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JPH09162666A - Limiter circuit - Google Patents

Limiter circuit

Info

Publication number
JPH09162666A
JPH09162666A JP7318279A JP31827995A JPH09162666A JP H09162666 A JPH09162666 A JP H09162666A JP 7318279 A JP7318279 A JP 7318279A JP 31827995 A JP31827995 A JP 31827995A JP H09162666 A JPH09162666 A JP H09162666A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
voltage
upper limit
transistor
emitter
circuit
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP7318279A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Masatoshi Tsuji
正敏 辻
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Icom Inc
Original Assignee
Icom Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Icom Inc filed Critical Icom Inc
Priority to JP7318279A priority Critical patent/JPH09162666A/en
Publication of JPH09162666A publication Critical patent/JPH09162666A/en
Pending legal-status Critical Current

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  • Tone Control, Compression And Expansion, Limiting Amplitude (AREA)
  • Amplifiers (AREA)

Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide the limiter circuit in which a temperature characteristic of an upper limit voltage is improved with a few number of components and the upper limit itself is revised. SOLUTION: A base of a transistor(TR) Q11 connects to a constant voltage source 7, its collector connects to ground and its emitter connects to a collector of an NPN TR Q9. A constant current source 25 and an output terminal OUT are connected to an emitter of a TR Q10. An emitter follower is configured for the TR Q10 to increase an output current, a temperature characteristic of the TR Q10 is cancelled with that of the TR Q11 to set the temperature characteristic of an upper limit voltage to be equal to that of a constant voltage source 7.

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、オペアンプIC等
における出力の上限電圧の温度特性を改善する技術に関
するものである。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a technique for improving the temperature characteristic of the output upper limit voltage in an operational amplifier IC or the like.

【0002】[0002]

【従来の技術】従来より、マイクアンプ等のリミッタ回
路に使用される単電源方式のオペアンプの一例を図4を
用いて説明する。図4において、2対のトランジスタT
1,T2,T3,T4から構成されて同相入力端子IN(+) と反
転入力端子IN(-) とを備えた入力回路101 、および1対
のトランジスタT5,T6から構成されたカレントミラー回
路102 とで差動入力部103 が形成されている。
2. Description of the Related Art Conventionally, an example of a single power supply type operational amplifier used in a limiter circuit such as a microphone amplifier will be described with reference to FIG. In FIG. 4, two pairs of transistors T
An input circuit 101 composed of 1, T2, T3, T4 and having an in-phase input terminal IN (+) and an inverting input terminal IN (-), and a current mirror circuit 102 composed of a pair of transistors T5, T6. The differential input section 103 is formed by and.

【0003】この差動入力部103 の出力は、中間増幅部
104 においてトランジスタT7,T8 を介してトランジスタ
T9によって増幅され、リミッタ回路としての出力部105
のトランジスタT10 を介して出力端子OUT から出力され
る。このトランジスタT10 は大きな出力電流を取り出せ
るようにエミッタホロワー構成となっている。なお、単
電源方式のオペアンプ等のICにおいては、出力部のエ
ミッタホロワーを構成するトランジスタはNPNトラン
ジスタが使用されるので、以下においては、出力部のエ
ミッタホロワーを構成するトランジスタはNPNトラン
ジスタと限定して説明する。
The output of the differential input section 103 is the intermediate amplification section.
Transistor via transistors T7 and T8 at 104
Output section 105 as a limiter circuit amplified by T9
It is output from the output terminal OUT via the transistor T10 of. The transistor T10 has an emitter follower structure so that a large output current can be taken out. In an IC such as an operational amplifier of a single power supply system, an NPN transistor is used as a transistor forming the emitter follower of the output section. Therefore, in the following, the transistor forming the emitter follower of the output section is referred to as an NPN transistor. The explanation will be limited.

【0004】以上の構成において、同相入力端子IN(+)
に所定のバイアス電圧と信号とを重畳させて印加し、出
力端子OUT と反転入力端子IN(-) とを適宜な負帰還抵抗
等で接続すれば、出力端子OUT からは、バイアス電圧を
中心として増幅された信号が出力される。そして、入力
信号の振幅が所定のレベルを越えたときには、出力信号
は上下限のリミッタ電圧によって制限されリミッタ回路
として作用する。図4の回路での上限電圧をVmax 、下
限電圧をVmin とし、電源電圧をV cc 、トランジスタ
T10 のベース・エミッタ間の接合電圧をVBE(10)とす
ると、 Vmax =V cc −VBE(10) Vmin =0 となる。
In the above configuration, the common mode input terminal IN (+)
If a predetermined bias voltage and signal are superimposed and applied to the output terminal OUT and the inverting input terminal IN (-) is connected with an appropriate negative feedback resistor, etc. The amplified signal is output. Then, when the amplitude of the input signal exceeds a predetermined level, the output signal is limited by the upper and lower limiter voltages and acts as a limiter circuit. In the circuit of FIG. 4, the upper limit voltage is Vmax, the lower limit voltage is Vmin, the power supply voltage is Vcc, and the transistor is
If the junction voltage between the base and emitter of T10 is VBE (10), then Vmax = Vcc-VBE (10) Vmin = 0.

【0005】[0005]

【発明が解決しようとする課題】トランジスタにおける
ベース- エミッタ間の接合電圧は温度変化の影響を受け
て変動するので、図4に示した回路の場合には、電源電
圧の温度特性が優れていても、上限電圧は温度変化の影
響を受けて変動してしまう。なお、下限電圧は0で変動
しない。よって、入力信号が、バイアス電圧に関して上
下対称な波形であっても、出力端子にあらわれる信号に
おいては上限電圧のみが温度の影響を受け、出力電圧の
波形は上下対称にはならない。
Since the base-emitter junction voltage of a transistor fluctuates under the influence of temperature changes, the circuit shown in FIG. 4 has excellent temperature characteristics of the power supply voltage. However, the upper limit voltage fluctuates under the influence of temperature change. The lower limit voltage is 0 and does not change. Therefore, even if the input signal has a vertically symmetrical waveform with respect to the bias voltage, in the signal appearing at the output terminal, only the upper limit voltage is affected by temperature, and the waveform of the output voltage is not vertically symmetrical.

【0006】このようにして、従来のリミッタ回路にお
いては、上限電圧が温度変化によって大きく影響を受け
るという問題がある。また、上限電圧はVmax =V cc
−VBE(10)となるので、電源電圧とトランジスタT10
のベース- エミッタ間の接合電圧とで固定されてしま
い、電源電圧を変えずに所望の電圧に設定することは困
難である。
As described above, the conventional limiter circuit has a problem that the upper limit voltage is greatly affected by the temperature change. Also, the upper limit voltage is Vmax = Vcc
-Become VBE (10), so power supply voltage and transistor T10
It is fixed at the base-emitter junction voltage of, and it is difficult to set the desired voltage without changing the power supply voltage.

【0007】なお、上限電圧を変更することのできる回
路構成例としては、図5に示したようなオペアンプを組
み合わせた回路例がある。この回路の場合には、オペア
ンプA1で構成した反転増幅回路に、オペアンプA2と
ダイオードD1,D2とで構成した不感帯をもった理想
ダイオード回路を付加することによって、外部からの制
御電圧ViNによって上下限の電圧を制御するように構成
したものである。
As an example of a circuit configuration capable of changing the upper limit voltage, there is a circuit example in which operational amplifiers as shown in FIG. 5 are combined. In the case of this circuit, by adding an ideal diode circuit having a dead zone composed of the operational amplifier A2 and the diodes D1 and D2 to the inverting amplifier circuit composed of the operational amplifier A1, the upper and lower limits are set by the external control voltage ViN. It is configured to control the voltage of.

【0008】しかしこの場合には、部品数が多くなり、
消費電力の増加や発熱の増加、さらには接合部の容量成
分や位相の回転等の影響によって高い周波数まで安定し
て動作させることが難しくなるという問題がある。
However, in this case, the number of parts increases,
There is a problem that it becomes difficult to operate stably up to a high frequency due to an increase in power consumption, an increase in heat generation, and the influence of the capacitive component of the junction and the rotation of the phase.

【0009】そこで、本発明においては、少ない部品数
で、上限電圧の温度特性を向上させるとともに、上限電
圧を変更することを可能にするリミッタ回路を提供する
ことを目的としてなされたものである。
Therefore, the present invention has been made for the purpose of providing a limiter circuit capable of changing the upper limit voltage while improving the temperature characteristic of the upper limit voltage with a small number of parts.

【0010】[0010]

【課題を解決するための手段】前述した課題を解決する
ために、請求項1の発明では、ベースが定電流源を介し
て電源電圧に接続され、エミッタは出力端子に接続され
たNPNトランジスタを備え、上限電圧が電源電圧から
NPNトランジスタのベース・エミッタ間の接合電圧を
減じた電圧となる構成の単電源方式のリミッタ回路にお
いて、ベースが定電圧源に接続され、コレクタが接地さ
れ、エミッタが前記NPNトランジスタのベースに接続
されたPNPトランジスタを備えることによって、前記
NPNトランジスタのベースに入力されて出力端子から
出力される信号の上限電圧の温度特性を前記定電圧源と
同等に改善した。
In order to solve the above-mentioned problems, according to the invention of claim 1, a base is connected to a power supply voltage via a constant current source, and an emitter is an NPN transistor connected to an output terminal. In a limiter circuit of a single power supply system having a configuration in which the upper limit voltage is the power supply voltage minus the junction voltage between the base and emitter of the NPN transistor, the base is connected to a constant voltage source, the collector is grounded, and the emitter is By providing the PNP transistor connected to the base of the NPN transistor, the temperature characteristic of the upper limit voltage of the signal input to the base of the NPN transistor and output from the output terminal is improved to the same level as that of the constant voltage source.

【0011】請求項2の発明では、定電圧源の電圧を変
更する電圧変更手段を備えることによって、上限電圧を
変更しうるように構成した。
According to the second aspect of the present invention, the upper limit voltage can be changed by providing the voltage changing means for changing the voltage of the constant voltage source.

【0012】[0012]

【発明の実施の形態】請求項1の発明の実施の形態を、
オペアンプICの回路構成に適用した場合を示した図1
に基づいて説明する。図1において、1は、2対のトラ
ンジスタQ1,Q2,Q3,Q4から構成されて同相入力端子IN
(+) と反転入力端子IN(-) とを備えた入力回路、2は、
1対のトランジスタQ5,Q6から構成されたカレントミラ
ー回路であり、3は、これらの入力回路1とカレントミ
ラー回路2とで構成された差動入力部である。21,22,23
は各トランジスタを定電流駆動する定電流源である。
BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION
FIG. 1 showing a case where it is applied to the circuit configuration of an operational amplifier IC.
It will be described based on. In FIG. 1, reference numeral 1 denotes an in-phase input terminal IN which is composed of two pairs of transistors Q1, Q2, Q3 and Q4.
The input circuit 2 having (+) and the inverting input terminal IN (-),
The current mirror circuit is composed of a pair of transistors Q5 and Q6, and 3 is a differential input section composed of these input circuit 1 and current mirror circuit 2. 21,22,23
Is a constant current source for driving each transistor with a constant current.

【0013】4はトランジスタQ7,Q8,Q9から構成された
中間増幅部であり、トランジスタQ7のエミッタには定電
流源24が接続され、トランジスタQ9のコレクタには定電
流源26が接続されている。5は出力部であり、トランジ
スタQ10 のエミッタには定電流源25と出力端子OUT とが
接続され、増幅された電流信号は出力端子OUT から取り
出される。前記トランジスタQ10 は出力電流を増大させ
るためにエミッタホロワー構成となっている。
Reference numeral 4 denotes an intermediate amplifying section composed of transistors Q7, Q8 and Q9. A constant current source 24 is connected to the emitter of the transistor Q7 and a constant current source 26 is connected to the collector of the transistor Q9. . Reference numeral 5 denotes an output section. A constant current source 25 and an output terminal OUT are connected to the emitter of the transistor Q10, and the amplified current signal is taken out from the output terminal OUT. The transistor Q10 has an emitter follower structure in order to increase the output current.

【0014】以上の構成は従来同様の構成である。6
は、定電圧源7とPNPトランジスタQ11 とによるリミ
ッタ制御回路である。このトランジスタQ11 のベースは
前記定電圧源7に接続され、コレクタは接地され、エミ
ッタは前記NPNトランジスタQ9のコレクタに接続され
ている。前記定電圧源7としては、ツェナーダイオード
等を用いて温度特性の優れた定電圧源を用いるものとす
る。
The above structure is similar to the conventional structure. 6
Is a limiter control circuit including a constant voltage source 7 and a PNP transistor Q11. The base of the transistor Q11 is connected to the constant voltage source 7, the collector is grounded, and the emitter is connected to the collector of the NPN transistor Q9. As the constant voltage source 7, a constant voltage source having excellent temperature characteristics using a Zener diode or the like is used.

【0015】上記出力部5とリミッタ制御回路6とで請
求項1のリミッタ回路を構成している。
The output section 5 and the limiter control circuit 6 constitute the limiter circuit of claim 1.

【0016】図1の構成のオペアンプICにおいて、同
相入力端子IN(+) に所定のバイアス電圧と入力信号とを
重畳させて印加し、出力端子OUT と反転入力端子IN(-)
とを適宜な負帰還抵抗等で接続すれば、出力端子OUT か
らは、バイアス電圧を中心として増幅された信号が出力
される。
In the operational amplifier IC having the configuration shown in FIG. 1, a predetermined bias voltage and an input signal are superimposed and applied to the in-phase input terminal IN (+), and the output terminal OUT and the inverting input terminal IN (-) are applied.
If and are connected by an appropriate negative feedback resistor or the like, the signal amplified around the bias voltage is output from the output terminal OUT.

【0017】そして、入力信号の振幅が所定のレベルを
越えたときには、出力信号は上下限のリミッタ電圧によ
って制限されリミッタ回路として作用する。図1の回路
での上限電圧をVmax 、電源電圧をV cc 、定電圧源7
の電圧をV1、トランジスタQ10 のベース・エミッタ間
の接合電圧をVBE(10)、トランジスタQ11 のベース・
エミッタ間の接合電圧をVBE(11)とすると、 Vmax +VBE(10)=V1+VBE(11) が成り立つので、 Vmax =V1+VBE(11)−VBE(10) となる。
When the amplitude of the input signal exceeds a predetermined level, the output signal is limited by the upper and lower limiter voltages and acts as a limiter circuit. In the circuit of FIG. 1, the upper limit voltage is Vmax, the power supply voltage is Vcc, and the constant voltage source 7
Is V1, the junction voltage between the base and emitter of transistor Q10 is VBE (10), the base of transistor Q11 is
Assuming that the junction voltage between the emitters is VBE (11), Vmax + VBE (10) = V1 + VBE (11) holds, so that Vmax = V1 + VBE (11) -VBE (10).

【0018】また、下限電圧をVmin とすると、 Vmin =0 となる。ここで、トランジスタQ11 とトランジスタQ10
とは、同一IC内で、同時に生成された素子であるた
め、それらのベース・エミッタ間の接合電圧VBE(1
1),VBE(10)の温度特性はほぼ同一となる。よって、
上限電圧Vmax は定電圧源7の電圧V1と等しくなり、
その温度特性も定電圧源7と同じ安定度となる。
If the lower limit voltage is Vmin, then Vmin = 0. Where transistor Q11 and transistor Q10
Is a device that is generated at the same time in the same IC, so the junction voltage VBE (1
The temperature characteristics of 1) and VBE (10) are almost the same. Therefore,
The upper limit voltage Vmax becomes equal to the voltage V1 of the constant voltage source 7,
The temperature characteristic has the same stability as that of the constant voltage source 7.

【0019】従来であれば、電源電圧Vccの温度特性が
優れていても、シリコントランジスタにおけるベース・
エミッタ間の接合電圧の温度特性は-2.2mV/ ℃程度であ
るため、上限電圧の温度特性も 2.2mV/ ℃程度となる
が、図1の場合には、+VBE(11)と−VBE(10)とに
よって温度変化による変動が相殺されるので、上限電圧
の温度特性は定電圧源7の温度特性と同じように、±数
mV(−10℃〜60℃)程度に改善される。
Conventionally, even if the temperature characteristic of the power supply voltage Vcc is excellent, the base
Since the temperature characteristic of the junction voltage between the emitters is about -2.2 mV / ° C, the temperature characteristic of the upper limit voltage is also about 2.2 mV / ° C, but in the case of Fig. 1, + VBE (11) and -VBE (10 Since the fluctuation due to the temperature change is canceled by the above, the temperature characteristic of the upper limit voltage is improved to about ± several mV (-10 ° C to 60 ° C) like the temperature characteristic of the constant voltage source 7.

【0020】また、請求項2のリミッタ回路の実施の形
態を図2に基づいて説明する。図1に示した定電圧源7
の電圧V1を、図2の(A)のように可変定電圧源71と
するか、図2の(B)のように電圧切り換え式定電圧源
72に変更することによって、電源電圧を変更することな
く上限電圧を変更することが可能になる。このときも、
上限電圧の温度特性は定電圧源7と同等になる。
An embodiment of the limiter circuit according to claim 2 will be described with reference to FIG. Constant voltage source 7 shown in FIG.
2 is used as the variable constant voltage source 71 as shown in FIG. 2A or the voltage switching type constant voltage source as shown in FIG. 2B.
By changing to 72, it becomes possible to change the upper limit voltage without changing the power supply voltage. Again,
The temperature characteristic of the upper limit voltage is the same as that of the constant voltage source 7.

【0021】上記可変定電圧源71もしくは電圧切り換え
式定電圧源72は請求項2の電圧変更手段に対応してい
る。
The variable constant voltage source 71 or the voltage switching type constant voltage source 72 corresponds to the voltage changing means of claim 2.

【0022】なお、差動入力回路は図3に示すように構
成してもよい。図3の差動入力回路11は、1対のトラン
ジスタQ21,Q22 からなる入力回路12と、その電源ライン
に配置された定電流源16と、トランジスタQ21 のコレク
タに接続された定電流源13とから構成されている。な
お、この定電流源13の電流値は、前記定電流源16の電流
値の二分の一に設定されている。また、中間増幅部14の
トランジスタQ23 のエミッタには抵抗15が接続されてい
る。
The differential input circuit may be constructed as shown in FIG. The differential input circuit 11 shown in FIG. 3 includes an input circuit 12 including a pair of transistors Q21 and Q22, a constant current source 16 arranged on the power supply line thereof, and a constant current source 13 connected to the collector of the transistor Q21. It consists of The current value of the constant current source 13 is set to one half of the current value of the constant current source 16. A resistor 15 is connected to the emitter of the transistor Q23 of the intermediate amplification unit 14.

【0023】図3の回路によれば、入力回路12のトラン
ジスタを1段構成としたので、入力電圧の上限を図1の
回路の場合よりも高くできる。また、1段構成としたの
で入力電圧0V付近における歪みが多くなるので、カレ
ントミラー回路の代わりに、トランジスタQ21 のコレク
タには定電流源13を接続して、入力電圧0V付近におけ
るトランジスタQ21 のコレクタ電流を確保した。
According to the circuit of FIG. 3, since the transistors of the input circuit 12 have a one-stage structure, the upper limit of the input voltage can be made higher than that of the circuit of FIG. Also, since the configuration is one-stage, the distortion near the input voltage of 0V increases, so instead of the current mirror circuit, connect the constant current source 13 to the collector of the transistor Q21 to collect the collector of the transistor Q21 near the input voltage of 0V. Secured the current.

【0024】また、差動入力部12を1段構成としたの
で、中間増幅部14のトランジスタQ23のベース電圧及び
エミッタ電圧が低くなり、入力電圧0V付近においてト
ランジスタQ9の出力電圧がはねあがるという現象が発生
するので、トランジスタQ23 のエミッタとトランジスタ
Q8のエミッタの間に接続した抵抗15によって、トランジ
スタQ8のエミッタの電圧を0.1 〜0.3V程度上げておくこ
とにより、入力電圧0V付近におけるトランジスタQ8,Q
9 の動作を安定させる。
Further, since the differential input section 12 has a one-stage configuration, the base voltage and the emitter voltage of the transistor Q23 of the intermediate amplification section 14 become low, and the output voltage of the transistor Q9 rises near the input voltage of 0V. Phenomenon occurs, the emitter of transistor Q23
By raising the voltage of the emitter of the transistor Q8 by about 0.1 to 0.3V by the resistor 15 connected between the emitters of the Q8, the transistor Q8, Q near the input voltage 0V
Stabilize the operation of 9.

【0025】図3の回路においても、トランジスタQ8,Q
9,Q10,Q11 及び定電圧源7の構成と作用は同様である。
図3の回路によれば、さらに少ない部品数で、上限電圧
の温度特性を改善できるという効果が得られる。このよ
うな少ない部品で実現したオペアンプICでは位相の回
転等の影響が少ないので、高い周波数まで使用できる回
路を構成しやすい。
Also in the circuit of FIG. 3, transistors Q8 and Q
The configurations and operations of 9, Q10, Q11 and the constant voltage source 7 are the same.
According to the circuit of FIG. 3, it is possible to obtain an effect that the temperature characteristic of the upper limit voltage can be improved with a smaller number of components. Since the operational amplifier IC realized by such a small number of parts is less affected by the phase rotation and the like, it is easy to configure a circuit that can be used up to high frequencies.

【0026】本発明は、オペアンプICに限らず、マイ
クアンプ等のようにリミッタ回路を必要とする種々の回
路に応用することができる。
The present invention can be applied not only to the operational amplifier IC but also to various circuits such as a microphone amplifier which requires a limiter circuit.

【0027】[0027]

【発明の効果】請求項1の発明によれば、二つのトラン
ジスタのベース・エミッタ間の接合電圧の温度特性が相
殺されるように構成したので、上限電圧の温度特性がベ
ース・エミッタ間の接合電圧の影響を受けず、定電圧源
の温度特性と同等の温度特性となる。
According to the first aspect of the present invention, the temperature characteristics of the junction voltage between the base and the emitter of the two transistors are offset, so that the temperature characteristics of the upper limit voltage have a junction between the base and the emitter. It is not affected by the voltage and has a temperature characteristic equivalent to that of the constant voltage source.

【0028】しかも、このような効果を一つのトランジ
スタと定電圧源を追加するだけで実現できるので、少な
い回路部品数で優れた温度特性を実現できる。加えて、
部品数が少ないので、消費電力も少なく、小型機器等に
おいて高い実装密度で使用することも可能である。ま
た、部品数が少なく、トランジスタの接合部の容量成分
や位相の回転等の影響が少ないので高い周波数にも使用
できるオペアンプを構成することができる。
Moreover, since such an effect can be realized only by adding one transistor and a constant voltage source, excellent temperature characteristics can be realized with a small number of circuit components. in addition,
Since the number of parts is small, it consumes less power and can be used with a high mounting density in small equipment. Further, since the number of parts is small and the influence of the capacitance component of the junction portion of the transistor and the rotation of the phase is small, it is possible to configure an operational amplifier that can be used even at a high frequency.

【0029】また、請求項2によれば、電源電圧を変え
ずに、上限電圧を所望の電圧に設定できるので、従来よ
り適応範囲の広い増幅回路を構成することができる。
According to the second aspect, the upper limit voltage can be set to a desired voltage without changing the power supply voltage, so that it is possible to construct an amplifier circuit having a wider adaptive range than the conventional one.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明の請求項1のリミッタ回路を用いたオペ
アンプICの等価回路図である。
FIG. 1 is an equivalent circuit diagram of an operational amplifier IC using a limiter circuit according to claim 1 of the present invention.

【図2】本発明の請求項2のリミッタ回路の要部の等価
回路図である。
FIG. 2 is an equivalent circuit diagram of a main part of a limiter circuit according to claim 2 of the present invention.

【図3】本発明のリミッタ回路を用いた別例のオペアン
プICの等価回路図である。
FIG. 3 is an equivalent circuit diagram of another operational amplifier IC using the limiter circuit of the present invention.

【図4】従来例のリミッタ回路を用いたオペアンプIC
の等価回路図である。
FIG. 4 is an operational amplifier IC using a conventional limiter circuit.
3 is an equivalent circuit diagram of FIG.

【図5】従来例のオペアンプを用いたリミッタ回路の構
成例である。
FIG. 5 is a configuration example of a limiter circuit using a conventional operational amplifier.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

Q10 NPNトランジスタ Q11 PNPトランジスタ 25,26 定電流源 5,6 リミッタ回路 7 定電圧源 71 可変定電圧源(電圧変更手段) 72 電圧切り換え式定電圧源(電圧変更手段) Vcc 電源電圧 OUT 出力端子 Q10 NPN transistor Q11 PNP transistor 25,26 Constant current source 5,6 Limiter circuit 7 Constant voltage source 71 Variable constant voltage source (voltage changing means) 72 Voltage switching type constant voltage source (voltage changing means) Vcc Power supply voltage OUT output terminal

Claims (2)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】ベースが定電流源を介して電源電圧に接続
され、エミッタは出力端子に接続されたNPNトランジ
スタを備え、上限電圧が電源電圧からNPNトランジス
タのベース・エミッタ間の接合電圧を減じた電圧となる
構成の単電源方式のリミッタ回路において、ベースが定
電圧源に接続され、コレクタが接地され、エミッタが前
記NPNトランジスタのベースに接続されたPNPトラ
ンジスタを備えることによって、前記NPNトランジス
タのベースに入力されて出力端子から出力される信号の
上限電圧の温度特性を前記定電圧源と同等に改善したこ
とを特徴とするリミッタ回路。
1. A base is connected to a power supply voltage via a constant current source, an emitter is provided with an NPN transistor connected to an output terminal, and an upper limit voltage subtracts the junction voltage between the base and emitter of the NPN transistor from the power supply voltage. In a limiter circuit of a single power supply system having a different voltage, the base of the NPN transistor is connected to a constant voltage source, the collector is grounded, and the emitter is connected to the base of the NPN transistor. A limiter circuit in which temperature characteristics of an upper limit voltage of a signal input to a base and output from an output terminal are improved to be equal to those of the constant voltage source.
【請求項2】定電圧源の電圧を変更する電圧変更手段を
備えることによって、上限電圧を変更しうるように構成
したことを特徴とする請求項1に記載のリミッタ回路。
2. The limiter circuit according to claim 1, wherein the limiter circuit is configured so that the upper limit voltage can be changed by including voltage changing means for changing the voltage of the constant voltage source.
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