JPH09256153A - 基板処理装置 - Google Patents
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- JPH09256153A JPH09256153A JP8087468A JP8746896A JPH09256153A JP H09256153 A JPH09256153 A JP H09256153A JP 8087468 A JP8087468 A JP 8087468A JP 8746896 A JP8746896 A JP 8746896A JP H09256153 A JPH09256153 A JP H09256153A
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- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
- C23C16/45519—Inert gas curtains
- C23C16/45521—Inert gas curtains the gas, other than thermal contact gas, being introduced the rear of the substrate to flow around its periphery
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- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
- H10D48/00—Individual devices not covered by groups H10D1/00 - H10D44/00
- H10D48/01—Manufacture or treatment
- H10D48/04—Manufacture or treatment of devices having bodies comprising selenium or tellurium in uncombined form
- H10D48/042—Preparation of foundation plates
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
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- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/458—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for supporting substrates in the reaction chamber
- C23C16/4582—Rigid and flat substrates, e.g. plates or discs
- C23C16/4583—Rigid and flat substrates, e.g. plates or discs the substrate being supported substantially horizontally
- C23C16/4585—Devices at or outside the perimeter of the substrate support, e.g. clamping rings, shrouds
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 熱歪みが生じにくく、ブロックヒータの温度
分布を改善し生産性を向上した基板処理装置を提供す
る。 【解決手段】 排気部12を備え、基板14を表面処理する
ための真空環境が作られる反応容器11と、反応容器内に
設けられる基板保持体51と、反応容器に導入するガス導
入手段21,22 を備え、さらに基板保持体はブロックヒー
タ56を含む。ブロックヒータは上部部材52と中間部材53
と下部部材54を重ね合せ、それらの間の接触面を拡散接
合により接合すると共に、中間部材と下部部材との間に
発熱部55を設け、中間部材と上部部材との間にパージガ
ス通路70,71 を形成するように構成される。
分布を改善し生産性を向上した基板処理装置を提供す
る。 【解決手段】 排気部12を備え、基板14を表面処理する
ための真空環境が作られる反応容器11と、反応容器内に
設けられる基板保持体51と、反応容器に導入するガス導
入手段21,22 を備え、さらに基板保持体はブロックヒー
タ56を含む。ブロックヒータは上部部材52と中間部材53
と下部部材54を重ね合せ、それらの間の接触面を拡散接
合により接合すると共に、中間部材と下部部材との間に
発熱部55を設け、中間部材と上部部材との間にパージガ
ス通路70,71 を形成するように構成される。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は基板処理装置に関
し、特に、半導体製造におけるスパッタリング、ＣＶ
Ｄ、プラズマＣＶＤ等の薄膜形成、熱処理やエッチング
処理等の基板前処理に利用される基板処理装置に関す
る。
し、特に、半導体製造におけるスパッタリング、ＣＶ
Ｄ、プラズマＣＶＤ等の薄膜形成、熱処理やエッチング
処理等の基板前処理に利用される基板処理装置に関す
る。
【０００２】
【従来の技術】現在、半導体製造においては集積回路の
高集積化が進んでいるが、生産性の向上から、様々な基
板処理において、精密な処理による良好な再現性と高い
均一性が要求されている。特に、基板温度の制御は再現
性や均一性にとって重要である。例えば、スパッタリン
グ法によるＡｌ（アルミニウム）の薄膜形成では微細孔
にＡｌを埋め込むために４００〜５００℃の範囲の或る
温度で処理が行われるが、微細孔内にボイドなくＡｌを
埋め込むためには精密で均一な温度制御が重要である。
またＣＶＤ法による基板上へＷ膜やＴｉＮ膜を形成する
場合にも、３００〜６００℃の温度範囲で処理が行われ
るが、精密で均一な温度制御は、膜の電気的特性や膜厚
分布などの諸性質を決定する上で温度は重要な因子とな
る。今後、基板の径が大型化された場合に、基板の温度
均一化は、歩留まりの維持・向上のため、より一層重要
である。
高集積化が進んでいるが、生産性の向上から、様々な基
板処理において、精密な処理による良好な再現性と高い
均一性が要求されている。特に、基板温度の制御は再現
性や均一性にとって重要である。例えば、スパッタリン
グ法によるＡｌ（アルミニウム）の薄膜形成では微細孔
にＡｌを埋め込むために４００〜５００℃の範囲の或る
温度で処理が行われるが、微細孔内にボイドなくＡｌを
埋め込むためには精密で均一な温度制御が重要である。
またＣＶＤ法による基板上へＷ膜やＴｉＮ膜を形成する
場合にも、３００〜６００℃の温度範囲で処理が行われ
るが、精密で均一な温度制御は、膜の電気的特性や膜厚
分布などの諸性質を決定する上で温度は重要な因子とな
る。今後、基板の径が大型化された場合に、基板の温度
均一化は、歩留まりの維持・向上のため、より一層重要
である。
【０００３】図４を参照して従来の基板処理装置の一例
としてＣＶＤ装置を説明する。この従来装置の構造につ
いては、米国特許第５，２３０，７４１号および第５，
３７４，５９４号に類似のものが開示される。
としてＣＶＤ装置を説明する。この従来装置の構造につ
いては、米国特許第５，２３０，７４１号および第５，
３７４，５９４号に類似のものが開示される。
【０００４】図４において、反応容器１１の内部は、排
気部１２および排気機構１３によって真空に排気され、
必要な減圧状態が保持される。基板１４は基板保持体１
５に配置される。基板保持体１５は、基板１４を載置す
るブロックヒータ１６を含み、基板１４はブロックヒー
タ１６によって所定温度に加熱される。ブロックヒータ
１６の内部には加熱を行うためのシースヒータ１７が設
けられ、シースヒータ１７は加熱制御機構１８に接続さ
れている。一方、ブロックヒータ１６の表面にネジで固
定された熱電対１９によって温度が測定される。熱電対
１９の測定データは加熱制御機構１８に取り込まれ、加
熱制御機構１８とシースヒータ１７を通して、ブロック
ヒータ１６の温度に関する制御が行われる。また反応容
器１１は水冷通路２０を備え、ここを流れる水によって
温度上昇が保護される。
気部１２および排気機構１３によって真空に排気され、
必要な減圧状態が保持される。基板１４は基板保持体１
５に配置される。基板保持体１５は、基板１４を載置す
るブロックヒータ１６を含み、基板１４はブロックヒー
タ１６によって所定温度に加熱される。ブロックヒータ
１６の内部には加熱を行うためのシースヒータ１７が設
けられ、シースヒータ１７は加熱制御機構１８に接続さ
れている。一方、ブロックヒータ１６の表面にネジで固
定された熱電対１９によって温度が測定される。熱電対
１９の測定データは加熱制御機構１８に取り込まれ、加
熱制御機構１８とシースヒータ１７を通して、ブロック
ヒータ１６の温度に関する制御が行われる。また反応容
器１１は水冷通路２０を備え、ここを流れる水によって
温度上昇が保護される。
【０００５】また上部のガス導入機構２１を通して、反
応ガス供給機構２２から原料ガスが反応容器１１内へ導
入され、当該ガスによって基板１４の上に所望の薄膜が
形成される。成膜時において、基板１４の裏面への成膜
を防止するために、基板裏面に周辺部にパージガスを導
入するための機構が、基板保持体１５に備えられる。当
該パージガスは、パージガス供給機構２３から供給され
る。未反応ガス、副生成ガスおよびパージガスは、排気
部１２を通して外部へ排気される。
応ガス供給機構２２から原料ガスが反応容器１１内へ導
入され、当該ガスによって基板１４の上に所望の薄膜が
形成される。成膜時において、基板１４の裏面への成膜
を防止するために、基板裏面に周辺部にパージガスを導
入するための機構が、基板保持体１５に備えられる。当
該パージガスは、パージガス供給機構２３から供給され
る。未反応ガス、副生成ガスおよびパージガスは、排気
部１２を通して外部へ排気される。
【０００６】基板１４の固定は、差圧チャックによって
行われる。差圧チャック用排気機構２４に接続された排
気ポート２５によってブロックヒータ１６の基板載置表
面に設けられた円環状の溝２６や放射状の溝２７の空気
が排気される。これにより、成膜中に反応容器１１の内
部圧力と基板裏面側の圧力との間に差圧が生じ、その差
圧によって、基板１４はブロックヒータ１６上に固定さ
れる。
行われる。差圧チャック用排気機構２４に接続された排
気ポート２５によってブロックヒータ１６の基板載置表
面に設けられた円環状の溝２６や放射状の溝２７の空気
が排気される。これにより、成膜中に反応容器１１の内
部圧力と基板裏面側の圧力との間に差圧が生じ、その差
圧によって、基板１４はブロックヒータ１６上に固定さ
れる。
【０００７】ブロックヒータ１６は２枚の厚さの異なる
板材、すなわち上部部材２８と下部部材２９からなる。
上部部材２８と下部部材２９が接合される部分について
は、少なくともいずれか一方の部材表面にシースヒータ
１７を組み込むための溝が形成される。当該溝にシース
ヒータ１７が固定される。上部部材２８と下部部材２９
は、それらの外周部と内周部における突き合わせ部分に
おいて溶接され、シースヒータ１７が反応容器１１内の
雰囲気と隔絶され、シースヒータ１７が原料ガスである
反応性ガスに曝されないようになっている。図４で、溶
接部を３０で示した。なお、上部部材２８と下部部材２
９の接合は、溶接以外に、ロー付けによる接合、または
上下部材間にシール材を設け、ネジ止めによって接合す
ることもできる。
板材、すなわち上部部材２８と下部部材２９からなる。
上部部材２８と下部部材２９が接合される部分について
は、少なくともいずれか一方の部材表面にシースヒータ
１７を組み込むための溝が形成される。当該溝にシース
ヒータ１７が固定される。上部部材２８と下部部材２９
は、それらの外周部と内周部における突き合わせ部分に
おいて溶接され、シースヒータ１７が反応容器１１内の
雰囲気と隔絶され、シースヒータ１７が原料ガスである
反応性ガスに曝されないようになっている。図４で、溶
接部を３０で示した。なお、上部部材２８と下部部材２
９の接合は、溶接以外に、ロー付けによる接合、または
上下部材間にシール材を設け、ネジ止めによって接合す
ることもできる。
【０００８】基板１４の裏面へ成膜防止のためのパージ
ガスを供給する構造は、ブロックヒータ１６を構成する
上部部材２８の内部に、径方向にて放射状に水平の貫通
路３１や垂直で円環状の溝３２を設けることによって作
られる。貫通路３１や溝３２は、上下の部材２８，２９
が接合される前の段階で、上部部材２９に形成される。
水平の貫通路３１の端部は蓋部３３を設け、外部にパー
ジガスが漏れないように溶接部３４で密封している。パ
ージガスは、外部のパージガス供給機構２３からパージ
ガス導入口３５を通して反応容器１１内に導入され、支
持体３６の内部、貫通路３１、溝３２を通って基板１４
の裏面の周囲領域に達し、反応容器１１内に吹き出され
る。これによって基板裏面に膜が付着するのを防止す
る。
ガスを供給する構造は、ブロックヒータ１６を構成する
上部部材２８の内部に、径方向にて放射状に水平の貫通
路３１や垂直で円環状の溝３２を設けることによって作
られる。貫通路３１や溝３２は、上下の部材２８，２９
が接合される前の段階で、上部部材２９に形成される。
水平の貫通路３１の端部は蓋部３３を設け、外部にパー
ジガスが漏れないように溶接部３４で密封している。パ
ージガスは、外部のパージガス供給機構２３からパージ
ガス導入口３５を通して反応容器１１内に導入され、支
持体３６の内部、貫通路３１、溝３２を通って基板１４
の裏面の周囲領域に達し、反応容器１１内に吹き出され
る。これによって基板裏面に膜が付着するのを防止す
る。
【０００９】さらにブロックヒータ１６の表面に膜が付
着するのを防止するため、他のパージガス導入口３７が
設けられ、パージガス供給機構２３から供給されたパー
ジガスが、ブロックヒータ１６と反応容器１１の底壁と
の間の隙間、およびブロックヒータ１６とシールド３８
との間の隙間を通って、反応容器１１内に吹き出すよう
にした。その結果、原料ガスはブロックヒータ１６の周
囲に回り込まず、ブロックヒータ１６の周囲部分に膜が
付着するのを防止している。
着するのを防止するため、他のパージガス導入口３７が
設けられ、パージガス供給機構２３から供給されたパー
ジガスが、ブロックヒータ１６と反応容器１１の底壁と
の間の隙間、およびブロックヒータ１６とシールド３８
との間の隙間を通って、反応容器１１内に吹き出すよう
にした。その結果、原料ガスはブロックヒータ１６の周
囲に回り込まず、ブロックヒータ１６の周囲部分に膜が
付着するのを防止している。
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】前述の従来装置には以
下のような問題点があった。ブロックヒータ１６内のシ
ースヒータ１７を固定するため、上部部材２８と下部部
材２９の接合を溶接で行った場合、熱歪みを起こしやす
く、溶接後に熱処理や二次切削を必要としていた。この
熱歪みは、基板１４の径が大型化するに従って非常に大
きくなり、均一な基板温度を得ることが困難となるとい
う重大な問題を提起する。また上部部材２８と下部部材
２９の接触面の内部は溶接によって接合されていないの
で、シースヒータ１７と上下の部材２８，２９との間で
隙間を生じやすく、これによって熱伝達の効率が悪くな
るという問題を提起する。
下のような問題点があった。ブロックヒータ１６内のシ
ースヒータ１７を固定するため、上部部材２８と下部部
材２９の接合を溶接で行った場合、熱歪みを起こしやす
く、溶接後に熱処理や二次切削を必要としていた。この
熱歪みは、基板１４の径が大型化するに従って非常に大
きくなり、均一な基板温度を得ることが困難となるとい
う重大な問題を提起する。また上部部材２８と下部部材
２９の接触面の内部は溶接によって接合されていないの
で、シースヒータ１７と上下の部材２８，２９との間で
隙間を生じやすく、これによって熱伝達の効率が悪くな
るという問題を提起する。
【００１１】次に、上下の部材２８，２９の接合がロー
材による場合は、ロー材が反応容器１１の内部空間で露
出する。そのため、成膜処理時に、ロー材の蒸発、ロー
材が反応性ガスによって劣化する等の問題が生じる。ま
た溶接の場合と同様に、内部でシースヒータ１７と上下
の部材２８，２９との間で隙間を生じやすく、上記と同
様な問題が起きる。
材による場合は、ロー材が反応容器１１の内部空間で露
出する。そのため、成膜処理時に、ロー材の蒸発、ロー
材が反応性ガスによって劣化する等の問題が生じる。ま
た溶接の場合と同様に、内部でシースヒータ１７と上下
の部材２８，２９との間で隙間を生じやすく、上記と同
様な問題が起きる。
【００１２】次に、ネジ止めで上下の部材２８，２９を
接合する場合には、温度の昇降によってネジが緩むとい
う問題や、ネジが緩んだ結果、上下の部材２８，２９の
内部と反応容器１１の雰囲気との間のシール性が破れや
すいという問題が提起される。
接合する場合には、温度の昇降によってネジが緩むとい
う問題や、ネジが緩んだ結果、上下の部材２８，２９の
内部と反応容器１１の雰囲気との間のシール性が破れや
すいという問題が提起される。
【００１３】さらに、上部部材２８の内部にパージガス
の供給のための貫通路３１を形成した後に、溶接やロー
材を用いて不要部分に蓋部３３を固定しなければならな
い。このことは、熱歪みやロー材の蒸発などの問題を生
じる。
の供給のための貫通路３１を形成した後に、溶接やロー
材を用いて不要部分に蓋部３３を固定しなければならな
い。このことは、熱歪みやロー材の蒸発などの問題を生
じる。
【００１４】本発明の目的は、上記の問題を解決するこ
とにあり、熱歪みが生じにくく、ブロックヒータの温度
分布を改善し、熱処理等を不要にし、生産性を向上した
基板処理装置を提供することにある。
とにあり、熱歪みが生じにくく、ブロックヒータの温度
分布を改善し、熱処理等を不要にし、生産性を向上した
基板処理装置を提供することにある。
【００１５】
【課題を解決するための手段および作用】本発明に係る
基板処理装置は、上記目的を達成するために、下記のよ
うな構成を有する。
基板処理装置は、上記目的を達成するために、下記のよ
うな構成を有する。
【００１６】第１の基板処理装置（請求項１に対応）
は、内部を真空に排気するための排気部を備え、外部の
排気機構によって当該排気部を通して基板を表面処理す
るための真空環境が作られる反応容器と、反応容器の内
部に設けられ、処理対象である基板を載置する基板保持
体と、基板の表面処理に使用される反応ガスを反応容器
に導入するガス導入手段（ガス導入機構、反応ガス供給
機構）とを備え、さらに、基板保持体は基板を所定温度
に保持するためのブロックヒータを含むように構成され
ている。そして、ブロックヒータは、少なくとも２つの
好ましくは板状の部材を重ね合せ、それらの間の接触面
を拡散接合により接合すると共に、当該２つの部材の間
に発熱部（シースヒータ）を設けるようにした。拡散接
合で結合一体化するようにしたため、熱歪みをなくすこ
とができ、接合後の熱処理や二次切削が不要になった。
従って、基板径が大型化しても均一な基板温度を得るこ
とが可能となった。また拡散接合によって接合面のすべ
てが接合状態になるので、熱伝達の効率が改善された。
また前記の少なくとも２つの部材の他の部材の間にパー
ジガスを流すためのパージガス通路を形成することもで
きる。
は、内部を真空に排気するための排気部を備え、外部の
排気機構によって当該排気部を通して基板を表面処理す
るための真空環境が作られる反応容器と、反応容器の内
部に設けられ、処理対象である基板を載置する基板保持
体と、基板の表面処理に使用される反応ガスを反応容器
に導入するガス導入手段（ガス導入機構、反応ガス供給
機構）とを備え、さらに、基板保持体は基板を所定温度
に保持するためのブロックヒータを含むように構成され
ている。そして、ブロックヒータは、少なくとも２つの
好ましくは板状の部材を重ね合せ、それらの間の接触面
を拡散接合により接合すると共に、当該２つの部材の間
に発熱部（シースヒータ）を設けるようにした。拡散接
合で結合一体化するようにしたため、熱歪みをなくすこ
とができ、接合後の熱処理や二次切削が不要になった。
従って、基板径が大型化しても均一な基板温度を得るこ
とが可能となった。また拡散接合によって接合面のすべ
てが接合状態になるので、熱伝達の効率が改善された。
また前記の少なくとも２つの部材の他の部材の間にパー
ジガスを流すためのパージガス通路を形成することもで
きる。
【００１７】第２の基板処理装置（請求項５に対応）
は、上記の構成において、好ましくは、前記の少なくと
も２つの部材が、基板側の上部部材と中間部材と下部部
材であり、上部部材と中間部材と下部部材を重ね合せ、
それらの間の接触面を拡散接合により接合すると共に、
中間部材と下部部材との間に発熱部を設けるようにし
た。さらに、中間部材と上部部材との間にパージガス通
路を形成するように構成した。
は、上記の構成において、好ましくは、前記の少なくと
も２つの部材が、基板側の上部部材と中間部材と下部部
材であり、上部部材と中間部材と下部部材を重ね合せ、
それらの間の接触面を拡散接合により接合すると共に、
中間部材と下部部材との間に発熱部を設けるようにし
た。さらに、中間部材と上部部材との間にパージガス通
路を形成するように構成した。
【００１８】上記第１の基板処理装置において、好まし
くは、少なくとも２つの部材の接合面の少なくとも一方
に発熱部を埋め込むための溝が形成される。
くは、少なくとも２つの部材の接合面の少なくとも一方
に発熱部を埋め込むための溝が形成される。
【００１９】上記第１の基本処理装置において、好まし
くは、前記の少なくとも２つの部材の接合面に溝を形成
してパージガス通路とし、前記２つの部材に厚さ方向に
パージガス通路しての貫通孔を形成し、前記の少なくと
も２つの部材のうちの前記基板が配置される前記部材の
外側面にパージガスが供給される経路が形成されるよう
に構成される。
くは、前記の少なくとも２つの部材の接合面に溝を形成
してパージガス通路とし、前記２つの部材に厚さ方向に
パージガス通路しての貫通孔を形成し、前記の少なくと
も２つの部材のうちの前記基板が配置される前記部材の
外側面にパージガスが供給される経路が形成されるよう
に構成される。
【００２０】上記第１の基本処理装置およびその変形例
において、好ましくは、基板を固定するための静電吸着
機構をブロックヒータの上に設けるように構成される。
において、好ましくは、基板を固定するための静電吸着
機構をブロックヒータの上に設けるように構成される。
【００２１】上記第２の基板処理装置において、好まし
くは、中間部材と下部部材の接合面の少なくとも一方に
発熱部を埋め込むための溝が形成される。
くは、中間部材と下部部材の接合面の少なくとも一方に
発熱部を埋め込むための溝が形成される。
【００２２】上記第２の基板処理装置において、好まし
くは、中間部材と上部部材の接合面のいずれか一方に溝
を形成してパージガス通路とし、上部部材と中間部材と
下部部材の少なくともいずれかに厚さ方向にパージガス
通路しての貫通孔を形成し、上部部材の外側面にパージ
ガスが供給される経路が形成される。
くは、中間部材と上部部材の接合面のいずれか一方に溝
を形成してパージガス通路とし、上部部材と中間部材と
下部部材の少なくともいずれかに厚さ方向にパージガス
通路しての貫通孔を形成し、上部部材の外側面にパージ
ガスが供給される経路が形成される。
【００２３】上記第２の基板処理装置において、好まし
くは、基板を固定するための静電吸着機構がブロックヒ
ータの上に設けられる。
くは、基板を固定するための静電吸着機構がブロックヒ
ータの上に設けられる。
【００２４】
【発明の実施の形態】以下に、本発明の好適な実施形態
を添付図面に基づいて説明する。
を添付図面に基づいて説明する。
【００２５】図１は本発明の代表的な実施形態を示す。
本実施形態では、基板処理装置の一例として、ＣＶＤ法
による薄膜形成装置を示している。図１において、前述
の図４で説明した要素と実質的に同一の要素には同一の
符号を付している。
本実施形態では、基板処理装置の一例として、ＣＶＤ法
による薄膜形成装置を示している。図１において、前述
の図４で説明した要素と実質的に同一の要素には同一の
符号を付している。
【００２６】反応容器１１の内部は、排気部１２と排気
機構１３とによって排気され、所要の真空状態に保持さ
れる。基板１４は基板保持体５１に配置される。基板保
持体５１は、上部部材５２と中間部材５３と下部部材５
４とシースヒータ５５からなるブロックヒータ５６を備
える。基板１４は、上部部材５２上に設置された静電吸
着板５７の上に置かれ、静電吸着機構によって固定され
る。静電吸着板５７は電極５８を内部に備える。静電吸
着板５７は、上部部材５２の上部表面に露出している給
電線５９に電極５８が接触するように、配置される。給
電線５９には外部の静電吸着制御機構６０から電力を供
給される。静電吸着板５７は、円形の板で、その直径は
基板径より小さい。静電吸着板５７は、内径が基板径よ
り小さく、外径が上部部材５２と同じ押え板６１と、固
定ネジ８２とによって、上部部材５２に固定されてい
る。押え板６１と静電吸着板５７は複数の点接触部で接
しており、両者の間には幅が約０．５〜１．０ｍｍであ
る隙間が設けられ、その隙間より基板裏面への成膜を防
止するためのパージガスが吹き出す構造となっている。
パージガスの供給については後で詳述する。
機構１３とによって排気され、所要の真空状態に保持さ
れる。基板１４は基板保持体５１に配置される。基板保
持体５１は、上部部材５２と中間部材５３と下部部材５
４とシースヒータ５５からなるブロックヒータ５６を備
える。基板１４は、上部部材５２上に設置された静電吸
着板５７の上に置かれ、静電吸着機構によって固定され
る。静電吸着板５７は電極５８を内部に備える。静電吸
着板５７は、上部部材５２の上部表面に露出している給
電線５９に電極５８が接触するように、配置される。給
電線５９には外部の静電吸着制御機構６０から電力を供
給される。静電吸着板５７は、円形の板で、その直径は
基板径より小さい。静電吸着板５７は、内径が基板径よ
り小さく、外径が上部部材５２と同じ押え板６１と、固
定ネジ８２とによって、上部部材５２に固定されてい
る。押え板６１と静電吸着板５７は複数の点接触部で接
しており、両者の間には幅が約０．５〜１．０ｍｍであ
る隙間が設けられ、その隙間より基板裏面への成膜を防
止するためのパージガスが吹き出す構造となっている。
パージガスの供給については後で詳述する。
【００２７】予めブロックヒータ５６は所定温度に設定
され、静電吸着板５７も一定温度に加熱され、従ってそ
の上に置かれた基板１４も一定温度に昇温される。ブロ
ックヒータ５６の温度はブロックヒータ内部に溶接で固
定された熱電対１９によって測定され、この測定温度に
基づき外部の加熱制御機構１８はシースヒータ５５への
電力供給を制御する。シースヒータ５５は、下部部材５
４に設けられた貫通路６７（図２に示す）を通って加熱
制御機構１８に接続されている。また反応容器１１は水
冷通路２０を備え、高温にならないように保護されてい
る。
され、静電吸着板５７も一定温度に加熱され、従ってそ
の上に置かれた基板１４も一定温度に昇温される。ブロ
ックヒータ５６の温度はブロックヒータ内部に溶接で固
定された熱電対１９によって測定され、この測定温度に
基づき外部の加熱制御機構１８はシースヒータ５５への
電力供給を制御する。シースヒータ５５は、下部部材５
４に設けられた貫通路６７（図２に示す）を通って加熱
制御機構１８に接続されている。また反応容器１１は水
冷通路２０を備え、高温にならないように保護されてい
る。
【００２８】一方、上部のガス導入機構２１を通して反
応ガス供給機構２２から原料ガスが導入され、当該ガス
に基づく化学反応によって所望の薄膜が基板１４の被処
理面（上面）に形成される。基板１４への薄膜形成条件
は、例えばブランケットタングステンの場合には、原料
ガスであるＨ2 とＷＦ6 の流量が、Ｈ2 ：１０００〜４
０００sccm、ＷＦ6 ：５０〜２００sccm、基板１４の温
度が３００〜５００℃、成膜圧力が２０〜１００Torrで
ある。未反応ガスや副生成ガスおよびパージガスは排気
部１２を通して排気される。
応ガス供給機構２２から原料ガスが導入され、当該ガス
に基づく化学反応によって所望の薄膜が基板１４の被処
理面（上面）に形成される。基板１４への薄膜形成条件
は、例えばブランケットタングステンの場合には、原料
ガスであるＨ2 とＷＦ6 の流量が、Ｈ2 ：１０００〜４
０００sccm、ＷＦ6 ：５０〜２００sccm、基板１４の温
度が３００〜５００℃、成膜圧力が２０〜１００Torrで
ある。未反応ガスや副生成ガスおよびパージガスは排気
部１２を通して排気される。
【００２９】基板１４を加熱するためのブロックヒータ
５６は、前述の通り、好ましくは３つのほぼ板状の部
材、すなわち上部部材５２、中間部材５３、下部部材５
４から構成される。各部材５２，５３，５４について、
各々が向き合う面同士は、拡散接合によって接合されて
いる。
５６は、前述の通り、好ましくは３つのほぼ板状の部
材、すなわち上部部材５２、中間部材５３、下部部材５
４から構成される。各部材５２，５３，５４について、
各々が向き合う面同士は、拡散接合によって接合されて
いる。
【００３０】ここで「拡散接合」とは、或る一定温度以
上に加熱された炉内に接合したい部材を置き、加熱し、
部材と部材の接合したい面を突き合わせ（接触させ）、
当該接合すべき面（接触面）と垂直方向から変形しない
程度に或る一定圧縮荷重をかけながら、或る一定時間保
持して接合することをいう。拡散接合では、突き合わし
た面において２部材の原子が互いに拡散しあって、当該
２部材が接合される。従って、拡散接合で接合された面
は、ほぼ完全に隙間なく接合され、気密性も十分に保つ
ことができる。
上に加熱された炉内に接合したい部材を置き、加熱し、
部材と部材の接合したい面を突き合わせ（接触させ）、
当該接合すべき面（接触面）と垂直方向から変形しない
程度に或る一定圧縮荷重をかけながら、或る一定時間保
持して接合することをいう。拡散接合では、突き合わし
た面において２部材の原子が互いに拡散しあって、当該
２部材が接合される。従って、拡散接合で接合された面
は、ほぼ完全に隙間なく接合され、気密性も十分に保つ
ことができる。
【００３１】本実施形態では、上部部材５２、中間部材
５３、下部部材５４にステンレス鋼（ＳＵＳ３２１）を
使用し、１０００℃の温度で拡散接合を行い、部材５２
〜５４の各々を相互に接合している。
５３、下部部材５４にステンレス鋼（ＳＵＳ３２１）を
使用し、１０００℃の温度で拡散接合を行い、部材５２
〜５４の各々を相互に接合している。
【００３２】また中間部材５３と下部部材５４の互いに
向き合う面の少なくとも一方の側にはシースヒータ５５
を設置するための溝が形成されている。本実施形態で
は、中間部材５３の側に溝が形成されている。
向き合う面の少なくとも一方の側にはシースヒータ５５
を設置するための溝が形成されている。本実施形態で
は、中間部材５３の側に溝が形成されている。
【００３３】図２は、中間部材５３の下面を下方から見
た図である。図２中、中間部材５３に形成されたシース
ヒータ５５の設置し固定するための溝６３，６４が示さ
れる。溝６３，６４は共に好ましくは渦巻き形状を有す
る。溝６３は外周縁部に設けられ、相対的に狭い間隔で
溝の渦巻きが形成されている。溝６４は中央部周辺部分
に形成され、相対的に広い間隔で溝の渦巻きが形成され
ている。溝６３，６４の配置で明らかなように、シース
ヒータ５５は外周側と内周側に２系統で設置され、好ま
しくは別々の電源にて独立に制御され、温度の均一性が
制御し易くなっている。渦巻き状の溝６３，６４は、１
本の径方向の溝６５によってつながっている。溝６５
は、他の溝６３，６４よりも深く形成されており、実際
には溝６３，６４の各々に設けられるシースヒータ線同
士は交わらない。なお図２では、後述するパージガス用
の貫通路６６、熱電対用の貫通路６７、静電吸着用給電
線のシース用の貫通路６８が示される。
た図である。図２中、中間部材５３に形成されたシース
ヒータ５５の設置し固定するための溝６３，６４が示さ
れる。溝６３，６４は共に好ましくは渦巻き形状を有す
る。溝６３は外周縁部に設けられ、相対的に狭い間隔で
溝の渦巻きが形成されている。溝６４は中央部周辺部分
に形成され、相対的に広い間隔で溝の渦巻きが形成され
ている。溝６３，６４の配置で明らかなように、シース
ヒータ５５は外周側と内周側に２系統で設置され、好ま
しくは別々の電源にて独立に制御され、温度の均一性が
制御し易くなっている。渦巻き状の溝６３，６４は、１
本の径方向の溝６５によってつながっている。溝６５
は、他の溝６３，６４よりも深く形成されており、実際
には溝６３，６４の各々に設けられるシースヒータ線同
士は交わらない。なお図２では、後述するパージガス用
の貫通路６６、熱電対用の貫通路６７、静電吸着用給電
線のシース用の貫通路６８が示される。
【００３４】基板１４の裏面への成膜を防止するため、
ブロックヒータ５６の最上部に対してパージガスを供給
するための経路が、ブロックヒータ５６の内部に形成さ
れる。
ブロックヒータ５６の最上部に対してパージガスを供給
するための経路が、ブロックヒータ５６の内部に形成さ
れる。
【００３５】図３は、上部部材５２の下面を下方から見
た図であり、パージガス供給経路の形成状態を示す。パ
ージガスは、図１に示されるように、外部のパージガス
供給機構２３から第１のパージガス配給管６９に導入さ
れ、下部部材５４および中間部材５３に形成された上記
貫通路６６を通って、上部部材５２の下面に形成された
中心付近の円環状の溝７０から複数の放射状の溝７１に
分配して供給され、さらに貫通路７２を通って静電吸着
板５７と押え板６１との間の隙間に供給される構造にな
っている。ここで、貫通路６６，７２や溝７０，７１は
各部材５２，５３，５４が接合される以前に形成される
ため、従来例のごとく閉じなければならない不要部は生
じない。
た図であり、パージガス供給経路の形成状態を示す。パ
ージガスは、図１に示されるように、外部のパージガス
供給機構２３から第１のパージガス配給管６９に導入さ
れ、下部部材５４および中間部材５３に形成された上記
貫通路６６を通って、上部部材５２の下面に形成された
中心付近の円環状の溝７０から複数の放射状の溝７１に
分配して供給され、さらに貫通路７２を通って静電吸着
板５７と押え板６１との間の隙間に供給される構造にな
っている。ここで、貫通路６６，７２や溝７０，７１は
各部材５２，５３，５４が接合される以前に形成される
ため、従来例のごとく閉じなければならない不要部は生
じない。
【００３６】またブロックヒータ５６の外周表面に膜が
付着しないように、他の１つのパージガス導入機構部が
設けられる。パージガス供給機構２３からパージガスが
第２のパージガス配給管７３に導入され、下部部材５４
と支持体７４との間の隙間を通り、次に下部部材５４と
反応容器１１の底壁との間の隙間を通り、さらにシール
ド３８とブロックヒータ５６の側面との間の隙間を通っ
て、シールド１３の上壁部と押え板６１との間の隙間か
ら反応容器１１の内部に吹き出す。このパージガスの流
れによって、反応ガスは、シールド３８とブロックヒー
タ５６との隙間には侵入しない。従って、ブロックヒー
タ５６の表面上に膜が付着することを防止できる。
付着しないように、他の１つのパージガス導入機構部が
設けられる。パージガス供給機構２３からパージガスが
第２のパージガス配給管７３に導入され、下部部材５４
と支持体７４との間の隙間を通り、次に下部部材５４と
反応容器１１の底壁との間の隙間を通り、さらにシール
ド３８とブロックヒータ５６の側面との間の隙間を通っ
て、シールド１３の上壁部と押え板６１との間の隙間か
ら反応容器１１の内部に吹き出す。このパージガスの流
れによって、反応ガスは、シールド３８とブロックヒー
タ５６との隙間には侵入しない。従って、ブロックヒー
タ５６の表面上に膜が付着することを防止できる。
【００３７】熱電対１９を設置するため、下部部材５４
と中間部材５３には貫通路６７が形成される。本実施形
態による熱電対１９はシース熱電対であり、予め中間部
材５３に溶接で固定され、先端を太くして上部部材５２
に十分に接触する構造となっている。貫通路６７の形状
は熱電対１９の形状に対応している。
と中間部材５３には貫通路６７が形成される。本実施形
態による熱電対１９はシース熱電対であり、予め中間部
材５３に溶接で固定され、先端を太くして上部部材５２
に十分に接触する構造となっている。貫通路６７の形状
は熱電対１９の形状に対応している。
【００３８】上部部材５２、中間部材５３、下部部材５
４には、静電吸着板５７の電極５８への給電線５９を設
置するため貫通路６８が形成される。給電線５９が部材
５２，５３，５４と電気的に接触することを防ぐため、
各部材にシース７５を設けてこのシース７５内に給電線
５９を通している。シース７５の上部先端は、上部部材
５２に溶接で接続され、内部には絶縁物が充填されてお
り、給電線５９とシース７５との電気的絶縁が確保され
ている。またシース７５は、内部と外部の気密性が保持
される構造にもなっている。
４には、静電吸着板５７の電極５８への給電線５９を設
置するため貫通路６８が形成される。給電線５９が部材
５２，５３，５４と電気的に接触することを防ぐため、
各部材にシース７５を設けてこのシース７５内に給電線
５９を通している。シース７５の上部先端は、上部部材
５２に溶接で接続され、内部には絶縁物が充填されてお
り、給電線５９とシース７５との電気的絶縁が確保され
ている。またシース７５は、内部と外部の気密性が保持
される構造にもなっている。
【００３９】パージガス配給管６９，７３、熱電対１
９、シースヒータ５５への給電線７６、静電吸着板５７
への給電線５９（シース７５）は、下部部材５４の下端
部に設けられた固定板７７によって固定されている。
９、シースヒータ５５への給電線７６、静電吸着板５７
への給電線５９（シース７５）は、下部部材５４の下端
部に設けられた固定板７７によって固定されている。
【００４０】ブロックヒータ５６は、反応容器１１にネ
ジ７８で固定された支持体７４の上に設置されている。
すなわち、下部部材５４の下側円筒部と支持体７４とは
Ｏリング７９を介して接触しており、回しネジ８０が下
部部材５４の最下端部のネジ部と噛み合っている。回し
ネジ８０を回して締め付け、ブロックヒータ５６を鉛直
下方に引っ張ることで、Ｏリング７９をつぶして外部と
のシールを行い、かつ安定してブロックヒータ５６を鉛
直に保持する。Ｏリング７９を保護するために、水冷通
路８１が上記下側円筒部に設けられている。
ジ７８で固定された支持体７４の上に設置されている。
すなわち、下部部材５４の下側円筒部と支持体７４とは
Ｏリング７９を介して接触しており、回しネジ８０が下
部部材５４の最下端部のネジ部と噛み合っている。回し
ネジ８０を回して締め付け、ブロックヒータ５６を鉛直
下方に引っ張ることで、Ｏリング７９をつぶして外部と
のシールを行い、かつ安定してブロックヒータ５６を鉛
直に保持する。Ｏリング７９を保護するために、水冷通
路８１が上記下側円筒部に設けられている。
【００４１】以上のように構成されたブロックヒータ５
６では、シースヒータ５５とブロックヒータ５６を構成
する部材との間、また部材５２〜５４の間の部材同士の
熱の伝わりが良好となり、従来のブロックヒータに比べ
て温度分布の制御性が良くなった。
６では、シースヒータ５５とブロックヒータ５６を構成
する部材との間、また部材５２〜５４の間の部材同士の
熱の伝わりが良好となり、従来のブロックヒータに比べ
て温度分布の制御性が良くなった。
【００４２】加熱温度は最高で７００℃であり、従来の
ブロックヒータの場合に投入した電力と同じ投入電力で
昇温速度は約２倍であった。また得られた基板上での温
度分布は従来±７℃であったものが、本実施形態の構成
では±３℃以内と良好であった。基板温度分布が良好で
あることは、シースヒータ５５の電力制御や熱の伝わり
が良好であることによるだけでなく、ブロックヒータ５
６自体の熱歪みが少ないため、静電吸着板５７と上部部
材５２との接触が安定であることも重要な要因である。
ブロックヒータの場合に投入した電力と同じ投入電力で
昇温速度は約２倍であった。また得られた基板上での温
度分布は従来±７℃であったものが、本実施形態の構成
では±３℃以内と良好であった。基板温度分布が良好で
あることは、シースヒータ５５の電力制御や熱の伝わり
が良好であることによるだけでなく、ブロックヒータ５
６自体の熱歪みが少ないため、静電吸着板５７と上部部
材５２との接触が安定であることも重要な要因である。
【００４３】拡散接合は全体を１０００℃以上で加熱し
ているため、その焼き鈍しの効果によって、従来の溶接
で部材間を接合していた場合に必要とされた二次切削の
作業や熱処理による歪み除去の作業を必要としなくな
り、ブロックヒータ製作時間が従来の半分と短縮され
た。
ているため、その焼き鈍しの効果によって、従来の溶接
で部材間を接合していた場合に必要とされた二次切削の
作業や熱処理による歪み除去の作業を必要としなくな
り、ブロックヒータ製作時間が従来の半分と短縮され
た。
【００４４】また拡散接合は、予め上部部材５２、中間
部材５３、下部部材５４に溝や貫通路などを形成して接
合するので、ブロックヒータの内部に溝や貫通路を容易
に作ることができる。また従来のように貫通路を開けた
後、不要部分に蓋をし、さらに溶接で気密を保つことが
必要であったが、本実施形態の構成によれば、不要部分
がなく、溶接の工程もなく、さらにその溶接によって生
じる歪みや、歪み除去の工程も必要ない。また二次加工
などがないため、熱電対など従来ネジ止めで行っていた
部品が溶接で固定可能となり、信頼性が向上する。
部材５３、下部部材５４に溝や貫通路などを形成して接
合するので、ブロックヒータの内部に溝や貫通路を容易
に作ることができる。また従来のように貫通路を開けた
後、不要部分に蓋をし、さらに溶接で気密を保つことが
必要であったが、本実施形態の構成によれば、不要部分
がなく、溶接の工程もなく、さらにその溶接によって生
じる歪みや、歪み除去の工程も必要ない。また二次加工
などがないため、熱電対など従来ネジ止めで行っていた
部品が溶接で固定可能となり、信頼性が向上する。
【００４５】さらに、シールド３８を除去し、回しネジ
８０をはずすことで、ブロックヒータ５６を垂直方向に
簡単に取り去ることができる。従って、ブロックヒータ
５６が寿命によって断線した場合の交換などにおいて都
合が良く、メンテナンス性を非常に向上することができ
る。
８０をはずすことで、ブロックヒータ５６を垂直方向に
簡単に取り去ることができる。従って、ブロックヒータ
５６が寿命によって断線した場合の交換などにおいて都
合が良く、メンテナンス性を非常に向上することができ
る。
【００４６】また本実施形態によるブロックヒータはＣ
ＶＤ装置だけではなく、スパッタリング装置やＰ（プラ
ズマ）−ＣＶＤ装置などの薄膜形成装置、および熱処理
やエッチングなどの基板前処理装置にも適用可能であ
る。
ＶＤ装置だけではなく、スパッタリング装置やＰ（プラ
ズマ）−ＣＶＤ装置などの薄膜形成装置、および熱処理
やエッチングなどの基板前処理装置にも適用可能であ
る。
【００４７】
【発明の効果】以上の説明で明らかなように本発明によ
れば、基板を載置する基板保持体を形作るブロックヒー
タを少なくとも２つ以上の部材、好ましくは３つの部材
で形成し、これらの部材の表面に予め必要な通路や溝を
形成し、これらの部材を拡散接合で接合してブロックヒ
ータとして一体化したため、熱歪みが生じにくく、かつ
良好な温度分布を持つブロックヒータを実現でき、かつ
所要の通路を形成する構造が簡易化し、製作プロセスが
簡単になり、生産性の良い基板処理装置を実現すること
ができる。
れば、基板を載置する基板保持体を形作るブロックヒー
タを少なくとも２つ以上の部材、好ましくは３つの部材
で形成し、これらの部材の表面に予め必要な通路や溝を
形成し、これらの部材を拡散接合で接合してブロックヒ
ータとして一体化したため、熱歪みが生じにくく、かつ
良好な温度分布を持つブロックヒータを実現でき、かつ
所要の通路を形成する構造が簡易化し、製作プロセスが
簡単になり、生産性の良い基板処理装置を実現すること
ができる。
【図１】本発明の代表的実施形態に係る基板処理装置の
縦断面図である。
縦断面図である。
【図２】中間部材の下面を下方から見た図である。
【図３】上部部材の下面を下方から見た図である。
【図４】従来の基板処理装置の縦断面図である。
１１ 反応容器 １２ 排気部 １４ 基板 １９ 熱電対 ２１ ガス導入機構 ３８ シールド ５１ 基板保持体 ５２ 上部部材 ５３ 中間部材 ５４ 下部部材 ５５ シースヒータ ５６ ブロックヒータ ５７ 静電吸着板 ５８ 電極 ６６ パージガス用貫通路 ６９ パージガス配給管 ７３ パージガス配給管
フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｈ０１Ｌ 21/285 Ｈ０１Ｌ 21/285 Ｓ 21/3065 21/324 Ｄ 21/324 21/302 Ｂ (72)発明者 高橋 信行 東京都府中市四谷５丁目８番１号 アネル バ株式会社内
Claims (9)
- 【請求項１】 内部を真空に排気するための排気部を備
え、基板を表面処理するための真空環境が作られる反応
容器と、前記反応容器の内部に設けられ、前記基板を載
置する基板保持体と、前記表面処理に使用される反応ガ
スを前記反応容器に導入するガス導入手段とを備え、前
記基板保持体は前記基板を所定温度に保持するためのブ
ロックヒータを含む基板処理装置において、 前記ブロックヒータは、少なくとも２つの部材を重ね合
せ、それらの間の接触面を拡散接合により接合すると共
に、前記２つの部材の間に発熱部を設けたことを特徴と
する基板処理装置。 - 【請求項２】 前記２つの部材の接合面の少なくとも一
方に前記発熱部を埋め込むための溝が形成されることを
特徴とする請求項１記載の基板処理装置。 - 【請求項３】 前記の少なくとも２つの部材の接合面に
溝を形成してパージガス通路とし、前記２つの部材に厚
さ方向にパージガス通路しての貫通孔を形成し、前記の
少なくとも２つの部材のうちの前記基板が配置される前
記部材の外側面にパージガスが供給される経路が形成さ
れることを特徴とする請求項１記載の基板処理装置。 - 【請求項４】 前記基板を固定するための静電吸着機構
が前記ブロックヒータの上に設けられることを特徴とす
る請求項１〜３のいずれか１項に記載の基板処理装置。 - 【請求項５】 前記の少なくとも２つの部材は上部部材
と中間部材と下部部材であり、前記の上部部材と中間部
材と下部部材を重ね合せ、それらの間の接触面を拡散接
合により接合すると共に、前記中間部材と前記下部部材
との間に発熱部を設けたことを特徴とする請求項１記載
の基板処理装置。 - 【請求項６】 前記中間部材と前記上部部材との間にパ
ージガス通路を形成したことを特徴とする請求項５記載
の基板処理装置。 - 【請求項７】 前記中間部材と前記下部部材の接合面の
少なくとも一方に前記発熱部を埋め込むための溝が形成
されることを特徴とする請求項５記載の基板処理装置。 - 【請求項８】 前記中間部材と前記上部部材の接合面の
いずれか一方に溝を形成して前記パージガス通路とし、
前記の上部部材と中間部材と下部部材の少なくともいず
れかに厚さ方向にパージガス通路としての貫通孔を形成
し、前記上部部材の外側面にパージガスが供給される経
路が形成されることを特徴とする請求項６記載の基板処
理装置。 - 【請求項９】 前記基板を固定するための静電吸着機構
が前記ブロックヒータの上に設けられることを特徴とす
る請求項５〜８のいずれか１項に記載の基板処理装置。
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