996-03-29 | 磁気抵抗効果素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH09270550A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003110161A (ja) * | 2001-09-28 | 2003-04-11 | Nec Tokin Corp | 磁気センサ |
| CN102073023A (zh) * | 2009-11-19 | 2011-05-25 | Nxp股份有限公司 | 磁场传感器 |
| WO2013161219A1 (ja) * | 2012-04-23 | 2013-10-31 | 株式会社デンソー | 磁気センサ |
-
1996
- 1996-03-29 JP JP8077996A patent/JPH09270550A/ja not_active Withdrawn
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003110161A (ja) * | 2001-09-28 | 2003-04-11 | Nec Tokin Corp | 磁気センサ |
| CN102073023A (zh) * | 2009-11-19 | 2011-05-25 | Nxp股份有限公司 | 磁场传感器 |
| EP2330432A1 (en) | 2009-11-19 | 2011-06-08 | Nxp B.V. | Magnetic field sensor |
| US8587299B2 (en) | 2009-11-19 | 2013-11-19 | Nxp B.V. | Magnetic field sensor |
| WO2013161219A1 (ja) * | 2012-04-23 | 2013-10-31 | 株式会社デンソー | 磁気センサ |
| JP2013242299A (ja) * | 2012-04-23 | 2013-12-05 | Denso Corp | 磁気センサ |
| US20150042319A1 (en) * | 2012-04-23 | 2015-02-12 | Denso Corporation | Magnetic sensor |
| US9664768B2 (en) | 2012-04-23 | 2017-05-30 | Denso Corporation | Magnetic sensor |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US6243288B1 (en) | Giant magnetoresistive sensor, thin-film read/write head and magnetic recording apparatus using the sensor | |
| US6657823B2 (en) | Differential detection read sensor, thin film head for perpendicular magnetic recording and perpendicular magnetic recording apparatus | |
| US4751598A (en) | Thin-film, cross-field, closed-flux, anisotropic electromagnetic field device | |
| JPH10283615A (ja) | 磁気抵抗型変換器 | |
| JPH11102508A (ja) | 薄膜磁気変換器 | |
| US7016160B2 (en) | Differential CPP reader for perpendicular magnetic recording | |
| US7046487B2 (en) | Magnetoresistive effective element, thin film magnetic head, magnetic head device and magnetic recording/reproducing device | |
| US6765770B2 (en) | Apparatus and method of making a stabilized MR/GMR spin valve read element using longitudinal ferromagnetic exchange interactions | |
| US20050099740A1 (en) | Method and apparatus for providing magnetostriction control in a freelayer of a magnetic memory device | |
| US8270122B2 (en) | Magnetic recording and reproducing device including a differential read head | |
| US7099122B2 (en) | Spin polarization enhancement artificial magnet | |
| JPH1041562A (ja) | 磁気抵抗効果素子 | |
| JPH11154309A (ja) | 磁気抵抗効果型磁気ヘッド | |
| JPH09270550A (ja) | 磁気抵抗効果素子 | |
| JP3048552B2 (ja) | 磁気記録再生方法及び磁気記録再生装置 | |
| JPH1125425A (ja) | 磁気ヘッド | |
| US6154350A (en) | Soft adjacent layer-biased magnetoresistive head and method | |
| JPH1049834A (ja) | 多層磁気抵抗効果膜、磁気抵抗効果素子及び磁気抵抗効果型磁気ヘッド | |
| US7154716B2 (en) | Tunnel valve free layer stabilization system and method using additional current in lead | |
| JPH09282613A (ja) | 磁気抵抗効果型磁気ヘッド | |
| JPH09251612A (ja) | 薄膜磁気ヘッド | |
| JPH11203634A (ja) | 磁気抵抗効果型ヘッド | |
| JPH09270548A (ja) | 磁気抵抗効果素子及びこれを用いた磁気抵抗効果型磁気ヘッド | |
| JP2002367123A (ja) | 磁気ヘッド | |
| JPH1064018A (ja) | 磁気抵抗効果型磁気ヘッド |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Application deemed to be withdrawn because no request for examination was validly filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20030603 |