JPH09197154A - 光導波路 - Google Patents
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- JPH09197154A JPH09197154A JP556696A JP556696A JPH09197154A JP H09197154 A JPH09197154 A JP H09197154A JP 556696 A JP556696 A JP 556696A JP 556696 A JP556696 A JP 556696A JP H09197154 A JPH09197154 A JP H09197154A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 互いに異なる屈折率分布を有する２種以上の
光導波路の接合面において反射光の発生を防止した光導
波路を提供する。 【解決手段】 積層方向の屈折率の分布が異なる複数の
光導波路が、該導波路の光の導波方向に縦列に接続され
た光導波路において、該複数の光導波路１３の接合面１
４が、該光の導波方向の積層面と該導波方向の積層面と
直交する面とに対して交差している。
光導波路の接合面において反射光の発生を防止した光導
波路を提供する。 【解決手段】 積層方向の屈折率の分布が異なる複数の
光導波路が、該導波路の光の導波方向に縦列に接続され
た光導波路において、該複数の光導波路１３の接合面１
４が、該光の導波方向の積層面と該導波方向の積層面と
直交する面とに対して交差している。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は光導波路素子の構造
に関するものであり、具体的には、互いに異なる屈折率
分布を有する２種以上の光導波路が、その光軸方向に縦
列接続された光導波路に関するものである。
に関するものであり、具体的には、互いに異なる屈折率
分布を有する２種以上の光導波路が、その光軸方向に縦
列接続された光導波路に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】互いに異なる屈折率分布を有する光導波
路を、光導波路の光軸方向に縦列接続して半導体光素子
の性能向上を計ることが試みられてきている。その際に
用いられてきた構造を、半導体レーザの一例を図５に示
す。図５中、符号２０は利得導波路、２１はガイド導波
路、２２は利得導波路２０とガイド導波路２１との接合
面、２３はレーザ出射端面、３０は基板及び３５はレー
ザのクラッド層を各々図示する。
路を、光導波路の光軸方向に縦列接続して半導体光素子
の性能向上を計ることが試みられてきている。その際に
用いられてきた構造を、半導体レーザの一例を図５に示
す。図５中、符号２０は利得導波路、２１はガイド導波
路、２２は利得導波路２０とガイド導波路２１との接合
面、２３はレーザ出射端面、３０は基板及び３５はレー
ザのクラッド層を各々図示する。
【０００３】半導体レーザに光ファイバが結合された半
導体レーザモジュールを作製するには、半導体レーザと
光ファイバの結合における光軸調整を、可能な限り大き
な許容度でもって高効率に結合することが重要である。
導体レーザモジュールを作製するには、半導体レーザと
光ファイバの結合における光軸調整を、可能な限り大き
な許容度でもって高効率に結合することが重要である。
【０００４】このため、図５に示すような光導波路の構
造が用いられている。即ち、電流注入により利得を生じ
る利得導波路２０の一端側に、該利得導波路２０よりは
大きなバンドギャップエネルギー（屈折率は低くなる）
をもつコア層で構成されるガイド導波路２１を、接合面
２２を介して接続する。
造が用いられている。即ち、電流注入により利得を生じ
る利得導波路２０の一端側に、該利得導波路２０よりは
大きなバンドギャップエネルギー（屈折率は低くなる）
をもつコア層で構成されるガイド導波路２１を、接合面
２２を介して接続する。
【０００５】この時、ガイド導波路２１の形状を、図５
に示すように、レーザ出射端面２３側に近づくにつれて
漸次幅が狭くなる先細り構造とし、導波路への光閉じ込
め効率をレーザ出射端面２３に近づくにつれて緩くする
ことにより、レーザ出射端面２３から出射されるレーザ
光のサイズを拡大せんとする構造である。
に示すように、レーザ出射端面２３側に近づくにつれて
漸次幅が狭くなる先細り構造とし、導波路への光閉じ込
め効率をレーザ出射端面２３に近づくにつれて緩くする
ことにより、レーザ出射端面２３から出射されるレーザ
光のサイズを拡大せんとする構造である。
【０００６】このように、利得導波路２０と、それより
はバンドギャップエネルギーの大きいガイド導波路２１
との接合面２２を作製するに際しては、概ね図６及び図
７に示す作製工程を用いてきた。即ち、図６（ａ）に示
すように、先ず基板３０上に利得導波路のコア層３１を
エピタキシャル成長させる。次に、図６（ｂ）に示すよ
うに、利得導波路２０を形成する領域を含む、幅２０μ
ｍ、利得導波路長に等しい長さである３００μｍ程度の
長さの領域に形成したＳｉＯ2 膜３２をエッチングマス
クとして用いて、この領域以外の領域の利得導波路のコ
ア層３１を除去して、利得導波路のコア層の島３３を形
成する。次に、図６（ｃ）に示すように、利得導波路の
コア層の島３３以外の領域にガイド導波路のコア層３４
を形成する層を成長させる。次に、図７（ａ）に示すよ
うに、利得導波路のコア層の島３３の上に残っているＳ
ｉＯ2 膜３２を除去した後、利得導波路のコア層の島３
３とガイド導波路のコア層３４とを、図５に示すような
利得導波路２０とガイド導波路２１との形状に加工す
る。次に、図７（ｂ）に示すように、レーザのクラッド
層３５を成長させ、利得導波路２０とガイド導波路２１
からなるレーザ導波路を形成し、電流注入用の電極３６
を設けてレーザとする。
はバンドギャップエネルギーの大きいガイド導波路２１
との接合面２２を作製するに際しては、概ね図６及び図
７に示す作製工程を用いてきた。即ち、図６（ａ）に示
すように、先ず基板３０上に利得導波路のコア層３１を
エピタキシャル成長させる。次に、図６（ｂ）に示すよ
うに、利得導波路２０を形成する領域を含む、幅２０μ
ｍ、利得導波路長に等しい長さである３００μｍ程度の
長さの領域に形成したＳｉＯ2 膜３２をエッチングマス
クとして用いて、この領域以外の領域の利得導波路のコ
ア層３１を除去して、利得導波路のコア層の島３３を形
成する。次に、図６（ｃ）に示すように、利得導波路の
コア層の島３３以外の領域にガイド導波路のコア層３４
を形成する層を成長させる。次に、図７（ａ）に示すよ
うに、利得導波路のコア層の島３３の上に残っているＳ
ｉＯ2 膜３２を除去した後、利得導波路のコア層の島３
３とガイド導波路のコア層３４とを、図５に示すような
利得導波路２０とガイド導波路２１との形状に加工す
る。次に、図７（ｂ）に示すように、レーザのクラッド
層３５を成長させ、利得導波路２０とガイド導波路２１
からなるレーザ導波路を形成し、電流注入用の電極３６
を設けてレーザとする。
【０００７】上記の工程において、レーザの端面２３は
劈開工程により作製するため、レーザ導波路はこの劈開
面に直交する方向をとることとなる。即ち、劈開は結晶
学的な面方位でいうところの［１１０］面に沿って生じ
るため、レーザ導波路は必然的に、この［１１０］面に
直交する＜１１０＞方向をとる。この時、利得導波路の
コア層の島３３は図６（ｂ）に示すように、＜１１０＞
方向又はこの方向に結晶学的に等価な方向と平行な４つ
の辺をもつ長方形の形状とされてきた。
劈開工程により作製するため、レーザ導波路はこの劈開
面に直交する方向をとることとなる。即ち、劈開は結晶
学的な面方位でいうところの［１１０］面に沿って生じ
るため、レーザ導波路は必然的に、この［１１０］面に
直交する＜１１０＞方向をとる。この時、利得導波路の
コア層の島３３は図６（ｂ）に示すように、＜１１０＞
方向又はこの方向に結晶学的に等価な方向と平行な４つ
の辺をもつ長方形の形状とされてきた。
【０００８】その理由は、図６（ｂ）に示すように、利
得導波路を形成する領域以外の領域の利得導波路のコア
層３１を除去する方法として、例えば塩酸等の薬液によ
るウエットエッチング方法を用いるためである。
得導波路を形成する領域以外の領域の利得導波路のコア
層３１を除去する方法として、例えば塩酸等の薬液によ
るウエットエッチング方法を用いるためである。
【０００９】これは、島３３の辺が＜１１０＞方向から
ずれている場合には、島の側面に結晶学的に不安定な面
が形成されることとなり、結果として不均一な接合面を
形成してしまうため、好ましい結果は得られないからで
ある。そこで、ウエットエッチング方法で形成する島の
側面を結晶学的に安定な４つの［１１０］面で形成し、
均一な接合面を形成するために、島３３の形状を＜１１
０＞方向又はこの方向に結晶学的に等価な方向と平行な
４つの辺をもつ長方形にしていた。
ずれている場合には、島の側面に結晶学的に不安定な面
が形成されることとなり、結果として不均一な接合面を
形成してしまうため、好ましい結果は得られないからで
ある。そこで、ウエットエッチング方法で形成する島の
側面を結晶学的に安定な４つの［１１０］面で形成し、
均一な接合面を形成するために、島３３の形状を＜１１
０＞方向又はこの方向に結晶学的に等価な方向と平行な
４つの辺をもつ長方形にしていた。
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上述し
た場合においても、接合面２２が導波路の光軸に垂直な
位置関係になることに原因する光学的不都合、および島
３３の側面が成長速度の速い［１１０］面であることに
原因する形状的不都合という点が問題であった。ここ
で、光学的不都合とは、接合面で生じる反射光がレーザ
の動作不安定を引き起こすことであり、形状的不都合と
は、成長速度の速い側面が生じることにより、接合部に
盛り上がりを生じることとなり、レーザ特性を劣化させ
ることである。
た場合においても、接合面２２が導波路の光軸に垂直な
位置関係になることに原因する光学的不都合、および島
３３の側面が成長速度の速い［１１０］面であることに
原因する形状的不都合という点が問題であった。ここ
で、光学的不都合とは、接合面で生じる反射光がレーザ
の動作不安定を引き起こすことであり、形状的不都合と
は、成長速度の速い側面が生じることにより、接合部に
盛り上がりを生じることとなり、レーザ特性を劣化させ
ることである。
【００１１】以上のように、２つの光導波路２０，２１
を縦列に接続すると、これらの接続面２２の屈折率分布
の不整合により導波光が反射し、レーザ発振の不安定化
等の種種の不都合が生じていた。
を縦列に接続すると、これらの接続面２２の屈折率分布
の不整合により導波光が反射し、レーザ発振の不安定化
等の種種の不都合が生じていた。
【００１２】また、光導波路が半導体のような単結晶の
場合には、劈開端面が低指数面でしか形成できないた
め、光導波路の方向がこれに垂直な方向に限られてしま
い結局、接合面がこの低指数面に一致することになる。
この場合、接合端面で異常結晶成長が発生し、光導波路
の形状異常が起こることがあった。
場合には、劈開端面が低指数面でしか形成できないた
め、光導波路の方向がこれに垂直な方向に限られてしま
い結局、接合面がこの低指数面に一致することになる。
この場合、接合端面で異常結晶成長が発生し、光導波路
の形状異常が起こることがあった。
【００１３】本発明は、上記問題に鑑み、接合部を持つ
光導波路において、当該接合面における反射光の発生を
防止すること、又は形状的不都合の原因である接合部に
おける盛り上がりを防止することができる光導波路を提
供することを課題とする。
光導波路において、当該接合面における反射光の発生を
防止すること、又は形状的不都合の原因である接合部に
おける盛り上がりを防止することができる光導波路を提
供することを課題とする。
【００１４】
【課題を解決するための手段】前記課題を達成する本発
明の光導波路は、積層方向の屈折率の分布が異なる複数
の光導波路が、該導波路の光の導波方向に縦列に接続さ
れた光導波路において、該複数の光導波路の接合面が、
該光の導波方向の積層面と該導波方向の積層面とに直交
する面とに対して交差していることを特徴とするもので
ある。
明の光導波路は、積層方向の屈折率の分布が異なる複数
の光導波路が、該導波路の光の導波方向に縦列に接続さ
れた光導波路において、該複数の光導波路の接合面が、
該光の導波方向の積層面と該導波方向の積層面とに直交
する面とに対して交差していることを特徴とするもので
ある。
【００１５】上記光導波路において、前記接合面が、前
記積層方向に対して交差していることを特徴とするもの
である。
記積層方向に対して交差していることを特徴とするもの
である。
【００１６】上記光導波路において、前記複数の光導波
路が、半導体で形成されていることを特徴とするもので
ある。
路が、半導体で形成されていることを特徴とするもので
ある。
【００１７】本発明に係る光導波路は、光導波路間の接
合面が、該光の導波面と該導波面とに直交する面とに対
して交差するものとしている。このため、接合面で反射
された導波光は導波路の外に放射されるため、再び導波
路に入射して元の方向に返っていくことがなく、従って
反射光による不都合は生じない。
合面が、該光の導波面と該導波面とに直交する面とに対
して交差するものとしている。このため、接合面で反射
された導波光は導波路の外に放射されるため、再び導波
路に入射して元の方向に返っていくことがなく、従って
反射光による不都合は生じない。
【００１８】また、導波路が単結晶材料で形成されてい
る場合においては、接合面を異常成長の起きやすい低指
数面でなくすることが可能になり、光導波路の形状異常
を防止できる。
る場合においては、接合面を異常成長の起きやすい低指
数面でなくすることが可能になり、光導波路の形状異常
を防止できる。
【００１９】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態を説明
する。
する。
【００２０】＜第１の実施の形態＞本発明の第１の実施
の形態に係る光導波路とその作製方法を図１〜図３に示
す。先ず、図１（ａ）に示すように、基板１０の上に第
１の導波路のコア層１１をエピタキシャル成長させる。
の形態に係る光導波路とその作製方法を図１〜図３に示
す。先ず、図１（ａ）に示すように、基板１０の上に第
１の導波路のコア層１１をエピタキシャル成長させる。
【００２１】次に、図１（ｂ）−（１）と図１（ｂ）−
（２）に示すように、第１の導波路を形成する領域を含
む、概ね幅２０μｍ、長さは第１の導波路長に等しい長
さである３００μｍ程度の領域に成長したＳｉＯ2 膜１
２をエッチングマスクとして用いて、この領域以外の領
域の第１の導波路のコア層を除去して、第１の導波路の
コア層の島１３を形成する。
（２）に示すように、第１の導波路を形成する領域を含
む、概ね幅２０μｍ、長さは第１の導波路長に等しい長
さである３００μｍ程度の領域に成長したＳｉＯ2 膜１
２をエッチングマスクとして用いて、この領域以外の領
域の第１の導波路のコア層を除去して、第１の導波路の
コア層の島１３を形成する。
【００２２】この時、図１（ｂ）−（１）に示す場合で
は、第１の導波路のコア層１１の島形状を、少なくとも
第２導波路との接合面１４が光の導波方向すなわち＜１
１０＞方向の積層面と、該導波方向の積層面と直交する
＜００１＞方向の面とに対して交差するような面を形成
するようにしている。尚、図１（ｂ）−（１）におい
て、接合面１４は基板１０に対して直交する面としてい
る。
は、第１の導波路のコア層１１の島形状を、少なくとも
第２導波路との接合面１４が光の導波方向すなわち＜１
１０＞方向の積層面と、該導波方向の積層面と直交する
＜００１＞方向の面とに対して交差するような面を形成
するようにしている。尚、図１（ｂ）−（１）におい
て、接合面１４は基板１０に対して直交する面としてい
る。
【００２３】また他の例としては、図１（ｂ）−（２）
に示すように、第１の導波路のコア層の島１３の形状
を、少なくとも第２の導波路との接合面１６が積層方向
すなわち＜００１＞に対して交差してテーパ面を形成す
るようにしている。
に示すように、第１の導波路のコア層の島１３の形状
を、少なくとも第２の導波路との接合面１６が積層方向
すなわち＜００１＞に対して交差してテーパ面を形成す
るようにしている。
【００２４】次に、図２（ａ）に示すように、図１−
（１）の続きとして、第１の導波路のコア層の島１３以
外の領域に第２の導波路のコア層１７を形成する層を成
長させる。
（１）の続きとして、第１の導波路のコア層の島１３以
外の領域に第２の導波路のコア層１７を形成する層を成
長させる。
【００２５】次に、図２（ｂ）に示すように、第１の導
波路のコア層の島１３の上に残っているＳｉＯ2 膜１２
を除去した後、第１の導波路のコア層の島１３と第２の
導波のコア層１７を加工し、図５に示したものと同様な
形状の第１の導波路１８と第２の導波路１９の形成す
る。次に図２（ｃ）に示すように、クラッド層１０１を
成長させる。
波路のコア層の島１３の上に残っているＳｉＯ2 膜１２
を除去した後、第１の導波路のコア層の島１３と第２の
導波のコア層１７を加工し、図５に示したものと同様な
形状の第１の導波路１８と第２の導波路１９の形成す
る。次に図２（ｃ）に示すように、クラッド層１０１を
成長させる。
【００２６】＜第２の実施の形態＞本発明の第２の実施
の形態を、ガイド導波路構造付きの半導体レーザを例に
とって図３及び図４に基づいて説明する。
の形態を、ガイド導波路構造付きの半導体レーザを例に
とって図３及び図４に基づいて説明する。
【００２７】まづ、図３（ａ）に示すように、基板４０
上に利得導波路のコア層４１をエピタキシャル成長させ
る。次に、図３（ｂ）−（１）と図３（ｂ）−（２）に
示すように、利得導波路を形成する領域を含む、幅２０
μｍ、長さは利得導波路長に等しい長さである３００μ
ｍ領域に形成したＳｉＯ2 膜４２をエッチングマスクと
して用いて、この領域以外の領域の利得導波路のコア層
を除去して、利得導波路のコア層の島４３を形成する。
この時、図３（ｂ）−（１）に示すように、利得導波路
のコア層の島４３の形状を、少なくともガイド導波路と
の接合面４４が光の導波方向すなわち＜１１０＞方向の
積層面と、該導波方向の積層面と直交する＜００１＞方
向の面とに対して交差するような面を形成するようにし
ている。尚、図３（ｂ）−（１）において、接合面４４
は基板４０に対して直交する面としている。
上に利得導波路のコア層４１をエピタキシャル成長させ
る。次に、図３（ｂ）−（１）と図３（ｂ）−（２）に
示すように、利得導波路を形成する領域を含む、幅２０
μｍ、長さは利得導波路長に等しい長さである３００μ
ｍ領域に形成したＳｉＯ2 膜４２をエッチングマスクと
して用いて、この領域以外の領域の利得導波路のコア層
を除去して、利得導波路のコア層の島４３を形成する。
この時、図３（ｂ）−（１）に示すように、利得導波路
のコア層の島４３の形状を、少なくともガイド導波路と
の接合面４４が光の導波方向すなわち＜１１０＞方向の
積層面と、該導波方向の積層面と直交する＜００１＞方
向の面とに対して交差するような面を形成するようにし
ている。尚、図３（ｂ）−（１）において、接合面４４
は基板４０に対して直交する面としている。
【００２８】また他の例としては、図３（ｂ）−（２）
に示すように、利得導波路のコア層の島４３の形状を、
少なくともガイド導波路との接合面４６が積層方向＜０
０１＞に対して交差してテーパ面を形成している。
に示すように、利得導波路のコア層の島４３の形状を、
少なくともガイド導波路との接合面４６が積層方向＜０
０１＞に対して交差してテーパ面を形成している。
【００２９】この利得導波路のコア層の島４３を形成す
るにあたっては、反応性イオンエッチング法を用いた。
反応性イオンエッチング法では指向性に優れたエッチン
グが可能であるため、均一性の良いコア層の島の側壁、
即ち接合面４４を得ることができた。さらにはイオンの
方向性を利用することで、基板の厚み方向にも傾いた接
合面４６を形成することもできた。傾きの角度は基板と
指向性イオンのなす角度を設定することで、任意の角度
にすることができた。また利得導波路を形成する領域以
外の領域の利得導波路のコア層を除去した際のエッチン
グ深さは、コア層よりも概ね０．３μｍ程度深めとし
た。
るにあたっては、反応性イオンエッチング法を用いた。
反応性イオンエッチング法では指向性に優れたエッチン
グが可能であるため、均一性の良いコア層の島の側壁、
即ち接合面４４を得ることができた。さらにはイオンの
方向性を利用することで、基板の厚み方向にも傾いた接
合面４６を形成することもできた。傾きの角度は基板と
指向性イオンのなす角度を設定することで、任意の角度
にすることができた。また利得導波路を形成する領域以
外の領域の利得導波路のコア層を除去した際のエッチン
グ深さは、コア層よりも概ね０．３μｍ程度深めとし
た。
【００３０】次に、図４（ａ）に示すように、利得導波
路のコア層の島４３以外の領域にガイド導波路のコア層
４７を成長させる。この時、ガイド導波路のコア層４７
の成長に先だって、ガイド導波路のコア層４７の位置が
利得導波路のコア層４１の位置にそろう状態になるよう
に中間層４８を成長させた。中間層４８の層さは、利得
導波路を形成する領域以外の領域の利得導波路のコア層
を除去した際のエッチング深さをコア層よりも概ね０．
３μｍ程度深めとしたことを基に、約０．３μｍとし
た。これによりガイド導波路のコア層４７の品質を高め
ることができ、結果的に作製したレーザの特性が向上し
た。また、成長速度の速い［１１０］面が利得導波路の
コア層の島４３の側壁を形成していないため、盛り上が
りのない状態でガイド導波路のコア層４７を成長するこ
とができた。
路のコア層の島４３以外の領域にガイド導波路のコア層
４７を成長させる。この時、ガイド導波路のコア層４７
の成長に先だって、ガイド導波路のコア層４７の位置が
利得導波路のコア層４１の位置にそろう状態になるよう
に中間層４８を成長させた。中間層４８の層さは、利得
導波路を形成する領域以外の領域の利得導波路のコア層
を除去した際のエッチング深さをコア層よりも概ね０．
３μｍ程度深めとしたことを基に、約０．３μｍとし
た。これによりガイド導波路のコア層４７の品質を高め
ることができ、結果的に作製したレーザの特性が向上し
た。また、成長速度の速い［１１０］面が利得導波路の
コア層の島４３の側壁を形成していないため、盛り上が
りのない状態でガイド導波路のコア層４７を成長するこ
とができた。
【００３１】次に、図４（ｂ）に示すように、利得導波
路のコア層の島４３の上の残っているＳｉＯ2 膜４２を
除去した後、利得導波路のコア層の島４３とガイド導波
路のコア層４７を加工して、利得導波路４９とガイド導
波路５０を形成した。
路のコア層の島４３の上の残っているＳｉＯ2 膜４２を
除去した後、利得導波路のコア層の島４３とガイド導波
路のコア層４７を加工して、利得導波路４９とガイド導
波路５０を形成した。
【００３２】次に、図４（ｃ）に示すように、クラッド
層５１を成長させた後、電流注入用の電極５２を形成
し、ガイド構造付きの半導体レーザを得た。このレーザ
においては、接合面４４又は接合面４６が利得導波路の
光軸に直交するような位置関係にないため、これらの接
合面における反射光は素子内の導波路以外の領域に伝搬
し吸収されてしまうため、レーザの動作を安定化させる
ことができた。
層５１を成長させた後、電流注入用の電極５２を形成
し、ガイド構造付きの半導体レーザを得た。このレーザ
においては、接合面４４又は接合面４６が利得導波路の
光軸に直交するような位置関係にないため、これらの接
合面における反射光は素子内の導波路以外の領域に伝搬
し吸収されてしまうため、レーザの動作を安定化させる
ことができた。
【００３３】なお、前記実施例においては、ガイド構造
付き半導体レーザを例にとって説明したが、これ以外の
半導体導波路素子、誘導体導波路素子に適用できること
は明らかである。
付き半導体レーザを例にとって説明したが、これ以外の
半導体導波路素子、誘導体導波路素子に適用できること
は明らかである。
【００３４】誘電体導波路素子としては、例えばＳｉ基
板上のＳｉＯ2 導波路がある。この場合には、ＳｉＯ2
が非晶質なので、結晶構造に由来した異常成長はない
が、接合面における、光の反射の悪影響を除去する効果
がある。
板上のＳｉＯ2 導波路がある。この場合には、ＳｉＯ2
が非晶質なので、結晶構造に由来した異常成長はない
が、接合面における、光の反射の悪影響を除去する効果
がある。
【００３５】
【発明の効果】以上説明したように、本発明の接合構造
を用いることにより、互いに屈折率分布の異なる２種類
の導波路の接続において、光学的特性に優れ、かつ形状
的性質に優れた半導体レーザ、又はその他の半導体導波
路素子、若しくは誘導体光導波路素子を得ることができ
た。
を用いることにより、互いに屈折率分布の異なる２種類
の導波路の接続において、光学的特性に優れ、かつ形状
的性質に優れた半導体レーザ、又はその他の半導体導波
路素子、若しくは誘導体光導波路素子を得ることができ
た。
【図１】本発明による光導波路の作製工程及びその構造
の概略説明図である。
の概略説明図である。
【図２】本発明による光導波路の作製工程及びその構造
の概略説明図である。
の概略説明図である。
【図３】本発明による光導波路を有するガイド導波路構
造付き半導体レーザの作製工程の概略説明図である。
造付き半導体レーザの作製工程の概略説明図である。
【図４】本発明による光導波路を有するガイド導波路構
造付き半導体レーザの作製工程の概略説明図である。
造付き半導体レーザの作製工程の概略説明図である。
【図５】従来の光導波路構造を有するガイド導波路構造
付き半導体レーザの概略説明図である。
付き半導体レーザの概略説明図である。
【図６】従来の光導波路構造を有するガイド導波路構造
付き半導体レーザの作製工程の概略説明図である。
付き半導体レーザの作製工程の概略説明図である。
【図７】従来の光導波路構造を有するガイド導波路構造
付き半導体レーザの作製工程の概略説明図である。
付き半導体レーザの作製工程の概略説明図である。
１０ 基板 １１ 第１の導波路のコア層 １２ エッチングマスクＳｉＯ2 １３ 第１の導波路のコア層の島 １４ 接合面 １５ 接合面を形成する辺 １６ 接合面 １７ 第２の導波路のコア層 １８ 第１の導波路 １９ 第２の導波路 ２０ 利得導波路 ２１ ガイド導波路 ２２ 接合面 ２３ レーザ出射端面 ３０ 基板 ３１ 利得導波路のコア層 ３２ エッチングマスクのＳｉＯ2 ３３ 利得導波路のコア層の島 ３４ ガイド導波路のコア層 ３５ レーザのクラッド層 ３６ 電極 ４０ 基板 ４１ 利得導波路のコア層 ４２ エッチングマスクのＳｉＯ2 ４３ 利得導波路のコア層の島 ４４ 接合面 ４５ 接合面を形成する辺 ４６ 接合面 ４７ ガイド導波路のコア層 ４８ 中間層 ４９ 利得導波路 ５０ ガイド導波路 ５１ クラッド層 ５２ 電極 １０１ クラッド層
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 吉本 直人 東京都新宿区西新宿三丁目19番２号 日本 電信電話株式会社内 (72)発明者 近藤 進 東京都新宿区西新宿三丁目19番２号 日本 電信電話株式会社内 (72)発明者 岡本 浩 東京都新宿区西新宿三丁目19番２号 日本 電信電話株式会社内 (72)発明者 板屋 義夫 東京都新宿区西新宿三丁目19番２号 日本 電信電話株式会社内
Claims (3)
- 【請求項１】 積層方向の屈折率の分布が異なる複数の
光導波路が、該導波路の光の導波方向に縦列に接続され
た光導波路において、 該複数の光導波路の接合面が、該光の導波方向の積層面
と該導波方向の積層面と直交する面とに対して交差して
いることを特徴とする光導波路。 - 【請求項２】 請求項１の光導波路において、 前記接合面が、前記積層方向に対して交差していること
を特徴とする請求項１記載の光導波路。 - 【請求項３】 請求項１又は２の光導波路において、 前記複数の光導波路が、半導体で形成されていることを
特徴とする光導波路。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP556696A JPH09197154A (ja) | 1996-01-17 | 1996-01-17 | 光導波路 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP556696A JPH09197154A (ja) | 1996-01-17 | 1996-01-17 | 光導波路 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09197154A true JPH09197154A (ja) | 1997-07-31 |
Family
ID=11614769
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP556696A Pending JPH09197154A (ja) | 1996-01-17 | 1996-01-17 | 光導波路 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH09197154A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2000028536A1 (fr) * | 1998-11-09 | 2000-05-18 | Seiko Instruments Inc. | Tete optique a champ proche et procede de production associe |
| EP1959278A1 (en) | 2007-02-15 | 2008-08-20 | Fujitsu Limited | Semiconductor integrated optical element |
| US7539378B2 (en) | 2005-01-20 | 2009-05-26 | Fujitsu Limited | Optical waveguide device and semiconductor device |
| JP2011124445A (ja) * | 2009-12-11 | 2011-06-23 | Opnext Japan Inc | 半導体光素子及び半導体光素子の製造方法 |
| JP2014063842A (ja) * | 2012-09-20 | 2014-04-10 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 光導波路型半導体素子の製造方法および光導波路型半導体素子 |
-
1996
- 1996-01-17 JP JP556696A patent/JPH09197154A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2000028536A1 (fr) * | 1998-11-09 | 2000-05-18 | Seiko Instruments Inc. | Tete optique a champ proche et procede de production associe |
| US7539378B2 (en) | 2005-01-20 | 2009-05-26 | Fujitsu Limited | Optical waveguide device and semiconductor device |
| EP1959278A1 (en) | 2007-02-15 | 2008-08-20 | Fujitsu Limited | Semiconductor integrated optical element |
| JP2011124445A (ja) * | 2009-12-11 | 2011-06-23 | Opnext Japan Inc | 半導体光素子及び半導体光素子の製造方法 |
| JP2014063842A (ja) * | 2012-09-20 | 2014-04-10 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 光導波路型半導体素子の製造方法および光導波路型半導体素子 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A02 | Decision of refusal |
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