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JPH0845022A - Thin film magnetic head - Google Patents

Thin film magnetic head

Info

Publication number
JPH0845022A
JPH0845022A JP18256194A JP18256194A JPH0845022A JP H0845022 A JPH0845022 A JP H0845022A JP 18256194 A JP18256194 A JP 18256194A JP 18256194 A JP18256194 A JP 18256194A JP H0845022 A JPH0845022 A JP H0845022A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
magnetic head
thin film
film magnetic
intermediate layer
slider surface
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP18256194A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Hitoshi Hirano
均 平野
Keiichi Kuramoto
慶一 蔵本
Yoichi Domoto
洋一 堂本
Seiichi Kiyama
精一 木山
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Sanyo Electric Co Ltd
Original Assignee
Sanyo Electric Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Sanyo Electric Co Ltd filed Critical Sanyo Electric Co Ltd
Priority to JP18256194A priority Critical patent/JPH0845022A/en
Publication of JPH0845022A publication Critical patent/JPH0845022A/en
Priority to US08/831,835 priority patent/US5864452A/en
Pending legal-status Critical Current

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Abstract

PURPOSE:To increase the output of a thin film magnetic head used in a magnetic disk device, etc., especially the output in a high line density region and to obtain a thin film magnetic head adaptable to the attainment of high density. CONSTITUTION:The slider face la of a thin film magnetic head 1 is coated with a carbon coating film 3 having <=200Angstrom thickness and a middle layer 2 is formed between the carbon coating film 3 and the slider face la of the thin film magnetic head 1. The slider face 1a of the thin film magnetic head 1 and side face parts 1b, 1c close to the edges of the slider face 1a may be coated with a carbon coating film 3.

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【産業上の利用分野】本発明は、磁気ディスク装置等に
用いられる薄膜磁気ヘッドに関するものである。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a thin film magnetic head used in a magnetic disk device or the like.

【0002】[0002]

【従来の技術】薄膜磁気ヘッドは、周波数特性に優れて
おり、トラック幅並びビット長を微細化することによ
り、高い密度記録が可能であるため、磁気ディスク装置
等の磁気ヘッドとして用いられている。
2. Description of the Related Art A thin film magnetic head is used as a magnetic head for a magnetic disk device or the like because it has excellent frequency characteristics and can achieve high density recording by reducing track width and bit length. .

【0003】このような薄膜磁気ヘッドは、磁気記録媒
体が起動し回転している際、磁気記録媒体から僅かに浮
き上がっており、薄膜磁気ヘッドのスライダー面と磁気
記録媒体との間には潤滑空気膜が形成されている。しか
しながら、磁気記録媒体の起動を停止すると、薄膜磁気
ヘッドのスライダー面が磁気記録媒体と直接に接する状
態となる。従って、薄膜磁気ヘッドのスライダー面に
は、耐摩耗性が要求される。また、磁気抵抗効果素子等
から構成される薄膜トランスデューサの部分は腐食しや
すいため、この部分を保護する必要が生じる。
Such a thin film magnetic head is slightly lifted from the magnetic recording medium when the magnetic recording medium is started and rotated, and a lubricating air is provided between the slider surface of the thin film magnetic head and the magnetic recording medium. A film is formed. However, when the activation of the magnetic recording medium is stopped, the slider surface of the thin-film magnetic head comes into direct contact with the magnetic recording medium. Therefore, the slider surface of the thin film magnetic head is required to have wear resistance. In addition, since the portion of the thin film transducer including the magnetoresistive effect element is easily corroded, it is necessary to protect this portion.

【0004】特公平6−18054号公報には、薄膜磁
気ヘッドの対向面すなわちスライダー面の上に二硫化モ
リブデンなどの被膜等を形成する方法が提案されてい
る。ここでは、薄膜磁気ヘッドのスライダー面の上にス
パッタリング法により膜厚200〜800Åの二硫化モ
リブデン、炭素などの被膜を形成する方法が開示されて
いる。このような保護膜の形成により、耐摩耗性及び耐
食性等の向上を図ることができる。
Japanese Patent Publication No. 6-18054 proposes a method of forming a film such as molybdenum disulfide on the facing surface of the thin film magnetic head, that is, on the slider surface. Here, there is disclosed a method of forming a coating film of molybdenum disulfide, carbon or the like having a film thickness of 200 to 800 Å on the slider surface of a thin film magnetic head by a sputtering method. By forming such a protective film, it is possible to improve wear resistance and corrosion resistance.

【0005】[0005]

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、このよ
うな保護膜を形成した従来の薄膜磁気ヘッドにおいて
は、出力低下、特に高線密度領域での出力低下が大きい
という問題があった。
However, in the conventional thin film magnetic head having such a protective film formed, there is a problem that the output reduction is large, particularly in the high linear density region.

【0006】また磁気ディスク等を用いる磁気記録にお
いては、さらに高密度化が要望されており、このような
高密度化に対応することができる薄膜磁気ヘッドが要望
されている。
Further, in magnetic recording using a magnetic disk or the like, there is a demand for higher density, and a thin film magnetic head capable of coping with such higher density is demanded.

【0007】本発明の目的は、このような従来の問題点
を解消し、出力、特に高線密度領域での出力を高めるこ
とができ、高密度化に対応することができる薄膜磁気ヘ
ッドを提供することにある。
An object of the present invention is to provide a thin-film magnetic head which solves the above-mentioned conventional problems and can increase the output, particularly in the high linear density region, and can cope with high density. To do.

【0008】[0008]

【課題を解決するための手段】本発明の第1の局面に従
う薄膜磁気ヘッドは、磁気記録媒体上を相対的に移動し
て情報を書き込み及び/または読み出す薄膜磁気ヘッド
であり、磁気記録媒体と対向する薄膜磁気ヘッドのスラ
イダー面が膜厚200Å以下の炭素被膜によって被覆さ
れており、該炭素被膜と薄膜磁気ヘッドのスライダー面
との間の少なくとも一部の領域に中間層が形成されてい
ることを特徴としている。
A thin-film magnetic head according to a first aspect of the present invention is a thin-film magnetic head that moves relatively on a magnetic recording medium to write and / or read information. The slider surface of the thin film magnetic head facing each other is covered with a carbon film having a film thickness of 200 Å or less, and an intermediate layer is formed in at least a part of the region between the carbon film and the slider surface of the thin film magnetic head. Is characterized by.

【0009】本発明の第2の局面に従う薄膜磁気ヘッド
は、磁気記録媒体上を相対的に移動して情報を書き込み
及び/または読み出す薄膜磁気ヘッドであり、磁気記録
媒体と対向する薄膜磁気ヘッドのスライダー面及び該ス
ライダー面の端縁近傍の側面部分が炭素被膜によって被
覆されていることを特徴としている。炭素被膜の膜厚は
第1の局面と同様に200Å以下であることが好まし
い。
A thin film magnetic head according to a second aspect of the present invention is a thin film magnetic head which moves relatively on a magnetic recording medium to write and / or read information, and is a thin film magnetic head facing the magnetic recording medium. The slider surface and the side surface portion near the edge of the slider surface are covered with a carbon coating. The thickness of the carbon coating is preferably 200 Å or less as in the first aspect.

【0010】また本発明の第1の局面及び第2の局面に
おける炭素被膜の膜厚は、10Å以上であることが好ま
しい。膜厚がこれより薄くなると、耐摩耗性や耐食性等
において不十分となる場合がある。
Further, the film thickness of the carbon coating in the first aspect and the second aspect of the present invention is preferably 10 Å or more. If the film thickness is thinner than this, the wear resistance and corrosion resistance may be insufficient.

【0011】本発明の第2の局面において、炭素被膜と
薄膜磁気ヘッドのスライダー面との間には、中間層が形
成されていてもよい。このような中間層は、炭素被膜と
薄膜磁気ヘッドのスライダー面との間の少なくとも一部
の領域に形成される。
In the second aspect of the present invention, an intermediate layer may be formed between the carbon coating and the slider surface of the thin film magnetic head. Such an intermediate layer is formed in at least a partial region between the carbon film and the slider surface of the thin film magnetic head.

【0012】本発明の第1の局面及び第2の局面におい
て、中間層は炭素被膜と薄膜磁気ヘッドのスライダー面
との間の少なくとも一部の領域に形成される。従って、
中間層は、炭素被膜と薄膜磁気ヘッドのスライダー面と
の間の全面または一部の領域の面に形成される。従っ
て、本発明の第1の局面及び第2の局面において、中間
層は連続した膜状として形成されていなくともよく、例
えば島状に分散して形成されたものであってもよい。
In the first aspect and the second aspect of the present invention, the intermediate layer is formed in at least a partial region between the carbon film and the slider surface of the thin film magnetic head. Therefore,
The intermediate layer is formed on the entire surface or a partial area between the carbon coating and the slider surface of the thin film magnetic head. Therefore, in the first aspect and the second aspect of the present invention, the intermediate layer may not be formed as a continuous film, but may be formed by being dispersed in an island shape, for example.

【0013】本発明の第1の局面及び第2の局面におい
て設けられる中間層は、炭素被膜と薄膜磁気ヘッドのス
ライダー面との密着性を高めるため設けられるものであ
り、その熱膨張係数は炭素被膜の熱膨張係数に近似して
いることが好ましい。炭素被膜の熱膨張係数は1.0〜
6.1×10-6/℃であるので、中間層の熱膨張係数と
しては、1.0〜10.0×10-6/℃であることが好
ましい。
The intermediate layer provided in the first aspect and the second aspect of the present invention is provided to enhance the adhesion between the carbon coating and the slider surface of the thin film magnetic head, and its thermal expansion coefficient is carbon. It is preferably close to the coefficient of thermal expansion of the coating. The coefficient of thermal expansion of the carbon coating is 1.0 to
Since it is 6.1 × 10 −6 / ° C., the thermal expansion coefficient of the intermediate layer is preferably 1.0 to 10.0 × 10 −6 / ° C.

【0014】本発明の第1の局面及び第2の局面におい
て、中間層として用いられる具体的な材料としては、S
i、Zr、Ti、Ru、及びGe並びにこれらの酸化
物、窒化物、及び炭化物などを挙げることができる。
In the first and second aspects of the present invention, S is a specific material used as the intermediate layer.
Examples thereof include i, Zr, Ti, Ru, and Ge, and oxides, nitrides, and carbides thereof.

【0015】これらの材料の主なものについてその熱膨
張係数を以下に示す。 Si:2.6〜7.3×10-6/℃ Zr:5.4〜5.9×10-6/℃ Ti:8.4〜8.6×10-6/℃ Ru:9.1×10-6/℃ Ge:5.7〜6.0×10-6/℃ SiO2 :0.4〜7.8×10-6/℃
The thermal expansion coefficients of the main materials of these materials are shown below. Si: 2.6 to 7.3 × 10 −6 / ° C. Zr: 5.4 to 5.9 × 10 −6 / ° C. Ti: 8.4 to 8.6 × 10 −6 / ° C. Ru: 9.1 × 10 -6 / ° C Ge: 5.7 to 6.0 × 10 -6 / ° C SiO 2 : 0.4 to 7.8 × 10 -6 / ° C

【0016】これらの中間層の厚みとしては、5〜15
0Åが好ましく、さらに好ましくは10〜50Åであ
る。中間層の厚みが薄すぎると、密着性が不充分とな
り、また中間層の厚みが厚すぎても密着性向上における
効果において変化がなく、出力低下の要因となり好まし
くない。
The thickness of these intermediate layers is 5 to 15
0Å is preferable, and 10 to 50Å is more preferable. If the thickness of the intermediate layer is too thin, the adhesiveness becomes insufficient, and if the thickness of the intermediate layer is too thick, there is no change in the effect of improving the adhesiveness, which is a factor of lowering the output, which is not preferable.

【0017】また、本発明の第1の局面及び第2の局面
において、中間層は全体に均質である必要はなく、例え
ば、中間層が炭化物から形成される場合、薄膜磁気ヘッ
ドのスライダー面から炭素被膜に向かって炭素含有量が
高くなるような傾斜構造を有する中間層であってもよ
い。
In the first aspect and the second aspect of the present invention, the intermediate layer does not need to be homogeneous throughout. For example, when the intermediate layer is made of carbide, the intermediate layer is formed from the slider surface of the thin film magnetic head. The intermediate layer may have an inclined structure in which the carbon content increases toward the carbon coating.

【0018】本発明において形成する炭素被膜として
は、結晶質のダイヤモンド及び非晶質のダイヤモンド状
被膜が含まれるが、滑性の面からは、非晶質のダイヤモ
ンド状被膜が好ましい。
The carbon film formed in the present invention includes crystalline diamond and amorphous diamond-like film, but the amorphous diamond-like film is preferable from the viewpoint of lubricity.

【0019】[0019]

【作用】本発明の第1の局面に従う薄膜磁気ヘッドで
は、薄膜磁気ヘッドのスライダー面を膜厚200Å以下
の炭素被膜により被覆している。炭素被膜からなる保護
膜の膜厚が200Å以下と非常に薄いため、薄膜トラン
スデューサの部分を磁気記録媒体により近づけることが
でき、出力、特に高線密度領域での出力を高めることが
できる。また記録再生における高密度化を図ることがで
きる。
In the thin film magnetic head according to the first aspect of the present invention, the slider surface of the thin film magnetic head is covered with a carbon film having a film thickness of 200 Å or less. Since the thickness of the protective film made of a carbon film is as thin as 200 Å or less, the portion of the thin film transducer can be brought closer to the magnetic recording medium, and the output, especially in the high linear density region, can be increased. Further, it is possible to increase the recording / reproducing density.

【0020】本発明の第1の局面では、炭素被膜と薄膜
磁気ヘッドのスライダー面との間の少なくとも一部の領
域に中間層が形成されている。このような中間層の形成
により、薄膜磁気ヘッドのスライダー面と炭素被膜との
間の密着性を高めることができる。
In the first aspect of the present invention, the intermediate layer is formed in at least a partial region between the carbon film and the slider surface of the thin film magnetic head. By forming such an intermediate layer, the adhesion between the slider surface of the thin film magnetic head and the carbon coating can be enhanced.

【0021】本発明の第2の局面では、薄膜磁気ヘッド
のスライダー面及び該スライダー面の端縁近傍の側面部
分が炭素被膜によって被覆されている。上述のように、
磁気記録媒体が起動し回転しているときには、薄膜磁気
ヘッドは磁気記録媒体の表面から僅かに浮いた状態であ
るが、起動が停止すると薄膜磁気ヘッドは磁気記録媒体
と接する状態となる。このとき、薄膜磁気ヘッドは磁気
記録媒体に対しやや傾斜した状態であるため、薄膜磁気
ヘッドのスライダー面の一方の端縁のエッジ部分が磁気
記録媒体と接触する。本発明の第2の局面では、このよ
うな端縁近傍の側面部分を炭素被膜によって被覆してい
るため、磁気記録媒体の起動の開始及び停止の際の激し
い接触に対しても薄膜磁気ヘッドを有効に保護すること
ができ、耐摩耗性を向上させることができる。また、出
力向上及び高密度化を目的として、薄膜磁気ヘッドをよ
り磁気記録媒体に近づけた状態で用いると、スライダー
面の端縁のエッジ部分が記録媒体に接し易くなる。本発
明の第2の局面に従う薄膜磁気ヘッドでは、端縁近傍の
側面部分にも炭素被膜が形成されているので、記録媒体
に磁気ヘッドをさらに近づけることができ、出力の向上
及び高密度化を図ることができる。
In the second aspect of the present invention, the slider surface of the thin film magnetic head and the side surface portion near the edge of the slider surface are covered with a carbon coating. As mentioned above,
When the magnetic recording medium is activated and rotating, the thin film magnetic head is slightly floating above the surface of the magnetic recording medium, but when the activation is stopped, the thin film magnetic head comes into contact with the magnetic recording medium. At this time, since the thin film magnetic head is slightly tilted with respect to the magnetic recording medium, one edge of the slider surface of the thin film magnetic head comes into contact with the magnetic recording medium. According to the second aspect of the present invention, since the side surface portion near the edge is covered with the carbon coating, the thin film magnetic head is provided even when the magnetic recording medium is violently contacted when starting and stopping. It can be effectively protected and wear resistance can be improved. Further, if the thin film magnetic head is used in a state of being brought closer to the magnetic recording medium for the purpose of improving the output and increasing the density, the edge portion of the end surface of the slider surface easily comes into contact with the recording medium. In the thin film magnetic head according to the second aspect of the present invention, since the carbon coating is also formed on the side surface portion near the edge, the magnetic head can be brought closer to the recording medium, and the output can be improved and the density can be increased. Can be planned.

【0022】[0022]

【実施例】図1〜図3は、本発明に従う一実施例の薄膜
磁気ヘッドを示している。図3は斜視図であり、図1は
図3に示すA−A線に沿う断面図、図2は図3に示すB
−B線に沿う断面図である。図1及び図2を参照して、
薄膜磁気ヘッド1の磁気記録媒体と対向するスライダー
面1aの上には、中間層が形成されており、この中間層
2の上に炭素被膜3が形成されている。薄膜磁気ヘッド
1の両端縁部分には、レール部10及び11が形成され
ている。本実施例は、本発明の第1の局面に従うととも
に、第2の局面にも従う実施例である。従って、炭素被
膜3は、スライダー面1aのみならず、スライダー面1
aの端縁近傍の側面部分1b〜1eの部分をも覆うよう
に形成されている。
1 to 3 show a thin film magnetic head according to an embodiment of the present invention. 3 is a perspective view, FIG. 1 is a cross-sectional view taken along line AA shown in FIG. 3, and FIG. 2 is B shown in FIG.
It is sectional drawing which follows the -B line. Referring to FIG. 1 and FIG.
An intermediate layer is formed on the slider surface 1 a of the thin-film magnetic head 1 facing the magnetic recording medium, and a carbon coating 3 is formed on the intermediate layer 2. Rail portions 10 and 11 are formed on both edge portions of the thin-film magnetic head 1. The present example is an example according to the first aspect of the present invention and also according to the second aspect. Therefore, the carbon coating 3 is not limited to the slider surface 1a but also the slider surface 1a.
It is formed so as to also cover the side surface portions 1b to 1e near the edge of a.

【0023】図4は、本発明に従う第2の局面を説明す
るための部分断面図である。図4には、薄膜磁気ヘッド
1のスライダー面1aの端縁近傍部分が示されている。
本発明の第1の局面に従えば、炭素被膜3は、スライダ
ー面1a及びスライダー面1aの端縁1f近傍の側面部
分1cを覆うように形成される。側面部分1cを覆う炭
素被膜3の端縁1fからの長さXは、薄膜磁気ヘッドの
形状や大きさ等により適宜選択されるものであるが、一
般には、5μm〜150μm程度の範囲となるように形
成されることが好ましい。側面部分1cを覆う炭素被膜
3の膜厚は、スライダー面1aを覆う炭素被膜3と同等
あるいはそれ以下の厚みで通常形成される。一般には2
00Å以下が好ましい。
FIG. 4 is a partial cross-sectional view for explaining the second aspect according to the present invention. FIG. 4 shows a portion in the vicinity of the edge of the slider surface 1a of the thin film magnetic head 1.
According to the first aspect of the present invention, the carbon coating 3 is formed so as to cover the slider surface 1a and the side surface portion 1c near the end edge 1f of the slider surface 1a. The length X of the carbon coating 3 covering the side surface portion 1c from the edge 1f is appropriately selected depending on the shape and size of the thin film magnetic head, but is generally in the range of about 5 μm to 150 μm. Are preferably formed. The carbon coating 3 covering the side surface portion 1c is usually formed to have a thickness equal to or less than that of the carbon coating 3 covering the slider surface 1a. Generally 2
It is preferably 00 Å or less.

【0024】図4に示す実施例では、薄膜磁気ヘッド1
のスライダー面1aの上に直接炭素被膜3を形成してい
るが、炭素被膜3とスライダー面1aとの間に、本発明
の第1の局面と同様に、中間層2を形成してもよい。図
5は、中間層2を形成した実施例を示している。図5に
示す実施例では、中間層2は側面部分1c上には形成さ
れていない。図6は、他の実施例を示しており、中間層
2が側面部分1cの上にも形成されている。
In the embodiment shown in FIG. 4, the thin film magnetic head 1
Although the carbon coating 3 is formed directly on the slider surface 1a, the intermediate layer 2 may be formed between the carbon coating 3 and the slider surface 1a as in the first aspect of the present invention. . FIG. 5 shows an example in which the intermediate layer 2 is formed. In the embodiment shown in FIG. 5, the intermediate layer 2 is not formed on the side surface portion 1c. FIG. 6 shows another embodiment, in which the intermediate layer 2 is also formed on the side surface portion 1c.

【0025】本発明の第1の局面及び第2の局面におけ
る中間層は、炭素被膜とスライダー面との間の少なくと
も一部の領域に形成されるものである。従って、必ずし
も全面に形成される必要はない。図7は、中間層2がス
ライダー面1aの上に島状に分散して形成される実施例
を示している。ここでは、中間層2は不連続な膜として
形成される。このような不連続な膜は、一般に中間層2
の厚みを薄くした場合に、形成される。膜厚としては、
100Å以下が好ましく、より好ましくは5〜50Å程
度である。
The intermediate layer in the first aspect and the second aspect of the present invention is formed in at least a partial region between the carbon coating and the slider surface. Therefore, it does not necessarily have to be formed on the entire surface. FIG. 7 shows an embodiment in which the intermediate layer 2 is dispersedly formed on the slider surface 1a in an island shape. Here, the intermediate layer 2 is formed as a discontinuous film. Such a discontinuous film is generally used as the intermediate layer 2
Is formed when the thickness of is reduced. As the film thickness,
It is preferably 100 Å or less, more preferably about 5 to 50 Å.

【0026】図8は、中間層2が連続した膜として形成
される実施例を示している。このような連続した膜とす
るためには、一般に膜厚を厚くする必要があり、膜厚と
しては一般に100〜150Å程度が好ましい。
FIG. 8 shows an embodiment in which the intermediate layer 2 is formed as a continuous film. In order to obtain such a continuous film, it is generally necessary to increase the film thickness, and the film thickness is generally preferably about 100 to 150Å.

【0027】図9は、本発明に従う実施例の薄膜磁気ヘ
ッドの上に中間層及び炭素被膜を形成するための装置の
一例を示す概略断面図である。図9を参照して、真空チ
ャンバ28には、プラズマ発生室24が設けられてい
る。プラズマ発生室24には、導波管22の一端が取り
付けられている。導波管22の他方端には、マイクロ波
供給手段21が設けられている。マイクロ波供給手段2
1で発生したマイクロ波は、導波管22及びマイクロ波
導入窓23を通ってプラズマ発生室24に導かれる。プ
ラズマ発生室24には、プラズマ発生室24内にアルゴ
ン(Ar)ガスなどの放電ガスを導入させるための放電
ガス導入管25が設けられている。プラズマ発生室24
の周囲には、プラズマ磁界発生装置26が設けられてい
る。マイクロ波による高周波磁界と、プラズマ磁界発生
装置26からの磁界を作用させることにより、プラズマ
発生室24内に高密度のプラズマが形成される。
FIG. 9 is a schematic sectional view showing an example of an apparatus for forming an intermediate layer and a carbon film on the thin film magnetic head of the embodiment according to the present invention. Referring to FIG. 9, the vacuum chamber 28 is provided with a plasma generation chamber 24. One end of the waveguide 22 is attached to the plasma generation chamber 24. The microwave supply means 21 is provided at the other end of the waveguide 22. Microwave supply means 2
The microwave generated in 1 is guided to the plasma generation chamber 24 through the waveguide 22 and the microwave introduction window 23. The plasma generation chamber 24 is provided with a discharge gas introduction pipe 25 for introducing a discharge gas such as argon (Ar) gas into the plasma generation chamber 24. Plasma generation chamber 24
A plasma magnetic field generator 26 is provided around the. A high-density plasma is formed in the plasma generation chamber 24 by causing the high-frequency magnetic field generated by the microwave and the magnetic field from the plasma magnetic field generator 26 to act.

【0028】真空チャンバ28内には筒状の基板ホルダ
ー32が設けられている。この基板ホルダー32は、真
空チャンバ28の壁面に対し垂直に設けられた軸(図示
せず)の周りに回転自在に設けられている。基板ホルダ
ー32の周面には、複数の薄膜磁気ヘッド33が等しい
間隔で装着されている。基板ホルダー32には、高周波
電源30が接続されている。
A cylindrical substrate holder 32 is provided in the vacuum chamber 28. The substrate holder 32 is rotatably provided around an axis (not shown) provided perpendicularly to the wall surface of the vacuum chamber 28. A plurality of thin film magnetic heads 33 are mounted on the peripheral surface of the substrate holder 32 at equal intervals. The high frequency power supply 30 is connected to the substrate holder 32.

【0029】基板ホルダー32の周囲には、金属製の筒
状のシールドカバー34が所定の距離隔てて設けられて
いる。このシールドカバー34は、接地電極に接続され
ている。このシールドカバー34は、被膜を形成すると
きに、基板ホルダー32に印加されるRF電圧によって
被膜形成箇所以外の基板ホルダー32と真空チャンバ2
8との間で放電が発生するのを防止するため設けられて
いる。基板ホルダー32とシールドカバー34との間の
間隙は、気体分子の平均自由工程以下の距離となるよう
に配置されており、本実施例では気体分子の平均自由工
程の1/10以下である約5mmの距離となるように配
置されている。
A metal cylindrical shield cover 34 is provided around the substrate holder 32 at a predetermined distance. The shield cover 34 is connected to the ground electrode. The shield cover 34 has a structure in which the substrate holder 32 and the vacuum chamber 2 other than the film forming portion are formed by the RF voltage applied to the substrate holder 32 when forming the film.
It is provided in order to prevent the occurrence of discharge between 8 and. The gap between the substrate holder 32 and the shield cover 34 is arranged so as to have a distance equal to or less than the mean free path of gas molecules, and in this embodiment, it is about 1/10 or less of the mean free path of gas molecules. The distance is set to 5 mm.

【0030】シールドカバー34には、第1の開口部3
5が形成されている。この第1の開口部35を通って、
プラズマ発生室24から引き出されたプラズマが基板ホ
ルダー32に装着された薄膜磁気ヘッド33に放射され
る。真空チャンバ28内には、反応ガス導入管36が設
けられている。この反応ガス導入管36の先端は、第1
の開口部35の上の方に位置する。
The shield cover 34 has a first opening 3
5 is formed. Through this first opening 35,
The plasma extracted from the plasma generation chamber 24 is radiated to the thin film magnetic head 33 mounted on the substrate holder 32. A reaction gas introduction pipe 36 is provided in the vacuum chamber 28. The tip of this reaction gas introduction pipe 36 is
Located above the opening 35 of the.

【0031】図10は、この反応ガス導入管36の先端
部分近傍を示す平面図である。図10を参照して、反応
ガス導入管36は、外部から真空チャンバ内にCH4
スなどの原料ガスを導入するためのガス導入部36a
と、このガス導入部36aと垂直に接続されたガス放出
部36bとから構成されている。ガス放出部36bは、
基板ホルダー32の回転方向Aに対して垂直方向に配置
され、第1の開口部35の上方の回転方向の上流側に位
置するように設けられている。ガス放出部36bには、
下方に向けて約45度の方向に複数の孔41が形成され
ている。本実施例では、8個の孔41が形成されてい
る。
FIG. 10 is a plan view showing the vicinity of the tip portion of the reaction gas introducing pipe 36. Referring to FIG. 10, the reaction gas introducing pipe 36 is provided with a gas introducing portion 36a for introducing a raw material gas such as CH 4 gas into the vacuum chamber from the outside.
And a gas discharge portion 36b which is vertically connected to the gas introduction portion 36a. The gas discharge part 36b is
It is arranged in a direction perpendicular to the rotation direction A of the substrate holder 32, and is provided so as to be located above the first opening 35 and upstream in the rotation direction. The gas discharge part 36b includes
A plurality of holes 41 are formed downward in a direction of about 45 degrees. In this embodiment, eight holes 41 are formed.

【0032】図9を再び参照して、第1の開口部35の
反対側には、第2の開口部43が形成されている。第2
の開口部43の下方には、中間層を構成する材料原子か
らなるターゲット46が設けられている。ターゲット4
6の近傍には、ターゲット46をスパッタするため、不
活性ガスのイオンをターゲット46に放射するイオンガ
ン47が設けられている。本実施例では、不活性ガスと
してArガスを用いている。ターゲット46及びイオン
ガン47により、第2の開口部43を通り、薄膜磁気ヘ
ッド33の上に中間層を構成する材料原子を放射するこ
とができる。
Referring again to FIG. 9, a second opening 43 is formed on the side opposite to the first opening 35. Second
A target 46 made of material atoms forming the intermediate layer is provided below the opening 43 of the. Target 4
An ion gun 47 is provided near 6 to irradiate the target 46 with ions of an inert gas for sputtering the target 46. In this embodiment, Ar gas is used as the inert gas. The target 46 and the ion gun 47 can radiate the material atoms forming the intermediate layer on the thin-film magnetic head 33 through the second opening 43.

【0033】実施例1及び2 図9に示す装置を用いて、薄膜磁気ヘッド上に中間層と
してのSiO2 層と炭素被膜を形成した。
Examples 1 and 2 Using the apparatus shown in FIG. 9, a SiO 2 layer as an intermediate layer and a carbon film were formed on a thin film magnetic head.

【0034】まず、真空チャンバ28内を10-5〜10
-7Torrに排気して、基板ホルダー32を約10rp
mの速度で回転させる。次に、真空チャンバ28内に酸
素を導入し、イオンガン47にArガスを供給して、A
rイオンを取り出し、これをSiからなるターゲット4
6の表面に放射する。このときのArイオンの加速電圧
は900eV、イオン電流密度は0.4mA/cm2
設定した。また酸素分圧は1×10-4Torrとした。
First, the inside of the vacuum chamber 28 is set to 10 −5 to 10 −5.
-Evacuate to -7 Torr and move the substrate holder 32 to about 10 rp
Rotate at a speed of m. Next, oxygen is introduced into the vacuum chamber 28, Ar gas is supplied to the ion gun 47, and A
r ion is taken out, and this is the target 4 made of Si.
Radiates to the surface of 6. At this time, the acceleration voltage of Ar ions was set to 900 eV and the ion current density was set to 0.4 mA / cm 2 . The oxygen partial pressure was 1 × 10 −4 Torr.

【0035】以上の工程を約1分間行い、薄膜磁気ヘッ
ド33の表面に膜厚20ÅのSiO 2 からなる中間層を
形成した。
The above steps are carried out for about 1 minute and the thin film magnetic head is
SiO2 with a film thickness of 20Å on the surface of the cord 33 2An intermediate layer consisting of
Formed.

【0036】次に、真空チャンバ28への酸素ガスの供
給及びイオンガン47からのArイオンの放射を止めた
のち、ECRプラズマ発生装置の放電ガス導入管25か
らArガスを5.7×10-4Torrで供給するととも
に、マイクロ波供給手段21から2.45GHz、10
0Wのマイクロ波を供給して、プラズマ発生室24内に
Arプラズマを形成し、形成されたArプラズマを第1
の開口部35を通して薄膜磁気ヘッド33の表面に放射
する。これと同時に、薄膜磁気ヘッド33に発生する自
己バイアスが−50Vとなるように高周波電源30から
13.56MHzのRF電圧を基板ホルダー32に印加
し、反応ガス導入管36からCH4 ガスを1.3×10
-3Torrで供給する。
Next, after the supply of oxygen gas to the vacuum chamber 28 and the emission of Ar ions from the ion gun 47 are stopped, Ar gas is supplied from the discharge gas introduction pipe 25 of the ECR plasma generator at 5.7 × 10 -4. It is supplied at Torr and is supplied from the microwave supply means 21 at 2.45 GHz, 10
A microwave of 0 W is supplied to form Ar plasma in the plasma generation chamber 24, and the formed Ar plasma is first
The light is radiated to the surface of the thin film magnetic head 33 through the opening 35. At the same time, an RF voltage of 13.56 MHz is applied to the substrate holder 32 from the high frequency power source 30 so that the self-bias generated in the thin film magnetic head 33 becomes −50 V, and CH 4 gas of 1. 3 x 10
-Supply at 3 Torr.

【0037】以上の工程を約1.7分間行い中間層上に
膜厚100Åの炭素被膜を形成したもの(実施例1)
と、以上の工程を約3.1分間行い中間層の上に膜厚1
80Åの炭素被膜を形成したもの(実施例2)と、以上
の工程を約6.5分間行い中間層の上に膜厚380Åの
炭素被膜を形成したもの(比較例1)を作製した。
A carbon coating having a film thickness of 100Å was formed on the intermediate layer by carrying out the above steps for about 1.7 minutes (Example 1).
Then, the above steps are performed for about 3.1 minutes and a film thickness of 1 is formed on the intermediate layer.
One having a carbon film of 80 Å formed (Example 2) and one having a carbon film having a film thickness of 380 Å formed on the intermediate layer (Comparative Example 1) were prepared by performing the above steps for about 6.5 minutes.

【0038】以上のようにして得られた実施例1及び2
並びに比較例1の薄膜磁気ヘッドを用いて、周波数とヘ
ッド出力との関係を測定した。測定結果を図11に示
す。図11に示されるように、中間層と炭素被膜の合計
膜厚が200Å以下とした実施例1及び2は、高いヘッ
ド出力を示しており、特に線密度50kfcI以上にお
いて高い出力を示している。
Examples 1 and 2 obtained as described above
The relationship between frequency and head output was measured using the thin film magnetic head of Comparative Example 1. The measurement result is shown in FIG. As shown in FIG. 11, Examples 1 and 2 in which the total thickness of the intermediate layer and the carbon coating was 200 Å or less showed a high head output, and particularly a high output at a linear density of 50 kfcI or more.

【0039】表1には、実施例1及び2と同一の条件で
薄膜磁気ヘッド母材上に中間層並びに炭素被膜を形成し
たサンプルを用いた摩耗試験結果を示している。なお、
試験は一定の荷重(100gf)を加えたアルミナ球
(φ10mm)でサンプル表面を摩擦することで行っ
た。表1では比較のため中間層及び炭素被膜を形成して
いない母材の摩耗量を1としている。
Table 1 shows the results of the abrasion test using the samples in which the intermediate layer and the carbon coating were formed on the base material of the thin film magnetic head under the same conditions as in Examples 1 and 2. In addition,
The test was conducted by rubbing the sample surface with an alumina ball (φ10 mm) to which a constant load (100 gf) was applied. In Table 1, for comparison, the wear amount of the base material on which the intermediate layer and the carbon coating are not formed is 1.

【0040】[0040]

【表1】 [Table 1]

【0041】表1より、実施例1及び2の場合に耐摩耗
性が向上していることがわかる。
From Table 1, it can be seen that the wear resistance is improved in Examples 1 and 2.

【0042】実施例3及び4 実施例1と同様にして、中間層及び炭素被膜を薄膜磁気
ヘッドの上に形成した。実施例3では、中間層としてS
iO2 を用い、その膜厚を20Åとし、炭素被膜として
100Åの膜厚のものを形成した。実施例4では、中間
層としてSiからなる中間層を形成した。この中間層の
膜厚は9Åとなるようにして形成した。なおSiからな
る中間層は、Siからなるターゲット46を用い、真空
チャンバ内に酸素を導入しないことにより、Siからな
る中間層を形成した。炭素被膜は111Åの膜厚のもの
を形成した。
Examples 3 and 4 In the same manner as in Example 1, an intermediate layer and a carbon coating were formed on the thin film magnetic head. In Example 3, S was used as the intermediate layer.
Using iO 2 , the film thickness was set to 20 Å, and a carbon film having a film thickness of 100 Å was formed. In Example 4, an intermediate layer made of Si was formed as the intermediate layer. The intermediate layer was formed to have a film thickness of 9Å. As the intermediate layer made of Si, a target 46 made of Si was used and oxygen was not introduced into the vacuum chamber to form an intermediate layer made of Si. The carbon coating was formed to have a film thickness of 111Å.

【0043】比較例2では、薄膜磁気ヘッドのスライダ
ー面の上に中間層及び炭素被膜を形成していないものを
作製した。比較例3では、中間層を形成せずに、薄膜磁
気ヘッドの上に直接膜厚120Åの炭素被膜を形成し
た。
In Comparative Example 2, a thin film magnetic head in which the intermediate layer and the carbon coating were not formed on the slider surface was prepared. In Comparative Example 3, a carbon film having a film thickness of 120Å was directly formed on the thin film magnetic head without forming the intermediate layer.

【0044】以上のようにして得られた実施例3及び4
並びに比較例2及び3の薄膜磁気ヘッドについて耐食性
試験を行った。所定時間腐食溶液に薄膜磁気ヘッドを暴
露した後、ヘッド抵抗値を測定し、ヘッド抵抗値と暴露
時間との関係を測定した。この結果を図12に示す。な
お、耐食性試験は、腐食溶液として適当に希釈した塩化
鉄水溶液を用い、その中に浸漬暴露することで行った。
Examples 3 and 4 obtained as described above
A corrosion resistance test was performed on the thin film magnetic heads of Comparative Examples 2 and 3. After the thin film magnetic head was exposed to the corrosive solution for a predetermined time, the head resistance value was measured and the relationship between the head resistance value and the exposure time was measured. The result is shown in FIG. The corrosion resistance test was performed by using an appropriately diluted iron chloride aqueous solution as a corrosive solution, and immersing and exposing it in the aqueous solution.

【0045】図12から明らかなように、炭素被膜を設
けていない比較例2のものは、ヘッド抵抗が急激に増加
している。本発明の従い中間層を形成した後炭素被膜を
形成した実施例3及び4は、中間層を形成していない比
較例3に比べ、より優れた耐食性を示した。
As is clear from FIG. 12, in Comparative Example 2 in which the carbon coating is not provided, the head resistance sharply increases. Examples 3 and 4 in which the carbon layer was formed after forming the intermediate layer according to the present invention showed more excellent corrosion resistance than Comparative Example 3 in which the intermediate layer was not formed.

【0046】実施例5〜8 次に、ターゲット46として、Zr、Ti、Ru、Ge
を用い、中間層として、ZrO2 (実施例5)、TiO
2 (実施例6)、RuO2 (実施例7)、GeO2 (実
施例8)を、それぞれ膜厚20Åとなるように形成し、
この中間層の上に炭素被膜を膜厚100Åで形成した薄
膜磁気ヘッドをそれぞれ作製した。
Examples 5 to 8 Next, as the target 46, Zr, Ti, Ru, Ge was used.
As the intermediate layer, ZrO 2 (Example 5), TiO 2
2 (Example 6), RuO 2 (Example 7), and GeO 2 (Example 8) were each formed to have a film thickness of 20Å.
Thin-film magnetic heads each having a carbon film formed on the intermediate layer with a thickness of 100Å were manufactured.

【0047】このようにして得られた薄膜磁気ヘッドに
ついて、上記実施例3及び4と同様にして耐食性試験を
行った。この結果を図13に示す。図13から明らかな
ように、これらの材料を中間層として形成した場合にも
優れた耐食性が得られている。また、線密度50kfc
Iにおいて実施例1と同様に高いヘッド出力が得られる
ことが確かめられた。
The thin film magnetic head thus obtained was subjected to a corrosion resistance test in the same manner as in Examples 3 and 4 above. The result is shown in FIG. As is clear from FIG. 13, excellent corrosion resistance is obtained even when these materials are formed as the intermediate layer. Also, the linear density is 50 kfc
It was confirmed that in I, a high head output was obtained as in Example 1.

【0048】実施例9 次に、中間層として、Siの炭化物を形成する実施例に
ついて説明する。このような中間層は、図9に示すよう
な装置を用い、ホルダー32を回転させながら、第1の
開口部35の部分で炭素を堆積させ、第2の開口部43
の部分でSiを堆積させることにより、Siと炭素とを
混合して形成することができる。真空チャンバ28内を
10-5〜10-7Torrに排気し、基板ホルダー42を
約10rpmの速度で回転させる。
Example 9 Next, an example in which a carbide of Si is formed as an intermediate layer will be described. For such an intermediate layer, using a device as shown in FIG. 9, while rotating the holder 32, carbon is deposited in the first opening portion 35 and the second opening portion 43 is formed.
By depositing Si at the portion, it is possible to form Si and carbon by mixing. The inside of the vacuum chamber 28 is evacuated to 10 −5 to 10 −7 Torr, and the substrate holder 42 is rotated at a speed of about 10 rpm.

【0049】次に、ECRの発生装置の放電ガス導入管
25からArガスを5.7×10-4Torrで供給する
とともに、マイクロ波供給手段21から2.45GH
z、100Wマイクロ波を供給して、プラズマ発生室4
内に形成されたArプラズマを第1の開口部35を通し
て薄膜磁気ヘッド33の表面に放射する。これと同時
に、薄膜磁気ヘッドに発生する自己バイアスがマイナス
50Vとなるように、高周波電源30から13.56M
HzのRF電圧を基板ホルダー32に印加し、反応ガス
導入管36からCH4 ガスを供給する。このときのCH
4 ガス供給量を100SCCMすなわち1.3×10-3
Torrとする。
Next, Ar gas is supplied from the discharge gas introduction pipe 25 of the ECR generator at 5.7 × 10 −4 Torr and the microwave supply means 21 is operated at 2.45 GH.
z, 100 W microwave is supplied to generate plasma 4
The Ar plasma formed therein is radiated to the surface of the thin film magnetic head 33 through the first opening 35. At the same time, the high frequency power supply 30 to 13.56M is used so that the self-bias generated in the thin film magnetic head becomes -50V.
An RF voltage of Hz is applied to the substrate holder 32, and CH 4 gas is supplied from the reaction gas introducing pipe 36. CH at this time
4 gas supply rate is 100 SCCM or 1.3 × 10 -3
Torr.

【0050】上記ECRプラズマ発生装置による薄膜形
成処理と同時に、Siからなるターゲット46の表面に
イオンガン47からのArイオンを放射する。このとき
のArイオンの加速電圧を900eV、イオン電流密度
0.4mAに設定する。
Simultaneously with the thin film forming process by the ECR plasma generator, Ar ions from the ion gun 47 are emitted to the surface of the target 46 made of Si. At this time, the acceleration voltage of Ar ions is set to 900 eV and the ion current density is set to 0.4 mA.

【0051】以上の工程を約1分間行うことにより、膜
厚20ÅのSiとCの混合層を形成した。このSiとC
からなる中間層の上に、膜厚100Åの炭素被膜を形成
した。
By performing the above steps for about 1 minute, a mixed layer of Si and C having a film thickness of 20 Å was formed. This Si and C
A carbon coating having a film thickness of 100 Å was formed on the intermediate layer consisting of.

【0052】得られた薄膜磁気ヘッドについて、上記実
施例と同様にしてヘッド出力及び耐食性を測定したとこ
ろ、上記各実施例と同様の高い出力特性及び優れた耐食
性を示した。
When the head output and corrosion resistance of the obtained thin film magnetic head were measured in the same manner as in the above-mentioned examples, the same high output characteristics and excellent corrosion resistance as those in the above-mentioned examples were shown.

【0053】実施例10 実施例9におけるCH4 ガス供給量を図14に示すよう
に、時間経過とともに漸次増加させ、1分経過後に10
0sccm、すなわち1.3×10-3Torrとなるよ
うに設定した。またArイオンのイオン電流密度は、図
15に示すように、時間経過とともに漸次減少させ、1
分経過後に0mA/m2 となるように設定した。
Example 10 As shown in FIG. 14, the CH 4 gas supply amount in Example 9 was gradually increased with the lapse of time, and after 1 minute, 10
It was set to 0 sccm, that is, 1.3 × 10 −3 Torr. Further, as shown in FIG. 15, the ion current density of Ar ions is gradually decreased with time, and 1
It was set to be 0 mA / m 2 after a lapse of minutes.

【0054】以上のようにして炭素の堆積速度を時間経
過とともに徐々に高め、Siの堆積速度を時間経過とと
もに徐々に減少させることにより、薄膜磁気ヘッドの基
板面から遠ざかるにつれて、徐々に炭素含有量が多くな
る傾斜構造を有したSiとCからなる中間層を形成し
た。この中間層の上に、膜厚100Åの炭素被膜を形成
した。
As described above, the carbon deposition rate is gradually increased over time and the Si deposition rate is gradually decreased over time, so that the carbon content gradually increases as the distance from the substrate surface of the thin film magnetic head increases. An intermediate layer made of Si and C having a graded structure with a large number of layers was formed. A carbon coating having a film thickness of 100 Å was formed on the intermediate layer.

【0055】以上のようにして得られた薄膜磁気ヘッド
について、上記各実施例と同様にしてヘッド出力及び耐
食性を試験した。この結果、本実施例の薄膜磁気ヘッド
は、高線密度領域において優れた出力向上を示し、また
耐食性においても優れていた。
The head output and corrosion resistance of the thin-film magnetic head obtained as described above were tested in the same manner as in each of the above-mentioned examples. As a result, the thin film magnetic head of this example showed excellent output improvement in the high linear density region and also excellent corrosion resistance.

【0056】実施例11 実施例1と同様にして、中間層として膜厚20ÅのSi
2 を形成し、この上に膜厚100Åの炭素被膜を形成
した。図9に示すような装置を用いた場合、図1〜図3
に示すように、炭素被膜はスライダー面部分のみなら
ず、側面部分の上方にもまわり込み、端縁エッジ部分を
被覆することができる。本実施例の場合、図4に示すX
の値で100μmとなった。また側面部分での炭素被膜
の厚みは50Åであった。
Example 11 Similar to Example 1, Si having a film thickness of 20 Å was used as an intermediate layer.
O 2 was formed, and a carbon film having a film thickness of 100 Å was formed on the O 2 . When the apparatus shown in FIG. 9 is used, FIGS.
As shown in, the carbon coating can extend not only to the slider surface portion but also above the side surface portion to cover the edge portion. In the case of this embodiment, X shown in FIG.
Value was 100 μm. The thickness of the carbon coating on the side surface was 50Å.

【0057】比較として、スパッタリング法を用いて、
同様の厚みの中間層及び炭素被膜を有する薄膜磁気ヘッ
ドを作製した。側面部分に中間層及び炭素被膜がほとん
ど形成されていない薄膜磁気ヘッドを得た。この比較例
の薄膜磁気ヘッドと本実施例の薄膜磁気ヘッドについ
て、その寿命を摩耗量の測定などから算出したところ、
本実施例は比較例の約1.2倍の寿命を示した。
For comparison, the sputtering method is used.
A thin film magnetic head having an intermediate layer and a carbon coating of similar thickness was produced. A thin film magnetic head in which the intermediate layer and the carbon coating were scarcely formed on the side surface was obtained. For the thin film magnetic head of this comparative example and the thin film magnetic head of this embodiment, the life was calculated from the measurement of the amount of wear,
This example has a life of about 1.2 times that of the comparative example.

【0058】[0058]

【発明の効果】本発明の第1の局面に従う薄膜磁気ヘッ
ドは、薄膜磁気ヘッドのスライダー面が膜厚200Å以
下の炭素被膜によって被覆されている。従って、優れた
耐摩耗性を有するとともに、薄膜トランスデューサの部
分をより磁気記録媒体に近づけることができ、出力、特
に高線密度領域での出力を高めることができる。また、
より近接して配置できるので、高密度化に対応すること
ができる。
In the thin film magnetic head according to the first aspect of the present invention, the slider surface of the thin film magnetic head is covered with a carbon film having a film thickness of 200 Å or less. Therefore, while having excellent wear resistance, the portion of the thin film transducer can be brought closer to the magnetic recording medium, and the output, especially in the high linear density region, can be increased. Also,
Since they can be arranged closer to each other, higher density can be supported.

【0059】本発明の第2の局面に従う薄膜磁気ヘッド
は、薄膜磁気ヘッドのスライダー面及びスライダー面の
端縁近傍の側面部分が炭素被膜によって被覆されてい
る。従って、ディスク等の起動を停止した際などにディ
スクと接触するときに生じるヘッドの損傷を少なくする
ことができる。また、この結果として、ディスク等の磁
気記録媒体により近接して配置することができるので、
出力の向上を図ることができるとともに、高密度化にも
対応することができる。
In the thin film magnetic head according to the second aspect of the present invention, the slider surface of the thin film magnetic head and the side surface portion near the edge of the slider surface are covered with the carbon coating. Therefore, it is possible to reduce damage to the head that occurs when the head comes into contact with the disk when the startup of the disk or the like is stopped. Further, as a result, since it can be arranged closer to the magnetic recording medium such as a disk,
The output can be improved and high density can be supported.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】図3のA−A線に沿う断面図。FIG. 1 is a sectional view taken along the line AA of FIG.

【図2】図3のB−B線に沿う断面図。FIG. 2 is a sectional view taken along line BB of FIG.

【図3】本発明に従う一実施例の薄膜磁気ヘッドを示す
斜視図。
FIG. 3 is a perspective view showing a thin film magnetic head of one embodiment according to the present invention.

【図4】本発明の第2の局面に従う一実施例を示す断面
図。
FIG. 4 is a sectional view showing an embodiment according to the second aspect of the present invention.

【図5】本発明の第2の局面に従う他の実施例を示す断
面図。
FIG. 5 is a sectional view showing another embodiment according to the second aspect of the present invention.

【図6】本発明の第2の局面に従うさらに他の実施例を
示す断面図。
FIG. 6 is a sectional view showing still another embodiment according to the second aspect of the present invention.

【図7】本発明における中間層の形態の一例を示す断面
図。
FIG. 7 is a sectional view showing an example of the form of an intermediate layer in the present invention.

【図8】本発明における中間層の形態の他の例を示す断
面図。
FIG. 8 is a sectional view showing another example of the form of the intermediate layer in the present invention.

【図9】本発明の実施例において中間層及び炭素被膜を
形成する装置の一例を示す概略断面図。
FIG. 9 is a schematic cross-sectional view showing an example of an apparatus for forming an intermediate layer and a carbon film in the example of the present invention.

【図10】図9に示す装置の第1の開口部近傍を示す平
面図。
10 is a plan view showing the vicinity of the first opening of the apparatus shown in FIG.

【図11】本発明に従う実施例のヘッド出力を示す図。FIG. 11 is a diagram showing a head output of an embodiment according to the present invention.

【図12】本発明に従う実施例の耐食性を示す図。FIG. 12 is a diagram showing the corrosion resistance of an example according to the present invention.

【図13】本発明に従う実施例の耐食性を示す図。FIG. 13 is a diagram showing corrosion resistance of Examples according to the present invention.

【図14】本発明に従う実施例におけるCH4 流量の変
化を示す図。
FIG. 14 is a diagram showing changes in CH 4 flow rate in an example according to the present invention.

【図15】本発明に従う実施例におけるイオン電流密度
の変化を示す図。
FIG. 15 is a diagram showing a change in ion current density in an example according to the present invention.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1…薄膜磁気ヘッド 1a…薄膜磁気ヘッドのスライダー面 1b〜1e…薄膜磁気ヘッドの側面部分 2…中間層 3…炭素被膜 DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 ... Thin film magnetic head 1a ... Slider surface of a thin film magnetic head 1b-1e ... Side surface part of a thin film magnetic head 2 ... Intermediate layer 3 ... Carbon film

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 木山 精一 大阪府守口市京阪本通2丁目5番5号 三 洋電機株式会社内 ─────────────────────────────────────────────────── ─── Continuation of the front page (72) Inventor Seiichi Kiyama 2-5-5 Keihan Hondori, Moriguchi City, Osaka Sanyo Electric Co., Ltd.

Claims (8)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 磁気記録媒体上を相対的に移動して情報
を書き込み及び/または読み出す薄膜磁気ヘッドにおい
て、 前記磁気記録媒体と対向する前記薄膜磁気ヘッドのスラ
イダー面が膜厚200Å以下の炭素被膜によって被覆さ
れており、該炭素被膜と薄膜磁気ヘッドのスライダー面
との間の少なくとも一部の領域に中間層が形成されてい
ることを特徴とする薄膜磁気ヘッド。
1. A thin film magnetic head which relatively moves on a magnetic recording medium to write and / or read information, wherein a slider surface of the thin film magnetic head facing the magnetic recording medium has a carbon film whose film thickness is 200 Å or less. A thin film magnetic head characterized in that an intermediate layer is formed on at least a part of a region between the carbon film and the slider surface of the thin film magnetic head.
【請求項2】 磁気記録媒体上を相対的に移動して情報
を書き込み及び/または読み出す薄膜磁気ヘッドにおい
て、 前記磁気記録媒体と対向する前記薄膜磁気ヘッドのスラ
イダー面及び該スライダー面の端縁近傍の側面部分が炭
素被膜によって被覆されていることを特徴とする薄膜磁
気ヘッド。
2. A thin-film magnetic head that relatively moves on a magnetic recording medium to write and / or read information, the slider surface of the thin-film magnetic head facing the magnetic recording medium, and the vicinity of an edge of the slider surface. A thin film magnetic head characterized in that a side surface of the is covered with a carbon coating.
【請求項3】 前記炭素被膜と薄膜磁気ヘッドのスライ
ダー面との間の少なくとも一部の領域に中間層が形成さ
れている請求項2に記載の薄膜磁気ヘッド。
3. The thin film magnetic head according to claim 2, wherein an intermediate layer is formed in at least a partial region between the carbon film and the slider surface of the thin film magnetic head.
【請求項4】 前記中間層が熱膨張係数1.0〜10×
10-6/℃の材料から形成されている請求項1または3
記載の薄膜磁気ヘッド。
4. The coefficient of thermal expansion of the intermediate layer is 1.0 to 10 ×.
3. The material according to claim 1, wherein the material is 10 −6 / ° C.
The thin-film magnetic head described.
【請求項5】 前記中間層が、Si、Zr、Ti、Ru
及びGe並びにこれらの酸化物、窒化物、及び炭化物か
らなるグループより選ばれる少なくとも1種の材料から
形成されている請求項1または3に記載の薄膜磁気ヘッ
ド。
5. The intermediate layer comprises Si, Zr, Ti, Ru
4. A thin film magnetic head according to claim 1, wherein the thin film magnetic head is made of at least one material selected from the group consisting of Ge and Ge, and oxides, nitrides, and carbides thereof.
【請求項6】 前記中間層が薄膜磁気ヘッドのスライダ
ー面上に島状に分散して形成されている請求項1または
3に記載の薄膜磁気ヘッド。
6. The thin film magnetic head according to claim 1, wherein the intermediate layer is formed on the slider surface of the thin film magnetic head so as to be dispersed in an island shape.
【請求項7】 前記中間層がSiから形成されており、
前記中間層が薄膜磁気ヘッドのスライダー面上に島状に
分散して形成されている請求項1または3に記載の薄膜
磁気ヘッド。
7. The intermediate layer is made of Si,
4. The thin film magnetic head according to claim 1, wherein the intermediate layer is formed on the slider surface of the thin film magnetic head in an island shape.
【請求項8】 前記中間層が炭化物から形成されてお
り、該中間層が薄膜磁気ヘッドのスライダー面から炭素
被膜に向かって炭素含有量が高くなる傾斜構造を有する
請求項1または請求項3〜7のいずれか1項に記載の薄
膜磁気ヘッド。
8. The intermediate layer is formed of carbide, and the intermediate layer has a graded structure in which the carbon content increases from the slider surface of the thin film magnetic head toward the carbon coating. 7. The thin film magnetic head according to any one of 7 above.
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