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JPH09260626A - 光電変換装置及びその作製方法及び物質透過撮像装置及び実装装置 - Google Patents

光電変換装置及びその作製方法及び物質透過撮像装置及び実装装置

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JPH09260626A
JPH09260626A JP26713896A JP26713896A JPH09260626A JP H09260626 A JPH09260626 A JP H09260626A JP 26713896 A JP26713896 A JP 26713896A JP 26713896 A JP26713896 A JP 26713896A JP H09260626 A JPH09260626 A JP H09260626A
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adhesive
conversion device
substrate
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岡田　　聡
Shinichi Hayashi
眞一 林
Masakazu Morishita
正和 森下
Eiichi Takami
栄一 高見
Chiori Mochizuki
千織 望月
Akira Funakoshi
章 冨名腰
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慎市 竹田
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忠夫 遠藤
Akira Tago
晃 多胡
Toshikazu Tamura
敏和 田村
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 複数枚の基板を平面的に配列した光電変換装
置において、各基板の高さギャップの発生を無くすこと
により、解像力の低下及び感度の低下、剥れ等の問題が
生じない光電変換装置を実現する。 【解決手段】 基台２上に、複数枚の半導体素子基板１
を配列して接着剤５１で固定して形成する光電変換装置
において、複数の前記基板１の表面が、前記基台２表面
と、それぞれの前記基板１の半導体素子１３面との間の
寸法を設計値Ａに保った状態で、前記接着剤５１を硬化
して所望の前記接着剤５１の厚みで高さ調整されて、同
一平面としてあることを特徴とした実装方法による光電
変換装置。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、光電変換装置に係
わり、特に大面積プロセスを用いて形成する光電変換装
置、例えばファクシミリ、デジタル複写機あるいはＸ線
撮像装置等の等倍読み取りを行う二次元の光電変換装置
に好適に用いられる光電変換装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来、ファクシミリや複写機、スキャナ
ーあるいはＸ線撮像装置等の原稿読み取り装置として、
縮小光学系とＣＣＤ型センサを用いた読み取り系が用い
られていたが、近年、水素化アモルファスシリコン（以
下、ａ−Ｓｉと記す）に代表される光電変換半導体材料
の開発により、光電変換素子及び信号処理部を大面積の
基板に形成し、情報源と等倍の光学系で読み取るいわゆ
る密着型センサの開発がめざましい。特にａ−Ｓｉは光
電変換材料としてだけでなく、薄膜電界効果型トランジ
スタ（以下ＴＦＴと記す）としても用いることができる
ので光電変換半導体層とＴＦＴの半導体層とを同時に形
成することができる利点を有している。
【０００３】また、同時に形成する薄膜電界効果トラン
ジスタ等のスイッチ素子および容量素子とはマッチング
が良く、同一膜構成で形成できるため共通な膜として同
時に形成可能であり、さらに光電変換装置を高ＳＮ化、
低コスト化することができる。またコンデンサも中間層
として共通に使用される絶縁層を含んで構成することに
加えて、良好な特性で形成でき複数の光電変換素子で得
られた光情報の積分値を簡単な夫々構成で出力できる高
機能の光電変換装置が提供出来る。また低コストで大面
積、高機能、高特性である点を利用して高付加価値のフ
ァクシミリやＸ線レントゲン装置を提供できる。
【０００４】しかしながら、より大画面の光電変換装置
では、製造時の微小なチリ、特にアモルファスシリコン
層を基板に堆積する時に薄膜堆積装置の壁から剥がれ出
るゴミや、メタル層を基板に堆積する時に基板上に残っ
ているほこりを完全になくすことは難しい。そのため、
ゴミやほこりなどに起因する配線の不具合、即ち配線の
ショート（短絡）またはオープン（断線）をなくすこと
はより大きな基板程難しかった。つまり、図３のように
１枚の基板を用いて大画面の光電変換装置１２１を製作
するときには、１枚の基板が大きくなればなるほど基板
１枚あたりの歩留まりは低くなり、同時に基板１枚あた
りの不具合による損失額も大きくなるのである。
【０００５】このように、一つの基板を大面積化して一
基板による大面積な光電変換装置では現時点では充分な
低コスト価を達成することが難しい。
【０００６】そこで、シリコンウエハーや薄板ガラスの
表面に光電変換半導体素子を形成した基板を複数枚用意
し、基台上に複数の基板をアレイ状に実装することで、
大面積の光電変換装置を構成することが行なわれてい
る。
【０００７】図４（Ａ）は、このような、複数枚の基板
を平面的に配列して構成した光電変換装置の一例を示す
模式的平面図であり、図４（Ｂ）はその模式的側面図で
ある。図において、１は基板、２は基台、５１は基板１
と基台２を固定する接着剤である。
【０００８】前記基板１は、一般にシリコンウエハーや
薄板ガラスを使用する。シリコンウエハーの厚み公差
は、±２５μ、薄板ガラスの厚み公差は±２００μであ
り、通常、半導体素子は表面に形成するが、それを実装
する際には、裏面を基台に接着する場合がほとんどであ
る。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、基板１
と基台２を一定の厚さの接着剤５１で固定しようとして
も、それぞれの基板の高さギャップが発生し、光電変換
装置の性能を著しく低下させるという問題があった。
【００１０】図４（Ｂ）は、このような基板の高さギャ
ップＢを示す模式的側面図であり、理解し易いようにギ
ャップＢを強調して示してある。図に示すように、それ
ぞれの基板１の厚みＴ1 及びＴ2 は、バラツキを持って
いる為、接着剤の厚みｔ2 を一定にすると、各基板１の
表面（半導体素子部）の高さが異なり、基板の高さギャ
ップＢが生じてしまうのである。
【００１１】基板の高さギャップＢが発生することによ
って、基板によっては例えば、基板上に形成した蛍光
体、もしくは、被写体（原稿）と半導体素子との距離が
許容範囲以上に離れ、その結果ピントズレを起こし、解
像力の低下や感度の低下を誘発するという問題が生じる
場合があった。
【００１２】又、基板１の半導体素子面へ蛍光体を貼り
付ける場合、アレイ内の中で基板１の半導体素子面の高
さが異なる為、全ての基板１に密着させることが不可能
となると共に、接着できても剥れの原因になる場合があ
るという問題があった。
【００１３】従来、この基板の高さギャップＢを無くし
て同一面にする為、それぞれの基板の厚みをあらかじめ
研摩するなどの対策を施していたが、時間と工程が多く
かかりコスト上昇につながるという問題があった。
【００１４】［発明の目的］本発明は、上記課題を解決
すべく、大画面の光電変換装置を光電変換素子を搭載し
た複数の基板を隣接して配置する構成とし、かかる構成
での光電変換装置の性能を向上させることを目的とす
る。
【００１５】また本発明の目的は、複数枚の基板を平面
的に配列した光電変換装置において、各基板の高さギャ
ップの発生を無くすことにより、ピントズレ、解像力の
低下及び感度の低下、表面に蛍光体を接着する場合の蛍
光体の剥れ等の問題が生じない光電変換装置を簡単な方
法で実現することにある。
【００１６】加えて本発明の目的は、基台上に隣接配置
された基板間の間隙の変化が実質的になく、光電変換素
子のピッチずれなどが生じない光電変換装置を提供する
ことである。
【００１７】更に本発明の目的は、製品の歩留りが高
く、低コスト化を達成し、かつ、上述の問題点をも解決
し得る構成の光電変換装置及びその作製方法を提供する
ことである。
【００１８】
【課題を解決するための手段】本発明は、基台上に、複
数枚の半導体素子基板を配列して接着剤で固定してなる
光電変換装置において、複数の前記基板の基台と反対側
の表面が、それぞれの基板を接着する前記接着剤の厚み
で高さ調整されて、同一平面とされている光電変換装置
を提供する。
【００１９】又、本発明は、それぞれ光電変換素子を有
する複数の基板を隣接して基台と貼り合わせてなる光電
変換装置において、該基板と該基台とは弾力性を有する
接着剤を用いて貼り合わされてなる光電変換装置を提供
する。
【００２０】加えて本発明は、基台上に、複数枚の半導
体素子基板を配列して接着剤で固定してなる光電変換装
置の実装方法において、前記基台表面とそれぞれの前記
基板の半導体素子面との間の寸法を設計値に保った状態
で、前記接着剤を硬化する工程を有する光電変換装置の
作製方法を提供する。
【００２１】また本発明は、基台上に、複数枚の半導体
素子基板を配列して接着剤で固定してなる光電変換装置
の実装装置において、前記接着剤が硬化するまで、前記
基台表面と前記基板の半導体素子面との間の寸法を設計
値に保った状態で、前記基板を保持する手段を有する実
装装置を提供する。
【００２２】［作用］本発明によれば、半導体素子を有
する基板を複数枚、平面を持つ一つの基台の上にアレイ
状に配列された光電変換装置において、一アレイ内にお
いて、半導体素子を有する複数の基板の半導体素子面を
同一面となる様に実装し、基板厚みのバラツキを裏面の
接着剤の厚みで調整し、それぞれの基板を固定する。こ
れにより、平面精度を向上することができる。
【００２３】また、本発明は、それぞれ光電変換素子を
搭載した複数の基板を接着樹脂により、該基板同士を隣
接して基体と貼り合わせ、前記接着樹脂として弾性を有
する接着樹脂を用いることで、周囲環境温度変化等があ
ったときに基板と基体との熱膨張係数差で生ずる力を前
記貼り合わせ接着樹脂の弾力性にて吸収し、隣接する基
板間の隙間間隔の変動を抑制し、隣接する基板間の隙間
間隔を周囲環境温度変化等によらず均一に保持するもの
である。
【００２４】加えて本発明は、二次元的に配列された光
電変換素子を搭載した基板を平面的に少なくとも２枚以
上の複数枚貼り合わせて構成する光電変換装置におい
て、光電変換素子を搭載した基板と貼り合わせ基台との
膨張係数差を前記貼り合わせの弾力性のない固定用接着
樹脂と弾力性のある半固定用接着樹脂にて吸収し、前記
光電変換素子を搭載した基板の平面的に少なくとも２枚
以上の複数基板を貼り合わせた隙間間隔を周囲環境温度
変化内で実質的に均一化するものである。
【００２５】また、２枚以上の複数枚貼り合わせて構成
する光電変換装置において、光電変換素子を搭載した基
板と貼り合わせ基台との膨張係数差を前記貼り合わせの
弾力性のない固定用接着樹脂と弾力性のある半固定用接
着樹脂の塗布量と塗布位置の組み合わせによって解決す
ることができる。
【００２６】接着に使用される接着剤としては接着され
る基板と基台の夫々の接着面の材質に応じて適宜選択す
ることが可能であるが、基板の高さを調整することを主
たる目的とする場合は、硬化収縮がないかあっても少な
い接着剤を選択することが望ましい。
【００２７】弾力性を有する接着剤を使用する場合は、
完全に均一でなくとも光電変換装置の使用形態、たとえ
ば被読取物に密着させて読取る際に押圧によって実質的
に均一に読取ることができるという点においても好まし
い。
【００２８】しかしながら、押圧しながらの使用では使
用形態が限られてしまうので、できれば弾力性を有する
接着剤としても硬化収縮がないか少ないものを選ぶこと
が望ましい。
【００２９】本発明に使用可能な接着剤の好適な一例と
しては、アクリル系、エポキシ系、シリコーン系などが
好適に挙げられ、また、弾力性、特にゴム状弾性を有す
る接着樹脂としては、シリコーン系であるシリコーンゴ
ム系、ブチルゴム系、ポリサルファイド系、スチレンゴ
ム系、ニトリルゴム系、クロロプレン系等の接着樹脂を
好適に用いることができる。
【００３０】もちろん、接着剤としては１液型であって
も２液型であってもよく、これらの接着剤を必要に応じ
て組合わせて、あるいは混合しても良い。
【００３１】
【発明の実施の形態】
［第１の実施形態］図１（Ａ）は、本発明の好適な一実
施形態に係る光電変換装置の模式的平面図、図１（Ｂ）
は、その模式的断面図を示す図であり、図において、４
枚の基板１は、基台２上に、接着剤５１により、その半
導体素子１３面が同一平面となるように固定されてい
る。また１２は波長変換体としての蛍光体である。この
ような構成により入射したＸ線等の放射線のような、不
感知又は感度の低い波長域の電磁波を充分な感度を有す
る波長域の光に変換して、光電変換素子に対して出射す
ることで、Ｘ線撮像装置として機能させることができ
る。
【００３２】また、図２は、図１（Ｂ）のＤ部の拡大図
である。
【００３３】図１（Ｂ）に示すように、本実施形態の基
板１は、それぞれの厚みＴ1 ，Ｔ2が異なるが、接着剤
５１の厚みｔ1 ，ｔ2 によって調整されて、表面は同一
高さＡに統一されている。
【００３４】次に、図５の工程フロー及び各図面を用い
て、本実施形態の基板実装方法について説明する。以
下、図１２の工程フローに沿って説明する。
【００３５】まず〔基台セット〕を行なう（１２０
１）。
【００３６】図６（Ａ）は、第１ステージ３に基台２を
セットした状態を示す模式的平面図であり、図６（Ｂ）
はその模式的断面図である。基台２は、第１ステージ３
上に取付けられている３本の位置決めピン５にそれぞれ
が接触する様にセットする。その時、前記セット状態を
維持する為、基台２の裏面を第１ステージ３よりバキュ
ームチャックする。
【００３７】次に、〔接着剤塗布〕を行なう（１２０
２）。
【００３８】図７（Ａ）の模式的平面図及び図７（Ｂ）
のその模式的断面図に示されるように、基台２の上面に
接着剤５１を同図の様に所定の間隔で３６ケ所塗布す
る。
【００３９】塗布条件は、たとえば約０．０５ｇの重量
の接着剤を、接着剤高さＨ＝０．５ｍｍ以上に塗布す
る。
【００４０】 接着剤の詳細 種類 ：光硬化性樹脂 粘度 ：２０，０００ｃｐｓ 硬化速度：２，０００ｍｊ／ｃｍ2 次に、〔基板セット〕を行なう（１２０３）。もちろ
ん、〔基板セット〕（１２０３）は上述の〔基台セッ
ト〕１２０１、〔接着剤塗布〕１２０２と同時並行的に
行なってよい。
【００４１】図８（Ａ）は、第２ステージ４に、基板１
をセットした模式的平面図であり、図８（Ｂ）はその模
式的断面図である。基板１は、第２ステージ４上に取付
けられている３本の位置決めピン５にそれぞれが接触す
る様にセットする。その時、前記セット状態を維持する
為、基板１の裏面を第２ステージ４よりバキュームチャ
ックする。尚、図中１３は光電変換素子マトリクスの一
部を概略的に示している。
【００４２】次に、〔基板チャッキング〕を行なう（１
２０４）。
【００４３】図９及び図１０は、夫々基板１を、第２ス
テージ４から、バキュームプレート６又はバキュームパ
ッド７でバキュームチャックし、保持した状態を示す図
である。
【００４４】図９（Ａ）及び図１０（Ａ）は夫々模式的
平面図を、図９（Ｂ）及び図１０（Ｂ）は夫々模式的断
面図を示す。
【００４５】図９（Ａ）及び９（Ｂ）に示されるよう
に、バキュームプレート６はアルミニウムなどの基材の
表面に溝９を設け、該溝９に連通して吸引口（不図示）
を形成してある。吸引口には（不図示の）ポンプなどの
吸引手段に連通され、吸引手段の作動によって、溝９内
の空気のような気体を吸引可能に構成される。
【００４６】バキュームプレート６の溝９形成側面を基
板１に接触させ、溝９と基板１とでできた空間内の空気
を吸引手段により排出することでバキュームプレート６
は基板１に吸着する。
【００４７】溝９の形状や溝９の凹部の形は適宜決めら
れて良い。
【００４８】バキュームパッド７はパッドプレート８に
接続されたパイプ７ａの先端に取付けられた可撓性のパ
ッドで、多くの場合、パイプ７ａの開口の囲りに弾性を
有する部材として取付けられている。バキュームパッド
７はパイプ７ａと基板１との接触による基板１の損傷又
は傷付きを防止するために設けられ、また、パイプ７ａ
に接続された不図示のポンプのような吸引手段による吸
引を効率良く行なうための吸引漏れ防止のために設けら
れる。
【００４９】バキュームパッド７の配置の仕方は吸着
力、基板の大きさなどを考慮して適宜決めることができ
る。
【００５０】バキュームプレード６及びバキュームパッ
ド７は、基板１の上面である素子部に接触する為、バキ
ュームプレート６は、アルミ材などの基材の少なくとも
基板１に接触する部分の表面に、傷付き防止のために又
は吸引漏れの減少のためにテフロンを含有させた表面処
理などを施すことは好ましい。又、バキュームパッド７
は、ゴム材を使用するのが好ましい。
【００５１】もちろん、吸着手段は上述のものに限られ
ず、適宜変形可能である。
【００５２】次に、〔基板位置決め〕を行なう（１２０
５）。
【００５３】図１１（Ａ）は、一枚目の基板１をバキュ
ームプレート６にて、第２ステージ４より搬送し、第１
ステージ３の基台２の所定の場所へ位置決めされた場合
の一例を示す模式的平面図、図１１（Ｂ）はその模式的
断面図である。この時、基台２の上面と、基板１の素子
面までの距離Ａ（基準高さ寸法）は、バキュームプレー
ト６に取付けられている治具であるストッパーピン１４
の突出量にて一定される。
【００５４】基準高さ寸法Ａは、基板１の厚みＴ1 およ
びＴ2 が１．１±０．１で、厚みバラツキが最大で０．
２ｍｍあるとすると、Ａ＝１．３ｍｍとする。よって、
基板１の厚みのバラツキで、接着剤の厚みｔ1 及びｔ2
が、以下の様に決定する。
【００５５】Ａ＝Ｔ1 ＋ｔ1 Ａ＝Ｔ2 ＋ｔ2 次に、〔接着剤硬化〕を行なう（１２０６）。
【００５６】図１２（Ａ）は、基台２の裏面側から、Ｕ
Ｖ光源１０より発光されたＵＶ光１１によって、接着剤
５１が照射され硬化されることを説明するための模式的
平面図、図１２（Ｂ）はその模式的断面図である。
【００５７】基板１は、基台２よりの高さ（基準高さ寸
法）Ａを維持する為、接着剤の厚みｔ1 を保持した状態
で接着剤５１を硬化させる。もちろん光源１０はＵＶ光
に限るものではなく、接着剤に応じて適宜選択し得るも
のである。また、ＵＶ硬化は熱的な問題が生ぜず好まし
いが、これ以外の硬化方法であっても接着剤に応じて選
択は可能である。もちろん光硬化型接着剤でなければＵ
Ｖ光照射は不要であり、たとえば２液硬化型接着剤な
ど、単に所定時間の保持でよい場合もある。もちろん、
この場合は必要箇所のみ接着剤が付与されるのはいうま
でもない。
【００５８】次に、〔基板チャック解放〕を行なう（１
２０７）。
【００５９】図１３（Ａ）は、基板１の裏面の接着剤５
１が硬化し、基板１の上面から基台２までの寸法（基準
高さ寸法）Ａが維持されることを確認後、バキュームプ
レート６のバキュームチャックを解放することを説明す
るための模式的平面図、図１３（Ｂ）はその模式的断面
図である。
【００６０】以後２枚目以降の基板１の接着において
も、上述した基板セット以降の工程をくり返す。ここで
はあと３回同様な操作が行なわれ、４つの基板１が接着
されて工程の終了となる。
【００６１】［第２の実施形態］図１４（Ａ）は、本発
明の別の実施形態に係わる光電変換装置の模式的平面図
であり、図１４（Ｂ）はその模式的断面図である。図１
５は図１４（Ｂ）のＥ部の概略的拡大図である。図中１
は上面に半導体素子が形成された基板、２は複数の基板
を固定するための基台、５１は基板１と基台２を貼り合
わせるための接着剤、１３は基板に形成された半導体素
子、１２は短波長の光を可視光に変換する蛍光体に代表
される波長変換体、６１は蛍光体を基板１に貼り合わせ
るための接着剤であり、これらによって本発明の第２の
実施例に係わる光電変換装置が形成されているものであ
る。
【００６２】図１４（Ｂ）に示すように、本実施形態の
基板１はそれぞれの厚みＦ１、Ｆ２が異なるが、接着剤
５１の厚みｆ１、ｆ２によって調整されて、下記に示す
ように基台を含めた厚さがＢに統一されている。
【００６３】Ｆ１＋ｆ１＋Ｃ＝Ｂ Ｆ２＋ｆ２＋Ｃ＝Ｂ ここでＣは基台２の厚さである。
【００６４】また、図示はしていないが、３枚目、４枚
目の基板１に対しても基板の厚みと接着層の厚みをそれ
ぞれＦ３、Ｆ４、ｆ３、ｆ４と定義をすれば同様の関係
を満たすものである。
【００６５】次に図１６の工程フロー及び図１７〜図２
０の各図面を用いて、本実施形態の基板実装方法につい
て説明する。なお、図１７〜図２０の各（Ａ）及び
（Ｂ）はそれぞれ模式的平面図、模式的側面図である。
図１７〜図２０における１０３は基台２を固定するため
の第３ステージ、４台の１０４は基板のアラインメント
をするための第１ステージ、１０６は複数の基板１の素
子面側を同一平面にし、運搬するための第２ステージで
ある。第３ステージ１０３に設けられた１０５は位置合
わせピン、１１４は第２ステージとのギャップを制御す
るためのスペーサ、１１５は吸着穴である。第１ステー
ジに設けられた１０９は位置合わせピン、１１６は吸着
穴である。図示はしていないが、第２ステージ１０６の
下部側にも吸着穴に設けられている。なお、図１６に示
した第１ステージ、第２ステージ、第３ステージはそれ
ぞれ図１７〜図２０の１０４，１０６，１０３に対応し
ている。
【００６６】図１７は図１６に示した第１ステージの基
板セット１５０４→第１基板チャッキング１５０５→基
板位置決め１５０６の工程を説明するものである。４つ
設けられた第１ステージ１０４のそれぞれに４枚の基板
１をそれぞれ３つの位置決めピン１０９に突き当てて基
板セットを行う（１５０４）。この時、基板１の素子表
面は（Ｂ）の図で上面側にしておく。次に、基板１がス
テージからずれないように第１ステージ１０４側の吸着
穴１１６（図２０（Ａ）に図示している）より吸引を行
って第１の基板チャッキングを行う（１５０５）。第１
ステージ１０４はそれぞれＸ，Ｙ，θ、Ｚ方向に移動で
きるようになっており、各基板１の相対位置のアライン
メントは第３ステージ１０４を動かすことによって行わ
れる。各基板１の相対位置精度としてｍｍ単位以下のも
のが要求されるような場合は顕微鏡によってパネルのパ
ターンもしくはアラインメントマークを確認しながらこ
れを行うと良い。ここまで行うことによって４枚の各パ
ネルは第３ステージ１０４上で相対位置がアラインメン
トされている状態となる（１５０６）。
【００６７】図１８は、図１６に示した第３ステージの
接着剤塗布１５０１→基台セット１５０２→基台チャッ
キング１５０３の工程を説明するものである。基台２に
は接着剤塗布機（たとえばディスペンサー）によって接
着剤５１が塗布される１５０１。図示する装置にたとえ
ばディスペンサーを組み込み、塗布できるようにしても
かまわない。図では基台に３６カ所ポイント塗布された
状態を描いているが、求められる条件によってはライン
状に塗布しても全面に塗布しても構わない。４枚の基板
１の素子上面側を出来る限りフラットにするためには、
硬化時の膨張・収縮が出来るだけ少ない接着剤にすると
良い。更に温度変化による変形の影響を抑えるには光硬
化型かエポキシ系接着剤に代表される２液混合型接着剤
（主剤と硬化剤）を含む常温硬化型の接着剤にすると良
い。この様に接着剤５１が塗布された基台２は第３ステ
ージ１０３に設けた３つの位置決めピン１０５に突き当
ててセットされる（１５０２）。次に基台２がずれない
ように基台下側表面を第３ステージ１０３側の吸着穴１
１５（図１７（Ａ）に図示している）より吸引を行って
基台チャッキングを行う（１５０３）。
【００６８】図１９は、図１６に示した第２ステージの
第２の基板チャッキング２の工程を示したものである。
第２ステージ１０６はアラインメントされた基板１をチ
ャッキングするために第１ステージ１０４上に移動した
後、基板１に接触する手前まで下降させステージ下面側
に設けた吸着穴（図示せず）より吸引を行って、その吸
引圧力をモニタリングしておく。そして第１ステージ１
０４を静かに上昇させ、第２ステージ１０６と基板が接
触しようとする瞬間のモニタリング圧力が、ある一定圧
力以下になった時に上昇を止め、つづいて吸引も止め
る。そうすることによって位置ずれや破損を起こすこと
もなく基板１を第１ステージ１０４から第２ステージ１
０６へスムーズに受け渡すことができ、第２ステージ１
０６へのチャッキングが完了する（１５０７）。第１ス
テージ４台に対し、第２ステージが１台なので、第２ス
テージ１０６側の吸着部は各基板に対応させて４つに系
統分けしてスイッチングができるようにしておくことが
望ましい。また、基板１の厚さはそれぞればらついてい
るので、上述作業は第１ステージ１０４を１台づつ順番
に行うと良い。
【００６９】図２０は、図１６の第３ステージの基板位
置決め１５０８→接着剤硬化１５０９→基板チャック解
放１５１０→基台チャック解放１５１１の工程を説明す
るものである。４枚の基板１を吸着した第２ステージ１
０６は基台２との接着を行うために第３ステージ１０３
上部に移動した後、下降し、第３ステージ１０３との隙
間を位置合わせスペーサ１１４の高さによって固定され
ることになる。この時、スペーサ１１４の高さは第３ス
テージ１０３と第２ステージ１０６のギャップが図１３
で示した厚みＢになるように設計されている。また、基
台２と基板１の平面方向のアラインメントにはスペーサ
１１４の突き出し部を第２ステージ１０６に設けたアラ
インメントホール（図示せず）に合わせ込むと良い。そ
して接着剤５１が硬化するまで図のように基台２の裏面
と基板１の素子面側を吸着したまま保持する。そうする
ことによって、接着剤５１が硬化するまでの間基板１、
基台２のズレを抑え硬化させることができるものであ
る。最後に第２ステージ１０６の吸着を止めて第２ステ
ージ１０６を上昇させれば、接着された状態の基板１と
基台２が第３ステージ１０３上に吸着されたまま残るこ
とになる。それから第３ステージ１０３の吸着を止めれ
ば接着された基板１と基台２は装置から取り外すことが
できるものである。
【００７０】この様に、４枚の基板の半導体素子面を同
一の平面で真空吸着し、基台表面を別の同一表面で真空
吸着し、接着剤が硬化するまでの間、対抗する平面の距
離を一定に保つことによって図１４（Ｂ）に示す様に素
子表面と基台の表面が設計寸法に接着されるとともに各
基板の素子表面は接着剤の厚みｆ１、ｆ２によって高さ
調整されるものである。
【００７１】［第３の実施形態］図２１は、本発明によ
る光電変換装置の模式的平面図である。図２２は図２１
の光電変換装置の模式的断面図である。
【００７２】図２１に示すように、配列された光電変換
素子が搭載される４枚の基板２１１，２１２，２１３，
２１４が一定の隙間間隔（図には示されていない）をあ
けて、シリコーン系接着剤等の接着剤５１で基台２に貼
り合わされて１つの大きな光電変換装置２１０１を構成
している。
【００７３】光電変換装置２１０１は、前述したごとく
情報源と等倍の光学系で読み取るいわゆる密着型センサ
を構成すべく、４枚の基板２１１〜２１４を用いて複数
の光電変換素子を二次元的に等間隔で配置したものであ
り、各基板には光電変換半導体層とＴＦＴの半導体層と
が同時に形成されている。
【００７４】既に述べたように、ａ−Ｓｉに代表される
光電変換半導体材料の開発により、光電変換素子及び薄
膜電界効果型トランジスタを大面積の基板（例えばガラ
ス基板）に形成することが可能であり、各基板２１１〜
２１４はこのような技術に基づき作製することができ
る。
【００７５】図２１に示した光電変換装置においては、
周囲環境温度変化等があった場合に、光電変換素子を搭
載した基板とそれらを貼り合わせる基台との熱膨張係数
差により隣接する基板間の隙間間隔の変動を生じさせる
ような力が働くが、貼り合わせる接着剤５１にシリコー
ン系接着剤のような弾力性のある材料を用いることによ
り、その力は接着樹脂の弾力性にて吸収される。そのた
め、貼り合わせたときの隙間間隔は周囲環境温度変化等
があっても均一に保持される。
【００７６】なお、基板と基台とを同一材料で構成すれ
ば熱膨張係数差は生じないが、接着樹脂として、例えば
熱硬化型の樹脂を用いると、基板と樹脂、或は基体と樹
脂との熱膨張係数の不一致のために、周囲環境温度変化
により界面でクラック等が生ずる場合があるので、基板
と基台とを同一材料で構成する場合でもシリコーン系接
着剤のような弾力性のある材料を用いることが望まし
い。接着剤を含めた厚さの調整は、実施例１又は２のい
ずれの位置合わせ方法をも適用することができる。
【００７７】［第４の実施形態］図２３は、本発明によ
る別の光電変換装置の模式的平面図である。
【００７８】図２３に示すように、本実施形態において
も実施形態３と同様に、配列された光電変換素子が搭載
される４枚の基板２１１，２１２，２１３，２１４が一
定の隙間間隔をあけて、シリコーン系接着剤等の接着剤
５１で基台２に貼り合わされて１つの大きな光電変換装
置２１０１を構成している。そして、光電変換素子を搭
載した基板とそれらを貼り合わせる基板との熱膨張係数
差により隣接する基板間の隙間間隔の変動を生じさせる
ような力が働いても、シリコーン系接着剤のような弾力
性のある材料を用いているので、その力は接着樹脂の弾
力性にて吸収される。
【００７９】ただし本実施形態においては、図２３に示
すように、隣接する基板の隣接側端部の接着樹脂の塗布
量を他の領域に比べて多くしている。このため、基板の
隣接側端部は基体との接着面積が大きくなり、熱膨張係
数差により生ずる力に対してより強い応力が働くように
なる。そのため、基板間の隙間間隔の変動がより生じに
くい構造となっている。
【００８０】［第５の実施形態］図２４は、本発明によ
る光電変換装置の別の好適な一例を示す模式的平面図で
ある。
【００８１】本実施形態の光電変換装置は、図２３の実
施形態４と同様に、基板の隣接側端部において基体との
接着面積を大きくし、熱膨張係数差により生ずる力に対
してより強い応力が働くようにしたものであるが、本実
施態様では図２４に示すように、隣接する基板の隣接側
端部の接着樹脂の塗布箇所を他の領域に比べて多くする
ことで基体との接着面積を大きくしている。そのため、
実施形態４と同様に基板間の隙間間隔の変動がより生じ
にくい構造となっている。
【００８２】［第６の実施形態］本発明の別の実施態様
例を図２５及び図２６を用いて説明する。
【００８３】図２５は基台２上に接着剤５１ａ，５１ｂ
を用いて接着された光電変換素子の複数を有する４つの
基板１を有する光電変換装置の一例を説明するための模
式的平面図、図２６はその模式的断面図である。
【００８４】本実施例では基板１と基台２との接着に異
なる性質の接着剤５１ａ，５１ｂを使用している。本実
施例ではより弾性を有する接着剤を接着剤５１ｂとして
示してある。
【００８５】具体的には、弾力性のある接着剤５１ｂと
しては上述したようなシリコーン系接着剤を用い、それ
より弾力性の小さい接着剤５１ａとしてはたとえばエポ
キシ系接着剤を選択することができる。
【００８６】本実施例では弾力性の小さい接着剤５１ａ
は各基板が隣接する側の辺に沿って塗布し、基板を接着
し、それ以外の部分に弾性を有する接着剤５１ｂを使用
している。即ち、本実施例ではいわば接着剤５１ａを固
定用に、接着剤５１ｂを半固定用に用いている。
【００８７】本例によれば、隣接する基板側に固定用
の、より弾力性のない接着剤を用いて固定しているの
で、環境温度に変化が生じても基板の継ぎ目部分の移動
が無視できる。従って、得られる画像もより一層高品位
なものになる。
【００８８】［第７の実施形態］図２７は、本実施態様
例を説明するための模式的平面図である。
【００８９】本実施態様例では、実施態様例６と同様に
性質の異なる接着剤５１ａ及び５１ｂを使用している。
また、本例は実施態様例６と同様に、隣接する基板側の
辺に沿って弾力性のない又は小さい接着剤５１ａを付与
している。
【００９０】しかしながら、本例においては、接着剤５
１ａの付与量を多くし、接着面積を大きくしている。
【００９１】これによって、より一層、基板の固定性を
向上させることができ、しかも、熱膨張などの熱的問題
は弾力性のある接着剤５１ｂによって同様に対処するこ
とができる。
【００９２】［第８の実施形態］本実施態様例を説明す
るための模式的平面図を図２８に示す。
【００９３】図示されるように、本実施態様例では弾力
性のない又は小さい接着剤５１ａを基板が隣接する側の
辺に沿って付与スポット数を多くしている。このような
付与の仕方により、同様に環境温度変化によらず基板間
の相対的位置決めを確実なものとすることができる。
【００９４】［第９の実施形態］本実施態様例を説明す
るための模式的平面図を図２９に示す。
【００９５】図示されるように、本実施態様例では弾力
性のない又は小さい接着剤５１ａをライン状に基板が隣
接する側の辺に沿って付与した。
【００９６】この場合も同様に環境温度が変化によら
ず、基板間の相対的位置決めを確固たるものとすること
ができる。
【００９７】［第１０の実施形態］次に上述した光電変
換装置を用いてＸ線レントゲン装置を構成した場合の一
例について説明する。
【００９８】図３０（Ａ）はＸ線レントゲン装置の光電
変換部及び周辺信号処理部の概略的部分平面図、図３０
（Ｂ）は光電変換部及び周辺信号処理部の具体的な構成
例を示す概略的部分断面図である。
【００９９】図３０（Ａ）及び図３０（Ｂ）において、
６０１１はａ−Ｓｉセンサ基板、６０１２はａ−Ｓｉセ
ンサ基板６０１１が貼り合わされた基体、６０１３はＸ
線を遮断するための板、６０３０はａ−Ｓｉセンサ基板
６０１１上に設けられた蛍光体、６０１０はａ−Ｓｉセ
ンサ基板６０１１と接続されるフレキシブル基板、６０
１８は周辺信号処理回路が搭載された回路基板、６０１
９はコネクタ、６０１４は抵抗、６０２０はこれらの部
材を収納する容器である。ａ−Ｓｉセンサ基板６０１１
と基板６０１２とは上記実施態様例に説明されるよう
に、シリコーン系接着剤のような弾力性のある材料で貼
り合わされており、ａ−Ｓｉセンサ基板６０１１どうし
の隙間間隔は周囲環境温度変化があっても均一に保持さ
れる。
【０１００】図３１は前記光電変換装置を有するＸ線レ
ントゲン装置を用いた検査システムの構成を示す図であ
る。図３１に示すように、本検査システムは、Ｘ線ルー
ムに配置されたイメージセンサ部６０４０、Ｘ線チュー
ブ６０５０、イメージプロセッサ６０７０、ディスプレ
イ６０８０、そしてドクタールームに配置されたディス
プレイ６０８１、レーザープリンタを有するフィルムプ
ロセッサ６１００を有する。
【０１０１】上記Ｘ線ルームに検査を受ける人６０６１
が入室し、イメージセンサ部６０４０の前に胸部６０２
０が対向するように移動すると、イメージプロセッサ６
０７０からの制御信号によりＸ線チューブ６０５０が動
作しＸ線６０６０が照射される。照射されたＸ線は胸部
を通過し、イメージセンサ部６０４０により光信号、電
気信号と変換され、イメージプロセッサ６０７０に転送
される。そして、イメージプロセッサ６０７０は胸部の
画像信号を生成してディスプレイ６０８０に送り胸部の
レントゲン画像を表示するとともに、ドクタールームに
画像信号６０９０として信号を送る。
【０１０２】ドクタールーム内ではＸ線ルームから転送
されてきた画像信号６０９０をディスプレイ６０８１に
送り胸部のレントゲン画像を表示するとともに、フィル
ムプロセッサ６１００により必要に応じてフィルム６１
１０を作製する。
【０１０３】本実施態様例では弾性を有する接着剤を用
いて基台と基板を接着することで、弾性のない接着剤の
みを使用した場合に較べて光電変換装置が置かれる環境
の温度が大きく急激に変化しても接着剤のクラックや各
基板間の間隙が変化するという問題をより生じにくくす
ることができる。
【０１０４】又、弾力性を有する接着剤と弾力性を有さ
ない又はそれより弾力性の小さい接着剤のように異なる
性質の接着剤とを並用することで熱的のみならず、振動
など機械的にもより強固にすることができ、移動システ
ムなど車載にもより適したものとすることができる。
【０１０５】尚、上述の実施態様例３〜９に説明される
光電変換装置も実施態様例１又は２に説明されるような
プロセスによって基板高さを調整して固定されるのが望
ましいことは云うまでもない。
【０１０６】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
以下の効果が得られる。
【０１０７】本発明によれば、複数の基板に対して、各
基板間での半導体素子面高さの凹凸がない為、ピントズ
レがなく、解像力の低下及び感度の低下を防止すること
が可能となる。
【０１０８】又、蛍光体のような波長変換体の貼り付け
面が複数の基板に対しても同一（又は実質的に同一）平
面である為、波長変換体の貼り付け作業も容易であり、
かつ、剥れにくく、信頼性も高いものが得られる。
【０１０９】又、本発明によれば、基台に基板を実装す
る前に、それぞれの基板の厚みを一定の寸法に加工する
工程が不要となり、生産性の向上ならびにコストダウン
を達成することができる。
【０１１０】加えて、本発明によれば、基台の上面より
基板の半導体素子面までの距離（基準高さ寸法）Ａを保
った状態で、光硬化性接着剤にて固定することで作業時
間も短かく、安定した製品を多数製造することが可能と
なる。
【０１１１】加えて、本発明によれば、周囲環境温度変
化等があったときに基板と基体との熱膨張係数差で生ず
る力を貼り合わせ接着樹脂の弾力性にて吸収し、隣接す
る基板間の隙間間隔の変動を抑制し、隣接する基板間の
隙間間隔を周囲環境温度変化等によらず均一に保持する
ことができる。
【０１１２】なお、基板に光電変換素子が一定の画素ピ
ッチで配列され、基板間が当該画素ピッチに対応するよ
うに所定の間隔で隣接して配置されている場合、基板間
の隙間間隔の変動は光電変換装置全体としての画素ピッ
チの変動となって現れることがあるが、本発明において
は、隣接する基板間の隙間間隔が周囲環境温度変化等に
よらず均一に保持されるので画素ピッチの変動を抑制す
ることができる。
【０１１３】また、本発明によれば、隣接する基板の隣
接側端部の接着樹脂の塗布量又は塗布箇所を他の領域に
比べて多くすることで、隣接する基板の隣接側端部の接
着面積を増大させ、より基板間の隙間間隔の変動が生じ
ないようにすることができる。
【０１１４】更に、本発明によれば上記隣接側端部の接
着剤を弾力性がないか小さくし、その他の部分の接着剤
を弾力性を有するように異なる特性の接着剤を用いるこ
とで基板間の間隙の変動を生じにくくし、かつ、基板面
位置精度を向上させ、しかも周囲環境の温度変化による
問題を解決することができる。
【０１１５】また、本発明によれば、上記隣接側端部の
接着剤を弾力性がないか小さくし、その他の部分を弾力
性を有する接着剤を使用するように、特性の異なる接着
剤を用い、更に、隣接側端部の接着剤の塗布量又は接着
面積を他の部分の特性の異なる接着剤より多く、あるい
は接着箇所（ポイント）の密度を他の部分の特性の異な
る接着剤より高くすることで上記に加え、より一層耐振
性を向上することができる。
【０１１６】そして、本発明の光電変換装置を利用した
レントゲン装置（Ｘ線撮像装置）に代表される物質透過
撮影装置を小型化することができ、移動のため車載する
ことも容易になるとともに、撮影データをデジタル処理
あるいは電気的操作を行なうことも容易になる。
【０１１７】なお、本発明は上述の説明及び実施態様例
に限定されるものではなく、本発明の主旨の範囲におい
て、適宜変形、組合せできることは云うまでもない。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の光電変換装置の好適な一例を説明する
ための模式的平面図（Ａ）、及びその模式的断面図
（Ｂ）。
【図２】図１（Ｂ）中の円Ｄの部分を拡大した模式的断
面図。
【図３】光電変換素子を有する基板の一例を説明するた
めの模式的平面図。
【図４】（Ａ）は光電変換装置の一例を説明するための
模式的平面図、（Ｂ）はその模式的断面図。
【図５】本発明の好適な実装手順の一例を説明するため
のフローチャート。
【図６】（Ａ）及び（Ｂ）は本発明の光電変換装置の実
装手順の好適な一例を説明するための模式的平面図及び
模式的断面図。
【図７】（Ａ）及び（Ｂ）は本発明の光電変換装置の実
装手順の好適な一例を説明するための模式的平面図及び
模式的断面図。
【図８】（Ａ）及び（Ｂ）は本発明の光電変換装置の実
装手順の好適な一例を説明するための模式的平面図及び
模式的断面図。
【図９】（Ａ）及び（Ｂ）は本発明の光電変換装置の実
装手順の好適な一例を説明するための模式的平面図及び
模式的断面図。
【図１０】（Ａ）及び（Ｂ）は本発明の光電変換装置の
実装手順の好適な一例を説明するための模式的平面図及
び模式的断面図。
【図１１】（Ａ）及び（Ｂ）は本発明の光電変換装置の
実装手順の好適な一例を説明するための模式的平面図及
び模式的断面図。
【図１２】（Ａ）及び（Ｂ）は本発明の光電変換装置の
実装手順の好適な一例を説明するための模式的平面図及
び模式的断面図。
【図１３】（Ａ）及び（Ｂ）は本発明の光電変換装置の
実装手順の好適な一例を説明するための模式的平面図及
び模式的断面図。
【図１４】（Ａ）及び（Ｂ）は本発明の光電変換装置の
実装手順の好適な一例を説明するための模式的平面図及
び模式的断面図。
【図１５】図１４（Ｂ）中の円Ｅの部分を拡大した模式
的断面図。
【図１６】本発明の好適な実装手順の一例を説明するた
めのフローチャート。
【図１７】（Ａ）及び（Ｂ）は本発明の光電変換装置の
実装手順の好適な一例を説明するための模式的平面図及
び模式的断面図。
【図１８】（Ａ）及び（Ｂ）は本発明の光電変換装置の
実装手順の好適な一例を説明するための模式的平面図及
び模式的断面図。
【図１９】（Ａ）及び（Ｂ）は本発明の光電変換装置の
実装手順の好適な一例を説明するための模式的平面図及
び模式的断面図。
【図２０】（Ａ）及び（Ｂ）は本発明の光電変換装置の
実装手順の好適な一例を説明するための模式的平面図及
び模式的断面図。
【図２１】本発明の光電変換装置の好適な一例を説明す
るための模式的平面図及び模式的切断面図。
【図２２】本発明の光電変換装置の好適な一例を説明す
るための模式的平面図及び模式的切断面図。
【図２３】本発明の光電変換装置の好適な一例を説明す
るための模式的平面図。
【図２４】本発明の光電変換装置の好適な一例を説明す
るための模式的平面図。
【図２５】本発明の光電変換装置の好適な一例を説明す
るための模式的平面図及び模式的切断面図。
【図２６】本発明の光電変換装置の好適な一例を説明す
るための模式的平面図及び模式的切断面図。
【図２７】本発明の光電変換装置の好適な一例を説明す
るための模式的平面図。
【図２８】本発明の光電変換装置の好適な一例を説明す
るための模式的平面図。
【図２９】本発明の光電変換装置の好適な一例を説明す
るための模式的平面図。
【図３０】（Ａ）はレントゲン装置の光電変換部とその
近傍の好適な一例を示す模式的部分平面図、（Ｂ）はそ
の模式的部分断面図。
【図３１】本発明の光電変換装置を適用可能なレントゲ
ン装置を有するレントゲンシステムの好適な一例を説明
するための概略的構成図。
【符号の説明】
１ 基板、 ２ 基台、 ３ 第１ステージ ４ 第２ステージ ５ 位置決めピン １２ 波長変換体としての蛍光体 １３ 半導体素子 ５１ 接着剤
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｈ０４Ｎ 1/028 Ｈ０４Ｎ 5/335 Ｖ 1/04 Ｈ０１Ｌ 31/02 Ｂ 5/335 Ｈ０４Ｎ 1/04 Ｅ (72)発明者 高見 栄一 東京都大田区下丸子３丁目30番２号 キヤ ノン株式会社内 (72)発明者 望月 千織 東京都大田区下丸子３丁目30番２号 キヤ ノン株式会社内 (72)発明者 冨名腰 章 東京都大田区下丸子３丁目30番２号 キヤ ノン株式会社内 (72)発明者 竹田 慎市 東京都大田区下丸子３丁目30番２号 キヤ ノン株式会社内 (72)発明者 遠藤 忠夫 東京都大田区下丸子３丁目30番２号 キヤ ノン株式会社内 (72)発明者 多胡 晃 東京都大田区下丸子３丁目30番２号 キヤ ノン株式会社内 (72)発明者 田村 敏和 東京都大田区下丸子３丁目30番２号 キヤ ノン株式会社内

Claims (43)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 基台上に、複数枚の半導体素子基板を配
    列して接着剤で固定してなる光電変換装置において、 複数の前記基板の基台と反対側の表面が、それぞれの基
    板を接着する前記接着剤の厚みで高さ調整されて、同一
    平面とされていることを特徴とする光電変換装置。
  2. 【請求項２】 請求項１において、前記接着剤は、弾力
    性を有することを特徴とする光電変換装置。
  3. 【請求項３】 請求項２において、前記接着剤による接
    着は、隣接する基板側端部に沿って接着面積が大きくさ
    れていることを特徴とする光電変換装置。
  4. 【請求項４】 請求項２において、前記接着剤による接
    着は、隣接する基板側端部に沿って接着ポイントを多く
    されていることを特徴とする光電変換装置。
  5. 【請求項５】 請求項２において、前記接着剤による接
    着は、隣接する基板側端部に沿って多くの量が使用され
    ていることを特徴とする光電変換装置。
  6. 【請求項６】 請求項１において、前記固定は、異なる
    特性を有する２種以上の接着剤を使用してなされること
    を特徴とする光電変換装置。
  7. 【請求項７】 請求項６において、前記接着剤は、弾力
    性を有する第１の接着剤と該第１の接着剤より弾力性が
    無いか実質的に弾力性が無い第２の接着剤を有すること
    を特徴とする光電変換装置。
  8. 【請求項８】 請求項７において、前記第２の接着剤
    は、隣接する基板側端部に沿って付与されていることを
    特徴とする光電変換装置。
  9. 【請求項９】 請求項８において、前記第２の接着剤
    は、第１の接着剤の付与面積より大きな面積に広がって
    付与されていることを特徴とする光電変換装置。
  10. 【請求項１０】 請求項８において、前記第２の接着剤
    の接着ポイントは、第１の接着剤の接着ポイントの配置
    密度より高密度とされていることを特徴とする光電変換
    装置。
  11. 【請求項１１】 請求項８において、前記第２の接着剤
    は、ライン状に付与されていることを特徴とする光電変
    換装置。
  12. 【請求項１２】 請求項１において、前記接着剤は、光
    硬化型を含むことを特徴とする光電変換装置。
  13. 【請求項１３】 請求項１において、前記接着剤は、常
    温硬化型を含むことを特徴とする光電変換装置。
  14. 【請求項１４】 請求項１において、前記接着剤は、２
    液混合型接着剤を含むことを特徴とする光電変換装置。
  15. 【請求項１５】 請求項１４において、前記２液混合型
    接着剤は、主剤と硬化剤とを混合して用いる接着剤を含
    むことを特徴とする光電変換装置。
  16. 【請求項１６】 請求項１において、前記基板上に波長
    変換体を有することを特徴とする光電変換装置。
  17. 【請求項１７】 請求項１６において、該波長変換体
    は、蛍光体を有することを特徴とする光電変換装置。
  18. 【請求項１８】 請求項１において、前記半導体素子
    は、光電変換素子を含むことを特徴とする光電変換装
    置。
  19. 【請求項１９】 請求項１８において、前記光電変換素
    子は、２次元状に配列されていることを特徴とする光電
    変換装置。
  20. 【請求項２０】 請求項１において、前記接着剤は、ア
    クリル系、エポキシ系およびシリコーン系接着剤からな
    る群から選択されることを特徴とする光電変換装置。
  21. 【請求項２１】 請求項１において、前記接着剤は、シ
    リコーンゴム系、ポリサルファイド系、スチレンゴム
    系、ニトリルゴム系、クロロプレン系接着剤からなる群
    から選択されることを特徴とする光電変換装置。
  22. 【請求項２２】 それぞれ光電変換素子を有する複数の
    基板を隣接して基台と貼り合わせてなる光電変換装置に
    おいて、該基板と該基台とは弾力性を有する接着剤を用
    いて貼り合わされてなることを特徴とする光電変換装
    置。
  23. 【請求項２３】 請求項２２において、前記接着剤は、
    ゴム状弾性を有する接着樹脂を有することを特徴とする
    光電変換装置。
  24. 【請求項２４】 請求項２２において、隣接する基板の
    隣接側端部の接着剤の塗布量又は塗布箇所は、他の領域
    に比べて多くされていることを特徴とする光電変換装
    置。
  25. 【請求項２５】 請求項２２において、隣接する基板の
    隣接側端部の接着剤の塗布面積は、他の領域に比べて大
    きくされていることを特徴とする光電変換装置。
  26. 【請求項２６】 請求項２２において、前記弾力性を有
    する接着剤は、隣接する基板の隣接側端部以外の領域に
    付与されていることを特徴とする光電変換装置。
  27. 【請求項２７】 請求項２６において、前記隣接側端部
    は、弾力性が無いか前記弾力性を有する接着剤より弾力
    性が無い第２の接着剤を有することを特徴とする光電変
    換装置。
  28. 【請求項２８】 請求項２７において、前記第２の接着
    剤は、前記弾力性のある接着剤の配置密度より高密度に
    付与されていることを特徴とする光電変換装置。
  29. 【請求項２９】 請求項２７において、前記第２の接着
    剤は、該端部に沿ってライン状に付与されていることを
    特徴とする光電変換装置。
  30. 【請求項３０】 請求項２７において、前記第２の接着
    剤は、前記弾力性のある接着剤の塗布面積より大きい塗
    布面積を有することを特徴とする光電変換装置。
  31. 【請求項３１】 請求項２２において、前記弾力性を有
    する接着剤は、シリコーンゴム系、ブチルゴム系、ポリ
    サルファイド系、スチレンゴム系、ニトリルゴム系、ク
    ロロプレン系からなる群から選択される樹脂を有するこ
    とを特徴とする光電変換装置。
  32. 【請求項３２】 請求項２２において、前記基板上に波
    長変換体を有することを特徴とする光電変換装置。
  33. 【請求項３３】 請求項３２において、前記波長変換体
    は、蛍光体を有することを特徴とする光電変換装置。
  34. 【請求項３４】 請求項２２において、前記光電変換素
    子は、２次元状に配列されていることを特徴とする光電
    変換装置。
  35. 【請求項３５】 請求項２２において、前記接着剤は、
    シリコーンゴム系、ブチルゴム系、ポリサルファイド
    系、スチレンゴム系、ニトリルゴム系、クロロプレン系
    からなる群から選ばれることを特徴とする光電変換装
    置。
  36. 【請求項３６】 請求項２７において、前記第２の接着
    剤は、アクリル系、エポキシ系、シリコーン系からなる
    群から選択されることを特徴とする光電変換装置。
  37. 【請求項３７】 請求項１の光電変換装置を有すること
    を特徴とする物質透過撮像装置。
  38. 【請求項３８】 請求項２２の光電変換装置を有するこ
    とを特徴とする物質透過撮像装置。
  39. 【請求項３９】 基台上に、複数枚の半導体素子基板を
    配列して接着剤で固定してなる光電変換装置の実装方法
    において、前記基台表面とそれぞれの前記基板の半導体
    素子面との間の寸法を設計値に保った状態で、前記接着
    剤を硬化する工程を有することを特徴とする光電変換装
    置の作製方法。
  40. 【請求項４０】 請求項３９において、前記寸法は、治
    具の突出量で維持されることを特徴とする光電変換装置
    の作製方法。
  41. 【請求項４１】 請求項３９において、前記接着剤は、
    光硬化性を有することを特徴とする光電変換装置の作製
    方法。
  42. 【請求項４２】 請求項４１において、該接着剤を硬化
    するための光照射ステップを有することを特徴とする光
    電変換装置の作製方法。
  43. 【請求項４３】 基台上に、複数枚の半導体素子基板を
    配列して接着剤で固定してなる光電変換装置の実装装置
    において、前記接着剤が硬化するまで、前記基台表面と
    前記基板の半導体素子面との間の寸法を設計値に保った
    状態で、前記基板を保持する手段を有することを特徴と
    する実装装置。
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