JPH09118512A - トリクロロシランの製造方法 - Google Patents
トリクロロシランの製造方法Info
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- JPH09118512A JPH09118512A JP8246444A JP24644496A JPH09118512A JP H09118512 A JPH09118512 A JP H09118512A JP 8246444 A JP8246444 A JP 8246444A JP 24644496 A JP24644496 A JP 24644496A JP H09118512 A JPH09118512 A JP H09118512A
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- ZDHXKXAHOVTTAH-UHFFFAOYSA-N trichlorosilane Chemical compound Cl[SiH](Cl)Cl ZDHXKXAHOVTTAH-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims abstract description 25
- 239000005052 trichlorosilane Substances 0.000 title claims abstract description 25
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 11
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims abstract description 42
- 239000011856 silicon-based particle Substances 0.000 claims abstract description 20
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims abstract description 17
- FDNAPBUWERUEDA-UHFFFAOYSA-N silicon tetrachloride Chemical compound Cl[Si](Cl)(Cl)Cl FDNAPBUWERUEDA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 16
- 239000012495 reaction gas Substances 0.000 claims abstract description 14
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 claims abstract description 7
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 claims abstract description 7
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 4
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims abstract description 4
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 12
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 12
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 12
- 230000005855 radiation Effects 0.000 claims description 4
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 claims description 3
- 238000005979 thermal decomposition reaction Methods 0.000 claims description 2
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 abstract 1
- 230000002285 radioactive effect Effects 0.000 abstract 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 7
- 239000000047 product Substances 0.000 description 6
- 150000002431 hydrogen Chemical class 0.000 description 3
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000003054 catalyst Substances 0.000 description 2
- ORTQZVOHEJQUHG-UHFFFAOYSA-L copper(II) chloride Chemical compound Cl[Cu]Cl ORTQZVOHEJQUHG-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N Hydrochloric acid Chemical compound Cl VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- 239000006227 byproduct Substances 0.000 description 1
- 239000012159 carrier gas Substances 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 1
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 1
- 238000005265 energy consumption Methods 0.000 description 1
- 229910000041 hydrogen chloride Inorganic materials 0.000 description 1
- IXCSERBJSXMMFS-UHFFFAOYSA-N hydrogen chloride Substances Cl.Cl IXCSERBJSXMMFS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000002441 reversible effect Effects 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 239000013589 supplement Substances 0.000 description 1
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
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- C01B33/00—Silicon; Compounds thereof
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
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- C01B—NON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
- C01B33/00—Silicon; Compounds thereof
- C01B33/02—Silicon
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-
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- C01B33/08—Compounds containing halogen
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- C01B33/10742—Tetrachloride, trichlorosilane or silicochloroform, dichlorosilane, monochlorosilane or mixtures thereof prepared by hydrochlorination of silicon or of a silicon-containing material
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-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
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- C01B—NON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
- C01B33/00—Silicon; Compounds thereof
- C01B33/08—Compounds containing halogen
- C01B33/107—Halogenated silanes
- C01B33/10778—Purification
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
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- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 流動床反応容器におけるテトラクロロシラン
の還元によりトリクロロシランを高変換率及び低エネル
ギーで製造すること。 【解決手段】 ａ）反応容器中にシリコン粒子の流動床
を設置し、 ｂ）該反応容器にマイクロ波放射線をかけることにより
該シリコン粒子を３００〜１１００℃に加熱し、 ｃ）テトラクロロシラン及び水素を含む反応ガスを該流
動床を通過させて反応ガスとシリコン粒子を反応させる
ことにより、トリクロロシランを含む生成ガスを生成さ
せ、 ｄ）該生成ガスを反応容器から除去することから成る、
流動床反応容器におけるテトラクロロシランの還元によ
るトリクロロシランの製造方法。
の還元によりトリクロロシランを高変換率及び低エネル
ギーで製造すること。 【解決手段】 ａ）反応容器中にシリコン粒子の流動床
を設置し、 ｂ）該反応容器にマイクロ波放射線をかけることにより
該シリコン粒子を３００〜１１００℃に加熱し、 ｃ）テトラクロロシラン及び水素を含む反応ガスを該流
動床を通過させて反応ガスとシリコン粒子を反応させる
ことにより、トリクロロシランを含む生成ガスを生成さ
せ、 ｄ）該生成ガスを反応容器から除去することから成る、
流動床反応容器におけるテトラクロロシランの還元によ
るトリクロロシランの製造方法。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、流動床反応容器に
おけるテトラクロロシランの還元によるトリクロロシラ
ンの製造方法に関する。
おけるテトラクロロシランの還元によるトリクロロシラ
ンの製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】テトラクロロシランは、特にトリクロロ
シランの熱分解により高純度シリコンの蒸着で生成され
る化学物質である。また、流動床反応容器で塩化水素と
シリコンを反応させることにより製造されるトリクロロ
シランの製造により副生物として発生する。大量の工業
的に製造されたテトラクロロシランは高純度シリコン生
成物用にトリクロロシランに還元される。米国特許４，
５２６，７６９号によれば、該方法は流動床反応容器で
行われ、その場合には以下の可逆反応式が適用される。 ３ＳｉＣｌ4 ＋２Ｈ2 ＋Ｓｉ ⇔ ４ＨＳｉＣｌ3 該特許はテトラクロロシランの変換率はとりわけ反応温
度、テトラクロロシランと水素の設定割合、塩化銅触媒
の機能によることを開示する。
シランの熱分解により高純度シリコンの蒸着で生成され
る化学物質である。また、流動床反応容器で塩化水素と
シリコンを反応させることにより製造されるトリクロロ
シランの製造により副生物として発生する。大量の工業
的に製造されたテトラクロロシランは高純度シリコン生
成物用にトリクロロシランに還元される。米国特許４，
５２６，７６９号によれば、該方法は流動床反応容器で
行われ、その場合には以下の可逆反応式が適用される。 ３ＳｉＣｌ4 ＋２Ｈ2 ＋Ｓｉ ⇔ ４ＨＳｉＣｌ3 該特許はテトラクロロシランの変換率はとりわけ反応温
度、テトラクロロシランと水素の設定割合、塩化銅触媒
の機能によることを開示する。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は上記方
法の改良にあり、トリクロロシランへの変換率の増加を
達成することにある。
法の改良にあり、トリクロロシランへの変換率の増加を
達成することにある。
【０００４】
【課題を解決するための手段】本発明の目的は以下の構
成によって達成された。 ａ）反応容器中にシリコン粒子の流動床を設置し、 ｂ）反応容器にマイクロ波放射線をかけることによりシ
リコン粒子を３００〜１１００℃に加熱し、 ｃ）テトラクロロシラン及び水素を含む反応ガスを該流
動床を通過させて反応ガスとシリコン粒子を反応させる
ことにより、トリクロロシランを含む生成ガスを生成さ
せ、 ｄ）該生成ガスを反応容器から除去することから成る、
流動床反応容器におけるテトラクロロシランの還元によ
るトリクロロシランの製造方法。本発明方法により、ト
リクロロシランは高い変換率及び低エネルギー消費で製
造される。また、生成物を汚染する塩化銅触媒の使用は
不要となる。
成によって達成された。 ａ）反応容器中にシリコン粒子の流動床を設置し、 ｂ）反応容器にマイクロ波放射線をかけることによりシ
リコン粒子を３００〜１１００℃に加熱し、 ｃ）テトラクロロシラン及び水素を含む反応ガスを該流
動床を通過させて反応ガスとシリコン粒子を反応させる
ことにより、トリクロロシランを含む生成ガスを生成さ
せ、 ｄ）該生成ガスを反応容器から除去することから成る、
流動床反応容器におけるテトラクロロシランの還元によ
るトリクロロシランの製造方法。本発明方法により、ト
リクロロシランは高い変換率及び低エネルギー消費で製
造される。また、生成物を汚染する塩化銅触媒の使用は
不要となる。
【０００５】
【発明の実施の形態】本発明による省エネルギーは、主
として、シリコン粒子と直接に相互作用して該粒子を反
応容器壁なしで反応温度に加熱するマイクロ波放射線及
び同時に加熱される反応ガスによりもたらされる。これ
は反応容器の材料寿命を延ばし、それによりサービス寿
命を長くすることが可能となり、腐食抵抗に対して緩和
された条件を反応材料に適用できる。流動床は反応ガ
ス、場合により不活性ガス若しくは水素でもよい、を所
定の圧力下、底部から反応容器に供給されたシリコン粒
子の床を通すことにより設置される。シリコン粒子はマ
イクロ波照射により反応温度となる。この方法はシリコ
ン粒子の床を通過したガスを予熱することにより促進す
ることもできる。変換反応はシリコン粒子が３００〜１
１００℃、好ましくは５００〜７００℃という反応必要
温度となり、温度２０〜５０℃の反応ガスが床を通過し
たとき始まる。
として、シリコン粒子と直接に相互作用して該粒子を反
応容器壁なしで反応温度に加熱するマイクロ波放射線及
び同時に加熱される反応ガスによりもたらされる。これ
は反応容器の材料寿命を延ばし、それによりサービス寿
命を長くすることが可能となり、腐食抵抗に対して緩和
された条件を反応材料に適用できる。流動床は反応ガ
ス、場合により不活性ガス若しくは水素でもよい、を所
定の圧力下、底部から反応容器に供給されたシリコン粒
子の床を通すことにより設置される。シリコン粒子はマ
イクロ波照射により反応温度となる。この方法はシリコ
ン粒子の床を通過したガスを予熱することにより促進す
ることもできる。変換反応はシリコン粒子が３００〜１
１００℃、好ましくは５００〜７００℃という反応必要
温度となり、温度２０〜５０℃の反応ガスが床を通過し
たとき始まる。
【０００６】加熱のために用いられるマイクロ波放射線
の周波数は５００〜５０００ＭＨｚ、好ましくは１００
０〜１５００ＭＨｚである。反応容器に供給されるシリ
コン粒子の平均直径は５０〜５０００μｍ、特に好まし
くは５００〜３０００μｍである。
の周波数は５００〜５０００ＭＨｚ、好ましくは１００
０〜１５００ＭＨｚである。反応容器に供給されるシリ
コン粒子の平均直径は５０〜５０００μｍ、特に好まし
くは５００〜３０００μｍである。
【０００７】反応ガスはテトラクロロシランと水素を含
み、また、例えば窒素あるいはアルゴン等の反応に関与
しないキャリアーガスを含んでもよい。反応ガス中のテ
トラクロロシランと水素のモル比は３：１〜１：１０、
好ましくは３：２〜５：３である。テトラクロロシラン
は反応において不完全に変換されるため、反応容器から
出る生成ガスは所望のトリクロロシランに加えて、反応
ガスの化合物をさらに含有する。そのため、生成ガスか
らトリクロロシランを分離し残留ガスを反応ガスとして
反応容器に循環させる。また、生成ガスから分離された
トリクロロシランは、蒸着反応容器（ＣＶＤ反応容器）
で熱分解され、シリコン元素を生成してもよい。
み、また、例えば窒素あるいはアルゴン等の反応に関与
しないキャリアーガスを含んでもよい。反応ガス中のテ
トラクロロシランと水素のモル比は３：１〜１：１０、
好ましくは３：２〜５：３である。テトラクロロシラン
は反応において不完全に変換されるため、反応容器から
出る生成ガスは所望のトリクロロシランに加えて、反応
ガスの化合物をさらに含有する。そのため、生成ガスか
らトリクロロシランを分離し残留ガスを反応ガスとして
反応容器に循環させる。また、生成ガスから分離された
トリクロロシランは、蒸着反応容器（ＣＶＤ反応容器）
で熱分解され、シリコン元素を生成してもよい。
【０００８】シリコンは上記反応式によりテトラクロロ
シランの還元により消費されるため、シリコン消費を補
うために連続式あるいはバッチ式で供給される。好まし
くは、シリコン粒子は、反応に関連したシリコン消費に
応じて、連続的に反応容器に供給される。生成ガスから
分離されたトリクロロシランは、好ましくは高純度シリ
コンの製造に使用される。これは、例えば、シーメンス
（Ｓｉｅｍｅｎｓ）法又は米国特許第４，９００，４１
１号に最初に記載された方法によって達成される。
シランの還元により消費されるため、シリコン消費を補
うために連続式あるいはバッチ式で供給される。好まし
くは、シリコン粒子は、反応に関連したシリコン消費に
応じて、連続的に反応容器に供給される。生成ガスから
分離されたトリクロロシランは、好ましくは高純度シリ
コンの製造に使用される。これは、例えば、シーメンス
（Ｓｉｅｍｅｎｓ）法又は米国特許第４，９００，４１
１号に最初に記載された方法によって達成される。
【０００９】ポリ結晶シリコン製造のために該特許又は
米国特許第５，３８２，４１２号に記載された装置を原
則的に本発明の実施にあたり使用することができる。し
たがって、これらの文献についてここに言及する。当業
者はそれらに記載された装置を本発明の方法に適宜適用
させることができる。例えば、反応容器からシリコン粒
子を取り出すための装置を省いてもよい。また、シリコ
ン粒子床を受ける反応容器の低部を円錐形のテーパー状
に設計しても有益であることも確認されている。
米国特許第５，３８２，４１２号に記載された装置を原
則的に本発明の実施にあたり使用することができる。し
たがって、これらの文献についてここに言及する。当業
者はそれらに記載された装置を本発明の方法に適宜適用
させることができる。例えば、反応容器からシリコン粒
子を取り出すための装置を省いてもよい。また、シリコ
ン粒子床を受ける反応容器の低部を円錐形のテーパー状
に設計しても有益であることも確認されている。
【００１０】一方、本発明はポリ結晶シリコン製造用装
置から望ましくないシリコン沈着をきれいにすることに
も使用できる。この場合、沈着物はシリコン粒子とな
り、反応過程に必要なシリコンを供給するので、流動床
は不要である。
置から望ましくないシリコン沈着をきれいにすることに
も使用できる。この場合、沈着物はシリコン粒子とな
り、反応過程に必要なシリコンを供給するので、流動床
は不要である。
【００１１】
【発明の効果】本発明により、トリクロロシランを高変
換率及び低エネルギーで製造することが可能となる。
換率及び低エネルギーで製造することが可能となる。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 フランツ・ケップル ドイツ連邦共和国 エールバッハ、スピー ルベルグ 40 (72)発明者 フランツ・シュライーダー ドイツ連邦共和国 ターン、ノップリンガ ー・シュトラーセ 41
Claims (4)
- 【請求項１】 ａ）反応容器中にシリコン粒子の流動床
を設置し、 ｂ）該反応容器にマイクロ波放射線をかけることにより
該シリコン粒子を３００〜１１００℃に加熱し、 ｃ）テトラクロロシラン及び水素を含む反応ガスを該流
動床を通過させて反応ガスとシリコン粒子を反応させる
ことにより、トリクロロシランを含む生成ガスを生成さ
せ、 ｄ）該生成ガスを反応容器から除去することから成る、
流動床反応容器におけるテトラクロロシランの還元によ
るトリクロロシランの製造方法。 - 【請求項２】 シリコンの反応による消費が反応容器へ
のシリコン粒子の連続供給により補われることを特徴と
する請求項１に記載のトリクロロシランの製造方法。 - 【請求項３】 生成ガスがトリクロロシラン及び残留ガ
スに分離され、該残留ガスは反応ガスとして反応容器に
循環されることを特徴とする請求項１又は２に記載のト
リクロロシランの製造方法。 - 【請求項４】 生成ガスがトリクロロシラン及び残留ガ
スに分離され、該トリクロロシランは蒸着反応容器（Ｃ
ＶＤ反応容器）で熱分解され、シリコン元素が生成され
ることを特徴とする請求項１、２又は３に記載のトリク
ロロシランの製造方法。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DE195-34-922-9 | 1995-09-21 | ||
| DE19534922A DE19534922C1 (de) | 1995-09-21 | 1995-09-21 | Verfahren zur Herstellung von Trichlorsilan und Silicium |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09118512A true JPH09118512A (ja) | 1997-05-06 |
| JP2890253B2 JP2890253B2 (ja) | 1999-05-10 |
Family
ID=7772678
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8246444A Expired - Lifetime JP2890253B2 (ja) | 1995-09-21 | 1996-09-18 | トリクロロシランの製造方法 |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2890253B2 (ja) |
| KR (1) | KR970015462A (ja) |
| CA (1) | CA2185981A1 (ja) |
| DE (1) | DE19534922C1 (ja) |
| IT (1) | IT1284881B1 (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008184378A (ja) * | 2007-01-31 | 2008-08-14 | Osaka Titanium Technologies Co Ltd | 高純度トリクロロシランの製造方法 |
| JP2009062211A (ja) * | 2007-09-05 | 2009-03-26 | Shin Etsu Chem Co Ltd | トリクロロシランの製造方法および多結晶シリコンの製造方法 |
| JP2011502951A (ja) * | 2006-12-01 | 2011-01-27 | ロストン ファミリー エルエルシー | アルコキシシランの調製工程 |
| WO2011102265A1 (ja) * | 2010-02-18 | 2011-08-25 | 株式会社トクヤマ | トリクロロシランの製造方法 |
| WO2016031362A1 (ja) * | 2014-08-28 | 2016-03-03 | 東亞合成株式会社 | トリクロロシランの製造方法 |
Families Citing this family (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE19735378A1 (de) * | 1997-08-14 | 1999-02-18 | Wacker Chemie Gmbh | Verfahren zur Herstellung von hochreinem Siliciumgranulat |
| KR100333351B1 (ko) * | 2000-04-26 | 2002-04-19 | 박종섭 | 데이터 레벨 안정화 회로 |
| WO2003087107A2 (de) * | 2002-04-17 | 2003-10-23 | Wacker-Chemie Gmbh | Verfahren zur herstellung von halosilanen unter mikrowellenenergiebeaufschlagung |
| DE102007041803A1 (de) * | 2007-08-30 | 2009-03-05 | Pv Silicon Forschungs Und Produktions Gmbh | Verfahren zur Herstellung von polykristallinen Siliziumstäben und polykristalliner Siliziumstab |
| KR101117290B1 (ko) * | 2009-04-20 | 2012-03-20 | 에이디알엠테크놀로지 주식회사 | 삼염화실란가스 제조용 반응장치 |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE1935895B2 (de) * | 1969-07-15 | 1971-06-03 | Deutsche Gold und Silber Scheide anstalt vormals Roessler, 6000 Frankfurt | Verfahren zur herstellung von silikochloroform |
| US4526769A (en) * | 1983-07-18 | 1985-07-02 | Motorola, Inc. | Trichlorosilane production process |
-
1995
- 1995-09-21 DE DE19534922A patent/DE19534922C1/de not_active Expired - Fee Related
-
1996
- 1996-08-27 IT IT96RM000596A patent/IT1284881B1/it active IP Right Grant
- 1996-09-13 KR KR1019960039747A patent/KR970015462A/ko not_active Application Discontinuation
- 1996-09-18 JP JP8246444A patent/JP2890253B2/ja not_active Expired - Lifetime
- 1996-09-19 CA CA002185981A patent/CA2185981A1/en not_active Abandoned
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2011502951A (ja) * | 2006-12-01 | 2011-01-27 | ロストン ファミリー エルエルシー | アルコキシシランの調製工程 |
| JP2008184378A (ja) * | 2007-01-31 | 2008-08-14 | Osaka Titanium Technologies Co Ltd | 高純度トリクロロシランの製造方法 |
| JP2009062211A (ja) * | 2007-09-05 | 2009-03-26 | Shin Etsu Chem Co Ltd | トリクロロシランの製造方法および多結晶シリコンの製造方法 |
| US8293076B2 (en) | 2007-09-05 | 2012-10-23 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Method for producing trichlorosilane and method for producing polycrystalline silicon |
| WO2011102265A1 (ja) * | 2010-02-18 | 2011-08-25 | 株式会社トクヤマ | トリクロロシランの製造方法 |
| JP2011168443A (ja) * | 2010-02-18 | 2011-09-01 | Tokuyama Corp | トリクロロシランの製造方法 |
| US9321653B2 (en) | 2010-02-18 | 2016-04-26 | Tokuyama Corporation | Process for producing trichlorosilane |
| WO2016031362A1 (ja) * | 2014-08-28 | 2016-03-03 | 東亞合成株式会社 | トリクロロシランの製造方法 |
| JPWO2016031362A1 (ja) * | 2014-08-28 | 2017-07-13 | 東亞合成株式会社 | トリクロロシランの製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| ITRM960596A1 (it) | 1998-02-27 |
| DE19534922C1 (de) | 1997-02-20 |
| JP2890253B2 (ja) | 1999-05-10 |
| IT1284881B1 (it) | 1998-05-22 |
| CA2185981A1 (en) | 1997-03-22 |
| KR970015462A (ko) | 1997-04-28 |
| ITRM960596A0 (ja) | 1996-08-27 |
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