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JPH09102666A - Film formation - Google Patents

Film formation

Info

Publication number
JPH09102666A
JPH09102666A JP19612096A JP19612096A JPH09102666A JP H09102666 A JPH09102666 A JP H09102666A JP 19612096 A JP19612096 A JP 19612096A JP 19612096 A JP19612096 A JP 19612096A JP H09102666 A JPH09102666 A JP H09102666A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
film
ceramic substrate
forming method
fired
trimming
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP19612096A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Kosei Onishi
孝生 大西
Natsuki Shimokawa
夏己 下河
Yukihisa Takeuchi
幸久 武内
Nobuo Takahashi
伸夫 高橋
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
NGK Insulators Ltd
Original Assignee
NGK Insulators Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by NGK Insulators Ltd filed Critical NGK Insulators Ltd
Priority to JP19612096A priority Critical patent/JPH09102666A/en
Priority to US08/687,933 priority patent/US5677014A/en
Priority to EP96305581A priority patent/EP0757025B1/en
Priority to DE69600317T priority patent/DE69600317T2/en
Publication of JPH09102666A publication Critical patent/JPH09102666A/en
Pending legal-status Critical Current

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    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C04CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04BLIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B41/00After-treatment of mortars, concrete, artificial stone or ceramics; Treatment of natural stone
    • C04B41/009After-treatment of mortars, concrete, artificial stone or ceramics; Treatment of natural stone characterised by the material treated
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C04CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
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    • C04B41/00After-treatment of mortars, concrete, artificial stone or ceramics; Treatment of natural stone
    • C04B41/0036Laser treatment
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    • C04B41/5346Dry etching
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
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    • C04B41/80After-treatment of mortars, concrete, artificial stone or ceramics; Treatment of natural stone of only ceramics
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    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K1/00Printed circuits
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    • H05K1/03Use of materials for the substrate
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    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
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    • H05K3/00Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/02Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which the conductive material is applied to the surface of the insulating support and is thereafter removed from such areas of the surface which are not intended for current conducting or shielding
    • H05K3/027Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which the conductive material is applied to the surface of the insulating support and is thereafter removed from such areas of the surface which are not intended for current conducting or shielding the conductive material being removed by irradiation, e.g. by photons, alpha or beta particles

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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a method for forming a film such as conductive film on a thin ceramic board or on a baked film formed on a ceramic board, without generating cracks. SOLUTION: A ceramic board 40 or a baked film formed on the ceramic board 40 is coated with a filmy body 46, which is to be a metal film or a ceramic film, by baking. The filmy body 46 is trimmed by irrdiation with energy beams which decompose and remove the filmy body 46 without damaging the ceramic board 40 or the baked film to be unusable. Then, the filmy body 46 is baked.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】 本発明は、セラミックス基
板上、またはセラミックス基板上に形成された焼成膜の
上に膜を形成する方法に関し、特に、膜をレーザー照射
等のエネルギー・ビームでトリミングする方法に関す
る。
TECHNICAL FIELD The present invention relates to a method for forming a film on a ceramic substrate or a fired film formed on the ceramic substrate, and particularly to a method for trimming the film with an energy beam such as laser irradiation. Regarding

【0002】[0002]

【従来の技術】 従来、センサ、抵抗体素子等の製造に
おいて、セラミックス基板に膜、特に導電膜を形成する
工程が用いられている。これらの導電膜は、用途に応じ
て、例えば、電極、抵抗体、リード、出力ターミナル等
として作用するものである。膜の形成方法には、印刷塗
布、ブレード塗布、スプレー塗布等がある。一般に行わ
れる膜形成方法では、既に焼結されたセラミック基板に
ペーストを印刷塗布して膜を被覆し、焼成し、次いでこ
の膜をレーザートリミング等により削る。印刷塗布によ
り、複雑なパターンを有する膜であっても均一な膜を効
率よく形成することができ、また、ペーストの粘度によ
り膜の厚さを調整できる。そして、トリミング工程によ
り膜の幅、抵抗等を調整することができる。
2. Description of the Related Art Conventionally, in manufacturing a sensor, a resistor element or the like, a step of forming a film, particularly a conductive film, on a ceramic substrate has been used. These conductive films act as, for example, electrodes, resistors, leads, output terminals, etc. depending on the application. The film forming method includes print coating, blade coating, and spray coating. In a commonly used film forming method, a paste is printed on a ceramic substrate that has already been sintered to coat the film, the film is baked, and then the film is cut by laser trimming or the like. By coating by printing, even a film having a complicated pattern can be efficiently formed, and the thickness of the film can be adjusted by the viscosity of the paste. Then, the film width, resistance, etc. can be adjusted by the trimming process.

【0003】[0003]

【発明が解決しようとする課題】近年、センサ、抵抗体
素子等が小型化するにつれて、膜が被覆するセラミック
ス基板が薄くなる傾向にある。しかし、セラミックス基
板が薄くなるにつれて、セラミックス基板の表面に被覆
する膜を削るときに、セラミックス基板にクラックが生
じ易くなる。そして、クラックが生じると、機械強度が
減少して実用に供しなくなる。一方、膜を削ることな
く、印刷の精度を高める方法が試みられた。この方法で
は、印刷のみで線幅を調整しようとしても、線のエッジ
がにじむので、線幅の調整には限界があった。また、印
刷をするためのペーストの材料が限定された。更に、洗
浄、レジスト塗布等の工程が煩雑になった。
With the recent miniaturization of sensors, resistor elements, etc., the ceramic substrate covered with a film tends to become thinner. However, as the ceramic substrate becomes thinner, cracks are more likely to occur in the ceramic substrate when the film covering the surface of the ceramic substrate is shaved. When cracks occur, the mechanical strength decreases and it becomes unusable for practical use. On the other hand, a method of improving the printing accuracy without removing the film has been tried. In this method, even if an attempt is made to adjust the line width only by printing, the edge of the line is bleeding, and thus there is a limit in adjusting the line width. Also, the material of the paste for printing is limited. Furthermore, the steps of cleaning, resist coating, etc. have become complicated.

【0004】[0004]

【課題を解決するための手段】 そこで、本発明は、ク
ラックを生じることなく、薄いセラミックス基板または
セラミックス基板上に形成された焼成膜の上に膜を形成
する方法を提供することを目的とする。ただし、本発明
は薄いセラミックス基板のみに適用されるものではな
く、セラミックス基板一般に適用することができる。本
発明によれば、セラミックス基板上または該セラミック
ス基板上に形成された焼成膜の上に膜を形成する方法で
あって、該セラミックス基板上または該焼成膜の上に、
焼成することによって金属膜或いはセラミックス膜とな
る材料を膜状体として被覆し、該膜状体が未焼成の状態
で、該セラミックス基板または該焼成膜を使用不能に損
傷させず、且つ該膜状体を分解・除去するエネルギー・
ビームを照射して該膜状体をトリミングし、次いで、該
膜状体を焼成することを特徴とする膜形成方法が提供さ
れる。
Therefore, an object of the present invention is to provide a method for forming a film on a thin ceramic substrate or a fired film formed on a ceramic substrate without causing cracks. . However, the present invention is not only applied to a thin ceramic substrate, but can be applied to general ceramic substrates. According to the present invention, there is provided a method for forming a film on a ceramics substrate or on a fired film formed on the ceramics substrate, comprising:
A material that becomes a metal film or a ceramics film by firing is coated as a film body, and the ceramics substrate or the fired film is not unusably damaged in the unfired state and Energy to decompose and remove the body
There is provided a method for forming a film, which comprises irradiating a beam to trim the film, and then firing the film.

【0005】 尚、上記において、「該セラミックス基
板または該焼成膜を使用不能に損傷させず」とは、該セ
ラミックス基板または該焼成膜の使用目的・条件によっ
て異なるが、例えばセラミックス基板が絶縁性を要求さ
れる場合、エネルギー・ビームにより該セラミックス基
板の被照射部分が有る程度変質したとしても依然として
要求絶縁抵抗を備えていれば、それは損傷されていない
とする。また、圧力センサなど他の例で該セラミックス
基板をシール部材として使用している場合、エネルギー
・ビームにより該セラミックス基板の被照射部分が有る
程度変質したとしても依然として要求シール性を備えて
いれば、それは損傷されていないとするものである。
In the above description, “without damaging the ceramic substrate or the fired film unusably” depends on the purpose and conditions of use of the ceramic substrate or the fired film. If required, even if the irradiated portion of the ceramic substrate has been altered by the energy beam to some extent, it still has the required insulation resistance and is not damaged. Further, when the ceramic substrate is used as a seal member in another example such as a pressure sensor, if the required sealing property is still provided even if the irradiated portion of the ceramic substrate is deteriorated to some extent by the energy beam, It is supposed to be undamaged.

【0006】 本発明では、膜状体を未焼成の状態でセ
ラミックス基板または焼成膜を使用不能に損傷させず、
且つ膜状体を分解・除去するエネルギー・ビームを照射
して膜状体をトリミングする工程を有する。このような
エネルギー・ビームとしては、レーザー照射、電子ビー
ムなどが挙げられるが、この内レーザー照射が好まし
い。このような「セラミックス基板または焼成膜を損傷
させず、且つ膜状体を分解・除去する」エネルギー・ビ
ームとしては、例えばレーザー照射の場合においては、
強度がフルエンス(1ショットあたりのレーザーエネル
ギー密度)10J/cm2 以下であり、かつ、波長が4
00nm以下であることが好ましい。レーザー照射の出
力が小さいので、セラミックス基板または焼成膜に与え
るダメージを軽減することができる。また、レーザー照
射の波長は、ペーストに含有する有機バインダーを光化
学的に分解し易いものなので、膜に含有する有機バイン
ダーを除去し易い。更に、限られたレーザー出力で膜が
削れるようにするために、焼結後の膜ではなく焼結前の
膜をトリミングすることとした。なお、本発明は、IC
パッケージ用アルミナ基板における、パターン密度の微
細化という課題に対しても、有効である。すなわち、I
Cとのワイヤボンディング用パッドが微細化することに
対して、配線パターンも微細化することが必要である
が、そのような用途にも適用出来る。従って、ここに言
うトリミングとは、例えば既に他の方法により形成され
た所定形状を、所望の精度に単に微調整するということ
だけを意味するに留まらず、セラミックス基板上または
焼成膜上に一様に被覆された膜状体を任意に除去して所
望形状に形成する積極的な意味をも包含する。
In the present invention, the ceramic substrate or the fired film is not unusably damaged in the unfired state of the film body,
Further, there is a step of irradiating an energy beam for decomposing / removing the film-shaped body to trim the film-shaped body. Examples of such an energy beam include laser irradiation and electron beam, among which laser irradiation is preferable. Such an energy beam that "disintegrates and removes the film-like body without damaging the ceramic substrate or the fired film" is, for example, in the case of laser irradiation,
The intensity is 10 J / cm 2 or less of fluence (laser energy density per shot), and the wavelength is 4
It is preferably not more than 00 nm. Since the output of laser irradiation is small, damage to the ceramic substrate or the fired film can be reduced. Moreover, since the wavelength of the laser irradiation is such that the organic binder contained in the paste is easily photochemically decomposed, the organic binder contained in the film is easily removed. Furthermore, in order to allow the film to be scraped with a limited laser output, it was decided to trim not the film after sintering but the film before sintering. The present invention is an IC
It is also effective for the problem of making the pattern density finer in the package alumina substrate. That is, I
Although it is necessary to miniaturize the wiring pattern as the pad for wire bonding with C is miniaturized, it can be applied to such an application. Therefore, the term "trimming" as used herein does not only mean that the predetermined shape already formed by another method is simply fine-tuned to a desired accuracy, and it is evenly formed on the ceramic substrate or the fired film. It also includes the positive meaning of arbitrarily removing the film-like body coated on the substrate to form a desired shape.

【0007】[0007]

【発明の実施の形態】 本発明では、セラミックス基板
または焼成膜の表面に膜状体を被覆する。膜状体は、焼
成後金属膜あるいはセラミックス膜となって、例えば、
電極、抵抗体、リード、出力ターミナル等として作用す
るものである。従って、セラミックス基板または焼成膜
の全ての表面に膜状体を被覆する必要がないことは明ら
かである。また、膜状体のパターン、形状等には制限が
なく、膜の用途に応じて適宜選択される。
BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION In the present invention, the surface of a ceramic substrate or a fired film is coated with a film. The film-like body becomes a metal film or a ceramic film after firing.
It functions as an electrode, a resistor, a lead, an output terminal, and the like. Therefore, it is clear that it is not necessary to cover the entire surface of the ceramic substrate or the fired film with the film-shaped body. Further, there is no limitation on the pattern, shape, etc. of the film-like body, and it is appropriately selected according to the application of the film.

【0008】 膜状体を被覆する工程は、ペースト(金
レジネートなどの有機金属化合物も含む)を、印刷法、
ディッピング法、転写法などの厚膜形成方法により塗布
して形成することができ、そのうち印刷法によることが
特に好ましく、印刷の後にペーストを乾燥することが更
に好ましい。後者のときには、膜状体をトリミングする
工程は、印刷工程と乾燥工程の間であってもよいし、乾
燥工程と焼成工程の間であってもよい。
In the step of coating the film-like body, a paste (including an organometallic compound such as gold resinate) is used for printing,
It can be formed by coating by a thick film forming method such as a dipping method or a transfer method, of which the printing method is particularly preferable, and the paste is more preferably dried after printing. In the latter case, the step of trimming the film-shaped body may be between the printing step and the drying step, or may be between the drying step and the baking step.

【0009】 ペーストは、主要成分として白金等の金
属粉末、有機金属化合物、クラスター化合物、又はセラ
ミック粉末のいずれか一種以上と、有機バインダー及び
有機溶剤を含有することが所望される。ペーストは、1
00重量%の主要成分に対して、有機バインダーが1〜
20重量%、好ましくは2〜15重量%、更に好ましく
は3〜10重量%、更になお好ましくは5〜10重量%
含有することが所望される。有機バインダーとしては、
合成樹脂が好ましい。特に、炭素−酸素結合を有するも
のは、レーザー照射により分解し易くいので、好まし
い。有機バインダーとしては、具体的には、アクリル酸
エステル、メタクリル酸エステル等のアクリル樹脂;ア
セチルセルロール、エチルセルロール等のセルロース樹
脂;ポリビニルブチラール(PVB)等のブチラール樹
脂;酢酸ビニル樹脂;エチレン酢酸ビニル共重合(EV
A)樹脂等が挙げられる。
It is desirable that the paste contains at least one of a metal powder such as platinum, an organometallic compound, a cluster compound, and a ceramic powder as main components, an organic binder and an organic solvent. Paste is 1
Organic binder is 1 to 100% by weight of main component
20% by weight, preferably 2-15% by weight, more preferably 3-10% by weight, even more preferably 5-10% by weight
It is desired to contain. As an organic binder,
Synthetic resins are preferred. In particular, those having a carbon-oxygen bond are preferable because they are easily decomposed by laser irradiation. Specific examples of the organic binder include acrylic resins such as acrylic acid esters and methacrylic acid esters; cellulose resins such as acetyl cellulose and ethyl cellulose; butyral resins such as polyvinyl butyral (PVB); vinyl acetate resins; ethylene acetic acid. Vinyl copolymerization (EV
A) Resin etc. are mentioned.

【0010】 また、ペーストに用いられる有機溶剤と
しては、メタノール、エタノール、イソプロピルアルコ
ール、ブタノール、オクタノール、ターピネオール等の
アルコール類;アセトン、メチルエチルケトン等のケト
ン類;セロソルブ、カルビトール等のエーテル類;酢酸
メチル、酢酸エチル、酢酸セロソルブ、酢酸カルビトー
ル等のエステル類;キシレン、トルエン等の芳香族化合
物等の室温で液体である種々の有機化合物を使用するこ
とができる。トリミング工程が印刷工程と乾燥工程の間
のときには、ペーストに用いる溶剤は、1気圧において
沸点が80℃以上であることが好ましく、100℃以上
であることが更に好ましい。
As the organic solvent used for the paste, alcohols such as methanol, ethanol, isopropyl alcohol, butanol, octanol, and terpineol; ketones such as acetone and methyl ethyl ketone; ethers such as cellosolve and carbitol; methyl acetate Various organic compounds that are liquid at room temperature, such as ethyl acetate, esters such as cellosolve acetate and carbitol acetate; aromatic compounds such as xylene and toluene, can be used. When the trimming step is between the printing step and the drying step, the solvent used for the paste preferably has a boiling point of 80 ° C. or higher at 1 atm, and more preferably 100 ° C. or higher.

【0011】 本発明では、レーザー照射等のエネルギ
ー・ビームで膜状体をトリミングする。図1(a)は、
トリミングする前の膜状体の正面図である。一方、図1
(b)は、トリミングした後の膜状体の正面図である。
図1(a)及び図1(b)で、膜状体は図示していない
セラミックス基板または焼成膜上に被覆されている。図
1(a)では、膜状体12の縁12a、12b、12c
は印刷の際のにじみ等のため、縁が波うっている。従っ
て、膜の抵抗値を十分に制御したり、膜幅b1を狭くす
ることが難しかった。図1(b)では、膜状体12の縁
12a及び縁12bをレーザー照射でトリミングしたも
のである。膜状体14の縁14a及び14bはほぼ直線
になり、互いにほぼ平行になっている。また、膜状体1
4の膜幅b2は膜状体12の膜幅b1より狭い。
In the present invention, the film-shaped body is trimmed with an energy beam such as laser irradiation. FIG. 1 (a)
It is a front view of the film-shaped body before trimming. On the other hand, FIG.
(B) is a front view of the film-shaped body after trimming.
In FIG. 1A and FIG. 1B, the film-shaped body is coated on a ceramic substrate or a fired film (not shown). In FIG. 1A, the edges 12a, 12b, 12c of the film body 12 are shown.
Has wavy edges due to bleeding during printing. Therefore, it is difficult to sufficiently control the resistance value of the film and to narrow the film width b1. In FIG. 1B, the edges 12a and 12b of the film body 12 are trimmed by laser irradiation. The edges 14a and 14b of the film body 14 are substantially straight lines and are substantially parallel to each other. Also, the film body 1
The film width b2 of 4 is narrower than the film width b1 of the film body 12.

【0012】 図2は、本発明のトリミング工程を説明
するための側面図である。膜状体20をセラミックス基
板28の表面28sに被覆する。膜状体20には、膜状
体を構成する粒子24、並びに、有機バインダー及び有
機溶剤の粒子26が含まれている。粒子24は、例え
ば、金属粉末である。図2には、これらの粒子の一部の
みを示した。そして、レーザー等のエネルギー・ビーム
22が膜状体20を照射すると、有機バインダー及び有
機溶剤の粒子26が分解、昇華、沸騰する。これによ
り、粒子24を弾き跳ばし、膜状体20をトリミングす
る。従って、有機バインダー或いは有機溶剤を分解・昇
華・沸騰させ且つその下にあるセラミックス基板を使用
不能に損傷させないエネルギー・ビームを照射すれば良
い。一般に有機バインダー或いは有機溶剤を分解・昇華
・沸騰させるエネルギー強度Aと、セラミックス基板の
損傷が起こる下限のエネルギー強度Bとはかなりかけ離
れた値であり、エネルギー・ビームの強度Eの取り得る
範囲はB−Aの範囲が広ければ広いほど精度は要求され
ず、またEをAの近傍の値に取ればセラミックス基板損
傷のおそれが無い。更には、金属が粒子として存在する
のではなく、原子レベルで分子中に存在する有機金属化
合物で膜状体を形成すると、最も低強度でトリミングで
きるので、好ましい。
FIG. 2 is a side view for explaining the trimming process of the present invention. The surface 28 s of the ceramic substrate 28 is covered with the film body 20. The film body 20 includes particles 24 that form the film body and particles 26 of an organic binder and an organic solvent. The particles 24 are, for example, metal powder. Only some of these particles are shown in FIG. When the energy beam 22 such as a laser irradiates the film body 20, the particles 26 of the organic binder and the organic solvent are decomposed, sublimated, and boiled. Thereby, the particles 24 are repelled and the film body 20 is trimmed. Therefore, it suffices to irradiate with an energy beam that decomposes, sublimes, or boils the organic binder or the organic solvent and does not damage the ceramic substrate thereunder unusably. In general, the energy intensity A for decomposing / sublimating / boiling an organic binder or an organic solvent and the lower limit energy intensity B at which the ceramic substrate is damaged are far apart from each other, and the range of the energy beam intensity E is B. The wider the range of −A is, the less accuracy is required, and if E is set to a value in the vicinity of A, there is no possibility of damage to the ceramic substrate. Furthermore, it is preferable that the metal is not present as particles, but a film-like body is formed from an organometallic compound that is present in the molecule at the atomic level, because trimming can be performed with the lowest strength.

【0013】 一方、図3は、従来例のトリミング工程
を説明するための側面図である。導電膜30は既に焼結
されていて、導電膜30は多数の結晶粒34で構成され
ている。導電膜30がセラミックス基板38の表面38
sに被覆する。そして、レーザー32が導電膜30を照
射すると、結晶粒34が溶融飛散することにより、導電
膜30をトリミングする。従って、焼結した導電膜の結
晶粒を溶融飛散完全除去させ且つその下にあるセラミッ
クス基板を使用不能に損傷させないエネルギー・ビーム
を照射しなければならない。一般に導電膜の結晶粒を溶
融飛散完全除去させるエネルギー強度Aと、セラミック
ス基板の損傷が起こる下限のエネルギー強度Bとは非常
に近い値であり、エネルギー・ビームの強度Eの取り得
る範囲はB−Aの範囲が狭ければ狭いほど精度が要求さ
れ、また工業的には、Eの制御幅が限られていれば、歩
留まりが低下してしまう。
On the other hand, FIG. 3 is a side view for explaining a conventional trimming process. The conductive film 30 has already been sintered, and the conductive film 30 is composed of many crystal grains 34. The conductive film 30 is the surface 38 of the ceramic substrate 38.
s. When the laser 32 irradiates the conductive film 30, the crystal grains 34 are melted and scattered to trim the conductive film 30. Therefore, it is necessary to irradiate with an energy beam that completely melts and removes the crystal grains of the sintered conductive film and does not uselessly damage the underlying ceramic substrate. Generally, the energy intensity A for melting and completely removing the crystal grains of the conductive film and the lower limit energy intensity B at which the ceramic substrate is damaged are very close values, and the range of the energy beam intensity E that can be taken is B- The narrower the range of A is, the higher the accuracy is required, and industrially, if the control width of E is limited, the yield is reduced.

【0014】 本発明では、強度がフルエンス10J/
cm2 以下であるレーザー照射で膜状体をトリミングす
ることが望ましい。レーザー照射の出力が小さいので、
膜状体が被覆するセラミックス基板または焼成膜に与え
るダメージを軽減することができる。このレーザー照射
の強度がフルエンス8J/cm2 以下であることが好ま
しく、フルエンス5J/cm2 以下であることが更に好
ましい。レーザー照射の強度は、レーザー照射の波長が
短くなるにつれて、小さくすることができる。より詳し
くは、金属粒子を含有するペーストを用いた膜に対して
は5J/cm2 以下が好ましく、また有機金属化合物を
用いた膜に対しては2J/cm2 以下が好適である。
In the present invention, the strength is fluence of 10 J /
It is desirable to trim the film-like body by laser irradiation of cm 2 or less. Since the output of laser irradiation is small,
It is possible to reduce damage given to the ceramic substrate or the fired film coated with the film body. The intensity of the laser irradiation is preferably 8 J / cm 2 or less, more preferably 5 J / cm 2 or less. The intensity of laser irradiation can be reduced as the wavelength of laser irradiation becomes shorter. More particularly, preferably 5 J / cm 2 or less to the film using a paste containing metal particles, also with respect to the film using an organometallic compound is preferably 2J / cm 2 or less.

【0015】 本発明では、レーザー照射の波長が40
0nm以下であることが望ましい。この波長により、有
機バインダーを光化学的に分解し易くなる。波長は30
0nm以下であることがさらに好ましい。本発明では、
波長が180nm以上であることが好ましく、200n
m以上であることが更に好ましい。膜状体の乾燥温度
は、ペーストに用いる溶媒の種類にもよるが、一般に8
0℃〜200℃程度の温度に設定される。膜状体の焼成
温度は、膜状体を構成する金属またはセラミックスの種
類によって適宜選択される。またレーザーのタイプとし
ては、エキシマレーザー、YAGレーザーの高次高調波
を取り出すタイプが好適に用いられ、更に多重反射方式
エキシマレーザー(例:三菱電機(株)製;三菱エキシ
マワークシステムMEX 24−M)やエキシマレーザ
ーステッパー等が大面積を高精度に高速でトリミングで
きるので好適である。
In the present invention, the wavelength of laser irradiation is 40
It is desirable that the thickness be 0 nm or less. This wavelength facilitates the photochemical decomposition of the organic binder. Wavelength is 30
It is more preferably 0 nm or less. In the present invention,
The wavelength is preferably 180 nm or more, and 200 n
It is more preferably m or more. The drying temperature of the film body depends on the type of solvent used for the paste, but is generally 8
The temperature is set to about 0 ° C to 200 ° C. The firing temperature of the film body is appropriately selected depending on the type of metal or ceramics forming the film body. Further, as a laser type, an excimer laser or a type that extracts high-order harmonics of a YAG laser is preferably used, and a multiple reflection type excimer laser (eg, manufactured by Mitsubishi Electric Corporation; Mitsubishi Excimer Work System MEX 24-M) ) And an excimer laser stepper are preferable because they can trim a large area with high precision and high speed.

【0016】 本発明の膜形成方法は、セラミックス基
板が薄い場合、例えば厚さが50μm以下、さらに20
μm以下の場合においても好ましく適用することができ
る。なお、セラミックス基板の材質としては、下記に示
すように、部分安定化ジルコニアが好ましく用いられ
る。また、セラミックス基板上に形成された焼成膜とし
ては、例えば、圧電体膜(PZT膜)のような機能を有
する膜を挙げることができる。このPZT膜は、印刷
法、ディッピング法、転写法などの厚膜形成方法により
形成し、焼成することにより作製することができる。P
ZT膜の厚さは、通常50μm以下で、25μm以下で
あっても好適に作製できる。
In the film forming method of the present invention, when the ceramic substrate is thin, for example, the thickness is 50 μm or less, and further 20
It can be preferably applied even in the case of μm or less. As the material of the ceramic substrate, partially stabilized zirconia is preferably used as shown below. The fired film formed on the ceramic substrate may be, for example, a film having a function such as a piezoelectric film (PZT film). This PZT film can be produced by forming it by a thick film forming method such as a printing method, a dipping method, or a transfer method, and baking it. P
The thickness of the ZT film is usually 50 μm or less, and can be suitably produced even if it is 25 μm or less.

【0017】 以下、本発明に用いることができる材料
について説明する。セラミックス基板に用いられるセラ
ミックスとしては特に制限がない。例えば、安定化され
た酸化ジルコニウム、酸化アルミニウム、酸化マグネシ
ウム、ムライト、窒化アルミニウム、窒化珪素、ガラス
等が挙げられる。安定化された酸化ジルコニウムは、振
動部が薄くても機械強度が高いこと、靱性が高いこと、
導電膜と化学反応性が小さいこと等のため、特に好まし
い。
Materials that can be used in the present invention will be described below. There is no particular limitation on the ceramics used for the ceramic substrate. Examples thereof include stabilized zirconium oxide, aluminum oxide, magnesium oxide, mullite, aluminum nitride, silicon nitride and glass. Stabilized zirconium oxide has high mechanical strength and high toughness even when the vibrating part is thin,
It is particularly preferable because it has low chemical reactivity with the conductive film.

【0018】 安定化された酸化ジルコニウムは、安定
化酸化ジルコニウム(安定化ジルコニア)及び部分安定
化酸化ジルコニウム(部分安定化ジルコニア)を包含す
る。安定化された酸化ジルコニウムは、立方晶や正方晶
等の結晶構造をとるので、相転移を起こさない。一方、
酸化ジルコニウムは、1000℃前後で、単斜晶と正方
晶とで相転移し、この相転移のときクラックが発生した
りする。安定化された酸化ジルコニウムは、酸化カルシ
ウム、酸化マグネシウム、酸化イットリウム、酸化スカ
ンジウム、酸化イッテルビウム、酸化セリウム又は希土
類金属の酸化物等の安定化剤を、1〜30モル%含有す
る。振動部の機械強度を高めるため、安定化剤が、酸化
イットリウムを含有することが好ましい。このとき、酸
化イットリウムは、好ましくは1.5〜6モル%含有
し、更に好ましくは2〜4モル%含有する。また、酸化
アルミニウムを0〜2.5wt%含有しても良い。更に
主なる結晶相は、正方晶であってもよいし、又は、正方
晶及び立方晶が混合したものであってもよい。また、セ
ラミックス基板は、多数の結晶粒から構成されるが、振
動部の機械強度を高めるため、結晶粒の平均粒径は、
0.05〜4μmであることが好ましく、0.5〜2.
5μmであることが更に好ましい。
Stabilized zirconium oxide includes stabilized zirconium oxide (stabilized zirconia) and partially stabilized zirconium oxide (partially stabilized zirconia). Stabilized zirconium oxide does not cause a phase transition because it has a crystal structure such as a cubic system or a tetragonal system. on the other hand,
Zirconium oxide undergoes a phase transition between a monoclinic system and a tetragonal system at around 1000 ° C., and cracks may occur during this phase transition. The stabilized zirconium oxide contains 1 to 30 mol% of a stabilizer such as calcium oxide, magnesium oxide, yttrium oxide, scandium oxide, ytterbium oxide, cerium oxide or a rare earth metal oxide. The stabilizer preferably contains yttrium oxide in order to increase the mechanical strength of the vibrating portion. At this time, yttrium oxide is preferably contained in an amount of 1.5 to 6 mol%, more preferably 2 to 4 mol%. Further, it may contain aluminum oxide in an amount of 0 to 2.5 wt%. Further, the main crystal phase may be a tetragonal crystal or a mixture of a tetragonal crystal and a cubic crystal. Further, the ceramic substrate is composed of a large number of crystal grains, but the average grain size of the crystal grains is
The thickness is preferably 0.05 to 4 μm, and 0.5 to 2.
More preferably, it is 5 μm.

【0019】 膜は、室温で固体である金属を含有する
ことが好ましい。例えば、アルミニウム、チタン、クロ
ム、鉄、コバルト、ニッケル、銅、亜鉛、ニオブ、モリ
ブデン、ルテニウム、ロジウム、銀、スズ、タンタル、
タングステン、イリジウム、白金、金、鉛等が挙げられ
る。これらの元素が任意の組み合わせで含有していても
よいことはいうまでもない。また、白金、ロジウム、パ
ラジウム等の白金族金属、又はこれらの白金族金属を含
有する、銀−白金、白金−パラジウム等の合金を主成分
とする合金が好適に用いられる。
The membrane preferably contains a metal that is solid at room temperature. For example, aluminum, titanium, chromium, iron, cobalt, nickel, copper, zinc, niobium, molybdenum, ruthenium, rhodium, silver, tin, tantalum,
Examples thereof include tungsten, iridium, platinum, gold and lead. It goes without saying that these elements may be contained in any combination. Platinum group metals such as platinum, rhodium, and palladium, or alloys containing these platinum group metals and containing an alloy such as silver-platinum or platinum-palladium as a main component are preferably used.

【0020】[0020]

【実施例】以下、本発明を実施例により詳細に説明す
る。ただし、本発明は下記実施例により制限されるもの
ではない。 (実施例1)50サンプルの各々で、図4に示すよう
に、セラミックス基板40を形成して、このセラミック
ス基板40の表面に膜状体46を被覆して、レーザー照
射により膜状体46をトリミングし、膜状体46を乾燥
して、次いで、膜状体46を焼結した。そして、膜状体
の被覆後トリミング前と、トリミング後乾燥前とで、膜
状体の膜幅を比較した。
EXAMPLES The present invention will be described in detail below with reference to examples. However, the present invention is not limited by the following examples. (Embodiment 1) As shown in FIG. 4, a ceramic substrate 40 is formed on each of 50 samples, the surface of the ceramic substrate 40 is covered with a film 46, and the film 46 is formed by laser irradiation. The film 46 was trimmed, the film 46 was dried, and then the film 46 was sintered. Then, the film width of the film-shaped body was compared with that after coating the film-shaped body and before trimming and after trimming and before drying.

【0021】 部分安定化ジルコニアをドクターブレー
ド成形して成形膜を得た。この部分安定化ジルコニア
は、94重量部のジルコニアと、5重量部のY23
の安定化剤とを含有する。成形膜の厚さは約15μmで
あった。この成形膜を焼結して、セラミックス基板40
を得た。
The partially stabilized zirconia was doctor blade molded to obtain a molded film. The partially stabilized zirconia contains 94 parts by weight of zirconia and 5 parts by weight of a stabilizer such as Y 2 O 3 . The thickness of the molded film was about 15 μm. The formed film is sintered to obtain the ceramic substrate 40.
I got

【0022】 次いで、セラミック基板40の表面にペ
ーストを用いて厚さが約10μmの膜状体46を印刷し
た。このペーストには、平均粒径が0.8μmの白金粉
末に対して、エチルセルロースを有機バインダーとし
て、5重量%添加した。更に、有機溶剤としてターピネ
オールを添加した。膜状体46は、セラミック基板40
の表面に長手方向に被覆して、印刷幅b1を有した。
Next, a film-like body 46 having a thickness of about 10 μm was printed on the surface of the ceramic substrate 40 using a paste. To this paste, 5% by weight of ethyl cellulose was added as an organic binder to platinum powder having an average particle size of 0.8 μm. Furthermore, terpineol was added as an organic solvent. The film body 46 is a ceramic substrate 40.
Had a printing width b1.

【0023】 次いで、膜状体46の両側の縁を長手方
向にトリミングして、膜幅をb1からb2に狭くした。
即ち、トリミング前の膜状体46の縁47がトリミング
により縁48となった。このとき、高次高調波を用いて
波長を267nmとしたイットリウムアルミニウムガー
ネットレーザーを用いた。レーザーの強度はフルエンス
6J/cm2 であり、レーザー繰返し周波数が2キロヘ
ルツで、長手方向に5mm/sの速度で膜を削った。ト
リミング前とトリミング後における膜状体46の幅(m
m)についてのデータを表1にまとめた。
Next, the edges on both sides of the film body 46 were trimmed in the longitudinal direction to reduce the film width from b1 to b2.
That is, the edge 47 of the film body 46 before trimming became the edge 48 by trimming. At this time, an yttrium aluminum garnet laser having a wavelength of 267 nm using high-order harmonics was used. The laser intensity was 6 J / cm 2 fluence, the laser repetition frequency was 2 kHz, and the film was scraped at a speed of 5 mm / s in the longitudinal direction. The width (m of the film body 46 before and after trimming
The data for m) are summarized in Table 1.

【0024】[0024]

【表1】 [Table 1]

【0025】トリミングすることにより、膜状体46の
幅についての標準偏差が8μmから3μmに減少した。
このデータは、膜状体46の幅がより均一になり、膜状
体の縁における波うち、にじみ等が除去されたことを示
す。セラミックス基板40及び膜状体46を、120℃
に保持して、膜状体46を乾燥した。次いで、膜状体4
6を空気雰囲気下で1300℃に保持して、膜状体46
を焼結した。
By trimming, the standard deviation of the width of the film 46 was reduced from 8 μm to 3 μm.
This data shows that the width of the membrane 46 became more uniform, and waviness, bleeding, etc. at the edges of the membrane were removed. The ceramic substrate 40 and the film body 46 are heated at 120 ° C.
The film-like body 46 was dried while being held at. Then, the film body 4
6 at a temperature of 1300 ° C. under an air atmosphere to form a film 46.
Was sintered.

【0026】(実施例2)部分安定化ジルコニアを用い
て、リバースロールコーターにより、図5に示すよう
な、厚さ20μmの薄肉成形膜50を成形し、またドク
ターブレードにより厚さ150μmの厚肉成形膜51を
成形した。さらに、厚さ150μmの厚肉成形膜51に
は、幅500μm、長さ2000μmの窓部52を打抜
きにより形成した。次いで、上記薄肉成形膜50と上記
厚肉成形膜51とを積層焼成して一体化し、幅400μ
m、長さ1600μmの薄肉部53を有するセラミック
ス基板54を得た。
(Example 2) Using partially stabilized zirconia, a reverse roll coater was used to form a thin molding film 50 having a thickness of 20 μm as shown in FIG. 5, and a doctor blade was used to form a thick film having a thickness of 150 μm. The formed film 51 was formed. Further, a window portion 52 having a width of 500 μm and a length of 2000 μm was formed by punching on the thick molded film 51 having a thickness of 150 μm. Next, the thin-walled molding film 50 and the thick-walled molding film 51 are laminated and fired to be integrated, and the width is 400 μm.
A ceramic substrate 54 having a thin portion 53 of m and a length of 1600 μm was obtained.

【0027】 次に、上記薄肉部53に、図6(a)に
示すように、幅約140μmと幅約240μmの帯状パ
ターン55、56に、実施例1と同じ白金を含むペース
トを印刷により塗布した。乾燥後、多重反射式エキシマ
レーザーにより、各々幅100μmと幅200μmとな
るようにトリミングして、図6(b)のように、帯状パ
ターン57、58を有する膜状体とした。その後、セラ
ミックス基板54を電気炉で加熱し、膜状体を焼成し
た。このようにして得られたセラミックス基板54の上
の帯状パターン57、58に、図6(c)に示すよう
に、PZTと有機バインダー及び有機溶剤を含むペース
トを用い、印刷及び焼成によりPZT膜59を形成し
た。
Next, as shown in FIG. 6 (a), the strip-shaped patterns 55 and 56 having a width of about 140 μm and a width of about 240 μm are coated with the same paste containing platinum as in Example 1 on the thin portion 53 by printing. did. After drying, the film was trimmed with a multiple reflection type excimer laser to have a width of 100 μm and a width of 200 μm, respectively, to obtain a film-shaped body having band-shaped patterns 57 and 58 as shown in FIG. 6B. After that, the ceramic substrate 54 was heated in an electric furnace to burn the film body. As shown in FIG. 6C, a paste containing PZT, an organic binder, and an organic solvent is used for the strip-shaped patterns 57, 58 on the ceramic substrate 54 thus obtained, and the PZT film 59 is printed and baked. Was formed.

【0028】 次いで、図7(a)に示すように、PZ
T膜59の上並びにセラミックス基板54の上に、金レ
ジネートからなる膜状体60を印刷により塗布し、乾燥
した。その後、多重反射式エキシマレーザーを用いたト
リミングにより、フルエンス0.5〜1.5J/cm2
で、図7(b)に示すような所定のパターンを有する電
極61、62を形成し、焼成することにより、2種類の
感度レベルを有する精度の高い圧電体圧力センサーを得
た。
Next, as shown in FIG. 7A, PZ
On the T film 59 and the ceramic substrate 54, a film 60 made of gold resinate was applied by printing and dried. Then, the fluence is 0.5 to 1.5 J / cm 2 by trimming using a multiple reflection type excimer laser.
Then, electrodes 61 and 62 having a predetermined pattern as shown in FIG. 7B were formed and fired to obtain a highly accurate piezoelectric pressure sensor having two types of sensitivity levels.

【0029】(実施例3)図8〜9は、本発明のさらに
別の実施態様を示す説明図である。図8(a)(b)に
示すような、薄肉部70を有し、かつその薄肉部70に
直径60μmの微細な孔71を多数配置した部分安定化
ジルコニアからなるセラミックス基板72に対して、図
9(a)(b)(c)に示すように、金レジネートペー
ストを帯状パターン73として印刷により塗布し、乾燥
した後、フルエンス0.1〜0.3J/cm2 のエキシ
マレーザーのトリミングにより配線パターン74を切り
出した。なお、75はトリミングラインを示す。次い
で、この配線パターン74を有するセラミックス基板7
2を焼成することにより、イオン流制御ヘッド基板を作
製することができた。
(Embodiment 3) FIGS. 8 to 9 are explanatory views showing still another embodiment of the present invention. As shown in FIGS. 8A and 8B, a ceramic substrate 72 made of partially stabilized zirconia having a thin portion 70 and a large number of fine holes 71 having a diameter of 60 μm arranged in the thin portion 70, As shown in FIGS. 9A, 9B and 9C, a gold resinate paste is applied by printing as a strip pattern 73, dried, and then trimmed by an excimer laser with a fluence of 0.1 to 0.3 J / cm 2. The wiring pattern 74 was cut out. In addition, 75 shows a trimming line. Next, the ceramic substrate 7 having this wiring pattern 74
By firing No. 2, an ion flow control head substrate could be manufactured.

【0030】[0030]

【発明の効果】 本発明では、セラミックス基板または
焼成膜を使用不能に損傷させず、且つ膜状体を分解・除
去するエネルギー・ビームにより膜状体をトリミングす
るので、セラミックス基板または焼成膜に与えるダメー
ジを軽減してセラミックス基板上または焼成膜上に膜を
形成することができる。
According to the present invention, the ceramic substrate or the fired film is trimmed by an energy beam that does not damage the ceramic substrate or the fired film unusably and is decomposed and removed. A film can be formed on a ceramic substrate or a fired film with reduced damage.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】 膜の正面説明図である。図1(a)は、トリ
ミング前である。一方、図1(b)は、トリミング後で
ある。
FIG. 1 is a front explanatory view of a film. FIG. 1A is before trimming. On the other hand, FIG. 1B is after trimming.

【図2】 本発明の膜形成方法を説明するための断面図
である。
FIG. 2 is a cross-sectional view for explaining the film forming method of the present invention.

【図3】 従来の膜形成方法を説明するための断面図で
ある。
FIG. 3 is a cross-sectional view for explaining a conventional film forming method.

【図4】 本発明の膜形成方法の一例を示す説明図であ
る。図4(a)は、図4(b)のA−A断面図である。
図4(b)は、正面図である。
FIG. 4 is an explanatory diagram showing an example of a film forming method of the present invention. FIG. 4A is a cross-sectional view taken along the line AA of FIG.
FIG. 4B is a front view.

【図5】 薄肉部を有するセラミックス基板の製作手順
の一例を示す分解斜視図である。
FIG. 5 is an exploded perspective view showing an example of a procedure for manufacturing a ceramic substrate having a thin portion.

【図6】 本発明の膜形成方法の他の例を示す説明図
で、図6(a)は基板上にペーストを印刷塗布した状
態、図6(b)はトリミングし焼成した状態、図6
(c)はPZT膜を形成した状態をそれぞれ示す。
6A and 6B are explanatory views showing another example of the film forming method of the present invention. FIG. 6A is a state in which paste is printed and applied on the substrate, FIG. 6B is a state in which trimming and firing are performed, and FIG.
(C) shows the state where the PZT film is formed.

【図7】 本発明の膜形成方法の他の例を示す説明図
で、図7(a)はPZT膜上並びにセラミックス基板上
に膜状体を印刷した状態、図7(b)はトリミングし焼
成した状態をそれぞれ示す。
7 (a) and 7 (b) are explanatory views showing another example of the film forming method of the present invention. FIG. 7 (a) shows a state in which a film-like body is printed on a PZT film and a ceramic substrate, and FIG. 7 (b) shows trimming. The respective states of firing are shown.

【図8】 薄肉部に微細な孔を多数配置したセラミック
ス基板を示すもので、図8(a)は平面図で、図8
(b)は図8(a)のB−B断面図である。
FIG. 8 shows a ceramic substrate having a large number of fine holes arranged in a thin portion, and FIG. 8A is a plan view.
8B is a sectional view taken along line BB of FIG.

【図9】 セラミックス基板上にペーストを印刷塗布後
トリミングした例を示すもので、図9(a)は平面図
で、図9(b)は図9(a)のC−C断面図(印刷塗布
時)、図9(c)は図9(a)のC−C断面図(トリミ
ング後)である。
9A and 9B show an example in which paste is printed and applied on a ceramic substrate and then trimmed. FIG. 9A is a plan view and FIG. 9B is a cross-sectional view taken along line CC of FIG. 9A. 9 (c) is a sectional view taken along line CC of FIG. 9 (a) (after trimming).

【符号の説明】[Explanation of symbols]

12・・・ 膜状体、12a・・・ 縁、12b・・・ 縁、12c
・・・ 縁、14・・・ 膜状体、14a・・・ 縁、14b・・・
縁、b1・・・ トリミング前の膜幅、b2・・・ トリミング
後の膜幅、20・・・ 膜状体、22・・・ レーザー照射、2
4・・・ 膜状体構成粒子、26・・・ 有機バインダー及び有
機溶剤の粒子、28・・・ セラミックス基板、28s・・・
表面、30・・・ 導電膜、32・・・ レーザー照射、34・・
・ 結晶粒、38・・・ セラミックス焼結体、38s・・・ 表
面、40・・・ セラミックス基板、46・・・ 膜状体、47
・・・ トリミング前の縁、48・・・ トリミング後の縁、5
0・・・ 薄肉成形膜、51・・・ 厚肉成形膜、52・・・ 窓
部、53・・・ 薄肉部、54・・・ セラミックス基板、5
5、56・・・ 帯状パターン、57、58・・・ 帯状パター
ン、59・・・ PZT膜、60・・・ 膜状体、61、62・・
・ トリミング後の膜状体、70・・・ 薄肉部、71・・・ 微
細な孔、72・・・ セラミックス基板、73・・・ 帯状パタ
ーン、74・・・ 配線パターン、75・・・ トリミングライ
ン。
12 ... Membrane, 12a ... Edge, 12b ... Edge, 12c
... Edge, 14 ... Membrane, 14a ... Edge, 14b ...
Edge, b1 ... Film width before trimming, b2 ... Film width after trimming, 20 ... Membrane, 22 ... Laser irradiation, 2
4 ... Membrane constituent particles, 26 ... Organic binder and organic solvent particles, 28 ... Ceramic substrate, 28s ...
Surface, 30 ... Conductive film, 32 ... Laser irradiation, 34 ...
-Crystal grain, 38 ... Ceramics sintered body, 38s ... Surface, 40 ... Ceramics substrate, 46 ... Membrane, 47
... Edges before trimming, 48 ... Edges after trimming, 5
0 ... Thin molding film, 51 ... Thick molding film, 52 ... Window part, 53 ... Thin part, 54 ... Ceramic substrate, 5
5, 56 ... Strip pattern, 57, 58 ... Strip pattern, 59 ... PZT film, 60 ... Film body, 61, 62 ...
-Film after trimming, 70 ... Thin portion, 71 ... Fine holes, 72 ... Ceramics substrate, 73 ... Strip pattern, 74 ... Wiring pattern, 75 ... Trimming line .

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 FI 技術表示箇所 H05K 3/08 H01L 41/22 Z (72)発明者 高橋 伸夫 愛知県名古屋市瑞穂区須田町2番56号 日 本碍子株式会社内─────────────────────────────────────────────────── ─── Continuation of the front page (51) Int.Cl. 6 Identification number Reference number within the agency FI Technical indication location H05K 3/08 H01L 41/22 Z (72) Inventor Nobuo Takahashi 2 Suda-cho, Mizuho-ku, Nagoya-shi, Aichi No. 56 Insulators of Nihon Insulator Co., Ltd.

Claims (8)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 セラミックス基板上または該セラミック
ス基板上に形成された焼成膜の上に膜を形成する方法で
あって、 該セラミックス基板上または該焼成膜の上に、焼成する
ことによって金属膜或いはセラミックス膜となる材料を
膜状体として被覆し、 該膜状体が未焼成の状態で、該セラミックス基板または
該焼成膜を使用不能に損傷させず、且つ該膜状体を分解
・除去するエネルギー・ビームを照射して該膜状体をト
リミングし、次いで、 該膜状体を焼成することを特徴とする膜形成方法。
1. A method for forming a film on a ceramics substrate or on a fired film formed on the ceramics substrate, which comprises firing a metal film or a metal film by firing on the ceramics substrate or the fired film. Energy for covering a material to be a ceramic film as a film-like body, and disassembling and removing the film-like body without undesirably damaging the ceramic substrate or the fired film in the unfired state of the film-like body A method for forming a film, which comprises irradiating a beam to trim the film, and then firing the film.
【請求項2】 該エネルギー・ビームがエキシマレーザ
ーにより照射されるものであることを特徴とする請求項
1記載の膜形成方法。
2. The film forming method according to claim 1, wherein the energy beam is irradiated by an excimer laser.
【請求項3】 該エキシマレーザーの強度が、フルエン
ス10J/cm2 以下であることを特徴とする請求項2
記載の膜形成方法。
3. The intensity of the excimer laser is a fluence of 10 J / cm 2 or less.
The method for forming a film according to the above.
【請求項4】 該エネルギー・ビームの照射に、多重反
射式エキシマレーザーを用いることを特徴とする請求項
1記載の膜形成方法。
4. The film forming method according to claim 1, wherein a multiple reflection excimer laser is used for the irradiation of the energy beam.
【請求項5】 該セラミックス基板が、厚さ50μm以
下の部分安定化ジルコニアから成ることを特徴とする請
求項1記載の膜形成方法。
5. The film forming method according to claim 1, wherein the ceramic substrate is made of partially stabilized zirconia having a thickness of 50 μm or less.
【請求項6】 該焼成膜が、厚膜形成法で膜形成した厚
さ50μm以下の圧電型半導体膜であることを特徴とす
る請求項1記載の膜形成方法。
6. The film forming method according to claim 1, wherein the baked film is a piezoelectric semiconductor film having a thickness of 50 μm or less formed by a thick film forming method.
【請求項7】 該膜状体が、金属粉末と有機バインダー
並びに有機溶剤を含有するペーストを厚膜形成法で塗布
して形成されたものであることを特徴とする請求項1記
載の膜形成方法。
7. The film formation according to claim 1, wherein the film-like body is formed by applying a paste containing a metal powder, an organic binder and an organic solvent by a thick film forming method. Method.
【請求項8】 該膜状体が、有機金属化合物を厚膜形成
法で塗布して形成されたものであることを特徴とする請
求項1記載の膜形成方法。
8. The film forming method according to claim 1, wherein the film-shaped body is formed by applying an organometallic compound by a thick film forming method.
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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006336075A (en) * 2005-06-02 2006-12-14 Ulvac Japan Ltd Dispersed liquid, method for producing dispersed liquid, and method for producing reflector
JP2012151195A (en) * 2011-01-18 2012-08-09 Panasonic Corp Method for manufacturing chip resistor
JP2014194989A (en) * 2013-03-28 2014-10-09 Shibaura Mechatronics Corp Pattern film formation device and method

Families Citing this family (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3208526B2 (en) * 1994-08-01 2001-09-17 キヤノン株式会社 Material for forming conductive film, method for forming conductive film using the material, and method for forming liquid crystal alignment film using the method
AU1402299A (en) * 1997-11-14 1999-06-07 Cerdec Corporation Laser marking method and material
DE19752674B4 (en) * 1997-11-28 2006-12-14 Ceramtec Ag Innovative Ceramic Engineering Artificial joint of a prosthesis
US6231925B1 (en) * 1997-12-01 2001-05-15 Anthony O. Davlin Method for adhering precious metal to vitreous substances
US6291025B1 (en) * 1999-06-04 2001-09-18 Argonide Corporation Electroless coatings formed from organic liquids
US20040228976A1 (en) * 2002-04-23 2004-11-18 Gerneral Electric Company Sprayable noble metal coating for high tempreature use on ceramic and smoothcoat coated aircraft engine parts
EP2270892B1 (en) * 2008-04-18 2016-02-24 NGK Insulators, Ltd. Method and apparatus for testing a piezoelectric/electrostrictive actuator, and method for adjusting the actuator

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6348119A (en) * 1986-08-13 1988-02-29 オムロン株式会社 Failure detecting circuit
US4814259A (en) * 1987-11-09 1989-03-21 Rockwell International Corporation Laser generated electrically conductive pattern
JPH05283282A (en) * 1992-03-30 1993-10-29 Towa Electron Kk Chip capacitor and electronic component unit including this chip capacitor
CA2104340A1 (en) * 1992-08-31 1994-03-01 Grish Chandra Hermetic protection for integrated circuits
US5417799A (en) * 1993-09-20 1995-05-23 Hughes Aircraft Company Reactive ion etching of gratings and cross gratings structures
JPH07193356A (en) * 1993-12-27 1995-07-28 Polyplastics Co Formation of circuit pattern using laser and circuit board

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006336075A (en) * 2005-06-02 2006-12-14 Ulvac Japan Ltd Dispersed liquid, method for producing dispersed liquid, and method for producing reflector
JP2012151195A (en) * 2011-01-18 2012-08-09 Panasonic Corp Method for manufacturing chip resistor
JP2014194989A (en) * 2013-03-28 2014-10-09 Shibaura Mechatronics Corp Pattern film formation device and method

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