JPH09145749A - 電流検出回路 - Google Patents
電流検出回路Info
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- JPH09145749A JPH09145749A JP7311037A JP31103795A JPH09145749A JP H09145749 A JPH09145749 A JP H09145749A JP 7311037 A JP7311037 A JP 7311037A JP 31103795 A JP31103795 A JP 31103795A JP H09145749 A JPH09145749 A JP H09145749A
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- 101150110971 CIN7 gene Proteins 0.000 description 2
- 101150110298 INV1 gene Proteins 0.000 description 2
- 101100397044 Xenopus laevis invs-a gene Proteins 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 パワーＭＯＳの出力電流を高精度に検出す
る。 【解決手段】 パワーＭＯＳ１ａに並列にセンスＭＯＳ
１ｂを設け、フィードバック回路７により両ＭＯＳの端
子間電圧を一定にする。また、センスＭＯＳ１ｂの出力
端にローパスフィルタ５を設け、パワーＭＯＳ１ａをＰ
ＷＭ駆動した場合のリップル電流を除去する。ローパス
フィルタ５の出力端に定電流回路８を設けてセンス電流
ＩSEN を流し、電流ミラー回路Ｔｒ３、Ｔｒ４、Ｔｒ５
でミラーさせ、比較回路Ｔｒ６，Ｔｒ７，Ｔｒ８で基準
電流Ｉref と大小比較し、検出信号として出力する。電
流で比較するためＥＭＩノイズに強く、電流ミラーで複
数の基準電流と容易に比較できるため高精度に出力電流
を検出できる。
る。 【解決手段】 パワーＭＯＳ１ａに並列にセンスＭＯＳ
１ｂを設け、フィードバック回路７により両ＭＯＳの端
子間電圧を一定にする。また、センスＭＯＳ１ｂの出力
端にローパスフィルタ５を設け、パワーＭＯＳ１ａをＰ
ＷＭ駆動した場合のリップル電流を除去する。ローパス
フィルタ５の出力端に定電流回路８を設けてセンス電流
ＩSEN を流し、電流ミラー回路Ｔｒ３、Ｔｒ４、Ｔｒ５
でミラーさせ、比較回路Ｔｒ６，Ｔｒ７，Ｔｒ８で基準
電流Ｉref と大小比較し、検出信号として出力する。電
流で比較するためＥＭＩノイズに強く、電流ミラーで複
数の基準電流と容易に比較できるため高精度に出力電流
を検出できる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は電流検出回路、特に
ドライバＩＣ等に適用され、センスＭＯＳを用いた電流
検出回路に関する。
ドライバＩＣ等に適用され、センスＭＯＳを用いた電流
検出回路に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来より、アクチュエータの駆動信号等
を出力するドライバＩＣの出力ＭＯＳに流れる電流を高
精度に検出するための電流検出回路が知られている。
を出力するドライバＩＣの出力ＭＯＳに流れる電流を高
精度に検出するための電流検出回路が知られている。
【０００３】例えば、特開平７−１１３８２６号公報で
は、負荷電流を無損失で検出する半導体集積回路装置が
提案されており、パワーＭＯＳに流れる電流を一定の比
率で小電流にミラーする電流センス用ＭＯＳを設け、こ
のセンス用ＭＯＳに流れる電流をセンスＭＯＳに接続さ
れたセンス抵抗で検出する構成が開示されている。ま
た、これら２つのＭＯＳの端子間電圧を一定にするため
のフィードバック回路を設け、センス用ＭＯＳにミラー
される電流を高精度で決定し、小電流を安定に流す構成
も開示されている。
は、負荷電流を無損失で検出する半導体集積回路装置が
提案されており、パワーＭＯＳに流れる電流を一定の比
率で小電流にミラーする電流センス用ＭＯＳを設け、こ
のセンス用ＭＯＳに流れる電流をセンスＭＯＳに接続さ
れたセンス抵抗で検出する構成が開示されている。ま
た、これら２つのＭＯＳの端子間電圧を一定にするため
のフィードバック回路を設け、センス用ＭＯＳにミラー
される電流を高精度で決定し、小電流を安定に流す構成
も開示されている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、センス
抵抗で小電流を検出するため、センス抵抗をある程度大
きく設定しなければならず、ＥＭＩノイズ等の影響を受
けやすい問題がある。もちろん、このノイズの影響を受
けにくくするため単にセンス抵抗を小さく設定してしま
うと、今度はセンス電圧の検出が困難となる問題が生じ
る。また、センス抵抗に製造時のバラツキがあると、検
出精度が低下する問題もある。さらに、パワーＭＯＳを
ＰＷＭ駆動する場合には、センスＭＯＳを流れる小電流
にリップルが発生し、このためセンス電圧が変動して高
精度の電流検出が困難となる問題もある。
抵抗で小電流を検出するため、センス抵抗をある程度大
きく設定しなければならず、ＥＭＩノイズ等の影響を受
けやすい問題がある。もちろん、このノイズの影響を受
けにくくするため単にセンス抵抗を小さく設定してしま
うと、今度はセンス電圧の検出が困難となる問題が生じ
る。また、センス抵抗に製造時のバラツキがあると、検
出精度が低下する問題もある。さらに、パワーＭＯＳを
ＰＷＭ駆動する場合には、センスＭＯＳを流れる小電流
にリップルが発生し、このためセンス電圧が変動して高
精度の電流検出が困難となる問題もある。
【０００５】本発明は上記従来技術の課題に鑑みなされ
たものであり、その目的は、ノイズに強く、かつ高精度
にパワーＭＯＳ（出力ＭＯＳ）に流れる電流を検出する
ことが可能な電流検出回路を提供することにある。
たものであり、その目的は、ノイズに強く、かつ高精度
にパワーＭＯＳ（出力ＭＯＳ）に流れる電流を検出する
ことが可能な電流検出回路を提供することにある。
【０００６】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、第１の発明は、出力ＭＯＳに流れる電流を検出する
ための電流検出回路であって、出力ＭＯＳに流れる電流
を一定の比率でミラーするセンス用ＭＯＳと、前記出力
ＭＯＳ及びセンス用ＭＯＳの端子間電圧を一定にするた
めのフィードバック回路と、前記センスＭＯＳの出力端
に接続された電流検出抵抗と、前記電流検出抵抗に並列
に接続され前記電流検出抵抗と同値の抵抗を有する定電
流回路と、前記定電流回路に流れる電流をミラーさせ基
準電流と比較することにより検出信号を出力する比較回
路を有することを特徴とする。
に、第１の発明は、出力ＭＯＳに流れる電流を検出する
ための電流検出回路であって、出力ＭＯＳに流れる電流
を一定の比率でミラーするセンス用ＭＯＳと、前記出力
ＭＯＳ及びセンス用ＭＯＳの端子間電圧を一定にするた
めのフィードバック回路と、前記センスＭＯＳの出力端
に接続された電流検出抵抗と、前記電流検出抵抗に並列
に接続され前記電流検出抵抗と同値の抵抗を有する定電
流回路と、前記定電流回路に流れる電流をミラーさせ基
準電流と比較することにより検出信号を出力する比較回
路を有することを特徴とする。
【０００７】このように、センス抵抗の電圧を検出する
のではなく、定電流回路により電圧／電流変換を行って
電流値で基準電流と比較することにより、インピーダン
スを低く抑えてノイズの影響を低減することができる。
そして、定電流回路の抵抗値をセンス抵抗の抵抗値と同
値することにより、センス抵抗のバラツキによる特性の
変動をキャンセルすることができる。なお、電流ミラー
により基準電流とセンス電流を比較するので、複数の基
準値とセンス電流を比較する際にも必要な数だけセンス
電流をミラーさせればよいので、高精度の検出が可能と
なる。
のではなく、定電流回路により電圧／電流変換を行って
電流値で基準電流と比較することにより、インピーダン
スを低く抑えてノイズの影響を低減することができる。
そして、定電流回路の抵抗値をセンス抵抗の抵抗値と同
値することにより、センス抵抗のバラツキによる特性の
変動をキャンセルすることができる。なお、電流ミラー
により基準電流とセンス電流を比較するので、複数の基
準値とセンス電流を比較する際にも必要な数だけセンス
電流をミラーさせればよいので、高精度の検出が可能と
なる。
【０００８】また、上記目的を達成するために、第２の
発明は、第１の発明において、さらに、前記電流検出抵
抗と前記定電流回路間に、前記電流検出抵抗に生じるリ
ップル電流を低減するためのローパスフィルタを有する
ことを特徴とする。
発明は、第１の発明において、さらに、前記電流検出抵
抗と前記定電流回路間に、前記電流検出抵抗に生じるリ
ップル電流を低減するためのローパスフィルタを有する
ことを特徴とする。
【０００９】このように、ローパスフィルタを設けてリ
ップル成分を除去することにより、変動を防止して検出
精度の低下を防ぐことができる。
ップル成分を除去することにより、変動を防止して検出
精度の低下を防ぐことができる。
【００１０】
【発明の実施の形態】以下、図面に基づき本発明の実施
形態について説明する。
形態について説明する。
【００１１】図１には本実施形態の回路図が示されてい
る。１ａは電源Ｖｃｃ３に接続されているパワーＭＯＳ
（出力ＭＯＳ）であり、出力端子２からアクチュエータ
などに制御信号を出力する。車両に搭載される場合に
は、このＶｃｃはバッテリ電源である。また、１ｂはパ
ワーＭＯＳ１ａと並列に接続されたセンスＭＯＳであ
り、パワーＭＯＳ１ａとのサイズ比はＮ：１である。パ
ワーＭＯＳ１ａとセンスＭＯＳ１ｂのゲート端子には出
力駆動回路４が接続されており、所定のＰＷＭ駆動信号
をゲート端子に供給する。なお、パワーＭＯＳ１ａがＮ
型の場合には、昇圧回路等を用いて電源電圧Ｖｃｃより
高い電圧までゲート電圧を上げる働きもする。パワーＭ
ＯＳ１ａの出力端はオペアンプＯＰ１の非反転入力端子
に接続され、センスＭＯＳ１ｂの出力端はＯＰ１の反転
入力端子及びトランジスタＴｒ１のコレクタ端子に接続
される。ＯＰ１の出力端はＴｒ１のベース端子に接続さ
れており、ＯＰ１とＴｒ１でフィードバック回路７を構
成する。このフィードバック回路７により、パワーＭＯ
Ｓ１ａとセンスＭＯＳ１ｂの端子間電圧を一定に維持し
てセンスＭＯＳ１ｂに流れる電流を高精度に決定でき
る。そして、Ｔｒ１のエミッタ端子には電流検出抵抗Ｒ
１が接続される。
る。１ａは電源Ｖｃｃ３に接続されているパワーＭＯＳ
（出力ＭＯＳ）であり、出力端子２からアクチュエータ
などに制御信号を出力する。車両に搭載される場合に
は、このＶｃｃはバッテリ電源である。また、１ｂはパ
ワーＭＯＳ１ａと並列に接続されたセンスＭＯＳであ
り、パワーＭＯＳ１ａとのサイズ比はＮ：１である。パ
ワーＭＯＳ１ａとセンスＭＯＳ１ｂのゲート端子には出
力駆動回路４が接続されており、所定のＰＷＭ駆動信号
をゲート端子に供給する。なお、パワーＭＯＳ１ａがＮ
型の場合には、昇圧回路等を用いて電源電圧Ｖｃｃより
高い電圧までゲート電圧を上げる働きもする。パワーＭ
ＯＳ１ａの出力端はオペアンプＯＰ１の非反転入力端子
に接続され、センスＭＯＳ１ｂの出力端はＯＰ１の反転
入力端子及びトランジスタＴｒ１のコレクタ端子に接続
される。ＯＰ１の出力端はＴｒ１のベース端子に接続さ
れており、ＯＰ１とＴｒ１でフィードバック回路７を構
成する。このフィードバック回路７により、パワーＭＯ
Ｓ１ａとセンスＭＯＳ１ｂの端子間電圧を一定に維持し
てセンスＭＯＳ１ｂに流れる電流を高精度に決定でき
る。そして、Ｔｒ１のエミッタ端子には電流検出抵抗Ｒ
１が接続される。
【００１２】従来においては、この電流検出抵抗の端子
間電圧を検出することによりパワーＭＯＳに流れる電流
を検出していたため、ノイズ等の影響を受けやすく、ま
た、パワーＭＯＳ１ａをＰＷＭ駆動した場合にはリップ
ルによりセンス抵抗の端子間電圧が変動する問題もあっ
た。そこで、本実施形態では、以下のような回路構成を
新たに追加している。
間電圧を検出することによりパワーＭＯＳに流れる電流
を検出していたため、ノイズ等の影響を受けやすく、ま
た、パワーＭＯＳ１ａをＰＷＭ駆動した場合にはリップ
ルによりセンス抵抗の端子間電圧が変動する問題もあっ
た。そこで、本実施形態では、以下のような回路構成を
新たに追加している。
【００１３】すなわち、Ｔｒ１のエミッタ端子と抵抗Ｒ
１間に抵抗とキャパシタからなるローパスフィルタ５を
設け、抵抗Ｒ１に流れる電流のリップルを抑制して平滑
化する。また、ローパスフィルタ５の出力端はオペアン
プ２の非反転入力端子に接続され、ＯＰ２の出力端はト
ランジスタＴｒ２のベース端子に接続されている。Ｔｒ
２のコレクタ端子はトランジスタＴｒ３を介して電源Ｖ
ｃｃ３に接続され、エミッタ端子は抵抗Ｒ１と同値の抵
抗Ｒ２及びＯＰ２の反転入力端子に接続されている。こ
れらＯＰ２、Ｔｒ２及び抵抗Ｒ２は定電流回路８を構成
しており、抵抗Ｒ２は抵抗Ｒ１と同値であるので、出力
電流の１／Ｎのセンス電流ＩSEN がＴｒ２のコレクタ電
流として流れることになる。そして、このコレクタ電流
であるセンス電流ＩSEN を基準電流Ｉref と比較するこ
とにより、出力電流の大きさを検出する。具体的には、
センス電流ＩSEN をトランジスタＴｒ３、Ｔｒ４、Ｔｒ
５で構成される電流ミラー回路によりミラーさせ、トラ
ンジスタＴｒ６にセンス電流ＩSEN を供給する。Ｔｒ６
のベース端子はトランジスタＴｒ７のベース端子に接続
され、Ｔｒ７のコレクタ端子には基準電流Ｉref を流す
定電流源９及びトランジスタＴｒ８のベース端子に接続
されている。また、Ｔｒ８のコレクタ端子にはロジック
電源であるＶDD（５Ｖ）６が接続されている。従って、
Ｉref ＞ＩSEN の場合には、Ｔｒ７のベース電流が小さ
いため基準電流Ｉref によりＴｒ８がＯＮ駆動されてそ
のコレクタ電位がインバータＩＮＶ１を介して検出信号
（Ｈｉ）として出力され、一方Ｉref ＜ＩSEN の場合に
はＴｒ７にＩref が流れるためＴｒ８がＯＦＦし、ＶDD
の反転電位が検出信号（Ｌｏｗ）として出力される。そ
して、検出信号は図示しない制御ＣＰＵに供給され、こ
の検出信号に基づいてＣＰＵは出力駆動回路に制御信号
を出力し、パワーＭＯＳ１ａの出力電流を調整する。
１間に抵抗とキャパシタからなるローパスフィルタ５を
設け、抵抗Ｒ１に流れる電流のリップルを抑制して平滑
化する。また、ローパスフィルタ５の出力端はオペアン
プ２の非反転入力端子に接続され、ＯＰ２の出力端はト
ランジスタＴｒ２のベース端子に接続されている。Ｔｒ
２のコレクタ端子はトランジスタＴｒ３を介して電源Ｖ
ｃｃ３に接続され、エミッタ端子は抵抗Ｒ１と同値の抵
抗Ｒ２及びＯＰ２の反転入力端子に接続されている。こ
れらＯＰ２、Ｔｒ２及び抵抗Ｒ２は定電流回路８を構成
しており、抵抗Ｒ２は抵抗Ｒ１と同値であるので、出力
電流の１／Ｎのセンス電流ＩSEN がＴｒ２のコレクタ電
流として流れることになる。そして、このコレクタ電流
であるセンス電流ＩSEN を基準電流Ｉref と比較するこ
とにより、出力電流の大きさを検出する。具体的には、
センス電流ＩSEN をトランジスタＴｒ３、Ｔｒ４、Ｔｒ
５で構成される電流ミラー回路によりミラーさせ、トラ
ンジスタＴｒ６にセンス電流ＩSEN を供給する。Ｔｒ６
のベース端子はトランジスタＴｒ７のベース端子に接続
され、Ｔｒ７のコレクタ端子には基準電流Ｉref を流す
定電流源９及びトランジスタＴｒ８のベース端子に接続
されている。また、Ｔｒ８のコレクタ端子にはロジック
電源であるＶDD（５Ｖ）６が接続されている。従って、
Ｉref ＞ＩSEN の場合には、Ｔｒ７のベース電流が小さ
いため基準電流Ｉref によりＴｒ８がＯＮ駆動されてそ
のコレクタ電位がインバータＩＮＶ１を介して検出信号
（Ｈｉ）として出力され、一方Ｉref ＜ＩSEN の場合に
はＴｒ７にＩref が流れるためＴｒ８がＯＦＦし、ＶDD
の反転電位が検出信号（Ｌｏｗ）として出力される。そ
して、検出信号は図示しない制御ＣＰＵに供給され、こ
の検出信号に基づいてＣＰＵは出力駆動回路に制御信号
を出力し、パワーＭＯＳ１ａの出力電流を調整する。
【００１４】このように、本実施形態では、定電流回路
（ＯＰ２、Ｔｒ２及びＲ２）と電流ミラー回路を用いた
比較回路（Ｔｒ３、Ｔｒ４、Ｔｒ５、Ｔｒ６、Ｔｒ７、
Ｔｒ８、ＩＮＶ１）で電流値を比較することによりパワ
ーＭＯＳの出力電流を検出しているので、従来に比べて
ノイズの影響を低減することができる。また、抵抗Ｒ１
とＲ２を同一抵抗としているので、ＩＣ化した場合の製
造時のバラツキによる特性変動（抵抗値の変動）をキャ
ンセルできる。
（ＯＰ２、Ｔｒ２及びＲ２）と電流ミラー回路を用いた
比較回路（Ｔｒ３、Ｔｒ４、Ｔｒ５、Ｔｒ６、Ｔｒ７、
Ｔｒ８、ＩＮＶ１）で電流値を比較することによりパワ
ーＭＯＳの出力電流を検出しているので、従来に比べて
ノイズの影響を低減することができる。また、抵抗Ｒ１
とＲ２を同一抵抗としているので、ＩＣ化した場合の製
造時のバラツキによる特性変動（抵抗値の変動）をキャ
ンセルできる。
【００１５】さらに、本実施形態では、電流ミラー回路
を用いてセンス電流ＩSEN をミラーさせて基準電流と比
較しているので、複数の基準電流と比較する場合にも、
Ｔｒ５に相当するトランジスタをＴｒ５−１、Ｔｒ５−
２・・・と複数設けて必要なだけセンス電流をミラーさ
せて複数の基準電流Ｉref −１、Ｉref −２・・・と比
較することができ、これにより高精度に出力電流を検出
できる利点もある。
を用いてセンス電流ＩSEN をミラーさせて基準電流と比
較しているので、複数の基準電流と比較する場合にも、
Ｔｒ５に相当するトランジスタをＴｒ５−１、Ｔｒ５−
２・・・と複数設けて必要なだけセンス電流をミラーさ
せて複数の基準電流Ｉref −１、Ｉref −２・・・と比
較することができ、これにより高精度に出力電流を検出
できる利点もある。
【００１６】なお、本実施形態ではバイポーラ回路を用
いて構成したが、ＣＭＯＳ回路やＢｉＣＭＯＳ回路を用
いて構成することができるのは言うまでもない。
いて構成したが、ＣＭＯＳ回路やＢｉＣＭＯＳ回路を用
いて構成することができるのは言うまでもない。
【００１７】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
ノイズの影響を抑制してパワーＭＯＳ（出力ＭＯＳ）の
出力電流を高精度に検出することができる。
ノイズの影響を抑制してパワーＭＯＳ（出力ＭＯＳ）の
出力電流を高精度に検出することができる。
【図１】 本発明の実施形態の回路図である。
１ａ パワーＭＯＳ（出力ＭＯＳ）、１ｂ センスＭＯ
Ｓ、３ パワー電源、４ 出力駆動回路、５ ローパス
フィルタ、６ ロジック電源、７ フィードバック回
路、８ 定電流回路。
Ｓ、３ パワー電源、４ 出力駆動回路、５ ローパス
フィルタ、６ ロジック電源、７ フィードバック回
路、８ 定電流回路。
Claims (2)
- 【請求項１】 出力ＭＯＳに流れる電流を検出するため
の電流検出回路であって、 出力ＭＯＳに流れる電流を一定の比率でミラーするセン
ス用ＭＯＳと、 前記出力ＭＯＳ及びセンス用ＭＯＳの端子間電圧を一定
にするためのフィードバック回路と、 前記センスＭＯＳの出力端に接続された電流検出抵抗
と、 前記電流検出抵抗に並列に接続され前記電流検出抵抗と
同値の抵抗を有する定電流回路と、 前記定電流回路に流れる電流をミラーさせ、基準電流と
比較することにより検出信号を出力する比較回路と、 を有することを特徴とする電流検出回路。 - 【請求項２】 請求項１記載の電流検出回路において、
さらに、 前記電流検出抵抗と前記定電流回路間に、前記電流検出
抵抗に生じるリップル電流を低減するためのローパスフ
ィルタを有することを特徴とする電流検出回路。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7311037A JPH09145749A (ja) | 1995-11-29 | 1995-11-29 | 電流検出回路 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7311037A JPH09145749A (ja) | 1995-11-29 | 1995-11-29 | 電流検出回路 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09145749A true JPH09145749A (ja) | 1997-06-06 |
Family
ID=18012364
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7311037A Pending JPH09145749A (ja) | 1995-11-29 | 1995-11-29 | 電流検出回路 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH09145749A (ja) |
Cited By (18)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6222709B1 (en) | 1999-02-14 | 2001-04-24 | Yazaki Corporation | Device and method for supplying electric power to a load |
| US6229355B1 (en) | 1999-02-26 | 2001-05-08 | Yazaki Corporation | Switching device for suppressing a rush current |
| US6269011B1 (en) | 1999-02-14 | 2001-07-31 | Yazaki Corporation | Power supply system having semiconductor active fuse |
| US6313690B1 (en) | 1999-02-14 | 2001-11-06 | Yazaki Corporation | Semiconductor switching device with leakage current detecting junction |
| US6356138B1 (en) | 1999-02-14 | 2002-03-12 | Yazaki Corporation | Switching device with break detecting function |
| US6377428B1 (en) | 1999-02-26 | 2002-04-23 | Yakaki Corporation | Switching device having the capability of detecting an abnormality |
| US6392859B1 (en) | 1999-02-14 | 2002-05-21 | Yazaki Corporation | Semiconductor active fuse for AC power line and bidirectional switching device for the fuse |
| US6400545B1 (en) | 1999-02-19 | 2002-06-04 | Yazaki Corporation | Fuseless dc-dc converter |
| US6441557B1 (en) | 1999-02-26 | 2002-08-27 | Yazaki Corporation | Auto light-control system |
| US6441679B1 (en) | 2000-02-14 | 2002-08-27 | Yazaki Corporation | Semiconductor active fuse operating at higher supply voltage employing current oscillation |
| US6459167B1 (en) | 1999-02-26 | 2002-10-01 | Yazaki Corporation | System for controlling electromotive force of motor of electric vehicle |
| WO2004104606A1 (ja) * | 2003-05-21 | 2004-12-02 | Advantest Corporation | 電源装置、試験装置及び電源電圧安定化装置 |
| EP1585221A1 (en) * | 2003-01-16 | 2005-10-12 | Shindengen Electric Manufacturing Company, Limited | Switching circuit |
| US7248452B2 (en) | 2002-07-12 | 2007-07-24 | Yazaki Corporation | Method of protecting semiconductor device and protection apparatus for semiconductor device using the same |
| JP2009213329A (ja) * | 2008-03-06 | 2009-09-17 | Ricoh Co Ltd | 充電制御回路 |
| JP2012186899A (ja) * | 2011-03-04 | 2012-09-27 | Mitsubishi Electric Corp | パワーモジュール |
| JP2014158281A (ja) * | 2014-04-23 | 2014-08-28 | Mitsubishi Electric Corp | パワーモジュール |
| US12062904B2 (en) | 2019-04-11 | 2024-08-13 | Denso Corporation | Current sense circuit |
-
1995
- 1995-11-29 JP JP7311037A patent/JPH09145749A/ja active Pending
Cited By (22)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6392859B1 (en) | 1999-02-14 | 2002-05-21 | Yazaki Corporation | Semiconductor active fuse for AC power line and bidirectional switching device for the fuse |
| US6222709B1 (en) | 1999-02-14 | 2001-04-24 | Yazaki Corporation | Device and method for supplying electric power to a load |
| US6269011B1 (en) | 1999-02-14 | 2001-07-31 | Yazaki Corporation | Power supply system having semiconductor active fuse |
| US6313690B1 (en) | 1999-02-14 | 2001-11-06 | Yazaki Corporation | Semiconductor switching device with leakage current detecting junction |
| US6356138B1 (en) | 1999-02-14 | 2002-03-12 | Yazaki Corporation | Switching device with break detecting function |
| US6400545B1 (en) | 1999-02-19 | 2002-06-04 | Yazaki Corporation | Fuseless dc-dc converter |
| US6459167B1 (en) | 1999-02-26 | 2002-10-01 | Yazaki Corporation | System for controlling electromotive force of motor of electric vehicle |
| US6377428B1 (en) | 1999-02-26 | 2002-04-23 | Yakaki Corporation | Switching device having the capability of detecting an abnormality |
| US6441557B1 (en) | 1999-02-26 | 2002-08-27 | Yazaki Corporation | Auto light-control system |
| US6229355B1 (en) | 1999-02-26 | 2001-05-08 | Yazaki Corporation | Switching device for suppressing a rush current |
| US6441679B1 (en) | 2000-02-14 | 2002-08-27 | Yazaki Corporation | Semiconductor active fuse operating at higher supply voltage employing current oscillation |
| US7248452B2 (en) | 2002-07-12 | 2007-07-24 | Yazaki Corporation | Method of protecting semiconductor device and protection apparatus for semiconductor device using the same |
| EP1585221A4 (en) * | 2003-01-16 | 2006-04-26 | Shindengen Electric Mfg | SWITCHING NETWORK |
| EP1585221A1 (en) * | 2003-01-16 | 2005-10-12 | Shindengen Electric Manufacturing Company, Limited | Switching circuit |
| US7221208B2 (en) | 2003-01-16 | 2007-05-22 | Shindengen Electric Manufacturing Co., Ltd. | Switching circuit |
| WO2004104606A1 (ja) * | 2003-05-21 | 2004-12-02 | Advantest Corporation | 電源装置、試験装置及び電源電圧安定化装置 |
| US7330024B2 (en) | 2003-05-21 | 2008-02-12 | Advantest Corporation | Power supply device, test apparatus, and power supply voltage stabilizing device |
| JP2009213329A (ja) * | 2008-03-06 | 2009-09-17 | Ricoh Co Ltd | 充電制御回路 |
| JP2012186899A (ja) * | 2011-03-04 | 2012-09-27 | Mitsubishi Electric Corp | パワーモジュール |
| US9007736B2 (en) | 2011-03-04 | 2015-04-14 | Mitsubishi Electric Corporation | Power module |
| JP2014158281A (ja) * | 2014-04-23 | 2014-08-28 | Mitsubishi Electric Corp | パワーモジュール |
| US12062904B2 (en) | 2019-04-11 | 2024-08-13 | Denso Corporation | Current sense circuit |
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