JPH09100339A - エポキシ樹脂組成物および樹脂封止型半導体装置 - Google Patents
エポキシ樹脂組成物および樹脂封止型半導体装置Info
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Landscapes
- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
- Compositions Of Macromolecular Compounds (AREA)
- Epoxy Resins (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】低粘度、且つ低吸湿性と密着性の高い硬化物を
与えるエポキシ樹脂組成物およびそれを用いた樹脂封止
型半導体装置を提供すること。 【解決手段】(A)一般式(1) 【化1】 (式中、R1 は水素原子、炭素数1〜6の鎖状もしくは
環状アルキル基、置換もしくは無置換のフェニル基また
はハロゲン原子を示し、かつR1 は互いに同一であって
も異なっていてもよい。また、Xは式 【化2】 で表される基である。nは0〜4の整数値を示す。)で
表されるエポキシ樹脂と硬化剤を主成分として含有する
ことを特徴とするエポキシ樹脂組成物、および該エポキ
シ樹脂組成物を用いて半導体素子を封止することを特徴
とする樹脂封止型半導体装置。
与えるエポキシ樹脂組成物およびそれを用いた樹脂封止
型半導体装置を提供すること。 【解決手段】(A)一般式(1) 【化1】 (式中、R1 は水素原子、炭素数1〜6の鎖状もしくは
環状アルキル基、置換もしくは無置換のフェニル基また
はハロゲン原子を示し、かつR1 は互いに同一であって
も異なっていてもよい。また、Xは式 【化2】 で表される基である。nは0〜4の整数値を示す。)で
表されるエポキシ樹脂と硬化剤を主成分として含有する
ことを特徴とするエポキシ樹脂組成物、および該エポキ
シ樹脂組成物を用いて半導体素子を封止することを特徴
とする樹脂封止型半導体装置。
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、特に、電子部品の
封止用として有用なエポキシ樹脂組成物およびそれを用
いた樹脂封止型半導体装置に関する。
封止用として有用なエポキシ樹脂組成物およびそれを用
いた樹脂封止型半導体装置に関する。
【0002】
【従来の技術】近年、LSI、IC、トランジスタ等、
半導体の封止には、経済的に有用なエポキシ樹脂組成物
のトランスファーモールドが行われている。特に、最近
ではLSIの表面実装が行われており、半田浴中に直接
浸漬される場合が増えてきている。その際封止材は、20
0 ℃以上の高温にさらされるため、封止材中に吸湿して
いた水分が膨張し、クラックが入ったり、ダイパットと
の界面に剥離を生ずる問題が発生する。
半導体の封止には、経済的に有用なエポキシ樹脂組成物
のトランスファーモールドが行われている。特に、最近
ではLSIの表面実装が行われており、半田浴中に直接
浸漬される場合が増えてきている。その際封止材は、20
0 ℃以上の高温にさらされるため、封止材中に吸湿して
いた水分が膨張し、クラックが入ったり、ダイパットと
の界面に剥離を生ずる問題が発生する。
【0003】このため、エポキシ樹脂封止材には、低吸
湿性および耐クラック性や密着性の改良が求められてい
る。また、低吸湿性を得る目的から充填材を高密度に充
填可能な低粘度のエポキシ樹脂が望まれている。現状で
は、エポキシ樹脂としてo−クレゾールノボラックのグ
リシジルエーテルを用い、硬化剤としてはフェノールノ
ボラックを用いた封止材が主流であるが、保管時に吸湿
すると上記の問題があり、これを避けるため実用上は防
湿梱包をして使用されている。
湿性および耐クラック性や密着性の改良が求められてい
る。また、低吸湿性を得る目的から充填材を高密度に充
填可能な低粘度のエポキシ樹脂が望まれている。現状で
は、エポキシ樹脂としてo−クレゾールノボラックのグ
リシジルエーテルを用い、硬化剤としてはフェノールノ
ボラックを用いた封止材が主流であるが、保管時に吸湿
すると上記の問題があり、これを避けるため実用上は防
湿梱包をして使用されている。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】o−クレゾールノボラ
ックのグリシジルエーテルを主とする封止材は、耐熱性
と成形性の点では一応のバランスがとれているが、前述
のような高い水準での低吸湿性が求められる用途におい
ては必ずしも充分ではないためハンダクラック性におい
て問題がある。本発明の目的は、低粘度、且つ低吸湿性
と密着性の高い硬化物を与えるエポキシ樹脂組成物およ
びそれを用いた樹脂封止型半導体装置を提供することで
ある。
ックのグリシジルエーテルを主とする封止材は、耐熱性
と成形性の点では一応のバランスがとれているが、前述
のような高い水準での低吸湿性が求められる用途におい
ては必ずしも充分ではないためハンダクラック性におい
て問題がある。本発明の目的は、低粘度、且つ低吸湿性
と密着性の高い硬化物を与えるエポキシ樹脂組成物およ
びそれを用いた樹脂封止型半導体装置を提供することで
ある。
【0005】
【課題を解決するための手段】このような事情に鑑み本
発明者らは、鋭意検討した結果、特定のエポキシ樹脂組
成物が上記目的に適うことを見出し本発明を完成するに
至った。すなわち、本発明は、(A)一般式(1)
発明者らは、鋭意検討した結果、特定のエポキシ樹脂組
成物が上記目的に適うことを見出し本発明を完成するに
至った。すなわち、本発明は、(A)一般式(1)
【0006】
【化3】 (式中、R1 は水素原子、炭素数1〜6の鎖状もしくは
環状アルキル基、置換もしくは無置換のフェニル基また
はハロゲン原子を示し、かつR1 は互いに同一であって
も異なっていてもよい。また、Xは式
環状アルキル基、置換もしくは無置換のフェニル基また
はハロゲン原子を示し、かつR1 は互いに同一であって
も異なっていてもよい。また、Xは式
【化4】 で表される基である。nは0〜4の整数値を示す。)で
表されるエポキシ樹脂と硬化剤を主成分として含有する
ことを特徴とするエポキシ樹脂組成物、および該エポキ
シ樹脂組成物を用いて半導体素子を封止することを特徴
とする樹脂封止型半導体装置に関するものである。
表されるエポキシ樹脂と硬化剤を主成分として含有する
ことを特徴とするエポキシ樹脂組成物、および該エポキ
シ樹脂組成物を用いて半導体素子を封止することを特徴
とする樹脂封止型半導体装置に関するものである。
【0007】
【発明の実施の形態】本発明に用いられる一般式(1)
で表される(A)成分であるエポキシ樹脂の置換基R1
を具体的に例示すると、それぞれメチル基、エチル基、
プロピル基、ブチル基、アミル基、ヘキシル基、シクロ
ヘキシル基、フェニル基、トリル基、キシリル基(各異
性体を含む)、塩素原子および臭素原子等があげられ
る。
で表される(A)成分であるエポキシ樹脂の置換基R1
を具体的に例示すると、それぞれメチル基、エチル基、
プロピル基、ブチル基、アミル基、ヘキシル基、シクロ
ヘキシル基、フェニル基、トリル基、キシリル基(各異
性体を含む)、塩素原子および臭素原子等があげられ
る。
【0008】また本発明で用いるエポキシ樹脂は、フェ
ノール類をグリシジルエーテル化する周知の方法によっ
て得ることができる。つまり、フェノール類とエピハロ
ヒドリンとを、苛性ソーダ等のアルカリの存在下で反応
させる方法である。特に、高純度品を得る場合には、特
開昭60-31517公報に記載の方法の様に、非プロトン性溶
媒下の反応が好適である。
ノール類をグリシジルエーテル化する周知の方法によっ
て得ることができる。つまり、フェノール類とエピハロ
ヒドリンとを、苛性ソーダ等のアルカリの存在下で反応
させる方法である。特に、高純度品を得る場合には、特
開昭60-31517公報に記載の方法の様に、非プロトン性溶
媒下の反応が好適である。
【0009】ここで用いられるフェノール類は、一般式
(2)
(2)
【化5】 (式中、R1 、Xおよびnの意義は一般式(1)のそれ
と同じである。)であり、一般式(2)で表されるフェ
ノール類の具体例としては、次のような化合物があげら
れる。
と同じである。)であり、一般式(2)で表されるフェ
ノール類の具体例としては、次のような化合物があげら
れる。
【0010】
【化6】
【0011】
【化7】
【0012】本発明の組成物においては、エポキシ樹脂
として上記エポキシ樹脂と他のエポキシ樹脂を併用して
もよい。これらのエポキシ樹脂としては、公知のものを
使用することができるが、これらについて例示すると、
フェノール、o-クレゾール等のフェノール類とホルムア
ルデヒドの反応生成物であるノボラック系エポキシ樹
脂、フロログリシン、トリス−(4−ヒドロキシフェニ
ル)−メタン、1,1,2,2,−テトラキス(4−ヒドロキシ
フェニル)エタン等の三価以上のフェノール類から誘導
されるグリシジルエーテル化合物、ビスフェノールA、
ビスフェノールF、テトラメチルビフェノール、ハイド
ロキノン、レゾルシン、4,4’−チオジ(2,6−ジ
メチルフェノール)、ジヒドロキシナフタレン、ビス
(ヒドロキシフェニル)ジシクロペンタン、ビス(ヒド
ロキシフェニル)メンタン等の二価フェノール類または
テトラブロムビスフェノールA等のハロゲン化ビスフェ
ノール類から誘導されるジグリシジルエーテル化合物、
フェノール類と芳香族カルボニル化合物との縮合反応に
より得られる多価フェノール類のグリシジルエーテル化
合物、p−アミノフェノール、m−アミノフェノール、
4−アミノメタクレゾール、6−アミノメタクレゾー
ル、4,4'−ジアミノジフェニルメタン、3,3'−ジアミノ
ジフェニルメタン、4,4'−ジアミノジフェニルエーテ
ル、3,4'- ジアミノジフェニルエーテル、1,4−ビス(4
−アミノフェノキシ)ベンゼン、1,4 −ビス(3−アミ
ノフェノキシ)ベンゼン、1,3 −ビス(4−アミノフェ
ノキシ)ベンゼン、1,3 −ビス(3−アミノフェノキ
シ)ベンゼン、2,2 −ビス(4−アミノフェノキシフェ
ニル)プロパン、p−フェニレンジアミン、m−フェニ
レンジアミン、2,4 −トルエンジアミン、2,6 −トルエ
ンジアミン、p−キシリレンジアミン、m−キシリレン
ジアミン、1,4 −シクロヘキサンビス(メチルアミ
ン)、1,3 −シクロヘキサンビス(メチルアミン)等か
ら誘導されるアミン系エポキシ樹脂、p−オキシ安息香
酸、m−オキシ安息香酸、テレフタル酸、イソフタル酸
等の芳香族カルボン酸から誘導されるグリシジルエステ
ル系化合物、5,5 −ジメチルヒダントイン等から誘導さ
れるヒダントイン系エポキシ化合物、2,2 −ビス(3,4
−エポキシシクロヘキシル)プロパン、2,2 −ビス〔4
−(2,3 −エポキシプロピル)シクロヘキシル〕プロパ
ン、ビニルシクロヘキセンジオキサイド、3,4 −エポキ
シシクロヘキシルメチル−3,4 −エポキシシクロヘキサ
ンカルボキシレート等の脂環式エポキシ樹脂、N,N−
ジグリシジルアニリン等があり、これらのエポキシ樹脂
の一種または二種以上が使用される。
として上記エポキシ樹脂と他のエポキシ樹脂を併用して
もよい。これらのエポキシ樹脂としては、公知のものを
使用することができるが、これらについて例示すると、
フェノール、o-クレゾール等のフェノール類とホルムア
ルデヒドの反応生成物であるノボラック系エポキシ樹
脂、フロログリシン、トリス−(4−ヒドロキシフェニ
ル)−メタン、1,1,2,2,−テトラキス(4−ヒドロキシ
フェニル)エタン等の三価以上のフェノール類から誘導
されるグリシジルエーテル化合物、ビスフェノールA、
ビスフェノールF、テトラメチルビフェノール、ハイド
ロキノン、レゾルシン、4,4’−チオジ(2,6−ジ
メチルフェノール)、ジヒドロキシナフタレン、ビス
(ヒドロキシフェニル)ジシクロペンタン、ビス(ヒド
ロキシフェニル)メンタン等の二価フェノール類または
テトラブロムビスフェノールA等のハロゲン化ビスフェ
ノール類から誘導されるジグリシジルエーテル化合物、
フェノール類と芳香族カルボニル化合物との縮合反応に
より得られる多価フェノール類のグリシジルエーテル化
合物、p−アミノフェノール、m−アミノフェノール、
4−アミノメタクレゾール、6−アミノメタクレゾー
ル、4,4'−ジアミノジフェニルメタン、3,3'−ジアミノ
ジフェニルメタン、4,4'−ジアミノジフェニルエーテ
ル、3,4'- ジアミノジフェニルエーテル、1,4−ビス(4
−アミノフェノキシ)ベンゼン、1,4 −ビス(3−アミ
ノフェノキシ)ベンゼン、1,3 −ビス(4−アミノフェ
ノキシ)ベンゼン、1,3 −ビス(3−アミノフェノキ
シ)ベンゼン、2,2 −ビス(4−アミノフェノキシフェ
ニル)プロパン、p−フェニレンジアミン、m−フェニ
レンジアミン、2,4 −トルエンジアミン、2,6 −トルエ
ンジアミン、p−キシリレンジアミン、m−キシリレン
ジアミン、1,4 −シクロヘキサンビス(メチルアミ
ン)、1,3 −シクロヘキサンビス(メチルアミン)等か
ら誘導されるアミン系エポキシ樹脂、p−オキシ安息香
酸、m−オキシ安息香酸、テレフタル酸、イソフタル酸
等の芳香族カルボン酸から誘導されるグリシジルエステ
ル系化合物、5,5 −ジメチルヒダントイン等から誘導さ
れるヒダントイン系エポキシ化合物、2,2 −ビス(3,4
−エポキシシクロヘキシル)プロパン、2,2 −ビス〔4
−(2,3 −エポキシプロピル)シクロヘキシル〕プロパ
ン、ビニルシクロヘキセンジオキサイド、3,4 −エポキ
シシクロヘキシルメチル−3,4 −エポキシシクロヘキサ
ンカルボキシレート等の脂環式エポキシ樹脂、N,N−
ジグリシジルアニリン等があり、これらのエポキシ樹脂
の一種または二種以上が使用される。
【0013】本発明に用いられる(B)成分であるエポ
キシ樹脂硬化剤としては、公知のものを使用する事がで
きる。これらについて例示すると、フェノールノボラッ
ク等の多価フェノール類、ジシアンジアミド、ジアミノ
ジフェニルメタン、ジアミノジフェニルスルフォン等の
アミン系硬化剤、無水ピロメリット酸、無水トリメリッ
ト酸、ベンゾフェノンテトラカルボン酸等の酸無水物硬
化剤等があげられるが、耐湿性の点から、好ましくは多
価フェノール類が用いられる。
キシ樹脂硬化剤としては、公知のものを使用する事がで
きる。これらについて例示すると、フェノールノボラッ
ク等の多価フェノール類、ジシアンジアミド、ジアミノ
ジフェニルメタン、ジアミノジフェニルスルフォン等の
アミン系硬化剤、無水ピロメリット酸、無水トリメリッ
ト酸、ベンゾフェノンテトラカルボン酸等の酸無水物硬
化剤等があげられるが、耐湿性の点から、好ましくは多
価フェノール類が用いられる。
【0014】前記の多価フェノール類を更に例示する
と、フェノール、各種アルキルフェノール、ナフトール
等の1種または2種以上のフェノール類と、ホルムアル
デヒド、アセトアルデヒド、アクロレイン、グリオキザ
ール、ベンズアルデヒド、ナフトアルデヒド、ヒドロキ
シベンズアルデヒド等のアルデヒド類またはシクロヘキ
サノン、アセトフェノン等のケトン類との重縮合物、ポ
リビニルフェノール、ポリイソプロペニルフェノール等
のビニル重合型多価フェノール類、フェノール類と式
と、フェノール、各種アルキルフェノール、ナフトール
等の1種または2種以上のフェノール類と、ホルムアル
デヒド、アセトアルデヒド、アクロレイン、グリオキザ
ール、ベンズアルデヒド、ナフトアルデヒド、ヒドロキ
シベンズアルデヒド等のアルデヒド類またはシクロヘキ
サノン、アセトフェノン等のケトン類との重縮合物、ポ
リビニルフェノール、ポリイソプロペニルフェノール等
のビニル重合型多価フェノール類、フェノール類と式
【0015】
【化8】 で表される化合物等のジオール類または式
【0016】
【化9】 で表される化合物等のジアルコキシ類、または式
【0017】
【化10】 で表される化合物等のジハロゲン類、あるいはフェノー
ル類とジシクロペンタジエン、ジイソプロペニルベンゼ
ン等のジオレフィン類とのフリーデルクラフト型反応物
等であるが、作業性と硬化性の点からフェノールノボラ
ックが特に好ましい。また、これらの硬化剤は1種また
は2種以上を併用して用いてもかまわない。
ル類とジシクロペンタジエン、ジイソプロペニルベンゼ
ン等のジオレフィン類とのフリーデルクラフト型反応物
等であるが、作業性と硬化性の点からフェノールノボラ
ックが特に好ましい。また、これらの硬化剤は1種また
は2種以上を併用して用いてもかまわない。
【0018】(A)成分のエポキシ樹脂と(B)成分の
エポキシ樹脂硬化剤の配合割合については、通常、エポ
キシ基に対して、0.7〜1.2当量が好ましい。エポキシ
基に対して0.7当量に満たない場合、もしくは、1.2当
量を超える場合、いずれも硬化が不完全となる。
エポキシ樹脂硬化剤の配合割合については、通常、エポ
キシ基に対して、0.7〜1.2当量が好ましい。エポキシ
基に対して0.7当量に満たない場合、もしくは、1.2当
量を超える場合、いずれも硬化が不完全となる。
【0019】本発明の樹脂組成物を硬化させる場合、公
知の硬化促進剤を用いてもよい。このような硬化促進剤
について例示すると、トリフェニルホスフィン、トリ−
4−メチルフェニルホスフィン、トリ−4−メトキシフ
ェニルホスフィン、トリブチルホスフィン、トリオクチ
ルホスフィン、トリ−2−シアノエチルホスフィン等の
有機ホスフィン化合物およびこれらのテトラフェニルボ
レート塩、トリブチルアミン、トリエチルアミン、1,8
−ジアザビシクロ(5,4,0) ウンデセン−7、トリアミル
アミン等の三級アミン、塩化ベンジルトリメチルアンモ
ニウム、水酸化ベンジルトリメチルアンモニウム、トリ
エチルアンモニウムテトラフェニルボレート等の四級ア
ンモニウム塩、イミダゾール類等が例示されるが、これ
らに限定されるものではない。これらの中でも、有機ホ
スフィン化合物、1,8 −ジアザビシクロ(5,4,0) ウンデ
セン−7、イミダゾール類が耐湿性及び硬化性の点から
好ましく、中でもトリフェニルホスフィンが特に好まし
い。
知の硬化促進剤を用いてもよい。このような硬化促進剤
について例示すると、トリフェニルホスフィン、トリ−
4−メチルフェニルホスフィン、トリ−4−メトキシフ
ェニルホスフィン、トリブチルホスフィン、トリオクチ
ルホスフィン、トリ−2−シアノエチルホスフィン等の
有機ホスフィン化合物およびこれらのテトラフェニルボ
レート塩、トリブチルアミン、トリエチルアミン、1,8
−ジアザビシクロ(5,4,0) ウンデセン−7、トリアミル
アミン等の三級アミン、塩化ベンジルトリメチルアンモ
ニウム、水酸化ベンジルトリメチルアンモニウム、トリ
エチルアンモニウムテトラフェニルボレート等の四級ア
ンモニウム塩、イミダゾール類等が例示されるが、これ
らに限定されるものではない。これらの中でも、有機ホ
スフィン化合物、1,8 −ジアザビシクロ(5,4,0) ウンデ
セン−7、イミダゾール類が耐湿性及び硬化性の点から
好ましく、中でもトリフェニルホスフィンが特に好まし
い。
【0020】また、本発明の樹脂組成物における(C)
成分である無機充填材としては、シリカ、アルミナ、チ
タンホワイト、水酸化アルミニウム、タルク、クレー、
ガラス繊維等が挙げられ、特にシリカ及びアルミナが好
ましい。これらは、その形状(球状あるいは破砕型)、
または大きさの異なるものを混合して充填量を増して使
用することもできる。無機充填材の配合割合は、好まし
くは樹脂組成物全量中の25〜92重量%であり、さらに好
ましくは70〜92重量%である。充填剤量が70重量%より
少ない場合は耐湿性に劣り、また、92重量%を越える場
合は成形性に問題を生ずる。本発明において、その他必
要に応じて天然ワックス、合成ワックス、高級脂肪酸及
びその金属塩類、若しくはパラフィン等の離型剤あるい
はカーボンブラックのような着色剤、さらに、シランカ
ップリング剤等の表面処理剤等を添加してもよい。ま
た、三酸化アンチモン、リン化合物、ブロム化エポキシ
樹脂等の難燃剤を加えてもよい。難燃効果を出すために
は、ブロム化エポキシ樹脂が特に好ましい。また、低応
力化するには、各種エラストマーを添加またはあらかじ
め反応して用いてもよい。具体的には、ポリブタジエ
ン、ブタジエン−アクリロニトリル共重合体、シリコー
ンゴム、シリコーンオイル等の添加型あるいは反応型の
エラストマー等があげられる。本発明による樹脂組成物
を用いて半導体等、電子部品を封止し、樹脂封止型半導
体装置を製作するには、トランスファーモールド、コン
プレッションモールド、インジェクションモールド等の
従来から公知の成形法により硬化成形すればよい。
成分である無機充填材としては、シリカ、アルミナ、チ
タンホワイト、水酸化アルミニウム、タルク、クレー、
ガラス繊維等が挙げられ、特にシリカ及びアルミナが好
ましい。これらは、その形状(球状あるいは破砕型)、
または大きさの異なるものを混合して充填量を増して使
用することもできる。無機充填材の配合割合は、好まし
くは樹脂組成物全量中の25〜92重量%であり、さらに好
ましくは70〜92重量%である。充填剤量が70重量%より
少ない場合は耐湿性に劣り、また、92重量%を越える場
合は成形性に問題を生ずる。本発明において、その他必
要に応じて天然ワックス、合成ワックス、高級脂肪酸及
びその金属塩類、若しくはパラフィン等の離型剤あるい
はカーボンブラックのような着色剤、さらに、シランカ
ップリング剤等の表面処理剤等を添加してもよい。ま
た、三酸化アンチモン、リン化合物、ブロム化エポキシ
樹脂等の難燃剤を加えてもよい。難燃効果を出すために
は、ブロム化エポキシ樹脂が特に好ましい。また、低応
力化するには、各種エラストマーを添加またはあらかじ
め反応して用いてもよい。具体的には、ポリブタジエ
ン、ブタジエン−アクリロニトリル共重合体、シリコー
ンゴム、シリコーンオイル等の添加型あるいは反応型の
エラストマー等があげられる。本発明による樹脂組成物
を用いて半導体等、電子部品を封止し、樹脂封止型半導
体装置を製作するには、トランスファーモールド、コン
プレッションモールド、インジェクションモールド等の
従来から公知の成形法により硬化成形すればよい。
【0021】
【発明の効果】本発明のエポキシ樹脂組成物は、低粘
度、且つ低吸湿性と密着性の高い硬化物を与える。ま
た、この樹脂組成物を用いてなる樹脂封止型半導体装置
は耐ハンダクラック性に優れる。
度、且つ低吸湿性と密着性の高い硬化物を与える。ま
た、この樹脂組成物を用いてなる樹脂封止型半導体装置
は耐ハンダクラック性に優れる。
【0022】この組成物は、o−クレゾールノボラック
のグリシジルエーテルと比較して低粘度であるので、充
填材の多量配合も可能であり、吸湿性等が向上し、生産
した製品の信頼性も高めることができる。
のグリシジルエーテルと比較して低粘度であるので、充
填材の多量配合も可能であり、吸湿性等が向上し、生産
した製品の信頼性も高めることができる。
【0023】
【実施例】以下に本発明の実施例を示すが、本発明はこ
れに限定されるものではない。例中、エポキシ当量と
は、エポキシ基1個あたりのエポキシ樹脂の分子量で定
義される。また、加水分解性塩素とは、エポキシ樹脂を
ジオキサンに溶解し、水酸化カリウムのアルコール溶液
を加え、還流状態で30分加熱したときに脱離する塩素イ
オンを、硝酸銀水溶液で逆滴定し、該化合物中のppm
で表したものである。
れに限定されるものではない。例中、エポキシ当量と
は、エポキシ基1個あたりのエポキシ樹脂の分子量で定
義される。また、加水分解性塩素とは、エポキシ樹脂を
ジオキサンに溶解し、水酸化カリウムのアルコール溶液
を加え、還流状態で30分加熱したときに脱離する塩素イ
オンを、硝酸銀水溶液で逆滴定し、該化合物中のppm
で表したものである。
【0024】混練物、硬化成形物の評価は、以下のとお
りである。 ・ゲルタイム:日新化学(株)製ゲル化試験機にて18
0℃で測定を行った。 ・バーコール硬度:ASTM D-648に従い、935 型硬度計に
て175 ℃/90秒の条件で測定した。 ・ガラス転移温度:熱機械的分析装置(SHIMADZU DT-3
0 )を用いて測定した。 ・曲げ強度、曲げ弾性率:JIS K-6911に従い、引っ張り
試験機(SHIMADZU IS-10T )で測定した。 ・吸湿率:恒温恒湿槽(アドバンテック東洋 AGX-326)
を用い、85℃/85%RH の条件で重量変化を測定した。 ・スパイラルフロー:EMMI-1-66 に準じて175 ℃/70kg/
cm2 の条件で行った。 ・フレーム引き抜き強度:図1に示すような銅及び42
アロイフレーム上に成形物をトランスファー成形し、そ
の引き抜き強さにて評価を行った。 ・ハンダクラック性:模擬IC(52ピンQFP パッケージ:
パッケージ厚さ2.05mm)を85℃/85%RH/72時間の条件
にて吸湿させた後、直ちに240 ℃のハンダ浴に30秒浸漬
した後のクラックの発生したICの個体数。試験個体数8
個。
りである。 ・ゲルタイム:日新化学(株)製ゲル化試験機にて18
0℃で測定を行った。 ・バーコール硬度:ASTM D-648に従い、935 型硬度計に
て175 ℃/90秒の条件で測定した。 ・ガラス転移温度:熱機械的分析装置(SHIMADZU DT-3
0 )を用いて測定した。 ・曲げ強度、曲げ弾性率:JIS K-6911に従い、引っ張り
試験機(SHIMADZU IS-10T )で測定した。 ・吸湿率:恒温恒湿槽(アドバンテック東洋 AGX-326)
を用い、85℃/85%RH の条件で重量変化を測定した。 ・スパイラルフロー:EMMI-1-66 に準じて175 ℃/70kg/
cm2 の条件で行った。 ・フレーム引き抜き強度:図1に示すような銅及び42
アロイフレーム上に成形物をトランスファー成形し、そ
の引き抜き強さにて評価を行った。 ・ハンダクラック性:模擬IC(52ピンQFP パッケージ:
パッケージ厚さ2.05mm)を85℃/85%RH/72時間の条件
にて吸湿させた後、直ちに240 ℃のハンダ浴に30秒浸漬
した後のクラックの発生したICの個体数。試験個体数8
個。
【0025】参考例1 原料フェノールの合成 温度計、撹拌機、コンデンサーを備えた3リットル四ツ
口フラスコにp−ヒドロキシアセトフェノン136.2
g(1.0mol)、p−ヒドロキシベンズアルデヒド
122.1g(1.0mol)およびメタノール600
gを仕込み、溶解した。97%H2 SO2 51.0g
(0.50mol)を添加後60℃まで昇温し、この温
度で13時間反応後、反応液を水2400gに注入し、
晶析させた。結晶を濾別後水1000gで4回水洗し、
その後80℃にて5時間真空乾燥し、赤褐色結晶210
gを得た(DHCNPとする)。このものの融点はDS
C測定により164℃であった。
口フラスコにp−ヒドロキシアセトフェノン136.2
g(1.0mol)、p−ヒドロキシベンズアルデヒド
122.1g(1.0mol)およびメタノール600
gを仕込み、溶解した。97%H2 SO2 51.0g
(0.50mol)を添加後60℃まで昇温し、この温
度で13時間反応後、反応液を水2400gに注入し、
晶析させた。結晶を濾別後水1000gで4回水洗し、
その後80℃にて5時間真空乾燥し、赤褐色結晶210
gを得た(DHCNPとする)。このものの融点はDS
C測定により164℃であった。
【0026】参考例2 原料フェノールの合成 3リットル四ツ口フラスコにm−ヒドロキシアセトフェ
ノン136.2g(1.0mol)、p−ヒドロキシベ
ンズアルデヒド122.1g(1.0mol)およびメ
タノール640gを仕込み、溶解した。97%H2 SO
4 51.0g(0.50mol)を添加後60℃まで昇
温し、この温度で10時間反応後、反応液を水2400
gに注入し、晶析させた。結晶を濾別後、水1000g
で4回水洗し、その後80℃にて5時間真空乾燥し、赤
褐色結晶164gを得た(DHCNMとする)。このも
のの融点はDSC測定により181℃であった。
ノン136.2g(1.0mol)、p−ヒドロキシベ
ンズアルデヒド122.1g(1.0mol)およびメ
タノール640gを仕込み、溶解した。97%H2 SO
4 51.0g(0.50mol)を添加後60℃まで昇
温し、この温度で10時間反応後、反応液を水2400
gに注入し、晶析させた。結晶を濾別後、水1000g
で4回水洗し、その後80℃にて5時間真空乾燥し、赤
褐色結晶164gを得た(DHCNMとする)。このも
のの融点はDSC測定により181℃であった。
【0027】参考例3 原料フェノールの合成 3リットル四つ口フラスコにp−ヒドロキシベンズアル
デヒド122.1g(1.0mol)、シクロヘキサノ
ン49.1g(0.5mol)およびエタノール400
gを仕込み、溶解した。36%塩酸50.8g(0.5
mol)を添加後、80℃まで昇温し6時間反応した。
反応により析出した結晶を濾別後、水1000gで4回
水洗し、その後80℃にて5時間真空乾燥し、茶色結晶
132.0gを得た(DHCHとする)。
デヒド122.1g(1.0mol)、シクロヘキサノ
ン49.1g(0.5mol)およびエタノール400
gを仕込み、溶解した。36%塩酸50.8g(0.5
mol)を添加後、80℃まで昇温し6時間反応した。
反応により析出した結晶を濾別後、水1000gで4回
水洗し、その後80℃にて5時間真空乾燥し、茶色結晶
132.0gを得た(DHCHとする)。
【0028】参考例4 エポキシ樹脂の合成 参考例1で得られたフェノールDHCNP120.0g
を温度計、撹拌機、滴下漏斗、分離管付きコンデンサー
の付いた反応容器に仕込み、エピクロルヒドリン64
7.5g、ジメチルスルホキシド323.8gに溶解し
た。反応系内を43torrに保ちながら、温度48℃
で、48.3%苛性ソーダ82.82gを5時間で連続
的に滴下した。この間、温度は48℃に保ちながら、共
沸するエピクロルヒドリンと水を冷却液化し、有機層を
反応系内に戻しながら反応させた。反応終了後に、未反
応エピクロルヒドリンを減圧濃縮により除去し、副生塩
とジメチルスルホキシドを含むグリシジルエーテルをメ
チルイソブチルケトン413gに溶解させ、副生塩とジ
メチルスルホキシドを水洗により除去した。その後17
0℃、10torrにてメチルイソブチルケトンを減圧
留去し目的物を得た(DHCAP−Eとする)。このも
のの融点は106℃、溶融粘度は0.22P(150
℃)、エポキシ当量は190g/eqであった。
を温度計、撹拌機、滴下漏斗、分離管付きコンデンサー
の付いた反応容器に仕込み、エピクロルヒドリン64
7.5g、ジメチルスルホキシド323.8gに溶解し
た。反応系内を43torrに保ちながら、温度48℃
で、48.3%苛性ソーダ82.82gを5時間で連続
的に滴下した。この間、温度は48℃に保ちながら、共
沸するエピクロルヒドリンと水を冷却液化し、有機層を
反応系内に戻しながら反応させた。反応終了後に、未反
応エピクロルヒドリンを減圧濃縮により除去し、副生塩
とジメチルスルホキシドを含むグリシジルエーテルをメ
チルイソブチルケトン413gに溶解させ、副生塩とジ
メチルスルホキシドを水洗により除去した。その後17
0℃、10torrにてメチルイソブチルケトンを減圧
留去し目的物を得た(DHCAP−Eとする)。このも
のの融点は106℃、溶融粘度は0.22P(150
℃)、エポキシ当量は190g/eqであった。
【0029】参考例5 エポキシ樹脂の合成 参考例2で得られたフェノール、DHCNM120.0
gを温度計、撹拌機、滴下漏斗、分離管付きコンデンサ
ーの付いた反応容器に仕込み、エピクロルヒドリン64
7.5g、ジメチルスルホキシド323.8gに溶解し
た。反応系内を43torrに保ちながら、温度48℃
で、48.3%苛性ソーダ82.82gを5時間で連続
的に滴下した。この間、温度は48℃に保ちながら、共
沸するエピクロルヒドリンと水を冷却液化し、有機層を
反応系内に戻しながら反応させた。反応終了後に、未反
応エピクロルヒドリンを減圧濃縮により除去し、副生塩
とジメチルスルホキシドを含むグリシジルエーテルをメ
チルイソブチルケトン413gに溶解させ、副生塩とジ
メチルスルホキシドを水洗により除去した。その後17
0℃、10torrにてメチルイソブチルケトンを減圧
留去し目的物を得た(DHCAM−Eとする)。このも
のは、室温で液状であり、150℃での粘度は0.42
P、エポキシ当量は186g/eqであった。
gを温度計、撹拌機、滴下漏斗、分離管付きコンデンサ
ーの付いた反応容器に仕込み、エピクロルヒドリン64
7.5g、ジメチルスルホキシド323.8gに溶解し
た。反応系内を43torrに保ちながら、温度48℃
で、48.3%苛性ソーダ82.82gを5時間で連続
的に滴下した。この間、温度は48℃に保ちながら、共
沸するエピクロルヒドリンと水を冷却液化し、有機層を
反応系内に戻しながら反応させた。反応終了後に、未反
応エピクロルヒドリンを減圧濃縮により除去し、副生塩
とジメチルスルホキシドを含むグリシジルエーテルをメ
チルイソブチルケトン413gに溶解させ、副生塩とジ
メチルスルホキシドを水洗により除去した。その後17
0℃、10torrにてメチルイソブチルケトンを減圧
留去し目的物を得た(DHCAM−Eとする)。このも
のは、室温で液状であり、150℃での粘度は0.42
P、エポキシ当量は186g/eqであった。
【0030】参考例6 エポキシ樹脂の合成 参考例3で得られたDHCH120.0gを温度計、攪
拌機、滴下漏斗、分離管付きコンデンサーの付いた反応
容器に仕込み、エピクロルヒドリン507.3g、ジメ
チルスルホキシド253.7gに溶解した。反応系内を
43torrに保ちながら、温度48℃で、48.3%
苛性ソーダ64.88gを5時間で連続的に滴下した。
この間、温度は48℃に保ちながら、共沸するエピクロ
ルヒドリンと水を冷却液化し、有機層を反応系内に戻し
ながら反応させた。反応終了後に、未反応エピクロルヒ
ドリンを減圧濃縮により除去し、副生塩とジメチルスル
ホキシドを水洗により除去した。その後170℃、10
torrにてメチルイソブチルケトンを減圧留去し目的
物を得た(DHCH−Eとする)。このものの融点は1
25℃、溶融粘度は0.33P(150℃)、エポキシ
当量は224.6g/eqであった。DHCH−Eの構
造は下式のとおりである。
拌機、滴下漏斗、分離管付きコンデンサーの付いた反応
容器に仕込み、エピクロルヒドリン507.3g、ジメ
チルスルホキシド253.7gに溶解した。反応系内を
43torrに保ちながら、温度48℃で、48.3%
苛性ソーダ64.88gを5時間で連続的に滴下した。
この間、温度は48℃に保ちながら、共沸するエピクロ
ルヒドリンと水を冷却液化し、有機層を反応系内に戻し
ながら反応させた。反応終了後に、未反応エピクロルヒ
ドリンを減圧濃縮により除去し、副生塩とジメチルスル
ホキシドを水洗により除去した。その後170℃、10
torrにてメチルイソブチルケトンを減圧留去し目的
物を得た(DHCH−Eとする)。このものの融点は1
25℃、溶融粘度は0.33P(150℃)、エポキシ
当量は224.6g/eqであった。DHCH−Eの構
造は下式のとおりである。
【0031】
【化11】
【0032】実施例1〜5および比較例1〜2 参考例4、5及び6で得られた各種グリシジルエーテ
ル、o-クレゾールノボラックのグリシジルエーテル(商
品名スミエポキシESCN-195 住友化学工業製、溶融粘度
2.6P(150℃)、軟化点65.6℃、エポキシ当
量195g/eq)、硬化剤としてフェノールノボラッ
ク(商品名PSM−4261、群栄化学工業(株)製、
軟化点81℃)、硬化促進剤としてトリフェニルホスフ
ィン、充填材として溶融シリカ(各商品名の内容は下記
に示す)、離型剤としてカルナバワックス、カップリン
グ剤(商品名SH-6040 、東レダウコーニングシリコーン
製)を表1に示した量(g )で配合し、ロールで加熱混
練後トランスファー成形を行った。さらに、180 ℃オー
ブン中で、5時間ポストキュアーを行い、硬化成形物を
得た。この硬化成形物の物性を測定した。その結果を表
1に示す。なお、溶融シリカの各商品名の内容は次のと
おりである。 FS−891:破砕状シリカ(平均粒径13μm)、電
気化学工業(株)製 FS−20:破砕状シリカ(平均粒径5.6μm)、電
気化学工業(株)製 FB−74:球状シリカ(平均粒径30μm)、電気化
学工業(株)製 アドマファインSOC-2 :球状シリカ(平均粒径0.4μ
m)、(株)アドマテック製 シルスターMK-06 :球状シリカ(平均粒径4.9μ
m)、日本化学工業(株) エクセリカSE-40 :球状
シリカ(平均粒径40.4μm)、徳山曹達(株)製
ル、o-クレゾールノボラックのグリシジルエーテル(商
品名スミエポキシESCN-195 住友化学工業製、溶融粘度
2.6P(150℃)、軟化点65.6℃、エポキシ当
量195g/eq)、硬化剤としてフェノールノボラッ
ク(商品名PSM−4261、群栄化学工業(株)製、
軟化点81℃)、硬化促進剤としてトリフェニルホスフ
ィン、充填材として溶融シリカ(各商品名の内容は下記
に示す)、離型剤としてカルナバワックス、カップリン
グ剤(商品名SH-6040 、東レダウコーニングシリコーン
製)を表1に示した量(g )で配合し、ロールで加熱混
練後トランスファー成形を行った。さらに、180 ℃オー
ブン中で、5時間ポストキュアーを行い、硬化成形物を
得た。この硬化成形物の物性を測定した。その結果を表
1に示す。なお、溶融シリカの各商品名の内容は次のと
おりである。 FS−891:破砕状シリカ(平均粒径13μm)、電
気化学工業(株)製 FS−20:破砕状シリカ(平均粒径5.6μm)、電
気化学工業(株)製 FB−74:球状シリカ(平均粒径30μm)、電気化
学工業(株)製 アドマファインSOC-2 :球状シリカ(平均粒径0.4μ
m)、(株)アドマテック製 シルスターMK-06 :球状シリカ(平均粒径4.9μ
m)、日本化学工業(株) エクセリカSE-40 :球状
シリカ(平均粒径40.4μm)、徳山曹達(株)製
【0033】
【表1】
【図1】引き抜き強度測定用フレームの平面図である。
【符号の説明】 1:樹脂硬化物を形成させる場所(斜線部) 2:引き抜き片 3,4:引き抜き操作を行うための把持部
フロントページの続き (72)発明者 斉藤 憲明 茨城県つくば市北原6 住友化学工業株式 会社内 (72)発明者 森本 尚 愛媛県新居浜市惣開町5番1号 住友化学 工業株式会社内
Claims (4)
- 【請求項1】(A)一般式(1) 【化1】 (式中、R1 は水素原子、炭素数1〜6の鎖状もしくは
環状アルキル基、置換もしくは無置換のフェニル基また
はハロゲン原子を示し、かつR1 は同一もしくは異なる
環内に複数ある場合、互いに同一であっても異なってい
てもよい。また、Xは式 【化2】 で表される基である。nは0〜4の整数値を示す。)で
表されるエポキシ樹脂と(B)エポキシ樹脂硬化剤を必
須成分として含有することを特徴とするエポキシ樹脂組
成物。 - 【請求項2】(B)成分であるエポキシ樹脂硬化剤が多
価フェノール類である請求項1記載のエポキシ樹脂組成
物。 - 【請求項3】(A)および(B)成分に加えて(C)無
機充填剤を含有してなる請求項1または2記載のエポキ
シ樹脂組成物。 - 【請求項4】請求項1、2または3記載のエポキシ樹脂
組成物を用いて半導体素子を封止したことを特徴とする
樹脂封止型半導体装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP22415895A JPH09100339A (ja) | 1994-09-08 | 1995-08-31 | エポキシ樹脂組成物および樹脂封止型半導体装置 |
Applications Claiming Priority (5)
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---|---|---|---|
JP21482094 | 1994-09-08 | ||
JP7-196477 | 1995-08-01 | ||
JP6-214820 | 1995-08-01 | ||
JP19647795 | 1995-08-01 | ||
JP22415895A JPH09100339A (ja) | 1994-09-08 | 1995-08-31 | エポキシ樹脂組成物および樹脂封止型半導体装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH09100339A true JPH09100339A (ja) | 1997-04-15 |
Family
ID=27327248
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP22415895A Pending JPH09100339A (ja) | 1994-09-08 | 1995-08-31 | エポキシ樹脂組成物および樹脂封止型半導体装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
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JP (1) | JPH09100339A (ja) |
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- 1995-08-31 JP JP22415895A patent/JPH09100339A/ja active Pending
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