JPH09251208A - 露光装置及び露光方法 - Google Patents
露光装置及び露光方法Info
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- JPH09251208A JPH09251208A JP8085809A JP8580996A JPH09251208A JP H09251208 A JPH09251208 A JP H09251208A JP 8085809 A JP8085809 A JP 8085809A JP 8580996 A JP8580996 A JP 8580996A JP H09251208 A JPH09251208 A JP H09251208A
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70216—Mask projection systems
- G03F7/70358—Scanning exposure, i.e. relative movement of patterned beam and workpiece during imaging
Landscapes
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- General Physics & Mathematics (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】本発明は、露光装置及び露光方法において、照
明光学系に対する感光基板の走査速度の制御だけで露光
量を適切値に調節できない程に光源の輝度が過大であつ
ても、感光基板に適正な露光量を与え得るようにする。 【解決手段】複数の光源（１０）から射出されたそれぞ
れの１次光束（Ｌ6 〜Ｌ8 ）を規制する光束規制手段
（１２）の規制状態と、１次光束（Ｌ6 〜Ｌ8 ）を光伝
送路（１４）によつて集光及び分割して得た２次光束
（Ｌ1 〜Ｌ5 ）の照度とを対応付けて記憶手段（２３）
に記憶した記憶結果（Ｓ６）に基づいて、複数の光束規
制手段（１２）に最適な規制状態の組合せを設定する。
明光学系に対する感光基板の走査速度の制御だけで露光
量を適切値に調節できない程に光源の輝度が過大であつ
ても、感光基板に適正な露光量を与え得るようにする。 【解決手段】複数の光源（１０）から射出されたそれぞ
れの１次光束（Ｌ6 〜Ｌ8 ）を規制する光束規制手段
（１２）の規制状態と、１次光束（Ｌ6 〜Ｌ8 ）を光伝
送路（１４）によつて集光及び分割して得た２次光束
（Ｌ1 〜Ｌ5 ）の照度とを対応付けて記憶手段（２３）
に記憶した記憶結果（Ｓ６）に基づいて、複数の光束規
制手段（１２）に最適な規制状態の組合せを設定する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は露光装置及び露光方
法に関し、例えば液晶表示装置を製造するための感光基
板に大面積のパターンを露光する際に適用し得る。
法に関し、例えば液晶表示装置を製造するための感光基
板に大面積のパターンを露光する際に適用し得る。
【０００２】
【従来の技術】従来、感光基板に大面積のパターンを露
光する際には、所望の面積に達するまで部分パターンを
繰り返し露光していた。一方、液晶表示装置を製造する
ための感光基板は、近年大面積化が所望されている。こ
のため露光装置に対しては、単位時間当たりの露光領域
の拡大が望まれていた。この単位時間当たりの露光領域
を拡大するため、複数の投影光学系を備えた走査型露光
装置が提案されている。
光する際には、所望の面積に達するまで部分パターンを
繰り返し露光していた。一方、液晶表示装置を製造する
ための感光基板は、近年大面積化が所望されている。こ
のため露光装置に対しては、単位時間当たりの露光領域
の拡大が望まれていた。この単位時間当たりの露光領域
を拡大するため、複数の投影光学系を備えた走査型露光
装置が提案されている。
【０００３】この走査型露光装置は、複数の照明光学系
が設けられており、それぞれの照明光学系から射出され
た光束でマスク上の異なる小領域（照明領域）をそれぞ
れ照明する。因みに、この走査型露光装置の照明光学系
は、光源から射出されフライアイレンズ等を含む光学系
を介して光量を均一化した光束を視野絞りによつて所望
の形状に整形してマスクのパターン面上を照明する。続
いてこの走査型露光装置は、照明されたマスク上のパタ
ーン像を複数の投影光学系のそれぞれを介して感光基板
上の異なる投影領域に投影して結像する。この走査型露
光装置は、マスクと感光基板とを同期して、照明光学系
及び投影光学系に対して走査して、マスク上のパターン
領域の全面を感光基板上に転写する。
が設けられており、それぞれの照明光学系から射出され
た光束でマスク上の異なる小領域（照明領域）をそれぞ
れ照明する。因みに、この走査型露光装置の照明光学系
は、光源から射出されフライアイレンズ等を含む光学系
を介して光量を均一化した光束を視野絞りによつて所望
の形状に整形してマスクのパターン面上を照明する。続
いてこの走査型露光装置は、照明されたマスク上のパタ
ーン像を複数の投影光学系のそれぞれを介して感光基板
上の異なる投影領域に投影して結像する。この走査型露
光装置は、マスクと感光基板とを同期して、照明光学系
及び投影光学系に対して走査して、マスク上のパターン
領域の全面を感光基板上に転写する。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】ところで、感光基板に
マスク上のパターンを転写する際のレジストの露光量に
は適正値がある。露光量は光源から射出された光束の照
度と露光時間との積すなわち露光量＝基板面上の露光照
度×露光時間で表される。光源から射出された光束の照
度は光源の輝度に比例して増減する。また光源の輝度
は、使用初期に最大であり使用時間に応じて減少する。
このため光源の輝度が大きい場合、上述の走査型露光装
置は、露光時間を短くするため、マスク及び基板の走査
速度を上げる必要がある。これに対して、光源の輝度が
小さくなると、上述の走査型露光装置は、感光基板上の
レジストに対して一定露光量を得るように走査速度を下
げる必要が有る。
マスク上のパターンを転写する際のレジストの露光量に
は適正値がある。露光量は光源から射出された光束の照
度と露光時間との積すなわち露光量＝基板面上の露光照
度×露光時間で表される。光源から射出された光束の照
度は光源の輝度に比例して増減する。また光源の輝度
は、使用初期に最大であり使用時間に応じて減少する。
このため光源の輝度が大きい場合、上述の走査型露光装
置は、露光時間を短くするため、マスク及び基板の走査
速度を上げる必要がある。これに対して、光源の輝度が
小さくなると、上述の走査型露光装置は、感光基板上の
レジストに対して一定露光量を得るように走査速度を下
げる必要が有る。
【０００５】ところが、光源の輝度は製造誤差により一
般的に不均一である。また照明光学系及び投影光学系に
対するマスク及び基板の走査速度は、制御系の特性によ
り一般に上限が有る。すなわち走査速度だけの制御によ
つて露光時間を短くするには限界が有る。このため、上
限の走査速度によつて対応できない程に光源の輝度が大
き過ぎると、上限の走査速度による露光時間と適正露光
に必要な走査速度による露光時間との差分が過剰露光時
間となつて、マスクのパターンを感光基板に正確に転写
できなくなるという問題があつた。
般的に不均一である。また照明光学系及び投影光学系に
対するマスク及び基板の走査速度は、制御系の特性によ
り一般に上限が有る。すなわち走査速度だけの制御によ
つて露光時間を短くするには限界が有る。このため、上
限の走査速度によつて対応できない程に光源の輝度が大
き過ぎると、上限の走査速度による露光時間と適正露光
に必要な走査速度による露光時間との差分が過剰露光時
間となつて、マスクのパターンを感光基板に正確に転写
できなくなるという問題があつた。
【０００６】本発明は以上の点を考慮してなされたもの
で、照明光学系に対する感光基板の走査速度の制御だけ
で露光量を適切値に調節できない程に光源の輝度が過大
であつても、感光基板に適正な露光量を与え得る露光装
置及び露光方法を提案しようとするものである。
で、照明光学系に対する感光基板の走査速度の制御だけ
で露光量を適切値に調節できない程に光源の輝度が過大
であつても、感光基板に適正な露光量を与え得る露光装
置及び露光方法を提案しようとするものである。
【０００７】
【課題を解決するための手段】かかる課題を解決するた
めに、一実施例を表す図２に対応付けて説明すると、請
求項１に記載の露光装置では、複数の超高圧水銀ランプ
１０からそれぞれ射出された複数の光束Ｌ6 〜Ｌ8 を光
ガイド１４によつて集光した後に光ガイド１４によつて
分割して得た複数の光束Ｌ1 〜Ｌ5 によつて、パターン
が形成されたマスク上の互いに異なる複数の照明領域Ｍ
１〜Ｍ５をそれぞれ照明する照明光学系２と、複数の照
明領域Ｍ１〜Ｍ５に対応して配置された複数の投影光学
系４Ａ〜４Ｅとを有し、複数の照明領域Ｍ１〜Ｍ５のそ
れぞれの像を複数の投影光学系４Ａ〜４Ｅのそれぞれを
介して感光基板５上に投影する露光装置において、複数
の超高圧水銀ランプ１０が射出したそれぞれの光束Ｌ6
〜Ｌ8 を開口率で規制する複数のシヤツタ１２と、光束
Ｌ1 〜Ｌ5 の照度を検出する光検出素子２１と、照度信
号Ｓ１〜Ｓ５に基づいて、複数のシヤツタ１２によるそ
れぞれの開口率と、複数の光束Ｌ1 〜Ｌ5 の照度とを対
応付けて照度データＳ６として記憶するメモリ２３と、
メモリ２３に記憶した照度データＳ６に基づいて、シヤ
ツタ１２を制御する制御部２２とを設け、光束Ｌ1 〜Ｌ
5 の照度が所定値を越えるとき、光束Ｌ1 〜Ｌ5 中の任
意の光束成分を射出している超高圧水銀ランプ１０が射
出する光束Ｌ6 〜Ｌ8 を開口率で規制して、光束Ｌ1 〜
Ｌ5 の照度を所定値以下に規制するようにする。
めに、一実施例を表す図２に対応付けて説明すると、請
求項１に記載の露光装置では、複数の超高圧水銀ランプ
１０からそれぞれ射出された複数の光束Ｌ6 〜Ｌ8 を光
ガイド１４によつて集光した後に光ガイド１４によつて
分割して得た複数の光束Ｌ1 〜Ｌ5 によつて、パターン
が形成されたマスク上の互いに異なる複数の照明領域Ｍ
１〜Ｍ５をそれぞれ照明する照明光学系２と、複数の照
明領域Ｍ１〜Ｍ５に対応して配置された複数の投影光学
系４Ａ〜４Ｅとを有し、複数の照明領域Ｍ１〜Ｍ５のそ
れぞれの像を複数の投影光学系４Ａ〜４Ｅのそれぞれを
介して感光基板５上に投影する露光装置において、複数
の超高圧水銀ランプ１０が射出したそれぞれの光束Ｌ6
〜Ｌ8 を開口率で規制する複数のシヤツタ１２と、光束
Ｌ1 〜Ｌ5 の照度を検出する光検出素子２１と、照度信
号Ｓ１〜Ｓ５に基づいて、複数のシヤツタ１２によるそ
れぞれの開口率と、複数の光束Ｌ1 〜Ｌ5 の照度とを対
応付けて照度データＳ６として記憶するメモリ２３と、
メモリ２３に記憶した照度データＳ６に基づいて、シヤ
ツタ１２を制御する制御部２２とを設け、光束Ｌ1 〜Ｌ
5 の照度が所定値を越えるとき、光束Ｌ1 〜Ｌ5 中の任
意の光束成分を射出している超高圧水銀ランプ１０が射
出する光束Ｌ6 〜Ｌ8 を開口率で規制して、光束Ｌ1 〜
Ｌ5 の照度を所定値以下に規制するようにする。
【０００８】請求項２に記載の露光装置では、光ガイド
１４は、複数の光フアイバを束ねて構成されている。請
求項３に記載の露光装置では、シヤツタ１２は、光束Ｌ
6 〜Ｌ8 を通過させる開口部の開口率を制御して、光束
Ｌ6 〜Ｌ8 を規制する。請求項４に記載の露光装置で
は、複数の投影光学系４Ａ〜４Ｅの一部４Ａ、４Ｃ及び
４Ｅは、光軸がＹ方向に沿つて一列に配置されており、
複数の投影光学系４Ａ〜４Ｅの他の一部４Ｂ及び４Ｄ
は、光軸が複数の投影光学系の一部４Ａ、４Ｃ及び４Ｅ
と平行に、かつ所定間隔をおいて一列に配置されてお
り、Ｙ方向とほぼ直交し、かつ感光基板５の面内方向に
マスク３と感光基板５とを同期して走査する。
１４は、複数の光フアイバを束ねて構成されている。請
求項３に記載の露光装置では、シヤツタ１２は、光束Ｌ
6 〜Ｌ8 を通過させる開口部の開口率を制御して、光束
Ｌ6 〜Ｌ8 を規制する。請求項４に記載の露光装置で
は、複数の投影光学系４Ａ〜４Ｅの一部４Ａ、４Ｃ及び
４Ｅは、光軸がＹ方向に沿つて一列に配置されており、
複数の投影光学系４Ａ〜４Ｅの他の一部４Ｂ及び４Ｄ
は、光軸が複数の投影光学系の一部４Ａ、４Ｃ及び４Ｅ
と平行に、かつ所定間隔をおいて一列に配置されてお
り、Ｙ方向とほぼ直交し、かつ感光基板５の面内方向に
マスク３と感光基板５とを同期して走査する。
【０００９】請求項５に記載の露光装置では、第１及び
第２の超高圧水銀ランプ１０からそれぞれ射出された光
束Ｌ6 及びＬ7 を光ガイド１４によつて集光した後に光
ガイド１４によつて分割して得た第１及び第２の光束Ｌ
1 及びＬ2 によつて、パターンが形成されたマスク５上
の互いに異なる第１及び第２の照明領域Ｍ１及びＭ２を
それぞれ照明し、第１及び第２の照明領域Ｍ１及びＭ２
のそれぞれの像を第１及び第２の投影光学系４Ａ及び４
Ｂをそれぞれ介して感光基板５上に投影する露光方法に
おいて、第１の超高圧水銀ランプ１０から射出された光
束Ｌ6 を開口率で規制する第１のシヤツタ１２による光
束Ｌ6 に対する開口率毎に、第１及び第２の光束Ｌ1 及
びＬ2 の照度を検出する第１の処理と、第２の超高圧水
銀ランプ１０から射出された光束Ｌ7 を開口率で規制す
る第２のシヤツタ１２による光束Ｌ7 に対する開口率毎
に、第１及び第２の光束Ｌ1 及びＬ2 の照度を検出する
第２の処理と、第１及び第２の処理による照度信号Ｓ１
及びＳ２に基づいて、第１及び第２のシヤツタ１２によ
るそれぞれの開口率と、第１及び第２の光束Ｌ1 及びＬ
2 の照度とを対応付けて照度データＳ６として記憶する
第３の処理と、パターンを感光基板５上に投影する際
に、第１及び第２の光束Ｌ1 及びＬ2 の照度を均一にす
るよう、第３の処理による照度データＳ６に基づいて、
第１及び第２のシヤツタ１２を制御する第４の処理とを
設ける。
第２の超高圧水銀ランプ１０からそれぞれ射出された光
束Ｌ6 及びＬ7 を光ガイド１４によつて集光した後に光
ガイド１４によつて分割して得た第１及び第２の光束Ｌ
1 及びＬ2 によつて、パターンが形成されたマスク５上
の互いに異なる第１及び第２の照明領域Ｍ１及びＭ２を
それぞれ照明し、第１及び第２の照明領域Ｍ１及びＭ２
のそれぞれの像を第１及び第２の投影光学系４Ａ及び４
Ｂをそれぞれ介して感光基板５上に投影する露光方法に
おいて、第１の超高圧水銀ランプ１０から射出された光
束Ｌ6 を開口率で規制する第１のシヤツタ１２による光
束Ｌ6 に対する開口率毎に、第１及び第２の光束Ｌ1 及
びＬ2 の照度を検出する第１の処理と、第２の超高圧水
銀ランプ１０から射出された光束Ｌ7 を開口率で規制す
る第２のシヤツタ１２による光束Ｌ7 に対する開口率毎
に、第１及び第２の光束Ｌ1 及びＬ2 の照度を検出する
第２の処理と、第１及び第２の処理による照度信号Ｓ１
及びＳ２に基づいて、第１及び第２のシヤツタ１２によ
るそれぞれの開口率と、第１及び第２の光束Ｌ1 及びＬ
2 の照度とを対応付けて照度データＳ６として記憶する
第３の処理と、パターンを感光基板５上に投影する際
に、第１及び第２の光束Ｌ1 及びＬ2 の照度を均一にす
るよう、第３の処理による照度データＳ６に基づいて、
第１及び第２のシヤツタ１２を制御する第４の処理とを
設ける。
【００１０】
【発明の実施の形態】以下図面について、本発明の一実
施例を詳述する。
施例を詳述する。
【００１１】図１は全体として走査型露光装置１を示
し、大面積のパターンを一次元の走査だけで露光する。
走査型露光装置１は、照明光学系２から照度を均一化し
た５つの光束Ｌ1 〜Ｌ5 を射出し、この光束Ｌ1 〜Ｌ5
によつてマスク３上のそれぞれ異なる小さな照明領域Ｍ
１〜Ｍ５を照明する。走査型露光装置１は、マスク３を
透過した複数の光束をそれぞれ異なる投影光学系４Ａ〜
４Ｅを介して、液晶表示装置を製造するための感光基板
５上に投影して、異なる５つの投影領域Ｐ１〜Ｐ５に照
明領域Ｍ１〜Ｍ５のパターン像を結像させる。
し、大面積のパターンを一次元の走査だけで露光する。
走査型露光装置１は、照明光学系２から照度を均一化し
た５つの光束Ｌ1 〜Ｌ5 を射出し、この光束Ｌ1 〜Ｌ5
によつてマスク３上のそれぞれ異なる小さな照明領域Ｍ
１〜Ｍ５を照明する。走査型露光装置１は、マスク３を
透過した複数の光束をそれぞれ異なる投影光学系４Ａ〜
４Ｅを介して、液晶表示装置を製造するための感光基板
５上に投影して、異なる５つの投影領域Ｐ１〜Ｐ５に照
明領域Ｍ１〜Ｍ５のパターン像を結像させる。
【００１２】因に、感光基板５上の投影領域Ｐ１〜Ｐ５
は、隣り合う投影領域（例えばＰ１とＰ２、Ｐ２とＰ
３）がＸ方向に互いに所定距離隔てられていると共に、
隣り合う投影領域の端部同士がＸ方向と直交したＹ方向
に重複するように配置されている。このため、投影光学
系４Ａ〜４Ｅもそれぞれの投影領域Ｐ１〜Ｐ５の配置に
対応してＸ方向に所定距離隔てられていると共に、Ｙ方
向に重複して配置されている。
は、隣り合う投影領域（例えばＰ１とＰ２、Ｐ２とＰ
３）がＸ方向に互いに所定距離隔てられていると共に、
隣り合う投影領域の端部同士がＸ方向と直交したＹ方向
に重複するように配置されている。このため、投影光学
系４Ａ〜４Ｅもそれぞれの投影領域Ｐ１〜Ｐ５の配置に
対応してＸ方向に所定距離隔てられていると共に、Ｙ方
向に重複して配置されている。
【００１３】投影光学系４Ａ〜４Ｅはいずれも等倍正立
系であり、その配置はマスク３上の照明領域Ｍ１〜Ｍ５
と同じ配置となる。従つて、照明領域Ｍ１〜Ｍ５のパタ
ーン像が結像される投影領域Ｐ１〜Ｐ５の配置は照明領
域Ｍ１〜Ｍ５と同様である。照明光学系２の光束Ｌ1 〜
Ｌ5 の光軸の平面配置は、マスク３上の照明領域Ｍ１〜
Ｍ５と同様に配置されている。
系であり、その配置はマスク３上の照明領域Ｍ１〜Ｍ５
と同じ配置となる。従つて、照明領域Ｍ１〜Ｍ５のパタ
ーン像が結像される投影領域Ｐ１〜Ｐ５の配置は照明領
域Ｍ１〜Ｍ５と同様である。照明光学系２の光束Ｌ1 〜
Ｌ5 の光軸の平面配置は、マスク３上の照明領域Ｍ１〜
Ｍ５と同様に配置されている。
【００１４】マスク３と感光基板５とは互いに対面した
状態でステージ保持台６に一体に保持されている。これ
によりマスク３と感光基板５とは、相互の位置が一定と
なるように機械的に結合されていることになる。ステー
ジ保持台６には、走査方向（Ｘ方向）に長ストロークで
駆動する駆動装置が設けられている。走査のとき走査型
露光装置１は、この駆動装置によつてステージ保持台６
をＸ方向へ駆動して、マスク３及び感光基板５を照明光
学系２及び投影光学系４Ａ〜４Ｅに対して一次元に同期
走査させる。この同期走査によつてマスク３におけるパ
ターン領域３Ａの全面の像を感光基板５の感光面５Ａに
転写することができる。
状態でステージ保持台６に一体に保持されている。これ
によりマスク３と感光基板５とは、相互の位置が一定と
なるように機械的に結合されていることになる。ステー
ジ保持台６には、走査方向（Ｘ方向）に長ストロークで
駆動する駆動装置が設けられている。走査のとき走査型
露光装置１は、この駆動装置によつてステージ保持台６
をＸ方向へ駆動して、マスク３及び感光基板５を照明光
学系２及び投影光学系４Ａ〜４Ｅに対して一次元に同期
走査させる。この同期走査によつてマスク３におけるパ
ターン領域３Ａの全面の像を感光基板５の感光面５Ａに
転写することができる。
【００１５】マスク３はステージ保持台６上に配置され
たマスクステージ７に支持されており、複数の微動アク
チユエータ（図示せず）によつてマスク３の面内方向の
任意の位置に位置決めされる。これにより、走査型露光
装置１は、この微動アクチユエータで位置決めして、投
影光学系４Ａ〜４Ｅに対するステージ保持台６の傾きに
起因したパターン像の位置ずれを補正することができ
る。
たマスクステージ７に支持されており、複数の微動アク
チユエータ（図示せず）によつてマスク３の面内方向の
任意の位置に位置決めされる。これにより、走査型露光
装置１は、この微動アクチユエータで位置決めして、投
影光学系４Ａ〜４Ｅに対するステージ保持台６の傾きに
起因したパターン像の位置ずれを補正することができ
る。
【００１６】図２に示すように、照明光学系２は、例え
ば３つの超高圧水銀ランプ１０が配設されており、この
超高圧水銀ランプ１０からそれぞれ射出された光束Ｌ6
〜Ｌ8 を楕円鏡１１、シヤツタ１２、レンズ系１３を介
して、複数の光フアイバを束ねて構成された光ガイド１
４に入射して集光する。照明光学系２は、集光した光束
Ｌ6 〜Ｌ8 を光ガイド１４によつて５つの光束Ｌ1 〜Ｌ
5 に分割し、分割して得たそれぞれの光束Ｌ1 〜Ｌ5 を
射出部内のフライアイレンズ（図示せず）によつて照度
を均一化して射出させる。因みに、シャッタ１２は通常
の照明光学系の構成でも使用されており、部品点数を増
加させることはない。
ば３つの超高圧水銀ランプ１０が配設されており、この
超高圧水銀ランプ１０からそれぞれ射出された光束Ｌ6
〜Ｌ8 を楕円鏡１１、シヤツタ１２、レンズ系１３を介
して、複数の光フアイバを束ねて構成された光ガイド１
４に入射して集光する。照明光学系２は、集光した光束
Ｌ6 〜Ｌ8 を光ガイド１４によつて５つの光束Ｌ1 〜Ｌ
5 に分割し、分割して得たそれぞれの光束Ｌ1 〜Ｌ5 を
射出部内のフライアイレンズ（図示せず）によつて照度
を均一化して射出させる。因みに、シャッタ１２は通常
の照明光学系の構成でも使用されており、部品点数を増
加させることはない。
【００１７】続いて、照明光学系２は、例えば光束Ｌ1
をハーフミラー１５、コンデンサレンズ１６を介して視
野絞り１７に照射し、この視野絞り１７によつて光束Ｌ
1 を所望の形状にそれぞれ整形する。照明光学系２は、
整形した光束Ｌ1 をリレーレンズ１８及び１９を介して
マスク３のパターン面上に照射して視野絞り１７の像を
形成する。
をハーフミラー１５、コンデンサレンズ１６を介して視
野絞り１７に照射し、この視野絞り１７によつて光束Ｌ
1 を所望の形状にそれぞれ整形する。照明光学系２は、
整形した光束Ｌ1 をリレーレンズ１８及び１９を介して
マスク３のパターン面上に照射して視野絞り１７の像を
形成する。
【００１８】照明光学系２は、光ガイド１４の出射端と
コンデンサレンズ１６との間にハーフミラー１５が設け
られており、光束Ｌ1 の一部を光検出素子２１に入射す
る。照明光学系２は、光束Ｌ2 〜Ｌ5 も光束Ｌ1 と同様
に処理してマスク３のパターン面上に照射すると共に、
それぞれの光束Ｌ2 〜Ｌ5 の一部を光検出素子２１に入
射する。
コンデンサレンズ１６との間にハーフミラー１５が設け
られており、光束Ｌ1 の一部を光検出素子２１に入射す
る。照明光学系２は、光束Ｌ2 〜Ｌ5 も光束Ｌ1 と同様
に処理してマスク３のパターン面上に照射すると共に、
それぞれの光束Ｌ2 〜Ｌ5 の一部を光検出素子２１に入
射する。
【００１９】照明光学系２は、ハーフミラー１５、レン
ズ系２０を介して光検出素子２１に与えた一部の光束の
それぞれの照度に応じて照度信号Ｓ１〜Ｓ５を光検出素
子２１に生成させ、この照度信号Ｓ１〜Ｓ５を制御部２
２に与える。照明光学系２は、照度信号Ｓ１〜Ｓ５に基
づいて、それぞれの光束Ｌ1 〜Ｌ5 の照度を制御部２２
で求め、それぞれのシヤツタ１２の開口率と対応付けて
生成した照度データＳ６をメモリ２３に記憶する。
ズ系２０を介して光検出素子２１に与えた一部の光束の
それぞれの照度に応じて照度信号Ｓ１〜Ｓ５を光検出素
子２１に生成させ、この照度信号Ｓ１〜Ｓ５を制御部２
２に与える。照明光学系２は、照度信号Ｓ１〜Ｓ５に基
づいて、それぞれの光束Ｌ1 〜Ｌ5 の照度を制御部２２
で求め、それぞれのシヤツタ１２の開口率と対応付けて
生成した照度データＳ６をメモリ２３に記憶する。
【００２０】照明光学系２は、メモリ２３に記憶した照
度データＳ６を制御部２２に読み出し、この照度データ
Ｓ６に基づいて制御部２２で生成した制御信号Ｓ７〜Ｓ
９をそれぞれシヤツタ制御部２４〜２６に与える。これ
により、照度が適正値を越えるとき、照明光学系２は、
制御部２２によつて３つのシヤツタ１２のそれぞれの開
口率を調節して、光束Ｌ1 〜Ｌ5 の照度を適正値まで減
少させると共に、光束Ｌ2 〜Ｌ5 の相互間の照度を均一
化させる。
度データＳ６を制御部２２に読み出し、この照度データ
Ｓ６に基づいて制御部２２で生成した制御信号Ｓ７〜Ｓ
９をそれぞれシヤツタ制御部２４〜２６に与える。これ
により、照度が適正値を越えるとき、照明光学系２は、
制御部２２によつて３つのシヤツタ１２のそれぞれの開
口率を調節して、光束Ｌ1 〜Ｌ5 の照度を適正値まで減
少させると共に、光束Ｌ2 〜Ｌ5 の相互間の照度を均一
化させる。
【００２１】ここで、照度データＳ６を得る際、照明光
学系２は、例えば図３に示す照度データ獲得手順に従つ
て動作する。すなわち照明光学系２は、ステツプＳＰ０
から入り、ステツプＳＰ１においてパラメータＭをクリ
アしてステツプＳＰ２に移る。ステツプＳＰ２におい
て、照明光学系２は、Ｎ（ここでは３）個の光源すなわ
ち超高圧水銀ランプ１０の全シヤツタ１２を全開して開
口率を 100％に設定し、ステツプＳＰ３に移る。
学系２は、例えば図３に示す照度データ獲得手順に従つ
て動作する。すなわち照明光学系２は、ステツプＳＰ０
から入り、ステツプＳＰ１においてパラメータＭをクリ
アしてステツプＳＰ２に移る。ステツプＳＰ２におい
て、照明光学系２は、Ｎ（ここでは３）個の光源すなわ
ち超高圧水銀ランプ１０の全シヤツタ１２を全開して開
口率を 100％に設定し、ステツプＳＰ３に移る。
【００２２】ステツプＳＰ３において、照明光学系２
は、この設定での光束Ｌ1 〜Ｌ5 の照度を検出すると、
ステツプＳＰ４に移り、このときの光束Ｌ1 〜Ｌ5 のそ
れぞれの照度を３つのシヤツタ１２の開口率と対応付け
て記憶する。続いて、照明光学系２は、ステツプＳＰ５
に移り、パラメータＭをＭ＋１にインクリメントしてス
テツプＳＰ６に移る。ステツプＳＰ６において、照明光
学系２は、Ｍ（ここでは１）番目の超高圧水銀ランプ１
０のシヤツタ１２を閉じて開口率を０％に設定してステ
ツプＳＰ７に移る。
は、この設定での光束Ｌ1 〜Ｌ5 の照度を検出すると、
ステツプＳＰ４に移り、このときの光束Ｌ1 〜Ｌ5 のそ
れぞれの照度を３つのシヤツタ１２の開口率と対応付け
て記憶する。続いて、照明光学系２は、ステツプＳＰ５
に移り、パラメータＭをＭ＋１にインクリメントしてス
テツプＳＰ６に移る。ステツプＳＰ６において、照明光
学系２は、Ｍ（ここでは１）番目の超高圧水銀ランプ１
０のシヤツタ１２を閉じて開口率を０％に設定してステ
ツプＳＰ７に移る。
【００２３】ステツプＳＰ７において、照明光学系２
は、光束Ｌ1 〜Ｌ5 の照度を検出すると、ステツプＳＰ
８に移りこのときの光束Ｌ1 〜Ｌ5 のそれぞれの照度を
３つのシヤツタ１２の開口率と対応付けて記憶する。続
いて、照明光学系２は、ステツプＳＰ９に移りパラメー
タＭがＭ＝Ｎを満たすか否かを判断する。ステツプＳＰ
９において否定結果を得ると、照明光学系２は、全ての
超高圧水銀ランプ１０のシヤツタ１２の開口率に対応し
た照度を検出していないと判断してステツプＳＰ１０に
移る。ステツプＳＰ１０において、照明光学系２は、Ｍ
（ここでは１）番目の超高圧水銀ランプ１０のシヤツタ
１２の開口率を再び 100％に設定してステツプＳＰ５に
戻り、上述の手順を繰り返す。
は、光束Ｌ1 〜Ｌ5 の照度を検出すると、ステツプＳＰ
８に移りこのときの光束Ｌ1 〜Ｌ5 のそれぞれの照度を
３つのシヤツタ１２の開口率と対応付けて記憶する。続
いて、照明光学系２は、ステツプＳＰ９に移りパラメー
タＭがＭ＝Ｎを満たすか否かを判断する。ステツプＳＰ
９において否定結果を得ると、照明光学系２は、全ての
超高圧水銀ランプ１０のシヤツタ１２の開口率に対応し
た照度を検出していないと判断してステツプＳＰ１０に
移る。ステツプＳＰ１０において、照明光学系２は、Ｍ
（ここでは１）番目の超高圧水銀ランプ１０のシヤツタ
１２の開口率を再び 100％に設定してステツプＳＰ５に
戻り、上述の手順を繰り返す。
【００２４】やがて、ステツプＳＰ９において肯定結果
を得ると、照明光学系２は、全ての超高圧水銀ランプ１
０のシヤツタ１２の開口率に対応した照度を検出したと
判断して、ステツプＳＰ１１に移り、照度データ獲得手
順を終了する。このようにして得た開口率 100％のとき
の光束Ｌ1 〜Ｌ5 の照度と、開口率０％のときの光束Ｌ
1 〜Ｌ5 の照度との差分を総合することによつて、照明
光学系２は、開口率を制御したシヤツタ１２に対応した
超高圧水銀ランプ１０が射出した光束Ｌ6 〜Ｌ8 のそれ
ぞれの照度を検出することができる。
を得ると、照明光学系２は、全ての超高圧水銀ランプ１
０のシヤツタ１２の開口率に対応した照度を検出したと
判断して、ステツプＳＰ１１に移り、照度データ獲得手
順を終了する。このようにして得た開口率 100％のとき
の光束Ｌ1 〜Ｌ5 の照度と、開口率０％のときの光束Ｌ
1 〜Ｌ5 の照度との差分を総合することによつて、照明
光学系２は、開口率を制御したシヤツタ１２に対応した
超高圧水銀ランプ１０が射出した光束Ｌ6 〜Ｌ8 のそれ
ぞれの照度を検出することができる。
【００２５】またこの光束Ｌ6 〜Ｌ8 のそれぞれの照度
が分かると、照明光学系２は、この光束Ｌ6 〜Ｌ8 を分
割して得た２次光束である光束Ｌ1 〜Ｌ5 への光束Ｌ6
〜Ｌ8 のそれぞれの分割率を上述した差分に基づいて検
出することができる。この分割率は、光ガイド１４の構
成を変更しない限り一定であることが明らかである。
が分かると、照明光学系２は、この光束Ｌ6 〜Ｌ8 を分
割して得た２次光束である光束Ｌ1 〜Ｌ5 への光束Ｌ6
〜Ｌ8 のそれぞれの分割率を上述した差分に基づいて検
出することができる。この分割率は、光ガイド１４の構
成を変更しない限り一定であることが明らかである。
【００２６】以上の構成において、照明光学系２は、例
えば１ロツトの感光基板５を露光する前やランプ交換直
後に、それぞれの３つの超高圧水銀ランプ１０に対応し
た照度データＳ６を得てメモリ２３に記憶しておく。照
明光学系２は、照度データＳ６を得る際に、光束Ｌ1 〜
Ｌ5 のいずれかの照度が所定値を越えていることを検出
すると、いずれかの超高圧水銀ランプ１０の輝度が過大
であると判断して、光束Ｌ1 〜Ｌ5 の照度を校正する。
えば１ロツトの感光基板５を露光する前やランプ交換直
後に、それぞれの３つの超高圧水銀ランプ１０に対応し
た照度データＳ６を得てメモリ２３に記憶しておく。照
明光学系２は、照度データＳ６を得る際に、光束Ｌ1 〜
Ｌ5 のいずれかの照度が所定値を越えていることを検出
すると、いずれかの超高圧水銀ランプ１０の輝度が過大
であると判断して、光束Ｌ1 〜Ｌ5 の照度を校正する。
【００２７】すなわち、照明光学系２は、露光直前に獲
得した照度データＳ６をメモリ２３から読み出し、３つ
の超高圧水銀ランプ１０が射出する光束Ｌ6 〜Ｌ8 の照
度と、３つのシヤツタ１２の開口率と、光束Ｌ1 〜Ｌ5
への光束Ｌ6 〜Ｌ8 のそれぞれの分割率とに基づいて、
３つのシヤツタ１２に対する最適な開口率の組合せを設
定する。
得した照度データＳ６をメモリ２３から読み出し、３つ
の超高圧水銀ランプ１０が射出する光束Ｌ6 〜Ｌ8 の照
度と、３つのシヤツタ１２の開口率と、光束Ｌ1 〜Ｌ5
への光束Ｌ6 〜Ｌ8 のそれぞれの分割率とに基づいて、
３つのシヤツタ１２に対する最適な開口率の組合せを設
定する。
【００２８】これにより、いずれかの超高圧水銀ランプ
１０の輝度が過大であつて、かつ走査速度の調整だけで
露光量を適切値に調節することが困難である状態でも、
感光基板５の全面に亘つて均一な照度の光束で照明して
適正露光量で感光基板５に露光できることになる。
１０の輝度が過大であつて、かつ走査速度の調整だけで
露光量を適切値に調節することが困難である状態でも、
感光基板５の全面に亘つて均一な照度の光束で照明して
適正露光量で感光基板５に露光できることになる。
【００２９】以上の構成によれば、複数の超高圧水銀ラ
ンプ１０から射出されたそれぞれの光束Ｌ6 〜Ｌ8 を規
制するシヤツタ１２の開口率と、光束Ｌ6 〜Ｌ8 を光ガ
イド１４によつて集光及び分割して得た光束Ｌ1 〜Ｌ5
の照度とを対応付けてメモリ２３に記憶した照度データ
Ｓ６に基づいて、露光前に３つのシヤツタ１２に最適な
開口率の組合せを設定することにより、照明光学系２に
対する感光基板の走査速度の制御だけで露光量を適切値
に調節できない程に超高圧水銀ランプ１０の輝度が過大
であつても、感光基板５に適正な露光量を与えることが
できる。
ンプ１０から射出されたそれぞれの光束Ｌ6 〜Ｌ8 を規
制するシヤツタ１２の開口率と、光束Ｌ6 〜Ｌ8 を光ガ
イド１４によつて集光及び分割して得た光束Ｌ1 〜Ｌ5
の照度とを対応付けてメモリ２３に記憶した照度データ
Ｓ６に基づいて、露光前に３つのシヤツタ１２に最適な
開口率の組合せを設定することにより、照明光学系２に
対する感光基板の走査速度の制御だけで露光量を適切値
に調節できない程に超高圧水銀ランプ１０の輝度が過大
であつても、感光基板５に適正な露光量を与えることが
できる。
【００３０】なお上述の実施例においては、液晶表示装
置を製造するための感光基板５に露光する場合について
述べたが、本発明はこれに限らず、任意の感光基板、例
えば半導体素子を製造するための感光基板に露光する場
合にも適用し得る。
置を製造するための感光基板５に露光する場合について
述べたが、本発明はこれに限らず、任意の感光基板、例
えば半導体素子を製造するための感光基板に露光する場
合にも適用し得る。
【００３１】また上述の実施例においては、本発明を５
つの投影光学系４Ａ〜４Ｅを有する走査型露光装置に適
用する場合について述べたが、本発明はこれに限らず、
投影光学系を５つ以外の任意の数だけ配置した露光装置
にも適用し得る。
つの投影光学系４Ａ〜４Ｅを有する走査型露光装置に適
用する場合について述べたが、本発明はこれに限らず、
投影光学系を５つ以外の任意の数だけ配置した露光装置
にも適用し得る。
【００３２】さらに上述の実施例においては、本発明を
１次元にだけ走査して露光する露光装置１に適用する場
合について述べたが、本発明はこれに限らず、２次元に
走査して露光する露光装置にも適用できる。
１次元にだけ走査して露光する露光装置１に適用する場
合について述べたが、本発明はこれに限らず、２次元に
走査して露光する露光装置にも適用できる。
【００３３】さらに上述の実施例においては、露光前に
２次光束である光束Ｌ1 〜Ｌ5 の照度を校正する場合に
ついて述べたが、本発明はこれに限らず、露光中に１次
光束を規制して、２次光束の照度を制御する場合にも適
用できる。
２次光束である光束Ｌ1 〜Ｌ5 の照度を校正する場合に
ついて述べたが、本発明はこれに限らず、露光中に１次
光束を規制して、２次光束の照度を制御する場合にも適
用できる。
【００３４】さらに上述の実施例においては、光束Ｌ6
〜Ｌ8 を規制するため、シヤツタ１２の開口率を制御す
る場合について述べたが、本発明はこれに限らず、光束
を規制する光束規制手段は任意の構成のもので良い。
〜Ｌ8 を規制するため、シヤツタ１２の開口率を制御す
る場合について述べたが、本発明はこれに限らず、光束
を規制する光束規制手段は任意の構成のもので良い。
【００３５】さらに上述の実施例においては、光ガイド
１４によつて光束を集光及び分割する場合について述べ
たが、本発明はこれに限らず、任意の構成の光学系によ
つて光束を集光及び分割する場合にも適用できる。
１４によつて光束を集光及び分割する場合について述べ
たが、本発明はこれに限らず、任意の構成の光学系によ
つて光束を集光及び分割する場合にも適用できる。
【００３６】
【発明の効果】上述のように、本発明によれば、複数の
光源から射出されたそれぞれの１次光束を規制する光束
規制手段の規制状態と、１次光束を光伝送路によつて集
光及び分割して得た２次光束の照度とを対応付けて記憶
手段に記憶した記憶結果に基づいて、複数の光束規制手
段に最適な規制状態の組合せを設定することにより、照
明光学系に対する感光基板の走査速度の制御だけで露光
量を適切値に調節できない程に光源の輝度が過大であつ
ても、感光基板に適正な露光量を与え得る露光装置及び
露光方法を実現することができる。
光源から射出されたそれぞれの１次光束を規制する光束
規制手段の規制状態と、１次光束を光伝送路によつて集
光及び分割して得た２次光束の照度とを対応付けて記憶
手段に記憶した記憶結果に基づいて、複数の光束規制手
段に最適な規制状態の組合せを設定することにより、照
明光学系に対する感光基板の走査速度の制御だけで露光
量を適切値に調節できない程に光源の輝度が過大であつ
ても、感光基板に適正な露光量を与え得る露光装置及び
露光方法を実現することができる。
【図１】本発明による露光装置及び露光方法の一実施例
による走査型露光装置を示す斜視図である。
による走査型露光装置を示す斜視図である。
【図２】実施例による照明光学系の構成の説明に供する
略線図である。
略線図である。
【図３】実施例による照度データ獲得手順の説明に供す
るフローチヤートである。
るフローチヤートである。
１……走査型露光装置、２……照明光学系、３……マス
ク、３Ａ……パターン領域、４Ａ〜４Ｅ……投影光学
系、５……感光基板、５Ａ……感光面、６……ステージ
保持台、７……マスクステージ、１０……超高圧水銀ラ
ンプ、１１……楕円鏡、１２……シヤツタ、１３……レ
ンズ系、１４……光ガイド、１５……ハーフミラー、１
６……コンデンサレンズ、１７……視野絞り、１８、１
９……リレーレンズ、２０……レンズ系、２１……光検
出素子、２２……制御部、２３……メモリ、２４〜２６
……シヤツタ制御部、Ｌ1 〜Ｌ8 ……光束、Ｐ１〜Ｐ５
……投影領域、Ｍ１〜Ｍ５……照明領域。
ク、３Ａ……パターン領域、４Ａ〜４Ｅ……投影光学
系、５……感光基板、５Ａ……感光面、６……ステージ
保持台、７……マスクステージ、１０……超高圧水銀ラ
ンプ、１１……楕円鏡、１２……シヤツタ、１３……レ
ンズ系、１４……光ガイド、１５……ハーフミラー、１
６……コンデンサレンズ、１７……視野絞り、１８、１
９……リレーレンズ、２０……レンズ系、２１……光検
出素子、２２……制御部、２３……メモリ、２４〜２６
……シヤツタ制御部、Ｌ1 〜Ｌ8 ……光束、Ｐ１〜Ｐ５
……投影領域、Ｍ１〜Ｍ５……照明領域。
Claims (5)
- 【請求項１】複数の光源からそれぞれ射出された複数の
１次光束を光伝送路によつて集光した後に前記光伝送路
によつて分割して得た複数の２次光束によつて、パター
ンが形成されたマスク上の互いに異なる複数の領域をそ
れぞれ照明する照明光学系と、該複数の領域に対応して
配置された複数の投影光学系とを有し、該複数の領域の
それぞれの像を前記複数の投影光学系のそれぞれを介し
て感光基板上に投影する露光装置において、 前記複数の光源が射出したそれぞれの前記１次光束を規
制する複数の光束規制手段と、 前記２次光束の照度を検出する照度検出手段と、 前記検出結果に基づいて、前記複数の光束規制手段によ
るそれぞれの規制状態と、前記複数の２次光束の照度と
を対応付けて記憶する記憶手段と、 前記記憶結果に基づいて、前記光束規制手段を制御する
制御手段とを具え、前記２次光束の照度が所定値を越え
るとき、該２次光束中の任意の光束成分を射出している
前記光源が射出する前記１次光束を規制して、該２次光
束の照度を前記所定値以下に規制することを特徴とする
露光装置。 - 【請求項２】前記光伝送路は、複数の光フアイバを束ね
て構成されていることを特徴とする請求項１に記載の露
光装置。 - 【請求項３】前記光束規制手段は、前記１次光束を通過
させる開口部の開口率を制御して、前記１次光束を規制
することを特徴とする請求項１に記載の露光装置。 - 【請求項４】前記複数の投影光学系の一部は、光軸が第
１の方向に沿つて一列に配置されており、 前記複数の投影光学系の他の一部は、光軸が前記複数の
投影光学系の一部と平行に、かつ所定間隔をおいて一列
に配置されており、 前記第１の方向とほぼ直交し、且つ前記感光基板の面内
方向に前記マスクと前記感光基板とを同期して走査する
ことを特徴とする請求項１に記載の露光装置。 - 【請求項５】第１及び第２の光源からそれぞれ射出され
た１次光束を光伝送路によつて集光した後に前記光伝送
路によつて分割して得た第１及び第２の２次光束によつ
て、パターンが形成されたマスク上の互いに異なる第１
及び第２の領域をそれぞれ照明し、該第１及び第２の領
域のそれぞれの像を第１及び第２の投影光学系をそれぞ
れ介して感光基板上に投影する露光方法において、 前記第１の光源から射出された前記１次光束を規制する
第１の光束規制手段による該１次光束に対する規制状態
毎に、前記第１及び第２の２次光束の照度を検出する第
１の処理と、 前記第２の光源から射出された前記１次光束を規制する
第２の光束規制手段による該１次光束に対する規制状態
毎に、前記第１及び第２の２次光束の照度を検出する第
２の処理と、 前記第１及び第２の処理による検出結果に基づいて、前
記第１及び第２の光束規制手段によるそれぞれの前記規
制状態と、前記第１及び第２の２次光束の照度とを対応
付けて記憶する第３の処理と、 前記パターンを前記感光基板上に投影する際に、前記第
１及び第２の２次光束の照度を均一にするよう、前記第
３の処理による記憶結果に基づいて、前記第１及び第２
の光束規制手段を制御する第４の処理とを具えることを
特徴とする露光方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP08580996A JP3601174B2 (ja) | 1996-03-14 | 1996-03-14 | 露光装置及び露光方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP08580996A JP3601174B2 (ja) | 1996-03-14 | 1996-03-14 | 露光装置及び露光方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09251208A true JPH09251208A (ja) | 1997-09-22 |
| JP3601174B2 JP3601174B2 (ja) | 2004-12-15 |
Family
ID=13869205
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP08580996A Expired - Fee Related JP3601174B2 (ja) | 1996-03-14 | 1996-03-14 | 露光装置及び露光方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3601174B2 (ja) |
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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| EP1990828A1 (en) * | 2006-02-16 | 2008-11-12 | Nikon Corporation | Exposure apparatus, exposure method and method for manufacturing device |
| JP2009258551A (ja) * | 2008-04-21 | 2009-11-05 | Nikon Corp | 照明装置、露光装置、露光方法及びデバイス製造方法 |
| US20130271945A1 (en) | 2004-02-06 | 2013-10-17 | Nikon Corporation | Polarization-modulating element, illumination optical apparatus, exposure apparatus, and exposure method |
| US9423698B2 (en) | 2003-10-28 | 2016-08-23 | Nikon Corporation | Illumination optical apparatus and projection exposure apparatus |
| US9678437B2 (en) | 2003-04-09 | 2017-06-13 | Nikon Corporation | Illumination optical apparatus having distribution changing member to change light amount and polarization member to set polarization in circumference direction |
| US9885872B2 (en) | 2003-11-20 | 2018-02-06 | Nikon Corporation | Illumination optical apparatus, exposure apparatus, and exposure method with optical integrator and polarization member that changes polarization state of light |
| US10101666B2 (en) | 2007-10-12 | 2018-10-16 | Nikon Corporation | Illumination optical apparatus, exposure apparatus, and device manufacturing method |
-
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- 1996-03-14 JP JP08580996A patent/JP3601174B2/ja not_active Expired - Fee Related
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| US9678437B2 (en) | 2003-04-09 | 2017-06-13 | Nikon Corporation | Illumination optical apparatus having distribution changing member to change light amount and polarization member to set polarization in circumference direction |
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