JPH09150296A - 金属ボールの形成方法 - Google Patents
金属ボールの形成方法Info
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- JPH09150296A JPH09150296A JP30750795A JP30750795A JPH09150296A JP H09150296 A JPH09150296 A JP H09150296A JP 30750795 A JP30750795 A JP 30750795A JP 30750795 A JP30750795 A JP 30750795A JP H09150296 A JPH09150296 A JP H09150296A
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- Japan
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- forming
- balls
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- ball
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-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/30—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor
- H05K3/32—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor electrically connecting electric components or wires to printed circuits
- H05K3/34—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor electrically connecting electric components or wires to printed circuits by soldering
- H05K3/3457—Solder materials or compositions; Methods of application thereof
- H05K3/3478—Applying solder preforms; Transferring prefabricated solder patterns
Landscapes
- Wire Bonding (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 BGA等の接続部に用いられる金属ボール
を、所望のサイズで高精度に、一括で大量に、低コスト
で形成する。 【解決手段】 異方性エッチングにより形状の均一なピ
ット2を形成されたシリコン製テンプレート1のピット
2部分に、印刷法等により半田ペースト3を充填させ
る。次いで、半田の融点以上まで加熱し、溶融させ、半
田が球状化した後、冷却、凝固させ、半田ボール4を得
る。このようなプロセスで半田ボール4を形成すること
により、所望のサイズの半田ボールが、一括で大量に、
低コストで形成することができる。
を、所望のサイズで高精度に、一括で大量に、低コスト
で形成する。 【解決手段】 異方性エッチングにより形状の均一なピ
ット2を形成されたシリコン製テンプレート1のピット
2部分に、印刷法等により半田ペースト3を充填させ
る。次いで、半田の融点以上まで加熱し、溶融させ、半
田が球状化した後、冷却、凝固させ、半田ボール4を得
る。このようなプロセスで半田ボール4を形成すること
により、所望のサイズの半田ボールが、一括で大量に、
低コストで形成することができる。
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、集積回路チップの
パッケージングにおいて、特にBGA(BallGri
d Array)等の接続部に用いられる金属ボールの
形成方法に関する。
パッケージングにおいて、特にBGA(BallGri
d Array)等の接続部に用いられる金属ボールの
形成方法に関する。
【0002】
【従来の技術】集積回路チップのパッケージングにおい
て、実装密度の向上、低コスト化、高速度化等の要求か
ら、BGA等に用いられるような、バンプによるフェイ
スダウン接続法が適用されるケースが多くなっている。
バンプを形成する方法の一つとして、半田ボールや銅ボ
ール等の金属ボールを用いる方法がある。特に半田ボー
ルは、取り扱いがし易く、組成が一定しており、低コス
トであるなどのメリットがあり、その需要は拡大してい
る。
て、実装密度の向上、低コスト化、高速度化等の要求か
ら、BGA等に用いられるような、バンプによるフェイ
スダウン接続法が適用されるケースが多くなっている。
バンプを形成する方法の一つとして、半田ボールや銅ボ
ール等の金属ボールを用いる方法がある。特に半田ボー
ルは、取り扱いがし易く、組成が一定しており、低コス
トであるなどのメリットがあり、その需要は拡大してい
る。
【0003】従来の半田ボールの形成方法を図を用いて
説明する。図4は、従来の半田ボールの形成方法である
ガスアトマイズ法を示しており、特開平4−14778
7号公報にも記載されている。ケーシング10の内部
は、窒素ガスと水素ガスの混合ガスのような還元ガスま
たは不活性ガス雰囲気になっている。射出部11から溶
融半田を不活性ガスにより霧状に射出すると、霧状の溶
融半田は下降しながら硬化して、微小な半田ボール12
が形成される。形成された多数の半田ボールには、様々
な粒径のものが存在するので、半田ボールをふるいなど
により分粒し、粒度を整える。
説明する。図4は、従来の半田ボールの形成方法である
ガスアトマイズ法を示しており、特開平4−14778
7号公報にも記載されている。ケーシング10の内部
は、窒素ガスと水素ガスの混合ガスのような還元ガスま
たは不活性ガス雰囲気になっている。射出部11から溶
融半田を不活性ガスにより霧状に射出すると、霧状の溶
融半田は下降しながら硬化して、微小な半田ボール12
が形成される。形成された多数の半田ボールには、様々
な粒径のものが存在するので、半田ボールをふるいなど
により分粒し、粒度を整える。
【0004】図5は、他の従来の半田ボールの形成方法
であり、特開昭61−143502号公報に記載されて
いる、回転水噴霧装法に使用する装置を示す図である。
まず、ドラム13内に、冷却媒体としてグリセリン、グ
リセリン水溶液、流動パラフィンの何れかを入れ、電動
機14によりベルト15を介してドラム13を高速回転
させる。冷却媒体17は遠心力を受けるため、層状に形
成される。次いで、ノズル16から溶融鉛合金を冷却媒
体17の層に向かって連続の流れで噴射させる。溶融鉛
合金の流れは、高速回転する冷却媒体17の層により切
断されることにより、粒状化が行われ、鉛合金粒(半田
ボール)が形成される。この方法では、ドラム13の回
転速度の一定化と、溶融鉛合金噴出速度の一定化によ
り、製造条件を一定化でき、この一定化を容易に行える
ので、鉛合金粒の均一化を容易に達成できる。また、ノ
ズルを冷却媒体の層表面に近接させることができ、溶融
金属の空気接触時間を短時間にとどめ得るので、酸化を
十分に防止できる。
であり、特開昭61−143502号公報に記載されて
いる、回転水噴霧装法に使用する装置を示す図である。
まず、ドラム13内に、冷却媒体としてグリセリン、グ
リセリン水溶液、流動パラフィンの何れかを入れ、電動
機14によりベルト15を介してドラム13を高速回転
させる。冷却媒体17は遠心力を受けるため、層状に形
成される。次いで、ノズル16から溶融鉛合金を冷却媒
体17の層に向かって連続の流れで噴射させる。溶融鉛
合金の流れは、高速回転する冷却媒体17の層により切
断されることにより、粒状化が行われ、鉛合金粒(半田
ボール)が形成される。この方法では、ドラム13の回
転速度の一定化と、溶融鉛合金噴出速度の一定化によ
り、製造条件を一定化でき、この一定化を容易に行える
ので、鉛合金粒の均一化を容易に達成できる。また、ノ
ズルを冷却媒体の層表面に近接させることができ、溶融
金属の空気接触時間を短時間にとどめ得るので、酸化を
十分に防止できる。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】従来の金属ボール、特
に半田ボールの形成方法では、ガスアトマイズ法の場
合、一度に様々な粒径のボールができるため、ふるい等
で分粒するが、粒径の精度を向上することが難しく、±
10〜20μm程度のばらつきができてしまう。特にφ
100μm以下の小径ボールを精度高く分粒するのは困
難であるという欠点がある。また、必要のない粒径のボ
ールも形成されてしまうという欠点もある。
に半田ボールの形成方法では、ガスアトマイズ法の場
合、一度に様々な粒径のボールができるため、ふるい等
で分粒するが、粒径の精度を向上することが難しく、±
10〜20μm程度のばらつきができてしまう。特にφ
100μm以下の小径ボールを精度高く分粒するのは困
難であるという欠点がある。また、必要のない粒径のボ
ールも形成されてしまうという欠点もある。
【0006】回転水噴霧装法では、実際は、真球度があ
まり高くなく、粒径はφ20〜80μmとばらつきがあ
り、フレーク状のものも混在して形成されてしまうとい
う欠点がある。
まり高くなく、粒径はφ20〜80μmとばらつきがあ
り、フレーク状のものも混在して形成されてしまうとい
う欠点がある。
【0007】そこで、本発明は、前記従来の技術の欠点
を改良し、BGA等の接続部に用いられる金属ボール
を、所望のサイズで高精度に、一括で大量に、しかも、
低コストで形成しようとするものである。
を改良し、BGA等の接続部に用いられる金属ボール
を、所望のサイズで高精度に、一括で大量に、しかも、
低コストで形成しようとするものである。
【0008】
【課題を解決するための手段】本発明は、前記課題を解
決するため、次の手段を採用する。
決するため、次の手段を採用する。
【0009】(1)金属ボールを形成する方法におい
て、ピットを設けたテンプレートに金属を充填させ、加
熱することにより金属を溶融し、その後冷却することに
より金属を凝固させて球状とする金属ボールの形成方
法。
て、ピットを設けたテンプレートに金属を充填させ、加
熱することにより金属を溶融し、その後冷却することに
より金属を凝固させて球状とする金属ボールの形成方
法。
【0010】(2)シリコン製基板に、異方性エッチン
グ法によりピットを形成してある、シリコン製のテンプ
レートを用いる前記(1)記載の金属ボールの形成方
法。
グ法によりピットを形成してある、シリコン製のテンプ
レートを用いる前記(1)記載の金属ボールの形成方
法。
【0011】(3)シリコン製基板に、リソブラフィ技
術によってパターニングを施した後に異方性エッチング
法によりピットを形成してある、シリコン製のテンプレ
ートを用いる前記(1)記載の金属ボールの形成方法。
術によってパターニングを施した後に異方性エッチング
法によりピットを形成してある、シリコン製のテンプレ
ートを用いる前記(1)記載の金属ボールの形成方法。
【0012】
【発明の実施の形態】本発明の実施の形態について図1
〜図3を参照して説明する。詳細は、実施例の項で3つ
の実施例について述べることとする。
〜図3を参照して説明する。詳細は、実施例の項で3つ
の実施例について述べることとする。
【0013】
【実施例】次に、本発明の実施例について図面を参照し
て説明する。
て説明する。
【0014】図1は、本発明の実施例1の金属ボール
(特に半田ボール)の形成方法を示す断面図である。1
はシリコン製テンプレートであり、ここに、シリコン製
基板全面にリソグラフィ技術によってパターニング後、
異方性エッチングにより、微細で形状の均一なピット2
を形成する(図1(a))。このとき、所望の半田ボー
ルのサイズとするために、必要な半田ペーストの容積
と、同容積であるピットを形成しておけば良い。次に、
半田ペースト3を、ペースト印刷機等を用いてピット2
に充填する(図1(b))。充填する半田ペースト3の
組成は、例えば、Pb/Sn=37/63wt.%、9
5/5wt.%等である。また、特にφ100μm以下
の微細粒径のボールを形成する場合は、半田量を高精度
に制御するために、半田ペースト3中の半田粒径は、φ
5〜15程度の微細粒であることが好ましい。次いで、
充填した半田の融点以上まで加熱し、溶融させると、半
田の表面張力により球状化するので、そのまま冷却、凝
固させ、半田ボール4とする(図1(c))。このと
き、アルゴン、窒素、水素混合ガス等の不活性ガスまた
は還元性ガス中で行えば、半田の酸化を防止することが
できる。また、形成した半田ボール4をシリコン製テン
プレート1から取り出す際に、半田ペースト3に含有さ
れるフラックスが凝固することにより、半田ボール3が
取り出せない場合は、メチルエチルケトン等の溶剤でフ
ラックスを溶解させれば、容易に半田ボール4を取り出
せる。このとき更に、振動を加えながら行えば、より効
果的である。
(特に半田ボール)の形成方法を示す断面図である。1
はシリコン製テンプレートであり、ここに、シリコン製
基板全面にリソグラフィ技術によってパターニング後、
異方性エッチングにより、微細で形状の均一なピット2
を形成する(図1(a))。このとき、所望の半田ボー
ルのサイズとするために、必要な半田ペーストの容積
と、同容積であるピットを形成しておけば良い。次に、
半田ペースト3を、ペースト印刷機等を用いてピット2
に充填する(図1(b))。充填する半田ペースト3の
組成は、例えば、Pb/Sn=37/63wt.%、9
5/5wt.%等である。また、特にφ100μm以下
の微細粒径のボールを形成する場合は、半田量を高精度
に制御するために、半田ペースト3中の半田粒径は、φ
5〜15程度の微細粒であることが好ましい。次いで、
充填した半田の融点以上まで加熱し、溶融させると、半
田の表面張力により球状化するので、そのまま冷却、凝
固させ、半田ボール4とする(図1(c))。このと
き、アルゴン、窒素、水素混合ガス等の不活性ガスまた
は還元性ガス中で行えば、半田の酸化を防止することが
できる。また、形成した半田ボール4をシリコン製テン
プレート1から取り出す際に、半田ペースト3に含有さ
れるフラックスが凝固することにより、半田ボール3が
取り出せない場合は、メチルエチルケトン等の溶剤でフ
ラックスを溶解させれば、容易に半田ボール4を取り出
せる。このとき更に、振動を加えながら行えば、より効
果的である。
【0015】以上のような方法で、半田ボール4を形成
することにより、ピット2形状は均一性が高いので、半
田ペーストを充填すれば、サイズばらつきの小さい半田
ボールを形成できる。また、シリコンウェーハ等のシリ
コン基板全面に同一サイズのピットを形成しておけば、
所望のサイズの半田ボールを一括に大量に形成できる。
所望のサイズの半田ボールのみを形成できるので、ふる
い等による分粒工程が削減でき、工程が簡略になると同
時に、コスト低減が可能となる。また、ピットは、□数
10〜数μmの微小な開口サイズのものも、精度高く形
成できるので、φ100μm以下の小径のボール形成が
容易にできる。更に、半田ペーストは低コストであり、
印刷法を用いるためプロセスも簡単であることから、低
コストの半田ボールが得られる。
することにより、ピット2形状は均一性が高いので、半
田ペーストを充填すれば、サイズばらつきの小さい半田
ボールを形成できる。また、シリコンウェーハ等のシリ
コン基板全面に同一サイズのピットを形成しておけば、
所望のサイズの半田ボールを一括に大量に形成できる。
所望のサイズの半田ボールのみを形成できるので、ふる
い等による分粒工程が削減でき、工程が簡略になると同
時に、コスト低減が可能となる。また、ピットは、□数
10〜数μmの微小な開口サイズのものも、精度高く形
成できるので、φ100μm以下の小径のボール形成が
容易にできる。更に、半田ペーストは低コストであり、
印刷法を用いるためプロセスも簡単であることから、低
コストの半田ボールが得られる。
【0016】図2は,本発明の実施例2の金属ボール
(特に半田ボール)の形成方法を示す断面図である。シ
リコン製テンプレート1のピット2の部分に、Cu、A
u等の薄い金属膜5(数100Å程度)を、スパッタ
法、蒸着法等により形成する(図2(a))。次に、メ
ッキ法、蒸着法等により半田を充填し、半田層6を形成
する(図2(b))。次いで、充填した半田の融点以上
まで加熱し、溶融させると、金属膜5は薄いため、溶融
した半田に溶食され一体化する。そして、半田の表面張
力により球状化するので、そのまま冷却、凝固させ、半
田ボール4とする(図2(c))。このとき、アルゴ
ン、窒素、水素混合ガス等の不活性ガスまたは還元性ガ
ス中で行えば、半田の酸化を防止することができる。
(特に半田ボール)の形成方法を示す断面図である。シ
リコン製テンプレート1のピット2の部分に、Cu、A
u等の薄い金属膜5(数100Å程度)を、スパッタ
法、蒸着法等により形成する(図2(a))。次に、メ
ッキ法、蒸着法等により半田を充填し、半田層6を形成
する(図2(b))。次いで、充填した半田の融点以上
まで加熱し、溶融させると、金属膜5は薄いため、溶融
した半田に溶食され一体化する。そして、半田の表面張
力により球状化するので、そのまま冷却、凝固させ、半
田ボール4とする(図2(c))。このとき、アルゴ
ン、窒素、水素混合ガス等の不活性ガスまたは還元性ガ
ス中で行えば、半田の酸化を防止することができる。
【0017】以上のような方法で、半田ボール4を形成
することにより、実施例1と同様の効果が期待できる。
更に、フラックスが含まれていないので、フラックスの
凝固のためにピット2から半田ボール4を取り出しにく
くなることがない。
することにより、実施例1と同様の効果が期待できる。
更に、フラックスが含まれていないので、フラックスの
凝固のためにピット2から半田ボール4を取り出しにく
くなることがない。
【0018】図3は、本発明の実施例3の金属ボールの
形成方法を示す断面図である。例えば銅ボールを形成す
る場合、高温で銅とシリコンが反応しないように、シリ
コン製テンプレート1の少なくともピット2部に、熱酸
化、プラズマ酸化等により酸化膜7を形成させておく
(図3(a))。次いで、メッキ法、スパッタ法、蒸着
法等により、ピット2部に銅を充填させ、銅層8を形成
する(図3(b))。その後、銅の融点以上まで加熱、
溶融させると、表面張力によって球状化し、冷却、凝固
させ、銅ボール9を得る。
形成方法を示す断面図である。例えば銅ボールを形成す
る場合、高温で銅とシリコンが反応しないように、シリ
コン製テンプレート1の少なくともピット2部に、熱酸
化、プラズマ酸化等により酸化膜7を形成させておく
(図3(a))。次いで、メッキ法、スパッタ法、蒸着
法等により、ピット2部に銅を充填させ、銅層8を形成
する(図3(b))。その後、銅の融点以上まで加熱、
溶融させると、表面張力によって球状化し、冷却、凝固
させ、銅ボール9を得る。
【0019】以上のような方法で、銅ボール9を形成す
ることにより、ピット2形状は均一性が高いので、銅を
充填すれば、サイズばらつきの小さい銅ボールを形成で
きる。また、シリコンウェーハ等のシリコンの板の全面
に同一サイズのピットを形成しておけば、所望のサイズ
の銅ボールを一括に大量に形成できる。所望のサイズの
銅ボールのみを形成できるので、ふるい等による分粒工
程が削減でき、工程が簡略になると同時に、コスト低減
が可能となる。また、ピットは、□数10〜数μmの微
小な開口サイズのものも、精度高く形成できるので、φ
100μm以下の小径のボール形成が容易にできる。
ることにより、ピット2形状は均一性が高いので、銅を
充填すれば、サイズばらつきの小さい銅ボールを形成で
きる。また、シリコンウェーハ等のシリコンの板の全面
に同一サイズのピットを形成しておけば、所望のサイズ
の銅ボールを一括に大量に形成できる。所望のサイズの
銅ボールのみを形成できるので、ふるい等による分粒工
程が削減でき、工程が簡略になると同時に、コスト低減
が可能となる。また、ピットは、□数10〜数μmの微
小な開口サイズのものも、精度高く形成できるので、φ
100μm以下の小径のボール形成が容易にできる。
【0020】銅を例にして説明を行ったが、融点がシリ
コンよりも低いものであれば、銅以外の金属でも同様に
して金属ボールを形成できる。ただし、例えば金のよう
に、高温でシリコン酸化膜中を拡散し、シリコンと反応
してしまうような場合は、ピット2部に、バリアとなる
金属(例えばチタン)をスパッタ法、蒸着法により形成
しておけば良い。
コンよりも低いものであれば、銅以外の金属でも同様に
して金属ボールを形成できる。ただし、例えば金のよう
に、高温でシリコン酸化膜中を拡散し、シリコンと反応
してしまうような場合は、ピット2部に、バリアとなる
金属(例えばチタン)をスパッタ法、蒸着法により形成
しておけば良い。
【0021】
【発明の効果】以上説明したように、本発明は、シリコ
ンウェーハ等のシリコン製板全面に、異方性エッチング
法により、微細で形状の均一なピットを形成した、シリ
コン製のテンプレートを用い、ピットに半田ペースト、
メッキ等により、金属を充填し、加熱、溶融により金属
ボールを形成しているので、サイズばらつきの小さい、
所望のサイズの金属ボールが、一括に大量に形成でき
る。例えば、直径6インチのシリコンウェーハ全面に、
300μmピッチで開口サイズ□130〜150μmの
ピットを形成し、半田ペーストを充填させて半田ボール
を形成した場合、直径約100μmの半田ボールが一括
で約200,000個得ることができる。所望のサイズ
の金属ボールのみを形成できるので、ふるい等による分
粒工程が削減でき、工程が簡略になると同時に、コスト
低減が可能となる。また、ピットは□数μm〜数10μ
mの微小な開口サイズのものも、精度高く形成できるの
で、φ100μm以下の小径のボール形成が容易にでき
る。
ンウェーハ等のシリコン製板全面に、異方性エッチング
法により、微細で形状の均一なピットを形成した、シリ
コン製のテンプレートを用い、ピットに半田ペースト、
メッキ等により、金属を充填し、加熱、溶融により金属
ボールを形成しているので、サイズばらつきの小さい、
所望のサイズの金属ボールが、一括に大量に形成でき
る。例えば、直径6インチのシリコンウェーハ全面に、
300μmピッチで開口サイズ□130〜150μmの
ピットを形成し、半田ペーストを充填させて半田ボール
を形成した場合、直径約100μmの半田ボールが一括
で約200,000個得ることができる。所望のサイズ
の金属ボールのみを形成できるので、ふるい等による分
粒工程が削減でき、工程が簡略になると同時に、コスト
低減が可能となる。また、ピットは□数μm〜数10μ
mの微小な開口サイズのものも、精度高く形成できるの
で、φ100μm以下の小径のボール形成が容易にでき
る。
【図1】本発明の実施例1の金属ボールの形成方法の工
程を示す断面図である。
程を示す断面図である。
【図2】本発明の実施例2の金属ボールの形成方法の工
程を示す断面図である。
程を示す断面図である。
【図3】本発明の実施例3の金属ボールの形成方法の工
程を示す断面図である。
程を示す断面図である。
【図4】従来の技術の断面図である。
【図5】他の従来の技術の断面図である。
1 シリコン製テンプレート 2 ピット 3 半田ペースト 4 半田ボール 5 金属膜 6 半田層 7 酸化膜 8 銅層 9 銅ボール 10 ケーシング 11 射出部 12 半田ボール 13 ドラム 14 電動機 15 ベルト 16 ノズル 17 冷却媒体
Claims (3)
- 【請求項1】 金属ボールを形成する方法において、ピ
ットを設けたテンプレートに金属を充填させ、加熱する
ことにより金属を溶融し、その後冷却することにより金
属を凝固させて球状とすることを特徴とする金属ボール
の形成方法。 - 【請求項2】 シリコン製基板に、異方性エッチング法
によりピットを形成してある、シリコン製のテンプレー
トを用いることを特徴とする請求項1記載の金属ボール
の形成方法。 - 【請求項3】 シリコン製基板に、リソグラフィ技術に
よってパターニングを施した後に異方性エッチング法に
よりピットを形成してある、シリコン製のテンプレート
を用いることを特徴とする請求項1記載の金属ボールの
形成方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP30750795A JPH09150296A (ja) | 1995-11-27 | 1995-11-27 | 金属ボールの形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP30750795A JPH09150296A (ja) | 1995-11-27 | 1995-11-27 | 金属ボールの形成方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH09150296A true JPH09150296A (ja) | 1997-06-10 |
Family
ID=17969918
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP30750795A Pending JPH09150296A (ja) | 1995-11-27 | 1995-11-27 | 金属ボールの形成方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH09150296A (ja) |
Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2002120091A (ja) * | 2000-10-13 | 2002-04-23 | New Japan Radio Co Ltd | ハンダ合金超微粒子の製造方法及びハンダペーストの製造方法 |
KR100952676B1 (ko) * | 2008-04-18 | 2010-04-13 | 주식회사 에이디피엔지니어링 | 솔더범프 형성용 템플릿 및 그의 제조방법 |
JP2011029395A (ja) * | 2009-07-24 | 2011-02-10 | Hitachi Metals Ltd | 電子部品用複合ボールの製造方法 |
WO2020004510A1 (ja) * | 2018-06-26 | 2020-01-02 | 日立化成株式会社 | 異方性導電フィルム及びその製造方法並びに接続構造体の製造方法 |
WO2020004511A1 (ja) * | 2018-06-26 | 2020-01-02 | 日立化成株式会社 | はんだ粒子及びはんだ粒子の製造方法 |
US12172240B2 (en) | 2018-06-26 | 2024-12-24 | Resonac Corporation | Solder particles |
-
1995
- 1995-11-27 JP JP30750795A patent/JPH09150296A/ja active Pending
Cited By (13)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2002120091A (ja) * | 2000-10-13 | 2002-04-23 | New Japan Radio Co Ltd | ハンダ合金超微粒子の製造方法及びハンダペーストの製造方法 |
JP4509347B2 (ja) * | 2000-10-13 | 2010-07-21 | 新日本無線株式会社 | ハンダ合金超微粒子の製造方法及びハンダペーストの製造方法 |
KR100952676B1 (ko) * | 2008-04-18 | 2010-04-13 | 주식회사 에이디피엔지니어링 | 솔더범프 형성용 템플릿 및 그의 제조방법 |
JP2011029395A (ja) * | 2009-07-24 | 2011-02-10 | Hitachi Metals Ltd | 電子部品用複合ボールの製造方法 |
CN112313032A (zh) * | 2018-06-26 | 2021-02-02 | 昭和电工材料株式会社 | 各向异性导电膜及其制造方法以及连接结构体的制造方法 |
WO2020004511A1 (ja) * | 2018-06-26 | 2020-01-02 | 日立化成株式会社 | はんだ粒子及びはんだ粒子の製造方法 |
WO2020004510A1 (ja) * | 2018-06-26 | 2020-01-02 | 日立化成株式会社 | 異方性導電フィルム及びその製造方法並びに接続構造体の製造方法 |
CN112313031A (zh) * | 2018-06-26 | 2021-02-02 | 昭和电工材料株式会社 | 焊料粒子及焊料粒子的制造方法 |
JPWO2020004511A1 (ja) * | 2018-06-26 | 2021-07-15 | 昭和電工マテリアルズ株式会社 | はんだ粒子及びはんだ粒子の製造方法 |
JPWO2020004510A1 (ja) * | 2018-06-26 | 2021-08-05 | 昭和電工マテリアルズ株式会社 | 異方性導電フィルム及びその製造方法並びに接続構造体の製造方法 |
TWI826476B (zh) * | 2018-06-26 | 2023-12-21 | 日商力森諾科股份有限公司 | 各向異性導電膜及其製造方法以及連接結構體的製造方法 |
US12172240B2 (en) | 2018-06-26 | 2024-12-24 | Resonac Corporation | Solder particles |
US12247270B2 (en) | 2018-06-26 | 2025-03-11 | Resonac Corporation | Anisotropic conductive film and method for producing the anisotropic conductive film including a base material having recesses and solder particles formed inside the recesses |
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