JPH08328063A - 3次非線形光学デバイス - Google Patents
3次非線形光学デバイスInfo
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- JPH08328063A JPH08328063A JP7132175A JP13217595A JPH08328063A JP H08328063 A JPH08328063 A JP H08328063A JP 7132175 A JP7132175 A JP 7132175A JP 13217595 A JP13217595 A JP 13217595A JP H08328063 A JPH08328063 A JP H08328063A
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- 230000003287 optical effect Effects 0.000 title claims abstract description 129
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 claims abstract description 33
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 32
- 230000008859 change Effects 0.000 claims abstract description 17
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 46
- 239000010419 fine particle Substances 0.000 claims description 36
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 10
- 239000002245 particle Substances 0.000 claims description 6
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 5
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 claims description 4
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 abstract 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 37
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 10
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 7
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 6
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 6
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 6
- 239000010408 film Substances 0.000 description 6
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 6
- 229910021591 Copper(I) chloride Inorganic materials 0.000 description 5
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- OXBLHERUFWYNTN-UHFFFAOYSA-M copper(I) chloride Chemical compound [Cu]Cl OXBLHERUFWYNTN-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 5
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 5
- 230000003993 interaction Effects 0.000 description 5
- 239000013307 optical fiber Substances 0.000 description 5
- 230000005281 excited state Effects 0.000 description 4
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 4
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 4
- CDBYLPFSWZWCQE-UHFFFAOYSA-L Sodium Carbonate Chemical compound [Na+].[Na+].[O-]C([O-])=O CDBYLPFSWZWCQE-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 3
- 238000000862 absorption spectrum Methods 0.000 description 3
- 239000005388 borosilicate glass Substances 0.000 description 3
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 3
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 3
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 3
- 230000005284 excitation Effects 0.000 description 3
- 230000010365 information processing Effects 0.000 description 3
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 3
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 3
- 239000002609 medium Substances 0.000 description 3
- 230000010287 polarization Effects 0.000 description 3
- 239000005373 porous glass Substances 0.000 description 3
- 229910005793 GeO 2 Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000002238 attenuated effect Effects 0.000 description 2
- BJQHLKABXJIVAM-UHFFFAOYSA-N bis(2-ethylhexyl) phthalate Chemical compound CCCCC(CC)COC(=O)C1=CC=CC=C1C(=O)OCC(CC)CCCC BJQHLKABXJIVAM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 2
- 238000007496 glass forming Methods 0.000 description 2
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 2
- 238000005470 impregnation Methods 0.000 description 2
- 239000000155 melt Substances 0.000 description 2
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 2
- 238000001556 precipitation Methods 0.000 description 2
- 230000001902 propagating effect Effects 0.000 description 2
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 description 2
- 229910021589 Copper(I) bromide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910004262 HgTe Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000673 Indium arsenide Inorganic materials 0.000 description 1
- GPXJNWSHGFTCBW-UHFFFAOYSA-N Indium phosphide Chemical compound [In]#P GPXJNWSHGFTCBW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910007709 ZnTe Inorganic materials 0.000 description 1
- UHYPYGJEEGLRJD-UHFFFAOYSA-N cadmium(2+);selenium(2-) Chemical compound [Se-2].[Cd+2] UHYPYGJEEGLRJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000005387 chalcogenide glass Substances 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002612 dispersion medium Substances 0.000 description 1
- 239000000835 fiber Substances 0.000 description 1
- 230000009477 glass transition Effects 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- WPYVAWXEWQSOGY-UHFFFAOYSA-N indium antimonide Chemical compound [Sb]#[In] WPYVAWXEWQSOGY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RPQDHPTXJYYUPQ-UHFFFAOYSA-N indium arsenide Chemical compound [In]#[As] RPQDHPTXJYYUPQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000002484 inorganic compounds Chemical class 0.000 description 1
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000031700 light absorption Effects 0.000 description 1
- 150000002894 organic compounds Chemical class 0.000 description 1
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 1
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000004044 response Effects 0.000 description 1
- 229910052703 rhodium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920006395 saturated elastomer Polymers 0.000 description 1
- SBIBMFFZSBJNJF-UHFFFAOYSA-N selenium;zinc Chemical compound [Se]=[Zn] SBIBMFFZSBJNJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
Landscapes
- Optical Communication System (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【構成】縮退4光波混合法による3次非線形感受率(χ
(3) )が10-8esu以上となる波長範囲の光を制御光
17とし、制御光17により、屈折率変化を誘起し、吸
収係数が50cm-1以下の、制御光17より長波長側の
波長の信号光16の光路を切り替えるとともに、信号光
16の振動数νs は共鳴エネルギーEX に対してhνs
<Ex /2(hはプランク定数)とする。 【効果】効率的なスイッチングができ、信号光の減衰が
少ない3次非線形光学デバイスが得られる。
(3) )が10-8esu以上となる波長範囲の光を制御光
17とし、制御光17により、屈折率変化を誘起し、吸
収係数が50cm-1以下の、制御光17より長波長側の
波長の信号光16の光路を切り替えるとともに、信号光
16の振動数νs は共鳴エネルギーEX に対してhνs
<Ex /2(hはプランク定数)とする。 【効果】効率的なスイッチングができ、信号光の減衰が
少ない3次非線形光学デバイスが得られる。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、光通信や光情報処理に
おいて、光による光の変調やスイッチングなどを可能に
する3次非線形光学デバイスに関する。
おいて、光による光の変調やスイッチングなどを可能に
する3次非線形光学デバイスに関する。
【0002】
【従来の技術】光通信、光情報処理において、情報など
の信号を光によって運ぶためには、変調やスイッチング
など、光制御を行う必要がある。現在、このような光制
御は、電気信号によって行う電気−光制御方法が用いら
れている。この電気−光制御方法は、電気回路のような
CR時定数による帯域制限を受けたり、また、素子自体
の応答速度や電気信号と信号光(被制御光)との間の速
度の不釣り合いなどによって処理速度が限定されたりし
て、光の利点である高帯域性、高速性を十分に利用でき
ていない。
の信号を光によって運ぶためには、変調やスイッチング
など、光制御を行う必要がある。現在、このような光制
御は、電気信号によって行う電気−光制御方法が用いら
れている。この電気−光制御方法は、電気回路のような
CR時定数による帯域制限を受けたり、また、素子自体
の応答速度や電気信号と信号光(被制御光)との間の速
度の不釣り合いなどによって処理速度が限定されたりし
て、光の利点である高帯域性、高速性を十分に利用でき
ていない。
【0003】こうした難題を解決し、光の高帯域性や高
速性を十分に活かすためには、光信号によって光信号を
制御する光−光制御技術が開発される必要がある。
速性を十分に活かすためには、光信号によって光信号を
制御する光−光制御技術が開発される必要がある。
【0004】光通信、光交換、光コンピュータ、光イン
ターコネクションなど光情報処理機器において、光を光
で制御できる材料である3次非線形光学材料は、光スイ
ッチなどとして利用される。これは、光によって、光学
的性質(屈折率、吸収係数など)が変化する特性を利用
する。信号光(被制御光)をスイッチングする場合に
は、制御光を材料中に入射することにより光学的性質
(屈折率、吸収係数など)を変化させる。
ターコネクションなど光情報処理機器において、光を光
で制御できる材料である3次非線形光学材料は、光スイ
ッチなどとして利用される。これは、光によって、光学
的性質(屈折率、吸収係数など)が変化する特性を利用
する。信号光(被制御光)をスイッチングする場合に
は、制御光を材料中に入射することにより光学的性質
(屈折率、吸収係数など)を変化させる。
【0005】この光スイッチングに必要な光学的性質の
変化は、一般的に、3次非線形感受率(χ(3) )、スイ
ッチング素子の相互作用長、制御光の強度に依存し、3
次非線形感受率(χ(3) )が大きいほど、スイッチング
素子の相互作用長が長いほど、また制御光の強度が強い
ほど、光学的性質の変化量は大きい。
変化は、一般的に、3次非線形感受率(χ(3) )、スイ
ッチング素子の相互作用長、制御光の強度に依存し、3
次非線形感受率(χ(3) )が大きいほど、スイッチング
素子の相互作用長が長いほど、また制御光の強度が強い
ほど、光学的性質の変化量は大きい。
【0006】一方、光−光制御の高速性を十分に活かす
ためには、緩和時間τが十分に小さい必要がある。緩和
時間τが大きいと、系全体が、回復するために時間がか
かりすぎて、結局、高速のスイッチが行えない。
ためには、緩和時間τが十分に小さい必要がある。緩和
時間τが大きいと、系全体が、回復するために時間がか
かりすぎて、結局、高速のスイッチが行えない。
【0007】従来知られる3次非線形光学材料のうち、
カルコゲナイドガラスや石英ガラスなどの非共鳴材料は
緩和時間が小さく、その点で高速のスイッチングを行う
ために有利であるといえる。これは、光の吸収係数が1
0cm-1以下と非常に小さく、かつ吸収係数に波長依存
性はほとんどないため、その点でも有利である。
カルコゲナイドガラスや石英ガラスなどの非共鳴材料は
緩和時間が小さく、その点で高速のスイッチングを行う
ために有利であるといえる。これは、光の吸収係数が1
0cm-1以下と非常に小さく、かつ吸収係数に波長依存
性はほとんどないため、その点でも有利である。
【0008】しかし、これらの材料においては、3次非
線形感受率が10-11 esu(静電単位)より小さくな
るため、デバイスとしては、前述のように、相互作用長
を長くするか、制御光強度を上げることによりスイッチ
ングを行う必要がある。相互作用長を長くすることは、
素子長が長くなることにつながり、素子が大きくなると
いう問題がある。また、制御光の強度を強くするために
は、現在の半導体レーザの開発状況に依存する点が多
く、すぐに解決できる問題ではない。
線形感受率が10-11 esu(静電単位)より小さくな
るため、デバイスとしては、前述のように、相互作用長
を長くするか、制御光強度を上げることによりスイッチ
ングを行う必要がある。相互作用長を長くすることは、
素子長が長くなることにつながり、素子が大きくなると
いう問題がある。また、制御光の強度を強くするために
は、現在の半導体レーザの開発状況に依存する点が多
く、すぐに解決できる問題ではない。
【0009】また、従来知られている3次非線形光学材
料の無機超格子薄膜、有機超格子薄膜などの共鳴材料
は、3次非線形感受率(χ(3) )が10-2esu程度に
なり、非常に高い材料として知られている。しかし、緩
和時間τが前記の非共鳴材料の1万倍以上も大きいた
め、高速のスイッチングを行うためにはデバイスに特別
な工夫が必要になる。
料の無機超格子薄膜、有機超格子薄膜などの共鳴材料
は、3次非線形感受率(χ(3) )が10-2esu程度に
なり、非常に高い材料として知られている。しかし、緩
和時間τが前記の非共鳴材料の1万倍以上も大きいた
め、高速のスイッチングを行うためにはデバイスに特別
な工夫が必要になる。
【0010】一方、3次非線形光学材料としては、微粒
子分散材料も知られている。これは、緩和時間が非共鳴
材料よりはやや大きいが、無機超格子薄膜、有機超格子
薄膜に比べると、非常に小さく、その意味で、高速のス
イッチングを行うデバイス用途として有望である。
子分散材料も知られている。これは、緩和時間が非共鳴
材料よりはやや大きいが、無機超格子薄膜、有機超格子
薄膜に比べると、非常に小さく、その意味で、高速のス
イッチングを行うデバイス用途として有望である。
【0011】しかし、3次非線形感受率(χ(3) )は波
長依存性を有し、最大で10-6esu程度である。この
最大値は、実用上十分にコンパクトな、相互作用長1m
m程度の素子を実現するために十分な大きさを持つが、
その波長依存性のため、実用できる波長は限られる。
長依存性を有し、最大で10-6esu程度である。この
最大値は、実用上十分にコンパクトな、相互作用長1m
m程度の素子を実現するために十分な大きさを持つが、
その波長依存性のため、実用できる波長は限られる。
【0012】一方、光の吸収係数も波長依存性を有す
る。この波長依存性とは、吸収係数が大きい波長におい
て3次非線形感受率(χ(3) )が非常に高くなり、逆
に、吸収係数が小さい波長では3次非線形感受率も低く
なるということである。
る。この波長依存性とは、吸収係数が大きい波長におい
て3次非線形感受率(χ(3) )が非常に高くなり、逆
に、吸収係数が小さい波長では3次非線形感受率も低く
なるということである。
【0013】つまり、3次非線形感受率(χ(3) )が非
常に高くなる波長の光を用いて、光スイッチングを行う
と、その波長における吸収係数が大きいために、光スイ
ッチング素子中を光が通過してくる間に光の強度が減衰
し、スイッチングされて素子中から出射されてくる光の
強度が非常に弱くなるという問題がある。また、逆に吸
収係数が小さい波長では3次非線形感受率(χ(3) )も
低くなり、十分にスイッチングさせられないという問題
がある。
常に高くなる波長の光を用いて、光スイッチングを行う
と、その波長における吸収係数が大きいために、光スイ
ッチング素子中を光が通過してくる間に光の強度が減衰
し、スイッチングされて素子中から出射されてくる光の
強度が非常に弱くなるという問題がある。また、逆に吸
収係数が小さい波長では3次非線形感受率(χ(3) )も
低くなり、十分にスイッチングさせられないという問題
がある。
【0014】
【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、微粒
子分散材料は3次非線形感受率(χ(3) )が高いが、こ
の特性を発現させる波長において吸収係数も大きくなる
ため、このような材料を用いて光スイッチング素子を作
製し3次非線形感受率(χ(3) )が高い波長の光を用い
て光スイッチングを行う場合、素子の中を通過してくる
間に光が減衰して出射時には光の強度が非常に弱くなる
という前記課題を解消するにある。
子分散材料は3次非線形感受率(χ(3) )が高いが、こ
の特性を発現させる波長において吸収係数も大きくなる
ため、このような材料を用いて光スイッチング素子を作
製し3次非線形感受率(χ(3) )が高い波長の光を用い
て光スイッチングを行う場合、素子の中を通過してくる
間に光が減衰して出射時には光の強度が非常に弱くなる
という前記課題を解消するにある。
【0015】
【課題を解決するための手段】本発明は、屈折率が入射
光強度によって変化する3次非線形光学材料である微粒
子分散材料からなる光導波領域を具備し、縮退4光波混
合法による3次非線形感受率(χ(3) )が10-8esu
(静電単位)以上となる波長範囲の光を制御光とし、こ
の制御光により、前記屈折率変化を誘起し、吸収係数が
50cm-1以下の、前記制御光より長波長側の波長の信
号光の光路を切り替えるとともに、信号光の振動数νs
は光導波領域の共鳴エネルギーEX に対してhνs <E
x /2(hはプランク定数)となっていることを特徴と
する3次非線形光学デバイスを提供する。
光強度によって変化する3次非線形光学材料である微粒
子分散材料からなる光導波領域を具備し、縮退4光波混
合法による3次非線形感受率(χ(3) )が10-8esu
(静電単位)以上となる波長範囲の光を制御光とし、こ
の制御光により、前記屈折率変化を誘起し、吸収係数が
50cm-1以下の、前記制御光より長波長側の波長の信
号光の光路を切り替えるとともに、信号光の振動数νs
は光導波領域の共鳴エネルギーEX に対してhνs <E
x /2(hはプランク定数)となっていることを特徴と
する3次非線形光学デバイスを提供する。
【0016】3次非線形光学材料の種類としては、微粒
子分散材料、無機化合物超格子薄膜、有機化合物超格子
薄膜、有機系材料などがあるが、本発明では前述の目的
で、微粒子分散材料を用いる。
子分散材料、無機化合物超格子薄膜、有機化合物超格子
薄膜、有機系材料などがあるが、本発明では前述の目的
で、微粒子分散材料を用いる。
【0017】この材料は共鳴エネルギーEX を比較的大
きくできるため、信号光の振動数νs を光導波領域の共
鳴エネルギーEX に対してhνs <Ex /2とするため
に望ましい。
きくできるため、信号光の振動数νs を光導波領域の共
鳴エネルギーEX に対してhνs <Ex /2とするため
に望ましい。
【0018】微粒子分散材料の微粒子の種類としては、
半導体微粒子、金属微粒子などがある。半導体微粒子を
形成する半導体の種類としては、CuCl、CuBrな
どの1−7族化合物半導体、CdS、CdSe、CdT
e、ZnS、ZnSe、ZnTe、HgTeなどの2−
6族化合物半導体、GaAs、GaN、GaP、GaS
b、InAs、InP、InSbなどの3−5族化合物
半導体、Si、Geなどの4族半導体、またはこれらの
混合物がある。また、金属微粒子の金属の種類として
は、Au、Cu、Ag、Pt、Rhなどがある。
半導体微粒子、金属微粒子などがある。半導体微粒子を
形成する半導体の種類としては、CuCl、CuBrな
どの1−7族化合物半導体、CdS、CdSe、CdT
e、ZnS、ZnSe、ZnTe、HgTeなどの2−
6族化合物半導体、GaAs、GaN、GaP、GaS
b、InAs、InP、InSbなどの3−5族化合物
半導体、Si、Geなどの4族半導体、またはこれらの
混合物がある。また、金属微粒子の金属の種類として
は、Au、Cu、Ag、Pt、Rhなどがある。
【0019】種々の微粒子を分散させるための媒質とし
ては、半導体または金属を微粒子として分散させること
ができ、制御光、信号光(被制御光)とする光の波長に
対して吸収係数が小さい媒質であれば何でもよいが、耐
久性、安定性、取り扱いやすさの面でガラス、ポリマー
などが優れる。特に、ガラスは耐レーザ光性、耐候性、
耐久性などに優れるため好ましい。
ては、半導体または金属を微粒子として分散させること
ができ、制御光、信号光(被制御光)とする光の波長に
対して吸収係数が小さい媒質であれば何でもよいが、耐
久性、安定性、取り扱いやすさの面でガラス、ポリマー
などが優れる。特に、ガラスは耐レーザ光性、耐候性、
耐久性などに優れるため好ましい。
【0020】ガラス組成は、微粒子が分散しやすいよう
に変化させればよく、特に限定されない。ポリマーの種
類についても微粒子が分散しやすいように変化させれば
よく、特に限定はされない。
に変化させればよく、特に限定されない。ポリマーの種
類についても微粒子が分散しやすいように変化させれば
よく、特に限定はされない。
【0021】媒質中に分散している微粒子の大きさは、
1〜100nm、特には1〜50nm、であることが望
ましい。微粒子の大きさが100nmを超えると、制御
光、信号光の光が微粒子による散乱のために失われ、光
スイッチングを有効に行えなくなるおそれがある。ま
た、微粒子の大きさが1nm未満であると、量子閉じ込
めが起こらず、非線形性が発現しないおそれがある。
1〜100nm、特には1〜50nm、であることが望
ましい。微粒子の大きさが100nmを超えると、制御
光、信号光の光が微粒子による散乱のために失われ、光
スイッチングを有効に行えなくなるおそれがある。ま
た、微粒子の大きさが1nm未満であると、量子閉じ込
めが起こらず、非線形性が発現しないおそれがある。
【0022】微粒子分散媒質材料の作製方法には、溶融
析出法、多孔質ガラスへの含浸法、スパッタリング法な
どがある。溶融析出法は、微粒子構成成分およびマトリ
クスガラス成分を含有した原料を溶融急冷しガラス化
し、その後、ガラス転移温度以上の温度で適当な時間保
持することによりガラス中に微粒子を析出させる方法で
ある。多孔質ガラスへの含浸法は、多孔質ガラス中へ微
粒子分散材料を含浸させた後、無孔化処理を行うことに
より微粒子分散ガラスを得る方法である。スパッタリン
グ法は、微粒子分散材料とガラス成分とをターゲットと
してスパッタリングし、微粒子分散ガラスを得る方法で
ある。
析出法、多孔質ガラスへの含浸法、スパッタリング法な
どがある。溶融析出法は、微粒子構成成分およびマトリ
クスガラス成分を含有した原料を溶融急冷しガラス化
し、その後、ガラス転移温度以上の温度で適当な時間保
持することによりガラス中に微粒子を析出させる方法で
ある。多孔質ガラスへの含浸法は、多孔質ガラス中へ微
粒子分散材料を含浸させた後、無孔化処理を行うことに
より微粒子分散ガラスを得る方法である。スパッタリン
グ法は、微粒子分散材料とガラス成分とをターゲットと
してスパッタリングし、微粒子分散ガラスを得る方法で
ある。
【0023】光導波領域の形態としては、光ファイバ、
ガラス基板に導波路を組み込んだガラス素子など、光を
失わずに伝搬させる構造を持っていればよい。
ガラス基板に導波路を組み込んだガラス素子など、光を
失わずに伝搬させる構造を持っていればよい。
【0024】次に、本発明において、光スイッチングを
行う原理について述べる。
行う原理について述べる。
【0025】材料中に、電子を励起状態に励起させるた
めの光を入射すると、材料がその光のエネルギーを吸収
し励起状態に電子が励起される。この、電子を励起状態
に励起させるための光を励起光と呼ぶ。励起光の強度が
強い場合、励起状態の電子密度が増大する。すると、吸
収が飽和を起こして吸収係数が減少する。
めの光を入射すると、材料がその光のエネルギーを吸収
し励起状態に電子が励起される。この、電子を励起状態
に励起させるための光を励起光と呼ぶ。励起光の強度が
強い場合、励起状態の電子密度が増大する。すると、吸
収が飽和を起こして吸収係数が減少する。
【0026】この吸収係数が光の強度によって変化する
ことにより3次の非線形光学効果が現われる。吸収スペ
クトルは一般に連続的であるから、吸収スペクトルの飽
和はスペクトルの高エネルギー側へのシフト(ブルーシ
フト)と考えられる。吸収スペクトルのシフトに伴って
屈折率スペクトルも高エネルギー側へシフトするから、
結果的に屈折率変化がもたらされる。
ことにより3次の非線形光学効果が現われる。吸収スペ
クトルは一般に連続的であるから、吸収スペクトルの飽
和はスペクトルの高エネルギー側へのシフト(ブルーシ
フト)と考えられる。吸収スペクトルのシフトに伴って
屈折率スペクトルも高エネルギー側へシフトするから、
結果的に屈折率変化がもたらされる。
【0027】光励起によって生ずる3次の非線形光学効
果による材料の屈折率変化は、非線形屈折率n2 を用い
て数1のように表される。ただし、数1において、n0
は線形の屈折率、Iは光強度で、n2 Iは屈折率変化量
を示す。
果による材料の屈折率変化は、非線形屈折率n2 を用い
て数1のように表される。ただし、数1において、n0
は線形の屈折率、Iは光強度で、n2 Iは屈折率変化量
を示す。
【0028】
【数1】
【0029】スイッチングを起こすための制御光には、
材料をコンパクト(おおよそ1mm以下)にするため、
縮退4光波混合法により評価した材料の3次非線形感受
率(χ(3) )が10-8esu以上となる波長の光を用い
る。この波長の光によって屈折率変化を起こす。一方
で、光スイッチングされる信号光(被制御光)の波長
は、制御光の波長より長波長側の吸収係数が50cm-1
以下となる波長の光を用いる。このように制御光の波長
と信号光(被制御光)の波長を異なる波長にすることに
より、光スイッチングが行えると同時にスイッチングさ
れて出射されてくる信号光の強度をほとんど減衰させず
に出力させることが可能となる。
材料をコンパクト(おおよそ1mm以下)にするため、
縮退4光波混合法により評価した材料の3次非線形感受
率(χ(3) )が10-8esu以上となる波長の光を用い
る。この波長の光によって屈折率変化を起こす。一方
で、光スイッチングされる信号光(被制御光)の波長
は、制御光の波長より長波長側の吸収係数が50cm-1
以下となる波長の光を用いる。このように制御光の波長
と信号光(被制御光)の波長を異なる波長にすることに
より、光スイッチングが行えると同時にスイッチングさ
れて出射されてくる信号光の強度をほとんど減衰させず
に出力させることが可能となる。
【0030】本発明においては、信号光の振動数νs は
共鳴エネルギーEX に対してhνs<Ex /2となって
いることも重要である。つまり、本発明のように、吸収
が非常に小さい領域で信号光を用いる場合には、2光子
吸収が無視できない。用途によってはスイッチングは膨
大な回数行われることになるため、わずかな吸収であっ
ても実用上は大きな問題となる。上記条件の採用によっ
てこのような吸収を回避し、より効率の高い光スイッチ
ングを実現できる。
共鳴エネルギーEX に対してhνs<Ex /2となって
いることも重要である。つまり、本発明のように、吸収
が非常に小さい領域で信号光を用いる場合には、2光子
吸収が無視できない。用途によってはスイッチングは膨
大な回数行われることになるため、わずかな吸収であっ
ても実用上は大きな問題となる。上記条件の採用によっ
てこのような吸収を回避し、より効率の高い光スイッチ
ングを実現できる。
【0031】微粒子分散材料は、デバイスの共鳴エネル
ギーEX を比較的大きくできるため、hνs <Ex /2
とすることが比較的容易であり、その点で、非常に優れ
た材料である。すなわち、本発明の3次非線形光学デバ
イスは、構造に加えて、デバイスに用いる微粒子分散型
3次非線形光学デバイスの特性があいまって、高速、低
吸収という非常に優れた光スイッチング機能を発現せし
める。
ギーEX を比較的大きくできるため、hνs <Ex /2
とすることが比較的容易であり、その点で、非常に優れ
た材料である。すなわち、本発明の3次非線形光学デバ
イスは、構造に加えて、デバイスに用いる微粒子分散型
3次非線形光学デバイスの特性があいまって、高速、低
吸収という非常に優れた光スイッチング機能を発現せし
める。
【0032】光スイッチングデバイスの形態としては、
光カーシャッタ形、マッハツェンダ干渉計形、方向性結
合形、プリズム結合形、グレーティング結合形、非線形
エタロン形などがある。
光カーシャッタ形、マッハツェンダ干渉計形、方向性結
合形、プリズム結合形、グレーティング結合形、非線形
エタロン形などがある。
【0033】
(実施例1)図2に本実施例の3次非線形光学デバイス
で用いる非線形光導波路の構造を示す。これは導波路構
造の断面の模式図である。この非線形光導波路は、Cu
Cl微粒子分散ガラスからなる径が50μmのコア21
と、コア21を被覆する径が125μmのガラス層から
なるクラッド22からなり、光ファイバの形態を採って
いる。
で用いる非線形光導波路の構造を示す。これは導波路構
造の断面の模式図である。この非線形光導波路は、Cu
Cl微粒子分散ガラスからなる径が50μmのコア21
と、コア21を被覆する径が125μmのガラス層から
なるクラッド22からなり、光ファイバの形態を採って
いる。
【0034】コア21を構成しているCuCl微粒子分
散ガラスのマトリクスガラス組成はソーダホウケイ酸ガ
ラス(Na2 O・B2 O3 ・SiO2 )であり、クラッ
ド22を構成しているガラス組成も、前述のコア同様ソ
ーダホウケイ酸ガラスである。光導波路中を光が伝搬す
るためには、コアの屈折率をクラッドの屈折率よりも高
くしなければならない。そのため、コアのソーダホウケ
イ酸ガラスには、屈折率を高くするためにZrO2 を添
加してある。また、この導波路の、光の伝搬方向の長さ
は300μmである。
散ガラスのマトリクスガラス組成はソーダホウケイ酸ガ
ラス(Na2 O・B2 O3 ・SiO2 )であり、クラッ
ド22を構成しているガラス組成も、前述のコア同様ソ
ーダホウケイ酸ガラスである。光導波路中を光が伝搬す
るためには、コアの屈折率をクラッドの屈折率よりも高
くしなければならない。そのため、コアのソーダホウケ
イ酸ガラスには、屈折率を高くするためにZrO2 を添
加してある。また、この導波路の、光の伝搬方向の長さ
は300μmである。
【0035】このようなコア−クラッド構造をもつ光導
波路である光ファイバを作製するために、コア用の原料
とクラッド用の原料を用意し、従来技術である二重るつ
ぼ法により製造した。コア部分にCuCl微粒子を析出
させるために、二重るつぼ法により作製したファイバを
熱処理した。この熱処理によってコア部分に析出したC
uCl微粒子の平均粒径は、TEM観察の結果8nmで
あった。また、この光導波路の共鳴エネルギーEx は
3.23eVであった。
波路である光ファイバを作製するために、コア用の原料
とクラッド用の原料を用意し、従来技術である二重るつ
ぼ法により製造した。コア部分にCuCl微粒子を析出
させるために、二重るつぼ法により作製したファイバを
熱処理した。この熱処理によってコア部分に析出したC
uCl微粒子の平均粒径は、TEM観察の結果8nmで
あった。また、この光導波路の共鳴エネルギーEx は
3.23eVであった。
【0036】図1は、図2の非線形光導波路を用いた本
発明の3次非線形光学デバイスの1実施例であり、マッ
ハツェンダ干渉計を応用した光−光制御の模式的な構成
図である。同図において入射口16より波長1.55μ
mの信号光(被制御光)が入射される。波長1.55μ
mの光は0.80eVのエネルギーを有する。用いてい
るCuCl微粒子分散ガラスは、1.55μmの波長の
光に対して吸収係数は10cm-1である。
発明の3次非線形光学デバイスの1実施例であり、マッ
ハツェンダ干渉計を応用した光−光制御の模式的な構成
図である。同図において入射口16より波長1.55μ
mの信号光(被制御光)が入射される。波長1.55μ
mの光は0.80eVのエネルギーを有する。用いてい
るCuCl微粒子分散ガラスは、1.55μmの波長の
光に対して吸収係数は10cm-1である。
【0037】ビームスプリッタ11によって、1.55
μmの波長の光は透過光と反射光が1:1に分波され
る。これによって入射光16より入射されたビームは、
2つの光路に分けられる。
μmの波長の光は透過光と反射光が1:1に分波され
る。これによって入射光16より入射されたビームは、
2つの光路に分けられる。
【0038】2つの光路に分けられた一方は、光路Aを
通り、全反射ミラー12によって全反射されビームスプ
リッタ13に入射する。他方のビームは、光路Bを通
り、誘電体多層膜ミラー14で反射される。この誘電体
多層膜ミラー14は、1.55μmの波長の光に対して
は全反射する設計になっている。さらにビームは、誘電
体多層膜ミラーで反射された後、本発明の3次非線形光
学材料であるCuCl微粒子分散ガラスからなる非線形
光導波路15に入射し、ビームスプリッタ13において
前記ビームと合波される。
通り、全反射ミラー12によって全反射されビームスプ
リッタ13に入射する。他方のビームは、光路Bを通
り、誘電体多層膜ミラー14で反射される。この誘電体
多層膜ミラー14は、1.55μmの波長の光に対して
は全反射する設計になっている。さらにビームは、誘電
体多層膜ミラーで反射された後、本発明の3次非線形光
学材料であるCuCl微粒子分散ガラスからなる非線形
光導波路15に入射し、ビームスプリッタ13において
前記ビームと合波される。
【0039】合波されたビームの出力方向は、合波され
る2つのビームの相対的位相差によって出射口18また
は19に制御されて出力される。信号光(被制御光)の
出力方向を制御する、すなわち、2つのビームの相対的
位相差を引き起こす方法は、非線形光導波路中に、屈折
率変化を起こさせる制御光を入射させるかさせないかに
よって行う。
る2つのビームの相対的位相差によって出射口18また
は19に制御されて出力される。信号光(被制御光)の
出力方向を制御する、すなわち、2つのビームの相対的
位相差を引き起こす方法は、非線形光導波路中に、屈折
率変化を起こさせる制御光を入射させるかさせないかに
よって行う。
【0040】光路Aと光路Bの光路長(光路の構成成分
それぞれについて、実際の距離と光路の構成成分の屈折
率とをかけた数値を合計した値)を同一に設定しておく
と、信号光(被制御光)がビームスプリッタ13を経由
後、1つに合波されたビームは、干渉の結果出射口18
の方向に強め合い出力される。一方、出射口19の方向
のビームは、干渉の結果弱め合い出力されない。したが
って、光路Aと光路Bの光路長が同一の場合、信号光
(被制御光)は出射口18の方向に出射される。
それぞれについて、実際の距離と光路の構成成分の屈折
率とをかけた数値を合計した値)を同一に設定しておく
と、信号光(被制御光)がビームスプリッタ13を経由
後、1つに合波されたビームは、干渉の結果出射口18
の方向に強め合い出力される。一方、出射口19の方向
のビームは、干渉の結果弱め合い出力されない。したが
って、光路Aと光路Bの光路長が同一の場合、信号光
(被制御光)は出射口18の方向に出射される。
【0041】制御光を入射し非線形光導波路中に屈折率
変化を起こさせ、3次非線形光学材料の挿入された部分
の光路長が、信号光波長の半波長分だけ変化した場合、
ビームスプリッタ13における干渉状態が逆転し、1つ
に合波されたビームは、干渉の結果出射口19の方向に
強め合い出力される。一方、出射口18の方向のビーム
は、干渉の結果弱め合い出力されない。
変化を起こさせ、3次非線形光学材料の挿入された部分
の光路長が、信号光波長の半波長分だけ変化した場合、
ビームスプリッタ13における干渉状態が逆転し、1つ
に合波されたビームは、干渉の結果出射口19の方向に
強め合い出力される。一方、出射口18の方向のビーム
は、干渉の結果弱め合い出力されない。
【0042】したがって、制御光を入射することにより
光路Aと光路Bの光路長を信号光(被制御光)の半波長
分だけずらすことができ、すなわち、相対的位相差を誘
起でき、信号光(被制御光)は出射口19の方向に出射
され、出射口を18から19に変更できる。
光路Aと光路Bの光路長を信号光(被制御光)の半波長
分だけずらすことができ、すなわち、相対的位相差を誘
起でき、信号光(被制御光)は出射口19の方向に出射
され、出射口を18から19に変更できる。
【0043】この制御光を非線形光導波中に入射させる
方法は、入射口17を用意することにより行う。制御光
の波長には、縮退4光波混合法により評価した材料の3
次非線形感受率(χ(3) )が10-8esu以上となる波
長の光を用いる。本実施例の場合、非線形光導波路にC
uCl微粒子分散ガラスを用いており、縮退4光波混合
法により評価した3次非線形感受率(χ(3) )が10-8
esu以上となる波長範囲は387〜383nmであ
る。そこで制御光の波長は385nmとした。
方法は、入射口17を用意することにより行う。制御光
の波長には、縮退4光波混合法により評価した材料の3
次非線形感受率(χ(3) )が10-8esu以上となる波
長の光を用いる。本実施例の場合、非線形光導波路にC
uCl微粒子分散ガラスを用いており、縮退4光波混合
法により評価した3次非線形感受率(χ(3) )が10-8
esu以上となる波長範囲は387〜383nmであ
る。そこで制御光の波長は385nmとした。
【0044】このとき、縮退4光波混合法により評価し
た3次非線形感受率(χ(3) )は2×10-6esuであ
り、また、385nmの波長の光に対する吸収係数は、
400cm-1であった。
た3次非線形感受率(χ(3) )は2×10-6esuであ
り、また、385nmの波長の光に対する吸収係数は、
400cm-1であった。
【0045】入射口17から入射された385nmの波
長の制御光は、誘電体多層膜ミラー14を経由して非線
形光導波路に入射される。誘電体多層膜ミラー14は、
385nmの波長の光に対して反射率が0になるように
設計してある。
長の制御光は、誘電体多層膜ミラー14を経由して非線
形光導波路に入射される。誘電体多層膜ミラー14は、
385nmの波長の光に対して反射率が0になるように
設計してある。
【0046】こうすることにより、非線形光導波路中
に、吸収係数が50cm-1以下である1.55μmの波
長の光と、縮退4光波混合法により評価した3次非線形
感受率(χ(3) )が2×10-6esuとなる385nm
の波長の光を共存させることができ、縮退4光波混合法
による3次非線形感受率(χ(3) )が10-8esu以上
となる波長範囲内の385nmの波長の光を制御光と
し、この制御光により、非線形光導波路中に屈折率変化
を起こさせ、1.55μmの波長の信号光(被制御光)
の光路を切り替えることが可能となる。
に、吸収係数が50cm-1以下である1.55μmの波
長の光と、縮退4光波混合法により評価した3次非線形
感受率(χ(3) )が2×10-6esuとなる385nm
の波長の光を共存させることができ、縮退4光波混合法
による3次非線形感受率(χ(3) )が10-8esu以上
となる波長範囲内の385nmの波長の光を制御光と
し、この制御光により、非線形光導波路中に屈折率変化
を起こさせ、1.55μmの波長の信号光(被制御光)
の光路を切り替えることが可能となる。
【0047】(実施例2)図3に、本実施例の3次非線
形光学デバイスで用いる非線形光導波路の構造を示す。
これは導波路構造の模式図である。この非線形光導波路
の構造は、ガラス基板32に、光が失われずに伝達され
る働きをする導波路部31を組み込んだ構造である。
形光学デバイスで用いる非線形光導波路の構造を示す。
これは導波路構造の模式図である。この非線形光導波路
の構造は、ガラス基板32に、光が失われずに伝達され
る働きをする導波路部31を組み込んだ構造である。
【0048】ガラス基板32を構成しているガラス組成
は、石英ガラスである。導波路部31はCu微粒子分散
ガラスからなり、10μmの幅で5μmの厚さである。
導波路部31を構成しているCu微粒子分散ガラスのマ
トリクスガラス組成は前述のガラス基板同様石英ガラス
であるが、光導波路中を光が伝搬するためには、導波路
部の屈折率をガラス基板の屈折率よりも高くしなければ
ならない。
は、石英ガラスである。導波路部31はCu微粒子分散
ガラスからなり、10μmの幅で5μmの厚さである。
導波路部31を構成しているCu微粒子分散ガラスのマ
トリクスガラス組成は前述のガラス基板同様石英ガラス
であるが、光導波路中を光が伝搬するためには、導波路
部の屈折率をガラス基板の屈折率よりも高くしなければ
ならない。
【0049】石英ガラスの場合、GeO2 の添加により
屈折率を高くできる。このため、石英ガラスにGeO2
を添加して導波路部の屈折率をガラス基板の屈折率より
高くした。また、この導波路の、光の伝搬方向の長さは
500μmである。
屈折率を高くできる。このため、石英ガラスにGeO2
を添加して導波路部の屈折率をガラス基板の屈折率より
高くした。また、この導波路の、光の伝搬方向の長さは
500μmである。
【0050】このようなガラス基板に、光が失われずに
伝達される働きをする導波路部を組み込んだ構造をもつ
光導波路を作製するために、まず、ガラス基板を、エッ
チングにより幅が10μm、深さが5μmの溝ができる
ように加工した。次に、非線形光導波路部の組成のガラ
スを厚さが5μmになるようにスパッタリングにより前
記溝部分に成膜した。
伝達される働きをする導波路部を組み込んだ構造をもつ
光導波路を作製するために、まず、ガラス基板を、エッ
チングにより幅が10μm、深さが5μmの溝ができる
ように加工した。次に、非線形光導波路部の組成のガラ
スを厚さが5μmになるようにスパッタリングにより前
記溝部分に成膜した。
【0051】導波路部分にCu微粒子を析出させるため
に、ガラス基板および導波路部分を熱処理した。この熱
処理によって導波路部分に析出したCu微粒子の平均粒
径は、TEM観察の結果45nmであった。また、この
光導波路の共鳴エネルギーEx は2.14eVであっ
た。
に、ガラス基板および導波路部分を熱処理した。この熱
処理によって導波路部分に析出したCu微粒子の平均粒
径は、TEM観察の結果45nmであった。また、この
光導波路の共鳴エネルギーEx は2.14eVであっ
た。
【0052】図3の非線形光学材料を用いたデバイスと
しては、図1に示したマッハツェンダ干渉計を応用した
光−光制御を採用した。実施例1と同様に信号光として
波長1.55μmの光を用いる。非線形材料として用い
ているCu微粒子分散ガラスは、1.55μmの波長の
光に対して吸収係数は10cm-1である。
しては、図1に示したマッハツェンダ干渉計を応用した
光−光制御を採用した。実施例1と同様に信号光として
波長1.55μmの光を用いる。非線形材料として用い
ているCu微粒子分散ガラスは、1.55μmの波長の
光に対して吸収係数は10cm-1である。
【0053】制御光の波長には、実施例1と同様に、縮
退4光波混合法により評価した材料の3次非線形感受率
(χ(3) )が10-8esu以上となる波長の光を用い
る。本実施例の場合、非線形光導波路にCu微粒子分散
ガラスを用いており、縮退4光波混合法により評価した
3次非線形感受率(χ(3) )が10-8esu以上となる
波長範囲は585〜575nmである。そこで制御光の
波長は580nmとした。このとき、縮退4光波混合法
により評価した3次非線形感受率(χ(3) )は4×10
-7esuであり、また、580nmの波長の光に対する
吸収係数は、2000cm-1であった。
退4光波混合法により評価した材料の3次非線形感受率
(χ(3) )が10-8esu以上となる波長の光を用い
る。本実施例の場合、非線形光導波路にCu微粒子分散
ガラスを用いており、縮退4光波混合法により評価した
3次非線形感受率(χ(3) )が10-8esu以上となる
波長範囲は585〜575nmである。そこで制御光の
波長は580nmとした。このとき、縮退4光波混合法
により評価した3次非線形感受率(χ(3) )は4×10
-7esuであり、また、580nmの波長の光に対する
吸収係数は、2000cm-1であった。
【0054】本実施例によっても、吸収の少ない信号光
の切り替えを行うことができた。
の切り替えを行うことができた。
【0055】(実施例3)本実施例の3次非線形光学デ
バイスで用いる非線形光導波路の構造は図2に示す構造
と同様の構造をしており、同様の製法で製造される。た
だし、この非線形光導波路は、Au微粒子分散ガラスか
らなり、また、この導波路の、光の伝搬方向の長さは1
mmであり、コア部分に析出したAu微粒子の平均粒径
は、TEM観察の結果80nmであった。この光導波路
の共鳴エネルギーEx は2.32eVであった。
バイスで用いる非線形光導波路の構造は図2に示す構造
と同様の構造をしており、同様の製法で製造される。た
だし、この非線形光導波路は、Au微粒子分散ガラスか
らなり、また、この導波路の、光の伝搬方向の長さは1
mmであり、コア部分に析出したAu微粒子の平均粒径
は、TEM観察の結果80nmであった。この光導波路
の共鳴エネルギーEx は2.32eVであった。
【0056】図4は、本発明の3次非線形光学デバイス
の別の実施例であり、光−光制御の模式的な構成図であ
る。同図において入射口45より縦偏光の波長1.55
μmの信号光(被制御光)が入射される。用いているA
u微粒子分散ガラスは、1.55μmの波長の光に対し
て吸収係数は1cm-1である。誘電体多層膜ミラー42
を経由して信号光は、本発明の3次非線形光学材料であ
るAu微粒子分散ガラスからなる非線形光導波路44中
に入射される。
の別の実施例であり、光−光制御の模式的な構成図であ
る。同図において入射口45より縦偏光の波長1.55
μmの信号光(被制御光)が入射される。用いているA
u微粒子分散ガラスは、1.55μmの波長の光に対し
て吸収係数は1cm-1である。誘電体多層膜ミラー42
を経由して信号光は、本発明の3次非線形光学材料であ
るAu微粒子分散ガラスからなる非線形光導波路44中
に入射される。
【0057】この誘電体多層膜ミラー42は、1.55
μmの波長の光に対しては全透過する設計になってい
る。ここで、Au微粒子分散ガラスに入射する前に縦偏
光のみ透過させる偏光子41を設置し、導波路出口には
横偏光のみ透過させる検光子43を設置することにより
縦偏光の光は検光子を通過できず、出力光出射口47で
は検出されない。
μmの波長の光に対しては全透過する設計になってい
る。ここで、Au微粒子分散ガラスに入射する前に縦偏
光のみ透過させる偏光子41を設置し、導波路出口には
横偏光のみ透過させる検光子43を設置することにより
縦偏光の光は検光子を通過できず、出力光出射口47で
は検出されない。
【0058】制御光を入射し、非線形光導波路中に屈折
率変化を起こさせると、屈折率に異方性が誘起され、偏
光面が回転される。偏光面の回転を引き起こす方法は、
非線形光導波路中に、屈折率変化を起こさせる制御光を
入射させるかさせないかによって行う。
率変化を起こさせると、屈折率に異方性が誘起され、偏
光面が回転される。偏光面の回転を引き起こす方法は、
非線形光導波路中に、屈折率変化を起こさせる制御光を
入射させるかさせないかによって行う。
【0059】この制御光を非線形光導波中に入射させる
方法は、入射口46を用意することにより行う。制御光
の波長には、縮退4光波混合法により評価した材料の3
次非線形感受率(χ(3) )が10-8esu以上となる波
長の光を用いる。本実施例の場合、非線形光導波路にA
u微粒子分散ガラスを用いており、縮退4光波混合法に
より評価した3次非線形感受率(χ(3) )が10-8es
u以上となる波長範囲は530〜540nmである。そ
こで制御光の波長は535nmとした。
方法は、入射口46を用意することにより行う。制御光
の波長には、縮退4光波混合法により評価した材料の3
次非線形感受率(χ(3) )が10-8esu以上となる波
長の光を用いる。本実施例の場合、非線形光導波路にA
u微粒子分散ガラスを用いており、縮退4光波混合法に
より評価した3次非線形感受率(χ(3) )が10-8es
u以上となる波長範囲は530〜540nmである。そ
こで制御光の波長は535nmとした。
【0060】このとき、縮退4光波混合法により評価し
た3次非線形感受率(χ(3) )は1×10-7esuであ
り、また、535nmの波長の光に対する吸収係数は、
3000cm-1であった。
た3次非線形感受率(χ(3) )は1×10-7esuであ
り、また、535nmの波長の光に対する吸収係数は、
3000cm-1であった。
【0061】入射口46から入射された535nmの波
長の制御光は、誘電体多層膜ミラー52を経由して非線
形光導波路に入射される。誘電体多層膜ミラー42の設
計は、535nmの波長の光に対して全反射するように
してある。
長の制御光は、誘電体多層膜ミラー52を経由して非線
形光導波路に入射される。誘電体多層膜ミラー42の設
計は、535nmの波長の光に対して全反射するように
してある。
【0062】こうすることにより、非線形光導波路中
に、吸収係数が50cm-1以下である1.55μmの波
長の光と、縮退4光波混合法により評価した3次非線形
感受率(χ(3) )が1×10-7esuとなる535nm
の波長の光を共存させることができ、縮退4光波混合法
による3次非線形感受率(χ(3) )が10-8esu以上
となる波長範囲のうち最長波長よりも短波長側の535
nmの波長の光を制御光とし、この制御光により、非線
形光導波路中に屈折率変化を起こさせ、信号光の偏光面
を回転させ、吸収係数が50cm-1以下の、制御光より
長波長側の1.55μmの波長の信号光(被制御光)を
出射口43に出力させることができる。
に、吸収係数が50cm-1以下である1.55μmの波
長の光と、縮退4光波混合法により評価した3次非線形
感受率(χ(3) )が1×10-7esuとなる535nm
の波長の光を共存させることができ、縮退4光波混合法
による3次非線形感受率(χ(3) )が10-8esu以上
となる波長範囲のうち最長波長よりも短波長側の535
nmの波長の光を制御光とし、この制御光により、非線
形光導波路中に屈折率変化を起こさせ、信号光の偏光面
を回転させ、吸収係数が50cm-1以下の、制御光より
長波長側の1.55μmの波長の信号光(被制御光)を
出射口43に出力させることができる。
【0063】以上、本発明の3次非線形光学デバイスに
ついて、実施例によって詳しく説明したが、本発明は実
施例のみに限定されない。本実施例では、材料の形態を
光ファイバ、光導波路としたが、光を伝搬できる構造で
あるならば何でもよい。また、3次非線形光学デバイス
の形態として、マッハツェンダ干渉計を応用した実施例
などを説明したが、光カーシャッタ形、方向性結合形、
プリズム結合形、グレーティング結合形、非線形エタロ
ン形など、制御光により、屈折率変化を起こさせ、吸収
係数が50cm-1以下の、前記制御光より長波長側の波
長の信号光の光路を切り替えることができる構造であれ
ば何でもよい。
ついて、実施例によって詳しく説明したが、本発明は実
施例のみに限定されない。本実施例では、材料の形態を
光ファイバ、光導波路としたが、光を伝搬できる構造で
あるならば何でもよい。また、3次非線形光学デバイス
の形態として、マッハツェンダ干渉計を応用した実施例
などを説明したが、光カーシャッタ形、方向性結合形、
プリズム結合形、グレーティング結合形、非線形エタロ
ン形など、制御光により、屈折率変化を起こさせ、吸収
係数が50cm-1以下の、前記制御光より長波長側の波
長の信号光の光路を切り替えることができる構造であれ
ば何でもよい。
【0064】
【発明の効果】本発明によれば、3次非線形感受率(χ
(3) )が高く効率的なスイッチングが可能であるととも
に、素子の中を通過する際に信号光の減衰もほとんど生
じない3次非線形光学デバイスが得られる。
(3) )が高く効率的なスイッチングが可能であるととも
に、素子の中を通過する際に信号光の減衰もほとんど生
じない3次非線形光学デバイスが得られる。
【図1】本発明の3次非線形光学デバイスの1実施例を
示す模式的な構成図
示す模式的な構成図
【図2】本発明で用いる非線形光導波路の1例である光
ファイバ構造の断面図
ファイバ構造の断面図
【図3】本発明で用いる非線形光導波路の他の例の斜視
図
図
【図4】本発明の3次非線形光学デバイスの他の実施例
を示す模式的な構成図
を示す模式的な構成図
11、13・・・ビームスプリッタ 12・・・全反射ミラー 14、42・・・誘電体多層膜ミラー 15、44・・・非線形光導波路 21・・・コア 22・・・クラッド 31・・・導波路部 32・・・ガラス基板 41・・・偏光子 43・・・検光子
Claims (3)
- 【請求項1】屈折率が入射光強度によって変化する3次
非線形光学材料である微粒子分散材料からなる光導波領
域を具備し、縮退4光波混合法による3次非線形感受率
(χ(3) )が10-8esu(静電単位)以上となる波長
範囲の光を制御光とし、この制御光により、前記屈折率
変化を誘起し、吸収係数が50cm-1以下の、前記制御
光より長波長側の波長の信号光の光路を切り替えるとと
もに、信号光の振動数νs は光導波領域の共鳴エネルギ
ーEX に対してhνs <Ex /2(hはプランク定数)
となっていることを特徴とする3次非線形光学デバイ
ス。 - 【請求項2】3次非線形光学材料に分散される微粒子が
金属または半導体からなることを特徴とする請求項1記
載の3次非線形光学デバイス。 - 【請求項3】微粒子の粒径が1〜100nmであること
を特徴とする請求項2記載の3次非線形光学デバイス。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP7132175A JPH08328063A (ja) | 1995-05-30 | 1995-05-30 | 3次非線形光学デバイス |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP7132175A JPH08328063A (ja) | 1995-05-30 | 1995-05-30 | 3次非線形光学デバイス |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH08328063A true JPH08328063A (ja) | 1996-12-13 |
Family
ID=15075137
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP7132175A Pending JPH08328063A (ja) | 1995-05-30 | 1995-05-30 | 3次非線形光学デバイス |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH08328063A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2011257582A (ja) * | 2010-06-09 | 2011-12-22 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 光スイッチ |
JP2011257581A (ja) * | 2010-06-09 | 2011-12-22 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 光学材料 |
-
1995
- 1995-05-30 JP JP7132175A patent/JPH08328063A/ja active Pending
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2011257582A (ja) * | 2010-06-09 | 2011-12-22 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 光スイッチ |
JP2011257581A (ja) * | 2010-06-09 | 2011-12-22 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 光学材料 |
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