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JPH09107015A - Substrate processing equipment - Google Patents

Substrate processing equipment

Info

Publication number
JPH09107015A
JPH09107015A JP8223149A JP22314996A JPH09107015A JP H09107015 A JPH09107015 A JP H09107015A JP 8223149 A JP8223149 A JP 8223149A JP 22314996 A JP22314996 A JP 22314996A JP H09107015 A JPH09107015 A JP H09107015A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
substrate
chamber
transfer chamber
wafer
processing apparatus
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP8223149A
Other languages
Japanese (ja)
Other versions
JP3150620B2 (en
Inventor
Shuji Yonemitsu
修司 米満
Riichi Kano
利一 狩野
Hisashi Yoshida
久志 吉田
Shinichiro Watabiki
真一郎 綿引
Yuji Yoshida
祐治 吉田
Hideo Shimura
日出男 志村
Takeshi Sugimoto
毅 杉本
Yukinori Yuya
幸則 油谷
Kazuto Ikeda
和人 池田
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Kokusai Denki Electric Inc
Original Assignee
Kokusai Electric Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Kokusai Electric Co Ltd filed Critical Kokusai Electric Co Ltd
Priority to JP22314996A priority Critical patent/JP3150620B2/en
Publication of JPH09107015A publication Critical patent/JPH09107015A/en
Application granted granted Critical
Publication of JP3150620B2 publication Critical patent/JP3150620B2/en
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Lifetime legal-status Critical Current

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Landscapes

  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【課題】昇降機等によって装置内が汚染されることを防
止できる基板処理装置を提供する 【解決手段】ウェーハ搬送室50の壁53に複数の反応
室70を積層して設ける。ウェーハ搬送室50の壁54
にウェーハ収容室30を設ける。カセット10を保持す
るカセット棚11を設ける。ウェーハ搬送室50を真空
引きできるように構成し、その内部にはウェーハ搬送真
空ロボット60を設ける。ウェーハ搬送室50の底面5
6に貫通孔57を設ける。ウェーハ搬送室50の外部の
下側にはボールねじ(ねじ軸561、ナット565)を
設ける。ナット565に昇降台564を固定し、昇降台
564にウェーハ搬送真空ロボット支持棒563の一端
を固定し、その他端はウェーハ搬送真空ロボット60に
固定する。ベロー562の両端を気密に固定する。
(57) Abstract: A substrate processing apparatus capable of preventing the inside of the apparatus from being contaminated by an elevator or the like is provided. A plurality of reaction chambers 70 are stacked on a wall 53 of a wafer transfer chamber 50. . Wall 54 of wafer transfer chamber 50
A wafer storage chamber 30 is provided in the. A cassette shelf 11 for holding the cassette 10 is provided. The wafer transfer chamber 50 is constructed so that it can be evacuated, and a wafer transfer vacuum robot 60 is provided inside it. Bottom surface 5 of wafer transfer chamber 50
6 is provided with a through hole 57. A ball screw (screw shaft 561, nut 565) is provided below the outside of the wafer transfer chamber 50. The lift 564 is fixed to the nut 565, one end of the wafer transfer vacuum robot support rod 563 is fixed to the lift 564, and the other end is fixed to the wafer transfer vacuum robot 60. Both ends of the bellows 562 are airtightly fixed.

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は基板処理装置に関
し、特に半導体ウェーハ処理装置に関する。
The present invention relates to a substrate processing apparatus, and more particularly to a semiconductor wafer processing apparatus.

【0002】[0002]

【従来の技術】従来、半導体ウェーハ処理装置の専有面
積を小さくするために、例えば、図14に示すような半
導体ウェーハ処理装置が提案されている(特開平5−1
52215号参照。)。
2. Description of the Related Art Conventionally, in order to reduce the area occupied by a semiconductor wafer processing apparatus, for example, a semiconductor wafer processing apparatus as shown in FIG. 14 has been proposed (JP-A-5-1).
See 52215. ).

【0003】この半導体ウェーハ処理装置2000にお
いては、複数の反応室204を設置床面に対して垂直方
向に積み重ねることによって半導体ウェーハ処理装置2
000の専有床面積を小さくしている。
In this semiconductor wafer processing apparatus 2000, the semiconductor wafer processing apparatus 2 is constructed by stacking a plurality of reaction chambers 204 in a direction perpendicular to the installation floor surface.
000 has a smaller floor area.

【0004】[0004]

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、この半
導体ウェーハ処理装置2000においては、ウェーハ搬
送室205内にウェーハ搬送ロボット202とこのウェ
ーハ搬送ロボット202を上下に昇降させるロボット昇
降機201を設け、ロボット昇降機201によってウェ
ーハ搬送ロボット202を上下に昇降させて、ウェーハ
搬送ロボット202によりゲートバルブ203を介して
半導体ウェーハを反応室204に搬入/搬出している。
However, in the semiconductor wafer processing apparatus 2000, the wafer transfer robot 202 and the robot lifter 201 for moving the wafer transfer robot 202 up and down are provided in the wafer transfer chamber 205, and the robot lifter 201 is provided. The wafer transfer robot 202 is moved up and down by means of the wafer transfer robot 202 to load / unload the semiconductor wafer into / from the reaction chamber 204 via the gate valve 203.

【0005】このように、従来の半導体ウェーハ処理装
置2000においては、ロボット昇降機201をウェー
ハ搬送室205内に設けていたから、ウェーハ搬送室2
05内、ひいては反応室204内も汚染され、その結
果、この半導体ウェーハ処理装置2000によって処理
されたウェーハも汚染されて、半導体装置製造時の歩留
まりを悪くする原因となっていたという問題があった。
As described above, in the conventional semiconductor wafer processing apparatus 2000, since the robot elevator 201 is provided in the wafer transfer chamber 205, the wafer transfer chamber 2
There is a problem that the inside of 05 and by extension, the inside of the reaction chamber 204 is also contaminated, and as a result, the wafer processed by the semiconductor wafer processing apparatus 2000 is also contaminated, which causes the yield at the time of manufacturing the semiconductor device to be deteriorated. .

【0006】従って、本発明の目的は、昇降機等によっ
て装置内が汚染されることを防止できる基板処理装置を
提供することにある。
Therefore, an object of the present invention is to provide a substrate processing apparatus capable of preventing the inside of the apparatus from being contaminated by an elevator or the like.

【0007】[0007]

【課題を解決するための手段】本発明によれば、減圧可
能な基板搬送室と、前記基板搬送室の第1の側壁に鉛直
方向に積み重ねられて設けられた複数の基板処理室と、
前記複数の基板処理室と前記基板搬送室との間にそれぞ
れ設けられた複数の第1のバルブであって、閉じた場合
には前記基板処理室と前記基板搬送室との間を真空的に
気密にすることができ、開いた場合には基板がその内部
を通って移動可能な複数の第1のバルブと、前記基板搬
送室の第2の側壁に設けられた基板収容室と、前記基板
搬送室内に設けられた基板搬送機であって、前記基板処
理室と前記基板収容室との間で前記基板を減圧下で搬送
可能な基板搬送機と、前記基板搬送室の外部に設けられ
た昇降手段であって、固定部と前記固定部に対して昇降
可能な昇降部とを有する昇降手段と、前記基板搬送室の
所定の面に設けられた貫通孔内を移動可能な剛体の接続
部材であって、前記昇降部と前記基板搬送機とを前記貫
通孔を介して機械的に接続する接続部材と、前記所定の
面と前記所定の面の前記貫通孔を貫通する前記接続部材
との間を真空的に気密に保つ気密部材と、を備えること
を特徴とする基板処理装置が提供される。
According to the present invention, a substrate transfer chamber capable of depressurizing and a plurality of substrate processing chambers vertically stacked on the first side wall of the substrate transfer chamber are provided.
A plurality of first valves provided respectively between the plurality of substrate processing chambers and the substrate transfer chamber, wherein when closed, a vacuum is provided between the substrate processing chamber and the substrate transfer chamber. A plurality of first valves that can be made airtight and that can move the substrate therethrough when opened; a substrate storage chamber provided on a second sidewall of the substrate transfer chamber; A substrate carrier provided in a carrier chamber, the substrate carrier being capable of carrying the substrate under reduced pressure between the substrate processing chamber and the substrate housing chamber, and provided outside the substrate carrier chamber. Ascending / descending means, elevating means having a fixed part and an ascending / descending part capable of ascending / descending with respect to the fixed part, and a rigid connecting member movable in a through hole provided in a predetermined surface of the substrate transfer chamber. In addition, the lifting unit and the substrate transfer machine are machined through the through hole. A substrate processing apparatus, comprising: a connection member that connects to the substrate; and an airtight member that maintains a vacuum between the predetermined surface and the connection member that penetrates the through hole of the predetermined surface. Will be provided.

【0008】本発明においては、昇降手段を基板搬送室
の外部に設けているから、昇降手段によって基板搬送室
が汚染されることを防止でき、その結果、基板が汚染さ
れることを防止できる。
In the present invention, since the elevating means is provided outside the substrate transfer chamber, it is possible to prevent the substrate transfer chamber from being contaminated by the elevating means, and as a result, to prevent the substrate from being contaminated.

【0009】また、昇降手段の昇降部と基板搬送機と
を、基板搬送室の所定の面に設けられた貫通孔内を移動
可能な剛体の接続部材で、貫通孔を介して機械的に接続
しているから、昇降手段を基板搬送室の外部に設けて
も、昇降手段によって基板搬送機を確実に昇降させるこ
とができる。
Further, the elevating part of the elevating means and the substrate transfer machine are mechanically connected via the through hole by a rigid connecting member which is movable in the through hole provided on a predetermined surface of the substrate transfer chamber. Therefore, even if the elevating means is provided outside the substrate transfer chamber, the elevating means can surely raise and lower the substrate carrier.

【0010】なお、昇降部と基板搬送機とを昇降部の昇
降に応じて基板搬送機が昇降するように基板搬送室の所
定の面を介して接続するには、昇降部と基板搬送機とを
磁気結合を利用して接続してもよい。この場合には基板
搬送室の所定の面に貫通孔を設けなくて、所定の面の材
質を磁力線が透過するような材質とすれば、磁気によ
り、この面の両側の昇降部と基板搬送機とを接続するこ
とができる。
In order to connect the elevating part and the substrate transfer machine via a predetermined surface of the substrate transfer chamber so that the substrate transfer machine moves up and down according to the elevating of the elevating part, the elevating part and the substrate transfer machine are connected. May be connected using magnetic coupling. In this case, if the through hole is not provided in the predetermined surface of the substrate transfer chamber and the material of the predetermined surface is a material through which the magnetic field lines pass, the lifting unit and the substrate transfer machine on both sides of this surface are magnetized. And can be connected.

【0011】また、基板搬送室の所定の面とこの所定の
面の貫通孔を貫通する接続部材との間を真空的に気密に
保つ気密部材を設けているから、基板搬送室の所定の面
に貫通孔を設けて剛体の接続部材により昇降部の昇降に
応じて基板搬送機が昇降するようにしても、基板搬送室
を真空的に気密にすることができ、基板搬送室を減圧可
能にすることができる。
Further, since the airtight member for keeping the predetermined surface of the substrate transfer chamber and the connecting member penetrating the through hole of the predetermined surface airtight in a vacuum is provided, the predetermined surface of the substrate transfer chamber is provided. Even if the through hole is provided in the board and the substrate transfer machine is moved up and down according to the elevation of the elevating part by the rigid connection member, the substrate transfer chamber can be vacuum-tight and the substrate transfer chamber can be depressurized. can do.

【0012】さらに、複数の基板処理室を基板搬送室の
第1の側壁に鉛直方向に積み重ねて設けているから、基
板処理室によるクリーンルームの専有面積を減少させる
ことができ、また、基板搬送室の辺数も減少させて基板
搬送室を小さくしてその専有面積を減少させることがで
きて、基板処理装置によるクリーンルームの専有面積を
減少させることができる。
Further, since a plurality of substrate processing chambers are vertically stacked on the first side wall of the substrate transfer chamber, the area occupied by the substrate processing chamber in the clean room can be reduced, and the substrate transfer chamber can be reduced. It is also possible to reduce the number of sides of the substrate transfer chamber to make the substrate transfer chamber smaller and reduce its occupied area, and thus to reduce the occupied area of the clean room by the substrate processing apparatus.

【0013】また、基板搬送室の辺数を減少させると、
基板搬送室の製作コストも減少させることができ、多方
向のメンテナンス領域も減少させることができる。さら
に、基板搬送室を他の基板搬送室等と接続する距離も短
くできて、その接続部に基板搬送機を設けなくても基板
搬送室と他の基板搬送室等との間で基板を移載できるよ
うになり、基板処理装置が、その分、簡単な構造とな
り、安価に製造できるようになる。
If the number of sides of the substrate transfer chamber is reduced,
The manufacturing cost of the substrate transfer chamber can be reduced, and the maintenance area in multiple directions can be reduced. Furthermore, the distance for connecting the substrate transfer chamber to other substrate transfer chambers can be shortened, and the substrate can be transferred between the substrate transfer chamber and other substrate transfer chambers without providing a substrate transfer machine at the connection part. As a result, the substrate processing apparatus has a simple structure and can be manufactured at low cost.

【0014】そして、複数の基板処理室と基板搬送室と
の間にそれぞれ設けられた複数の第1のバルブであっ
て、閉じた場合には基板処理室と基板搬送室との間を真
空的に気密にすることができ、開いた場合には基板がそ
の内部を通って移動可能な複数の第1のバルブを設けて
いるから、複数の基板処理室と基板搬送室とをそれぞれ
真空的に気密に保つことができ、しかも、複数の基板処
理室のそれぞれと基板搬送室との間をそれぞれ基板が移
動できる。なお、この第1のバルブとしては、好ましく
はゲートバルブが用いられる。
A plurality of first valves are respectively provided between the plurality of substrate processing chambers and the substrate transfer chamber, and when closed, a vacuum is provided between the substrate processing chamber and the substrate transfer chamber. Since the substrate is provided with a plurality of first valves that can be hermetically sealed and can move through the inside of the substrate when it is opened, the plurality of substrate processing chambers and the substrate transfer chamber can be respectively vacuumed. The airtightness can be maintained, and the substrate can be moved between each of the plurality of substrate processing chambers and the substrate transfer chamber. A gate valve is preferably used as the first valve.

【0015】なお、基板としては、好ましくは半導体ウ
ェーハが用いられ、その場合には、基板処理装置は半導
体ウェーハ処理装置として機能する。
A semiconductor wafer is preferably used as the substrate, in which case the substrate processing apparatus functions as a semiconductor wafer processing apparatus.

【0016】また、基板としては、液晶表示素子用のガ
ラス基板等を使用することもできる。
As the substrate, a glass substrate for a liquid crystal display element or the like can be used.

【0017】基板処理室においては、好ましくは、プラ
ズマCVD(Chemical Vapor deposition)法、ホット
ウォールCVD法、光CVD法等の各種CVD法等によ
る絶縁膜、配線用金属膜、ポリシリコン、アモルファス
シリコン等の形成や、エッチング、アニール等の熱処
理、エピタキシャル成長、拡散等が行われる。
In the substrate processing chamber, preferably, an insulating film by various CVD methods such as plasma CVD (Chemical Vapor deposition) method, hot wall CVD method, photo CVD method, metal film for wiring, polysilicon, amorphous silicon, etc. Formation, heat treatment such as etching and annealing, epitaxial growth, diffusion and the like are performed.

【0018】基板搬送機は、基板を水平方向に搬送する
基板搬送機であることが好ましく、多関節ロボットであ
ることがより好ましい。
The substrate transfer machine is preferably a substrate transfer machine which transfers a substrate in a horizontal direction, and more preferably an articulated robot.

【0019】また、気密部材を弾性体から構成し、昇降
部と基板搬送機とを接続する剛体の接続部材をこの気密
部材により、接続部材が気密部材内を移動可能であるよ
うにして覆い、気密部材の一端を基板搬送室の所定の面
と真空的に気密に接続し、気密部材の他端を接続部材と
真空的に気密に接続することが好ましい。このようにす
れば、弾性体によって気密が保たれるので、気密が確実
になるとともに、接続部材の移動も気密の維持の問題と
は切り放せるので、接続部材の移動もスムーズで確実な
ものとなる。なお、気密部材の一端を基板搬送室の所定
の面と真空的に気密に接続するとは、気密部材の一端を
基板搬送室の所定の面と直接真空的に気密に接続する場
合と、気密部材の一端を基板搬送室の所定の面と他の部
材を介して間接的に真空的に気密に接続する場合とを含
む。また、気密部材の他端を接続部材と真空的に気密に
接続するとは、気密部材の他端を接続部材と直接真空的
に気密に接続する場合と、気密部材の他端を接続部材と
他の部材を介して間接的に真空的に気密に接続する場合
とを含む。
Further, the airtight member is made of an elastic body, and the rigid connection member for connecting the elevating part and the substrate carrier is covered by the airtight member so that the connection member can move in the airtight member. It is preferable that one end of the airtight member is vacuum-tightly connected to a predetermined surface of the substrate transfer chamber, and the other end of the airtight member is vacuum-tightly connected to the connection member. By doing this, since the airtightness is maintained by the elastic body, the airtightness is ensured, and the movement of the connecting member can be separated from the problem of maintaining the airtightness, so that the movement of the connecting member is smooth and reliable. Becomes It should be noted that connecting one end of the airtight member to a predetermined surface of the substrate transfer chamber in a vacuum-tight manner means that the one end of the airtight member is directly connected to a predetermined surface of the substrate transfer chamber in a vacuum-tight manner, and the airtight member. A case where one end of is indirectly and vacuum-tightly connected to a predetermined surface of the substrate transfer chamber via another member. Further, connecting the other end of the airtight member to the connecting member in a vacuum-tight manner means that the other end of the airtight member is directly connected to the connecting member in a vacuum-tight manner, and the other end of the airtight member is connected to the connecting member. Indirectly and vacuum-tightly connected via the member of (1).

【0020】この弾性体から構成される気密部材とし
て、ベローを使用することが好ましく、ベローを金属製
とすることがより好ましい。
As the airtight member composed of this elastic body, it is preferable to use a bellows, and it is more preferable to use a bellows made of metal.

【0021】なお、気密部材をOリングとしてもよく、
貫通孔と接続部材との間にOリングを設ければ、簡単な
構造で、気密と接続部材の移動とを確保することができ
る。
The airtight member may be an O-ring,
If an O-ring is provided between the through hole and the connecting member, airtightness and movement of the connecting member can be secured with a simple structure.

【0022】昇降手段の固定部をねじ軸とし、昇降部に
ナットを備え、ねじ軸とナットとによりボールねじを構
成するようにすることが好ましく、摩擦を小さくし、機
械効率を高くできる。
It is preferable that the fixing part of the elevating means is a screw shaft, the elevating part is provided with a nut, and a ball screw is constituted by the screw shaft and the nut, so that friction can be reduced and mechanical efficiency can be increased.

【0023】基板搬送室の貫通孔が設けられる所定の面
を基板搬送室の底面とし、ボールねじを基板搬送室の下
側に設けることが好ましい。このようにすれば、ベロー
等の気密部材から発生するパーティクルによって基板搬
送室内が汚染されるのを防止できる。
It is preferable that a predetermined surface where the through hole of the substrate transfer chamber is provided is the bottom surface of the substrate transfer chamber, and a ball screw is provided below the substrate transfer chamber. By doing so, it is possible to prevent the substrate transfer chamber from being contaminated by particles generated from the airtight member such as the bellows.

【0024】また、基板搬送室のこの所定の面を基板搬
送室の上面とし、ボールねじを基板搬送室の上側に設け
てもよい。
The predetermined surface of the substrate transfer chamber may be the upper surface of the substrate transfer chamber, and the ball screw may be provided above the substrate transfer chamber.

【0025】基板搬送機が、駆動部とこの駆動部によっ
て水平方向に移動可能な基板搬送部と気密性の駆動部収
容容器とを備え、駆動部をこの気密性の駆動部収容容器
内に収容することが好ましく、このようにすれば、基板
搬送室の雰囲気をより清浄に保つことができる。
The substrate transfer machine comprises a drive unit, a substrate transfer unit movable horizontally by the drive unit, and an airtight drive unit storage container, and the drive unit is housed in the airtight drive unit storage container. It is preferable to do so, and by doing so, the atmosphere in the substrate transfer chamber can be kept cleaner.

【0026】この場合には、剛体の接続部材の一端部と
駆動部収容容器の基板搬送部側の端部近傍とを接続する
ことが好ましい。このようにすれば、基板処理装置全体
の高さを低くできる。
In this case, it is preferable to connect one end of the rigid connecting member and the vicinity of the end of the drive unit accommodating container on the substrate transfer unit side. By doing so, the height of the entire substrate processing apparatus can be reduced.

【0027】基板搬送室の貫通孔が設けられる所定の面
が基板搬送室の底面および上面のいずれか一方であり、
基板搬送室のこの所定の面が基板搬送室の底面である場
合にはこの底面に駆動部収容容器の外形に合わせた凸部
を設け、基板搬送室の所定の面が基板搬送室の上面であ
る場合にはこの上面に駆動部収容容器の外形に合わせた
凸部を設け、凸部内に駆動部収容容器を収容可能とする
ことが好ましく、このようにすれば、基板搬送室全体を
大きくせずに、基板搬送機の駆動部を収容する凸部のみ
を基板搬送室から突出させればよいから、基板搬送室の
空間を小さくでき、真空引き等の時間を短くできる。
The predetermined surface on which the through hole of the substrate transfer chamber is provided is either the bottom surface or the upper surface of the substrate transfer chamber,
When this predetermined surface of the substrate transfer chamber is the bottom surface of the substrate transfer chamber, a convex portion matching the outer shape of the drive unit housing container is provided on this bottom surface, and the predetermined surface of the substrate transfer chamber is the upper surface of the substrate transfer chamber. In some cases, it is preferable to provide a convex portion conforming to the outer shape of the drive unit storage container on the upper surface so that the drive unit storage container can be stored in the convex portion. Instead, since only the convex portion that accommodates the drive unit of the substrate transporter needs to be projected from the substrate transport chamber, the space in the substrate transport chamber can be reduced and the time required for vacuuming can be shortened.

【0028】好ましくは、基板搬送室の上記所定の面が
基板搬送室の底面である。
Preferably, the predetermined surface of the substrate transfer chamber is the bottom surface of the substrate transfer chamber.

【0029】好ましくは、基板収容室と基板搬送室との
間に、閉じた場合には基板収容室と基板搬送室との間を
真空的に気密にすることができ、開いた場合には基板が
その内部を通って移動可能な第2のバルブが設けられて
おり、基板収容室が基板搬送室と独立して減圧可能であ
る。
Preferably, the space between the substrate accommodating chamber and the substrate transfer chamber can be vacuum-tight when closed, and the substrate can be opened when the substrate transfer chamber is opened. Is provided with a second valve movable through the inside thereof, and the substrate accommodation chamber can be depressurized independently of the substrate transfer chamber.

【0030】基板搬送室が減圧可能であり、基板収容室
も減圧可能とすれば、酸素濃度を極限まで減少できて、
基板搬送室や基板収容室で酸化されるのを抑制できる。
If the substrate transfer chamber can be depressurized and the substrate storage chamber can also be depressurized, the oxygen concentration can be reduced to the maximum,
Oxidation in the substrate transfer chamber and the substrate storage chamber can be suppressed.

【0031】そして、基板搬送室と基板収容室との間
に、閉じた場合には基板収容室と基板搬送室との間を真
空的に気密にすることができ、開いた場合には基板がそ
の内部を通って移動可能な第2のバルブを設けているか
ら、基板搬送室と基板収容室とを独立に真空的に気密に
保つことができ、しかも、基板搬送室と基板収容室との
間を基板が移動できる。このようなバルブとしては、ゲ
ートバルブが好ましく用いられる。
Further, between the substrate transfer chamber and the substrate storage chamber, when closed, the space between the substrate storage chamber and the substrate transfer chamber can be made airtight in a vacuum state, and when opened, the substrate is transferred. Since the second valve movable through the inside is provided, the substrate transfer chamber and the substrate accommodating chamber can be independently kept airtight in a vacuum, and moreover, the substrate transfer chamber and the substrate accommodating chamber are separated from each other. The substrate can move between them. A gate valve is preferably used as such a valve.

【0032】さらに、好ましくは、基板収容室の基板搬
送室が設けられた側とは異なる側に配置された大気圧部
と、基板収容室と大気圧部との間に設けられた第3のバ
ルブであって、閉じた場合には基板収容室と大気圧部と
の間を真空的に気密にすることができ、開いた場合には
基板がその内部を通って移動可能な第3のバルブとをさ
らに備える。
Further, preferably, an atmospheric pressure portion arranged on a side of the substrate accommodation chamber different from the side on which the substrate transfer chamber is disposed, and a third pressure element disposed between the substrate accommodation chamber and the atmospheric pressure portion. A third valve which is a valve capable of forming a vacuum-tight seal between the substrate accommodating chamber and the atmospheric pressure portion when closed, and allowing the substrate to move therethrough when opened. And further.

【0033】このようにすれば、基板収容室を独立に真
空的に気密に保つことができると共に、基板収容室と大
気圧部との間を基板が移動できる。
With this configuration, the substrate accommodating chamber can be independently kept airtight in a vacuum, and the substrate can be moved between the substrate accommodating chamber and the atmospheric pressure portion.

【0034】このような第2のバルブおよび第3のバル
ブを基板収容室に設け、しかも、基板収容室は基板搬送
室と独立して減圧可能としているから、この基板収容室
は、大気圧部と減圧下の基板搬送室との間で基板を搬入
/搬出する際の真空予備室であるロードロック室として
機能することができる。
Since such a second valve and a third valve are provided in the substrate accommodating chamber, and the substrate accommodating chamber can be depressurized independently of the substrate transfer chamber, the substrate accommodating chamber has an atmospheric pressure portion. And a substrate transfer chamber under reduced pressure can function as a load lock chamber which is a vacuum preliminary chamber when loading / unloading a substrate.

【0035】また、基板収容室に耐熱性の第1の基板保
持手段を設けることが好ましく、このようにすれば、基
板収容室を、基板処理室で処理が終わった高温の基板を
冷却する基板冷却室として使用できる。
Further, it is preferable to provide a heat-resistant first substrate holding means in the substrate accommodating chamber, and in this case, the substrate accommodating chamber cools the high temperature substrate which has been processed in the substrate processing chamber. Can be used as a cooling room.

【0036】なお、耐熱性の第1の基板保持手段として
は、石英、ガラス、セラミックスまたは金属からなる耐
熱性の基板保持具を用いることが好ましく、基板収容室
を真空にしても、基板保持具からアウトガス等の不純物
が発生することはないので、基板収容室の雰囲気を清浄
に保つことができる。なお、セラミックスとしては、焼
結させたSiCや焼結させたSiCの表面にSiO2
等をCVDコートしたものが好ましく用いられる。
As the heat-resistant first substrate holding means, it is preferable to use a heat-resistant substrate holder made of quartz, glass, ceramics or metal. Therefore, impurities such as outgas are not generated, so that the atmosphere in the substrate housing chamber can be kept clean. As the ceramics, sintered SiC or sintered SiC whose surface is coated with a SiO 2 film by CVD is preferably used.

【0037】上記のように、基板収容室を、基板冷却室
およびロードロック室として使用できるので、基板冷却
室およびカセット室を基板搬送室の側壁に設ける必要が
なくなる。また、カセットを大気圧部に配置することが
できる。
As described above, since the substrate storage chamber can be used as the substrate cooling chamber and the load lock chamber, it is not necessary to provide the substrate cooling chamber and the cassette chamber on the side wall of the substrate transfer chamber. Also, the cassette can be placed in the atmospheric pressure section.

【0038】そして、基板搬送室と基板収容室との間に
第2のバルブを設けているから基板搬送室を減圧状態に
保ったままで基板収容室を大気圧に戻すことができ、基
板収容室内を大気圧に戻している間に基板が自然冷却
し、基板収容室を出る段階で基板の温度が下がっている
ようにすることができる。従って、その後大気圧中に取
り出しても、大気圧雰囲気により基板が汚染されること
が防止される。このようにして基板収容室で大気圧に戻
す工程と基板を冷却する工程を同時に行い、冷却された
基板を大気圧下でカセットまで搬送し、基板を収容した
カセットを基板処理装置外に搬送することができる。
Since the second valve is provided between the substrate transfer chamber and the substrate storage chamber, the substrate transfer chamber can be returned to the atmospheric pressure while the substrate transfer chamber is kept in a depressurized state. It is possible to allow the substrate to naturally cool while the pressure is returned to the atmospheric pressure, and to lower the temperature of the substrate at the stage of leaving the substrate accommodating chamber. Therefore, even if the substrate is subsequently taken out into the atmospheric pressure, the substrate is prevented from being contaminated by the atmospheric pressure atmosphere. In this way, the step of returning the substrate to the atmospheric pressure and the step of cooling the substrate are simultaneously performed, the cooled substrate is transferred to the cassette under the atmospheric pressure, and the cassette containing the substrate is transferred to the outside of the substrate processing apparatus. be able to.

【0039】また、好ましくは、基板搬送室の第2の側
壁に複数の基板収容室を鉛直方向に積み重ねて設け、複
数の基板収容室と基板搬送室との間に、閉じた場合には
複数の基板収容室と基板搬送室との間をそれぞれ真空的
に気密にすることができ、開いた場合には基板がその内
部を通って移動可能な複数の第4のバルブをそれぞれ設
け、複数の基板収容室のそれぞれを他の基板収容室と独
立して減圧可能とし、複数の基板収容室のそれぞれと基
板搬送室とを互いに独立して減圧可能とすることが好ま
しい。このような第4のバルブとしては、ゲートバルブ
が好ましく用いられる。
Preferably, a plurality of substrate accommodating chambers are vertically stacked and provided on the second side wall of the substrate conveying chamber, and a plurality of substrate accommodating chambers and a plurality of substrate accommodating chambers are provided in the case of being closed. Between the substrate accommodation chamber and the substrate transfer chamber can be made vacuum-tight, and a plurality of fourth valves are provided, each of which allows the substrate to move through the inside when opened. It is preferable that each of the substrate accommodating chambers can be depressurized independently of the other substrate accommodating chambers, and each of the plurality of substrate accommodating chambers and the substrate transfer chamber can be independently depressurized. A gate valve is preferably used as the fourth valve.

【0040】基板搬送室の側壁に複数の基板収容室を設
ければ、ある基板収容室で基板を冷却している間に他の
基板収容室を利用して基板を基板処理室に搬入できる
等、時間を節約できる。
By providing a plurality of substrate accommodating chambers on the side wall of the substrate transfer chamber, the substrate can be carried into the substrate processing chamber by utilizing the other substrate accommodating chamber while the substrate is being cooled in a certain substrate accommodating chamber. , Can save time.

【0041】複数の基板収容室を基板搬送室の第2の側
壁に鉛直方向に積み重ねて設けているので、基板収容室
によるクリーンルームの専有面積を減少させることがで
き、また、基板搬送室の辺数も減少させて基板搬送室を
小さくしてその専有面積を減少させることができて、基
板処理装置によるクリーンルームの専有面積を減少させ
ることができる。
Since a plurality of substrate accommodating chambers are vertically stacked on the second side wall of the substrate conveying chamber, the area occupied by the substrate accommodating chamber in the clean room can be reduced, and the sides of the substrate conveying chamber can be reduced. It is possible to reduce the number of the substrate transfer chambers and reduce the occupied area of the substrate transfer chamber, thereby reducing the occupied area of the clean room of the substrate processing apparatus.

【0042】また、基板搬送室の辺数を減少させると、
基板搬送室の製作コストも減少させることができ、多方
向のメンテナンス領域も減少させることができる。さら
に、基板処理装置を複数台配置する場合には、基板搬送
室を他の基板搬送室等と接続する距離も短くできて、そ
の接続部に基板搬送機を設けなくても基板搬送室と他の
基板搬送室等との間で基板を移載できるようになり、基
板処理装置が、その分、簡単な構造となり、安価に製造
できるようになり、また、基板処理装置同士のメンテナ
ンススペースが干渉せず、効率的に複数の基板処理装置
を配置できる。
When the number of sides of the substrate transfer chamber is reduced,
The manufacturing cost of the substrate transfer chamber can be reduced, and the maintenance area in multiple directions can be reduced. Further, when a plurality of substrate processing apparatuses are arranged, the distance for connecting the substrate transfer chamber to other substrate transfer chambers can be shortened, and the substrate transfer chamber and other substrate transfer chambers can be connected to each other without providing a substrate transfer device at the connecting portion. Substrates can be transferred to and from other substrate transfer chambers, etc., and the substrate processing apparatus has a correspondingly simple structure and can be manufactured at low cost, and the maintenance space between the substrate processing apparatuses interferes with each other. Without doing so, a plurality of substrate processing apparatuses can be arranged efficiently.

【0043】搬入用、搬出用の2種類の基板収容室を別
々に設けてもよい。このようにすれば、搬入用、搬出用
の2種類の基板収容室を交互に使用でき、時間の節約と
なる。
Two types of substrate accommodating chambers for loading and unloading may be provided separately. In this way, two types of substrate accommodating chambers for loading and unloading can be used alternately, and time is saved.

【0044】また、好ましくは、大気圧部に設けられた
カセット保持手段と、大気圧部に設けられた基板搬送手
段であって、カセット保持手段に保持されるカセットと
基板収容室との間で基板を搬送可能な基板搬送手段とを
さらに備える。
Further, it is preferable that the cassette holding means provided in the atmospheric pressure portion and the substrate transfer means provided in the atmospheric pressure portion are provided between the cassette held in the cassette holding means and the substrate accommodating chamber. And a substrate transfer means capable of transferring the substrate.

【0045】このように、カセット保持手段と、カセッ
ト保持手段に保持されるカセットと基板収容室との間で
基板を搬送可能な基板搬送手段とを大気圧部に配置すれ
ば、カセット保持手段の構造や基板搬送手段の構造をこ
れらが真空中にある場合に比べて簡単なものとすること
ができる。
As described above, if the cassette holding means and the substrate carrying means capable of carrying the substrate between the cassette held by the cassette holding means and the substrate accommodating chamber are arranged in the atmospheric pressure portion, the cassette holding means The structure and the structure of the substrate transfer means can be simpler than those in a vacuum.

【0046】なお、カセットは、好ましくは、基板処理
装置に基板を搬入および/または基板処理装置から基板
を搬出するためのカセットである。
The cassette is preferably a cassette for loading a substrate into and / or unloading a substrate from the substrate processing apparatus.

【0047】また、好ましくは、基板処理室と、基板搬
送室と、基板収容室と、基板搬送手段と、カセット保持
手段とを収容する筺体をさらに備える。このように、筺
体内に基板搬送手段とカセット保持手段とを設けること
によって、カセットに搭載されている基板の表面や基板
搬送手段によって搬送されている基板の表面を清浄に保
つことができる。
Further, preferably, a housing for accommodating the substrate processing chamber, the substrate transfer chamber, the substrate storage chamber, the substrate transfer means, and the cassette holding means is further provided. In this way, by providing the substrate transfer means and the cassette holding means inside the housing, the surface of the substrate mounted on the cassette and the surface of the substrate transferred by the substrate transfer means can be kept clean.

【0048】また、好ましくは、少なくとも基板搬送室
と、複数の基板処理室と、基板収容室とを収容する筺体
をさらに備え、基板搬送室の凸部、昇降手段および接続
部材の少なくとも一部を筺体から突出して設けることも
できる。このような筺体を設けることにより、基板処理
装置内のパーティクルを減少させることができるが、基
板搬送室の凸部、昇降手段および接続部材の少なくとも
一部を筺体から突出して設けることにより、基板搬送室
の凸部、昇降手段および接続部材の少なくとも一部をク
リーンルームの床面から下側に突出させることができる
ようになり、または天井から上側に突出させることがで
きるようになり、その結果、基板搬送室、複数の基板処
理室、および基板収容室の高さを高くできて、例えばよ
り多くの基板をこれらの内部に収容できるようになって
基板の処理枚数を増加させることができるようになる。
Further, preferably, a housing for accommodating at least the substrate transfer chamber, the plurality of substrate processing chambers, and the substrate accommodating chamber is further provided, and at least a part of the convex portion of the substrate transfer chamber, the elevating means and the connecting member is provided. It can also be provided so as to project from the housing. By providing such a housing, it is possible to reduce particles in the substrate processing apparatus, but by providing at least a part of the convex portion of the substrate transfer chamber, the elevating means and the connection member so as to project from the housing, At least a part of the convex portion of the chamber, the elevating means and the connecting member can be made to project downward from the floor surface of the clean room, or can be made to project upward from the ceiling, and as a result, the substrate The heights of the transfer chamber, the plurality of substrate processing chambers, and the substrate storage chamber can be increased, for example, a larger number of substrates can be stored therein, and the number of substrates to be processed can be increased. .

【0049】また、好ましくは、基板を保持する第1の
基板保持手段であって基板収容室内に設けられた第1の
基板保持手段と、基板を保持する第2の基板保持手段で
あって基板処理室内に設けられた第2の基板保持手段と
をさらに備え、第2の基板保持手段が複数枚の基板を保
持可能であり、第1の基板保持手段が複数枚の基板を保
持可能であり、第1の基板保持手段に保持される基板間
のピッチが第2の基板保持手段で保持される基板間のピ
ッチと実質的に同じである。
Preferably, the first substrate holding means for holding the substrate is the first substrate holding means provided in the substrate housing chamber, and the second substrate holding means for holding the substrate is the substrate. A second substrate holding unit provided in the processing chamber, wherein the second substrate holding unit can hold a plurality of substrates, and the first substrate holding unit can hold a plurality of substrates. The pitch between the substrates held by the first substrate holding means is substantially the same as the pitch between the substrates held by the second substrate holding means.

【0050】この場合に、さらに好ましくは、基板搬送
手段が、複数枚の基板を同時に搬送可能であって、複数
枚の基板間のピッチを可変である。
In this case, more preferably, the substrate transfer means can transfer a plurality of substrates at the same time, and the pitch between the plurality of substrates can be changed.

【0051】このように、基板処理室内に設けられる第
2の基板保持手段を複数枚の基板を保持可能な構造とす
ることにより、基板処理室内での基板処理の効率を高め
ることができる。
As described above, by making the second substrate holding means provided in the substrate processing chamber have a structure capable of holding a plurality of substrates, the efficiency of substrate processing in the substrate processing chamber can be improved.

【0052】そして、この場合に、基板収容室内の第1
の基板保持手段も複数枚の基板を保持可能な構造とし、
第1の基板保持手段に保持される基板間のピッチを第2
の基板保持手段で保持される基板間のピッチと実質的に
同じとすることによって、減圧可能な基板搬送室内の基
板搬送機の構造を簡単にすることができる。なお、好ま
しくは、この基板搬送機が、減圧下で複数枚の基板を同
時に搬送可能であるようにする。
Then, in this case, the first
The substrate holding means also has a structure capable of holding a plurality of substrates,
The pitch between the substrates held by the first substrate holding means is set to the second pitch.
By setting the pitch between the substrates held by the substrate holding means to be substantially the same, the structure of the substrate transfer machine in the substrate transfer chamber capable of depressurizing can be simplified. In addition, it is preferable that the substrate transporter can simultaneously transport a plurality of substrates under reduced pressure.

【0053】第1の基板保持手段に保持される基板間の
ピッチと第2の基板保持手段で保持される基板間のピッ
チとを実質的に同じとすれば、基板搬送機の構造を、減
圧下で複数枚の基板を同時に搬送可能であるような構造
としても、搬送中に基板間のピッチを変える必要はな
い。その結果、基板搬送機の構造が簡単なものとなり、
また、真空の汚染も防止できる。そして複数の基板を同
時に搬送できるので、基板搬送の効率も高くなる。
If the pitch between the substrates held by the first substrate holding means and the pitch between the substrates held by the second substrate holding means are substantially the same, the structure of the substrate carrier is reduced. Even with a structure in which a plurality of substrates can be simultaneously transferred below, it is not necessary to change the pitch between the substrates during the transfer. As a result, the structure of the substrate carrier becomes simpler,
Also, vacuum contamination can be prevented. Further, since a plurality of substrates can be transported at the same time, the efficiency of substrate transportation can be improved.

【0054】これに対して、減圧下で基板間のピッチを
可変にしようとすれば、搬送機の構造が複雑となり、大
気圧下での場合と比較して倍以上のコストとスペースを
必要とし、しかも、機構が増加することにより駆動軸等
から発生する汚染物質が飛散し易くなり、真空度が保た
れないばかりでなく、パーティクルの問題も生じやすく
なり、基板への汚染も生じやすくなる。そして、このパ
ーティクルが生じる箇所は基板処理室の直前の基板搬送
室であるので、その影響は特に大きくなる。また、この
ような問題を避けるために、基板を一枚ずつ第1の基板
保持手段と第2の基板保持手段との間で移載しようとす
れば、スループットが悪くなってしまう。スループット
を向上させようとして基板搬送機の移載スピードを上げ
ると、単位時間当たりの基板搬送機の動作回数が増え、
その結果、装置寿命の低下やパーティクル問題を招くこ
とになってしまう。
On the other hand, if the pitch between the substrates is made variable under reduced pressure, the structure of the carrier becomes complicated, and the cost and space required are more than double as compared with the case under the atmospheric pressure. Moreover, since the number of mechanisms is increased, contaminants generated from the drive shaft and the like are easily scattered, the degree of vacuum is not maintained, and the problem of particles is likely to occur, and contamination of the substrate is also likely to occur. Since the place where the particles are generated is the substrate transfer chamber immediately before the substrate processing chamber, the influence thereof is particularly large. Further, in order to avoid such a problem, if the substrates are transferred one by one between the first substrate holding means and the second substrate holding means, the throughput becomes poor. Increasing the transfer speed of the substrate carrier to improve throughput increases the number of times the substrate carrier operates per unit time,
As a result, the life of the device is shortened and the particle problem is caused.

【0055】基板処理室内で複数枚の基板を同時に処理
するためには、例えば、成膜等を行う場合にあっては、
複数枚の基板の間隔をカセット溝間隔ではなくて、基板
処理室内でのガスの流れ等を考慮して膜厚均一性等を維
持することができる間隔にする必要がある。そのため
に、いずれかの場所で基板間のピッチをカセット溝間隔
から変換することが好ましい。
In order to process a plurality of substrates at the same time in the substrate processing chamber, for example, when performing film formation,
It is necessary to set the interval between the plurality of substrates not to be the cassette groove interval, but to be an interval that can maintain the film thickness uniformity and the like in consideration of the gas flow in the substrate processing chamber. Therefore, it is preferable to change the pitch between the substrates from the cassette groove interval at any place.

【0056】本発明においては、好ましくは、基板搬送
手段の構造を、複数枚の基板を同時に搬送可能であっ
て、複数枚の基板間のピッチを可変であるようにする。
この基板搬送手段は大気圧下で用いるので、基板間のピ
ッチを可変にしても、真空下での場合と比較すれば構造
が簡単であり、安価に製造でき、また、パーティクルの
発生を抑えることができる。
In the present invention, preferably, the structure of the substrate transfer means is such that a plurality of substrates can be transferred simultaneously and the pitch between the plurality of substrates is variable.
Since this substrate transfer means is used under atmospheric pressure, even if the pitch between the substrates is variable, the structure is simple compared to the case under vacuum, it can be manufactured at low cost, and particle generation is suppressed. You can

【0057】上記のように、大気圧下で基板間のピッチ
を可変とし減圧下では基板間のピッチを固定して、複数
枚の基板を同時に搬送するようにすれば、搬送装置の製
造コストを低減でき、搬送装置の大型化が抑制され、し
かもパーティクルの発生が抑制されて基板をクリーンな
環境で搬送することができる。さらに、複数枚の基板を
同時に搬送するので、スループットが向上し、基板間の
ピッチが可変であるので、基板処理室内において高精度
で基板処理が行える基板間のピッチに変換できる。
As described above, if the pitch between the substrates is variable under the atmospheric pressure and the pitch between the substrates is fixed under the reduced pressure so that a plurality of substrates are simultaneously transported, the manufacturing cost of the transport device is reduced. It is possible to reduce the size of the transfer device, suppress the size increase of the transfer device, suppress the generation of particles, and transfer the substrate in a clean environment. Further, since a plurality of substrates are simultaneously transferred, the throughput is improved, and the pitch between the substrates is variable. Therefore, the pitch can be converted into the pitch between the substrates that can perform the substrate processing with high accuracy in the substrate processing chamber.

【0058】第1の基板保持手段が、基板処理室のそれ
ぞれにおいて一度に処理される基板の枚数の少なくとも
2倍以上の枚数の基板を保持可能であることが好まし
い。
It is preferable that the first substrate holding means can hold at least twice the number of substrates processed at one time in each of the substrate processing chambers.

【0059】また、第1の基板保持手段が、第2の基板
保持手段よりも少なくとも2倍以上の枚数の基板を保持
可能であることが好ましく、基板処理室において一度に
処理される基板の枚数の少なくとも2倍以上の枚数の基
板を保持可能となる。
Further, it is preferable that the first substrate holding means can hold at least twice as many substrates as the second substrate holding means, and the number of substrates processed at one time in the substrate processing chamber. It is possible to hold at least twice the number of substrates.

【0060】このようにすれば、基板処理室とカセット
との間で効率的に基板を搬送することができ、スループ
ットが向上する。
By doing so, the substrate can be efficiently transported between the substrate processing chamber and the cassette, and the throughput is improved.

【0061】また、基板搬送室の第1の側壁と第2の側
壁とが互いに対向しており、基板処理室と、基板搬送室
と、基板収容室とが実質的に一直線上に配置されている
ことが好ましく、このようにすれば、基板搬送室の辺数
を最小限の、例えば矩形状とできる。
Further, the first side wall and the second side wall of the substrate transfer chamber are opposed to each other, and the substrate processing chamber, the substrate transfer chamber, and the substrate storage chamber are arranged substantially in line. It is preferable that the substrate transfer chamber has a minimum number of sides, for example, a rectangular shape.

【0062】基板搬送室は好ましくは平面図的には矩形
状であり、矩形状であると、基板搬送室を小さくしてそ
の専有面積を減少させることができて、基板処理装置に
よるクリーンルームの専有面積を減少させることができ
る。また、矩形状であると、基板搬送室の製作コストも
減少させることができる。メンテナンス領域も減少させ
ることができる。さらに、基板搬送室を他の基板搬送室
等と接続する距離もより短くできて、その接続部に基板
搬送機を設けなくても基板搬送室と他の基板搬送室等と
の間で基板を容易に移載できるようになり、基板処理装
置が、その分、簡単な構造となり、安価に製造できるよ
うになる。また、基板処理室と、基板搬送室と、基板収
容室とをほぼ一直線上に配置すれば、このような構成の
基板処理装置ユニットを複数容易に平行に配置して、専
有面積を小さくできる。
The substrate transfer chamber is preferably rectangular in a plan view, and if the substrate transfer chamber is rectangular, the substrate transfer chamber can be made smaller and its occupied area can be reduced, so that the substrate processing apparatus can occupy a clean room. The area can be reduced. Further, the rectangular shape can reduce the manufacturing cost of the substrate transfer chamber. The maintenance area can also be reduced. Further, the distance for connecting the substrate transfer chamber to other substrate transfer chambers can be shortened, and the substrate can be transferred between the substrate transfer chamber and other substrate transfer chambers without providing a substrate transfer device at the connection portion. The substrate can be easily transferred, and the substrate processing apparatus has a simple structure and can be manufactured inexpensively. Further, by arranging the substrate processing chamber, the substrate transfer chamber, and the substrate accommodating chamber in a substantially straight line, it is possible to easily arrange a plurality of substrate processing apparatus units having such a configuration in parallel and reduce the occupied area.

【0063】カセット保持手段は、基板収容室に対して
基板搬送室とは反対側に配置されていることが好まし
い。
The cassette holding means is preferably arranged on the side opposite to the substrate transfer chamber with respect to the substrate storage chamber.

【0064】[0064]

【発明の実施の形態】次に、図面を参照して本発明の実
施の形態を説明する。
DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Next, embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings.

【0065】図1は、本発明の第1の実施の形態の半導
体ウェーハ処理装置を説明するための平面図である。図
2は、図1のXX線断面図である。
FIG. 1 is a plan view for explaining a semiconductor wafer processing apparatus according to the first embodiment of the present invention. FIG. 2 is a sectional view taken along line XX of FIG.

【0066】本実施の形態の半導体ウェーハ処理装置1
は、プロセス部700と、トランスファ部500と、フ
ロント部100とを備えている。
Semiconductor wafer processing apparatus 1 of the present embodiment
Includes a process unit 700, a transfer unit 500, and a front unit 100.

【0067】プロセス部700は複数のプロセスモジュ
ール701を備え、各プロセスモジュール701は反応
室70とゲートバルブ93とを備えている。トランスフ
ァ部500はトランスファモジュール501を備え、ト
ランスファモジュール501はウェーハ搬送室50とウ
ェーハ搬送真空ロボット60とを備えている。フロント
部100は複数のロードロックモジュール300と大気
圧部200とを備えている。ロードロックモジュール3
00はウェーハ収容室30とゲートバルブ92とフロン
トドアバルブ91とを備えている。大気圧部にはカセッ
ト10を載置するカセット棚11と、カセット搬送兼ウ
ェーハ搬送機20が設けられている。
The process section 700 comprises a plurality of process modules 701, and each process module 701 comprises a reaction chamber 70 and a gate valve 93. The transfer unit 500 includes a transfer module 501, and the transfer module 501 includes a wafer transfer chamber 50 and a wafer transfer vacuum robot 60. The front part 100 includes a plurality of load lock modules 300 and an atmospheric pressure part 200. Load lock module 3
00 includes a wafer storage chamber 30, a gate valve 92, and a front door valve 91. A cassette shelf 11 on which the cassette 10 is placed and a cassette carrier / wafer carrier 20 are provided in the atmospheric pressure section.

【0068】複数の反応室70は鉛直方向に積み重ねら
れてウェーハ搬送室50のウェーハ搬送室壁53に設け
られている。各反応室70とウェーハ搬送室50との間
にはそれぞれゲートバルブ93が設けられている。各反
応室70は、排気配管82を介して独立して真空引きで
きるように構成されている。反応室70内には複数枚
(本実施の形態では2枚)の半導体ウェーハ5を搭載で
きるウェーハボート75が載置されており、複数枚のウ
ェーハ5の処理を同時に行うことができ、ウェーハ処理
の効率を高めることができる。また、ウェーハボート7
5に搭載されるウェーハ5間のピッチは、反応室70内
でのガスの流れ等を考慮して、例えば成膜が行われるの
ならば、膜厚の均一性が所定の範囲内に維持されるよう
に決定されている。
The plurality of reaction chambers 70 are vertically stacked and provided on the wafer transfer chamber wall 53 of the wafer transfer chamber 50. A gate valve 93 is provided between each reaction chamber 70 and the wafer transfer chamber 50. Each reaction chamber 70 is configured so that it can be evacuated independently via an exhaust pipe 82. A wafer boat 75 capable of mounting a plurality of (two in the present embodiment) semiconductor wafers 5 is placed in the reaction chamber 70, and a plurality of wafers 5 can be simultaneously processed. The efficiency of can be improved. Also, the wafer boat 7
With respect to the pitch between the wafers 5 mounted on the wafer 5, the uniformity of the film thickness is maintained within a predetermined range in consideration of the gas flow in the reaction chamber 70 and the like, for example, when film formation is performed. Has been decided to.

【0069】反応室70内においては、例えば、プラズ
マCVD、ホットウォールCVD、光CVD等の各種C
VD等による絶縁膜、配線用金属膜、ポリシリコン、ア
モルファスシリコン等の形成や、エッチング、アニール
等の熱処理、エピタキシャル成長、拡散等が行われる。
In the reaction chamber 70, for example, various types of C such as plasma CVD, hot wall CVD, photo CVD, etc.
Formation of an insulating film by VD or the like, a metal film for wiring, polysilicon, amorphous silicon, or the like, heat treatment such as etching or annealing, epitaxial growth, diffusion or the like is performed.

【0070】複数の反応室70を鉛直方向に積み重ねて
ウェーハ搬送室50のウェーハ搬送室壁53に設けてい
るから、反応室70室によるクリーンルームの専有面積
を減少させることができ、また、ウェーハ搬送室50の
辺数も減少させてウェーハ搬送室50を小さくしてその
専有面積を減少させることができて、半導体ウェーハ処
理装置1によるクリーンルームの専有面積を減少させる
ことができる。
Since a plurality of reaction chambers 70 are vertically stacked and provided on the wafer transfer chamber wall 53 of the wafer transfer chamber 50, the area occupied by the reaction chamber 70 in the clean room can be reduced, and the wafer transfer can be performed. It is possible to reduce the number of sides of the chamber 50 to reduce the size of the wafer transfer chamber 50 to reduce the occupied area thereof, thereby reducing the occupied area of the clean room of the semiconductor wafer processing apparatus 1.

【0071】また、ウェーハ搬送室50の辺数を減少さ
せると、ウェーハ搬送室50の製作コストも減少させる
ことができ、多方向のメンテナンス領域も減少させるこ
とができる。さらに、ウェーハ搬送室50を他のウェー
ハ搬送室等と接続する距離も短くできて、その接続部に
ウェーハ搬送機を設けなくてもウェーハ搬送室50と他
のウェーハ搬送室等との間でウェーハを移載できるよう
になり、半導体ウェーハ処理装置1が、その分、簡単な
構造となり、安価に製造できるようになる。
Further, if the number of sides of the wafer transfer chamber 50 is reduced, the manufacturing cost of the wafer transfer chamber 50 can be reduced and the maintenance area in multiple directions can be reduced. Further, the distance for connecting the wafer transfer chamber 50 to other wafer transfer chambers can be shortened, and the wafer transfer chamber 50 and other wafer transfer chambers can be connected to each other without providing a wafer transfer device at the connecting portion. The semiconductor wafer processing apparatus 1 has a simple structure and can be manufactured at low cost.

【0072】複数のウェーハ収容室30は鉛直方向に積
み重ねられてウェーハ搬送室50のウェーハ搬送室壁5
4に設けられている。各ウェーハ収容室30とウェーハ
搬送室50との間にはそれぞれゲートバルブ92が設け
られている。各ウェーハ収容室30の右側と大気圧部2
00との間にはそれぞれフロントドアバルブ91が設け
られている。各ウェーハ収容室30は、排気配管83、
81を介して独立して真空引きできるように構成されて
いる。
The plurality of wafer accommodating chambers 30 are vertically stacked to form a wafer transfer chamber wall 5 of the wafer transfer chamber 50.
4 is provided. A gate valve 92 is provided between each wafer storage chamber 30 and the wafer transfer chamber 50. The right side of each wafer storage chamber 30 and the atmospheric pressure section 2
A front door valve 91 is provided between each of them. Each wafer storage chamber 30 has an exhaust pipe 83,
It is configured such that a vacuum can be independently drawn via 81.

【0073】ウェーハ収容室30内にはウェーハ保持具
40が載置されている。図3はこのウェーハ保持具40
を説明するための概略斜視図である。ウェーハ保持具4
0は、上下に設けられた円柱状の2枚の支柱支持板4
1、42と、この支柱支持板41、42の間に設けられ
た2つの角柱状の支柱43、44とを備え、この支柱4
3、44の内側に複数のウェーハ載置用溝45が互いに
対向してそれぞれ設けられている。このウェーハ載置用
溝45の両端は開放されているので、ウェーハ保持具4
0の両側からウェーハをそれぞれ搬入でき、両側にそれ
ぞれ搬出できる。ウェーハ保持具40は石英から成って
いる。
A wafer holder 40 is placed in the wafer accommodating chamber 30. FIG. 3 shows the wafer holder 40.
It is a schematic perspective view for explaining. Wafer holder 4
0 is two column-shaped support columns 4 provided at the top and bottom
1, 42, and two prismatic columns 43, 44 provided between the column support plates 41, 42.
A plurality of wafer mounting grooves 45 are provided inside the wafers 3 and 44 so as to face each other. Since both ends of the wafer mounting groove 45 are open, the wafer holder 4
Wafers can be loaded in from both sides of 0 and unloaded in both sides. The wafer holder 40 is made of quartz.

【0074】ウェーハ保持具40のウェーハ載置用溝4
5間のピッチ、すなわち、ウェーハ保持具40に保持さ
れるウェーハ5間のピッチを、反応室70内のウェーハ
ボート75に搭載されるウェーハ5間のピッチと同じと
している。なお、ウェーハ保持具40のウェーハ載置用
溝45間のピッチはカセット10内のウェーハ載置用溝
間のピッチよりも大きい。
Wafer mounting groove 4 of wafer holder 40
The pitch between the wafers 5, that is, the pitch between the wafers 5 held by the wafer holder 40 is the same as the pitch between the wafers 5 mounted on the wafer boat 75 in the reaction chamber 70. The pitch between the wafer mounting grooves 45 of the wafer holder 40 is larger than the pitch between the wafer mounting grooves in the cassette 10.

【0075】また、ウェーハ保持具40のウェーハ載置
用溝45の数、すなわち、ウェーハ保持具40が保持可
能なウェーハ5の枚数を、反応室70内のウェーハボー
ト75が搭載可能なウェーハ5の枚数の2倍以上とし、
反応室70内において一度に処理可能なウェーハ5の枚
数の2倍以上としている。このようにすれば、反応室7
0とカセット10との間で効率的に基板を搬送すること
ができ、スループットが向上する。
In addition, the number of wafer mounting grooves 45 of the wafer holder 40, that is, the number of wafers 5 that the wafer holder 40 can hold is determined by the number of wafers 5 that the wafer boat 75 in the reaction chamber 70 can mount. More than twice the number of sheets,
The number of wafers 5 that can be processed at once in the reaction chamber 70 is twice or more. In this way, the reaction chamber 7
The substrate can be efficiently transported between the cassette 0 and the cassette 10, and the throughput is improved.

【0076】ウェーハ保持具40は石英から成っている
ので、ウェーハ収容室30内を真空にしても、ウェーハ
保持具40からアウトガス等の不純物が発生することは
ないので、ウェーハ収容室30の雰囲気を清浄に保つこ
とができる。
Since the wafer holder 40 is made of quartz, impurities such as outgas are not generated from the wafer holder 40 even if the inside of the wafer holder 30 is vacuumed. Can be kept clean.

【0077】また、このウェーハ保持具40は石英から
成っており、耐熱性に優れているので、反応室70で処
理が終わった高温のウェーハをこのウェーハ保持具40
で保持した状態で冷却することができる。このように、
ウェーハ保持具40はウェーハ冷却用に使用できるの
で、ウェーハ収容室30はウェーハ冷却室として機能す
る。従って、反応室70で処理が終わった高温のウェー
ハを冷却するための冷却室をウェーハ搬送室50の側壁
に別に設ける必要はなく、その分、半導体ウェーハ処理
装置1によるクリーンルームの専有面積を減少させるこ
とができ、また、ウェーハ搬送室50の辺数も減少させ
てウェーハ搬送室50を小さくしてその専有面積を減少
させることができて、半導体ウェーハ処理装置1による
クリーンルームの専有面積を減少させることができる。
さらに、ウェーハ搬送室50の製作コストも減少させる
ことができる。
Further, since the wafer holder 40 is made of quartz and has excellent heat resistance, a high-temperature wafer that has been processed in the reaction chamber 70 is treated by the wafer holder 40.
It can be cooled while being held at. in this way,
Since the wafer holder 40 can be used for cooling the wafer, the wafer accommodating chamber 30 functions as a wafer cooling chamber. Therefore, it is not necessary to separately provide a cooling chamber for cooling the high-temperature wafer processed in the reaction chamber 70 on the side wall of the wafer transfer chamber 50, and the area occupied by the semiconductor wafer processing apparatus 1 in the clean room is reduced accordingly. In addition, the number of sides of the wafer transfer chamber 50 can be reduced to reduce the size of the wafer transfer chamber 50 to reduce its occupied area, and the occupied area of the clean room by the semiconductor wafer processing apparatus 1 can be reduced. You can
Further, the manufacturing cost of the wafer transfer chamber 50 can be reduced.

【0078】そして、このウェーハ保持具40は、カセ
ット10からウェーハ処理室70へのウェーハ5を一時
収容するか、ウェーハ処理室70からカセット10への
ウェーハ5を一時収容するか、またはカセット10から
ウェーハ処理室70へのウェーハ5を一時収容すると共
にウェーハ処理室70からカセット10へのウェーハ5
を一時収容するウェーハ保持具であるので、カセット1
0を収容するカセット室をウェーハ搬送室50の側壁に
設ける必要はなくなる。その結果、ウェーハ搬送室50
の側壁に設ける室数が減少して、その分、半導体ウェー
ハ処理装置1によるクリーンルームの専有面積を減少さ
せることができ、また、ウェーハ搬送室50の辺数も減
少させてウェーハ搬送室50を小さくしてその専有面積
を減少させることができて、半導体ウェーハ処理装置1
によるクリーンルームの専有面積を減少させることがで
きる。さらに、ウェーハ搬送室50の製作コストも減少
させることができる。
The wafer holder 40 temporarily stores the wafer 5 from the cassette 10 to the wafer processing chamber 70, temporarily stores the wafer 5 from the wafer processing chamber 70 to the cassette 10, or from the cassette 10. The wafer 5 is temporarily stored in the wafer processing chamber 70 and is transferred from the wafer processing chamber 70 to the cassette 10.
Since it is a wafer holder for temporarily storing
It is not necessary to provide a cassette chamber for storing 0 on the side wall of the wafer transfer chamber 50. As a result, the wafer transfer chamber 50
The number of chambers provided on the side wall of the wafer can be reduced, and the occupied area of the clean room by the semiconductor wafer processing apparatus 1 can be reduced accordingly, and the number of sides of the wafer transfer chamber 50 can be reduced to reduce the size of the wafer transfer chamber 50. Therefore, the area occupied by the semiconductor wafer can be reduced, and the semiconductor wafer processing apparatus 1
The area occupied by the clean room can be reduced. Further, the manufacturing cost of the wafer transfer chamber 50 can be reduced.

【0079】本実施の形態では、ウェーハ搬送室50の
ウェーハ搬送室壁54に複数のウェーハ収容室30を設
けているから、あるウェーハ収容室30でウェーハを冷
却している間に他のウェーハ収容室30を利用してウェ
ーハを反応室70に搬入できる等、時間を節約できる。
また、搬入用、搬出用の2種類のウェーハ収容室30を
別々に設けてもよい。このようにすれば、搬入用、搬出
用の2種類のウェーハ収容室30を交互に使用でき、時
間の節約となる。さらに、あるウェーハ収容室30をモ
ニタウェーハ用とし、他のウェーハ収容室30を実際の
製品となるプロセスウェーハ用として利用することもで
きる。
In this embodiment, since a plurality of wafer accommodating chambers 30 are provided on the wafer transfer chamber wall 54 of the wafer transfer chamber 50, while a wafer is being cooled in a certain wafer accommodating chamber 30, another wafer is accommodated. Time can be saved, for example, a wafer can be loaded into the reaction chamber 70 using the chamber 30.
Further, two types of wafer storage chambers 30 for loading and unloading may be separately provided. In this way, the two types of wafer accommodating chambers 30 for loading and unloading can be alternately used, which saves time. Further, it is possible to use one wafer accommodation chamber 30 for a monitor wafer and another wafer accommodation chamber 30 for a process wafer which is an actual product.

【0080】また、複数のウェーハ収容室30を、ウェ
ーハ搬送室50のウェーハ搬送室壁54に鉛直方向に積
み重ねて設けているから、ウェーハ収容室30によるク
リーンルームの専有面積を減少させることができ、ま
た、ウェーハ搬送室50の辺数も減少させてウェーハ搬
送室50を小さくしてその専有面積を減少させることが
できて、半導体ウェーハ処理装置1によるクリーンルー
ムの専有面積を減少させることができる。さらに、ウェ
ーハ搬送室50の製作コストも減少させることができ
る。
Since a plurality of wafer accommodating chambers 30 are vertically stacked on the wafer transfer chamber wall 54 of the wafer transfer chamber 50, the area occupied by the wafer accommodating chamber 30 in the clean room can be reduced. Also, the number of sides of the wafer transfer chamber 50 can be reduced to reduce the size of the wafer transfer chamber 50 to reduce its occupied area, and the occupied area of the clean room of the semiconductor wafer processing apparatus 1 can be reduced. Further, the manufacturing cost of the wafer transfer chamber 50 can be reduced.

【0081】ウェーハ搬送室50とウェーハ収容室30
との間にゲートバルブ92を設けているからウェーハ搬
送室50を減圧状態に保ったままでウェーハ収容室30
を大気圧に戻すことができ、ウェーハ収容室30内を大
気圧に戻している間にウェーハ5が自然冷却し、ウェー
ハ収容室30を出る段階でウェーハ5の温度が下がって
いるようにすることができる。従って、その後大気圧中
に取り出しても、大気圧雰囲気によりウェーハ5が汚染
されることが防止される。このようにしてウェーハ収容
室30で大気圧に戻す工程とウェーハ5を冷却する工程
を同時に行い、冷却されたウェーハ5を大気圧下でカセ
ット10まで搬送し、ウェーハ5を収容したカセット1
0を半導体ウェーハ処理装置1外に搬送することができ
る。
Wafer transfer chamber 50 and wafer accommodating chamber 30
Since a gate valve 92 is provided between the wafer transfer chamber 50 and the wafer transfer chamber 50, the wafer transfer chamber 50 is kept in a depressurized state.
Can be returned to the atmospheric pressure, and the wafer 5 is naturally cooled while the inside of the wafer storage chamber 30 is returned to the atmospheric pressure, and the temperature of the wafer 5 is lowered at the stage of leaving the wafer storage chamber 30. You can Therefore, even if the wafer 5 is subsequently taken out to the atmospheric pressure, the wafer 5 is prevented from being contaminated by the atmospheric pressure atmosphere. In this way, the step of returning the wafer 5 to the atmospheric pressure in the wafer storage chamber 30 and the step of cooling the wafer 5 are simultaneously performed, the cooled wafer 5 is conveyed to the cassette 10 under the atmospheric pressure, and the cassette 1 containing the wafer 5 is transferred.
0 can be transferred to the outside of the semiconductor wafer processing apparatus 1.

【0082】また、本実施の形態においては、ウェーハ
収容室30とカセット10との間のウェーハ5の受け渡
しはウェーハ搬送室50内のウェーハ搬送真空ロボット
60とは異なるカセット搬送兼ウェーハ搬送機20で行
うことができるので、ウェーハ搬送時間を短くすること
ができる。そして、本実施の形態においては、カセット
搬送兼ウェーハ搬送機20を大気圧部200に配置して
いるから、カセット搬送兼ウェーハ搬送機20の構造を
真空中にある場合に比べて簡単なものとすることができ
る。
Further, in the present embodiment, the transfer of the wafer 5 between the wafer accommodating chamber 30 and the cassette 10 is performed by the cassette transfer / wafer transfer machine 20 different from the wafer transfer vacuum robot 60 in the wafer transfer chamber 50. Since it can be performed, the wafer transfer time can be shortened. Further, in the present embodiment, since the cassette transfer / wafer transfer machine 20 is arranged in the atmospheric pressure section 200, the structure of the cassette transfer / wafer transfer machine 20 is simpler than that in a vacuum. can do.

【0083】ウェーハ搬送室50は排気配管84、81
を介して真空引きできるように構成されている。そし
て、複数の反応室70、ウェーハ搬送室50および複数
のウェーハ収容室30は、それぞれ独立して真空引きで
きるように構成されている。
The wafer transfer chamber 50 has exhaust pipes 84, 81.
It is configured so that a vacuum can be drawn through. The plurality of reaction chambers 70, the wafer transfer chamber 50, and the plurality of wafer accommodating chambers 30 are configured so that they can be evacuated independently.

【0084】ウェーハ搬送室50を減圧可能とし、ウェ
ーハ収容室30も減圧可能としているから、酸素濃度を
極限まで減少できて、ウェーハ搬送室50やウェーハ収
容室30でウェーハ5が酸化されるのを抑制できる。
Since the wafer transfer chamber 50 can be depressurized and the wafer accommodating chamber 30 can also be depressurized, the oxygen concentration can be reduced to the limit, and the wafer 5 can be prevented from being oxidized in the wafer transfer chamber 50 or the wafer accommodating chamber 30. Can be suppressed.

【0085】また、反応室70を独立して真空引きでき
るので、反応室70を減圧下で処理を行う反応室とする
こともでき、また、反応室70内を一度減圧にした後に
所定の雰囲気ガスに置換することもでき、純度の高いガ
ス雰囲気にすることもできる。
Further, since the reaction chamber 70 can be evacuated independently, the reaction chamber 70 can also be used as a reaction chamber in which processing is performed under reduced pressure. Further, after the pressure inside the reaction chamber 70 is once reduced, a predetermined atmosphere is obtained. The gas can be replaced with a gas, or a high-purity gas atmosphere can be used.

【0086】本実施の形態では、複数の反応室70を全
て減圧下で処理を行う反応室としたが、複数の反応室7
0全てを常圧下で処理を行う反応室とすることもでき、
またこれら複数の反応室70のうち少なくとも一つの反
応室70を常圧下でウェーハの処理を行う反応室とし、
これら複数の反応室70のうちの他の残りの反応室70
を減圧下で処理を行う反応室とすることもできる。
In the present embodiment, the plurality of reaction chambers 70 are all reaction chambers in which processing is performed under reduced pressure.
It is also possible to use a reaction chamber in which all 0 are treated under normal pressure,
Further, at least one reaction chamber 70 of the plurality of reaction chambers 70 is used as a reaction chamber for processing a wafer under normal pressure,
The remaining reaction chambers 70 of the plurality of reaction chambers 70
Can be used as a reaction chamber in which the treatment is performed under reduced pressure.

【0087】ウェーハ搬送室50の内部にはウェーハ搬
送真空ロボット60が設けられている。図4はウェーハ
搬送真空ロボット60を説明するための概略斜視図であ
る。ウェーハ搬送真空ロボット60は、多関節ロボット
であり、水平面内を回転移動するアーム63、65、6
7と、それぞれのアームを回転可能にする回転軸62、
64、66と、回転軸62に回転を与える2軸の駆動部
69と、回転軸62の回転を回転軸64、66に伝達す
る歯車機構(図示せず)と、この駆動部69を収容する
駆動部収容部61とを備えている。なお、アーム67の
先はウェーハを搭載するためのウェーハ搭載アーム68
として機能する。回転軸62が回転すると、アーム6
3、65、67が水平方向に回転移動し、それによっ
て、ウェーハを水平方向に移動させることができる。
A wafer transfer vacuum robot 60 is provided inside the wafer transfer chamber 50. FIG. 4 is a schematic perspective view for explaining the wafer transfer vacuum robot 60. The wafer transfer vacuum robot 60 is an articulated robot, and has arms 63, 65, 6 that rotate and move in a horizontal plane.
7, and a rotation shaft 62 that allows each arm to rotate,
64 and 66, a biaxial drive unit 69 that applies rotation to the rotary shaft 62, a gear mechanism (not shown) that transmits the rotation of the rotary shaft 62 to the rotary shafts 64 and 66, and the drive unit 69. The drive unit accommodating portion 61 is provided. The tip of the arm 67 is a wafer mounting arm 68 for mounting a wafer.
Function as When the rotary shaft 62 rotates, the arm 6
The wafers 3, 65, 67 rotate and move in the horizontal direction, so that the wafer can be moved in the horizontal direction.

【0088】アーム67およびウェーハ搭載アーム68
は2本設けられておりウェーハ搭載アーム68間のピッ
チはウェーハ保持具40のウェーハ載置用溝45間のピ
ッチおよび反応室70内のウェーハボート75に搭載さ
れるウェーハ5間のピッチと同じとしている。従って、
ウェーハ搭載アーム68が2本設けられているので、ウ
ェーハ搬送真空ロボット60によって2枚のウェーハを
同時に搬送可能であるが、搬送中にウェーハ5間のピッ
チを変える必要がないので、ウェーハ搬送真空ロボット
60の構造が簡単なものとなり、また、真空の汚染も防
止できる。そして2枚のウェーハを同時に搬送できるの
で、ウェーハ搬送の効率も高くなる。
Arm 67 and wafer mounting arm 68
The pitch between the wafer mounting arms 68 is the same as the pitch between the wafer mounting grooves 45 of the wafer holder 40 and the pitch between the wafers 5 mounted on the wafer boat 75 in the reaction chamber 70. There is. Therefore,
Since two wafer mounting arms 68 are provided, the wafer transfer vacuum robot 60 can transfer two wafers at the same time, but the wafer transfer vacuum robot does not need to change the pitch between the wafers 5 during transfer. The structure of 60 is simplified, and vacuum contamination can be prevented. Since two wafers can be transferred at the same time, the efficiency of wafer transfer is increased.

【0089】駆動部収容部61は気密構造であり、駆動
部69がこの気密性の駆動部収容部61内に収容されて
いるから、ウェーハ搬送室50内の雰囲気を清浄に保つ
ことができる。
Since the drive portion accommodating portion 61 has an airtight structure and the drive portion 69 is accommodated in the airtight drive portion accommodating portion 61, the atmosphere in the wafer transfer chamber 50 can be kept clean.

【0090】ウェーハ搬送室50の底面56に駆動部収
容部61の外形に合わせた凸部52を設けている。従っ
て、この凸部52内に駆動部収容部61を収容でき、こ
のようにすれば、ウェーハ搬送室50全体を大きくせず
に、ウェーハ搬送真空ロボット60の駆動部収容部61
を収容する凸部52のみをウェーハ搬送室50から突出
させればよいから、ウェーハ搬送室50の空間を小さく
でき、真空引き等の時間を短くできる。
On the bottom surface 56 of the wafer transfer chamber 50, there is provided a convex portion 52 conforming to the outer shape of the driving portion accommodating portion 61. Therefore, the drive portion accommodating portion 61 can be accommodated in the convex portion 52. By doing so, the drive portion accommodating portion 61 of the wafer transfer vacuum robot 60 can be provided without enlarging the entire wafer transfer chamber 50.
Since only the convex portion 52 accommodating the wafer need to be projected from the wafer transfer chamber 50, the space of the wafer transfer chamber 50 can be reduced, and the time required for evacuation or the like can be shortened.

【0091】ウェーハ搬送室50の底面56には貫通孔
57が設けられている。ウェーハ搬送室50の外部の下
側にはねじ軸561が鉛直方向に設けられている。ねじ
軸561の上部にはモータ566が設けられており、ね
じ軸561はモータ566により回転する。ねじ軸56
1と共にボールねじを構成するナット565が設けら
れ、ナット565には昇降台564が固定されている。
昇降台564にはウェーハ搬送真空ロボット支持棒56
3の一端が固定されており、支持棒563が鉛直に昇降
台564に取り付けられている。ウェーハ搬送真空ロボ
ット支持棒563の他端はウェーハ搬送真空ロボット6
0の駆動部収容部61の上端部に固定されている。ウェ
ーハ搬送真空ロボット支持棒563はステンレス鋼から
成っている。ウェーハ搬送室50の底面56の貫通孔5
7の周囲の底面56には、ベロー562の一端が気密に
固定されており、ベロー562の他端は昇降台564の
上面に気密に固定されている。ベロー562は金属製で
あり、ウェーハ搬送真空ロボット支持棒563を覆って
取り付けられている。
A through hole 57 is provided in the bottom surface 56 of the wafer transfer chamber 50. A screw shaft 561 is provided vertically below the outside of the wafer transfer chamber 50. A motor 566 is provided above the screw shaft 561, and the screw shaft 561 is rotated by the motor 566. Screw shaft 56
1, a nut 565 forming a ball screw is provided, and an elevating table 564 is fixed to the nut 565.
Wafer transfer vacuum robot support rod 56 is mounted on the lift table 564.
3, one end of which is fixed, and a support rod 563 is vertically attached to the lift table 564. The other end of the wafer transfer vacuum robot support rod 563 has the wafer transfer vacuum robot 6
It is fixed to the upper end of the drive unit accommodating portion 61 of 0. The wafer transfer vacuum robot support rod 563 is made of stainless steel. Through hole 5 in bottom surface 56 of wafer transfer chamber 50
One end of the bellows 562 is airtightly fixed to the bottom surface 56 around 7 and the other end of the bellows 562 is airtightly fixed to the upper surface of the lift 564. The bellows 562 is made of metal and is attached so as to cover the wafer transfer vacuum robot support rod 563.

【0092】モーター566によってねじ軸561を回
転させると、ナット565が昇降し、それによって、ナ
ット565に固定された昇降台564が昇降する。昇降
台564が昇降すれば、それに鉛直に取り付けられたウ
ェーハ搬送真空ロボット支持棒563も昇降して、それ
に取り付けられたウェーハ搬送真空ロボット60も昇降
する。
When the screw shaft 561 is rotated by the motor 566, the nut 565 moves up and down, which moves up and down the elevating table 564 fixed to the nut 565. When the elevating table 564 moves up and down, the wafer transfer vacuum robot support rod 563 vertically attached thereto also moves up and down, and the wafer transfer vacuum robot 60 attached thereto also moves up and down.

【0093】本実施の形態では、ねじ軸561とナット
565とから構成されるボールねじ560を使用してい
るから、摩擦を小さくし、機械効率を高くできる。そし
て、このボールねじ560をウェーハ搬送室50の外部
に設けているから、ウェーハ搬送室50の内部が汚染さ
れることを防止でき、その結果、ウェーハ5が汚染され
ることが防止される。また、ボールネジ560をウェー
ハ搬送室50の底面56の下側に設けているから、ベロ
ー562から発生するパーティクルによってウェーハ搬
送室50内が汚染されるのを防止できる。
In this embodiment, since the ball screw 560 composed of the screw shaft 561 and the nut 565 is used, friction can be reduced and mechanical efficiency can be increased. Since the ball screw 560 is provided outside the wafer transfer chamber 50, the inside of the wafer transfer chamber 50 can be prevented from being contaminated, and as a result, the wafer 5 can be prevented from being contaminated. Further, since the ball screw 560 is provided below the bottom surface 56 of the wafer transfer chamber 50, it is possible to prevent the inside of the wafer transfer chamber 50 from being contaminated by particles generated from the bellows 562.

【0094】また、剛体のステンレス鋼からなるウェー
ハ搬送真空ロボット支持棒563によってウェーハ搬送
真空ロボット60を昇降台564と機械的に接続してい
るから、昇降台564の昇降に応じてウェーハ搬送真空
ロボット60が確実に昇降する。
Further, since the wafer transfer vacuum robot 60 is mechanically connected to the lift table 564 by the wafer transfer vacuum robot support rod 563 made of rigid stainless steel, the wafer transfer vacuum robot is moved according to the elevation of the lift table 564. The 60 surely moves up and down.

【0095】さらに、ウェーハ搬送真空ロボット支持棒
563がベロー562によって覆われており、ベロー5
62の一端がウェーハ搬送室50の底面56の貫通孔5
7の周囲の底面56に気密に固定されており、ベロー5
62の他端が昇降台564の上面に気密に固定されてい
るから、ベロー562によって気密が保たれるので、気
密が確実になってウェーハ搬送室50内を真空にするこ
とができるとともに、ウェーハ搬送真空ロボット支持棒
563の移動も気密の維持の問題とは切り放せるので、
ウェーハ搬送真空ロボット支持棒563の移動もスムー
ズで確実なものとなる。
Further, the wafer transfer vacuum robot support rod 563 is covered with the bellows 562,
One end of 62 is the through hole 5 in the bottom surface 56 of the wafer transfer chamber 50.
7, which is airtightly fixed to the bottom surface 56 around 7,
Since the other end of 62 is airtightly fixed to the upper surface of the elevating table 564, the airtightness is maintained by the bellows 562, so that the airtightness is ensured and the wafer transfer chamber 50 can be evacuated. Since the movement of the transfer vacuum robot support rod 563 can be separated from the problem of maintaining airtightness,
The movement of the wafer transfer vacuum robot support rod 563 is also smooth and reliable.

【0096】さらに、また、ウェーハ搬送真空ロボット
支持棒563の先端をウェーハ搬送真空ロボット60の
駆動部収容部61の上端部に固定しているから、ウェー
ハ搬送室50の高さを低くでき、ひいては、半導体ウェ
ーハ処理装置1全体の高さを低くできる。
Furthermore, since the tip end of the wafer transfer vacuum robot support rod 563 is fixed to the upper end of the drive section accommodating portion 61 of the wafer transfer vacuum robot 60, the height of the wafer transfer chamber 50 can be lowered, and by extension, the wafer transfer chamber 50 can be lowered. The overall height of the semiconductor wafer processing apparatus 1 can be reduced.

【0097】半導体ウェーハ処理装置1全体が筺体90
0に収容されている。フロント部100の筺体900の
天井面にはフィルタ(図示せず)とファン(図示せず)
とが設けられており、筺体900内をダウンフローでき
るようになっている。筺体900の内部にはカセット1
0を載置するカセット棚11が筺体900に取り付けら
れている。カセット棚11は、ウェーハ収容室30に対
してウェーハ搬送室50とはほぼ反対側に配置されてい
る。カセット棚11は平面方向には3つの位置に配置さ
れており、垂直方向には、2段に縦積みされている。筺
体900内にカセット棚11を設けることによって、カ
セット10に搭載されているウェーハ表面を清浄に保つ
ことができる。また、このように複数のカセット棚11
を設けることにより、複数の処理に合わせて、処理の種
類毎にカセットをそれぞれ配置することができる。ま
た、モニタ用ウェーハやダミー用ウェーハが収容された
カセットを配置することもできる。
The entire semiconductor wafer processing apparatus 1 is a housing 90.
It is housed at 0. A filter (not shown) and a fan (not shown) are provided on the ceiling surface of the housing 900 of the front part 100.
And are provided so that the inside of the housing 900 can be downflowed. A cassette 1 is provided inside the housing 900.
A cassette shelf 11 on which 0 is placed is attached to the housing 900. The cassette shelf 11 is arranged on the opposite side of the wafer storage chamber 30 from the wafer transfer chamber 50. The cassette shelves 11 are arranged at three positions in the plane direction, and vertically stacked in two stages. By providing the cassette shelf 11 in the housing 900, the wafer surface mounted on the cassette 10 can be kept clean. Also, in this way, a plurality of cassette shelves 11
By providing the above, it is possible to arrange the cassettes for each type of processing in accordance with a plurality of processings. It is also possible to arrange a cassette in which the monitor wafer and the dummy wafer are stored.

【0098】筺体900の装置正面901の下部にはカ
セット投入口13が設けられ、筺体900の内部であっ
て、カセット投入口13とほぼ同じ高さにカセットステ
ージ12が設けられている。カセットステージ12は、
カセット投入口13から半導体ウェーハ処理装置1の筺
体900内に投入されたカセット10を最初に一時的に
保持し、また、半導体ウェーハ処理装置1によって処理
が終わり、筺体900からカセット10を搬出する前に
カセットを一時的に保持するために使用される。
A cassette insertion port 13 is provided in the lower portion of the front surface 901 of the housing 900, and a cassette stage 12 is provided inside the housing 900 and at substantially the same height as the cassette insertion port 13. The cassette stage 12
The cassette 10 loaded into the housing 900 of the semiconductor wafer processing apparatus 1 from the cassette loading port 13 is temporarily held first, and the processing is completed by the semiconductor wafer processing apparatus 1 before the cassette 10 is unloaded from the housing 900. Used to hold the cassette temporarily.

【0099】カセットステージ12はカセット棚11の
下部に設けられており、カセットステージ12にカセッ
トを投入する際に筺体900の外部からカセット投入口
13を通って流れ込んでくるパーティクル等が、カセッ
ト棚11に載置されたカセット10内のウェーハ5に及
ぼす影響を小さくできる。
The cassette stage 12 is provided in the lower part of the cassette shelf 11, and when the cassette is loaded into the cassette stage 12, particles and the like flowing from the outside of the housing 900 through the cassette loading port 13 are introduced into the cassette shelf 11. It is possible to reduce the influence on the wafer 5 in the cassette 10 placed on the.

【0100】ウェーハ収容室30とカセット棚11との
間に、カセット10をカセット棚11に搬入できカセッ
ト棚11からカセット10を搬出できると共に、ウェー
ハ5をカセット10とウェーハ収容室30との間で搬送
できるカセット搬送兼ウェーハ搬送機20が設けられて
いる。このカセット搬送兼ウェーハ搬送機20は、垂直
に設けられたねじ軸29とボールねじを構成するナット
(図示せず)とを備えており、ねじ軸29を回転するこ
とで、カセット搬送兼ウェーハ搬送機20を昇降させる
ことができる。カセット搬送兼ウェーハ搬送機20も筺
体900内に設けられているので、カセット搬送兼ウェ
ーハ搬送機20によって搬送されているウェーハ5の表
面を清浄に保つことができる。
Between the wafer accommodating chamber 30 and the cassette shelf 11, the cassette 10 can be loaded into the cassette shelf 11 and the cassette 10 can be unloaded from the cassette shelf 11, and the wafer 5 can be transferred between the cassette 10 and the wafer accommodating chamber 30. A cassette carrier / wafer carrier 20 capable of carrying is provided. The cassette transfer / wafer transfer machine 20 includes a screw shaft 29 provided vertically and a nut (not shown) that constitutes a ball screw, and by rotating the screw shaft 29, the cassette transfer / wafer transfer is performed. The machine 20 can be raised and lowered. Since the cassette transfer / wafer transfer device 20 is also provided in the housing 900, the surface of the wafer 5 transferred by the cassette transfer / wafer transfer device 20 can be kept clean.

【0101】図5は、このカセット搬送兼ウェーハ搬送
機20を説明するための概略斜視図である。
FIG. 5 is a schematic perspective view for explaining the cassette transfer / wafer transfer machine 20.

【0102】ベース25、26上にカセット搬送機21
とウェーハ搬送機23が設けられており、カセット搬送
機21とウェーハ搬送機23とは、独立に矢印の方向に
平行移動することができる。カセット搬送機21はカセ
ット搬送アーム22を備えており、カセット搬送アーム
22の先に取り付けられたカセットホルダー27上にカ
セット10を載置してカセット10を搬送する。ウェー
ハ搬送機23は複数のツィーザ24を備えており、この
ツィーザ24上にウェーハ5をそれぞれ搭載してウェー
ハ5を搬送する。
The cassette carrier 21 is mounted on the bases 25 and 26.
And the wafer transfer device 23 are provided, and the cassette transfer device 21 and the wafer transfer device 23 can independently move in parallel in the direction of the arrow. The cassette carrying machine 21 includes a cassette carrying arm 22, and the cassette 10 is carried by mounting the cassette 10 on a cassette holder 27 attached to the tip of the cassette carrying arm 22. The wafer transfer device 23 includes a plurality of tweezers 24, and mounts the wafers 5 on the tweezers 24, respectively, and transfers the wafers 5.

【0103】図6は、カセット搬送兼ウェーハ搬送機の
ピッチ変換機構を説明するための図であり、図6Aは側
面図、図6Bは、図6AのY−Y線より見た背面図であ
る。
6A and 6B are views for explaining the pitch converting mechanism of the cassette carrying / wafer carrying machine, FIG. 6A is a side view, and FIG. 6B is a rear view taken along the line YY of FIG. 6A. .

【0104】本実施の形態では、ウェーハ搬送機23
は、5枚のツィーザ241乃至245を備えている。ツ
ィーザ241はブロック260と一体化されている。ツ
ィーザ242、243、244、245にはナット23
2、233、234、235がそれぞれ固着されてい
る。ナット232とナット234はねじ軸210と噛み
合わせられておりナット232とナット234はねじ軸
210とそれぞれボールねじを構成している。ナット2
33とナット235はねじ軸211と噛み合わせられて
おりナット233とナット235はねじ軸211とそれ
ぞれボールねじを構成している。ねじ軸210の上端お
よびねじ軸211の上端はモータ220と歯車機構(図
示せず。)を介して接続されており、ねじ軸210の下
端およびねじ軸211の下端は、ブロック250に回転
自在に取り付けられている。ブロック250とブロック
260にはナット270が取り付けられており、ナット
270はねじ軸280と噛み合って設けられており、ナ
ット270とねじ軸280とによりボールねじを構成し
ている。ねじ軸280が回転すると、ナット270が左
右に動いてツイーザ241乃至245を左右に移動させ
る。
In the present embodiment, the wafer transfer machine 23
Has five tweezers 241 to 245. Tweezer 241 is integrated with block 260. Tweezers 242, 243, 244, 245 have nuts 23
2, 233, 234 and 235 are fixed to each other. The nut 232 and the nut 234 are engaged with the screw shaft 210, and the nut 232 and the nut 234 form a ball screw with the screw shaft 210, respectively. Nut 2
The nut 33 and the nut 235 are engaged with the screw shaft 211, and the nut 233 and the nut 235 form a ball screw with the screw shaft 211, respectively. The upper end of the screw shaft 210 and the upper end of the screw shaft 211 are connected to the motor 220 via a gear mechanism (not shown), and the lower end of the screw shaft 210 and the lower end of the screw shaft 211 are rotatable by the block 250. Installed. A nut 270 is attached to each of the blocks 250 and 260. The nut 270 is provided so as to mesh with the screw shaft 280. The nut 270 and the screw shaft 280 constitute a ball screw. When the screw shaft 280 rotates, the nut 270 moves left and right to move the tweezers 241 to 245 left and right.

【0105】ナット232と噛み合っているねじ軸21
0の領域212には1倍ピッチのねじが形成されてお
り、ナット233と噛み合っているねじ軸211の領域
213には2倍ピッチのねじが形成されており、ナット
234と噛み合っているねじ軸210の領域214には
3倍ピッチのねじが形成されており、ナット235と噛
み合っているねじ軸211の領域215には4倍ピッチ
のねじが形成されている。また、ブロック250とブロ
ック260との間の上下方向の相対位置は変化しない。
モータ220によってねじ軸210とねじ軸211を回
転させると、ブロック250とブロック260とは昇降
せず、ナット232は所定の距離昇降し、ナット233
はナット232の2倍の距離昇降し、ナット234はナ
ット232の3倍の距離昇降し、ナット235はナット
232の4倍の距離昇降する。従って、ツィザー241
は昇降せず、ツィーザ242は所定の距離昇降し、ツィ
ーザ243はツィーザ242の2倍の距離昇降し、ツィ
ーザ244はツィーザ242の3倍の距離昇降し、ツィ
ーザ245はツィーザ242の4倍の距離昇降する。そ
の結果、ツィーザ241乃至245間のピッチを均等に
保ったまま、ツィーザ241乃至245間のピッチを変
換できる。
The screw shaft 21 meshing with the nut 232.
In the area 212 of the screw shaft 211, a one-pitch screw is formed. In the area 213 of the screw shaft 211 that meshes with the nut 233, a double-pitch screw is formed, and the screw shaft that meshes with the nut 234. A triple pitch screw is formed in the area 214 of the screw 210, and a quadruple pitch screw is formed in the area 215 of the screw shaft 211 meshing with the nut 235. The relative position in the vertical direction between the block 250 and the block 260 does not change.
When the screw shaft 210 and the screw shaft 211 are rotated by the motor 220, the block 250 and the block 260 do not move up and down, the nut 232 moves up and down a predetermined distance, and the nut 233
Moves up and down twice the distance of the nut 232, the nut 234 moves up and down a distance of 3 times the nut 232, and the nut 235 moves up and down a distance of 4 times the nut 232. Therefore, the tether 241
Does not move up and down, the tweezers 242 move up and down a predetermined distance, the tweezers 243 move up and down a distance twice as long as the tweezers 242, the tweezers 244 move up and down a distance three times the tweezers 242, and the tweezers 245 move four times as long as the tweezers 242. Go up and down. As a result, the pitch between the tweezers 241 to 245 can be converted while keeping the pitch between the tweezers 241 to 245 uniform.

【0106】図7は、半導体ウェーハ処理装置1におけ
るウェーハ5の搬送操作を説明するための概略断面図で
あり、図1乃至図7を参照してウェーハ5の搬送および
処理方法を説明する。
FIG. 7 is a schematic sectional view for explaining the transfer operation of the wafer 5 in the semiconductor wafer processing apparatus 1, and the transfer and processing method of the wafer 5 will be described with reference to FIGS. 1 to 7.

【0107】カセット投入口13から半導体ウェーハ処
理装置1の筺体900内に投入されたカセット10は、
まず、カセットステージ12に置かれる。次に、カセッ
ト搬送兼ウェーハ搬送機20のカセット搬送アーム22
の先に取り付けられたカセットホルダー27上に載置さ
れて、筺体900の上部まで運ばれ、その後カセット棚
11上に載置される。次に、カセット搬送機21が左に
移動し、代わって、ウェーハ搬送機23が右に移動し
て、カセット10内のウェーハ5をツィーザ24上に搭
載する。この時、ツイーザ24間のピッチはカセット1
0の溝間の間隔とされている。その後、ウェーハ搬送機
23が一度後退し、方向を180度変え、その後、ツィ
ーザ24間のピッチを変換して、ウェーハ保持具40の
ウェーハ載置用溝45間のピッチとする。その後、ツィ
ーザ24を左に移動してウェーハ収容室30内のウェー
ハ保持具40にウェーハ5を搭載する。本実施の形態で
は、5枚のウェーハ5を一度にカセット10からウェー
ハ保持具40までカセット搬送兼ウェーハ搬送機20に
より搬送する。なお、カセット搬送兼ウェーハ搬送機2
0によってウェーハ5をウェーハ収容室30内に搬送す
る際には、ゲートバルブ92は閉じておき、フロントド
アバルブ91は開けておく。
The cassette 10 loaded into the housing 900 of the semiconductor wafer processing apparatus 1 from the cassette loading port 13 is
First, it is placed on the cassette stage 12. Next, the cassette transfer arm 22 of the cassette transfer / wafer transfer machine 20
It is placed on the cassette holder 27 attached to the end of the box, transported to the upper part of the housing 900, and then placed on the cassette shelf 11. Next, the cassette carrier 21 moves to the left, and instead, the wafer carrier 23 moves to the right to mount the wafer 5 in the cassette 10 on the tweezers 24. At this time, the pitch between the tweezers 24 is the cassette 1
The distance between the grooves is 0. After that, the wafer carrier 23 is once retracted, the direction is changed by 180 degrees, and then the pitch between the tweezers 24 is converted to the pitch between the wafer mounting grooves 45 of the wafer holder 40. Then, the tweezers 24 are moved to the left and the wafer 5 is mounted on the wafer holder 40 in the wafer storage chamber 30. In the present embodiment, five wafers 5 are transferred from the cassette 10 to the wafer holder 40 at one time by the cassette transfer / wafer transfer machine 20. It should be noted that the cassette carrier / wafer carrier 2
When the wafer 5 is transferred into the wafer storage chamber 30 by 0, the gate valve 92 is closed and the front door valve 91 is opened.

【0108】ウェーハ収容室30内のウェーハ保持具4
0にウェーハ5を搭載した後、フロントドアバルブ91
を閉じ、ウェーハ収容室30内を真空引きする。
Wafer holder 4 in the wafer storage chamber 30
After mounting wafer 5 on 0, front door valve 91
And the inside of the wafer storage chamber 30 is evacuated.

【0109】真空引き後、ゲートバルブ92を開ける。
なお、ウェーハ搬送室50は予め真空引きされている。
After evacuation, the gate valve 92 is opened.
The wafer transfer chamber 50 is evacuated in advance.

【0110】その後、ウェーハ5は、真空中で、ウェー
ハ搬送室50内のウェーハ搬送真空ロボット60のウェ
ーハ搭載アーム68上に搭載されてウェーハ収容室30
内のウェーハ保持具40から反応室70内のウェーハボ
ート75に搬送される。なお、この際には、ゲートバル
ブ93は開けられており、反応室70も真空引きされて
いる。ウェーハ保持具40のウェーハ載置用溝45間の
ピッチはウェーハボート75に搭載されるウェーハ5間
のピッチと同じだから、ウェーハ搬送真空ロボット60
のウェーハ搭載アーム68間のピッチは変換せず、一定
のままである。本実施の形態においては、2枚のウェー
ハを一度にウェーハ保持具40からウェーハボート75
までウェーハ搬送真空ロボット60により搬送する。
Thereafter, the wafer 5 is mounted on the wafer mounting arm 68 of the wafer transfer vacuum robot 60 in the wafer transfer chamber 50 in a vacuum, and the wafer 5 is accommodated in the wafer storage chamber 30.
The wafer holder 40 in the inside is transferred to the wafer boat 75 in the reaction chamber 70. At this time, the gate valve 93 is opened and the reaction chamber 70 is also evacuated. Since the pitch between the wafer mounting grooves 45 of the wafer holder 40 is the same as the pitch between the wafers 5 mounted on the wafer boat 75, the wafer transfer vacuum robot 60
The pitch between the wafer mounting arms 68 of 1 is not changed and remains constant. In the present embodiment, two wafers are transferred from the wafer holder 40 to the wafer boat 75 at a time.
The wafer is transported by the vacuum robot 60.

【0111】搬送後、ゲートバルブ93を閉じ、反応室
70を所定の雰囲気として反応室70のウェーハボート
75に搭載された2枚のウェーハ5に成膜等の所定の処
理を同時に行う。
After the transfer, the gate valve 93 is closed, and the reaction chamber 70 is set to a predetermined atmosphere, and predetermined processing such as film formation is simultaneously performed on the two wafers 5 mounted on the wafer boat 75 of the reaction chamber 70.

【0112】所定の処理が行われた後は、反応室70を
真空引きし、その後ゲートバルブ93を開ける。ウェー
ハ5は、真空中で、ウェーハ搬送真空ロボット60によ
りウェーハ収容室30内のウェーハ保持具40に移載さ
れる。この際には、ウェーハ搬送真空ロボット60のウ
ェーハ搭載アーム68間のピッチは変換せず一定のまま
である。また、2枚のウェーハを一度に搬送する。
After the predetermined processing is performed, the reaction chamber 70 is evacuated and then the gate valve 93 is opened. The wafer 5 is transferred to the wafer holder 40 in the wafer storage chamber 30 by the wafer transfer vacuum robot 60 in vacuum. At this time, the pitch between the wafer mounting arms 68 of the wafer transfer vacuum robot 60 does not change and remains constant. Also, two wafers are transferred at one time.

【0113】その後、ゲートバルブ92を閉じ、ウェー
ハ収容室30内を窒素等で大気圧にし、ここでウェーハ
5を所定の温度になるまで冷却する。
After that, the gate valve 92 is closed and the inside of the wafer storage chamber 30 is brought to atmospheric pressure with nitrogen or the like, where the wafer 5 is cooled to a predetermined temperature.

【0114】その後、フロントドアバルブ91を開け、
カセット搬送兼ウェーハ搬送機20のウェーハ搬送機2
3によってウェーハ5はカセット10内に移載される。
この際、ウェーハ保持具40のウェーハ載置用溝45間
のピッチから、カセット10の溝間のピッチとなるよう
にツィーザ24間のピッチを変換する。
Then, the front door valve 91 is opened,
Wafer carrier 2 of cassette carrier and wafer carrier 20
The wafer 5 is transferred into the cassette 10 by 3.
At this time, the pitch between the tweezers 24 is changed from the pitch between the wafer mounting grooves 45 of the wafer holder 40 to the pitch between the grooves of the cassette 10.

【0115】所定枚数のウェーハ5がカセット10内に
搬入されると、カセット搬送兼ウェーハ搬送機20のカ
セット搬送機21によってカセット10がカセットステ
ージ12に移載され、その後、カセット投入口13から
搬出される。
When a predetermined number of wafers 5 are loaded into the cassette 10, the cassette carrier 21 of the cassette carrier / wafer carrier 20 transfers the cassette 10 to the cassette stage 12 and then unloads it from the cassette inlet 13. To be done.

【0116】このように、反応室70内で2枚のウェー
ハを同時に処理するからウェーハ処理の効率が高くな
る。また、ウェーハ保持具40のウェーハ載置用溝45
間のピッチはウェーハボート75に搭載されるウェーハ
5間のピッチと同じであり、ウェーハ搬送真空ロボット
60のウェーハ搭載アーム68間のピッチは変換しない
から、ウェーハ搬送真空ロボット60の構造が簡単とな
り、真空の汚染も防止できる。そして2枚のウェーハ5
を同時に搬送できるので、ウェーハ搬送の効率も高くな
る。
As described above, since two wafers are simultaneously processed in the reaction chamber 70, the efficiency of wafer processing is increased. Further, the wafer mounting groove 45 of the wafer holder 40.
The pitch between the wafers 5 mounted on the wafer boat 75 is the same as the pitch between the wafer mounting arms 68 of the wafer transfer vacuum robot 60. Therefore, the structure of the wafer transfer vacuum robot 60 is simplified, Vacuum contamination can also be prevented. And two wafers 5
Since wafers can be transferred at the same time, wafer transfer efficiency is also improved.

【0117】そして、カセット搬送兼ウェーハ搬送機2
0によってウェーハ5間のピッチを可変としているが、
このカセット搬送兼ウェーハ搬送機20は大気圧下で用
いるので、ウェーハ5間のピッチを可変にしても、真空
下での場合と比較すれば構造が簡単であり、安価に製造
でき、また、パーティクルの発生を抑えることができ
る。
Then, the cassette carrier / wafer carrier 2
Although the pitch between the wafers 5 is variable by 0,
Since the cassette transfer / wafer transfer machine 20 is used under the atmospheric pressure, even if the pitch between the wafers 5 is changed, the structure is simpler than that in the case of under vacuum, and the manufacturing cost is low. Can be suppressed.

【0118】上記のように、大気圧下でウェーハ5間の
ピッチを可変とし減圧下ではウェーハ5間のピッチを固
定して、複数枚のウェーハ5を同時に搬送するようにす
れば、搬送装置の製造コストを低減でき、搬送装置の大
型化が抑制され、しかもパーティクルの発生が抑制され
てウェーハ5をクリーンな環境で搬送することができ
る。さらに、複数枚のウェーハ5を同時に搬送するの
で、スループットが向上し、ウェーハ5間のピッチが可
変であるので、反応室70内において高精度でウェーハ
処理が行えるウェーハ5間のピッチに変換できる。
As described above, if the pitch between the wafers 5 is variable under atmospheric pressure and the pitch between the wafers 5 is fixed under reduced pressure so that a plurality of wafers 5 can be transferred at the same time, The manufacturing cost can be reduced, the size of the transfer device can be prevented from increasing, and the generation of particles can be suppressed, so that the wafer 5 can be transferred in a clean environment. Further, since a plurality of wafers 5 are transferred at the same time, the throughput is improved and the pitch between the wafers 5 is variable, so that the wafers 5 can be converted into a pitch between the wafers 5 that allows highly accurate wafer processing in the reaction chamber 70.

【0119】なお、本実施の形態においては、ウェーハ
搬送室50のウェーハ搬送室壁53とウェーハ搬送室壁
54とを互いに対向させて、反応室70と、ウェーハ搬
送室50と、ウェーハ収容室30とをほぼ一直線上に配
置し、ウェーハ搬送室50を平面図的には矩形状として
いる。ウェーハ搬送室50が矩形状であると、ウェーハ
搬送室50を小さくしてその専有面積を減少させること
ができて、半導体ウェーハ処理装置1によるクリーンル
ームの専有面積を減少させることができる。また、矩形
状であると、ウェーハ搬送室50の製作コストも減少さ
せることができる。メンテナンス領域も減少させること
ができる。さらに、ウェーハ搬送室50を他のウェーハ
搬送室等と接続する距離もより短くできて、その接続部
にウェーハ搬送機を設けなくてもウェーハ搬送室50と
他のウェーハ搬送室等との間でウェーハ5を容易に移載
できるようになり、半導体ウェーハ処理装置1が、その
分、簡単な構造となり、安価に製造できるようになる。
また、反応室70と、ウェーハ搬送室50と、ウェーハ
収容室30とをほぼ一直線上に配置しているから、この
ような構成の半導体ウェーハ処理装置ユニットを複数容
易に平行に配置して、専有面積を小さくできる。
In the present embodiment, the wafer transfer chamber wall 53 and the wafer transfer chamber wall 54 of the wafer transfer chamber 50 are made to face each other, and the reaction chamber 70, the wafer transfer chamber 50, and the wafer storage chamber 30 are placed. And are arranged on a substantially straight line, and the wafer transfer chamber 50 has a rectangular shape in a plan view. When the wafer transfer chamber 50 has a rectangular shape, the wafer transfer chamber 50 can be reduced in size to reduce its occupied area, and the occupied area of the clean room of the semiconductor wafer processing apparatus 1 can be reduced. Further, the rectangular shape can reduce the manufacturing cost of the wafer transfer chamber 50. The maintenance area can also be reduced. Furthermore, the distance for connecting the wafer transfer chamber 50 to other wafer transfer chambers can be shortened, and the wafer transfer chamber 50 and other wafer transfer chambers can be connected without providing a wafer transfer device at the connecting portion. The wafer 5 can be easily transferred, and the semiconductor wafer processing apparatus 1 has a simple structure accordingly and can be manufactured at low cost.
Further, since the reaction chamber 70, the wafer transfer chamber 50, and the wafer storage chamber 30 are arranged on a substantially straight line, a plurality of semiconductor wafer processing apparatus units having such a configuration can be easily arranged in parallel to each other, and the exclusive use can be achieved. The area can be reduced.

【0120】図8は本発明の第2の実施の形態の半導体
ウェーハ処理装置を説明するための断面図である。
FIG. 8 is a sectional view for explaining a semiconductor wafer processing apparatus according to the second embodiment of the present invention.

【0121】本実施の形態の半導体ウェーハ処理装置1
は、反応室70、ウェーハ搬送室50、ウェーハ収容室
30を筺体900の下方に設け、ウェーハ搬送真空ロボ
ット60、このウェーハ搬送真空ロボット60を昇降さ
せるねじ軸561等を筺体900の上方に設けた点が第
一の実施の形態の半導体ウェーハ処理装置と異なるが、
他の点は同様である。
Semiconductor wafer processing apparatus 1 of the present embodiment
The reaction chamber 70, the wafer transfer chamber 50, and the wafer storage chamber 30 are provided below the housing 900, and the wafer transfer vacuum robot 60, the screw shaft 561 for moving the wafer transfer vacuum robot 60 up and down, and the like are provided above the housing 900. Although the point is different from the semiconductor wafer processing apparatus of the first embodiment,
Other points are the same.

【0122】図9は、本発明の第3の実施の形態の半導
体ウェーハ処理装置を説明するための断面図である。
FIG. 9 is a sectional view for explaining a semiconductor wafer processing apparatus according to the third embodiment of the present invention.

【0123】本実施の形態では、6個の反応室70をウ
ェーハ搬送室50のウェーハ搬送室壁53に鉛直方向に
積層し、4個のウェーハ収容室30をウェーハ搬送室5
0のウェーハ搬送室壁54に鉛直方向に積層している。
このように、反応室70、ウェーハ収容室30の数が増
加しているので、ウェーハ搬送室50の高さも高くなっ
ている。このように多数の反応室70やウェーハ収容室
30を筺体900内に設けるために、本実施の形態にお
いては、ウェーハ搬送室50の凸部52、ねじ軸56
1、ベロー562、ウェーハ搬送真空ロボット支持棒5
63の一部を筺体900から突出させている。これらを
筺体900から突出させて設けることにより、これらを
クリーンルームの床面から下側に突出させることが可能
になり、その結果、ウェーハ搬送室50の高さを高くで
きて、より多くの反応室70を鉛直方向に積層でき、ま
た、より多くのウェーハ収容室30も鉛直方向に積層で
きて、より多くのウェーハを少ない専有面積で処理でき
るようになる。
In this embodiment, six reaction chambers 70 are vertically stacked on the wafer transfer chamber wall 53 of the wafer transfer chamber 50, and four wafer storage chambers 30 are connected to the wafer transfer chamber 5.
It is stacked vertically on the wafer transfer chamber wall 54 of No. 0.
As described above, since the numbers of the reaction chambers 70 and the wafer storage chambers 30 are increased, the height of the wafer transfer chamber 50 is also increased. In order to provide a large number of reaction chambers 70 and wafer accommodating chambers 30 in the housing 900 in this manner, in the present embodiment, the projection 52 of the wafer transfer chamber 50 and the screw shaft 56 are provided.
1, bellows 562, wafer transfer vacuum robot support rod 5
A part of 63 is projected from the housing 900. By projecting these from the housing 900, it is possible to project them downward from the floor surface of the clean room, and as a result, the height of the wafer transfer chamber 50 can be increased and more reaction chambers can be provided. 70 can be stacked vertically, and more wafer storage chambers 30 can also be stacked vertically, so that more wafers can be processed with a small occupied area.

【0124】図10は、本発明の第4の実施の形態の半
導体ウェーハ処理装置を説明するための平面図である。
FIG. 10 is a plan view for explaining a semiconductor wafer processing apparatus according to the fourth embodiment of the present invention.

【0125】本実施の形態においては、反応室70(7
0’)と、ウェーハ搬送室50(50’)と、ウェーハ
収容室30(30’)と、カセット搬送兼ウェーハ搬送
機20(20’)と、カセット棚11(11’)とをほ
ぼ一直線上に配置した構成の半導体ウェーハ処理装置ユ
ニット2(2’)を平行に配置している。反応室70
(70’)と、ウェーハ搬送室50(50’)と、ウェ
ーハ収容室30(30’)と、カセット搬送兼ウェーハ
搬送機20(20’)と、カセット棚11(11’)と
をほぼ一直線上に配置しているから、このような構成の
半導体ウェーハ処理装置ユニット2、2’を容易に平行
に配置して、装置全体の専有面積を小さくできる。
In this embodiment, the reaction chamber 70 (7
0 '), the wafer transfer chamber 50 (50'), the wafer storage chamber 30 (30 '), the cassette transfer / wafer transfer device 20 (20'), and the cassette shelf 11 (11 ') on a substantially straight line. The semiconductor wafer processing apparatus unit 2 (2 ′) having the configuration arranged in FIG. Reaction chamber 70
(70 '), the wafer transfer chamber 50 (50'), the wafer accommodating chamber 30 (30 '), the cassette transfer / wafer transfer device 20 (20'), and the cassette shelf 11 (11 ') are almost directly aligned. Since they are arranged on the line, the semiconductor wafer processing apparatus units 2 and 2'having such a configuration can be easily arranged in parallel, and the area occupied by the entire apparatus can be reduced.

【0126】また、ウェーハ搬送室50(50’)を平
面図的には矩形状としている。ウェーハ搬送室50(5
0’)が矩形状であると、ウェーハ搬送室50とウェー
ハ搬送室50’とを接続する距離も短くできて、その接
続部に設けたウェーハ受け渡し室90にはウェーハ搬送
機を設けなくてもウェーハ搬送室50と他のウェーハ搬
送室50’との間でウェーハを容易に移載できる。従っ
て、半導体ウェーハ処理装置1が、その分、簡単な構造
となり、安価に製造できるようになる。このウェーハ受
け渡し室90は、ウェーハを冷却する冷却室、またはウ
ェーハを予備加熱する予備加熱室としても使用可能であ
る。
The wafer transfer chamber 50 (50 ') is rectangular in plan view. Wafer transfer chamber 50 (5
If 0 ') is rectangular, the distance for connecting the wafer transfer chamber 50 and the wafer transfer chamber 50' can be shortened, and the wafer transfer chamber 90 provided at the connection portion does not need to be provided with a wafer transfer device. A wafer can be easily transferred between the wafer transfer chamber 50 and another wafer transfer chamber 50 '. Therefore, the semiconductor wafer processing apparatus 1 has a correspondingly simple structure and can be manufactured at low cost. The wafer delivery chamber 90 can also be used as a cooling chamber for cooling the wafer or a preheating chamber for preheating the wafer.

【0127】また、反応室70と反応室70’との間の
空間も大きくとれ、半導体ウェーハ処理装置ユニット
2、2’の共有のメンテナンス領域3として使用でき
る。
Further, a large space can be secured between the reaction chamber 70 and the reaction chamber 70 ', which can be used as a common maintenance area 3 for the semiconductor wafer processing apparatus units 2 and 2'.

【0128】図11は、本発明の第5の実施の形態の半
導体ウェーハ処理装置を説明するための平面図である。
FIG. 11 is a plan view for explaining a semiconductor wafer processing apparatus according to the fifth embodiment of the present invention.

【0129】本実施の形態においては、反応室70と、
ウェーハ搬送室50と、ウェーハ収容室30と、カセッ
ト搬送兼ウェーハ搬送機20と、カセット11棚とをほ
ぼ一直線上に配置した構成の本発明に係る半導体ウェー
ハ処理装置ユニット6と、上から見て六角形の形状のウ
ェーハ搬送室150と、ウェーハ搬送室150の側壁に
設けられたカセット室131、132と、反応室17
1、172と、ウェーハ冷却室142とを備えた半導体
ウェーハ処理装置ユニット7とを連結している。
In the present embodiment, the reaction chamber 70,
A wafer transfer chamber 50, a wafer accommodating chamber 30, a cassette transfer / wafer transfer machine 20, and a semiconductor wafer processing apparatus unit 6 according to the present invention having a configuration in which a cassette 11 shelf is arranged in a substantially straight line, as viewed from above. Hexagonal wafer transfer chamber 150, cassette chambers 131 and 132 provided on the sidewall of wafer transfer chamber 150, and reaction chamber 17
1, 172 and the semiconductor wafer processing apparatus unit 7 including the wafer cooling chamber 142 are connected to each other.

【0130】このように、ウェーハ搬送室50は矩形状
をしているので、そのウェーハ搬送室壁51を介して他
の形態の半導体ウェーハ処理装置ユニットと容易に連結
できる。
As described above, since the wafer transfer chamber 50 has a rectangular shape, it can be easily connected to the semiconductor wafer processing apparatus unit of another form through the wafer transfer chamber wall 51.

【0131】本実施の形態においても、ウェーハ搬送室
50とウェーハ搬送室150とを接続する距離も短くで
きて、その接続部に設けたウェーハ受け渡し室90には
ウェーハ搬送機を設けなくてもウェーハ搬送室50とウ
ェーハ搬送室150との間でウェーハを容易に移載でき
る。従って、半導体ウェーハ処理装置全体が、その分、
簡単な構造となり、安価に製造できるようになる。この
ウェーハ受け渡し室90は、ウェーハを冷却する冷却
室、またはウェーハを予備加熱する予備加熱室としても
使用可能である。
Also in the present embodiment, the distance for connecting the wafer transfer chamber 50 and the wafer transfer chamber 150 can be shortened, and the wafer transfer chamber 90 provided at the connecting portion can be provided with no wafer transfer device. A wafer can be easily transferred between the transfer chamber 50 and the wafer transfer chamber 150. Therefore, the entire semiconductor wafer processing equipment
It has a simple structure and can be manufactured at low cost. The wafer delivery chamber 90 can also be used as a cooling chamber for cooling the wafer or a preheating chamber for preheating the wafer.

【0132】図12は、本発明の第6の実施の形態の半
導体ウェーハ処理装置を説明するための平面図である。
FIG. 12 is a plan view for explaining a semiconductor wafer processing apparatus according to the sixth embodiment of the present invention.

【0133】本実施の形態では、ウェーハ搬送室55を
平面的に8角形とし、その7つの各辺に反応室70をそ
れぞれ多段に積層して設けている。
In the present embodiment, the wafer transfer chamber 55 has a planar octagonal shape, and the reaction chambers 70 are stacked in a multi-tiered manner on each of the seven sides.

【0134】図13は、本発明の第7の実施の形態の半
導体ウェーハ処理装置を説明するための平面図である。
FIG. 13 is a plan view for explaining a semiconductor wafer processing apparatus according to the seventh embodiment of the present invention.

【0135】本実施の形態では、図12の反応室70a
を取り外したものと、図12の反応室70bを取り外し
たものとをウェーハ受け渡し室90により連結してい
る。このウェーハ受け渡し室90は、ウェーハを冷却す
る冷却室、またはウェーハを予備加熱する予備加熱室と
しても使用可能である。
In this embodiment, the reaction chamber 70a shown in FIG. 12 is used.
The wafer transfer chamber 90 connects the one obtained by removing the wafer and the one obtained by removing the reaction chamber 70b shown in FIG. The wafer delivery chamber 90 can also be used as a cooling chamber for cooling the wafer or a preheating chamber for preheating the wafer.

【0136】[0136]

【発明の効果】本発明においては、昇降手段を基板搬送
室の外部に設けているから、昇降手段によって基板搬送
室が汚染されることを防止でき、その結果、基板が汚染
されることを防止できる。
According to the present invention, since the elevating means is provided outside the substrate transfer chamber, it is possible to prevent the substrate transfer chamber from being contaminated by the elevating means, and as a result, to prevent the substrate from being contaminated. it can.

【0137】また、昇降手段の昇降部と基板搬送機と
を、基板搬送室の所定の面に設けられた貫通孔内を移動
可能な剛体の接続部材で、貫通孔を介して機械的に接続
しているから、昇降手段を基板搬送室の外部に設けて
も、昇降手段によって基板搬送機を確実に昇降させるこ
とができる。
Further, the elevating part of the elevating means and the substrate transfer machine are mechanically connected via the through hole by a rigid connecting member which is movable in the through hole provided on a predetermined surface of the substrate transfer chamber. Therefore, even if the elevating means is provided outside the substrate transfer chamber, the elevating means can surely raise and lower the substrate carrier.

【0138】また、基板搬送室の所定の面とこの所定の
面の貫通孔を貫通する接続部材との間を真空的に気密に
保つ気密部材を設けているから、基板搬送室の所定の面
に貫通孔を設けて剛体の接続部材により昇降部の昇降に
応じて基板搬送機が昇降するようにしても、基板搬送室
を真空的に気密にすることができ、基板搬送室を減圧可
能にすることができる。
Further, since the airtight member for keeping the predetermined surface of the substrate transfer chamber and the connecting member penetrating the through hole of the predetermined surface airtight in a vacuum state is provided, the predetermined surface of the substrate transfer chamber is provided. Even if the through hole is provided in the board and the substrate transfer machine is moved up and down according to the elevation of the elevating part by the rigid connection member, the substrate transfer chamber can be vacuum-tight and the substrate transfer chamber can be depressurized. can do.

【0139】さらに、複数の基板処理室を基板搬送室の
第1の側壁に鉛直方向に積み重ねて設けているから、基
板処理室によるクリーンルームの専有面積を減少させる
ことができ、また、基板搬送室の辺数も減少させて基板
搬送室を小さくしてその専有面積を減少させることがで
きて、基板処理装置によるクリーンルームの専有面積を
減少させることができる。
Furthermore, since a plurality of substrate processing chambers are vertically stacked on the first side wall of the substrate transfer chamber, the area occupied by the substrate processing chamber in the clean room can be reduced, and the substrate transfer chamber can be reduced. It is also possible to reduce the number of sides of the substrate transfer chamber to make the substrate transfer chamber smaller and reduce its occupied area, and thus to reduce the occupied area of the clean room by the substrate processing apparatus.

【0140】また、基板搬送室の辺数を減少させると、
基板搬送室の製作コストも減少させることができ、多方
向のメンテナンス領域も減少させることができる。さら
に、基板搬送室を他の基板搬送室等と接続する距離も短
くできて、その接続部に基板搬送機を設けなくても基板
搬送室と他の基板搬送室等との間で基板を移載できるよ
うになり、基板処理装置が、その分、簡単な構造とな
り、安価に製造できるようになる。
When the number of sides of the substrate transfer chamber is reduced,
The manufacturing cost of the substrate transfer chamber can be reduced, and the maintenance area in multiple directions can be reduced. Furthermore, the distance for connecting the substrate transfer chamber to other substrate transfer chambers can be shortened, and the substrate can be transferred between the substrate transfer chamber and other substrate transfer chambers without providing a substrate transfer machine at the connection part. As a result, the substrate processing apparatus has a simple structure and can be manufactured at low cost.

【0141】そして、複数の基板処理室と基板搬送室と
の間にそれぞれ設けられた複数の第1のバルブであっ
て、閉じた場合には基板処理室と基板搬送室との間を真
空的に気密にすることができ、開いた場合には基板がそ
の内部を通って移動可能な複数の第1のバルブを設けて
いるから、複数の基板処理室と基板搬送室とをそれぞれ
真空的に気密に保つことができ、しかも、複数の基板処
理室のそれぞれと基板搬送室との間をそれぞれ基板が移
動できる。
A plurality of first valves provided between the plurality of substrate processing chambers and the substrate transfer chamber, respectively. When closed, a vacuum is provided between the substrate processing chamber and the substrate transfer chamber. Since the substrate is provided with a plurality of first valves that can be hermetically sealed and can move through the inside of the substrate when it is opened, the plurality of substrate processing chambers and the substrate transfer chamber can be respectively vacuumed. The airtightness can be maintained, and the substrate can be moved between each of the plurality of substrate processing chambers and the substrate transfer chamber.

【0142】また、気密部材を弾性体から構成し、昇降
部と基板搬送機とを接続する剛体の接続部材をこの気密
部材により、接続部材が気密部材内を移動可能であるよ
うにして覆い、気密部材の一端を基板搬送室の所定の面
と真空的に気密に接続し、気密部材の他端を接続部材と
真空的に気密に接続することにより、弾性体によって気
密が保たれるので、気密が確実になるとともに、接続部
材の移動も気密の維持の問題とは切り放せるので、接続
部材の移動もスムーズで確実なものとなる。
Further, the airtight member is made of an elastic body, and the rigid connection member for connecting the elevating part and the substrate carrier is covered by the airtight member so that the connection member can move in the airtight member. Since one end of the airtight member is vacuum-tightly connected to a predetermined surface of the substrate transfer chamber and the other end of the airtight member is vacuum-tightly connected to the connecting member, airtightness is maintained by the elastic body, The airtightness becomes reliable, and the movement of the connecting member can be separated from the problem of maintaining the airtightness, so that the movement of the connecting member becomes smooth and reliable.

【0143】昇降手段の固定部をねじ軸とし、昇降部に
ナットを備え、ねじ軸とナットとによりボールねじを構
成するようにすることにより、摩擦を小さくし、機械効
率を高くできる。
Friction can be reduced and mechanical efficiency can be increased by using a screw shaft as a fixing part of the elevating means and providing a nut on the elevating part and forming a ball screw by the screw shaft and the nut.

【0144】基板搬送室の貫通孔が設けられる所定の面
を基板搬送室の底面とし、ボールねじを基板搬送室の下
側に設けることにより、ベロー等の気密部材から発生す
るパーティクルによって基板搬送室内が汚染されるのを
防止できる。
A predetermined surface on which the through hole of the substrate transfer chamber is provided is the bottom of the substrate transfer chamber, and a ball screw is provided on the lower side of the substrate transfer chamber so that particles generated from an airtight member such as a bellows cause the substrate transfer chamber. Can be prevented from being contaminated.

【0145】基板搬送機が、駆動部とこの駆動部によっ
て水平方向に移動可能な基板搬送部と気密性の駆動部収
容容器とを備え、駆動部をこの気密性の駆動部収容容器
内に収容することにより、基板搬送室の雰囲気をより清
浄に保つことができる。
The substrate carrier is provided with a drive unit, a substrate carrier which can be moved in the horizontal direction by the drive unit, and an airtight drive unit accommodating container, and the drive unit is accommodated in the airtight drive unit accommodating container. By doing so, the atmosphere in the substrate transfer chamber can be kept cleaner.

【0146】この場合に、剛体の接続部材の一端部と駆
動部収容容器の基板搬送部側の端部近傍とを接続するこ
とにより、基板処理装置全体の高さを低くできる。
In this case, the height of the entire substrate processing apparatus can be reduced by connecting one end of the rigid connecting member and the vicinity of the end of the drive unit accommodating container on the substrate transfer unit side.

【0147】基板搬送室の貫通孔が設けられる所定の面
が基板搬送室の底面および上面のいずれか一方であり、
基板搬送室のこの所定の面が基板搬送室の底面である場
合にはこの底面に駆動部収容容器の外形に合わせた凸部
を設け、基板搬送室の所定の面が基板搬送室の上面であ
る場合にはこの上面に駆動部収容容器の外形に合わせた
凸部を設け、凸部内に駆動部収容容器を収容可能とする
ことにより、基板搬送室全体を大きくせずに、基板搬送
機の駆動部を収容する凸部のみを基板搬送室から突出さ
せればよいから、基板搬送室の空間を小さくでき、真空
引き等の時間を短くできる。
The predetermined surface on which the through hole of the substrate transfer chamber is provided is either the bottom surface or the upper surface of the substrate transfer chamber,
When this predetermined surface of the substrate transfer chamber is the bottom surface of the substrate transfer chamber, a convex portion matching the outer shape of the drive unit housing container is provided on this bottom surface, and the predetermined surface of the substrate transfer chamber is the upper surface of the substrate transfer chamber. In some cases, by providing a convex portion on the upper surface in accordance with the outer shape of the drive unit storage container and allowing the drive unit storage container to be accommodated in the convex portion, the substrate transfer chamber can be accommodated without enlarging the entire substrate transfer chamber. Since only the convex portion that houses the drive unit needs to be projected from the substrate transfer chamber, the space in the substrate transfer chamber can be reduced, and the time required for vacuuming or the like can be shortened.

【0148】基板搬送室が減圧可能であり、基板収容室
も減圧可能とすれば、酸素濃度を極限まで減少できて、
基板搬送室や基板収容室で酸化されるのを抑制できる。
If the substrate transfer chamber can be depressurized and the substrate storage chamber can also be depressurized, the oxygen concentration can be reduced to the limit,
Oxidation in the substrate transfer chamber and the substrate storage chamber can be suppressed.

【0149】そして、基板搬送室と基板収容室との間
に、閉じた場合には基板収容室と基板搬送室との間を真
空的に気密にすることができ、開いた場合には基板がそ
の内部を通って移動可能な第2のバルブを設けることに
より、基板搬送室と基板収容室とを独立に真空的に気密
に保つことができ、しかも、基板搬送室と基板収容室と
の間を基板が移動できる。
Then, between the substrate transfer chamber and the substrate accommodating chamber, when closed, the space between the substrate accommodating chamber and the substrate transferring chamber can be vacuum-tight, and when opened, the substrate can be opened. By providing the second valve movable through the inside, the substrate transfer chamber and the substrate accommodating chamber can be independently kept airtight in a vacuum, and moreover, between the substrate transfer chamber and the substrate accommodating chamber. The substrate can be moved.

【0150】基板収容室の基板搬送室が設けられた側と
は異なる側に配置された大気圧部と、基板収容室と大気
圧部との間に設けられた第3のバルブであって、閉じた
場合には基板収容室と大気圧部との間を真空的に気密に
することができ、開いた場合には基板がその内部を通っ
て移動可能な第3のバルブとをさらに備えることによ
り、基板収容室を独立に真空的に気密に保つことができ
ると共に、基板収容室と大気圧部との間を基板が移動で
きる。
[0150] An atmospheric pressure portion arranged on a side different from the side where the substrate transfer chamber is provided in the substrate storage chamber, and a third valve provided between the substrate storage chamber and the atmospheric pressure portion. A third valve is provided, which is capable of forming a vacuum-tight seal between the substrate storage chamber and the atmospheric pressure portion when closed, and a third valve through which the substrate can move when opened. Thus, the substrate storage chamber can be independently kept airtight in a vacuum, and the substrate can be moved between the substrate storage chamber and the atmospheric pressure section.

【0151】このような第2のバルブおよび第3のバル
ブを基板収容室に設け、しかも、基板収容室は基板搬送
室と独立して減圧可能とすることにより、この基板収容
室を、大気圧部と減圧下の基板搬送室との間で基板を搬
入/搬出する際の真空予備室であるロードロック室とし
て機能させることができる。
By providing such a second valve and a third valve in the substrate accommodating chamber and depressurizing the substrate accommodating chamber independently of the substrate transfer chamber, the substrate accommodating chamber is kept at atmospheric pressure. It is possible to function as a load lock chamber which is a vacuum reserve chamber when loading / unloading a substrate between the substrate and the substrate transport chamber under reduced pressure.

【0152】また、基板収容室に耐熱性の第1の基板保
持手段を設けることにより、基板収容室を、基板処理室
で処理が終わった高温の基板を冷却する基板冷却室とし
て使用できる。
Further, by providing the heat-resistant first substrate holding means in the substrate accommodating chamber, the substrate accommodating chamber can be used as a substrate cooling chamber for cooling the high temperature substrate which has been processed in the substrate processing chamber.

【0153】上記のように、基板収容室を、基板冷却室
およびロードロック室として使用できるようにすれば、
基板冷却室およびカセット室を基板搬送室の側壁に設け
る必要がなくなる。また、カセットを大気圧部に配置す
ることができる。
As described above, if the substrate accommodating chamber can be used as the substrate cooling chamber and the load lock chamber,
It is not necessary to provide the substrate cooling chamber and the cassette chamber on the side wall of the substrate transfer chamber. Also, the cassette can be placed in the atmospheric pressure section.

【0154】そして、基板搬送室と基板収容室との間に
上記第2のバルブを設けることにより基板搬送室を減圧
状態に保ったままで基板収容室を大気圧に戻すことがで
き、基板収容室内を大気圧に戻している間に基板が自然
冷却し、基板収容室を出る段階で基板の温度が下がって
いるようにすることができる。従って、その後大気圧中
に取り出しても、大気圧雰囲気により基板が汚染される
ことが防止される。このようにして基板収容室で大気圧
に戻す工程と基板を冷却する工程を同時に行い、冷却さ
れた基板を大気圧下でカセットまで搬送し、基板を収容
したカセットを基板処理装置外に搬送することができ
る。
By providing the second valve between the substrate transfer chamber and the substrate accommodating chamber, the substrate accommodating chamber can be returned to atmospheric pressure while the substrate transferring chamber is kept in a depressurized state. It is possible to allow the substrate to naturally cool while the pressure is returned to the atmospheric pressure, and to lower the temperature of the substrate at the stage of leaving the substrate accommodating chamber. Therefore, even if the substrate is subsequently taken out into the atmospheric pressure, the substrate is prevented from being contaminated by the atmospheric pressure atmosphere. In this way, the step of returning the substrate to the atmospheric pressure and the step of cooling the substrate are simultaneously performed, the cooled substrate is transferred to the cassette under the atmospheric pressure, and the cassette containing the substrate is transferred to the outside of the substrate processing apparatus. be able to.

【0155】また、基板搬送室の側壁に複数の基板収容
室を設けることにより、ある基板収容室で基板を冷却し
ている間に他の基板収容室を利用して基板を基板処理室
に搬入できる等、時間を節約できる。
Further, by providing a plurality of substrate accommodating chambers on the side wall of the substrate transfer chamber, while the substrate is being cooled in one substrate accommodating chamber, the other substrate accommodating chamber is utilized to bring the substrate into the substrate processing chamber. You can save time.

【0156】複数の基板収容室を基板搬送室の第2の側
壁に鉛直方向に積み重ねて設けることにより、基板収容
室によるクリーンルームの専有面積を減少させることが
でき、また、基板搬送室の辺数も減少させて基板搬送室
を小さくしてその専有面積を減少させることができて、
基板処理装置によるクリーンルームの専有面積を減少さ
せることができる。基板搬送室の辺数を減少させると、
基板搬送室の製作コストも減少させることができ、多方
向のメンテナンス領域も減少させることができる。さら
に、基板処理装置を複数台配置する場合には、基板搬送
室を他の基板搬送室等と接続する距離も短くできて、そ
の接続部に基板搬送機を設けなくても基板搬送室と他の
基板搬送室等との間で基板を移載できるようになり、基
板処理装置が、その分、簡単な構造となり、安価に製造
できるようになり、また、基板処理装置同士のメンテナ
ンススペースが干渉せず、効率的に複数の基板処理装置
を配置できる。
By arranging a plurality of substrate accommodating chambers vertically stacked on the second side wall of the substrate conveying chamber, the area occupied by the substrate accommodating chamber in the clean room can be reduced, and the number of sides of the substrate conveying chamber can be reduced. It is also possible to reduce the size of the substrate transfer chamber and reduce its occupied area,
The area occupied by the substrate processing apparatus in the clean room can be reduced. When the number of sides of the substrate transfer chamber is reduced,
The manufacturing cost of the substrate transfer chamber can be reduced, and the maintenance area in multiple directions can be reduced. Further, when a plurality of substrate processing apparatuses are arranged, the distance for connecting the substrate transfer chamber to other substrate transfer chambers can be shortened, and the substrate transfer chamber and other substrate transfer chambers can be connected to each other without providing a substrate transfer device at the connecting portion. Substrates can be transferred to and from other substrate transfer chambers, etc., and the substrate processing apparatus has a correspondingly simple structure and can be manufactured at low cost, and the maintenance space between the substrate processing apparatuses interferes with each other. Without doing so, a plurality of substrate processing apparatuses can be arranged efficiently.

【0157】また、カセット保持手段と、カセット保持
手段に保持されるカセットと基板収容室との間で基板を
搬送可能な基板搬送手段とを大気圧部に配置すれば、カ
セット保持手段の構造や基板搬送手段の構造をこれらが
真空中にある場合に比べて簡単なものとすることができ
る。
If the cassette holding means and the substrate carrying means capable of carrying the substrate between the cassette held by the cassette holding means and the substrate accommodating chamber are arranged in the atmospheric pressure portion, the structure of the cassette holding means and The structure of the substrate transfer means can be simplified as compared with the case where these are in vacuum.

【0158】また、好ましくは、基板処理室と、基板搬
送室と、基板収容室と、基板搬送手段と、カセット保持
手段とを収容する筺体をさらに備えることによって、カ
セットに搭載されている基板の表面や基板搬送手段によ
って搬送されている基板の表面を清浄に保つことができ
る。
Further, preferably, a substrate processing chamber, a substrate transfer chamber, a substrate accommodating chamber, a substrate transfer means, and a cassette holding means are further provided in a housing for accommodating the substrates mounted in the cassette. It is possible to keep the surface and the surface of the substrate being conveyed by the substrate conveying means clean.

【0159】また、少なくとも基板搬送室と、複数の基
板処理室と、基板収容室とを収容する筺体をさらに備
え、基板搬送室の凸部、昇降手段および接続部材の少な
くとも一部を筺体から突出して設けることにより、基板
処理装置内のパーティクルを減少させることができると
共に、基板搬送室の凸部、昇降手段および接続部材の少
なくとも一部をクリーンルームの床面から下側に突出さ
せることができるようになり、または天井から上側に突
出させることができるようになり、その結果、基板搬送
室、複数の基板処理室、および基板収容室の高さを高く
できて、例えばより多くの基板をこれらの内部に収容で
きるようになって基板の処理枚数を増加させることがで
きるようになる。
Further, a housing for accommodating at least the substrate transfer chamber, the plurality of substrate processing chambers, and the substrate accommodating chamber is further provided, and at least a part of the convex portion of the substrate transfer chamber, the elevating means, and the connecting member are projected from the housing. By providing the above, it is possible to reduce particles in the substrate processing apparatus and to project at least a part of the convex portion of the substrate transfer chamber, the elevating means and the connecting member downward from the floor of the clean room. Or can be projected upward from the ceiling, and as a result, the height of the substrate transfer chamber, the plurality of substrate processing chambers, and the substrate accommodating chamber can be increased, for example, more substrates are Since it can be accommodated inside, the number of processed substrates can be increased.

【0160】また、基板を保持する第2の基板保持手段
であって基板処理室内に設けられる第2の基板保持手段
を複数枚の基板を保持可能な構造とすることにより、基
板処理室内での基板処理の効率を高めることができる。
Further, the second substrate holding means for holding the substrate, which is provided in the substrate processing chamber, has a structure capable of holding a plurality of substrates. The efficiency of substrate processing can be improved.

【0161】そして、この場合に、基板収容室内の第1
の基板保持手段も複数枚の基板を保持可能な構造とし、
第1の基板保持手段に保持される基板間のピッチを第2
の基板保持手段で保持される基板間のピッチと実質的に
同じとすることによって、減圧可能な基板搬送室内の基
板搬送機の構造を簡単にすることができる。
Then, in this case, the first
The substrate holding means also has a structure capable of holding a plurality of substrates,
The pitch between the substrates held by the first substrate holding means is set to the second pitch.
By setting the pitch between the substrates held by the substrate holding means to be substantially the same, the structure of the substrate transfer machine in the substrate transfer chamber capable of depressurizing can be simplified.

【0162】第1の基板保持手段に保持される基板間の
ピッチと第2の基板保持手段で保持される基板間のピッ
チとを実質的に同じとすれば、基板搬送機の構造を、減
圧下で複数枚の基板を同時に搬送可能であるような構造
としても、搬送中に基板間のピッチを変える必要はな
い。その結果、基板搬送機の構造が簡単なものとなり、
また、真空の汚染も防止できる。そして、基板搬送機
を、減圧下で複数枚の基板を同時に搬送可能であるよう
にすれば、複数の基板を同時に搬送できるので、基板搬
送の効率も高くなる。
If the pitch between the substrates held by the first substrate holding means and the pitch between the substrates held by the second substrate holding means are substantially the same, the structure of the substrate carrier is reduced. Even with a structure in which a plurality of substrates can be simultaneously transferred below, it is not necessary to change the pitch between the substrates during the transfer. As a result, the structure of the substrate carrier becomes simpler,
Also, vacuum contamination can be prevented. If the substrate carrier is configured to be capable of simultaneously carrying a plurality of substrates under a reduced pressure, a plurality of substrates can be carried at the same time, and the efficiency of the substrate carrying is improved.

【0163】また、基板搬送手段の構造を、複数枚の基
板を同時に搬送可能であって、複数枚の基板間のピッチ
を可変であるようにすることにより、この基板搬送手段
は大気圧下で用いるので、真空下での場合と比較すれ
ば、簡単な構造で基板間のピッチを可変にでき、しかも
安価に製造でき、また、パーティクルの発生を抑えるこ
とができる。
Further, the structure of the substrate transfer means is such that a plurality of substrates can be transferred at the same time, and the pitch between the plurality of substrates is variable, so that the substrate transfer means can be operated under atmospheric pressure. Since it is used, the pitch between the substrates can be varied with a simple structure, and the cost can be reduced, and the generation of particles can be suppressed, as compared with the case under vacuum.

【0164】上記のように、大気圧下で基板間のピッチ
を可変とし減圧下では基板間のピッチを固定して、複数
枚の基板を同時に搬送するようにすれば、搬送装置の製
造コストを低減でき、搬送装置の大型化が抑制され、し
かもパーティクルの発生が抑制されて基板をクリーンな
環境で搬送することができる。さらに、複数枚の基板を
同時に搬送するので、スループットが向上し、基板間の
ピッチが可変であるので、基板処理室内において高精度
で基板処理が行える基板間のピッチに変換できる。
As described above, if the pitch between the substrates is variable under the atmospheric pressure and the pitch between the substrates is fixed under the reduced pressure so that a plurality of substrates can be simultaneously transported, the manufacturing cost of the transport device can be reduced. It is possible to reduce the size of the transfer device, suppress the size increase of the transfer device, suppress the generation of particles, and transfer the substrate in a clean environment. Further, since a plurality of substrates are simultaneously transferred, the throughput is improved, and the pitch between the substrates is variable. Therefore, the pitch can be converted into the pitch between the substrates that can perform the substrate processing with high accuracy in the substrate processing chamber.

【0165】第1の基板保持手段を、基板処理室のそれ
ぞれにおいて一度に処理される基板の枚数の少なくとも
2倍以上の枚数の基板を保持可能であるようにし、ま
た、第1の基板保持手段が、第2の基板保持手段よりも
少なくとも2倍以上の枚数の基板を保持可能であるよう
にして、基板処理室において一度に処理される基板の枚
数の少なくとも2倍以上の枚数の基板を保持可能とする
ことにより、基板処理室とカセットとの間で効率的に基
板を搬送することができ、スループットが向上する。
The first substrate holding means is capable of holding at least twice the number of substrates processed at one time in each of the substrate processing chambers, and the first substrate holding means. However, it is possible to hold at least twice as many substrates as the second substrate holding means, and hold at least twice as many substrates as the substrates processed at one time in the substrate processing chamber. By making it possible, the substrate can be efficiently transported between the substrate processing chamber and the cassette, and the throughput is improved.

【0166】また、基板搬送室の第1の側壁と第2の側
壁とが互いに対向しており、基板処理室と、基板搬送室
と、基板収容室とが実質的に一直線上に配置されている
ようにすることにより、基板搬送室の辺数を最小限の、
例えば矩形状とできる。
The first side wall and the second side wall of the substrate transfer chamber are opposed to each other, and the substrate processing chamber, the substrate transfer chamber, and the substrate storage chamber are arranged substantially in a straight line. By minimizing the number of sides of the substrate transfer chamber,
For example, it can be rectangular.

【0167】基板搬送室を平面図的には矩形状とする
と、基板搬送室を小さくしてその専有面積を減少させる
ことができて、基板処理装置によるクリーンルームの専
有面積を減少させることができる。また、矩形状である
と、基板搬送室の製作コストも減少させることができ
る。メンテナンス領域も減少させることができる。さら
に、基板搬送室を他の基板搬送室等と接続する距離もよ
り短くできて、その接続部に基板搬送機を設けなくても
基板搬送室と他の基板搬送室等との間で基板を容易に移
載できるようになり、基板処理装置が、その分、簡単な
構造となり、安価に製造できるようになる。また、基板
処理室と、基板搬送室と、基板収容室とをほぼ一直線上
に配置すれば、このような構成の基板処理装置ユニット
を複数容易に平行に配置して、専有面積を小さくでき
る。
When the substrate transfer chamber has a rectangular shape in plan view, the substrate transfer chamber can be reduced in size to reduce its occupied area, and the occupied area of the clean room by the substrate processing apparatus can be reduced. Further, the rectangular shape can reduce the manufacturing cost of the substrate transfer chamber. The maintenance area can also be reduced. Further, the distance for connecting the substrate transfer chamber to other substrate transfer chambers can be shortened, and the substrate can be transferred between the substrate transfer chamber and other substrate transfer chambers without providing a substrate transfer device at the connection portion. The substrate can be easily transferred, and the substrate processing apparatus has a simple structure and can be manufactured inexpensively. Further, by arranging the substrate processing chamber, the substrate transfer chamber, and the substrate accommodating chamber in a substantially straight line, it is possible to easily arrange a plurality of substrate processing apparatus units having such a configuration in parallel and reduce the occupied area.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明の第1の実施の形態の半導体ウェーハ処
理装置を説明するための平面図である。
FIG. 1 is a plan view for explaining a semiconductor wafer processing apparatus according to a first embodiment of the present invention.

【図2】図1のXX線断面図である。FIG. 2 is a sectional view taken along line XX of FIG.

【図3】本発明の第1乃至第7の実施の形態において使
用するウェーハ保持具を説明するための概略斜視図であ
る。
FIG. 3 is a schematic perspective view for explaining a wafer holder used in the first to seventh embodiments of the present invention.

【図4】本発明の第1乃至第7の実施の形態において使
用するウェーハ搬送真空ロボットを説明するための概略
斜視図である。
FIG. 4 is a schematic perspective view for explaining a wafer transfer vacuum robot used in the first to seventh embodiments of the present invention.

【図5】本発明の第1乃至第7の実施の形態において使
用するカセット搬送兼ウェーハ搬送機を説明するための
概略斜視図である。
FIG. 5 is a schematic perspective view for explaining a cassette carrying / wafer carrying machine used in the first to seventh embodiments of the present invention.

【図6】本発明の第1乃至第7の実施の形態において使
用するカセット搬送兼ウェーハ搬送機のピッチ変換機構
を説明するための図であり、図6Aは側面図、図6B
は、図6AのY−Y線より見た背面図である。
6A and 6B are views for explaining the pitch conversion mechanism of the cassette transfer / wafer transfer machine used in the first to seventh embodiments of the present invention, FIG. 6A being a side view, and FIG. 6B.
FIG. 6B is a rear view seen from the line YY of FIG. 6A.

【図7】本発明の第1の実施の形態の半導体ウェーハ処
理装置におけるウェーハの搬送操作を説明するための概
略断面図である。
FIG. 7 is a schematic cross-sectional view for explaining a wafer transfer operation in the semiconductor wafer processing apparatus according to the first embodiment of the present invention.

【図8】本発明の第2の実施の形態の半導体ウェーハ処
理装置を説明するための断面図である。
FIG. 8 is a sectional view for explaining a semiconductor wafer processing apparatus according to a second embodiment of the present invention.

【図9】本発明の第3の実施の形態の半導体ウェーハ処
理装置を説明するための断面図である。
FIG. 9 is a cross-sectional view illustrating a semiconductor wafer processing apparatus according to a third embodiment of the present invention.

【図10】本発明の第4の実施の形態の半導体ウェーハ
処理装置を説明するための平面図である。
FIG. 10 is a plan view for explaining a semiconductor wafer processing apparatus according to a fourth embodiment of the present invention.

【図11】本発明の第5の実施の形態の半導体ウェーハ
処理装置を説明するための平面図である。
FIG. 11 is a plan view for explaining a semiconductor wafer processing apparatus according to a fifth embodiment of the present invention.

【図12】本発明の第6の実施の形態の半導体ウェーハ
処理装置を説明するための平面図である。
FIG. 12 is a plan view for explaining a semiconductor wafer processing apparatus according to a sixth embodiment of the present invention.

【図13】本発明の第7の実施の形態の半導体ウェーハ
処理装置を説明するための平面図である。
FIG. 13 is a plan view for explaining a semiconductor wafer processing apparatus according to a seventh embodiment of the present invention.

【図14】従来の半導体製造装置を説明するための断面
図である。
FIG. 14 is a cross-sectional view for explaining a conventional semiconductor manufacturing apparatus.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1…半導体ウェーハ処理装置 2、2’、6、7…半導体ウェーハ処理装置ユニット 3…メンテナンス領域 5…ウェーハ 10、10’…カセット 11…カセット棚 12…カセットステージ 13…カセット投入口 20、20’…カセット搬送兼ウェーハ搬送機 21…カセット搬送機 22…カセット搬送アーム 23…ウェーハ搬送機 24、241〜245…ツイーザ 27…カセットホルダー 29、210、211、280、561…ねじ軸 30、30’…ウェーハ収容室 40、40’…ウェーハ保持具 41、42…支柱支持板 43、44…支柱 45…ウェーハ載置用溝 50、50’、55、55’…ウェーハ搬送室 52…凸部 51、51’、53、54…ウェーハ搬送室壁 60、60’…ウェーハ搬送真空ロボット 61…駆動部収容部 62、64、66…回転軸 68…ウェーハ搭載用アーム 69…駆動部 70、70’、70a、70b…反応室 75、75’…ウェーハボート 81、82、83、84…排気配管 90…ウェーハ受け渡し室 91、191…フロントドアバルブ 92、93、94、94’、192、193…ゲートバ
ルブ 100…フロント部 200…大気圧部 220、566…モータ 232〜235、270、565…ナット 250、260…ブロック 300…ロードロックモジュール 500…トランスファ部 501…トランスファモジュール 560…ボールネジ 562…ベロー 563…ウェーハ搬送真空ロボット支持棒 564…昇降台 700…プロセス部 701…プロセスモジュール 900…筺体 901…装置正面 902…装置背面 910…筺体底面
1 ... Semiconductor wafer processing apparatus 2, 2 ', 6, 7 ... Semiconductor wafer processing apparatus unit 3 ... Maintenance area 5 ... Wafer 10, 10' ... Cassette 11 ... Cassette shelf 12 ... Cassette stage 13 ... Cassette input port 20, 20 ' ... Cassette transfer / wafer transfer machine 21 ... Cassette transfer machine 22 ... Cassette transfer arm 23 ... Wafer transfer machine 24, 241-245 ... Tweezer 27 ... Cassette holder 29, 210, 211, 280, 561 ... Screw shaft 30, 30 '... Wafer accommodating chamber 40, 40 '... Wafer holder 41, 42 ... Prop support plate 43, 44 ... Prop 45 ... Wafer mounting groove 50, 50', 55, 55 '... Wafer transfer chamber 52 ... Convex portion 51, 51 ', 53, 54 ... Wafer transfer chamber wall 60, 60' ... Wafer transfer vacuum robot 61 ... Drive unit accommodating section 62, 6 4, 66 ... Rotating shaft 68 ... Wafer mounting arm 69 ... Driving unit 70, 70 ′, 70a, 70b ... Reaction chamber 75, 75 ′ ... Wafer boat 81, 82, 83, 84 ... Exhaust pipe 90 ... Wafer delivery chamber 91 , 191 ... Front door valve 92, 93, 94, 94 ', 192, 193 ... Gate valve 100 ... Front part 200 ... Atmospheric pressure part 220, 566 ... Motor 232-235, 270, 565 ... Nut 250, 260 ... Block 300 ... load lock module 500 ... transfer part 501 ... transfer module 560 ... ball screw 562 ... bellows 563 ... wafer transfer vacuum robot support rod 564 ... elevator 700 ... process part 701 ... process module 901 ... device front 902 ... device back 910 … The bottom of the chassis

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 綿引 真一郎 東京都中野区東中野三丁目14番20号 国際 電気株式会社内 (72)発明者 吉田 祐治 東京都中野区東中野三丁目14番20号 国際 電気株式会社内 (72)発明者 志村 日出男 東京都中野区東中野三丁目14番20号 国際 電気株式会社内 (72)発明者 杉本 毅 東京都中野区東中野三丁目14番20号 国際 電気株式会社内 (72)発明者 油谷 幸則 東京都中野区東中野三丁目14番20号 国際 電気株式会社内 (72)発明者 池田 和人 東京都中野区東中野三丁目14番20号 国際 電気株式会社内 ─────────────────────────────────────────────────── ─── Continuation of the front page (72) Inventor Shinichiro Watabiki 3-14-20 Higashi-Nakano, Nakano-ku, Tokyo Kokusai Electric Co., Ltd. (72) Yuji Yoshida 3-14-20 Higashi-Nakano, Nakano-ku, Tokyo Kokusai Electric (72) Inventor Hideo Shimura, 3-14-20 Higashi-Nakano, Nakano-ku, Tokyo Kokusai Electric Co., Ltd. (72) Inventor Takeshi Sugimoto 3--14-20, Higashi-Nakano, Nakano-ku, Tokyo (Kokusai Electric Co., Ltd.) 72) Inventor Yukinori Aburaya, 3-14-20 Higashi-Nakano, Nakano-ku, Tokyo Kokusai Electric Co., Ltd. (72) Kazuto Ikeda, 3-14-20 Higashi-Nakano, Nakano-ku, Tokyo Kokusai Electric Co., Ltd.

Claims (26)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】減圧可能な基板搬送室と、 前記基板搬送室の第1の側壁に鉛直方向に積み重ねられ
て設けられた複数の基板処理室と、 前記複数の基板処理室と前記基板搬送室との間にそれぞ
れ設けられた複数の第1のバルブであって、閉じた場合
には前記基板処理室と前記基板搬送室との間を真空的に
気密にすることができ、開いた場合には基板がその内部
を通って移動可能な複数の第1のバルブと、 前記基板搬送室の第2の側壁に設けられた基板収容室
と、 前記基板搬送室内に設けられた基板搬送機であって、前
記基板処理室と前記基板収容室との間で前記基板を減圧
下で搬送可能な基板搬送機と、 前記基板搬送室の外部に設けられた昇降手段であって、
固定部と前記固定部に対して昇降可能な昇降部とを有す
る昇降手段と、 前記基板搬送室の所定の面に設けられた貫通孔内を移動
可能な剛体の接続部材であって、前記昇降部と前記基板
搬送機とを前記貫通孔を介して機械的に接続する接続部
材と、 前記所定の面と前記所定の面の前記貫通孔を貫通する前
記接続部材との間を真空的に気密に保つ気密部材と、 を備えることを特徴とする基板処理装置。
1. A substrate transfer chamber capable of decompressing, a plurality of substrate processing chambers vertically stacked on a first side wall of the substrate transfer chamber, the plurality of substrate processing chambers and the substrate transfer chamber. A plurality of first valves respectively provided between the substrate processing chamber and the substrate transfer chamber can be vacuum-tight when closed, and when opened, Is a plurality of first valves through which the substrate can move, a substrate storage chamber provided on the second side wall of the substrate transfer chamber, and a substrate transfer machine provided in the substrate transfer chamber. A substrate transfer machine capable of transferring the substrate under reduced pressure between the substrate processing chamber and the substrate storage chamber, and an elevating means provided outside the substrate transfer chamber,
An elevating means having a fixing part and an elevating part capable of elevating with respect to the fixing part; and a rigid connecting member movable in a through hole provided in a predetermined surface of the substrate transfer chamber, Portion and the connection member for mechanically connecting the substrate transporter via the through hole, and a vacuum seal between the predetermined surface and the connection member penetrating the through hole of the predetermined surface. A substrate processing apparatus comprising:
【請求項2】前記基板搬送機が、前記基板を実質的に水
平方向に搬送可能な基板搬送機であることを特徴とする
請求項1記載の基板処理装置。
2. The substrate processing apparatus according to claim 1, wherein the substrate transfer device is a substrate transfer device capable of transferring the substrate in a substantially horizontal direction.
【請求項3】前記気密部材が弾性体から構成されてお
り、前記接続部材が前記気密部材により覆われており、
前記接続部材が前記気密部材内を移動可能であり、前記
気密部材の一端が前記所定の面と真空的に気密に接続さ
れており、前記気密部材の他端が前記接続部材と真空的
に気密に接続されていることを特徴とする請求項1また
は2記載の基板処理装置。
3. The airtight member is made of an elastic body, and the connecting member is covered with the airtight member.
The connection member is movable in the airtight member, one end of the airtight member is vacuum-tightly connected to the predetermined surface, and the other end of the airtight member is vacuum-tightly connected to the connection member. The substrate processing apparatus according to claim 1, wherein the substrate processing apparatus is connected to.
【請求項4】前記気密部材がベローであることを特徴と
する請求項3記載の基板処理装置。
4. The substrate processing apparatus according to claim 3, wherein the airtight member is a bellows.
【請求項5】前記固定部がねじ軸であり、前記昇降部は
ナットを備え、前記ねじ軸と前記ナットとによりボール
ねじを構成していることを特徴とする請求項1乃至4の
いずれかに記載の基板処理装置。
5. The fixing part is a screw shaft, the elevating part is provided with a nut, and the screw shaft and the nut form a ball screw. The substrate processing apparatus according to.
【請求項6】前記基板搬送室の前記所定の面が前記基板
搬送室の底面であり、前記ボールねじが前記基板搬送室
の下側に設けられていることを特徴とする請求項5記載
の基板処理装置。
6. The substrate transfer chamber according to claim 5, wherein the predetermined surface of the substrate transfer chamber is a bottom surface of the substrate transfer chamber, and the ball screw is provided below the substrate transfer chamber. Substrate processing equipment.
【請求項7】前記基板搬送室の前記所定の面が前記基板
搬送室の上面であり、前記ボールねじが前記基板搬送室
の上側に設けられていることを特徴とする請求項5記載
の基板処理装置。
7. The substrate according to claim 5, wherein the predetermined surface of the substrate transfer chamber is an upper surface of the substrate transfer chamber, and the ball screw is provided above the substrate transfer chamber. Processing equipment.
【請求項8】前記基板搬送機が、駆動部と前記駆動部に
よって実質的に水平方向に移動可能な基板搬送部と真空
的に気密性の駆動部収容容器とを備えており、前記駆動
部が前記駆動部収容容器内に収容されていることを特徴
とする請求項1乃至7のいずれかに記載の基板処理装
置。
8. The substrate transfer machine includes a drive unit, a substrate transfer unit that can be moved in a substantially horizontal direction by the drive unit, and a vacuum-tight drive unit storage container. The substrate processing apparatus according to claim 1, wherein the substrate is stored in the drive unit storage container.
【請求項9】前記剛体の接続部材の一端部と前記駆動部
収容容器の前記基板搬送部側の端部近傍とが接続されて
いることを特徴とする請求項8記載の基板処理装置。
9. The substrate processing apparatus according to claim 8, wherein one end of the rigid connection member is connected to the vicinity of the end of the drive unit accommodating container on the substrate transfer unit side.
【請求項10】前記基板搬送室の前記所定の面が前記基
板搬送室の底面および上面のいずれか一方であり、前記
基板搬送室の前記所定の面が前記基板搬送室の底面であ
る場合には前記底面に前記駆動部収容容器の外形に合わ
せた凸部を設け、前記基板搬送室の前記所定の面が前記
基板搬送室の上面である場合には前記上面に前記駆動部
収容容器の外形に合わせた凸部を設け、前記凸部内に前
記駆動部収容容器を収容可能としたことを特徴とする請
求項8または9記載の基板処理装置。
10. When the predetermined surface of the substrate transfer chamber is one of a bottom surface and an upper surface of the substrate transfer chamber, and the predetermined surface of the substrate transfer chamber is a bottom surface of the substrate transfer chamber. Is provided with a convex portion on the bottom surface in conformity with the outer shape of the drive unit storage container, and when the predetermined surface of the substrate transfer chamber is the upper surface of the substrate transfer chamber, the outer surface of the drive unit storage container is on the upper surface. 10. The substrate processing apparatus according to claim 8 or 9, wherein a protrusion corresponding to the above is provided, and the drive unit accommodating container can be accommodated in the protrusion.
【請求項11】前記基板搬送室の前記所定の面が前記基
板搬送室の底面であることを特徴とする請求項10記載
の基板処理装置。
11. The substrate processing apparatus according to claim 10, wherein the predetermined surface of the substrate transfer chamber is a bottom surface of the substrate transfer chamber.
【請求項12】前記基板収容室と前記基板搬送室との間
に、閉じた場合には前記基板収容室と前記基板搬送室と
の間を真空的に気密にすることができ、開いた場合には
前記基板がその内部を通って移動可能な第2のバルブが
設けられており、前記基板収容室が前記基板搬送室と独
立して減圧可能であることを特徴とする請求項1乃至1
1のいずれかに記載の基板処理装置。
12. A space between the substrate storage chamber and the substrate transfer chamber can be vacuum-tightened between the substrate storage chamber and the substrate transfer chamber when closed, and can be opened when opened. 2. A second valve capable of moving the substrate therethrough is provided in the substrate, and the substrate storage chamber can be depressurized independently of the substrate transfer chamber.
2. The substrate processing apparatus according to claim 1,
【請求項13】前記基板収容室の前記基板搬送室が設け
られた側とは異なる側に配置された大気圧部と、前記基
板収容室と前記大気圧部との間に設けられた第3のバル
ブであって、閉じた場合には前記基板収容室と前記大気
圧部との間を真空的に気密にすることができ、開いた場
合には前記基板がその内部を通って移動可能な第3のバ
ルブとをさらに備えることを特徴とする請求項12記載
の基板処理装置。
13. An atmospheric pressure portion arranged on a side of the substrate accommodation chamber different from a side on which the substrate transfer chamber is disposed, and a third pressure element disposed between the substrate accommodation chamber and the atmospheric pressure portion. When the valve is closed, the space between the substrate housing chamber and the atmospheric pressure portion can be vacuum-tight, and when the valve is opened, the substrate can move through the inside. 13. The substrate processing apparatus according to claim 12, further comprising a third valve.
【請求項14】前記基板搬送室の前記第2の側壁に複数
の基板収容室が鉛直方向に積み重ねて設けられており、
前記複数の基板収容室と前記基板搬送室との間に、閉じ
た場合には前記複数の基板収容室と前記基板搬送室との
間をそれぞれ真空的に気密にすることができ、開いた場
合には前記基板がその内部を通って移動可能な複数の第
4のバルブがそれぞれ設けられており、前記複数の基板
収容室のそれぞれが他の基板収容室と独立して減圧可能
であり、前記複数の基板収容室のそれぞれと前記基板搬
送室とが互いに独立して減圧可能であることを特徴とす
る請求項1乃至11のいずれかに記載の基板処理装置。
14. A plurality of substrate accommodating chambers are vertically stacked on the second side wall of the substrate transfer chamber,
Between the plurality of substrate storage chambers and the substrate transfer chamber, when closed, it is possible to vacuum-tighten between the plurality of substrate storage chambers and the substrate transfer chamber, respectively. Is provided with a plurality of fourth valves through which the substrate can move, and each of the plurality of substrate accommodating chambers can be depressurized independently of the other substrate accommodating chambers. The substrate processing apparatus according to any one of claims 1 to 11, wherein each of the plurality of substrate storage chambers and the substrate transfer chamber can be depressurized independently of each other.
【請求項15】前記基板収容室の前記基板搬送室が設け
られた側とは異なる側に配置された大気圧部と、 前記大気圧部に設けられたカセット保持手段と、 前記大気圧部に設けられた基板搬送手段であって、前記
カセット保持手段に保持されるカセットと前記基板収容
室との間で前記基板を搬送可能な基板搬送手段とをさら
に備えることを特徴とする請求項1乃至14のいずれか
に記載の基板処理装置。
15. An atmospheric pressure portion arranged on a side of the substrate storage chamber different from a side on which the substrate transfer chamber is provided, a cassette holding unit provided in the atmospheric pressure portion, and the atmospheric pressure portion. The substrate transfer means provided, further comprising a substrate transfer means capable of transferring the substrate between the cassette held by the cassette holding means and the substrate storage chamber. 14. The substrate processing apparatus according to any one of 14.
【請求項16】前記基板処理室と、前記基板搬送室と、
前記基板収容室と、前記基板搬送手段と、前記カセット
保持手段とを収容する筺体をさらに備えることを特徴と
する請求項15記載の基板処理装置。
16. The substrate processing chamber, the substrate transfer chamber,
The substrate processing apparatus according to claim 15, further comprising a housing that accommodates the substrate accommodating chamber, the substrate transporting unit, and the cassette holding unit.
【請求項17】少なくとも前記基板搬送室と、前記複数
の基板処理室と、前記基板収容室とを収容する筺体をさ
らに備え、前記基板搬送室の前記凸部、前記昇降手段お
よび前記接続部材の少なくとも一部が前記筺体から突出
して設けられていることを特徴とする請求項10または
11記載の基板処理装置。
17. A housing for accommodating at least the substrate transfer chamber, the plurality of substrate processing chambers, and the substrate accommodating chamber, further comprising: the protrusion of the substrate transfer chamber, the elevating means, and the connecting member. 12. The substrate processing apparatus according to claim 10, wherein at least a part of the substrate processing apparatus is provided so as to project from the housing.
【請求項18】前記基板収容室に設けられた耐熱性の第
1の基板保持手段をさらに有することを特徴とする請求
項1乃至17のいずれかに記載の基板処理装置。
18. The substrate processing apparatus according to claim 1, further comprising a heat-resistant first substrate holding means provided in the substrate storage chamber.
【請求項19】前記基板を保持する第1の基板保持手段
であって前記基板収容室内に設けられた第1の基板保持
手段と、 前記基板を保持する第2の基板保持手段であって前記基
板処理室内に設けられた第2の基板保持手段とをさらに
備え、 前記第2の基板保持手段が複数枚の基板を保持可能であ
り、前記第1の基板保持手段が複数枚の基板を保持可能
であり、前記第1の基板保持手段に保持される基板間の
ピッチが前記第2の基板保持手段で保持される基板間の
ピッチと実質的に同じであることを特徴とする請求項1
乃至18のいずれかに記載の基板処理装置。
19. A first substrate holding means for holding the substrate, the first substrate holding means provided in the substrate housing chamber, and the second substrate holding means for holding the substrate. A second substrate holding unit provided in the substrate processing chamber, wherein the second substrate holding unit can hold a plurality of substrates, and the first substrate holding unit holds a plurality of substrates. It is possible, and the pitch between the substrates held by the first substrate holding means is substantially the same as the pitch between the substrates held by the second substrate holding means.
19. The substrate processing apparatus according to any one of 18 to 18.
【請求項20】前記基板を保持する第1の基板保持手段
であって前記基板収容室内に設けられた第1の基板保持
手段と、 前記基板を保持する第2の基板保持手段であって前記基
板処理室内に設けられた第2の基板保持手段とをさらに
備え、 前記第2の基板保持手段が複数枚の基板を保持可能であ
り、前記第1の基板保持手段が複数枚の基板を保持可能
であり、前記第1の基板保持手段に保持される基板間の
ピッチが前記第2の基板保持手段で保持される基板間の
ピッチと実質的に同じであり、 前記基板搬送手段が、複数枚の前記基板を同時に搬送可
能であって、前記複数枚の基板間のピッチを可変である
ことを特徴とする請求項15または16記載の基板処理
装置。
20. First substrate holding means for holding the substrate, the first substrate holding means being provided in the substrate housing chamber, and the second substrate holding means for holding the substrate. A second substrate holding unit provided in the substrate processing chamber, wherein the second substrate holding unit can hold a plurality of substrates, and the first substrate holding unit holds a plurality of substrates. It is possible that the pitch between the substrates held by the first substrate holding means is substantially the same as the pitch between the substrates held by the second substrate holding means, and 17. The substrate processing apparatus according to claim 15, wherein the plurality of substrates can be simultaneously transported, and the pitch between the plurality of substrates can be changed.
【請求項21】前記基板搬送機が、減圧下で複数枚の前
記基板を同時に搬送可能であることを特徴とする請求項
19または20記載の基板処理装置。
21. The substrate processing apparatus according to claim 19, wherein the substrate carrier is capable of simultaneously carrying a plurality of the substrates under reduced pressure.
【請求項22】前記第1の基板保持手段が、前記基板処
理室のそれぞれにおいて一度に処理される前記基板の枚
数の少なくとも2倍以上の枚数の基板を保持可能である
ことを特徴とする請求項18乃至21のいずれかに記載
の基板処理装置。
22. The first substrate holding means is capable of holding at least twice as many substrates as the number of substrates processed at one time in each of the substrate processing chambers. Item 22. The substrate processing apparatus according to any one of Items 18 to 21.
【請求項23】前記第1の基板保持手段が、前記第2の
基板保持手段よりも少なくとも2倍以上の枚数の基板を
保持可能であることを特徴とする請求項19乃至21の
いずれかに記載の基板処理装置。
23. The method according to claim 19, wherein the first substrate holding means is capable of holding at least twice as many substrates as the second substrate holding means. The substrate processing apparatus described.
【請求項24】前記基板搬送室の前記第1の側壁と前記
第2の側壁とが互いに対向しており、前記基板処理室
と、前記基板搬送室と、前記基板収容室とが実質的に一
直線上に配置されていることを特徴とする請求項1乃至
23のいずれかに記載の基板処理装置。
24. The first side wall and the second side wall of the substrate transfer chamber face each other, and the substrate processing chamber, the substrate transfer chamber, and the substrate storage chamber are substantially formed. 24. The substrate processing apparatus according to claim 1, wherein the substrate processing apparatus is arranged in a straight line.
【請求項25】前記基板搬送室が平面図的には矩形状で
ある請求項24記載の基板処理装置。
25. The substrate processing apparatus according to claim 24, wherein the substrate transfer chamber has a rectangular shape in a plan view.
【請求項26】前記カセット保持手段が前記基板収容室
に対して前記基板搬送室とは反対側に配置されているこ
とを特徴とする請求項15または16記載の基板処理装
置。
26. The substrate processing apparatus according to claim 15, wherein the cassette holding means is arranged on the opposite side of the substrate storage chamber from the substrate transfer chamber.
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