JPH0918368A - Variable attenuator - Google Patents
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Abstract
Description
【0001】[0001]
【産業上の利用分野】本発明は、減衰量を可変すること
ができる可変減衰器に関し、特に筐体内に他の電子回路
と共に収容されるものに関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a variable attenuator capable of varying an attenuation amount, and more particularly to a variable attenuator housed in a housing together with other electronic circuits.
【0002】[0002]
【従来の技術】従来、上記のように筐体内に他の電子回
路と共に設けられる可変減衰器としては、例えばテレビ
ジョン放送受信に使用されるブースタ内に設けられるも
のがある。例えば家庭で使用するようなブースタでは、
壁等に取り付けることが多いので、壁取付用の第1の面
が筐体に設けられている。そして、操作性を向上させる
ため、ブースタの調整用の操作部や入出力端子は、第1
の面と対向する第2の面側で操作可能なように、筐体内
に第2の面に接近して設けた操作部基板に設けられてい
る。また、ブースタの主回路を構成する高周波増幅器や
可変減衰器は、小型化するために、操作部基板とは別の
主回路基板に構成され、筐体内に設けられている。2. Description of the Related Art Conventionally, as a variable attenuator provided in a housing together with other electronic circuits as described above, there is one provided in a booster used for receiving television broadcasting, for example. For example, in a booster used at home,
Since it is often mounted on a wall or the like, a first surface for wall mounting is provided on the housing. In order to improve the operability, the booster adjustment operation section and the input / output terminals are
Is provided on an operation portion substrate provided in the housing close to the second surface so that the second surface opposite to the second surface can be operated. Further, the high frequency amplifier and the variable attenuator that compose the main circuit of the booster are configured on a main circuit board different from the operation unit board and are provided in the housing for downsizing.
【0003】このようなブースタの一例を図6に示す。
このブースタでは、上述したように操作部基板2上にブ
ースタ用入力端子4及び出力端子6が設けられている。
ブースタ用入力端子4に供給されたテレビジョン放送信
号のうち、例えば増幅の不要な帯域、例えば低域のテレ
ビジョン放送信号は、この低域を通過帯域とするバンド
パスフィルタ8に供給され、これからブースタ用出力端
子6に供給される。An example of such a booster is shown in FIG.
In this booster, as described above, the booster input terminal 4 and the output terminal 6 are provided on the operation unit substrate 2.
Of the television broadcast signals supplied to the booster input terminal 4, for example, a television broadcast signal in a band that does not require amplification, for example, a low frequency band television broadcast signal is supplied to the bandpass filter 8 having the low band as a pass band. It is supplied to the booster output terminal 6.
【0004】また、入力端子4に供給されたテレビジョ
ン放送信号は、操作部基板用出力端子10から同軸ケー
ブル12を介して主回路基板14の主回路基板入力端子
16に供給される。この入力端子16に供給されたテレ
ビジョン放送信号のうち、増幅が必要な帯域、例えば高
域のものは、この高域を通過帯域とし、主回路基板14
に設けられたバンドパスフィルタ17によって抽出さ
れ、PINダイオード18、20を含んでいる可変減衰
器22によって減衰量が可変され、高周波増幅器24に
よって増幅される。この高周波増幅器24の出力は、主
回路基板14の出力端子26、同軸ケーブル28を介し
て操作部基板の入力端子30に供給される。この入力端
子30は、ブースタ用出力端子6に接続されているの
で、増幅された高域のテレビジョン放送信号は、バンド
パスフィルタ8を通過した低域のテレビジョン放送信号
と合成されて、出力端子6から出力される。The television broadcast signal supplied to the input terminal 4 is supplied from the operation terminal board output terminal 10 to the main circuit board input terminal 16 of the main circuit board 14 via the coaxial cable 12. Of the television broadcast signals supplied to the input terminal 16, a band that requires amplification, for example, a high band, uses the high band as a pass band, and the main circuit board 14
Is extracted by the band pass filter 17 provided in the above, the attenuation amount is changed by the variable attenuator 22 including the PIN diodes 18 and 20, and is amplified by the high frequency amplifier 24. The output of the high frequency amplifier 24 is supplied to the input terminal 30 of the operation portion substrate via the output terminal 26 of the main circuit substrate 14 and the coaxial cable 28. Since this input terminal 30 is connected to the booster output terminal 6, the amplified high frequency television broadcast signal is combined with the low frequency television broadcast signal that has passed through the band pass filter 8 and output. It is output from the terminal 6.
【0005】可変減衰器22は、直流阻止コンデンサ3
2、34を介してバンドパスフィルタ17と高周波増幅
器24とに接続されている。この可変減衰器22の減衰
量は、操作部基板2に設けた切換スイッチ36の操作に
よって、変化させられる。即ち、減衰量を小さくする場
合、切換スイッチ36を図における下側に切り換える。
これによって、主回路基板14の直流電源端子38から
操作回路基板2側に向かう電源線42、操作回路基板2
の切換スイッチ36、操作回路基板2から主回路基板1
4へ向かう動作線44、高周波阻止コイル46を介して
PINダイオード20のアノードとPINダイオード1
8のカソードに直流電圧が印加される。このとき、PI
Nダイオード20のカソードは抵抗器48を介して接地
されているので、電流がPINダイオード20に流れ、
導通する。一方、PINダイオード18のアノードに
は、分圧器40によって直流電源電圧を分圧した電圧が
印加されているので、カソードの電位がアノード電位よ
りも高く導通しない。従って、可変減衰器20による減
衰は非常に少ない。The variable attenuator 22 includes a DC blocking capacitor 3
The band-pass filter 17 and the high-frequency amplifier 24 are connected via 2, 34. The attenuation amount of the variable attenuator 22 is changed by operating the changeover switch 36 provided on the operation portion substrate 2. That is, when the amount of attenuation is reduced, the changeover switch 36 is changed to the lower side in the figure.
Thereby, the power supply line 42 extending from the DC power supply terminal 38 of the main circuit board 14 to the operation circuit board 2 side, the operation circuit board 2
Changeover switch 36, operation circuit board 2 to main circuit board 1
4, the anode of the PIN diode 20 and the PIN diode 1 via the high-frequency blocking coil 46.
A DC voltage is applied to the cathode of No. 8. At this time, PI
Since the cathode of the N diode 20 is grounded via the resistor 48, a current flows to the PIN diode 20,
Conduct. On the other hand, since the voltage obtained by dividing the DC power supply voltage by the voltage divider 40 is applied to the anode of the PIN diode 18, the potential of the cathode is higher than the anode potential and does not conduct. Therefore, the attenuation by the variable attenuator 20 is very small.
【0006】切換スイッチ36を図示のように切り換え
ると、切換スイッチ36に付属する分圧器50によって
分圧された直流電源電圧が、動作線44、高周波阻止コ
イル46を介してPINダイオード20のアノードとP
INダイオード18のカソードとに供給される。このと
き、PINダイオード18のアノード電圧が、カソード
電圧よりも高くなるように、分圧器40、50を構成し
ているので、PINダイオード18が導通し、高周波抵
抗値が小さくなる。PINダイオード18のアノード
は、コンデンサ52によって接地されているので、バン
ドパスフィルタ17からのテレビジョン放送信号は、接
地電位に流される。また、PINダイオード20のアノ
ードに印加される電圧は小さくなっているので、PIN
ダイオード20を流れる電流が小さくなり、高周波抵抗
値が大きくなり、バンドパスフィルタ17からのテレビ
ジョン放送信号が大きく減衰される。When the changeover switch 36 is changed over as shown in the figure, the DC power supply voltage divided by the voltage divider 50 attached to the changeover switch 36 is connected to the anode of the PIN diode 20 via the operation line 44 and the high frequency blocking coil 46. P
It is supplied to the cathode of the IN diode 18. At this time, since the voltage dividers 40 and 50 are configured such that the anode voltage of the PIN diode 18 becomes higher than the cathode voltage, the PIN diode 18 becomes conductive and the high frequency resistance value becomes small. Since the anode of the PIN diode 18 is grounded by the capacitor 52, the television broadcast signal from the bandpass filter 17 is made to flow to the ground potential. Further, since the voltage applied to the anode of the PIN diode 20 is small, the PIN diode
The current flowing through the diode 20 decreases, the high frequency resistance value increases, and the television broadcast signal from the bandpass filter 17 is greatly attenuated.
【0007】[0007]
【発明が解決しようとする課題】しかし、このようなブ
ースタでは、可変減衰器22の減衰量を調整するため
に、電源線42と動作線44とが必要であり、配線作業
が多くなる。特に、上述したようなブースタでは、その
構成上、これら電源線42、動作線44の他にも、同軸
ケーブル12、28等が必要であり、少しでも配線を減
少させることは、組み立て作業の効率化の上から非常に
有益である。However, in such a booster, the power supply line 42 and the operation line 44 are required to adjust the attenuation amount of the variable attenuator 22, and the wiring work is increased. In particular, in the booster as described above, in addition to the power supply line 42 and the operation line 44, the coaxial cables 12, 28 and the like are necessary because of the configuration thereof, and reducing the wiring as much as possible reduces the efficiency of the assembly work. It is very useful from the standpoint of conversion.
【0008】本発明は、減衰量を調整するための操作部
と減衰器とが別々の基板に構成されている場合に、操作
部と減衰器との配線を減少させることを目的とする。An object of the present invention is to reduce the wiring between the operating section and the attenuator when the operating section and the attenuator for adjusting the attenuation amount are formed on different substrates.
【0009】[0009]
【課題を解決するための手段】上記の課題を解決するた
めに、本第1の発明は、筐体と、この筐体内に設けられ
た第1及び第2の基板とを有している。第1の基板に可
変減衰手段が設けられている。この可変減衰手段は、直
流経路を有し、この直流経路の電圧または電流の値に応
じて入力側から供給された交流信号の減衰状態を変化さ
せて出力側から出力する。第2の基板には、可変減衰手
段に交流信号の伝送線路を介して接続されている端子が
設けられている。直流経路の一端は、直流電源の一端に
接続され、他端は、第1の基板において上記伝送線路に
直流的に接続されている。上記端子と上記電源の他方の
端子との間に、上記直流経路の電圧または電流を調整す
る直流調整手段を、直流的に接続してある。In order to solve the above problems, the first invention has a casing and first and second substrates provided in the casing. Variable damping means is provided on the first substrate. The variable attenuator has a DC path, and changes the attenuation state of the AC signal supplied from the input side according to the value of the voltage or current in the DC path and outputs the AC signal from the output side. The second substrate is provided with a terminal that is connected to the variable attenuator via an AC signal transmission line. One end of the DC path is connected to one end of the DC power supply, and the other end is DC-connected to the transmission line on the first substrate. Between the terminal and the other terminal of the power source, a DC adjusting means for adjusting the voltage or current of the DC path is connected in a DC manner.
【0010】本第2の発明は、第1の発明の可変減衰器
において、上記筐体が、支持体に取り付けられる第1の
面と、第1の面と対向する第2の面とを有し、第1の基
板が、第2の面の近傍に取り付けられ、上記直流調整手
段が、第2の面側から操作可能とされているものであ
る。A second aspect of the present invention is the variable attenuator of the first aspect, wherein the casing has a first surface attached to the support and a second surface facing the first surface. However, the first substrate is attached in the vicinity of the second surface, and the DC adjusting means can be operated from the second surface side.
【0011】本第3の発明は、第1または第2の発明の
可変減衰器において、上記直流調整手段が開閉スイッチ
であり、上記可変減衰手段が、上記入力側と基準電位点
との間に交流的に接続された第1のPINダイオード
と、上記入力側と上記出力側との間に交流的に接続され
た第2のPINダイオードとを有し、さらに第1及び第
2の導電状態変化手段も有している。第1の導電状態変
化手段は、導電路とこの導電路の導電状態を変化させる
制御電極とを有し、上記導電路が第1のPINダイオー
ドと直流的に直列に接続されて第1の直列回路を構成し
ている。第2の導電状態変化手段は、第1の導電状態変
化手段と同様に、導電路と制御電極とを有し、上記導電
路が第2のPINダイオードと直流的に直列に接続され
て第2の直列回路を構成している。第1及び第2の導電
状態変化手段の制御電極が上記直流経路に接続されてい
る。A third aspect of the present invention is the variable attenuator of the first or second aspect, wherein the DC adjusting means is an open / close switch, and the variable attenuating means is provided between the input side and a reference potential point. An AC-connected first PIN diode and a second PIN diode AC-connected between the input side and the output side, further including first and second conductive state changes It also has means. The first conductive state changing means has a conductive path and a control electrode for changing the conductive state of the conductive path, and the conductive path is connected in series to the first PIN diode in direct current to form a first series. It constitutes the circuit. The second conductive state changing means has a conductive path and a control electrode similarly to the first conductive state changing means, and the conductive path is connected to the second PIN diode in direct current to form a second line. Constitutes a series circuit of. The control electrodes of the first and second conductive state changing means are connected to the DC path.
【0012】[0012]
【作用】本第1乃至第3の発明によれば、筐体内の第1
の基板にある減衰手段の入力側または出力側と、第2の
基板にある端子とを、接続している伝送線路に、直流経
路の他端が接続されている。この伝送線路を介して直流
経路の他端は、第2の基板にある直流調整手段を介して
電源の他方の端子との間に接続されている。直流経路の
一端は、電源の一方の端子に接続されている。従って、
直流調整手段を調整することにより、直流経路の電流ま
たは電圧が変化し、減衰手段の減衰量が変化する。第1
の基板と第2の基板との間の配線は、伝送線路のみであ
り、減衰量を調整するための特別な配線はない。According to the first to third inventions, the first inside the housing
The other end of the DC path is connected to the transmission line connecting the input side or the output side of the attenuating means on the board of 1 to the terminal on the second board. The other end of the DC path via this transmission line is connected to the other terminal of the power supply via the DC adjusting means provided on the second substrate. One end of the DC path is connected to one terminal of the power supply. Therefore,
By adjusting the DC adjusting means, the current or voltage of the DC path changes, and the attenuation amount of the attenuating means changes. First
The wiring between the substrate and the second substrate is only the transmission line, and there is no special wiring for adjusting the attenuation amount.
【0013】特に第2の発明によれば、直流調整手段を
操作壁から操作可能とするため、操作壁に接近して第2
の基板を設けている。一方、第1の基板は、その設置ス
ペースを確保するため、第2の基板とは離れて設けられ
ている。このように離れた基板間での配線の減少の意義
は大きい。In particular, according to the second aspect of the invention, since the DC adjusting means can be operated from the operation wall, the second adjustment method can be performed by approaching the operation wall.
The substrate is provided. On the other hand, the first substrate is provided separately from the second substrate in order to secure the installation space. The reduction of the wiring between the substrates thus separated is significant.
【0014】また、第3の発明によれば、直流経路の状
態を開閉スイッチを開閉することによって変化させられ
るので、これに応じて2つの導電状態変化手段の導電状
態が変更され、減衰手段として機能する。Further, according to the third aspect of the invention, since the state of the DC path can be changed by opening and closing the open / close switch, the conduction states of the two conduction state changing means are changed in response to this, and as a damping means. Function.
【0015】[0015]
【実施例】図1に示す実施例では、減衰手段、例えば可
変減衰器70と高周波増幅器72とは、第1の基板、例
えば主回路基板74上に構成されている。可変減衰器7
0は、主回路基板入力端子76から供給された高周波信
号を減衰させて、高周波増幅器72に供給する。高周波
増幅器72は、入力された高周波信号を増幅して、主回
路基板出力端子78に供給する。なお、高周波増幅器7
2の入力側に可変減衰器70を設けているのは、高周波
増幅器72に過大入力が供給されて、高周波増幅器72
の出力に歪が発生することを防止するためである。DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS In the embodiment shown in FIG. 1, attenuating means, eg, variable attenuator 70 and high frequency amplifier 72, are constructed on a first substrate, eg, main circuit board 74. Variable attenuator 7
0 attenuates the high frequency signal supplied from the main circuit board input terminal 76 and supplies it to the high frequency amplifier 72. The high frequency amplifier 72 amplifies the input high frequency signal and supplies it to the main circuit board output terminal 78. The high frequency amplifier 7
The variable attenuator 70 is provided on the input side of 2 because the excessive input is supplied to the high frequency amplifier 72,
This is to prevent the distortion of the output of.
【0016】可変減衰器70に入力される高周波信号
は、第2の基板、例えば操作部基板80に設けた操作部
基板入力端子82、直流阻止コンデンサ84、操作部基
板出力端子86、同軸ケーブル88を介して主回路基板
入力端子76に供給されたものである。The high frequency signal input to the variable attenuator 70 is a second board, for example, an operation section board input terminal 82 provided on the operation section board 80, a DC blocking capacitor 84, an operation section board output terminal 86, and a coaxial cable 88. It is supplied to the main circuit board input terminal 76 via.
【0017】可変減衰器70は、PINダイオード90
のアノードが直流阻止コンデンサ92を介して入力端子
76に接続されており、カソードが直流阻止コンデンサ
94を介して高周波増幅器72の入力側に接続されてい
る。即ち、PINダイオード90のアノードは入力端子
76に、カソードは高周波増幅器72の入力側に、それ
ぞれ高周波的に接続されている。The variable attenuator 70 includes a PIN diode 90.
Is connected to the input terminal 76 via the DC blocking capacitor 92, and the cathode is connected to the input side of the high frequency amplifier 72 via the DC blocking capacitor 94. That is, the anode of the PIN diode 90 is connected to the input terminal 76, and the cathode thereof is connected to the input side of the high frequency amplifier 72 in a high frequency manner.
【0018】同様に、PINダイオード96のアノード
は、直流阻止コンデンサ98を介してコンデンサ92と
PINダイオード90のアノードとの接続点に接続さ
れ、PINダイオード96のカソードは、基準電位点、
例えば接地電位点に接続されている。これによって、P
INダイオード96も高周波的に入力端子76と基準電
位点との間に接続されている。Similarly, the anode of the PIN diode 96 is connected to the connection point between the capacitor 92 and the anode of the PIN diode 90 via the DC blocking capacitor 98, and the cathode of the PIN diode 96 is connected to the reference potential point.
For example, it is connected to the ground potential point. This gives P
The IN diode 96 is also connected between the input terminal 76 and the reference potential point in high frequency.
【0019】PINダイオード90のアノードは、抵抗
器100を介して主回路基板74に設けてある直流電源
(図示せず)の一方の電極、例えば正の端子101に接
続されている。この直流電源の他方の電極、例えば負の
端子は接地されている。またPINダイオード90のカ
ソードは、抵抗器102、104を介して接地されてい
る。また、抵抗器102、104の接続点に、導電状態
変化手段、例えばPNPトランジスタ106のエミッタ
が接続され、コレクタが接地されている。これによっ
て、トランジスタ106の導電路、即ち、エミッタ・コ
レクタ導電路が抵抗器102を介してPINダイオード
90と直流的に直列に接続されている。また、トランジ
スタ106の制御電極、例えばベースと、抵抗器10
2、104の接続点との間に抵抗器108が接続されて
おり、同じくベースは、抵抗器110、高周波阻止コイ
ル112の直列回路を介して入力端子76に接続されて
いる。さらにトランジスタ106のエミッタは抵抗器1
03を介して直流電源の一方の電極101に接続されて
いる。The anode of the PIN diode 90 is connected via a resistor 100 to one electrode of a DC power source (not shown) provided on the main circuit board 74, for example, the positive terminal 101. The other electrode of this DC power supply, for example, the negative terminal, is grounded. The cathode of the PIN diode 90 is grounded via the resistors 102 and 104. Further, the conductive point changing means, for example, the emitter of the PNP transistor 106 is connected to the connection point of the resistors 102 and 104, and the collector is grounded. As a result, the conductive path of the transistor 106, that is, the emitter-collector conductive path is connected in series with the PIN diode 90 via the resistor 102 in a direct current manner. Also, the control electrode of the transistor 106, for example the base, and the resistor 10
A resistor 108 is connected between the connection point of 2 and 104, and the base is also connected to the input terminal 76 through a series circuit of the resistor 110 and the high frequency blocking coil 112. Further, the emitter of the transistor 106 is the resistor 1
It is connected to one electrode 101 of the DC power supply via 03.
【0020】また、PINダイオード96のアノードに
は、抵抗器114を介して導電状態変化手段、例えばN
PNトランジスタ116のエミッタが接続されている。
また、このトランジスタ116のコレクタは、直流電源
の正の端子101に接続されている。これによって、P
INダイオード96とトランジスタ116の導電路であ
るコレクタ・エミッタ導電路とは、直流的に直列に接続
されている。また、トランジスタ116のコレクタと制
御電極、例えばベースとの間には、抵抗器118が接続
されている。さらに、ベースは、高周波阻止コイル11
2を介して入力端子76に接続されている。The anode of the PIN diode 96 is connected to a conductive state changing means such as N via a resistor 114.
The emitter of the PN transistor 116 is connected.
The collector of the transistor 116 is connected to the positive terminal 101 of the DC power supply. This gives P
The IN diode 96 and the collector-emitter conduction path that is the conduction path of the transistor 116 are connected in series in a direct current manner. Further, a resistor 118 is connected between the collector of the transistor 116 and the control electrode, for example, the base. Further, the base is a high frequency blocking coil 11
It is connected to the input terminal 76 via 2.
【0021】電源端子101と入力端子76との間に、
上述した抵抗器103、108、110、118及び高
周波阻止コイル112によって直流経路が構成されてい
る。なお、コンデンサ120、122はバイパスコンデ
ンサである。Between the power supply terminal 101 and the input terminal 76,
The resistors 103, 108, 110, 118 and the high frequency blocking coil 112 described above form a DC path. The capacitors 120 and 122 are bypass capacitors.
【0022】操作部基板80の出力端子86と接地電位
点との間には、高周波阻止コイル124を介して、即ち
直流的に直流調整手段、例えば開閉スイッチ126が接
続されている。Between the output terminal 86 of the operation portion substrate 80 and the ground potential point, a direct current adjusting means, for example, an open / close switch 126 is connected via a high frequency blocking coil 124, that is, in terms of direct current.
【0023】このように構成されたブースタでは、アン
テナ等で受信した高周波信号が操作部基板80の入力端
子に供給され、コンデンサ84、出力端子86、同軸ケ
ーブル88を介して主回路基板74の入力端子76に供
給される。この状態で開閉スイッチ126を閉じると、
トランジスタ116のベースが、高周波阻止コイル11
2、同軸ケーブル88、高周波阻止コイル124、開閉
スイッチ126を介して接地されるので、トランジスタ
116は非導通状態となる。その結果、PINダイオー
ド96も非導通状態であり、その高周波抵抗値は大き
い。一方、トランジスタ106のベースから抵抗器11
0、高周波高周波阻止コイル112、同軸ケーブル8
8、高周波阻止コイル124、開閉スイッチ126を介
して接地電位点にベース電流が流れ、トランジスタ10
6が導通する。その結果、電源端子101、抵抗器10
0、PINダイオード90、抵抗器102、トランジス
タ106を介して電流が流れ、PINダイオードが導通
し、その高周波抵抗値が非常に小さくなる。In the thus constructed booster, the high frequency signal received by the antenna or the like is supplied to the input terminal of the operation portion substrate 80, and the input of the main circuit substrate 74 is made via the capacitor 84, the output terminal 86 and the coaxial cable 88. It is supplied to the terminal 76. When the open / close switch 126 is closed in this state,
The base of the transistor 116 is the high frequency blocking coil 11
2. Since it is grounded via the coaxial cable 88, the high frequency blocking coil 124, and the open / close switch 126, the transistor 116 becomes non-conductive. As a result, the PIN diode 96 is also non-conductive, and its high frequency resistance value is large. On the other hand, from the base of the transistor 106 to the resistor 11
0, high-frequency high-frequency blocking coil 112, coaxial cable 8
8, the base current flows to the ground potential point through the high frequency blocking coil 124, the open / close switch 126, and the transistor 10
6 becomes conductive. As a result, the power supply terminal 101 and the resistor 10
0, the PIN diode 90, the resistor 102, and the transistor 106, a current flows, the PIN diode becomes conductive, and its high frequency resistance value becomes very small.
【0024】このようにPINダイオード96の高周波
抵抗値が大きく、PINダイオード90の高周波抵抗値
が非常に小さいので、入力端子76に供給された高周波
信号は、ほとんど減衰されずに、コンデンサ92、PI
Nダイオード90を介して高周波増幅器72に入力され
る。このコンデンサ92と高周波阻止コイル112と
が、高周波信号と直流信号との分離手段を構成してい
る。同様に、コンデンサ84と高周波阻止コイル124
も、高周波信号と直流信号との分離手段を構成してい
る。Since the high frequency resistance value of the PIN diode 96 is large and the high frequency resistance value of the PIN diode 90 is very small as described above, the high frequency signal supplied to the input terminal 76 is hardly attenuated, and the capacitor 92 and PI are not attenuated.
It is input to the high frequency amplifier 72 via the N diode 90. The capacitor 92 and the high frequency blocking coil 112 constitute a separating means for separating a high frequency signal and a direct current signal. Similarly, the capacitor 84 and the high frequency blocking coil 124
Also constitutes a means for separating a high frequency signal and a DC signal.
【0025】開閉スイッチ126を開いている場合、電
源端子101から抵抗器118を介してベース電流が流
れ、トランジスタ116が導通する。これによって、電
源端子101から、トランジスタ116のコレクタ・エ
ミッタ導電路、抵抗器114、PINダイオード96と
電流が流れ、PINダイオード96の高周波抵抗値が、
小さくなる。一方、開閉スイッチ126が開かれている
ので、トランジスタ106のベース電流は流れず、トラ
ンジスタ106は非導通状態である。従って、電源端子
101から抵抗器100、PINダイオード90、抵抗
器102、104と電流が流れ、PINダイオード90
を流れる電流が、開閉スイッチ126を閉じているとき
よりも小さくなるので、高周波抵抗値は大きくなる。When the open / close switch 126 is opened, a base current flows from the power supply terminal 101 through the resistor 118, and the transistor 116 becomes conductive. As a result, a current flows from the power supply terminal 101 to the collector-emitter conductive path of the transistor 116, the resistor 114, and the PIN diode 96, and the high frequency resistance value of the PIN diode 96 becomes
Become smaller. On the other hand, since the open / close switch 126 is opened, the base current of the transistor 106 does not flow, and the transistor 106 is non-conductive. Therefore, current flows from the power supply terminal 101 to the resistor 100, the PIN diode 90, and the resistors 102 and 104, and the PIN diode 90
Since the current flowing through is smaller than that when the open / close switch 126 is closed, the high frequency resistance value becomes large.
【0026】このようにPINダイオード96の高周波
抵抗値が小さく、PINダイオード90の高周波抵抗値
が大きくなるので、入力端子76に供給された高周波信
号は、大きく減衰されて、高周波増幅器72に供給され
る。Since the high frequency resistance value of the PIN diode 96 is small and the high frequency resistance value of the PIN diode 90 is large, the high frequency signal supplied to the input terminal 76 is greatly attenuated and supplied to the high frequency amplifier 72. It
【0027】なお、このように高周波信号を減衰させて
いる状態で、入力端子76から可変減衰器70を見た特
性インピーダンス及び高周波増幅器72の入力側から可
変減衰器70を見た特性インピーダンスが、それぞれ特
定の値、例えば75オームを維持するように、抵抗器1
14、104の値を調整して、PINダイオード96、
90の高周波抵抗値を調整する。In the state where the high frequency signal is attenuated as described above, the characteristic impedance of the variable attenuator 70 seen from the input terminal 76 and the characteristic impedance of the variable attenuator 70 seen from the input side of the high frequency amplifier 72 are as follows. Resistor 1 so that each maintains a specific value, for example 75 ohms
Adjusting the values of 14, 104, PIN diode 96,
The high frequency resistance value of 90 is adjusted.
【0028】図2は、図1に示した可変減衰器付き高周
波増幅器を利用した、テレビジョン放送信号受信用ブー
スタのブロック図である。主回路基板74に図1と同様
に可変減衰器70と高周波増幅器72とが設けられ、さ
らに可変減衰器70の前段に、高周波増幅器72で増幅
しようとする帯域、例えば入力端子82に入力されるテ
レビジョン放送の周波数帯域を高域と低域とに分けた場
合の高域のテレビジョン放送信号を抽出するためのバン
ドパスフィルタ128が設けられている。FIG. 2 is a block diagram of a booster for receiving a television broadcast signal using the high frequency amplifier with a variable attenuator shown in FIG. The main circuit board 74 is provided with the variable attenuator 70 and the high frequency amplifier 72 as in the case of FIG. A band pass filter 128 is provided for extracting a high frequency television broadcast signal when the frequency band of the television broadcast is divided into a high frequency band and a low frequency band.
【0029】また、上述した直流経路の一部をなす高周
波阻止コイル112とバンドパスフィルタ128の入力
側とが接続されて、同軸ケーブル88を介して操作部基
板80のバンドパスフィルタ130の入力側に接続され
ている。このバンドパスフィルタ130の入力側は直流
阻止コンデンサ84を介して入力端子82に接続されて
いる。また、バンドパスフィルタ130の入力側には、
図1と同様に高周波阻止コイル124及び開閉スイッチ
126が接続されている。このバンドパスフィルタ13
0の通過帯域は、高周波増幅器72で増幅する必要のな
い帯域、例えば上記低域を通過させるように選択されて
いる。また、バンドパスフィルタ130の出力側は、同
軸ケーブル132によって引き出された高周波増幅器7
2の出力側と接続され、操作部基板80に設けた出力端
子134に接続されている。Further, the high-frequency blocking coil 112 forming a part of the DC path described above is connected to the input side of the bandpass filter 128, and the input side of the bandpass filter 130 of the operation section substrate 80 is connected via the coaxial cable 88. It is connected to the. The input side of the bandpass filter 130 is connected to the input terminal 82 via the DC blocking capacitor 84. Also, on the input side of the bandpass filter 130,
As in FIG. 1, the high frequency blocking coil 124 and the open / close switch 126 are connected. This bandpass filter 13
The pass band of 0 is selected so as to pass a band which does not need to be amplified by the high frequency amplifier 72, for example, the above low band. The output side of the bandpass filter 130 has a high-frequency amplifier 7 extracted by the coaxial cable 132.
2 is connected to the output side and is connected to the output terminal 134 provided on the operation unit substrate 80.
【0030】図3は、このようなブースタの利得対周波
数特性を示したもので、低域のテレビジョン放送信号
は、そのまま通過している。一方、高域のテレビジョン
放送信号は、可変減衰器70によって減衰させていない
ときには、実線で示すように利得が大きいが、可変減衰
器70によって減衰させているときは、点線で示すよう
に利得が小さくなる。FIG. 3 shows the gain-frequency characteristic of such a booster, and the low-frequency television broadcast signal passes through as it is. On the other hand, the high-frequency television broadcast signal has a large gain as shown by the solid line when not attenuated by the variable attenuator 70, but has a large gain as shown by the dotted line when attenuated by the variable attenuator 70. Becomes smaller.
【0031】このようなブースタは、例えば図4に示す
ような筐体136内に設けることができる。この筐体1
36は、この筐体136を壁等の支持体に取り付けるた
めに使用する、例えば後壁138と、これと対向する操
作壁、例えば前壁140とを、有している。入力端子8
2、出力端子134及び開閉スイッチ126(図4に
は、開閉スイッチ126だけを示している。)が設けら
れている操作部基板80は、その操作を容易にするため
に、前壁140に対向し、かつ接近して設けられてい
る。また、主回路基板74は、この操作部基板80の後
ろ側に取り付けられている。図示していないが、同軸ケ
ーブル88、132によって、主回路基板74と操作部
基板80とが接続されている。このように主回路基板7
4と操作部基板80との接続は、この2本の同軸ケーブ
ル88、132のみで行われ、開閉スイッチ126に関
連して特別に配線をする必要がない。また、このブース
タは、例えば図5に示すような筐体136a内に設ける
こともできる。筐体136aは、前壁140aを有し、
これと対向して、かつ接近して操作部基板80を有して
いる。主回路基板74は、前壁140aと直角な底壁1
42に接近して、かつ対向するように配置されている。
主回路基板74と操作部基板80との接続は、図4の場
合と同様に、同軸ケーブル88、132のみで行われ
る。Such a booster can be provided in a casing 136 as shown in FIG. 4, for example. This case 1
The reference numeral 36 has a rear wall 138, which is used to attach the housing 136 to a support such as a wall, and an operation wall, for example, a front wall 140, which faces the rear wall 138. Input terminal 8
2, the operation unit substrate 80 provided with the output terminal 134 and the open / close switch 126 (only the open / close switch 126 is shown in FIG. 4) faces the front wall 140 in order to facilitate the operation. And are installed close to each other. The main circuit board 74 is attached to the rear side of the operation unit board 80. Although not shown, the main circuit board 74 and the operation unit board 80 are connected by coaxial cables 88 and 132. In this way, the main circuit board 7
4 and the operation unit substrate 80 are connected only by the two coaxial cables 88 and 132, and there is no need to perform special wiring in connection with the open / close switch 126. Further, the booster can be provided in the housing 136a as shown in FIG. 5, for example. The housing 136a has a front wall 140a,
The operation unit substrate 80 is provided so as to be opposed to and close to this. The main circuit board 74 is a bottom wall 1 that is perpendicular to the front wall 140a.
It is arranged so as to approach 42 and to face each other.
The connection between the main circuit board 74 and the operation unit board 80 is made only by the coaxial cables 88 and 132, as in the case of FIG.
【0032】上記の実施例では、直流調整手段として、
開閉スイッチ126を使用したが、これに代えて、可変
抵抗器を使用すると、減衰量を無段階に調整することが
できる。また、上記の実施例では、導電状態変化手段と
して、電流制御のトランジスタを使用したが、電圧制御
のFETを使用することもできる。この場合、直流調整
手段で、直流経路の電圧を調整すればよい。また、上記
の実施例では、2つのPINダイオードを設けたが、3
つのPINダイオードを設けて、パイ型の可変減衰器と
することもできる。さらに、上記の実施例では、入力側
の同軸ケーブル88に直流径路を接続したが、出力側の
同軸ケーブル32に直流径路を接続することもできる。In the above embodiment, as the DC adjusting means,
Although the open / close switch 126 is used, if a variable resistor is used instead of the open / close switch 126, the amount of attenuation can be adjusted steplessly. Further, in the above embodiment, the current control transistor is used as the conductive state changing means, but a voltage control FET may be used. In this case, the DC adjusting means may adjust the voltage of the DC path. Further, in the above embodiment, two PIN diodes are provided, but three PIN diodes are provided.
It is also possible to provide two PIN diodes to form a pie variable attenuator. Further, in the above embodiment, the DC path is connected to the input side coaxial cable 88, but the DC path may be connected to the output side coaxial cable 32.
【0033】[0033]
【発明の効果】以上のように、請求項1記載の発明によ
れば、1つの筐体内に設けられている第1及び第2の基
板のうち、第1の基板に設けられている直流経路を、本
来交流信号を伝送するための伝送線路を介して第2の基
板に設けられている直流調整手段に接続しているので、
直流調整手段用の伝送線路を第1及び第2の基板間に特
別に設ける必要がなく、製作効率を向上させることがで
きる。As described above, according to the first aspect of the invention, the DC path provided on the first substrate of the first and second substrates provided in one housing. Is connected to the DC adjusting means provided on the second substrate through the transmission line for originally transmitting the AC signal,
Since it is not necessary to provide a transmission line for the DC adjusting means between the first and second substrates, the manufacturing efficiency can be improved.
【0034】請求項2記載の発明によれば、操作筐体の
操作壁に接近して第2の基板を設け、筐体内に第2の基
板と離れて第1の基板を設けているので、直流調整手段
用の伝送線路を第1及び第2の基板間に特別に設けてい
ない意義が大きく、特に製作効率を向上させることがで
きる。According to the second aspect of the present invention, the second substrate is provided close to the operation wall of the operation case, and the first substrate is provided in the case apart from the second board. It is significant that the transmission line for the DC adjusting means is not specially provided between the first and second substrates, and the manufacturing efficiency can be particularly improved.
【0035】請求項3記載の発明によれば、可変減衰手
段は、2つのPINダイオードと2つの導電状態変化手
段とを用いて構成されており、調整手段である開閉スイ
ッチの操作によって、導電状態調整手段の導電度が変化
し、これに応じてPINダイオードの高周波抵抗値が変
化し、減衰量が変化する。このように各PINダイオー
ドに直列に導電状態調整手段を設けたので、調整手段に
は、分圧器等が不要で、単に電源をオンオフするスイッ
チを使用することができ、第2の基板の構成を簡略化す
ることができる。According to the third aspect of the invention, the variable attenuating means is composed of two PIN diodes and two conducting state changing means, and the conducting state is set by operating the open / close switch which is the adjusting means. The conductivity of the adjusting means changes, the high frequency resistance value of the PIN diode changes accordingly, and the amount of attenuation changes. Since the conductive state adjusting means is provided in series with each PIN diode in this manner, the adjusting means does not require a voltage divider or the like, and a switch for simply turning the power supply on and off can be used. It can be simplified.
【図1】本発明による減衰器を備えた高周波増幅器の1
実施例の回路図である。1 a high frequency amplifier with an attenuator according to the invention 1
It is a circuit diagram of an example.
【図2】同実施例を用いたテレビジョン放送受信用ブー
スタのブロック図である。FIG. 2 is a block diagram of a television broadcast receiving booster using the same embodiment.
【図3】図2のブロック図の利得対周波数特性図であ
る。3 is a gain vs. frequency characteristic diagram of the block diagram of FIG.
【図4】図2のブースタの縦断面図である。4 is a vertical cross-sectional view of the booster of FIG.
【図5】図2のブースタの変形例の斜視図である。FIG. 5 is a perspective view of a modified example of the booster of FIG.
【図6】従来の減衰器を備えたテレビジョン放送受信用
ブースタの回路図である。FIG. 6 is a circuit diagram of a television broadcast receiving booster including a conventional attenuator.
70 可変減衰器 74 主回路基板(第1の基板) 80 操作部基板(第2の基板) 90 96 PINダイオード 106 116 トランジスタ(導電状態調整手段) 108、110、118 抵抗器(直流経路) 112 高周波阻止コイル(直流経路) 126 開閉スイッチ(直流調整手段) 136 筐体 138 第1の壁面 140 第2の壁面 70 Variable Attenuator 74 Main Circuit Board (First Board) 80 Operation Section Board (Second Board) 90 96 PIN Diode 106 116 Transistor (Conductive State Adjusting Means) 108, 110, 118 Resistor (DC Path) 112 High Frequency Blocking coil (DC path) 126 Open / close switch (DC adjusting means) 136 Housing 138 First wall surface 140 Second wall surface
Claims (3)
の電圧または電流の値に応じて入力側から供給された交
流信号の減衰状態を変化させて出力側から出力する可変
減衰手段と、 第2の基板に設けられ、上記可変減衰手段に交流信号の
伝送線路を介して接続されている端子とを、具備し、 上記直流経路の一端は、直流電源の一方の電極に接続さ
れ、他端は、上記第1の基板において上記伝送線路に直
流的に接続され、上記端子と上記電源の他方の電極との
間に、上記直流経路の電圧または電流を調整する直流調
整手段を、直流的に接続してなる可変減衰器。1. A casing, first and second substrates provided in the casing, a direct current path provided on the first substrate, and having a direct current path according to a voltage or current value of the direct current path. Variable attenuation means for changing the attenuation state of the AC signal supplied from the input side and outputting from the output side, and the variable attenuation means provided on the second substrate and connected to the variable attenuation means via the transmission line of the AC signal. One end of the DC path is connected to one electrode of a DC power supply, and the other end is DC-connected to the transmission line on the first substrate, and the terminal and the power supply are connected. A variable attenuator in which a DC adjusting means for adjusting the voltage or current of the DC path is connected between the other electrode and the other in a DC manner.
記筐体は、第1の面と、第1の面と異なる第2の面とを
有し、第2の基板と対向してかつ接近して配置された操
作壁を有し、上記直流調整手段は、上記操作壁から操作
可能とされ、第1の基板は筐体内に第2の基板と離れて
設けられていることを特徴とする可変減衰器。2. The variable attenuator according to claim 1, wherein the housing has a first surface and a second surface different from the first surface, and faces the second substrate. It has operation walls arranged close to each other, the direct current adjusting means can be operated from the operation wall, and the first substrate is provided in the housing away from the second substrate. A variable attenuator.
いて、上記直流調整手段が開閉スイッチであり、上記可
変減衰手段は、上記入力側と基準電位点との間に交流的
に接続された第1のPINダイオードと、上記入力側と
上記出力側との間に交流的に接続された第2のPINダ
イオードと、導電路とこの導電路の導電状態を変化させ
る制御電極とを有し上記導電路が第1のPINダイオー
ドと直流的に直列に接続されて第1の直列回路を構成し
ている第1の導電状態変化手段と、導電路とこの導電路
の導電状態を変化させる制御電極とを有し上記導電路が
第2のPINダイオードと直流的に直列に接続されて第
2の直列回路を構成している第2の導電状態変化手段と
を、具備し、第1及び第2の導電状態変化手段の制御電
極が上記直流経路に接続されている可変減衰器。3. The variable attenuator according to claim 1 or 2, wherein the DC adjusting means is an open / close switch, and the variable attenuating means is AC-connected between the input side and a reference potential point. A first PIN diode, a second PIN diode AC-connected between the input side and the output side, a conductive path and a control electrode for changing the conductive state of the conductive path, A first conductive state changing means that forms a first series circuit by connecting the conductive path to the first PIN diode in series in a direct current manner, and a conductive path and a control electrode that changes the conductive state of the conductive path. And a second conductive state changing means having a second serial circuit in which the conductive path is connected in series to the second PIN diode in a direct current manner, and The control electrode of the conductive state changing means of the Variable attenuator connected.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP18615995A JP3231584B2 (en) | 1995-06-28 | 1995-06-28 | booster |
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Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2006352591A (en) * | 2005-06-16 | 2006-12-28 | Hochiki Corp | Signal amplifier |
JP2015201852A (en) * | 2015-04-28 | 2015-11-12 | ホーチキ株式会社 | booster |
-
1995
- 1995-06-28 JP JP18615995A patent/JP3231584B2/en not_active Expired - Fee Related
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