JPH09159422A - ウエハの周縁形状検出装置 - Google Patents
ウエハの周縁形状検出装置Info
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- JPH09159422A JPH09159422A JP31667895A JP31667895A JPH09159422A JP H09159422 A JPH09159422 A JP H09159422A JP 31667895 A JP31667895 A JP 31667895A JP 31667895 A JP31667895 A JP 31667895A JP H09159422 A JPH09159422 A JP H09159422A
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Abstract
変化部を確実に検出する。 【解決手段】 透過型光センサからなるセンサ部9でウ
エハの周縁部に線状光束を投光し、その透過光量を光電
変換してなる信号がアンプで増幅された後、微分回路で
微分波形の微分信号VQに変換される。形状変化部が線
状光束を横切ると、透過量が急変するので、これに応じ
て光信号の波形は急変し、その微分信号VQにはパルス
状の検出信号が発生する。検出部12では微分信号のレ
ベルが所定の閾値を越えると、形状変化部の検出信号S
DETが出力される。形状変化部の通過による線状光束の
透過光量の変動に応じた光信号のレベル変化の傾きを検
出することによりウエハの偏心回転による光信号のレベ
ル変化と形状変化部によるレベル変化とを識別して形状
変化部のみを確実に検出する。
Description
Circuit)形成用基板となる円板状の半導体ウエハの周
縁に基準位置として形成されたオリエンテーションフラ
ット(以下、オリフラという。)、ノッチ等の形状変化
部を検出するウエハの周縁形状検出装置に関するもので
ある。
出する方法として種々提案され、例えば特開平3−29
6254号公報には光センサを用いた検出方法として、
ウエハの半径方向に一定長を有する線状の光束をウエハ
の周縁部に照射する一方、この光束を受光し、その受光
量に基づく信号波形からウエハに形成された形状変化部
の形状を認識するウエハの外形認識方法が示されてい
る。
形状変化部が線状光束を横切ると、この線状光束の受光
量が変化し、しかもその受光量に基づく信号波形が形状
変化部の形状によって異なることから、信号波形から形
状変化部の形状を識別するものである。
おける遮光領域が徐々に狭くなるので、線状光束を受光
して得られる信号のレベル変動は緩やかであるが、ノッ
チでは遮光領域が急激に広くなることによって、信号の
レベル変動は急峻になるので、信号レベルの変化の形状
からウエハの形状変化部がオリフラであるのか、ノッチ
であるのかの識別が行われる。
を用いてウエハの周縁に形成された形状変化部を検出す
る光センサについての記載がなされているが、線状光束
を形成する具体的な投光部の構造については記載されて
いない。
と、回転するウエハの外周部の一定領域を光束で照射
し、ウエハの外周部による時々刻々の受光量をモニタリ
ングしながら、外周部の形状を線分で認識しているの
で、受光量のデータを一旦記憶した上で、データを解析
処理していることが前提となり、受光量のデータを記憶
するメモリやデータを解析処理する手段等が別途必要と
なり、コストメリットの少ない非常に高価なものとな
る。
は、線状光束を受光して得られる信号のレベル変動によ
って形状変化部を識別しているので、信号の絶対レベル
の変動が誤検出されれば、形状変化部の形状が誤って識
別される恐れもある。
であり、簡単な構造で確実にウエハの形状変化部の検出
及びその形状の識別が可能なウエハの周縁形状検出装置
を提供するものである。
に形成された形状変化部を検出するウエハの周縁形状検
出装置であって、上記ウエハの一方面側から光束を上記
ウエハの周縁部に投光し、他方面側でこの光束を受光す
るとともに光電変換して信号を出力する光センサと、上
記光センサから出力された信号の波形を微分波形に変換
する微分手段と、上記微分手段により微分波形に変換さ
れた信号のレベル変化から上記形状変化部を検出する検
出手段とを備えたものである(請求項1)。
ンサを配置し、この光センサをウエハの周方向に相対移
動させて形状変化部の検出が行われる。ウエハの回転に
より形状変化部が光束を横切ると、この光束の投光領域
が増加し、光センサの受光量が増加するで、光電変換し
て出力される信号のレベルが投光領域の変化に応じて変
動する。
よりその波形を微分した波形を有する信号に変換され、
検出手段によりこの信号レベルからウエハの形状変化部
が検出される。すなわち、ウエハの周縁にオリフラ、ノ
ッチ等の形状変化部が形成されている場合、この信号
は、形状変化部以外では比較的緩やかに変化する低周波
信号となり、形状変化部では急峻に変化する高周波信号
となるので、この高周波信号のレベルを検出することに
よりウエハの形状変化部が検出される。
出装置であって、上記微分手段により微分波形に変換さ
れた信号のレベルから上記形状変化部の形状を識別する
形状識別手段を備えたものである(請求項2)。なお、
上記形状識別手段は、上記微分手段により微分波形に変
換された信号のレベルを少なくとも1つの所定の閾値と
比較して上記形状変化部の識別を行うようにするとよい
(請求項3)。
された信号のレベルからウエハの形状変化部の形状が識
別される。具体的には出力された信号のレベルを少なく
とも1つの所定の閾値と比較してウエハの形状変化部の
識別が行われる。
合、形状変化部における光センサから出力される信号
は、ウエハにオリフラが形成されている場合に比して急
峻に変化するので、その信号のレベル変動幅はオリフラ
より大きくなる。従って、形状変化部における信号のレ
ベルが所定の閾値を越えるか否かを判別することにより
ノッチとオリフラとが識別される。
置であって、上記光センサから出力された信号のレベル
から上記ウエハのサイズを識別するサイズ識別手段を備
えたものである(請求項4)。
は、サイズの小さいウエハに比して光束の投光領域が小
さくなるので、光センサの受光量が少なく、その信号の
平均レベルがサイズの小さいウエハよりも低くなる。従
って、光センサから出力される信号の平均レベルからウ
エハのサイズが識別される。
出装置について、図を用いて説明する。まず、本周縁形
状検出装置に適用される光センサの構造について説明す
る。
出装置に適用される光センサの構造を示す斜視図、図2
は同光センサの縦断面図である。
フォトインタラプタの構成を成し、所定間隔を設けて互
いに平行に配置された投光部2及び受光部3の先端部に
それぞれ相対向させて投光窓23と受光窓33とが設け
られ、基端部に光源4と受光素子5とが設けられてい
る。光源4にはランプ、ネオンランプ、発光ダイオード
等の種々の光源が利用可能であるが、小型化、小電力、
ビーム範囲等から発光ダイオードが好ましい。受光素子
5にはセレン光電池、CdS光導電素子、シリコンフォ
トダイオード(SPD)、ガリウム砒素リンフォトダイ
オード(GPD)等の各種の受光素子を利用することが
できる。
光源4から発光された光束を線状の光束に変換して投光
窓23に導く光ビームガイド22とを有し、保持体2
1、光ビームガイド22及び投光窓23は、例えば透明
なアクリル樹脂により一体成形されている。この光ビー
ムガイド22を透明ガラスで構成してもよい。
方向の中心軸上に発光ダイオード4が収納される丸孔2
4が穿設されている。この丸孔24の先端面24a(保
持体21と光ビームガイド22との境界面)は拡散面と
なるようにその表面粗さが適当に粗くなるように処理さ
れている。これにより発光ダイオード4から発光された
光束を長さ方向に均一な線状光束とするようにしてい
る。
m(幅寸法w)×略5mm(長さ寸法d)の投光窓23
が突設され、この投光窓23の上方位置に角部を45°
で面取して発光ダイオード4からの光を投光窓23に導
く反射面22cが形成されている。
応じた適宜の寸法に設定されるが、少なくともウエハの
周縁に形成されたノッチ、オリフラ等の回転方向の基準
位置を示す形状変化部の幅寸法Wより狭くすることが好
ましい。本実施の形態では、ウエハに形成される形状変
化部の最小幅寸法Wはノッチの幅寸法で、略1mmであ
ることから、投光窓23の幅寸法wを1mmに設定して
いる。
ともウエハの回転時における許容偏心量(以下、許容回
転偏心量という。)以上に設定することが望ましい。例
えばウエハの許容回転偏心量を±n(mm)とすると、
投光窓23の長さ寸法dは2n)上にするとよい。本実
施の形態では、ウエハの許容回転偏心量が±2mmの場
合に好適な寸法としてd=2n+1=5mmとしてい
る。
ハの許容回転偏心量に関連づけて設定しているのは、こ
の光センサ1は、ウエハの形状変化部が線状光束Qを横
切ると、線状光束Qの遮光寸法が変化するので、この遮
光寸法の変化に基づく受光部3の受光信号の変化から形
状変化部を検出するものであるから、あまり長さ寸法d
を長くすると、不必要に投光量が大きくなる分、受信信
号の変化量が相対的に小さくなり、形状変化部の検出精
度が低下する一方、ウエハの許容回転偏心量(2n)以
下にすると、ウエハの回転時の偏心により形状変化部が
光センサ1からずれ、検出できないことがあるからであ
る。
4から発光される楕円球状の光束を水平面内において幅
1mmの板状の光束に変換するための先端先窄まりのテ
ーパが設けられている。
イバー繊維25の一方端を断面円形に束ね、他方端を直
線状に束ねて光ビームガイド22を構成するようにして
もよい。光ファイバー繊維25を用いた場合は、投光部
3の形状が小型化が可能になるとともに、導光路のフレ
キシビリティがあるので、投光窓23の角度調節も可能
になる。
1と投光部2から投光された線状光束Qを受光素子5の
受光面に導く三角プリズム32とからなる。保持体31
は光の漏洩を防止するため不透明な角柱状の樹脂から成
り、長手方向の中心軸上に貫通孔31aが穿設されてい
る。そして、この貫通孔31aの一方端に受光素子5が
嵌入装着されている。
の角柱状を成し、例えば透明なアクリル樹脂で構成され
ている。三角プリズム32の直角を挟む短辺を含む2つ
の側面32a,32bは保持体31の断面と同一サイズ
を有し、一方の側面32aは受光窓33を構成してい
る。
32bを保持部31の先端面に合わせるようにして保持
体31の先端に取り付けられている。なお、保持体31
の長手方向の長さLは、三角プリズム32が取り付けら
れたとき、受光窓33が投光窓23と対向位置となるよ
うに所定の寸法に設定されている。
1,31の基端部が所定の高さ寸法Hを有するスペーサ
6を介して結合され、このスペーサ6により投光窓23
と受光窓33との間が所定の間隔Dに設定されている。
光された楕円球形状の光束は光ビームガイド22により
略1mm(幅寸法)×略5mm(高さ寸法)の板状の光
束に変換されて反射面22cに案内され、更にこの反射
面22cで垂直下方に光路が変換されて投光窓23から
略1mm(幅寸法w)×略5mm(長さ寸法d)の線状
光束Qが受光部3の受光窓33に投光される。
リズム32によりその光路が垂直下方向から水平方向に
屈曲され、保持体31の貫通孔31aを介して受光素子
5の受光面に導かれる。
を検出するためのウエハと光センサとの位置関係を示す
斜視図である。また、図5は、上記光センサによるウエ
ハの形状変化部の検出方法を示す図であり、図6は、光
センサの出力信号の波形を示す図である。
から投光された線状光束Qを横切るように、ウエハ7の
周縁部の適所に配置される。この光センサ1をウエハ7
の回転方向の基準位置に配置し、光センサ1によりウエ
ハ7の周縁に設けられた形状変化部72(図5ではノッ
チ)を検出してウエハ7の回転動作を停止させるように
すれば、ウエハ7の形状変化部72の検出だけでなく、
ウエハ7の回転基準位置への位置合わせも行うことがで
きる。
転させると、形状変化部72が形成されていない周縁で
は、図5(a)に示すように、線状光束Qの一部領域Q
1(図中、斜線領域)がウエハ7の周縁部で遮光され、
光センサ1の受光素子5からは透過領域Q2(図中、無
地領域)の光量に応じたレベルの信号が出力されるが、
形状変化部72が形成された周縁が線状光束Qに至る
と、図5(b)に示すように、線状光束Qの透過領域Q
2が形状変化部72の部分Q3(図中、点描部分)だけ
広くなり、受光素子5の出力信号のレベルが透過領域Q
2の増加分の光量に応じて変動する。
が完全に線状光束Qを横切ると、図5(c)に示すよう
に、透過領域Q2は形状変化部72が線状光束Qを横切
る前と同じ状態となる。
される信号Sは、図6に示すように、基準レベルVref
を中心に緩やかに上下に変動する低周波の信号S1に急
峻に変動するパルス状の信号S2が重畳した波形とな
る。信号S1はウエハ7の回転時の偏心に基づくレベル
変動であり、信号S2は形状変化部72の検出に基づく
レベル変動である。
部72の形状を認識する場合は、信号Sの絶対レベルの
変動を監視することにより認識可能であるが、単に形状
変化部72の有無を検出するだけの場合では、信号Sの
絶対レベルの変動から形状変化部72の検出を行うと、
信号S1のレベル変動によって誤検出される可能性があ
るから、この場合は、信号Sを微分した信号のレベル変
動から形状変化部72を検出するようにする方がよい。
信号S1の周波数は信号S2の周波数に比して極めて低
いので、信号Sの微分信号から信号S2の位置を極めて
正確に検出することができる。
出装置のブロック図である。周縁形状検出装置8は、セ
ンサ部9、アンプ部10、微分回路11及び検出部12
から構成されている。
投光部2から受光部3に到達した光を光電変換し、光量
に応じた光電流を出力する。アンプ部10は光電流を所
定レベルの電圧に変換して出力するもので、ウエハ7を
1回転させると、アンプ部10からは、例えば同図
(a)に示す波形の信号VPが出力される。波形図の縦
軸は電圧レベル(V)、横軸は時間(t)で、A点はウ
エハ7のオリフラ、ノッチ等の形状変化部72が検出さ
れる点である。なお、ウエハ7の回転速度により測定開
始点Oと形状変化部検出点Aとの間隔は変化する。
形を微分波形に変換する回路で、ウエハ7を1回転させ
ると、微分回路11からは、例えば同図(b)に示す波
形の信号VQ(以下、微分信号VQとする。)が出力され
る。波形図(b)の縦軸、横軸及びA点は同図(a)と
同じである。また、Vrefは基準電圧で、アンプ部10
の動作中心点の電圧レベルに相当する。
ら形状変化部72を検出するもので、例えば所定の基準
電圧と微分信号VQの電圧レベルとを比較して形状変化
部72を検出する。ウエハ7を1回転させると、検出部
12からは同図(c)に示すパルス状の検出信号SDET
が出力される。
具体的な回路構成例を示す図である。同図において、セ
ンサ部9のLEDは光源の発光ダイオード4、PDは受
光素子5に対応するものである。アンプ部10はオペア
ンプを用いた反転増幅回路101,102を2段、縦続
接続して構成されている。反転増幅回路101はオペア
ンプAMP1及びフィードバック抵抗R2からなり、反
転増幅回路102はオペアンプAMP2及びフィードバ
ック抵抗R4からなる。フィードバック抵抗R4はアン
プ部10のゲインを調節し得るように可変抵抗となって
いる。なお、アンプ部10を2段構成にしているのはア
ンプ出力の極性を考慮したもので、1段アンプで構成し
てもよく、多段アンプで構成してもよい。
との直並列回路からなる微分回路で構成されている。微
分回路11の時定数τはその周波数がウエハの偏心によ
る周波数f1(図6の信号S1の周波数)と形状変化部
72の検出信号の周波数f2(図6の信号S2の周波
数)との間となる適宜の値に設定されている。これは信
号S1と信号S2とを識別するためである。なお、周波
数f1と周波数f2とは100倍以上の違いがあるの
で、時定数τは容易に設定することができる。また、微
分回路11もオペアンプを用いて構成してもよい。
OMP1,COMP2からなり、微分回路11からの微
分信号VQのレベルを3段階に識別して検出するように
なっている。なお、微分回路11と検出部12とはオペ
アンプAMP3及び抵抗R6,R7からなる反転増幅回
路13を介して接続されている。これは検出部12への
入力レベルを調整するためのものである。
エハの形状変化部72を検出するためのもので、コンパ
レータCOMP1は検出された形状変化部72がノッチ
であるか、オリフラであるかを識別するためのものであ
る。
10の出力信号VPに含まれる形状変化部72の検出信
号S2は、図9(a)に示すように、比較的急峻に立ち
上がるから(立上角θ;大)、その微分信号VQは、同
図(b)のようになり、検出点Aにおける検出信号S
2′のレベルは比較的大きく、所定の形状変化部72の
検出基準電圧V2及びノッチ識別電圧V1を越えるもの
となる。
アンプ部10の出力信号VPに含まれるオリフラの検出
信号S2は、図10(a)に示すように、比較的緩慢に
立ち上がるから(立上角θ;小)、その微分信号V
Qは、同図(b)のようになり、検出点Aにおける検出
信号S2′のレベルはノッチの場合よりも低く、検出基
準電圧V2は越えるが、ノッチ識別電圧V1は越えない
ものとなる。
2とは別にノッチの検出信号S2′は必ず越えるが、オ
リフラの検出信号S2′は越えることのない所定のノッ
チ識別電圧V1(>V2)を設け、微分回路11の微分
信号VQのレベルを検出基準電圧V2及びノッチ識別電
圧V1と比較することにより検出された形状変化部72
がノッチであるのか、オリフラであるのかを識別するよ
うにしている。
4は、オペアンプAMP1〜AMP3の+入力端及び微
分回路11の抵抗R5の一方端に接続されている。基準
電位ライン14には図略の電源回路により基準電位(オ
ペアンプの動作点に相当する電位)が付与されるように
なっている。
ンパレータCOMP1,COMP2に入力される基準電
圧(検出基準電圧V1,ノッチ識別電圧V2)を生成す
るための分割抵抗で、抵抗R9の一方端は基準電位ライ
ン14に接続され、抵抗R8の一方端は可変抵抗R10
を介して基準電圧源に接続されている。なお、可変抵抗
R10は検出部12の検出レンジを調節するための抵抗
である。
れる光電流はアンプ部10で電圧に変換されるととも
に、所定レベルに増幅されて出力される。アンプ部10
の出力信号は微分回路11により微分波形の信号に波形
操作された後、反転増幅回路13を介して検出部12に
入力される。
VQ′が形状変化部72の検出基準電圧V2及びノッチ
識別電圧V1とそれぞれ比較されて形状変化部72が検
出されるとともに、検出された形状変化部72の種類が
識別される。
レータCOMP1,COMP2からはローレベルの信号
OUT1,OUT2が出力され、V2≦VQ′<V1で
あれば、コンパレータCOMP1からローレベルの信号
OUT1が、また、コンパレータCOMP2からハイレ
ベルの信号OUT2が出力され、V1≦VQ′であれ
ば、コンパレータCOMP1,COMP2からハイレベ
ルの信号OUT1,OUT2が出力される。
基準電圧としてノッチ識別電圧V1と検出基準電圧V2
とを設け、形状変化部72の検出及び形状変化部72の
種類の識別のみを行っていたが、好ましくは検出基準電
圧V2よりも低い閾値電圧V3を設け、図8の点線で示
す第3のコンパレータCOMP3で出力信号VQ′と閾
値電圧V3とを比較して検出異常が確認できるようにす
るとよい。
サイズが大き過ぎたり、正常位置にセットされていない
場合、形状変化部72が光センサ1の線状光束Qを横切
っても受光部3の受光量が所定量以下となり、微分回路
11から十分なレベルの微分信号VQが得られないこと
になるから、VQ′<V3(<V2)のとき、コンパレ
ータCOMP3からローレベルの異常検出信号OUT3
を出力させるようにする。
を用いたウエハの回転駆動制御システムの一例を示す図
である。同図に示すシステムは、ウエハ7の形状変化部
72の形成位置を所定の回転基準位置に位置合わせする
ものである。
ンサ1は、ウエハ7の所定の回転基準位置に配置されて
いる。また、形状変化部検出回路15は図7,図8にお
けるアンプ部9〜検出部12に相当する回路である。
載置台である。ステッピングモータ17はステージ16
を回転駆動する駆動源であり、モータドライバ18はス
テッピングモータ17の回転駆動を制御するモータ制御
回路である。モータドライバ18には緊急停止用の外部
入力端子が設けられ、この外部入力端子に周縁形状検出
装置8からの形状変化部72の検出信号SDET(図8に
おいて、コンパレータCOMP2の出力信号OUT2)
が入力されている。
ッピングモータ17を駆動してウエハ7が回転を開始す
ると、同時に周縁形状検出装置8が起動し、形状変化部
72の検出が行われる。そして、周縁形状検出装置8で
形状変化部72が検出されると、その検出信号がモータ
ドライバ18に出力される。モータドライバ18は検出
信号の入力に応答してステッピングモータ17の回転を
急停止させ、これによりウエハ7は形状変化部72の形
成位置が所定の回転基準位置に一致する位置に位置合わ
せが行われる。
の回転角度だけ回転した任意の位置に配設し、形状変化
部72の検出位置でウエハ7の回転を一旦停止させた
後、上記回転角度の分だけ所定方向にウエハ7を回転さ
せてウエハ7の位置合わせを行うようにしてもよい。
用される光センサの第2の実施の形態を示す縦断面図で
ある。
種類のウエハの形状変化部を検出することができるよう
にしたもので、図2において、線状光束Qの長さ寸法d
をこれより長い寸法d′にするとともに、投光窓23の
略中央に遮光部23aを設けたものである。
ウエハ7について、形状変化部72を検出可能にする場
合、投光窓23の長さ寸法d′は、以下のように設定さ
れる。
して必要な最小線状光束の長さ寸法をd1、6インチサ
イズのウエハ7に対して必要な最小の線状光束の長さ寸
法をd2、5インチサイズのウエハ7のエッジ位置と6
インチサイズのウエハ7のエッジ位置との間隔をd3と
すると、5インチサイズのウエハ7に対する投光領域と
6インチサイズのウエハ7に対する投光領域とを半径方
向に間隔d3だけ離間して設ければ、光センサ1の配置
位置を変更することなく両サイズのウエハ7の形状変化
部72を検出することができるから、投光窓23の長さ
寸法d′はd′≒d1+d2+d3となる。
範囲ΔNを略同一の4mmとすると、上述のようにd1
=d2=ΔN+1=5mmとなり、d3=0.5インチ
≒1.3mmであるから、d′=(2×5+1.3)=
11.3mmとなる。実際には、形状変化部検出の確実
性を確保するため数mm程度余裕を持たせるのが好まし
く、本実施の形態では、d′≒15mmとしている。
3aは、5インチサイズのウエハ7の形状変化部72の
検出効率を高めるためのものである。すなわち、光セン
サ1はノッチやオリフラ等の形状変化部72が線状光束
Qを横切ることによって増加した透過領域の部分Q3の
光量を検出することにより形状変化部72を検出を可能
にするものであるが、5インチサイズの形状変化部72
は投光窓23の先端側の投光領域23bの光束変化によ
り検出可能であり、6インチサイズの形状変化部72は
投光窓23の後端側の投光領域23cの光束変化により
検出可能であるから、両サイズのウエハ7の形状変化部
72の検出には遮光部23aからの光束は必ずしも必要
としない。
部72を検出するときは遮光部23a及び投光領域23
cから投光された光量により検出信号Sのレベルが高く
なり、相対的に形状変化部72の検出信号のレベル変動
が小さくなるので、両サイズのウエハ7が識別可能な範
囲で可及的に信号Sのレベルを抑制し、検出効率を高め
るようにするのが好ましい。そこで、両サイズのウエハ
7の形状変化部72の検出に対する寄与率の小さい領域
23aを遮光している。
22から案内された光束を反射面22c側に乱反射する
反射部材で構成するようにしてもよい。このようにする
と、遮光部23aで乱反射された光束の一部は反射面2
2cで投光領域23b,23c側に反射され、これらの
領域23b,23cから投光されるので、両サイズのウ
エハ7の形状変化部72の検出において線状光束の有効
活用を図ることができることになる。
サにより5インチ及び6インチのサイズのウエハの形状
変化部を検出した信号の波形図である。
で回転して形状変化部72を検出したもので、は5イ
ンチサイズのウエハ7に対するアンプ部10の出力信号
VP、は5インチサイズのウエハ7に対するアンプ部
10の出力信号VPである。
化部72のない周縁が線状光束Qを横切っているときの
アンプ部10の出力信号VPの平均レベル(図6におけ
る低周波の信号S1の平均レベルに相当)、V6は6イ
ンチサイズの形状変化部72のない周縁が線状光束Qを
横切っているときのアンプ部10の出力信号VPの平均
レベルである。
の周縁は投光窓23の投光領域23bを通過し、6イン
チサイズのウエハ7の周縁は投光窓23の投光領域23
cを通過するので、形状変化部72のない周縁が投光領
域23b,23cを通過しているときの受光部3への投
光量は5インチサイズのウエハ7の方が6インチサイズ
のウエハ7より大きくなる。従って、電圧V5は電圧V6
より大きくなっている。
ば、形状変化部72が線状光束を横切るときの光量の増
加分は略同一であるから、及びにおける形状変化部
72の検出信号S2は略同一となっている。なお、両ウ
エハ7の回転速度は同一にしているので、6インチサイ
ズのウエハ7の形状変化部72の検出タイミングA6は
5インチサイズウエハ7に対する検出タイミングA5よ
り遅れている。
きは、アンプ部10の出力信号VPの低周波の信号S1
の平均レベルが明らかに相違するから、この出力信号V
Pを所定の閾値電圧と比較することによりウエハ7のサ
イズを識別することができる。この場合の検出回路は、
例えば図8において、アンプ部10のオペアンプAMP
2の出力に検出部12と同一の比較回路を設けることに
より構成することができる。
ウエハの周縁に形成された形状変化部を検出するウエハ
の周縁形状検出装置において、線状光束をウエハの外周
部で横切らせることにより光センサから出力される信号
を微分波形の信号に変換し、この微分波形の信号のレベ
ル変化から形状変化部を検出するようにしたので、簡単
な信号処理で形状変化部を確実に検出することができ
る。
状変化部の形状を識別するようにしたので、簡単な回路
構成で形状変化部の形状も確実に識別することができ
る。
信号レベルからウエハのサイズを識別するようにしたの
で、サイズの異なる複数のウエハを簡単かつ確実に識別
することができる。
される光センサの構造を示す斜視図である。
される光センサの構造を示す縦断面図である。
る。
光センサとの位置関係を示す斜視図である。
(a)は形状変化部が線状光束を横切る前の状態を示す
図、(b)は形状変化部が線状光束を横切っている途中
の状態を示す図、(c)は形状変化部が線状光束を横切
った後の状態を示す図である。
る。
ック図である。
的な回路構成を示す図である。
の検出信号を示すもので、(a)はアンプ部の出力信
号、(b)は微分回路の微分信号である。
装置の検出信号を示すもので、(a)はアンプ部の出力
信号、(b)は微分回路の出力信号である。
いたウエハの回転駆動制御システムの一例を示す図であ
る。
用される光センサの第2の実施の形態を示す図である。
ンチサイズのウエハと6インチサイズのウエハの形状変
化部を検出した信号の波形図である。
Claims (4)
- 【請求項1】 ウエハの周縁に形成された形状変化部を
検出するウエハの周縁形状検出装置であって、上記ウエ
ハの一方面側から光束を上記ウエハの周縁部に投光し、
他方面側でこの光束を受光するとともに光電変換して信
号を出力する光センサと、上記光センサから出力された
信号の波形を微分波形に変換する微分手段と、上記微分
手段により微分波形に変換された信号のレベル変化から
上記形状変化部を検出する検出手段と、を備えたことを
特徴とするウエハの周縁形状検出装置。 - 【請求項2】 請求項1記載のウエハの周縁形状検出装
置であって、上記微分手段により微分波形に変換された
信号のレベルから上記形状変化部の形状を識別する形状
識別手段を備えたことを特徴とするウエハの周縁形状検
出装置。 - 【請求項3】 請求項2記載のウエハの周縁形状検出装
置であって、上記形状識別手段は、上記微分手段により
微分波形に変換された信号のレベルを少なくとも1つの
所定の閾値と比較して上記形状変化部の識別を行うこと
を特徴とするウエハの周縁形状検出装置。 - 【請求項4】 請求項1〜3のいずれかに記載のウエハ
の周縁形状検出装置であって、上記光センサから出力さ
れた信号のレベルから上記ウエハのサイズを識別するサ
イズ識別手段を備えたことを特徴とするウエハの周縁形
状検出装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP31667895A JP3457110B2 (ja) | 1995-12-05 | 1995-12-05 | ウエハの周縁形状検出装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP31667895A JP3457110B2 (ja) | 1995-12-05 | 1995-12-05 | ウエハの周縁形状検出装置 |
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Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH09159422A true JPH09159422A (ja) | 1997-06-20 |
JP3457110B2 JP3457110B2 (ja) | 2003-10-14 |
Family
ID=18079698
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP31667895A Expired - Fee Related JP3457110B2 (ja) | 1995-12-05 | 1995-12-05 | ウエハの周縁形状検出装置 |
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Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP3457110B2 (ja) |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2003037138A (ja) * | 2001-07-24 | 2003-02-07 | Shin Etsu Handotai Co Ltd | ノッチ検査方法およびノッチ検査装置 |
JP2008053302A (ja) * | 2006-08-22 | 2008-03-06 | Tokyo Electron Ltd | 基板検知機構および基板収容容器 |
JP2017092298A (ja) * | 2015-11-12 | 2017-05-25 | 株式会社ディスコ | スピンナー装置 |
CN115083942A (zh) * | 2022-08-16 | 2022-09-20 | 浙江果纳半导体技术有限公司 | 晶圆状态检测方法、系统、存储介质及检测装置 |
-
1995
- 1995-12-05 JP JP31667895A patent/JP3457110B2/ja not_active Expired - Fee Related
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---|---|
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