JPH09199291A - X線発生装置およびそれを使用した非破壊検査装置 - Google Patents
X線発生装置およびそれを使用した非破壊検査装置Info
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- JPH09199291A JPH09199291A JP8004520A JP452096A JPH09199291A JP H09199291 A JPH09199291 A JP H09199291A JP 8004520 A JP8004520 A JP 8004520A JP 452096 A JP452096 A JP 452096A JP H09199291 A JPH09199291 A JP H09199291A
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Landscapes
- Analysing Materials By The Use Of Radiation (AREA)
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Abstract
(57)【要約】
【課題】X線源の焦点サイズを小さくしても運転に問題
が生じないようなX線発生装置を提供する。 【解決手段】X線発生装置は、真空容器9と10からな
り、その境界を金属箔11で区別され、それぞれ真空ポ
ンプ12でそれぞれの容器を減圧する。真空容器9は電
子発生装置13と電子加速装置14からなり、電子発生
装置13から発生した電子は電子加速装置14で所定の
エネルギまで加速される。真空容器10には、電子収束
装置15とターゲット16および弁18がある。真空容
器9で加速した電子は、金属箔11を通過して真空容器
10へと入る。電子は慣性により直進し、電子収束装置
15の部分で収束される。収束した電子はターゲット1
6に衝突してX線を発生する。ターゲット16は電子の
衝突により溶ける恐れがあるので、ターゲット移動機構
17によりスキャンできる。
が生じないようなX線発生装置を提供する。 【解決手段】X線発生装置は、真空容器9と10からな
り、その境界を金属箔11で区別され、それぞれ真空ポ
ンプ12でそれぞれの容器を減圧する。真空容器9は電
子発生装置13と電子加速装置14からなり、電子発生
装置13から発生した電子は電子加速装置14で所定の
エネルギまで加速される。真空容器10には、電子収束
装置15とターゲット16および弁18がある。真空容
器9で加速した電子は、金属箔11を通過して真空容器
10へと入る。電子は慣性により直進し、電子収束装置
15の部分で収束される。収束した電子はターゲット1
6に衝突してX線を発生する。ターゲット16は電子の
衝突により溶ける恐れがあるので、ターゲット移動機構
17によりスキャンできる。
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は加速した電子を金属
に衝突させ、その際、発生するX線を使う装置、そのX
線源の構造、また、そのX線発生装置を使用した非破壊
検査装置に関する。
に衝突させ、その際、発生するX線を使う装置、そのX
線源の構造、また、そのX線発生装置を使用した非破壊
検査装置に関する。
【0002】
【従来の技術】X線断層撮影装置(以下、X線CT装置
と記す)やX線透過像撮影装置において、撮影した画像
の画質を向上するにはX線源の大きさを小さくする必要
がある。X線CT装置やX線透過像撮影装置は、電子を
加速し、加速した電子を金属板(以下、ターゲットと記
す)に衝突させ、制動輻射により発生したX線を線源と
している。このX線発生装置の基本構造は、電子を発生
する電子発生装置と電子を加速する電子加速装置および
ターゲットからなっている。電子を加速する方法はサイ
クロトロン,ベータトロン,線形加速,マイクロトロン
等の方法がある。電子加速装置内は電子の加速効率を上
げるために減圧となっている。ターゲットにはタングス
テンや銅等の金属を使用している。このようなX線源の
場合、X線源の大きさを小さくするには、加速した電子
がターゲットと衝突する大きさ(以下、焦点サイズと記
す)を小さくする必要がある。焦点サイズを小さくする
には、電場や磁場を使って加速した電子を収束すること
で達成できる。焦点サイズが小さくなると、ターゲット
での発熱が極めて大きくなる。発熱の程度は、加速した
電子の電流値と加速後に持っている電子のエネルギとタ
ーゲットを構成する物質と焦点サイズにより決まる。発
熱によるターゲットの温度上昇がターゲットを構成する
物質の融点よりも高くなるとターゲットが電子線により
溶けてしまう。さらに、ターゲットの温度上昇がターゲ
ットを構成する物質の沸点よりも高くなるとターゲット
が電子線により蒸発してしまう。ターゲットが溶けたり
蒸発する場合には、電子発生装置や電子加速装置へ悪影
響を及ぼすことのほかにX線を発生できなくなるという
問題点がある。この問題点を解決する方法として、特開
平4−32800号公報がある。この方法は、ターゲットを電
子加速装置外に配置してターゲットが溶けても電子発生
装置や電子加速装置には悪影響が起きないようにして、
さらにターゲットをスキャンすることで溶けたり蒸発し
た部分に電子が衝突しないようにしたものである。
と記す)やX線透過像撮影装置において、撮影した画像
の画質を向上するにはX線源の大きさを小さくする必要
がある。X線CT装置やX線透過像撮影装置は、電子を
加速し、加速した電子を金属板(以下、ターゲットと記
す)に衝突させ、制動輻射により発生したX線を線源と
している。このX線発生装置の基本構造は、電子を発生
する電子発生装置と電子を加速する電子加速装置および
ターゲットからなっている。電子を加速する方法はサイ
クロトロン,ベータトロン,線形加速,マイクロトロン
等の方法がある。電子加速装置内は電子の加速効率を上
げるために減圧となっている。ターゲットにはタングス
テンや銅等の金属を使用している。このようなX線源の
場合、X線源の大きさを小さくするには、加速した電子
がターゲットと衝突する大きさ(以下、焦点サイズと記
す)を小さくする必要がある。焦点サイズを小さくする
には、電場や磁場を使って加速した電子を収束すること
で達成できる。焦点サイズが小さくなると、ターゲット
での発熱が極めて大きくなる。発熱の程度は、加速した
電子の電流値と加速後に持っている電子のエネルギとタ
ーゲットを構成する物質と焦点サイズにより決まる。発
熱によるターゲットの温度上昇がターゲットを構成する
物質の融点よりも高くなるとターゲットが電子線により
溶けてしまう。さらに、ターゲットの温度上昇がターゲ
ットを構成する物質の沸点よりも高くなるとターゲット
が電子線により蒸発してしまう。ターゲットが溶けたり
蒸発する場合には、電子発生装置や電子加速装置へ悪影
響を及ぼすことのほかにX線を発生できなくなるという
問題点がある。この問題点を解決する方法として、特開
平4−32800号公報がある。この方法は、ターゲットを電
子加速装置外に配置してターゲットが溶けても電子発生
装置や電子加速装置には悪影響が起きないようにして、
さらにターゲットをスキャンすることで溶けたり蒸発し
た部分に電子が衝突しないようにしたものである。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】上記従来技術では、タ
ーゲットを電子加速装置外に置くために電子加速装置か
らの電子の出口を作る必要がある。この出口は薄い金属
箔で作ることができる。この金属箔には常に大気圧に近
い圧力が加わっている。なぜならば、この金属箔は内部
を減圧した電子加速装置と大気圧との境界であるからで
ある。したがって、この金属箔の厚みは、大気圧による
圧力を受けても破れないほど厚くする必要がある。しか
しこの場合、金属箔は加速した電子によりある程度の昇
温はさけられず、この温度上昇と大気に接しているため
金属箔の酸化が進み、最終的には疲労のために金属箔が
破れる恐れがある。
ーゲットを電子加速装置外に置くために電子加速装置か
らの電子の出口を作る必要がある。この出口は薄い金属
箔で作ることができる。この金属箔には常に大気圧に近
い圧力が加わっている。なぜならば、この金属箔は内部
を減圧した電子加速装置と大気圧との境界であるからで
ある。したがって、この金属箔の厚みは、大気圧による
圧力を受けても破れないほど厚くする必要がある。しか
しこの場合、金属箔は加速した電子によりある程度の昇
温はさけられず、この温度上昇と大気に接しているため
金属箔の酸化が進み、最終的には疲労のために金属箔が
破れる恐れがある。
【0004】本発明の目的は、金属箔が酸化疲労により
破れることを防ぐことにある。
破れることを防ぐことにある。
【0005】
【課題を解決するための手段】金属箔が酸化疲労を起こ
すのは、金属箔の厚みが厚く電子の通過により昇温する
することと大気と接しているためである。そこで電子発
生装置と電子加速装置側を第一の真空容器として、ター
ゲット側を第二の真空容器とし、この二つの真空容器を
金属箔で区切る構造が考えられる。この構造では、金属
箔の両側は減圧しているので金属箔にかかる圧力は極め
て小さくなり、それに伴い金属箔の厚みを薄くすること
ができる。さらに金属箔は大気と接することはないので
酸化するのを防ぐことができる。
すのは、金属箔の厚みが厚く電子の通過により昇温する
することと大気と接しているためである。そこで電子発
生装置と電子加速装置側を第一の真空容器として、ター
ゲット側を第二の真空容器とし、この二つの真空容器を
金属箔で区切る構造が考えられる。この構造では、金属
箔の両側は減圧しているので金属箔にかかる圧力は極め
て小さくなり、それに伴い金属箔の厚みを薄くすること
ができる。さらに金属箔は大気と接することはないので
酸化するのを防ぐことができる。
【0006】本発明の作用を説明する。第一の真空容器
は、電子発生装置から発生した電子を電子加速装置によ
り所定のエネルギまで加速する部分である。加速した電
子は金属箔を通過して、第二の真空容器に入る。第二の
真空容器には、焦点サイズを小さくするための電子収束
装置とターゲットが備わっていて、電子はこの電子収束
装置により収束されたのち、ターゲットに衝突してX線
が発生する。ターゲットは溶ける恐れがあるので、スキ
ャンすることができる構造とする。この構造では、金属
箔の厚みは第一の真空容器と第二の真空容器の差圧分の
圧力を受けるが、その圧力は上記従来技術に比べ非常に
小さい。したがって、金属箔の厚みは薄くすることがで
きる。金属箔が薄くなるので、電子が通過することも容
易で電子の通過による金属箔の温度上昇を抑えることが
できる。また、金属箔は大気と接することはないので、
酸化を起こす恐れはない。
は、電子発生装置から発生した電子を電子加速装置によ
り所定のエネルギまで加速する部分である。加速した電
子は金属箔を通過して、第二の真空容器に入る。第二の
真空容器には、焦点サイズを小さくするための電子収束
装置とターゲットが備わっていて、電子はこの電子収束
装置により収束されたのち、ターゲットに衝突してX線
が発生する。ターゲットは溶ける恐れがあるので、スキ
ャンすることができる構造とする。この構造では、金属
箔の厚みは第一の真空容器と第二の真空容器の差圧分の
圧力を受けるが、その圧力は上記従来技術に比べ非常に
小さい。したがって、金属箔の厚みは薄くすることがで
きる。金属箔が薄くなるので、電子が通過することも容
易で電子の通過による金属箔の温度上昇を抑えることが
できる。また、金属箔は大気と接することはないので、
酸化を起こす恐れはない。
【0007】
【発明の実施の形態】本発明の実施例を図を用いて説明
する。本発明のX線発生装置を使う非破壊検査装置の一
実施例を図1を用いて説明する。図1は本発明のX線発
生装置を使用したX線CT装置のブロック図である。X
線CT装置は、X線発生装置1,スキャナ2,スキャナ
制御装置3,検出器4,検出器回路5,演算装置6,表
示装置7,入力装置8,ターゲット移動制御装置20か
らなるものである。X線CT装置の撮影は、X線発生装
置からのX線をスキャナ上にある被検査体に照射して、
その被検査体を透過してきたX線を検出器により検出す
る。被検査体はスキャナにより並進移動,回転移動や上
下移動を組み合わせた移動を行い、この移動中にX線を
照射して透過してきたX線を検出器で検出する。X線C
T装置により撮影した被検査体の断層像の画質は、検出
器から見たときのX線源の大きさが小さいほうが良い。
すなわち、X線源の大きさが断層像の画質を向上する重
要な因子となる。本発明のX線発生装置を使用した場
合、X線源の大きさは従来に比べ小さくでき、かつX線
発生装置の故障も少なくなるので、X線CT装置として
の性能向上が図れる。
する。本発明のX線発生装置を使う非破壊検査装置の一
実施例を図1を用いて説明する。図1は本発明のX線発
生装置を使用したX線CT装置のブロック図である。X
線CT装置は、X線発生装置1,スキャナ2,スキャナ
制御装置3,検出器4,検出器回路5,演算装置6,表
示装置7,入力装置8,ターゲット移動制御装置20か
らなるものである。X線CT装置の撮影は、X線発生装
置からのX線をスキャナ上にある被検査体に照射して、
その被検査体を透過してきたX線を検出器により検出す
る。被検査体はスキャナにより並進移動,回転移動や上
下移動を組み合わせた移動を行い、この移動中にX線を
照射して透過してきたX線を検出器で検出する。X線C
T装置により撮影した被検査体の断層像の画質は、検出
器から見たときのX線源の大きさが小さいほうが良い。
すなわち、X線源の大きさが断層像の画質を向上する重
要な因子となる。本発明のX線発生装置を使用した場
合、X線源の大きさは従来に比べ小さくでき、かつX線
発生装置の故障も少なくなるので、X線CT装置として
の性能向上が図れる。
【0008】X線CT装置の撮影中にターゲットを使い
果たした場合には、ターゲット移動制御装置20はその
旨の信号をスキャナ移動制御装置3と表示装置7に送
る。この信号を受け取ったスキャナ移動制御装置3はス
キャナの移動を中止し、X線発生装置1と検出器回路5
に運転の中止を命じる。X線CT装置の運転者は、表示
装置7からターゲットが無くなったことを知り、ターゲ
ットの交換作業をする。図2に本発明のX線発生装置の
構造を示す。本発明のX線発生装置は、真空容器9と真
空容器10からなり、その境界を金属箔11で区別す
る。真空容器9と真空容器10にはそれぞれ真空ポンプ
12があり、それぞれの容器を減圧する。真空容器9は
電子発生装置13と電子加速装置14からなり、電子発
生装置13から発生した電子19は電子加速装置14で
所定のエネルギまで加速される。真空容器10には、電
子収束装置15とターゲット16および弁18がある。
真空容器9で加速した電子は、金属箔11を通過して真
空容器10へと入る。電子は慣性により直進し、電子収
束装置15の部分で収束される。収束した電子はターゲ
ット16に衝突してX線を発生する。ターゲット16は
電子の衝突により溶ける恐れがあるので、ターゲット移
動機構17によりスキャンできる構造である。本発明の
X線発生装置の運転方法を図2を用いて説明する。電子
発生装置13より電子をパルス的に発生させ、それを電
子加速装置14で所定のエネルギに加速する。このパル
スの繰り返し周波数は電子発生装置13と電子加速装置
14の性能により異なるが、この実施例では200Hz
とする。加速した電子は金属箔11を通過した後電子収
束装置15により収束されターゲットに衝突する。焦点
サイズはこの実施例では0.1mm とする。電子の衝突と
ともに焦点部分のターゲットは溶けてしまう。次の電子
が来る前に、ターゲットは適当なスキャンをして、電子
が再び溶解したターゲットに衝突しないようにする。こ
の実施例では、次の電子がターゲットと衝突するまでに
5ミリ秒の時間があるので、この時間内にターゲットは
0.1mm 以上動く必要がある。ターゲットのスキャン
を、ターゲットに装備したターゲット移動機構17とタ
ーゲット移動制御装置20により実現する。ターゲット
移動機構17は、ターゲットを使い果たした後には、そ
の旨の信号を発してターゲットの交換を知らせる。ター
ゲットを交換する場合、真空容器10を大気圧にすると
金属箔11が圧力により破れる恐れがある。したがっ
て、真空容器10に装備してある弁18を閉じて金属箔
11側が大気圧になるのを防いだ後、ターゲット側を大
気圧に解放する。大気圧に解放した後、ターゲット16
の交換作業を行う。ターゲットの交換作業終了後、弁1
8を閉じた状態で真空容器10のターゲット側を真空ポ
ンプ12により減圧する。所定の減圧が達成できた後、
弁18を開く。この一連の交換作業により、再度運転を
開始することができる。
果たした場合には、ターゲット移動制御装置20はその
旨の信号をスキャナ移動制御装置3と表示装置7に送
る。この信号を受け取ったスキャナ移動制御装置3はス
キャナの移動を中止し、X線発生装置1と検出器回路5
に運転の中止を命じる。X線CT装置の運転者は、表示
装置7からターゲットが無くなったことを知り、ターゲ
ットの交換作業をする。図2に本発明のX線発生装置の
構造を示す。本発明のX線発生装置は、真空容器9と真
空容器10からなり、その境界を金属箔11で区別す
る。真空容器9と真空容器10にはそれぞれ真空ポンプ
12があり、それぞれの容器を減圧する。真空容器9は
電子発生装置13と電子加速装置14からなり、電子発
生装置13から発生した電子19は電子加速装置14で
所定のエネルギまで加速される。真空容器10には、電
子収束装置15とターゲット16および弁18がある。
真空容器9で加速した電子は、金属箔11を通過して真
空容器10へと入る。電子は慣性により直進し、電子収
束装置15の部分で収束される。収束した電子はターゲ
ット16に衝突してX線を発生する。ターゲット16は
電子の衝突により溶ける恐れがあるので、ターゲット移
動機構17によりスキャンできる構造である。本発明の
X線発生装置の運転方法を図2を用いて説明する。電子
発生装置13より電子をパルス的に発生させ、それを電
子加速装置14で所定のエネルギに加速する。このパル
スの繰り返し周波数は電子発生装置13と電子加速装置
14の性能により異なるが、この実施例では200Hz
とする。加速した電子は金属箔11を通過した後電子収
束装置15により収束されターゲットに衝突する。焦点
サイズはこの実施例では0.1mm とする。電子の衝突と
ともに焦点部分のターゲットは溶けてしまう。次の電子
が来る前に、ターゲットは適当なスキャンをして、電子
が再び溶解したターゲットに衝突しないようにする。こ
の実施例では、次の電子がターゲットと衝突するまでに
5ミリ秒の時間があるので、この時間内にターゲットは
0.1mm 以上動く必要がある。ターゲットのスキャン
を、ターゲットに装備したターゲット移動機構17とタ
ーゲット移動制御装置20により実現する。ターゲット
移動機構17は、ターゲットを使い果たした後には、そ
の旨の信号を発してターゲットの交換を知らせる。ター
ゲットを交換する場合、真空容器10を大気圧にすると
金属箔11が圧力により破れる恐れがある。したがっ
て、真空容器10に装備してある弁18を閉じて金属箔
11側が大気圧になるのを防いだ後、ターゲット側を大
気圧に解放する。大気圧に解放した後、ターゲット16
の交換作業を行う。ターゲットの交換作業終了後、弁1
8を閉じた状態で真空容器10のターゲット側を真空ポ
ンプ12により減圧する。所定の減圧が達成できた後、
弁18を開く。この一連の交換作業により、再度運転を
開始することができる。
【0009】次に本発明の構造により金属箔にかかる圧
力が減少することを図3を用いて従来技術と比較して説
明する。図3(a)は従来技術によるもので、図3
(b)は本発明によるものである。従来技術では加速管
内の圧力は約10-4Pa程度である。この圧力は電子を
効率良く加速するために必要である。したがって、従来
技術の場合、金属箔にかかる圧力は大気圧である。大気
圧は約105Pa 程度である。本発明の構造では、真空
容器9の圧力は従来技術と同じ約10-4Pa程度であ
る。真空容器10は真空ポンプにより減圧でき、約10
-1Pa程度とする。この場合、金属箔にかかる圧力は約
10-1Pa程度であるから、従来技術に比べ約百万分の
一となる。
力が減少することを図3を用いて従来技術と比較して説
明する。図3(a)は従来技術によるもので、図3
(b)は本発明によるものである。従来技術では加速管
内の圧力は約10-4Pa程度である。この圧力は電子を
効率良く加速するために必要である。したがって、従来
技術の場合、金属箔にかかる圧力は大気圧である。大気
圧は約105Pa 程度である。本発明の構造では、真空
容器9の圧力は従来技術と同じ約10-4Pa程度であ
る。真空容器10は真空ポンプにより減圧でき、約10
-1Pa程度とする。この場合、金属箔にかかる圧力は約
10-1Pa程度であるから、従来技術に比べ約百万分の
一となる。
【0010】次にターゲットが電子線により溶けること
を図4と数式を用いて説明する。図4には収束を受けた
電子線がターゲットに衝突する様子を拡大して示してい
る。加速した後の電子のエネルギをE(J),パルス電流
値をI(A),パルス幅をw(秒)とする。このとき、パル
ス当たりの全エネルギQは数1により計算できる。
を図4と数式を用いて説明する。図4には収束を受けた
電子線がターゲットに衝突する様子を拡大して示してい
る。加速した後の電子のエネルギをE(J),パルス電流
値をI(A),パルス幅をw(秒)とする。このとき、パル
ス当たりの全エネルギQは数1により計算できる。
【0011】
【数1】
【0012】ここでeは電子の電荷量である。この全エ
ネルギQは、ターゲットをそのまま透過するものと、X
線として発生するもの、ターゲットで熱に変わるものに
大別できる。ターゲットで熱に変わる割合をx(%)とす
る。また図4に示すように焦点サイズをS(cm2),加速
した電子がターゲットに入り込む深さをτ(cm)とする。
さらに、ターゲットの密度をρ(g/cm3),ターゲット
の比熱をc(J/gK)とすると、パルス当たりに上昇す
る焦点の温度ΔTは数2で表現できる。
ネルギQは、ターゲットをそのまま透過するものと、X
線として発生するもの、ターゲットで熱に変わるものに
大別できる。ターゲットで熱に変わる割合をx(%)とす
る。また図4に示すように焦点サイズをS(cm2),加速
した電子がターゲットに入り込む深さをτ(cm)とする。
さらに、ターゲットの密度をρ(g/cm3),ターゲット
の比熱をc(J/gK)とすると、パルス当たりに上昇す
る焦点の温度ΔTは数2で表現できる。
【0013】
【数2】
【0014】この温度上昇がターゲットの融点よりも高
くなると、ターゲットは溶けることになる。今、加速し
た電子のエネルギをEを9.6×10-13(J),パルス電
流値をIを140×10-3(A),パルス幅をwを5×1
0-6(秒)とすると、パルス当たりの全エネルギQは4.
2(J)となる。この内ターゲットで熱に変わる割合x
を70(%)で考える。ターゲットとしてタングステンを
用いた場合、密度ρは19.1(g/cm3)、比熱cは0.
14(J/gK)である。また加速した電子がターゲット
に入り込む深さτを0.1(cm)程度と考える。焦点サイ
ズSを1.0×10-2(cm2)とすると、パルス当たりに
上昇する焦点の温度ΔTは約1100(K)である。タン
グステンの融点は3387℃であるから、この焦点サイ
ズの場合にはターゲットは溶けない。しかし、焦点サイ
ズが小さくなり、0.3×10-2(cm2)となると、パルス
当たりに上昇する焦点の温度ΔTは約3664(K)とな
り、電子がターゲットに衝突したとほぼ同時にターゲッ
トは溶けてしまう。
くなると、ターゲットは溶けることになる。今、加速し
た電子のエネルギをEを9.6×10-13(J),パルス電
流値をIを140×10-3(A),パルス幅をwを5×1
0-6(秒)とすると、パルス当たりの全エネルギQは4.
2(J)となる。この内ターゲットで熱に変わる割合x
を70(%)で考える。ターゲットとしてタングステンを
用いた場合、密度ρは19.1(g/cm3)、比熱cは0.
14(J/gK)である。また加速した電子がターゲット
に入り込む深さτを0.1(cm)程度と考える。焦点サイ
ズSを1.0×10-2(cm2)とすると、パルス当たりに
上昇する焦点の温度ΔTは約1100(K)である。タン
グステンの融点は3387℃であるから、この焦点サイ
ズの場合にはターゲットは溶けない。しかし、焦点サイ
ズが小さくなり、0.3×10-2(cm2)となると、パルス
当たりに上昇する焦点の温度ΔTは約3664(K)とな
り、電子がターゲットに衝突したとほぼ同時にターゲッ
トは溶けてしまう。
【0015】
【発明の効果】本発明によりX線源の焦点サイズを小さ
くすることができる。
くすることができる。
【図1】本発明のX線発生装置を使用した検査装置の例
を示すブロック図。
を示すブロック図。
【図2】本発明のX線発生装置の構造の説明図。
【図3】本発明により金属箔にかかる圧力が減少するこ
との説明図。
との説明図。
【図4】ターゲットが電子線により溶ける現象の説明
図。
図。
1…X線発生装置、2…スキャナ、3…スキャナ制御装
置、4…検出器、5…検出器回路、6…演算装置、7…
表示装置、8…入力装置、9,10…真空容器、11…
金属箔、12…真空ポンプ、13…電子発生装置、14
…電子加速装置、15…電子収束装置、16…ターゲッ
ト、17…ターゲット移動機構、18…弁、19…電
子、20…ターゲット移動制御装置。
置、4…検出器、5…検出器回路、6…演算装置、7…
表示装置、8…入力装置、9,10…真空容器、11…
金属箔、12…真空ポンプ、13…電子発生装置、14
…電子加速装置、15…電子収束装置、16…ターゲッ
ト、17…ターゲット移動機構、18…弁、19…電
子、20…ターゲット移動制御装置。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 FI 技術表示箇所 H01J 35/16 H01J 35/16
Claims (6)
- 【請求項1】電子を加速して、加速した電子をターゲッ
トに衝突させ、その衝突の際にX線を発生するX線発生
装置において、前記X線発生装置が二つの真空容器を持
ち、前記二つの真空容器の境界を金属箔で区別し、一方
の真空容器には電子発生装置と電子加速装置と真空ポン
プとを備え、他方の真空容器には電子収束装置と電子が
衝突してX線を発生するためのターゲットと真空ポンプ
を装備したことを特徴とするX線発生装置。 - 【請求項2】請求項1において、前記ターゲットが溶解
または蒸発するX線発生装置。 - 【請求項3】請求項1において、前記ターゲットを移動
するためのターゲット移動装置とその移動を制御するタ
ーゲット移動制御装置を装備したX線発生装置。 - 【請求項4】請求項1に記載の前記X線発生装置を利用
した非破壊検査装置。 - 【請求項5】請求項2に記載の前記X線発生装置を利用
した非破壊検査装置。 - 【請求項6】請求項3に記載の前記X線発生装置を利用
した非破壊検査装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP8004520A JPH09199291A (ja) | 1996-01-16 | 1996-01-16 | X線発生装置およびそれを使用した非破壊検査装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP8004520A JPH09199291A (ja) | 1996-01-16 | 1996-01-16 | X線発生装置およびそれを使用した非破壊検査装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH09199291A true JPH09199291A (ja) | 1997-07-31 |
Family
ID=11586337
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP8004520A Pending JPH09199291A (ja) | 1996-01-16 | 1996-01-16 | X線発生装置およびそれを使用した非破壊検査装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH09199291A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2004010744A1 (ja) * | 2002-07-19 | 2004-01-29 | Shimadzu Corporation | X線発生装置 |
JP2007525807A (ja) * | 2004-02-26 | 2007-09-06 | オスミック、インコーポレイテッド | X線源 |
-
1996
- 1996-01-16 JP JP8004520A patent/JPH09199291A/ja active Pending
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2004010744A1 (ja) * | 2002-07-19 | 2004-01-29 | Shimadzu Corporation | X線発生装置 |
CN1306552C (zh) * | 2002-07-19 | 2007-03-21 | 株式会社岛津制作所 | X射线发生装置 |
US7305066B2 (en) | 2002-07-19 | 2007-12-04 | Shimadzu Corporation | X-ray generating equipment |
JP2007525807A (ja) * | 2004-02-26 | 2007-09-06 | オスミック、インコーポレイテッド | X線源 |
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